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JP6493171B2 - Power converter - Google Patents

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JP6493171B2
JP6493171B2 JP2015226047A JP2015226047A JP6493171B2 JP 6493171 B2 JP6493171 B2 JP 6493171B2 JP 2015226047 A JP2015226047 A JP 2015226047A JP 2015226047 A JP2015226047 A JP 2015226047A JP 6493171 B2 JP6493171 B2 JP 6493171B2
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高志 増澤
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Description

本発明は、スイッチング素子を備えた電力変換装置に関する。   The present invention relates to a power conversion device including a switching element.

例えば電気自動車やハイブリッド自動車等に搭載されるインバータ等の電力変換装置は、複数のスイッチング素子をオンオフすることにより、直流電力と交流電力との間の電力変換を行うよう構成されている。かかる電力変換装置におけるスイッチング回路においては、スイッチング素子のオンオフ動作に伴い、サージ電圧が発生する。大きなサージ電圧がスイッチング素子に印加されると、スイッチング素子の動作に影響を及ぼしうる。   For example, a power conversion device such as an inverter mounted on an electric vehicle, a hybrid vehicle, or the like is configured to perform power conversion between DC power and AC power by turning on and off a plurality of switching elements. In the switching circuit in such a power converter, a surge voltage is generated with the on / off operation of the switching element. When a large surge voltage is applied to the switching element, it can affect the operation of the switching element.

そこで、特許文献1に記載の電力変換装置は、正極端子と正極側スイッチング素子との間の部位と、負極端子と負極側スイッチング素子との間の部位とを、スナバコンデンサを介して接続している。これにより、スイッチング回路に生じるサージ電圧をスナバコンデンサに吸収させ、スイッチング素子に大きなサージ電圧が加わることを抑制しようとしている。   Therefore, the power conversion device described in Patent Document 1 connects a portion between the positive terminal and the positive switching element and a portion between the negative terminal and the negative switching element via a snubber capacitor. Yes. As a result, the snubber capacitor absorbs the surge voltage generated in the switching circuit, and attempts to suppress the application of a large surge voltage to the switching element.

特開2014−187874号公報JP 2014-187874 A

しかしながら、上記電力変換装置は、正極側スイッチング素子と出力端子と負極側スイッチング素子とを流れる交流電流の電流経路における寄生インダクタンスは低減できない。それゆえ、該寄生インダクタンスに起因したサージ電圧を低減し難いという課題がある。   However, the power converter cannot reduce the parasitic inductance in the current path of the alternating current flowing through the positive side switching element, the output terminal, and the negative side switching element. Therefore, there is a problem that it is difficult to reduce the surge voltage due to the parasitic inductance.

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、寄生インダクタンスを効果的に抑制することができる電力変換装置を提供しようとするものである。   This invention is made | formed in view of this subject, and aims to provide the power converter device which can suppress a parasitic inductance effectively.

本発明の一態様は、交流負荷(10)に電気的に接続される出力端子(2)と、
該出力端子から分岐部(12)を介して分岐した正極側接続部(3)及び負極側接続部(4)と、
上記正極側接続部における上記出力端子と反対側の端部に接続された正極側スイッチング素子(51)と、
上記負極側接続部における上記出力端子と反対側の端部に接続された負極側スイッチング素子(52)と、
上記正極側スイッチング素子に電気的に接続された正極端子(61)と、
上記負極側スイッチング素子に電気的に接続された負極端子(62)と、
上記正極側接続部における上記分岐部よりも上記正極側スイッチング素子側の部位と、上記負極側接続部における上記分岐部よりも上記負極側スイッチング素子側の部位と、の間を電気的に接続するバイパス導体(11)と、を有し、
上記正極側スイッチング素子と上記負極側スイッチング素子との並び方向(X)に直交する縦方向(Y)において、上記正極端子及び上記負極端子と上記出力端子とは、上記正極側スイッチング素子及び上記負極側スイッチング素子を挟んで、互いに反対側に配されており、
上記バイパス導体は、上記並び方向と上記縦方向との双方に直交する高さ方向(Z)から見たとき、上記正極側スイッチング素子と上記負極側スイッチング素子との間に配されており、
上記正極側スイッチング素子と上記バイパス導体と上記負極側スイッチング素子とは、上記並び方向に並ぶよう配されている、電力変換装置(1)にある。
One aspect of the present invention includes an output terminal (2) electrically connected to an AC load (10),
A positive electrode side connection portion (3) and a negative electrode side connection portion (4) branched from the output terminal via a branch portion (12);
A positive side switching element (51) connected to an end of the positive side connection part opposite to the output terminal;
A negative electrode side switching element (52) connected to an end of the negative electrode side connection portion opposite to the output terminal;
A positive terminal (61) electrically connected to the positive-side switching element;
A negative terminal (62) electrically connected to the negative side switching element;
An electrical connection is made between a portion on the positive electrode side switching element side with respect to the branch portion in the positive electrode side connection portion and a portion on the negative electrode side switching element side with respect to the branch portion in the negative electrode side connection portion. a bypass conductor (11), was closed,
In the longitudinal direction (Y) orthogonal to the alignment direction (X) of the positive electrode side switching element and the negative electrode side switching element, the positive electrode terminal, the negative electrode terminal, and the output terminal are the positive electrode side switching element and the negative electrode, respectively. Are arranged on opposite sides of the side switching element,
The bypass conductor is disposed between the positive electrode side switching element and the negative electrode side switching element when viewed from a height direction (Z) orthogonal to both the alignment direction and the vertical direction,
The positive electrode side switching element, the bypass conductor, and the negative electrode side switching element are in the power conversion device (1) arranged so as to be aligned in the alignment direction .

上記電力変換装置は、上記の位置にバイパス導体を有する。これにより、正極側スイッチング素子と負極側スイッチング素子とを流れる交流電流の電流経路を短くすることができる。それゆえ、上記電流経路における寄生インダクタンスを抑制することができる。その結果、正極側スイッチング素子及び負極側スイッチング素子に印加されるサージ電圧を抑制することができる。   The power converter has a bypass conductor at the position. Thereby, the electric current path of the alternating current which flows through the positive electrode side switching element and the negative electrode side switching element can be shortened. Therefore, the parasitic inductance in the current path can be suppressed. As a result, the surge voltage applied to the positive side switching element and the negative side switching element can be suppressed.

以上のごとく、本態様によれば、寄生インダクタンスを効果的に抑制することができる電力変換装置を提供することができる。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない
As described above, according to this aspect, it is possible to provide a power conversion device that can effectively suppress parasitic inductance.
In addition, the code | symbol in the parenthesis described in the means to solve a claim and a subject shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later, and limits the technical scope of this invention. Not a thing

実施形態1における、半導体モジュールの上面図。FIG. 3 is a top view of the semiconductor module according to the first embodiment. 図1の、II−II線矢視断面図。The II-II sectional view taken on the line of FIG. 図1の、III−III線矢視断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 1. 図1の、IV−IV線矢視断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 1. 実施形態1における、半導体モジュールの斜視図。1 is a perspective view of a semiconductor module in Embodiment 1. FIG. 実施形態1における、電力変換装置の回路図。The circuit diagram of the power converter device in Embodiment 1. FIG. 実施形態1における、正極側スイッチング素子及び負極側スイッチング素子を通る電流経路の説明図。FIG. 3 is an explanatory diagram of a current path passing through a positive electrode side switching element and a negative electrode side switching element in the first embodiment. バイパス導体を有さない半導体モジュールにおける、正極側スイッチング素子及び負極側スイッチング素子を通る電流経路の説明図Explanatory drawing of the electric current path which passes along the positive electrode side switching element and the negative electrode side switching element in the semiconductor module which does not have a bypass conductor 実施形態2における、半導体モジュールの正面図。The front view of the semiconductor module in Embodiment 2. FIG. 図9の、A−A線矢視断面図。FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 9. 実施形態2における、正極側スイッチング素子及び負極側スイッチング素子を通る電流経路の説明図。Explanatory drawing of the current pathway which passes in the positive electrode side switching element and negative electrode side switching element in Embodiment 2. FIG. バイパス導体を有さない半導体モジュールにおける、正極側スイッチング素子及び負極側スイッチング素子を通る電流経路の説明図。Explanatory drawing of the current pathway which passes along the positive electrode side switching element and the negative electrode side switching element in the semiconductor module which does not have a bypass conductor.

(実施形態1)
電力変換装置に係る実施形態について、図1〜図8を用いて説明する。
本実施形態の電力変換装置1は、図1、図5に示すごとく、出力端子2と正極側接続部3と負極側接続部4と正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52と正極端子61と負極端子62とバイパス導体11とを有する。図6に示すごとく、出力端子2は、交流負荷10に電気的に接続される。図1、図5に示すごとく、正極側接続部3及び負極側接続部4は、出力端子2から分岐部12を介して分岐している。図1、図3、図5に示すごとく、正極側スイッチング素子51は、正極側接続部3における出力端子2と反対側の端部に接続されている。図1、図4、図5に示すごとく、負極側スイッチング素子52は、負極側接続部4における出力端子2と反対側の端部に接続されている。
(Embodiment 1)
An embodiment according to a power conversion device will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 1 and 5, the power conversion device 1 of the present embodiment includes an output terminal 2, a positive electrode side connection portion 3, a negative electrode side connection portion 4, a positive electrode side switching element 51, a negative electrode side switching element 52, and a positive electrode terminal 61. And a negative electrode terminal 62 and a bypass conductor 11. As shown in FIG. 6, the output terminal 2 is electrically connected to the AC load 10. As shown in FIGS. 1 and 5, the positive electrode side connection portion 3 and the negative electrode side connection portion 4 are branched from the output terminal 2 via the branch portion 12. As shown in FIGS. 1, 3, and 5, the positive side switching element 51 is connected to the end of the positive side connection portion 3 opposite to the output terminal 2. As shown in FIGS. 1, 4, and 5, the negative electrode side switching element 52 is connected to the end of the negative electrode side connection portion 4 opposite to the output terminal 2.

図6に示すごとく、正極端子61は、正極側スイッチング素子51に電気的に接続されている。負極端子62は、負極側スイッチング素子52に電気的に接続されている。図1、図5、図6に示すごとく、バイパス導体11は、正極側接続部3における分岐部12よりも正極側スイッチング素子51側の部位と、負極側接続部4における分岐部12よりも負極側スイッチング素子52側の部位と、の間を電気的に接続している。   As shown in FIG. 6, the positive terminal 61 is electrically connected to the positive switching element 51. The negative terminal 62 is electrically connected to the negative side switching element 52. As shown in FIGS. 1, 5, and 6, the bypass conductor 11 includes a portion on the positive electrode side switching element 51 side with respect to the branch portion 12 in the positive electrode side connection portion 3 and a negative electrode on the negative electrode side with respect to the branch portion 12 in the negative electrode side connection portion 4. A portion on the side switching element 52 side is electrically connected.

図1、図3〜図5に示すごとく、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52との並び方向に直交する縦方向Yにおいて、正極端子61及び負極端子62と出力端子2とは、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52を挟んで、互いに反対側に配されている。図1に示すごとく、バイパス導体11は、上記並び方向と縦方向Yとの双方に直交する方向から見たとき、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52との間に配されている。本実施形態において、上記並び方向と縦方向Yとの双方に直交する方向は、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52の厚み方向と同じ方向である。そして、バイパス導体11は、縦方向Yにおいて、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52の両端よりも内側に位置している。   As shown in FIGS. 1 and 3 to 5, the positive electrode terminal 61, the negative electrode terminal 62, and the output terminal 2 are positive in the longitudinal direction Y orthogonal to the arrangement direction of the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52. The side switching element 51 and the negative side switching element 52 are disposed on opposite sides of each other. As shown in FIG. 1, the bypass conductor 11 is arranged between the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 when viewed from a direction orthogonal to both the arrangement direction and the vertical direction Y. In the present embodiment, the direction orthogonal to both the arrangement direction and the vertical direction Y is the same as the thickness direction of the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52. The bypass conductor 11 is positioned inward of the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 in the longitudinal direction Y.

なお、以下においては、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52との並び方向を、横方向Xという。また、横方向X及び縦方向Yの双方に直交する方向を、高さ方向Zという。高さ方向Zは、便宜的な表現であり、特に鉛直方向に限定されるものではない。   In the following, the arrangement direction of the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 is referred to as a lateral direction X. A direction orthogonal to both the horizontal direction X and the vertical direction Y is referred to as a height direction Z. The height direction Z is a convenient expression and is not particularly limited to the vertical direction.

本実施形態の電力変換装置1は、図6に示すごとく、直流電力を三相交流電力に変換するインバータ装置である。具体的には、電力変換装置1は、直流電源100と交流負荷10との間において電力変換を行うよう構成されている。そして、本実施形態の電力変換装置1は、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とをそれぞれ3つずつ備えている。一対の正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52は、電気的絶縁性を有するモールド樹脂70によってモールドされて、半導体モジュール7を構成している。すなわち、本実施形態の電力変換装置1は、3つの半導体モジュール7を有する。3つの半導体モジュール7の出力端子2は、それぞれ、交流負荷10のU相、V相、W相に接続される。   The power converter 1 of this embodiment is an inverter apparatus which converts direct-current power into three-phase alternating current power, as shown in FIG. Specifically, the power conversion device 1 is configured to perform power conversion between the DC power supply 100 and the AC load 10. And the power converter device 1 of this embodiment is provided with the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 3 each. The pair of positive electrode side switching elements 51 and negative electrode side switching elements 52 are molded by a mold resin 70 having electrical insulation to constitute the semiconductor module 7. That is, the power conversion device 1 of the present embodiment has three semiconductor modules 7. The output terminals 2 of the three semiconductor modules 7 are connected to the U phase, V phase, and W phase of the AC load 10, respectively.

なお、3つの半導体モジュール7は、いずれも同様の構造を有しており、以下において、半導体モジュール7を説明するときは、主に1つの半導体モジュール7について説明する。また、図1、図6において、モールド樹脂70は、二点鎖線にて表している。また、図1、図6以外の図面において、モールド樹脂70の図示を適宜省略している。   The three semiconductor modules 7 all have the same structure. In the following description, the semiconductor module 7 will be mainly described. 1 and 6, the mold resin 70 is represented by a two-dot chain line. Further, in the drawings other than FIGS. 1 and 6, the illustration of the mold resin 70 is omitted as appropriate.

図2に示すごとく、半導体モジュール7は、主面を高さ方向Zに向けたベースプレート71を有する。ベースプレート71における一方の面に、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52を、それぞれ他の構成要素とともに積層してなる。なお、以下において、高さ方向Zにおける、ベースプレート71の正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52が配された側を上側といい、その反対側を下側という。また、図2以外の図面においては、適宜、ベースプレートの図示を省略している。   As shown in FIG. 2, the semiconductor module 7 includes a base plate 71 having a main surface directed in the height direction Z. The positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 are laminated together with other components on one surface of the base plate 71. In the following, in the height direction Z, the side of the base plate 71 on which the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 are arranged is referred to as the upper side, and the opposite side is referred to as the lower side. Moreover, in drawings other than FIG. 2, illustration of a base plate is abbreviate | omitted suitably.

図2〜図4に示すごとく、ベースプレート71の上面に、銅パターン層72、絶縁層73が配されている。そして、絶縁層73の上面の一部に、銅パターン層741、正極側スイッチング素子51、バスバ771が、順次積層されている。また、絶縁層73の上面の他の一部に、銅パターン層742、負極側スイッチング素子52、バスバ772が、順次積層されている。絶縁層73は、電気的絶縁性を有する層であり、バスバ771、772は、導電性及び熱伝導性を有する層である。   As shown in FIGS. 2 to 4, a copper pattern layer 72 and an insulating layer 73 are disposed on the upper surface of the base plate 71. A copper pattern layer 741, a positive electrode side switching element 51, and a bus bar 771 are sequentially stacked on a part of the upper surface of the insulating layer 73. In addition, a copper pattern layer 742, a negative electrode side switching element 52, and a bus bar 772 are sequentially stacked on another part of the upper surface of the insulating layer 73. The insulating layer 73 is a layer having electrical insulation, and the bus bars 771 and 772 are layers having conductivity and thermal conductivity.

正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とは、互いに横方向Xに隣接して配されている。各スイッチング素子は、IGBT(すなわち、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)からなる。また、各スイッチング素子には、FWD(すなわち、フライホイールダイオード)が逆並列接続されている。なお、回路図以外の図面においては、FWDの図示を適宜省略している。   The positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 are arranged adjacent to each other in the lateral direction X. Each switching element is made of an IGBT (that is, an insulated gate bipolar transistor). Each switching element is connected in reverse parallel with an FWD (ie, flywheel diode). In the drawings other than the circuit diagram, the FWD is omitted as appropriate.

正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52は、それぞれの下面にコレクタ51c、52cを有しており、それぞれの上面にエミッタ51e、52eを有している。図3に示すごとく、正極側スイッチング素子51のコレクタ51cは、銅パターン層741を介して正極端子61に接続されている。図2、図4に示すごとく、負極側スイッチング素子52の上面のエミッタ52eは、バスバ772を介して負極端子62に接続されている。   The positive side switching element 51 and the negative side switching element 52 have collectors 51c and 52c on their lower surfaces, and have emitters 51e and 52e on their upper surfaces. As shown in FIG. 3, the collector 51 c of the positive electrode side switching element 51 is connected to the positive electrode terminal 61 through the copper pattern layer 741. As shown in FIGS. 2 and 4, the emitter 52 e on the upper surface of the negative electrode side switching element 52 is connected to the negative electrode terminal 62 via the bus bar 772.

図1、図5に示すごとく、正極端子61及び負極端子62は、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52に対して、縦方向Yの同じ側に配されている。図3、図4に示すごとく、正極端子61及び負極端子62は、板状の金属であり、図1に示すごとく、主面を高さ方向Zに向けた状態で横方向Xに並んで配されている。正極端子61及び負極端子62は、それぞれ部分的にモールド樹脂70から露出している。また、正極端子61及び負極端子62は、モールド樹脂70から露出した先端側の一部に、それぞれの端子に接続される導体との接続部611、621を有する。   As shown in FIGS. 1 and 5, the positive electrode terminal 61 and the negative electrode terminal 62 are arranged on the same side in the vertical direction Y with respect to the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52. As shown in FIGS. 3 and 4, the positive electrode terminal 61 and the negative electrode terminal 62 are plate-like metals, and as shown in FIG. 1, they are arranged side by side in the horizontal direction X with the main surface facing the height direction Z. Has been. The positive terminal 61 and the negative terminal 62 are partially exposed from the mold resin 70, respectively. Further, the positive electrode terminal 61 and the negative electrode terminal 62 have connection portions 611 and 621 with conductors connected to the respective terminals on a part of the tip side exposed from the mold resin 70.

図3に示すごとく、正極側スイッチング素子51の上面のエミッタ51eは、正極側接続部3を介して出力端子2に接続されている。本実施形態において、正極側接続部3は、バスバ771とバスバ781とにより構成されている。また、図4に示すごとく、負極側スイッチング素子52の下面のコレクタ52cは、負極側接続部4を介して出力端子2に接続されている。本実施形態において、負極側接続部4は、銅パターン層742とバスバ782とバスバ752とからなる。バスバ752は、高さ方向Zにおける銅パターン層742とバスバ782との間に配された導体である。   As shown in FIG. 3, the emitter 51 e on the upper surface of the positive electrode side switching element 51 is connected to the output terminal 2 via the positive electrode side connection portion 3. In the present embodiment, the positive electrode side connecting portion 3 is constituted by a bus bar 771 and a bus bar 781. Further, as shown in FIG. 4, the collector 52 c on the lower surface of the negative electrode side switching element 52 is connected to the output terminal 2 via the negative electrode side connection portion 4. In the present embodiment, the negative electrode side connection portion 4 includes a copper pattern layer 742, a bus bar 782, and a bus bar 752. The bus bar 752 is a conductor disposed between the copper pattern layer 742 and the bus bar 782 in the height direction Z.

図2に示すごとく、正極側接続部3と負極側接続部4とは、横方向Xに並んで配されている。図1に示すごとく、高さ方向Zから見たとき、正極端子61、正極側スイッチング素子51、及び正極側接続部3は、縦方向Yの一直線上に配されている。また、高さ方向Zから見たとき、負極端子62、負極側スイッチング素子52、及び負極側接続部4は、縦方向Yの一直線上に配されている。   As shown in FIG. 2, the positive electrode side connecting portion 3 and the negative electrode side connecting portion 4 are arranged side by side in the lateral direction X. As shown in FIG. 1, when viewed from the height direction Z, the positive electrode terminal 61, the positive electrode side switching element 51, and the positive electrode side connection portion 3 are arranged on a straight line in the vertical direction Y. Further, when viewed from the height direction Z, the negative electrode terminal 62, the negative electrode side switching element 52, and the negative electrode side connection portion 4 are arranged on a straight line in the vertical direction Y.

図3、図4に示すごとく、正極側接続部3と負極側接続部4とは、出力端子2に接続されている。これにより、図6に示すごとく、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とは、正極側接続部3、出力端子2、及び負極側接続部4を介して、電気的に接続されている。   As shown in FIGS. 3 and 4, the positive electrode side connecting portion 3 and the negative electrode side connecting portion 4 are connected to the output terminal 2. Thereby, as shown in FIG. 6, the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 are electrically connected via the positive electrode side connection portion 3, the output terminal 2, and the negative electrode side connection portion 4. .

図3〜図5に示すごとく、出力端子2は、幅広部21、連結部22、及び突出部23からなる。幅広部21は、厚み方向を高さ方向Zとし、横方向Xに長尺な矩形板状を呈している。そして、幅広部21の上面における横方向Xの両側の部位に、正極側接続部3と負極側接続部4とが接続されている。すなわち、本実施形態においては、正極側接続部3及び負極側接続部4は、出力端子2から幅広部21の一部分によって構成される分岐部12を介して分岐している。   As shown in FIGS. 3 to 5, the output terminal 2 includes a wide portion 21, a connecting portion 22, and a protruding portion 23. The wide part 21 has a height direction Z in the thickness direction and a rectangular plate shape that is long in the lateral direction X. Then, the positive electrode side connecting portion 3 and the negative electrode side connecting portion 4 are connected to portions on both sides in the lateral direction X on the upper surface of the wide portion 21. That is, in the present embodiment, the positive electrode side connection portion 3 and the negative electrode side connection portion 4 are branched from the output terminal 2 via the branch portion 12 constituted by a part of the wide portion 21.

連結部22は、幅広部21における正極端子61及び負極端子62の突出側と反対側の端部から、上側に向って形成されている。また、連結部22は、幅広部21における横方向Xの中央部から上側に向って形成されており、その厚み方向を縦方向Yとしている。そして、連結部22の上端から、正極端子61及び負極端子62の突出側と反対側に向って、突出部23が形成されている。図1に示すごとく、突出部23は、部分的にモールド樹脂70から露出している。また、出力端子2は、モールド樹脂70から露出した先端側の一部に、接続される導体との接続部231を有する。   The connecting portion 22 is formed upward from the end of the wide portion 21 opposite to the protruding side of the positive electrode terminal 61 and the negative electrode terminal 62. Moreover, the connection part 22 is formed toward the upper side from the center part of the horizontal direction X in the wide part 21, The vertical direction Y is the thickness direction. And the protrusion part 23 is formed toward the opposite side to the protrusion side of the positive electrode terminal 61 and the negative electrode terminal 62 from the upper end of the connection part 22. As shown in FIG. As shown in FIG. 1, the protruding portion 23 is partially exposed from the mold resin 70. Further, the output terminal 2 has a connection portion 231 with a conductor to be connected to a part of the tip side exposed from the mold resin 70.

図1、図2、図5に示すごとく、本実施形態において、正極側接続部3のバスバ781と、負極側接続部4の銅パターン層742とが、バイパス導体11によって接続されている。これにより、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とは、バイパス導体11を介した電流経路と、分岐部12を介した電流経路との双方によって接続されている。バイパス導体11を介した電流経路は、バスバ771とバスバ781とバイパス導体11と銅パターン層742とからなる電流経路である。また、分岐部12を介した電流経路は、バスバ771とバスバ781と分岐部12とバスバ782とバスバ752と銅パターン層742とからなる電流経路である。そして、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを接続する電流経路は、バイパス導体11を介した電流経路の方が、出力端子2を介した電流経路よりも短くなっている。   As shown in FIGS. 1, 2, and 5, in this embodiment, the bus bar 781 of the positive electrode side connection portion 3 and the copper pattern layer 742 of the negative electrode side connection portion 4 are connected by the bypass conductor 11. Thereby, the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 are connected by both the current path via the bypass conductor 11 and the current path via the branch part 12. The current path through the bypass conductor 11 is a current path including the bus bar 771, the bus bar 781, the bypass conductor 11, and the copper pattern layer 742. The current path through the branching portion 12 is a current path including the bus bar 771, the bus bar 781, the branching portion 12, the bus bar 782, the bus bar 752, and the copper pattern layer 742. The current path connecting the positive side switching element 51 and the negative side switching element 52 is shorter in the current path via the bypass conductor 11 than in the current path via the output terminal 2.

バイパス導体11は、ワイヤである。すなわち、バイパス導体11は、バスバ781と銅パターン層742とにボンディングされたボンディングワイヤである。なお、バイパス導体11は、リボンであってもよい。リボンは、長尺扁平形状を有し、フレキシブルな導体である。また、バイパス導体11は、バスバであってもよい。バスバは、リボンよりも厚みを有する板状の導体である。   The bypass conductor 11 is a wire. That is, the bypass conductor 11 is a bonding wire bonded to the bus bar 781 and the copper pattern layer 742. The bypass conductor 11 may be a ribbon. The ribbon has a long flat shape and is a flexible conductor. The bypass conductor 11 may be a bus bar. The bus bar is a plate-like conductor having a thickness larger than that of the ribbon.

次に、本実施形態の作用効果につき説明する。
電力変換装置1は、上記の位置にバイパス導体11を有する。これにより、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを流れる交流電流の電流経路を短くすることができる。すなわち、図7に示すごとく、電流経路81は、正極端子61と正極側スイッチング素子51と正極側接続部3の一部とバイパス導体11と負極側接続部4の一部と負極側スイッチング素子52と負極端子62とを通る。一方、図8に示すごとく、バイパス導体11を備えていない場合、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを流れる交流電流の電流経路82は、正極端子61と正極側スイッチング素子51と正極側接続部3と出力端子2と負極側接続部4と負極端子62とを通ることとなる。図7、図8に示すごとく、バイパス導体11を通る電流経路81は、出力端子2を通る電流経路82と比べ、正極側接続部3におけるバイパス導体11から出力端子2までの領域、出力端子2、及び負極側接続部4における出力端子2からバイパス導体11までの領域を通らない分、その経路を短くすることができる。それゆえ、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを通る交流電流の電流経路81における寄生インダクタンスを抑制することができる。その結果、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52に印加されるサージ電圧を抑制することができる。
Next, the effect of this embodiment is demonstrated.
The power converter 1 has the bypass conductor 11 in said position. Thereby, the current path of the alternating current flowing through the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 can be shortened. That is, as shown in FIG. 7, the current path 81 includes a positive electrode terminal 61, a positive electrode side switching element 51, a part of the positive electrode side connection part 3, a bypass conductor 11, a part of the negative electrode side connection part 4, and a negative electrode side switching element 52. And the negative electrode terminal 62. On the other hand, as shown in FIG. 8, when the bypass conductor 11 is not provided, the current path 82 of the alternating current flowing through the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 is the positive electrode terminal 61, the positive electrode side switching element 51, and the positive electrode. The side connection part 3, the output terminal 2, the negative electrode side connection part 4, and the negative electrode terminal 62 are passed. As shown in FIGS. 7 and 8, the current path 81 passing through the bypass conductor 11 is compared with the current path 82 passing through the output terminal 2, the region from the bypass conductor 11 to the output terminal 2 in the positive electrode side connection portion 3, the output terminal 2. And the path | route can be shortened because it does not pass through the area | region from the output terminal 2 in the negative electrode side connection part 4 to the bypass conductor 11. FIG. Therefore, the parasitic inductance in the current path 81 of the alternating current passing through the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 can be suppressed. As a result, the surge voltage applied to the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 can be suppressed.

また、バイパス導体11は、高さ方向Zから見たとき、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52との間に配されている。それゆえ、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを、より短い電流経路で接続することができる。それゆえ、電流経路81における寄生インダクタンスを一層抑制することができる。   Further, the bypass conductor 11 is disposed between the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 when viewed from the height direction Z. Therefore, the positive side switching element 51 and the negative side switching element 52 can be connected by a shorter current path. Therefore, the parasitic inductance in the current path 81 can be further suppressed.

また、バイパス導体11は、ワイヤである。すなわち、電流経路81には、コンデンサが配されていない。それゆえ、電流経路81に共振現象が発生することを抑制できる。また、バイパス導体11を安価に形成することができる。
また、バイパス導体11は、リボンあるいはバスバとすることもできる。これによっても、バイパス導体11をワイヤにする場合と同様の効果を奏することができる。
The bypass conductor 11 is a wire. That is, no capacitor is arranged in the current path 81. Therefore, occurrence of a resonance phenomenon in the current path 81 can be suppressed. Further, the bypass conductor 11 can be formed at a low cost.
Further, the bypass conductor 11 may be a ribbon or a bus bar. This also has the same effect as when the bypass conductor 11 is a wire.

以上のごとく、本実施形態によれば、寄生インダクタンスを効果的に抑制することができる電力変換装置1を提供することができる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide the power conversion device 1 that can effectively suppress the parasitic inductance.

(実施形態2)
本実施形態は、図9〜図12に示すごとく、実施形態1に対して、正極側スイッチング素子51、負極側スイッチング素子52等の半導体モジュール7の各要素の配置を変更した実施形態である。
(Embodiment 2)
As shown in FIGS. 9 to 12, the present embodiment is an embodiment in which the arrangement of each element of the semiconductor module 7 such as the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 is changed with respect to the first embodiment.

本実施形態においては、図10に示すごとく、銅パターン層741及び銅パターン層742との間に、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52をそれぞれ介在させて対向配置された銅パターン層743を有する。銅パターン層741及び銅パターン層742と銅パターン層743とは、それらの厚み方向に対向している。なお、図示は省略したが、銅パターン層743は出力端子2に接続されており、銅パターン層741は正極端子61に接続されており、銅パターン層742は負極端子62に接続されている。以下において、銅パターン層743と銅パターン層741、742との対向方向を対向方向Fという。また、対向方向Fにおける銅パターン層743側を上側、銅パターン層741及び銅パターン層742側を下側という。   In the present embodiment, as shown in FIG. 10, a copper pattern layer 743 disposed opposite to each other with a positive electrode side switching element 51 and a negative electrode side switching element 52 interposed between the copper pattern layer 741 and the copper pattern layer 742. Have The copper pattern layer 741, the copper pattern layer 742, and the copper pattern layer 743 are opposed to each other in the thickness direction. Although not shown, the copper pattern layer 743 is connected to the output terminal 2, the copper pattern layer 741 is connected to the positive terminal 61, and the copper pattern layer 742 is connected to the negative terminal 62. Hereinafter, the facing direction between the copper pattern layer 743 and the copper pattern layers 741 and 742 is referred to as a facing direction F. Further, the copper pattern layer 743 side in the facing direction F is referred to as the upper side, and the copper pattern layer 741 and the copper pattern layer 742 side are referred to as the lower side.

正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52は、対向方向Fにおいて、銅パターン層741及び銅パターン層742と、銅パターン層743との間に配されている。正極側スイッチング素子51は、銅パターン層741と銅パターン層743との間に配されている。そして、負極側スイッチング素子52は、銅パターン層742と銅パターン層743との間に配されている。   In the facing direction F, the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 are disposed between the copper pattern layer 741, the copper pattern layer 742, and the copper pattern layer 743. The positive side switching element 51 is disposed between the copper pattern layer 741 and the copper pattern layer 743. The negative electrode side switching element 52 is disposed between the copper pattern layer 742 and the copper pattern layer 743.

正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とは、互いにコレクタとエミッタとが対向方向Fにおける反対側に位置するように配されている。すなわち、正極側スイッチング素子51は、下面にコレクタ51c、上面にエミッタ51eを有するのに対し、負極側スイッチング素子52は、上面にコレクタ52c、下面にエミッタ52eを有する。   The positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 are arranged such that the collector and the emitter are located on opposite sides in the facing direction F. That is, the positive side switching element 51 has a collector 51c on the lower surface and an emitter 51e on the upper surface, whereas the negative side switching element 52 has a collector 52c on the upper surface and an emitter 52e on the lower surface.

銅パターン層741の上面には、バスバ771、正極側スイッチング素子51が順次積層されている。また、銅パターン層742の上面には、負極側スイッチング素子52、バスバ772が順次積層されている。つまり、銅パターン層741の上側と、銅パターン層742の上側と、において、バスバとスイッチング素子との積層順が互いに反対となっている。   On the upper surface of the copper pattern layer 741, a bus bar 771 and a positive electrode side switching element 51 are sequentially laminated. Further, on the upper surface of the copper pattern layer 742, the negative electrode side switching element 52 and the bus bar 772 are sequentially laminated. That is, the stacking order of the bus bar and the switching element is opposite to each other on the upper side of the copper pattern layer 741 and the upper side of the copper pattern layer 742.

本実施形態においても、正極側スイッチング素子51のエミッタ51eは、正極側接続部3を介して出力端子2に電気的に接続されている。本実施形態において、正極側接続部3は、銅パターン層743の一部分によって構成されている。また、負極側スイッチング素子52のコレクタ52cは、負極側接続部4を介して出力端子2に電気的に接続されている。本実施形態において、負極側接続部4は、バスバ772、及び銅パターン層743の一部分によって構成されている。そして、図示は省略したが、正極側接続部3と負極側接続部4とは、出力端子2から、出力端子2と銅パターン層743との接続部を介して分岐している。すなわち、本実施形態において、分岐部12は、出力端子2と銅パターン層743との接続部である。   Also in the present embodiment, the emitter 51 e of the positive electrode side switching element 51 is electrically connected to the output terminal 2 via the positive electrode side connection portion 3. In the present embodiment, the positive electrode side connection portion 3 is constituted by a part of the copper pattern layer 743. Further, the collector 52 c of the negative side switching element 52 is electrically connected to the output terminal 2 via the negative side connection part 4. In the present embodiment, the negative electrode side connection portion 4 is configured by a bus bar 772 and a part of the copper pattern layer 743. And although illustration was abbreviate | omitted, the positive electrode side connection part 3 and the negative electrode side connection part 4 are branched from the output terminal 2 via the connection part of the output terminal 2 and the copper pattern layer 743. That is, in the present embodiment, the branch portion 12 is a connection portion between the output terminal 2 and the copper pattern layer 743.

図10に示すごとく、バイパス導体11は、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52の厚み方向と並び方向との双方に直交する直交方向から見たとき、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52との間に配されている。バイパス導体11は、上記並び方向と上記直交方向との双方に直交する方向において、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52の両端よりも内側に位置している。   As shown in FIG. 10, when the bypass conductor 11 is viewed from an orthogonal direction orthogonal to both the thickness direction and the alignment direction of the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52, the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element are connected. It is arranged between the element 52. The bypass conductor 11 is positioned inside both ends of the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 in a direction orthogonal to both the arrangement direction and the orthogonal direction.

本実施形態において、バイパス導体11は、正極側接続部3の銅パターン層743における正極側スイッチング素子51のエミッタ51eが接続された位置の近傍と、負極側接続部4のバスバ772の下端部とを接続している。ここで、便宜上、銅パターン層743におけるバスバ771が配された部位と負極側スイッチング素子52が配された部位との間の部位を、中間部740ということとする。正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とは、バイパス導体11を介した電流経路と、中間部740を介した電流経路との双方によって接続されている。そして、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを接続する電流経路は、バイパス導体11を介した電流経路の方が、中間部740を介した電流経路よりも短くなっている。   In the present embodiment, the bypass conductor 11 includes the vicinity of the position where the emitter 51 e of the positive electrode side switching element 51 is connected in the copper pattern layer 743 of the positive electrode side connection portion 3, and the lower end portion of the bus bar 772 of the negative electrode side connection portion 4. Is connected. Here, for convenience, a portion between the portion where the bus bar 771 is disposed and the portion where the negative-side switching element 52 is disposed in the copper pattern layer 743 is referred to as an intermediate portion 740. The positive side switching element 51 and the negative side switching element 52 are connected by both a current path via the bypass conductor 11 and a current path via the intermediate part 740. The current path connecting the positive side switching element 51 and the negative side switching element 52 is shorter in the current path via the bypass conductor 11 than in the current path via the intermediate portion 740.

なお、本実施形態において、図9に示すごとく、正極端子61、負極端子62、及び出力端子2は、対向方向Fに直交する方向の同じ側に突出している。また、図10に示すごとく、銅パターン層741及び銅パターン層742は、絶縁層731の上面に配されている。また、絶縁層731の下面には、銅パターン層721、ベースプレート71が順次積層されている。また、銅パターン層743の上面には、絶縁層732、銅パターン層722、ベースプレート712が順次積層されている。そして、本実施形態においては、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52を、2つのベースプレート71に対して放熱することができるように構成されている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 9, the positive terminal 61, the negative terminal 62, and the output terminal 2 protrude on the same side in the direction orthogonal to the facing direction F. As shown in FIG. 10, the copper pattern layer 741 and the copper pattern layer 742 are disposed on the upper surface of the insulating layer 731. A copper pattern layer 721 and a base plate 71 are sequentially stacked on the lower surface of the insulating layer 731. In addition, an insulating layer 732, a copper pattern layer 722, and a base plate 712 are sequentially stacked on the upper surface of the copper pattern layer 743. In the present embodiment, the positive side switching element 51 and the negative side switching element 52 are configured to radiate heat to the two base plates 71.

その他は、実施形態1と同様である。なお、実施形態2において用いた符号のうち、既出の実施形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の実施形態におけるものと同様の構成要素等を表す。   Others are the same as in the first embodiment. Of the reference numerals used in the second embodiment, the same reference numerals as those used in the above-described embodiments represent the same components as those in the above-described embodiments unless otherwise indicated.

本実施形態においても、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを流れる交流電流の電流経路83を短くすることができる。すなわち、図11に示す、バイパス導体11を通る電流経路83は、図12に示す、中間部740を通る電流経路84と比べ、短くなる。すなわち、電流経路83は、中間部740を通らず、かつ、負極側接続部4のバスバ772をほとんど通らない分、電流経路84よりも短くなる。それゆえ、正極側スイッチング素子51と負極側スイッチング素子52とを通る交流電流の電流経路83における寄生インダクタンスを抑制することができる。その結果、正極側スイッチング素子51及び負極側スイッチング素子52に印加されるサージ電圧を抑制することができる。   Also in the present embodiment, the current path 83 of the alternating current flowing through the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 can be shortened. That is, the current path 83 passing through the bypass conductor 11 shown in FIG. 11 is shorter than the current path 84 passing through the intermediate portion 740 shown in FIG. That is, the current path 83 is shorter than the current path 84 because it does not pass through the intermediate part 740 and hardly passes through the bus bar 772 of the negative electrode side connection part 4. Therefore, the parasitic inductance in the current path 83 of the alternating current passing through the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 can be suppressed. As a result, the surge voltage applied to the positive electrode side switching element 51 and the negative electrode side switching element 52 can be suppressed.

その他、実施形態1と同様の作用効果を奏する。
本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の実施形態に適用することが可能である。例えば、バイパス導体は、導電性を有する種々の部品を用いることができ、例えば、コンデンサを有するものとすることもできる。
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.
The present invention is not limited to the above embodiments, and can be applied to various embodiments without departing from the spirit of the invention. For example, various parts having conductivity can be used as the bypass conductor. For example, the bypass conductor can include a capacitor.

1 電力変換装置
10 交流負荷
11 バイパス導体
12 分岐部
2 出力端子
3 正極側接続部
4 負極側接続部
51 正極側スイッチング素子
52 負極側スイッチング素子
61 正極端子
62 負極端子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power converter 10 AC load 11 Bypass conductor 12 Branch part 2 Output terminal 3 Positive electrode side connection part 4 Negative electrode side connection part 51 Positive electrode side switching element 52 Negative electrode side switching element 61 Positive electrode terminal 62 Negative electrode terminal

Claims (4)

交流負荷(10)に電気的に接続される出力端子(2)と、
該出力端子から分岐部(12)を介して分岐した正極側接続部(3)及び負極側接続部(4)と、
上記正極側接続部における上記出力端子と反対側の端部に接続された正極側スイッチング素子(51)と、
上記負極側接続部における上記出力端子と反対側の端部に接続された負極側スイッチング素子(52)と、
上記正極側スイッチング素子に電気的に接続された正極端子(61)と、
上記負極側スイッチング素子に電気的に接続された負極端子(62)と、
上記正極側接続部における上記分岐部よりも上記正極側スイッチング素子側の部位と、上記負極側接続部における上記分岐部よりも上記負極側スイッチング素子側の部位と、の間を電気的に接続するバイパス導体(11)と、を有し、
上記正極側スイッチング素子と上記負極側スイッチング素子との並び方向(X)に直交する縦方向(Y)において、上記正極端子及び上記負極端子と上記出力端子とは、上記正極側スイッチング素子及び上記負極側スイッチング素子を挟んで、互いに反対側に配されており、
上記バイパス導体は、上記並び方向と上記縦方向との双方に直交する高さ方向(Z)から見たとき、上記正極側スイッチング素子と上記負極側スイッチング素子との間に配されており、
上記正極側スイッチング素子と上記バイパス導体と上記負極側スイッチング素子とは、上記並び方向に並ぶよう配されている、電力変換装置(1)。
An output terminal (2) electrically connected to the AC load (10);
A positive electrode side connection portion (3) and a negative electrode side connection portion (4) branched from the output terminal via a branch portion (12);
A positive side switching element (51) connected to an end of the positive side connection part opposite to the output terminal;
A negative electrode side switching element (52) connected to an end of the negative electrode side connection portion opposite to the output terminal;
A positive terminal (61) electrically connected to the positive-side switching element;
A negative terminal (62) electrically connected to the negative side switching element;
An electrical connection is made between a portion on the positive electrode side switching element side with respect to the branch portion in the positive electrode side connection portion and a portion on the negative electrode side switching element side with respect to the branch portion in the negative electrode side connection portion. a bypass conductor (11), was closed,
In the longitudinal direction (Y) orthogonal to the alignment direction (X) of the positive electrode side switching element and the negative electrode side switching element, the positive electrode terminal, the negative electrode terminal, and the output terminal are the positive electrode side switching element and the negative electrode, respectively. Are arranged on opposite sides of the side switching element,
The bypass conductor is arranged between the positive electrode side switching element and the negative electrode side switching element when viewed from a height direction (Z) perpendicular to both the alignment direction and the vertical direction,
The power converter (1), wherein the positive-side switching element, the bypass conductor, and the negative-side switching element are arranged in the arrangement direction .
上記バイパス導体は、ワイヤである、請求項に記載の電力変換装置。 The bypass conductor is a wire, a power converter according to claim 1. 上記バイパス導体は、リボンである、請求項に記載の電力変換装置。 The bypass conductor is a ribbon, a power converter according to claim 1. 上記バイパス導体は、バスバである、請求項に記載の電力変換装置。 The bypass conductor is a bus bar, the power conversion device according to claim 1.
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