JP6538483B2 - 高周波パッケージ、送受信モジュール、およびレーダ装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、高周波パッケージ、送受信モジュール、およびレーダ装置、に関する。

例えばアクティブフェイズドアレイレーダ装置は、マイクロ波等の高周波信号を送受信する複数のアンテナを有する。複数のアンテナのそれぞれには、位相器を介して送受信モジュールが接続されている。各送受信モジュールは、アンテナから送信される高周波信号の電力を増幅し、また、アンテナにおいて受信された高周波信号を後段の信号処理回路に出力する。

近年、レーダ装置において送受信される高周波信号の高周波数化（動作周波数の高周波数化）が望まれている。これに伴って、アンテナ間隔を狭くする必要がある。しかしながら、アンテナ間隔は、送受信モジュールの大きさに制限されており、所望の間隔より狭くすることが困難であった。

特開平６−１１２３５１号公報

実施形態は、小型化が可能な高周波パッケージおよび送受信モジュール、並びに動作周波数の高周波数化が可能なレーダ装置、を提供することを目的とする。

実施形態に係る高周波パッケージは、上面上に高周波半導体チップを配置可能なベース基板と、前記ベース基板の上面上に設けられた側壁と、前記側壁を貫通するように設けられ、前記高周波半導体チップと電気的に接続することができる第１の端子部と、前記側壁で囲われた前記ベース基板の上面上に設けられた誘電体基板、および前記誘電体基板の上面上に設けられた配線パターン、によって構成され、前記ベース基板に配置される前記高周波半導体チップから電気的に独立する内部回路と、前記側壁を貫通するように設けられ、前記内部回路に電気的に接続される第２の端子部と、を具備する。前記配線パターンは、前記配線パターンと前記側壁との距離が、前記誘電体基板の厚さよりも小さくなる位置に設けられる。

また、実施形態に係る送受信モジュールは、ベース基板と、前記ベース基板の上面上に配置された高周波半導体チップと、前記ベース基板の上面上に、前記高周波半導体チップを囲うように設けられた側壁と、前記側壁を貫通するように設けられ、前記高周波半導体チップと電気的に接続される第１の端子部と、前記側壁で囲われた前記ベース基板の上面上に設けられた誘電体基板、および前記誘電体基板の上面上に設けられた配線パターン、によって構成され、前記高周波半導体チップから電気的に独立する内部回路と、前記側壁を貫通するように設けられ、前記内部回路に電気的に接続される第２の端子部と、を具備する。前記配線パターンは、前記配線パターンと前記側壁との距離が、前記誘電体基板の厚さよりも小さくなる位置に設けられる。

また、実施形態に係るレーダ装置は、複数のアンテナと、前記複数のアンテナのそれぞれに、位相器を介して電気的に接続された送受信モジュールと、前記複数の送受信モジュールが並列に接続される分配合成器と、前記分配合成器に接続され、前記複数のアンテナにおいて受信された高周波信号に対して信号処理を行う信号処理部と、を備える。前記複数の送受信モジュールの各々は、ベース基板と、前記ベース基板の上面上に配置された高周波半導体チップと、前記ベース基板の上面上に、前記高周波半導体チップを囲うように設けられた側壁と、前記側壁を貫通するように設けられ、前記高周波半導体チップと電気的に接続される第１の端子部と、前記側壁で囲われた前記ベース基板の上面上に設けられた誘電体基板、および前記誘電体基板の上面上に設けられた配線パターン、によって構成され、前記高周波半導体チップから電気的に独立する内部回路と、前記側壁を貫通するように設けられ、前記内部回路に電気的に接続される第２の端子部と、を具備する。前記配線パターンは、前記配線パターンと前記側壁との距離が、前記誘電体基板の厚さよりも小さくなる位置に設けられる。

第１の実施形態に係るレーダ装置を示す概略構成図である。 図１に示すレーダ装置に適用される、第１の実施形態に係る送受信モジュールを示す上面図である。 図２の一点鎖線Ｘ−Ｘ´に沿って示す送受信モジュールの断面図である。 図２の一点鎖線Ｙ−Ｙ´に沿って示す送受信モジュールの部分断面図である。 第１の比較例に係る送受信モジュールを示す上面図である。 第２の比較例に係る送受信モジュールを模式的に示す上面図である。 図６Ａの一点鎖線Ｚ−Ｚ´に沿って示す送受信モジュールの部分断面図である。 図２の一点鎖線Ｚ−Ｚ´に沿って示す送受信モジュールの部分断面図である。 図７Ａの一部を拡大して示す部分断面図である。 第２の実施形態に係る送受信モジュールを示す図であって、図７Ａに対応する断面図である。 第２の実施形態の変形例に係る送受信モジュールを示す図であって、図７Ａに対応する断面図である。

以下に、実施形態に係る高周波パッケージ、送受信モジュール、およびレーダ装置を、図面を参照して詳細に説明する。

＜第１の実施形態＞
図１は、第１の実施形態に係るレーダ装置を示す概略構成図である。実施形態に係るレーダ装置１は、例えばアクティブフェイズドアレイレーダ装置であって、同一面内にアレイ状に配列された複数のアンテナ２を備える。

各アンテナ２には、位相器３を介して送受信モジュール１０が接続されている。各送受信モジュール１０は、送信回路と受信回路とが一体化されたモジュールである。なお、送信回路は、アンテナ２から送出されるマイクロ波等の高周波信号の電力を増幅する。また、受信回路は、アンテナ２において受信されたビーム（高周波信号）に対して電力増幅等の信号処理を行うことなく、受信されたビーム（高周波信号）をそのまま後段の分配合成器４に出力する。

上述の複数の送受信モジュール１０は、後段の分配合成器４に対して並列に接続されている。分配合成器４は、複数の送受信モジュール１０から受け取った高周波信号を電力合成して、後段の信号処理回路５に出力する。また、分配合成器４は、信号処理回路５から受け取った高周波信号を電力分配して、複数の送受信モジュール１０に出力する。

このような分配合成器４の後段には、信号処理回路５が接続されている。信号処理回路５は、分配合成器４から受け取った高周波信号に基づいて目標物の検出、画像化等を行う。また、信号処理回路５は、所望の周波数の搬送波を変調して高周波信号を生成し、分配合成器４に出力する。

このような構成のレーダ装置１は、各アンテナ２から送出される高周波信号を空間的に電力合成して送信ビームを形成する。また、レーダ装置１は、位相器３によって各高周波信号の位相を調整することにより、合成後の送信ビームの指向制御を行うことができる。なお、各位相器３は指向制御部６に接続されており、指向制御部６からの指令にしたがって、各位相器３は、高周波信号の位相制御を行う。

図２は、図１に示すレーダ装置１に適用される送受信モジュール１０を示す上面図である。また、図３は、図２の一点鎖線Ｘ−Ｘ´に沿って示す送受信モジュール１０の断面図である。なお、図２において、送受信モジュール１０の高周波パッケージ２０の蓋体２３は省略されている。

図２および図３に示す送受信モジュール１０は、高周波パッケージ２０に高周波半導体チップとして、例えば、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の化合物半導体によって構成された電力増幅用ＭＭＩＣ１１を実装することによって構成されている。

高周波パッケージ２０は、ベース基板２１、側壁２２、および蓋体２３、を備える。ベース基板２１は、四角形の板体である。ベース基板２１の上面には凹状の実装部２１ａが設けられている。この実装部２１ａには、電力増幅用ＭＭＩＣ１１を実装することができる。

ベース基板２１は、実装される電力増幅用ＭＭＩＣ１１を接地させるために、導体によって構成される。ベース基板２１は、例えば熱伝導性に優れ、かつ電力増幅用ＭＭＩＣ１１と同程度の熱膨張係数を有する合金として、銅−タングステン合金、または銅−モリブデン合金、によって構成されることが好ましい。

なお、ベース基板２１には、高周波パッケージ２０を所望の箇所にねじ止めによって実装するためのねじ溝３８が設けられている。

側壁２２は、所望の高さを有するリング状の枠体である。側壁２２は、ベース基板２１の上面上に、実装部２１ａを囲うように設けられている。

側壁２２は、ベース基板２１の接地によって接地されるために、導体によって構成される。側壁２２は、例えば鉄−ニッケル合金によって構成されている。

蓋体２３は、四角形状の薄い板体である。蓋体２３は、側壁２２の上面上に設けられている。蓋体２３は、ベース基板２１および側壁２２とともに、高周波パッケージ２０の内部に所望の密閉空間Ｓを形成する。

蓋体２３は、上述の密閉空間Ｓを維持できれば如何なる材料によって構成されてもよいが、例えば側壁２２と同一材料等の導体によって構成されることが好ましい。蓋体２３を導体によって構成することにより、ベース基板２１および側壁２２とともに、密閉空間Ｓを接地電位で囲い、密閉空間Ｓ内を電磁的にシールドすることができる。

また、このような高周波パッケージ２０は、各々が送信回路を構成する複数の第１の端子部２４を備える。複数の第１の端子部２４は、第１の入力端子部２４ａ、第１の出力端子部２４ｂ、および複数の電源制御端子部２４ｃ、によって構成される。

第１の入力端子部２４ａは、送受信モジュール１０の後段の分配合成器４（図１）から受け取った高周波信号を電力増幅用ＭＭＩＣ１１に出力する端子部である。また、第１の出力端子部２４ｂは、電力増幅用ＭＭＩＣ１１において増幅された高周波信号を受け取って、アンテナ２（図１）に出力する端子部である。

他方、各電源制御端子部２４ｃは、電力増幅用ＭＭＩＣ１１を駆動させるために必要なバイアス電圧等を電力増幅用ＭＭＩＣ１１に供給する端子部である。

図４は、図２の一点鎖線Ｙ−Ｙ´に沿って示す送受信モジュール１０の部分断面図である。図４に示すように、第１の入力端子部２４ａは、第１の誘電体ブロック２５、第１の誘電体ブロック２５の上面上に設けられたマイクロストリップ線路２６、および第１の誘電体ブロック２５の上面上の一部に、マイクロストリップ線路２６の一部を覆うように設けられた第２の誘電体ブロック２７、によって構成されている。第１、第２の誘電体ブロック２５、２７はそれぞれ例えばセラミックによって構成されており、マイクロストリップ線路２６は例えば金（Ａｕ）によって構成されている。

他の第１の端子部２４（第１の出力端子部２４ｂおよび電源制御端子部２４ｃ）も、第１の入力端子部２４ａと同様の構成となっている。

これらの送信回路の各第１の端子部２４は、図２および図３に示すように、実装部２１ａの周囲のベース基板２１の上面上に、側壁２２を貫通するように設けられている。なお、第１の端子部２４のうち、側壁２２の外部において露出するマイクロストリップ線路２６には、リード２８が設けられている。

図４に示すように、側壁２２のうち、第１の端子部２４に対応する位置にはそれぞれ凹部２２ａが設けられている。そして、各第１の端子部２４は、側壁２２の各凹部２２ａに嵌合するように、ベース基板２１の上面上に設けられている。

また、高周波パッケージ２０は、受信回路を構成する複数の第２の端子部２９および内部回路３０を備える。複数の第２の端子部２９は、第２の入力端子部２９ａおよび第２の出力端子部２９ｂである。また、内部回路３０は、高周波パッケージ２０の密閉空間Ｓ内において、第２の入力端子部２９ａと第２の出力端子部２９ｂとを電気的に接続する回路である。これらの受信回路は、送信回路から電気的に独立している。

第２の入力端子部２９ａは、アンテナ２（図１）から高周波信号を受け取る。第２の入力端子部２９ａにおいて受け取られた高周波信号は、内部回路３０において信号処理等がなされることなく、そのまま第２の出力端子部２９ｂに送られる。第２の出力端子部２９ｂは、この高周波信号を、送受信モジュール１０の後段の分配合成器４（図１）に出力する。

図４に示すように、第２の出力端子部２９ｂは、第３の誘電体ブロック３１、第３の誘電体ブロック３１の上面上に設けられたマイクロストリップ線路である配線パターン３２、および第３の誘電体ブロック３１の上面上の一部に、配線パターン３２の一部を覆うように設けられた第４の誘電体ブロック３３、によって構成されている。第３、第４の誘電体ブロック３１、３３はそれぞれ例えばセラミックによって構成されており、配線パターン３２は例えば金（Ａｕ）によって構成されている。なお、第２の入力端子部２９ａも、第２の出力端子部２９ｂと同様の構成となっている。

これらの第２の端子部２９は、図２および図３に示すように、実装部２１ａの周囲のベース基板２１の上面上に、側壁２２を貫通するように設けられている。なお、各第２の端子部２９において、側壁２２の外部において露出する配線パターン３２には、リード３４が設けられている。

図４に示すように、側壁２２のうち、第２の端子部２９に対応する位置にも、第１の端子部２４に対応する位置に設けられた凹部２２ａと同様に、凹部２２ｂが設けられている。そして、各第２の端子部２９は、側壁２２の各凹部２２ｂに嵌合するように、ベース基板２１の上面上に設けられている。

他方、内部回路３０は、側壁２２で囲まれた高周波パッケージ２０の密閉空間Ｓ内に備えられており、ベース基板２１の上面上に設けられた、厚さｄ１が一定の誘電体基板３５、および誘電体基板３５の上面上に設けられたマイクロストリップ線路である配線パターン３６、によって構成されている。

誘電体基板３５は、第２の入力端子部２９ａおよび第２の出力端子部２９ｂの第３の誘電体ブロック３１を高周波パッケージ２０の密閉空間Ｓ内に延在させることによって構成されており、同様に、配線パターン３６も、第２の入力端子部２９ａおよび第２の出力端子部２９ｂの配線パターン３２を高周波パッケージ２０の密閉空間Ｓ内に延在させることによって構成されている。すなわち、第２の入力端子部２９ａ、第２の出力端子部２９ｂ、および内部回路３０は、一体的に構成することによって受信回路を構成している。

ここで、受信回路のうち、側壁２２の凹部２２ｂで囲われた部分、および側壁２２の外部において露出する部分を、第２の端子部２９（第２の入力端子部２９ａおよび第２の出力端子部２９ｂ）と称し、受信回路のうち、高周波パッケージ２０の密閉空間Ｓ内の部分を、内部回路３０と称する。

このような高周波パッケージ２０の密閉空間Ｓ内において、ベース基板２１の実装部２１ａには、第１の入力端子部２４ａおよび第１の出力端子部２４ｂに接続されることによって、これらの端子部２４ａ、２４ｂとともに送信回路を構成する電力増幅用ＭＭＩＣ１１が、例えば金錫半田等の導電性接着剤（不図示）によって固定されている。そして、電力増幅用ＭＭＩＣ１１は、複数の第１の端子部２４のマイクロストリップ線路２６と、金ワイヤ等の導体３７によって電気的に接続されている。このようにして、電力増幅用ＭＭＩＣ１１は、送信回路の一部を構成するが、受信回路とは電気的に独立している。

ここで、はじめに、図５を参照して、受信回路を備える第１の比較例に係る送受信モジュールについて説明する。図５は、第１の比較例に係る送受信モジュールを模式的に示す上面図である。なお、図５において、本実施形態と同一部分について同一符号を付している。

図５に示すように、第１の比較例に係る送受信モジュール１００において、高周波パッケージ２００には、電力増幅用ＭＭＩＣ１１を含む送信回路が備えられている。そして、受信回路３００は、高周波パッケージ２００の外部に近接配置される。なお、受信回路３００は、基板３０１、基板３０１の上面上に設けられた誘電体３０２、および誘電体３０２の上面上に設けられた配線パターン３０３、によって構成されている。

この送受信モジュール１００は、基体（不図示）に対して高周波パッケージ２００と受信回路３００とをそれぞれねじ止めすることによって、基体に実装される。このため、高周波パッケージ２００のベース基板２１にはねじ溝３８が設けられており、受信回路３００の基板３０１にもねじ溝３０４が設けられている。

このように、第１の比較例に係る送受信モジュール１００においては、高周波パッケージ２００と受信回路３００とが別部品であるため、高周波パッケージ２００のベース基板２１および受信回路３００の基板３０１の両方にそれぞれねじ溝３８、３０４を設ける必要がある。

次に、図６Ａおよび図６Ｂを参照して、受信回路を備える第２の比較例に係る送受信モジュールについて説明する。図６Ａは、第２の比較例に係る送受信モジュールを模式的に示す上面図であり、図６Ｂは、図６Ａの一点鎖線Ｚ−Ｚ´に沿って示す送受信モジュールの断面図である。なお、図６Ａおよび図６Ｂにおいて、本実施形態と同一部分について同一符号を付している。

図６Ａおよび図６Ｂに示すように、第２の比較例に係る送受信モジュール４００は、受信回路の大部分が高周波パッケージ５００の内部に設けられている点において、第１の比較例に係る送受信モジュール１００と異なっている。以下に、第２の比較例に係る送受信モジュール４００の受信回路について、より詳細に説明する。

第２の比較例に係る送受信モジュール４００において、受信回路は、高周波パッケージ５００の内部に設けられた内部回路６００と、この内部回路６００によって互いに電気的に接続される複数の第２の端子部２９（第２の入力端子部２９ａおよび第２の出力端子部２９ｂ）と、によって構成されている。なお、内部回路６００は、高周波パッケージ５００の内部において露出するベース基板２１の上面上に設けられた誘電体基板６０１、および誘電体基板６０１の上面上に設けられた配線パターン６０２、によって構成されている。複数の第２の端子部２９と内部回路６００とが一体的に設けられている点については、本実施形態と同様である。

このような第２の比較例に係る送受信モジュール４００において、受信回路の大部分は、高周波パッケージ５００の内部に設けられている。したがって、受信回路を実装するためのねじ溝が不要となり、第１の比較例に係る送受信モジュール１００と比較して、パッケージを小型化することができる。

しかしながら、第２の比較例に係る送受信モジュール４００において、内部回路６００の配線パターン６０２の幅Ｗ´は、配線パターン６０２の長さ、配線パターン６０２が持つインダクタンスＬ、および配線パターン６０２とベース基板２１との間の容量Ｃ１、を考慮して、配線パターン６０２のインピーダンスが所望のインピーダンス（例えば５０Ω）となるように設計された幅である。このように、配線パターン６０２と側壁２２との距離ｄ２´は、配線パターン６０２の幅Ｗ´を決定する際のパラメータとして用いられていない。通常、距離ｄ２´は、誘電体基板６０１の厚さｄ１より長くなっており、配線パターン６０２と側壁２２との間に、実質的に容量は発生していなかった。

次に、図７Ａおよび図７Ｂを参照して、本実施形態に係る送受信モジュール１０の受信回路の内部回路３０についてさらに詳細に説明する。図７Ａは、図２の一点鎖線Ｚ−Ｚ´に沿って示す送受信モジュール１０の部分断面図である。また、図７Ｂは、図７Ａの一部を拡大して示す部分断面図である。

図７Ａおよび図７Ｂに示すように、本実施形態に係る送受信モジュール１０において、内部回路３０の配線パターン３６は、側壁２２に近い位置において、側壁２２との距離ｄ２が場所によらず一定となるように設けられている。具体的に、配線パターン３６は、側壁２２との距離ｄ２が、誘電体基板３５の厚さｄ１より短くなる位置において、側壁２２との距離ｄ２が場所によらず一定となるように設けられている。

このように側壁２２に近い位置に配線パターン３６を形成した場合、配線パターン３６と側壁２２との間にも容量Ｃ２が発生する。この場合、配線パターン３６の幅Ｗ１は、配線パターン３６の長さ、配線パターン３６が持つインダクタンスＬ、配線パターン３６とベース基板２１との間の容量Ｃ１、および配線パターン３６と側壁２２との間の容量Ｃ２、を考慮して、配線パターン３６のインピーダンスが所望のインピーダンス（例えば５０Ω）となるように設計される。このため、配線パターン３６の幅Ｗ１は、第２の比較例の配線パターン６０２の幅Ｗ´より狭くすることができる。

すなわち、配線パターン３６の単位長さあたりの特性インピーダンスは、{Ｌ／（Ｃ１＋Ｃ２）}^１／２によって決定される。これに対して、第２の比較例の配線パターン６０２の単位長さあたりの特性インピーダンスは、{Ｌ／Ｃ１}^１／２によって決定される。これらを比較すると明らかなように、本実施形態の配線パターン３６の単位長さあたりの特性インピーダンスは、第２の比較例の配線パターン６０２の単位長さあたりの特性インピーダンスより小さくなっている。

一方で、配線パターン３６のインピーダンスは、所望のインピーダンス（例えば５０Ω）となるように設計する必要がある。したがって、容量Ｃ２の発生に伴う配線パターン３６の特性インピーダンスの減少分を相殺するために、配線パターン３６の幅Ｗ１を、第２の比較例の配線パターン６０２の幅Ｗ´より狭くすることができる。

なお、本実施形態において、配線パターン３６は、側壁２２との距離ｄ２が場所によらず常に一定となるように設けられている。その結果、配線パターン３６中においてインピーダンスが変化することを抑制でき、受信回路の入出力特性を向上させることができる。

さらに、本実施形態において、誘電体基板３５は、側壁２２に接触するように設けられている。その結果、配線パターン３６と側壁２２との間の誘電率を向上させることができ、容量Ｃ２を大きくすることができる。その結果、配線パターン３６の単位長さあたりの特性インピーダンスをさらに小さくすることができる。このため、配線パターン３６の幅Ｗ１をさらに狭くすることができる。

以上に説明した第１の実施形態に係る高周波パッケージ２０および送受信モジュール１０によれば、側壁２２からの距離ｄ２が誘電体基板３５の厚さｄ１より小さくなる位置に、内部回路３０の配線パターン３６が設けられている。この結果、配線パターン３６の幅を狭くすることができる。したがって、高周波パッケージ２０および送受信モジュール１０を小型化することができる。

さらに、このような小型の送受信モジュール１０を適用することにより、レーダ装置１のアンテナ２の間隔を狭くすることができる。したがって、レーダ装置１の動作周波数の高周波数化がすることができる。

＜第２の実施形態＞
図８は、第２の実施形態に係る送受信モジュールを示す図であって、図７Ａに対応する断面図である。なお、以下の説明において、第１の実施形態と同一部分については同一符号を付し、その説明を省略する。

図８に示すように、第２の実施形態に係る送受信モジュールの受信回路を構成する内部回路４０において、誘電体基板４１は、場所によって厚さが異なっている。すなわち、上面上に配線パターン４２が設けられている領域の誘電体基板４１の厚さはｄ１であるが、側壁２２と配線パターン４２との間にも誘電体基板４１が介在するように、この領域の厚さはｄ１より厚くなっている。

このような誘電体基板４１を設けることにより、側壁２２と配線パターン４２との間の容量Ｃ３をＣ２より大きくすることができ、配線パターン４２の幅Ｗ２をＷ１より狭くすることができる。

なお、図９に示すように、内部回路５０は、厚さｄ１が一定の誘電体基板５１、誘電体基板５１の上面上に設けられた配線パターン５２、および誘電体基板５１の上面上に、配線パターン５２を覆うように設けられた誘電体５３、によって構成されてもよい。この場合であっても、側壁２２と配線パターン５２との間の容量Ｃ４をＣ２より大きくすることができ、配線パターン５２の幅Ｗ３をＷ１より狭くすることができる。

以上に説明した第２の実施形態に係る高周波パッケージおよび送受信モジュールにおいても、側壁２２からの距離ｄ２が誘電体基板４１（５１）の厚さｄ１より小さくなる位置に、内部回路４０（５０）の配線パターン４２（５２）が設けられている。この結果、配線パターン４２（５２）の幅Ｗ２（Ｗ３）を狭くすることができる。したがって、高周波パッケージおよび送受信モジュールを小型化することができる。

そして、このような小型の送受信モジュールを適用することにより、レーダ装置１のアンテナ２の間隔を狭くすることができる。したがって、レーダ装置１の動作周波数の高周波数化がすることができる。

さらに、第２の実施形態に係る高周波パッケージおよび送受信モジュールによれば、第１の実施形態に係る高周波パッケージ２０および送受信モジュール１０と比較して、側壁２２と配線パターン４２（５２）との間の容量Ｃ３（Ｃ４）をさらに大きくすることができる。この結果、配線パターン４２（５２）の幅Ｗ２（Ｗ３）をさらに狭くすることができる。この結果、高周波パッケージおよび送受信モジュールを小型化することができる。

そして、このような小型の送受信モジュールを適用することにより、レーダ装置１のアンテナ２の間隔をさらに狭くすることができ、レーダ装置１の動作周波数のさらなる高周波数化が可能となる。

以上に、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１・・・レーダ装置
２・・・アンテナ
３・・・位相器
４・・・分配合成器
５・・・信号処理回路
６・・・指向制御部
１０、１００、４００・・・送受信モジュール
１１・・・電力増幅用ＭＭＩＣ
２０、２００、５００・・・高周波パッケージ
２１・・・ベース基板
２１ａ・・・実装部
２２・・・側壁
２２ａ、２２ｂ・・・凹部
２３・・・蓋体
２４・・・第１の端子部
２４ａ・・・第１の入力端子部
２４ｂ・・・第１の出力端子部
２４ｃ・・・電源制御端子部
２５・・・第１の誘電体ブロック
２６・・・マイクロストリップ線路
２７・・・第２の誘電体ブロック
２８・・・リード
２９・・・第２の端子部
２９ａ・・・第２の入力端子部
２９ｂ・・・第２の出力端子部
３０、４０、５０、６００・・・内部回路
３１・・・第３の誘電体ブロック
３２・・・配線パターン
３３・・・第４の誘電体ブロック
３４・・・リード
３５、４１、５１、６０１・・・誘電体基板
３６、４２、５２、６０２・・・配線パターン
３７・・・導体
３８・・・ねじ溝
５３・・・誘電体
３００・・・受信回路
３０１・・・基板
３０２・・・誘電体
３０３・・・配線パターン
３０４・・・ねじ溝

Claims (6)

1. 上面上に高周波半導体チップを配置可能なベース基板と、
   前記ベース基板の上面上に設けられた側壁と、
   前記側壁を貫通するように設けられ、前記高周波半導体チップと電気的に接続することができる第１の端子部と、
   前記側壁で囲われた前記ベース基板の上面上に設けられた誘電体基板、および前記誘電体基板の上面上に設けられた配線パターン、によって構成され、前記ベース基板に配置される前記高周波半導体チップから電気的に独立する内部回路と、
   前記側壁を貫通するように設けられ、前記内部回路に電気的に接続される第２の端子部と、
   を具備し、
   前記配線パターンは、前記配線パターンと前記側壁との距離が、前記誘電体基板の厚さよりも小さくなる位置に設けられた、高周波パッケージ。
2. 前記誘電体基板は、前記側壁に接触している、請求項１に記載の高周波パッケージ。
3. 前記配線パターンと前記側壁との間に、さらに誘電体が介在している、請求項１または２に記載の高周波パッケージ。
4. 前記配線パターンと前記側壁との距離は、場所によらず一定である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の高周波パッケージ。
5. ベース基板と、
   前記ベース基板の上面上に配置された高周波半導体チップと、
   前記ベース基板の上面上に、前記高周波半導体チップを囲うように設けられた側壁と、
   前記側壁を貫通するように設けられ、前記高周波半導体チップと電気的に接続される第１の端子部と、
   前記側壁で囲われた前記ベース基板の上面上に設けられた誘電体基板、および前記誘電体基板の上面上に設けられた配線パターン、によって構成され、前記高周波半導体チップから電気的に独立する内部回路と、
   前記側壁を貫通するように設けられ、前記内部回路に電気的に接続される第２の端子部と、
   を具備し、
   前記配線パターンは、前記配線パターンと前記側壁との距離が、前記誘電体基板の厚さよりも小さくなる位置に設けられた、送受信モジュール。
6. 複数のアンテナと、
   前記複数のアンテナのそれぞれに、位相器を介して電気的に接続された送受信モジュールと、
   前記複数の送受信モジュールが並列に接続される分配合成器と、
   前記分配合成器に接続され、前記複数のアンテナにおいて受信された高周波信号に対して信号処理を行う信号処理部と、
   を備え、
   前記複数の送受信モジュールの各々は、
   ベース基板と、
   前記ベース基板の上面上に配置された高周波半導体チップと、
   前記ベース基板の上面上に、前記高周波半導体チップを囲うように設けられた側壁と、
   前記側壁を貫通するように設けられ、前記高周波半導体チップと電気的に接続される第１の端子部と、
   前記側壁で囲われた前記ベース基板の上面上に設けられた誘電体基板、および前記誘電体基板の上面上に設けられた配線パターン、によって構成され、前記高周波半導体チップから電気的に独立する内部回路と、
   前記側壁を貫通するように設けられ、前記内部回路に電気的に接続される第２の端子部と、
   を具備し、
   前記配線パターンは、前記配線パターンと前記側壁との距離が、前記誘電体基板の厚さよりも小さくなる位置に設けられた、レーダ装置。

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