JP6762845B2 - 表示装置及び配線基板 - Google Patents

Description

本実施形態は、表示装置及び配線基板に関する。

複数の画素を備えるアクティブマトリクス型の表示装置は、画素を駆動するためのスイッチング素子が形成された配線基板を有している。スイッチング素子は、例えば薄膜トランジスタにより構成される。このような表示装置において、スイッチング素子の電極と、配線基板上の異なる層に形成された他の導電材料とを接続するために、コンタクトホールが形成される場合がある。

一方、スイッチング素子の電極が形成された層と同じ層においては、スイッチング素子の電極と他の導電材料とが接触しないようにするため、スイッチング素子の電極と他の導電材料との間にスペース（マージン）を設ける必要がある。

近年、表示装置の高精細化にともない、画素の幅が減少する傾向にある。したがって、画素における上記の電極の幅とマージンの割合が無視できなくなっている。

特開平１０−３０７３０５号公報

本実施形態の目的は、高精細化が可能な表示装置、及び配線基板を提供することである。

一実施形態によれば、
半導体層と、前記半導体層の上方に設けられ前記半導体層と重なる領域に第１開口部を有する第１無機絶縁膜と、前記半導体層の上方に設けられ前記第１開口部と重なる領域に第２開口部を有する有機絶縁膜と、前記第２開口部が設けられた領域の内側において前記半導体層に積層された金属膜と、前記第１開口部及び前記第２開口部内に設けられ前記金属膜及び前記半導体層と接触される画素電極と、を備える第１基板を具備し、前記金属膜は、前記第２開口部の側面及び前記第１開口部の側面から離間している表示装置が提供される。

一実施形態によれば、
半導体層と、前記半導体層の上方に設けられ前記半導体層と重なる領域に第１開口部を有する第１無機絶縁膜と、前記半導体層の上方に設けられ前記第１開口部と重なる領域に第２開口部を有する有機絶縁膜と、前記第２開口部が設けられた領域の内側において前記半導体層に積層された第１導電層と、前記第１開口部及び前記第２開口部内に設けられ前記第１導電層及び前記半導体層と接触される第２導電層と、を具備し、前記第１導電層は、前記第２開口部の側面及び前記第１開口部の側面から離間しており、前記第２導電層は、前記第１開口部の前記側面と前記第１導電層との間において前記半導体層と接している、配線基板が提供される。

一実施形態によれば、
ソース線と、前記ソース線に電気的に接続された半導体層と、前記半導体層に電気的に接続された中継電極と、前記中継電極に接続された画素電極と、を備え、前記中継電極の幅は、前記ソース線の幅よりも小さい表示装置が提供される。

図１は、第１実施形態に係る表示装置を概略的に示す平面図である。 図２は、図１に示す表示装置の表示領域を概略的に示す平面図である。 図３は、図２に示す表示装置の表示領域を拡大して示す平面図である。 図４は、図２に示す表示装置の表示領域の他の例を示す平面図である。 図５は、図３に示すＶ−Ｖ’線に沿った断面図である。 図６は、図３に示すＶＩ−ＶＩ’線に沿った断面図である。 図７は、第２実施形態に係る表示装置の表示領域を概略的に示す平面図である。 図８は、図７に示すＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線に沿った断面図である。 図９は、第３実施形態に係る表示装置の表示領域を概略的に示す平面図である。 図１０は、図９に示すＸ−Ｘ'線に沿った断面図である。 図１１は、第４実施形態に係る表示装置の表示領域を概略的に示す平面図である。 図１２は、図１１に示すＸＩＩ−ＸＩＩ’線に沿った断面図である。 図１３は、第５実施形態に係る表示装置の表示領域を概略的に示す断面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

［第１実施形態］
本実施形態において開示する主要な構成は、液晶層を有する液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動型素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、他の表示装置にも適用可能である。

図１は、第１実施形態に係る表示装置１を概略的に示す平面図である。

図に示す第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。例えば、第１方向Ｘは表示装置１の短辺と平行であり、第２方向Ｙは表示装置１の長辺と平行である。第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと直交しており、表示装置１の厚さ方向に相当する。以下では、第３方向Ｚを上方（あるいは、単に上）と称し、第３方向Ｚと反対方向を下方（あるいは、単に下）と称す。また、第３方向Ｚと反対方向に見ることを「平面視」という。「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。一方、「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は第１部材に接している。

表示装置１は、表示パネル２と、駆動ＩＣチップ３と、を備えている。

表示パネル２は、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルである。表示パネル２は、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１の上方に設けられた第２基板ＳＵＢ２とにより構成されている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、液晶層ＬＣを挟んで第３方向Ｚに対向して貼り合わされている。表示パネル２は、下方(表示面と反対側)からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、上方（表示面側）からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、及び、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。

表示パネル２は、表示領域ＤＡと、非表示領域ＮＤＡとを有している。表示領域ＤＡは、液晶層ＬＣが設けられた領域にほぼ対応し、例えば第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲んでいる。非表示領域ＮＤＡには、画素ＰＸを制御するための駆動ＩＣチップ３が設けられている。図示は省略するが、非表示領域ＮＤＡは、画素ＰＸの動作を制御するためのドライバを備えていてもよい。

図１の左側に示す実線の円で囲まれた図は、画素ＰＸの等価回路の一例を概略的に示している。画素ＰＸは、ゲート線（走査線）Ｇとソース線（信号線）Ｓとが交差する位置に設けられたスイッチング素子ＳＷを含む領域に存在する。図示した例では、ゲート線Ｇは、第１方向Ｘに沿って配置され、ソース線Ｓは、第２方向Ｙに沿って配置されている。画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣなどを備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；thin film transistor）により構成されている。スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＧＥは、ゲート線Ｇに接続され、ソース電極ＳＥはソース線Ｓに接続され、ドレイン電極ＤＥは、画素電極ＰＥに接続されている。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って形成されている。

図２は、図１に示した表示領域ＤＡにおける第１基板ＳＵＢ１の構成例を概略的に示す平面図である。図２は、第１方向Ｘと第２方向Ｙとにより規定されるＸ−Ｙ平面と平行な面を示している。図中には主要な構成のみを示している。

第１基板ＳＵＢ１は、ゲート線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２・・・）、ソース線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３・・・）、スイッチング素子ＳＷ（ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３・・・）、画素電極ＰＥ（ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３・・・・）などを備えている。ゲート線Ｇは、第１方向Ｘに沿って延伸し、第２方向Ｙに間隔をおいて配置されている。ソース線Ｓは、第２方向Ｙに沿って延伸し、第１方向Ｘに間隔をおいて配置されている。なお、図示した例では、ゲート線Ｇ及びソース線Ｓは、直線状に延伸されているが、屈曲されていてもよい。以下では、ゲート線Ｇ１とソース線Ｓ１との交差部近傍に位置するスイッチング素子ＳＷ１と、スイッチング素子ＳＷ１に接続された画素電極ＰＥ１とを含む画素ＰＸ１を例としてその構成を説明するが、他の画素ＰＸ２、ＰＸ３・・・の構成は、画素ＰＸ１の構成と同様である。

本実施形態において、スイッチング素子ＳＷ１は、第１ゲート電極ＷＧ１１と第２ゲート電極ＷＧ１２とを有するダブルゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子ＳＷ１を構成する半導体層ＳＣ１は、ゲート線Ｇ１と交差する２つの領域を有している。具体的には、半導体層ＳＣ１は、概略Ｕ字状に形成されており、第２方向Ｙに沿って延伸しそれぞれゲート線Ｇ１と交差する第１部分ＳＣ１１及び第２部分ＳＣ１２と、第１方向Ｘに沿って延伸し第１部分ＳＣ１１と第２部分ＳＣ１２とを接続する第３部分ＳＣ１３により構成されている。

第１部分ＳＣ１１は、ソース線Ｓ１の下方において第２方向Ｙに延伸し、ゲート線Ｇ１と交差している。第１ゲート電極ＷＧ１１は、ゲート線Ｇ１のうち第１部分ＳＣ１１と交差した領域に相当する。ゲート線Ｇ１とゲート線Ｇ２との間に位置する第１部分ＳＣ１１の一端側には、コンタクトホールＣＨ０が設けられている。第１部分ＳＣ１１は、このコンタクトホールＣＨ０内に設けられた導電材料を介してソース線Ｓ１と電気的に接続されている。

第２部分ＳＣ１２は、ソース線Ｓ１とソース線Ｓ２との間において第２方向Ｙに沿って延伸し、ゲート線Ｇ１と交差している。第２ゲート電極ＷＧ１２は、ゲート線Ｇ１のうち第２部分ＳＣ１２と交差した領域に相当する。第２部分ＳＣ１２の一端側には、コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２が設けられている。コンタクトホールＣＨ１は、コンタクトホールＣＨ２が設けられた領域の内側に形成されている。図示した例では、コンタクトホールＣＨ１は、隣接する２つのソース線Ｓ１とＳ２との間、及び、隣接する２つのゲート線Ｇ１とＧ２の間に位置し、第１部分ＳＣ１１に設けられたコンタクトホールＣＨ０よりもゲート線Ｇ１に近接している。コンタクトホールＣＨ２の第２方向Ｙの一端部はゲート線Ｇ１と重なっている。しかしながら、コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２の配置は上記の例に限定されず、適宜に変更することが可能である。第２部分ＳＣ１２は、コンタクトホールＣＨ１が形成された領域の内側に設けられた導電材料を介して画素電極ＰＥ１と電気的に接続されている。

第３部分ＳＣ１３は、第１方向Ｘに沿って設けられ、第１部分ＳＣ１１の他端側と第２部分ＳＣ１２との他端側とを接続している。すなわち、第３部分ＳＣ１３は、ゲート線Ｇ１に対して、ゲート線Ｇ２と反対側に位置している。なお、図示した例では第３部分ＳＣ１３は、直線状に延伸されているが、屈曲されていてもよい。

画素電極ＰＥ１は、ソース線Ｓ１とソース線Ｓ２との間、及びゲート線Ｇ１とゲート線Ｇ２との間に設けられ、第２方向Ｙの一端部がゲート線Ｇ１と重なっている。画素電極ＰＥ１は、コンタクト部ＰＡ１、電極部ＰＢ１及び連結部ＰＣ１を有している。コンタクト部ＰＡ１は、ゲート線Ｇ１近傍に位置し、第２方向Ｙの一端側がゲート線Ｇ１と重なっている。コンタクト部ＰＡ１の領域内にはコンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２が設けられている。電極部ＰＢ１は、コンタクト部ＰＡ１からゲート線Ｇ２へ向かって延伸している。図示した例では、画素電極ＰＥ１は、２本の電極部ＰＢ１を有しているが、電極部ＰＢ１の数は、１本でもよく、３本以上でもよい。連結部ＰＣ１は、電極部ＰＢ１のゲート線Ｇ２側の端部において、複数の電極部ＰＢ１を連結している。これにより、電極部ＰＢ１の一部で第１方向Ｘの幅が小さくなっていたり、断線が生じたりした場合であっても、連結部ＰＣ１を介して電極部ＰＢ１に電位を供給することが可能となる。なお、連結部ＰＣ１は、省略されてもよい。

なお、図２に示した例ではスイッチング素子ＳＷ１は、ダブルゲート型の薄膜トランジスタであるが、この例に限らず、シングルゲート型の薄膜トランジスタであってもよい。

図３は、図２に示すコンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２の近傍を拡大して示している。ここでは画素電極ＰＥは、図示が省略されている。コンタクトホールＣＨ１が形成された領域の内側には、コンタクトホールＣＨ３が形成されている。コンタクトホールＣＨ２が形成された領域の内側には、少なくともコンタクトホールＣＨ３と重なる中継電極ＲＥが形成されている。半導体層ＳＣ１は、中継電極ＲＥを介して、コンタクトホールＣＨ２、ＣＨ１、及びＣＨ３に設けられた図示しない画素電極ＰＥと電気的に接続されている。

コンタクトホールＣＨ２は、半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２とほぼ重なっている。コンタクトホールＣＨ２は、例えば矩形状で示してあり、第１方向Ｘに対向したエッジＣＨ２ａ及びエッジＣＨ２ｂと、第２方向Ｙに対向したエッジＣＨ２ｃ及びエッジＣＨ２ｄとを有している。

コンタクトホールＣＨ２のエッジＣＨ２ａとエッジＣＨ２ｂとの第１方向Ｘに沿った距離、すなわちコンタクトホールＣＨ２の第１方向Ｘの幅Ｈ２は、ソース線Ｓ１とソース線Ｓ２との第１方向Ｘに沿った間隔Ｈ０よりも小さい。図示した例では、コンタクトホールＣＨ２は、ソース線Ｓ１とソース線Ｓ２との略中央に位置している。つまり、エッジＣＨ２ａとソース線Ｓ１との第１方向Ｘに沿った距離、及び、エッジＣＨ２ｂとソース線Ｓ２との第１方向Ｘに沿った距離は、いずれも略同一のＥ１である。なお、コンタクトホールＣＨ２は、ソース線Ｓ１及びソース線Ｓ２のいずれか一方に近接するように形成されてもよい。このようなコンタクトホールＣＨ２は、後述する第４絶縁膜（有機絶縁膜）に形成される。

コンタクトホールＣＨ１は、コンタクトホールＣＨ２の内側の領域に形成されている。したがって、コンタクトホールＣＨ１は、半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２及びコンタクトホールＣＨ２と重なっている。コンタクトホールＣＨ１は、例えば矩形状で示してあり、第１方向Ｘに対向したエッジＣＨ１ａ及びエッジＣＨ１ｂと、第２方向Ｙに対向したエッジＣＨ１ｃ及びエッジＣＨ１ｄとを有している。

コンタクトホールＣＨ１のエッジＣＨ１ａとエッジＣＨ１ｂとの第１方向Ｘに沿った距離、すなわちコンタクトホールＣＨ１の第１方向Ｘの幅Ｈ１は、コンタクトホールＣＨ２の第１方向Ｘの幅Ｈ２より小さい。図示した例では、コンタクトホールＣＨ１は、コンタクトホールＣＨ２の略中央に位置している。つまり、コンタクトホールＣＨ１のエッジＣＨ１ａ、ＣＨ１ｂ、ＣＨ１ｃ、及びＣＨ１ｄは、コンタクトホールＣＨ２のエッジＣＨ２ａ、ＣＨ２ｂ、ＣＨ２ｃ、及びＣＨ２ｄよりそれぞれ略同一の距離Ｅ２だけ内側に位置している。なお、コンタクトホールＣＨ１は、平面視でコンタクトホールＣＨ２の内側に位置していればよく、コンタクトホールＣＨ２のエッジＣＨ２ａ、ＣＨ２ｂ、ＣＨ２ｃ、及びＣＨ２ｄのいずれかに近接するように形成されてもよい。このようなコンタクトホールＣＨ１は、後述する第５絶縁膜（容量窒化膜）に形成される。

コンタクトホールＣＨ３は、コンタクトホールＣＨ１の内側の領域に形成されている。したがって、コンタクトホールＣＨ３は、半導体層ＳＣ１の第２部分、コンタクトホールＣＨ２、及びコンタクトホールＣＨ１と重なっている。コンタクトホールＣＨ３は、例えば矩形状で示してあり、コンタクトホールＣＨ１の略中央に位置している。コンタクトホールＣＨ３の第１方向Ｘの幅Ｈ３は、コンタクトホールＣＨ１の第１方向Ｘの幅Ｈ１より小さい。なお、コンタクトホールＣＨ３は、平面視でコンタクトホールＣＨ１の内側に位置していればよく、コンタクトホールＣＨ１のエッジＣＨ１ａ、ＣＨ１ｂ、ＣＨ１ｃ、及びＣＨ１ｄのいずれかに近接するように形成されてもよい。このようなコンタクトホールＣＨ３は、後述する第２絶縁膜及び第３絶縁膜（ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜）に形成され、半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２を露出する。

中継電極ＲＥは、コンタクトホールＣＨ２が設けられた領域の内側に位置している。
図示した例では、中継電極ＲＥは、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３とそれぞれ重なる領域を有している。中継電極ＲＥは、例えば矩形状で示してあり、第１方向Ｘに対向したエッジＲＥａ及びエッジＲＥｂと、第２方向Ｙに対向したエッジＲＥｃ及びエッジＲＥｄとを有している。

中継電極ＲＥのエッジＲＥａとエッジＲＥｂとの第１方向Ｘに沿った距離、すなわち中継電極ＲＥの第１方向Ｘの幅ＨＲは、コンタクトホールＣＨ３の第１方向Ｘの幅Ｈ３より小さい。なお、中継電極ＲＥの第１方向Ｘの幅ＨＲは、コンタクトホールＣＨ３の第１方向Ｘの幅Ｈ３と同等以下であればよい。中継電極ＲＥの第１方向Ｘの幅ＨＲは、例えばソース線Ｓの第１方向の幅Ａ１と同等以下となるように形成されてもよい。また、画素ＰＸの幅（もしくは間隔Ｈ０）が小さくなる高精細化に対応する場合、中継電極ＲＥの第１方向Ｘの幅ＨＲは、ソース線Ｓの第１方向の幅Ａ１よりも小さくすることが望ましい。ソース線Ｓについては、配線の断線等を考慮し、製造歩留り上ある程度の幅Ａ１を有する必要があるが、中継電極ＲＥについては断線等の問題を考慮する必要がなくソース線Ｓの幅よりも小さくすることが可能となる。

図示した例では、中継電極ＲＥは、第１方向ＸにおいてコンタクトホールＣＨ２の略中央に位置し、第２方向ＹにおいてコンタクトホールＣＨ２のエッジＣＨ２ｃに近接している。すなわち、中継電極ＲＥのエッジＲＥａ及びＲＥｂは、第１方向Ｘにおいて、コンタクトホールＣＨ２のエッジＣＨ２ａ及びＣＨ２ｂよりそれぞれ略同一の距離Ｅ３だけ内側で、且つ、コンタクトホールＣＨ３の内側に位置している。一方、第２方向Ｙにおいて、中継電極ＲＥのエッジＲＥｃは、コンタクトホールＣＨ２のエッジＣＨ２ｃとコンタクトホールＣＨ１のエッジＣＨ１ｃとの間に位置し、エッジＲＥｄは、コンタクトホールＣＨ３の内側に位置している。なお、中継電極ＲＥは、平面視で、コンタクトホールＣＨ２の内側に位置し、コンタクトホールＣＨ３と重なる領域を有していればよく、コンタクトホールＣＨ２のエッジＣＨ２ａ、ＣＨ２ｂ、及びＣＨ２ｄのいずれかに近接するように形成されてもよい。

距離Ｅ３は、上述の距離Ｅ１より大きく設定される。これにより、例えば表示装置１を製造する際にコンタクトホールＣＨ２が形成される第１方向Ｘの位置にずれが生じた場合であっても、中継電極ＲＥは、コンタクトホールＣＨ２が形成された領域の内側に形成される。

本実施形態において、第１方向Ｘに沿った画素ＰＸの最小寸法Ｗは、ソース線Ｓ１の第１方向Ｘ側の端部とソース線Ｓ２の第１方向Ｘ側の端部との第１方向Ｘの距離（あるいは、ソース線のピッチ）として定義される。ソース線Ｓ１、ソース線Ｓ２の第１方向Ｘの幅をＡ１とした場合、上記の構成において、画素ＰＸの最小寸法Ｗは、
Ｗ＝（Ｅ１×２）＋（Ｅ２×２）＋Ｈ１＋Ａ１
となる。

なお、上記の説明において、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、及びＣＨ３は、Ｘ−Ｙ平面において矩形状であるとしたが、矩形状でない形状であってもよい。例えば、図４に示すように、コンタクトホールＣＨ０、ＣＨ１、ＣＨ２、及びＣＨ３が円形である場合、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、及びＣＨ３の第１方向Ｘの幅Ｈ１、Ｈ２、及びＨ３は、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、及びＣＨ３の直径に相当する。また、エッジＣＨ１ａ及びＣＨ１ｂと、エッジＣＨ２ａ及びＣＨ２ｂとは、それぞれ第１方向Ｘに対向した円周上の２点に相当し、エッジＣＨ１ｃ及びＣＨ１ｄと、エッジＣＨ３ｃ及びＣＨ３ｄとは、それぞれ第２方向Ｙに対向した円周上の２点に相当する。なお、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、及びＣＨ３が矩形や円形でもなく、例えば楕円形や、直線と曲線との組み合わせからなる形状であっても、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、及びＣＨ３の第１方向Ｘの幅Ｈ１、Ｈ２、及びＨ３は、第１方向Ｘにおける最長の間隔とみなすことができる。

図５は、図３に示すＶ−Ｖ’線に沿った断面図である。図５は、第１方向Ｘと第３方向Ｚにより規定されるＸ−Ｚ平面と平行な面を示している。

表示装置１は、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持された液晶層ＬＣとを備えている。

第１基板ＳＵＢ１は、ガラス基板あるいは樹脂基板などの透明な第１絶縁基板１０を用いて構成されている。第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０の第２基板ＳＵＢ２と対向する側に、半導体層ＳＣ１及びＳＣ２、ソース線Ｓ１及びＳ２、中継電極ＲＥ、画素電極ＰＥ１、共通電極ＣＥ、第１配向膜ＡＬ１、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、第５絶縁膜１５などを備えている。

第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に設けられており、半導体層ＳＣ１のアンダーコート層として機能する。半導体層ＳＣ１及びＳＣ２は、第１絶縁膜１１の上に設けられている。半導体層ＳＣ１の第１部分ＳＣ１１、第２部分ＳＣ１２、及び半導体層ＳＣ２の第１部分ＳＣ２１は、第１方向Ｘに沿ってそれぞれ離間して配置されている。第２絶縁膜１２は、ゲート絶縁膜であり、半導体層ＳＣ１及びＳＣ２を覆うとともに、第１絶縁膜１１の上にも設けられている。なお、図５では示していないが、上述のゲート線Ｇは第２絶縁膜１２の上に形成されている。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２と図示しないゲート線Ｇとの上に設けられている層間絶縁膜である。第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁材料により形成されている。

本実施形態において、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を「第２無機絶縁膜」と称する場合がある。半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２が設けられた領域の第２無機絶縁膜（すなわち第３絶縁膜１３及び第２絶縁膜１２）内には、半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２まで貫通したコンタクトホールＣＨ３（第３開口部）が形成されている。すなわち、コンタクトホールＣＨ３は、半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２の一部と重なっている。

以下では、コンタクトホールＣＨ３を構成する第３絶縁膜１３及び第２絶縁膜１２の側面を「コンタクトホールＣＨ３の側面」と称する場合がある。また、コンタクトホールＣＨ３の側面と半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２との境界を、コンタクトホールＣＨ３の「エッジ」と称する場合がある。図５では、エッジＣＨ３ａを代表して示している。すなわち、エッジＣＨ３ａは、コンタクトホールＣＨ３の第１方向Ｘの一方の側面ＣＨ３Ａと半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２との境界に相当する。

中継電極ＲＥ（金属膜）は、コンタクトホールＣＨ３において、半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２の上に積層されている。図示した例では、中継電極ＲＥは、コンタクトホールＣＨ３の第１方向Ｘの一方の側面ＣＨ３Ａ、及び他方の側面ＣＨ３Ｂから離間している。すなわち、図５に示すように、コンタクトホールＣＨ３の開口領域において中継電極ＲＥがそのすべてを覆うこと無く、中継電極ＲＥが形成されていない領域の半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２を露出する構造となっている。中継電極ＲＥは、例えばアルミニウム、チタン等の金属材料により形成されている。なお、図３に示した中継電極ＲＥのエッジＲＥａは、中継電極ＲＥの第１方向Ｘの一端に相当する。図５には、エッジＲＥａのみを代表して示しているが、他のエッジＲＥｂ、ＲＥｃ、ＲＥｄについても同様である。

ソース線Ｓ１及びソース線Ｓ２は、第３絶縁膜１３の上に設けられている。ソース線Ｓ２は、コンタクトホールＣＨ１に対して、ソース線Ｓ１と反対側に位置している。ソース線Ｓ１及びソース線Ｓ２は、中継電極ＲＥと同一材料によって同一の製造工程で形成される。

第４絶縁膜１４（有機絶縁膜）は、ソース線Ｓ１及びＳ２を覆うとともに、第３絶縁膜１３の上にも形成されている。第４絶縁膜１４は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料により形成された平坦化膜である。

第４絶縁膜１４内には、コンタクトホールＣＨ３が設けられた領域を含む領域に、第３絶縁膜１３まで貫通したコンタクトホールＣＨ２（第２開口部）が形成されている。すなわち、コンタクトホールＣＨ２は、半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２、コンタクトホールＣＨ３、及び中継電極ＲＥと重なる領域を有している。

以下では、コンタクトホールＣＨ２を構成する第４絶縁膜１４の側面を「コンタクトホールＣＨ２の側面」と称する場合がある。上述の図３に示したコンタクトホールＣＨ２のエッジＣＨ２ａは、コンタクトホールＣＨ２の第１方向Ｘの一方の側面ＣＨ２Ａと第３絶縁膜１３との境界に相当する。図５では、エッジＣＨ２ａを代表して示しているが、他のエッジについても同様である。

共通電極ＣＥは、コンタクトホールＣＨ２が設けられた領域を除く第４絶縁膜１４の上に形成されている。

第５絶縁膜１５は、共通電極ＣＥを覆うとともに、第４絶縁膜１４の上にも形成さている。第５絶縁膜１５は、コンタクトホールＣＨ２の側面ＣＨ２Ａ及びＣＨ２Ｂを覆うとともに、コンタクトホールＣＨ２において第３絶縁膜１３に接している。第５絶縁膜１５は、例えば窒化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁材料により形成された容量窒化膜であり、共通電極ＣＥと後述する画素電極ＰＥとの間で容量を形成する。本実施形態では、第５絶縁膜１５を「第１無機絶縁膜」と称する場合がある。

第５絶縁膜１５内には、コンタクトホールＣＨ２が設けられた領域の内側で、且つコンタクトホールＣＨ３が設けられた領域を含む領域に、第３絶縁膜１３まで貫通したコンタクトホールＣＨ１（第１開口部）が形成されている。すなわち、コンタクトホールＣＨ１は、半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２、コンタクトホールＣＨ３、中継電極ＲＥ、及びコンタクトホールＣＨ２と重なる領域を有している。

以下では、コンタクトホールＣＨ１を構成する第５絶縁膜１５の側面を「コンタクトホールＣＨ１の側面」と称する場合がある。上述の図３に示したコンタクトホールＣＨ１のエッジＣＨ１ａは、コンタクトホールＣＨ１の第１方向Ｘの一方の側面ＣＨ１Ａと第３絶縁膜１３との境界に相当する。図５では、エッジＣＨ１ａを代表して示しているが、他のエッジについても同様である。

画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、及びＣＨ３内に設けられ、少なくとも中継電極ＲＥと接触している。これにより、画素電極ＰＥと半導体層ＳＣ１とが中継電極ＲＥを介して電気的に接続される。

具体的には、コンタクトホールＣＨ２において、画素電極ＰＥは、第５絶縁膜１５を覆っている。コンタクトホールＣＨ１において、画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ１の第１方向Ｘの側面ＣＨ１Ａ及びＣＨ１Ｂを覆うとともに、コンタクトホールＣＨ１により露出された第３絶縁膜１３とも接している。コンタクトホールＣＨ３において、画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ３の第１方向Ｘの側面ＣＨ３Ａ及びＣＨ３Ｂを覆うとともに、中継電極ＲＥとも接している。図示した例では、画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ３の側面ＣＨ３Ａと中継電極ＲＥとの間、及びコンタクトホールＣＨ３の側面ＣＨ３Ｂと中継電極ＲＥとの間で半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２とも接している。換言すると、コンタクトホールＣＨ３において、中継電極ＲＥと画素電極ＰＥとは、半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２と接している。

共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとは、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。

画素電極ＰＥ及び第５絶縁膜１５は、第１配向膜ＡＬ１により覆われている。

一方、第２基板ＳＵＢ２は、ガラス基板あるいは樹脂基板などの透明な第２絶縁基板２０を用いて構成されている。第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に、遮光膜ＢＭ、カラーフィルタ層２１、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。遮光膜ＢＭは、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に形成され、画素ＰＸを区画している。カラーフィルタ層２１は、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に形成されている。カラーフィルタ層２１は、図示しない複数のカラーフィルタを含んでいる。カラーフィルタは、例えば赤色、緑色、青色などに着色された樹脂材料によって形成されている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂材料によって形成され、カラーフィルタ層２１を覆っている。オーバーコート層ＯＣは、第２配向膜ＡＬ２によって覆われている。なお、カラーフィルタ層２１は、第１基板ＳＵＢ１に設けられてもよい。

以上のように構成された第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２とが対向するように配置され、図示しないシール材により貼り合わされている。第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間には、液晶分子を含む液晶組成物が封入され、液晶層ＬＣが形成されている。

図６は、図３に示すＶＩ−ＶＩ’線に沿った断面図である。図６は、第２方向Ｙと第３方向Ｚにより規定されるＹ−Ｚ平面と平行な面を示している。ここでは第１基板ＳＵＢ１のみを示し、液晶層ＬＣと第２基板ＳＵＢ２とは図示を省略している。

第１絶縁基板１０から第２絶縁膜１２までの構成は、図５と同様であるため説明を省略する。

ゲート線Ｇ１は、第２絶縁膜１２の上に形成されている。ゲート線Ｇ１は、半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２と重なっている。第３絶縁膜１３は、ゲート線Ｇ１を覆うとともに、第２絶縁膜１２の上にも形成されている。

コンタクトホールＣＨ３及びコンタクトホールＣＨ１は、ゲート線Ｇ１から第２方向Ｙに離間している。一方、コンタクトホールＣＨ２は、ゲート線Ｇ１の一部と重なっている。

中継電極ＲＥは、コンタクトホールＣＨ３において、半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２の上に形成されるとともに、その第２方向Ｙの一端部がコンタクトホールＣＨ３の第２方向Ｙの一方の側面ＣＨ３Ｃと接している。一方、中継電極ＲＥの第２方向Ｙの他端部は、コンタクトホールＣＨ３の第２方向Ｙの他方の側面ＣＨ３Ｄから離間している。図示した例では、中継電極ＲＥは、コンタクトホールＣＨ３の側面ＣＨ３Ｃを覆うとともに、コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２において第３絶縁膜１３の上にも形成されている。すなわち、中継電極ＲＥは、コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２において、第３絶縁膜１３と接している。第３絶縁膜１３の上に形成された中継電極ＲＥは、コンタクトホールＣＨ２の第２方向Ｙの側面ＣＨ２Ｃから離間し、一部が第５絶縁膜１５に覆われている。

第５絶縁膜１５は、コンタクトホールＣＨ２の側面ＣＨ２Ｃ及びＣＨ２Ｄを覆うとともに、コンタクトホールＣＨ２において第３絶縁膜１３と接している。さらに、第５絶縁膜１５は、コンタクトホールＣＨ２において、第３絶縁膜１３の上に形成された中継電極ＲＥの一端部を覆っている。すなわち、第５絶縁膜１５は、コンタクトホールＣＨ２において、中継電極ＲＥと接するとともに、中継電極ＲＥの第２方向Ｙの一端部とコンタクトホールＣＨ２の側面ＣＨ２Ｃとの間で第３絶縁膜１３と接している。

画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ３において、中継電極ＲＥと接するとともに、第２方向Ｙの側面ＣＨ３Ｄと中継電極ＲＥとの間で半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２と接している。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ１において、第２方向Ｙの一方の側面ＣＨ１Ｃを覆うとともに、中継電極ＲＥと接している。また、画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ１において、第２方向Ｙの他方の側面ＣＨ１Ｄを覆うとともに、第３絶縁膜１３と接している。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ２において、第５絶縁膜１５を覆っている。

なお、Ｘ−Ｙ平面における中継電極ＲＥの配置は、上記のものに限定されない。中継電極ＲＥの配置は、Ｘ−Ｙ平面において、例えば９０度回転させてもよい。また、中継電極ＲＥの形状は、矩形に限定されない。中継電極ＲＥは、例えば円形、楕円形等でもよく、直線と曲線とからなる形状でもよい。中継電極の幅ＨＲは、その底部における第１方向Ｘの幅として定義することができる。

本実施形態によれば、第１方向Ｘにおいて、中継電極ＲＥの幅ＨＲをコンタクトホールＣＨ３の幅Ｈ３以下にすることにより、画素ＰＸの最小寸法Ｗを小さくすることできる。例えば、中継電極ＲＥの幅ＨＲがコンタクトホールＣＨ３の幅Ｈ３よりも大きいと、中継電極ＲＥの第１方向Ｘの両端部が第３絶縁膜１３の上に形成される。この場合、同層に形成されるソース線Ｓと中継電極ＲＥとが接触しないように、マージンを設ける必要が生じる。このため、第１方向Ｘの画素ＰＸの最小寸法Ｗが、このマージン分だけ増大する。一方、本実施形態によれば、第１方向Ｘにおいて、ソース線Ｓが第３絶縁膜１３の上に形成される一方で、中継電極ＲＥが半導体層ＳＣ１の上に形成され、第３絶縁膜１３の上においてソース線Ｓと隣り合うことがない。このため、ソース線Ｓと中継電極ＲＥとの間のマージンを設ける必要がない。したがって、表示装置１の高精細化が可能となる。

さらに、本実施形態によれば、コンタクトホールＣＨ２が形成された第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上に形成されている。コンタクトホールＣＨ２の側面ＣＨ２Ａ、ＣＨ２Ｂ、ＣＨ２Ｃ及びＣＨ２Ｄは、第５絶縁膜１５により覆われており、コンタクトホールＣＨ２において第５絶縁膜１５は、第３絶縁膜１３に接している。つまり、有機絶縁材料からなる第４絶縁膜１４は、無機絶縁材料により覆われている。したがって、有機絶縁材料からなる第４絶縁膜１４から液晶層ＬＣへのガスの放出を抑制することができる。また、第４絶縁膜１４と、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３内の例えば画素電極ＰＥ等の導電層とが第５絶縁膜１５によって遮断されるため、第４絶縁膜１４からコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３が設けられた領域への水分の侵入を抑制することができ、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３内の導電層の腐食を抑制することができる。これにより、コンタクト部における信頼性を向上することができる。

［第２実施形態］
図７は、第２実施形態に係る表示装置１を概略的に示す平面図である。

第２実施形態は、中継電極ＲＥの第２方向Ｙの両端部が、コンタクトホールＣＨ１の内側に設けられている点で第１実施形態と相違している。すなわち、中継電極ＲＥのエッジＲＥｃは、コンタクトホールＣＨ３のエッジＣＨ３ｃとコンタクトホールＣＨ１のエッジＣＨ１ｃとの間に位置し、エッジＲＥｄは、コンタクトホールＣＨ３のエッジＣＨ３ｄとコンタクトホールＣＨ１のエッジＣＨ１ｄとの間に位置している。

図８は、図７に示すＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線に沿った断面図を示している。図８は、第２方向Ｙと第３方向Ｚにより規定されるＹ−Ｚ平面と平行な面を示している。ここでは第１基板ＳＵＢ１のみを示している。

中継電極ＲＥは、コンタクトホールＣＨ３において、半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２の上に形成されるとともに、コンタクトホールＣＨ３の第２方向Ｙの側面ＣＨ３Ｃ及び側面ＣＨ３Ｄとも接している。図示した例では、中継電極ＲＥは、コンタクトホールＣＨ３の側面ＣＨ３Ｃ及びＣＨ３Ｄを覆うとともに、コンタクトホールＣＨ１において第３絶縁膜１３の上にも形成されている。コンタクトホールＣＨ１において第３絶縁膜１３の上に形成された中継電極ＲＥは、コンタクトホールＣＨ１の側面ＣＨ１Ｃ及びＣＨ１Ｄと、コンタクトホールＣＨ２の側面ＣＨ２Ｃ及びＣＨ２Ｄとから離間している。

画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ３において、中継電極ＲＥと接している。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ１において、中継電極ＲＥ及び第５絶縁膜１５を覆うとともに、第３絶縁膜にも接している。すなわち、画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ１において側面ＣＨ１Ｃと中継電極ＲＥとの間、及び側面ＣＨ１Ｄと中継電極ＲＥとの間で第３絶縁膜１３と接している。

本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、中継電極ＲＥと半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２との接触面積が大きいため、半導体層ＳＣ１と中継電極ＲＥとの間の導電性が向上する。

［第３実施形態］
図９は、第３実施形態に係る表示装置１を概略的に示す平面図である。

第３実施形態は、中継電極ＲＥがコンタクトホールＣＨ３の第１方向ＸのエッジＣＨ３ｂに近接している点で第１実施形態と相違している。図示した例では、中継電極ＲＥのエッジＲＥｂは、コンタクトホールＣＨ３のエッジＣＨ３ｂと重なっている。

図１０は、図９に示すＸ−Ｘ’線に沿った断面図を示している。図１０は、第１方向Ｘと第３方向Ｚにより規定されるＸ−Ｚ平面と平行な面を示している。ここでは第１基板ＳＵＢ１のみを示している。

コンタクトホールＣＨ３において、中継電極ＲＥの第１方向Ｘの一端部は、コンタクトホールＣＨ３の側面ＣＨ３Ｂと接している。一方、中継電極ＲＥの第１方向Ｘの他端部は、コンタクトホールＣＨ３の側面ＣＨ３Ａから離間している。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ３において、中継電極ＲＥに接するとともに、中継電極ＲＥとコンタクトホールＣＨ１の側面ＣＨ１Ａとの間で半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２と接している。本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

［第４実施形態］
図１１は、第４実施形態に係る表示装置１を概略的に示す平面図である。

第４実施形態は、第１基板ＳＵＢ１がコンタクトホールＣＨ１を有していない点で第１乃至第３実施形態と相違している。

図１２は、図１１に示すＸＩＩ−ＸＩＩ’線に沿った断面図を示している。

図１２に示すように、第４実施形態では、共通電極ＣＥは、画素電極ＰＥの上方に設けられている。本実施形態では、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を「第１無機絶縁膜」と称し、第５絶縁膜１５を「第２無機絶縁膜」と称する場合がある。また、本実施形態では、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＣＨ３が第１開口部に相当する。すなわち、本実施形態においては、第１無機絶縁膜（第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３）は、半導体層ＳＣ１及び中継電極ＲＥを露出する第１開口部（コンタクトホールＣＨ３）を有している。

画素電極ＰＥは、ソース線Ｓ１とソース線Ｓ２との間で、第４絶縁膜１４（有機絶縁膜）の上、コンタクトホールＣＨ２（第２開口部）内、及びコンタクトホールＣＨ３（第１開口部）内に設けられている。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ２において、第１方向Ｘの側面ＣＨ２Ａ及びＣＨ２Ｂを覆うとともに、コンタクトホールＣＨ２により露出された第３絶縁膜とも接している。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ３において、第１方向Ｘの側面ＣＨ３Ａ、ＣＨ３Ｂ及び中継電極ＲＥを覆うとともに、コンタクトホールＣＨ３により露出された半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２の上にも形成されている。すなわち、画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ３の側面ＣＨ３Ａと中継電極ＲＥとの間、及びコンタクトホールＣＨ３の側面ＣＨ３Ｂと中継電極ＲＥとの間で半導体層ＳＣ１の第２部分ＳＣ１２と接している。

第５絶縁膜１５（第２無機絶縁膜）は、画素電極ＰＥを覆うとともに、第４絶縁膜１４の上にも形成されている。本実施形態においては、第５絶縁膜１５は、開口部を有していない。共通電極ＣＥは、第５絶縁膜１５の上に設けられている。共通電極ＣＥは、第１配向膜ＡＬ１により覆われている。

本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態では、画素電極ＰＥがコンタクトホールＣＨ２の側面ＣＨ２Ａ、ＣＨ２Ｂ、ＣＨ２Ｃ、ＣＨ２Ｄ、コンタクトホールＣＨ２により露出された第３絶縁膜１３、及びコンタクトホールＣＨ３の側面ＣＨ３Ａ、ＣＨ３Ｂ、ＣＨ３Ｃ、ＣＨ３Ｄを一括して覆っている。第５絶縁膜１５と共通電極ＣＥとは、コンタクトホールＣＨ２及びＣＨ３内にも設けられ、画素電極ＰＥを覆っている。したがって、コンタクト部における第４絶縁膜１４の密閉性が向上するため、コンタクト部における信頼性を向上することができる。

［第５実施形態］
図１３は、第５実施形態に係る表示装置１を概略的に示す断面図である。

第５実施形態は、表示装置が有機ＥＬ表示装置である点で第４実施形態と相違している。

表示装置１は、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２を備えている。

第１基板ＳＵＢ１は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料により形成された第１絶縁基板３０を用いて構成されている。第３絶縁基板３０は、可撓性を有していてもよい。第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板３０の上方、すなわち第１基板ＳＵＢ２と対向する側に、スイッチング素子ＳＷ、発光素子としての有機ＥＬ素子ＯＤ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、第６絶縁膜１６、保護膜５０などを備えている。また、第１絶縁基板３０の下方には、図示しない接着層を介して保護部材ＰＰが設けられている。保護部材ＰＰは、第１絶縁基板３０を保護する保護フィルムであり、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などによって形成されている。

第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板３０の上に形成されている。スイッチング素子ＳＷは、第１絶縁膜１１の上に形成されている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；thin-film-transistor）により構成されている。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥを備えている。半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１上に形成され、第２絶縁膜１２により覆われている。ゲート電極ＧＥは、第２絶縁膜１２の上に形成され、第３絶縁膜１３により覆われている。ソース電極ＳＥは、第３絶縁膜１３の上に形成され、第３絶縁膜１３及び第２絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールを通って半導体層ＳＣと接続されている。

本実施形態では、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を「第１無機絶縁膜」と称する場合がある。また、本実施形態では、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＣＨ３が第１開口部に相当する。すなわち、本実施形態において、第１無機絶縁膜（第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３）は、半導体層ＳＣ１と重なる領域に第１開口部（コンタクトホールＣＨ３）を有している。

コンタクトホールＣＨ３（第１開口部）は、第３絶縁膜１３及び第２絶縁膜１２内でゲート電極ＧＥに対してソース電極ＳＥと反対側に設けられている。ドレイン電極ＤＥは、コンタクトホールＣＨ３内により露出された半導体層ＳＣの上に設けられている。ドレイン電極ＤＥは、第１実施形態における中継電極ＲＥに相当する。ドレイン電極ＤＥは、コンタクトホールＣＨ３の側面ＣＨ３Ａ及びＣＨ３Ｂから離間している。

第４絶縁膜１４（有機絶縁膜）は、スイッチング素子ＳＷを覆うとともに、第３絶縁膜１３の上にも形成されている。第４絶縁膜１４は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料により形成されている。コンタクトホールＣＨ２（第２開口部）は、第４絶縁膜１４内で、コンタクトホールＣＨ３と重なる領域に設けられている。コンタクトホールＣＨ２は、コンタクトホールＣＨ３より大きい幅を有している。

有機ＥＬ素子ＯＤは、第４絶縁膜１４の上に形成されている。有機ＥＬ素子ＯＤは、画素電極ＰＥ、有機発光層ＯＲＧ、共通電極ＣＥにより構成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＤは、第１絶縁基板３０と反対側に光を出射するトップエミッション型であるが、この例に限らず、第１絶縁基板３０の側に光を出射するボトムエミッション型であってもよい。なお、図示は省略するが、表示装置１がトップエミッション型である場合には、有機ＥＬ素子ＯＤは、第４絶縁膜１４と画素電極ＰＥとの間に反射層を含んでいることが望ましい。反射層は、例えばアルミニウム等の反射率の高い金属材料により形成される。

画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４の上、コンタクトホールＣＨ２内、及びコンタクトホールＣＨ３内に設けられ、ドレイン電極ＤＥと接触、すなわち電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ２において、コンタクトホールＣＨ２の側面ＣＨ２Ａ及びＣＨ２Ｂを覆うとともに、コンタクトホールＣＨ２により露出された第３絶縁膜の上にも設けられている。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ３において、コンタクトホールＣＨ３の側面ＣＨ３Ａ及びＣＨ３Ｂと、ドレイン電極ＤＥとを覆うとともに、半導体層ＳＣの上にも形成されている。すなわち、画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ３の側面ＣＨ３Ａとドレイン電極ＤＥとの間、及びコンタクトホールＣＨ３の側面ＣＨ３Ｂとドレイン電極ＤＥとの間で半導体層ＳＣと接している。

有機発光層ＯＲＧは、画素電極ＰＥと共通電極との間に印加される電圧（あるいは電流）に応じた輝度で発光する。有機発光層ＯＲＧは、発光層の他、発光効率を向上するために、電子注入層、正孔注入層、電子輸送層、正孔輸送層等の他の層を含んでいてもよい。

共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧの上に形成されている。共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとは、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。

第６絶縁膜１６は、画素電極ＰＥの上に設けられ、有機ＥＬ素子ＯＤを画素ごとに区画している。すなわち、第６絶縁膜１６が設けられた領域では、画素電極ＰＥと有機発光層ＯＲＧとが接触されない（絶縁される）ため、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電圧が印加された場合であっても有機発光層ＯＲＧは発光しない。図示した例では、画素ごとに、青色に発光する有機発光層と、緑色に発光する有機発光層と、赤色に発光する有機発光層と、が備えられている。有機ＥＬ素子ＯＤは、有機ＥＬ素子ＯＤを水分等から保護するための保護膜５０によって封止されている。

一方、第２基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板、あるいは光学フィルムや偏光板等の光学素子により形成されている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１と対向するように配置される。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、接着剤４１によって接着されている。

なお、図示した例では、画素ごとに異なる色を発光する有機発光層ＯＲＧが備えられているが、複数の画素ＰＸに亘って、共通の有機発光層ＯＲＧを備えるように形成されてもよい。このような構成においては、第２基板ＳＵＢ２は、少なくとも有機発光層ＯＲＧを覆う領域にカラーフィルタを備えている。

本実施形態においても、第３実施形態と同様の効果を得ることができる。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…表示装置、２…表示パネル、３…駆動ＩＣチップ、１０、３０…第１絶縁基板、１１…第１絶縁膜、１２…第２絶縁膜、１３…第３絶縁膜、１４…第４絶縁膜、１５…第５絶縁膜、１６…第６絶縁膜（隔壁）、２０…第２絶縁基板、２１…カラーフィルタ層、ＳＷ…スイッチング素子、ＳＣ、ＳＣ１、ＳＣ２…半導体層、ＲＥ…中継電極、ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３…コンタクトホール、ＣＨ１Ａ、ＣＨ１Ｂ、ＣＨ１Ｃ、ＣＨ１Ｄ、ＣＨ２Ａ、ＣＨ２Ｂ、ＣＨ２Ｃ、ＣＨ２Ｄ、ＣＨ３Ａ、ＣＨ３Ｂ、ＣＨ３Ｃ、ＣＨ３Ｄ…側面、ＧＥ…ゲート電極、ＳＥ…ソース電極、ＤＥ…ドレイン電極、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…共通電極、ＯＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機発光層、ＰＰ…保護部材、ＰＸ…画素、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、ＨＲ…第１方向の幅。

Claims (11)

1. 半導体層と、前記半導体層の上方に設けられ前記半導体層と重なる領域に第１開口部を有する第１無機絶縁膜と、前記半導体層の上方に設けられ前記第１開口部と重なる領域に第２開口部を有する有機絶縁膜と、前記第２開口部が設けられた領域の内側において前記半導体層に積層された金属膜と、前記第１開口部及び前記第２開口部内に設けられ前記金属膜及び前記半導体層と接触される画素電極と、を備える第１基板を具備し、
   前記金属膜は、前記第２開口部の側面及び前記第１開口部の側面から離間し、
   前記有機絶縁膜は、前記半導体層と前記第１無機絶縁膜との間に設けられ、
   前記半導体層と前記有機絶縁膜との間に設けられた第２無機絶縁膜を更に具備し、
   前記第２無機絶縁膜は、前記第１開口部及び前記第２開口部と重なる領域に第３開口部を有している、表示装置。
2. 前記金属膜は、前記第３開口部の側面から離間している、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記画素電極は、前記第３開口部の前記側面と前記金属膜との間で前記半導体層と接触している、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１無機絶縁膜は、前記第２開口部の前記側面を覆い、前記第２開口部において、前記第２無機絶縁膜と接している、請求項１に記載の表示装置。
5. 半導体層と、前記半導体層の上方に設けられ前記半導体層と重なる領域に第１開口部を有する第１無機絶縁膜と、前記半導体層の上方に設けられ前記第１開口部と重なる領域に第２開口部を有する有機絶縁膜と、前記第２開口部が設けられた領域の内側において前記半導体層に積層された金属膜と、前記第１開口部及び前記第２開口部内に設けられ前記金属膜及び前記半導体層と接触される画素電極と、を備える第１基板を具備し、
   前記金属膜は、前記第２開口部の側面及び前記第１開口部の側面から離間し、
   前記第１無機絶縁膜は、前記半導体層と前記有機絶縁膜との間に設けられ、
   前記画素電極は、前記第２開口部の前記側面を覆っており、前記第２開口部において前記第１無機絶縁膜に接し、
   前記画素電極は、前記第１開口部の前記側面を覆っており、前記第１開口部の前記側面と前記金属膜との間で前記半導体層と接し、
   前記金属膜は、少なくともその一端部が前記第１開口部の前記側面と接している、表示装置。
6. 前記第２無機絶縁膜の上に配置され前記有機絶縁膜により覆われた第１配線及び第２配線をさらに具備し、
   前記第１開口部、前記第２開口部、及び前記第３開口部は、平面視で、前記第１配線と前記第２配線との間に位置している、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第１無機絶縁膜の上に配置され前記有機絶縁膜により覆われた第１配線及び第２配線をさらに具備し、
   前記第１開口部及び前記第２開口部は、平面視で、前記第１配線と前記第２配線との間に位置している、請求項５に記載の表示装置。
8. 前記第１配線及び前記第２配線は、前記金属膜と同一材料によって形成されている、請求項６又は７に記載の表示装置。
9. 前記金属膜の幅は、前記第１配線及び前記第２配線の幅以下である、請求項６乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記第１基板に対向する第２基板を具備し、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を備える、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 半導体層と、
    前記半導体層の上方に設けられ前記半導体層と重なる領域に第１開口部を有する第１無機絶縁膜と、
    前記半導体層の上方に設けられ前記第１開口部と重なる領域に第２開口部を有する有機絶縁膜と、
    前記第２開口部が設けられた領域の内側において前記半導体層に積層された第１導電層と、
    前記第１開口部及び前記第２開口部内に設けられ前記第１導電層及び前記半導体層と接触される第２導電層と、
    を具備し、
    前記第１導電層は、前記第２開口部の側面及び前記第１開口部の側面から離間しており、
    前記第２導電層は、前記第１開口部の前記側面と前記第１導電層との間において前記半導体層と接し、
    前記第１導電層は、少なくともその一端部が前記第１開口部の前記側面と接している、配線基板。

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