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JP6778402B2 - マスク保持装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、マスク保持方法、及び露光方法 - Google Patents

マスク保持装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、マスク保持方法、及び露光方法 Download PDF

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Description

本発明は、マスク保持装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、マスク保持方法、及び露光方法に係り、更に詳しくは、マスクを保持するマスク保持装置及び方法、前記マスク保持装置を含む露光装置、前記マスク保持方法を含む露光方法、前記露光装置又は方法を用いたフラットパネルディスプレイ、又はデバイスの製造方法に関する。
従来、液晶表示素子、半導体素子（集積回路等）等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル（以下、「マスク」と総称する）と、ガラスプレート又はウエハ等（以下、「基板」と総称する）とを所定の走査方向に沿って同期移動させつつ、マスクに形成されたパターンをエネルギビームを用いて基板上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））などが用いられている。
この種の露光装置は、マスクを保持するとともに、該マスクをスキャン方向に所定の速度、及び精度で移動させるマスクステージ装置を有している（例えば、特許文献１参照）。
ここで、一般的なマスクステージ装置は、エネルギビームの光路と干渉しないように、マスクＭの端部近傍（マスクパターンが形成されていない領域）を保持（あるいは支持）する構造となっているため、マスクには、自重に起因する撓みが生ずる。このようなマスクの撓みは、光学的に補償することよって露光精度を確保することが可能であるが、マスクの撓み形状が安定しない場合には、光学的な補償が困難となる問題があった。
特開２０１１−８５６７１号公報
本発明は、上述の事情の下でなされたもので、第１の態様によれば、マスクに形成されたパターンを基板上に転写する露光装置で用いられる、前記マスクを保持するマスク保持装置であって、前記マスク上の所定方向に離れた複数の被支持領域を下方から支持する複数の支持部と、前記マスク上の被支持領域以外の複数の被保持領域を吸着して保持する吸着面を有する複数の保持部と、を有し、複数の前記支持部は、前記マスクのうち複数の前記被支持領域の間の領域が前記マスクの自重により重力方向に撓み、所定の撓み形状となった前記マスクの前記被支持領域を支持し、前記保持部は、前記支持部の支持によって前記所定の撓み形状となった前記マスクの被保持領域に倣うように変位可能な前記吸着面により、前記被保持領域を吸着して保持し、前記支持部は、前記重力方向に関して、前記保持部が前記被保持領域に接触する位置とは異なる位置で前記被支持領域に接触し、前記被支持領域を支持する、マスク保持装置が、提供される。
第２の態様によれば、マスクに形成されたパターンを基板上に転写する露光装置で用いられる、前記マスクを保持するマスク保持装置であって、前記マスク上の所定方向に離れた複数の被支持領域を下方から支持する複数の支持部と、前記マスク上の被支持領域以外の複数の被保持領域を吸着して保持する吸着面を有する複数の保持部と、を有し、複数の前記支持部は、前記マスクのうち複数の前記被支持領域の間の領域が前記マスクの自重により重力方向に撓み、所定の撓み形状となった前記マスクの前記被支持領域を支持し、前記保持部は、前記支持部の支持によって撓んだ前記マスクの前記所定の撓み形状を保持するために、前記マスクの側面で被保持領域に接触して保持し、前記支持部は、前記重力方向に関して、前記保持部が前記被保持領域に接触する位置とは異なる位置で前記被支持領域に接触し、前記被支持領域を支持する、マスク保持装置が、提供される。
第３の態様によれば、第１態様又は第２の態様に係るマスク保持装置と、前記マスク保持装置に保持された前記マスクを介してエネルギビームで前記基板を露光する露光動作によって、前記マスクが有するパターンを前記基板に形成するパターン形成装置と、を備える露光装置が、提供される。
第４の態様によれば、第３の態様に係る露光装置を用いて前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。
第５の態様によれば、第３の態様に係る露光装置を用いて前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
第６の態様によれば、マスクに形成されたパターンを基板上に転写する露光装置で用いられる、前記マスクを保持するマスク保持方法であって、前記マスク上の所定方向に離れた複数の被支持領域を複数の支持部を用いて支持することと、前記支持部によって支持され、前記所定方向に交差する重力方向に関して前記マスクの自重によって撓んだ前記マスク上の被保持領域を吸着して保持する吸着面を有する保持部を用いて前記被保持領域を保持することと、を含み、前記支持することでは、前記マスクのうち複数の前記被支持領域の間の領域が前記マスクの自重により重力方向に撓み、所定の撓み形状となった前記マスクの前記被支持領域を支持し、前記保持することでは、前記支持部の支持によって前記所定の撓み形状となった前記マスクの被保持領域に倣うように変位可能な前記吸着面により、前記被保持領域を保持し、前記支持することでは、前記重力方向に関して、前記保持部が前記被保持領域に接触する位置とは異なる位置で前記被支持領域に接触し、前記被支持領域を支持する、マスク保持方法が、提供される。
第７の態様によれば、マスクに形成されたパターンを基板上に転写する露光装置で用いられる、前記マスクを保持するマスク保持方法であって、前記マスク上の所定方向に離れた複数の被支持領域を複数の支持部を用いて支持することと、前記支持部によって支持され、前記所定方向に交差する重力方向に関して前記マスクの自重によって撓んだ前記マスク上の被保持領域を吸着して保持する吸着面を有する保持部を用いて前記被保持領域を保持することと、を有し、前記支持することでは、前記マスクのうち複数の前記被支持領域の間の領域が前記マスクの自重により重力方向に撓み、所定の撓み形状となった前記マスクの前記被支持領域を支持し、前記保持することでは、前記支持部の支持によって撓んだ前記マスクの所定の撓み形状を保持するために、前記マスクの側面で前記マスクの被保持領域に接触して保持し、前記支持することでは、前記重力方向に関して、前記保持部が前記被保持領域に接触する位置とは異なる位置で前記被支持領域に接触し、前記被支持領域を支持する、マスク保持方法が、提供される。
第８の態様によれば、第６の態様又は第７の態様に係るマスク保持方法と、前記マスク保持方法によって保持された前記マスクを介してエネルギビームで前記基板を露光する露光動作によって、前記マスクが有するパターンを前記基板に形成することと、を含む露光方法が、提供される。
第９の態様によれば、第８の態様に係る露光方法を用いて前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。
第１０の態様によれば、第８の態様に係る露光方法を用いて前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
第１の実施形態に係る液晶露光装置の構成を概略的に示す図である。 図１の液晶露光装置が有するマスクステージ装置の平面図である。 図３（ａ）は、図２の３Ａ部拡大図、図３（ｂ）は、図３（ａ）の３Ｂ−３Ｂ線断面図である。 図４（ａ）〜図４（ｃ）は、マスクステージ装置に対するマスクのローディング動作を説明するための図（その１〜その３）である。 図５（ａ）は比較例に係るマスクの支持装置を示す図、図５（ｂ）は、第１の実施形態に係るマスクの支持装置を示す図、図５（ｃ）は、比較例、及び第１の実施形態におけるマスクの吸着圧力と変位量との関係を示すグラフである。 図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第１の実施形態に係るマスクステージ装置の第１の変形例を示す図（それぞれ断面図、及び平面図）である。 第１の実施形態に係るマスクステージ装置の第２の変形例を示す図である。 第１の実施形態に係るマスクステージ装置の第３の変形例を示す図である。 第１の実施形態に係るマスクステージ装置の第４の変形例を示す図である。 第１の実施形態に係るマスクステージ装置の第５の変形例を示す図である。 図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、第２の実施形態に係るマスクステージ装置の構成、及び動作を説明するための図（その１及びその２）である。 第２の実施形態に係るマスクステージ装置の変形例を示す図である。 第３の実施形態に係るマスクステージ装置の平面図である。
《第１の実施形態》
以下、第１の実施形態について、図１〜図５（ｃ）を用いて説明する。
図１には、第１の実施形態に係る液晶露光装置１０の構成が概略的に示されている。液晶露光装置１０は、例えば液晶表示装置（フラットパネルディスプレイ）などに用いられる矩形（角型）のガラス基板Ｐ（以下、単に基板Ｐと称する）を露光対象物とするステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。
液晶露光装置１０は、照明系１２、回路パターン等のパターンが形成されたマスクＭを保持するマスクステージ装置１４、投影光学系１６、表面（図１で＋Ｚ側を向いた面）にレジスト（感応剤）が塗布された基板Ｐを保持する基板ステージ装置２０、及びこれらの制御系等を有している。以下、露光時にマスクＭと基板Ｐとが投影光学系１６に対してそれぞれ相対走査される方向をＸ軸方向とし、水平面内でＸ軸に直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸に直交する方向をＺ軸方向として説明を行う。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸回りの回転方向をそれぞれθｘ、θｙ、及びθｚ方向として説明を行う。
照明系１２は、例えば米国特許第５，７２９，３３１号明細書などに開示される照明系と同様に構成されている。すなわち、照明系１２は、図示しない光源（例えば、水銀ランプ）から射出された光を、それぞれ図示しない反射鏡、ダイクロイックミラー、シャッター、波長選択フィルタ、各種レンズなどを介して、露光用照明光（照明光）ＩＬとしてマスクＭに照射する。照明光ＩＬとしては、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）などの光（あるいは、上記ｉ線、ｇ線、ｈ線の合成光）が用いられる。照明系１２からマスクＭに照射される照明光ＩＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸にほぼ平行である。
マスクステージ装置１４は、光透過型のマスクＭを保持するステージ本体３０を有している。ステージ本体３０は、ＸＹ平面にほぼ平行に配置された板状の部材から成り、中央部にマスクＭが挿入される開口部３２が形成されている。ステージ本体３０は、例えばリニアモータを含むマスクステージ駆動系を介して照明系１２（照明光ＩＬ）に対してＸ軸方向（スキャン方向）に所定の長ストロークで駆動されるとともに、Ｙ軸方向、及びθｚ方向に微少駆動される。ステージ本体３０の水平面内の位置情報は、例えばレーザ干渉計システム（あるいはエンコーダシステム）を含むマスクステージ位置計測系（不図示）によって求められる。ステージ本体３０によるマスクＭの保持構造については、後述する。
投影光学系１６は、マスクステージ装置１４の下方に配置されている。投影光学系１６は、例えば米国特許第６，５５２，７７５号明細書などに開示される投影光学系と同様な構成の、いわゆるマルチレンズ型の投影光学系であり、例えば正立正像を形成する両側テレセントリックな複数の光学系（投影系モジュール１６ａ）を備えている。
液晶露光装置１０では、照明系１２からの照明光ＩＬによって所定の照明領域内に位置するマスクＭが照明されると、マスクＭを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系１６を介してその照明領域内のマスクＭのパターンの投影像（部分的なパターンの像）が、基板Ｐ上の露光領域に形成される。そして、照明領域（照明光ＩＬ）に対してマスクＭが走査方向に相対移動するとともに、露光領域（照明光ＩＬ）に対して基板Ｐが走査方向に相対移動することで、基板Ｐ上の１つのショット領域の走査露光が行われ、そのショット領域にマスクＭに形成されたパターン（マスクＭの走査範囲に対応するパターン全体）が転写される。ここで、マスクＭ上の照明領域と基板Ｐ上の露光領域（照明光の照射領域）とは、投影光学系１６によって互いに光学的に共役な関係になっている。
基板ステージ装置２０は、基板Ｐを投影光学系１６（照明光ＩＬ）に対して高精度位置決めする部分である。基板ステージ装置２０は、基板Ｐを保持する保持部材（基板ホルダなどとも称される）と、該保持部材（すなわち基板Ｐ）を水平面（Ｘ軸方向、及びＹ軸方向）に沿って所定の長ストロークで駆動するとともに、６自由度方向に微少駆動する駆動系とを有している。保持部材（すなわち基板Ｐ）の６自由度方向の位置情報は、例えばレーザ干渉計システム（あるいはエンコーダシステム）を含む基板ステージ位置計測系（不図示）によって求められる。
次に、マスクステージ装置１４が有するステージ本体３０によるマスクＭの支持及び保持構造について説明する。
図２に示されるように、マスクステージ装置１４は、複数の（本実施形態では、例えば６つの）支持装置４０を有している。例えば、６つの支持装置４０それぞれは、マスクＭを下方から支持する支持ブロック５０を有している。また、例えば６つの支持装置４０それぞれは、マスクＭを吸着保持する吸着パッド４６を有している。すなわち、マスクＭは、互いに異なる、例えば６つの部分が支持ブロック５０により支持されるとともに、互いに異なる、例えば６つの部分が吸着パッド４６により吸着保持される。
例えば６つの支持装置４０のうち、３つは開口部３２を形成（規定）する壁面のうち、＋Ｙ側の壁面から開口部３２内に突き出して配置され、残りの３つは、−Ｙ側の壁面から開口部３２内に突き出して配置されている。上記＋Ｙ側の３つの支持装置４０、及び−Ｙ側の３つの支持装置４０は、それぞれＸ軸方向に所定間隔で配置されている。
ここで、マスクＭの下面（パターン面）には、四辺それぞれの端部近傍において、パターンが形成されていない領域（以下、「余白領域」と称する）が形成されている。また、マスクＭの下面におけるパターンが形成された領域（余白領域よりもマスクＭの内側の領域）には、パターン保護用のペリクル（不図示）が取り付けられている。例えば６つの支持装置４０のうち、＋Ｙ側の３つは、マスクＭの＋Ｙ側の端部近傍に形成された余白領域（ペリクルと干渉しない領域）を下方から支持するとともに吸着保持し、−Ｙ側の３つは、マスクＭの−Ｙ側の端部近傍に形成された余白領域を下方から支持するとともに吸着保持している。
次に支持装置４０の構成について説明する。例えば６つの支持装置４０の構成は、実質的に同じであるので、そのうちの１つについて説明する。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示されるように、支持装置４０は、ベース部４２、板ばね４４、吸着パッド４６、支持ブロック５０などを有している。
ベース部４２は、平面視矩形の平板状の部材から成り、一端（図３（ａ）及び図３（ｂ）では、−Ｙ側の端部）がステージ本体３０の下面に固定されている。ベース部４２の他端（図３（ａ）及び図３（ｂ）では、＋Ｙ側の端部）は、ステージ本体３０から開口部３２内に突き出している。ベース部４２は、Ｙ軸方向に関する中間部に段差部が形成されており、他端部側の領域が一端部側の領域に比べて幾分（ベース部４２自体の剛性に影響がない程度に）薄く形成されている。
ベース部４２の他端部近傍における上面には、支持ブロック５０が固定されている。支持ブロック５０は、Ｘ軸方向に延びるＹＺ断面矩形状の部材から成る。本実施形態において、支持ブロック５０は、例えばステンレス鋼などの金属材料により形成されているが、これに限られず、例えば精度変化の少ないセラミックによって形成されても良い。また、支持ブロック５０は、マスクＭの下面に直接接触することから、マスクＭと同じガラスにより形成されても良い。また、本実施形態では、支持ブロック５０とベース部４２とは、別部材とされているが、これらは一体的に形成されていても良い。
板ばね４４は、ばね性（弾性）を有する板材（例えば、鋼板）により形成されている。板ばね４４は、ＸＹ平面にほぼ平行に配置されており、Ｚ軸、及びθｘ方向に弾性を有する一方で、ＸＹ平面に平行な方向（特にＸ軸方向）に関しては、所定の剛性を有している。板ばね４４の一端は、ベース部４２の上面における段差部よりも一端側（厚みの厚い側）の領域にシム４８ａを介してボルト４８により固定されている。板ばね４４の他端（以下「先端部」と称する）は、ベース部４２の上面における段差部よりも先端側（厚みの薄い側）の領域に突き出しており、ベース部４２の上面と板ばね４４の下面との間に所定の隙間が形成されている。なお、本実施形態の支持装置４０は、Ｘ軸方向に離間した、例えば２枚の板ばね４４を有しているが、板ばね４４の数は、特に限定されない。
吸着パッド４６は、Ｘ軸方向に延びる平板状の部材から成り（図３（ａ）参照）、板ばね４４の先端側の領域、すなわち自由端側の上面上に固定されている。上述した支持ブロック５０は、吸着パッド４６よりもマスクＭの中央部側（図３（ｂ）では＋Ｙ側）に配置されている。吸着パッド４６の上面（吸着面）には、Ｘ軸方向に延びる溝４６ａが形成され、該溝４６ａの底面の中央部に吸引口４６ｂが形成されている。吸引口４６ｂは、吸着パッド４６の側面に開口する外部接続用の開口部４６ｃ（図３（ａ）では不図示。図３（ｂ）参照）に連通している。吸着パッド４６の溝４６ａには、上記開口部４６ｃ、及び吸引口４６ｂを介して外部から真空吸引力が供給される。また、吸着パッド４６の上面（吸着面）の高さ位置は、支持ブロック５０の上端面よりも高い位置（＋Ｚ側）となるように設定されている。なお、図３（ｂ）では、理解を容易にするため、マスクＭが実際よりも撓んだ状態で（傾斜して）示されている。
次に、マスクステージ装置１４に対するマスクＭのローディング時における支持装置４０の動作について図４（ａ）〜図４（ｃ）を用いて説明する。
図４（ａ）に示されるように、マスクＭが不図示のマスクローダによって下降駆動（図４（ａ）の矢印参照）されると、マスクＭの下面は、最初に吸着パッド４６に接触する。この際、吸着パッド４６は、真空吸引を行わない。従って、吸着パッド４６は、マスクＭを拘束せず、板ばね４４は、マスクＭの自重によって先端部が下方に撓む。なお、板ばね４４は、自由端側に吸着パッド４６が固定されていることから、マスクＭを支持していない状態でも先端部が垂れ下がるように幾分変形しているが、これに限らない。
次いで、図４（ｂ）に示されるように、マスクＭの下面が支持ブロック５０に接触する。これにより、Ｚ軸方向に関して、マスクステージ装置１４によるマスクＭの支持位置（図４（ｂ）で丸印Ｓで示す位置）が機械的に決定される。ここで、支持ブロック５０は、Ｘ軸方向に延在しているので、支持ブロック５０とマスクＭとは、線接触している。マスクＭは、＋Ｙ側、及び−Ｙ側の端部近傍が複数の支持ブロック５０に下方から支持されることから（図２参照）、その自重に起因して、Ｙ軸方向に関する中央部が−Ｚ方向に凸状に張り出すように撓みが生じる。
また、マスクＭが支持ブロック５０に支持された後、図４（ｃ）に示されるように、吸着パッド４６がマスクＭを吸着保持する。この際、支持装置４０では、支持ブロック５０がマスクＭを予め支持（−Ｚ方向に関して拘束）しているので、マスクＭは、吸着パッド４６からの吸引力によっては、−Ｚ方向へは移動しない。この際、吸着パッド４６は、板ばね４４の作用によって吸着面がマスクＭの下面に沿って（倣って）変位しており、その吸引力は、マスクＭの下面に垂直に作用（図４（ｃ）の矢印参照）する。また、マスクＭをＸＹ平面内で拘束できれば良いことから、吸着パッド４６による吸引力は、比較的小さくて良く、マスクＭに作用する上記支持位置Ｓ周りのモーメントは、無視できる程度に小さい。すなわち、吸着パッド４６は、マスクＭの自重に起因する撓みに影響を与えないように、マスクＭをステージ本体３０に対して拘束（固定）する。
ここで、上述したように、マスクＭは、自重に起因して撓みが生じているが、その撓み量は、Ｙ軸方向の位置によって異なり、マスクＭのＹ軸方向に関する中央部における撓み量は、Ｙ軸方向に関する両端部近傍に比べて大きくなる。従って、マスクＭのパターン面と基板Ｐ（図１参照）の上面（露光面）との間隔（マスクＭのパターン面から結像面までの距離）に差（ばらつき）が生じる。
これに対し、本実施形態の液晶露光装置１０では、投影光学系１６（それぞれ図１参照）を用いて上記バラツキを補償する。すなわち、図１に示されるように、投影光学系１６は、いわゆるマルチレンズ光学系であり、千鳥状に配置された複数（図１では、例えば５本）の投影系モジュール１６ａを備え、該複数の投影系モジュール１６ａは、各々が独立してフォーカス位置調整機構、像シフト機構、倍率調整機構等を備えている。従って、上述したように、マスクＭに自重に起因する撓みが生じても（マスクＭと基板Ｐとの間の距離にばらつきが生じても）、その撓み量に応じて、各投影系モジュール１６ａを独立して制御して結像条件を調整することにより、所望の露光精度を確保することができる。なお、投影系モジュール１６ａの本数等は、一例であり、適宜変更が可能である。
次に、本実施形態に係るマスクステージ装置１４の作用及び効果を、比較例と比較して説明する。図５（ａ）には、比較例に係るマスクステージ装置の支持装置９０が示されている。支持装置９０のステージ本体３０（図２参照）に対する配置は、本実施形態の支持装置４０と同じであるものとする。
図５（ｂ）に示される本実施形態の支持装置４０では、吸着パッド４６が板ばね４４により片持ち支持されているのに対し、図５（ａ）に示される比較例の支持装置９０では、ベース部９２の上面に直接吸着パッド９４が直接固定されている。すなわち、本実施形態に係る吸着パッド４６（図５（ｂ）参照）は、吸着面がマスクＭの下面に応じて変位（Ｚ軸、及びθｘ方向に移動）可能であったのに対し、比較例に係る吸着パッド９４（図５（ａ）参照）は、吸着面の位置がＸＹ平面にほぼ平行な状態で固定されている。従って、支持装置９０では、マスクＭを吸着保持する吸着パッド９４が、マスクＭを支持位置Ｓにおいて支持する支持部材としての機能も有している。また、比較例に係る支持装置９０は、吸着パッド９４からの吸着圧によって、マスクＭの下面が水平面に対して平行となるように、該マスクＭを平面矯正する（撓みの絶対値を小さくする）ことを目的としている。これに対し、図５（ｂ）に示される本実施形態の支持装置４０は、マスクＭの自重に起因する撓みを許容する（マスクＭの撓みは、光学的に補償する）構成である。
ここで、図５（ｃ）のグラフに示されるように、比較例に係る支持装置９０では、吸着圧（負圧）の変化に対して、マスクＭの自由撓み（マスクＭに作用する自重のみによる撓み量）からの変位量が大きい（負圧の変化に対して敏感に撓み量が変化する）ことが分かる。すなわち、比較例に係る支持装置９０では、吸着パッド９４からの吸着圧が変化する場合には、マスクＭの撓み量（撓み形状）が安定しない。この場合、マスクＭと基板Ｐ（図１参照）との間隔が安定しないので、マルチレンズ光学系を用いてマスクＭの撓みを補償することが困難になる。上記吸着圧の変化は、吸着パッド９４の吸着面とマスクＭの下面との平行度の低下（ミクロン単位の微小な隙間の発生）に起因して容易に生ずるものである。
これに対して、図５（ｂ）に示される本実施形態に係る支持装置４０では、マスクＭを支持する機能を有する支持ブロック５０と、マスクＭを吸着保持する機能を有する吸着パッド４６とが分離されている。吸着パッド４６は、支持ブロック５０によって予め支持されたマスクＭを吸着保持し、且つ吸着パッド４６の吸着面は、マスクＭの下面に沿って（倣って）変位可能となっている。これにより、図５（ｃ）のグラフから分かるように、本実施形態に係る支持装置４０では、吸着圧が変化しても、マスクＭの自由撓みからの変位量の変動が少ないことが分かる。従って、仮に吸着パッド４６によるマスクＭの吸着圧が変動しても、マスクＭの撓み量の変化が小さく、マスクＭと基板Ｐ（図１参照）との間隔が安定する。これにより、上述したように、マルチレンズ光学系を用いて容易にマスクＭの撓みを補償することができ、露光精度が向上する。
なお、比較例に係る支持装置９０において、マスクＭの自由撓み量を考慮して予めベース部９２を傾斜させて配置することも考えられるが、吸着パッド９４によるマスクＭの支持位置Ｓの位置が、マスクＭの自由撓み量によって変化するので、マスクＭの撓み量を安定化することは困難である。
以上説明した第１の実施形態のマスクステージ装置１４によれば、マスクＭをマスクステージ装置１４上にリロード（異なる露光装置間でリロードする場合も含む）する場合であっても、マスクＭの撓み量（撓み形状）の再現性が向上する。従って、マルチレンズ型の投影光学系１６を用いて確実にマスクＭの撓みを補償して、露光精度を向上させることができる。
なお、以上説明した第１の実施形態に係るマスクＭの支持装置４０の構成は、一例であり、適宜変形が可能である。例えばベース部４２の先端部に取り付けられ、マスクＭの下面を支持する支持部材は、上第１の記実施形態のような断面矩形の部材（支持ブロック５０）に限られず、例えば、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示される第１の変形例に係るマスクＭの支持装置４０Ａが有する支持棒５２のように、断面円形状の部材から成っても良い。また、支持部材（支持ブロック５０を含む）の長さは、図６（ｂ）に示される支持棒５２のように、マスクＭのＸ軸方向の長さよりも長くても良く、例えば３つのベース部４２上に支持棒５２が架設されていても良い。なお、支持棒５２は、上記第１の実施形態と同様に、各支持装置４０Ａそれぞれのベース部４２に対して個別に設けられていても良い。本変形例に係る支持装置４０Ａでは、マスクＭと支持棒５２とが線接触する接触部分の真直度を、加工によって上記支持ブロック５０よりも容易に向上できる。なお、マスクＭと支持棒５２とを線接触させることができれば、支持棒５２の断面は、特に限定されず、例えば半円形状であっても良い。
また、図７に示される第２の変形例に係る支持装置４０Ｂのように、板ばね４４の下面とベース部４２の上面との間に圧縮コイルバネ５４を挿入し、吸着パッド４６に重力方向上向きの力（吸着パッド４６をマスクＭに押し付ける力）を作用させても良い。この場合、吸着パッド４６の吸着面とマスクＭの下面とを確実に接触させること（吸着パッド４６とマスクＭとの間に隙間が形成されることを抑制すること）が可能となる。また、吸着パッド４６の振動を抑制することもできる。なお、圧縮コイルバネ５４が吸着パッド４６に付与する重力方向上向きの力は、マスクＭの自重による撓み量に影響を与えない程度の大きさ（強さ）であることが好ましい。また、圧縮コイルバネ５４に換えて、例えば、板ばねのような他のばね部材、あるいはゴム系、合成樹脂系の材料により形成された弾性体を板ばね４４とベース部４２との間に挿入しても良い。
また、図８に示される第３の変形例に係る支持装置４０Ｃのように、板ばね４４Ｃの長手方向中間部分に屈曲部が形成されていても良い。この場合も上記第２の変形例（図７参照）と同様に、吸着パッド４６をマスクＭに対して押し付けることができる。
また、図９に示される第４の変形例に係る支持装置４０Ｄのように、互いに厚さ（ばね定数）が異なる２種類の板ばね４４Ｄ１、板ばね４４Ｄ２を介して、吸着パッド４６をベース部４２に取り付け、上記第２の変形例（図７参照）と同様に、吸着パッド４６をマスクＭに対して押し付けても良い。
また、図１０に示される第５の変形例に係る支持装置４０Ｅのように、上記第１の実施形態の支持装置４０の板ばね４４（それぞれ図３（ｂ）参照）に換えて、吸着パッド４６とベース部４２との間に筒状板ばね５６を配置し、該筒状板ばね５６のみによって吸着パッド４６を支持して良い。該筒状板ばね５６は、Ｚ軸方向への弾性に加え、θｘ方向、及びθｙ方向への弾性も有しており、吸着パッド４６を揺動（首振り動作）自在に支持している。この場合も上記第２の変形例（図７参照）と同様に、吸着パッド４６をマスクＭに対して押し付けることができる。
《第２の実施形態》
次に、第２の実施形態に係るマスクステージ装置１１４について、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）を用いて説明する。第２の実施形態に係るマスクステージ装置１１４の構成は、マスクＭの支持装置６０の構成が異なる点を除き、上記第１の実施形態と同じであるので、以下、相違点についてのみ説明し、上記第１の実施形態と同じ構成及び機能を有する要素については、上記第１の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
上記第１の実施形態（図３（ｂ）など参照）において、吸着パッド４６は、マスクＭの下面を吸着保持したのに対し、本第２の実施形態に係るマスクステージ装置１１４の支持装置６０では、図１１（ｂ）に示されるように、吸着パッド６２がマスクＭの上面を吸着保持する点が異なる。以下、支持装置６０の構成、及び動作について説明する。なお、マスクステージ装置１１４では、複数（例えば、６つ）の支持装置６０が、上記第１の実施形態と同様の配置（図２など参照）でステージ本体１３０に取り付けられているが、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）には、そのうちのひとつが示されている。
支持装置６０が有するベース部１４２の先端部には、支持パッド６８がボール６８ａを介してボルト６８ｂにより取り付けられている。支持パッド６８の支持面は、マスクＭの下面に対向可能なように＋Ｚ方向（上向き）を向いており、且つボール６８ａによって水平面に対して傾斜可能（ベース部１４２に対してθｘ及びθｙ方向に揺動可能）となっている。したがって、支持パッド６８は、マスクＭの自重による変形（自然撓み）を阻害しない。なお、支持パッド６８は、マスクＭの余白領域（ペリクルＰＬの外側の領域）に接触することによって、該マスクＭのＺ軸方向の位置を設定（規定）するが、吸着保持などは行わない。
支持装置６０において、マスクＭのＸＹ平面内の位置の拘束（保持）は、吸着パッド６２が行う。吸着パッド６２は、上記第１の実施形態と同様に板ばね６４の一端に取り付けられている。吸着パッド６２の他端は、アクチュエータ６６に接続されており、吸着パッド６２と板ばね６４とが一体的にアクチュエータ６６によってθｘ方向に回転駆動される。アクチュエータ６６は、不図示の取り付け部材を介してステージ本体１３０に固定されている。吸着パッド６２は、マスクＭのローディング時などには、ステージ本体１３０の上面に形成された凹部（切り欠き）１３０Ａ内に収容され、マスクＭが支持パッド６８上に載置されると、アクチュエータ６６により、例えば１８０°程度回転駆動される（図１１（ｂ）の矢印参照）。これによって、マスクＭの余白領域が、上述した支持パッド６８と吸着パッド６２とによって上下（Ｚ軸）方向に挟まれる。吸着パッド６２が外部から供給される真空吸引力によってマスクＭを吸着保持する点については、上記第１の実施形態と同じであるので説明を省略する。この場合も、上記第１の実施形態と同様に、吸着パッド６２は、マスクＭの自重による変形（自然撓み）を阻害しないような吸着圧で該マスクＭを吸着保持することが好ましい。本第２の実施形態に係るマスクステージ装置１１４でも、上記第１の実施形態と同様の効果を得ること、すなわち、マスクＭの自重による変形（自然撓み）に影響を与えることなく、マスクＭを保持することができる。
なお、以上説明した第２の実施形態の構成は、適宜変形が可能である。例えば図１２に示される第２の実施形態の変形例に係るマスクステージ装置１１４Ａの支持装置６０Ａように、ベース部１４２Ａにアクチュエータ６６を介して取り付けられた吸着パッド６２Ａが、マスクＭの側面を吸着保持しても良い。この場合も、吸着パッド６２Ａは、マスクＭの自重による変形（自然撓み）を阻害しないような吸着圧で該マスクＭを吸着保持することが好ましい。本変形例では、吸着パッド６２Ａの回転角度が上記第２の実施形態（図１１（ｂ）参照）よりも小さいので、より迅速にマスクＭの保持を行うことができる。また、ステージ本体３０に吸着パッド６２Ａを収容するための凹部を形成しなくても良い。
《第３の実施形態》
次に、第３の実施形態に係るマスクステージ装置２１４について、図１３を用いて説明する。第３の実施形態に係るマスクステージ装置２１４の構成は、マスクＭの保持装置８０の構成が異なる点を除き、上記第１の実施形態と同じであるので、以下、相違点についてのみ説明し、上記第１の実施形態と同じ構成及び機能を有する要素については、上記第１の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
上記第１及び第２の実施形態では、吸着パッド４６（図３（ｂ）参照）、６２（図１１（ｂ）参照）がマスクＭに吸引力を作用させ、該吸引力による吸着パッド４６、６２とマスクＭとの間の摩擦力によって、該マスクＭのＸＹ平面内の位置を拘束したのに対し、本第３の実施形態では、マスクステージ装置２１４が有するステージ本体２３０の開口部２３２を形成する壁面の一部に対して、保持装置８０がマスクＭを押圧することによってマスクＭのＸＹ平面内の位置を拘束する点が異なる。以下、マスクステージ装置２１４が有する保持装置８０の構成、及び動作について説明する。
図１３に示されるように、マスクステージ装置２１４のステージ本体２３０の中央部には、開口部２３２が形成されており、該開口部２３２内にマスクＭが挿入されている。従って、マスクＭの４辺それぞれの側面と、開口部２３２を形成する壁面とは、所定の隙間を介して対向している。
保持装置８０は、押圧部材８２、アクチュエータ８４、及び一対の基準部材８８を含む。一対の基準部材８８は、マスクＭの−Ｘ側の側面と、該−Ｘ側の側面に対向する壁面（＋Ｘ方向を向いた壁面）との間に、Ｙ軸方向に離間して配置されている。一対の基準部材８８は、ステージ本体２３０に固定されており、マスクＭのステージ本体２３０に対する位置決めの基準として機能する。押圧部材８２は、マスクＭの＋Ｘ側の側面と、該＋Ｘ側の側面に対向する壁面（−Ｘ方向を向いた壁面）との間に配置されている。押圧部材８２は、ステージ本体２３０に形成された凹部２３０ａ内に収納されたアクチュエータ８４に接続されており、該アクチュエータ８４によってＸ軸方向に所定のストロークで移動可能となっている。
保持装置８０は、マスクＭが複数の支持ブロック５０に支持された後、押圧部材８２を介してアクチュエータ８４がマスクＭのＹ軸方向に関する中央部を−Ｘ方向に押圧することによって、マスクＭを一対の基準部材８８に対して押し付ける。すなわち、上記第１及び第２の実施形態（それぞれ図３（ｂ）、図１１（ｂ）参照）では、マスクＭは摩擦力によってステージ本体３０、１３０に保持されたのに対し、本第３の実施形態では、マスクＭは、押圧力により、直接的にステージ本体２３０に把持される。本第３の実施形態では、マスクＭの余白領域が狭い（吸着パッドによる真空吸着保持が困難である）場合であっても、確実にマスクＭを保持できる。また、保持装置８０は、マスクＭに対してスキャン方向（図１３の矢印参照）に押圧力を作用させるので、マスクＭの自重による撓みを阻害しない（押圧力によってマスクＭの自由撓み量に影響がない）。従って、投影光学系１６（図１参照）を用いて光学的に露光精度への影響を抑制できる。
なお、以上説明した第１〜第３の各実施形態（その変形例も含む。以下同じ）の構成は、一例であって、適宜変更が可能である。すなわち、マスクステージ装置としては、マスクＭが支持部材（例えば、上記第１の実施形態の支持ブロック５０）によって下方から支持された状態で生じた撓みに影響を与えないように（図５（ｃ）のグラフのような特性が再現されるように）該マスクＭを保持できれば良く、その構成は、特に限定されない。例えば上記各実施形態において、マスクＭは、図３（ｂ）に示される支持ブロック５０（断面矩形の棒状の部材）、あるいは図６（ａ）に示される支持棒５２（断面円形の棒状の部材）により支持されるため、マスクＭと支持ブロック５０（あるいは支持棒５２）とが線接触する構成であったが、これに限られず、マスクステージ装置は、例えばＸ軸方向に所定間隔で配置された複数の球体によりマスクＭを複数点で支持する（マスクＭと各球体とが点接触する）構成であっても良い。
また、例えば上記第２の実施形態において、マスクステージ装置１１４は、支持パッド６８によって下方から支持された（自然撓みが生じた）マスクＭを吸着パッド６２によって保持したが、これに限られず、例えば吸着パッド６２を省略し、支持パッド６８がマスクＭの下面を吸着保持しても良い。この場合、露光動作時におけるステージ本体１３０のスキャン方法への移動によってマスクＭがステージ本体１３０に対して移動しないように、支持パッド６８の傾斜可能方向をθｘ方向に制限（あるいは、マスクＭの保持後に傾斜動作自体を制限）すると良い。
また、例えば上記第３の実施形態において、マスクステージ装置２１４は、マスクＭにＸ軸に平行な押圧力を作用させて該マスクＭを保持したが、マスクＭに作用させる押圧力によって、該マスクＭの撓み形状に影響を与えなければ、これに限られず、例えばＹ軸方向に押圧力を作用させても良い。また、マスクステージ装置２１４は、マスクＭに押圧力を作用させて該マスクＭを保持したが、これに限られず、例えばマスクＭに引張力を作用させて該マスクＭを保持しても良い。
また、上記各実施形態において、マスクステージ装置１４等は、マスクＭのＹ軸方向に関する両端部近傍に形成された余白領域を支持ブロック５０等を用いて下方から支持したが、例えばマスクＭのＹ軸方向に関する中央部近傍に余白領域（非パターン領域）が形成されている場合には、該中央部近傍の余白領域を支持する支持部材を更に有していても良い。この場合であっても、両端部近傍、及び中央部近傍が支持された状態のマスクＭを吸着パッド４６等を用いて保持した際に、保持前後で撓み形状（撓み量）が実質的に変化しなければ良い。
また、上記各実施形態において、マスクＭは吸着パッド４６による真空吸着により保持されていたが、これに限定されず、静電吸着やクランプなどの機械的に方法により保持されていても良い。
また、上記第１及び第２の実施形態において、吸着パッド４６、及び支持ブロック５０（あるいは支持棒５２）それぞれは、共通のベース部４２に取り付けられたが、これに限られず、吸着パッド４６が取り付けられるベース部材と、支持ブロック５０が取り付けられるベース部材とが、別部材であっても良い。また、上記第１の実施形態において、支持ブロック５０は、吸着パッド４６よりもマスクＭのＹ軸方向に関する中央部側を突き出して配置されたが、これに限られず、支持ブロック５０と吸着パッド４６のＹ軸方向の位置が重複していても良い。
また、液晶露光装置１０において、露光対象物である基板Ｐを上記各実施形態に係る物体の支持装置（例えば、上記第１の実施形態に係る複数の支持装置４０）によって保持しても良い。
また、照明系１２で用いられる光源、及び該光源から照射される照明光ＩＬの波長は、特に限定されず、例えばＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）などの紫外光や、Ｆ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）などの真空紫外光であっても良い。
また、上記各実施形態では、投影光学系１６として、等倍系が用いられたが、これに限られず、縮小系、あるいは拡大系を用いても良い。
また、上記各実施形態では、液晶露光装置がスキャニング・ステッパ型である場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に上記各実施形態のマスクステージ装置１４等を用いても良い。
また、露光装置の用途としては、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば有機ＥＬ（Electro-Luminescence）パネル製造用の露光装置、半導体製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン及びＤＮＡチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるマスク又はレチクルを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも適用できる。
また、露光対象となる物体はガラスプレートに限られず、例えばウエハ、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。また、露光対象物がフラットパネルディスプレイ用の基板である場合、その基板の厚さは特に限定されず、例えばフィルム状（可撓性を有するシート状の部材）のものも含まれる。なお、本実施形態の露光装置は、一辺の長さ、又は対角長が５００ｍｍ以上の基板が露光対象物である場合に特に有効である。また、露光対象の基板が可撓性を有するシート状である場合には、該シートがロール状に形成されていても良い。
液晶表示素子（あるいは半導体素子）などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスク（あるいはレチクル）を製作するステップ、ガラス基板（あるいはウエハ）を製作するステップ、上述した各実施形態の露光装置、及びその露光方法によりマスク（レチクル）のパターンをガラス基板に転写するリソグラフィステップ、露光されたガラス基板を現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ガラス基板上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
以上説明したように、本発明のマスク保持装置及び方法は、マスクを保持するのに適している。また、本発明の露光装置及び方法は、露光対象物に所定のパターンを形成するのに適している。また、本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法は、フラットパネルディスプレイの生産に適している。また、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの生産に適している。
１０…液晶露光装置、１４…マスクステージ装置、３０…ステージ本体、４０…支持装置、４２…ベース部、４４…板ばね、４６…吸着パッド、５０…支持ブロック、Ｍ…マスク。

Claims (44)

  1. マスクに形成されたパターンを基板上に転写する露光装置で用いられる、前記マスクを保持するマスク保持装置であって、
    前記マスク上の所定方向に離れた複数の被支持領域を下方から支持する複数の支持部と、
    前記マスク上の被支持領域以外の複数の被保持領域を吸着して保持する吸着面を有する複数の保持部と、を有し、
    複数の前記支持部は、前記マスクのうち複数の前記被支持領域の間の領域が前記マスクの自重により重力方向に撓み、所定の撓み形状となった前記マスクの前記被支持領域を支持し、
    前記保持部は、前記支持部の支持によって前記所定の撓み形状となった前記マスクの被保持領域に倣うように変位可能な前記吸着面により、前記被保持領域を吸着して保持し、
    前記支持部は、前記重力方向に関して、前記保持部が前記被保持領域に接触する位置とは異なる位置で前記被支持領域に接触し、前記被支持領域を支持する、マスク保持装置。
  2. 前記保持部と前記支持部とが設けられた本体部を備え、
    前記吸着面は、前記所定の撓み形状に倣うように前記本体部に対して傾斜可能に設けられる、請求項１に記載のマスク保持装置。
  3. 前記吸着面は、前記所定の撓み形状に倣うように傾斜され、前記被保持領域に対して略垂直方向に吸引力を作用させ、前記マスクを吸着して保持する、請求項１又は２に記載のマスク保持装置。
  4. 前記吸着面は、前記支持部が支持する前記マスクの第１面と異なる第２面を保持する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のマスク保持装置。
  5. マスクに形成されたパターンを基板上に転写する露光装置で用いられる、前記マスクを保持するマスク保持装置であって、
    前記マスク上の所定方向に離れた複数の被支持領域を下方から支持する複数の支持部と、
    前記マスク上の被支持領域以外の複数の被保持領域を吸着して保持する吸着面を有する複数の保持部と、を有し、
    複数の前記支持部は、前記マスクのうち複数の前記被支持領域の間の領域が前記マスクの自重により重力方向に撓み、所定の撓み形状となった前記マスクの前記被支持領域を支持し、
    前記保持部は、前記支持部の支持によって撓んだ前記マスクの前記所定の撓み形状を保持するために、前記マスクの側面で被保持領域に接触して保持し、
    前記支持部は、前記重力方向に関して、前記保持部が前記被保持領域に接触する位置とは異なる位置で前記被支持領域に接触し、前記被支持領域を支持する、マスク保持装置。
  6. 前記支持部は、前記マスク保持装置が移動可能な移動方向と交差する前記所定方向に関して互いに離れて配置される請求項１〜５のいずれか一項に記載のマスク保持装置。
  7. 前記保持部は、前記所定方向に関して前記支持部に支持された前記被支持領域とは異なる前記マスク上の前記被保持領域を保持する請求項１〜６のいずれか一項に記載のマスク保持装置。
  8. 前記支持部は、前記被保持領域部分よりも前記所定方向に関して前記マスクの中心側で前記被支持領域を支持する請求項７に記載のマスク保持装置。
  9. 前記支持部は、前記所定方向の異なる位置に配置された一対の支持部材を有し、
    前記保持部は、前記所定方向の異なる位置に配置された一対の保持部材を有し、
    前記所定方向に関する前記一対の支持部材の間隔は、前記所定方向に関する前記一対の保持部の間隔よりも短い請求項７又は８に記載のマスク保持装置。
  10. 前記保持部は、前記所定の撓み形状に撓んだ前記マスクの撓み量の変動を抑制するように前記被保持領域への吸引力を制御する請求項１〜９のいずれか一項に記載のマスク保持装置。
  11. 前記支持部は、前記支持部を前記被支持領域に点接触させ前記被支持領域を支持する請求項１〜１０のいずれか一項に記載のマスク保持装置。
  12. 前記支持部は、前記支持部を前記被支持領域に線接触させ前記被支持領域を支持する請求項１〜１１のいずれか一項に記載のマスク保持装置。
  13. 複数の前記支持部は、前記移動方向に互いに離れて並んで配置される、請求項６に記載のマスク保持装置。
  14. 前記保持部は、前記保持部が前記被保持領域と接するように前記保持部を前記マスクに対して押圧させる押圧部を有する請求項１〜１３のいずれか一項に記載のマスク保持装置。
  15. 前記保持部は、前記保持部が前記被保持領域と接するように前記保持部を前記マスクに対して前記移動方向から押圧させる押圧部を有する請求項５に記載のマスク保持装置。
  16. 請求項１〜１５のいずれか一項に記載のマスク保持装置と、
    前記マスク保持装置に保持された前記マスクを介してエネルギビームで前記基板を露光する露光動作によって、前記マスクが有するパターンを前記基板に形成するパターン形成装置と、を備える露光装置。
  17. 前記マスクと前記基板との間に設けられ、前記パターンを前記基板上に結像させる投影光学系を更に備え、
    前記投影光学系は、前記マスクの前記所定の撓み形状に応じて、結像条件が調整可能である請求項１６に記載の露光装置。
  18. 前記投影光学系は、前記パターン形成装置により、前記基板に設けられた複数の露光領域に前記パターンを形成するときに、前記複数の露光領域ごとに結像条件が調整可能である請求項１７に記載の露光装置。
  19. 前記基板は、フラットパネルディスプレイに用いられる露光基板である請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の露光装置。
  20. 前記露光基板は、少なくとも一辺の長さ又は対角長が５００ｍｍ以上である請求項１９に記載の露光装置。
  21. 請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。
  22. 請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
  23. マスクに形成されたパターンを基板上に転写する露光装置で用いられる、前記マスクを保持するマスク保持方法であって、
    前記マスク上の所定方向に離れた複数の被支持領域を複数の支持部を用いて支持することと、
    前記支持部によって支持され、前記所定方向に交差する重力方向に関して前記マスクの自重によって撓んだ前記マスク上の被保持領域を吸着して保持する吸着面を有する保持部を用いて前記被保持領域を保持することと、を含み、
    前記支持することでは、前記マスクのうち複数の前記被支持領域の間の領域が前記マスクの自重により重力方向に撓み、所定の撓み形状となった前記マスクの前記被支持領域を支持し、
    前記保持することでは、前記支持部の支持によって前記所定の撓み形状となった前記マスクの被保持領域に倣うように変位可能な前記吸着面により、前記被保持領域を保持し、
    前記支持することでは、前記重力方向に関して、前記保持部が前記被保持領域に接触する位置とは異なる位置で前記被支持領域に接触し、前記被支持領域を支持する、マスク保持方法。
  24. 前記保持することでは、前記所定の撓み形状に倣うように、前記吸着面を、前記保持部と前記支持部とが設けられた本体部に対して傾斜させ、前記被保持領域を保持する、請求項２３に記載のマスク保持方法。
  25. 前記保持することでは、前記マスクの所定の撓み形状の前記被保持領域に倣うように、前記吸着面を傾斜させ、前記被保持領域に対して略垂直方向に吸引力を作用させ、前記マスクを吸着して保持する、請求項２３又は２４に記載のマスク保持方法。
  26. 前記保持することでは、前記支持部が支持する前記マスクの第１面と異なる第２面を保持する、請求項２３〜２５のいずれか一項に記載のマスク保持方法。
  27. マスクに形成されたパターンを基板上に転写する露光装置で用いられる、前記マスクを保持するマスク保持方法であって、
    前記マスク上の所定方向に離れた複数の被支持領域を複数の支持部を用いて支持することと、
    前記支持部によって支持され、前記所定方向に交差する重力方向に関して前記マスクの自重によって撓んだ前記マスク上の被保持領域を吸着して保持する吸着面を有する保持部を用いて前記被保持領域を保持することと、を有し、
    前記支持することでは、前記マスクのうち複数の前記被支持領域の間の領域が前記マスクの自重により重力方向に撓み、所定の撓み形状となった前記マスクの前記被支持領域を支持し、
    前記保持することでは、前記支持部の支持によって撓んだ前記マスクの所定の撓み形状を保持するために、前記マスクの側面で前記マスクの被保持領域に接触して保持し、
    前記支持することでは、前記重力方向に関して、前記保持部が前記被保持領域に接触する位置とは異なる位置で前記被支持領域に接触し、前記被支持領域を支持する、マスク保持方法。
  28. 前記支持することでは、前記マスクが移動可能な移動方向と交差する前記所定方向の異なる位置に関して互いに離れて配置された前記支持部により前記支持領域を支持する、請求項２３〜２７のいずれか一項に記載のマスク保持方法。
  29. 前記保持することでは、前記所定方向に関して前記被支持領域とは異なる前記マスク上の被保持領域を保持する請求項２３〜２８のいずれか一項に記載のマスク保持方法。
  30. 前記支持することでは、前記被保持領域よりも前記所定方向に関して前記マスクの中心側で前記支持領域を支持する請求項２９に記載のマスク保持方法。
  31. 前記支持することでは、前記所定方向の異なる位置を一対の支持部材で支持し、
    前記保持することでは、前記所定方向の異なる位置を一対の保持部材で保持し、
    前記所定方向に関する前記一対の支持部材の間隔は、前記所定方向に関する前記一対の保持部材の間隔よりも短い請求項２９又は３０に記載のマスク保持方法。
  32. 前記保持することでは、前記所定の撓み形状の前記マスクの撓み量の変動を抑制するように吸引力を制御して前記被保持領域を保持する請求項２３〜３１のいずれか一項に記載のマスク保持方法。
  33. 前記支持することでは、前記支持部を前記被支持領域に点接触させ前記被支持領域を支持する請求項２３〜３２のいずれか一項に記載のマスク保持方法。
  34. 前記支持することでは、前記支持部を前記被支持領域に線接触させ前記被支持領域を支持する請求項２３〜３３のいずれか一項に記載のマスク保持方法。
  35. 前記支持することでは、複数の前記支持部が前記移動方向に互いに離れて並んで配置される、請求項２８に記載のマスク保持方法。
  36. 前記保持することでは、前記保持部が前記被保持領域と接するように前記保持部を前記マスクに対して押圧させる請求項２３〜３５のいずれか一項に記載のマスク保持方法。
  37. 前記保持することでは、前記保持部が前記被保持領域と接するように前記保持部を前記マスクに対して前記移動方向から押圧させる請求項２７に記載のマスク保持方法。
  38. 請求項２３〜３７のいずれか一項に記載のマスク保持方法と、
    前記マスク保持方法によって保持された前記マスクを介してエネルギビームで前記基板を露光する露光動作によって、前記マスクが有するパターンを前記基板に形成することと、を含む露光方法。
  39. 前記形成することでは、前記マスクと前記基板との間に設けられた投影光学系を介して前記パターンを前記基板上に結像させ、
    前記投影光学系は、前記マスクの前記所定の撓み形状に応じて、結像条件を調整する請求項３８に記載の露光方法。
  40. 前記形成することでは、前記基板に設けられた複数の露光領域に前記パターンを形成し、
    前記投影光学系は、前記複数の露光領域ごとに結像条件を調整する請求項３９に記載の露光方法。
  41. 前記基板は、フラットパネルディスプレイに用いられる露光基板である請求項３８〜４０のいずれか一項に記載の露光方法。
  42. 前記露光基板は、少なくとも一辺の長さ又は対角長が５００ｍｍ以上である請求項４１に記載の露光方法。
  43. 請求項３８〜４２のいずれか一項に記載の露光方法を用いて前記基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。
  44. 請求項３８〜４３のいずれか一項に記載の露光方法を用いて前記基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
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