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JP6539081B2 - 光電変換素子 - Google Patents

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Description

本発明は、光電変換素子に関する。
色素増感太陽電池は、スイスのグレッツェルらによって開発されたものであり、光電変換効率が高く、製造コストが低いなどの利点を持つため注目されている次世代光電変換素子である。
このような色素増感太陽電池などの色素を用いた光電変換素子は一般に、少なくとも1つの光電変換セルを有し、光電変換セルは、電極基板と、電極基板に対向する対向基板と、電極基板又は対向基板に設けられる酸化物半導体層と、酸化物半導体層を包囲するように設けられ、電極基板及び対向基板を連結する封止部と、電極基板及び対向基板の間に設けられる電解質とを備えている。
このような光電変換素子としては、軽量化を志向したものも開発されており(例えば下記特許文献1参照)、下記特許文献1に記載の光電変換素子においては、電極基板が、透明樹脂フィルムと、その上に設けられる導電層の積層体とで構成されている。
特開2006−159886号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載の光電変換素子は以下に示す課題を有していた。
すなわち、上記特許文献1に記載の光電変換素子では、長期耐久性の点で改善の余地があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、長期耐久性を向上させることができる光電変換素子を提供することを目的とする。
本発明者は上記特許文献1記載の光電変換素子において、上記課題が生じる原因について検討したところ、透明樹脂フィルムは軽量化を実現する上では重要であるものの、ガラスなどの無機材料に比べて外部からの空気や水分が侵入しやすく、この空気や水分がやがては電解質にまで侵入して光電変換素子の長期耐久性を低下させているのではないかと本発明者は考えた。そこで、本発明者はさらに鋭意検討した結果、透明樹脂フィルムのうち導電層と反対側にガラス層を設けることで上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち本発明は、少なくとも1つの光電変換セルを備え、前記光電変換セルが、電極基板と、前記電極基板に対向する対向基板と、前記電極基板又は前記対向基板に設けられる酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層を包囲するように設けられ、前記電極基板及び前記対向基板を連結する封止部と、前記電極基板及び前記対向基板の間に設けられる電解質とを備え、前記電極基板が、樹脂フィルムと、前記樹脂フィルムのうち前記電解質側に設けられる導電層と、前記樹脂フィルムのうち前記導電層と反対側に設けられるガラス層と、前記樹脂フィルムと前記ガラス層との間に、前記樹脂フィルム及び前記ガラス層を接着する接着層とを有する光電変換素子であって、前記電極基板において少なくとも前記樹脂フィルムの周縁部及び前記接着層の周縁部を覆う被覆部をさらに備え、前記被覆部が、前記光電変換セルに対して前記電極基板との間に前記対向基板が配置されるように設けられるバックシートの一部によって構成され、前記バックシートが金属層を含む、光電変換素子である。
本発明の光電変換素子によれば、電極基板において、樹脂フィルムのうち導電層と反対側にガラス層が設けられているため、樹脂フィルムにおいて空気や水分が入り込む面の面積を十分に減らすことができ、電極基板のガスバリア性を向上させることができる。このため、外部からの空気や水分が電極基板の樹脂フィルムに侵入しにくくなり、やがて光電変換セルの電解質内に空気や水分が入ることを十分に抑制することができる。従って、本発明の光電変換素子によれば、長期耐久性を向上させることができる。
また、この光電変換素子によれば、樹脂フィルムとガラス層とが接着層によって固定されるため、光電変換素子が温度変化の大きい環境下に置かれた場合に樹脂フィルムとガラス層との間の間隙が変化することが十分に抑制される。このため、光電変換素子の出力特性がより安定する。
また、樹脂フィルムの周縁部、及び、接着層の周縁部がいずれも被覆部で覆われることで、樹脂フィルム及び接着層において空気や水分が入り込む面の面積をより十分に減らすことができ、電極基板のガスバリア性をより向上させることができる。このため、外部からの空気や水分が、樹脂フィルムの周縁部、及び、接着層の周縁部から樹脂フィルム及び接着層に侵入しにくくなり、光電変換セルの電解質内に空気や水分が入ることをより十分に抑制することができる。従って、本発明の光電変換素子によれば、長期耐久性をより向上させることができる。
また、封止部やバックシートは特に水分や空気を通過させにくい。このため、被覆部が、封止部の一部、又は、バックシートの一部によって構成されていると、外部からの空気や水分が被覆部に侵入しにくくなる。このため、外部からの空気や水分が樹脂フィルム及び接着層に侵入しにくくなり、光電変換セルの電解質内に空気や水分が入ることをより十分に抑制することができる。従って、本発明の光電変換素子によれば、長期耐久性をより一層向上させることができる。
上記光電変換素子においては、前記樹脂フィルム、前記接着層及び前記ガラス層のうちの少なくとも1つが紫外線吸収剤を含むことが好ましい。
この光電変換素子によれば、電極基板に入射した光のうち、樹脂フィルム、接着層及びガラス層のうちの少なくとも1つに含まれる紫外線吸収剤によって紫外線が吸収される。このため、紫外線による光電変換セルの劣化が十分に抑制される。
本発明によれば、長期耐久性を向上させることができる光電変換素子が提供される。
本発明の光電変換素子の第1実施形態を示す断面図である。 本発明の光電変換素子の第2実施形態を示す断面図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、全図中、同一又は同等の構成要素については同一符号を付し、重複する説明は省略する。
[第1実施形態]
まず本発明の光電変換素子の第1実施形態について図1を参照しながら説明する。図1は、本発明の光電変換素子の第1実施形態を示す断面図である。
図1に示すように、光電変換素子100は1つの光電変換セル60で構成されており、光電変換セル60は、光を透過させることが可能な電極基板10と、電極基板10に対向する対向基板20と、対向基板20上に設けられる酸化物半導体層30と、酸化物半導体層30を包囲するように設けられ、電極基板10及び対向基板20を連結する環状の封止部40と、酸化物半導体層30に吸着される色素と、電極基板10及び対向基板20の間に設けられる電解質50とを備えている。
電極基板10は、樹脂フィルム11と、樹脂フィルム11のうち電解質50側に設けられる導電層12と、樹脂フィルム11のうち導電層12と反対側(光入射側)に設けられるガラス層14と、導電層12の対向基板20側に設けられて電解質50の還元に寄与する触媒層15とを備える。さらに本実施形態では、電極基板10は、樹脂フィルム11とガラス層14との間に、樹脂フィルム11とガラス層14とを接着する接着層13をさらに有している。
対向基板20は導電性基板21からなる。
光電変換素子100によれば、樹脂フィルム11のうち導電層12と反対側にガラス層14が設けられているため、樹脂フィルム11において空気や水分が入り込む面の面積を十分に減らすことができ、電極基板10のガスバリア性を向上させることができる。このため、外部からの空気や水分が電極基板10の樹脂フィルム11に侵入しにくくなり、やがて光電変換セル60の電解質50内に空気や水分が入ることを十分に抑制することができる。従って、光電変換素子100によれば、長期耐久性を向上させることができる。
また光電変換素子100は、樹脂フィルム11とガラス層14との間に、樹脂フィルム11及びガラス層14を接着する接着層13をさらに有している。この場合、樹脂フィルム11とガラス層14とが接着層13によって固定されるため、光電変換素子100が温度変化の大きい環境下に置かれた場合に樹脂フィルム11とガラス層14との間の間隙が変化することが十分に抑制される。このため、光電変換素子100の出力特性がより安定する。
次に、電極基板10、対向基板20、酸化物半導体層30、封止部40、電解質50及び色素について詳細に説明する。
<電極基板>
電極基板10は、上述したように、樹脂フィルム11と、樹脂フィルム11のうち電解質50側に設けられる電極としての導電層12と、樹脂フィルム11のうち導電層12と反対側(光入射側)に設けられるガラス層14と、導電層12の対向基板20側に設けられて電解質50の還元に寄与する触媒層15とを備える。
(樹脂フィルム)
樹脂フィルム11を構成する材料は、透明な樹脂材料であればよく、このような透明な樹脂材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ポリイミド(PI)及びポリエーテルスルフォン(PES)などが挙げられる。樹脂フィルム11の厚さは、光電変換素子100のサイズに応じて適宜決定され、特に限定されるものではないが、例えば50〜500μmの範囲にすればよい。
(導電層)
導電層12を構成する材料としては、例えばスズ添加酸化インジウム(ITO)、酸化スズ(SnO)、及び、フッ素添加酸化スズ(FTO)などの導電性金属酸化物が挙げられる。導電層12は、単層でも、異なる導電性金属酸化物で構成される複数の層の積層体で構成されてもよい。導電層12が単層で構成される場合、導電層12は、高い耐熱性及び耐薬品性を有することから、FTOで構成されることが好ましい。導電層12の厚さは例えば0.01〜2μmの範囲にすればよい。
(接着層)
接着層13は、樹脂フィルム11とガラス層14とを接着させることが可能な接着剤で構成されていればよい。このような接着剤としては、例えばアクリル系接着剤、エポキシ系接着剤などの接着剤などを用いることができる。これらの接着剤は、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤又は二液混合型接着剤などのいずれであってもよい。
但し、接着層13は、樹脂フィルム11の屈折率とガラス層14の屈折率の間の屈折率を有することが好ましい。この場合、樹脂フィルム11と接着層13との界面、及び、接着層13とガラス層14との界面における光の反射を低減できるので、光を酸化物半導体層30により十分に導くことができる。
(ガラス層)
ガラス層14は、ガラス材料で構成されればよく、ガラス層14としては、例えばホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、無アルカリガラス及び石英ガラスなどが挙げられる。
ガラス層14は、可撓性を有していても有していなくてもよいが、可撓性を有していることが好ましい。この場合、樹脂フィルム11だけでなく、ガラス層14も可撓性を有することとなり、光電変換素子100の設置対象物の設置面が曲面であっても、光電変換素子100をその曲面に固定する際、ガラス層14を破損させることなくその曲面形状に追従させることができるため、その曲面に光電変換素子100を設置することが可能となる。
なお、ガラス層が「可撓性を有する」とは、20℃の環境下で50mm×200mmのガラス層の長辺側の両縁部(それぞれ幅5mm)を水平に固定し、ガラス層の中央に荷重をかけた際のガラス層の撓みの最大変形率が20%を超えるものを言うものとする。ここで、最大変形率とは、下記式に基づいて算出される値を言う。
最大変形率(%)=100×(最大変位量/ガラス層の厚さ)
従って、例えば厚さ0.04mmのガラス層が上記のようにして荷重をかけることにより撓み、最大変形量が0.01mmとなった場合、最大変形率は25%となり、このガラス層は可撓性を有することとなる。
ガラス層14の厚さは、樹脂フィルム11の厚さよりも小さければよいが、通常は0.2mm以下であり、好ましくは0.1mm以下である。
(触媒層)
触媒層15は、白金、炭素系材料又は導電性高分子などから構成される。
(紫外線吸収剤)
上述した樹脂フィルム11、接着層13及びガラス層14のうちの少なくとも1つが紫外線吸収剤を含むことが好ましい。この場合、電極基板10に入射した光のうち、樹脂フィルム11、接着層13及びガラス層14のうちの少なくとも1つに含まれる紫外線吸収剤によって紫外線が吸収される。このため、紫外線による光電変換セル60の劣化が十分に抑制される。
ここで、樹脂フィルム11、接着層13及びガラス層14のうちの接着層13が紫外線吸収剤を含むことが好ましい。この場合、紫外線吸収剤が樹脂フィルム11又はガラス層14に含まれる場合に比べて、接着層13に傷や剥離が生じ難くなり、紫外線吸収性能の低下をより十分に抑制することができる。
紫外線吸収剤は、紫外線を吸収する材料であればよい。このような紫外線吸収剤としては、例えば酸化セリウム、酸化亜鉛、トリアジン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体及びベンゾフェノン誘導体が挙げられる。これらは1種類単独で又は2種以上を組み合せて用いることができる。
なお、電極基板10における紫外線吸収剤の添加割合は特に制限されるものではないが、好ましくは0.01〜50質量部(phr)である。
<対向基板>
対向基板20は、上述したように、基板と電極を兼ねる導電性基板21を備えるものである。
(導電性基板)
導電性基板21は、例えばチタン、ニッケル、白金、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ステンレス等の耐食性の金属材料で構成される。また、導電性基板21は、基板と電極を分けて、上述した樹脂フィルム11上にITO、FTO等の導電性酸化物からなる導電層を電極として形成した積層体で構成されてもよく、ガラス上にITO、FTO等の導電性酸化物からなる導電層を形成した積層体でもよい。ここで、導電性基板21が、樹脂フィルム11上に導電層を形成してなる積層体で構成される場合、導電性基板21は、電極基板10と同様の構成を有していてもよい。すなわち、導電性基板21は、樹脂フィルム11のうち導電層と反対側に設けられるガラス層14を有していてもよい。この場合、樹脂フィルム11のうち導電層と反対側にガラス層14が設けられるため、樹脂フィルム11において空気や水分が入り込む面の面積を十分に減らすことができ、導電性基板21のガスバリア性を向上させることができる。このため、外部からの空気や水分が導電性基板21の樹脂フィルム11に侵入しにくくなり、やがて光電変換セル60の電解質50内に空気や水分が入ることを十分に抑制することができる。従って、光電変換素子100の長期耐久性を向上させることができる。導電性基板21の厚さは、光電変換素子100のサイズに応じて適宜決定され、特に限定されるものではないが、例えば0.01〜4mmとすればよい。
<酸化物半導体層>
酸化物半導体層30は、酸化物半導体粒子で構成されている。酸化物半導体粒子は、例えば酸化チタン(TiO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化タングステン(WO)、酸化ニオブ(Nb)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO)、酸化スズ(SnO)、酸化インジウム(In)、酸化ジルコニウム(ZrO)、酸化タリウム(Ta)、酸化ランタン(La)、酸化イットリウム(Y)、酸化ホルミウム(Ho)、酸化ビスマス(Bi)、酸化セリウム(CeO)、酸化アルミニウム(Al)又はこれらの2種以上で構成される。酸化物半導体層30の厚さは、例えば0.1〜100μmとすればよい。
<封止部>
封止部40としては、例えば変性ポリオレフィン樹脂、ビニルアルコール重合体などの熱可塑性樹脂、及び、紫外線硬化樹脂などの樹脂が挙げられる。変性ポリオレフィン樹脂としては、例えばアイオノマー、エチレン−ビニル酢酸無水物共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体およびエチレン−ビニルアルコール共重合体が挙げられる。これらの樹脂は単独で又は2種以上を組み合せて用いることができる。
<電解質>
電解質50は、例えばヨウ素とヨウ化物塩を混合することで形成される酸化還元対(I/I など)などと有機溶媒とを含んでいる。有機溶媒としては、アセトニトリル、メトキシアセトニトリル、メトキシプロピオニトリル、プロピオニトリル、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジエチルカーボネート、γ−ブチロラクトン、バレロニトリル、ピバロニトリル、グルタロニトリル、メタクリロニトリル、イソブチロニトリル、フェニルアセトニトリル、アクリロニトリル、スクシノニトリル、オキサロニトリル、ペンタニトリル、アジポニトリルなどを用いることができる。酸化還元対としては、例えばI/I のほか、臭素/臭化物イオン、亜鉛錯体、鉄錯体、コバルト錯体などのレドックス対が挙げられる。また電解質50は、有機溶媒に代えて、イオン液体を用いてもよい。イオン液体としては、例えばピリジニウム塩、イミダゾリウム塩、トリアゾリウム塩等の既知のヨウ素塩などが用いられる。このようなヨウ素塩としては、例えば、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウムアイオダイド、1−エチル−3−プロピルイミダゾリウムアイオダイド、ジメチルイミダゾリウムアイオダイド、エチルメチルイミダゾリウムアイオダイド、ジメチルプロピルイミダゾリウムアイオダイド、ブチルメチルイミダゾリウムアイオダイド、又は、メチルプロピルイミダゾリウムアイオダイドが好適に用いられる。
また、電解質50は、上記有機溶媒に代えて、上記イオン液体と上記有機溶媒との混合物を用いてもよい。
また電解質50には添加剤を加えることができる。添加剤としては、1−メチルベンゾイミダゾール(NMB)、1−ブチルベンゾイミダゾール(NBB)などのベンゾイミダゾール、LiI、I、4−t−ブチルピリジン、グアニジウムチオシアネートなどが挙げられる。中でも、ベンゾイミダゾールが添加剤として好ましい。
さらに電解質50としては、上記電解質にSiO、TiO、カーボンナノチューブなどのナノ粒子を混練してゲル様となった擬固体電解質であるナノコンポジットゲル電解質を用いてもよく、また、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンオキサイド誘導体、アミノ酸誘導体などの有機系ゲル化剤を用いてゲル化した電解質を用いてもよい。
<色素>
色素としては、例えばビピリジン構造、ターピリジン構造などを含む配位子を有するルテニウム錯体や、ポルフィリン、エオシン、ローダミン、メロシアニンなどの有機色素などの光増感色素や、ハロゲン化鉛系ペロブスカイト結晶などの有機−無機複合色素などが挙げられる。ハロゲン化鉛系ペロブスカイトとしては、例えばCHNHPbX(X=Cl、Br、I)が用いられる。上記色素の中でも、ビピリジン構造又はターピリジン構造を含む配位子を有するルテニウム錯体が好ましい。この場合、光電変換素子100の光電変換特性をより向上させることができる。なお、色素として、光増感色素を用いる場合には、光電変換素子100は色素増感光電変換素子となる。
次に、上述した光電変換素子100の製造方法について説明する。
まず電極基板10からなる対極を用意する。電極基板10は、樹脂フィルム11の一方の面上に導電層12を形成し、その上に触媒層15を形成し、他方の面上に接着層13を介してガラス層14を接着させることで得ることができる。
導電層12は、スパッタリング法、蒸着法及びCVD法などによって樹脂フィルム11の一方の表面上に形成することができる。
触媒層15は、スパッタリング法等で導電層上に形成することができる。
次に、導電性基板21からなる対向基板20を用意し、対向基板20の上に酸化物半導体層30を形成して作用極を形成する。酸化物半導体層30は、酸化物半導体粒子を含む多孔質酸化物半導体層形成用ペーストを印刷した後、焼成することにより形成することができる。
酸化物半導体層形成用ペーストは、上述した酸化物半導体粒子のほか、ポリエチレングリコールなどの樹脂及び、テレピネオールなどの溶媒を含む。
酸化物半導体層形成用ペーストの印刷方法としては、例えばスクリーン印刷法、ドクターブレード法、又は、バーコート法などを用いることができる。
焼成温度は酸化物半導体粒子の材質により異なるが、通常は350〜600℃である。焼成時間も、酸化物半導体粒子の材質により異なるが、通常は1〜5時間である。
次に、作用極の酸化物半導体層30の表面に色素を吸着させる。このためには、作用極を、色素を含有する溶液の中に浸漬させ、その色素を酸化物半導体層30に吸着させた後に上記溶液の溶媒成分で余分な色素を洗い流し、乾燥させることで、色素を酸化物半導体層30に吸着させればよい。但し、色素を含有する溶液を酸化物半導体層30に塗布した後、乾燥させることによって色素を酸化物半導体層30に吸着させてもよい。
次に、電解質50を準備する。電解質50は、酸化還元対を含む溶液などで構成すればよい。
次に、酸化物半導体層30の上に電解質50を配置する。電解質50は、例えば滴下法などによって配置することが可能である。
次に、環状の封止部形成体を準備する。封止部形成体は、例えば封止用樹脂フィルムを用意し、その封止用樹脂フィルムに1つの四角形状の開口を形成することによって得ることができる。
そして、この封止部形成体を、対向基板20の上に接着させる。このとき、封止部形成体の対向基板20への接着は、例えば封止部形成体を加熱溶融させることによって行うことができる。
次に、電極基板10を、封止部形成体の開口を塞ぐように配置した後、封止部形成体と貼り合わせる。このとき、電極基板10にも予め封止部形成体を接着させておき、この封止部形成体を対向基板20側の封止部形成体と貼り合せてもよい。電極基板10の封止部形成体への貼合せは、大気圧下で行っても減圧下で行ってもよいが、減圧下で行うことが好ましい。
以上のようにして光電変換素子100が得られる。
[第2実施形態]
次に本発明の光電変換素子の第2実施形態について図2を参照しながら説明する。図2は、本発明の光電変換素子の第2実施形態を示す断面図である。
図2に示すように、本実施形態の光電変換素子200は、光電変換セル60に対して電極基板10との間に対向基板20が配置されるように設けられるバックシート210をさらに備える点で第1実施形態の光電変換素子100と相違する。
ここで、バックシート210の周縁部210aが被覆部として電極基板10の接着層13の周縁部及び樹脂フィルム11の周縁部を覆っている。
第1実施形態の光電変換素子100では、樹脂フィルム11の周縁部、及び、接着層13の周縁部にはいずれもガラス層14が設けられていない。このため、本実施形態の光電変換素子200のように、樹脂フィルム11の周縁部、及び、接着層13の周縁部がバックシート210の周縁部210aで覆われることで、樹脂フィルム11及び接着層13において空気や水分が入り込む面の面積をより十分に減らすことができ、電極基板10のガスバリア性をより向上させることができる。このため、外部からの空気や水分が、樹脂フィルム11の周縁部、及び、接着層13の周縁部から樹脂フィルム11及び接着層13に侵入しにくくなり、やがて光電変換セル60の電解質50内に空気や水分が入ることをより十分に抑制することができる。従って、光電変換素子200によれば、長期耐久性をより向上させることができる。
バックシート210は、耐候性層と、金属層とを少なくとも含む。
耐候性層は、例えばポリエチレンテレフタレート又はポリブチレンテレフタレートで構成されていればよい。
耐候性層の厚さは、例えば50〜300μmであればよい。
金属層は、例えばアルミニウムを含む金属材料で構成されていればよい。金属材料は通常、アルミニウム単体で構成されるが、アルミニウムと他の金属との合金であってもよい。他の金属としては、例えば銅、マンガン、亜鉛、マグネシウム、鉛、及び、ビスマスが挙げられる。具体的には、98%以上の純アルミニウムにその他の金属が微量添加された1000系アルミニウムが望ましい。これは、この1000系アルミニウムが、他のアルミニウム合金と比較して、安価で、加工性に優れているためである。
金属層の厚さは特に制限されるものではないが、例えば12〜30μmであればよい。
なお、バックシート210は、樹脂で電極基板10に接着することができる。このような樹脂としては、例えばブチルゴム、ニトリルゴム、熱可塑性樹脂などが挙げられる。これらは単独で又は2種以上を組み合せて用いることができる。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記第1及び第2実施形態では、電極基板10が、樹脂フィルム11とガラス層14との間に接着層13を有しているが、例えば第2実施形態の光電変換素子200のように、樹脂フィルム11とガラス層14とがバックシート210によって固定されるならば、接着層13は必ずしも必要なものではなく、省略が可能である。
また上記第2実施形態では、樹脂フィルム11の周縁部及び接着層13の周縁部がバックシート210の周縁部210aによって覆われているが、第1実施形態の光電変換素子100において、封止部40の一部が被覆部として樹脂フィルム11の周縁部及び接着層13の周縁部を覆ってもよい。また封止部40でもなく、バックシート210でもない被覆部が樹脂フィルム11の周縁部及び接着層13の周縁部を覆っていてもよい。この場合、被覆部は例えば封止部40と同様の材料で構成されることが好ましい。
さらに上記第1実施形態の光電変換素子100では、対向基板20上に酸化物半導体層30が設けられているが、電極基板10の導電層12上に酸化物半導体層30を設けてもよい。この場合、触媒層15は、対向基板20の導電性基板21上に設けられる。
さらにまた上記第1及び第2実施形態では、電極基板10と対向基板20とが封止部40によって連結されているが、電極基板10と対向基板20との間に、電解質50を含浸した多孔性の絶縁層が含まれる場合には、電極基板10と対向基板20とは封止部40によって連結されていなくてもよい。この場合は、対向基板20のうち電極基板10と反対側に絶縁性の基材を設け、この絶縁性の基材と電極基板10とを封止部で接合させることが好ましい。
また上記実施形態では、光電変換素子100,200が1つの光電変換セル60を有しているが、光電変換素子100,200は、光電変換セル60を複数備えていてもよい。ここで、複数の光電変換セル60は直列に接続されてもよいし、並列に接続されてもよい。
以下、本発明の内容を、実施例を挙げてより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
はじめに、ポリエチレンナフタレートフィルム(PENフィルム)上にITO膜が形成されたITO/PENフィルム(ペクセルテクノロジーズ社製)を準備した。そして、このITO/PENフィルムにおいてPENフィルムのうちITO膜と反対側の表面上に接着層となるアクリル系接着剤を用いて厚さ0.2mmのガラス層(日本電気硝子社製)を貼り付けた。ここで、ガラス層としては、可撓性を有するものを用いた。さらに、ITO膜の表面上にスパッタリング法によってPtを、光透過率を大きく損なわない程度に堆積させた。こうして対極となる電極基板を用意した。
次に、厚さ50μmのTi箔を用意し、このTi箔の上に酸化チタンを含有する酸化チタンペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥させて酸化物半導体層の前駆体を形成した。こうして未焼成基板を得た。そして、最後に、この未焼成基板をオーブンに入れて450℃で1時間焼成して、50mm×50mm×10μmの寸法を有する多孔質酸化チタン層を得た。こうして作用極を得た。
次に、光増感色素であるZ907色素を、アセトニトリルとt−ブチルアルコールとを1:1(体積比)で混合した混合溶媒中に0.2mMの濃度となるように溶かして色素溶液を作製した。そして、この色素溶液中に上記作用極を常温にて24時間浸漬させ、多孔質酸化チタン層に光増感色素を吸着させた。
次に、作用極の上に、商品名「ハイミラン」(三井デュポンポリケミカル社製)からなる環状の熱可塑性樹脂シートを配置した。このとき、環状の熱可塑性樹脂シートの内側に、多孔質酸化チタン層が配置されるようにした。そして、熱可塑性樹脂シートを180℃で5分間加熱し溶融させて作用極に接着させた。
他方、電解質を、多孔質酸化チタン層を覆うように塗布した。このとき、電解質の組成は以下の通りとした。

ヨウ素(I)0.002M
ジメチルプロピルイミダゾリウムアイオダイド(DMPImI)0.6M
n−ブチルベンゾイミダゾール(NBB)0.1M
3−メトキシプロピオニトリル(MPN)からなる溶媒
そして作用極に対し、電極基板を、作用極との間に電解質を挟むように重ね合わせ、封止部を減圧下(1000Pa)で加熱溶融することによって電極基板と封止部とを接着させた。こうして1つの光電変換セルを得た。そして、この光電変換セルに対し、その光入射面(電極基板におけるガラス層の表面)と反対側の面をバックシートとしての遮水パッケージで覆った。こうして光電変換素子を得た。
(実施例2)
ガラス層の厚さを、0.2mmから2mmとすることにより、ガラス層が可撓性を有しないようにしたこと以外は実施例1と同様にして光電変換素子を作製した。
(実施例3)
接着層として、実施例1で用いたアクリル系接着剤にベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤をさらに添加したものを用いたこと以外は実施例1と同様にして光電変換素子を作製した。
(比較例1)
電極基板を用意する際、ITO/PENフィルムにおけるPENフィルムのITOと反対側の表面上にガラス層を貼り付けなかったこと以外は実施例1と同様にして光電変換素子を作製した。
<特性の評価>
(長期耐久性)
上記のようにして得られた上記実施例1〜3及び比較例1の光電変換素子に対し、大気中、60℃、85%RHで200時間放置する加熱試験を行った。そして、加熱試験前に測定した出力Pm、及び、加熱試験後に測定した出力Pmの結果に基づいて、下記式により、出力低下率を算出した。結果を表1に示す。
出力低下率=100×(Pm―Pm)/Pm
なお、出力測定に用いた光源、照度計、電源及び照度は以下の通りである。

光源:白色LED(製品名「LEL−SL5N−F」、東芝ライテック社製)
照度計:製品名「AS ONE LM−331」、アズワン株式会社製
電源:電圧/電流 発生器(製品名「ADVANTEST R6246」、株式会社アドバンテスト製)
照度:1000lux
Figure 0006539081
表1に示す結果より、実施例1〜3の光電変換素子は、比較例1の光電変換素子よりも出力低下率が小さいことが分かった。
以上より、本発明の光電変換素子によれば、長期耐久性を向上させることができることが確認された。
10…電極基板
11…樹脂フィルム
12…導電層
13…接着層
14…ガラス層
15…触媒層
20…対向基板
30…酸化物半導体層
40…封止部
50…電解質
60…光電変換セル
100,200…光電変換素子
210…バックシート

Claims (2)

  1. 少なくとも1つの光電変換セルを備え、
    前記光電変換セルが、
    電極基板と、
    前記電極基板に対向する対向基板と、
    前記電極基板又は前記対向基板に設けられる酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層を包囲するように設けられ、前記電極基板及び前記対向基板を連結する封止部と、
    前記電極基板及び前記対向基板の間に設けられる電解質とを備え、
    前記電極基板が、
    樹脂フィルムと、
    前記樹脂フィルムのうち前記電解質側に設けられる導電層と、
    前記樹脂フィルムのうち前記導電層と反対側に設けられるガラス層と、
    前記樹脂フィルムと前記ガラス層との間に、前記樹脂フィルム及び前記ガラス層を接着する接着層とを有する光電変換素子であって、
    前記電極基板において少なくとも前記樹脂フィルムの周縁部及び前記接着層の周縁部を覆う被覆部をさらに備え、
    前記被覆部が、前記光電変換セルに対して前記電極基板との間に前記対向基板が配置されるように設けられるバックシートの一部によって構成され、
    前記バックシートが金属層を含む、光電変換素子。
  2. 前記樹脂フィルム、前記接着層及び前記ガラス層のうちの少なくとも1つが紫外線吸収剤を含む、請求項1に記載の光電変換素子。
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JP2009140828A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Sekisui Jushi Co Ltd 色素増感型太陽電池
JP2009199782A (ja) * 2008-02-19 2009-09-03 Ngk Spark Plug Co Ltd 色素増感型太陽電池及びその製造方法
JP2009217970A (ja) * 2008-03-07 2009-09-24 Dainippon Printing Co Ltd 酸化物半導体電極用積層体、酸化物半導体電極、色素増感型太陽電池、および色素増感型太陽電池モジュール
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