JP6511757B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本開示は、発光装置に関する。

従来、青色光を発光する発光素子と、青色光の一部を吸収することにより励起され、より長波長の光を発する蛍光物質とを用いて白色発光するように構成された発光装置が知られている。このような発光装置において、発光素子の側面及び素子搭載部を光反射層で被覆してなる発光装置が提案されている（例えば特許文献１）。

特開２００７−１９０９６号公報

しかしながら、従来の発光装置（特許文献１）によると、蛍光体層へ進行した光は、発光面側からの放出のみならず、蛍光体層の厚みを構成する側面側からも出射される。この結果、発光領域が蛍光体層の側面にも存在するため、正面方向への光取り出し効率を必要とする発光装置の場合、側面方向からの光抜けが問題となる。

本開示は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、側面方向からの光抜けを抑制し、正面方向への光取り出し効率の高い発光装置を提供することを特徴とする。

本開示の発光装置は、透光性基板と半導体層とを有する発光素子と、前記透光性基板側を上方にして、前記発光素子が載置される基体と、前記透光性基板の上面に形成された凹部と、前記凹部内に配置された波長変換部材と、前記透光性基板の側面を被覆する光反射部材と、を有することを特徴とする発光装置である。

本開示によれば、上記特徴を有することにより、側面方向からの光抜けを抑制し、正面方向への光取り出し効率の高い発光装置を実現することができる。

第１の実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図１に示す発光装置のＡ−Ａ’線断面図である。 第１の実施形態に係る発光装置の変形例を示す発光装置の斜視図である。 第１の実施形態に係る発光装置の変形例を示す発光装置の斜視図である。 第１の実施形態に係る発光装置の変形例を示す発光装置の斜視図である。 第２の実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図３に示す発光装置のＢ−Ｂ’線断面図である。 第３の実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図５に示す発光装置のＣ−Ｃ’線断面図である。 実施形態の発光装置の寸法関係を説明するための発光装置の概略斜視図である。 図１の発光装置の製造方法を説明するための概略平面図である。 図８ＡのＤ−Ｄ’線断面図である。

以下、本開示の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する発光装置は、本開示の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本開示を以下のものに限定しない。また、一の実施の形態、実施例において説明する内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していること
がある。図中の「ｘ」方向を「横」方向、「ｙ」方向を「縦」方向、「ｚ」方向を「上下」方向または「高さ（厚さ）」方向ともよぶ。

本開示の実施の形態の発光装置は、光取り出し面に隣接する面を実装面とする、いわゆるサイドビュー型と称される発光装置であるが、光取り出し面に対向する面を実装面とするトップビュー型と称される発光装置にも適用することができる。
この発光装置は、少なくとも、一対の接続端子と母材を備える基体と、発光素子と、光反射部材と、波長変換部材とを備える。

サイドビュー型の発光装置の場合、本明細書においては、発光装置の光取り出し面を上面、光取り出し面に隣接又は交差する面を側面と称し、側面のうちの１つを発光装置の実装面と称する。これに伴って、発光装置を構成する各要素又は各部材の面のうち、発光装置の光取り出し面に対応する面を第１主面又は正面（つまり、上面）と、第１主面の反対側の面を第２主面（つまり、下面）と、第１主面及び第２主面に隣接又は交差する面（つまり、発光装置の側面に対応する面）を端面と称することがある。

〔基体〕
基体は、母材と、少なくとも母材の第１主面に正負に対応する一対の接続端子を備える。
基体の形状は特に限定されず、後述する母材の形状に相当する形状となる。例えば、少なくとも第１主面が、長手方向と、長手方向に交差する又は直交する短手方向を備えることがより好ましい。

（母材）
母材は、線膨張係数が、後述する発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃以内であることが好ましく、さらに好ましくは、±９ｐｐｍ／℃以内、±８ｐｐｍ／℃以内、±７ｐｐｍ／℃以内、±５ｐｐｍ／℃以内である。これによって、発光素子を基体に実装する際の、発光素子と基体との線膨張係数の差異に起因する、発光素子の基体（接続端子）からの剥がれ又は発光素子への不要な応力負荷を効果的に防止することができる。これにより、フリップチップ実装によって、発光素子の電極を基体の接続端子に直接接続することができ、より小型／薄型の発光装置を提供することが可能となる。
ここで、線膨張係数は、ＴＭＡ法で測定した値を意味する。α１及びα２のいずれかがこの値を満たしていればよいが、両方で満たすことがより好ましい。

母材は、例えば、金属、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス、紙又はこれらの複合材料（例えば、複合樹脂）、あるいはこれら材料と導電材料（例えば、金属、カーボン等）との複合材料等が挙げられる。金属としては、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン又はこれらの合金を含むものが挙げられる。セラミックとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン又はこれらの混合物を含むものが挙げられる。複合樹脂としては、ガラスエポキシ樹脂等が挙げられる。

特に、母材は樹脂を含有するものが好ましい。
樹脂は、当該分野で使用されているものであればどのようなものを利用してもよい。特に、線膨張係数を発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃とするために、線膨張係数の小さいものを利用することが好ましい。
具体的には、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。

また、樹脂は、熱放射率が０．５以上であることが好ましく、０．６以上であることがより好ましい。このような熱放射率を有することにより、発光素子に起因する熱を効率的に逃がすことができ、発光装置の寿命を向上させることができる。熱放射率は放射率測定器（例えば、ジャパンセンサー株式会社製：ＴＳＳ−５Ｘ）によって測定した値を意味する。

樹脂の種類にかかわらず、線膨張係数を発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃とするために、あるいは熱放射率を増大させるために、樹脂には、充填材、例えば、無機材料による充填材を含有させることが好ましい。このような充填材の種類及び量等を適宜組み合わせることによって、母材の線膨張係数を調整することができる。
充填材及び無機材料としては、例えば、六方晶窒化ホウ素で被覆されたホウ酸塩粒子、アルミナ、シリカ類（天然シリカ、溶融シリカ等）、金属水和物（水酸化アルミニウム、ベーマイト、水酸化マグネシウム等）、モリブデン化合物（酸化モリブデン等）、ホウ酸亜鉛、錫酸亜鉛、酸化アルミニウム、クレー、カオリン、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、タルク、焼成クレー、焼成カオリン、焼成タルク、マイカ、ガラス短繊維（Ｅガラス、Ｄガラスなどのガラス微粉末類、ガラスクロス等）、中空ガラス、リン酸ジルコニウム等の熱収縮フィラー、ゴムパウダー及びコアシェル型のゴムパウダー（スチレン系、ブタジエン系、アクリル系、シリコーン等）等が挙げられる。
特に、熱伝導率の高い充填材又は無機材料を大量に含有させることにより、熱放射率を調整することができる。例えば、ガラスクロスを用いる場合には、ガラスクロス中の無機材料を５０ｗｔ％以上、７０ｗｔ％以上、９０ｗｔ％以上含有させることができる。

母材の色を調整するために、樹脂には顔料を含有させてもよい。顔料としては、黒色のカーボンブラック、白色の酸化チタン等が挙げられる。
サイズの小さい発光装置では、発光素子自体が発光装置に対して相対的に大きくなるため、発光素子からの発熱、蛍光体によるストークス発熱などによって、発光装置が過度に発熱することが懸念される。このような熱は、バックライトの導光板を劣化、変形させるなどの悪影響を招くことがある。そこで、熱放射係数の大きいカーボンブラックなどの黒色の材料を母材（樹脂）に含有させることにより、発光素子及び蛍光体からの熱を、放熱することができる。

母材の平面形状は、例えば、円形、四角形等の多角形又はこれらに近い形状が挙げられる。なかでも長方形、つまり、長手方向に細長い形状が好ましい。大きさは、後述する発光素子よりも大きい平面積であることが好ましい。１つの発光装置に発光素子が１つ搭載される場合は、発光装置の長手方向が発光素子の一辺の１．５〜５倍程度の長さを有することが好ましく、１．５〜３倍程度の長さがより好ましい。発光装置の短手方向は、発光素子の一辺の１．０〜２．０倍程度の長さを有することが好ましく、１．１〜１．５倍程度の長さがより好ましい。１つの発光装置に発光素子が複数搭載される場合は、その数によって適宜調整することができる。例えば、長手方向に２個又は３個搭載される場合は、長手方向が発光素子の一辺の２．４〜６．０倍程度又は３．５〜７．０倍程度が好ましい。

母材の第２主面の上には、絶縁体、金属等によって補強、放熱、アライメント用等のマーク等の機能を有する層を１以上設けてもよい。

（接続端子）
一対の接続端子は、基体の少なくとも第１主面上に形成されていればよい。この場合、接続端子の縁部の少なくとも一部は、基体の第１主面の縁部の一部に一致するように形成することが好ましい。言い換えると、接続端子の端面の一部と基体の実装面の一部とが同一面となるように形成されていることが好ましい。これにより、発光装置を実装基板に実装する際に、実装基板と接続端子の端面とを接触（または限りなく近接）させることができる。その結果、発光装置の実装性を向上させることができる。ここで同一面とは、段差がない又はほとんどないことを意味し、数μｍから十数μｍ程度の凹凸は許容されることを意味する。本願明細書において、同一面については以下同じ意味である。

接続端子は、第１主面において、発光素子の電極と接続される素子接続部と、発光装置の外部と接続される外部接続部とを有する。外部接続部は、基体の第１主面に加えて、さらに基体の第２主面上にも設けられていることがより好ましい。
例えば、接続端子は、(i)第１主面から、第１主面と第２主面との間に存在する面の上に延長して設けられているか、(ii) 母材を貫通するように設けられたビアまたはスルーホール等により第１主面から第２主面上まで延長して設けられているか、(iii)第１主面から、第１主面と第２主面との間に存在する面の上を通って、さらに、第２主面上に延長して（例えば、断面視、Ｕ字状に）設けられていることが好ましい。ここで第１主面と第２主面との間に存在する面とは、第１主面と第２主面との間に存在する１つの端面の一部又は全部を指してもよいし、第１主面と第２主面との間に存在する２つ以上の端面の一部又は全部であってもよい。
通常、素子接続部は第１主面上に配置され、外部接続部は、(i)第１主面上か、(ii)第１主面及び端面上か、(iii)第１主面、端面及び第２主面上か、(iv)第１主面及び第２主面上に配置される。

接続端子は、基体の第１主面上、端面上及び／又は第２主面上にわたって、必ずしも同じ幅（例えば、基体の短手方向の長さ）でなくてもよく、一部のみ幅狭又は幅広に形成されていてもよい。あるいは、基体の第１主面及び／又は第２主面において、幅狭となるように、接続端子の一部が絶縁材料（例えば、母材等）により被覆されていてもよい。このような幅狭となる部位は、基体の少なくとも第１主面上に配置されることが好ましく、第１主面及び第２主面上の双方に配置されていてもよい。特に、幅狭となる部位は、基体の第１主面上では、後述する光反射部材の近傍において配置されることがより好ましい。

このような幅狭となる部位を配置することにより、接続端子に接続される、後述するような接合部材等又はこれらに含まれるフラックスなどが、端子表面に沿って、後述する光反射部材の下、さらに発光素子の下にまで浸入することを抑制することができる。
また、素子接続部を、基体の長手方向に沿った端面から離間させることによって、発光素子の実装時に、上記と同様に、フラックスの浸入を抑制することができる。

幅狭となる部位は、素子接続部よりも幅狭であることが好ましい。また、幅狭となる部位は、なだらかに幅狭になることが好ましい。

基体は、発光素子に電気的に接続される接続端子の他に、さらに、放熱用の端子、ヒートシンク、補強部材等を有していてもよい。これらは、第１主面、第２主面、端面のいずれに配置されていてもよく、特に、発光素子及び／又は光反射部材の下方に配置されていることが好ましい。これにより、発光装置の強度及び信頼性を高めることができる。また、基体の強度を高めることにより、光反射部材が金型を用いて成形される場合には、基体のゆがみが低減され、光反射部材の成形性を向上させることができる。
放熱用の端子又は補強端子が導電性であって、一対の接続端子の間に設けられる場合、放熱用の端子又は補強端子は絶縁性の膜で被覆されていることが好ましい。これにより、接続端子と放熱用の端子又は補強端子との接合部材のブリッジを防止することができる。

さらに、１つの発光装置に発光素子が複数配置される場合、複数の発光素子を電気的に接続するさらなる接続端子を１以上備えていてもよい。１つの基体に実装される発光素子の数、その配列、接続形態（並列及び直列）等によって、接続端子の形状及び位置等を適宜設定することができる。

接続端子は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ等又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。なかでも、導電性及び実装性に優れているものが好ましく、実装側の接合部材との接合性及び濡れ性の良い材料がより好ましい。特に、放熱性の観点から、銅又は銅合金が好ましい。接続端子の表面には、銀、プラチナ、錫、金、銅、ロジウム又はこれらの合金の単層膜又は積層膜等、光反射性の高い被膜が形成されていてもよい。接続端子は、具体的には、Ｗ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｗ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｗ／ＮｉＣｏ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｇ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ／Ａｇなどの積層構造が挙げられる。また、部分的に厚み又は積層数が異なっていてもよい。

接続端子は、それぞれ、発光素子と接続される面、つまり、第１主面上において、略平坦であってもよいし凹凸を有していてもよい。例えば、接続端子は、後述する発光素子の電極にそれぞれ対向する位置において、突出パターンを有していてもよい。突出パターンは、発光素子の電極と同等の大きさであることが好ましい。また、接続端子及び突出パターンは、発光素子が基体に搭載された場合に、発光面を水平に配置することができるように、基体の表面（発光素子と接続される面側）に対して水平であることが好ましい。突出パターンは、例えば、アディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法などのフォトリソグラフィーを利用したエッチング法などで形成することができる。

接続端子は、配線、リードフレーム等を利用してもよいが、基体表面において略平坦に又は基体と同一面を形成するために、メッキ等によって上述した材料の膜を形成することが好ましい。接続端子の厚みは、数μｍから数十μｍが挙げられる。特に、突出パターンは、メッキを積層して形成することが好ましい。突出パターンの厚みは、他の部位の接続端子表面から、数μｍから数十μｍが挙げられる。

基体は、それ自体がコンデンサ、バリスタ、ツェナーダイオード、ブリッジダイオード等の保護素子を構成するものであってもよいし、これら素子の機能を果たす構造をその一部に、例えば、多層構造又は積層構造の形態で備えるものでもよい。このような素子機能を果たすものを利用することにより、別途部品を搭載することなく、発光装置として機能させることができる。その結果、静電耐圧等を向上させた高性能の発光装置を、より小型化することが可能となる。

〔発光素子〕
発光素子は、基体上に搭載されており、基体の第１主面において、第１主面上の接続端子と接続されている。
１つの発光装置に搭載される発光素子は１つでもよいし、複数でもよい。発光素子の大きさ、形状、発光波長は適宜選択することができる。複数の発光素子が搭載される場合、その配置は不規則でもよく、行列など規則的又は周期的に配置されてもよい。複数の発光素子は、直列、並列、直並列又は並直列のいずれの接続形態でもよい。

発光素子は、少なくとも透光性基板と半導体層とを備える。本実施形態において、透光性基板は、半導体層を成長させる成長基板であってもよいし、成長基板でなくてもよい。つまり、成長基板を剥離して、別途貼り合せる等した透光性部材も、透光性基板というものとする。
半導体層は、窒化物半導体積層体であることが好ましい。窒化物半導体積層体は、第１半導体層（例えば、ｎ型半導体層）、発光層、第２半導体層（例えば、ｐ型半導体層）がこの順に積層されており、発光に寄与する積層体である。窒化物半導体積層体の厚みは、３０μｍ程度以下が好ましく、１５μｍ程度以下、１０μｍ程度以下がより好ましい。
また、窒化物半導体積層体の同一面側（例えば、第２半導体層側の面）に、第１半導体層に電気的に接続される第１電極（正又は負）と、第２半導体層に電気的に接続される第２電極（負又は正）との双方を有することが好ましい。第１電極及び第２電極を構成するものとして、オーミック電極、金属膜、外部接続用電極等を含むものとする。

第１半導体層、発光層及び第２半導体層の種類、材料は特に限定されるものではなく、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体が挙げられる。具体的には、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の窒化物系の半導体材料が挙げられ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知のものを利用することができる。

窒化物半導体積層体は、通常、半導体層の成長用の透光性基板上に積層される。
半導体層の成長用の透光性基板としては、半導体層をエピタキシャル成長させることができるものが挙げられる。このような透光性基板の材料としては、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、スピネル（ＭｇＡ１_２Ｏ_４）のような絶縁性基板、上述した窒化物系の半導体基板等が挙げられる。透光性基板の厚みは、例えば、２００μｍ程度以下、５０μｍ以上が好ましい。

透光性基板は、上面に波長変換部材を配置するための凹部を有する。
透光性基板の上面に形成される凹部は、１つであってもよいし、複数形成されていてもよい。凹部の深さは、１５０〜３０μｍが好ましく７０〜３０μｍであることがより好ましい。
凹部の形状は、平面視において、四角、丸、透光性基板と相似形状等、所望の形状とすることができる。凹部の内側面は、上方に広がるように傾斜されていてもよいし、上方に狭くなるように傾斜されていてもよい。

このような凹部は、例えば、レーザー加工、ブラスト、ダイシング、エッチング等の方法により形成することができる。高精度かつテーパー形状に加工できるレーザー、およびエッチングが好ましい。
また、あらかじめ成長面とは反対側の面に凹部を有する成長基板に半導体層を成長させてもよいし、成長基板を剥離した半導体層に、凹部を形成した透光性基板を貼り合せてもよい。凹部の形成は、発光素子のウエハ段階で行ってもよいし、個々の発光素子を基体に搭載した後で形成してもよい。基体への搭載後は、光反射部材を設ける前に形成してもよいし、光反射部材で発光素子の側面を被覆した後に形成してもよい。

透光性基板は、上述した凹部が形成される面の反対側の面、すなわち半導体層の成長面とされる表面に複数の凸部又は凹凸を有するものであってもよい。また、これに伴って、窒化物半導体積層体の透光性基板側の表面（窒化物半導体積層体の前記電極が配置された面の反対面）に複数の凸部又は凹凸があってもよい。この凹凸は、透光性基板形状に起因するものであり、例えば、その高さが０．５〜２．０μｍ程度、ピッチが１０〜２５μｍ程度の表面粗さを有していてもよい。
透光性基板は、Ｃ面、Ａ面等の所定の結晶面に対して０〜１０°程度のオフ角を有するものであってもよい。
透光性基板は、第１半導体層との間に、中間層、バッファ層、下地層等の半導体層又は絶縁層等を有していてもよい。

また、発光素子は、いわゆるバーティカルダイス又は貼り合わせダイスなどとして公知の積層構造、例えば、特開２００８−３００７１９号公報、特開２００９−１０２８０号公報等に記載されたような積層構造を有していてもよい。

発光素子の平面視における形状は特に限定されるものではなく、四角形又はこれに近似する形状が好ましい。発光素子の大きさは、発光装置の大きさによって、その上限を適宜調整することができる。例えば、発光素子の一辺の長さが、百μｍから２ｍｍ程度が挙げられ、１４００×２００μｍ程度、１１００×２００μｍ程度、９００×２００μｍ程度等が好ましい。

発光素子は、その側面及び上面にうねり及びギザギザがなく、直線性が良好であるものが好ましい。これにより、これらのうねり及びギザギザに起因する、微小な外力等による発光素子のクラックを低減することができる。例えば、発光素子の上面の表面粗さＲａは１５ｎｍ以下であることが好ましく、１０〜１５ｎｍ程度が例示される。発光素子の側面の表面粗さＲａは２μｍ以下であることが好ましく、１．０μｍ以下、０．５μｍ以下がより好ましい。特に発光素子の側面の表面粗さＲａは０．３μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以下がより好ましい。表面粗さＲａは、例えば、J ＩＳ Ｂ０６０、’０１／ＩＳＯ４２８７等に準拠した測定法による値を示す。

（第１電極及び第２電極）
第１電極及び第２電極は、半導体積層体の同一面側（基板が存在する場合にはその反対側の面）に形成されていることが好ましい。これにより、基体の正負の接続端子と発光素子の第１電極と第２電極を対向させて接合するフリップチップ実装を行うことができる。

第１電極及び第２電極は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ等又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体的には、半導体層側からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ等のように積層された積層膜が挙げられる。膜厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚のいずれでもよい。

発光素子の厚みは、電極を含む厚みとして、１５０μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましい。

発光素子は、窒化物半導体積層体の正負電極の配置面側に、補強層が配置されていてもよい。ここでの補強層とは、窒化物半導体積層体に対して、その強度を補強し得る層であれば、絶縁体、半導体及び導電体のいずれの材料から形成されていてもよい。補強層は、全体として単層又は積層層、複数個所に配置される単層又は積層層等のいずれでもよい。また、補強層は、その一部が発光素子の機能に必須となる絶縁性及び導電性等を確保する層であってもよい。特に、発光素子を構成するために用いる膜の一部を厚膜化してもよい。具体的には、電極等として機能する導電性の層をメッキ、スパッタ法等の公知の方法で厚膜化してもよい。これらの間に配置される層間絶縁膜、表面保護膜等を厚膜化してもよい。これにより、適度な強度を確保しながら、付加的な層を配置せずに、発光装置の大型化を招くことを防止できる。

例えば、一観点から、発光素子を構成する窒化物半導体積層体及び正負電極、これらの間で、電気的な絶縁、保護等の目的のために任意に形成された絶縁層以外であって、正負電極よりも基体側の層を、補強層として機能させることができる。
また、別の観点から、発光素子として機能するために最小限必要な層を厚膜化することにより補強層として機能させることができる。さらに、このような層に付加的に設けた層を補強層として機能させることができる。これらを補強層として機能させるために、半導体層の成長用の基板を除く、窒化物半導体積層体、電極、絶縁性の保護膜、電極間を埋める樹脂層等の全体積に対して、金属材料からなる層の全体積が、５〜９５％程度となるように調節することが好ましく、１０〜７０％程度、１５〜５０％程度とすることがより好ましい。
さらに、別の観点から、発光素子の電極と接続されない導電層、このような導電層を電極から絶縁するための絶縁層、保護するための保護層、これらの導電層、絶縁層、保護層等を補強層として機能させることができる。
これらの補強層は、その最も薄い部位において、総厚みが１μｍ程度以上であることが好ましく、３μｍ程度以上、５μｍ以上、１０μｍ以上であることがより好ましい。
適度な厚みを有する補強層を備えることにより、発光装置の強度を確保しつつ、同時に、素子の大型化／厚膜化を最小限に止めることができる。

発光素子は、透光性基板側を上方にして、基体にフリップチップ実装されている。
この場合、通常、第１電極及び第２電極が、接合部材によって、上述した基体の接続端子と接合されている。このような接合部材は、当該分野で公知の材料のいずれをも用いることができ、導電性の接合部材が挙げられる。具体的には、例えば、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系などの半田（具体的には、ＡｇとＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＢｉとＳｎとを主成分とする合金等）、共晶合金（ＡｕとＳｎとを主成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金等）銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、バンプ、異方性導電材、低融点金属などのろう材等が挙げられる。なかでも、半田を用いることにより、上述した接続端子の形状、突出パターンの位置及び大きさと相まって、高精度のセルフアライメント効果を発揮させることができる。よって、発光素子を適所に実装することが容易となり、量産性を向上させ、より小型の発光装置を製造することができる。成長用基板を除去する場合、異方性導電ペースト又は異方性導電フィルムを用いることが好ましい。接合部材は、発光素子を接続端子に固定した場合に、窒化物半導体積層体の厚みの１／４〜３倍程度の厚みとなるように設定されていることが好ましく、同等〜３倍程度がより好ましい。これによって、より高精度のセルフアライメント効果を発揮させることができ、より小型化／薄型化が可能となる。例えば、接合部材は、２〜５０μｍ程度の厚みが好ましく、５〜３０μｍ程度がより好ましい。

〔光反射部材〕
光反射部材は、少なくとも発光素子の透光性基板の側面の一部を封止（被覆）する機能を有する部材である。また、発光素子を基体に固定する機能を有していることが好ましい。発光素子からの光を反射することが可能であればよく、その材料は特に限定されるものではない。例えば、セラミック、樹脂、誘電体、パルプ、ガラス又はこれらの複合材料等が挙げられる。なかでも、任意の形状に容易に成形することができるという観点から、樹脂が好ましい。

樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの変性樹脂又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等などが挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物（シリコーン変性エポキシ樹脂等）、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物（エポキシ変性シリコーン樹脂等）、ハイブリッドシリコーン樹脂、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂、ユリア樹脂、ＢＴレジン、ポリウレタン樹脂等の樹脂が挙げられる。

光反射部材で用いる樹脂の線膨張係数及びガラス転移温度等は特に限定されず、例えば、１００ｐｐｍ／℃程度以下の線膨張係数が好ましく、８０ｐｐｍ／℃程度以下、６０ｐｐｍ／℃程度以下がより好ましく、１００℃以下のガラス転移温度が好ましく、７５℃以下、５０℃以下がより好ましい。

光反射部材は、発光素子からの光に対する反射率が６０％以上、７０％以上、８０％以上、９０％以上であるものがより好ましい。
そのために、上述した材料、例えば、樹脂に、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、酸化亜鉛、硫酸バリウム、カーボンブラック、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）などの光反射材、光散乱材又は着色材等を含有させることが好ましい。
光反射部材は、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カーボン等の無機フィラーを含有させてもよい。また、放熱性の高い材料（例えば、窒化アルミニウム等）を含有させてもよい。
これらの添加物は、例えば、光反射部材の全重量に対して、１０〜９５重量％程度、２０〜８０重量％程度、３０〜６０重量％程度含有させることが好ましい。

光反射材を含有させることにより、発光素子からの光を効率よく反射させることができる。特に、基体よりも光反射率の高い材料を用いる（例えば、基体に窒化アルミニウムを用いた場合に、光反射部材として二酸化チタンを含有させたシリコーン樹脂を用いる）ことにより、ハンドリング性を保ちつつ、基体の大きさを小さくして、発光装置の光取出し効率を高めることができる。光反射材として二酸化チタンのみ含有させる場合は、光反射部材の全重量に対して、２０〜６０重量％程度含有させることが好ましく、３０〜５０重量％程度含有させることがより好ましい。また、これらの材料の表面であって発光素子側に、例えば金属膜等の反射層を形成していてもよい。

また光反射部材を放熱性の高い材料で形成することによって、発光装置の小型化を維持したまま、放熱性を向上させることができる。

光反射部材の外形は特に限定されるものではなく、例えば、円柱、四角形柱等の多角形柱又はこれらに近い形状、円錐台、四角錐台等の多角錐台、一部がレンズ状等であってもよい。なかでも基体の長手方向に細長い形状を有していることが好ましい。また、基体の短手方向に沿った面を有することが好ましい。

光反射部材は、発光素子の少なくとも１つの側面（透光性基板および半導体層）の一部又は全部に接触して、発光素子の側面を被覆するように配置されていることが好ましく、発光素子の全周囲を取り囲むように、発光素子に接触して配置されていることが好ましい。この場合、光反射部材は、発光装置の長手方向に延長する側面において薄く、短手方向に延長する側面において厚く設けられることが好ましい。これにより、発光装置の薄型化を図ることができる。
また、光反射部材は、実装された発光素子と基体との間を充填するよう設けられることが好ましい。これにより、発光装置の強度を高めることができる。発光素子と基体との間に配置される光反射部材は、発光素子の側面を被覆する材料と異なる材料であってもよい。これによって、発光素子の側面に配置される光反射部材と、発光素子と基体との間に配置される部材との間で、それぞれ適切な機能を付与することができる。
例えば、発光素子の側面に配置される光反射部材は反射率が高い材料、発光素子と基体との間に配置される部材は両者の密着性を強固とする材料とすることができる。

特に、発光素子と基体との間に配置される光反射部材は、接続端子の線膨張係数と同等±２０％の線膨張係数を有する樹脂によって構成されていることが好ましい。別の観点から、３０ｐｐｍ／℃程度以下の線膨張係数を有する樹脂によって構成されていることが好ましく、２５ｐｐｍ／℃程度以下がより好ましい。さらに別の観点から、５０℃以下のガラス転移温度が好ましく、０℃以下がより好ましい。これによって、光反射部材と基体との剥がれを防止することができる。

光反射部材の平面視（光取り出し面側から見た平面視）における縁部は、基体の縁部よりも内側又は外側に配置してもよい。光反射部材が長手方向に細長い形状である場合、その長手方向に沿う１つの縁部は、基体の長手方向に沿う縁部と一致していることが好ましい。つまり、光反射部材の長手方向に沿った端面の少なくとも一方は、基体の長手方向に沿った端面の一方と同一面を形成することが好ましく、双方が同一面を形成することがより好ましい。これにより、発光装置の厚みを大きくすることなく、光取出し面の面積を大きくすることができ、光取出し効率を高めることができる。光反射部材の短手方向に沿った縁部は、基体の短手方向に沿う縁部よりも、通常、内側に配置されている。ここで同一面とは、厳密な意味のみならず、光反射部材が若干のアール形状を有する場合には、そのアール形状の一部が基体の端面と一致しているものも含む。

光反射部材の大きさは、光取り出し面側から見た場合、発光素子よりも大きい平面積であることが好ましい。特に、その最外形の長手方向の長さは、発光素子の一辺の１．０１〜４．０倍程度の一辺長さを有することが好ましい。具体的には、３００〜２０００μｍ程度が好ましく、１０００〜１５００μｍ程度がより好ましい。
光反射部材の厚み（光取り出し面側から見た場合の発光素子の端面から光反射部材の最外形までの幅又は発光素子の側面における光反射部材の最小幅ともいう）は、例えば、１〜１０００μｍ程度が挙げられ、５０〜５００μｍ程度、１００〜２００μｍ程度が好ましい。
光反射部材は、発光素子を基体上に搭載した場合、光反射部材の上面が、発光素子の上面と同一面を形成する高さとすることが好ましい。
光反射部材は、スクリーン印刷、ポッティング、トランスファーモールド、コンプレッションモールド等により形成することができる。成形機を用いる場合は離型フィルムを用いてもよい。

光反射部材は、通常、発光素子の側面の全面、発光素子の基体と対向する面等を封止（被覆）するために、発光素子が基体に実装された後に形成される。さらに、発光素子が基体に実装される前に、発光素子の上面又は側面を被覆するように設けてもよい。

〔波長変換部材〕
透光性基板の上面に形成された凹部には、波長変換部材が配置される。波長変換部材として、例えば発光素子からの光に励起される、蛍光体や量子ドットが好適に用いられる。
蛍光体や量子ドットは、透光性部材に含有させて配置させることが好ましい。また、波長変換部材は２種類以上の蛍光体を含有していてもよいし、２種類以上の量子ドットを含有していてもよいし、蛍光体と量子ドットの双方を含有していてもよい。
透光性部材は、発光層から出射される光の６０％以上を透過するもの、さらに、７０％、８０％又は９０％以上を透過するものが好ましい。このような部材としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ＴＰＸ樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂、ガラス等が挙げられる。なかでもシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂がより好ましい。

蛍光体は、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２）系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系又はＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光（例えば、白色系）を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。発光装置が液晶ディスプレイのバックライト等に用いられる場合、青色光によって励起され、赤色発光する蛍光体（例えば、ＫＳＦ系蛍光体）と、緑色発光する蛍光体（例えば、βサイアロン蛍光体）を用いることが好ましい。これにより、発光装置を用いたディスプレイの色再現範囲を広げることができる。照明等に用いられる場合、青緑色に発光する素子と赤色蛍光体とを組み合わせて用いることができる。ＫＳＦ系蛍光体は、液晶ディスプレイのバックライト用の光源として用いる場合に、ＣＡＳＮ系、ＳＣＡＳＮ系蛍光体に比べて多くの量を必要とする。そのため、ＫＳＦ系蛍光体を凹部内に配置することにより、発光装置の厚み（ｚ方向）を薄くすることができるため、好ましい。

蛍光体は、例えば、中心粒径が５０μｍ以下、３０μｍ以下、１０μｍ以下であるものが好ましい。中心粒径は、市販の粒子測定器又は粒度分布測定器等によって測定及び算出することができる。なお、上記の粒径は、Ｆ．Ｓ．Ｓ．Ｓ．Ｎｏ（Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｕｂ Ｓｉｅｖｅ Ｓｉｚｅｒ’ｓ Ｎｏ）における空気透過法で得られる粒径を指す。

蛍光体は、例えば、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質でもよい。これらの材料としては、半導体材料、例えば、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−ＶＩ族半導体、具体的には、ＣｄＳｅ、コアシェル型のＣｄＳ_ｘＳｅ_１−ｘ／ＺｎＳ、ＧａＰ等のナノサイズの高分散粒子が挙げられる。このような蛍光体は、例えば、粒径１〜２０ｎｍ程度（原子１０〜５０個）程度が挙げられる。このような蛍光体を用いることにより、内部散乱を抑制することができ、光の透過率をより一層向上させることができる。内部散乱を抑制することにより、上面に対して垂直な方向への光の配光成分を増加させることができ、同時に、発光装置の側面又は下面に向かう光を抑制することができ、よって、光取り出し効率をより向上させることができる。例えば、バックライトに適用する場合に、バックライトへの入光効率をさらに増加させることができる。
量子ドット蛍光体は、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）などの樹脂で表面修飾又は安定化してもよい。

透光性部材は、さらに充填材（例えば、拡散剤、着色剤等）を含んでいてもよい。例えば、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、ガラス、蛍光体の結晶又は焼結体、蛍光体と無機物の結合材との焼結体等が挙げられる。任意に、充填材の屈折率を調整してもよい。例えば、１．８以上が挙げられる。

充填剤の粒子の形状は、破砕状、球状、中空及び多孔質等のいずれでもよい。粒子の平均粒径（メジアン径）は、高い効率で光散乱効果を得られる、０．０８〜１０μｍ程度が好ましい。
蛍光体及び／又は充填材は、例えば、透光性部材の全重量に対して１０〜８０重量％程度が好ましい。

凹部内に波長変換部材を配置させる方法は、ポッティング、圧縮成型、スプレー法、印刷法等が挙げられる。この際、粘度又は流動性を調整するために、シリカ（アエロジル）などを添加してもよい。なかでも、スプレー法、特に、パルス状、すなわち間欠的にスプレーを噴射するパルススプレー方式が好ましい。間欠的にスプレー噴射することにより、単位時間当たりの波長変換部材の噴射量を少なくすることができる。このため、スプレー噴射のノズルを、少ない噴射量でスプレー噴射させながら低速で移動させることにより、塗布面に均一に蛍光体を塗布することができる。また、パルススプレー方式では、連続スプレー方式に比べて、ノズルからのスラリーの噴出速度を低減することなく、エアの風速を低減することができる。このため、塗布面に良好にスラリーを供給することができ、かつ、塗布されたスラリーがエア流によって乱されない。その結果、蛍光体の粒子と発光素子の表面との密着性が高い塗布膜を形成することができる。また、粒子状の蛍光体を含む薄膜の粒子層を複数の積層数で形成することができる。このように、積層数を制御することによって、その厚みの精度を向上させることができる。また、蛍光体の分布の偏りを抑制することができ、均一に波長変換した光を出射させることができ、発光素子の色むら等の発生を回避することができる。

パルススプレー法は、例えば、特開昭６１−１６１１７５号公報、特開２００３−３０００００号公報及びＷＯ２０１３／０３８９５３号公報に記載された公知の方法であり、適宜、その使用材料、条件等を調整することができる。例えば、塗布されるスラリーは、溶剤と、熱硬化性樹脂と、粒子状の蛍光体とが含有される。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂などを用いることができる。溶剤としては、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、トルエン、アセトン、イソプロピルアルコールなどの有機溶剤を用いることができる。蛍光体は、例えば、１０〜８０重量％で使用することが好ましい。スラリーは、０．０１〜１０００ｍＰａ・ｓ程度に調整することが好ましく、０．１〜１００ｍＰａ・ｓ程度がより好ましい。

波長変換部材の厚みは特に限定されるものではなく、その少なくとも一部が透光性基板の凹部に収まるような厚みであればよい。正面方向の光取り出しを向上させるために、波長変換部材の側面を外部に露出させないことが好ましく、波長変換部材の上面が、透光性基板の上面よりも低い位置とされることが好ましい。これにより、側面方向への光漏れをより一層抑制することができる。

波長変換部材は、発光素子が基体に実装される前に透光性部材の上面に接着して、発光装置に設けられてもよい。

〔発光装置の寸法関係〕
本開示の発光装置は、別の観点から、例えば、図７に示すように、基体Ｍの上に搭載された発光素子部（発光素子、光反射部材部材及び波長変換部材を含む）Ｎにおいて、
基体Ｍの厚み：Ｅ
基体Ｍの短手方向の長さ：Ａ
基体Ｍと発光素子部Ｎとの総高さ：Ｂ
発光素子部Ｎの短手方向の長さ：Ｃ
発光素子部Ｎの長手方向の長さ：Ｄとした場合、
Ｂ≧Ａ （１）
Ｄ≧Ｃ （２）
Ａ≧Ｃ （３）
Ｅ≧Ａ （４）を満たすことが好ましい。

これにより、本開示の発光装置の長手方向の側面を実装面とした場合（側面実装）、安定性を確保することができる。特に、（１）を満たすことにより、側面実装がしやすくなる。また、（２）を満たすことにより、側面実装をした場合に、より安定した構造となる。（３）を満たし、かつ、実装面と光反射部材の長手方向の側面とを離間させることにより、実装時にはんだが発光素子方向に侵入することを防止することができる。同時に、基体Ｍの長手方向の側面で実装基板に安定的に保持することができる。（４）を満たすことにより、安定した実装が可能となる。これら（１）〜（４）を組み合わせることによって、さらに安定した側面実装が可能となる。
また、例えば、発光装置の基体にスルーホールを形成し、そこに比重の重い金属等を埋め込むことにより重心を偏心させることにより、側面実装を容易にしてもよい。さらに、はんだフィレットの形状制御によって、はんだの表面張力を利用して側面実装を確実にしてもよい。
これらは、任意に１以上を組み合わせることができる。

本発光装置は、主にサイドビュー型の発光装置で、特に液晶バックライトに用いられる導光板に光を入射させることができる。そのため、光の配光を制御し、正面輝度を上げることが重要である。これにより発光装置の波長変換部材の上面発光を強くすることができ、バックライト用として効率の良い発光を得ることができる。

以下に本開示の発光装置の実施形態を、図面に基づいて具体的に説明する。

実施の形態１
本実施形態の発光装置１００は、図１および図２Ａに示すように、第１主面上に一対の接続端子１４を有する母材１３を備える基体１０と、発光素子２２と、光反射部材１２と、波長変換部材２４と、を含んで構成されている。
基体１０には、母材１３の表面、つまり、第１主面である上面から端面を経て第２主面である下面に連続して、一対の接続端子１４が形成されている。接続端子１４は、母材１３側からＣｕ／Ｎｉ／Ａｕ（合計厚み：２０μｍ、線膨張係数：２０ｐｐｍ／℃程度）が積層されて構成される。基体１０は、長手方向の長さが１．８ｍｍ、短手方向の幅が０．３ｍｍ、厚さが０．４５ｍｍであり、配線基板として機能する。その強度は、引っ張り試験機によって測定される値が３００ＭＰａ以上である。

母材１３は、市販のガラスクロスを含有するナフタレン系のエポキシ樹脂が含有されたＢＴ樹脂組成物からなる（三菱瓦斯化学社製：ＨＬ８３２ＮＳＦ ｔｙｐｅＬＣＡ）。この母材２は、ガラス繊維、球状シリカ、球状シリコーン、カーボンを含有し、直方体形状を有する。母材１３（接続端子なしの状態）の線膨張係数は３ｐｐｍ／℃程度であり、それを構成する樹脂のガラス転移温度は２８０℃程度である。

接続端子１４には、１つの発光素子２２が、フリップチップ実装されている。
発光素子２２は、サファイア（厚み：１５０μｍ程度）からなる透光性基板１６上に窒化物半導体の積層体（厚み：８〜１２μｍ程度）からなる半導体層１８が形成され、半導体層の表面であって、透光性基板と反対側の表面に正負一対の電極２０を有する。発光素子２２は、その正負一対の電極が、基体１０の一対の接続端子１４に、それぞれ、Ａｕ−Ｓｎ共晶半田である溶融性の接合部材２６（厚み：２０μｍ）によって接続されている。透光性基板の半導体層側の表面には凹凸（高さ：０．５μｍ、ピッチ：１０μｍ）を有しているため、半導体層の対応する面にも、これに起因する凹凸を有する。

発光素子２２は、長手方向の長さが１．１ｍｍ、短手方向の幅が０．２ｍｍ、厚さが０．１５ｍｍ（透光性基板１６の厚さが０．１４μｍ）の直方体状の青色発光（発光ピーク波長４５５ｎｍ）のＬＥＤチップである。
発光素子２２は、その側面の表面粗さＲａが１．０μｍ以下である。

透光性基板１６の表面であって半導体層１８と反対側の面、すなわち発光素子２２を基体１０に載置した状態で、透光性基板の上面となる面には、波長変換部材２４を配置するための凹部３２が形成されている。

凹部３２の深さは、５０μｍであり、図２Ｂに示すように凹部３２の内側面が、上方に広がるように傾斜されている。

光反射部材１２は、長手方向の長さ（全長）が１．２ｍｍ、短手方向の幅（全長）が０．３ｍｍ、厚さが０．１５ｍｍの略直方体状に成形されている。つまり、光反射部材１２の長手方向に沿った縁部は、それぞれ、基体４の長手方向に沿った縁部と一致している。
光反射部材１２は、発光素子２２に接し、その側面の全周に接触して被覆するように、基体１０の第１主面に設けられている。また、光反射部材１２は、発光素子２２の透光性基板１６と対向する面側にも設けられている。つまり、光反射部材１２は、発光素子２２と、接合部材２６との間に配置され、接合部材２６の表面を略完全に被覆している。さらに、発光素子２２と基体１０の間に設けられていてもよい。
これによって、発光素子２２から上面に、効率良く光を取り出すことができる。また、光反射部材１２が、発光素子２２の基体１０と対向する面側にも設けられていることによって、より強固に発光素子２２を基体１０に接続させることができる。
光反射部材１２の上面は、発光素子２２の上面、すなわち透光性基板１６の上面と略一致している。

光反射部材１２は、平均粒径１４μｍのシリカと、無機粒子として、平均粒径０．２５〜０．３μｍの酸化チタンとを、それぞれ、光反射部材１２の全重量に対して、２〜２．５ｗｔ％及び４０〜５０ｗｔ％で含有したシリコーン樹脂によって形成されている。シリコーン樹脂のガラス転移温度は４０℃であり、線膨張係数は５０ｐｐｍ／℃程度である。
光反射部材１２の長手方向に沿った縁部は、基体１０の長手方向に沿った縁部に一致しており、光反射部材１２の長手方向に沿った端面は、基体１０の長手方向に沿った端面と同一面を形成している。

発光素子２２上、つまり、正負一対の電極と反対側の表面に形成された凹部３２に、波長変換部材２４が配置されている。この波長変換部材２４は、中心粒径が８μｍ程度のＹＡＧ：Ｃｅの蛍光体を含有するシリコーン樹脂を、スプレー法によって、凹部３２を埋めるように形成したものである。

波長変換部材２４は、凹部３２のみならず、光反射部材１２の上面をも被覆していてもよい。本実施形態では、図２Ａに示すように、波長変換部材２４の端面は、光反射部材１２の端面と一致している。光反射部材１２の上面を被覆する波長変換部材２４の厚みは、１５μｍ程度と極めて薄いため、横方向への導光を極めて少なくすることができる。

このような発光装置では、波長変換部材２４の大部分が、透光性基板１６に形成された凹部３２内に配置されているため、透光性基板１６の側面を被覆する光反射部材１２が、凹部３２内に配置された波長変換部材２４の側面方向に配置される。これによって、側面方向への光抜けを抑制し、正面方向への光取り出し効率を高めることができる。

この発光装置１００は、図１および図２に示すように、基体１０の長手方向に沿った一対の端面と、光反射部材１２の長手方向に沿った一対の端面とが、それぞれ同一面を形成するように配置されている。なお、図２は図１のＡ−Ａ’線断面図である。これらの同一面を形成する一方の端面を、発光装置１００の実装面として、二次実装基板にサイドビュー型で実装される。

このような発光装置１００は、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、母材１１３に複合接続端子１１４が形成された複合基体１１０を用いて製造することができる。なお、図８Ｂは図８ＡのＤ−Ｄ’線断面図である。この複合基体１１０は、個片化工程後に各発光装置の基体となるものが複数個連なって構成されている。
この複合基体１１０は、母材１１３において、上面から裏面に及ぶスリット１１５を有している。複合接続端子１１４は、このスリット１１５の内壁を通って、複合基体１１０の母材１１３の上面から下面に連続して設けられている。
図８では、１８個の発光装置を得る複合基体１１０を表しているが、生産効率を考慮して、より多数（数百〜数千個）の発光装置を得る複合基体１１０とすることができる。

このような複合基体１１０上に、発光素子２２を接続し、発光素子２２の端面を被覆するよう、複数の光反射部材１１２を一括でトランスファー成型により成形し、成形体を取り出す。
その後、光反射部材から露出している複合基体１１０の上面をマスクして、光反射部材１１２の上面から露出した発光素子２２の上面の凹部３２、凹部の外側の透光性基板１６の上面及び光反射部材１１２の上面を、例えば、パルススプレー法によって、波長変換部材２４で被覆する。その後、複合基体１１０と光反射部材１１２とを分割予定線Ｌに沿って一方向に切断する。これによって、スリット１１５の配置により、スリットの延長方向にも分離され、比較的少ない工数で個片化した発光装置を得ることができる。
切断には、ダイサー、レーザーなどを用いることができる。
なお、本実施の形態では波長変換部材２４を発光素子２２の上面から光反射部材１２の上面にかけてパルススプレー法により形成しているが、発光素子２２の上面にのみ波長変換部材２４を形成してもよい。
また、発光素子２２の上面に位置する波長変換部材は、光反射部材１２の上面まで連続して形成されているが、途中で途切れるように形成してもよい。これにより、光反射部材１２の上面に波長変換部材が形成されていても、発光素子２２の上面に位置する波長変換部材から光反射部材１２の上面の波長変換部材への導光を抑制することができる。

実施の形態１の変形例１
この実施形態では、図２Ａに示す発光装置の断面図において、発光装置を構成する波長変換部材２４の配置を、図２Ｂに示すように、発光素子２２の上面のみに配置するよう変更する以外は、実施の形態１の発光装置と実質的に同じ構成を有する。
図２Ｂに示すように、発光装置２００の波長変換部材２４は、透光性基板１６の凹部３２の内部及び凹部の外側の透光性基板１６の上面に設けられており、光反射部材１２の上面には設けられていない。光反射部材１２は、透光性基板１６の上面と略同一面となるように形成されており、透光性基板１６上に形成された波長変換部材２４の厚みのぶん、光反射部材１２の上面よりも波長変換部材２４の上面のほうが高い位置に配置されている。
光反射部材１２の上面に波長変換部材２４が配置されていない、つまり、波長変換部材２４は、光反射部材１２と接していないので、側面方向への光抜けをより一層抑制することができる。

実施の形態１の変形例２
この実施形態では、図２Ａに示す発光装置の断面図において、発光装置を構成する波長変換部材２４の配置を、図２Ｃに示すように、発光素子２２の上面であって、凹部３２内のみに配置するよう変更する以外は、実施の形態１の発光装置と実質的に同じ構成を有する。この発光装置３００では、波長変換部材２４が凹部３２内に完全に埋設されているため、高さ方向（ｚ方向）において波長変換部材２４が光反射部材１２よりも突出せず、光反射部材に埋め込まれているような配置となる。そのため、側面方向への光抜けをより一層抑制することができる。

実施の形態１の変形例３
この実施形態では、図２Ａに示す発光装置の断面図において、発光装置を構成する波長変換部材２４を、図２Ｄに示すように、複数層で形成するよう変更する以外は、実施の形態１の発光装置と実質的に同じ構成を有する。この発光装置４００では、波長変換部材２４が、第１の波長変換部材２８、第２の波長変換部材３０の順に積層して形成されている。第１の波長変換部材２８は、透光性基板１６の上面に形成された凹部３２内に配置されており、第１の波長変換部材２８の上面を被覆するように、第２の波長変換部材３０が配置されている。第２の波長変換部材３０は、透光性基板１６の上面及び光反射部材１２の上面も被覆している。

実施の形態２
本実施形態の発光装置５００は、図３および図３のＢ−Ｂ’線断面図である図４に示すように、透光性基板１６の上面に複数の孔部が形成されており、この孔部が凹部３２を構成する。つまり、本実施形態においては、透光性基板１６の上面に、複数の凹部３２が形成されており、この凹部３２内を埋めるように波長変換部材２４が形成される。
複数の凹部は、そのそれぞれの凹部の平面視形状（凹部の開口部の形状）が円、四角、楕円、多角形等、どのような形状であってもよい。

複数の凹部３２は、透光性基板１６の上面において、均一に配置されていてもよいし、不均一に配置されていてもよい。均一に配置することで、色むらを改善することができる。複数の凹部のそれぞれの大きさは、波長変換部材が粒子を有する場合には、その粒子径よりも大きくすればよい。
このような構成以外は、実質的に実施の形態１の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態１と同様の効果を有する。

実施の形態３
本実施形態の発光装置６００は、図５および図５のＣ−Ｃ’線断面図である図６に示すように、発光素子２２を基体１０上に複数搭載させてなる。発光装置６００の、基体の長手方向に、平面視が長方形の発光素子２２を二つ、発光素子２２の短辺側が互いに向き合うようにして配置されている。発光素子２２と隣接する発光素子２２の間には、光反射部材１２が配置されており、一方の発光素子から出射された光が他方の発光素子に吸収されないような構成とされている。

それぞれの発光素子２２に形成される凹部３２は、実施の形態１と同様に形成されており、発光素子と発光素子の間に形成された光反射部材１２の上面にも、波長変換部材２４が形成されている。これにより、二つの発光素子間の領域にも導光することができ、発光素子間に暗部が形成されることを抑制することができる。
さらに、発光装置６００は、一対の接続端子１４の他に、発光素子２２間の下部に設けられる放熱端子３８を備えている。この放熱端子３８は、一対の接続端子１４と、ビア３６を介して接続されており、これにより、発光素子２２の熱を放熱することができる。
このような構成以外は、実質的に実施の形態１の発光装置と同様の構成を有する。よって、実施の形態１と同様の効果を有する。

本発明の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告、行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用することができる。

１００、２００、３００、４００、５００、６００ 発光装置
１３、１１３ 母材
１４、１１４ 接続端子
１０、１１０ 基体
１２、１１２ 光反射部材
２４ 波長変換部材
２２ 発光素子
１６ 透光性基板
１８ 半導体層
２０ 電極
２６ 接合部材
２８ 第１の波長変換部材
３０ 第２の波長変換部材
３２ 凹部
１１５ スリット

Claims (7)

1. 透光性基板と半導体層とを有する２つの発光素子と、
   前記透光性基板側を上方にして、前記２つの発光素子が載置される基体と、
   前記透光性基板それぞれの上面に形成された凹部と、
   前記凹部内のそれぞれに配置された波長変換部材と、
   前記透光性基板それぞれの側面を被覆し、前記２つの発光素子の間に配置された光反射部材と、を有し、
   前記波長変換部材は、前記２つの発光素子の前記凹部内に位置するとともに、前記２つの発光素子の間に配置された光反射部材の上面に位置しており、
   前記基体は、一対の接続端子と、前記２つの発光素子の間の下方に位置する前記基体の下面にある放熱端子と、を備え、
   前記放熱端子は、前記一対の接続端子とビアを介して電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
2. 前記光反射部材は、樹脂に光反射材が含有されてなり、かつ、前記発光素子の周囲を取り囲み、
   前記発光装置は、長手方向に延長する側面と、短手方向に延長する側面とを有し、
   前記長手方向に延長する側面における前記光反射部材の厚みは、前記短手方向に延長する側面における前記光反射部材の厚みよりも薄い請求項１に記載の発光装置。
3. 前記波長変換部材が、２種類以上の蛍光体を含有する請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記波長変換部材がＫＳＦ系蛍光体を含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記凹部の内側面が、傾斜されてなり、
   前記波長変換部材は、第１の波長変換部材と、前記第１の波長変換部材上に配置された第２の波長変換部材とを有し、
   前記第１の波長変換部材は、前記凹部内に位置し、
   前記第２の波長変換部材は、前記凹部内に一部が位置し、前記凹部の外側にその他の部分が位置し、前記透光性基板の上面および前記光反射部材の上面を被覆する請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
6. 前記透光性基板はサファイアであり、
   前記基体の短手方向の長さをＡとし、前記基体と前記発光素子との総高さをＢとし、前記発光素子の短手方向の長さをＣとし、前記発光素子の長手方向の長さをＤとし、前記基体の厚みをＥとした場合に、
   Ｂ≧Ａ （１）
   Ｄ≧Ｃ （２）
   Ａ≧Ｃ （３）
   Ｅ≧Ａ （４）
   を全て満たす請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
7. 前記凹部が複数形成されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。

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