JP6497396B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品の製造方法に関し、さらに詳しくは、特性精度の高い電子部品の製造方法に関する。

電子機器の高機能化、高精度化にともない、電子機器に使用される電子部品にも、高い特性精度が求められている。特に、医療用や車載用の電子機器に使用される電子部品には、安全性の観点からも、より高い特性精度が求められている。たとえば、ＮＴＣサーミスタにおいては、その抵抗値を目標抵抗値から±０．２％の範囲内に収めるよう、あるいは、さらに狭い範囲内に収めるように求められる場合もある。

特許文献１（特開平９−１７６０７号公報）、特許文献２（特開平８−２３６３０８号公報）および特許文献３（特開２０００−２３５９０４号公報）には、それぞれ、高い精度で抵抗値の調整をおこなったチップ型のサーミスタの製造方法が開示されている。

特許文献１に開示されたサーミスタの製造方法では、次の方法により抵抗値の調整をおこなっている。

まず、予め内部電極用の導電性ペーストが印刷された複数のセラミックグリーンシート、その上下にそれぞれ導電性ペーストが印刷されていない複数のセラミックグリーンシートを積層し、焼成してセラミック素体を得る。

次に、セラミック素体の両端に、外部電極用の導電性ペーストを塗布し、焼付けて、焼付外部電極を形成する。

次に、焼付外部電極間の初期抵抗値を測定し、その値によりセラミック素体をクラス分けする。

次に、クラス分けされたセラミック素体ごとに、切削幅や切削深さを変えて、予め定められた目標抵抗値の許容範囲内に入るように、焼付外部電極の一部と、セラミック素体のセラミック部分の一部とを切削する。

次に、切削された部分に、めっき液に対して耐性のある樹脂を塗布し、硬化させて絶縁樹脂膜を形成する。

次に、焼付外部電極上に、めっきによりめっき外部電極を形成して、抵抗値が目標抵抗値の許容範囲内に入ったサーミスタが完成する。なお、絶縁樹脂膜は、そのまま製品の一部分として残されるものと考えられる。

また、特許文献２に開示されたサーミスタの製造方法では、次の方法により抵抗値の調整をおこなっている。

まず、セラミック素体を用意する。

次に、セラミック素体の一方の主面に、導電ペーストを塗布して、対向した1対の表面電極を形成する（表面電極は複数対形成される場合もある）。また、セラミック素体の両端部に、導電ペーストを塗布して、1対の外部電極（端子電極）を形成する。なお、一方の表面電極と一方の外部電極、他方の表面電極と他方の外部電極とが、それぞれ相互に接続されている。

次に、導電ペーストが塗布されたセラミック素体を焼成して、表面電極および外部電極をセラミック素体に焼付ける。

次に、セラミック素体の一方の主面に形成された1対の表面電極の各先端部をバレル研磨やサンドブラストにより削り、対向する表面電極間の距離を大きくして抵抗値を調整する。この結果、抵抗値が目標抵抗値の許容範囲内に入ったサーミスタが完成する。

なお、特許文献２には、抵抗値の調整にともなう抵抗値の測定については詳細が記載されていないが、表面電極の先端部を削る前、あるいは削っている途中に、適宜、測定をおこなうものと考えられる。

また、特許文献３に開示されたサーミスタの製造方法では、次の方法により抵抗値の調整をおこなっている。

まず、セラミック素体を用意する。セラミック素体の内部には、1対の内部電極が埋設されている。

次に、セラミック素体の両端部に、導電性ペーストを塗布し、焼付けて、1対の外部電極を形成する。この結果、一方の内部電極と一方の外部電極、他方の内部電極と他方の外部電極とが、それぞれ相互に接続される。

次に、外部電極間の初期抵抗値を測定し、その値によりセラミック素体をクラス分けする。

次に、外部電極が形成されたセラミック素体の表面に、溶剤に対するレジスト膜を形成する。レジスト膜は、各外部電極を覆うように、セラミック素体の両端部にキャップ状に形成する。したがって、セラミック素体のセラミック部分の一部は、レジスト膜から外部に露出する。

次に、レジスト膜が形成されたセラミック素体を、上記初期抵抗値によるクラス分けごとに時間を変えて、硝酸、硫酸、リン酸等の溶剤に浸漬させる。この結果、レジスト膜から露出したセラミック素体のセラミック部分が浸食される。浸漬時間により浸食の深さは変化し、各セラミック素体の外部電極間の抵抗値が目標抵抗値の許容範囲内に収められる。

次に、レジスト膜を剥離し、抵抗値が目標抵抗値の許容範囲内に入ったサーミスタが完成する。

特開平９−１７６０７号公報 特開平８−２３６３０８号公報 特開２０００−２３５９０４号公報

しかしながら、特許文献１〜３に開示された電子部品の特性値の調整方法には、それぞれ次のような問題点があった。

まず、特許文献１に開示された電子部品の特性値（抵抗値）の調整方法では、初期特性値（初期抵抗値）を測定した後、クラス分けをおこない、クラス分けされたセラミック素体ごとに、切削幅や切削深さを変えて、予め定められた目標特性値（目標抵抗値）の許容範囲内に入るように、焼付外部電極の一部と、セラミック素体のセラミック部分の一部とを切削している。しかしながら、焼付外部電極の一部と、セラミック素体のセラミック部分の一部とを切削する作業は、極めて煩雑であり、製造工程の複雑化、高コスト化をまねく。すなわち、仮に、切削をサンドブラストによりおこなう場合、切削すべき領域を正確に切削するためには、切削しない領域に予め保護膜を形成する必要がある。そして、サンドブラストを行った後に、保護膜を剥離する必要がある。

また、特許文献１に開示された電子部品の特性値の調整方法では、焼付外部電極の一部と、セラミック素体のセラミック部分の一部とを切削した後に、切削した部分に、めっき液に対して耐性のある樹脂を塗布し、硬化させて絶縁樹脂膜を形成したうえで、焼付外部電極上に、めっきによりめっき外部電極を形成している。この樹脂膜を形成する工程も、製造工程の煩雑化、複雑化、高コスト化をまねく。

このように、特許文献１に開示された電子部品の特性値の調整方法は、製造工程の煩雑化、複雑化、高コスト化をまねくものであり、生産性の高い大量生産には適さないものであった。

また、特許文献２に開示された電子部品の特性値（抵抗値）の調整方法では、セラミック素体の一方の主面に形成された1対の表面電極の各先端部を削り、対向する表面電極間の距離を大きくして特性値を調整している。この表面電極間の距離は、特性値（抵抗値）に大きく影響を与える要素であるが、特許文献２に開示された電子部品においては、その重要な構成がセラミック素体の表面に露出してしまっている。すなわち、電子部品が完成した後、たとえば、この電子部品を実装する際等に表面電極の先端が欠けたりすると、特性値が大きく変動してしまう虞がある。

このように、特許文献２に開示された電子部品の特性値の調整方法は、完成した電子部品の特性値が変動してしまう虞があり、経時的な特性の信頼性が低い電子部品しか提供できないものであった。

また、特許文献３に開示された電子部品の特性値（抵抗値）の調整方法では、外部電極が形成されたセラミック素体の表面に、外部電極を覆うように、キャップ状に、溶剤に対するレジスト膜を形成したうえで、セラミック素体を、硝酸、硫酸、リン酸等の溶剤に浸漬させて、セラミック素体のセラミック部分を浸食させて特性値を調整している。しかしながら、外部電極を切削しない、セラミック部分のみの浸食による特性値（抵抗値）の調整は、一般的に、セラミック部分の浸食量（浸食深さ）を大きくしなければならない場合が多い。しなしながら、セラミック素体のセラミック部分が部分的に大きく（深く）浸食されることは、セラミック素体の強度の低下をまねく。すなわち、特許文献３に開示された電子部品の特性値の調整方法は、完成した電子部品の強度を低下させてしまう虞があり、強度的に信頼性の低い電子部品しか提供できないものであった。

また、特許文献３に開示された電子部品の特性値の調整方法は、セラミック素体の表面に溶剤に対するレジスト膜を形成する工程、レジスト膜が形成されたセラミック素体を溶剤に浸漬させてセラミック部分を浸食させる工程、レジスト膜を剥離する工程が必要であり、製造工程の煩雑化、複雑化、高コスト化をまねくものであった。

このように、特許文献３に開示された電子部品の特性値の調整方法は、完成した電子部品の強度的な信頼性を低下させるとともに、製造工程の煩雑化、複雑化、高コスト化をまねくものであった。

本発明は、従来の技術が有する上述した課題を解決するためになされたものである。すなわち、本発明は、電子部品の特性の経時的な信頼性や、強度的な信頼性を低下させることがなく、また、製造工程の煩雑化や、複雑化や、高コスト化をまねくことがない、特性精度の高い電子部品の製造方法、および特性精度の高い電子部品を提供することを目的とする。

その手段として、本発明の電子部品の製造方法は、１対の端面と、その１対の端面をつなぐ４つの側面とを有する直方体からなるセラミック素体を作製するセラミック素体作製工程と、セラミック素体の両端部に、端面と、その端面につながる４つの側面に亘る、１対のキャップ状の外部電極を形成する外部電極形成工程と、１対の外部電極間の初期特性値を測定する初期特性値測定工程と、４つの側面のうちから、切削する１つ〜３つの側面を決定するとともに、初期特性値測定工程で測定された初期特性値と、予め設定された目標特性値とを対比し、予め保有するデータに基づき、切削する各側面の切削量を決定する切削条件決定工程と、切削条件決定工程で決定された切削する側面を、同工程で決定された切削量、その側面に形成された外部電極とともに、面一に切削する側面切削工程と、を備え、セラミック素体がサーミスタ素体であり、電子部品としてサーミスタを製造するものとした。

なお、特性値とは、たとえば抵抗値である。ただし、特性値が抵抗値に限定されることはなく、特性値は、インダクタンス値や容量値等であっても良い。

外部電極形成工程は、セラミック素体の両端部に、導電性ペーストを塗布し、焼付けて、焼付外部電極を形成する焼付外部電極形成工程を備えたものとすることができる。この場合には、外部電極を少ない工程数で形成することができる。

また、外部電極形成工程は、セラミック素体の両端部に、導電性ペーストを塗布し、焼付けて、焼付外部電極を形成する焼付外部電極形成工程と、焼付外部電極上に、めっきをして、めっき外部電極を形成するめっき外部電極形成工程と、を備えたものとすることができる。この場合には、信頼性の高い外部電極を得ることができる。

また、外部電極は、セラミック素体に対してオーミック接触していることが好ましい。この場合には、側面の切削量に対する抵抗値の増加率が大きくなり、小さな切削量で容易に特性値を調整することが可能になる。

セラミック素体の内部には、内部電極が形成されていても良い。

なお、セラミック素体の外観については、種々の形状、寸法を採用することができる。以下に説明する。ただし、本出願書類においては、外部電極が形成される中心となる１対の面を端面と定義し、その１対の端面の間をつなぐ４つの面を側面と定義している。

たとえば、セラミック素体の各端面を、直交する第１の辺と第２の辺とを有する矩形形状とし、第１の辺の長さと第２の辺の長さのうちの大きい方の長さを、各側面の端面と端面との間の長さよりも、小さくする、または、同じとすることができる。なお、第１の辺の長さと第２の辺の長さが同じであっても良く、この場合には、セラミック素体の各端面は正方形状となる。

あるいは、セラミック素体の各端面を、直交する第１の辺と第２の辺とを有する矩形形状とし、第１の辺の長さと第２の辺の長さのうちの大きい方の長さを、各側面の端面と端面との間の長さよりも大きくすることができる。なお、第１の辺の長さと第２の辺の長さが同じであっても良く、この場合には、セラミック素体の各端面は正方形状となる。ただし、第１の辺の長さと第２の辺の長さを異ならせておき、後述するリード端子接合工程において、リード端子を、長い方の辺と平行となるように配置して外部電極に接合すれば、リード端子を外部電極に強固に接合することができる。

また、各外部電極にリード端子を接合するリード端子接合工程をさらに備えるようにしても良い。この場合には、主に面実装で使用するチップ型の電子部品を、リード端子を備えたリード端子型の電子部品に変更して使用することができる。

この場合において、リード端子接合工程の後に、セラミック素体を切削して、または、セラミック素体と外部電極とを切削して、特性値を調整する特性値調整工程をさらに備えるようにしても良い。この場合には、リード端子を接合した後に特性値を調整することができ、より特性精度の高い電子部品を製造することができる。

また、この場合において、各リード端子の一端を外部に導出させて、外部電極が形成されたセラミック素体を外装により封止する外装封止工程をさらに備えるようにしても良い。この場合には、外装により電子部品本体が保護された電子部品を製造することができる。

また、本発明にとって参考となる電子部品は、１対の端面と、その１対の端面をつなぐ４つの側面とを有する直方体からなり、内部に内部電極が形成されたセラミック素体と、セラミック素体の両端面に形成された１対の外部電極と、を備え、各外部電極が、各端面から、その端面を囲む辺を越えて、その端面につながる４つの側面のうちの１つ〜３つの側面に延出されるとともに、外部電極が延出されていないセラミック素体の側面の少なくとも１つは、内部電極と平行な側面であり、外部電極が延出されていない内部電極と平行なセラミック素体の少なくとも１つの側面が、外部電極とともに面一に切削されたものからなる。

外部電極は、セラミック素体上に形成された焼付外部電極とすることができる。この場合には、外部電極を少ない工程数で形成することができる。

また、外部電極は、セラミック素体上に形成された焼付外部電極と、その焼付外部電極上に形成されためっき外部電極とからなるものとすることができる。この場合には、信頼性の高い外部電極を得ることができる。

また、外部電極は、セラミック素体に対してオーミック接触していることが好ましい。この場合には、側面の切削量に対する特性値の増加率が大きくなるため、小さな切削量で適切に特性値が調整されたものとなる。

セラミック素体をサーミスタ素体とし、電子部品をサーミスタとすることができる。

なお、セラミック素体の外観については、種々の形状、寸法を採用することができる。たとえば、セラミック素体の各端面を、直交する第１の辺と第２の辺とを有する矩形形状とし、第１の辺の長さと第２の辺の長さのうちの大きい方の長さを、各側面の端面と端面との間の長さよりも、小さくする、または、同じとすることができる。なお、第１の辺の長さと第２の辺の長さが同じであっても良く、この場合には、セラミック素体の各端面は正方形状となる。

あるいは、セラミック素体の各端面を、直交する第１の辺と第２の辺とを有する矩形形状とし、第１の辺の長さと第２の辺の長さのうちの大きい方の長さを、各側面の端面と端面との間の長さよりも大きくすることができる。なお、第１の辺の長さと第２の辺の長さが同じであっても良く、この場合には、セラミック素体の各端面は正方形状となる。ただし、第１の辺の長さと第２の辺の長さを異ならせておき、後述するリード端子接合工程において、リード端子を、長い方の辺と平行となるように配置して外部電極に接合すれば、リード端子を外部電極に強固に接合することができる。

また、各外部電極にリード端子が接合されていても良い。この場合には、主に面実装で使用するチップ型の電子部品を、リード端子を備えたリード端子型の電子部品に変更して使用することができる。

この場合において、さらに、各リード端子の一端を外部に導出させて、外部電極が形成されたセラミック素体が外装により封止されていても良い。この場合には、外装により電子部品本体を保護することができる。

本発明の電子部品の製造方法によれば、製造工程の煩雑化、複雑化、高コスト化をまねくことなく、容易に、特性精度の高い電子部品を製造することができる。

また、本発明の電子部品は、特性精度が高く、しかも、製造が容易かつ低コストであり生産性が高い。

図１（Ａ）は、第１実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００を示す斜視図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＸ-Ｘ部分を示す断面図である。 図２（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ、ＮＴＣサーミスタ１００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。 図２の続きであり、図３（Ｄ）〜（Ｆ）は、それぞれ、ＮＴＣサーミスタ１００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。 図４（Ａ）は、片面研磨における、セラミック素体の切削量と抵抗値増加量との相関関係の一例を示す相関図である。図４（Ｂ）は、両面研磨における、セラミック素体の切削量と抵抗値増加量との相関関係の一例を示す相関図である。 図５は、外部電極の違いによる、セラミック素体の切削量と抵抗値増加量との相関関係の違いを示す相関図である。 図６（Ａ）は、第２実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ２００を示す斜視図である。図６（Ｂ）は、第３実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ３００を示す斜視図である。 図７は、第４実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ４００を示す斜視図である。 図８（Ａ）は、第５実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ５００を示す斜視図である。図８（Ｂ）は、外装を省略して示したＮＴＣサーミスタ５００の分解斜視図である。 図９は、第６実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ６００を示す斜視図である。 図１０は、第７実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ７００を示す斜視図である。 図１１（Ａ）は、第８実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ８００を示す斜視図である。図１１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＸ-Ｘ部分を示す断面図である。 図１２（Ａ）は、参考例にかかるＮＴＣサーミスタ１０００を示す斜視図である。図１２（Ｂ-１）、（Ｂ-２）、（Ｂ-３）は、それぞれ、ＮＴＣサーミスタ１０００の保護層の厚みを変化させた断面図である。 ＮＴＣサーミスタ１０００の、保護層の厚みと、はんだ実装前後の抵抗変化率との関係を示すグラフである。

以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。

［第１実施形態］
図１（Ａ）、（Ｂ）に、第１実施形態にかかる電子部品として、ＮＴＣサーミスタ１００を示す。ただし、図１（Ａ）は斜視図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ-Ｘ部分を示す断面図である。

なお、ＮＴＣサーミスタ１００はチップ型の電子部品であり、主に面実装されて使用される。

ＮＴＣサーミスタ１００は、１対の端面１ａ、１ｂと、その１対の端面１ａ、１ｂをつなぐ４つの側面１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆと、を有する直方体からなるセラミック素体１を備える。

本実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００おいては、セラミック素体１の各端面１ａ、１ｂが、直交する、長さＳからなる第１の辺と、長さＴからなる第２の辺とを有する矩形形状からなり、第１の辺の長さＳが第２の辺の長さＴよりも大きいか、または同じであり、かつ大きい方の第１の辺の長さＳが、各側面１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆの端面１ａと端面１ｂとの間の長さＵよりも小さい、または、同じである。なお、図１（Ａ）においては、後述する外部電極３ａ、３ｂの厚みが極小であるため、外部電極３ａ、３ｂの厚みも含めて、長さＳ、Ｔ、Ｕを示している。

長さＳ、Ｔ、Ｕの具体的な寸法は任意であるが、たとえば、Ｓ＝０．８ｍｍ、０．５ｍｍ≦Ｔ≦０．８ｍｍ、Ｕ＝１．６ｍｍというような寸法を採用することができる。

セラミック素体１は、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ等の繊維金属酸化物を複数種類混合し、たとえば１２００〜１５００℃程度の高温で焼結させた複合酸化物半導体からなる。

本実施形態においては、セラミック素体１の内部には、それぞれ矩形で厚膜状の内部電極２ａ、２ｂ、２ｃが埋設されている。内部電極２ａ、２ｂ、２ｃの主成分には、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｐｔ等のセラミック素体１とオーミック接触性のあるものが用いられる。内部電極２ａは、その一辺が、セラミック素体１の一方の端面１ａから外部に露出されている。内部電極２ｂは、その一辺が、セラミック素体１の他方の端面１ｂから外部に露出されている。内部電極２ｃは、いわゆる浮き電極であり、セラミック素体１の外部には露出されていない。内部電極２ｃは、その一部分が、内部電極２ａや内部電極２ｂの一部分と対向して配置されている。

セラミック素体１の両端部には、外部電極３ａ、３ｂが形成されている。

外部電極３ａは、セラミック素体１の一方の端面１ａに形成され、かつ、その端面１ａを囲む４つの辺のうちの対向する２つの辺を越えて、２つの側面１ｃ、１ｅに延出して形成されている。また、外部電極３ｂは、セラミック素体１の他方の端面１ｂに形成され、かつ、その端面１ｂを囲む４つの辺のうちの対向する２つの辺を越えて、２つの側面１ｃ、１ｅに延出して形成されている。すなわち、外部電極３ａ、３ｂは、それぞれ、セラミック素体１の両端部に、幅を備えたコ字状に形成されている。

セラミック素体１の、外部電極３ａ、３ｂが延出されていない、対向する２つの側面１ｄ、１ｆは、面一に切削されている。この２つの側面１ｄ、１ｆが面一に切削されているのは、後述するように、ＮＴＣサーミスタ１００の抵抗値（特性値）が、予め定められた目標抵抗値（目標特性値）の許容範囲内に入るように調整されたことによる。

外部電極３ａ、３ｂは、図示を省略しているが、セラミック素体１上に直接形成された焼付外部電極と、焼付け外部電極上に形成されためっき外部電極とを備える。焼付け外部電極の主成分には、たとえば、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ等が用いられる。めっき外部電極は、たとえば、第１層がＮｉめっき、第２層がＳｎめっきの２層に形成される。

なお、本実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００では、外部電極３ａ、３ｂを焼付外部電極とめっき外部電極とで形成しているが、これに代えて、外部電極３ａ、３ｂを焼付外部電極のみで形成するようにしても良い。

本実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００は、セラミック素体１の側面１ｄ、１ｆが、外部電極３ａ、３ｂとともに面一に切削されて特性値（抵抗値）が調整されており、極めて高い抵抗値精度（特性精度）を備えている。

次に、本実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００の製造方法の一例について説明する。本実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００の製造方法は、以下の工程を備える。

〈セラミック素体作製工程〉
まず、図示しないが、Ｍｎ_３Ｏ_４粉末、Ｃｏ_３Ｏ_４粉末、ＮｉＯ粉末などの出発原料を、所定の配合となるように秤量し、ボールミルにより湿式混合する。続いて、混合された原料を、たとえば９００℃で仮焼する。続いて、仮焼された原料をボールミルにより再度粉砕し、さらに分散剤と有機バインダとを添加し、混合してスラリーを得る。

次に、得られたスラリーをドクターブレード法により成形し、セラミックグリーンシートを得る。続いて、セラミックグリーンシートを比較的広い面積の矩形形状に切断して、多数個のＮＴＣサーミスタを一括して作製するためのマザーシートを形成する。

次に、所定のマザーシートの主面に、それぞれ、たとえばＡｇ−Ｐｄを主成分とする導電ペーストを印刷して、所望の形状からなる内部電極用パターンを形成する。ただし、一部のマザーシートには、内部電極用パターンは形成しない。

次に、内部電極用パターンが形成されたマザーシートを所定の順番に積層し、その上下に内部電極用パターンが形成されていないマザーシートを積層し、圧着してマザー積層体を得る。続いて、マザー積層体を、所定の縦横寸法となるように切断して、複数の未焼成のセラミック素体を得る。

次に、未焼成のセラミック素体を、大気中において加熱し、脱バインダ処理をおこなう。続いて、たとえば、大気中において１１００℃で焼成して、図２（Ａ）に示すセラミック素体１を得る。

本実施形態においては、焼成後のセラミック素体１の寸法は、幅０．７２ｍｍ、長さ１．５２ｍｍ、高さ０．７２ｍｍとなった。なお、必要に応じて、バレル研磨をおこない、セラミック素体１の外形を整えても良い。

〈外部電極形成工程〉
次に、図２（Ｂ）に示すように、セラミック素体１の両端部に、外部電極３ａ、３ｂを形成する。具体的には、まず、セラミック素体１の両端部に、たとえばＡｇ−Ｐｄを主成分とする導電ペーストを塗布し、焼付けて、焼付け外部電極（図示せず）を形成する。続いて、焼付け外部電極上に、電解めっきにより、第１層がＮｉめっき、第２層がはんだめっきからなる、めっき外部電極（図示せず）を形成する。

〈初期特性値測定工程〉
次に、各セラミック素体１につき、外部電極３ａ、３ｂ間の初期抵抗値（初期特性値）を測定する。そして、この初期抵抗値に応じて、各セラミック素体１を複数のグループにクラス分けする。

〈切削条件決定工程〉
一方、本ＮＴＣサーミスタ１００の製造に先立ち、予め、セラミック素体１の切削量（％）と抵抗値増加量（％）との相関図を作成しておく。すなわち、複数のサンプル実験をおこない、当該セラミック素体１をどれだけ切削すれば、抵抗値がどれだけ増加するかの相関関係を明らかにしておく。

図４（Ａ）、（Ｂ）に、削量（％）と抵抗値増加量（％）との相関図の一例を示す。ただし、図４（Ａ）は、セラミック素体１の１つの側面を研磨した場合（片面研磨の場合）を示す。また、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）を作成するために１つの側面を研磨したセラミック素体１に対し、さらに裏側の側面も研磨した場合（両面研磨の場合）を示す。なお、図４（Ａ）、（Ｂ）において、切削量（％）には、外部電極３ａ、３ｂの切削量は含まれていない。

たとえば、図４（Ａ）の相関図では、切削量をｘ、抵抗値増加量をｙとした場合に、ｙ＝０．２３５４ｘ＋０．７５６２の相関式が成り立っている。したがって、たとえば、セラミック素体１の１つの側面を１０％切削することにより、抵抗値は約３．１％増加する。

なお、焼付け外部電極が、セラミック素体１に対してオーミック接触している場合の方が、セラミック素体１に対して非オーミック接触している場合よりも、抵抗値の増加率が大きい傾向にある。図５に、焼付け外部電極がセラミック素体１に対してオーミック接触しているＡｇ-Ｐｄを主成分とする場合の相関図と、非オーミック接触しているＣｕを主成分とする場合の相関図とを合わせて示す。図５から分かるように、Ａｇ-Ｐｄを主成分とする場合の方が、Ｃｕを主成分とする場合よりも、抵抗値の増加率が大きく、かつ、相関式の傾きもやや大きい。したがって、本発明を実施するにあたっては、焼付け外部電極をセラミック素体１に対してオーミック接触するものとした方が、小さな切削量で大きく抵抗値を増加させることができるため好ましい。

なお、セラミック素体１の切削は、セラミック素体１の１つの側面に対しておこなっても良いし、対向する２つの側面に対しておこなっても良い。切削する側面が１つの場合には、工程が少なくて済み、生産性が高くなる。切削する側面が２つの場合には、完成した電子部品を上下対称形状とすることができる。切削する側面は１つまたは２つには限られず、連続する３つの側面を切削するようにしても良い。

ただし、切削するセラミック素体の側面の数と位置により、上記相関式が異なる場合があるので、その場合には、切削するセラミック素体の側面の数と位置に合わせた相関図を作成する必要がある。

なお、セラミック素体１の外観寸法の幅、長さ、高さのいずれかが目標寸法からずれている場合には、その寸法を修正するように、セラミック素体１の切削する側面を決定すれば、抵抗値の調整とともに寸法の調整もおこなうことができて好ましい。

以上のように作成されたセラミック素体１の切削量と抵抗値増加量との相関図に基づき、初期抵抗値によりクラス分けされたセラミック素体１ごとに、セラミック素体１の切削する側面と切削量を決定する。本実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００においては、セラミック素体１の相互に対向する側面１ｄと１ｆとを、所定量、切削することに決定した。

〈側面切削工程〉
まず、図２（Ｃ）に示すように、まず、セラミック素体１の側面１ｄを、所定量、切削する。切削は、サンドブラスト、ダイシング、ウエットブラスト、ラップ研磨等によりおこなうことができる。切削にあたっては、セラミック素体１の一部分を保護膜等で覆う必要はない。また、同じグループにクラス分けされた複数のセラミック素体１を治具等に固定し、一括して切削することができる。図３（Ｄ）に、側面１ｄを切削した後のセラミック素体１を示す。

次に、図３（Ｆ）に示すように、セラミック素体１の上下を反転させて、セラミック素体１の側面１ｆを、所定量、切削する。

セラミック素体１の側面１ｆの切削終了により、本実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００は完成する。ＮＴＣサーミスタ１００は、抵抗値が厳格に調整されており、目標抵抗値の範囲内に収まったものになっている。

［第２実施形態］
図６（Ａ）に、第２実施形態にかかる電子部品として、チップ型のＮＴＣサーミスタ２００を示す。

ＮＴＣサーミスタ２００は、側面切削工程において、セラミック素体１の１つの側面１ｄのみを、外部電極１３ａ、１３ｂとともに切削して抵抗値の調整をおこなった。ＮＴＣサーミスタ２００の他の構成および製造方法は、上述した第１実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００と同じにした。

［第３実施形態］
図６（Ｂ）に、第３実施形態にかかる電子部品として、チップ型のＮＴＣサーミスタ３００を示す。

ＮＴＣサーミスタ３００は、側面切削工程において、セラミック素体１の連続する３つの側面１ｃ、１ｄ、１ｅを、外部電極２３ａ、２３ｂとともに切削して抵抗値の調整をおこなった。ＮＴＣサーミスタ３００の他の構成および製造方法は、上述した第１実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００と同じにした。

［第４実施形態］
図７に、第４実施形態にかかる電子部品として、チップ型のＮＴＣサーミスタ４００を示す。

本実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ４００は、上述した第１〜３実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００〜３００と、後述する、セラミック素体１１の形状が異なる。

ＮＴＣサーミスタ４００は、１対の端面１１ａ、１１ｂと、その１対の端面１１ａ、１１ｂをつなぐ４つの側面１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆと、を有する直方体からなるセラミック素体１１を備える。

ＮＴＣサーミスタ４００においては、セラミック素体１１の各端面１１ａ、１１ｂが、直交する、長さＳからなる第１の辺と、長さＴからなる第２の辺とを有する矩形形状からなり、第１の辺の長さＳが第２の辺の長さＴよりも大きいか、または同じであり、かつ大きい方の第１の辺の長さＳが、各側面１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆの端面１１ａと端面１１ｂとの間の長さＵよりも大きい。

長さＳ、Ｔ、Ｕの具体的な寸法は任意であるが、たとえば、Ｓ＝１．６ｍｍ、０．５ｍｍ≦Ｔ≦１．６ｍｍ、Ｕ＝０．８ｍｍというような寸法を採用することができる。

セラミック素体１１の両端部には、外部電極３３ａ、３３ｂが形成されている。

外部電極３３ａは、セラミック素体１１の一方の端面１１ａに形成され、かつ、その端面１１ａを囲む４つの辺のうちの対向する２つの辺を越えて、２つの側面１１ｃ、１１ｅに延出して形成されている。また、外部電極３３ｂは、セラミック素体１１の他方の端面１１ｂに形成され、かつ、その端面１１ｂを囲む４つの辺のうちの対向する２つの辺を越えて、２つの側面１１ｃ、１１ｅに延出して形成されている。

外部電極３３ａ、３３ｂは、予め、セラミック素体１１の両端部にキャップ状に形成されたが、セラミック素体１１の側面１１ｄと１１ｆとを、抵抗値を調整するために面一に切削したことにより、上記の形状となったものである。

なお、第４実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ４００では、抵抗値を調整するために、セラミック素体１１の側面１１ｄと１１ｆとを切削しているが、これに代えて、変形例として、セラミック素体１１の４つの側面１１ｃ〜１１ｆのうちの、いずれか１つの側面のみを、外部電極３３ａ、３３ｂとともに面一に切削するようにしても良い。あるいは、さらに別の変形例として、セラミック素体１１の４つの側面１１ｃ〜１１ｆのうちの、連続する３つの側面を、外部電極３３ａ、３３ｂとともに面一に切削するようにしても良い。

第４実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ４００は、上述した第１実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００と同様の工程で製造することができる。すなわち、ＮＴＣサーミスタ４００は、セラミック素体作製工程、外部電極形成工程、初期特性値測定工程、切削条件決定工程、側面切削工程を備えた製造方法により製造することができる。

［第５実施形態］
図８（Ａ）、（Ｂ）に、第５実施形態にかかる電子部品として、ＮＴＣサーミスタ５００を示す。ただし、図８（Ａ）はＮＴＣサーミスタ５００の斜視図である。また、図８（Ｂ）は、後述する外装６０を省略して示したＮＴＣサーミスタ５００の分解斜視図である。

ＮＴＣサーミスタ５００は、図７に示した第４実施形態にかかるチップ型のＮＴＣサーミスタ４００に、後述する１対のリード端子５０ａ、５０ｂを接合することによって、リード端子型のＮＴＣサーミスタとしたものである。

図８（Ｂ）に示すように、ＮＴＣサーミスタ５００は、ＮＴＣサーミスタ４００を備える。

ＮＴＣサーミスタ４００は、１対の端面１１ａ、１１ｂと、４つの側面１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆを有するセラミック素体１１を備える。各端面１１ａ、１１ｂは、直交する、長さＳからなる第１の辺と、長さＴからなる第２の辺とを有する矩形形状からなる。第１の辺の長さＳは、第２の辺の長さＴよりも大きく、かつ、各側面１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆの端面１１ａと端面１１ｂとの間の長さＵよりも大きい。

セラミック素体１１には、外部電極３３ａ、３３ｂが形成されている。外部電極３３ａは、セラミック素体１１の一方の端面１１ａに形成され、かつ、その端面１１ａを囲む４つの辺のうちの対向する２つの辺を越えて、２つの側面１１ｃ、１１ｅに延出して形成されている。また、外部電極３３ｂは、セラミック素体１１の他方の端面１１ｂに形成され、かつ、その端面１１ｂを囲む４つの辺のうちの対向する２つの辺を越えて、２つの側面１１ｃ、１１ｅに延出して形成されている。

外部電極３３ａ、３３ｂには、接合材４０により、リード端子５０ａ、５０ｂが接合されている。接合材４０には、たとえば、はんだ、導電性接着剤等が使用されている。リード端子５０ａ、５０ｂには、たとえば、Ｆｅを主成分とする合金、Ｃｕを主成分とする合金等が使用されている。

本実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ５００においては、リード端子５０ａ、５０ｂが、セラミック素体１１の端面１１ａ、１１ｂの長さＳからなる第１の辺と平行となるように接合されている。長さＳからなる第１の辺は、セラミック素体１において長さが最大の辺であり、図８（Ｂ）に示す、長さＴ、Ｕよりも大きい。

したがって、ＮＴＣサーミスタ５００においては、リード端子５０ａ、５０ｂと、外部電極３３ａ、３３ｂが接触している長さを大きくすることができる。また、十分な量の接合材４０で、リード端子５０ａ、５０ｂを外部電極３３ａ、３３ｂに接合することができる。したがって、ＮＴＣサーミスタ５００においては、リード端子５０ａ、５０ｂが外部電極３３ａ、３３ｂに強固に接合されている。

図８（Ａ）に示すように、リード端子５０ａ、５０ｂの一端を外部に導出させて、外装６０が施されている。外装６０には、たとえば、エポキシ系等の樹脂や、ガラス等が使用されている。ＮＴＣサーミスタ５００は、本体部分が外装６０により保護されている。

以上の構造からなる、本実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ５００は、たとえば、次の方法で製造することができる。

まず、第４実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ４００を準備する。ＮＴＣサーミスタ４００は、少なくとも、セラミック素体作製工程、外部電極形成工程、初期特性値測定工程、切削条件決定工程、側面切削工程を経て製造されている。ＮＴＣサーミスタ４００は、初期特性値測定工程、切削条件決定工程、側面切削工程を経て製造されているため、高い特性精度を備えている。

次に、リード端子接合工程として、ＮＴＣサーミスタ４００の外部電極３３ａ、３３ｂに、接合材４０により、リード端子５０ａ、５０ｂを接合する。

この後、任意の工程として、特性値調整工程を実施することができる。特性値調整工程は、リード端子５０ａ、５０ｂを接合したこと等により、ずれてしまった特性値を、再び許容範囲内に収めるために実施するものである。特性値調整工程は、たとえば、特性値測定工程と、切削条件決定工程と、側面切削工程とを含んだ工程で実施することができる。

切削条件決定工程は、上述した第１実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００の製造方法における切削条件決定工程と同様に、予め作成された切削量と特性値変化の相関図を使用して実施することが可能であり、かつ使用して実施することが好ましい。また、切削条件決定工程は、次に実施する外装形成工程による特性値の変化を考慮して実施することが好ましい。

最後に、外装封止工程として、リード端子５０ａ、５０ｂの一端を外部に導出させて、セラミック素体１１を外装６０により封止して、本実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ５００を完成させる。

［第６実施形態］
図9に、第６実施形態にかかる電子部品として、チップ型のＮＴＣサーミスタ６００を
示す。

本実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ６００は、図１（Ａ）、（Ｂ）に示した第１実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００に変更を加えた。具体的には、ＮＴＣサーミスタ１００のセラミック素体１を、形状の異なるセラミック素体２１に置換えた。

ＮＴＣサーミスタ６００は、１対の端面２１ａ、２１ｂと、その１対の端面２１ａ、２１ｂをつなぐ４つの側面２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆと、を有する直方体からなるセラミック素体２１を備える。

ＮＴＣサーミスタ６００においては、セラミック素体２１の各端面２１ａ、２１ｂが、直交する、長さＳからなる第１の辺と、長さＴからなる第２の辺とを有する矩形形状からなり、第２の辺の長さＴが第１の辺の長さＳよりも大きく、かつ大きい方の第２の辺の長さＴが、各側面２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆの端面２１ａと端面２１ｂとの間の長さＵよりも小さい、または、同じである。

長さＳ、Ｔ、Ｕの具体的な寸法は任意であるが、たとえば、Ｓ＝０．８ｍｍ、０．８ｍｍ＜Ｔ≦１．６ｍｍ、Ｕ＝１．６ｍｍというような寸法を採用することができる。

セラミック素体２１の両端部には、外部電極４３ａ、４３ｂが形成されている。

外部電極４３ａは、セラミック素体２１の一方の端面２１ａに形成され、かつ、その端面２１ａを囲む４つの辺のうちの対向する２つの辺を越えて、２つの側面２１ｃ、２１ｅに延出して形成されている。また、外部電極４３ｂは、セラミック素体２１の他方の端面２１ｂに形成され、かつ、その端面２１ｂを囲む４つの辺のうちの対向する２つの辺を越えて、２つの側面２１ｃ、２１ｅに延出して形成されている。

外部電極４３ａ、４３ｂは、予め、セラミック素体２１の両端部にキャップ状に形成されたが、セラミック素体２１の側面２１ｄと２１ｆとを、抵抗値を調整するために面一に切削したことにより、上記の形状となったものである。

なお、第６実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ６００は、第１実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００に比べて、端面２１ａ、２１ｂの第２の辺の長さＴが大きいため、抵抗値を調整するために、セラミック素体２１の側面２１ｄと２１ｆとを、大きく切削することが可能である。ＮＴＣサーミスタ６００の形状は、特性値を大きく調整する必要がある場合に有利である。

なお、第６実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ６００では、抵抗値を調整するために、セラミック素体２１の側面２１ｄと２１ｆとを切削しているが、これに代えて、変形例として、セラミック素体２１の４つの側面２１ｃ〜２１ｆのうちの、いずれか１つの側面のみを、外部電極４３ａ、４３ｂとともに面一に切削するようにしても良い。あるいは、さらに別の変形例として、セラミック素体２１の４つの側面２１ｃ〜２１ｆのうちの、連続する３つの側面を、外部電極４３ａ、４３ｂとともに面一に切削するようにしても良い。

［第７実施形態］
図１０に、第７実施形態にかかる電子部品として、チップ型のＮＴＣサーミスタ７００を示す。

本実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ７００は、図７に示した第４実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ４００に変更を加えた。具体的には、ＮＴＣサーミスタ４００のセラミック素体１１を、形状の異なるセラミック素体３１に置換えた。

ＮＴＣサーミスタ７００は、１対の端面３１ａ、３１ｂと、その１対の端面３１ａ、３１ｂをつなぐ４つの側面３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ、３１ｆと、を有する直方体からなるセラミック素体３１を備える。

ＮＴＣサーミスタ７００においては、セラミック素体３１の各端面３１ａ、３１ｂが、直交する、長さＳからなる第１の辺と、長さＴからなる第２の辺とを有する矩形形状からなり、第２の辺の長さＴが第１の辺の長さＳよりも大きいか、または同じであり、かつ大きい方の第２の辺の長さＴが、各側面３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ、３１ｆの端面３１ａと端面３１ｂとの間の長さＵよりも大きい。

長さＳ、Ｔ、Ｕの具体的な寸法は任意であるが、たとえば、Ｓ＝１．２ｍｍ、１．２ｍｍ≦Ｔ≦１．６ｍｍ、Ｕ＝０．８ｍｍというような寸法を採用することができる。

セラミック素体３１の両端部には、外部電極５３ａ、５３ｂが形成されている。

外部電極５３ａは、セラミック素体３１の一方の端面３１ａに形成され、かつ、その端面３１ａを囲む４つの辺のうちの対向する２つの辺を越えて、２つの側面３１ｃ、３１ｅに延出して形成されている。また、外部電極５３ｂは、セラミック素体３１の他方の端面３１ｂに形成され、かつ、その端面３１ｂを囲む４つの辺のうちの対向する２つの辺を越えて、２つの側面３１ｃ、３１ｅに延出して形成されている。

外部電極５３ａ、５３ｂは、予め、セラミック素体３１の両端部にキャップ状に形成されたが、セラミック素体３１の側面３１ｄと３１ｆとを、抵抗値を調整するために面一に切削したことにより、上記の形状となったものである。

なお、第７実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ７００は、第４実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ４００に比べて、端面３１ａ、３１ｂの第２の辺の長さＴが大きいため、抵抗値を調整するために、セラミック素体３１の側面３１ｄと３１ｆとを、大きく切削することが可能である。ＮＴＣサーミスタ７００の形状は、特性値を大きく調整する必要がある場合に有利である。

なお、ＮＴＣサーミスタ７００に１対のリード端子（図示せず）を接合して、リード端子型のＮＴＣサーミスタとする場合には、リード端子を、セラミック素体３１の端面３１ａ、３１ｂの長さＴからなる第２の辺と平行となるように配置して、外部電極５３ａ、５３ｂに接合することが好ましい。この場合には、リード端子と、外部電極５３ａ、５３ｂとの接触している長さを大きくすることができるとともに、十分な量の接合材で接合することができるため、リード端子と外部電極５３ａ、５３ｂとを強固に接合することができる。

なお、第７実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ７００では、抵抗値を調整するために、セラミック素体３１の側面３１ｄと３１ｆとを切削しているが、これに代えて、変形例として、セラミック素体３１の４つの側面３１ｃ〜３１ｆのうちの、いずれか１つの側面のみを、外部電極５３ａ、５３ｂとともに面一に切削するようにしても良い。あるいは、さらに別の変形例として、セラミック素体３１の４つの側面３１ｃ〜３１ｆのうちの、連続する３つの側面を、外部電極５３ａ、５３ｂとともに面一に切削するようにしても良い。

［第８実施形態］
図１１（Ａ）、（Ｂ）に、第８実施形態にかかる電子部品として、チップ型のＮＴＣサーミスタ８００を示す。ただし、図１１（Ａ）は斜視図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＹ-Ｙ部分を示す断面図である。

ＮＴＣサーミスタ８００は、１対の端面４１ａ、４１ｂと、その１対の端面４１ａ、４１ｂをつなぐ４つの側面４１ｃ、４１ｄ、４１ｅ、４１ｆと、を有する直方体からなるセラミック素体４１を備える。

ＮＴＣサーミスタ８００においては、セラミック素体４１の各端面４１ａ、４１ｂは、長さＳからなる第１の辺と、長さＴからなる第２の辺とが直交する矩形形状からなる。端面４１ａと端面４１ｂの間の距離は、長さＵからなる。

本実施形態における、ＮＴＣサーミスタ８００の長さＳ、Ｔ、Ｕの具体的な寸法は、Ｓ＝１．６ｍｍ、Ｔ＝１．０ｍｍ、Ｕ＝０．８ｍｍである。ただし、各寸法は、適宜、変更することが可能である。

セラミック素体４１の両端部には、外部電極６３ａ、６３ｂが形成されている。

外部電極６３ａは、セラミック素体４１の一方の端面４１ａに形成され、かつ、その端面４１ａを囲む４つの辺のうちの３つの辺を越えて、３つの側面４１ｃ、４１ｅ、４１ｆに延出して形成されている。また、外部電極６３ｂは、セラミック素体４１の他方の端面４１ｂに形成され、かつ、その端面４１ｂを囲む４つの辺のうちの３つの辺を越えて、３つの側面４１ｃ、４１ｅ、４１ｆに延出して形成されている。すなわち、外部電極６３ａ、６３ｂは、いずれも、セラミック素体４１の側面４１ｄには延出されていない。

外部電極６３ａ、６３ｂは、予め、セラミック素体４１の両端部にキャップ状に形成されたが、セラミック素体４１の側面４１ｄを、抵抗値を調整するために面一に切削したことにより、上記の形状となったものである。

図１１（Ｂ）に示すように、セラミック素体４１の内部には、外部電極６３ａに接続された内部電極１２ａ、外部電極６３ｂに接続された内部電極１２ｂが形成されている。なお、内部電極１２ａ、１２ｂの幅は、それぞれ、２０μｍ程度である。

本実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ８００においては、セラミック素体４１の側面４１ｆ上の外部電極６３ｂから、最も近い内部電極１２ａまでの距離Ｄが、２２５μｍよりも大きく設定されている。距離Ｄは、セラミック素体４１の側面４１ｆから、最も近い内部電極１２ａまでの距離であり、保護層の厚みということもできる。

ＮＴＣサーミスタ８００において、距離Ｄを２２５μｍよりも大きく設定したのは、ＮＴＣサーミスタ８００をはんだ実装した際の熱による、ＮＴＣサーミスタ８００の抵抗の変化を小さく抑えるためである。すなわち、ＮＴＣサーミスタ８００は、距離Ｄを２２５μｍよりも大きく設定すると、はんだ実装した際の熱による抵抗の変化を小さく抑えることができる。本知見は、本件発明者がおこなった、以下の実験から得た。

図１２（Ａ）に、参考例にかかるＮＴＣサーミスタ１０００を示す。ＮＴＣサーミスタ１００は、Ｓ＝１．６ｍｍ、Ｔ＝１．０ｍｍ、Ｕ＝０．８ｍｍの寸法からなるセラミック素体１０１を有し、セラミック素体１０１の両端部にキャップ状の外部電極１０３ａ、１０３ｂが形成されている。なお、セラミック素体１０１の側面は、本発明とは異なり、切削はされていない。

参考例にかかるＮＴＣサーミスタ１０００は、図１２（Ｂ-１）〜（Ｂ-３）に示すように、セラミック素体１０１の内部に、外部電極１０３ａに接続された内部電極１０２ａ、外部電極１０３ｂに接続された内部電極１０２ｂが、それぞれ形成されている。なお、図１２（Ｂ-１）〜（Ｂ-３）は、それぞれ、異なる個体であり、セラミック素体１０１の底面の外部電極１０３ｂから、内部電極１０２ａまでの距離が異ならせてある。すなわち、図１２（Ｂ-１）は、外部電極１０３ｂから内部電極１０２ａまでの距離が４３μｍの例である。図１２（Ｂ-２）は、外部電極１０３ｂから内部電極１０２ａまでの距離が２２５μｍの例である。図１２（Ｂ-３）は、外部電極１０３ｂから内部電極１０２ａまでの距離が４３２μｍの例である。

これらの３つの例に限らず、ＮＴＣサーミスタ１０００において、セラミック素体１０１の底面の外部電極１０３ｂから内部電極１０２ａまでの距離を変化させて、複数種類の試料を作製した。そして、それらをリフローはんだにより基板に実装し、それぞれの実装の前後の抵抗変化率を調べた。

図１３に、セラミック素体１０１の底面の外部電極１０３ｂから内部電極１０２ａまでの距離（保護層の厚み）と、はんだ実装前後の抵抗変化率との関係を示す。

図１３から分かるように、保護層の厚みが２２５μｍ以下の場合は、厚みが大きくなるにつれて、比例的に、抵抗変化率が低下する。しかしながら、保護層の厚みが２２５μｍを超えると、それ以上は、抵抗変化率は大きくは低下しなかった。

ＮＴＣサーミスタ１０００の抵抗成分としては、内部電極１０２ａと内部電極１０２ｂの間に構成される抵抗成分が最も大きく寄与するが、電位の異なる内部電極１０２ａと外部電極１０３ｂの間に構成される抵抗成分や、同じく電位の異なる内部電極１０２ｂと外部電極１０３ａの間に構成される抵抗成分も寄与する。

一方、ＮＴＣサーミスタ１０００をはんだにより基板に実装すると、実装時の熱により、セラミック素体１０１の表面近傍部分に酸素反応が発生し（セラミックが酸化し）、その部分の抵抗値が大きくなる。そして、セラミック素体１０１の表面近傍部分の抵抗値が大きくなると、内部電極１０２ａと外部電極１０３ｂの間に構成される抵抗や、内部電極１０２ｂと外部電極１０３ａの間に構成される抵抗も大きくなり、ＮＴＣサーミスタ１０００の抵抗（外部電極１０３ａと外部電極１０３ｂの間の抵抗）そのものが大きくなってしまう。これが、ＮＴＣサーミスタ１０００をはんだにより基板実装した際に抵抗が変動する主原因であると考えられる。

ところが、図１３に示すように、保護層の大きさを２２５μｍよりも大きくし、内部電極１０２ａや内部電極１０２ｂを、セラミック素体１０１の長さＴ方向の内部側に寄せると、はんだ実装時の熱による、内部電極１０２ａと外部電極１０３ｂの間に構成される抵抗の変化、および内部電極１０２ｂと外部電極１０３ａの間に構成される抵抗の変化を、小さく抑えることができる。

そこで、第８実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ８００においては、以上の知見を活かし、セラミック素体４１の側面４１ｆ上の外部電極６３ｂから、最も近い内部電極１２ａまでの距離Ｄを、２２５μｍよりも大きく設定したのである。ＮＴＣサーミスタ８００は、はんだ実装した際の熱による抵抗の変化が小さく抑えられている。

なお、底面や天面の外部電極から最も近い内部電極までの距離（保護層の厚み）を２２５μｍよりも大きくし、はんだ実装時の熱による抵抗の変化を小さく抑える技術は、セラミック素子の大きさが幅０．５ｍｍ、厚み０．５ｍｍ、長さ１．０ｍｍよりも大きいＮＴＣサーミスタにおいて、より大きな効果があることが確認されている。

以上、本発明の第１〜第８の実施形態にかかるＮＴＣサーミスタ１００〜８００の構造、およびその製造方法の一例について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、本発明の趣旨に沿って、種々の変更を加えることができる。

たとえば、上記実施形態においては、いずれも、電子部品としてＮＴＣサーミスタを示したが、本発明の電子部品がＮＴＣサーミスタに限定されることはなく、たとえば、コイル、コンデンサ、抵抗等であっても良い。また、サーミスタであっても、ＮＴＣサーミスタに代えて、ＰＴＣサーミスタであっても良い。

また、調整される特性値も、抵抗値には限られず、インダクタン値や容量値等であっても良い。

また、セラミック素体の外観は、種々の形状、寸法を採用することができる。たとえば、セラミック素体は、全ての辺の長さが同じである立方体であっても良い。

なお、少なくとも、図１（Ａ）、（Ｂ）に示した第１実施形態にかかる電子部品１００のセラミック素体１の形状において、Ｓ＝０．８ｍｍ、０．５ｍｍ≦Ｔ≦０．８ｍｍ、Ｕ＝１．６ｍｍの寸法での、本発明の有効性を確認済みである。

また、図７に示した第４実施形態にかかる電子部品４００のセラミック素体１１の形状において、Ｓ＝１．６ｍｍ、０．５ｍｍ≦Ｔ≦１．６ｍｍ、Ｕ＝０．８ｍｍの寸法での、本発明の有効性を確認済みである。

また、図９に示した第６実施形態にかかる電子部品６００のセラミック素体２１の形状において、Ｓ＝０．８ｍｍ、０．８ｍｍ＜Ｔ≦１．６ｍｍ、Ｕ＝１．６ｍｍの寸法での、本発明の有効性を確認済みである。

さらに、図１０に示した第７実施形態にかかる電子部品７００のセラミック素体３１の形状において、Ｓ＝１．２ｍｍ、１．２ｍｍ≦Ｔ≦１．６ｍｍ、Ｕ＝０．８ｍｍの寸法での、本発明の有効性を確認済みである。

さらに、切削されて面一とされるセラミック素体の側面の数も任意であり、１つ〜３つの間で選択することができる。

１、１１、２１、３１、４１・・・セラミック素体
１ａ、１ｂ、１１ａ、１１ｂ、２１ａ、２１ｂ、３１ａ、３１ｂ、４１ａ、４１ｂ・・・端面
１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ、３１ｆ、４１ｃ、４１ｄ、４１ｅ、４１ｆ・・・側面
２ａ、２ｂ、２ｃ、１２ａ、１２ｂ・・・内部電極
３ａ、３ｂ、１３ａ、１３ｂ、２３ａ、２３ｂ、３３ａ、３３ｂ、４３ａ、４３ｂ、５３ａ、５３ｂ、６３ａ、６３ｂ・・・外部電極
４０・・・接合材
５０ａ、５０ｂ・・・リード端子
６０・・・外装
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００・・・ＮＴＣサーミスタ（電子部品）

Claims (12)

1. １対の端面と、当該１対の端面をつなぐ４つの側面とを有する直方体からなるセラミック素体を作製するセラミック素体作製工程と、
   セラミック素体の両端部に、端面と、当該端面につながる４つの側面に亘る、１対のキャップ状の外部電極を形成する外部電極形成工程と、
   １対の外部電極間の初期特性値を測定する初期特性値測定工程と、
   ４つの側面のうちから、切削する１つ〜３つの側面を決定するとともに、初期特性値測定工程で測定された初期特性値と、予め設定された目標特性値とを対比し、予め保有するデータに基づき、切削する各側面の切削量を決定する切削条件決定工程と、
   切削条件決定工程で決定された切削する側面を、同工程で決定された切削量、当該側面に形成された外部電極とともに、面一に切削する側面切削工程と、を備えた電子部品の製造方法であって、
   セラミック素体がサーミスタ素体であり、電子部品がサーミスタである、電子部品の製造方法。
2. 特性値が抵抗値である、請求項１に記載された電子部品の製造方法。
3. 外部電極形成工程が、
   セラミック素体の両端部に、導電性ペーストを塗布し、焼付けて、焼付外部電極を形成する焼付外部電極形成工程を備えた、請求項１または２に記載された電子部品の製造方法。
4. 外部電極形成工程が、
   セラミック素体の両端部に、導電性ペーストを塗布し、焼付けて、焼付外部電極を形成する焼付外部電極形成工程と、
   焼付外部電極上に、めっきをして、めっき外部電極を形成するめっき外部電極形成工程と、を備えた、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
5. 外部電極が、セラミック素体に対してオーミック接触している、請求項１ないし４のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
6. セラミック素体の内部に内部電極が形成されている、請求項１ないし５のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
7. セラミック素体の各端面が、直交する第１の辺と第２の辺とを有する矩形形状からなり、第１の辺の長さと第２の辺の長さのうちの大きい方の長さが、各側面の端面と端面との間の長さよりも、小さい、または、同じである、請求項１ないし６のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
8. セラミック素体の各端面が、直交する第１の辺と第２の辺とを有する矩形形状からなり、第１の辺の長さと第２の辺の長さのうちの大きい方の長さが、各側面の端面と端面との間の長さよりも大きい、請求項１ないし６のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
9. 第 １の辺の長さと第２の辺の長さが異なる、請求項７または８に記載された電子部品の製造方法。
10. 各外部電極にリード端子を接合するリード端子接合工程をさらに備えた、請求項１ないし９のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
11. リード端子接合工程の後に、セラミック素体を切削して、または、セラミック素体と外部電極とを切削して、特性値を調整する特性値調整工程をさらに備えた、請求項１０に記載された電子部品の製造方法。
12. 各リード端子の一端を外部に導出させて、外部電極が形成されたセラミック素体を外装により封止する外装封止工程をさらに備えた、請求項１０または１１に記載された電子部品の製造方法。

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