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JP6430784B2 - 基板液処理装置 - Google Patents

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Description

開示の実施形態は、基板液処理装置に関する。
従来、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの基板に対して液処理を行う基板液処理装置が知られている。
たとえば、液処理部からの排気を流すための排気管の収容スペースが、液処理部の下方に設けられた基板液処理装置が知られている（特許文献１参照）。
特開２００８−３４４９０号公報
しかしながら、上述した従来技術では、液処理部からの排気の気液分離性を向上させるという点で更なる改善の余地があった。
たとえば、上述した従来技術では、液処理部に排液カップと排気カップとを設け、排液カップからの排液と排気カップからの排気とを独立させることにより、気液分離性を高めることとしている。しかしながら、排気経路には、たとえばミストが流れ込むおそれがある。排気経路へのミストの流入は、たとえば排気経路にミストトラップを設けることである程度抑えることが可能であるが、より少なく抑えることが好ましい。
実施形態の一態様は、液処理部からの排気の気液分離性を向上させることのできる基板液処理装置を提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係る基板液処理装置は、液処理部と、第１排気管と、第２排気管とを備える。液処理部は、処理液を用いて基板を処理する。第１排気管は、少なくとも一部が液処理部よりも上方に配置される。第２排気管は、液処理部に一端側が接続され、排気機構により第１排気管を介して液処理部を排気する。また、第２排気管は、第１排気管の液処理部よりも上方に配置される部分に他端側が接続される。
実施形態の一態様によれば、液処理部からの排気の気液分離性を向上させることができる。
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図２は、処理ユニットの概略構成を示す図である。 図３は、処理ユニットの排気経路を示す図である。 図４は、処理ステーションの模式斜視図である。 図５は、処理ステーションの模式側面図である。 図６は、処理ステーションの模式平面図である。 図７は、排気切替ユニットの模式斜視図である。 図８は、排気切替ユニットの模式斜視図である。 図９は、排気切替ユニットの構成を示す図である。 図１０は、外気導入部の構成を示す図である。 図１１は、排気切替中の状態を示す図である。 図１２は、流量調整処理の説明図である。 図１３は、流量調整処理の説明図である。 図１４は、基板処理システムにおいて実行される基板処理の処理手順の一例を示すフローチャートである。 図１５は、第１変形例に係る処理ステーションの模式側面図である。 図１６は、第２変形例に係る処理ステーションの模式平面図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板液処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
次に、処理ユニット１６の構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。
図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
次に、処理ユニット１６の排気経路について図３を参照して説明する。図３は、処理ユニット１６の排気経路を示す図である。なお、図３では、処理ユニット１６の排気経路を説明するために必要な構成要素を主に示しており、一般的な構成要素についての記載を適宜省略している。
まず、本実施形態に係る処理ユニット１６の構成について説明する。図３に示すように、処理ユニット１６が備える処理流体供給部４０（「処理液供給部」の一例に相当）は、ノズル４１と、このノズル４１に一端が接続される配管４２とを備える。配管４２の他端は複数に分岐しており、分岐した各端部には、それぞれアルカリ系処理液供給源７１、酸系処理液供給源７２、有機系処理液供給源７３およびＤＩＷ供給源７４が接続される。また、各供給源７１〜７４とノズル４１との間には、バルブ７５〜７８が設けられる。
かかる処理流体供給部４０は、各供給源７１〜７４から供給されるアルカリ系処理液、酸系処理液、有機系処理液およびＤＩＷ（常温の純水）をノズル４１からウェハＷの表面（被処理面）に対して供給する。
本実施形態では、アルカリ系処理液としてＳＣ１（アンモニア、過酸化水素および水の混合液）、酸系処理液としてＨＦ（フッ酸）、有機系処理液としてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が用いられるものとする。なお、酸系処理液、アルカリ系処理液および有機系処理液は、これらに限定されない。
なお、本実施形態では、アルカリ系処理液、酸系処理液、有機系処理液およびＤＩＷが１つのノズル４１から供給されるものとするが、処理流体供給部４０は、各処理液に対応する複数のノズルを備えていてもよい。
ここで、ＳＣ１使用時に処理ユニット１６から排出されるアルカリ系排気と、ＨＦ使用時に処理ユニット１６から排出される酸系排気と、ＩＰＡ使用時に処理ユニット１６から排出される有機系排気とは、たとえば安全性や排気管の汚染防止等の面から個別に排出することが好ましい。このため、本実施形態に係る基板処理システム１では、アルカリ系排気、酸系排気および有機系排気ごとに排気経路が設けられる。
つづいて、処理ユニット１６の排気経路の構成について説明する。基板処理システム１の処理ステーション３は、処理ユニット１６の排気経路として、第１排気管１００と、第２排気管２００と、排気切替ユニット３００とを備える。
第１排気管１００は、複数の個別排気管１０１〜１０３を備える。個別排気管１０１は、アルカリ系排気が流れる排気管であり、個別排気管１０２は、酸系排気が流れる排気管であり、個別排気管１０３は、有機系排気が流れる排気管である。これら個別排気管１０１〜１０３には、排気機構１５１〜１５３がそれぞれ設けられる。排気機構１５１〜１５３としては、ポンプ等の吸気装置を用いることができる。
本実施形態に係る個別排気管１０１〜１０３は、少なくとも一部が処理ユニット１６よりも上方に配置される。個別排気管１０１〜１０３の具体的な配置については後述する。
第２排気管２００は、処理ユニット１６からの排気を第１排気管１００へ導く配管である。かかる第２排気管２００は、処理ユニット１６の排気口５２に一端側が接続され、他端が、後述する排気切替ユニット３００を介して、第１排気管１００の処理ユニット１６よりも上方に配置される部分に接続される。
第２排気管２００は、処理ユニット１６の排気口５２から水平に延びる水平部２０１と、水平部２０１の下流側に設けられ、上方に向かって鉛直に延びる上昇部２０２とを備える。また、上昇部２０２の最下位置には、第２排気管２００内の液体を外部へ排出するドレン部２５０が設けられる。
排気切替ユニット３００は、第２排気管２００の上昇部２０２に接続され、処理ユニット１６からの排気の流出先を個別排気管１０１〜１０３の何れかに切り替える。第１排気管１００と同様、かかる排気切替ユニット３００も処理ユニット１６よりも上方に配置される。
処理ユニット１６の排気経路は上記のように構成されており、処理ユニット１６からの排気は、第２排気管２００および排気切替ユニット３００を介して個別排気管１０１〜１０３の何れかに流出する。
ここで、本実施形態に係る基板処理システム１では、上述したように、第１排気管１００の少なくとも一部と排気切替ユニット３００とが処理ユニット１６よりも上方に配置され、第２排気管２００の他端側が、排気切替ユニット３００を介して、第１排気管１００の処理ユニット１６よりも上方に配置される部分に接続される。これにより、処理ユニット１６からの排気は、第２排気管２００の上昇部２０２を上昇した後、排気切替ユニット３００から第１排気管１００へ流出することとなる。
処理ユニット１６からの排気には、ミストが含まれる場合がある。しかし、ミストは気体よりも重いため、排気と比較して上昇部２０２を上昇し難い。このため、ミストを含んだ排気は、上昇部２０２を流れる間に、上昇部２０２を上昇し易い排気と上昇部２０２を上昇し難いミストとに分離される。この結果、排気は、上昇部２０２の上方に設けられた排気切替ユニット３００を介して第１排気管１００から外部へ排出され、ミストは、温度低下により液化した後、上昇部２０２の最下位置に設けられたドレン部２５０から外部に排出されることとなる。
このように、本実施形態に係る基板処理システム１では、処理ユニット１６の排気経路に上昇部２０２を設け、処理ユニット１６からの排気を上方に導くこととしたため、処理ユニット１６からの排気の気液分離性を向上させることが可能である。また、上昇部２０２において気液分離が行われるため、上昇部２０２よりも下流側（上方）に配置される排気切替ユニット３００にミストに起因する汚れや不純物等が付着することを防止することができる。
また、ミストは、液化すると、上昇部２０２を落下して上昇部２０２の最下位置に溜まるため、上昇部２０２の最下位置にドレン部２５０を設けることで、第２排気管２００内の液体を効率良く外部へ排出することができる。
ここで、本実施形態において上昇部２０２の最下位置は、水平部２０１と上昇部２０２との角部に相当する。第２排気管２００を流れるミストは、水平部２０１から上昇部２０２へ移動する際に、上記角部に衝突することにより液化する場合がある。このため、水平部２０１と上昇部２０２との間に角部を設け、かかる角部にドレン部２５０を配置することで、第２排気管２００内の液体をより効率的に回収することができる。
なお、基板処理システム１は、上昇部２０２の上部から上昇部２０２内に冷却水を噴出する冷却水噴出部を備えていてもよい。これにより、上昇部２０２内のミストを冷却水により冷却して積極的に液化させることができる。
第２排気管２００には、アルカリ系排気、酸系排気および有機系排気の全てが流れるため、たとえば塩が発生するなどして第２排気管２００内が汚れる可能性がある。そこで、基板処理システム１は、第２排気管２００内に洗浄水を噴出する洗浄水噴出部を備えてもよい。これにより、第２排気管２００内の汚れを洗浄水により除去することができる。
本実施形態では、上昇部２０２の最下位置（水平部２０１と上昇部２０２との角部）にドレン部２５０が配置される場合の例を示したが、ドレン部２５０は、水平部２０１に配置されてもよい。また、ここでは、第２排気管２００が水平部２０１を有する場合の例を示したが、第２排気管２００は必ずしも水平部２０１を有することを要しない。
また、本実施形態では、上昇部２０２が鉛直に延びる場合の例を示したが、上昇部２０２は、たとえば斜めに延びる形状や蛇行しながら延びる形状や螺旋状に延びる形状等であってもよい。このような形状とすることで、鉛直に延びる場合と比較して上昇部２０２の流路長を長くすることができる。上昇部２０２の流路長が長くなるほど、上昇部２０２においてより多くのミストが温度低下により液化するようになるため、気液分離性をさらに向上させることができる。
次に、上述した第１排気管１００、第２排気管２００および排気切替ユニット３００の配置について図４〜図７を参照して説明する。図４は、処理ステーション３の模式斜視図である。また、図５は、同模式側面図であり、図６は、同模式平面図である。なお、ここでいう側面図とは、処理ステーション３をＹ軸正方向に見た場合の図であり、平面図とは、処理ステーション３をＺ軸負方向に見た場合の図である。また、図４には、処理ステーション３のうち、搬送部１５（図１参照）よりもＹ軸正方向側の構成を省略して示している。
図４および図５に示すように、処理ステーション３は、複数の柱部４０１と複数の梁部４０２とを有するフレーム構造体４００を備えており、柱部４０１と梁部４０２とによって形成される収容空間に、複数の処理ユニット１６と複数のバルブボックス６０とが収容される。
複数の処理ユニット１６は、搬送部１５に沿って並列に配置され、かつ、上下２段に積層される。複数のバルブボックス６０は、たとえばバルブ７５〜７８（図３参照）等が収容される容器であり、各処理ユニット１６の下部に配置される。
以下では、上下２段に積層される処理ユニット１６のうち、上段に配置される処理ユニット１６を「処理ユニット１６Ｕ」と記載し、下段に配置される処理ユニット１６を「処理ユニット１６Ｌ」と記載する場合がある。なお、本実施形態では、処理ユニット１６が上下２段に積層される場合の例を示すが、処理ユニット１６の積層数は２段に限定されない。また、図４〜図６では、５台の処理ユニット１６が並列に配置される場合の例を示すが、並列に配置される処理ユニット１６の台数は５台に限定されない。
第１排気管１００が有する個別排気管１０１〜１０３は、フレーム構造体４００の上部に載置される。また、個別排気管１０１〜１０３の上部には、各処理ユニット１６に対応する複数の排気切替ユニット３００が載置される。
このように、本実施形態に係る基板処理システム１では、個別排気管１０１〜１０３と排気切替ユニット３００とをフレーム構造体４００の外部に配置することとした。これにより、フレーム構造体４００の部分と、個別排気管１０１〜１０３および排気切替ユニット３００の部分とを別々に搬送することができる。また、搬送作業や設置作業を容易化することができる。
また、本実施形態に係る基板処理システム１によれば、第１排気管１００および排気切替ユニット３００がフレーム構造体４００の外部に配置されるため、第１排気管１００および排気切替ユニット３００の構造を基板処理の内容に応じて変えることも容易である。
たとえば、アルカリ系処理液および酸系処理液の２種類しか使用しない場合、フレーム構造体４００上には、個別排気管１０３を有しない第１排気管１００およびこの第１排気管１００に対応する排気切替ユニット３００を設置することが容易である。このように、本実施形態に係る基板処理システム１によれば、設計自由度を高めることができる。
また、本実施形態に係る基板処理システム１によれば、第１排気管１００および排気切替ユニット３００をフレーム構造体４００の内部に配置した場合と比較して、フレーム構造体４００の内部に余剰スペース４１０（図５参照）を設けることが容易である。余剰スペース４１０は、フレーム構造体４００の最下段に設けることができ、たとえばアルカリ系処理液供給源７１や酸系処理液供給源７２などの各種供給源の収納スペースとして利用することができる。
また、本実施形態に係る排気切替ユニット３００は、個別排気管１０１〜１０３の上部に配置される。言い換えれば、排気切替ユニット３００は、処理ステーション３の最上部に配置される。これにより、作業者は、排気切替ユニット３００の交換やメンテナンスを容易に行うことができる。なお、排気切替ユニット３００は、少なくとも処理ユニット１６よりも上方に配置されていればよく、たとえば、個別排気管１０１〜１０３の下部に配置されてもよい。
図４および図５に示すように、第１排気管１００は、最上段に配置される処理ユニット１６Ｕよりも上方に配置され、かつ、上段側の処理ユニット１６Ｕおよび下段側の処理ユニット１６Ｌのそれぞれに対応する第２排気管２００Ｕ，２００Ｌが排気切替ユニット３００Ｕ，３００Ｌを介して接続される。
このように、本実施形態に係る基板処理システム１では、上段側の処理ユニット１６Ｕと、下段側の処理ユニット１６Ｌとで、第１排気管１００を共用することとしている。このため、上段側の処理ユニット１６Ｕと下段側の処理ユニット１６Ｌとで、第１排気管１００をそれぞれ設けた場合と比べ、基板処理システム１の製造コストを低く抑えることができる。
なお、図６に示すように、基板処理システム１は、搬送部１５よりもＹ軸負方向側に配置される処理ユニット１６に対応する第１排気管１００と、搬送部１５よりもＹ軸正方向側に配置される処理ユニット１６に対応する第１排気管１００とを備える。各第１排気管１００は、対応する処理ユニット１６が配置される領域の上方にそれぞれ配置される。
ここで、複数の第２排気管２００のうち、上段の処理ユニット１６Ｕに接続される第２排気管２００Ｕと、下段の処理ユニット１６Ｌに接続される第２排気管２００Ｌとは、処理ユニット１６Ｕ，１６Ｌの同じ側に配置される。たとえば図５に示すように、第２排気管２００Ｕ，２００Ｌは、処理ステーション３をＹ軸正方向に見た場合の処理ユニット１６Ｕ，１６Ｌの右側に配置される場合の例を示している。
また、複数の排気切替ユニット３００のうち、上段の処理ユニット１６Ｕに対応する排気切替ユニット３００Ｕと、下段の処理ユニット１６Ｌに対応する排気切替ユニット３００Ｌとは、処理ユニット１６の並び方向に沿って交互に配置される。
そして、排気切替ユニット３００Ｕと排気切替ユニット３００Ｌとは、同一の構造を有し、かつ、互いに向かい合わせに配置される。具体的には、図５に示すように、処理ステーション３をＹ軸正方向に見た場合に、上段の処理ユニット１６Ｕに対応する排気切替ユニット３００Ｕと、下段の処理ユニット１６Ｌに対応する排気切替ユニット３００Ｌとは、これらの処理ユニット１６Ｕ，１６Ｌに接続される第２排気管２００Ｕ，２００Ｌを中心線Ｘとして線対称に配置される。
このように、基板処理システム１では、上段の処理ユニット１６Ｕに接続される第２排気管２００Ｕと、下段の処理ユニット１６Ｌに接続される第２排気管２００Ｌとが、処理ユニット１６Ｕ，１６Ｌの同じ側に配置される。また、上段の処理ユニット１６Ｕに対応する排気切替ユニット３００Ｕと、下段の処理ユニット１６Ｌに対応する排気切替ユニット３００Ｌとが、これら第２排気管２００Ｕ，２００Ｌを中心線Ｘとして線対称となるように向かい合わせて配置される。このような配置とすることにより、上段と下段とで、第２排気管２００Ｕ，２００Ｌや排気切替ユニット３００Ｕ，３００Ｌを共通化させることが容易となる。
なお、排気切替ユニット３００Ｕと排気切替ユニット３００Ｌとは、必ずしも向かい合わせに配置されることを要しない。たとえば、排気切替ユニット３００Ｕと排気切替ユニット３００Ｌとは、同じ方向を向いて配置されてもよい。この場合、たとえば下段の処理ユニット１６Ｌに接続される第２排気管２００Ｌを垂直に延在させて排気切替ユニット３００Ｌと接続し、上段の処理ユニット１６Ｕに接続される第２排気管２００Ｕを斜めに延在させて排気切替ユニット３００Ｕと接続すればよい。
次に、排気切替ユニット３００の構成について図７および図８を参照して説明する。図７および図８は、排気切替ユニット３００の模式斜視図である。
図７および図８に示すように、排気切替ユニット３００Ｕ，３００Ｌは、排気導入部３１０と、複数の切替機構３２０＿１〜３２０＿３と、外気導入部３３０と、複数の流出部３４０とを備える。また、排気切替ユニット３００Ｕ，３００Ｌは、外気取込管３５０と、差圧ポート３６０と、排気流量調整部３７０とを備える。
各排気切替ユニット３００Ｕ，３００Ｌは、第２排気管２００Ｕ，２００Ｌに外気取込管３５０が接続されるとともに（図８参照）、個別排気管１０１〜１０３に流出部３４０が接続される（図７参照）。そして、第２排気管２００Ｕ，２００Ｌからの排気は、差圧ポート３６０、排気流量調整部３７０および排気導入部３１０を介して切替機構３２０＿１〜３２０＿３の何れかに流入し（図８参照）、切替機構３２０＿１〜３２０＿３から流出部３４０を介して個別排気管１０１〜１０３の何れかに排出される。
なお、排気切替ユニット３００Ｕ，３００Ｌは、排気導入部３１０、切替機構３２０＿１〜３２０＿３、外気導入部３３０、流出部３４０、外気取込管３５０、差圧ポート３６０および排気流量調整部３７０がユニット化された構成を有する。したがって、排気切替ユニット３００Ｕ，３００Ｌは、個別排気管１０１〜１０３や第２排気管２００への取り付け、取り外しが容易である。
排気導入部３１０は、中空状の箱体である本体部３１１を有し、本体部３１１における切替機構３２０＿１〜３２０＿３と対向する側面に、切替機構３２０＿１〜３２０＿３の各排気取込口３２２に連通する複数の連通口（図示せず）が形成される。また、本体部３１１の下面には、排気流量調整部３７０に連通する連通口（図示せず）が形成される。かかる排気導入部３１０は、第２排気管２００から後述する外気取込管３５０、差圧ポート３６０および排気流量調整部３７０を介して導入される排気を切替機構３２０＿１〜３２０＿３へ流入させる。
ここで、排気流量調整部３７０から排気導入部３１０へ導入された排気は、排気導入部３１０の上面にぶつかった後で、切替機構３２０＿１〜３２０＿３の何れかに流入することとなる。このため、仮に、排気導入部３１０に導入された排気にミストが含まれていたとしても、かかるミストを排気導入部３１０の上面にぶつけて液化させることができ、ミストの切替機構３２０＿１〜３２０＿３への流入を抑制することができる。
なお、本実施形態では、排気導入部３１０が直方体状の箱体である場合の例を示したが、排気導入部３１０の形状は、直方体状に限定されない。たとえば、排気導入部３１０は、円柱状の箱体であってもよい。排気導入部３１０を円柱状とすることで、たとえば、パイプなどで形成される配管と部材を共通化させることができる。また、排気導入部３１０を円柱状とした場合でも、排気導入部３１０へ導入された排気は、排気導入部３１０の内面にぶつかった後で、切替機構３２０＿１〜３２０＿３の何れかに流入することとなる。このため、排気導入部３１０を直方体状とした場合と同様に、ミストを排気導入部３１０の内面にぶつけて液化させることが可能である。
また、本実施形態では、排気導入部３１０を箱体としたが、排気導入部３１０は、必ずしも箱体であることを要しない。たとえば、排気導入部３１０は、一端が排気流量調整部３７０に接続され、他端が複数に分岐してそれぞれ切替機構３２０＿１〜３２０＿３に接続される配管であってもよい。
切替機構３２０＿１〜３２０＿３は、個別排気管１０１〜１０３の各々に対応し、個別排気管１０１〜１０３の並び方向と同一の方向（Ｙ軸方向）に沿って並べて配置される。各切替機構３２０＿１〜３２０＿３には、排気導入部３１０と、外気導入部３３０と、流出部３４０とが接続される。排気導入部３１０と外気導入部３３０とは、切替機構３２０＿１〜３２０＿３の一つの側面に上下に所定の間隔をあけて接続される。また、流出部３４０は、切替機構３２０＿１〜３２０＿３の排気導入部３１０および外気導入部３３０が接続される側面とは反対側の側面に接続される。
かかる切替機構３２０＿１〜３２０＿３は、内部に設けられた弁体を動作させることで、排気導入部３１０と流出部３４０とが連通した状態と、外気導入部３３０と流出部３４０とが連通した状態とを切り替えるように構成される。ここで、切替機構３２０＿１〜３２０＿３の内部構成について図９を参照して説明する。図９は、排気切替ユニット３００の構成を示す図である。
図９に示すように、切替機構３２０＿１〜３２０＿３は、本体部３２１を備える。本体部３２１は、両端が閉塞された円筒状の内部空間を有し、その内周面には、排気導入部３１０に連通する排気取込口３２２と、外気導入部３３０に連通する外気取込口３２３と、流出部３４０に連通する流出口３２４とが形成される。
本体部３２１の内部空間には、本体部３２１の内周面に沿って摺動可能な弁体３２５が設けられている。弁体３２５は、切替機構３２０＿１〜３２０＿３の外部に設けられた駆動部３２６（図７参照）によって駆動される。駆動部３２６は、制御部１８によって制御される。
本体部３２１の内周面に形成される排気取込口３２２、外気取込口３２３および流出口３２４のうち、排気取込口３２２および外気取込口３２３の何れか一方は、弁体３２５によって塞がれた状態となっている。言い換えれば、排気取込口３２２および外気取込口３２３の何れか一方のみが流出口３２４に連通した状態となっている。切替機構３２０＿１〜３２０＿３は、弁体３２５を本体部３２１の内周面に沿って摺動させることにより、流出口３２４と連通する開口を排気取込口３２２から外気取込口３２３へ、または、外気取込口３２３から排気取込口３２２へ切り替える。すなわち、排気導入部３１０と流出部３４０とが連通した状態と、外気導入部３３０と流出部３４０とが連通した状態とを切り替える。
外気導入部３３０は、切替機構３２０＿１〜３２０＿３に接続されており、外気を内部に取り込んで切替機構３２０＿１〜３２０＿３へ供給する。ここで、外気導入部３３０の構成について図１０を参照して説明する。図１０は、外気導入部３３０の構成を示す図である。なお、図１０では、外気導入部３３０の平断面の形状を模式的に示している。
図１０に示すように、外気導入部３３０は、本体部３３１を備える。本体部３３１は、中空状の箱体であり、切替機構３２０＿１〜３２０＿３と対向する側面に、切替機構３２０＿１〜３２０＿３の各外気取込口３２３に連通する複数の連通口３３２〜３３４が形成される。また、本体部３３１における複数の連通口３３２〜３３４が設けられる側とは反対側の側面には、連通口３３２〜３３４の並び方向に沿って開口するスリット状の開口部３３５が形成される。
外気は、開口部３３５から本体部３３１の内部に流入した後、本体部３３１を通って連通口３３２〜３３４の何れかから切替機構３２０＿１〜３２０＿３の何れかへ流入する。
ここで、開口部３３５は、連通口３３２〜３３４の並び方向に沿って形成される。これにより、本体部３３１内において圧力損失をできるだけ均等に発生させることができるが、かかる点については後述する。なお、本実施形態では、開口部３３５をスリット状としたが、開口部３３５の形状はスリット状に限定されない。たとえば、開口部３３５は、複数の小孔が複数の連通口３３２〜３３４の並び方向に沿って設けられたものであってもよい。
なお、外気導入部３３０は、開口部３３５の開口度合いを変化させる開口調整部を備えていてもよい。開口調整部としては、たとえば、開口部３３５が形成される本体部３３１の側面に取り付けられて、開口部３３５を塞ぐシャッターを用いることができる。このように、開口調整部を設けることにより、本体部３３１内に生じる圧力損失を調整することができる。
ここでは、本体部３３１における複数の連通口３３２〜３３４が設けられる面とは反対側の面に開口部３３５が設けられる場合の例を示したが、開口部３３５は、少なくと、連通口３３２〜３３４が設けられる面とは異なる面に設けられていればよい。たとえば、複数の連通口３３２〜３３４が本体部３３１の側面に設けられる場合において、開口部３３５は、本体部３３１の上面に設けられてもよい。
外気取込管３５０は、一端側が第２排気管２００に接続されるとともに、他端側が大気に開放された配管である（図７〜図９参照）。外気取込管３５０の中途部には、外気流量調整部３５１が設けられる。外気流量調整部３５１は、たとえばダンパであり、ダンパの開度を駆動部３５２（図７参照）を用いて変化させることで、外気取込管３５０の一端側へ流れる外気の流量を調整する。なお、駆動部３５２は、制御部１８によって制御される。かかる外気取込管３５０および外気流量調整部３５１は、処理ユニット１６への給気量を切り替える際に用いられる。
なお、本実施形態では、外気取込管３５０の一端側が第２排気管２００に接続される場合の例を示したが、外気取込管３５０の一端側が接続される位置は、少なくとも切替機構３２０＿１〜３２０＿３よりも上流側であればよい。たとえば、外気取込管３５０の一端側は、排気導入部３１０に接続されてもよい。
差圧ポート３６０は、上流側の端部が外気取込管３５０の一端側に接続され、下流側の端部が排気流量調整部３７０に接続される。かかる差圧ポート３６０は、上流側と下流側との圧力差を検出し、検出結果を制御部１８へ出力する。制御部１８は、差圧ポート３６０から取得した検出結果に基づいて、後述する排気流量調整部３７０を制御することにより、排気導入部３１０へ流れる排気流量を所定の値に保つことができる。なお、差圧ポート３６０は、中途部に絞り部を有し、かかる絞り部の上流側と下流側との圧力差を検出する構成であってもよい。
排気流量調整部３７０は、上流側の端部が差圧ポート３６０に接続され、下流側の端部が排気導入部３１０に接続される。排気流量調整部３７０の内部には、たとえばダンパが配置される。かかる排気流量調整部３７０は、ダンパの開度を駆動部３７１（図８参照）を用いて変化させることで、差圧ポート３６０から排気導入部３１０へ流れる排気の流量を調整することができる。なお、駆動部３７１は、制御部１８によって制御される。
ここで、上述したように、本実施形態に係る基板処理システム１では、フレーム構造体４００上に配置される第１排気管１００を、上段側の処理ユニット１６Ｕと下段側の処理ユニット１６Ｌとで共用することとしている。かかる構成とした場合、処理ユニット１６Ｌに接続される第２排気管２００Ｌの長さは、処理ユニット１６Ｕに接続される第２排気管２００Ｕよりも長くなる。これにより、排気流路の流路抵抗に差が生じ、処理ユニット１６Ｕと処理ユニット１６Ｌとで排気量が不均等となるおそれがある。
これに対し、本実施形態に係る排気切替ユニット３００は、差圧ポート３６０と排気流量調整部３７０とを備えている。したがって、制御部１８は、上段側および下段側の差圧ポート３６０の検出結果に基づき、上段側および下段側の排気流量調整部３７０を制御することで、上段側の排気流量と下段側の排気流量とを均等に揃えることができる。
次に、処理ユニット１６からの排気の流出先を個別排気管１０１〜１０３の間で切り替える場合の動作について説明する。
たとえば、図９には、アルカリ系排気を個別排気管１０１へ流す場合の例を示している。この場合、排気切替ユニット３００は、切替機構３２０＿１の排気取込口３２２が排気導入部３１０と連通し、残りの切替機構３２０＿２，３２０＿３の外気取込口３２３が外気導入部３３０と連通した状態となっている。
このように、切替機構３２０＿１が排気導入部３１０に連通している間、残りの切替機構３２０＿２，３２０＿３は外気導入部３３０に連通した状態となっている。これにより、個別排気管１０１にアルカリ系排気が流入し、残りの個別排気管１０２，１０３には外気が流入することとなる。
つづいて、排気の流出先を個別排気管１０１から個別排気管１０２へ切り替える場合について考える。この場合、制御部１８は、切替機構３２０＿１，３２０＿２の駆動部３２６を制御することにより、切替機構３２０＿２の排気取込口３２２を排気導入部３１０に連通させ、残りの切替機構３２０＿１，３２０＿３の外気取込口３２３を外気導入部３３０に連通させる。これにより、個別排気管１０２に酸系排気が流入し、残りの個別排気管１０１，１０３には外気が流入することとなる。
このように、本実施形態に係る基板処理システム１では、個別排気管１０１〜１０３の何れか一つに処理ユニット１６からの排気が流入する間、残りの個別排気管１０１〜１０３には外気が流入する。したがって、排気切替の前後において、各個別排気管１０１〜１０３に流入する気体の流量は大きく変動することがない。したがって、流量の変動に伴う処理ユニット１６の圧力変動を抑えることができる。
また、本実施形態に係る基板処理システム１では、切替機構３２０＿１〜３２０＿３が備える外気取込口３２３の前段に、各外気取込口３２３に連通する外気導入部３３０を設けることで、排気切替中における処理ユニット１６の圧力変動も抑えることができる。
かかる点について図１１を参照して説明する。図１１は、排気切替中の状態を示す図である。
たとえば、排気の流出先が個別排気管１０１から個別排気管１０２へ切り替わる場合、切替機構３２０＿１の弁体３２５が外気取込口３２３を塞ぐ位置から排気取込口３２２を塞ぐ位置へ移動するとともに、切替機構３２０＿２の弁体３２５が排気取込口３２２を塞ぐ位置から外気取込口３２３を塞ぐ位置へ移動する。その途中においては、図１１に示すように、切替機構３２０＿１，３２０＿２の排気取込口３２２と外気取込口３２３とがともに流出口３２４に連通した状態となる。
ここで、仮に、各切替機構３２０＿１〜３２０＿３の外気取込口３２３が直接大気に開放されていた場合、排気取込口３２２の前段に排気導入部３１０が設けられる排気の流入経路と比較して、外気の流入経路の圧力損失は小さくなる。この結果、圧力損失が少ない外気取込口３２３から流入する外気の流量は、排気取込口３２２から流入する排気の流量よりも多くなる。
切替機構３２０＿１，３２０＿２の本体部３２１へ流入する外気の流量が増加すると、相対的に、排気取込口３２２から本体部３２１へ流入する排気の流量が少なくなる。つまり、排気切替中における排気流量は、排気切替の前後における排気流量と比較して少なくなる。そうすると、処理ユニット１６内が給気過多となり、処理ユニット１６からの雰囲気漏れ等が生じるおそれがある。
これに対し、本実施形態に係る基板処理システム１では、各切替機構３２０＿１〜３２０＿３が備える外気取込口３２３の前段に外気導入部３３０を設けることとした。これにより、外気の流入経路と排気の流入経路との圧力損失の差が減るため、排気切替中における外気の流量の増加を抑えることができる。言い換えれば、排気切替中における排気流量の減少を抑えることができるため、排気流量の減少に伴う処理ユニット１６の圧力変動を抑えることができる。
また、切替機構３２０＿１〜３２０＿３の各排気取込口３２２は、排気導入部３１０を介して相互に連通可能である。また、切替機構３２０＿１〜３２０＿３の各外気取込口３２３も同様に、外気導入部３３０を介して相互に連通可能に構成される。したがって、排気切替中においては、排気導入部３１０と外気導入部３３０とが切替機構３２０＿１〜３２０＿３を介して相互に連通した状態となる。
かかる構成とすることにより、排気切替中において、排気の流入経路側で生じた圧力変動を、外気の流入経路側で生じる圧力変動によって相殺することができる。したがって、排気切替中における処理ユニット１６の圧力変動を効果的に抑えることができる。
次に、酸系排気が流れる個別排気管１０２から有機系排気が流れる個別排気管１０３へ排気の流出先を切り替える場合について考える。この場合、制御部１８は、切替機構３２０＿２，３２０＿３の駆動部３２６を制御することにより、切替機構３２０＿３の排気取込口３２２を排気導入部３１０に連通させ、残りの切替機構３２０＿１，３２０＿２の外気取込口３２３を外気導入部３３０に連通させる。これにより、個別排気管１０３に有機系排気が流入する間、残りの個別排気管１０１，１０２には外気が流入することとなる。
ここで、処理ユニット１６で使用される処理液の種類を有機系処理液であるＩＰＡに切り替える場合、制御部１８は、ＦＦＵ２１を制御することにより、処理ユニット１６への給気量を他の処理液の使用時の第１流量から第１流量よりも少ない第２流量へ変更する。
処理ユニット１６への給気量が減少すると、必要な排気量も減少することとなる。本実施形態に係る基板処理システム１では、処理ユニット１６への給気量を第１流量から第２流量へ変更する場合に、排気機構１５１〜１５３による排気量を変更することなく、排気機構１５１〜１５３による排気量と必要な排気量との差を外気取込管３５０からの外気の取り込みによって補うこととした。かかる処理（以下、「流量調整処理」と記載する）について図１２および図１３を参照して説明する。図１２および図１３は、流量調整処理の説明図である。
なお、図１２では、処理ユニット１６への給気量が第１流量である場合の例を示しており、図１３では、処理ユニット１６への給気量が第２流量である場合の例を示している。また、図１２および図１３では、排気機構１５１〜１５３による排気量が、それぞれ１ｍ３／ｍｉｎに設定される場合の例を示している。また、ここでは、外気取込管３５０から差圧ポート３６０へ流入する外気の流量の初期値が、０ｍ３／ｍｉｎであるものとする。
たとえば、アルカリ系処理液であるＳＣ１や酸系処理液であるＨＦが処理ユニット１６において使用される場合、処理ユニット１６への給気量は、図１２に示すように、第１流量（たとえば１ｍ３／ｍｉｎ）に設定される。かかる場合、必要となる排気量は、１ｍ３／ｍｉｎであり、排気機構１５１〜１５３による排気量との差は０ｍ３／ｍｉｎである。したがって、外気取込管３５０から差圧ポート３６０へ流入する外気の流量は、０ｍ３／ｍｉｎに維持される。なお、図１２には、一例として、アルカリ系処理液であるＳＣ１が処理ユニット１６において使用される場合を示している。
一方、有機系処理液であるＩＰＡが処理ユニット１６において使用される場合、処理ユニット１６への給気量は、図１３に示すように、第１流量から第２流量（たとえば０．５ｍ３／ｍｉｎ）に切り替えられる。かかる場合、必要となる排気量は、０．５ｍ３／ｍｉｎであり、排気機構１５１〜１５３による排気量との差は０．５ｍ３／ｍｉｎである。したがって、制御部１８は、外気流量調整部３５１を制御して、外気取込管３５０から差圧ポート３６０へ流入する外気の流量を０．５ｍ３／ｍｉｎに調整する。
このように、本実施形態に係る基板処理システム１では、処理ユニット１６内への給気量を第１流量から第１流量よりも少ない第２流量へ切り替える場合に、外気流量調整部３５１を制御して、外気取込管３５０の一端側へ流れる外気の流量を増加させる流量調整処理を行うこととした。これにより、排気機構１５１〜１５３による排気流量を維持しつつ、処理ユニット１６への給気量を変更した場合でも、処理ユニット１６の圧力変動を抑えることができる。
なお、本実施形態では、ＦＦＵ２１から処理ユニット１６への給気量を第１流量から第２流量へ変更する場合の例を示したが、給気量を第１流量から第２流量へ変更する処理は、上記の例に限定されない。たとえば、処理ユニット１６へ給気される気体の種類をＦＦＵ２１により供給される気体（たとえば、清浄空気）から他の給気部（たとえば、ＦＦＵ２１内に配置される天井ノズル）により供給される気体（たとえば、乾燥気体）へ切り替える処理であってもよい。
次に、本実施形態に係る基板処理システム１において実行される基板処理の一例について図１４を参照して説明する。図１４は、基板処理システム１において実行される基板処理の処理手順の一例を示すフローチャートである。
なお、図１４に示す一連の基板処理は、制御部１８が処理ユニット１６および排気切替ユニット３００等を制御することによって実行される。制御部１８は、たとえばＣＰＵ（Central Processing Unit）であり、記憶部１９に記憶された図示しないプログラムに従って処理ユニット１６および排気切替ユニット３００等を制御する。
図１４に示すように、処理ユニット１６では、まず、第１薬液処理が行われる（ステップＳ１０１）。かかる第１薬液処理では、まず、駆動部３３が保持部３１を回転させることにより、保持部３１に保持されたウェハＷを所定の回転数で回転させる。つづいて、処理流体供給部４０のノズル４１がウェハＷの中央上方に位置する。その後、バルブ７５が所定時間開放されることによって、アルカリ系処理液供給源７１から供給されるＳＣ１がノズル４１からウェハＷの被処理面へ供給される。ウェハＷへ供給されたＳＣ１は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの被処理面の全面に広がる。これにより、ウェハＷの被処理面がＳＣ１によって処理される。
かかる第１薬液処理が行われる間、処理ユニット１６には、ＦＦＵ２１から第１流量で給気が行われる。第１流量での給気は、ステップＳ１０４の第２リンス処理が終了するまで維持される。また、第１薬液処理が行われる間、処理ユニット１６からの排気であるアルカリ系排気は、第２排気管２００から排気切替ユニット３００の切替機構３２０＿１を通って個別排気管１０１へ排出される。
つづいて、処理ユニット１６では、ウェハＷの被処理面をＤＩＷですすぐ第１リンス処理が行われる（ステップＳ１０２）。かかる第１リンス処理では、バルブ７８が所定時間開放されることによって、ＤＩＷ供給源７４から供給されるＤＩＷがノズル４１からウェハＷの被処理面へ供給され、ウェハＷに残存するＳＣ１が洗い流される。この第１リンス処理が行われる間、処理ユニット１６からの排気は、たとえば個別排気管１０１へ排出される。
つづいて、処理ユニット１６では、第２薬液処理が行われる（ステップＳ１０３）。かかる第２薬液処理では、バルブ７６が所定時間開放されることによって、酸系処理液供給源７２から供給されるＨＦがノズル４１からウェハＷの被処理面へ供給される。ウェハＷへ供給されたＨＦは、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの被処理面の全面に広がる。これにより、ウェハＷの被処理面がＨＦによって処理される。
制御部１８は、かかる第２薬液処理が開始される前に、排気切替ユニット３００を制御することにより、排気の流出先を個別排気管１０１から個別排気管１０２へ切り替える。これにより、第２薬液処理が行われる間、処理ユニット１６からの排気である酸系排気は、第２排気管２００から排気切替ユニット３００の切替機構３２０＿２を通って個別排気管１０２へ排出される。
つづいて、処理ユニット１６では、ウェハＷの被処理面をＤＩＷですすぐ第２リンス処理が行われる（ステップＳ１０４）。かかる第２リンス処理では、バルブ７８が所定時間開放されることによって、ＤＩＷ供給源７４から供給されるＤＩＷがノズル４１からウェハＷの被処理面へ供給され、ウェハＷに残存するＨＦが洗い流される。この第２リンス処理が行われる間、処理ユニット１６からの排気は、たとえば個別排気管１０２へ排出される。
つづいて、処理ユニット１６では、乾燥処理が行われる（ステップＳ１０５）。かかる乾燥処理では、バルブ７７が所定時間開放されることによって、有機系処理液供給源７３から供給されるＩＰＡがノズル４１からウェハＷの被処理面へ供給される。ウェハＷへ供給されたＩＰＡは、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの被処理面の全面に広がる。これにより、ウェハＷの被処理面に残存するＤＩＷが、ＤＩＷよりも揮発性の高いＩＰＡに置換される。その後、処理ユニット１６では、ウェハＷの回転速度を増速させることによってウェハＷ上のＩＰＡを振り切ってウェハＷを乾燥させる。
制御部１８は、乾燥処理が開始される前に、排気切替ユニット３００を制御することにより、排気の流出先を個別排気管１０２から個別排気管１０３へ切り替える。これにより、乾燥処理が行われる間、処理ユニット１６からの排気である有機排気は、第２排気管２００から排気切替ユニット３００の切替機構３２０＿３を通って個別排気管１０３へ排出される。
また、制御部１８は、乾燥処理が開始される前に、ＦＦＵ２１からの給気量を第１流量から第１流量よりも少ない第２流量へ切り替える。また、制御部１８は、外気流量調整部３５１を制御することにより、外気取込管３５０から差圧ポート３６０へ流入する外気の流量を増加させる。これにより、排気機構１５１〜１５３による排気流量を維持しつつ、処理ユニット１６への給気量を変更した場合でも、処理ユニット１６の圧力変動を抑えることができる。
その後、処理ユニット１６では、駆動部３３によるウェハＷの回転が停止した後、ウェハＷが基板搬送装置１７（図１参照）によって処理ユニット１６から搬出される。これにより、１枚のウェハＷについての一連の基板処理が完了する。
上述してきたように、本実施形態に係る基板処理システム１（「基板液処理装置」の一例に相当）は、処理ユニット１６（「液処理部」の一例に相当）と、第１排気管１００と、第２排気管２００とを備える。処理ユニット１６は、処理液を用いてウェハＷを処理する。第１排気管１００は、少なくとも一部が処理ユニット１６よりも上方に配置される。第２排気管２００は、処理ユニット１６に一端側が接続され、排気機構１５１〜１５３により第１排気管１００を介して処理ユニット１６を排気する。また、第２排気管２００は、第１排気管１００の処理ユニット１６よりも上方に配置される部分に他端側が接続される。
したがって、本実施形態に係る基板処理システム１によれば、処理ユニット１６からの排気の気液分離性を向上させることができる。
（変形例）
次に、本実施形態に係る基板処理システム１の変形例について図１５および図１６を参照して説明する。図１５は、第１変形例に係る処理ステーションの模式側面図であり、図１６は、第２変形例に係る処理ステーションの模式平面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
上述した本実施形態では、上段側に配置される処理ユニット１６Ｕと下段側に配置される処理ユニット１６Ｌとで、第１排気管１００を共用する場合の例を示したが、基板処理システムは、上段用の第１排気管１００と下段用の第１排気管１００をそれぞれ備える構成であってもよい。
たとえば、図１５に示すように、第１変形例に係る処理ステーション３Ａは、上段に配置される処理ユニット１６Ｕに対応する第１排気管１００Ｕと、下段に配置される処理ユニット１６Ｌに対応する第１排気管１００Ｌとを備える。第１排気管１００Ｕには排気切替ユニット３００Ｕが設けられ、第１排気管１００Ｌには排気切替ユニット３００Ｌが設けられる。
第１排気管１００Ｕは、フレーム構造体４００Ａの上部に配置される。また、第１排気管１００Ｌは、フレーム構造体４００Ａの内部に配置される。具体的には、フレーム構造体４００Ａは、上段側のバルブボックス６０が配置される空間と下段側の処理ユニット１６Ｌが配置される空間との間に第１排気管１００Ｌおよび排気切替ユニット３００Ｌの収容空間を有する。そして、第１排気管１００Ｌおよび排気切替ユニット３００Ｌは、かかる収容空間に配置される。
このように、第１変形例に係る処理ステーション３Ａでは、上段に配置される処理ユニット１６Ｕに対応する第１排気管１００Ｕが、処理ユニット１６Ｕの上方に配置され、下段に配置される処理ユニット１６Ｌに対応する第１排気管１００Ｌが、処理ユニット１６Ｌの上方かつ処理ユニット１６Ｕの下方に配置される。言い換えれば、各第１排気管１００Ｕ，１００Ｌは、対応する段に配置される処理ユニット１６Ｕ，１６Ｌよりも上方、かつ、対応する段の一つ上段に配置される処理ユニット１６Ｕ，１６Ｌよりも下方に配置される。
かかる構成とすることにより、上段側と下段側とで第２排気管２００Ｕ，２００Ｌの長さを揃えることができる。これにより、処理ユニット１６Ｕと処理ユニット１６Ｌとで、排気流路の流路抵抗にバラツキを生じさせ難くすることができる。このため、処理ユニット１６Ｕと処理ユニット１６Ｌとで、排気量に差を生じさせ難くすることができる。
また、上述した本実施形態では、搬送部１５よりもＹ軸負方向側に配置される複数の処理ユニット１６に対応する第１排気管１００と、搬送部１５よりもＹ軸正方向側に配置される複数の処理ユニット１６に対応する第１排気管１００とが、対応する処理ユニット１６が配置される領域の上方にそれぞれ配置される場合の例を示した（図６参照）。しかし、第１排気管１００の配置は、上記の例に限定されない。たとえば、図１６に示す第２変形例に係る処理ステーション３Ｂのように、第１排気管１００は、搬送部１５の上方に配置されてもよい。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
１ 基板処理システム
３ 処理ステーション
１５ 搬送部
１６ 処理ユニット
１８ 制御部
５２ 排気口
７１ アルカリ系処理液供給源
７２ 酸系処理液供給源
７３ 有機系処理液供給源
７４ ＤＩＷ供給源
１００ 第１排気管
１０１〜１０３ 個別排気管
１５１〜１５３ 排気機構
２００ 第２排気管
２０１ 水平部
２０２ 上昇部
２５０ ドレン部
３００ 排気切替ユニット
３１０ 排気導入部
３２０＿１〜３２０＿３ 切替機構
３２１ 本体部
３２２ 排気取込口
３２３ 外気取込口
３２４ 流出口
３２５ 弁体
３２６ 駆動部
３３０ 外気導入部
３３１ 本体部
３３２〜３３４ 連通口
３３５ 開口部
３４０ 流出部
３５０ 外気取込管
３６０ 差圧ポート
３７０ 排気流量調整部
３７１ 駆動部
４００ フレーム構造体
４０１ 柱部
４０２ 梁部

Claims (13)

  1. 処理液を用いて基板を処理する上段側液処理部と、
    前記上段側液処理部の下方に配置され、処理液を用いて基板を処理する下段側液処理部と、
    前記上段側液処理部よりも上方に配置される第１排気管と、
    前記上段側液処理部に一端側が接続され、前記第１排気管に他端側が接続される上段側第２排気管と、
    前記下段側液処理部に一端側が接続され、前記第１排気管に他端側が接続される下段側第２排気管と、
    前記上段側第２排気管と前記第１排気管との間に介在し、上流側と下流側との圧力差を検出する上段側差圧ポートと、
    前記下段側第２排気管と前記第１排気管との間に介在し、上流側と下流側との圧力差を検出する下段側差圧ポートと、
    前記上段側差圧ポートと前記第１排気管との間に介在し、前記上段側第２排気管から流入する排気の流量を調整する上段側排気流量調整部と、
    前記下段側差圧ポートと前記第１排気管との間に介在し、前記下段側第２排気管から流入する排気の流量を調整する下段側排気流量調整部と、
    前記上段側差圧ポートおよび前記下段側差圧ポートから取得した前記圧力差に基づき、前記上段側排気流量調整部および前記下段側排気流量調整部を制御して、前記上段側第２排気管から流入する排気の流量と前記下段側第２排気管から流入する排気の流量とを揃える制御部と
    を備えることを特徴とする基板液処理装置。
  2. 前記上段側第２排気管の下部に設けられ、前記上段側第２排気管内の液体を外部へ排出する上段側ドレン部と、
    前記下段側第２排気管の下部に設けられ、前記下段側第２排気管内の液体を外部へ排出する下段側ドレン部と
    をさらに備えること
    を特徴とする請求項１に記載の基板液処理装置。
  3. 前記上段側第２排気管および下段側第２排気管は、
    上方に延びる上昇部
    を有し、
    前記上段側ドレン部および下段側ドレン部は、
    前記上昇部の最下位置に設けられること
    を特徴とする請求項２に記載の基板液処理装置。
  4. 前記上昇部の上部から前記上昇部内に冷却水を噴出する冷却水噴出部
    を備えることを特徴とする請求項３に記載の基板液処理装置。
  5. 前記上段側液処理部および前記下段側液処理部は、
    複数種類の処理液を供給する処理液供給部
    を有し、
    前記第１排気管は、
    前記複数種類の処理液の少なくとも１つに対応する複数の個別排気管
    を有し、
    前記上段側排気流量調整部と前記第１排気管との間に介在し、前記上段側第２排気管から流入する排気の流出先を前記複数の個別排気管の何れかに切り替える上段側排気切替部と、
    前記下段側排気流量調整部と前記第１排気管との間に介在し、前記下段側第２排気管から流入する排気の流出先を前記複数の個別排気管の何れかに切り替える下段側排気切替部と
    をさらに備え、
    前記上段側排気切替部および前記下段側排気切替部は、
    前記上段側液処理部よりも上方に配置されること
    を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  6. 前記上段側排気切替部および前記下段側排気切替部は、
    前記個別排気管の上部に配置されること
    を特徴とする請求項５に記載の基板液処理装置。
  7. 前記上段側排気切替部と前記下段側排気切替部とは、
    向かい合わせで配置されること
    を特徴とする請求項５または６に記載の基板液処理装置。
  8. 前記上段側排気切替部および前記上段側差圧ポートよりも上流側に一端側が接続され、他端側から外気を取り込む上段側外気取込管と、
    前記下段側排気切替部および前記下段側差圧ポートよりも上流側に一端側が接続され、他端側から外気を取り込む下段側外気取込管と、
    前記上段側外気取込管に設けられ、前記上段側外気取込管の一端側へ流れる外気の流量を調整する上段側外気流量調整部と、
    前記下段側外気取込管に設けられ、前記下段側外気取込管の一端側へ流れる外気の流量を調整する下段側外気流量調整部と
    を備えることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  9. 前記上段側排気流量調整部と前記上段側排気切替部との間に介在し、前記上段側第２排気管からの排気が導入される上段側排気導入部と、
    前記下段側排気流量調整部と前記下段側排気切替部との間に介在し、前記下段側第２排気管からの排気が導入される下段側排気導入部と
    を備え、
    前記上段側排気切替部は、
    前記個別排気管ごとに設けられ、前記上段側排気導入部に連通する排気取込口と、前記個別排気管に連通する流出口と、外気を取り込む外気取込口と、前記排気取込口、前記流出口および前記外気取込口の連通状態を前記排気取込口と前記流出口とが連通した状態または前記外気取込口と前記流出口とが連通した状態に切り替える弁体とを有する複数の上段側切替機構と、
    前記複数の上段側切替機構が備える前記外気取込口の各々に連通し、外気が導入される上段側外気導入部と
    を備え、
    前記下段側排気切替部は、
    前記個別排気管ごとに設けられ、前記下段側排気導入部に連通する排気取込口と、前記個別排気管に連通する流出口と、外気を取り込む外気取込口と、前記排気取込口、前記流出口および前記外気取込口の連通状態を前記排気取込口と前記流出口とが連通した状態または前記外気取込口と前記流出口とが連通した状態に切り替える弁体とを有する複数の下段側切替機構と、
    前記複数の下段側切替機構が備える前記外気取込口の各々に連通し、外気が導入される下段側外気導入部と
    を備えることを特徴とする請求項５〜８のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  10. 前記上段側第２排気管および前記下段側第２排気管は、
    前記上段側液処理部および前記下段側液処理部の同じ側に配置されること
    を特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  11. 前記基板が搬送される搬送部
    を備え、
    前記上段側液処理部および前記下段側液処理部は、
    前記搬送部に沿って並列に配置され、
    前記第１排気管は、
    前記上段側液処理部および前記下段側液処理部が並列配置される領域の上方に配置されること
    を特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  12. 前記基板が搬送される搬送部
    を備え、
    前記上段側液処理部および前記下段側液処理部は、
    前記搬送部に沿って並列に配置され、
    前記第１排気管は、
    前記搬送部の上方に配置されること
    を特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  13. 複数の柱部および複数の梁部を有し、前記柱部と前記梁部とによって形成される収容空間内に前記上段側液処理部および前記下段側液処理部を収容するフレーム構造体
    を備え、
    前記第１排気管は、
    前記フレーム構造体の上部に配置されること
    を特徴とする請求項１〜１２のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6384414B2 (ja) * 2014-08-08 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置、基板加熱方法、記憶媒体
JP6739285B2 (ja) * 2016-08-24 2020-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6735718B2 (ja) * 2017-09-28 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム
KR102121240B1 (ko) * 2018-05-03 2020-06-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102396369B1 (ko) * 2018-08-09 2022-05-10 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치
JP7203545B2 (ja) 2018-09-21 2023-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP7370277B2 (ja) * 2020-02-26 2023-10-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7502157B2 (ja) * 2020-02-26 2024-06-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US20210265177A1 (en) * 2020-02-26 2021-08-26 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus
KR20230029443A (ko) * 2021-08-24 2023-03-03 주식회사 케이씨텍 기판 세정 라인 및 이를 포함하는 기판 세정 시스템
CN118235231A (zh) * 2021-11-17 2024-06-21 东京毅力科创株式会社 基片处理系统和基片处理方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2681809B2 (ja) * 1988-10-03 1997-11-26 西部電機株式会社 ワイヤ放電加工用制御装置
JPH0295516U (ja) * 1989-01-18 1990-07-30
JP3562743B2 (ja) * 1996-12-18 2004-09-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
SE515302C2 (sv) 1999-11-15 2001-07-09 Alfa Laval Ab Ett sätt och en apparat för rening av gas
JP4567178B2 (ja) * 2000-11-30 2010-10-20 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
US6907892B2 (en) * 2001-02-07 2005-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Exhaust apparatus, semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor device
KR100454241B1 (ko) * 2001-12-28 2004-10-26 한국디엔에스 주식회사 웨이퍼 건조 장비
JP4148346B2 (ja) * 2002-02-07 2008-09-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3961996B2 (ja) 2003-08-15 2007-08-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TWI312167B (en) * 2003-10-17 2009-07-11 Ses Co Ltd Method for processing substrate and apparatus thereof
JP4767783B2 (ja) 2006-07-26 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
KR100929817B1 (ko) * 2007-10-23 2009-12-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법
JP4994211B2 (ja) * 2007-12-20 2012-08-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4881345B2 (ja) * 2008-04-03 2012-02-22 東京エレクトロン株式会社 圧力制御機構、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5381592B2 (ja) * 2009-10-06 2014-01-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2011171566A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Elpida Memory Inc Ａｌｄ成膜装置、および半導体装置の製造方法
JP5318010B2 (ja) 2010-03-26 2013-10-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5146526B2 (ja) * 2010-12-28 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5474853B2 (ja) * 2011-03-08 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
JP5844681B2 (ja) 2011-07-06 2016-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP5721145B2 (ja) * 2012-07-26 2015-05-20 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体
US10471479B2 (en) * 2012-12-28 2019-11-12 SCREEN Holdings Co., Ltd. Treatment device and exhaust switching device therefor, and exhaust switching unit and switching valve box
JP2014197592A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

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