JP6633881B2 - Ｌｅｄ照明器具およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、光源としてＬＥＤチップを備えるＬＥＤ照明器具およびその製造方法に関する。
図１０は、従来のＬＥＤ照明器具の一例を示している。同図に示されたＬＥＤ照明器具１１０は、基板１１１にＬＥＤチップ１１２が搭載されている。ＬＥＤチップ１１２は、枠状のリフレクタ１１３によって囲まれている。リフレクタ１１３によって囲まれた空間には、封止樹脂１１４が充填されている。ＬＥＤ照明器具においては、ＬＥＤチップ１１２からの光をできるだけ効率的に外部に射出できるように、様々な工夫がなされている。たとえば、基板１１１やリフレクタ１１３の反射率を向上させたり、基板１１１上に形成された配線パターンの劣化による光の吸収を抑制するために配線パターンを覆う保護層を設けたりしている（たとえば特許文献１参照）。
しかしながら、ＬＥＤチップ１１２から発せられ、乱反射によってＬＥＤチップ１１２の側面へと進行した光の一部は、ＬＥＤチップ１１２に吸収されてしまう。したがって、ＬＥＤ照明器具１１０の高輝度化が妨げられていた。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、高輝度化図ることが可能なＬＥＤ照明器具を提供することをその課題とする。
本発明の第１の側面によって提供されるＬＥＤ照明器具は、光源として１以上のＬＥＤチップを備えたＬＥＤ照明器具であって、上記ＬＥＤチップは、支持基板と、上記支持基板上に積層された半導体層と、上記支持基板のうち上記半導体層が積層されている面とは反対側の面に形成されている第１の電極とを有し、上記支持基板の上記半導体層が積層されている面である上面の外周端縁が露出した角部による段差を備えており、上記上面につながる側面の少なくとも一部を覆い且つ上記上面を露出させる、上記半導体層からの光を透過しない不透明樹脂を備えることを特徴とする。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記支持基板は、全体が電気を導通させる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記角部は、積層後のエッチングにより半導体層の一部が除去されたことで形成されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、白色である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、シリコン樹脂に酸化チタンを配合したものである。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂における、酸化チタンの配合比率は５〜５０％である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂における、酸化チタンの配合比率は２０％である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、上記支持基板の側面のすべてを覆っている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体層は、赤色光を発する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ＬＥＤ照明器具は、基材および配線パターンを有する基板をさらに備えており、上記ＬＥＤチップは、上記基板に搭載されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１の電極は、上記配線パターンと導通接合されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体層のうち上記支持基板とは反対側の面には、第２の電極が形成されており、上記第２の電極と上記配線パターンとは、ワイヤによって導通接合されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ＬＥＤ照明器具は、上記ＬＥＤチップを複数備えており、上記ＬＥＤチップが搭載される位置に対する、当該ＬＥＤチップのワイヤがボンディングされる位置の配置方向は、上記ＬＥＤチップ毎に異なっている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板に取り付けられており、かつ上記ＬＥＤチップを囲む反射面を有するリフレクタと、上記ＬＥＤチップを覆い、かつ上記ＬＥＤチップからの光を透過させる封止樹脂とを、上記ＬＥＤ照明器具がさらに備えている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ＬＥＤ照明器具は、上記配線パターンに導通接続されている端子をさらに備えている。
本発明の第１の側面によって提供されるＬＥＤ照明器具の製造方法は、光源として１以上のＬＥＤチップを備えたＬＥＤ照明器具の製造方法であって、上記ＬＥＤチップは、支持基板と、上記支持基板上に積層された半導体層と、上記支持基板のうち上記半導体層が積層されている面とは反対側の面に形成されている第１の電極と、を有し、上記支持基板の上記半導体層が積層されている面である上面の外周端縁が露出した角部による段差を備えており、基板に上記ＬＥＤチップをボンディングする第１の工程と、上記基板にリフレクタを取り付ける第２の工程と、上記半導体層からの光を透過しない液体の不透明樹脂を、上記リフレクタの開口部から注入して、上記上面につながる側面の少なくとも一部を覆い且つ上記上面を露出させる上記不透明樹脂の層を形成する第３の工程とを備えることを特徴とする。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第３の工程で注入される上記液体の不透明樹脂の量は、上記角部を超えないように調整されている。
このような構成によれば、上記半導体層からの光のうち、上記支持基板の側面へと向かう光は、上記不透明樹脂によって遮蔽される。これにより、これらの光が上記支持基板に吸収されることを抑制することが可能である。したがって、上記ＬＥＤ照明器具の高輝度化を図ることができる。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図１〜図４は、本発明の第１実施形態に基づくＬＥＤ照明器具を示す図である。図１は、当該ＬＥＤ照明器具を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図１のＬＥＤ照明器具を示す要部拡大断面図である。図４は、図１のＬＥＤ照明器具を示す要部拡大図である。本実施形態のＬＥＤ照明器具１０１は、たとえば車載用の照明器具であって、基板３００、ＬＥＤチップ２００、ワイヤ５００、白色樹脂２８０、リフレクタ６００、封止樹脂７００、端子８００、電子部品８１０〜８３０、およびソケット９００を備えている。なお、理解の便宜上、図１においては、封止樹脂７００を省略している。また、図１および図２においては、ワイヤ５００を省略している。
基板３００は、基材３１０および基材３１０に形成された配線パターン３２０を有している。基材３１０は、矩形状であり、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる。配線パターン３２０は、たとえばＣｕまたはＡｇなどの金属からなり、ボンディング部３２１，３２２を有する。ボンディング部３２１，３２２は、基材３１０の上面に形成されている。なお、図１および図２においては、配線パターン３２０の記載を省略している。基板３００の上面には、抵抗８１０、ダイオード８２０およびコンデンサ８３０などの電子部品が搭載されている。各電子部品８１０〜８３０は、配線パターン３２０によって接続されて回路を構成しており、ＬＥＤチップ２００を所望の発光状態で点灯させるためのものである。なお、電子部品８１０〜８３０の種類、個数および配置場所は限定されない。
リフレクタ６００は、たとえば白色樹脂からなり、ＬＥＤチップ２００を囲むようにして、基板３００に固定されている。リフレクタ６００は、ＬＥＤチップ２００から側方に発せられた光を上方に向けて反射するためのものである。リフレクタ６００には、反射面６０１が形成されている。反射面６０１は、ＬＥＤチップ２００を囲んでいる。本実施形態においては、反射面６０１は、基板３００の厚さ方向において基板３００から離間するほど、基板３００の厚さ方向に対して直角である方向においてＬＥＤチップ２００から遠ざかるように傾斜している。つまり、反射面６０１は、基板３００の厚さ方向に直交する断面が、リフレクタ６００の開口側に向かうほど大きくなるテーパ形状になっている。
ＬＥＤチップ２００は、ＬＥＤ照明器具１０１の光源であり、たとえば赤色光を発する。本実施形態では、５つのＬＥＤチップ２００が、リフレクタ６００に囲まれるようにして、基板３００に搭載されている。図３に示すように、ＬＥＤチップ２００は、支持基板２１０、半導体層２２０、電極２３０および電極２４０を有する構造とされている。ＬＥＤチップ２００は、たとえばＧｅからなる成長用基板としての支持基板２１０上に、たとえばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層が積層された半導体層２２０が積層されている。また、支持基板２１０の半導体層２２０が積層される面とは反対側の面（図３においては下側の面）に、電極２３０が形成されており、半導体層２２０の支持基板２１０とは反対側の面（図３においては上側の面）に、電極２４０が形成されている。支持基板２１０は全体が電気を導通させるので、電極２３０と半導体層２２０とは電気的に接続されている。なお、「電極２３０」が本発明の「第１の電極」に相当し、「電極２４０」が本発明の「第２の電極」に相当する。
なお、ＬＥＤチップ２００の積層構造は、上記に限定されない。たとえば、支持基板２１０となる基板上にエピタキシャル成長によって半導体層２２０になる層を形成するのではなく、支持基板２１０となる基板とは別に形成された半導体層２２０になる層を、支持基板２１０となる基板に熱圧着により貼り合わせるようにして形成されていてもよい。また、支持基板２１０を構成する材料としては、Ｇｅの他に、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＰなどを採用することも可能である。また、半導体層２２０を構成する材料としては、ＡｌＧａＩｎＰの他に、ＧａＮ，ＧａＰ、ＡｌＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、などを採用することも可能である。
ＬＥＤチップ２００の製造工程において、エピタキシャル成長法による半導体層の積層後のエッチング処理により、隣接するＬＥＤチップ２００との境界線上の半導体層が除去され、当該境界線でのダイシングによって、各ＬＥＤチップ２００に分割される。したがって、ＬＥＤチップ２００は、ダイシングされた支持基板２１０の側面より半導体層２２０の側面の方が、平面視で内側に位置する形状になっており、全体を側面から見ると、上面側に突出部がある凸形状（図３参照）になっている。つまり、ＬＥＤチップ２００の側面は、支持基板２１０の上面の各端縁が露出した角部２１０ａによる段差を備えている。なお、支持基板２１０の上面は、全面にわたって平らな形状であってもよいし、エッチングによって外周部分がわずかに凹んだ形状であってもよい。
ＬＥＤチップ２００は、基板３００の上面に搭載されており、図３に示すように、電極２３０が導電性ペースト(図示略)によってボンディング部３２１に接合されている。電極２４０には、ワイヤ５００の一端がボンディングされており、ワイヤ５００の他端は、ボンディング部３２２にボンディングされている。すなわち、ＬＥＤチップ２００は、いわゆる１ワイヤタイプとして構成されている。図４は、図１に示す平面図のリフレクタ６００内部を拡大した図であり、白色樹脂２８０を省略している。図４に示すように、ＬＥＤチップ２００が搭載されるボンディング部３２１に対する、当該ＬＥＤチップ２００にボンディングされたワイヤ５００がボンディングされるボンディング部３２１の配置方向は、ＬＥＤチップ２００毎に異なっている。
なお、本実施形態においては、ＬＥＤチップ２００が赤色光を発する場合について説明したが、これに限られない。側面が上述した角部２１０ａを有する段差を備えているものであれば、その他の光を発するものであってもよい。
白色樹脂２８０は、ＬＥＤチップ２００からの光を透過しない、白色を呈する樹脂材料からなり、本発明で言う不透明樹脂の一例に相当する。図３に示すように、白色樹脂２８０は、支持基板２１０の側面のすべてを覆っている。一方、半導体層２２０は、白色樹脂２８０によっては覆われていない。硬化して白色樹脂２８０となる前の液体の白色樹脂材料は、後述する様に、適度な粘度を有するので、製造工程において、リフレクタ６００の反射面６０１で囲まれた領域に注入された場合、表面張力によって、角部２１０ａを超えにくい。したがって、注入する白色樹脂材料の量を適切に調整することで、支持基板２１０の側面のすべてを覆いつつ、半導体層２２０の側面は覆わないようにすることができる。また、図１および図２から理解されるように、白色樹脂２８０は、ＬＥＤチップ２００を囲んでおり、その外周縁がリフレクタ６００の反射面６０１に到達している。このため、図１において、ＬＥＤチップ２００から反射面６０１へと図中上下方向および左右方向に広がる領域は、白色樹脂２８０によって埋められている。
本実施形態では、白色樹脂２８０として、シリコン樹脂に酸化チタンを２０％配合した樹脂を用いている。なお、酸化チタンの配合比率は２０％に限定されない。液体の白色樹脂材料の粘度は、シリコン樹脂の粘度と酸化チタンの配合比率によって変化する。粘度が高すぎると、全面に均一に行き渡らせるのが難しくなり、粘度が低すぎると、ＬＥＤチップ２００の支持基板２１０の角部２１０ａを超えて、半導体層２２０に達する場合がある。酸化チタンの配合比率が高くなるほど液体の白色樹脂材料の粘度は高くなるので、シリコン樹脂の粘度に応じて配合比率を調整する必要がある。本実施形態では、中程度の粘度を有するシリコン樹脂を用いるので、配合比率を２０％としている。なお、この場合、配合比率を１５〜２５％としてもよい。また、低い粘度を有するシリコン樹脂を用いる場合は、配合比率を３０〜５０％とした場合に適切な粘度になり、高い粘度を有するシリコン樹脂を用いる場合は、配合比率を５〜２５％とした場合に適切な粘度になる。つまり、シリコン樹脂の粘度に応じて、配合比率を５〜５０％の範囲で調整することで、適切な粘度とすることができる。また、白色樹脂２８０の材質は、上記したものに限定されない。
封止樹脂７００は、ＬＥＤチップ２００を覆っており、反射面６０１によって囲まれた空間を埋めている。封止樹脂７００は、たとえば透明なエポキシ樹脂からなる。なお、本実施形態においては、封止樹脂７００は、リフレクタ６００の開口部から突出しないように形成されているが、これに限られない。たとえば、封止樹脂７００をリフレクタ６００の開口部から盛り上がった状態で硬化させ、レンズとして機能させるようにしてもよい。
端子８００は、電極となる金属線であって、基板３００およびソケット９００を貫通して設けられている。端子８００の一方端は、配線パターン３２０の一部に、たとえばハンダによって接続されている。
ソケット９００は、基板３００を搭載して、たとえば自動車などに取り付けるための部品である。ソケット９００は、たとえば合成樹脂からなり、たとえば射出成形によって形成される。ソケット９００は、基板３００を搭載するための搭載部９１０および取り付けるための取付部９２０を備えている。搭載部９１０は、一方（図２においては上方）が開口した円筒形状をなしており、搭載部９１０の内側底面に基板３００が搭載される。搭載部９１０の内側底面には、たとえばアルミニウム製の円形の板である放熱板９５０が固定されている。基板３００は、下面を放熱板９５０の上面に接着剤で接着することで、ソケット９００の搭載部９１０に搭載される。
次に、図５および図６を参照して、ＬＥＤ照明器具１０１の製造方法の一例を説明する。なお、図５および図６は簡略化して記載したものであり、ＬＥＤチップ２００を拡大して、１つだけ搭載した状態で記載している。
まず、基材３１０に配線パターン３２０を形成して、基板３００を作成する（図５(ａ)参照）。ついで、基板３００にＬＥＤチップ２００を搭載する（図５(ｂ)参照）。この時、図示しない電子部品も搭載される。ついで、ＬＥＤチップ２００にワイヤ５００をボンディングする（図５(ｃ)参照）。ついで、ＬＥＤチップ２００を囲むようにして、基板３００にリフレクタ６００を形成する（図５(ｄ)参照）。なお、基板３００にＬＥＤチップ２００を搭載する前に、リフレクタ６００を形成するようにしてもよいし、リフレクタ６００を形成してから、ＬＥＤチップ２００にワイヤ５００をボンディングするようにしてもよい。
ついで、液体の白色樹脂材料を注入して硬化させることにより、白色樹脂２８０を形成する（図５(ｅ)参照）。注入する白色樹脂材料の粘度および量を適切に調整することで、ＬＥＤチップ２００の支持基板２１０の角部２１０ａを超えないようにして、かつ、リフレクタ６００で囲まれる基板３００の上面に均一に行き渡らせることができる。なお、ＬＥＤチップ２００の４つの側面のすべてにおいて、角部２１０ａまで白色樹脂材料が達することが望ましいが、白色樹脂材料が角部２１０ａまで達していなくても、支持基板２１０の側面の一部を白色樹脂２８０によって遮蔽することができる。なお、白色樹脂材料を注入する前に、白色樹脂材料の濡れ広がり性を向上させるために、アルゴンプラズマを照射するようにしてもよい。
ついで、封止樹脂７００を形成する（図５(ｆ)参照）。ついで、基板３００をソケット９００に搭載する（図６(ａ)参照）。そして、配線パターン３２０の所定の位置に、基板３００およびソケット９００を貫通する孔を設け、当該孔から端子８００を挿入して、端子８００の一方端を、配線パターン３２０に接続する（図６(ｂ)参照）ことにより、ＬＥＤ照明器具１０１が完成する。なお、基板３００にソケット９００を貼り付けてから孔を設けるのではなく、基板３００およびソケット９００の所定の位置にあらかじめ孔を設けておくようにしてもよい。
次に、ＬＥＤ照明器具１０１の作用について説明する。
本実施形態によれば、半導体層２２０からの光のうち、支持基板２１０の側面へと向かう光は、白色樹脂２８０によって遮蔽される。これにより、これらの光が支持基板２１０に吸収されることを抑制することができる。しかも、白色樹脂２８０は、たとえばＧｅと比べて反射率が高いため、半導体層２２０からの光を好適に反射する。したがって、ＬＥＤチップ２００から発せられた光のうち封止樹脂７００から出射される割合を高めることが可能であり、ＬＥＤ照明器具１０１の高輝度化を図ることができる。
白色樹脂２８０として、中程度の粘度を有するシリコン樹脂に酸化チタンを２０％配合した樹脂を用いているので、製造工程の注入工程における粘度が適切である。したがって、リフレクタ６００で囲まれる基板３００の上面に均一に行き渡らせやすく、かつ、ＬＥＤチップ２００の支持基板２１０の角部２１０ａを超えないように注入しやすい。これにより、注入工程を容易にすることができ、また、不良品の発生を抑制することができる。
白色樹脂２８０は、ＬＥＤチップ２００の支持基板２１０からリフレクタ６００の反射面６０１にいたる環状領域のすべてを覆っている。したがって、反射面６０１に囲まれた領域は、ＬＥＤチップ２００が占める領域を除き、白色樹脂２８０によって覆われている。これにより、ＬＥＤチップ２００の半導体層２２０からの光をより多く反射することが可能である。これは、ＬＥＤ照明器具１０１の高輝度化に好適である。また、基板３００の反射面６０１に囲まれた領域に、光を好適に反射させる処理を別途施しておく必要がない。
反射面６０１を有するリフレクタ６００を備えることにより、ＬＥＤ照明器具１０１の直上方向をより明るく照らすことができる。
ＬＥＤチップ２００が搭載されるボンディング部３２１に対する、対応するボンディング部３２２の配置方向がＬＥＤチップ２００毎に異なっているので（図４参照）、製造工程において、リフレクタ６００内部に液体の白色樹脂材料を注入する際に、注入のためのノズルが各ワイヤ５００に接触してしまうことを抑制することができる。
図７〜図９は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
図７〜図９は、本発明の第２実施形態に基づくＬＥＤ照明器具を示している。図７は、当該ＬＥＤ照明器具を示す斜視図である。図８は、当該ＬＥＤ照明器具を示す平面図である。図９は、図８のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。なお、理解の便宜上、図７および図８においては、封止樹脂７００を省略している。
本実施形態のＬＥＤ照明器具１０２は、たとえばＬＥＤモジュールとして回路基板に実装されるものであり、ソケット９００や他の電子部品８１０〜８３０を備えておらず、配線パターン３２０の形状を変更して、その一部を端子８００に代わる実装端子３２５，３２６とした点が、上述したＬＥＤ照明器具１０１と異なる。また、本実施形態では、基板３００にＬＥＤチップ２００を１つだけ搭載した場合について記載している。なお、搭載されるＬＥＤチップ２００の数は限定されない。
配線パターン３２０は、ボンディング部３２１，３２２につながっており、基材３１０の両側面に形成されている迂回部３２３，３２４と、迂回部３２３，３２４につながっており、基材３１０の下面に形成されている実装端子３２５，３２６とを備えている。実装端子３２５，３２６は、ＬＥＤ照明器具１０２をたとえば回路基板に実装するために用いられる。
このような実施形態によっても、ＬＥＤ照明器具１０２の高輝度化を図ることができる。
本発明に係るＬＥＤ照明器具およびその製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るＬＥＤ照明器具およびその製造方法の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
１０１〜１０２ ＬＥＤ照明器具
２００ ＬＥＤチップ
２１０ 支持基板
２１０ａ 角部
２２０ 半導体層
２３０，２４０ 電極
２８０ 白色樹脂
３００ 基板
３１０ 基材
３２０ 配線パターン
３２１，３２２ ボンディング部
３２３，３２４ 迂回部
３２５，３２６ 実装端子
５００ ワイヤ
６００ リフレクタ
６０１ 反射面
７００ 封止樹脂
８００ 端子
８１０ 抵抗（電子部品）
８２０ ダイオード（電子部品）
８３０ コンデンサ（電子部品）
９００ ソケット
９１０ 搭載部
９２０ 取付部
９５０ 放熱板
２００ ＬＥＤチップ
２１０ 支持基板
２１０ａ 角部
２２０ 半導体層
２３０，２４０ 電極
２８０ 白色樹脂
３００ 基板
３１０ 基材
３２０ 配線パターン
３２１，３２２ ボンディング部
３２３，３２４ 迂回部
３２５，３２６ 実装端子
５００ ワイヤ
６００ リフレクタ
６０１ 反射面
７００ 封止樹脂
８００ 端子
８１０ 抵抗（電子部品）
８２０ ダイオード（電子部品）
８３０ コンデンサ（電子部品）
９００ ソケット
９１０ 搭載部
９２０ 取付部
９５０ 放熱板
Claims (17)
- 光源として１以上のＬＥＤチップを備えたＬＥＤ照明器具であって、
上記ＬＥＤチップは、支持基板と、上記支持基板上に積層された半導体層と、上記支持基板のうち上記半導体層が積層されている面とは反対側の面に形成されている第１の電極と、を有し、上記支持基板の上記半導体層が積層されている面である上面の外周端縁が露出した角部による段差を備えており、
上記上面につながる側面の少なくとも一部を覆い且つ上記上面を露出させる、上記半導体層からの光を透過しない不透明樹脂を備え、
上記半導体層は、厚さ方向に平行な面で切断した断面形状が凹状に湾曲し、かつ、上記半導体層の平面視で端部に位置する曲面と、上記厚さ方向において互いに反対側を向く第１面および第２面とを有し、
上記第２面は、上記第１面と上記支持基板の上記上面との間に配置されており、
上記第１面は、上記厚さ方向に垂直な横方向の寸法が上記第２面より小さく、
上記ＬＥＤチップは、上記半導体層の上記第１面上に配置された第２の電極をさらに備え、
上記第１面は、上記第２の電極から露出する露出部を有し、
上記半導体層の上記曲面は、上記第１面に接続された第１端部と、上記第２面に接続された第２端部とを有し、
上記露出部の上記横方向の寸法は、上記第１端部と上記第２端部との間の上記横方向の距離より大きく、
平面視において、上記第２の電極の中心は、上記第１面の中心からずれている、
ことを特徴とする、ＬＥＤ照明器具。 - 上記支持基板は、全体が電気を導通させる、請求項１に記載のＬＥＤ照明器具。
- 上記不透明樹脂は、白色である、請求項１または２に記載のＬＥＤ照明器具。
- 上記不透明樹脂は、シリコン樹脂に酸化チタンを配合したものである、請求項１ないし３のいずれかに記載のＬＥＤ照明器具。
- 上記不透明樹脂は、上記支持基板の側面のすべてを覆っている、請求項１ないし４のいずれかに記載のＬＥＤ照明器具。
- 上記半導体層は、赤色光を発する、請求項１ないし５のいずれかに記載のＬＥＤ照明器具。
- 基材および配線パターンを有する基板をさらに備えており、
上記ＬＥＤチップは、上記基板に搭載されている、請求項１ないし６のいずれかに記載のＬＥＤ照明器具。 - 上記第１の電極は、上記配線パターンと導通接合されている、請求項７に記載のＬＥＤ照明器具。
- 上記第２の電極と上記配線パターンとは、ワイヤによって導通接合されている、
請求項７または８に記載のＬＥＤ照明器具。 - 上記ＬＥＤチップを複数備えており、
上記ＬＥＤチップが搭載される位置に対する、当該ＬＥＤチップのワイヤがボンディングされる位置の配置方向は、上記ＬＥＤチップ毎に異なっている、
請求項９に記載のＬＥＤ照明器具。 - 上記基板に取り付けられており、かつ上記ＬＥＤチップを囲む反射面を有するリフレクタと、
上記ＬＥＤチップを覆い、かつ上記ＬＥＤチップからの光を透過させる封止樹脂と、をさらに備えている、請求項７ないし１０のいずれかに記載のＬＥＤ照明器具。 - ２つのダイオードをさらに備え、
少なくとも１つの上記ＬＥＤチップと上記リフレクタとは、平面視において、上記２つのダイオードの間に配置されている、請求項１１に記載のＬＥＤ照明器具。 - 上記２つのダイオードのそれぞれは、第１辺と、上記第１辺より平面視寸法が大きい第２辺とを有し、
平面視において、上記２つのダイオードのうちの一方のダイオードの上記第１辺は、他方のダイオードの上記第１辺に対して垂直である、請求項１２に記載のＬＥＤ照明器具。 - 上記配線パターンに導通接続されている複数の端子をさらに備えており、
前記各端子は、平面視円形状である、請求項７ないし１３のいずれかに記載のＬＥＤ照明器具。 - 上記ＬＥＤチップおよび上記不透明樹脂を覆い、かつ上記ＬＥＤチップからの光を透過させる封止樹脂をさらに備え、
上記半導体層の上記第２面は、上記厚さ方向において、上記不透明樹脂の上記封止樹脂に接する面より、上記第１の電極側に位置する、
請求項１ないし１４のいずれかに記載のＬＥＤ照明器具。 - 光源として１以上のＬＥＤチップを備えたＬＥＤ照明器具の製造方法であって、
上記ＬＥＤチップは、支持基板と、上記支持基板上に積層された半導体層と、上記支持基板のうち上記半導体層が積層されている面とは反対側の面に形成されている第１の電極と、を有し、上記支持基板の上記半導体層が積層されている面である上面の外周端縁が露出した角部による段差を備えており、
上記半導体層は、厚さ方向に平行な面で切断した断面形状が凹状に湾曲し、かつ、上記半導体層の平面視で端部に位置する曲面と、上記厚さ方向において互いに反対側を向く第１面および第２面とを有し、
上記第２面は、上記第１面と上記支持基板の上記上面との間に配置されており、
上記第１面は、上記厚さ方向に垂直な横方向の寸法が上記第２面より小さく、
上記ＬＥＤチップは、上記半導体層の上記第１面上に配置された第２の電極をさらに備え、
上記第１面は、上記第２の電極から露出する露出部を有し、
上記半導体層の上記曲面は、上記第１面に接続された第１端部と、上記第２面に接続された第２端部とを有し、
上記露出部の上記横方向の寸法は、上記第１端部と上記第２端部との間の上記横方向の距離より大きく、
平面視において、上記第２の電極の中心は、上記第１面の中心からずれており、
基板に上記ＬＥＤチップをボンディングする第１の工程と、
上記基板にリフレクタを取り付ける第２の工程と、
上記半導体層からの光を透過しない液体の不透明樹脂を、上記リフレクタの開口部から注入して、上記上面につながる側面の少なくとも一部を覆い且つ上記上面を露出させる上記不透明樹脂の層を形成する第３の工程と、
を備えることを特徴とする、ＬＥＤ照明器具の製造方法。 - 上記第３の工程で注入される上記液体の不透明樹脂の量は、上記角部を超えないように調整されている、請求項１６に記載のＬＥＤ照明器具の製造方法。
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