JP6528352B2 - 積層板の製造方法、プリント配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、積層板の製造方法、プリント配線基板の製造方法、絶縁層付きプラスチックフィルム、積層板、プリント配線基板および半導体装置に関する。

多層プリント配線基板用の積層板の製造方法として、コア層である回路基板上に絶縁層と回路層とを交互に積み重ねるビルドアップ方式による製造方法が知られている。この方法によれば、絶縁層形成には、例えば、プラスチックフィルム上に絶縁層が形成された絶縁層付きプラスチックフィルムが使用される。この絶縁層付きプラスチックフィルムをコア層にラミネート（積層）し、プラスチックフィルムを剥離することにより、積層板が得られる。

特許文献１（特開２０１１−１１１５７５）には、層間絶縁層を形成する熱硬化性樹脂を塗布するための支持体として使用されるポリエステルフィルムが記載されている。このポリエステルフィルムは、少なくとも２層のポリエステル層からなる共押出積層ポリエステルフィルムである。一方のポリエステルフィルム表面の中心平均粗さＲａが３０ｎｍ以下であり、十点平均粗さＲｚが２００ｎｍ以下であり、もう一方のポリエステルフィルム表面の中心平均粗さＲａが１０〜５０ｎｍである。また、フィルムのたるみ量が１５ｍｍ／ｍ以下であり、フィルムの厚さが２０〜１００μｍである。

特開２０１１−１１１５７５号公報

特許文献１に記載されているようなプラスチックフィルムを用いて得られる積層板は、微細配線加工性に劣る場合があった。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、微細配線加工性に優れたプリント配線基板用積層板を提供するものである。

本発明者らは、微細配線加工性に優れたプリント配線基板用積層板を提供するために鋭意検討したところ、微細配線加工性に劣る積層板はプラスチックフィルムの剥離面に微細な凹みが生じていることを明らかにした。積層板の表面に微細な凹みがあると、金属めっき膜が剥れやすいため、上手く微細配線加工ができないと推察した。また、積層板の表面に微細な凹みがあると、微細配線加工の際に、エッチング液が配線の下部にまわりこんで、配線をエッチングしてしまうことも要因と考えられる。
そこで、本発明者らは、プラスチックフィルムの表面粗さＲａやＲｚを調整することを検討した。
しかし、本発明者らは、プラスチックフィルムの表面粗さＲａやＲｚを単に調整するだけでは微細配線加工性を改善することができないことを明らかにした。
そこで、本発明者らは、微細配線加工性を向上させるための設計指針についてさらに鋭意検討した。その結果、プラスチックフィルムの絶縁層と接する側の面の突出山部高さ（Ｒｐｋ）を特定の範囲とすることで、微細配線加工性に優れた積層板を安定的に生産することができることを見出し、本発明を完成させた。

すなわち、本発明によれば、
絶縁層とプラスチックフィルムとが積層されてなる絶縁層付きプラスチックフィルムと、片面または両面に回路層を有する基板と、を準備する工程と、
上記絶縁層付きプラスチックフィルムの上記絶縁層側の表面を、上記基板の上記回路層側の表面に向けながら、上記基板の上記回路層上に上記絶縁層付きプラスチックフィルムを積層して積層体を得る工程と、
前記積層体の表面を平滑化する平滑化工程と、
得られた上記積層体から上記プラスチックフィルムを剥離する工程と、
を含む、プリント配線基板の製造に用いられる積層板の製造方法であって、
前記絶縁層が、熱硬化性樹脂組成物からなる絶縁樹脂層、繊維基材に前記熱硬化性樹脂組成物を含浸させて形成されたプリプレグまたは前記プリプレグの硬化体であり、
前記積層体を得る工程を完了した段階における前記絶縁層の動的粘弾性試験による、測定範囲５０〜２００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃでの複素動的粘度の極小値をη１としたとき、
η１が２０Ｐａ・ｓ以上３００Ｐａ・ｓ以下であり、
前記平滑化工程を完了した段階における前記絶縁層の動的粘弾性試験による、測定範囲５０〜２００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃでの複素動的粘度の極小値をη２としたとき、
η２が１００Ｐａ・ｓ以上であり、
ＪＩＳ Ｂ０６７１−２：２００２（ＩＳＯ１３５６５−２：１９９６）により規定される、上記プラスチックフィルムの上記絶縁層と接する側の表面の突出山部高さ（Ｒｐｋ）が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、積層板の製造方法が提供される。

この発明によれば、プラスチックフィルムの突出山部高さ（Ｒｐｋ）を５ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることで、プラスチックフィルム表面に不規則に突発的に存在する凸部の数を減らすことができる。そのため、その凸部に起因する積層板表面の微細な凹部の発生を抑制できる。
したがって、本発明においては、微細配線加工性に優れた積層板を安定的に生産することができる。

また、本発明によれば、
上記積層板の製造方法により積層板を得る工程と、
上記積層板の上記プラスチックフィルムを剥離した表面上に、金属めっき膜を形成する工程と、
を含む、プリント配線基板の製造方法が提供される。

また、本発明によれば、
プリント配線基板の製造に用いられる積層板を構成する絶縁層を形成するための絶縁層付きプラスチックフィルムであって、
絶縁層とプラスチックフィルムとが積層されており、
ＪＩＳ Ｂ０６７１−２：２００２（ＩＳＯ１３５６５−２：１９９６）により規定される、前記プラスチックフィルムの前記絶縁層と接する表面の突出山部高さ（Ｒｐｋ）が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、
前記絶縁層の前記プラスチックフィルムと接する側の表面は、前記プラスチックフィルムが剥離される剥離面である、絶縁層付きプラスチックフィルムが提供される。

また、本発明によれば、
片面または両面に回路層を有する基板と、
上記基板の回路層上に設けられた、上記絶縁層付きプラスチックフィルムを構成する上記絶縁層と
を備える積層板が提供される。

また、本発明によれば、
上記積層板の上記絶縁層の表面上に回路層が設けられている、プリント配線基板が提供される。

また、本発明によれば、
上記プリント配線基板の上記回路層上に半導体素子を搭載した、半導体装置が提供される。

本発明によれば、微細配線加工性に優れたプリント配線基板用積層板を提供できる。

本実施形態における積層板の製造工程を示す断面図である。 本実施形態における絶縁層付きプラスチックフィルムの構成を示す断面図である。 本実施形態におけるプリント配線基板の構成の一例を示す断面図である。 本実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

本実施形態における積層板の製造方法の概要について説明する。図１は、本実施形態における積層板１００の製造工程を示す断面図である。図２は、本実施形態における絶縁層付きプラスチックフィルム２００の構成を示す断面図である。

本実施形態における積層板１００は、片面または両面に回路層１０５を有する基板１０７と、基板１０７の回路層１０５上に設けられた絶縁層付きプラスチックフィルム２００を構成する絶縁層１０１とを備える。
はじめに、絶縁層１０１とプラスチックフィルム１０３とが積層されてなる絶縁層付きプラスチックフィルム２００と、片面または両面に回路層１０５を有する基板１０７と、を準備する（図１（ａ））。つづいて、絶縁層付きプラスチックフィルム２００の絶縁層１０１側の表面を、基板１０７の回路層１０５側の表面に向けながら、基板１０７の回路層１０５上に絶縁層付きプラスチックフィルム２００を積層して積層体１５０を得る（図１（ｂ））。その後、得られた積層体１５０からプラスチックフィルム１０３を剥離する（図１（ｃ））。これらの工程を含むことにより、積層板１００を得ることができる（図１（ｃ））。
絶縁層１０１のプラスチックフィルム１０３と接する側の表面（プラスチックフィルム１０３の剥離面）が、その上に回路層３０１が形成される表面である。

ここで、ＪＩＳ Ｂ０６７１−２：２００２（ＩＳＯ１３５６５−２：１９９６）により規定される、プラスチックフィルム１０３の絶縁層１０１と接する側の表面の突出山部高さ（Ｒｐｋ）が５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、そして５０ｎｍ以下であり、好ましくは４５ｎｍ以下である。
プラスチックフィルム１０３の上記Ｒｐｋが上記上限値以下であることにより、得られる積層板１００中の絶縁層１０１表面に微細な凹部が発生するのを抑制できる。その結果、微細配線加工性に優れた積層板１００を安定的に生産することができる。また、プラスチックフィルム１０３の上記Ｒｐｋが上記下限値以上であると、絶縁層１０１とプラスチックフィルム１０３との滑り性を向上できるため、絶縁層付きプラスチックフィルム２００の巻取り性が優れる。
本実施形態において、プラスチックフィルム１０３の表面にシリカを薄くコートすること、このシリカの粒度分布や粒子系、添加量を調整すること等が上記Ｒｐｋを制御するための因子として挙げられる。

つづいて、本実施形態における積層板１００を構成する各材料について説明する。

基板１０７は、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板などの基板の片面または両面に回路層１０５を有するものをいう。また、基板１０７は、さらに、ビルドアップ層を含んでいてもよい。

基板１０７の製造方法は、とくに限定されないが、例えば両面に金属箔を有する絶縁層を用い、ドリル機で所定のところを開孔して、無電解めっきにより絶縁層の両面の導通を図る。そして、金属箔をエッチングすることにより回路層１０５を形成する。なお、内層回路部分は、黒化処理などの粗化処理を施したものを好適に用いることができる。また開口部は、導体ペースト、または樹脂ペーストで適宜埋めることができる。

図２は、本実施形態における絶縁層付きプラスチックフィルム２００の構成を示す断面図である。絶縁層付きプラスチックフィルム２００は、絶縁層１０１とプラスチックフィルム１０３とが積層されてなる。

絶縁層１０１は、例えば、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）からなる絶縁樹脂層、繊維基材に熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を含浸させて形成されたプリプレグまたは上記プリプレグの硬化体等が挙げられる。プリプレグは、例えば、繊維基材に熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を含浸させ、その後、半硬化させて得られるシート状の材料である。
絶縁層１０１の厚みは、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下である。

絶縁層１０１に用いられる熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、熱硬化性樹脂（Ａ）を含む。
熱硬化性樹脂（Ａ）としては特に限定されないが、低線膨張率および高弾性率を有し、熱衝撃性の信頼性に優れたものであることが好ましい。
具体的な熱硬化性樹脂（Ａ）として、例えば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミド樹脂、ベンゾオキサジン樹脂等が挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。

上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。エポキシ樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。

エポキシ樹脂の含有量は特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、好ましくは１５質量％以上６０質量％以下であり、より好ましくは２５質量％以上５０質量％以下である。

上記シアネート樹脂の種類としては特に限定されないが、例えばノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂；ナフトールアラルキル型フェノール樹脂と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂；ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂；ビフェニルアルキル型シアネート樹脂などを挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂、ナフトールアラルキル型シアネート樹脂が好ましく、ノボラック型シアネート樹脂がより好ましい。ノボラック型シアネート樹脂を用いることにより、得られる絶縁層１０１の架橋密度が増加し、耐熱性が向上する。
シアネート樹脂の含有量は特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分を１００質量％としたとき、好ましくは１質量％以上３０質量％以下であり、より好ましくは５質量％以上２５質量％以下である。

上記ビスマレイミド樹脂としては、特に限定されないが、例えば、４，４'−ジフェニルメタンビスマレイミド、ｍ−フェニレンビスマレイミド、ｐ−フェニレンビスマレイミド、２，２'−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、４−メチル−１，３−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−エチレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレンジマレイミド等が挙げられる。
ポリマレイミドとしては、ポリフェニルメタンマレイミド等が挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用することもできる。これらのビスマレイミド樹脂の中でも、低吸水率である点などから、４，４'−ジフェニルメタンビスマレイミド、２，２'−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタンが好ましい。
ビスマレイミド樹脂の含有量は特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分を１００質量％としたとき、好ましくは１質量％以上３０質量％以下であり、より好ましくは５質量％以上２５質量％以下である。

熱硬化性樹脂（Ａ）としては、シアネート樹脂またはビスマレイミド樹脂とエポキシ樹脂との組み合わせを含むことが好ましい。

熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量は特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分を１００質量％としたとき、１０質量％以上８０質量％以下が好ましく、２０質量％以上６０質量％以下がより好ましい。熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量が上記下限値以上であると、ハンドリング性が向上する。熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量が上記上限値以下であると、得られる積層板１００の強度、難燃性および低熱膨張性を向上できる。

熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、無機充填材（Ｂ）を含むことが好ましい。これにより、得られる積層板１００の機械強度および剛性を向上させることができる。さらに、得られる積層板１００の線膨張係数を小さくすることができる。
無機充填材（Ｂ）としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカなどの酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用することもできる。

これらの中でも、とくにシリカが好ましく、溶融シリカ（とくに球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材への含浸性を確保するために熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の溶融粘度を下げるには球状シリカを使うなど、その目的にあわせた使用方法が採用される。

無機充填材（Ｂ）の平均粒子径は特に限定されないが、好ましくは０．０１μｍ以上３μｍ以下であり、より好ましくは０．０２μｍ以上１μｍ以下である。無機充填材（Ｂ）の平均粒子径を上記下限値以上とすることで、ワニスを低粘度にし、繊維基材に熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を良好に含浸させることができる。また、上記上限値以下とすることで、ワニス中で無機充填材（Ｂ）の沈降などを抑制することができる。
無機充填材（Ｂ）の平均粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ_５０）を平均粒子径とすることができる。

また、無機充填材（Ｂ）は特に限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いることもできるし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いることもできる。さらに平均粒子径が単分散および／または、多分散の無機充填材を１種類または２種類以上を併用することもできる。

さらに、平均粒子径３μｍ以下の球状シリカ（とくに球状溶融シリカ）が好ましく、とくに平均粒子径０．０２μｍ以上１μｍ以下の球状溶融シリカが好ましい。これにより、無機充填材（Ｂ）の充填性を向上させることができる。

無機充填材（Ｂ）の含有量は特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分を１００質量％としたとき、好ましくは２質量％以上７０質量％以下であり、より好ましくは５質量％以上６５質量％以下である。

熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、カップリング剤（Ｃ）を含んでもよい。カップリング剤（Ｃ）は、熱硬化性樹脂（Ａ）と、無機充填材（Ｂ）との界面の濡れ性を向上させることにより、繊維基材に対して熱硬化性樹脂（Ａ）および無機充填材（Ｂ）を均一に定着させ、得られる積層板１００の耐熱性、とくに吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。

カップリング剤（Ｃ）としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、無機充填材（Ｂ）の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって得られる積層板１００の耐熱性をより向上させることできる。

カップリング剤（Ｃ）の添加量は無機充填材（Ｂ）の比表面積に依存するので特に限定されないが、無機充填材（Ｂ）１００質量部に対して０．０５質量部以上３質量部以下が好ましく、０．１質量部以上２質量部以下が特に好ましい。

熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、フェノール系硬化剤（Ｄ）を含んでもよい。フェノール系硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ポリビニルフェノール類などを単独あるいは２種以上組み合わせて使用することができる。

フェノール系硬化剤（Ｄ）の配合量は、エポキシ樹脂との当量比（フェノール性水酸基当量／エポキシ基当量）が０．１以上１．０以下であると好ましい。これにより、未反応のフェノール系硬化剤の残留がなくなり、吸湿耐熱性が向上する。

熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）には、必要に応じて硬化触媒（Ｅ）を用いてもよい。硬化触媒（Ｅ）としては公知の物を用いることができる。例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンなどの３級アミン類、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸などが挙げられる。硬化触媒として、これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用することもできる。

硬化触媒（Ｅ）の含有量は特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分を１００質量％としたとき、例えば、０．０５質量％以上３．０質量％以下である。

絶縁層１０１と回路層１０５または３０１（図３参照）との密着性を向上させる観点から、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、フェノキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリフェニレンオキサイド、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリビニルアセタールなどの熱可塑性樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体などのポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどの熱可塑性エラストマー、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、メタクリル変性ポリブタジエンなどのジエン系エラストマーを含んでもよい。

また、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）には、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤などの上記成分以外の添加物を添加してもよい。

熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を含浸させる繊維基材としては特に限定されないが、ガラス織布、ガラス不織布などのガラス繊維基材；ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維などのポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維などのポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維のいずれかを主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材；クラフト紙、コットンリンター紙、あるいはリンターとクラフトパルプの混抄紙などを主成分とする紙基材などが挙げられる。これらのうち、いずれかを使用することができる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、低吸水性で、高強度、低熱膨張性の積層板１００を得ることができる。

繊維基材の厚みは特に限定されないが、例えば、５μｍ以上１５０μｍ以下である。

プラスチックフィルム１０３としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムなどのポリエステルフィルム；ポリカーボネート（ＰＣ）フィルム、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）フィルム、環状ポリオレフィンフィルム、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）フィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリイミドフィルムなどが挙げられる。これらの中でもＰＥＴフィルム、ＰＥＮフィルムなどのポリエステルフィルムが好ましく、ＰＥＴフィルムがとくに好ましい。
プラスチックフィルム１０３の厚みは、例えば、２０μｍ以上７５μｍ以下である。

ＪＩＳ−Ｂ０６０１により規定される、プラスチックフィルム１０３の絶縁層１０１と接する側の表面の表面粗さ（Ｒａ）は特に限定されないが、プラスチックフィルム１０３と絶縁層１０１との接着性と剥離性のバランスの観点から、５ｎｍ以上２５ｎｍ以下であることが好ましい。

ＪＩＳ−Ｂ０６０１により規定される、プラスチックフィルム１０３の絶縁層１０１と接する側の表面の１０点平均粗さ（Ｒｚ）は特に限定されないが、プラスチックフィルム１０３と絶縁層１０１との接着性と剥離性のバランスの観点から、０．０５μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。

つづいて、絶縁層付きプラスチックフィルム２００の製造方法について詳細に説明する。
絶縁層付きプラスチックフィルム２００の製造方法は特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を溶剤に溶かして樹脂ワニスを調製し、各種コーターにより上記樹脂ワニスをプラスチックフィルム１０３に塗布して乾燥し、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）からなる絶縁樹脂層を形成する方法が挙げられる。これにより絶縁層１０１が熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）からなる絶縁樹脂層である絶縁層付きプラスチックフィルム２００を得ることができる。

また、絶縁層付きプラスチックフィルム２００の製造方法は特に限定されないが、以下の方法でも作製することができる。
まず、材料として、キャリア材料、繊維基材を用意する。また、装置として、真空ラミネート装置および熱風乾燥装置を用意する。キャリア材料は、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）からなる絶縁樹脂層とプラスチックフィルム１０３で構成される。キャリア材料は、例えばプラスチックフィルム１０３に熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の樹脂ワニスを塗工し、乾燥することにより得ることができる。

次いで、真空ラミネート装置を用いてキャリア材料、繊維基材およびキャリア材料をこの順で接合した接合体を形成する。真空ラミネート装置は、キャリア材料を巻き取ったロール、繊維基材を巻き取ったロールおよびラミネートロールを備える。減圧下で、繊維基材の両面に、各ロールから送り出されたキャリア材料を重ね合わせる。そして、例えば、真空中、加熱６０℃以上１５０℃以下で、重ね合わせた積層体をラミネートロールで接合する。これにより、絶縁層がプリプレグまたはプリプレグの硬化体である絶縁層付きプラスチックフィルム２００が得られる。

つづいて、積層板１００の製造方法の各工程について、それぞれ詳細に説明する。
まず、絶縁層付きプラスチックフィルム２００と、片面または両面に回路層１０５を有する基板１０７と、を準備する（図１（ａ））。
次いで、例えば、ロール状に巻回された絶縁層付きプラスチックフィルム２００をラミネーターに搬送するとともに、シート状の基板１０７を搬送し、絶縁層付きプラスチックフィルム２００の絶縁層１０１側の表面を、基板１０７の回路層１０５側の表面に向けながら、加熱加圧下、基板１０７の回路層１０５上に絶縁層付きプラスチックフィルム２００を積層して積層体１５０を得る（図１（ｂ））。

ここで、積層体１５０を得る工程を完了した段階における絶縁層１０１は、動的粘弾性試験による、測定範囲５０〜２００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃでの測定における、複素動的粘度の極小値η１が、好ましくは２０Ｐａ・ｓ以上であり、より好ましくは３０Ｐａ・ｓ以上であり、さらに好ましくは４０Ｐａ・ｓ以上である。複素動的粘度η１を上記下限値以上とすることにより、絶縁層１０１中の熱硬化性樹脂（Ａ）の流動性が大きくなりすぎないため、後述する平滑化工程において熱硬化性樹脂（Ａ）の染み出しを抑制しながら積層体１５０を平滑化できる。
また、積層体１５０を得る工程を完了した段階における絶縁層１０１は、動的粘弾性試験による、測定範囲５０〜２００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃでの測定における、複素動的粘度の極小値η１が、好ましくは３００Ｐａ・ｓ以下であり、より好ましくは２９０Ｐａ・ｓ以下であり、さらに好ましくは２８０Ｐａ・ｓ以下である。複素動的粘度η１を上記上限値以下とすることにより、絶縁層１０１中の熱硬化性樹脂（Ａ）の流動性を確保しながら積層体１５０の表面を平滑化できる。そのため、回路層１０５由来の凹凸が表面上に残らない積層板１００を安定的に得ることができる。

なお、積層体１５０を得る工程を完了した後、後述する平滑化工程をおこなう前の間も、絶縁層１０１は、積層体１５０に残っている熱によって反応が進む場合がある。したがって、上記の積層体１５０を得る工程を完了した段階とは、平滑化工程に入る直前の状態を表す。よって、絶縁層１０１は、積層体１５０を得る工程を完了した直後に上記の複素動的粘度η１を満たしている必要はなく、平滑化工程直前までに上記の複素動的粘度η１を満たせばよい。
なお、複素動的粘度η１は、積層体１５０表面の絶縁層１０１から測定サンプル（繊維基材は含まない）を切り出し、動的粘弾性測定装置を用いて測定することができる。

ラミネーターとしては、真空下で加熱および加圧するラミネーター（真空ラミネーター）を用いると好ましい。
加熱温度は、とくに限定されないが、８０℃以上が好ましく、９０℃以上がより好ましい。上記下限値以上とすることにより、動的粘弾性試験による複素動的粘度の極小値η１が２０Ｐａ・ｓ以上の絶縁層１０１をより一層効率良く得ることができる。また、加熱温度は、１５０℃以下が好ましく、１４０℃以下がより好ましい。上記上限値以下とすることにより、動的粘弾性試験による複素動的粘度の極小値η１が３００Ｐａ・ｓ以下の絶縁層１０１をより一層効率良く得ることができる。
加熱時間は、とくに限定されないが、１０秒以上が好ましく、３０秒以上がより好ましい。上記下限値以上とすることにより、動的粘弾性試験による複素動的粘度η１が２０Ｐａ・ｓ以上の絶縁層１０１をより一層効率良く得ることができる。また、加熱時間は、とくに限定されないが、５００秒以下が好ましく、３００秒以下がより好ましい。上記上限値以下とすることにより、動的粘弾性試験による複素動的粘度η１が３００Ｐａ・ｓ以下の絶縁層１０１をより一層効率良く得ることができる。
圧力は０．４ＭＰａ以上１．５ＭＰａ以下の範囲でおこなうことが好ましい。

上記のラミネーター工程は、市販されている真空ラミネーターを用いて実行することができる。例えば、ニチゴー・モートン社製ＣＶＰ−６００が備える真空加圧式ラミネーターまたはこれに同等なものを用いることができる。

積層体１５０を得る工程の後は、絶縁層１０１が軟化して回路層１０５に追従して凹凸に変形している場合がある。そこで、対向する一対の金属部材を介した熱プレスにより、積層体１５０の平滑化をおこなう。
平滑化工程は、大気圧下で、金属部材を介して、積層体１５０を加熱および加圧することにより行われる。

ここで、平滑化工程を完了した段階における絶縁層１０１は、動的粘弾性試験による、測定範囲５０〜２００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃでの複素動的粘度の極小値η２（以下、単に複素動的粘度η２と呼ぶ場合がある）が、η２≧η１×１．１を満たすことが好ましい。上記関係を満たすことにより、後の硬化工程において積層体１５０の膨れなどが起こりにくく、表面平滑性がより一層優れた積層板１００を得ることができる。また、上記関係を満たすことにより、硬化工程をより一層効率良くおこなうことができる。

また、平滑化工程を完了した段階における絶縁層１０１は、動的粘弾性試験による複素動的粘度の極小値η２が、１００Ｐａ・ｓ以上であることが好ましく、１５０Ｐａ・ｓ以上であることがさらに好ましく、２００Ｐａ・ｓ以上であることがとくに好ましい。複素動的粘度η２を上記下限値以上とすることにより、後の硬化工程において積層体１５０の膨れなどが起こりにくく、表面平滑性がより一層優れた積層板１００を得ることができる。また、上記関係を満たすことにより、硬化工程をより一層効率良くおこなうことができる。
また、平滑化工程を完了した段階における絶縁層１０１は、動的粘弾性試験による複素動的粘度の極小値η２が、５０，０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、１０，０００Ｐａ・ｓ以下であることがさらに好ましい。複素動的粘度η２を上記上限値以下とすることにより、応力ひずみの少ない状態で硬化工程を行うため、膨れが起こりにくい積層板１００を得ることができる。
なお、複素動的粘度η２は、絶縁層１０１から測定サンプル（繊維基材は含まない）を切り出し、動的粘弾性測定装置を用いて測定することができる。

このような平滑化工程は、市販されているホットプレス装置を用いて実行することができるが、例えば、ニチゴー・モートン社製ＣＶＰ−６００が備えるホットプレス装置またはこれに同等なものを用いることができる。

加熱温度は、とくに限定されないが、８０℃以上が好ましく、９０℃以上がより好ましい。上記下限値以上とすることにより、平滑化工程を完了した段階における動的粘弾性試験による複素動的粘度η２が１００Ｐａ・ｓ以上の絶縁層１０１をより一層効率良く得ることができる。また、加熱温度は１８０℃以下が好ましく、１７０℃以下がより好ましい。上記上限値以下とすることにより、動的粘弾性試験による複素動的粘度η２が５０，０００Ｐａ・ｓ以下の絶縁層１０１をより一層効率良く得ることができる。
加熱時間は、とくに限定されないが、１０秒以上が好ましく、３０秒以上がより好ましい。上記下限値以上とすることにより、平滑化工程を完了した段階における動的粘弾性試験による複素動的粘度η２が１００Ｐａ・ｓ以上の絶縁層１０１をより一層効率良く得ることができる。また、加熱時間は、とくに限定されないが、５００秒以下が好ましく、３００秒以下がより好ましい。上記上限値以下とすることにより、平滑化工程を完了した段階における動的粘弾性試験による複素動的粘度η２が５０，０００Ｐａ・ｓ以下の絶縁層１０１をより一層効率良く得ることができる。
圧力は０．４ＭＰａ以上１．５ＭＰａ以下の範囲でおこなうことが好ましい。

また、真空引きと加圧時間を合わせた積層体１５０を得る工程の時間と平滑化工程の時間とが等しいことが好ましい。こうすることで、積層体１５０を搬送するライン速度を一定にすることができるため、積層体１５０を得る工程と平滑化工程とを連続的に効率良くおこなうことができる。

平滑化工程の後は、積層体１５０をさらに加熱することにより絶縁層１０１を形成する熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を硬化させてもよい。硬化させる温度は、とくに限定されないが、例えば１００℃以上２５０℃以下の範囲で硬化させることができ、好ましくは１５０℃以上２００℃以下で硬化させることができる。硬化時間は、好ましくは３０分以上７５分以下程度とすることができる。
硬化工程は、通常は、大気圧下で積層体１５０を加熱することによりおこなわれる。

その後、得られた積層体１５０からプラスチックフィルム１０３を剥離する（図１（ｃ））。これにより、積層板１００を得ることができる。

次に、本実施形態に係るプリント配線基板３００について説明する。図３は、本実施形態におけるプリント配線基板３００の構成の一例を示す断面図である。

プリント配線基板３００は、例えば、積層板１００の絶縁層１０１の表面上に回路層３０１が設けられている。絶縁層１０１にはビアホール３０３が設けられている。なお、本実施形態において、ビアホール３０３とは層間を電気的に接続するための孔であり、貫通孔および非貫通孔いずれでもよい。

本実施形態に係るプリント配線基板３００は、片面プリント配線基板であってもよいし、両面プリント配線基板または多層プリント配線基板であってもよい。両面プリント配線基板とは、積層板１００の両面に回路層３０１を積層したプリント配線基板である。また、多層プリント配線基板とは、メッキスルーホール法やビルドアップ法などにより、積層板１００上に、層間絶縁層（ビルドアップ層とも呼ぶ。）を介して回路層３０１を２層以上積層したプリント配線基板である。
回路層３０１は、例えば、無電解金属めっき膜３０５と、電解金属めっき層３０７とを有する。

回路層３０１は、例えば、積層板１００のプラスチックフィルム１０３を剥離した表面上に金属めっき膜を形成し、その金属めっき膜を回路加工することにより形成することができる。

具体的には、回路層３０１は、絶縁層１０１の面上に、ＳＡＰ（セミアディティブプロセス）法により形成される。まず、絶縁層１０１上に無電解金属めっき膜３０５を施した後、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより電解金属めっき層３０７付けを行い、めっきレジストの除去とフラッシュエッチングによる無電解金属めっき膜３０５の除去により、絶縁層１０１上に回路層３０１を形成する。

つづいて、プリント配線基板３００の製造方法の一例について説明する。ただし、本実施形態に係るプリント配線基板３００の製造方法は、以下の例に限定されない。

はじめに、両面に金属箔を設けた積層板１００を準備する。
次いで、エッチング処理により、金属箔を除去する。

次いで、絶縁層１０１にビアホール３０３を形成する。ビアホール３０３は、例えば、ドリル機やレーザー照射を用いて形成することができる。レーザー照射に用いるレーザーは、エキシマレーザー、ＵＶレーザー、炭酸ガスレーザーなどが挙げられる。ビアホール３０３を形成後の樹脂残渣などは、過マンガン酸塩、重クロム酸塩などの酸化剤などにより除去してもよい。
なお、エッチング処理による金属箔の除去前に、絶縁層１０１にビアホール３０３を形成してもよい。

次いで、絶縁層１０１の表面に対して、薬液処理またはプラズマ処理を行う。
薬液処理としては、特に限定されず、有機物分解作用を有する酸化剤溶液などを使用する方法などが挙げられる。また、プラズマ処理としては、対象物となるものに直接酸化作用の強い活性種（プラズマ、ラジカルなど）を照射して有機物残渣を除去する方法などが挙げられる。

次に、回路層３０１を形成する。回路層３０１は、例えば、セミアディティブプロセスにより形成することができる。以下、具体的に説明する。

はじめに、無電解めっき法を用いて、絶縁層１０１の表面およびビアホール３０３に無電解金属めっき膜３０５を形成し、プリント配線基板３００の両面の導通を図る。またビアホール３０３は、導体ペースト、または樹脂ペーストで適宜埋めることができる。無電解めっき法の例を説明する。例えば、まず絶縁層１０１の表面上に触媒核を付与する。この触媒核としては、特に限定されないが、例えば、貴金属イオンやパラジウムコロイドを用いることができる。引き続き、この触媒核を核として、無電解めっき処理により無電解金属めっき膜３０５を形成する。無電解めっき処理には、例えば、硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウムなどを含むものを用いることができる。なお、無電解めっき後に、１００〜２５０℃の加熱処理を施し、めっき被膜を安定化させることが好ましい。１２０〜１８０℃の加熱処理が酸化を抑制できる被膜を形成できる点で、特に好ましい。また、無電解金属めっき膜３０５の平均厚さは、例えば、０．１〜２μｍ程度である。

次いで、無電解金属めっき膜３０５上に所定の開口パターンを有するめっきレジストを形成する。この開口パターンは、例えば回路パターンに相当する。めっきレジストとしては、特に限定されず、公知の材料を用いることができるが、液状およびドライフィルムを用いることができる。微細配線形成の場合には、めっきレジストとしては、感光性ドライフィルムなどを用いることが好ましい。感光性ドライフィルムを用いた一例を説明する。例えば、無電解金属めっき膜３０５上に感光性ドライフィルムを積層し、非回路形成領域を露光して光硬化させ、未露光部を現像液で溶解、除去する。硬化した感光性ドライフィルムを残存させることにより、めっきレジストを形成する。

次いで、少なくともめっきレジストの開口パターン内部かつ無電解金属めっき膜３０５上に、電気めっき処理により、電解金属めっき層３０７を形成する。電気めっき処理としては、特に限定されないが、通常のプリント配線基板で用いられる公知の方法を使用することができ、例えば、硫酸銅などのめっき液中に浸漬させた状態で、めっき液に電流を流すなどの方法を使用することができる。電解金属めっき層３０７は単層でもよく多層構造を有していてもよい。電解金属めっき層３０７の材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、銅合金、４２合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田のいずれか１種以上を用いることができる。

次いで、アルカリ性剥離液や硫酸または市販のレジスト剥離液などを用いてめっきレジストを除去する。

次いで、電解金属めっき層３０７が形成されている領域以外の無電解金属めっき膜３０５を除去する。例えば、ソフトエッチング（フラッシュエッチング）などを用いることにより、無電解金属めっき膜３０５を除去することができる。ここで、ソフトエッチング処理は、例えば、硫酸および過酸化水素を含むエッチング液を用いたエッチングにより行うことができる。これにより、回路層３０１を形成することができる。回路層３０１は無電解金属めっき膜３０５および電解金属めっき層３０７で構成されることになる。

さらに、プリント配線基板３００上に、必要に応じてビルドアップ層を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返すことにより、多層にすることができる。

以上により、本実施形態のプリント配線基板３００が得られる。

つづいて、本実施形態に係る半導体装置４００について説明する。図４は、本発明に係る実施形態の半導体装置４００の構成の一例を示す断面図である。
本実施形態に係る半導体装置４００は、例えば、プリント配線基板３００の回路層３０１上に半導体素子４０３を搭載したものである。図４に示すような半導体装置４００に用いることができる。半導体装置４００の製造方法としては、とくに限定されないが、例えば以下のような方法がある。

まず、回路層３０１上に、必要に応じてビルドアップ層を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返す。そして、必要に応じてソルダーレジスト層４０１をプリント配線基板３００の両面または片面に積層する。

ソルダーレジスト層４０１の形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストをラミネートし、露光、および現像することにより形成する方法、または液状レジストを印刷したものを露光、および現像により形成する方法によりなされる。

つづいて、リフロー処理を行なうことによって、半導体素子４０３を配線パターンの一部である接続端子上に半田バンプ４０５を介して固着させる。その後、半導体素子４０３、半田バンプ４０５などを封止材４０７で封止することによって、図４に示す様な半導体装置４００が得られる。

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば、本実施形態では、プリプレグが一層の場合を示したが、プリプレグを２層以上積層したものを用いて絶縁層１０１を作製してもよい。
また、上記実施形態では、半導体素子４０３と、プリント配線基板３００とを半田バンプ４０５で接続したが、これに限られるものではない。例えば、半導体素子４０３とプリント配線基板３００とをボンディングワイヤで接続してもよい。
以下、本発明の参考形態の一例を示す。
＜１＞
絶縁層とプラスチックフィルムとが積層されてなる絶縁層付きプラスチックフィルムと、片面または両面に回路層を有する基板と、を準備する工程と、
前記絶縁層付きプラスチックフィルムの前記絶縁層側の表面を、前記基板の前記回路層側の表面に向けながら、前記基板の前記回路層上に前記絶縁層付きプラスチックフィルムを積層して積層体を得る工程と、
得られた前記積層体から前記プラスチックフィルムを剥離する工程と、
を含む、プリント配線基板の製造に用いられる積層板の製造方法であって、
ＪＩＳ Ｂ０６７１−２：２００２（ＩＳＯ１３５６５−２：１９９６）により規定される、前記プラスチックフィルムの前記絶縁層と接する側の表面の突出山部高さ（Ｒｐｋ）が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、積層板の製造方法。
＜２＞
＜１＞に記載の積層板の製造方法において、
前記プラスチックフィルムはポリエステルフィルムである、積層板の製造方法。
＜３＞
＜１＞または＜２＞に記載の積層板の製造方法において、
前記絶縁層が、熱硬化性樹脂組成物からなる絶縁樹脂層、繊維基材に前記熱硬化性樹脂組成物を含浸させて形成されたプリプレグまたは前記プリプレグの硬化体である、積層板の製造方法。
＜４＞
＜１＞乃至＜３＞いずれか一つに記載の積層板の製造方法において、
ＪＩＳ−Ｂ０６０１により規定される、前記プラスチックフィルムの前記絶縁層と接する側の表面の表面粗さ（Ｒａ）が５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である、積層板の製造方法。
＜５＞
＜１＞乃至＜４＞いずれか一つに記載の積層板の製造方法において、
ＪＩＳ−Ｂ０６０１により規定される、前記プラスチックフィルムの前記絶縁層と接する側の表面の１０点平均粗さ（Ｒｚ）が０．０５μｍ以上１μｍ以下である、積層板の製造方法。
＜６＞
＜１＞乃至＜５＞いずれか一つに記載の積層板の製造方法において、
前記積層体を得る工程を完了した段階における前記絶縁層の動的粘弾性試験による、測定範囲５０〜２００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃでの複素動的粘度の極小値をη１としたとき、
η１が２０Ｐａ・ｓ以上３００Ｐａ・ｓ以下である、積層板の製造方法。
＜７＞
＜６＞に記載の積層板の製造方法において、
前記積層体を得る工程の後に、前記積層体の表面を平滑化する平滑化工程をさらに含み、
前記平滑化工程を完了した段階における前記絶縁層の動的粘弾性試験による、測定範囲５０〜２００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃでの複素動的粘度の極小値をη２としたとき、
η２が１００Ｐａ・ｓ以上である、積層板の製造方法。
＜８＞
＜１＞乃至＜７＞いずれか一つに記載の積層板の製造方法において、
前記絶縁層付きプラスチックフィルムがロール状に巻回積層されており、
巻回積層された前記絶縁層付きプラスチックフィルムを搬送するとともに、シート状の前記基板を搬送し、前記積層体を得る工程を連続的におこなう、積層板の製造方法。
＜９＞
＜１＞乃至＜８＞いずれか一つに記載の積層板の製造方法により積層板を得る工程と、
前記積層板の前記プラスチックフィルムを剥離した表面上に、金属めっき膜を形成する工程と、
を含む、プリント配線基板の製造方法。
＜１０＞
＜９＞に記載のプリント配線基板の製造方法において、
セミアディティブプロセス法によって前記金属めっき膜に回路層を形成する工程をさらに含む、プリント配線基板の製造方法。
＜１１＞
プリント配線基板を構成する絶縁層を形成するための絶縁層付きプラスチックフィルムであって、
絶縁層とプラスチックフィルムとが積層されており、
ＪＩＳ Ｂ０６７１−２：２００２（ＩＳＯ１３５６５−２：１９９６）により規定される、前記プラスチックフィルムの前記絶縁層と接する表面の突出山部高さ（Ｒｐｋ）が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、絶縁層付きプラスチックフィルム。
＜１２＞
＜１１＞に記載の絶縁層付きプラスチックフィルムにおいて、
前記プラスチックフィルムはポリエステルフィルムである、絶縁層付きプラスチックフィルム。
＜１３＞
＜１１＞または＜１２＞に記載の絶縁層付きプラスチックフィルムにおいて、
前記絶縁層の前記プラスチックフィルムと接する側の表面は、その上に回路層が形成される表面である、絶縁層付きプラスチックフィルム。
＜１４＞
＜１１＞乃至＜１３＞いずれか一つに記載の絶縁層付きプラスチックフィルムにおいて、
ＪＩＳ−Ｂ０６０１により規定される、前記プラスチックフィルムの前記絶縁層と接する側の表面の表面粗さ（Ｒａ）５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である、絶縁層付きプラスチックフィルム。
＜１５＞
＜１１＞乃至＜１４＞いずれか一つに記載の絶縁層付きプラスチックフィルムにおいて、
ＪＩＳ−Ｂ０６０１により規定される、前記プラスチックフィルムの前記絶縁層と接する側の表面の１０点平均粗さ（Ｒｚ）が０．０５μｍ以上１μｍ以下である、絶縁層付きプラスチックフィルム。
＜１６＞
＜１１＞乃至＜１５＞いずれか一つに記載の絶縁層付きプラスチックフィルムにおいて、
前記絶縁層が、熱硬化性樹脂組成物からなる絶縁樹脂層、繊維基材に前記熱硬化性樹脂組成物を含浸させて形成されたプリプレグまたは前記プリプレグの硬化体である、絶縁層付きプラスチックフィルム。
＜１７＞
片面または両面に回路層を有する基板と、
前記基板の回路層上に設けられた、＜１１＞乃至＜１６＞いずれか一つに記載の絶縁層付きプラスチックフィルムを構成する前記絶縁層と
を備える積層板。
＜１８＞
＜１７＞に記載の積層板の前記絶縁層の表面上に回路層が設けられている、プリント配線基板。
＜１９＞
＜１８＞に記載のプリント配線基板の前記回路層上に半導体素子を搭載した、半導体装置。

以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例では、部はとくに特定しない限り質量部を表す。また、それぞれの厚みは平均膜厚で表わされている。

実施例および比較例において用いた材料は以下の通りである。
無機充填材１：球状シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−２５Ｒ、平均粒径０．５μｍ）
無機充填材２：球状シリカ（電気化学工業社製、ＳＦＰ−２０Ｍ 、平均粒径０．３μｍ）
エポキシ樹脂１：ビフェニルアラルキル型ノボラックエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００）
エポキシ樹脂２：ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（三菱化学社製、ｊＥＲ−８２８）
エポキシ樹脂３：ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂（三菱化学社製、ｊＥＲ−８０７）
エポキシ樹脂４：ジシクロペンタジエン型ノボラックエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−７２００Ｌ）
シアネート樹脂：ノボラック型シアネート樹脂（ＬＯＮＺＡ社製、Ｐｒｉｍａｓｅｔ ＰＴ−３０）
フェノール系硬化剤：ノボラック型フェノール樹脂（ＤＩＣ社製、ＴＤ−２０９０−６０Ｍ、６０％（ｗ／ｖ）メチルエチルケトン溶液）
フェノキシ樹脂：（三菱化学社製、ＹＸ６９５４ＢＨ３０、３０％（ｗ／ｖ）メチルエチルケトン／アノン溶液）
ポリアミド樹脂：ゴム変性フェノール水酸基含有ポリアミド（日本化薬社製、ＫＡＹＡＦＬＥＸ ＢＰＡＭ−０１）
ポリビニルアセタール樹脂：（積水化学社製、ＫＳ−１０（水酸基２５ｍｏｌ％））
硬化触媒１：１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（四国化成社製、１Ｂ２ＰＺ）
硬化触媒２：２−エチル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ）
カップリング剤１：エポキシシランカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）
カップリング剤２：Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−５７３）

ＰＥＴフィルム１：Ｒｐｋ＝２０ｎｍ、Ｒａ＝８ｎｍ、Ｒｚ＝０．２１μｍ、厚み５０μｍ、東洋紡社製、ＮＢ−２０２
ＰＥＴフィルム２：Ｒｐｋ＝４３ｎｍ、Ｒａ＝２０ｎｍ、Ｒｚ＝０．５２μｍ、厚み５０μｍ、ダイセル社製、Ｔ１２２３
ＰＥＴフィルム３：Ｒｐｋ＝２６ｎｍ、Ｒａ＝１８ｎｍ、Ｒｚ＝０．２２μｍ、厚み２５μｍ、東洋紡社製、ＮＢ−２０１
ＰＥＴフィルム４：Ｒｐｋ＝１４ｎｍ、Ｒａ＝１０ｎｍ、Ｒｚ＝０．０６μｍ、厚み５０μｍ、帝人社製、ＫＥＬ８６Ｗ
ＰＥＴフィルム５：Ｒｐｋ＝２１４ｎｍ、Ｒａ＝４７ｎｍ、Ｒｚ＝２．７５μｍ、厚み３８μｍ、ユニチカ社製、ＴＲ１Ｔ−３８
ＰＥＴフィルム６：Ｒｐｋ＝６４ｎｍ、Ｒａ＝２０ｎｍ、Ｒｚ＝２．６３μｍ、厚み３８μｍ、ユニチカ社製、Ｐ６０４
ＰＥＴフィルム７：Ｒｐｋ＝１５３ｎｍ、Ｒａ＝５３ｎｍ、Ｒｚ＝０．８０μｍ、厚み３８μｍ、帝人社製、ＮＲＡ−０３
ＰＥＴフィルム８：Ｒｐｋ＝６８ｎｍ、Ｒａ＝２４ｎｍ、Ｒｚ＝０．５４μｍ、厚み３８μｍ、帝人社製、ＨＰＥ

（実施例１）
（１）樹脂ワニスＡの調製
まず、表１に示す配合に従い、エポキシ樹脂４、シアネート樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、硬化触媒１をメチルエチルケトンとシクロヘキサノンの混合溶媒で６０分間撹拌し、溶解させた。さらにカップリング剤１と無機充填材２を添加して高速撹拌装置で１０分撹拌し、固形分６５％の樹脂ワニスを作製した。

（２）樹脂シートＡの作製
得られた樹脂ワニスをＰＥＴフィルム１の片面に、コンマコーター装置を用いて塗工した。これを１６０℃の乾燥装置で３分間乾燥し、樹脂厚みが２０μｍの樹脂シートＡを作製した。

（３）絶縁層付きプラスチックフィルムの作製
繊維基材としてガラス織布（ユニチカ社製、クロスタイプ♯１０１７、幅５３０ｍｍ、厚さ１５μｍ、坪量１２ｇ／ｍ^２）を用い、真空ラミネート装置および熱風乾燥装置によりプリプレグ付きＰＥＴフィルムを製造した。
具体的には、樹脂シートＡを２枚用意し（Ａ１、Ａ２とする）、ガラス織布の両面に樹脂シートＡ１および樹脂シートＡ２をガラス織布の幅方向の中心に位置するように、それぞれ１枚ずつ重ね合わせ、０．１ＭＰａ（７５０Ｔｏｒｒ）の減圧条件下で、８０℃のラミネートロールを用いて接合した。
ここで、ガラス織布の幅方向寸法の内側領域においては、樹脂シートＡ１および樹脂シートＡ２の樹脂層を繊維布の両面側にそれぞれ接合するとともに、ガラス織布の幅方向寸法の外側領域においては、樹脂シートＡ１および樹脂シートＡ２の樹脂層同士を接合した。
つぎに、上記接合したものを、１２０℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を２分間通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、厚さ４５μｍのプリプレグ付きＰＥＴフィルムを得た。

（４）積層体を得る工程
ニチゴ―・モートン社製の２ステージビルドアップラミネーターＣＶＰ６００を用いて、プリプレグ付きＰＥＴフィルムから積層体を製造した。具体的には、厚み２００μｍのＥＬＣ−４７８５ＧＳ−Ｂ（住友ベークライト社製、銅箔１２μｍ）を用いて、ドリル機で所定のところを開孔して、無電解めっきにより、導通を図り、銅箔をエッチングして回路層を有する基板を作製した。また、上記のプリプレグ付きＰＥＴフィルムを枚葉にカットし、上記ＣＶＰ６００にセットして上記基板に仮付けし、真空ラミネーター内で１２０℃、０．７ＭＰａ、６０秒間真空ラミネーションをおこなった。

（５）平滑化工程
その後、ニチゴー・モートン社製ＣＶＰ−６００が備えるホットプレス装置を用いて、１２０℃、０．６ＭＰａ、６０秒間ホットプレスして平滑化した。
（６）硬化工程
その後、１７０℃で６０分間熱処理し、プリプレグ中の熱硬化性樹脂を硬化させ、ＰＥＴフィルムを剥離することにより積層板を得た。

（７）プリント配線基板の作製
次いで炭酸レーザーによりビアホールを形成した。次にビアホール内および絶縁層表面を、８０℃の膨潤液（ロームアンドハースジャパン社製 コンディショナー２１１）に１０分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（ロームアンドハースジャパン社製、ＭＬＢプロモーター）に１０分浸漬後、中和して粗化処理を行った。
これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき皮膜を約１μｍ、めっきレジスト形成、無電解銅めっき皮膜を給電層としパターン電気メッキ銅を１２μｍ形成させ、Ｌ／Ｓ＝１２／１２μｍの微細回路加工を施した。次に、熱風乾燥装置にて２００℃で６０分間アニール処理を行った後、フラッシュエッチングで給電層を除去した。
次に、ソルダーレジスト（太陽インキ製造社製、ＰＳＲ−４０００ ＡＵＳ７０３）を印刷し、半導体素子搭載パッドなどが露出するように、所定のマスクで露光し、現像、キュアを行い、回路上のソルダーレジスト層の厚さが１２μｍとなるように形成した。
最後に、ソルダーレジスト層から露出した回路層上へ、無電解ニッケルめっき層３μｍと、さらにその上へ、無電解金めっき層０．１μｍとからなるめっき層を形成し、プリント配線基板を得た。

実施例２〜７、比較例１〜４は、樹脂ワニスの組成、プラスチックフィルムの種類、積層体を得る工程および平滑化工程の条件を表１に示すものに変えた以外は実施例１と同様の方法で、積層板、プリント配線基板および半導体装置を作製した。

［評価］
（８）動的粘弾性試験による複素動的粘度η１の測定
積層体を得る工程を完了後、積層体表面の絶縁層から熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物（繊維基材は含まない）を切り出して測定サンプルとし、動的粘弾性測定装置（Ａｎｔｏｎ Ｐａａｒ社製、装置名Ｐｈｙｓｉｃａ ＭＣＲ−３０１）を用いて、下記の条件で複素動的粘度η１の測定をおこなった。
周波数：６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃ
測定範囲５０〜２００℃
昇温速度３℃／ｍｉｎ
ジオメトリー：パラレルプレート
プレート直径：１０ｍｍ
プレート間隔：０．１ｍｍ
荷重（ノーマルフォース）：０Ｎ（一定）
ストレイン：０．３％
測定雰囲気：大気雰囲気下

（９）動的粘弾性試験による複素動的粘度η２の測定
平滑化工程を完了後、積層体表面の絶縁層から熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物（繊維基材は含まない）を切り出して測定サンプルとし、上記の複素動的粘度η１と同様の条件で複素動的粘度η２の測定をおこなった。

（１０）微細配線加工性評価
（７）において、Ｌ／Ｓ＝１２／１２μｍの微細回路パターンを形成した後のプリント配線基板について、レーザー顕微鏡で細線の外観検査および導通チェックにより評価した。評価基準は以下の通りである。
◎：形状、導通ともに問題なし
○：ショート、配線切れはなく、実質上問題ない
×：ショート、配線切れあり

（１２）絶縁信頼性評価
（７）で得られたプリント配線基板のＬ／Ｓ＝１２／１２μｍの微細回路パターン上に、ソルダーレジストの代わりにビルドアップ材（住友ベークライト社製、ＢＬＡ−３７００ＧＳ）を積層、硬化した試験サンプルを作製した。この試験サンプルを用いて、温度１３０℃、湿度８５％、印加電圧３．３Ｖの条件で連続湿中絶縁抵抗を評価した。なお、抵抗値１０^６Ω以下を故障とした。評価基準は以下の通りである。
◎：３００時間以上故障なし
○：１５０時間以上３００時間未満で故障あり
×：１５０時間未満で故障あり

以上の結果を表１に示す。

突出山部高さ（Ｒｐｋ）が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあるプラスチックフィルムを用いて製造された実施例１〜７の積層板は微細加工性に優れていた。このような積層板を用いて得られたプリント配線基板は絶縁信頼性に優れていた。
また、η１が２０Ｐａ・ｓ以上３００Ｐａ・ｓ以下の条件をさらに満たす実施例１〜５の積層板は微細配線加工性に特に優れていた。そして、このような積層板を用いて得られたプリント配線基板は絶縁信頼性に特に優れていた。
これに対し、突出山部高さ（Ｒｐｋ）が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲外にあるプラスチックフィルムを用いて製造された比較例１〜４の積層板は微細配線加工性に劣っていた。また、このような積層板を用いて得られたプリント配線基板は絶縁信頼性に劣っていた。

１００ 積層板
１０１ 絶縁層
１０３ プラスチックフィルム
１０５ 回路層
１０７ 基板
１５０ 積層体
２００ 絶縁層付きプラスチックフィルム
３００ プリント配線基板
３０１ 回路層
３０３ ビアホール
３０５ 無電解金属めっき膜
３０７ 電解金属めっき層
４００ 半導体装置
４０１ ソルダーレジスト層
４０３ 半導体素子
４０５ 半田バンプ
４０７ 封止材

Claims (7)

1. 絶縁層とプラスチックフィルムとが積層されてなる絶縁層付きプラスチックフィルムと、片面または両面に回路層を有する基板と、を準備する工程と、
   前記絶縁層付きプラスチックフィルムの前記絶縁層側の表面を、前記基板の前記回路層側の表面に向けながら、前記基板の前記回路層上に前記絶縁層付きプラスチックフィルムを積層して積層体を得る工程と、
   前記積層体の表面を平滑化する平滑化工程と、
   得られた前記積層体から前記プラスチックフィルムを剥離する工程と、
   を含む、プリント配線基板の製造に用いられる積層板の製造方法であって、
   前記絶縁層が、熱硬化性樹脂組成物からなる絶縁樹脂層、繊維基材に前記熱硬化性樹脂組成物を含浸させて形成されたプリプレグまたは前記プリプレグの硬化体であり、
   前記積層体を得る工程を完了した段階における前記絶縁層の動的粘弾性試験による、測定範囲５０〜２００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃでの複素動的粘度の極小値をη１としたとき、
   η１が２０Ｐａ・ｓ以上３００Ｐａ・ｓ以下であり、
   前記平滑化工程を完了した段階における前記絶縁層の動的粘弾性試験による、測定範囲５０〜２００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数６２．８３ｒａｄ／ｓｅｃでの複素動的粘度の極小値をη２としたとき、
   η２が１００Ｐａ・ｓ以上であり、
   ＪＩＳ Ｂ０６７１−２：２００２（ＩＳＯ１３５６５−２：１９９６）により規定される、前記プラスチックフィルムの前記絶縁層と接する側の表面の突出山部高さ（Ｒｐｋ）が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、積層板の製造方法。
2. 請求項１に記載の積層板の製造方法において、
   前記プラスチックフィルムはポリエステルフィルムである、積層板の製造方法。
3. 請求項１または２に記載の積層板の製造方法において、
   ＪＩＳ−Ｂ０６０１により規定される、前記プラスチックフィルムの前記絶縁層と接する側の表面の表面粗さ（Ｒａ）が５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である、積層板の製造方法。
4. 請求項１乃至３いずれか一項に記載の積層板の製造方法において、
   ＪＩＳ−Ｂ０６０１により規定される、前記プラスチックフィルムの前記絶縁層と接する側の表面の１０点平均粗さ（Ｒｚ）が０．０５μｍ以上１μｍ以下である、積層板の製造方法。
5. 請求項１乃至４いずれか一項に記載の積層板の製造方法において、
   前記絶縁層付きプラスチックフィルムがロール状に巻回積層されており、
   巻回積層された前記絶縁層付きプラスチックフィルムを搬送するとともに、シート状の前記基板を搬送し、前記積層体を得る工程を連続的におこなう、積層板の製造方法。
6. 請求項１乃至５いずれか一項に記載の積層板の製造方法により積層板を得る工程と、
   前記積層板の前記プラスチックフィルムを剥離した表面上に、金属めっき膜を形成する工程と、
   を含む、プリント配線基板の製造方法。
7. 請求項６に記載のプリント配線基板の製造方法において、
   セミアディティブプロセス法によって前記金属めっき膜に回路層を形成する工程をさらに含む、プリント配線基板の製造方法。

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