JP6390090B2 - 光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器に関する。

従来、ファブリーペローエタロン素子（光学フィルターデバイス）を用いて、入射光から所定波長の光の光量を測定する測定装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
この特許文献１に記載の装置は、光学フィルターデバイスを構成する一対の反射膜間の距離を、アクチュエーターへの印加電圧を制御して変化させ、反射膜間のギャップ寸法に応じた波長の光を透過させて受光素子で受光させる。

特開平０１−９４３１２号公報

ところで、上記特許文献１に記載のような測定装置において、広い波長域に対する分光特性を測定したい場合、光学フィルターデバイスを構成する一対の反射膜として、Ａｇ合金等の金属膜を用いることが好ましい。しかしながら、このような金属膜を用いる場合、光学フィルターデバイスを透過した光の半値幅が大きくなり、分解能が低下する。すなわち、光量測定を実施した波長を中心とした広い波長域の光が光学フィルターデバイスから出射されることになり、精度の高い測定結果が得られないという課題がある。

本発明は、所望波長の光を精度よく出射可能な光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器を提供することを目的とする。

本発明の一態様の光学フィルターデバイスは、固定基板と、前記固定基板に対向する可動基板と、前記固定基板と前記可動基板との間に配置される第１の反射膜と、前記第１の反射膜と前記可動基板との間に配置され、前記第１の反射膜に対向する第２の反射膜と、前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間の距離を変更するギャップ変更部と、を含む波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターからの光が入射するバンドパスフィルターと、を含み、前記バンドパスフィルターは、前記固定基板の前記可動基板の側とは反対側の面に配置され、誘電体多層膜であり、複数の波長帯域の光を透過させ、前記複数の波長帯域のうちの第１の波長帯域と、前記複数の波長帯域のうちの第２の波長帯域は異なることを特徴とする。
上記の本発明に係る光学フィルターデバイスは、第１の反射膜と、前記第１の反射膜に対向する第２の反射膜と、前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間の距離を変更するギャップ変更部と、を含む波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターからの光が入射するバンドパスフィルターと、を含み、前記バンドパスフィルターは、複数の波長帯域の光を透過させ、前記複数の波長帯域のうちの１つと、前記複数の波長帯域のうちの他の１つは異なることを特徴とする。
上記の本発明に係る光学フィルターデバイスは、互いに対向する一対の反射膜、及び前記一対の反射膜のギャップ寸法を変更するギャップ変更部を有する波長可変干渉フィルターと、前記一対の反射膜の光軸上に設けられたバンドパスフィルターと、を備え、前記バンドパスフィルターは、光を透過させる複数の透過波長帯域を含む光学特性を備え、かつ前記各透過波長帯域がそれぞれ異なることを特徴とする。

本発明では、バンドパスフィルターの光学特性（光透過率特性）において、複数の透過波長帯域が設けられている。すなわち、バンドパスフィルターは、所定の波長域に対して、光を透過させる透過波長帯域と、光を透過させない（例えば透過率が所定値以下である）非透過波長帯域とが交互に並んでいる。このような構成では、ギャップ変更部により一対の反射膜のギャップ間隔を変更することで、波長可変干渉フィルターから出射される光のピーク波長をバンドパスフィルターの透過波長帯域内となるように合わせる。波長可変干渉フィルルターから出射される光は、ギャップ間隔に応じたピーク波長を中心とした所定の波長域の光が出射されるが、上記構成では、このうち透過波長帯域外の光（非透過波長帯域の光）はバンドパスフィルターによりブロックされ、透過波長帯域内の光が透過されることになる。この際、ピーク波長に対応した透過波長帯域以外の他の透過波長帯域においても光が透過されることになるが、波長可変干渉フィルターから出射される当該他の透過波長帯域に含まれる光の光量は十分に小さくなるため、測定精度への影響は小さい。
以上により、本発明では、光学フィルターデバイスから所望波長の光を精度よく出射させることができ、分解能の向上を図れる。

本発明の光学フィルターデバイスにおいて、前記各透過波長帯域は、前記波長可変干渉フィルターから出射される光の半値幅よりも小さいことが好ましい。
本発明では、バンドパスフィルターの各透過波長帯域が波長可変干渉フィルターから出射される光の半値幅よりも小さい。このような構成では、ピーク波長を含む半値幅より小さい波長帯域内の光が光学フィルターデバイスから出射される。透過波長帯域の帯域幅が半値幅以上である場合は、所望波長であるピーク波長の光以外に、不要な波長成分の光の光量も増大し、十分な分解能の向上を図れない。これに対して、本発明のように、透過波長帯域の帯域幅を半値幅より小さくすることで、光学フィルターデバイスの分解能のさらなる向上を図ることができる。

本発明の光学フィルターデバイスにおいて、複数の前記透過波長帯域の間隔は、前記波長可変干渉フィルターから出射される光の半値幅の半分よりも大きいことが好ましい。
本発明では、非透過波長帯域を挟む２つの透過波長帯域の間隔、すなわち、非透過波長帯域の帯域幅が波長可変干渉フィルターから出射される光の半値幅の半分より大きい。
非透過波長帯域の幅が半値幅の半分以下である場合、ピーク波長に対応した透過波長帯域の前後の透過波長帯域を透過する光の光量が増大してしまい、非透過波長帯域において不要な波長成分の光を十分にカットできない。これに対して、本発明では、非透過波長帯域の幅が半値幅の半分以上であるため、非透過波長帯域において、不要な波長成分の光を十分にカットでき、不要な波長成分の光の光量も小さくなる。これにより、光学フィルターデバイスの分解能の向上を図れる。

本発明の光学フィルターデバイスにおいて、前記バンドパスフィルターは、前記光軸上に複数設けられていることが好ましい。
本発明では、同一の透過波長帯域及び非透光波長帯域を有するバンドパスフィルターが複数設けられている。複数のバンドパスフィルターを透過する場合、非透過波長帯域の透過率は各バンドパスフィルターの非透過波長帯域の透過率を掛けあわせたものとなる。例えば、１つのバンドパスフィルターにおける非透過波長帯域の透過率が１％である場合、２つのバンドパスフィルターを用いると、当該非透過波長帯域での透過率は０．０１％となる。したがって、本発明では、非透過波長帯域における光の透過率をより低減させることができ、不要な波長成分の光をより確実にカットすることができるので、光学フィルターデバイスの分解能の更なる向上を図ることができる。

本発明の光学フィルターデバイスにおいて、前記バンドパスフィルターは、前記波長可変干渉フィルターに光が入射する光入射側に設けられていることが好ましい。
バンドパスフィルターが、波長可変干渉フィルターの光出射側に設けられている場合、波長可変干渉フィルターから出射された光がバンドパスフィルターにより反射され、再び波長可変干渉フィルターに入射する場合があり、この場合、ノイズ成分が増大して分解能が低下するおそれがある。これに対して、本発明のように、光入射側にバンドパスフィルターを配置することで、上記のようなリスクを低減でき、光学フィルターデバイスの分解能の向上を図れる。

本発明の光学フィルターデバイスにおいて、前記バンドパスフィルターは、誘電体多層膜により構成されていることが好ましい。
本発明では、バンドパスフィルターが誘電体多層膜により構成されている。この場合、高反射層と低反射層との膜厚を制御することで容易にバンドパスフィルターを形成することができ、製造効率性を向上させることができる。

本発明の光学フィルターデバイスにおいて、前記バンドパスフィルターの複数の前記透過波長帯域以外の波長帯域における光の透過率は１０％以下であることが好ましい。
本発明では、非透過波長帯域における光の透過率が１０％以下であるため、当該非透過波長帯域における不要な波長成分の光の出射を抑制でき、光学フィルターデバイスの分解能の向上を図れる。

本発明の光学フィルターデバイスにおいて、前記波長可変干渉フィルターは、前記一対の反射膜のいずれか一方が設けられた基板を備え、前記バンドパスフィルターは、前記基板に設けられていることが好ましい。
本発明では、バンドパスフィルターは、波長可変干渉フィルターの反射膜が設けられた基板に設けられている。このため、波長可変干渉フィルターと、バンドパスフィルターとを一体化でき、光学フィルターデバイスの小型化を図ることができる。

本発明の光学フィルターデバイスは、前記波長可変干渉フィルターを収納する筐体を備えていることが好ましい。
本発明では、波長可変干渉フィルターが筐体に収納されるため、外力から光学フィルターデバイスを保護することができる。また、帯電粒子等の侵入を抑制できるため、帯電粒子が反射膜等に付着することによる性能低下（例えば帯電粒子によるクーロン力によってギャップ寸法が変動する不都合等）を抑制できる。

本発明の光学フィルターデバイスは、前記筐体は、前記一対の反射膜の光軸上に設けられ、光を透過させる透光部材を備え、前記バンドパスフィルターは、前記透光部材に設けられていることが好ましい。
本発明では、バンドパスフィルターが筐体の透光部材に設けられている。このような構成では、従来の波長可変干渉フィルターを用いることができ、利用の拡大を図ることができる。

本発明の光学モジュールは、互いに対向する一対の反射膜、及び前記一対の反射膜のギャップ寸法を変更するギャップ変更部を有する波長可変干渉フィルター、及び前記一対の反射膜の光軸上に設けられたバンドパスフィルターを備えた光学フィルターデバイスと、前記光学フィルターデバイスから出射された光を受光する受光部と、を備え、前記バンドパスフィルターは、光を透過させる複数の透過波長帯域を含む光学特性を備え、かつ前記各透過波長帯域がそれぞれ異なることを特徴とする。

本発明では、上記発明と同様に、光学フィルターデバイスの分解能を向上できる。したがって、光学フィルターデバイスから取り出された光を受光部に受光することで、所望の波長の光の光量を精度よく検出することができる。

本発明の電子機器は、互いに対向する一対の反射膜、及び前記一対の反射膜のギャップ寸法を変更するギャップ変更部を有する波長可変干渉フィルター、及び前記一対の反射膜の光軸上に設けられたバンドパスフィルターを備えた光学フィルターデバイスと、前記光学フィルターデバイスを制御する制御部と、を備え、前記バンドパスフィルターは、光を透過させる複数の透過波長帯域を含む光学特性を備え、かつ前記各透過波長帯域がそれぞれ異なることを特徴とする。

本発明では、上記発明と同様に、光学フィルターデバイスから高分解能で光を出射させることができる。したがって、電子機器は、当該光に基づいて、正確な処理を実施することができる。

第一実施形態の分光測定装置の概略構成を示すブロック図。 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。 図２におけるＡ−Ａ線における断面図。 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの光学特性を示す図。 第一実施形態のバンドパスフィルターの光学特性を示す図。 第一実施形態の光学フィルターデバイスの光学特性を示す図。 第二実施形態の光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図。 第三実施形態の光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図。 本発明の他の実施形態である光源検査装置における光源の照射強度特性、及び波長可変干渉フィルターの光学特性を示す図。 前記光源検査装置におけるバンドパスフィルターの光学特性を示す図。 前記光源検査装置における光源の照射強度特性、及び光学フィルターデバイスの光学特性を示す図。 本発明の電子機器の他の一例である測色装置の概略構成を示すブロック図。 本発明の電子機器の他の一例であるガス検出装置の概略図。 図１３のガス検出装置の制御系を示すブロック図。 本発明の電子機器の他の一例である食物分析装置の概略構成を示すブロック図。 本発明の電子機器の他の一例である分光カメラの概略構成を示す模式図。

［第一実施形態］
以下、本発明に係る第一実施形態について、図面に基づいて説明する。
［分光測定装置の構成］
図１は、本発明に係る分光測定装置の概略構成を示すブロック図である。
分光測定装置１は、本発明の電子機器の一例であり、測定対象Ｘで反射した測定対象光における各波長の光強度を分析し、分光スペクトルを測定する装置である。なお、本実施形態では、測定対象Ｘで反射した測定対象光を測定する例を示すが、測定対象Ｘとして、例えば液晶パネル等の発光体を用いる場合、当該発光体から発光された光を測定対象光としてもよい。
そして、この分光測定装置１は、図１に示すように、光学モジュール１０と、光学モジュール１０から出力された信号を処理する制御部２０と、を備えている。

［光学モジュールの構成］
光学モジュール１０は、光学フィルターデバイス５００と、ディテクター１１と、Ｉ−Ｖ変換器１２と、アンプ１３と、Ａ／Ｄ変換器１４と、駆動制御部１５とを備える。
この光学モジュール１０は、測定対象Ｘで反射された測定対象光を、入射光学系（図示略）を通して、光学フィルターデバイス５００に導き、光学フィルターデバイス５００を透過した光をディテクター１１（受光部）で受光する。そして、ディテクター１１から出力された検出信号は、Ｉ−Ｖ変換器１２、アンプ１３、及びＡ／Ｄ変換器１４を介して制御部２０に出力される。

［光学フィルターデバイスの構成］
図２は、光学フィルターデバイス５００の概略構成を示す平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ線で切断した、光学フィルターデバイス５００の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の光学フィルターデバイス５００は、図３に示すように、波長可変干渉フィルター５０１と、バンドパスフィルター５０２とを備えている。
波長可変干渉フィルター５０１は、図２，３に示すように、固定基板５１及び可動基板５２を備えている。これらの固定基板５１及び可動基板５２は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、水晶等により形成されている。なお、分光測定装置１により測定する測定対象波長域が例えば赤外波長域である場合では、Ｓｉ等により形成されていてもよい。そして、これらの固定基板５１及び可動基板５２は、図３に示すように、接合膜５３（第一接合膜５３１及び第二接合膜５３２）により接合されることで、一体的に構成されている。具体的には、固定基板５１の第一接合部５１３、及び可動基板５２の第二接合部５２３が、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜等により構成された接合膜５３により接合されている。
なお、以降の説明に当たり、固定基板５１又は可動基板５２の基板厚み方向から見た平面視、つまり、固定基板５１、接合膜５３、及び可動基板５２の積層方向から光学フィルターデバイス５００を見た平面視を、フィルター平面視と称する。

固定基板５１には、図３に示すように、本発明の一対の反射膜の一方を構成する固定反射膜５４が設けられている。また、可動基板５２には、本発明の一対の反射膜の他方を構成する可動反射膜５５が設けられている。これらの固定反射膜５４及び可動反射膜５５は、反射膜間ギャップＧ１を介して対向配置されている。
そして、波長可変干渉フィルター５０１には、ギャップＧ１の距離（ギャップ寸法）を調整するのに用いられる静電アクチュエーター５６（ギャップ変更部）が設けられている。この静電アクチュエーター５６は、固定基板５１に設けられた固定電極５６１と、可動基板５２に設けられた可動電極５６２と、を備え、各電極５６１，５６２が対向することにより構成されている。これらの固定電極５６１，可動電極５６２は、電極間ギャップＧ２を介して対向する。ここで、これらの電極５６１，５６２は、それぞれ固定基板５１及び可動基板５２の基板表面に直接設けられる構成であってもよく、他の膜部材を介して設けられる構成であってもよい。
なお、本実施形態では、ギャップＧ１が電極間ギャップよりも小さく形成される構成を例示するが、例えば波長可変干渉フィルター５０１により透過させる波長域によってはギャップＧ１を電極間ギャップＧ２よりも大きく形成してもよい。
また、フィルター平面視において、固定基板５１の辺Ｃ１−Ｃ２は、可動基板５２の辺Ｃ１´−Ｃ２´よりも外側に突出し、固定側電装部５１４を構成する。また、可動基板５２の辺Ｃ３´−Ｃ４´は、固定基板５１の辺Ｃ３−Ｃ４よりも外側に突出し、可動側電装部５２４を構成する。

（固定基板の構成）
固定基板５１は、図３に示すように、光学フィルターデバイス５００（波長可変干渉フィルター５０１）における光入射側に設けられている。
この固定基板５１には、エッチングにより電極配置溝５１１及び反射膜設置部５１２が形成されている。
電極配置溝５１１は、フィルター平面視で、固定基板５１のフィルター中心点Ｏを中心とした環状に形成されている。反射膜設置部５１２は、前記平面視において、電極配置溝５１１の中心部から可動基板５２側に突出して形成されている。この電極配置溝５１１の溝底面は、固定電極５６１が配置される電極設置面５１１Ａとなる。また、反射膜設置部５１２の突出先端面は、反射膜設置面５１２Ａとなる。
また、固定基板５１には、電極配置溝５１１から固定側電装部５１４までの領域、及び電極配置溝５１１から辺Ｃ３−Ｃ４までの領域に接続電極溝５１１Ｂが設けられている。なお、本実施形態では、電極設置面５１１Ａ、接続電極溝５１１Ｂの底部、及び固定側電装部５１４の表面は同一平面となる。

電極設置面５１１Ａには、静電アクチュエーター５６を構成する固定電極５６１が設けられている。より具体的には、固定電極５６１は、電極設置面５１１Ａのうち、後述する可動部５２１の可動電極５６２に対向する領域に設けられている。また、固定電極５６１上に、固定電極５６１及び可動電極５６２の間の絶縁性を確保するための絶縁膜が積層される構成としてもよい。
そして、固定基板５１には、固定電極５６１の外周縁に接続された固定接続電極５６３が設けられている。この固定接続電極５６３は、電極配置溝５１１から固定側電装部５１４に向かう接続電極溝５１１Ｂ、固定側電装部５１４に亘って設けられている。この固定接続電極５６３は、固定側電装部５１４において、後述する内側端子部に電気的に接続される固定電極パッド５６３Ｐを構成する。
なお、本実施形態では、電極設置面５１１Ａに１つの固定電極５６１が設けられる構成を示すが、例えば、フィルター中心点Ｏを中心とした同心円となる２つの電極が設けられる構成（二重電極構成）などとしてもよい。その他、固定反射膜５４上に透明電極を設ける構成や、導電性の固定反射膜５４を用い、当該固定反射膜５４から固定側電装部５１４に接続電極を形成してもよく、この場合、固定電極５６１として、接続電極の位置に応じて、一部が切り欠かれた構成などとしてもよい。

反射膜設置部５１２は、上述したように、電極配置溝５１１と同軸上で、電極配置溝５１１よりも小さい径寸法となる略円柱状に形成され、当該反射膜設置部５１２の可動基板５２に対向する反射膜設置面５１２Ａを備えている。
この反射膜設置部５１２には、図３に示すように、固定反射膜５４が設置されている。この固定反射膜５４としては、例えばＡｇ等の金属膜や、Ａｇ合金等の合金膜を用いることができる。このような金属膜又は合金膜は、例えば可視光域から近赤外域に亘る広い波長域に対して高い反射特性を有する。したがって、波長可変干渉フィルター５０１において、反射膜５４，５５間のギャップＧ１を変更することで、可視光域から近赤外域に亘る広い波長域の光を選択して出射させることができる。
なお、本実施形態では、分光測定装置１において、可視光域から近赤外域の分光測定が可能となるように、上記のような反射膜５４が用いられるが、例えば、分光測定装置１により測定する対象波長域が狭い場合では、誘電体多層膜を用いてもよい。更に、誘電体多層膜上に金属膜（又は合金膜）を積層した反射膜や、金属膜（又は合金膜）上に誘電体多層膜を積層した反射膜、単層の屈折層（ＴｉＯ_２やＳｉＯ_２等）と金属膜（又は合金膜）とを積層した反射膜などを用いてもよい。

そして、固定基板５１の可動基板５２に対向する面のうち、エッチングにより、電極配置溝５１１、反射膜設置部５１２、及び接続電極溝５１１Ｂが形成されない面は、第一接合部５１３を構成する。この第一接合部５１３には、第一接合膜５３１が設けられ、この第一接合膜５３１が、可動基板５２に設けられた第二接合膜５３２に接合されることで、上述したように、固定基板５１及び可動基板５２が接合される。

（可動基板の構成）
可動基板５２は、フィルター中心点Ｏを中心とした円形状の可動部５２１と、可動部５２１と同軸であり可動部５２１を保持する保持部５２２と、を備えている。

可動部５２１は、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成される。この可動部５２１は、フィルター平面視において、少なくとも反射膜設置面５１２Ａの外周縁の径寸法よりも大きい径寸法に形成されている。そして、この可動部５２１には、可動電極５６２及び可動反射膜５５が設けられている。
なお、固定基板５１と同様に、可動部５２１の固定基板５１とは反対側の面には、反射防止膜が形成されていてもよい。このような反射防止膜は、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで形成することができ、可動基板５２の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させることができる。

可動電極５６２は、ギャップＧ２を介して固定電極５６１に対向し、固定電極５６１と同一形状となる環状に形成されている。この可動電極５６２は、固定電極５６１とともに静電アクチュエーター５６を構成する。また、可動基板５２には、可動電極５６２の外周縁に接続された可動接続電極５６４が設けられている。この可動接続電極５６４は、可動部５２１から、固定基板５１の辺Ｃ３−Ｃ４側に設けられた接続電極溝５１１Ｂに対向する位置、可動側電装部５２４に亘って設けられ、可動側電装部５２４において、内側端子部に電気的に接続される可動電極パッド５６４Ｐを構成する。

可動反射膜５５は、可動部５２１の可動面５２１Ａの中心部に、固定反射膜５４とギャップＧ１を介して対向して設けられる。この可動反射膜５５としては、上述した固定反射膜５４と同一の構成の反射膜が用いられる。
なお、本実施形態では、上述したように、ギャップＧ２がギャップＧ１の寸法よりも大きい例を示すがこれに限定されない。例えば、測定対象光として赤外線や遠赤外線を用いる場合等、測定対象光の波長域によっては、ギャップＧ１の寸法が、ギャップＧ２の寸法よりも大きくなる構成としてもよい。

保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイアフラムであり、可動部５２１よりも厚み寸法が小さく形成されている。このような保持部５２２は、可動部５２１よりも撓みやすく、僅かな静電引力により、可動部５２１を固定基板５１側に変位させることが可能となる。この際、可動部５２１が保持部５２２よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、保持部５２２が静電引力により固定基板５１側に引っ張られた場合でも、可動部５２１の形状変化が起こらない。したがって、可動部５２１に設けられた可動反射膜５５の撓みも生じず、固定反射膜５４及び可動反射膜５５を常に平行状態に維持することが可能となる。
なお、本実施形態では、ダイアフラム状の保持部５２２を例示するが、これに限定されず、例えば、フィルター中心点Ｏを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。

可動基板５２において、第一接合部５１３に対向する領域は、第二接合部５２３となる。この第二接合部５２３には、第二接合膜５３２が設けられ、上述したように、第二接合膜５３２が第一接合膜５３１に接合されることで、固定基板５１及び可動基板５２が接合さる。

［波長可変干渉フィルターの光学特性］
次に、上述したような波長可変干渉フィルター５０１の光学特性（分光特性）について説明する。
図４は、波長可変干渉フィルター５０１において、反射膜５４，５５間のギャップＧ１の寸法を変化させ、５２０ｎｍのピーク波長の光を透過させた際の分光特性を示している。
波長可変干渉フィルター５０１から透過される光は、反射膜５４，５５間のギャップＧ１の寸法によりピーク波長λｐが変動する。また、各反射膜５４，５５は、膜厚により反射率及び透過率が変化し半値幅Ａが決まる。反射膜５４，５５の膜厚を大きくすると、半値幅Ａが小さくなるが、透過率（透過光量）が低下する。一方、膜厚を小さくすると、半値幅Ａが大きくなるが、透過光量が増大する。
本実施形態では、分光測定装置１により、可視光域から近赤外光域の測定対象波長域に対して、２０ｎｍ間隔で波長可変干渉フィルター５０１から光を順次透過させる。この場合、波長可変干渉フィルター５０１から透過された光の半値幅Ａが３０ｎｍ程度となるように、反射膜５４，５５の膜厚寸法を設定することが好ましい。
なお、波長可変干渉フィルター５０１から光を透過させた際の半値幅Ａは、透過させる光の波長によって変化するが、本実施形態では、説明を簡単にするため、例えば、測定対象となる各波長の半値幅の平均値を用いるものとする。

［バンドパスフィルターの構成］
光学フィルターデバイス５００を構成するバンドパスフィルター５０２は、図３に示すように、波長可変干渉フィルター５０１の固定基板５１の可動基板５２とは反対側の面に設けられている。つまり、バンドパスフィルター５０２は、波長可変干渉フィルター５０１の光入射側で、反射膜５４，５５の光軸上に設けられている。
このバンドパスフィルター５０２は、例えば高屈折層であるＴｉＯ_２と低屈折層であるＳｉＯ_２とを積層した誘電体多層膜により構成されている。このような誘電体多層膜によりバンドパスフィルター５０２を構成することで、固定基板５１に対して、例えば蒸着法やスパッタ法により容易にバンドパスフィルター５０２を形成することが可能となる。

［バンドパスフィルターの光学特性］
図５は、本実施形態のバンドパスフィルター５０２の透過特性を示す図である。
バンドパスフィルター５０２の透過特性は、測定対象波長域に対して、複数の透過波長帯域Ｒｐと、これらの透過波長帯域Ｒｐの間の非透過波長帯域Ｒｎとを有する。すなわち、測定対象波長域を波長の短い方から高い方に走査した際に、透過波長帯域Ｒｐと非透過波長帯域Ｒｎとが交互に現れる。この際、透過波長帯域Ｒｐ域の帯域幅は、波長可変干渉フィルター５０１の半値幅Ａよりも小さく、例えば３ｎｍ以上に設定されていることが好ましい。本実施形態では、透過波長帯域Ｒｐの帯域幅が４ｎｍである例を示す。また、隣り合う透過波長帯域Ｒｐの間隔、すなわち非透過波長帯域Ｒｎの帯域幅は、波長可変干渉フィルター５０１から透過される光の半値幅Ａの半分以上に設定されていることが好ましい。本実施形態では、波長可変干渉フィルター５０１から透過される光の半値幅Ａの半分は、約１５ｎｍであり、非透過波長帯域Ｒｎの帯域幅が１６ｎｍである例を示す。
また、非透過波長帯域Ｒｎにおける透過率は、１０％以下に設定されていることが好ましく、これにより、非透過波長帯域Ｒｎの光を適切に遮光することができる。

［光学フィルターデバイスの光学特性］
図６は、波長可変干渉フィルター５０１及びバンドパスフィルター５０２の光学特性を合わせた光学フィルターデバイスの光学特性を示す図である。
波長可変干渉フィルター５０１を透過した光は、図６の破線にて示すように、ピーク波長λｐを中心に半値幅Ａが約３０ｎｍとなる光量分布となり、分光測定装置１において測定したいピーク波長λｐの光以外の不要な波長成分の光も混入する。
これに対して、本実施形態では、図６の実践にて示すように、ピーク波長λｐを含む透過波長帯域Ｒｐ（Ｒｐ_０：λｐ−２≦λ≦λｐ＋２）内の光が透過され、非透過波長帯域Ｒｎ（例えば、λｐ−１８＜λ＜λｐ−２，λｐ＋２＜λ＜λｐ＋１８）内の波長域の不要波長成分の光がカットされる。
なお、ピーク波長λｐに対応した透過波長帯域Ｒｐ_０以外の前後透過波長帯域Ｒｐ_１内の光も光学フィルターデバイス５００から透過されることになるが、これらの透過波長帯域Ｒｐ_１の光は、ピーク波長λｐから離れており、透過波長帯域Ｒｐ_０内の光の光量に比べて十分に小さい。したがって、これらの透過波長帯域Ｒｐ_１を透過した光の光量は測定精度に影響を与えない。

［光学モジュールのディテクター、Ｉ−Ｖ変換器、アンプ、Ａ／Ｄ変換器の構成］
次に、図１に戻り、光学モジュール１０について説明する。
ディテクター１１は、光学フィルターデバイス５００を透過した光を受光（検出）し、受光量に基づいた検出信号をＩ−Ｖ変換器１２に出力する。
Ｉ−Ｖ変換器１２は、ディテクター１１から入力された検出信号を電圧値に変換し、アンプ１３に出力する。
アンプ１３は、Ｉ−Ｖ変換器１２から入力された検出信号に応じた電圧（検出電圧）を増幅する。
Ａ／Ｄ変換器１４は、アンプ１３から入力された検出電圧（アナログ信号）をデジタル信号に変換し、制御部２０に出力する。
駆動制御部１５は、制御部２０の制御に基づいて、光学フィルターデバイス５００の静電アクチュエーター５６に対して駆動電圧を印加する。これにより、静電アクチュエーター５６の固定電極５６１及び可動電極５６２間で静電引力が発生し、可動部５２１が固定基板５１側に変位する。

［制御部の構成］
次に、分光測定装置１の制御部２０について説明する。
制御部２０は、例えばＣＰＵやメモリー等が組み合わされることで構成され、分光測定装置１の全体動作を制御する。この制御部２０は、図１に示すように、波長設定部２１と、光量取得部２２と、分光測定部２３と、を備えている。また、制御部２０のメモリーには、光学フィルターデバイス５００を透過させる光の波長と、当該波長に対応して静電アクチュエーター５６に印加する駆動電圧との関係を示すＶ−λデータが記憶されている。

波長設定部２１は、光学フィルターデバイス５００により取り出す光の目的波長を設定し、Ｖ−λデータに基づいて、設定した目的波長に対応する駆動電圧を静電アクチュエーター５６に印加させる旨の指令信号を駆動制御部１５に出力する。
光量取得部２２は、ディテクター１１により取得された光量に基づいて、光学フィルターデバイス５００を透過した目的波長の光の光量を取得する。
分光測定部２３は、光量取得部２２により取得された光量に基づいて、測定対象光のスペクトル特性を測定する。

［分光測定装置における測定処理］
次に、本実施形態の分光測定装置１を用いた分光測定処理について、図面に基づいて説明する。
本実施形態では、測定対象Ｘからの測定光は、波長可変干渉フィルター５０１に入射される前にバンドパスフィルター５０２に入射される。したがって、測定光のうち、非透過波長帯域Ｒｎ内の波長の光がカットされた状態で波長可変干渉フィルター５０１に入射される。
また、分光測定処理において、波長設定部２１は、メモリーに記憶されたＶ−λデータから、測定対象波長域の所定の目標波長に対する駆動電圧を順次読み出し、当該駆動電圧を静電アクチュエーター５６に印加する旨の指令信号を駆動制御部１５に順次出力する。
ここで、波長設定部２１により順次読み出される駆動電圧は、例えば、測定対象波長域の光量を２０ｎｍ間隔で取得するための駆動電圧である。例えば、ピーク波長λｐを７００ｎｍとする場合の駆動電圧、ピーク波長λｐを６８０ｎｍとする場合の駆動電圧、・・・ピーク波長λｐを４００ｎｍとする場合の駆動電圧を順次読み出す。これにより、波長可変干渉フィルター５０１から出力される光のピーク波長λｐが２０ｎｍ間隔、つまり、バンドパスフィルター５０２の透過波長帯域Ｒｐの中心波長の間隔で変化する。

この際、上述したように、バンドパスフィルター５０２により、非透過波長帯域Ｒｎ内の光がカットされる。したがって、光学フィルターデバイス５００から出射される光における、これらの非透過波長帯域Ｒｎ内の波長の光の光量は十分に小さい。
一方、波長可変干渉フィルター５０１から出射された光は、ピーク波長λｐを中心として半値幅Ａの光が出力されるため、ピーク波長λｐに対応した透過波長帯域Ｒｐ_０の光の光量に対して、その他の透過波長帯域Ｒｐ_１の光の光量は十分に小さくなる。したがって、光学フィルターデバイス５００を透過される光は、ピーク波長λｐを中心とした透過波長帯域Ｒｐ_０の帯域幅内の光が主成分となり、ディテクター１１により高分解能で出射された光が検出されることになる。

この後、制御部２０の光量取得部２２は、ディテクター１１で受光された光の光量を測定光量として取得し、例えばメモリー等の記憶手段に記憶し、分光測定部２３は、取得された各波長に対する光量に基づいて測定対象Ｘに対する分光スペクトルを算出する。

［第一実施形態の作用効果］
本実施形態では、光学フィルターデバイス５００は、波長可変干渉フィルター５０１とバンドパスフィルター５０２とを備えている。そして、バンドパスフィルター５０２は、分光測定装置１により測定する目標波長（ピーク波長）に対応した複数の透過波長帯域Ｒｐを有する分光特性を有している。
このような構成では、ギャップＧ１に応じたピーク波長λｐの光をバンドパスフィルター５０２の透過波長帯域Ｒｐ_０内に含まれるように静電アクチュエーター５６の駆動電圧を制御することで、ピーク波長λｐを含む透過波長帯域Ｒｐ_０内の光が光学フィルターデバイス５００を透過してディテクター１１にて受光される。一方、非透過波長帯域Ｒｎ内の光は、バンドパスフィルター５０２によりカットされるため、透過光量が十分に低減される。また、ピーク波長λｐに対応していない他の透過波長帯域Ｒｐ_１内の光は、波長可変干渉フィルター５０１により、測定精度に影響が出ない程度に光量が十分低減させられている。以上のように、本実施形態の光学フィルターデバイス５００では、ピーク波長λｐの光を精度よく出射させることができ、分解能の向上を図ることができる。
また、光学モジュール１０は、光学フィルターデバイス５００により高分解能で出射された光をディテクター１１で検出することができ、高精度な測定結果を得ることができる。従って、分光測定装置１は、この高精度な測定結果に基づいて、測定対象Ｘの分光測定を高精度に実施することができる。

本実施形態では、バンドパスフィルター５０２における透過波長帯域Ｒｐの帯域幅は、波長可変干渉フィルター５０１を透過される光の半値幅Ａよりも小さい。透過波長帯域Ｒｐの帯域幅が半値幅Ａよりも大きい場合、ピーク波長λｐを中心とした広い波長範囲の光が光学フィルターデバイス５００から透過されることになり、十分な分解能の向上を図れない場合がある。これに対して、本実施形態は、上記構成により、ピーク波長λｐを中心とした狭い範囲の光を光学フィルターデバイス５００から透過させることができるため、透過波長帯域Ｒｐの帯域幅を半値幅以上に設定した場合よりも、分解能の向上を図ることができる。

本実施形態では、非透過波長帯域Ｒｎの帯域幅が半値幅Ａの半分より大きい。このため、ピーク波長λｐに対応した透過波長帯域Ｒｐ_０以外の他の透過波長帯域Ｒｐ_１に対する光の光量増大を抑えることができるため、光学フィルターデバイス５００の更なる分解能の向上を図れる。

本実施形態では、光学フィルターデバイス５００において、バンドパスフィルター５０２は、波長可変干渉フィルター５０１の光入射側に設けられている。
バンドパスフィルター５０２が、波長可変干渉フィルター５０１の光出射側に設けられている場合、バンドパスフィルター５０２で反射された光が波長可変干渉フィルター５０１に入射する場合がある。これに対して、本実施形態では、上記構成により、波長可変干渉フィルター５０１を透過した光がバンドパスフィルター５０２で反射されることがなく、ディテクター１１に入力させることができる。これにより、ノイズの低減を図れる。

本実施形態では、バンドパスフィルター５０２が誘電体多層膜により構成されている。このような誘電体多層膜は、蒸着法やスパッタ法により容易に成膜することができ、製造効率性を向上させることができる。

本実施形態では、バンドパスフィルター５０２における非透過波長帯域Ｒｎの透過率が１０％以下である。このため、非透過波長帯域Ｒnで透過される不要な波長成分の光の光量を抑制でき、光学フィルターデバイス５００のさらなる向上を図れる。

本実施形態では、バンドパスフィルター５０２は、波長可変干渉フィルター５０１の固定基板５１に形成されている。このため、波長可変干渉フィルター５０１とバンドパスフィルター５０２とを一体化させることができ、光学フィルターデバイス５００の薄型化を図ることができる。

［第二実施形態］
次に、本発明の第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第一実施形態では、光学フィルターデバイス５００において１つのバンドパスフィルター５０２が設けられる例を示したが、第二実施形態では、光学フィルターデバイスにバンドパスフィルター５０２が複数設けられている点で、上記第一実施形態と相違する。

図７は、本実施形態における光学フィルターデバイス５００Ａの概略構成を示す図である。なお、以降の実施形態の説明にあたり、上記第一実施形態と同一の構成については同符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
本実施形態の光学フィルターデバイス５００Ａは、図７に示すように、波長可変干渉フィルター５０１と、この波長可変干渉フィルター５０１の固定基板５１に設けられる複数のバンドパスフィルター５０２とを備えている。
これらのバンドパスフィルター５０２は、それぞれ同一の光学特性（透過特性）を有する。すなわち、第一実施形態において示したような誘電体多層膜により構成されたバンドパスフィルター５０２を固定基板５１上に複数（図７の例では３つ）積層させた構成となる。
複数のバンドパスフィルター５０２を設けると、これらのバンドパスフィルター５０２の透過率を掛けあわせた透過特性となる。すなわち、バンドパスフィルター５０２において、非透過波長帯域Ｒｎにおける透過率が１０％である場合では、３つのバンドパスフィルターを用いることで０．１％の透過率となり、非透過波長帯域Ｒｎにおける光透過率を０に近付けることができる。したがって、本実施形態では、非透過波長帯域Ｒｎにおける不要な波長成分の光をより確実にカットでき、光学フィルターデバイス５００Ａの分解能をさらに向上させることができる。

［第三実施形態］
次に、本発明の第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
図８は、本発明の第三実施形態に係る光学フィルターデバイス５００Ｂの概略構成を示す断面図である。
図８に示すように、光学フィルターデバイス５００Ｂは、ベース６２０と、リッド６３０と、を備えた筐体６１０を備えている。これらのベース６２０及びリッド６３０が接合されることで、内部に収容空間が形成され、この収容空間内に波長可変干渉フィルター５０１が収納される。

（ベースの構成）
ベース６２０は、例えばセラミック等により構成されている。このベース６２０は、台座部６２１と、側壁部６２２と、を備える。
台座部６２１は、フィルター平面視において例えば矩形状の外形を有する平板状に構成されており、この台座部６２１の外周部から筒状の側壁部６２２がリッド６３０に向かって立ち上がる。

台座部６２１は、厚み方向に貫通する開口部６２３を備えている。この開口部６２３は、台座部６２１に波長可変干渉フィルター５０１を収容した状態で、台座部６２１を厚み方向から見た平面視において、反射膜５４，５５と重なる領域を含むように設けられている。
また、台座部６２１のリッド６３０とは反対側の面（ベース外側面６２１Ｂ）には、開口部６２３を覆うガラス部材６２７が接合されている。台座部６２１とガラス部材６２７との接合は、例えば、ガラス原料を高温で熔解し、急冷したガラスのかけらであるガラスフリット（低融点ガラス）を用いた低融点ガラス接合、エポキシ樹脂等による接着などを利用できる。本実施形態では、収容空間内が減圧下に維持された状態で気密に維持する。したがって、台座部６２１及びガラス部材６２７は、低融点ガラス接合を用いて接合されることが好ましい。

また、台座部６２１のリッド６３０に対向する内面（ベース内側面６２１Ａ）には、波長可変干渉フィルター５０１の電極パッド５６３Ｐ，５６４Ｐに接続される内側端子部６２４が設けられている。内側端子部６２４と、電極パッド５６３Ｐ，５６４Ｐとは、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）等により接続されている。
また、台座部６２１は、内側端子部６２４が設けられる位置に、貫通孔６２５が形成されている。内側端子部６２４は、貫通孔６２５を介して、台座部６２１のベース外側面６２１Ｂに設けられた外側端子部６２６に接続されている。

側壁部６２２は、台座部６２１の縁部から立ち上がり、ベース内側面６２１Ａに載置された波長可変干渉フィルター５０１の周囲を覆っている。側壁部６２２のリッド６３０に対向する面（端面６２２Ａ）は、例えばベース内側面６２１Ａに平行な平坦面となる。

そして、ベース６２０には、例えば接着剤等の固定材を用いて、波長可変干渉フィルター５０１が固定される。この際、波長可変干渉フィルター５０１は、台座部６２１に対して固定されていてもよく、側壁部６２２に対して固定されていてもよい。固定材を設ける位置としては、複数個所であってもよいが、固定材の応力が波長可変干渉フィルター５０１に伝達するのを抑制するべく、１か所で波長可変干渉フィルター５０１を固定することが好ましい。

（リッドの構成）
リッド６３０は、平面視において矩形状の外形を有し、本発明の透光部材を構成する。このリッドは、例えばガラス等により構成される。
リッド６３０は、図８に示すように、ベース６２０の側壁部６２２に接合されている。この接合方法としては、例えば、低融点ガラスを用いた接合等が例示できる。
そして、本実施形態の光学フィルターデバイス５００Ｂでは、リッド６３０に対してバンドパスフィルター５０２が設けられている。なお、図８では、リッド６３０における外表面（ベース６２０とは反対側）に設けられる例を示すが、これに限定されず、例えばリッド６３０の内表面（ベース６２０側）に設けられる構成などとしてもよい。
また、第二実施形態のように、複数のバンドパスフィルター５０２が設けられる構成としてもよい。

［第三実施形態の作用効果］
上述したような本実施形態の光学フィルターデバイス５００Ｂでは、筐体６１０により波長可変干渉フィルター５０１が保護されているため、外的要因による波長可変干渉フィルター５０１の破損を防止できる。また、帯電粒子等の筐体６１０内への侵入を抑制できるため、反射膜５４，５５への帯電粒子の付着や、帯電粒子によるクーロン力の発生で反射膜５４，５５間のギャップ寸法が変動する不都合を抑制できる。

そして、上記実施形態のように、筐体６１０のリッド６３０に対してバンドパスフィルター５０２が設けられている。このような構成では、例えば従来用いられていた波長可変干渉フィルター（固定基板５１にバンドパスフィルター５０２が設けられていない波長可変干渉フィルター）をそのまま筐体６１０内に収納することができ、汎用性を向上させることができる。

なお、本実施形態では、筐体６１０内に収納される波長可変干渉フィルター５０１にはバンドパスフィルター５０２が直接設けられていない構成としたが、これに限定されない。例えば、バンドパスフィルター５０２がリッド６３０に設けられず、上記第一実施形態や第二実施形態のように、波長可変干渉フィルター５０１に直接設けられる構成などとしてもよい。さらに、リッド６３０に対して、第二実施形態のように複数のバンドパスフィルター５０２が設けられる構成などとしてもよい。さらには、第一実施形態や第二実施形態のように、波長可変干渉フィルター５０１にバンドパスフィルター５０２を設け、さらに、リッド６３０にも同じ光学特性のバンドパスフィルター５０２を設ける構成としてもよい。この場合、第二実施形態と同様、非透過波長帯域Ｒｎに対する透過率をより低減させることができる。

［その他の実施形態］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
上記実施形態では、反射膜５４，５５として、測定可能な波長域が広範囲に及ぶ金属膜、合金膜を例示したが、例えば、上述したように、誘電体多層膜を用いてもよい。

上記実施形態では、波長可変干渉フィルター５０１を透過した光の半値幅が略一定であり、その平均値である半値幅Ａに基づいて、バンドパスフィルターの光学特性を説明したがこれに限定されない。
上述したように、波長可変干渉フィルター５０１を透過した光は、波長によって半値幅が変化する。したがって、測定対象となる各波長に対して、バンドパスフィルター５０２の透過波長帯域Ｒｐ及び非透過波長帯域Ｒｎを設定してもよい。例えば、波長可変干渉フィルター５０１において５２０ｎｍの波長の光を透過させた際に半値幅が３０ｎｍとなり、４００ｎｍの波長の光を透過させた際に半値幅が４０ｎｍとなる場合では、バンドパスフィルター５０２の光学特性を以下のように設定してもよい。すなわち、バンドパスフィルター５０２の波長５２０ｎｍを中心とした透過波長帯域Ｒｐ_５２０を３ｎｍに設定し、この透過波長帯域Ｒｐ_５２０と隣り合う非透過波長帯域Ｒｎの帯域幅を半値幅３０ｎｍの半分（１５ｎｍ）よりも大きい１６ｎｍに設定する。一方、バンドパスフィルター５０２の波長４００ｎｍを中心とした透過波長帯域Ｒｐ_４００を４ｎｍに設定し、この透過波長帯域Ｒｐ_４００と隣り合う非透過波長帯域Ｒｎの帯域幅を半値幅４０ｎｍの半分（２０ｎｍ）よりも大きい２２ｎｍに設定する。
このように、波長可変干渉フィルター５０１を透過させる各測定対象波長の半値幅に基づいて、バンドパスフィルター５０２の光学特性を設定することで、光学フィルターデバイス５００，５００Ａ，５００Ｂからより高分解能の光を出射させることが可能となる。

上記実施形態において、バンドパスフィルター５０２における透過波長帯域の帯域幅が波長可変干渉フィルター５０１から出射される光の半値幅より小さい例を示したが、これに限定されない。例えば、反射膜として誘電体多層膜を用いる場合等、波長可変干渉フィルターから出射される光の半値幅が小さい場合では、測定精度に影響を与えない程度に透過波長帯域の帯域幅を半値幅より大きくしてもよい。ただし、この場合、不要な波長成分の光が増大するため、半値幅以下に設定することが好ましい。

また、上記実施形態において、バンドパスフィルター５０２における非透過波長帯域の帯域幅を半値幅の半分以上に設定する例を示したがこれに限定されない。例えば、詳細な測色処理を実施する場合等、取得した波長の取得間隔によっては、非透過波長帯域の帯域幅を半値幅の半分未満に設定してもよい。ただし、波長可変干渉フィルターを透過した光の内、不要な光成分が含まれる量が増大するため、半値幅の半分以上に設定することが好ましい。

上記実施形態では、バンドパスフィルター５０２を波長可変干渉フィルター５０１の光入射側に設ける構成としたがこれに限定されない。例えば、波長可変干渉フィルター５０１の光射出側にバンドパスフィルター５０２が設けられる構成などとしてもよい

上記実施形態において、バンドパスフィルター５０２を誘電体多層膜により構成する例を示したが、これに限定されない。例えば、バンドパスフィルター５０２として、複数種の単層カットフィルターを組み合わせることで、複数の透過波長帯域が設定される構成としてもよい。

バンドパスフィルター５０２において、非透過波長帯域における透過率が１０％以下である例を示したが、これに限定されない。例えば、第二実施形態に示すように、バンドパスフィルターを複数組み合わせる構成とすることで、光学フィルターデバイスの非透過波長帯域に対する非透過波長帯域の透過率を低減させることができる。このような場合では、各バンドパスフィルター５０２における非透過波長帯域における透過率が１０％より大きくてもよい。例えば、非透過波長帯域における透過率が２０％であった場合でも、バンドパスフィルターを２つ組み合わせることで、非透過波長帯域における透過率を４％に低減させることができる。

上記実施形態では、第一及び第二実施形態において、波長可変干渉フィルター５０１とバンドパスフィルター５０２とを一体的に構成する例を示した。また、第三実施形態では、筐体６１０のリッド６３０にバンドパスフィルター５０２を設ける構成を示した。これに対して、バンドパスフィルターを、波長可変干渉フィルターや筐体とは別体として設ける構成などとしてもよい。

上記実施形態において、ギャップ変更部として、静電アクチュエーター５６を例示したがこれに限定されない。ギャップ変更部としては、例えば圧電アクチュエーターへの印加電圧を制御することで、圧電アクチュエーターを伸縮させ、反射膜間のギャップを変化させる構成などとしてもよい。また、その他、空気圧を用いるアクチュエーターや、誘電コイルと磁石とを用いて磁力により反射膜間のギャップを変化させる構成等を例示できる。

本発明の電子機器として、上記各実施形態では、分光測定装置１を例示したが、その他、様々な分野により本発明の光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器を適用することができる。
例えば、複数種の波長の光を出射させる光源の検査装置等に用いることができる。
図９は、光源検査装置における光源の照射強度特性、及び波長可変干渉フィルターの光学特性を示す図である。図１０は、当該光源検査装置のバンドパスフィルターの光学特性を示す図である。図１１は、当該光源検査装置における光源の照射強度特性、及び光学フィルターデバイスの光学特性（波長可変干渉フィルターの光学特性×バンドパスフィルターの光学特性）を示す図である。
図９に示すように、この例では、光源装置として、青緑（波長４８０ｎｍ〜５１０ｎｍ）の光を出射させる第一光源と、緑（波長５００ｎｍ〜５３０ｎｍ）の光を出射させる第二光源とを用いる。そして、光源検査装置は、第一光源及び第二光源から適切に光が出射されているか否かを検査する。
このような場合、波長可変干渉フィルターを単体で用いる場合、図９に示すように、一方の光源（例えば第一光源）の光を検査する際に、他方の光源からの光の一部も波長可変干渉フィルターから出射されるため、正確な光量を検査することができない。
これに対して、図１０に示すようなバンドパスフィルターと、波長可変干渉フィルターとを組み合わせた光学フィルターデバイスを用いる。これにより、図１１に示すように、光学フィルターデバイスから出射される光には、一方の光源の光を検査する際に、他方の光源から出射される光がほぼ検出されなくなる。したがって、各光源から適切に光が出射されているか否かを精度よく検査することが可能となる。

また、例えば、図１２に示すように、本発明の電子機器を、色を測定するための測色装置に適用することもできる。
図１２は、光学フィルターデバイス５００を備えた測色装置４００の一例を示すブロック図である。
この測色装置４００は、図１２に示すように、測定対象Ｘに光を射出する光源装置４１０と、測色センサー４２０（光学モジュール）と、測色装置４００の全体動作を制御する制御装置４３０とを備える。そして、この測色装置４００は、光源装置４１０から射出される光を測定対象Ｘにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー４２０にて受光させ、測色センサー４２０から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち測定対象Ｘの色を分析して測定する装置である。

光源装置４１０、光源４１１、複数のレンズ４１２（図１２には１つのみ記載）を備え、測定対象Ｘに対して例えば基準光（例えば、白色光）を射出する。また、複数のレンズ４１２には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置４１０は、光源４１１から射出された基準光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから測定対象Ｘに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置４１０を備える測色装置４００を例示するが、例えば測定対象Ｘが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置４１０が設けられない構成としてもよい。

測色センサー４２０は、本発明の光学モジュールであり、図１２に示すように、光学フィルターデバイス５００と、光学フィルターデバイス５００を透過する光を受光するディテクター１１と、光学フィルターデバイス５００で透過させる光の波長を可変する駆動制御部１５とを備える。また、測色センサー４２０は、光学フィルターデバイス５００に対向する位置に、測定対象Ｘで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー４２０は、光学フィルターデバイス５００により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光をディテクター１１にて受光する。なお、光学フィルターデバイス５００の代わりに、光学フィルターデバイス５００Ａ，５００Ｂが設けられる構成としてもよい。

制御装置４３０は、測色装置４００の全体動作を制御する。
この制御装置４３０としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。そして、制御装置４３０は、図１２に示すように、光源制御部４３１、測色センサー制御部４３２、及び測色処理部４３３などを備えて構成されている。
光源制御部４３１は、光源装置４１０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置４１０に所定の制御信号を出力して、所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部４３２は、測色センサー４２０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー４２０にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー４２０に出力する。これにより、測色センサー４２０の駆動制御部１５は、制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５６に電圧を印加し、光学フィルターデバイス５００を駆動させる。
測色処理部４３３は、ディテクター１１により検出された受光量から、測定対象Ｘの色度を分析する。

また、本発明の電子機器の他の例として、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムが挙げられる。このようなシステムとしては、例えば、本発明の光学モジュールを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等のガス検出装置を例示できる。
このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。

図１３は、本発明の光学フィルターデバイスを備えたガス検出装置の一例を示す概略図である。
図１４は、図１３のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置１００は、図１３に示すように、センサーチップ１１０と、吸引口１２０Ａ、吸引流路１２０Ｂ、排出流路１２０Ｃ、及び排出口１２０Ｄを備えた流路１２０と、本体部１３０と、を備えて構成されている。
本体部１３０は、流路１２０を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー１３１、排出手段１３３、筐体１３４、光学部１３５、フィルター１３６、光学フィルターデバイス５００、及び受光素子１３７（受光部）等を含む検出装置（光学モジュール）と、受光素子１３７で受光された光に応じて出力された信号の処理や検出装置や光源部の制御を実施する制御部１３８（処理部）、電力を供給する電力供給部１３９等から構成されている。なお、光学フィルターデバイス５００の代わりに光学フィルターデバイス５００Ａ，５００Ｂが設けられる構成としてもよい。また、光学部１３５は、光を射出する光源１３５Ａと、光源１３５Ａから入射された光をセンサーチップ１１０側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子１３７側に透過するビームスプリッター１３５Ｂと、レンズ１３５Ｃ，１３５Ｄ，１３５Ｅと、により構成されている。
また、図１４に示すように、ガス検出装置１００の表面には、操作パネル１４０、表示部１４１、外部とのインターフェイスのための接続部１４２、電力供給部１３９が設けられている。電力供給部１３９が二次電池の場合には、充電のための接続部１４３を備えてもよい。
更に、ガス検出装置１００の制御部１３８は、図１４に示すように、ＣＰＵ等により構成された信号処理部１４４、光源１３５Ａを制御するための光源ドライバー回路１４５、光学フィルターデバイス５００を制御するための駆動制御部１５、受光素子１３７からの信号を受信する受光回路１４７、センサーチップ１１０のコードを読み取り、センサーチップ１１０の有無を検出するセンサーチップ検出器１４８からの信号を受信するセンサーチップ検出回路１４９、及び排出手段１３３を制御する排出ドライバー回路１５０などを備えている。

次に、上記のようなガス検出装置１００の動作について、以下に説明する。
本体部１３０の上部のセンサー部カバー１３１の内部には、センサーチップ検出器１４８が設けられており、このセンサーチップ検出器１４８でセンサーチップ１１０の有無が検出される。信号処理部１４４は、センサーチップ検出器１４８からの検出信号を検出す
ると、センサーチップ１１０が装着された状態であると判断し、表示部１４１へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。

そして、例えば利用者により操作パネル１４０が操作され、操作パネル１４０から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部１４４へ出力されると、まず、信号処理部１４４は、光源ドライバー回路１４５に光源作動の信号を出力して光源１３５Ａを作動させる。光源１３５Ａが駆動されると、光源１３５Ａから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源１３５Ａには、温度センサーや光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部１４４へ出力される。そして、信号処理部１４４は、光源１３５Ａから入力された温度や光量に基づいて、光源１３５Ａが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路１５０を制御して排出手段１３３を作動させる。これにより、検出すべき標的物質（ガス分子）を含んだ気体試料が、吸引口１２０Ａから、吸引流路１２０Ｂ、センサーチップ１１０内、排出流路１２０Ｃ、排出口１２０Ｄへと誘導される。なお、吸引口１２０Ａには、除塵フィルター１２０Ａ１が設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気などが除去される。

また、センサーチップ１１０は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ１１０では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部１３５を通ってフィルター１３６に入射し、フィルター１３６によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が光学フィルターデバイス５００に入射する。そして、信号処理部１４４は、駆動制御部１５に対して制御信号を出力する。これにより、駆動制御部１５は、上記第一実施形態と同様にして光学フィルターデバイス５００の静電アクチュエーター５６を駆動させ、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を光学フィルターデバイス５００で分光させる。この後、分光した光が受光素子１３７で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路１４７を介して信号処理部１４４に出力される。この場合、光学フィルターデバイス５００から目的とするラマン散乱光を精度よく取り出すことができる。
信号処理部１４４は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ＲＯＭに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部１４４は、表示部１４１にその結果情報を表示させたり、接続部１４２から外部へ出力したりする。

なお、上記図１３及び図１４において、ラマン散乱光を光学フィルターデバイス５００により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置１００を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光学モジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の電子機器とする。このような構成でも、波長可変干渉フィルターを用いてガスの成分を検出することができる。

また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
以下に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。

図１５は、本発明の光学フィルターデバイスを利用した電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示す図である。
この食物分析装置２００は、図１５に示すように、検出器２１０（光学モジュール）と、制御部２２０と、表示部２３０と、を備えている。検出器２１０は、光を射出する光源２１１と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ２１２と、撮像レンズ２１２から導入された光を分光する光学フィルターデバイス５００と、分光された光を検出する撮像部２１３（受光部）と、を備えている。なお、光学フィルターデバイス５００の代わりに光学フィルターデバイス５００Ａ，５００Ｂが設けられる構成としてもよい。
また、制御部２２０は、光源２１１の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部２２１と、光学フィルターデバイス５００を制御する駆動制御部１５と、撮像部２１３を制御し、撮像部２１３で撮像された分光画像を取得する検出制御部２２３と、信号処理部２２４と、記憶部２２５と、を備えている。

この食物分析装置２００は、システムを駆動させると、光源制御部２２１により光源２１１が制御されて、光源２１１から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ２１２を通って光学フィルターデバイス５００に入射する。光学フィルターデバイス５００は駆動制御部１５の制御により、上記第一実施形態に示すような駆動方法で駆動される。これにより、光学フィルターデバイス５００から精度よく目的波長の光を取り出すことができる。そして、取り出された光は、例えばＣＣＤカメラ等により構成される撮像部２１３で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部２２５に蓄積される。また、信号処理部２２４は、駆動制御部１５を制御して光学フィルターデバイス５００に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。

そして、信号処理部２２４は、記憶部２２５に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部２２５には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部２２４は、求めたスペクトルのデータを、記憶部２２５に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、及びその含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から、食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。更に、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、更には、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。
そして、信号処理部２２４は、上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部２３０に表示させる処理をする。

また、図１５において、食物分析装置２００の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。
更には、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。

更には、本発明の光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。

また、電子機器としては、本発明の光学フィルターデバイスにより光を分光することで、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、波長可変干渉フィルターを内蔵した赤外線カメラが挙げられる。
図１６は、分光カメラの概略構成を示す模式図である。分光カメラ３００は、図１６に示すように、カメラ本体３１０と、撮像レンズユニット３２０と、撮像部３３０とを備えている。
カメラ本体３１０は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット３２０は、カメラ本体３１０に設けられ、入射した画像光を撮像部３３０に導光する。また、この撮像レンズユニット３２０は、図１６に示すように、対物レンズ３２１、結像レンズ３２２、及びこれらのレンズ間に設けられた光学フィルターデバイス５００を備えて構成されている。なお、光学フィルターデバイス５００の代わりに光学フィルターデバイス５００Ａ，５００Ｂが設けられる構成としてもよい。
撮像部３３０は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット３２０により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ３００では、光学フィルターデバイス５００により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。

更には、本発明の光学フィルターデバイスを所定の波長の光を透過させるフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを光学フィルターデバイスで分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
また、本発明の光学フィルターデバイスを生体認証装置に適用してもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。

更には、光学フィルターデバイスを備えた光学モジュール及び電子機器を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、波長可変干渉フィルターにより、物質から射出された赤外エネルギー（赤外光）を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。

上記に示すように、本発明の光学フィルターデバイスを備えた光学モジュール、及び電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の光学モジュールは、上述のように、１デバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。

その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等に適宜変更できる。

１…分光測定装置、１０…光学モジュール、１１…ディテクター（受光部）、２０…制御部、５１…固定基板、５２…可動基板、５４…固定反射膜、５５…可動反射膜、５６…静電アクチュエーター（ギャップ変更部）、１００…ガス検出装置、１３８…制御部、２００…食物分析装置、２１３…撮像部、２２０…制御部、３００…分光カメラ、３３０…撮像部、４００…測色装置、４２０…測色センサー、４３０…制御装置、５００，５００Ａ，５００Ｂ…光学フィルターデバイス、５０１…波長可変干渉フィルター、５０２…バンドパスフィルター、５１１…電極配置溝、５６１…固定電極、５６２…可動電極、６１０…筐体、６２０…ベース、６２７…ガラス部材、６３０…リッド、Ａ…半値幅、Ｇ１…ギャップ、Ｒｎ…非透過波長帯域、Ｒｐ…透過波長帯域、Ｒｐ_０…透過波長帯域、Ｒｐ_１…透過波長帯域。

Claims (12)

1. 固定基板と、
   前記固定基板に対向する可動基板と、
   前記固定基板と前記可動基板との間に配置される第１の反射膜と、
   前記第１の反射膜と前記可動基板との間に配置され、前記第１の反射膜に対向する第２の反射膜と、
   前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間の距離を変更するギャップ変更部と、
   を含む波長可変干渉フィルターと、
   前記波長可変干渉フィルターからの光が入射する第１のバンドパスフィルターと、
   を含み、
   前記第１のバンドパスフィルターは、前記固定基板の前記可動基板の側とは反対側の面に配置され、誘電体多層膜であり、複数の波長帯域の光を透過させ、
   前記複数の波長帯域のうちの第１の波長帯域と、前記複数の波長帯域のうちの第２の波長帯域は異なることを特徴とする光学フィルターデバイス。
2. 請求項１に記載の光学フィルターデバイスにおいて、
   前記複数の波長帯域の各々の幅は、前記波長可変干渉フィルターからの光の半値幅よりも小さいことを特徴とする光学フィルターデバイス。
3. 請求項１又は請求項２に記載の光学フィルターデバイスにおいて、
   前記第２の波長帯域は前記第１の波長帯域に隣り合う波長帯域であり、前記第１の波長帯域と、前記前記第２の波長領域と、の間隔は、前記波長可変干渉フィルターからの光の半値幅の半分よりも大きいことを特徴とする光学フィルターデバイス。
4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の光学フィルターデバイスにおいて、
   前記第１のバンドパスフィルターは、複数個配置されていることを特徴とする光学フィルターデバイス。
5. 固定基板と、
   前記固定基板に対向する可動基板と、
   前記固定基板と前記可動基板との間に配置される第１の反射膜と、
   前記第１の反射膜と前記可動基板との間に配置され、前記第１の反射膜に対向する第２の反射膜と、
   前記第１の反射膜と前記第２の反射膜との間の距離を変更するギャップ変更部と、
   を含む波長可変干渉フィルターと、
   前記波長可変干渉フィルターへの光が通過する第１のバンドパスフィルターと、
   を含み、
   前記第１のバンドパスフィルターは、前記固定基板の前記可動基板の側とは反対側の面に配置され、誘電体多層膜であり、複数の波長帯域の光を透過させ、
   前記複数の波長帯域のうちの第１の波長帯域と、前記複数の波長帯域のうちの第２の波長帯域とは異なることを特徴とする光学フィルターデバイス。
6. 請求項１又は請求項５に記載の光学フィルターデバイスにおいて、
   前記第２の波長帯域は、前記第１の波長帯域に隣り合う波長帯域であり、前記第１の波長帯域と前記第２の波長帯域との間は、複数の非透過波長帯域のうちの第１の非透過波長帯域であり、
   前記第２の波長帯域と、前記第２の波長帯域に隣り合う波長帯域である前記複数の波長帯域のうちの第３の波長領域との間は、前記複数の非透過波長帯域のうちの第２の非透過波長帯域であり、
   前記複数の波長帯域の各々の幅は、前記波長可変干渉フィルターからの光の半値幅よりも小さく、
   前記複数の非透過波長帯域の各々の幅は、前記波長可変干渉フィルターからの光の半値幅の半分よりも大きいことを特徴とする光学フィルターデバイス。
7. 請求項６に記載の光学フィルターデバイスにおいて、
   前記第１のバンドパスフィルターの前記複数の非透過波長帯域における光の透過率は１０％以下であることを特徴とする光学フィルターデバイス。
8. 請求項１又は請求項５から請求項７のいずれかに記載の光学フィルターデバイスにおいて、
   前記誘電体多層膜を複数積層させたことを特徴とする光学フィルターデバイス。
9. 請求項１から請求項８のいずれかに記載の光学フィルターデバイスにおいて、
   前記波長可変干渉フィルターを収納する筐体を含むことを特徴とする光学フィルターデバイス。
10. 請求項９に記載の光学フィルターデバイスにおいて、
    前記筐体は、光を透過させる部材を備え、
    前記部材には、第２のバンドパスフィルターが設けられ、
    前記第２のバンドパスフィルターは、誘電体多層膜であることを特徴とする光学フィルターデバイス。
11. 請求項１から請求項１０のいずれかに記載の光学フィルターデバイスと、
    前記光学フィルターデバイスからの光を受光する受光部と、
    を含むことを特徴とする光学モジュール。
12. 請求項１から請求項１０のいずれかに記載の光学フィルターデバイスと、
    前記光学フィルターデバイスを制御する制御部と、
    を含むことを特徴とする電子機器。

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