JP6422307B2 - 露光方法、露光装置、および物品の製造方法 - Google Patents
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Description
F1=K×Q・・・(1)
ΔF(t)=F1×(1−exp(−(t−t’0)/T1))・・・(2)
また、時刻t’1で露光を停止した後の変化は、時刻t’1におけるΔF(t’1)と、放熱の速さを表す時定数T2とを用いて、式(3)のように近似される。
ΔF(t)=ΔF(t’1)×exp(−(t−t’1)/T2)・・・(3)
さらに、時刻t’2で露光を再開した場合、時刻t’2以降の変化は、式(4)で表される。
ΔF(t)=ΔF(t’1)×exp(−(t−t’1)/T2)
+F1×(1−exp(−(t−t’2)/T1))・・・(4)
ΔFA(t)=ΔFAA(t)
=F1AA×(1−exp(−(t−t0)/T1AA))・・・(5)
ΔFB(t)=ΔFBA(t)
=F1BA×(1−exp(−(t−t0)/T1BA))・・・(6)
ΔFA(t)=ΔFAA(t)
=ΔFAA(t1)×exp(−(t−t1)/T2AA)・・・(7)
ΔFB(t)=ΔFBA(t)
=ΔFBA(t1)×exp(−(t−t1)/T2BA)・・・(8)
式(7)、(8)に示すように、変化量ΔFAと変化量ΔFBとは、それぞれ異なるパラメータ(T2AA、T2BA)により算出される。
ΔFA(t)=ΔFAA(t)+ΔFAB(t)・・・(9)
ΔFB(t)=ΔFBA(t)+ΔFBB(t)・・・(10)
ただし、ΔFAA、ΔFABは、それぞれ式(11)、(12)で表される。
ΔFAA(t)=ΔFAA(t1)×exp(−(t−t1)/T2AA)・・・(11)
ΔFAB(t)=F1AB×(1−exp(−(t−t2)/T1AB))・・・(12)
一方、ΔFBA、ΔFBBは、それぞれ式(13)、(14)で表される。
ΔFBA(t)=ΔFBA(t1)×exp(−(t−t1)/T2BA)・・・(13)
ΔFBB(t)=F1BB×(1−exp(−(t−t2)/T1BB))・・・(14)
ΔFA(t)=ΔFAA(t)+ΔFAB(t)・・・(15)
ΔFB(t)=ΔFBA(t)+ΔFBB(t)・・・(16)
ただし、ΔFAA、ΔFABは、それぞれ式(17)、(18)で表される。
ΔFAA(t)=ΔFAA(t1)×exp(−(t−t1)/T2AA)・・・(17)
ΔFAB(t)=ΔFAB(t3)×exp(−(t−t3)/T2AB)・・・(18)
一方、ΔFBA、ΔFBBは、それぞれ式(19)、(20)で表される。
ΔFBA(t)=ΔFBA(t1)×exp(−(t−t1)/T2BA)・・・(19)
ΔFBB(t)=ΔFBB(t3)×exp(−(t−t3)/T2BB)・・・(20)
ΔFA(t)=ΔFAA(t)+ΔFAB(t)+ΔF’AA(t)・・・(21)
ΔFB(t)=ΔFBA(t)+ΔFBB(t)+ΔF’BA(t)・・・(22)
ただし、ΔFAA、ΔFAB、ΔF’AAは、それぞれ式(23)、(24)、(25)で表される。
ΔFAA(t)=ΔFAA(t1)×exp(−(t−t1)/T2AA)・・・(23)
ΔFAB(t)=ΔFAB(t3)×exp(−(t−t3)/T2AB)・・・(24)
ΔF’AA(t)=F1AA×(1−exp(−(t−t4)/T1AA))・・・(25)
一方、ΔFBA、ΔFBB、ΔF’BAは、それぞれ式(26)、(27)、(28)で表される。
ΔFBA(t)=ΔFBA(t1)×exp(−(t−t1)/T2BA)・・・(26)
ΔFBB(t)=ΔFBB(t3)×exp(−(t−t3)/T2BB)・・・(27)
ΔF’BA(t)=F1BA×(1−exp(−(t−t4)/T1BA))・・・(28)
ΔFA(t)=ΔFAB(t)+ΔF’AA(t)・・・(29)
同様に、t4<tおよび(t−t1)>>T2BAの区間では、ΔFBは、式(22)より、式(30)に示す2つのモデルの和で表すことができる。
ΔFB(t)=ΔFBB(t)+ΔF’BA(t)・・・(30)
t0≦t≦t1:C(t)=−ΔFA(t)・・・(31)
t2≦t≦t3:C(t)=−ΔFB(t)・・・(32)
t4≦t:C(t)=−ΔFA(t)・・・(33)
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。さらに、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
104 照明光学系
110 投影光学系
114 投影レンズ制御装置
115 制御部
Claims (15)
- 光源からの光を原版に照射し、前記原版のパターンを投影光学系を介して基板上に投影して前記基板を露光する露光処理を行う露光方法であって、
前記投影光学系の瞳面照度分布を第1瞳面照度分布として前記投影光学系を照射して前記露光処理を行う第1露光工程と、
前記第1露光工程の後、前記瞳面照度分布を、前記第1瞳面照度分布とは異なる第2瞳面照度分布として前記投影光学系を照射して前記露光処理を行う第2露光工程と、
前記瞳面照度分布を前記第2瞳面照度分布としたときの光束に対しての前記第1露光工程における前記投影光学系の結像性能の変化量を導出する変化量導出工程と、
前記変化量導出工程にて導出された前記変化量を用いて、前記第2露光工程における前記投影光学系の結像性能を補正するための補正量を導出する補正量導出工程と、を有し、
前記第2露光工程において、導出された補正量で前記第2露光工程における前記投影光学系の結像性能を補正して前記露光処理を行うことを特徴とする露光方法。 - 前記変化量導出工程において、前記第1瞳面照度分布の条件のもとでの前記光の照射と、該照射により前記投影光学系が温度分布を与えられた状態における前記第2瞳面照度分布の条件のもとでの前記投影光学系の結像性能の計測と、を行うことによって、該結像性能の変化量を導出することを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
- 前記変化量導出工程において、前記第1瞳面照度分布の条件のもとで前記光を照射することによる、前記第2瞳面照度分布の条件のもとでの前記投影光学系の結像性能の変化量を、シミュレーションによって導出することを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
- 前記補正量導出工程において、前記補正量は、
前記光の照射を前記第1瞳面照度分布の条件のもとで行い、前記結像性能の計測を前記第2瞳面照度分布の条件のもとで行うことで得られた第3パラメータと、
前記光の照射と前記結像性能の計測とを前記第2瞳面照度分布の条件のもとで行うことで得られた第4パラメータと、
を用いて導出されることを特徴とする請求項1または2に記載の露光方法。 - 前記補正量導出工程において、前記第2露光工程のときに適用される前記補正量は、前記第3パラメータおよび前記第4パラメータを用いて導出されることを特徴とする請求項4に記載の露光方法。
- 前記第3パラメータおよび前記第4パラメータは、前記結像性能の単位光量あたりの変化量、前記投影光学系に含まれる光学要素への加熱の速さを表す第1時定数、および、前記光学要素からの放熱の速さを表す第2時定数のうちの少なくとも1つをそれぞれ含むことを特徴とする請求項4または5に記載の露光方法。
- 前記補正量導出工程において、前記補正量は、該補正量を導出するときに要求される精度に基づいて決定された時刻よりも後に行われた露光の影響について導出されることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の露光方法。
- 前記結像性能は、フォーカス、倍率、歪曲収差、非点収差および像面湾曲のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の露光方法。
- 光源からの光を原版に照射し、前記原版のパターンを投影光学系を介して基板上に投影して前記基板を露光する露光処理を行う露光装置であって、
前記投影光学系の瞳面照度分布を、第1瞳面照度分布と、該第1瞳面照度分布とは異なる第2瞳面照度分布とに切り替え可能とする切り替え部と、
前記瞳面照度分布を前記第1瞳面照度分布として前記投影光学系を照射する第1の露光処理、および、前記第1の露光処理の後、前記瞳面照度分布を前記第2瞳面照度分布として前記投影光学系を照射する第2の露光処理を行わせることが可能で、かつ、
前記瞳面照度分布を前記第2瞳面照度分布としたときの光束に対しての前記第1の露光処理における前記投影光学系の結像性能の変化量を導出し、該変化量を用いて前記第2の露光処理における前記投影光学系の結像性能を補正するための補正量を導出し、該補正量を用いて前記第2の露光処理における前記投影光学系の結像性能を補正して前記第2の露光処理を行わせる制御部と、
を有することを特徴とする露光装置。 - 前記結像性能の変化量は、前記第1瞳面照度分布の条件のもとでの前記光の照射と、該照射により前記投影光学系が温度分布を与えられた状態における前記第2瞳面照度分布の条件のもとでの前記投影光学系の結像性能の計測と、を行うことによって導出されることを特徴とする請求項9に記載の露光装置。
- 前記第1瞳面照度分布の条件のもとで前記光を照射することによる、前記第2瞳面照度分布の条件のもとでの前記投影光学系の結像性能の変化量は、シミュレーションによって導出されることを特徴とする請求項9に記載の露光装置。
- 前記光源からの光を原版に照射する照明光学系を有し、
前記切り替え部は、前記照明光学系の瞳面照度分布、前記パターン、および、前記原版の照射領域のうち少なくとも1つを変更することを特徴とする請求項9から11のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記投影光学系の結像性能を可変とする可変部を有し、
前記制御部は、前記補正量に基づいて前記可変部を制御することを特徴とする請求項9から12のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記原版を保持し可動の原版保持部と、
前記基板を保持し可動の基板保持部と、
前記投影光学系に含まれる光学要素を移動または変形可能とする光学要素駆動部と、
を有し、
前記可変部は、前記原版保持部、前記基板保持部および前記光学要素駆動部の少なくとも1つを含む、
ことを特徴とする請求項13に記載の露光装置。 - 請求項1から8のいずれか1項に記載の露光方法または請求項9から14のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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