CN207337025U - 显示装置及布线基板 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供显示装置和布线基板。显示装置具备第1基板(SUB1)，该第1基板(SUB1)具备：半导体层(SC12)；第1无机绝缘膜(15)，其设置于半导体层(SC12)的上方，在与半导体层(SC12)重叠的区域具有第1开口部(CH1)；有机绝缘膜(14)，其设置于半导体层(SC12)的上方，在与第1开口部(CH1)重叠的区域具有第2开口部(CH2)；金属膜(RE)，其在设有第2开口部(CH2)的区域的内侧层叠于半导体层(SC12)；和像素电极(PE)，其设置于第1开口部(CH1)内和第2开口部(CH2)内，与金属膜(RE)和半导体层(SC12)接触，金属膜(RE)与第1开口部(CH1)的第1侧面(CH1A)和第2开口部(CH2)的第2侧面(CH2A)分开。

Description

显示装置及布线基板

技术领域

本实用新型的实施方式涉及显示装置及布线基板。

本申请基于2016年10月28日提交的日本专利申请特愿2016-211427主张优先权，通过参照该日本专利申请的全部内容而将其引用于此。

背景技术

具备多个像素的有源矩阵型的显示装置具有布线基板，该布线基板形成有用于驱动像素的开关元件。开关元件由例如薄膜晶体管构成。在这样的显示装置中，为了将开关元件的电极与在布线基板上的不同的层形成的其他导电材料连接，存在形成接触孔的情况。

另一方面，在与形成有开关元件的电极的层相同的层中，为了使开关元件的电极与其他导电材料不接触，需要在开关元件的电极与其他导电材料之间设置空间(余量)。

近年来，存在随着显示装置的高精细化、像素的宽度减小的倾向。因而，像素中的上述的电极的宽度与余量的比例变得无法忽视。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种能够实现高精细化的显示装置及布线基板。

根据一个实施方式，提供一种显示装置，该显示装置具备第1基板，该第1基板具备：半导体层；第1无机绝缘膜，其设置于所述半导体层的上方，在与所述半导体层重叠的区域具有第1开口部；有机绝缘膜，其设置于所述半导体层的上方，在与所述第1开口部重叠的区域具有第2开口部；金属膜，其在设有所述第2开口部的区域的内侧层叠于所述半导体层；和像素电极，其设置于所述第1开口部内和所述第2开口部内，与所述金属膜和所述半导体层接触，所述金属膜与所述第1开口部的第1侧面和所述第2开口部的第2侧面分开。

根据一个实施方式，提供一种布线基板，该布线基板具备：半导体层；第1无机绝缘膜，其设置于所述半导体层的上方，在与所述半导体层重叠的区域具有第1开口部；有机绝缘膜，其设置于所述半导体层的上方，在与所述第1开口部重叠的区域具有第2开口部；第1导电层，其在设有所述第2开口部的区域的内侧层叠于所述半导体层；和第2导电层，其设置于所述第1开口部内和所述第2开口部内，与所述第1导电层和所述半导体层接触，所述第1导电层与所述第1开口部的第1侧面和所述第2开口部的第2侧面分开，所述第2导电层在所述第1侧面与所述第1导电层之间与所述半导体层接触。

根据一个实施方式，提供一种显示装置，该显示装置具备：源极线；半导体层，其与所述源极线电连接；中继电极，其与所述半导体层电连接；和像素电极，其与所述中继电极连接，所述中继电极的宽度比所述源极线的宽度小。

根据本实用新型，能够提供一种能够进行高精细化的显示装置和布线基板。

附图说明

图1是概略地表示第1实施方式的显示装置的俯视图。

图2是概略地表示图1所示的显示装置的显示区域的俯视图。

图3是放大地表示图2所示的显示装置的显示区域的俯视图。

图4是表示图2所示的显示装置的显示区域的另一个例子的俯视图。

图5是沿着图3所示的V-V’线的剖视图。

图6是沿着图3所示的VI-VI’线的剖视图。

图7是概略地表示第2实施方式的显示装置的显示区域的俯视图。

图8是沿着图7所示的VIII-VIII’线的剖视图。

图9是概略地表示第3实施方式的显示装置的显示区域的俯视图。

图10是沿着图9所示的X-X’线的剖视图。

图11是概略地表示第4实施方式的显示装置的显示区域的俯视图。

图12是沿着图11所示的XII-XII’线的剖视图。

图13是概略地表示第5实施方式的显示装置的显示区域的剖视图。

具体实施方式

下面，参照附图来说明实施方式。需要说明的是，本公开只是一个例子，本领域技术人员在本实用新型的主旨内所能够想到的适当的变更是当然也包括在本实用新型的范围内。此外，在某些情况下，为了使描述更加清晰，与实际情况相比，各部分的宽度、厚度、形状等在附图中示意性地示出。然而，示意图只是一个例子，对本实用新型的说明没有任何限制。此外，在说明书和附图中，对具有同与之前的附图相关联地说明的构成要素的功能相同或类似的功能的构成要素，标注同样的附图标记，并省略重复的详细说明。

[第1实施方式]

本实施方式所公开的主要结构能够适用于具有液晶层的液晶显示装置、有机电致发光(EL)显示装置等自发光型的显示装置、具有电泳型元件等的电子纸型显示装置等，也能够适用于其他显示装置。

图1是概略地表示第1实施方式的显示装置1的俯视图。

图中所示的第1方向X和第2方向Y彼此正交，但也可以以90度以外的角度交叉。例如，第1方向X与显示装置1的短边平行，第2方向Y与显示装置1的长边平行。第3方向Z与第1方向X和第2方向Y正交，相当于显示装置1的厚度方向。以下，将第3方向Z称为上方(或者简称为上)，将与第3方向Z相反的方向称为下方(或者简称为下)。另外，将沿与第3方向Z相反的方向观察称为“俯视”。在“第1部件的上方的第2部件”和“第1部件的下方的第2部件”的情况下，第2部件既可以与第1部件接触，也可以位于与第1部件分开的位置。在后者的情况下，第3部件也可以介于第1部件与第2部件之间。另一方面，在“第1部件之上的第2部件”和“第1部件之下的第2部件”的情况下，第2部件与第1部件接触。

显示装置1具备显示面板2和驱动IC芯片3。

显示面板2是有源矩阵型的液晶显示面板。显示面板2由第1基板SUB1和设置于第1基板SUB1的上方的第2基板SUB2构成。第1基板SUB1和第2基板SUB2隔着液晶层LC在第3方向Z上相对地粘合。显示面板2可以是具备透过显示功能(即通过使来自下方(与显示面相反的一侧)的光选择性地透过来显示图像)的透过型、具备反射显示功能(即通过使来自上方(显示面侧)的光选择性地反射来显示图像)的反射型、以及具备透过显示功能和反射显示功能的半透过型中的任一种。

显示面板2具有显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA与设有液晶层LC的区域大致对应，具备例如沿着第1方向X和第2方向Y配置成矩阵状的多个像素PX。非显示区域NDA包围显示区域DA。在非显示区域NDA设有用于控制像素PX的驱动IC芯片3。虽省略图示，但非显示区域NDA也可以具备用于控制像素PX的动作的驱动器。

图1的左侧所示的由实线的圆围成的图概略地表示像素PX的等效电路的一个例子。像素PX存在于包括在栅极线(扫描线)G与源极线(信号线)S交叉的位置设置的开关元件SW的区域。在图示的例子中，栅极线G沿着第1方向X延伸，源极线S沿着第2方向Y延伸。像素PX具备开关元件SW、像素电极PE、公共电极CE、液晶层LC等。开关元件SW由例如薄膜晶体管(TFT；thin film transistor)构成。开关元件SW的栅极GE与栅极线G连接，源极SE与源极线S连接，漏极DE与像素电极PE连接。像素电极PE与公共电极CE相对，利用在像素电极PE与公共电极CE之间产生的电场驱动液晶层LC。公共电极CE在多个像素PX的范围内形成。

图2是概略地表示图1所示的显示区域DA中的第1基板SUB1的构成例的俯视图。图2表示与由第1方向X和第2方向Y规定的X-Y平面平行的面。在图中仅示出主要的结构。

第1基板SUB1具备栅极线G(G1、G2···)、源极线S(S1、S2、S3···)、开关元件SW(SW1、SW2、SW3···)、像素电极PE(PE1、PE2、PE3····)等。栅极线G沿着第1方向X延伸，并在第2方向Y上隔开间隔地配置。源极线S沿着第2方向Y延伸，并在第1方向X上隔开间隔地配置。此外，在图示的例子中，栅极线G和源极线S呈直线状延伸，但也可以弯曲。以下，以包括位于栅极线G1与源极线S1的交叉部附近的开关元件SW1、以及与开关元件SW1连接的像素电极PE1在内的像素PX1为例来对其结构进行说明，其他像素PX2、PX3···的结构与像素PX1的结构相同。

在本实施方式中，开关元件SW1是具有第1栅极WG11和第2栅极WG12的双栅极型的薄膜晶体管。构成开关元件SW1的半导体层SC1具有与栅极线G1交叉的两个区域。具体而言，半导体层SC1形成为大致U字状，由第1部分SC11和第2部分SC12、以及第3部分SC13构成，该第1部分SC11和第2部分SC12沿着第2方向Y延伸，并分别与栅极线G1交叉，该第3部分SC13沿着第1方向X延伸，并将第1部分SC11和第2部分SC12连接。

第1部分SC11在源极线S1的下方沿着第2方向Y延伸，与栅极线G1交叉。第1栅极WG11相当于栅极线G1中的与第1部分SC11交叉的区域。在位于栅极线G1与栅极线G2之间的第1部分SC11的一端侧设有接触孔CH0。第1部分SC11经由设置于该接触孔CH0内的导电材料与源极线S1电连接。

第2部分SC12在源极线S1与源极线S2之间沿着第2方向Y延伸，与栅极线G1交叉。第2栅极WG12相当于栅极线G1中的与第2部分SC12交叉的区域。在第2部分SC12的一端侧设有接触孔CH1和CH2。接触孔CH1形成于设有接触孔CH2的区域的内侧。在图示的例子中，接触孔CH1位于相邻的两个源极线S1与S2之间、以及相邻的两个栅极线G1与G2之间，比设置于第1部分SC11的接触孔CH0更接近栅极线G1。接触孔CH2的第2方向Y的一端部与栅极线G1重叠。然而，接触孔CH1和CH2的配置并不限定于上述的例子，能够适当地变更。第2部分SC12经由设置于形成有接触孔CH1的区域的内侧的导电材料与像素电极PE1电连接。

第3部分SC13沿着第1方向X设置，将第1部分SC11的另一端侧和第2部分SC12的另一端侧连接起来。即，第3部分SC13相对于栅极线G1位于与栅极线G2相反的一侧。此外，在图示的例子中，第3部分SC13呈直线状延伸，但也可以弯曲。

像素电极PE1设置于源极线S1与源极线S2之间、以及栅极线G1与栅极线G2之间，第2方向Y的一端部与栅极线G1重叠。像素电极PE1具有接触部PA1、电极部PB1以及连结部PC1。接触部PA1位于栅极线G1附近，第2方向Y的一端侧与栅极线G1重叠。在接触部PA1的区域内设有接触孔CH1和CH2。电极部PB1从接触部PA1朝向栅极线G2延伸。在图示的例子中，像素电极PE1具有两根电极部PB1，但电极部PB1的数量也可以是1根，还可以是3根以上。连结部PC1在电极部PB1的栅极线G2侧的端部将多个电极部PB1连结。由此，即使是在电极部PB1的一部分中第1方向X的宽度变小或产生了断线的情况下，也能够经由连结部PC1向电极部PB1供给电位。此外，连结部PC1也可以被省略。

此外，在图2所示的例子中，开关元件SW1是双栅极型的薄膜晶体管，但并不限于该例子，也可以是单栅极型的薄膜晶体管。

图3放大地表示图2所示的接触孔CH1和接触孔CH2的附近。其中省略了像素电极PE的图示。在形成有接触孔CH1的区域的内侧形成有接触孔CH3。在形成有接触孔CH2的区域的内侧形成有至少与接触孔CH3重叠的中继电极RE。半导体层SC1经由中继电极RE与设置于接触孔CH2、CH1及CH3的未图示的像素电极PE电连接。

接触孔CH2与半导体层SC1的第2部分SC12大致重叠。接触孔CH2呈例如矩形形状，具有在第1方向X上相对的边缘CH2a和边缘CH2b、以及在第2方向Y上相对的边缘CH2c和边缘CH2d。

接触孔CH2的边缘CH2a与边缘CH2b之间的沿着第1方向X的距离、即接触孔CH2的第1方向X上的宽度H2比源极线S1与源极线S2之间的沿着第1方向X的间隔H0小。在图示的例子中，接触孔CH2位于源极线S1与源极线S2的大致中央。也就是说，边缘CH2a与源极线S1之间的沿着第1方向X的距离、以及边缘CH2b与源极线S2之间的沿着第1方向X的距离均是大致相同的E1。此外，接触孔CH2也可以以接近源极线S1和源极线S2中的某一方的方式形成。这样的接触孔CH2形成于随后论述的第4绝缘膜(有机绝缘膜)。

接触孔CH1形成于接触孔CH2的内侧的区域。因而，接触孔CH1与半导体层SC1的第2部分SC12和接触孔CH2重叠。接触孔CH1呈例如矩形形状，具有在第1方向X上相对的边缘CH1a和边缘CH1b、以及在第2方向Y上相对的边缘CH1c和边缘CH1d。

接触孔CH1的边缘CH1a与边缘CH1b之间的沿着第1方向X的距离、即接触孔CH1的第1方向X上的宽度H1比接触孔CH2的第1方向X上的宽度H2小。在图示的例子中，接触孔CH1位于接触孔CH2的大致中央。也就是说，接触孔CH1的边缘CH1a、CH1b、CH1c、以及CH1d分别比接触孔CH2的边缘CH2a、CH2b、CH2c、以及CH2d靠内侧大致相同的距离E2。此外，接触孔CH1在俯视时位于接触孔CH2的内侧即可，也可以以接近接触孔CH2的边缘CH2a、CH2b、CH2c、以及CH2d中的某一个的方式形成。这样的接触孔CH1形成于随后论述的第5绝缘膜(电容氮化膜)。

接触孔CH3形成于接触孔CH1的内侧的区域。因而，接触孔CH3与半导体层SC1的第2部分、接触孔CH2、以及接触孔CH1重叠。接触孔CH3呈例如矩形形状，位于接触孔CH1的大致中央。接触孔CH3的第1方向X上的宽度H3比接触孔CH1的第1方向X上的宽度H1小。此外，接触孔CH3在俯视时位于接触孔CH1的内侧即可，也可以以接近接触孔CH1的边缘CH1a、CH1b、CH1c、以及CH1d中的某一个的方式形成。这样的接触孔CH3形成于随后论述的第2绝缘膜和第3绝缘膜(栅极绝缘膜和层间绝缘膜)，使半导体层SC1的第2部分SC12露出。

中继电极RE位于设有接触孔CH2的区域的内侧。在图示的例子中，中继电极RE具有与接触孔CH1、CH2以及CH3分别重叠的区域。中继电极RE呈例如矩形形状，具有在第1方向X上相对的边缘REa和边缘REb、以及在第2方向Y上相对的边缘REc和边缘REd。

中继电极RE的边缘REa与边缘REb之间的沿着第1方向X的距离、即中继电极RE的第1方向X上的宽度HR比接触孔CH3的第1方向X上的宽度H3小。此外，宽度HR是宽度H3同等以下即可。宽度HR也可以以成为例如源极线S的第1方向X上的宽度A1同等以下的方式形成。另外，在应对像素PX的宽度(或者间隔H0)变小的高精细化的情况下，期望的是宽度HR比宽度A1小。对于源极线S，考虑布线的断线等，在制造成品率方面需要具有一定程度的宽度A1，但对于继电极RE，无需考虑断线等问题，能够比源极线S的宽度小。

在图示的例子中，中继电极RE在第1方向X上位于接触孔CH2的大致中央，在第2方向Y上接近接触孔CH2的边缘CH2c。即、中继电极RE的边缘REa和REb在第1方向X上比接触孔CH2的边缘CH2a和CH2b分别靠内侧大致相同的距离E3、且位于接触孔CH3的内侧。另一方面，在第2方向Y上，中继电极RE的边缘REc位于接触孔CH2的边缘CH2c与接触孔CH1的边缘CH1c之间，边缘REd位于接触孔CH3的内侧。此外，中继电极RE在俯视时位于接触孔CH2的内侧、且具有与接触孔CH3重叠的区域即可，也可以以接近接触孔CH2的边缘CH2a、CH2b、以及CH2d中的某一个的方式形成。

距离E3设定得比上述的距离E1大。由此，即使是例如在制造显示装置1之际形成接触孔CH2的第1方向X上的位置产生了偏离的情况下，中继电极RE也在形成有接触孔CH2的区域的内侧形成。

在本实施方式中，像素PX的沿着第1方向X的最小尺寸W定义为源极线S1的第1方向X侧的端部与源极线S2的第1方向X侧的端部之间的第1方向X上的距离(或者，源极线的间距)。在将源极线S1、源极线S2的第1方向X上的宽度设为A1的情况下，在上述的结构中，像素PX的最小尺寸W成为

W＝(E1×2)+(E2×2)+H1+A1。

此外，在上述的说明中，接触孔CH1、CH2、以及CH3在X-Y平面中是矩形形状，但也可以是非矩形形状的形状。例如，如图4所示，在接触孔CH0、CH1、CH2、以及CH3是圆形的情况下，接触孔CH1、CH2、以及CH3的第1方向X上的宽度H1、H2、以及H3与接触孔CH1、CH2、以及CH3的直径相当。另外，边缘CH1a和CH1b、以及边缘CH2a和CH2b分别与在第1方向X上相对的圆周上的两点相当，边缘CH1c和CH1d、以及边缘CH2c和CH2d分别与在第2方向Y上相对的圆周上的两点相当。此外，接触孔CH1、CH2、以及CH3也可以不是矩形、圆形，即使是例如椭圆形、由直线和曲线的组合构成的形状，接触孔CH1、CH2、以及CH3的第1方向X上的宽度H1、H2、以及H3也能够视作第1方向X上的最长的间隔。

图5是沿着图3所示的V-V’线的剖视图。图5表示与由第1方向X和第3方向Z规定的X-Z平面平行的面。

显示装置1具备：第1基板SUB1、第2基板SUB2、以及保持于第1基板SUB1与第2基板SUB2之间的液晶层LC。

第1基板SUB1使用玻璃基板或者树脂基板等透明的第1绝缘基板10构成。第1基板SUB1在第1绝缘基板10的与第2基板SUB2相对的一侧具备半导体层SC1和SC2、源极线S1和S2、中继电极RE、像素电极PE1、公共电极CE、第1取向膜AL1、第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13、第4绝缘膜14、第5绝缘膜15等。

第1绝缘膜11设置于第1绝缘基板10之上，作为半导体层SC1的底涂层发挥功能。半导体层SC1和SC2设置于第1绝缘膜11之上。半导体层SC1的第1部分SC11、第2部分SC12、以及半导体层SC2的第1部分SC21沿着第1方向X分别分开地配置。第2绝缘膜12是栅极绝缘膜，覆盖半导体层SC1和SC2，并且也设置于第1绝缘膜11之上。此外，在图5中虽然并未示出，但上述的栅极线G形成于第2绝缘膜12之上。第3绝缘膜13是设置于第2绝缘膜12和未图示的栅极线之上的层间绝缘膜。第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13由例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料形成。

在本实施方式中，存在将第2绝缘膜12和第3绝缘膜13称为“第2无机绝缘膜”的情况。在设有半导体层SC1的第2部分SC12的区域中的第2无机绝缘膜(即第3绝缘膜13和第2绝缘膜12)内，形成有贯通到半导体层SC1的第2部分SC12的接触孔CH3(第3开口部)。即，接触孔CH3与半导体层SC1的第2部分SC12的一部分重叠。

以下，存在将构成接触孔CH3的第3绝缘膜13和第2绝缘膜12的侧面称为“接触孔CH3的侧面”的情况。另外，存在将接触孔CH3的侧面与半导体层SC1的第2部分SC12之间的边界称为接触孔CH3的“边缘”的情况。在图5中，代表性地示出边缘CH3a。即，边缘CH3a相当于接触孔CH3的第1方向X的一个侧面CH3A与半导体层SC1的第2部分SC12之间的边界。

中继电极RE(金属膜)在接触孔CH3中层叠于半导体层SC1的第2部分SC12之上。在图示的例子中，中继电极RE与接触孔CH3的第1方向X的一个侧面CH3A和另一个侧面CH3B分开。即，如图5所示，在接触孔CH3的开口区域中中继电极RE并未覆盖其全部，成为使没有形成中继电极RE的区域中的半导体层SC1的第2部分SC12露出的构造。中继电极RE由例如铝、钛等金属材料形成。此外，图3所示的中继电极RE的边缘REa相当于中继电极RE的第1方向X的一端。在图5中仅代表性地示出边缘REa，对于其他边缘REb、REc、REd也是同样的。

源极线S1和源极线S2设置于第3绝缘膜13之上。源极线S2相对于接触孔CH1位于与源极线S1相反的一侧。源极线S1和源极线S2利用与中继电极RE相同的材料通过相同的制造工序形成。

第4绝缘膜14(有机绝缘膜)覆盖源极线S1和S2，并且也形成于第3绝缘膜13之上。第4绝缘膜14是由例如聚酰亚胺等有机绝缘材料形成的平坦化膜。

在第4绝缘膜14内，在包括设有接触孔CH3的区域在内的区域形成有贯通到第3绝缘膜13的接触孔CH2(第2开口部)。即，接触孔CH2具有与半导体层SC1的第2部分SC12、接触孔CH3、以及中继电极RE重叠的区域。

以下，存在将构成接触孔CH2的第4绝缘膜14的侧面称为“接触孔CH2的侧面”的情况。上述的图3所示的接触孔CH2的边缘CH2a相当于接触孔CH2的第1方向X的一个侧面CH2A与第3绝缘膜13之间的边界。在图5中，代表性地示出边缘CH2a，对于其他边缘也是同样的。

公共电极CE形成于除了设有接触孔CH2的区域之外的第4绝缘膜14之上。

第5绝缘膜15覆盖公共电极CE，并且，也形成于第4绝缘膜14之上。第5绝缘膜15覆盖接触孔CH2的侧面CH2A和CH2B，并且，在接触孔CH2中与第3绝缘膜13接触。第5绝缘膜15是由例如氮化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料形成的电容氮化膜，在公共电极CE与随后论述的像素电极PE之间形成电容。在本实施方式中，存在将第5绝缘膜15称为“第1无机绝缘膜”的情况。

在第5绝缘膜15内，在设有接触孔CH2的区域的内侧、且包括设有接触孔CH3的区域在内的区域中，形成有贯通到第3绝缘膜13的接触孔CH1(第1开口部)。即，接触孔CH1具有与半导体层SC1的第2部分SC12、接触孔CH3、中继电极RE、以及接触孔CH2重叠的区域。

以下，存在将构成接触孔CH1的第5绝缘膜15的侧面称为“接触孔CH1的侧面”的情况。上述的图3所示的接触孔CH1的边缘CH1a相当于接触孔CH1的第1方向X的一个侧面CH1A与第3绝缘膜13之间的边界。在图5中，代表性地示出边缘CH1a，但对于其他边缘也是同样的。

此外，上述的中继电极RE也与接触孔CH2的侧面CH2A和CH2B、以及接触孔CH1的侧面CH1A和CH1B分开。

像素电极PE设置于接触孔CH1、CH2、以及CH3内，至少与中继电极RE接触。由此，像素电极PE和半导体层SC1经由中继电极RE电连接。

具体而言，在接触孔CH2中，像素电极PE覆盖第5绝缘膜15。在接触孔CH1中，像素电极PE覆盖接触孔CH1的第1方向X的侧面CH1A和CH1B，并且，也与通过接触孔CH1而露出的第3绝缘膜13接触。在接触孔CH3中，像素电极PE覆盖接触孔CH3的第1方向X的侧面CH3A和CH3B，并且，也与中继电极RE接触。在图示的例子中，像素电极PE在侧面CH3A与中继电极RE之间、以及在侧面CH3B与中继电极RE之间也与半导体层SC1的第2部分SC12接触。换言之，在接触孔CH3中，中继电极RE和像素电极PE与半导体层SC1的第2部分SC12接触。

公共电极CE和像素电极PE由例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等透明的导电材料形成。

像素电极PE和第5绝缘膜15被第1取向膜AL1覆盖。

另一方面，第2基板SUB2使用玻璃基板或者树脂基板等透明的第2绝缘基板20构成。第2基板SUB2在第2绝缘基板20的与第1基板SUB1相对的一侧具备遮光膜BM、彩色滤光片层21、保护层OC、第2取向膜AL2等。遮光膜BM形成于第2绝缘基板20的与第1基板SUB1相对的一侧，将像素PX划分开。彩色滤光片层21形成于第2绝缘基板20的与第1基板SUB1相对的一侧。彩色滤光片层21包括未图示的多个彩色滤光片。彩色滤光片由被着色成例如红色、绿色、蓝色等的树脂材料形成。保护层OC由透明的树脂材料形成，覆盖彩色滤光片层21。保护层OC被第2取向膜AL2覆盖。此外，彩色滤光片层21也可以设置于第1基板SUB1。

如以上那样构成的第1基板SUB1和第2基板SUB2以第1取向膜AL1和第2取向膜AL2相对的方式配置，通过未图示的密封材料而被粘合。在第1取向膜AL1与第2取向膜AL2之间封入含有液晶分子的液晶组合物，而形成有液晶层LC。

图6是沿着图3所示的VI-VI’线的剖视图。图6表示与由第2方向Y和第3方向Z规定的Y-Z平面平行的面。其中仅示出第1基板SUB1，省略了液晶层LC和第2基板SUB2的图示。

从第1绝缘基板10到第2绝缘膜12的结构与图5相同，因此，省略说明。

栅极线G1形成于第2绝缘膜12之上。栅极线G1与半导体层SC1的第2部分SC12重叠。第3绝缘膜13覆盖栅极线G1，并且，也形成于第2绝缘膜12之上。

接触孔CH3和接触孔CH1在第2方向Y上与栅极线G1分开。另一方面，接触孔CH2与栅极线G1的一部分重叠。

中继电极RE在接触孔CH3中形成于半导体层SC1的第2部分SC12之上，并且，其第2方向Y的一端部与接触孔CH3的第2方向Y的一个侧面CH3C接触。另一方面，中继电极RE的第2方向Y的另一端部与接触孔CH3的第2方向Y的另一个侧面CH3D分开。在图示的例子中，中继电极RE覆盖接触孔CH3的侧面CH3C，并且，在接触孔CH1和CH2中也形成于第3绝缘膜13之上。即，中继电极RE在接触孔CH1和CH2中与第3绝缘膜13接触。在第3绝缘膜13之上形成的中继电极RE与接触孔CH2的第2方向Y的侧面CH2C分开，且一部分被第5绝缘膜15覆盖。

第5绝缘膜15覆盖接触孔CH2的侧面CH2C和CH2D，并且，在接触孔CH2中与第3绝缘膜13接触。而且，第5绝缘膜15在接触孔CH2中覆盖被形成于第3绝缘膜13之上的中继电极RE的一端部。即，第5绝缘膜15在接触孔CH2中与中继电极RE接触，并且，在中继电极RE的第2方向Y的一端部与接触孔CH2的侧面CH2C之间与第3绝缘膜13接触。

像素电极PE在接触孔CH3中与中继电极RE接触，并且，在第2方向Y的侧面CH3D与中继电极RE之间与半导体层SC1的第2部分SC12接触。像素电极PE在接触孔CH1中覆盖第2方向Y的一个侧面CH1C，并且，与中继电极RE接触。另外，像素电极PE在接触孔CH1中覆盖第2方向Y的另一个侧面CH1D，并且，与第3绝缘膜13接触。像素电极PE在接触孔CH2中覆盖第5绝缘膜15。

此外，X-Y平面上的中继电极RE的配置并不限定于上述的配置。中继电极RE的配置也可以在X-Y平面上旋转例如90度。另外，中继电极RE的形状并不限定于矩形。中继电极RE也可以是例如圆形、椭圆形等，也可以是由直线和曲线构成的形状。中继电极的宽度HR能够定义为其底部的第1方向X上的宽度。

根据本实施方式，在第1方向X上，通过将中继电极RE的宽度HR设为接触孔CH3的宽度H3以下，能够减小像素PX的最小尺寸W。若例如中继电极RE的宽度HR比接触孔CH3的宽度H3大，则中继电极RE的第1方向X上的两端部会形成于第3绝缘膜13之上。在该情况下，产生设置余量(margin)的需要，以使形成于同层的源极线S和中继电极RE不接触。因此，第1方向X上的像素PX的最小尺寸W与该余量相应地增大。另一方面，根据本实施方式，在第1方向X上，源极线S形成于第3绝缘膜13之上，而中继电极RE形成于半导体层SC1之上，不会在第3绝缘膜13之上与源极线S相邻。因此，无需设置源极线S与中继电极RE之间的余量。因而，能够实现显示装置1的高精细化。

而且，根据本实施方式，形成有接触孔CH2的第4绝缘膜14形成于第3绝缘膜13之上。接触孔CH2的侧面CH2A、CH2B、CH2C以及CH2D被第5绝缘膜15覆盖，在接触孔CH2中第5绝缘膜15与第3绝缘膜13接触。也就是说，由有机绝缘材料构成的第4绝缘膜14被无机绝缘材料覆盖。因而，能够抑制气体从由有机绝缘材料构成的第4绝缘膜14向液晶层LC的释放。另外，第4绝缘膜14与接触孔CH1、CH2和CH3内的例如像素电极PE等导电层通过第5绝缘膜15而被阻断，因此，能够抑制水分从第4绝缘膜14向设有接触孔CH1、CH2和CH3的区域侵入，能够抑制接触孔CH1、CH2以及CH3内的导电层的腐蚀。由此，能够提高接触部处的可靠性。

[第2实施方式]

图7是概略地表示第2实施方式的显示装置1的俯视图。

第2实施方式与第1实施方式的不同点在于，中继电极RE的第2方向Y的两端部设置于接触孔CH1的内侧。即，中继电极RE的边缘REc位于接触孔CH3的边缘CH3c与接触孔CH1的边缘CH1c之间，边缘REd位于接触孔CH3的边缘CH3d与接触孔CH1的边缘CH1d之间。

图8表示沿着图7所示的VIII-VIII’线的剖视图。图8表示与由第2方向Y和第3方向Z规定的Y-Z平面平行的面。其中仅示出第1基板SUB1。

中继电极RE在接触孔CH3中形成于半导体层SC1的第2部分SC12之上，并且，也与接触孔CH3的第2方向Y的侧面CH3C和侧面CH3D接触。在图示的例子中，中继电极RE覆盖接触孔CH3的侧面CH3C和CH3D，并且，在接触孔CH1中也形成于第3绝缘膜13之上。在接触孔CH1中形成于第3绝缘膜13之上的中继电极RE与接触孔CH1的侧面CH1C和CH1D、以及接触孔CH2的侧面CH2C和CH2D分开。

像素电极PE在接触孔CH3中与中继电极RE接触。像素电极PE在接触孔CH1中覆盖中继电极RE和第5绝缘膜15，并且，也与第3绝缘膜13接触。即，像素电极PE在接触孔CH1中在侧面CH1C与中继电极RE之间、以及侧面CH1D与中继电极RE之间与第3绝缘膜13接触。

在本实施方式中，也能够获得与第1实施方式同样的效果。而且，中继电极RE与半导体层SC1的第2部分SC12的接触面积较大，因此，半导体层SC1与中继电极RE之间的导电性提高。

[第3实施方式]

图9是概略地表示第3实施方式的显示装置1的俯视图。

第3实施方式与第1实施方式的不同点在于，中继电极RE接近接触孔CH3的第1方向X的边缘CH3b。在图示的例子中，中继电极RE的边缘REb与接触孔CH3的边缘CH3b重合。

图10表示沿着图9所示的X-X’线的剖视图。图10表示与由第1方向X和第3方向Z规定的X-Z平面平行的面。其中仅示出第1基板SUB1。

在接触孔CH3中，中继电极RE的第1方向X的一端部与接触孔CH3的侧面CH3B接触。另一方面，中继电极RE的第1方向X的另一端部与接触孔CH3的侧面CH3A分开。像素电极PE在接触孔CH3中与中继电极RE接触，并且，在中继电极RE与接触孔CH1的侧面CH1A之间与半导体层SC1的第2部分SC12接触。在本实施方式中，也能够获得与第1实施方式同样的效果。

[第4实施方式]

图11是概略地表示第4实施方式的显示装置1的俯视图。

第4实施方式与第1实施方式至第3实施方式的不同点在于，第1基板SUB1不具有接触孔CH1。

图12表示沿着图11所示的XII-XII’线的剖视图。

如图12所示，在第4实施方式中，公共电极CE设置于像素电极PE的上方。在本实施方式中，存在将第2绝缘膜12和第3绝缘膜13称为“第1无机绝缘膜”、将第5绝缘膜15称为“第2无机绝缘膜”的情况。另外，在本实施方式中，设置于第2绝缘膜12和第3绝缘膜13的接触孔CH3相当于第1开口部。即，在本实施方式中，第1无机绝缘膜(第2绝缘膜12和第3绝缘膜13)具有使半导体层SC1和中继电极RE露出的第1开口部(接触孔CH3)。

像素电极PE在源极线S1与源极线S2之间设置于第4绝缘膜14(有机绝缘膜)之上、接触孔CH2(第2开口部)内、以及接触孔CH3(第1开口部)内。像素电极PE在接触孔CH2中覆盖第1方向X的侧面CH2A和CH2B，并且，也与通过接触孔CH2而露出的第3绝缘膜13接触。像素电极PE在接触孔CH3中覆盖第1方向X的侧面CH3A、CH3B以及中继电极RE，并且，也形成于通过接触孔CH3而露出的半导体层SC1的第2部分SC12之上。即，像素电极PE在接触孔CH3的侧面CH3A与中继电极RE之间、以及接触孔CH3的侧面CH3B与中继电极RE之间与半导体层SC1的第2部分SC12接触。

第5绝缘膜15(第2无机绝缘膜)覆盖像素电极PE，并且，也形成于第4绝缘膜14之上。在本实施方式中，第5绝缘膜15不具有开口部。公共电极CE设置于第5绝缘膜15之上。公共电极CE被第1取向膜AL1覆盖。

在本实施方式中，也能够获得与第1实施方式同样的效果。而且，在本实施方式中，像素电极PE一并覆盖接触孔CH2的侧面CH2A、CH2B、CH2C、CH2D、通过接触孔CH2而露出的第3绝缘膜13、以及接触孔CH3的侧面CH3A、CH3B、CH3C、CH3D。第5绝缘膜15和公共电极CE也设置于接触孔CH2和CH3内，覆盖像素电极PE。因而，接触部处的第4绝缘膜14的密闭性提高，因此，能够提高接触部处的可靠性。

[第5实施方式]

图13是概略地表示第5实施方式的显示装置1的剖视图。

第5实施方式与第4实施方式的不同点在于，显示装置是有机EL显示装置。

显示装置1具备第1基板SUB1和第2基板SUB2。

第1基板SUB1使用由例如聚酰亚胺等有机绝缘材料形成的第1绝缘基板30来构成。第1绝缘基板30也可以具有挠性。第1基板SUB1在第1绝缘基板30的上方、即与第1基板SUB2相对的一侧设有开关元件SW、作为发光元件的有机EL元件OD、第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13、第4绝缘膜14、第6绝缘膜16、以及保护膜50等。另外，在第1绝缘基板30的下方经由未图示的粘结层设有保护部件PP。保护部件PP是保护第1绝缘基板30的保护膜，由例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等形成。

第1绝缘膜11形成于第1绝缘基板30之上。开关元件SW形成于第1绝缘膜11之上。开关元件SW由例如薄膜晶体管(TFT；thin-film-transistor)构成。开关元件SW具备半导体层SC、栅极GE、源极SE、以及漏极DE。半导体层SC形成于第1绝缘膜11上，被第2绝缘膜12覆盖。栅极GE形成于第2绝缘膜12之上，被第3绝缘膜13覆盖。源极SE形成于第3绝缘膜13之上，经由设置于第3绝缘膜13和第2绝缘膜12的接触孔与半导体层SC连接。

在本实施方式中，存在将第2绝缘膜12和第3绝缘膜13称为“第1无机绝缘膜”的情况。另外，在本实施方式中，设置于第2绝缘膜12和第3绝缘膜13的接触孔CH3与第1开口部相当。即，在本实施方式中，第1无机绝缘膜(第2绝缘膜12和第3绝缘膜13)在与半导体层SC1重叠的区域具有第1开口部(接触孔CH3)。

接触孔CH3(第1开口部)在第3绝缘膜13和第2绝缘膜12内相对于栅极GE设置于与源极SE相反的一侧。漏极DE设置于通过接触孔CH3而露出的半导体层SC之上。漏极DE与第1实施方式中的中继电极RE相当。漏极DE与接触孔CH3的侧面CH3A和CH3B分开。

第4绝缘膜14(有机绝缘膜)覆盖开关元件SW，并且，也形成于第3绝缘膜13之上。第4绝缘膜14由例如聚酰亚胺等有机绝缘材料形成。接触孔CH2(第2开口部)在第4绝缘膜14内设置于与接触孔CH3重叠的区域。接触孔CH2具有比接触孔CH3大的宽度。

有机EL元件OD形成于第4绝缘膜14之上。有机EL元件OD由像素电极PE、有机发光层ORG、公共电极CE构成。在图示的例子中，有机EL元件OD是使光向与第1绝缘基板30相反的一侧出射的顶部发光型，但并不限于该例子，也可以是使光向第1绝缘基板30的一侧出射的底部发光型。此外，虽省略图示，但在显示装置1是顶部发光型的情况下，期望的是有机EL元件OD在第4绝缘膜14与像素电极PE之间包括反射层。反射层由例如铝等反射率高的金属材料形成。

像素电极PE设置于第4绝缘膜14之上、接触孔CH2内、以及接触孔CH3内，与漏极DE接触、即电连接。像素电极PE在接触孔CH2中覆盖侧面CH2A和CH2B，并且，也设置于通过接触孔CH2而露出的第3绝缘膜13之上。像素电极PE在接触孔CH3中覆盖侧面CH3A和CH3B、以及漏极DE，并且也形成于半导体层SC之上。即，像素电极PE在接触孔CH3的侧面CH3A与漏极DE之间、以及接触孔CH3的侧面CH3B与漏极DE之间与半导体层SC接触。

有机发光层ORG以相应于对像素电极PE与公共电极之间施加的电压(或者电流)的亮度发光。有机发光层ORG除了包括发光层之外，为了提高发光效率，也可以还包括电子注入层、空穴注入层、电子输送层、空穴输送层等其他层。

公共电极CE形成于有机发光层ORG之上。公共电极CE和像素电极PE由例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等透明的导电材料形成。

第6绝缘膜16设置于像素电极PE之上，按每个像素划分有机EL元件OD。即，在设有第6绝缘膜16的区域中，像素电极PE和有机发光层ORG不接触(被绝缘)，因此，即使是对像素电极PE与公共电极CE之间施加了电压的情况下，有机发光层ORG也不发光。在图示的例子中，按每个像素具备发蓝色光的有机发光层、发绿色光的有机发光层、以及发红色光的有机发光层。有机EL元件OD通过用于相对于水分等保护有机EL元件OD的保护膜50而被密封。

另一方面，第2基板SUB2由玻璃基板、树脂基板、或者光学薄膜、偏振片等光学元件形成。第2基板SUB2以与第1基板SUB1相对的方式配置。第1基板SUB1和第2基板SUB2由粘结剂41粘结。

此外，在图示的例子中，按每个像素具备发出不同颜色的光的有机发光层ORG，但也可以形成为在多个像素PX的范围内设置通用的有机发光层ORG。在这样的结构中，第2基板SUB2在至少覆盖有机发光层ORG的区域设有彩色滤光片。

在本实施方式中，也能够获得与第4实施方式同样的效果。

在上述的各实施方式中，第2部分SC12相当于半导体层。中继电极RE相当于金属膜。或者，中继电极RE相当于第1导电层。像素电极PE相当于像素电极。或者，像素电极PE相当于第2导电层。源极线S1相当于第1布线，源极线S2相当于第2布线。

在第1实施方式～第3实施方式中，第5绝缘膜15相当于第1无机绝缘膜。第4绝缘膜14相当于位于半导体层与第1无机绝缘膜之间的有机绝缘膜。第2绝缘膜12和第3绝缘膜13相当于第2无机绝缘膜。接触孔CH1相当于第1开口部。侧面CH1A相当于第1侧面。侧面CH1C相当于第4侧面。接触孔CH2相当于第2开口部。侧面CH2A相当于第2侧面。接触孔CH3相当于第3开口部。侧面CH3A相当于第3侧面。

在第4实施方式中，第4绝缘膜14相当于有机绝缘膜。第2绝缘膜12和第3绝缘膜13相当于位于半导体层与有机绝缘膜之间的第1无机绝缘膜。第5绝缘膜15相当于第2无机绝缘膜。接触孔CH3相当于第1开口部。侧面CH3A相当于第1侧面。接触孔CH2相当于第2开口部。侧面CH2A相当于第2侧面。

在第5实施方式中，第4绝缘膜14相当于有机绝缘膜。第2绝缘膜12和第3绝缘膜13相当于位于半导体层与有机绝缘膜之间的第1无机绝缘膜。接触孔CH3相当于第1开口部。侧面CH3A相当于第1侧面。接触孔CH2相当于第2开口部。侧面CH2A相当于第2侧面。

虽然已经描述了一些实施方式，但这些实施方式仅是例示，并不意图限制本实用新型的范围。实际上，在此所述的新颖的实施方式能以各种其他方式实施，此外，在不脱离实用新型的主旨的情况下，能够进行在此所描述的实施方式的各种删除、替换和更改。所附权利要求书及其等效物的目的在于涵盖这些符合本实用新型的范围和主旨的方式或变更。

Claims (17)

1.一种显示装置，其特征在于，具备第1基板，该第1基板具备：半导体层；第1无机绝缘膜，其设置于所述半导体层的上方，在与所述半导体层重叠的区域具有第1开口部；有机绝缘膜，其设置于所述半导体层的上方，在与所述第1开口部重叠的区域具有第2开口部；金属膜，其在设有所述第2开口部的区域的内侧层叠于所述半导体层；和像素电极，其设置于所述第1开口部内和所述第2开口部内，与所述金属膜和所述半导体层接触，

所述金属膜与所述第1开口部的第1侧面和所述第2开口部的第2侧面分开。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

该显示装置还具备设置于所述半导体层与所述有机绝缘膜之间的第2无机绝缘膜，

所述有机绝缘膜设置于所述半导体层与所述第1无机绝缘膜之间，

所述第2无机绝缘膜在与所述第1开口部和所述第2开口部重叠的区域具有第3开口部。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述金属膜与所述第3开口部的第3侧面分开。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，

所述像素电极在所述第3侧面与所述金属膜之间与所述半导体层接触。

5.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述第1无机绝缘膜覆盖所述第2侧面，并在所述第2开口部中与所述第2无机绝缘膜接触。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第1无机绝缘膜设置于所述半导体层与所述有机绝缘膜之间，

所述像素电极覆盖所述第2侧面，并在所述第2开口部中与所述第1无机绝缘膜接触。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，

所述像素电极覆盖所述第1侧面，并在所述第1侧面与所述金属膜之间与所述半导体层接触。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述金属膜的至少一端部与所述第1开口部的第4侧面接触。

9.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述显示装置还具备第1布线和第2布线，该第1布线和第2布线配置于所述第2无机绝缘膜之上，被所述有机绝缘膜覆盖，

所述第1开口部、所述第2开口部、以及所述第3开口部在俯视时位于所述第1布线与所述第2布线之间。

10.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，

所述显示装置还具备第1布线和第2布线，该第1布线和第2布线配置于所述第1无机绝缘膜之上，被所述有机绝缘膜覆盖，

所述第1开口部和所述第2开口部在俯视时位于所述第1布线与所述第2布线之间。

11.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，

所述第1布线和所述第2布线由与所述金属膜相同的材料形成。

12.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，

所述金属膜的宽度是所述第1布线和所述第2布线的宽度以下。

13.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述显示装置具备与所述第1基板相对的第2基板，并在所述第1基板与所述第2基板之间具备液晶层。

14.一种布线基板，其特征在于，具备：

半导体层；

第1无机绝缘膜，其设置于所述半导体层的上方，在与所述半导体层重叠的区域具有第1开口部；

有机绝缘膜，其设置于所述半导体层的上方，在与所述第1开口部重叠的区域具有第2开口部；

第1导电层，其在设有所述第2开口部的区域的内侧层叠于所述半导体层；和

第2导电层，其设置于所述第1开口部内和所述第2开口部内，与所述第1导电层和所述半导体层接触，

所述第1导电层与所述第1开口部的第1侧面和所述第2开口部的第2侧面分开，

所述第2导电层在所述第1侧面与所述第1导电层之间与所述半导体层接触。

15.根据权利要求14所述的布线基板，其特征在于，

所述第1导电层的至少一端部与所述第1开口部的第4侧面接触。

16.一种显示装置，其特征在于，具备：源极线；半导体层，其与所述源极线电连接；中继电极，其与所述半导体层电连接；和像素电极，其与所述中继电极连接，

所述中继电极的宽度比所述源极线的宽度小。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其特征在于，

所述显示装置还具备：第2绝缘膜，其覆盖所述半导体层；栅极线，其形成于所述第2绝缘膜的上方；第3绝缘膜，其覆盖所述栅极线；和第4绝缘膜，其覆盖在所述第3绝缘膜的上方形成的所述源极线，

所述像素电极形成于所述第4绝缘膜的上方，

在形成于所述第2绝缘膜和所述第3绝缘膜的接触孔中，所述中继电极和所述像素电极与所述半导体层接触。