JP6665166B2 - 太陽電池モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
太陽電池モジュールおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6665166B2 JP6665166B2 JP2017510040A JP2017510040A JP6665166B2 JP 6665166 B2 JP6665166 B2 JP 6665166B2 JP 2017510040 A JP2017510040 A JP 2017510040A JP 2017510040 A JP2017510040 A JP 2017510040A JP 6665166 B2 JP6665166 B2 JP 6665166B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- solar cell
- wiring
- connection electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 18
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005779 cell damage Effects 0.000 description 1
- 208000037887 cell injury Diseases 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
- H10F19/35—Structures for the connecting of adjacent photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
- H10F10/164—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells
- H10F10/165—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells
- H10F10/166—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells the Group IV-IV heterojunctions being heterojunctions of crystalline and amorphous materials, e.g. silicon heterojunction [SHJ] photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
- H10F19/902—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells
- H10F19/908—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells for back-contact photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/219—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
- H10F10/146—Back-junction photovoltaic cells, e.g. having interdigitated base-emitter regions on the back side
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/215—Geometries of grid contacts
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
Description
21,22 導電型半導体層
41,42 電極
410,420 非接続電極部
411,421 配線接続用電極部
51,52 配線部材
100 太陽電池
Claims (11)
- 受光面および裏面を有する半導体基板と、前記半導体基板の裏面に設けられた第一導電型層および第二導電型層と、前記第一導電型層上に設けられた第一電極と、前記第二導電型層上に設けられた第二電極とを備え、前記半導体基板の受光面には電極が設けられていない太陽電池;前記太陽電池の前記第一電極に接続された第一配線部材;および前記太陽電池の前記第二電極に接続された第二配線部材、を備える太陽電池モジュールであって、
前記太陽電池において、
前記第一電極と前記第二電極は、平行に延在し、第一方向に沿って交互に配置され、互いに離間しており、
前記半導体基板の裏面には、前記第一方向に沿って半導体基板の両端に位置する電極がいずれも第一電極である第一領域、および前記第一方向に沿って半導体基板の両端に位置する電極がいずれも第二電極である第二領域が、それぞれ少なくとも1つ存在し、
複数の前記第一電極のそれぞれは、非接続電極部と、前記非接続電極部よりも電極高さの大きい第一配線接続用電極部とを有し、前記第一配線接続用電極部は前記第一領域に設けられており、
複数の前記第二電極のそれぞれは、非接続電極部と、前記非接続電極部よりも電極高さの大きい第二配線接続用電極部とを有し、前記第二配線接続用電極部は前記第二領域に設けられており、
前記第一領域において、複数の前記第一電極のうち最も近接する2つの第一電極の第一配線接続用電極部は、該2つの第一電極の間に配置された第二電極の非接続電極部よりも電極高さが高く、一方の第一電極の第一配線接続用電極部の頂点と、他方の第一電極の第一配線接続用電極部の頂点とを結んだ仮想線が、2つの第一電極の間に配置された第二電極と交わらず、
前記第二領域において、複数の前記第二電極のうち最も近接する2つの第二電極の第二配線接続用電極部は、該2つの第二電極の間に配置された第一電極の非接続電極部よりも電極高さが高く、一方の第二電極の第二配線接続用電極部の頂点と、他方の第二電極の第二配線接続用電極部の頂点とを結んだ仮想線が、2つの第二電極の間に配置された第一電極と交わらず、
前記第一領域において、第一配線部材が前記第一方向に沿って延在するように配置されており、前記第一配線部材が、複数の前記第一電極のそれぞれの第一配線接続用電極部に接続されており、
前記第二領域において、第二配線部材が前記第一方向に沿って延在するように配置されており、前記第二配線部材が、複数の前記第二電極のそれぞれの第二配線接続用電極部に接続されている、太陽電池モジュール。 - 前記複数の第一電極および前記複数の第二電極のそれぞれは、平面視屈曲形状を有し、前記第一方向と直交する第二方向に沿って延在する部分と、前記第二方向と非平行に延在する部分とを有する、請求項1に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第一領域において、複数の前記第一電極のうち最も近接する2つの第一電極の第一配線接続用電極部の頂点を結んだ仮想線と、2つの第一電極の間に配置された第二電極の頂点との、高さ方向における距離が1μm以上である、請求項1または2に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第二領域において、複数の前記第二電極のうち最も近接する2つの第二電極の第二配線接続用電極部の頂点を結んだ仮想線と、2つの第二電極の間に配置された第一電極の頂点との、高さ方向における距離が1μm以上である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第一電極は、前記第一配線接続用電極部において電極高さの大きい嵩高部分の材料が、前記第一電極の他の部分の材料と同一である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第二電極は、前記第二配線接続用電極部において電極高さの大きい嵩高部分の材料が、前記第二電極の他の部分の材料と同一である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第一配線接続用電極部の電極延在方向に沿った長さが、当該第一配線接続用電極部に接続されている第一配線部材の幅よりも大きい、請求項1〜6のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
- 前記第二配線接続用電極部の電極延在方向に沿った長さが、当該第二配線接続用電極部に接続されている第二配線部材の幅よりも大きい、請求項1〜7のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。
- 前記半導体基板の裏面には、前記第一領域および前記第二領域が複数存在し、前記第一方向と直交する第二方向に沿って前記第一領域と前記第二領域が交互に配置されており、
複数の前記第一電極のそれぞれは、複数の前記第一領域のそれぞれに前記第一配線接続用電極部を有し、
複数の前記第一領域のそれぞれにおいて、複数の前記第一電極のそれぞれの第一配線接続用電極部に、前記第一方向に沿って延在するように配置された第一配線部材が電気的に接続されており、
複数の前記第二電極のそれぞれは、複数の前記第二領域のそれぞれに前記第二配線接続用電極部を有し、
複数の前記第二領域のそれぞれにおいて、複数の前記第二電極のそれぞれの第二配線接続用電極部に、前記第一方向に沿って延在するように配置された第二配線部材が電気的に接続されている、請求項1〜8のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載の太陽電池モジュールを製造する方法であって、
前記第一配線部材および前記第二配線部材を接続する前の前記太陽電池のI−V測定を実施するステップ;
前記太陽電池の複数の前記第一電極のそれぞれの前記第一配線接続用電極部に、前記第一配線部材を接続するステップ;および
前記太陽電池の複数の前記第二電極のそれぞれの前記第二配線接続用電極部に、前記第二配線部材を接続するステップ、を有し、
前記I−V測定において、複数の前記第一電極のそれぞれに設けられた前記第一配線接続用電極部、および第二電極の複数の領域のそれぞれに設けられた前記第二配線接続用電極部に、測定プローブを着脱可能に接触させた状態で、前記太陽電池に電流を流してI−V測定を実施する、
太陽電池モジュールの製造方法。 - 前記I−V測定の結果に基づいて、太陽電池が良品であるか否かを判定するステップをさらに有し、良品と判定された太陽電池のみを、配線部材を接続するステップに供する、請求項10に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015074452 | 2015-03-31 | ||
JP2015074452 | 2015-03-31 | ||
PCT/JP2016/060180 WO2016158977A1 (ja) | 2015-03-31 | 2016-03-29 | 太陽電池および太陽電池モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016158977A1 JPWO2016158977A1 (ja) | 2018-01-25 |
JP6665166B2 true JP6665166B2 (ja) | 2020-03-13 |
Family
ID=57005753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017510040A Active JP6665166B2 (ja) | 2015-03-31 | 2016-03-29 | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10644178B2 (ja) |
EP (1) | EP3279947B1 (ja) |
JP (1) | JP6665166B2 (ja) |
CN (1) | CN107112375B (ja) |
WO (1) | WO2016158977A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109844961B (zh) | 2016-10-14 | 2022-08-30 | 信越化学工业株式会社 | 高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池 |
JP6792709B2 (ja) * | 2017-07-11 | 2020-11-25 | シャープ株式会社 | 光電変換装置、それを備える太陽電池ストリングおよびそれらのいずれかを備える太陽電池モジュール |
WO2019017281A1 (ja) * | 2017-07-18 | 2019-01-24 | シャープ株式会社 | 光電変換装置 |
EP3664156A4 (en) * | 2017-12-04 | 2020-12-09 | Kaneka Corporation | SOLAR CELL AND ELECTRONIC DEVICE EQUIPPED WITH THE SAID SOLAR CELL |
CN107919402A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-04-17 | 润峰电力有限公司 | 一种晶硅太阳能电池正面电极主栅结构及其印刷方法 |
JP6640894B2 (ja) * | 2018-02-08 | 2020-02-05 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池、太陽電池モジュール、及び太陽光発電システム |
EP3742501B1 (en) * | 2018-02-23 | 2022-12-21 | Kaneka Corporation | Solar cell and electronic device provided with said solar cell |
JP7323107B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2023-08-08 | シャープ株式会社 | 光電変換素子 |
CN108666379A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-10-16 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 |
CN109950168B (zh) * | 2019-03-29 | 2021-03-05 | 杭州电子科技大学 | 一种基于反馈测量的太阳能电池板质量快速检测方法 |
WO2021020465A1 (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-04 | 株式会社カネカ | 太陽電池セルの製造方法、太陽電池セル、太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュール |
JP7539415B2 (ja) | 2020-01-08 | 2024-08-23 | 株式会社カネカ | 太陽電池製造方法及び太陽電池 |
DE102020100354A1 (de) * | 2020-01-09 | 2021-07-15 | EnBW Energie Baden-Württemberg AG | Verfahren zur Herstellung einer rückseitenkontaktierten Solarzelle und rückseitenkontaktierte Solarzelle |
WO2021149438A1 (ja) * | 2020-01-23 | 2021-07-29 | 株式会社カネカ | 太陽電池および太陽電池製造方法 |
JP7626750B2 (ja) | 2020-02-26 | 2025-02-04 | 株式会社カネカ | 太陽電池および太陽電池製造方法 |
WO2021241425A1 (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | 株式会社カネカ | 太陽電池および太陽電池製造方法 |
CN111653633A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-09-11 | 东方日升新能源股份有限公司 | 具有装饰性的太阳能电池及制备方法、电池组件 |
JP7481177B2 (ja) * | 2020-06-30 | 2024-05-10 | パナソニックホールディングス株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP7576461B2 (ja) | 2020-12-28 | 2024-10-31 | 株式会社カネカ | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
CN114242810B (zh) * | 2022-02-24 | 2022-04-29 | 广东爱旭科技有限公司 | 背接触电池的电极结构、电池、组件以及电池系统 |
CN114883432B (zh) * | 2022-04-01 | 2023-03-24 | 武汉美格科技股份有限公司 | 一种车用太阳能电池排布方法及太阳能组件 |
CN117153951B (zh) * | 2023-10-20 | 2024-07-19 | 正泰新能科技股份有限公司 | 一种背接触光伏组件的生产方法及背接触光伏组件 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040112424A1 (en) * | 2002-10-03 | 2004-06-17 | Daido Steel Co., Ltd. | Solar cell assembly, and photovoltaic solar electric generator of concentrator type |
US20110120530A1 (en) * | 2007-08-23 | 2011-05-26 | Takayuki Isaka | Back surface contact type solar cell, back surface contact type solar cell with wiring board, solar cell string, and solar cell module |
JP5230222B2 (ja) | 2008-02-21 | 2013-07-10 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
JP5410050B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-02-05 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP2010092981A (ja) | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Sharp Corp | 太陽電池、裏面電極型太陽電池、配線基板および太陽電池の製造方法 |
JP5306112B2 (ja) | 2009-02-17 | 2013-10-02 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
JP2011003724A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
JP5046308B2 (ja) * | 2009-10-09 | 2012-10-10 | シャープ株式会社 | 配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線シートロール |
KR101702982B1 (ko) * | 2010-07-19 | 2017-02-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
JP5485062B2 (ja) | 2010-07-30 | 2014-05-07 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
JP2012138545A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池セル及び太陽電池モジュール |
JP5903550B2 (ja) * | 2011-07-28 | 2016-04-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法 |
JP2013175634A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池 |
JP6156748B2 (ja) | 2012-03-08 | 2017-07-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9293635B2 (en) * | 2012-03-19 | 2016-03-22 | Rec Solar Pte. Ltd. | Back junction back contact solar cell module and method of manufacturing the same |
JP2015515257A (ja) * | 2012-04-23 | 2015-05-21 | ソレクセル、インコーポレイテッド | 裏面コンタクト裏面接合ソーラーセルの抵抗構成要素の取り出し方法 |
US9379258B2 (en) * | 2012-11-05 | 2016-06-28 | Solexel, Inc. | Fabrication methods for monolithically isled back contact back junction solar cells |
JP5977166B2 (ja) * | 2012-12-25 | 2016-08-24 | 京セラ株式会社 | 光電変換素子 |
CN103928563B (zh) * | 2013-01-10 | 2016-01-13 | 杜邦公司 | 用于光伏组件的集成式背板组装件 |
DE102013226885A1 (de) * | 2013-06-03 | 2014-12-04 | Kyoshin Electric Co., Ltd | I-U-Kennlinien-Messverfahren und I-U-Kennlinien-Messvorrichtung für Solarzellen sowie Programm für I-U-Kennlinien-Messvorrichtung |
JP6126219B2 (ja) * | 2013-06-07 | 2017-05-10 | 信越化学工業株式会社 | バックコンタクト型太陽電池セル |
CN103337529A (zh) * | 2013-07-12 | 2013-10-02 | 苏州润阳光伏科技有限公司 | 全背接触太阳电池电极及其制作方法 |
CN103594533A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-02-19 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 一种背结-背接触太阳能电池三维电极及其制备方法 |
KR102175893B1 (ko) * | 2014-02-24 | 2020-11-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈의 제조 방법 |
US20160380120A1 (en) * | 2015-06-26 | 2016-12-29 | Akira Terao | Metallization and stringing for back-contact solar cells |
-
2016
- 2016-03-29 CN CN201680004555.0A patent/CN107112375B/zh active Active
- 2016-03-29 JP JP2017510040A patent/JP6665166B2/ja active Active
- 2016-03-29 EP EP16772858.3A patent/EP3279947B1/en active Active
- 2016-03-29 WO PCT/JP2016/060180 patent/WO2016158977A1/ja active Application Filing
-
2017
- 2017-09-20 US US15/710,343 patent/US10644178B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016158977A1 (ja) | 2016-10-06 |
EP3279947A4 (en) | 2018-12-05 |
US20180062012A1 (en) | 2018-03-01 |
JPWO2016158977A1 (ja) | 2018-01-25 |
CN107112375A (zh) | 2017-08-29 |
EP3279947B1 (en) | 2022-07-13 |
CN107112375B (zh) | 2020-05-12 |
EP3279947A1 (en) | 2018-02-07 |
US10644178B2 (en) | 2020-05-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6665166B2 (ja) | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 | |
JP5203450B2 (ja) | 太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール | |
CN104576773B (zh) | 太阳能电池接触结构 | |
JPWO2008090718A1 (ja) | 太陽電池セル、太陽電池アレイおよび太陽電池モジュール | |
US9997650B2 (en) | Solar cell, manufacturing method thereof, and solar cell module | |
US20190189812A1 (en) | Solar cell and solar cell module | |
JP5273728B2 (ja) | 配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール | |
JP5989259B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール | |
JP4656996B2 (ja) | 太陽電池 | |
WO2013179898A1 (ja) | 太陽電池モジュールとその製造方法および太陽電池モジュール製造管理装置 | |
CN103066133A (zh) | 光电装置 | |
TW201304152A (zh) | 光起電力裝置與其製造方法、光起電力模組 | |
JP4322199B2 (ja) | 太陽電池セル、太陽電池セルユニットの製造方法および太陽電池モジュール | |
JP2003224289A (ja) | 太陽電池、太陽電池の接続方法、及び太陽電池モジュール | |
KR20180073057A (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
JP5542162B2 (ja) | メタルマスクおよび太陽電池の製造方法 | |
CN109564946B (zh) | 光电转换元件以及光电转换装置 | |
WO2016052041A1 (ja) | 配線シート付き裏面電極型太陽電池セル | |
IT201900009072A1 (it) | Cella solare ottimizzata, modulo di celle solari e relativo metodo di produzione. | |
WO2014042109A1 (ja) | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 | |
JP2014075532A (ja) | 太陽電池モジュール | |
WO2012014806A1 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
WO2013042222A1 (ja) | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | |
JP2017183426A (ja) | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 | |
KR20190043291A (ko) | 분할셀 및 포일을 이용한 태양전지 모듈 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6665166 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |