JP6590200B2 - 積層セラミック電子部品及びその実装基板 - Google Patents
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Description
本発明は、積層セラミック電子部品及びその実装基板に関する。
セラミック材料を用いる電子部品としては、キャパシタ、インダクター、圧電素子、バリスタ又はサーミスタなどがある。
このようなセラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、小型であり且つ高容量が保障され、実装が容易であるという長所により、多様な電子装置に用いられることができる。
例えば、上記積層セラミックキャパシタは、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピューター、個人携帯端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）及び携帯電話などの多様な電子製品の基板に装着されて電気を充電又は放電させる役割をする。
上記積層セラミックキャパシタは、複数の誘電体層の間に互いに異なる極性の内部電極が交互に配置された構造を有することができる。
上記誘電体層は圧電性を有するため、上記積層セラミックキャパシタに直流又は交流電圧が印加されるときに内部電極間で圧電現象が現れ、周波数によりセラミック本体を膨張及び収縮させながら周期的な振動を発生させる可能性がある。
上記振動は上記積層セラミックキャパシタの外部電極及び上記外部電極と基板とを連結するハンダを介して基板に伝達されて上記基板全体が音響反射面となり、雑音となる振動音を発生させる可能性がある。
上記振動音は人に不快感を与える２０〜２０，０００Ｈｚの領域の可聴周波数に該当し、このように人に不快感を与える振動音をアコースティックノイズ（ａｃｏｕｓｔｉｃ ｎｏｉｓｅ）という。
また、最近の電子機器では、機構部品の静音化が進められているため、上記積層セラミックキャパシタで発生するアコースティックノイズが目立つ可能性がある。
さらに、機器の動作環境が静かな場合では、上記アコースティックノイズがユーザーに機器の故障と認識される可能性がある。
さらに、音声回路を有する機器では、音声出力にアコースティックノイズが重なることにより機器の品質が低下する可能性がある。
本発明の目的は、アコースティックノイズが低減された積層セラミック電子部品及びその実装基板を提供することである。
本発明の一実施形態によれば、積層セラミックキャパシタの外部電極の一部を取り囲むように配置されたＬ字型の絶縁フレームを含み、上記絶縁フレームの外面に外部導体電極が配置され、上記絶縁フレームの内面に上記外部電極と接続される内部導体電極が配置され、上記外部導体電極と上記内部導体電極とが電気的に連結される積層セラミック電子部品が提供される。
本発明の他の実施形態によれば、上部に複数の電極パッドを有する基板と、上記電極パッドに外部導体電極が接合されるように上記基板に実装される上記積層セラミック電子部品と、を含む積層セラミック電子部品の実装基板が提供される。
本発明の一実施形態によれば、外部導体電極及び絶縁フレームの弾性力が、積層セラミックキャパシタの外部電極を介して伝達される振動を吸収することにより、アコースティックノイズを低減させることができる。
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
＜積層セラミック電子部品＞
本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、積層セラミックキャパシタの外部電極の一部を取り囲むように配置されたＬ字型の絶縁フレームを含み、上記絶縁フレームの外面に外部導体電極が配置され、上記絶縁フレームの内面に上記外部電極と接続される内部導体電極が配置され、上記外部導体電極と上記内部導体電極とが電気的に連結される。
本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、積層セラミックキャパシタの外部電極の一部を取り囲むように配置されたＬ字型の絶縁フレームを含み、上記絶縁フレームの外面に外部導体電極が配置され、上記絶縁フレームの内面に上記外部電極と接続される内部導体電極が配置され、上記外部導体電極と上記内部導体電極とが電気的に連結される。
また、上記内部導体電極と上記外部電極との間に導電性接着層が配置されることができる。
また、上記外部導体電極と上記内部導体電極は、上記絶縁フレームに貫通形成されたビア電極を介して電気的に連結されるか、又は上記絶縁フレームの上端に溝部が形成され、当該溝部に導電性連結部が配置されることにより電気的に連結されることができる。
また、上記絶縁フレームの下部は、上記外部電極から離隔して配置されることができる。
図１は、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を概略的に示す斜視図であり、図２は、図１の積層セラミック電子部品を分解して示す分解斜視図であり、図３は、図１の側断面図であり、図４は、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品における積層セラミックキャパシタの内部電極構造を概略的に示す分解斜視図である。
図１〜図４を参照すると、本実施形態による積層セラミック電子部品１００は、積層セラミックキャパシタ１０１と、第１及び第２の絶縁フレーム１４１、１４２と、第１及び第２の外部導体電極１５３、１５４と、第１及び第２の内部導体電極１５１、１５２と、第１及び第２の外部導体電極１５３、１５４と第１及び第２の内部導体電極１５１、１５２をそれぞれ接続させるための電気的連結手段と、を含む。
本実施形態の積層セラミックキャパシタ１０１は、複数の誘電体層１１１と複数の第１及び第２の内部電極１２１、１２２を含むセラミック本体１１０と、第１及び第２の外部電極１３１、１３２と、を含む。
セラミック本体１１０は、複数の誘電体層１１１を、第１及び第２の絶縁フレーム１４１、１４２が配置される方向に対して水平な厚さ方向Ｔに積層した後に焼成したものである。
この際、セラミック本体１１０の互いに隣接する各誘電体層１１１同士は、境界が確認できないほどに一体化されることができる。
また、セラミック本体１１０は六面体状であればよいが、本発明はこれに限定されない。
本実施形態では、説明の便宜のために、セラミック本体１１０の誘電体層１１１が積層される厚さ方向Ｔに対向する面を上面２及び下面１、上記上面２と下面１とを連結し且つセラミック本体１１０の長さ方向Ｌに対向する面を第１の側面３及び第２の側面４、上記第１の側面３及び第２の側面４と垂直に交差し且つ幅方向Ｗに対向する面を第３の側面５及び第４の側面６とする。
また、セラミック本体１１０は、最上部の第１又は第２の内部電極の上部に所定厚さの上部カバー層１１２が形成され、最下部の第１又は第２の内部電極の下部に下部カバー層１１３が配置されることができる。
上部カバー層１１２及び下部カバー層１１３は、誘電体層１１１と同じ組成を有し、内部電極を含まない誘電体層１１１を、セラミック本体１１０の最上部の内部電極の上部と最下部の内部電極の下部にそれぞれ少なくとも一つ以上積層して形成されることができる。
誘電体層１１１は、高誘電率のセラミック材料、例えば、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）系セラミック粉末などを含むことができるが、本発明はこれに限定されない。
上記ＢａＴｉＯ３系セラミック粉末としては、例えば、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ＴｉＯ３、Ｂａ（Ｔｉ１−ｙＣａｙ）Ｏ３、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３又はＢａ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３などを用いることができるが、本発明はこれに限定されない。
また、誘電体層１１１には、必要に応じて、セラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤及び分散剤のうち少なくとも一つ以上がさらに含まれることができる。
上記セラミック添加剤としては、例えば、遷移金属酸化物又は炭化物、希土類元素、マグネシウム（Ｍｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。
第１及び第２の内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１を形成するセラミックシート上に形成されて厚さ方向に積層された後、焼成によって一つの誘電体層１１１を介してセラミック本体１１０の内部に厚さ方向に交互に配置される。
第１の内部電極１２１と第２の内部電極１２２は、互いに異なる極性を有する電極であり、誘電体層１１１の積層方向に沿って対向して配置され、中間に配置された誘電体層１１１によって電気的に絶縁されることができる。
第１及び第２の内部電極１２１、１２２は、その一端がセラミック本体１１０の長さ方向の第１及び第２の側面３、４からそれぞれ露出する。
また、セラミック本体１１０の長さ方向の第１及び第２の側面３、４から露出した第１及び第２の内部電極１２１、１２２の端部は、セラミック本体１１０の長さ方向の第１及び第２の側面３、４上で第１及び第２の外部電極１３１、１３２にそれぞれ接続されて電気的に連結されることができる。
第１及び第２の内部電極１２１、１２２は、導電性金属、例えば、ニッケル（Ｎｉ）又はニッケル（Ｎｉ）合金などの材料で形成されることができるが、本発明はこれに限定されない。
以上のような構成により、第１及び第２の外部電極１３１、１３２に所定の電圧を印加したとき、対向する第１及び第２の内部電極１２１、１２２の間に電荷が蓄積され、この際の積層セラミックキャパシタ１０１の静電容量は誘電体層１１１の積層方向に沿って重なり合う第１及び第２の内部電極１２１、１２２の重なり面積に比例する。
第１及び第２の外部電極１３１、１３２は、セラミック本体１１０の長さ方向の両端部にそれぞれ配置される。
また、第１及び第２の外部電極１３１、１３２は、第１及び第２のボディ部１３１ａ、１３２ａと第１及び第２のバンド部１３１ｂ、１３２ｂをそれぞれ含むことができる。
第１及び第２のボディ部１３１ａ、１３２ａは、セラミック本体１１０の長さ方向の第１及び第２の側面３、４に配置され、第１及び第２の内部電極１２１、１２２の露出した端部とそれぞれ接続されて電気的に連結される部分である。
第１及び第２のバンド部１３１ｂ、１３２ｂは、第１及び第２のボディ部１３１ａ、１３２ａから少なくともセラミック本体１１０の実装面である下面の一部又は縁面の一部をそれぞれ覆うように伸びる部分であり、第１及び第２の外部電極１３１、１３２の固着強度を向上させる役割をすることができる。
また、第１及び第２の外部電極１３１、１３２上にメッキ層（図示せず）が形成されることができる。
上記メッキ層は、一例として、第１及び第２の外部電極１３１、１３２上にそれぞれ形成された第１及び第２のニッケル（Ｎｉ）メッキ層と、上記第１及び第２のニッケルメッキ層上にそれぞれ形成された第１及び第２のスズ（Ｓｎ）メッキ層と、を含むことができる。
第１の絶縁フレーム１４１は、第１の水平絶縁部１４１ｂ及び第１の垂直絶縁部１４１ａを含む。
第１の水平絶縁部１４１ｂは、セラミック本体１１０の下側、より詳細には、第１の外部電極１３１の第１のバンド部１３１ｂの下面の下に配置される。
また、第１の水平絶縁部１４１ｂは、必要に応じて、第１のバンド部１３１ｂから所定距離離隔して配置されることができる。
また、第１の垂直絶縁部１４１ａは、第１の水平絶縁部１４１ｂの一端部から垂直に折れ曲がって伸び、且つセラミック本体１１０の長さ方向の第１の側面３から所定距離離隔して配置される。
以上のように構成された第１の絶縁フレーム１４１はほぼＬ字型であればよい。
第２の絶縁フレーム１４２は、第２の水平絶縁部１４２ｂ及び第２の垂直絶縁部１４２ａを含む。
第２の水平絶縁部１４２ｂは、セラミック本体１１０の下側、より詳細には、第２の外部電極１３２の第２のバンド部１３２ｂの下面の下に配置される。
第２の水平絶縁部１４２ｂは、必要に応じて、第２のバンド部１３２ｂから所定距離離隔して配置されることができる。
また、第２の垂直絶縁部１４２ａは、第２の水平絶縁部１４２ｂの一端部から垂直に折れ曲がって伸び、且つセラミック本体１１０の長さ方向の第２の側面４から所定距離離隔して配置される。
以上のように構成された第２の絶縁フレーム１４２は、第１の絶縁フレーム１４１と対向するようにほぼＬ字型であればよい。
第１及び第２の絶縁フレーム１４１、１４２は、耐熱性と絶縁性に優れ、第１及び第２の水平絶縁部１４１ｂ、１４２ｂと第１及び第２の垂直絶縁部１４１ａ、１４２ａに折り曲げ加工するのに適した柔軟性を有する絶縁材料、例えば、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）樹脂などからなることができる。
本実施例の第１及び第２の絶縁フレーム１４１、１４２が絶縁体であることから、後述する内部導体電極のサイズを調節したときに積層セラミックキャパシタ１０１と第１及び第２の絶縁フレーム１４１、１４２との接合面積が容易に制御され、これにより、積層セラミックキャパシタ１０１で発生した圧電振動が第１及び第２の絶縁フレーム１４１、１４２及び外部導体電極を介して伝達されることを容易に調節することができる。
したがって、基板への振動の伝達を容易に制御し、ハンダが形成される部分における外部導体電極のサイズを調節したときにハンダの高さも容易に制御することができるという効果がある。
第１の外部導体電極１５３は、第１の水平導体部１５３ｂ及び第１の垂直導体部１５３ａを含む。
第１の水平導体部１５３ｂは、第１の絶縁フレーム１４１の第１の水平絶縁部１４１ｂの外面（下面）に配置され、第１の垂直導体部１５３ａは、第１の水平導体部１５３ｂの一端部から垂直に伸び且つ第１の絶縁フレーム１４１の第１の垂直絶縁部１４１ａの外面に配置される。
この際、第１の水平導体部１５３ｂには、基板への実装時にハンダとの接触性が良くなるように、ニッケル／スズ又はニッケル／金メッキなどの表面処理が施されることができる。
以上のように構成された第１の外部導体電極１５３は、第１の絶縁フレーム１４１の外面を覆う形であってほぼＬ字型であればよい。
第２の外部導体電極１５４は、第２の水平導体部１５４ｂ及び第２の垂直導体部１５４ａを含む。
第２の水平導体部１５４ｂは、第２の絶縁フレーム１４２の第２の水平絶縁部１４２ｂの外面（下面）に配置され、第２の垂直導体部１５４ａは、第２の水平導体部１５４ｂの一端部から垂直に伸び且つ第２の絶縁フレーム１４２の第２の垂直絶縁部１４２ａの外面に配置される。
この際、第２の水平導体部１５４ｂには、基板への実装時にハンダとの接触性が良くなるように、ニッケル／スズ又はニッケル／金メッキなどの表面処理が施されることができる。
以上のように構成された第２の外部導体電極１５４は、第２の絶縁フレーム１４２の外面を覆う形であってほぼＬ字型であればよい。
また、第１及び第２の外部導体電極１５３、１５４は、導電性に優れた金属材料、例えば、銅などからなることができる。
また、第１及び第２の垂直導体部１５３ａ、１５４ａの外面に、必要に応じて、エポキシ樹脂などの材料からなる絶縁層を形成したり部分的に導体電極をさらに形成したりすることにより、基板への実装時にハンダの高さを低く制御することができる。
第１の内部導体電極１５１は、第１の絶縁フレーム１４１の第１の垂直絶縁部１４１ａの内面に配置され、第１の外部電極１３１の第１のボディ部１３１ａと接続されて電気的に連結される。
第２の内部導体電極１５２は、第２の絶縁フレーム１４２の第２の垂直絶縁部１４２ａの内面に配置され、第２の外部電極１３２の第２のボディ部１３２ａと接続されて電気的に連結される。
また、第１及び第２の内部導体電極１５１、１５２は、第１及び第２の外部導体電極１５３、１５４と同じ材質で導電性に優れた金属材料、例えば、銅などからなることができる。
第１及び第２の内部導体電極１５１、１５２は、第１及び第２の外部電極１３１、１３２の第１及び第２のボディ部１３１ａ、１３２ａより小さく形成され、且つ第１及び第２のボディ部１３１ａ、１３２ａの上部にのみそれぞれ接合されるように構成されることができる。
以上のように第１及び第２の内部導体電極１５１、１５２の接合面積が小さくなると、第１及び第２の内部導体電極１５１、１５２の厚さによって第１及び第２の絶縁フレーム１４１、１４２の第１及び第２の垂直絶縁部１４１ａ、１４２ａの下部と第１及び第２の外部電極１３１、１３２の第１及び第２のボディ部１３１ａ、１３２ａの下部が所定距離離隔してその間にスペース部がそれぞれ形成され、これにより、積層セラミックキャパシタ１０１と第１及び第２の絶縁フレーム１４１、１４２との接合面積が小さくなるため、積層セラミックキャパシタ１０１の圧電性による振動が基板に伝達されることを低減させてアコースティックノイズを低減することができる。
上記電気的連結手段は、例えば、第１及び第２の絶縁フレーム１４１、１４２の第１及び第２の垂直絶縁部１４１ａ、１４２ａにそれぞれ貫通形成された第１及び第２のビア電極１５５、１５６であればよい。
第１及び第２のビア電極１５５、１５６の露出した両端部に第１及び第２の外部導体電極１５３、１５４の第１及び第２の垂直導体部１５３ａ、１５４ａと第１及び第２の内部導体電極１５１、１５２がそれぞれ接触して互いに電気的に連結されることができる。
図５を参照すると、上記電気的連結手段は、他の実施例として、第１及び第２の絶縁フレーム１４１、１４２の第１及び第２の垂直絶縁部１４１ａ、１４２ａの上端に第１及び第２の溝部が凹状に形成され、上記第１及び第２の溝部に導電性物質からなる第１及び第２の導電性連結部１５５、１５６が形成され、上記第１及び第２の導電性連結部１５５、１５６によって第１及び第２の外部導体電極１５３、１５４の第１及び第２の垂直導体部１５３ａ、１５４ａと第１及び第２の内部導体電極１５１、１５２がそれぞれ連結されるように構成されることができる。
また、第１及び第２の外部電極１３１、１３２の第１及び第２のボディ部１３１ａ、１３２ａと第１及び第２の内部導体電極１５１、１５２との間には、接合強度を向上させるために第１及び第２の導電性接着層１６１、１６２がそれぞれ配置されることができる。
第１及び第２の導電性接着層１６１、１６２は、例えば、高融点ハンダ又は導電性ペーストからなることができるが、本発明はこれに限定されない。
＜変形例＞
図６は、本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品を分解して示す分解斜視図であり、図７は、図６の積層セラミック電子部品の各構成要素が結合された状態を示す側断面図であり、図８は、本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品における積層セラミックキャパシタの内部電極構造を概略的に示す分解斜視図である。
図６は、本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品を分解して示す分解斜視図であり、図７は、図６の積層セラミック電子部品の各構成要素が結合された状態を示す側断面図であり、図８は、本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品における積層セラミックキャパシタの内部電極構造を概略的に示す分解斜視図である。
ここで、前述した実施形態と類似した部分については重複を避けるためにその具体的な説明を省略し、前述した実施形態と比較して変わった特徴について具体的に説明する。
図６〜図８を参照すると、本実施形態のセラミック本体１１０'は、複数の誘電体層１１１を、第１及び第２の絶縁フレーム１４１、１４２の第１及び第２の水平絶縁部１４１ｂ、１４２ｂが配置される方向に対して垂直な幅方向Ｗに積層して構成されることができる。
第１及び第２の内部電極１２３、１２４は、誘電体層１１１を形成するセラミックシート上に形成されて幅方向に積層された後、焼成によって一つの誘電体層１１１を介してセラミック本体１１０'の内部に幅方向に交互に配置される。
また、第１及び第２の内部電極１２３、１２４は、幅方向に重なり合う第１及び第２の本体部１２３ａ、１２４ａと、第１及び第２の本体部１２３ａ、１２４ａからセラミック本体１１０'の長さ方向の第１及び第２の側面３、４に露出するように伸びる第１及び第２のリード部１２３ｂ、１２４ｂと、を含む。
第１及び第２のリード部１２３ｂ、１２４ｂは、第１及び第２の本体部１２３ａ、１２４ａより狭い幅で形成されることができる。
また、セラミック本体１１０'は、幅方向の最外側に位置した第１又は第２の内部電極の外部に所定厚さのカバー層（図示せず）がそれぞれ配置されることができる。
第１及び第２の外部電極１３３、１３４は、セラミック本体１１０'の長さ方向の第１及び第２の側面３、４の一部に第１及び第２のリード部１２３ｂ、１２４ｂとそれぞれ接続されるように配置される。
第１及び第２の外部電極１３３、１３４は、第１及び第２のリード部１２３ｂ、１２４ｂがセラミック本体１１０'の長さ方向の第１及び第２の側面３、４から露出する面積を考慮して、セラミック本体１１０'の長さ方向の第１及び第２の側面３、４よりも厚さ方向に小さく形成されることができる。
また、第１及び第２の外部電極１３３、１３４は、固着強度の向上のために、必要に応じて、セラミック本体１１０'の幅方向の第１及び第２の側面５、６の一部までそれぞれ伸びて形成されることができる。
第１及び第２の内部導体電極１９１、１９２のサイズは、第１及び第２の外部電極１３３、１３４との接合面積を考慮して調節されることができる。
第１及び第２の外部導体電極１７０、１８０は、第１及び第２の水平導体部１７４、１８４と第１及び第２の垂直導体部１７１、１８１を含み、第１及び第２の垂直導体部には、切開部１７２、１７３、１８２、１８３が形成されることができる。
積層セラミック電子部品を基板に実装するときにハンダが第１及び第２の外部導体電極１７０、１８０に付着されると、その付着量に比例してアコースティックノイズが増加する。
本実施形態では、第１及び第２の垂直導体部１７１、１８１に切開部１７２、１７３、１８２、１８３を形成し、ハンダが付着される面積を減らすことにより、アコースティックノイズをさらに低減させることができる。
また、第１及び第２の垂直導体部１７１、１８１の幅方向の両側に切開部１７２、１７３、１８２、１８３を形成すると、第１及び第２の外部導体電極１７０、１８０の第１及び第２の垂直導体部１７１、１８１の対向する切開部１７２、１７３、１８２、１８３によってハンダが第１及び第２の外部導体電極１７０、１８０の第１及び第２の垂直導体部１７１、１８１に沿って高さ方向に高く形成されることを抑制すると共に、第１及び第２の垂直導体部１７１、１８１の面積を減らして第１及び第２の外部導体電極１７０、１８０の剛性を低くして弾性変形が起こりやすくなるようにすることによりアコースティックノイズを除去する効果をさらに向上させることができる。
なお、本実施形態では、第１及び第２の垂直導体部１７１、１８１の幅方向の両側に一対の切開部が対向して形成されたことを図示して説明しているが、本発明はこれに限定されず、上記切開部が第１及び第２の垂直導体部の中央にさらに形成されるなど、多様に変更可能である。
＜積層セラミック電子部品の実装基板＞
図９を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の実装基板２００は、積層セラミック電子部品１００が水平に実装される基板２１０と、基板２１０の上面に互いに離隔して形成された第１及び第２の電極パッド２１１、２１２と、を含む。
図９を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の実装基板２００は、積層セラミック電子部品１００が水平に実装される基板２１０と、基板２１０の上面に互いに離隔して形成された第１及び第２の電極パッド２１１、２１２と、を含む。
積層セラミック電子部品１００は、第１及び第２の外部導体電極１５３、１５４の第１及び第２の水平導体部１５３ｂ、１５４ｂがそれぞれ第１及び第２の電極パッド２１１、２１２上に接触するように位置した状態でハンダ２２１、２２２によって接合されて基板２１０と電気的に連結されることができる。
第１及び第２の電極パッド２１１、２１２のサイズは積層セラミック電子部品の第１及び第２の水平導体部１５３ｂ、１５４ｂと第１及び第２の電極パッド２１１、２１２を連結するハンダ２２１、２２２の量を決定する目安となり、上記ハンダ２２１、２２２の量によってアコースティックノイズのサイズが調節されることができる。
積層セラミックキャパシタ１０１が基板２１０に実装された状態でセラミック本体１１０の長さ方向の第１及び第２の側面３、４に形成された第１及び第２の外部電極１３１、１３２に極性の異なる電圧が印加されると、誘電体層１１１の逆圧電効果（Ｉｎｖｅｒｓｅ ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｅｆｆｅｃｔ）によってセラミック本体１１０は厚さ方向に膨張及び収縮し、第１及び第２の外部電極１３１、１３２が形成されたセラミック本体１１０の長さ方向の第１及び第２の側面３、４はポアソン効果（Ｐｏｉｓｓｏｎ ｅｆｆｅｃｔ）によってセラミック本体１１０の厚さ方向の膨張及び収縮とは逆に収縮及び膨張する。
このような収縮及び膨張は振動を発生させ、この振動は第１及び第２の外部電極１３１、１３２から基板２１０に伝達され、基板２１０から音響が放射されてアコースティックノイズとなる。
本実施形態によれば、第１及び第２の外部導体電極１５３、１５４と第１及び第２の絶縁フレーム１４１、１４２の弾性力によって、積層セラミックキャパシタ１０１の圧電特性によって発生する機械的振動の一部を吸収することにより、上記振動が基板２１０に伝達される量を減少させてアコースティックノイズを低減させることができる。
また、第１及び第２の外部導体電極１５３、１５４と第１及び第２の絶縁フレーム１４１、１４２が基板２１０の曲げなどによって発生する機械的応力及び外部衝撃を吸収することにより、積層セラミックキャパシタ１０１に応力が伝達されないようにするため、積層セラミックキャパシタ１０１のクラック発生を防止する効果を期待することができる。
また、本実施形態によれば、第１及び第２の外部導体電極１５３、１５４と第１及び第２の絶縁フレーム１４１、１４２によって十分な弾性力が得られることにより、第１及び第２の絶縁フレーム１４１、１４２の第１及び第２の水平絶縁部１４１ｂ、１４２ｂとセラミック本体１１０の下面とが接触又は離隔しても最小限の間隔を維持することができるため、製品の高さをより減らすことができる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
１００ 積層セラミック電子部品
１０１ 積層セラミックキャパシタ
１１０、１１０' セラミック本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー層
１２１、１２３ 第１の内部電極
１２２、１２４ 第２の内部電極
１３１、１３３ 第１の外部電極
１３２、１３４ 第２の外部電極
１４１ 第１の絶縁フレーム
１４２ 第２の絶縁フレーム
１５１、１９１ 第１の内部導体電極
１５２、１９２ 第２の内部導体電極
１５３、１７０ 第１の外部導体電極
１５４、１８０ 第２の外部導体電極
１５５、１５６ 第１及び第２のビア電極
１６１、１６３ 第１の導電性接着層
１６２、１６４ 第２の導電性接着層
２００ 実装基板
２１０ 基板
２１１、２１２ 第１及び第２の電極パッド
２２１、２２２ ハンダ
１０１ 積層セラミックキャパシタ
１１０、１１０' セラミック本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー層
１２１、１２３ 第１の内部電極
１２２、１２４ 第２の内部電極
１３１、１３３ 第１の外部電極
１３２、１３４ 第２の外部電極
１４１ 第１の絶縁フレーム
１４２ 第２の絶縁フレーム
１５１、１９１ 第１の内部導体電極
１５２、１９２ 第２の内部導体電極
１５３、１７０ 第１の外部導体電極
１５４、１８０ 第２の外部導体電極
１５５、１５６ 第１及び第２のビア電極
１６１、１６３ 第１の導電性接着層
１６２、１６４ 第２の導電性接着層
２００ 実装基板
２１０ 基板
２１１、２１２ 第１及び第２の電極パッド
２２１、２２２ ハンダ
Claims (11)
- 誘電体層を介して長さ方向の両面から交互に露出するように配置される複数の第１の内部電極及び複数の第２の内部電極を含むセラミック本体、及び前記セラミック本体の長さ方向の両端部に前記複数の第１の内部電極及び前記複数の第２の内部電極とそれぞれ接続されるように配置される第１の外部電極及び第２の外部電極を含む積層セラミックキャパシタと、
前記セラミック本体の厚さ方向の一側に配置される第１の水平絶縁部及び第２の水平絶縁部、及び前記第１の水平絶縁部及び前記第２の水平絶縁部の端部からそれぞれ垂直に伸び且つ前記セラミック本体の長さ方向の両面にそれぞれ配置される第１の垂直絶縁部及び第２の垂直絶縁部をそれぞれ含む第１の絶縁フレーム及び第２の絶縁フレームと、
前記第１の水平絶縁部及び前記第２の水平絶縁部の外面にそれぞれ配置される第１の水平導体部及び第２の水平導体部、及び前記第１の垂直絶縁部及び前記第２の垂直絶縁部の外面にそれぞれ配置される第１の垂直導体部及び第２の垂直導体部をそれぞれ含む第１の外部導体電極及び第２の外部導体電極と、
前記第１の垂直絶縁部及び前記第２の垂直絶縁部の内面にそれぞれ配置され前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極とそれぞれ接続される第１の内部導体電極及び第２の内部導体電極と、
前記第１の垂直導体部及び前記第２の垂直導体部と前記第１の内部導体電極及び前記第２の内部導体電極をそれぞれ接続させる電気的連結手段と、
を含み、
前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極は、前記セラミック本体の長さ方向の両面にそれぞれ形成された第１のボディ部及び第２のボディ部、及び前記第１のボディ部及び前記第２のボディ部からそれぞれ伸びて前記セラミック本体の縁面の一部をそれぞれ覆う第１のバンド部及び第２のバンド部をそれぞれ含み、
前記第１の内部導体電極及び前記第２の内部導体電極が前記第１のボディ部及び前記第２のボディ部の上部にそれぞれ接合され、前記第１の垂直絶縁部及び前記第２の垂直絶縁部の下部と前記第１のボディ部及び前記第２のボディ部の下部との間にスペース部がそれぞれ形成され、
前記第１のバンド部は前記第１の水平絶縁部に接し、前記第２のバンド部は前記第２の水平絶縁部に接している、積層セラミック電子部品。 - 前記第１の内部導体電極及び前記第２の内部導体電極と前記第１のボディ部及び前記第２のボディ部との間にそれぞれ配置される第１の導電性接着層及び第２の導電性接着層をさらに含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第１の導電性接着層及び前記第２の導電性接着層が高融点ハンダ又は導電性ペーストからなる、請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記電気的連結手段が前記第１の垂直絶縁部及び前記第２の垂直絶縁部にそれぞれ貫通形成された第１のビア電極及び第２のビア電極からなる、請求項１から３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記電気的連結手段は、前記第１の垂直絶縁部及び前記第２の垂直絶縁部の上端にそれぞれ形成された第１の溝部及び第２の溝部、及び前記第１の溝部及び前記第２の溝部にそれぞれ配置された第１の導電性連結部及び第２の導電性連結部を含む、請求項１から４のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記セラミック本体は、前記第１の水平絶縁部及び前記第２の水平絶縁部が配置される方向に対して水平に積層される複数の誘電体層を含む、請求項１から５のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記セラミック本体は、前記第１の水平絶縁部及び前記第２の水平絶縁部が配置される方向に対して垂直に積層される複数の誘電体層を含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記複数の第１の内部電極及び前記複数の第２の内部電極は、前記セラミック本体の長さ方向の両面から交互に露出するように伸びる第１のリード部及び第２のリード部をそれぞれ含み、
前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極が前記セラミック本体の長さ方向の両面の一部に前記第１のリード部及び前記第２のリード部とそれぞれ接続されるように配置される、請求項１から７のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。 - 前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極が前記セラミック本体の幅方向の両面の一部までそれぞれ伸びる、請求項８に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第１の垂直導体部及び前記第２の垂直導体部にそれぞれ形成された切開部をさらに含む、請求項１から９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
- 上部に第１の電極パッド及び第２の電極パッドを有する基板と、
前記第１の電極パッド及び前記第２の電極パッドに第１の外部導体電極及び第２の外部導体電極の第１の水平導体部及び第２の水平導体部が接合されるように前記基板に実装される請求項１から１０のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品と、
を含む、積層セラミック電子部品の実装基板。
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