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JP6610771B2 - オゾン生成用素子およびオゾン生成装置 - Google Patents

オゾン生成用素子およびオゾン生成装置 Download PDF

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JP6610771B2
JP6610771B2 JP2018504022A JP2018504022A JP6610771B2 JP 6610771 B2 JP6610771 B2 JP 6610771B2 JP 2018504022 A JP2018504022 A JP 2018504022A JP 2018504022 A JP2018504022 A JP 2018504022A JP 6610771 B2 JP6610771 B2 JP 6610771B2
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Description

本発明は、オゾン生成用素子およびオゾン生成装置に関する。
誘電体基板と、誘電体基板上に設けられた一対の電極と、一対の電極を覆う誘電体層とを備え、一対の電極間で沿面放電を生じさせることによりオゾンを生成するオゾン生成用素子が提案されている(例えば特許文献1参照)。特許文献1には、オゾン生成用素子の各電極が、直線状の配線と、配線の延長方向に直交する一方向へ延出する複数の線状部材と、を有する櫛歯状であり、一方の電極の線状部材と他方の電極の線状部材とが交互に一定間隔で配置されていることが記載されている。
特開2000−72410号公報
ところで、オゾン生成用素子では、一般的に、その動作時に発する熱により生成したオゾンが分解されてしまい、オゾンの実効的な発生量が低下してしまう。そこで、特許文献1に記載されたオゾン生成用素子は、誘電体基板の厚みを厚くして誘電体基板の熱容量を大きくしたり、冷却器とともに使用したりすることにより、動作時の発熱を抑制し、オゾン発生量の低下を抑制している。
しかしながら、特許文献1に記載されたオゾン生成用素子は、誘電体基板の厚みを厚くすることにより素子自体が大型化したり、冷却器とともに使用する必要があるためオゾン生成用素子を含むモジュール全体が大型化したりしてしまう。
本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、小型且つオゾンの生成効率の高いオゾン生成用素子およびオゾン生成装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係るオゾン生成用素子は、
誘電体基板と、
前記誘電体基板の一方主面に設けられた第1櫛形電極と第2櫛形電極とを備え、
前記第1櫛形電極は、第1端子電極部と、前記第1端子電極部と交差する複数の第1電極子部とを有し、
前記第2櫛形電極は、第2端子電極部と、前記第2端子電極部と交差する複数の第2電極子部とを有し、
前記第1電極子部と前記第2電極子部とは一方向に交互に並ぶように配置されており、
前記第1電極子部と、前記第1電極子部と一方向側において隣り合う第2電極子部との間隔である第1距離は、前記第1電極子部と、前記第1電極子部と他方向側において隣り合う第2電極子部との間隔である第2距離と異なり、
前記第1距離に対する前記第2距離の比は、1.5以上2.5以下である。
また、本発明に係るオゾン生成用素子は、
前記誘電体基板の前記一方主面を覆う誘電体層を更に備える、ものであってもよい。
また、本発明に係るオゾン生成用素子は、
前記第1電極子部と前記第2電極子部とが、それぞれ、前記第1端子電極部、前記第2端子電極部に連なっている、ものであってもよい。
また、本発明に係るオゾン生成装置は、
前記オゾン生成用素子と、
前記第1櫛形電極と前記第2櫛形電極の間に交流電圧を印加する交流電源と、を備える。
本発明に係るオゾン生成用素子では、第1電極子部と、第1電極子部と一方向側において隣り合う第2電極子部との間隔である第1距離が、第1電極子部と、第1電極子部と他方向側において隣り合う第2電極子部との間隔である第2距離と異なる。これにより、第1距離と第2距離とが等しいオゾン生成用素子に比べて、一対の電極間に生じる電場から、一対の電極間での放電により生じた電子に与えられるエネルギが高まるのでオゾンの生成がより活発化する。従って、本発明に係るオゾン生成用素子は、第1距離と第2距離とが等しいオゾン生成用素子と比べて、オゾンの生成効率が高く動作時に発する熱によるオゾンの分解によるオゾンの減少分を相殺するだけのオゾンを発生しうるので、第1距離と第2距離とが等しいオゾン生成用素子と同等以上のオゾン発生量を確保しうる。故に、誘電体基板の厚みを厚くしたり、冷却器とともに使用したりする必要がないので、オゾン生成用素子或いはオゾン生成用素子を含むモジュール全体を小型化することができる。
本発明の実施の形態に係るオゾン生成用素子の斜視図である。 実施の形態に係るオゾン生成用素子の誘電体層を省略した平面図である。 実施の形態に係るオゾン生成用素子の下面図である。 比較例に係るオゾン生成用素子の誘電体層を省略した平面図である。 実施の形態並びに比較例に係るオゾン生成用素子の電極子部間の距離と生成されたオゾンの濃度との関係を示す図である。 比較例に係るオゾン生成用素子の図4のC−C線における断面矢視図である。 実施の形態に係るオゾン生成用素子の図2のA−A線における断面矢視図である。 実施の形態に係るオゾン生成用素子の製造方法を説明するための断面図である。 実施の形態に係るオゾン生成用素子の製造方法を説明するための断面図である。 実施の形態に係るオゾン生成用素子の製造方法を説明するための断面図である。 実施の形態に係るオゾン生成用素子の製造方法を説明するための断面図である。 実施の形態に係るオゾン生成用素子の製造方法を説明するための断面図である。 実施の形態に係るオゾン生成用素子の製造方法を説明するための断面図である。 変形例1に係るオゾン生成用素子の誘電体層を省略した平面図である。 変形例2に係るオゾン生成用素子の誘電体層を省略した平面図である。
以下、本発明の各実施の形態に係るオゾン生成用素子およびオゾン生成装置について図面を参照して詳細に説明する。なお、図面において示す寸法比は、必ずしも忠実に現実のとおりを表しているとは限らず、説明の便宜のために寸法比を誇張して示している場合がある。以下の説明において、上または下の概念に言及する際には、絶対的な上または下を意味するものではなく、図示された姿勢の中での相対的な上または下を意味するものである。
本実施の形態に係るオゾン生成装置は、図1に示すように、オゾン生成用素子10と、オゾン生成用素子10に交流電圧を印加する交流電源31と、を備える。オゾン生成用素子10は、長手方向と短手方向とを備える板形状であって、誘電体基板13と、一対の電極21A、21Bと、誘電体層12と、裏面電極25A、25Bと、プラグ26A、26Bと、を備える。以下、適宜図1におけるオゾン生成用素子10の厚さ方向をZ方向、Z方向において誘電体基板13から誘電体層12に向かう方向を+Z方向または上方とし、オゾン生成用素子10の厚さ方向に直交するオゾン生成用素子10の長手方向をX軸方向、Z軸方向およびX軸方向に直交するオゾン生成用素子10の短手方向をY軸方向として説明する。
誘電体基板13は、矩形板状の形状を有する。誘電体基板13の図1のY軸方向における両端部それぞれには、誘電体基板13を厚さ方向に貫通するコンタクトホール131A、131Bが形成されている。コンタクトホール131A、131B内には、それぞれプラグ26A、26Bが配されている。誘電体基板13は、CaO−B−Al−SiO、Al、SiO、ZrO、BaTiO等の酸化物を含むセラミックス材料から形成されている。また、誘電体基板13は、LTCC(Low Temperature Co−fired Ceramics:低温同時焼結セラミックス)基板から形成されていてもよい。なお、誘電体基板13は、電気的絶縁性を有するものであればセラミックス材料に限定されるものではなく、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂材料から形成されるものであってもよい。
電極21A、21Bは、誘電体基板13の上面に設けられている。一対の電極21A、21Bは、図2に示すように、複数(図2では7本)の電極子部22A、22Bと、端子電極部23A、23Bと、舌片部24A、24Bと、を有する。電極21A、21Bは、Cu、Ag、Pd、Pt、W等の金属やRuOのような導電性酸化物から形成されている。但し、オゾン生成用素子10の製造過程において焼成処理を行う場合、電極21A、21Bが金属であると、電極21A、21Bの焼成処理の際に誘電体基板13や誘電体層12へ拡散しうる。この場合、焼成処理において、誘電体基板13および誘電体層12の基となる誘電体材料の焼結が不十分となり誘電体基板13および誘電体層12の電圧耐性が低下する虞がある。従って、電極21A、21Bは、RuOのような導電性酸化物から形成されていることが好ましい。また、電極21A、21Bの厚さは、10μm程度に設定される。なお、電極21A、21Bが本願発明の第1櫛形電極、第2櫛形電極に相当する。また、端子電極部23Aが本願発明の第1端子電極部に相当し、端子電極部23が本願発明の第2端子電極部に相当する。電極子部22Aは本願発明の第1電極子部に相当し、電極子部22が本願発明の第2電極子部に相当する。
複数の電極子部22A、22Bは、それぞれX軸方向に並んで配置されている。各電極子部22A、22Bは、長手方向と短手方向とを備える長細形状であり、端子電極部23A、23Bと交差してY軸方向に延びている。端子電極部23A(23B)は、長細形状であり、X軸方向に延びている。また、複数の電極子部22A(22B)は、端子電極部23A(23B)とともに、櫛形状の形状をなす。そして、電極21AのX軸方向で隣り合う2つの電極子部22Aの間に、電極21Bの電極子部22Bが配置されている。また、電極21BのX軸方向で隣り合う2つの電極子部22Bの間に、電極21Aの電極子部22Aが配置されている。即ち、一対の電極21A、21Bは、電極子部22Aと電極子部22BとがX軸方向に交互に並ぶように配置されたいわゆるインターディジタル型の構造を有する。
各電極子部22Bとその短手方向の一方側である+X方向側において隣り合って配置された電極子部22Aとの間の距離(第1距離)W11は、上記電極子部22Bとその短手方向の他方側である−X方向側において隣り合って配置された電極子部22Aとの間の距離(第2距離)W12と異なる。具体的には、距離W11は、距離W12に比べて短くなっている。距離W11は、隣り合う2つの電極子部22Aのうちの+X方向側の電極子部22Aと、それら2つの電極子部22Aの間に配置された電極子部22Bと、の間の距離に相当する。また、距離W12は、隣り合う2つの電極子部のうちの−X方向側の電極子部22Aと、それら2つの電極子部22Aの間に配置された電極子部22Bと、の間の距離に相当する。また、電極子部22A、22Bの線幅はW13である。
舌片部24Aは、端子電極部23AのX軸方向における中央部から−Y方向へ延出している。舌片部24Aは、コンタクトホール131A内に配されるプラグ26Aに電気的に接続される。舌片部24Bは、端子電極部23BのX軸方向における中央部から+Y方向へ延出している。舌片部24Bは、コンタクトホール131B内に配されるプラグ26Bに電気的に接続される。
誘電体層12は、図1に示すように、誘電体基板13の上面に設けられた電極21A、21Bを覆っている。誘電体層12は、CaO−B−Al−SiO、Al、SiO、ZrO、BaTiO等の酸化物を含むセラミックス材料から形成されている。また、誘電体層12は、LTCC材から形成されていてもよい。なお、誘電体基板13は、電気的絶縁性を有するものであればセラミックス材料に限定されるものではなく、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂材料から形成されるものであってもよい。但し、オゾン生成用素子10の動作時において、誘電体層12は、プラズマに曝されることにより高温になる。また、誘電体層12は、その表面近傍に生成したオゾンに曝されることからオゾンに対する耐浸食性も要求される。これらのことから、誘電体層12は、セラミックス材料から形成されていることが好ましい。また、誘電体層12は、その熱膨張率が誘電体基板13の熱膨張率と略等しい材料から形成されていることが好ましい。この場合、誘電体基板13と誘電体層12とがオゾン生成用素子10の動作時に生じる熱に起因して膨張および収縮した場合でも、誘電体基板13と誘電体層12との接合部分に歪みが生じにくい。従って、オゾン生成用素子10の動作時に生じる熱に起因した誘電体基板13と誘電体層12との接合部分の劣化が抑制されるという利点がある。更に、誘電体層12は、誘電体基板13と同一の材料から形成されていることがより好ましい。
裏面電極25A、25Bは、図3に示すように、誘電体基板13における誘電体層12側とは反対側の面において、少なくとも誘電体基板13のコンタクトホール131A、131Bを覆うように設けられている。プラグ26Aは、誘電体基板13のコンタクトホール131A内に配され、電極21Aと裏面電極25Aとを電気的に接続する。プラグ26Bは、誘電体基板13のコンタクトホール131B内に配され、電極21Bと裏面電極25Bとを電気的に接続する。裏面電極25A、25Bおよびプラグ26A、26Bは、電極21A、21Bと同様に、Cu、Ag、Pd、Pt、W等の金属やRuOのような導電性材料から形成されている。
交流電源31は、裏面電極25A、25Bに電気的に接続され、一対の電極21A、21B間に交流電圧(正弦波電圧)を印加する。また、交流電源31は、周波数スイープ機能または共振周波数追従機能を有し、オゾン生成用素子10へ出力する交流電圧の周波数が交流電源31とオゾン生成用素子10とから構成される回路の共振周波数近傍となるように周波数を調整する。これにより上記回路での電力損失が低減される。なお、交流電源31は、矩形パルス列状の交流電圧を電極21A、21B間に印加するものであってもよい。
交流電源31からオゾン生成用素子10の一対の電極21A、21B間に交流電圧(正弦波電圧)が印加されると、誘電体層12の外表面近傍の各電極子部22A、22Bの間に位置する領域で沿面放電が生じる。放電現象は、空気中の絶縁破壊であり、各電極子部組22A、22Bの間に生じた電子が、各電極子部組22A、22Bの間に形成された電場のうち誘電体層12の外側に漏れ出ている成分により加速されることで発生する。同時に加速された電子は、誘電体層12の外表面近傍の各電極子部組22A、22Bの間に存在する酸素分子に衝突することによりオゾンが生成する。
次に、本実施の形態に係るオゾン生成用素子10について、放電開始電圧およびオゾン生成量を評価した結果について説明する。発明者らは、前述の本実施の形態に係るオゾン生成用素子10と後述する比較例に係るオゾン生成用素子とについて各評価を実施した。まず、発明者らが準備した評価用のオゾン生成用素子について説明する。
本実施の形態に係るオゾン生成用素子10として、図2に示す距離W12が55μm、65μm、75μm、100μm、125μm、150μm、200μmに設定された7種類を準備した。なお、これら7種類のオゾン生成用素子10は、全て電極子部22A、22BのX軸方向の幅が50μmであり、図2の距離W11が50μmである。また、誘電体基板13は平面視において10mm×10mmの正方形状であり、誘電体層12の厚さは15μmとした。そして、誘電体基板13と誘電体層12とを合わせた厚さは約600μmとした。更に、誘電体基板13上の電極21A、21Bにおける舌片部24A、24Bを除く部分が設けられる領域のX軸方向の長さL1を8mm、Y軸方向の長さL2を7mmとした。
図4に示すように、比較例に係るオゾン生成用素子910は、電極921Aの電極子部922Aと電極921Bの電極子部922Bとが交互に一定の間隔W91に配置されている。このオゾン生成用素子910として、図4に示す距離W91が50μmに設定されたものを準備した。なお、全ての電極子部922A、922BのX軸方向の幅は50μmである。また、誘電体基板13の形状、誘電体層12の厚さ、誘電体基板13と誘電体層12とを合わせた厚さ、誘電体基板13のうち、電極921A、921Bの複数の電極子部922A、922Bと端子電極部23A、23Bとが設けられる領域の寸法は、オゾン生成用素子10と同じとした。
次に、発明者らが、オゾン生成用素子10、910の放電開始電圧およびオゾン生成量を評価するために実施した放電開始電圧の測定およびオゾン生成量の測定の内容について説明する。放電開始電圧の測定では、オゾン生成用素子10の一対の電極21A、21B間またはオゾン生成用素子910の一対の電極921A、921B間に印加される交流電圧(正弦波電圧)の電圧振幅値を漸増させながら放電により生じるプラズマ発光の有無を観察した。プラズマ発光が観察された時点での電圧振幅値を放電開始電圧とした。
オゾン発生量の測定では、オゾン生成用素子10、910を容積が7リットルのアクリルケースの中に入れて、オゾン生成用素子10、910を3分間駆動したときのアクリルケース内のオゾン濃度をオゾン濃度計で測定した。ここにおいて、オゾン生成用素子10の一対の電極21A、21B間またはオゾン生成用素子910の一対の電極921A、921B間に、電圧振幅値2.3kVの交流電圧(正弦波電圧)を印加した。また、アクリルケース内にファンを設け、アクリルケース内の気体が攪拌されるようにした。オゾン濃度計は、荏原実業株式会社製の型式EG−3000を採用した。このオゾン発生量の測定では、実施の形態に係る7種類のオゾン生成用素子10と比較例に係るオゾン生成用素子910とをそれぞれ5個ずつ準備し、それぞれについて前述のようにしてオゾン濃度を測定した。
次に、オゾン生成用素子10、910について、放電開始電圧の測定と、オゾン生成量の測定と、を実施した結果について説明する。
放電開始電圧の測定では、実施の形態に係る7種類のオゾン生成用素子10と比較例に係るオゾン生成用素子910とのいずれについても、放電開始電圧の平均値が2.3kVであった。即ち、実施の形態に係るオゾン生成用素子10と比較例に係るオゾン生成用素子910とで、放電開始電圧に差異が確認されなかった。
次に、オゾン生成用素子10、910についてオゾンの生成量の測定結果を図5に示す。図5では、横軸が図2に示す電極子部22A、22B間の距離W12であり、縦軸がオゾン濃度である。黒四角印は比較例に係るオゾン生成用素子910についての結果を示し、白四角印は実施の形態に係るオゾン生成用素子10についての結果を示している。オゾン生成用素子910の場合、オゾン濃度は39.50ppmであった。オゾン生成用素子10の場合、距離W12が55μm、65μm、75μm、100μm、125μm、150μm、200μmのものについて、オゾン濃度は、それぞれ、41.36ppm、40.65ppm、51.75ppm、55.19ppm、51.28ppm、49.53ppm、51.03ppmであった。この結果から、実施の形態に係るオゾン生成用素子10のオゾン濃度は、全て比較例に係るオゾン生成用素子910のオゾン濃度に比べて大きくなるという結果が得られた。即ち、電極子部22Bとその電極子部22Bの両側で隣り合う電極子部22Aそれぞれとの間の距離W11、W12、または、電極子部22Aとその電極子部22Aの両側で隣り合う電極子部22Bそれぞれとの間の距離W11、W12が互いに異なっているほうがオゾンの生成量が大きくなるという結果が得られた。特に、距離W12が75μm以上のオゾン生成用素子10で生成されるオゾンの濃度は、比較例に係るオゾン生成用素子910で生成されるオゾンの濃度に比べて約20%以上高くなるという結果も得られた。
図5に示す結果から、オゾン生成用素子10の距離W11に対する距離W12の比が、少なくとも1.1以上4.0以下であれば、比較例に係るオゾン生成用素子910に比べてオゾンの生成量が確実に増加することが判った。そして、オゾン生成用素子10の距離W11に対する距離W12の比が、1.5以上2.5以下であれば、比較例に係るオゾン生成用素子910に比べてオゾンの生成量が約20%以上増加することが判った。このことから、オゾン生成用素子10の距離W11に対する距離W12の比は、1.5以上2.5以下であることが好ましい。
次に、図5に示す実施の形態に係るオゾン生成用素子10と比較例に係るオゾン生成用素子910とでオゾンの生成量に差異が生じる理由について説明する。比較例に係るオゾン生成用素子910では、図6Aに示すように、電極子部922Aとその短手方向の他方側である−X方向で隣り合う電極子部922Bとの間の領域A91とその短手方向の一方側である+X方向で隣り合う電極子部922Bとの間の領域A92とで電場E91、E92が生じる。なお、図6Aでは、電極子部922Aの電位が電極子部922Bの電位よりも高い場合を示している。電場E91、E92の強さは領域A91、A92において同じである。電極子部922A、922B間での放電により領域A91、A92に生じた電子が、それぞれ電場E91、E92により加速されて誘電体層12近傍に存在する酸素分子に衝突することによりオゾンが発生する。なお、図6Aにおいて、V91は、領域A91において電場E91により加速される電子の加速度および加速方向を示す加速度ベクトルのX軸成分を示し、V92は、領域A92において電場E92により加速される電子の加速度および加速方向を示す加速度ベクトルのX軸成分を示す。
領域A91における電子の加速度ベクトルのX軸成分V91と領域A92における電子の加速度ベクトルのX軸成分V92の向きとが互いに逆になっている。また、隣り合う電極子部922A、922Bの間の距離は全て等しい。このため、領域A91、A92における電子の加速方向V91、V92の大きさは略同じになる。そうすると、例えば領域A91で+X方向へ加速された電子は、領域A92に入ると−X方向へ大きく減速されてしまう。特に、領域A91、A92の境界部分では、電場のX軸方向の成分が略ゼロとなり電子が加速されない領域となる。従って、比較例に係るオゾン生成用素子910では、電子に大きなエネルギを与えることができず、その分、オゾンの生成効率が低い。
これに対して、本実施の形態に係るオゾン生成用素子10では、図6Bに示すように、電極子部22Aとその短手方向の他方側である−X方向で隣り合う電極子部22Bとの間の領域A1の電場E1は、電極子部22Aとその短手方向の一方側である+X方向で隣り合う電極子部22Bとの間の領域A2の電場E2に比べて強くなっている。なお、図6Bにおいて、V1は、領域A1において電場E1により加速される電子の加速度および加速方向を示す加速度ベクトルのX軸成分を示し、V2は、領域A2において電場E2により加速される電子の加速度および加速方向を示す加速度ベクトルのX軸成分を示す。図6Bに示すように、領域A1における電子の加速度ベクトルのX軸成分V1の大きさは、領域A2における電子の加速度ベクトルのX軸成分V2の大きさに比べて大きくなる。そうすると、例えば領域A1で+X方向へ加速された電子は、領域A2においてほとんど減速されず、その領域A2の+X方向で隣り合う他の領域A1で更に+X方向へ加速される。その結果、電子は大きなエネルギを持つことになる。このように、実施の形態に係るオゾン生成用素子10では、電子に比較的大きなエネルギを与えることができるので、その分、オゾンの生成効率が高い。
オゾン生成用素子10、910では、それらの動作時に発する熱により生成されたオゾンの一部が分解され、実効的なオゾン発生量が減少する。オゾン生成用素子910の場合、オゾン生成用素子910を冷却することにより、オゾンの分解による減少を抑制する必要がある。これに対して、オゾン生成用素子10は、前述のようにオゾン生成用素子910に比べてオゾンの生成効率が高く、その動作時に発する熱によるオゾンの分解によるオゾンの減少分を相殺するだけのオゾンを発生しうる。
一方、オゾン生成用素子10の電極子部22A、22B間の距離W12が極端に長い(例えば距離W11に対する距離W12の比が4.0を超える場合)と、電極子部22A、22Bの密度もそれに伴い減少する。すると、オゾンの生成源となる電極子部22A、22Bの密度減少により生成されるオゾン量が減少してしまう。従って、オゾン生成用素子10について、距離W11に対する距離W12の比に前述のような最適範囲(1.5以上2.5以下)が存在すると考えられる。
更に、実施の形態に係るオゾン生成用素子10の電極子部22A、22Bの数は、比較例に係るオゾン生成用素子910の電極子部922A、922Bの数よりも少ない。これにより、オゾン生成用素子10の電極21A、21B間の静電容量は、オゾン生成用素子910の電極921A、921B間の静電容量に比べて小さくなる。そうすると、交流電源31の負荷が小さくなるため、交流電源31を小型化することができる。
次に、本実施の形態に係るオゾン生成用素子10の製造方法の一例について図7A乃至図7D、図8Aおよび図8Bを参照しながら説明する。なお、図7A乃至図7D、図8Aおよび図8Bは、図2のB−B線におけるオゾン生成用素子10の断面矢視図に対応する各工程での断面図である。この製造方法では、まず、誘電体基板13および誘電体層12の基となる誘電体シートを形成し、次に、誘電体シートに電極21A、21B等の基となる金属ペーストパターンを形成する。その後、誘電体シートを積層してから、誘電体シートの積層体を焼成してオゾン生成用素子10を作製する。
まず、誘電体基板13および誘電体層12の基となる誘電体シート(いわゆるセラミックスグリーンシート)を形成する。詳細には、まず、CaO−B−Al−SiOガラスと、Alと、トルエンとエタノールとの混合溶媒と、分散剤と、バインダと、を、ボールミルを用いて粉砕および混合することにより、スラリーを作製する。次に、ドクターブレード法により、得られたスラリーから誘電体シートを作製する。なお、シート形成工程で使用する材料は、前述の材料を含むものに限定されるものではなく、CaO−B−Al−SiOガラス以外の他の種類のガラスやSiO、ZrO、BaTiO等の酸化物を含むものであってもよい。或いは、誘電体基板13および誘電体層12がエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂材料から形成される場合、シート形成工程においてエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂材料が使用されてもよい。
次に、誘電体基板13に使用する複数の誘電体シートにプラグ26A、26Bの基となる金属ペースト充填部を形成する。詳細には、図7Aに示すように、メカパンチャ等の穿孔装置を用いて、誘電体シート131に厚さ方向に貫通する貫通孔132Aを形成する。貫通孔132Aは、誘電体シート131が積層されたときに相対的に同一の位置となるように形成される。次に、図7Bに示すように、誘電体シート131の各貫通孔132AにAgペーストが充填される。これにより、誘電体シート131に金属ペースト充填部261Aが形成される。
続いて、スクリーン印刷技術を利用して、図7Cに示すように誘電体基板13の最上層に配置される誘電体シートに電極21A、21Bの基となる第1金属ペーストパターン211A、211Bを形成する。また、スクリーン印刷技術を利用して、図7Dに示すように誘電体基板13に使用する複数の誘電体シートのうち、誘電体基板13の最下層に配置される誘電体シートに裏面電極25A、25Bの基となる第2金属ペーストパターン251Aを形成する。第1金属ペーストパターン211A、211Bおよび第2金属ペーストパターン251Aは、RuOペーストからなる。
その後、まず、図8Aに示すように、誘電体基板13に使用する複数の誘電体シート131を積層するとともに誘電体基板13の最上部に配置される誘電体シート131上に誘電体層12の基となる1枚の誘電体シート121を積層する。次に、圧着機により誘電体シート121、131を圧着し積層体を得る。
続いて、得られた積層体を焼成温度900℃で焼成する。図8Bに示すように、誘電体シート121、131が焼結して誘電体層12、132が形成される。また、金属ペースト充填部261A、第1金属ペーストパターン211A、211Bおよび第2金属ペーストパターン251Aが焼結して導電部262A、電極21A、21Bおよび裏面電極25Aが形成される。
このオゾン生成用素子10の製造方法は、前述のように他の工程に比べて比較的手間がかかる焼成工程の回数が1回だけである。従って、オゾン生成用素子10の製造に携わる作業者の負担が軽減されるという利点がある。
以上説明したように、本実施の形態に係るオゾン生成用素子10は、距離W11が距離W12と異なる。これにより、オゾン生成用素子10は、比較例に係るオゾン生成用素子910に比べて、電極21A、21Bの電極子部22A、22B間に生じる電場から電極子部22A、22B間での放電により生じた電子に与えられるエネルギが高まるのでオゾンの生成がより活発化する。従って、本実施の形態に係るオゾン生成用素子10は、比較例に係るオゾン生成用素子910と比べて、オゾンの生成効率が高く、動作時に発する熱によるオゾンの分解によるオゾンの減少分を相殺するだけのオゾンを発生しうる。そして、オゾン生成用素子10はオゾン生成用素子910と同等以上のオゾン発生量を確保しうる。故に、オゾン生成用素子10は、誘電体基板13の厚みを厚くしたり、冷却器とともに使用したりする必要がないので、オゾン生成用素子10或いはオゾン生成用素子10を含むモジュール全体を小型化することができる。
また、本実施の形態に係るオゾン生成用素子10において、距離W11に対する距離W12の比が1.5以上2.5以下のものは、比較例に係るオゾン生成用素子910に比べてオゾンの生成効率が約20%以上高くなるという利点がある。
更に、本実施の形態に係るオゾン生成用素子10では、誘電体層12が誘電体基板13の電極21A、21Bが形成された一面を覆っている。これにより、電極21A、21Bが生成されたオゾンに曝されることがないので、電極21A、21Bの劣化が抑制されるという利点がある。
[変形例]
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は前述の実施の形態の構成に限定されるものではない。例えば、図9に示す変形例1に係るオゾン生成用素子210のように、電極子部222A、222Bが誘電体基板213の裏面に設けられた裏面電極228A、228Bにプラグ227A、227Bを介して電気的に接続されている構成であってもよい。ここにおいて、複数の電極子部222Aと複数のプラグ227Aとから裏面電極228Aに電気的に接続された電極221Aが構成され、複数の電極子部222Bと複数のプラグ227Bとから裏面電極228Bに電気的に接続された電極221Bが構成されている。
本構成によれば、オゾン生成用素子210の上面において電極子部が省略されている分、オゾン生成用素子210の上面の面積の縮小が図れる。従って、オゾン生成用素子210の小型化を図ることができる。
前述の実施の形態では、各電極子部22Bとその短手方向の他方側である−X方向に隣り合って配置された電極子部22Aとの間の距離W12が互いに等しい例について説明した。但し、これに限らず、例えば図10に示す変形例2に係るオゾン生成用素子310のように、電極子部22Bとその電極子部22Bの短手方向の他方側である−X方向に隣り合って配置された電極子部22Aとの間の距離W321、W322、W323が互いに異なっていてもよい。オゾン生成用素子310では、電極子部22Bとその電極子部22Bの−X方向に配置された電極子部22Aとの間の距離W321、W322、W323が+X方向側ほど大きくなっている。
本構成によれば、オゾン生成用素子310における電極子部22A、22Bの密度が低い部分(−X方向側)の温度は、電極子部22A、22Bの密度が高い部分(+X方向側)の温度に比べて低くなる。従って、オゾン生成用素子310は、例えばその+X方向側だけがヒートシンクに接触させた状態で使用されてもオゾン生成用素子310全体の温度が低下する。これにより、オゾン生成用素子310の誘電体層12近傍でのオゾン分解が抑制される。従って、ヒートシンクを小型化しつつ、オゾン生成用素子310でのオゾンの生成量を比較的高い水準で維持することが可能となる。
実施の形態では、誘電体基板13と誘電体層12とが熱膨張率の略等しい材料から形成される例について説明したが、これに限らず、誘電体基板13と誘電体層12とが熱膨張率の異なる材料から形成されていてもよい。
実施の形態では、誘電体層12を備える構成について説明したが、これに限らず、誘電体層12を備えない構成であってもよい。
施の形態では、交流電源31が裏面電極25A、25Bと電気的に接続される構成について説明したが、これに限らず、交流電源31が、裏面電極25A、25Bでなく、誘電体基板13の表面に設けられた電極21A、21Bの一部(例えば舌片部24A、24B)と電気的に接続される構成であってもよい。
施の形態では、電極21A、21Bがプラグ26A、26Bを介して裏面電極25A、25Bに接続される構成について説明したが、これに限らず、例えば電極21A、21Bがプラグを介して誘電体基板13の端面に設けられた取り出し用電極(図示せず)に接続される構成であってもよい。
実施の形態に係るオゾン生成用素子10の製造方法は、前述の実施形態で説明した製造方法に限定されるものではない。例えば予め誘電体シート131を積層したものを焼成することにより誘電体基板13を準備しておく方法であってもよい。この場合、準備した誘電体基板13の上面に電極21A、21Bを形成し、その後、誘電体基板13の上面にガラスペーストを印刷することにより誘電体層12を形成するものでもよい。或いは、第1金属ペーストパターン211A、211B等が形成された誘電体シート131と金属ペースト充電部261Aが形成された誘電体シート131を積層して焼成することにより、電極21A、21Bが設けられた誘電体基板13を準備する方法でもよい。この場合、準備した電極21A、21Bが設けられた誘電体基板13の上面に誘電体層12を別途形成する。
以上、本発明の実施の形態および変形例(なお書きに記載したものを含む。以下、同様。)について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明は、実施の形態および変形例が適宜組み合わされたもの、それに適宜変更が加えられたものを含む。
本出願は、2016年3月9日に出願された日本国特許出願特願2016−045478号に基づく。本明細書中に日本国特許出願特願2016−045478号の明細書、特許請求の範囲および図面全体を参照として取り込むものとする。
10,210,310:オゾン生成用素子、12,132:誘電体層、13,213:誘電体基板、21A,21B,221A,221B,321A,321B:電極、22A,22B,222A,222B:電極子部、23A,23B:電極子部、24A,24B:舌片部、25A,25B,228A,228B:裏面電極、26A,26B,227A,227B:プラグ、31:交流電源、121,131:誘電体シート、131A,131B:コンタクトホール、132A:貫通孔、211A,211B:第1金属ペーストパターン、251A:第2金属ペーストパターン、261A:金属ペースト充電部、262A:導電部、A1,A2:領域、E1,E2:電場

Claims (4)

  1. 誘電体基板と、
    前記誘電体基板の一方主面に設けられた第1櫛形電極と第2櫛形電極とを備え、
    前記第1櫛形電極は、第1端子電極部と、前記第1端子電極部と交差する複数の第1電極子部とを有し、
    前記第2櫛形電極は、第2端子電極部と、前記第2端子電極部と交差する複数の第2電極子部とを有し、
    前記第1電極子部と前記第2電極子部とは一方向に交互に並ぶように配置されており、
    前記第1電極子部と、前記第1電極子部と一方向側において隣り合う第2電極子部との間隔である第1距離は、前記第1電極子部と、前記第1電極子部と他方向側において隣り合う第2電極子部との間隔である第2距離と異なり、
    前記第1距離に対する前記第2距離の比は、1.5以上2.5以下である、
    オゾン生成用素子。
  2. 前記誘電体基板の前記一方主面を覆う誘電体層を更に備える、
    請求項に記載のオゾン生成用素子。
  3. 前記第1電極子部と前記第2電極子部とは、それぞれ、前記第1端子電極部、前記第2端子電極部に連なっている、
    請求項1または2に記載のオゾン生成用素子。
  4. 請求項1からのいずれか1項に記載のオゾン生成用素子と、
    前記第1櫛形電極と前記第2櫛形電極の間に交流電圧を印加する交流電源と、を備える、
    オゾン生成装置。
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