JP6414853B2 - メモリシステムおよび制御方法 - Google Patents
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Description
まず、図1を参照して、一実施形態に係るメモリシステムを含む情報処理システム1の構成を説明する。
「SSDにライトされたデータの総量」は、ホストからSSDにライトされたデータの総量とガベージコレクション動作等によって内部的にSSDにライトされたデータの総量との和に相当する。
(2)ブロック内に含まれるページの数
(3)同じLBAへの前回のライトによってデータが書き込まれたNANDメモリ5内の第1物理記憶位置(旧物理アドレス)
(4)今回のライトによってデータが書き込まれるべきNANDメモリ5内の第2物理記憶位置(新物理アドレス)
(5)第1物理記憶位置(旧物理アドレス)を含むブロックの割り当てから第2物理記憶位置(新物理アドレス)を含むブロックの割り当てまでの間にホスト2からのデータの書き込みのために割り当てられたブロックの数
(1)〜(4)の値は、SSD3内の通常の管理情報であり、累積データ書き込み量の算出のために専用に用意されたものではない。例えば、コントローラ4は、ルックアップテーブル(LUT)33を参照することによって、受信されたライトコマンド内のLBAにマッピングされている物理アドレスを第1物理記憶位置として容易に取得することができる。
Claims (12)
- 不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに電気的に接続されたコントローラであって、
論理ブロックアドレスを含むライトコマンドをホストから受信し、
前記論理ブロックアドレスへの前回のライトから前記論理ブロックアドレスへの今回のライトまでに前記ホストによって前記不揮発性メモリに書き込まれたデータの総量、または前記論理ブロックアドレスへの前回のライトから前記論理ブロックアドレスへの今回のライトまでの時間経過に関する値を取得し、
前記データの総量、または前記時間経過に関する値を、前記受信されたライトコマンドに対する応答として前記ホストに通知するように構成されたコントローラとを具備するメモリシステム。 - 前記コントローラは、前記データの総量または前記時間経過に関する値を、前記受信されたライトコマンドに対する許可応答として前記ホストに通知するように構成されている請求項1記載のメモリシステム。
- 前記コントローラは、
前記論理ブロックアドレスへの前回のライトによってデータが書き込まれた前記不揮発性メモリ内の第1物理記憶位置と、前記論理ブロックアドレスへの今回のライトによってデータが書き込まれるべき前記不揮発性メモリ内の第2物理記憶位置と、前記第1物理記憶位置を含む第1ブロックの割り当てから前記第2物理記憶位置を含む第2ブロックの割り当てまでの間に前記ホストからのデータの書き込みのために割り当てられたブロックの数とに基づいて、前記データの総量を取得し、
前記取得された前記データの総量を、前記受信されたライトコマンドに対する応答として前記ホストに通知するように構成されている請求項1記載のメモリシステム。 - 前記コントローラは、論理ブロックアドレスと物理アドレスとの間のマッピングを管理する論理物理アドレス変換テーブルを参照することによって、前記論理ブロックアドレスにマッピングされている物理アドレスを、前記第1物理記憶位置として取得するように構成されている請求項3記載のメモリシステム。
- 前記コントローラは、
前記不揮発性メモリ内のフリーブロックの一つを、前記ホストからのデータが書き込まれるべき書き込み対象ブロックとして割り当て、
論理ブロックアドレスと物理アドレスとの間のマッピングを管理する論理物理アドレス変換テーブルを更新しながら、前記ホストから受信されるライトデータを前記書き込み対象ブロックの利用可能ページに順次書き込み、
前記書き込み対象ブロックに利用可能ページが無くなった場合に、新たなフリーブロックを前記書き込み対象ブロックとして割り当て、
前記書き込み対象ブロックとして割り当てられたブロックそれぞれに対してその割り当て順序を示す番号を付与し、
前記第1物理記憶位置を含む第1ブロックに付与された番号と前記第2物理記憶位置を含む第2ブロックに付与された番号とに基づいて、前記第1ブロックの割り当てから前記第2ブロックの割り当てまでの間に前記ホストからのデータの書き込みのために割り当てられた前記ブロックの数を算出するように構成されている請求項3記載のメモリシステム。 - 前記コントローラは、前記データの総量または前記時間経過に関する値を、前記受信されたライトコマンドに対するコマンド完了の応答として前記ホストに通知するように構成されている請求項1記載のメモリシステム。
- 前記時間経過に関する値は、前記受信されたライトコマンド内の前記論理ブロックアドレスへの前回のライトの時刻を示す請求項1記載のメモリシステム。
- 前記時間経過に関する値は、前記受信されたライトコマンド内の前記論理ブロックアドレスへの前回のライトの時刻と前記論理ブロックアドレスへの今回のライトの時刻との間の時間間隔を示す請求項1記載のメモリシステム。
- 不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに電気的に接続されたコントローラであって、
論理ブロックアドレスを含むライトコマンドをホストから受信し、
前記論理ブロックアドレスへの前回のライトによってデータが書き込まれた前記不揮発性メモリ内の第1物理記憶位置と、前記論理ブロックアドレスへの今回のライトによってデータが書き込まれるべき前記不揮発性メモリ内の第2物理記憶位置と、前記第1物理記憶位置を含む第1ブロックの割り当てから前記第2物理記憶位置を含む第2ブロックの割り当てまでの間に前記ホストからのデータの書き込みのために割り当てられたブロックの数とに基づいて、前記論理ブロックアドレスへの前回のライトから前記論理ブロックアドレスへの今回のライトまでに前記ホストによって前記不揮発性メモリに書き込まれたデータの総量を取得し、
前記取得された前記データの総量を、前記受信されたライトコマンドに対する応答として前記ホストに通知するように構成されたコントローラとを具備するメモリシステム。 - 不揮発性メモリの制御方法であって、
論理ブロックアドレスを含むライトコマンドをホストから受信することと、
前記論理ブロックアドレスへの前回のライトから前記論理ブロックアドレスへの今回のライトまでに前記ホストによって前記不揮発性メモリに書き込まれたデータの総量、または前記論理ブロックアドレスへの前回のライトから前記論理ブロックアドレスへの今回のライトまでの時間経過に関する値を取得することと、
前記データの総量または前記時間経過に関する値を、前記受信されたライトコマンドに対する応答として前記ホストに通知することとを具備する制御方法。 - 前記通知することは、前記データの総量、または前記時間経過に関する値を、前記受信されたライトコマンドに対する許可応答として前記ホストに通知することを含む請求項10記載の制御方法。
- 前記取得することは、前記論理ブロックアドレスへの前回のライトによってデータが書き込まれた前記不揮発性メモリ内の第1物理記憶位置と、前記論理ブロックアドレスへの今回のライトによってデータが書き込まれるべき前記不揮発性メモリ内の第2物理記憶位置と、前記第1物理記憶位置を含む第1ブロックの割り当てから前記第2物理記憶位置を含む第2ブロックの割り当てまでの間に前記ホストからのデータの書き込みのために割り当てられたブロックの数とに基づいて、前記データの総量を取得することを含み、
前記通知することは、前記取得された前記データの総量を、前記受信されたライトコマンドに対する応答として前記ホストに通知することを含む請求項10記載の制御方法。
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