JP6472728B2 - 発光装置および発光装置を備えたバックライト - Google Patents
発光装置および発光装置を備えたバックライト Download PDFInfo
- Publication number
- JP6472728B2 JP6472728B2 JP2015154045A JP2015154045A JP6472728B2 JP 6472728 B2 JP6472728 B2 JP 6472728B2 JP 2015154045 A JP2015154045 A JP 2015154045A JP 2015154045 A JP2015154045 A JP 2015154045A JP 6472728 B2 JP6472728 B2 JP 6472728B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- emitting device
- light
- red phosphor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 90
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 38
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 30
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 and Mc is Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003202 NH4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
- G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
- G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
- G02B6/0073—Light emitting diode [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
例えば、特許文献1および2に開示される発光装置は、赤色蛍光体と、青色に発光する発光素子と、緑色に発光する発光素子とから構成されている。これにより、液晶ディスプレイのバックライトに用いる発光装置として、高い色再現性が得られるとされている。
さらに以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本発明を以下に限定するものではない。また、実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、例示することを意図したものである。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、理解を容易にする等のために誇張している場合がある。なお、色名と色度座標との関係、光の波長範囲と単色光の色名との関係等は、JIS Z8110に従う。
そして、透光性部材において、第1発光素子と第2発光素子の間における赤色蛍光体の含有密度(分布密度)が、第2発光素子の上面の高さから上の部分よりも、当該上面の高さから下の部分のほうが高くなっている。
青色発光素子と緑色発光素子との間の光の吸収は、青色発光素子が発する青色光の一部が緑色発光素子の半導体に吸収されることが主であり、これに比べ、青色発光素子の半導体による緑色発光素子が発する緑色光の吸収はかなり少ない。
このため、青色発光素子と緑色発光素子の間の緑色発光素子の上面の高さよりも下側の部分において、透光性部材中の赤色蛍光体の含有密度を高めることで、緑色発光素子に向かう青色光の多くを赤色蛍光体により赤色光に変換することで、緑色発光素子における青色光の吸収を低減することができる。
一方、透光性部材全体で赤色蛍光体の含有密度が高くなり過ぎると、発光装置の光取り出し面から出る青色光が少なくなり、赤色光が過剰となってしまう。そこで、透光性部材において、第1発光素子と第2発光素子の間における赤色蛍光体の含有密度(分布密度)を緑色発光素子の上面の高さよりも上側の部分においては小さくしてある。この結果、上述のように透光性部材において、第1発光素子と第2発光素子の間における赤色蛍光体の含有密度(分布密度)は、第2発光素子の上面の高さより上側の部分と比べ、第2発光素子の上面の高さよりも下側の部分の方が高くなっている。
以下に本発明の実施形態に係る発光装置の詳細を説明する。
図1(a)は、実施形態1に係る発光装置100の模式上面図であり、図1(b)は図1(a)のIb−Ib線断面を示す模式断面図である。図2(a)は、発光装置100の変形例に係る発光装置100Aを示す模式斜視図であり、図2(b)は、図2(a)のIIb−IIb線断面を示す模式断面図である。図1(a)、図2(a)では、透光性部材3内に配置した青色発光素子1bと緑色発光素子1gが容易に認識できるように、赤色蛍光体4の記載を省略している。
すなわち、発光装置100は、青色発光素子1bおよび緑色発光素子1gをそれぞれ、少なくとも1つ以上有している。得ようとする光量等に応じて発光装置100は、2つ以上の青色発光素子1bを有してよく、また2つ以上の緑色発光素子1gを有してよい。また、図1(a)に示す実施形態では、青色発光素子1bの個数と緑色発光素子1gの個数は同じであるがこれに限定されるものではない。得ようとする発光特性に応じて、青色発光素子1bの個数の方が、緑色発光素子1gの個数よりも多くてよく、また緑色発光素子1gの個数の方が、青色発光素子1bの個数よりも多くてよい。
一方、下から2列目に配置された緑色発光素子1gと青色発光素子1bについては、緑色発光素子1gの正電極および負電極の一方が、ワイヤ6を介して第1リード36aに接続され、緑色発光素子1gの正電極および負電極の他方が、ワイヤ6を介して、青色発光素子1bの正電極および負電極の一方と接続され、青色発光素子1bの正電極および負電極の他方が、ワイヤ6を介して、第2リード36bと接続されている。
なお、青色発光素子1bの電極と緑色発光素子1gの電極との間を直接ワイヤ6で接続する方法に限定されることなく、上述した発光装置100の例と同様に、青色発光素子1bおよび緑色発光素子1gの電極は、それぞれ両極性の電極ともワイヤ6を介して第1リード36aまたは第2リード36bに接続されてもよい。
「青色発光素子1bと緑色発光素子1gとの間」とは、透光性部材3の部分であって、隣り合って配置された青色発光素子1bと緑色発光素子1gの対向する端面間の部分および当該端面間の部分の直上部分を意味する。
沈降法により形成した透光性部材3の赤色蛍光体4の含有密度分布の好ましい実施形態の1つとして、図1(b)および図2(b)に示すように、青色発光素子1bと緑色発光素子1gとの間において、透光性部材3の上面近傍では、赤色蛍光体4がほとんど存在せず、緑色発光素子1gの上面よりも上の部分から、下方に向かって徐々に赤色蛍光体4の分布密度が高くなり、樹脂パッケージ2のキャビティの底部近傍(透光性部材3の下面近傍)が赤色蛍光体4の分布密度が最も高くなる形態を挙げることができる。青色発光素子1bと緑色発光素子1gとの間に、本発明の効果を有する高さで赤色蛍光体4が沈降し易いように、青色発光素子1bと緑色発光素子1gは、一定の間隔、例えば、赤色蛍光体の平均粒径よりも大きい間隔を空けて支持体に配置されることが好ましい。ここで、赤色蛍光体の平均粒径は、例えば、体積平均粒径として1μm以上100μm以下であり、5μm以上70μm以下が好ましく、20μm以上70μm以下がより好ましい。赤色蛍光体の体積平均粒径は、レーザー回折式粒度分布測定装置(MALVERN社製MASTER SIZER 2000)により測定される粒径(メジアン径)である。
好ましくは、赤色蛍光体4は緑色光を吸収して赤色光を発光することがほとんどない。すなわち、赤色蛍光体4は緑色光を赤色に実質的に変換しない。そして、赤色蛍光体4の緑色光に対する反射率は、緑色光の波長の範囲で平均して70%以上であることが好ましい。赤色蛍光体4を緑色光に対する反射率が高い、すなわち、緑色光を吸収することが少ない蛍光体、すなわち緑色光を波長変換することが少ない蛍光体とすることにより、発光装置の設計を容易にすることができる。
緑色光の吸収が大きい赤色蛍光体を使うと、青色発光素子1bだけでなく、緑色発光素子1gについても赤色蛍光体4による波長変換を考慮して発光装置の出力バランスを検討しなければない。一方、緑色光をほとんど波長変換しない赤色蛍光体4を用いると、青色発光素子1bの発光する青色の波長変換のみを考慮するだけで発光装置の出力バランスを設計することができる。
第1の種類は、その組成が以下の一般式(I)で示される赤色蛍光体である。
A2MF6:Mn4+ (I)
ただし、上記一般式(I)中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNH4+からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素である。
第1の種類の赤色蛍光体の具体例として、K2SiF6:Mn4+、K2(Si,Ge)F6:Mn4+、K2TiF6:Mn4+を挙げることができる。
(x−a)MgO・a(Ma)O・b/2(Mb)2O3・yMgF2・c(Mc)X2・(1−d−e)GeO2・d(Md)O2・e(Me)2O3:Mn4+ (II)
ただし、上記一般式(II)中、Maは、Ca,Sr,Ba,Znから選択された少なくとも1種であり、Mbは、Sc,La,Luから選択された少なくとも1種であり、Mcは、Ca,Sr,Ba,Znから選択された少なくとも1種であり、Xは、F,Clから選択された少なくとも1種であり、Mdは、Ti,Sn,Zrから選択された少なくとも1種であり、Meは、B,Al,Ga,Inから選択された少なくとも1種である。また、x、y、a、b、c、d、eについて、2≦x≦4、0<y≦2、0≦a≦1.5、0≦b<1、0≦c≦2、0≦d≦0.5、0≦e<1である。
・発光素子
青色発光素子1bと緑色発光素子1gは、任意の形態で配置してよい。以下に好ましい配置をいくつか例示する。
図1(a)、(b)に示すように青色発光素子1bおよび緑色発光素子1gの長手方向を支持体7の長手方向(図1(a)、図1(b)の左右方向)と平行にしてよい。これに加えてまたはこれに代えて、図1(a)、(b)に示すように、青色発光素子1bの長手方向と緑色発光素子1gの長手方向が1つの直線上に整列するように配置してよい。これらにより発光装置100全体に亘り、より均一に発光素子からの発光が分散されるからである。
また、青色発光素子1bおよび緑色発光素子1gの長手方向を支持体7の発光素子載置面の長手方向と平行にしてよい。ここで、支持体7の発光素子載置面とは、支持体7において、青色発光素子1bおよび緑色発光素子1gの少なくとも一方が載置されている面である。
また図2(a)に示すように、1つの列に青色発光素子1bの長手方向と緑色発光素子1gの長手方向が1つの直線上に整列するように配置し、このような列を複数設けてよい。すなわち、青色発光素子1bの長手方向と緑色発光素子1gの長手方向が1つの直線上に整列し、別の青色発光素子1bの長手方向と別の緑色発光素子1gの長手方向が別の1つの直線上に整列してよい。
以上に述べた好ましい配置は、互いに組み合わせてよい。
発光素子の光出力の比は、分光光度計により発光スペクトルを測定し、青色発光素子と緑色発光素子の発光ピークの高さの比から算出することができる。
透光性部材3は、樹脂またはガラス材料等の任意の材料により形成されてよい。樹脂により透光性部材3を形成する場合、任意の樹脂を用いてよい。好適な例の1つは透明な樹脂である。青色発光素子1、緑色発光素子1gおよび赤色蛍光体4が発する光が吸収されるのを抑制するためである。好適な別の例は、透明な樹脂にTiO2またはSiO2などの拡散材を含有させた半透明な樹脂である。青色発光素子1b、緑色発光素子1gおよび赤色蛍光体4が発する光が吸収されるのをある程度抑制し、かつこれらの光を十分に拡散できるからである。
樹脂パッケージ2は、任意の樹脂により形成してよい。好ましい樹脂として、ナイロン系樹脂、エポキシ系樹脂およびシリコーン系樹脂を例示できる。
必要に応じて、樹脂パッケージ2のキャビティ表面に、例えば銀(Ag)などの金属めっきのような反射材を配置するまたはキャビティの表面を白色等の明るい色にしてよい。これによりキャビティの表面の光の反射率を向上でき、キャビティの表面に到達した光を出射方向により多く反射することで、発光装置100の効率をより高くできる。
金型内に第1リード36aと第2リード36bとを配置した後、金型内に樹脂を充填し、樹脂パッケージ2と第1リード36aと第2リード36bを一体的に形成する。第1リード36aの樹脂パッケージ2のキャビティの底面から露出している部分に青色発光素子1bを配置する。第2リード36bの樹脂パッケージ2のキャビティの底面から露出している部分に緑色発光素子1gを配置する。その後、ワイヤ6により、リード36aと青色発光素子1b、青色発光素子1bと緑色発光素子1g、および緑色発光素子1gと第2リード36bをそれぞれ接続する。
次に赤色蛍光体4を含む溶融状態の樹脂を樹脂パッケージ2のキャビティ内へ青色発光素子1bと緑色発光素子1gに少なくとも一部が接触するように充填し、赤色蛍光体4を沈降させた後、樹脂を硬化させることにより透光性部材3を形成する。
図3は、実施形態2に係るバックライト200を示す模式上面図である。バックライト200は、以下に説明するように発光装置100を含んでいる。しかし、以下の説明で用いる発光装置100は、発光装置100Aに置換してもよい。
バックライト200は、ケース20と、ケース20内に配置された導光板22と、ケース20内に配置されると共に導光板22に向かって光を発する発光装置100とを有する。バックライト200は、発光装置100からの光を、導光板22を介して、例えば液晶パネル等の所望の装置に光を照射する。
導光板22の上面は出射面となる。出射面の上に例えば液晶パネル等の所望の装置を配置することで導光板22から出た光は、これらの装置に向かって進む。
実施例1の発光装置として、上述の発光装置100を用いた。発光装置100では、1つの青色発光素子1bと1つの緑色発光素子1gがそれぞれ支持体7の長辺方向(支持体の発光素子載置面の長辺方向)に平行になるように配置されている。赤色蛍光体4としてK2SiF6:Mn4+を用いた。沈降法を用いて、青色発光素子1bと緑色発光素子1gとの間において、赤色蛍光体4の含有密度が、緑色発光素子1gの上面の高さより上側よりも、緑色発光素子1gの上面の高さより下側の方が高くなるようにした。この構成により、青色発光素子1bから緑色発光素子に向かう青色光の多くを赤色蛍光体により赤色光に変換することで、相互吸収を低減できる。
図4に実施例1の発光装置100の発光スペクトルを示し、図5に比較例1の発光装置の発光スペクトルを示す。実施例1の発光装置と比較例1の発光装置は、以下に示すカラーフィルターを透過した後のホワイトポイント(Wの色度点)ができるだけ近くなるようなものを用いた。
しかし、Adobe RGBよりも色域の広いBT2020規格で比べると、比較例1の発光装置を使用した場合はカバー率が77.9%であるのに対し、実施例1の発光装置を用いた場合は、カバー率が82.6%と4.7パーセントポイント向上している。この結果から、高色域仕様のパネルを用いた場合、実施例1の発光装置を用いた場合は、比較例1の発光装置を用いた場合と比較してパネル輝度は維持したまま、より高色域のカバーが可能であることが分かる。図7からも実施例1の発光装置を用いた場合、比較例1の発光装置を用いた場合と比較して、緑色の色度点が深くなりBT2020規格のカバー率を拡大できることが分かる。
実施例1の発光装置と同様の構成を有する発光装置を実施例2の発光装置として用い、比較例1の発光装置と同様の構成を有する発光装置を比較例2の発光装置として用いた。実施例2の発光装置と比較例2の発光装置は、以下に示すカラーフィルターを透過した後のホワイトポイント(Wの色度点)ができるだけ近くなるようなものを用いた。
より詳細には、バックライト用途に多く使用されている青色発光素子とYAG蛍光体を組み合わせた発光装置を用いた場合に、カラーフィルター透過後の色域が、sRGB規格のカバー率が高くなるよう設計されたカラーフィルターを用いた液晶パネルを使用した。図8に用いたカラーフィルターの透過スペクトルを示す。
しかし、図8に示すような、実施例1と比較して各色のカラーフィルターの透過率が低く、緑色カラーフィルターの透過スペクトルの半値幅が広いカラーフィルターを用いた場合、sRGBよりも色域の広い、Adobe RGB規格で比べると、比較例2の発光装置を使用した場合はカバー率が93.7%であるのに対し、実施例2の発光装置を用いた場合は、カバー率が99.0%となっており、Adobe RGB規格をほぼカバーできており、比較例2の発光装置を使用した場合と比較して、5.3パーセントポイント向上している。この結果から、sRGB規格のカラーフィルターを用いた液晶パネルを使用すると、実施例2の発光装置を用いた場合は、比較例2の発光装置を用いた場合と比較してパネル輝度は若干の低下はあるものの、Adobe RGB規格のカバー率を顕著に向上できることが確認できた。図9からも実施例2の発光装置を用いた場合、比較例2の発光装置を用いた場合と比較して、緑色の色度点が深くなりAdobe RGB規格のカバー率を拡大できることが分かる。
1g 緑色発光素子
2 樹脂パッケージ
3 透光性部材
4 赤色蛍光体
6 ワイヤ
7 支持体
20 ケース
22 導光板
36a 第1リード
36b 第2リード
100、100A 発光装置
200 バックライト
Claims (6)
- 発光ピーク波長が430nm以上490nm未満の範囲にある第1発光素子と、
発光ピーク波長が490nm以上570nm以下の範囲にある第2発光素子と、
前記第1発光素子および前記第2発光素子が配置された支持体と、
赤色蛍光体を含み、前記第1発光素子および前記第2発光素子を被覆する透光性部材と、を含み、
前記赤色蛍光体は、組成が下記一般式(I)で表される蛍光体であり
前記赤色蛍光体の体積平均粒径が20μm以上70μm以下であり、
前記第1発光素子と前記第2発光素子の間において、前記第2発光素子の上面の高さから前記透光性部材の下面までの部分の前記赤色蛍光体の含有密度は、前記第2発光素子の上面の高さから前記透光性部材の上面までの部分の前記赤色蛍光体の含有密度の2倍以上であることを特徴とする発光装置。
A 2 MF 6 :Mn 4+ (I)
(ただし、上記一般式(I)中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNH 4+ からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素である。) - 前記第1発光素子と前記第2発光素子が前記支持体の素子配置面の縦方向および横方向へそれぞれ交互に配置されている請求項1に記載の発光装置。
- 前記第1発光素子に対する前記第2発光素子の光出力の比が、0.3以上0.7以下の範囲にある請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記第2発光素子の上面が、前記第1発光素子の上面よりも前記発光装置の光取り出し面の近くに配置されている請求項1から3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第1発光素子および前記第2発光素子は、窒化物半導体発光素子である請求項1から4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 請求項1から5のいずれか一項に記載の発光装置と、側面に入光部を有する導光板とを備え、
前記発光装置の光取り出し面と、前記入光部が、向かい合って配置されているバックライト。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015154045A JP6472728B2 (ja) | 2015-08-04 | 2015-08-04 | 発光装置および発光装置を備えたバックライト |
US15/224,738 US10529695B2 (en) | 2015-08-04 | 2016-08-01 | Light-emitting device and backlight including light-emitting device |
US16/690,040 US10971481B2 (en) | 2015-08-04 | 2019-11-20 | Light-emitting device and backlight including light-emitting device |
US17/190,698 US11398460B2 (en) | 2015-08-04 | 2021-03-03 | Light-emitting device and backlight including light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015154045A JP6472728B2 (ja) | 2015-08-04 | 2015-08-04 | 発光装置および発光装置を備えたバックライト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017034148A JP2017034148A (ja) | 2017-02-09 |
JP6472728B2 true JP6472728B2 (ja) | 2019-02-20 |
Family
ID=57988943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015154045A Active JP6472728B2 (ja) | 2015-08-04 | 2015-08-04 | 発光装置および発光装置を備えたバックライト |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10529695B2 (ja) |
JP (1) | JP6472728B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018056474A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6472728B2 (ja) * | 2015-08-04 | 2019-02-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置を備えたバックライト |
DE102016119002B4 (de) * | 2016-10-06 | 2022-01-13 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements |
US11061180B2 (en) * | 2017-04-03 | 2021-07-13 | Intematix Corporation | Color liquid crystal displays and display backlights |
KR102452484B1 (ko) * | 2017-08-11 | 2022-10-11 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 모듈 |
JP7057490B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2022-04-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6912728B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2021-08-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び光源装置 |
JP7323763B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2023-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP7481610B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2024-05-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR20230000009A (ko) * | 2021-06-23 | 2023-01-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 소자 어레이 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY131962A (en) * | 2001-01-24 | 2007-09-28 | Nichia Corp | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US7023019B2 (en) * | 2001-09-03 | 2006-04-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
SG155768A1 (en) * | 2002-03-22 | 2009-10-29 | Nichia Corp | Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device |
JP2004356116A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-16 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
US7497973B2 (en) * | 2005-02-02 | 2009-03-03 | Lumination Llc | Red line emitting phosphor materials for use in LED applications |
US8269410B2 (en) | 2005-03-18 | 2012-09-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display |
JP2006309209A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 画像表示装置 |
TW200721526A (en) | 2005-11-16 | 2007-06-01 | Iled Photoelectronics Inc | LED structure with three wavelength |
KR101200400B1 (ko) * | 2005-12-01 | 2012-11-16 | 삼성전자주식회사 | 백색 발광 다이오드 |
TWI306676B (en) * | 2006-09-12 | 2009-02-21 | Univ Nat Chiao Tung | Highly saturated red-emitting mn(iv) activated phosphors and method of fabricating the same |
JP5367218B2 (ja) * | 2006-11-24 | 2013-12-11 | シャープ株式会社 | 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法 |
WO2009028869A2 (en) * | 2007-08-27 | 2009-03-05 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device package and lighting apparatus using the same |
JP2010034183A (ja) | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置 |
US20100123386A1 (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-20 | Maven Optronics Corp. | Phosphor-Coated Light Extraction Structures for Phosphor-Converted Light Emitting Devices |
JP5254754B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2013-08-07 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
KR101039994B1 (ko) | 2010-05-24 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
JP5799212B2 (ja) * | 2010-09-21 | 2015-10-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光モジュール、バックライト装置および表示装置 |
TW201227920A (en) * | 2010-12-31 | 2012-07-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | LED package substrate and fabrication method thereof |
KR101411255B1 (ko) * | 2011-01-28 | 2014-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광원 모듈 및 이의 제조 방법 |
JP2012227388A (ja) * | 2011-04-20 | 2012-11-15 | Sharp Corp | 線状光源の製造方法 |
KR20150082426A (ko) | 2012-11-01 | 2015-07-15 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 넓은 색 역을 가진 led 기반 장치 |
JP2014127554A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Panasonic Corp | 発光装置、照明装置及び照明器具 |
KR20150103125A (ko) * | 2012-12-28 | 2015-09-09 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 발광 장치 |
JP2014165225A (ja) | 2013-02-21 | 2014-09-08 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光モジュールおよび照明装置 |
US9445064B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-09-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and television device |
US10018776B2 (en) | 2013-04-15 | 2018-07-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Illumination device, illumination equipment, and display device |
JP6186851B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2017-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | バックライト光源ユニット及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
JP6484396B2 (ja) | 2013-06-28 | 2019-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP6107475B2 (ja) | 2013-06-28 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2015021102A (ja) | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 豊田合成株式会社 | 磁性蛍光体粒子、波長変換部材及び発光装置の製造方法 |
JP5954355B2 (ja) * | 2013-08-01 | 2016-07-20 | 日亜化学工業株式会社 | フッ化物蛍光体及びそれを用いる発光装置 |
JPWO2015056590A1 (ja) * | 2013-10-15 | 2017-03-09 | シャープ株式会社 | 実装基板、発光装置及び発光装置の製造方法 |
US20150123153A1 (en) * | 2013-11-06 | 2015-05-07 | General Electric Company | Led package with red-emitting phosphors |
KR102191211B1 (ko) * | 2014-02-28 | 2020-12-15 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
JP6381327B2 (ja) | 2014-07-17 | 2018-08-29 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置およびその製造方法 |
US9954148B2 (en) * | 2014-10-24 | 2018-04-24 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting apparatus with optical element and method of manufacturing the same |
JP6472728B2 (ja) | 2015-08-04 | 2019-02-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置を備えたバックライト |
-
2015
- 2015-08-04 JP JP2015154045A patent/JP6472728B2/ja active Active
-
2016
- 2016-08-01 US US15/224,738 patent/US10529695B2/en active Active
-
2019
- 2019-11-20 US US16/690,040 patent/US10971481B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-03 US US17/190,698 patent/US11398460B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018056474A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210183831A1 (en) | 2021-06-17 |
JP2017034148A (ja) | 2017-02-09 |
US20170040301A1 (en) | 2017-02-09 |
US11398460B2 (en) | 2022-07-26 |
US20200091121A1 (en) | 2020-03-19 |
US10529695B2 (en) | 2020-01-07 |
US10971481B2 (en) | 2021-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6472728B2 (ja) | 発光装置および発光装置を備えたバックライト | |
JP5140082B2 (ja) | 発光装置 | |
US11482569B2 (en) | Light emitting device and backlight including the light emitting device | |
KR20120015362A (ko) | 고상 조명 장치 | |
JP6365159B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6601427B2 (ja) | 発光装置及び発光装置を備えたバックライト | |
JP6447524B2 (ja) | 発光装置および発光装置を備えたバックライト | |
US10324242B2 (en) | Optical component and light emitting device | |
TW201535797A (zh) | 發光裝置 | |
CN105659396A (zh) | 发光装置 | |
DE102017104606A1 (de) | Lichtemittierender Apparat und Beleuchtungsapparat | |
JP2014060328A (ja) | 発光装置 | |
JP6874288B2 (ja) | 発光装置及びバックライト光源 | |
US11342312B2 (en) | Light emitting element with particular phosphors | |
JP6583203B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
US10150912B2 (en) | Red phosphor, white light emitting apparatus, display apparatus, and lighting apparatus | |
JP2013038353A (ja) | 発光モジュール | |
JP6337919B2 (ja) | 光学部品及び発光装置 | |
JP2018129492A (ja) | 発光装置、及び、照明装置 | |
US10256388B2 (en) | Light-emitting device and illumination apparatus | |
JP2015095571A (ja) | 発光装置、発光モジュール、照明器具及びランプ | |
US20220205614A1 (en) | Light-emitting device and surface-emitting light source | |
KR20140092083A (ko) | 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 모듈 | |
JP2018022649A (ja) | 面発光装置 | |
KR20170031298A (ko) | 엘이디 조명장치 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170524 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171003 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171128 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180424 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20180508 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20180720 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190123 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6472728 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |