JP6206477B2 - 発光素子、発光装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子、発光装置、電子機器に関するものである。

有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。
このような発光素子における輝度寿命は、発光層が発光する発光色に応じて変化する傾向を示し、具体的には、発光色が短波長になるほど短くなることが知られている。

かかる傾向を示す原因の１つとしては、例えば、以下のようなことが考えられる。
すなわち、発光色が短波長である発光層を備える発光素子ほど、その使用時間の経過に伴って、発光素子内を流れるキャリア（正孔と電子と）のバランスが容易に崩れ、過剰なキャリアが発生する傾向を示すことが判っている。そのために、発光層に隣接して、例えば、正孔輸送層および／または電子輸送層が設けられている場合、これらの層に、発光層を抜けてきた電子または正孔が注入される傾向を示し、これに起因して、かかる層を構成する構成材料の劣化が促進されると推察される。

かかる問題点を解決する発光素子の構成として、短波長（青色）の発光色を発光する発光層の他に、より長波長な赤色の発光色を発光する発光層を設ける構成のものが提案されている。
すなわち、発光素子を、発光層として、短波長の発光色を発光するものと、長波長の発光色を発光するものとを複数備える構成とすることで、発光素子の長寿命化を図ることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

しかしながら、かかる構成の発光素子では、当然、長波長な発光色（例えば、赤色）も発光するため、発光素子が発光する発光色として短波長の発光色（例えば、青色）のみを必要とする場合には、発光素子に、長波長な発光色を吸収するカラーフィルターを設ける必要が生じるため、発光素子の素子構成の複雑化、および、発光素子を製造する際の工程数の増加を招くという問題がある。

特開２００７−１１５６２６号公報

本発明の目的のうちいくつかは、色度を変えることなく、長寿命に可視光を発光する発光層を備える発光素子、およびかかる発光素子を備える発光装置および電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光素子は、陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に設けられた、可視光を発光する発光層、および、下記式（１）で表わされるチアジアゾール系化合物と、ホスト材料としてのアセン系材料とを含有するキャリア捕捉層とを有し、
前記キャリア捕捉層は、前記発光層よりも前記陰極側に位置し、かつ、前記発光層に接することを特徴とする。

［式（１）中、Ａは、それぞれ独立に、ジアリールアミノ基を置換基として有していてもよいアリール基またはジアリールアミノ基を示し、Ｂは、アリール基またはアリール環を形成する基を示す。］
これにより、色度を変えることなく、長寿命に可視光を発光する発光層を備える発光素子とすることができる。
本発明の発光素子では、前記キャリア捕捉層は、前記発光層よりも前記陰極側に位置することにより、発光層を抜けてきた正孔を捕捉して、正孔が陰極側に注入されるのを抑制または防止することができる。そのため、キャリア捕捉層よりも陰極側に位置する層の構成材料の変質・劣化を、的確に抑制または防止することができ、その結果、発光素子の長寿命化が図られる。
本発明の発光素子は、陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に設けられた、可視光を発光する発光層、および、上記式（１）で表わされるチアジアゾール系化合物を含有するキャリア捕捉層とを有することを特徴とする。
これにより、色度を変えることなく、長寿命に可視光を発光する発光層を備える発光素子とすることができる。

本発明の発光素子では、前記チアジアゾール系化合物は、下記式（１Ｂ）で表わされることが好ましい。

［式（１Ｂ）中、Ａは、それぞれ独立に、ジアリールアミノ基を置換基として有していてもよいアリール基またはジアリールアミノ基を示す。］
かかる構成のチアジアゾール系化合物は、キャリアを捕捉し得るエネルギー準位を有し、基底状態に戻る際に結果として発する光が近赤外領域にある。したがって、発光層を抜けてきたキャリアを捕捉することができ、可視光の色度を変えることなく、長寿命に可視光を発光する発光層を備える発光素子とすることができる。

本発明の発光素子では、前記チアジアゾール系化合物は、下記式（１Ｃ）で表わされることが好ましい。

［式（１Ｃ）中、Ａは、それぞれ独立に、ジアリールアミノ基を置換基として有していてもよいアリール基またはジアリールアミノ基を示す。］
かかる構成のチアジアゾール系化合物は、キャリアを捕捉し得るエネルギー準位を有し、基底状態に戻る際に結果として発する光が近赤外領域にある。したがって、発光層を抜けてきたキャリアを捕捉することができ、可視光の色度を変えることなく、長寿命に可視光を発光する発光層を備える発光素子とすることができる。

本発明の発光素子では、前記チアジアゾール系化合物は、下記式（１Ｄ）で表わされることが好ましい。

［式（１Ｄ）中、Ａは、それぞれ独立に、ジアリールアミノ基を置換基として有していてもよいアリール基またはジアリールアミノ基を示す。］
かかる構成のチアジアゾール系化合物は、キャリアを捕捉し得るエネルギー準位を有し、基底状態に戻る際に結果として発する光が近赤外領域にある。したがって、発光層を抜けてきたキャリアを捕捉することができ、可視光の色度を変えることなく、長寿命に可視光を発光する発光層を備える発光素子とすることができる。

本発明の発光素子では、前記キャリア捕捉層は、前記発光層よりも前記陽極側に位置することが好ましい。
これにより、発光層を抜けてきた電子を捕捉して、電子が陽極側に注入されるのを抑制または防止することができる。そのため、キャリア捕捉層よりも陽極側に位置する層の構成材料の変質・劣化を、的確に抑制または防止することができ、その結果、発光素子の長寿命化が図られる。

本発明の発光素子では、前記キャリア捕捉層は、さらに、前記チアゾール系化合物の他に、ホスト材料を含有し、
該ホスト材料は、アミン系材料、アントラセン系材料およびナフタセン系材料のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これらの材料は、正孔輸送性に優れ、かつ電子および正孔に対する耐性に優れることから、キャリア捕捉層に、正孔輸送層としての機能を付与しつつ、その長寿命化を図ることができる。

本発明の発光素子では、前記キャリア捕捉層は、前記発光層よりも前記陰極側に位置することが好ましい。
これにより、発光層を抜けてきた正孔を捕捉して、正孔が陰極側に注入されるのを抑制または防止することができる。そのため、キャリア捕捉層よりも陰極側に位置する層の構成材料の変質・劣化を、的確に抑制または防止することができ、その結果、発光素子の長寿命化が図られる。

本発明の発光素子では、前記発光層は、１層であることが好ましい。
かかる構成の発光素子に、本発明の発光素子を適用することができる。
本発明の発光素子では、前記発光層は、前記可視光として青色の発光色を発光することが好ましい。
このように発光層として、青色の発光光を発光するものを発光素子が備える際に、本発明の発光素子を適用することで、寿命が短い発光層である、青色の発光光を発光する発光層の長寿命化を図ることができる。

本発明の発光素子では、前記発光層は、前記可視光として黄色の発光色を発光することが好ましい。
このように発光層として、黄色の発光光を発光するものを発光素子が備える際に、本発明の発光素子を適用することで、寿命が短い発光層である、黄色の発光光を発光する発光層の長寿命化を図ることができる。
本発明の発光素子では、前記発光層は少なくとも２層からなることが好ましい。
かかる構成の発光素子に、本発明の発光素子を適用することができる。

本発明の発光装置は、本発明の発光素子を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性に優れる発光装置とすることができる。
本発明の電子機器は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性に優れる電子機器とすることができる。

本発明の発光素子の第１実施形態における縦断面を模式的に示す図である。 本発明の発光素子の第２実施形態における縦断面を模式的に示す図である。 本発明の発光素子の第３実施形態における縦断面を模式的に示す図である。 本発明の発光素子の第４実施形態における縦断面を模式的に示す図である。 本発明の発光素子の第５実施形態における縦断面を模式的に示す図である。 本発明の発光素子の第６実施形態における縦断面を模式的に示す図である。 本発明の発光素子の第７実施形態における縦断面を模式的に示す図である。 本発明の発光装置を適用した照明用光源の実施形態を示す図である。 本発明の発光装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 実施例１〜４の発光素子における発光スペクトルを示す図である。 実施例５〜８の発光素子における発光スペクトルを示す図である。 実施例９、１３〜１５の発光素子における発光スペクトルを示す図である。 実施例１７、１０、比較例１、２の発光素子における発光スペクトルを示す図である。 実施例１１、１２、比較例３、４の発光素子における発光スペクトルを示す図である。 実施例１６、比較例５の発光素子における発光スペクトルを示す図である。

以下、本発明の発光素子、発光装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の発光素子の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の発光素子の第１実施形態を模式的に示す断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。

図１に示す発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）１は、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５とキャリア捕捉層６と赤色発光層７Ｒと中間層８と青色発光層７Ｂと緑色発光層７Gと電子輸送層９と電子注入層１０と陰極１１とがこの順に積層されてなるものである。すなわち、発光素子１では、陽極３と陰極１１との間に、陽極３側から陰極１１側へ正孔注入層４と正孔輸送層５とキャリア捕捉層６と赤色発光層７Ｒと中間層８と青色発光層７Ｂと緑色発光層７Gと電子輸送層９と電子注入層１０とがこの順で積層された積層体１４が介挿されている。
そして、発光素子１は、その全体が基板２上に設けられるとともに、封止部材１２で封止されている。

このような発光素子１にあっては、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７Ｂ、および緑色発光層７Ｇの各発光層に対し、陰極１１側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出する。そのため、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７B、および緑色発光層７Ｇがそれぞれ赤色、青色、および緑色の可視光を発光する。これにより、発光素子１は、白色の可視光を発光する。なお、本実施形態では、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７B、および緑色発光層７Ｇの３層により、可視光を発光する発光層（可視光発光層）７が構成される。

また、本実施形態では、発光素子１は、赤色発光層７Ｒと正孔輸送層５との間にキャリア捕捉層６を有しているので、赤色発光層７Ｒを抜けてきた電子が正孔輸送層５側に注入され、これに起因して、正孔輸送層５および正孔注入層４の構成材料が変質・劣化してしまうのを的確に抑制または防止することができ、その結果、発光素子１の長寿命化を図ることができる。

さらに、本実施形態では、発光素子１は、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間に中間層８を有しているので、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間での正孔および電子の移動を調整することができるため、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間での励起子のエネルギー移動を阻止することができる。その結果、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとがそれぞれバランスよく発光することとなり、発光素子１は、可視光として、より確実に白色発光するものとなる。

基板２は、陽極３を支持するものである。本実施形態の発光素子１は、基板２側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）であるため、基板２および陽極３は、それぞれ、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされている。
基板２の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような基板２の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。

なお、発光素子１が基板２と反対側から光を取り出す構成（トップエミッション型）の場合、基板２には、透明基板および不透明基板のいずれも用いることができる。
不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
また、このような発光素子１では、陽極３と陰極１１との間の距離（すなわち積層体１４の平均厚さ）は、１００〜５００ｎｍであるのが好ましく、１００〜３００ｎｍであるのがより好ましく、１００〜２５０ｎｍであるのがさらに好ましい。これにより、簡単かつ確実に、発光素子１の駆動電圧を実用的な範囲内にすることができる。

以下、発光素子１を構成する各部を順次説明する。
［陽極］
陽極３は、後述する正孔注入層４を介して正孔輸送層５に正孔を注入する電極である。この陽極３の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。

陽極３の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ_３Ｏ_３、ＳｎＯ_２、Ｓｂ含有ＳｎＯ_２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
特に、陽極３は、ＩＴＯで構成されているのが好ましい。ＩＴＯは、透明性を有するとともに、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料である。これにより、陽極３から正孔注入層４へ効率的に正孔を注入することができる。

また、陽極３の正孔注入層４側の面（図１にて上面）は、プラズマ処理が施されているのが好ましい。これにより、陽極３と正孔注入層４との接合面の化学的および機械的な安定性を高めることができる。その結果、陽極３から正孔注入層４への正孔注入性を向上させることができる。なお、かかるプラズマ処理については、後述する発光素子１の製造方法の説明において詳述する。
このような陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。

［陰極］
一方、陰極１１は、後述する電子注入層１０を介して電子輸送層９に電子を注入する電極である。この陰極１１の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
陰極１１の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体、複数種の混合層等として）用いることができる。
特に、陰極１１の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極１１の構成材料として用いることにより、陰極１１の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。

このような陰極１１の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜１００００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、本実施形態の発光素子１は、ボトムエミッション型であるため、陰極１１に、光透過性は、特に要求されない。また、トップエミッション型である場合には、陰極１１側から光を透過させる必要があるので、陰極１１の平均厚さは、１〜５０ｎｍ程度であるのが好ましい。

［正孔注入層］
正孔注入層４は、陽極３からの正孔注入効率を向上させる機能を有する（すなわち正孔注入性を有する）ものである。
このように陽極３と後述する正孔輸送層５との間に正孔注入層４を設けることにより、陽極３からの正孔性を向上させ、その結果、発光素子１の発光効率を高めることができる。

この正孔注入層４は、正孔注入性を有する材料（すなわち正孔注入性材料）を含んでいる。
この正孔注入層４に含まれる正孔注入性材料としては、特に限定されないが、例えば、銅フタロシアニンや、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）−Ｎ, Ｎ’−ジフェニル−ビフェニル−４−４’−ジアミン等が挙げられる。

中でも、正孔注入層４に含まれる正孔注入性材料としては、正孔注入性および正孔輸送性に優れるという観点から、アミン系材料を用いるのが好ましく、ジアミノベンゼン誘導体、ベンジジン誘導体（ベンジジン骨格を有する材料）、分子内に「ジアミノベンゼン」ユニットと「ベンジジン」ユニットとの両方を有するトリアミン系化合物、テトラアミン系化合物を用いるのがより好ましい。
このような正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜９０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜７０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、正孔注入層４は、陽極３および正孔輸送層５の構成材料によっては、省略してもよい。

［正孔輸送層］
正孔輸送層５は、陽極３から正孔注入層４を介して注入された正孔をキャリア捕捉層６まで輸送する機能を有する（すなわち正孔輸送性を有する）ものである。
この正孔輸送層５は、正孔輸送性を有する材料（すなわち正孔輸送性材料）を含んで構成されている。

この正孔輸送層５に含まれる正孔輸送性材料には、各種ｐ型の高分子材料や、各種ｐ型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができ、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラナフチル−ベンジジン（ＴＮＢ）等のテトラアリールベンジジン誘導体、テトラアリールジアミノフルオレン化合物またはその誘導体（アミン系材料）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

中でも、正孔輸送層５に含まれる正孔輸送性材料としては、正孔注入性および正孔輸送性に優れるという観点から、アミン系材料であるのが好ましく、ベンジジン誘導体（ベンジジン骨格を有する材料）であるのがより好ましい。
このような正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、５〜９０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜７０ｎｍ程度であるのがより好ましい。

［キャリア捕捉層］
キャリア捕捉層６は、本実施形態では、赤色発光層７Ｒと正孔輸送層５との間、すなわち赤色発光層７Ｒよりも陽極３側に位置し、赤色発光層７Ｒを抜けてきた電子（キャリア）を捕捉して、電子が正孔輸送層５（陽極３）側に注入されるのを抑制または防止する機能を有するものである。

このキャリア捕捉層６は、陽極３と陰極１１との間で通電した際に、赤色発光層７Ｒを抜けてきた電子（キャリア）を捕捉し得るエネルギー準位を有し、基底状態に戻る際に結果として発する光が近赤外領域にある。したがって、電子が注入されることに起因する正孔輸送層５および正孔注入層４の構成材料の変質・劣化を、的確に抑制または防止することができるため、発光素子１の長寿命化が図られる。さらに、キャリア捕捉層６が発光する光が近赤外領域（赤外光）であり、ヒトの目では認識することができないため、発光素子１が発光する可視光の色度が変化してしまうのを確実に防止しることができる。
このキャリア捕捉層６は、本発明では、下記式（１）で表わされるチアゾール系化合物を含有するものである。

［式（１）中、Ａは、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示し、Ｂは、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示すか、または環を形成してもよい。］

かかる材料で構成されるキャリア捕捉層６に対して、陰極１１側から赤色発光層７Ｒを抜けてきた電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）されるため、キャリア捕捉層６では、正孔と電子とが再結合し、これにより、赤色発光層７Ｒを抜けてきた電子（キャリア）が、キャリア捕捉層６で捕捉されることとなる。また、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出するため、キャリア捕捉層６が赤外線を発光する。

ここで、上記式（１）で表わされるチアゾール系化合物を含有するキャリア捕捉層６が発光する赤外線は、近赤外域のものであり、より具体的には、７００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下の波長域のものである。
このような長波長域の発光光は、ヒトの目では認識することができない。そのため、発光素子１において、このような波長域の発光光がたとえ発光したとしても、認識される発光光は、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７B、および緑色発光層７Ｇの３層により発光される白色光となる。

したがって、このように発光素子１の長寿命化のために設ける発光層として、赤外線を発光するものを選択することで、発光素子１は、色度を変えることなく、白色光を発光光として発光することとなる。そのため、白色デバイスとして利用する場合は、目的とする発光光を取り出すためのカラーフィルターを発光素子に設ける必要がないため、素子構成の複雑化、さらには、発光素子を製造する際に工程数が増加してしまうのを確実に防止することができる。

上記式（１）で表わされるチアゾール系化合物としては、上記基Ｂが、Ｉ）水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基またはトリアリールアミンを示す場合と、II）環を形成する場合とに分類することができ、Ｉ）の場合、下記式（１Ａ）で表わされる化合物が挙げられ、II）の場合、下記式（１Ｂ）、（１Ｃ）、（１Ｄ）で表わされる化合物が挙げられる。
まず、Ｉ）の場合、すなわち、下記式（１Ａ）で表わされる化合物について説明する。

［式（１Ａ）中、ＡおよびＢは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。］

このようなチアジアゾール系化合物は、キャリアを捕捉し得るエネルギー準位を有し、基底状態に戻る際に結果として発する光が近赤外領域にある。したがって、かかるチアジアゾール系化合物を捕捉材料（発光材料）として含む構成とすることで、キャリア捕捉層６は、キャリアを捕捉するとともに、７００ｎｍ以上の波長域（近赤外域）での発光、すなわちヒトの目では認識されない発光光を発光するものとなる。
特に、キャリア捕捉層６に用いるチアジアゾール系化合物としては、下記式（２Ａ）または式（３Ａ）で表わされる化合物を用いるのが好ましい。

［式（２Ａ）、（３Ａ）中、Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。］
すなわち、前記式（１Ａ）において、Ｂがそれぞれフェニル基またはメチル基であるのが好ましい。

フェニル基およびメチル基は、それぞれ化学的安定性が比較的高い。そのため、かかる化合物をキャリア捕捉層６に含まれる捕捉材料として用いることにより、キャリア捕捉層６ひいては発光素子１の長寿命化を図ることができる。また、捕捉材料の分子量を比較的小さく抑えることができることから、気相成膜を用いてキャリア捕捉層６を高精度に形成することができる。その結果、この点でも、発光素子１の高効率化および長寿命化を図ることが可能となる。
さらに、キャリア捕捉層６に用いるチアジアゾール系化合物としては、下記式（４Ａ）〜（９Ａ）で表わされる化合物を用いるのが好ましく、具体的には、特に、下記式Ｄ−１〜Ｄ−３で表わされる化合物を用いるのが好ましい。

［式（４Ａ）〜（９Ａ）中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を示す。また、隣合う２つのＲの炭素同士が連結して環状をなしていてもよい。］

次に、II）の場合、すなわち、下記式（１Ｂ）〜（１Ｄ）で表わされる化合物について、順次、説明する。
まず、下記式（１Ｂ）で表わされる化合物について説明する。

［式（１Ｂ）中、Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。］

このようなチアジアゾール系化合物は、キャリアを捕捉し得るエネルギー準位を有し、基底状態に戻る際に結果として発する光が近赤外領域にある。したがって、かかるチアジアゾール系化合物を捕捉材料（発光材料）として含む構成とすることで、キャリア捕捉層６は、キャリアを捕捉するとともに、７００ｎｍ以上の波長域（近赤外域）での発光、すなわちヒトの目では認識されない発光光を発光するものとなる。
特に、キャリア捕捉層６に用いるチアジアゾール系化合物としては、下記式（２Ｂ）〜（４Ｂ）で表わされる化合物を用いるのが好ましく、具体的には、例えば、下記式Ｄ−４〜Ｄ−６で表わされる化合物を用いるのが好ましい。

［式（２Ｂ）〜（４Ｂ）中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を示す。また、隣り合う２つのＲの炭素同士が連結して環状をなしていてもよい。］

次いで、下記式（１Ｃ）で表わされる化合物について説明する。

［式（１Ｃ）中、Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。］

このようなチアジアゾール系化合物は、キャリアを捕捉し得るエネルギー準位を有し、基底状態に戻る際に結果として発する光が近赤外領域にある。したがって、かかるチアジアゾール系化合物を捕捉材料（発光材料）として含む構成とすることで、キャリア捕捉層６は、キャリアを捕捉するとともに、７００ｎｍ以上の波長域（近赤外域）での発光、すなわちヒトの目では認識されない発光光を発光するものとなる。
特に、キャリア捕捉層６に用いるチアジアゾール系化合物としては、下記式（２Ｃ）〜（４Ｃ）で表わされる化合物を用いるのが好ましく、具体的には、例えば、下記式Ｄ−７〜Ｄ−９で表わされる化合物を用いるのが好ましい。

［式（２Ｃ）〜（４Ｃ）中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を示す。また、隣り合う２つのＲの炭素同士が連結して環状をなしていてもよい。］

次に、下記式（１Ｄ）で表わされる化合物について説明する。

［式（１Ｄ）中、ＡおよびＢは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。］

このようなチアジアゾール系化合物は、キャリアを捕捉し得るエネルギー準位を有し、基底状態に戻る際に結果として発する光が近赤外領域にある。したがって、かかるチアジアゾール系化合物を捕捉材料（発光材料）として含む構成とすることで、キャリア捕捉層６は、キャリアを捕捉するとともに、７００ｎｍ以上の波長域（近赤外域）での発光、すなわちヒトの目では認識されない発光光を発光するものとなる。
特に、キャリア捕捉層６に用いるチアジアゾール系化合物としては、高効率化および長寿命化を図れるという観点から、化下記式（２Ｄ）〜（４Ｄ）で表わされる化合物を用いるのが好ましく、具体的には、特に、下記式Ｄ−１０〜Ｄ−１２で表わされる化合物を用いるのが好ましい。

［式（２Ｄ）〜（４Ｄ）中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を示す。また、隣合う２つのＲの炭素同士が連結して環状をなしていてもよい。］

また、キャリア捕捉層６の構成材料としては、前述したようなチアジアゾール系化合物（捕捉材料）に加えて、このチアジアゾール系化合物がゲスト材料（ドーパント）として添加（担持）されるホスト材料を用いるのが好ましい。
このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、チアジアゾール系化合物を励起する機能を有する。そのため、チアジアゾール系化合物のキャリア捕捉効率を高めることができる。このようなホスト材料は、例えば、ゲスト材料である発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。

このようなホスト材料としては、用いるチアジアゾール系化合物に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、ナフタセン誘導体（ナフタセン系材料）、２−ｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）等のアントラセン誘導体（アントラセン系材料）、ペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）等のキノリノラト系金属錯体、アミン誘導体（アミン系材料）、オキサジアゾール誘導体、ルブレンおよびその誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニルカルバゾール、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。

これらの中でも、ホスト材料としては、本実施形態のようにキャリア捕捉層６が、赤色発光層７Ｒ（発光層７）と陽極３との間に位置する場合、アセン系材料またはアミン系材料を用いるのが好ましい。
アセン系材料およびアミン系材料は、前述したようなチアゾール系化合物との不本意な相互材用が少ない。また、ホスト材料としてこれらの材料（特にアントラセン系材料、テトラセン系材料およびアミン系材料）を用いると、ホスト材料からチアゾール系化合物へのエネルギー移動を効率的に行うことができる。これは、（ａ）ホスト材料の三重項励起状態からのエネルギー移動によるチアゾール系化合物の一重項励起状態の生成が可能となること、（ｂ）ホスト材料のπ電子雲とチアゾール系化合物の電子雲との重なりが大きくなること、（ｃ）ホスト材料の蛍光スペクトルとチアゾール系化合物の吸収スペクトルとの重なりが大きくなること等によるものと考えられる。
このようなことから、ホスト材料としてアセン系材料およびアミン系材料を用いると、チアゾール系化合物のキャリア捕捉効率を高めることができる。

また、アセン系材料およびアミン系材料は、電子および正孔に対する耐性に優れる。また、アセン系材料およびアミン系材料は、熱安定性にも優れる。そのため、キャリア捕捉層６の長寿命化を図ることができる。
また、アセン系材料およびアミン系材料は、正孔輸送性に優れることから、本実施形態のようにキャリア捕捉層６が赤色発光層７Ｒと陽極３との間に位置する場合、キャリア捕捉層６の赤外光の発光に利用されなかった正孔を、赤色発光層７Ｒ側に輸送することができるため、発光層７の発光効率を高めることができる。

なお、ホスト材料として、ナフタセン系材料を用いる場合、本実施形態のように、中間層８を備える構成とするのが好ましい。これにより、可視光発光層７の発光効率が低下するのを確実に防止することができる。
なお、アセン系材料は、アセン骨格を有し、かつ、前述したような効果を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体（テトラセン誘導体）、ペンタセン誘導体が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、アントラセン誘導体（アントラセン系材料）またはテトラセン誘導体（テトラセン系材料）を用いるのが好ましい。

テトラセン系材料としては、１つの分子内に少なくとも１つのテトラセン骨格を有し、かつ、前述したようなホスト材料としての機能を発揮し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、下記式ＩＲＨ−１で表わされる化合物を用いるのが好ましく、下記式ＩＲＨ−２で表わされる化合物を用いるのがより好ましく、下記ＩＲＨ−３で表わされる化合物を用いるのがさらに好ましい。

［前記式ＩＲＨ−１中、ｎは、１〜１２の自然数を示し、Ｒは置換機または官能基を表し、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。また、前記式ＩＲＨ−２、ＩＲＨ−３中、Ｒ_１〜Ｒ_４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。また、Ｒ_１〜Ｒ_４は、互いに同じであっても異なっていてもよい。］

また、テトラセン系材料は、炭素原子および水素原子で構成されているのが好ましい。これにより、ホスト材料とチアゾール系化合物との不本意な相互作用が生じるのを防止することができる。そのため、チアゾール系化合物が赤外光を発光することによるキャリア捕捉効率を高めることができる。また、電子および正孔に対するホスト材料の耐性を高めることができる。そのため、キャリア捕捉層６の長寿命化を図ることができる。
具体的には、テトラセン系材料としては、例えば、下記式Ｈ１−１〜Ｈ１−１１で表わされる化合物、下記式Ｈ１−１２〜Ｈ１−２７で表される化合物を用いるのが好ましい。

また、アントラセン系材料としては、１つの分子内に少なくとも１つのアントラセン骨格を有し、かつ、前述したようなホスト材料としての機能を発揮し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、下記式ＩＲＨ−４で表わされる化合物またはその誘導体を用いるのが好ましく、下記式ＩＲＨ５〜ＩＲＨ−８で表わされる化合物を用いるのがより好ましい。

［前記式ＩＲＨ−４中、ｎは、１〜１０の自然数を示し、Ｒは置換基または官能基を表し、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。また、前記式ＩＲＨ−５〜ＩＲＨ−８中、Ｒ_１、Ｒ_２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。また、Ｒ_１、Ｒ_２は、互いに同じであっても異なっていてもよい。］

また、アントラセン系材料は、炭素原子および水素原子で構成されているのが好ましい。これにより、ホスト材料とチアゾール系化合物との不本意な相互作用が生じるのを防止することができる。そのため、チアゾール系化合物が赤外光を発光することによるキャリア捕捉効率を高めることができる。また、電子および正孔に対するホスト材料の耐性を高めることができる。そのため、キャリア捕捉層６の長寿命化を図ることができる。
具体的には、アントラセン系材料としては、例えば、下記式Ｈ２−１〜Ｈ２−１６で表わされる化合物、下記式Ｈ２−２１〜Ｈ２−４０で表される化合物、下記式Ｈ２−５１〜Ｈ２−７０で表される化合物を用いるのが好ましい。

さらに、アミン系材料としては、アミン骨格を有し、かつ、前述したような効果を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、前述した正孔輸送材料のうちのアミン骨格を有する材料を用いることができるが、ベンジジン系アミン誘導体を用いるのが好ましい。
特に、ベンジジン系アミン誘導体のなかでも、２つ以上のナフチル基を導入したものが好ましい。このようなベンジジン系アミン誘導体としては、例えば、下記化学式（２２）で表されるようなＮ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）や、下記化学式（２３）で表されるようなテトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラナフチル−ベンジジン（ＴＮＢ）などが挙げられる。

なお、このような捕捉材料およびホスト材料を含むキャリア捕捉層６中における捕捉材料（チアゾール系化合物）の含有量（ドープ量）は、０．０１〜１０ｗｔ％であるのが好ましく、０．１〜５ｗｔ％であるのがより好ましい。捕捉材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光光として赤外光を発光することによるキャリア捕捉効率を最適化することができる。
また、キャリア捕捉層６の平均厚さは、特に限定されないが、１〜６０ｎｍ程度であるのが好ましく、３〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。

［赤色発光層］
この赤色発光層７Ｒは、前述した陽極３と陰極１１との間に通電することにより、発光光（可視光）として赤色光を発光するものである。
この赤色発光層７Ｒは、赤色に発光する赤色発光材料を含んで構成されている。
このような赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。

赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、下記化学式（１７）で表わされる化合物（ジインデノペリレン誘導体）等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）等を挙げられる。

中でも、赤色発光材料としては、ジインデノペリレン誘導体を用いるのが好ましい。これにより、赤色発光層７Ｒをより高輝度で赤色発光させることができる。
赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。
また、赤色発光層７Ｒ中には、前述した赤色発光材料の他に、赤色発光材料をゲスト材料とするホスト材料が含まれているのが好ましい。
このホスト材料としては、前記キャリア捕捉層６に含まれるホスト材料として説明したのと同様のものを用いることができる。

なお、本実施形態のように、キャリア捕捉層６と赤色発光層７Ｒとが隣接し、かつキャリア捕捉層６が陽極３側に位置する構成とする場合、赤色発光層７Ｒのホスト材料としては、ナフタセン系材料を用い、キャリア捕捉層６のホスト材料としては、ナフタセン系材料、アントラセン系材料およびアミン系材料のうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。これにより、キャリア捕捉層６と赤色発光層７Ｒとの間においてバンドギャップの差を小さくすることができるため、電圧上昇を小さくして、赤色の光をさらにバランスよく発光させることができるようになる。すなわち、キャリア捕捉層６と赤色発光層７Ｒとを隣接させたとしても、赤色の光をさらにバランスよく発光させることができ、赤色発光層７Ｒを抜けてきたキャリアはキャリア捕捉層６で捕捉させることができる。
さらに、赤色発光層７Ｒのホスト材料として、アントラセン系材料を用いた場合には、キャリア捕捉層６のホスト材料としては、アントラセン系材料およびアミン系材料のうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。これにより、前記と同様の効果を得ることができる。

［中間層］
中間層８は、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの層間にこれらに接するように設けられ、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間でキャリア（正孔および電子）の移動を調整する機能を有するものである。かかる機能により、赤色発光層７Ｒおよび青色発光層７Ｂをそれぞれ効率よく発光させることができる。
この中間層８としては、キャリア（正孔および電子）の移動を調整する機能を有するものであれば、いかなる構成を有するものであってもよいが、特に、前述した赤色発光層７Ｒのホスト材料と同種または同一の材料を含み、かつ、発光性を有する材料を実質的に含まずに構成されているものであるのが好ましい。

このような中間層８の構成材料としては、例えば、前記キャリア捕捉層６のホスト材料として説明したのと同様のものが用いられ、特に、アセン系材料を含むものが好適に用いられる。
かかる材料を用いれば、中間層８の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー順位を、赤色発光層７Ｒおよび青色発光層７Ｂの双方の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー順位よりも低く設定することができ、さらに、中間層８の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー順位を、赤色発光層７Ｒおよび青色発光層７Ｂの双方の最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー順位よりも高く設定することができる。その結果、赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間での励起子のエネルギー移動がより確実に阻止されることとなる。

アセン系材料としては、アセン骨格を有し、かつ、前述したような効果を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、テトラセン（ナフタセン）誘導体、ペンタセン誘導体、ヘキサセン誘導体、ヘプタセン誘導体等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、テトラセン（ナフタセン）誘導体を用いるのが好ましい。

テトラセン（ナフタセン）誘導体としては、特に限定されないが、前述したキャリア捕捉層６のホスト材料で説明したナフタセン誘導体と同様のものを用いることができる。
このようなナフタセン誘導体は、バイポーラ性を有する。したがって、中間層８は、赤色発光層７Ｒから青色発光層７Ｂへ正孔を円滑に輸送するとともに、青色発光層７Ｂから赤色発光層７Ｒへ電子を円滑に輸送することができる。また、中間層８は、電子および正孔に対して優れた耐性を有する。そのため、中間層８の劣化を防止し、その結果、発光素子１の耐久性を向上させることができる。

このような中間層８中におけるアセン系材料の含有量は、特に限定されないが、１０〜９０ｗｔ％であるのが好ましく、３０〜７０ｗｔ％であるのがより好ましく、４０〜６０ｗｔ％であるのがさらに好ましい。
さらに、中間層８の構成材料としては、前述したアセン系材料の他に、アミン系材料（アミン誘導体）を含むのが特に好ましい。

アミン系材料（すなわちアミン骨格を有する材料）は正孔輸送性に優れ、また、前述したアセン系材料（すなわちアセン骨格を有する材料）は、アミン系材料に比較して電子輸送性に優れる。これにより、中間層８は、電子輸送性および正孔輸送性の双方を有するものとなる。すなわち、中間層８は、バイポーラ性を有するものとなる。このように中間層８がバイポーラ性を有すると、赤色発光層７Ｒから中間層８を介して青色発光層７Ｂへ正孔を円滑に受け渡すとともに、青色発光層７Ｂから中間層８を介して赤色発光層７Ｒへ電子を円滑に受け渡すことができる。その結果、赤色発光層７Ｒおよび青色発光層７Ｂにそれぞれ電子および正孔を効率的に注入して発光させることができる。

また、このような中間層８は、バイポーラ性を有するため、キャリア（電子、正孔）に対する耐性に優れている。その上、アセン系材料が励起子に対する耐性に優れていることから、中間層８中で電子と正孔が再結合して励起子が生成しても、中間層８の劣化を防止または抑制することができる。これにより、中間層８の励起子による劣化を防止または抑制し、その結果、発光素子１の耐久性を優れたものとすることができる。

このような中間層８に用いられるアミン系材料としては、キャリア捕捉層６のホスト材料として挙げたのと同様のものを用いることができる。
なお、上記化学式（２２）で表されるようなＮ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）や、上記化学式（２３）で表されるようなＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラナフチル−ベンジジン（ＴＮＢ）等のアミン系材料は、一般に、正孔輸送性に優れており、アミン系材料の正孔移動度は、アセン系材料の正孔移動度よりも高い。したがって、赤色発光層７Ｒから中間層８を介して青色発光層７Ｂへ正孔を円滑に受け渡すことができる。
このような中間層８中におけるアミン系材料の含有量は、特に限定されないが、１０〜９０ｗｔ％であるのが好ましく、３０〜７０ｗｔ％であるのがより好ましく、４０〜６０ｗｔ％であるのがさらに好ましい。

また、中間層８の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、３〜５０ｎｍであるのがより好ましく、５〜３０ｎｍであるのがさらに好ましい。これにより、駆動電圧を抑えつつ、中間層８が赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間での正孔および電子の移動を確実に調整することができる。
これに対し、中間層８の平均厚さが前記上限値を超えると、中間層８の構成材料等によっては、駆動電圧が著しく高くなったり、発光素子１の発光（特に白色発光）が難しくなったりする場合がある。一方、中間層８の平均厚さが前記下限値未満であると、中間層８の構成材料や駆動電圧等によっては、中間層８が赤色発光層７Ｒと青色発光層７Ｂとの間での正孔および電子の移動を確実に調整するのが難しくなるおそれがある。

［青色発光層］
この青色発光層７Ｂは、前述した陽極３と陰極１１との間に通電することにより、発光光（可視光）として青色光を発光するものである。
この青色発光層７Ｂは、青色に発光する青色発光材料を含んで構成されている。
このような青色発光材料としては、例えば、各種青色蛍光材料および青色燐光材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。

青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、下記化学式（２４Ａ）または下記化学式（２４Ｂ）で示されるスチリルアミン系化合物等のスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］等が挙げられる。

青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、具体的には、ビス［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］−ピコリネート−イリジウム、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム、ビス［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］−ピコリネート−イリジウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（アセチルアセトネート）等が挙げられる。
また、青色発光層７Ｂ中には、前述した青色発光材料の他に、青色発光材料をゲスト材料とするホスト材料が含まれているのが好ましい。
このようなホスト材料としては、前記キャリア捕捉層６に含まれるホスト材料として説明したのと同様のものを用いることができる。

［緑色発光層］
この緑色発光層７Ｇは、前述した陽極３と陰極１１との間に通電することにより、発光光（可視光）として緑色光を発光するものである。
この緑色発光層７Ｇは、緑色に発光する緑色発光材料を含んで構成されている。
このような緑色発光材料としては、特に限定されず、各種緑色蛍光材料、緑色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。

緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、下記化学式（２５）に示すキナクリドン誘導体等のキナクリドンおよびその誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］等が挙げられる。

緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、具体的には、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（アセチルアセトネート）、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウム等が挙げられる。

また、緑色発光層７Ｇ中には、前述した緑色発光材料の他に、緑色発光材料をゲスト材料とするホスト材料が含まれているのが好ましい。
このホスト材料としては、前記キャリア捕捉層６に含まれるホスト材料として説明したのと同様のものを用いることができる。
また、このような緑色発光層７Ｇのホスト材料は、赤色発光層７Ｒのホスト材料と同様に、アセン誘導体（アセン系材料）を用いるのが好ましい。これにより、緑色発光層７Ｇをより高輝度かつ高効率で赤色発光させることができる。
さらに、この緑色発光層７Ｇのホスト材料は、前述した青色発光層７Ｂのホスト材料と同一であるのが好ましい。これにより、双方の発光層７Ｇ、７Ｂ間においてバンドギャップが生じないため、緑色の光と青色の光とをバランスよく発光させることができるようになる。

［電子輸送層］
電子輸送層９は、陰極１１から電子注入層１０を介して注入された電子を緑色発光層７Ｇに輸送する機能を有するものである。
電子輸送層９の構成材料（電子輸送性材料）としては、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等のフェナントロリン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、アザインドリジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらの中でも、電子輸送層９に用いる電子輸送性材料としては、アザインドリジン誘導体を用いるのが好ましく、特に、アザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有する化合物（以下、単に「アザインドリジン系化合物」ともいう）を用いるのがより好ましい。
このように、緑色発光層７Ｇに隣接する電子輸送層９の電子輸送性材料としてアザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有する化合物を用いているので、電子輸送層９から緑色発光層７Ｇへ電子を効率的に輸送することができる。そのため、発光素子１の発光効率を優れたものとすることができる。

また、電子輸送層９から緑色発光層７Ｇへの電子輸送を効率的に行えることから、発光素子１の駆動電圧を低電圧化することができ、それに伴って、発光素子１の長寿命化を図ることができる。
さらに、アザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有する化合物は電子およびホールに対する安定性（耐性）に優れるため、この点でも、発光素子１の長寿命化を図ることができる。

電子輸送層９に用いる電子輸送性材料（アザインドリジン系化合物）は、１つの分子内に含まれるアザインドリジン骨格およびアントラセン骨格の数がそれぞれ１つまたは２つであるのが好ましい。これにより、電子輸送層９の電子輸送性および電子注入性を優れたものとすることができる。
具体的には、電子輸送層９に用いるアザインドリジン系化合物としては、例えば、下記式ＥＬＴ−Ａ１〜ＥＬＴ−Ａ２４で表わされるような化合物、下記式ＥＬＴ−Ｂ１〜式ＥＬＴ−Ｂ１２で表わされるような化合物、下記ＥＬＴ−Ｃ１〜ＥＬＴ−Ｃ２０で表わされる化合物を用いるのが好ましい。

このようなアザインドリジン化合物は、電子輸送性および電子注入性に優れる。そのため、発光素子１の発光効率を向上させることができる。
かかるアザインドリジン化合物の電子輸送性および電子注入性が優れるのは、以下のような理由によるものと考えられる。
前述したようなアザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有するアザインドリジン系化合物は、その分子全体がπ共役系で繋がっているため、電子雲が分子全体に亘って拡がっている。

そして、かかるアザインドリジン系化合物のアザインドリジン骨格の部分は、電子を受け入れる機能と、その受け取った電子をアントラセン骨格の部分へ送り出す機能とを有する。一方、かかるアザインドリジン系化合物のアントラセン骨格の部分は、アザインドリジン骨格の部分から電子を受け入れる機能と、その受け入れた電子を、電子輸送層９の陽極３側に隣接する層、すなわち緑色発光層７Ｇへ受け渡す機能とを有する。

具体的に説明すると、かかるアザインドリジン系化合物のアザインドリジン骨格の部分は、２つの窒素原子を有し、その一方（アントラセン骨格の部分に近い側）の窒素原子がｓｐ２混成軌道を有し、他方（アントラセン骨格の部分に遠い側）の窒素原子がｓｐ３混成軌道を有する。ｓｐ２混成軌道を有する窒素原子は、アザインドリジン系化合物の分子の共役系の一部を構成するとともに、炭素原子よりも電気陰性度が高く、電子を引き付ける強さが大きいため、電子を受け入れる部分として機能する。一方、ｓｐ３混成軌道を有する窒素原子は、通常の共役系ではないが、非共有電子対を有するため、その電子がアザインドリジン系化合物の分子の共役系に向けて電子を送り出す部分として機能する。

一方、かかるアザインドリジン系化合物のアントラセン骨格の部分は、電気的に中性であるため、アザインドリジン骨格の部分から電子を容易に受け入れることができる。また、かかるアザインドリジン系化合物のアントラセン骨格の部分は、緑色発光層７Ｇの構成材料、特にホスト材料（アセン系材料）と軌道の重なりが大きいため、緑色発光層７Ｇのホスト材料へ電子を容易に受け渡すことができる。

また、かかるアザインドリジン系化合物は、前述したように電子輸送性および電子注入性に優れるため、結果として、発光素子１の駆動電圧を低電圧化することができる。
また、アザインドリジン骨格の部分は、ｓｐ２混成軌道を有する窒素原子が還元されても安定であり、ｓｐ３混成軌道を有する窒素原子が酸化されても安定である。そのため、かかるアザインドリジン系化合物は、電子および正孔に対する安定性が高いものとなる。その結果、発光素子１の長寿命化を図ることができる。

また、電子輸送層９は、前述したような電子輸送性材料のうち２種以上を組み合わせて用いる場合、２種以上の電子輸送性材料を混合した混合材料で構成されていてもよいし、異なる電子輸送性材料で構成された複数の層を積層して構成されていてもよい。
電子輸送層９の平均厚さは、特に限定されないが、１．０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。

［電子注入層］
電子注入層１０は、陰極１１からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
この電子注入層１０の構成材料（電子注入性材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。

このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層１０を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層１０を構成することにより、発光素子１は、高い輝度が得られるものとなる。

アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ_２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ_２Ｓ、Ｎａ_２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢｅＦ_２等が挙げられる。
また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

電子注入層１０の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．２〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましく、０．２〜５０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
なお、この電子注入層１０は、陰極１１および電子輸送層９の構成材料や厚さ等によっては、省略してもよい。

［封止部材］
封止部材１２は、陽極３、積層体１４、および陰極１１を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。封止部材１２を設けることにより、発光素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止（耐久性向上）等の効果が得られる。

封止部材１２の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、封止部材１２の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、封止部材１２と陽極３、積層体１４および陰極１１との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
また、封止部材１２は、平板状として、基板２と対向させ、これらの間を、例えば熱硬化性樹脂等のシール材で封止するようにしてもよい。

以上のように構成された発光素子１によれば、キャリア捕捉層６を設けることで、キャリア捕捉層６よりも陽極３側に位置する正孔輸送層５および正孔注入層４に電子が注入されるのを抑制または防止することができ、これらの層４、５の構成材料が変質・劣化するのを的確に抑制または防止することができるため、発光素子１の長寿命化をはかることができる。さらに、キャリア捕捉層６は、捕捉材料として上記式（１）で表わされるチアゾール系化合物を含有するものであるため、発光光として、ヒトの目では認識することができない近赤外域での赤外光を発光することとなるため、認識される発光光は、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７B、および緑色発光層７Ｇの３層により発光される白色光となる。そのため、白色デバイスとして利用する場合は、目的とする発光光を取り出すためのカラーフィルターを発光素子に設ける必要がないため、素子構成の複雑化、さらには、発光素子を製造する際に工程数が増加してしまうのを確実に防止することができる。

以上のような発光素子１は、例えば、次のようにして製造することができる。
［１］ まず、基板２を用意し、この基板２上に陽極３を形成する。
陽極３は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。

［２］ 次に、陽極３上に正孔注入層４を形成する。
正孔注入層４は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成するのが好ましい。
なお、正孔注入層４は、例えば、正孔注入性材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極３上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。

正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層４を比較的容易に形成することができる。
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。

また、本工程に先立って、陽極３の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極３の上面に親液性を付与すること、陽極３の上面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、基板２の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。

［３］ 次に、正孔注入層４上に正孔輸送層５を形成する。
正孔輸送層５は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成するのが好ましい。
なお、正孔輸送性材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔輸送層形成用材料を、正孔注入層４上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。

［４］ 次に、正孔輸送層５上に、キャリア捕捉層６を形成する。
キャリア捕捉層６は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
［５］ 次に、キャリア捕捉層６上に、赤色発光層７Ｒを形成する。
赤色発光層７Ｒは、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。

［６］ 次に、赤色発光層７Ｒ上に、中間層８を形成する。
中間層８は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、中間層８は、例えば、その構成材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる中間層形成用材料を、赤色発光層７Ｒ上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。

［７］ 次に、中間層８上に、青色発光層７Ｂを形成する。
青色発光層７Ｂは、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
［８］ 次に、青色発光層７Ｂ上に、緑色発光層７Ｇを形成する。
緑色発光層７Ｇは、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。

［９］ 次に、緑色発光層７Ｇ上に、電子輸送層９を形成する。
電子輸送層９は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、電子輸送層９は、例えば、電子輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、緑色発光層７Ｇ上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。

［１０］ 次に、電子輸送層９上に、電子注入層１０を形成する。
電子注入層１０の構成材料として無機材料を用いる場合、電子注入層１０は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
［１１］ 次に、電子注入層１０上に、陰極１１を形成する。
陰極１１は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
以上のような工程を経て、発光素子１が得られる。
最後に、得られた発光素子１を覆うように封止部材１２を被せ、基板２に接合する。

＜第２実施形態＞
図２は、本発明の発光素子の第２実施形態を模式的に示す断面図である。
以下、第２実施形態の発光素子について、前述した第１実施形態との違いを中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
第２実施形態の発光素子１は、可視光を発光する発光層として、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７Ｂおよび緑色発光層７Ｇの形成を省略して、黄色発光層７Ｙおよびシアン発光層７Ｃを形成したこと以外は、前記第１実施形態の発光素子と同様である。

すなわち、図２に示す発光素子１は、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５とキャリア捕捉層６と中間層８と黄色発光層７Ｙとシアン発光層７Ｃと電子輸送層９と電子注入層１０と陰極１１とがこの順に積層されてなるものである。換言すれば、発光素子１では、陽極３と陰極１１との間に、陽極３側から陰極１１側へ、正孔注入層４と正孔輸送層５とキャリア捕捉層６と中間層８と黄色発光層７Ｙとシアン発光層７Ｃと電子輸送層９と電子注入層１０とがこの順で積層された積層体１４が介挿されている。
そして、発光素子１は、その全体が基板２上に設けられるとともに、封止部材１２で封止されている。

このような発光素子１にあっては、黄色発光層７Ｙおよびシアン発光層７Cの各発光層に対し、陰極１１側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出する。そのため、黄色発光層７Ｙおよびシアン発光層７Ｃがそれぞれ黄色およびシアンの可視光を発光する。これにより、本実施形態の発光素子１は、白色の可視光を発光する。なお、本実施形態では、黄色発光層７Ｙおよびシアン発光層７Ｃの２層により、可視光を発光する可視光発光層７が構成される。

また、本実施形態では、キャリア捕捉層６は、可視光発光層７よりも陽極３側に位置して、中間層８と正孔輸送層５との間に設けられている。これにより、中間層８を抜けてきた電子が正孔輸送層５側に注入され、これに起因して、正孔輸送層５および正孔注入層４の構成材料が変質・劣化してしまうのを的確に抑制または防止することができ、その結果、発光素子１の長寿命化が図られる。

さらに、キャリア捕捉層６は、発光光として、ヒトの目では認識することができない近赤外域での赤外光を発光する。そのため、認識される発光光は、黄色発光層７Ｙおよびシアン発光層７Ｃの２層により発光される白色光となる。そのため、白色デバイスとして利用する場合は、目的とする発光光を取り出すためのカラーフィルターを発光素子に設ける必要がないため、素子構成の複雑化、さらには、発光素子を製造する際に工程数が増加してしまうのを確実に防止することができる。
本発明の発光素子は、本実施形態のように、可視光発光層７が２層で構成され、可視光として黄色の発光色を発光する黄色発光層７Ｙを備える構成のものに好適に適用することができる。

［黄色発光層］
黄色発光層７Ｙは、陽極３と陰極１１との間に通電することにより、発光光（可視光）として黄色光を発光するものである。
この黄色発光層７Ｙは、黄色に発光する黄色発光材料を含んで構成されている。
このような黄色発光材料としては、特に限定されず、各種黄色蛍光材料、黄色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
黄色蛍光材料としては、黄色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、下記化学式（２６Ａ）で示されるテトラセン系化合物、テトラフェニルナフタセン（通称：ルブレン）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、黄色燐光材料としては、黄色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、下記式（２６Ｂ）で表されるトリス（２−フェニルキノリン）イリジウム（III）等が挙げられる。

［シアン発光層］
シアン発光層７Ｃは、陽極３と陰極１１との間に通電することにより、発光光（可視光）としてシアン光を発光するものである。
このシアン発光層７Ｃは、シアンに発光するシアン発光材料を含んで構成されている。
このようなシアン発光材料としては、特に限定されず、各種シアン蛍光材料、シアン燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。

シアン蛍光材料としては、シアンの蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、前記化学式（２４Ａ）で示されるスチリルアミン系化合物等のスチリルアミン誘導体、4、4’−ビスジフェニルアミノ−ジスチルベン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、シアン燐光材料としては、シアンの燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、下記式（２７）で表されるビス（3,5−ジフルオロ−2−（2−ピリジル）フェニル）−（２−カルボキシピリジル）イリジウム（III）等が挙げられる。

さらに、黄色発光層７Ｙおよびシアン発光層７Ｃ中には、それぞれ、前述した黄色発光材料およびシアン発光材料の他に、黄色発光材料およびシアン発光材料をゲスト材料とするホスト材料が含まれているのが好ましい。
なお、このホスト材料としては、前記キャリア捕捉層６に含まれるホスト材料として説明したのと同様のものを用いることができる。

＜第３実施形態＞
図３は、本発明の発光素子の第３実施形態を模式的に示す断面図である。
以下、第３実施形態の発光素子について、前述した第１実施形態との違いを中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
第３実施形態の発光素子１は、可視光を発光する発光層として、赤色発光層７Ｒおよび緑色発光層７Ｇの形成を省略して、青色発光層７Ｂを単独で形成したこと以外は、前記第１実施形態の発光素子と同様である。

すなわち、図３に示す発光素子１は、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５とキャリア捕捉層６と中間層８と青色発光層７Ｂと電子輸送層９と電子注入層１０と陰極１１とがこの順に積層されてなるものである。換言すれば、発光素子１では、陽極３と陰極１１との間に、陽極３側から陰極１１側へ、正孔注入層４と正孔輸送層５とキャリア捕捉層６と中間層８と青色発光層７Ｂと電子輸送層９と電子注入層１０とがこの順で積層された積層体１４が介挿されている。
そして、発光素子１は、その全体が基板２上に設けられるとともに、封止部材１２で封止されている。

このような発光素子１にあっては、青色発光層７Ｂに対し、陰極１１側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、青色発光層７Ｂでは、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出する。そのため、青色発光層７Ｂが青色の可視光を発光する。すなわち、本実施形態の発光素子１は、青色の可視光を発光する。したがって、本実施形態では、青色発光層７Ｂの１層により、可視光を発光する可視光発光層７が構成される。

また、本実施形態では、キャリア捕捉層６は、青色発光層７Ｂよりも陽極３側に位置して、中間層８と正孔輸送層５との間に設けられている。これにより、中間層８を抜けてきた電子（キャリア）が正孔輸送層５側に注入され、これに起因して、正孔輸送層５および正孔注入層４の構成材料が変質・劣化してしまうのを的確に抑制または防止することができ、その結果、発光素子１の長寿命化が図られる。

さらに、キャリア捕捉層６は、発光光として、ヒトの目では認識することができない近赤外域での赤外光を発光する。そのため、認識される発光光は、青色発光層７Ｂの１層により発光される青色光となる。そのため、従来のように赤色を発する発光層と組み合わせて構成された発光素子と比べ、目的とする発光光を取り出すためのカラーフィルターを発光素子に設ける必要がないため、素子構成の複雑化、さらには、発光素子を製造する際に工程数が増加してしまうのを確実に防止することができる。

さらに、本実施形態では、発光素子１は、キャリア捕捉層６と青色発光層７Ｂとの間に中間層８を有しているので、キャリア捕捉層６と青色発光層７Ｂとの間での正孔および電子の移動を調整することができるため、キャリア捕捉層６と青色発光層７Ｂとの間での励起子のエネルギー移動を阻止することができる。その結果、青色発光層７Ｂがバランスよく発光することとなり、発光素子１は、可視光として、より確実に青色発光するものとなる。さらに、中間層８を抜けてきたキャリアはキャリア捕捉層６で捕捉されることとなる。なお、かかる効果は、青色発光層７Ｂが発光材料として青色燐光材料を含有する場合により顕著に得ることができる。すなわち、キャリア捕捉層６と青色発光層７Ｂとの間での励起子のエネルギー移動を阻止することで、青色燐光材料に生じた３重項励起子の失活を確実に防止することができる。

なお、本実施形態のように、キャリア捕捉層６が青色発光層７Ｂよりも陽極３側に位置する場合、青色発光層７Ｂのホスト材料として、アントラセン系材料を用い、キャリア捕捉層６のホスト材料として、アントラセン系材料およびアミン系材料のうちの少なくとも１種を用いる構成とすることで、キャリア捕捉層６と青色発光層７Ｂとの間の中間層８の形成を省略することができる。キャリア捕捉層６および青色発光層７Ｂを、それぞれ上述したような材料で構成することで、キャリア捕捉層６と青色発光層７Ｂとの間におけるバンドギャップの差を小さくすることができる。そのため、中間層８の形成を省略したとしても、キャリア捕捉層６と青色発光層７Ｂとが接触することに起因する電圧上昇を小さくして、青色の光をバランスよく発光させることができる。すなわち、キャリア捕捉層６と青色発光層７Ｂとを隣接させたとしても、青色の光をバランスよく発光させることができ、青色発光層７Ｂを抜けてきたキャリアはキャリア捕捉層６で捕捉させることができる。

また、本実施形態のように、可視光発光層７が１層で構成され、発光層として、青色発光層７Ｂのように青色（短波長）の発光光を発光するものを発光素子１が備える際に、本発明の発光素子を適用することで、寿命が短い発光層である青色発光層７Ｂの長寿命化をより確実に図ることができる。そのため、青色発光層７Ｂのような青色の発光光を発光する発光層を発光素子１が備える際に、本発明の発光素子が好適に適用される。

さらに、本実施形態のように、キャリア捕捉層６を青色発光層７Ｂよりも陽極３側に設ける場合、キャリア捕捉層６と青色発光層７Ｂとの間には中間層８を設けるのが好ましい。これにより、たとえ各層に含まれるホスト材料のLUMO(最低空軌道)の関係が青色発光層７Ｂの方が大きいものを選択した場合であっても、青色発光層７Ｂにおける電子の溜まりが減少してしまうのを的確に抑制または防止することができるため、青色発光層７Ｂにおいて青色光を確実に発光させることができる。

＜第４実施形態＞
図４は、本発明の発光素子の第４実施形態を模式的に示す断面図である。
以下、第４実施形態の発光素子について、前述した第３実施形態との違いを中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
第４実施形態の発光素子１は、可視光を発光する発光層として、青色発光層７Ｂに代えて、黄色発光層７Ｙを単独で形成したこと以外は、前記第３実施形態の発光素子と同様である。

すなわち、図４に示す発光素子１は、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５とキャリア捕捉層６と中間層８と黄色発光層７Ｙと電子輸送層９と電子注入層１０と陰極１１とがこの順に積層されてなるものである。換言すれば、発光素子１では、陽極３と陰極１１との間に、陽極３側から陰極１１側へ、正孔注入層４と正孔輸送層５とキャリア捕捉層６と中間層８と黄色発光層７Ｙと電子輸送層９と電子注入層１０とがこの順で積層された積層体１４が介挿されている。
そして、発光素子１は、その全体が基板２上に設けられるとともに、封止部材１２で封止されている。

このような発光素子１にあっては、黄色発光層７Ｙに対し、陰極１１側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、黄色発光層７Ｙでは、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出する。そのため、黄色発光層７Ｙが黄色の可視光を発光する。すなわち、本実施形態の発光素子１は、黄色の可視光を発光する。したがって、本実施形態では、黄色発光層７Ｙの１層により、可視光を発光する可視光発光層７が構成される。

本実施形態のように、可視光発光層７が１層で構成され、発光層として、黄色発光層７Ｙのように黄色（短波長）の発光光を発光するものを発光素子１が備える際に、本発明の発光素子を適用することで、寿命が短い発光層である黄色発光層７Ｙの長寿命化をより確実に図ることができる。そのため、黄色発光層７Ｙのよう黄色の発光光を発光する発光層を発光素子１が備える際に、本発明の発光素子が好適に適用される。

＜第５実施形態＞
図５は、本発明の発光素子の第５実施形態を模式的に示す断面図である。
以下、第５実施形態の発光素子について、前述した第１実施形態との違いを中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
第５実施形態の発光素子１は、キャリア捕捉層６を積層する位置が異なり、さらに、中間層８の形成を省略したこと以外は、前記第３実施形態の発光素子と同様である。

すなわち、図５に示す発光素子１は、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５と青色発光層７Ｂとキャリア捕捉層６と電子輸送層９と電子注入層１０と陰極１１とがこの順に積層されてなるものである。換言すれば、発光素子１では、陽極３と陰極１１との間に、陽極３側から陰極１１側へ正孔注入層４と正孔輸送層５と青色発光層７Ｂとキャリア捕捉層６と電子輸送層９と電子注入層１０とがこの順で積層された積層体１４が介挿されている。
そして、発光素子１は、その全体が基板２上に設けられるとともに、封止部材１２で封止されている。

このような発光素子１にあっては、前記第３実施形態の発光素子１と同様に、青色発光層７Ｂに対し、陰極１１側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、青色発光層７Ｂでは、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出する。そのため、青色発光層７Ｂが青色の可視光を発光する。すなわち、本実施形態の発光素子１は、青色の可視光を発光する。したがって、本実施形態では、青色発光層７Ｂの１層により、可視光を発光する可視光発光層７が構成される。

また、キャリア捕捉層６は、陽極３と陰極１１との間に通電することにより、発光光として赤外線を発光するものである。
このキャリア捕捉層６は、前述した第１実施形態の発光素子１が備えるキャリア捕捉層６と同様の構成のものとすることができるが、本実施形態のように、キャリア捕捉層６が、青色発光層７Ｂよりも陰極１１側に位置する場合、キャリア捕捉層６に含まれるホスト材料としては、アセン系材料またはキノリノラト系金属錯体を用いるのが好ましい。これらの材料は、電子輸送性に優れ、かつ電子および正孔に対する耐性に優れることから、キャリア捕捉層６に、電子輸送層としての機能を付与しつつ、その長寿命化を図ることができる。
なお、キノリノラト系金属錯体としては、特に限定されないが、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

さらに、キャリア捕捉層６は、青色発光層７Ｂと電子輸送層９との間、青色発光層７Ｂよりも陰極１１側に位置するように設けられている。これにより、青色発光層７Ｂを抜けてきた正孔（キャリア）が電子輸送層９側に注入され、これに起因して、電子輸送層９および電子注入層１０の構成材料が変質・劣化してしまうのを的確に抑制または防止することができ、その結果、発光素子１の長寿命化が図られる。

また、キャリア捕捉層６は、発光光として、ヒトの目では認識することができない近赤外域での赤外光を発光する。そのため、認識される発光光は、青色発光層７Ｂの１層により発光される青色光となる。そのため、従来のように、目的とする発光光を取り出すためのカラーフィルターを発光素子に設ける必要がないため、素子構成の複雑化、さらには、発光素子を製造する際に工程数が増加してしまうのを確実に防止することができる。

なお、ホスト材料として、アントラセン系材料を用いる場合、本実施形態のように、キャリア捕捉層６が、青色発光層７Ｂよりも陰極１１側に位置する場合に適用するのがより好ましい。これは、例えば、青色発光層７Ｂのホストがアントラセン系化合物の場合、陽極３側にはアリールアミン系材料で構成される正孔輸送層等を設置し、その界面付近でキャリアの溜めを形成して青色発光層７Ｂを発光させることで発光効率が高くなる。しかしながら、青色発光層７Ｂと正孔輸送層との間にさらに、アントラセン系化合物で構成されるキャリア捕捉層６を設ける構成とすると、このキャリア捕捉層６にキャリアが溜まりやすくなる。かかる理由に起因して、キャリア捕捉層６は、青色発光層７Ｂよりも陰極１１側に配置されるのが好ましい。

＜第６実施形態＞
図６は、本発明の発光素子の第６実施形態を模式的に示す断面図である。
以下、第６実施形態の発光素子について、前述した第１実施形態との違いを中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
第６実施形態では、その層構成として、キャリア発生層１５を備える発光素子１に適用するようにしたこと以外は、前記第１実施形態の発光素子と同様である。

すなわち、図６に示す発光素子１は、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５と赤色発光層７Ｒと電子輸送層９と電子注入層１０とキャリア発生層１５と正孔輸送層５’とキャリア捕捉層６と中間層８と青色発光層７Ｂと緑色発光層７Ｇと電子輸送層９’と電子注入層１０’と陰極１１とがこの順に積層されてなるものである。換言すれば、発光素子１では、陽極３と陰極１１との間に、陽極３側から陰極１１側へ、正孔注入層４と正孔輸送層５と赤色発光層７Ｒと電子輸送層９と電子注入層１０とキャリア発生層１５と正孔輸送層５’とキャリア捕捉層６と中間層８と青色発光層７Ｂと緑色発光層７Ｇと電子輸送層９’と電子注入層１０’とがこの順で積層された積層体１４が介挿されている。
そして、発光素子１は、その全体が基板２上に設けられるとともに、封止部材１２で封止されている。

このような発光素子１にあっては、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７Ｂおよび緑色発光層７Ｇの各発光層に対し、陰極１１側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出する。そのため、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７Ｂおよび緑色発光層７Ｇがそれぞれ赤色、青色および緑色の可視光を発光する。これにより、本実施形態の発光素子１は、白色の可視光を発光する。なお、本実施形態では、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７Ｂおよび緑色発光層７Ｇの３層により、可視光を発光する可視光発光層７が構成される。

また、本実施形態では、キャリア捕捉層６は、青色発光層７Ｂおよび緑色発光層７Gよりも陽極３側に位置して、中間層８と正孔輸送層５’との間に設けられている。これにより、中間層８を抜けてきた電子（キャリア）が正孔輸送層５‘側に注入され、これに起因して、正孔輸送層５’およびキャリア発生層１５等の構成材料が変質・劣化してしまうのを的確に抑制または防止することができ、その結果、発光素子１の長寿命化が図られる。

さらに、キャリア捕捉層６は、発光光として、ヒトの目では認識することができない近赤外域での赤外光を発光する。そのため、認識される発光光は、赤色発光層７Ｒ、青色発光層７Ｂおよび緑色発光層７Ｇの３層により発光される白色光となる。そのため、白色デバイスとして利用する場合は、目的とする発光光を取り出すためのカラーフィルターを発光素子に設ける必要がないため、素子構成の複雑化、さらには、発光素子を製造する際に工程数が増加してしまうのを確実に防止することができる。
さらに、本実施形態の発光素子１では、キャリア発生層１５において、正孔および電子が発生し、これらのうち、赤色発光層７Ｒには電子が注入され、青色発光層７Ｂおよび緑色発光層７Ｇには正孔が注入されるため、発光素子１をより高輝度で発光させることができるため、発光効率に優れた発光素子１を得ることができる。

［キャリア発生層］
このキャリア発生層１５は、芳香環を有する有機シアン化合物（以下、「芳香環含有有機シアン化合物」ともいう。）を含むものである。
この芳香環含有有機シアン化合物は、優れた電子吸引性を有している。そのため、芳香環含有有機シアン化合物は、接触する正孔輸送層５’中に含まれる正孔輸送材料から電子を引き抜くことができる。その結果、キャリア発生層１５に電圧が印加されていなくても、キャリア発生層１５と正孔輸送層５’との界面付近において、キャリア発生層１５側には電子が発生し、正孔輸送層５’側には正孔が発生する。このような状態で、陽極３と陰極１１との間に駆動電圧を印加すると、すなわちキャリア発生層１５に電圧を印加すると、キャリア発生層１５と正孔輸送層５’との界面付近で発生した正孔は、その駆動電圧により輸送されて、青色発光層７Ｂおよび緑色発光層７Gの発光に寄与する。また、キャリア発生層１５と正孔輸送層５’との界面付近で発生した電子は、その駆動電圧により輸送されて、赤色発光層７Ｒおよび緑色発光層７Ｇの発光に寄与する。

そして、このようなキャリア発生層１５における正孔および電子の発生は、駆動電圧が印加されている最中には継続的に行われ、これらの正孔と電子とは、それそれ、青色発光層７Ｂと、および赤色発光層７Ｒおよび緑色発光層７Ｇの発光に寄与する。
さらに、芳香環含有有機シアン化合物は、有機材料であるため、キャリア発生層が金属酸化物で構成される場合と比較して、金属酸化物が正孔輸送層５’に含まれる正孔輸送材料（有機材料）と接触してしまうのを確実に防止することができるので、正孔輸送材料の変質・劣化が確実に防止される。

また、芳香環含有有機シアン化合物は、比較的安定な化合物であるとともに、蒸着等の気相成膜法で容易にキャリア発生層１５を形成できる化合物である。このため、好適に発光素子１の製造に用いることができ、製造される発光素子１の品質が安定しやすくなるとともに、発光素子１の歩留まりが高いものとなる。
このような芳香環含有有機シアン化合物としては、特に限定されないが、例えば、シアノ基が導入されたヘキサアザトリフェニレン誘導体が挙げられ、特に、下記化学式（４０）で示すようなヘキサアザトリフェニレン誘導体を用いるのがより好ましい。

上記化学式（４０）中、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立して、シアノ基（−ＣＮ）、スルホン基（−ＳＯ_２Ｒ’）、スルホキシド基（−ＳＯＲ’）、スルホンアミド基（−ＳＯ_２ＮＲ’_２）、スルホネート基（−ＳＯ_３Ｒ’）、ニトロ基（−ＮＯ_２）、またはトリフルオロメタン（−ＣＦ_３）基であり、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つの置換基がシアノ基である。また、Ｒ’は、アミン基、アミド基、エーテル基、もしくはエステル基で置換されているかまたは非置換である炭素数１〜６０のアルキル基、アリール基、または複素環基である。

このような化合物は、芳香環含有有機シアン化合物としての機能すなわち電子吸引性に特に優れており、隣接する正孔輸送層５’からより確実に電子を引き抜くことができるとともに、より確実に引き抜いた電子を電子注入層１０（陽極３）側に輸送することができる。
さらに、芳香環含有有機シアン化合物としては、前述したような化学式（４０）に示す化合物において、Ｒ１〜Ｒ６はすべてシアノ基であるのがより好ましい。すなわち、芳香環含有有機シアン化合物としては、下記化学式（５０）に示すようなヘキサシアノヘキサアザトリフェニレンを用いるのが好ましい。このように電子吸引性の高いシアノ基を複数有することにより、下記化学式（５０）に示す化合物は、前述した機能をより顕著に発揮するものとなる。

なお、芳香環含有有機シアン化合物は、キャリア発生層１５において、非晶質の状態で存在していることが好ましい。これにより、上述したような芳香環含有有機シアン化合物の効果をより顕著に得ることができる。なお、キャリア発生層１５を、真空蒸着法等の気相成膜法により形成することで、芳香環含有有機シアン化合物を、非晶質の状態とすることができる。

また、キャリア発生層１５の平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、４０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０以上、３０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。これにより、発光素子１の駆動電圧が高くなるのを防止しつつ、キャリア発生層１５の機能を確実に発揮させることができる。
なお、正孔輸送層５’、電子輸送層９’および電子注入層１０’の構成材料としては、それぞれ、正孔輸送層５’、電子輸送層９’および電子注入層１０’の構成材料で挙げたものを用いることができ、対応する各層を構成する構成材料は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。

＜第７実施形態＞
図７は、本発明の発光素子の第７実施形態を模式的に示す断面図である。
以下、第７実施形態の発光素子について、前述した第３実施形態との違いを中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
第７実施形態の発光素子１は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送層５の形成を省略し、キャリア捕捉層６を、正孔輸送層５としての機能と、キャリア捕捉層６としての機能とを併せ持つ構成としたこと以外は、前記第３実施形態の発光素子と同様である。

すなわち、図７に示す発光素子１は、陽極３と正孔注入層４とキャリア捕捉層６と中間層８と青色発光層７Ｂと電子輸送層９と電子注入層１０と陰極１１とがこの順に積層されてなるものである。換言すれば、発光素子１では、陽極３と陰極１１との間に、陽極３側から陰極１１側へ、正孔注入層４とキャリア捕捉層６と中間層８と青色発光層７Ｂと電子輸送層９と電子注入層１０とがこの順で積層された積層体１４が介挿されている。
そして、発光素子１は、その全体が基板２上に設けられるとともに、封止部材１２で封止されている。

このような発光素子１にあっては、青色発光層７Ｂに対し、陰極１１側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、青色発光層７Ｂでは、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出する。そのため、青色発光層７Ｂが青色の可視光を発光する。すなわち、本実施形態の発光素子１は、青色の可視光を発光する。したがって、本実施形態では、青色発光層７Ｂの１層により、可視光を発光する可視光発光層７が構成される。

また、キャリア捕捉層６を、正孔輸送層５としての機能と、キャリア捕捉層６としての機能とを併せ持つ構成とするには、前記第１実施形態で挙げた、正孔輸送層５の構成材料（正孔輸送性材料）に、上記式（１）で表わされるチアゾール系化合物を、ドーピング（添加）することで実現することができる。さらに、この場合、正孔輸送性材料としては、特に、アミン系材料を用いるのが好ましい。これにより、前記双方の機能をより顕著に発揮させることができるようになる。

次に、上述した本発明の発光素子を備える発光装置（本発明の発光装置）について説明する。
（照明用光源）
まず、本発明の発光装置を照明用光源に適用した場合について説明する。
図８は、本発明の発光装置を適用した照明用光源の実施形態を示す図である。
図８に示す照明用光源２００は、照明用、特に屋内を照明するために用いられる光源である。

この照明用光源２００は、透明基板２０５と、発光素子１とを有する。
発光素子１は、透明電極２０２と、対向電極２０３と、積層体２０１とを有し、透明電極２０２と対向電極２０３との間に電界を印加することにより、積層体２０１が備える発光層が発光する。そして、この発光層で生じた発光光が透明基板２０５を透過することにより、例えば、屋内が照明される。

本実施形態では、照明用光源２００が備える発光素子１は、ヒトの目では認識されない近赤外域の赤外光と、可視光とを発光する。
したがって、照明用光源２００を、発光素子１として、前記各実施形態で説明したものを備える構成とすることで、各色の発光光を発光する光源として照明用光源２００が用いられる。
また、照明用光源２００は、色度を変えることなく、長寿命な発光素子１を備えるので、信頼性に優れる。

（発光装置）
次に、本発明の発光装置をディスプレイ装置に適用した場合について説明する。
図９は、本発明の発光装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。
図９に示すディスプレイ装置１００は、基板２と、複数の発光素子１Ａと、各発光素子１Ａをそれぞれ駆動するための複数の駆動用トランジスタ２４とを有している。ここで、ディスプレイ装置１００は、トップエミッション構造のディスプレイパネルである。

基板２上には、複数の駆動用トランジスタ２４が設けられ、これらの駆動用トランジスタ２４を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層２２が形成されている。
各駆動用トランジスタ２４は、シリコンからなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。

平坦化層上には、各駆動用トランジスタ２４に対応して発光素子１Ａが設けられている。
発光素子１Ａは、平坦化層２２上に、反射膜３２、腐食防止膜３３、陽極３、積層体１４Ａ、陰極１1、陰極カバー３４がこの順に積層されている。本実施形態では、各発光素子１Ａの陽極３は、画素電極を構成し、各駆動用トランジスタ２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。また、各発光素子１Ａの陰極１１は、共通電極とされている。

図９における発光素子１Ａのうち、発光素子１Ｒは可視光として赤色光を、発光素子１Ｇは可視光として緑色光を、発光素子１Ｂは可視光として青色光をそれぞれ発光するものである。
このような発光素子１Ａのうち、発光素子１Ｂに可視光の他に、ヒトの目では認識されない赤外光を発光する発光素子１が適用される。すなわち、発光素子１Ｂに、第３実施形態、第５実施形態および第７実施形態で説明した発光素子１が適用される。

隣接する発光素子１Ａ同士の間には、隔壁３１が設けられている。また、これらの発光素子１Ａ上には、これらを覆うように、エポキシ樹脂で構成されたエポキシ層３５が形成されている。
そして、エポキシ層３５上には、これらを覆うように封止基板２０が設けられている。
このようなディスプレイ装置１００によれば、色度を変えることなく、長寿命な発光素子１Ａを備えるので、信頼性に優れる。
このようなディスプレイ装置１００は、各種の電子機器に組み込むことができる。

（電子機器）
図１０は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１０００を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示部１０００に、前述したディスプレイ装置１００が適用されている。
このようなパーソナルコンピュータ１１００によれば、高効率および長寿命な発光素子１を備えるので、信頼性に優れる。

なお、本発明の電子機器は、図１０のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）の他にも、例えば、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、脈拍計測装置、脈波計測装置、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。

以上、本発明の発光素子、発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、本発明の発光素子、発光装置および電子機器は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。
例えば、本発明の発光素子では、前記第１〜第７実施形態で示した任意の２以上の構成を組み合わせるようにしてもよい。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．チアジアゾール系化合物の製造
（合成例Ａ１）上記式Ｄ−２で表わされる化合物の合成

合成（Ａ１−１）
５リットルのフラスコに発煙硝酸１５００ｍｌを入れ冷却した。そこへ１０〜５０℃に保つようにして硫酸１５００ｍｌを分割添加した。さらにそこへ原料のジブロモベンゾチアジアゾールである化合物（ａ）を１５０ｇを１時間かけて少量ずつ添加した。その際に溶液温度は５℃以下になるように行った。全量添加後、室温（２５℃）において２０時間反応させた。反応後、氷３ｋｇに反応液を注ぎ、一晩攪拌した。その後、ろ過してメタノール、ヘプタンで洗浄した。
ろ過して残った物を２００ｍｌのトルエンで熱溶解させた後、室温まで徐冷後にろ過し、残ったものを少量のトルエンで洗浄後、減圧乾燥させた。
これにより、ＨＰＬＣ純度９５％の化合物（ｂ）（４、７−ジブロモ−５、６−ジニトロ−ベンゾ[１、２、５]チアジアゾール）６０ｇを得た。

合成（Ａ１−２）
Ａｒ下、５リットルのフラスコに、得られたジブロモ体である化合物（ｂ）３０ｇとトリフェニルアミンのボロン酸体５４．２ｇ、トルエン２５００ｍｌ、２Ｍ炭酸セシウム水溶液（１５２ｇ／（蒸留水）２３４ｍｌ）を入れ、９０℃で一晩反応させた。反応後ろ過、分液、濃縮し、得られた粗体５２ｇをシリカゲルカラム（ＳｉＯ_２ ５ｋｇ）で分離し、赤紫色固体を得た。
これにより、ＨＰＬＣ純度９６％の化合物（c）８．９ｇを得た。

なお、トリフェニルアミンのボロン酸体の合成に際しては、Ａｒ下、５リットルのフラスコに、４−ブロモトリフェニルアミン（市販品）２４６ｇ、脱水テトラヒドロフラン１５００ｍｌを入れ、−６０℃で１．６Ｍ ｎ−BuLi／ヘキサン溶液５７０ｍｌを３時間かけて滴下した。３０分後ホウ酸トリイソプロピル４２９ｇを１時間かけて滴下した。滴下後は成り行きの温度で一晩反応させた。反応後、水２リットルを滴下し、その後トルエン２リットルで抽出、分液した。有機層を濃縮、再結晶し、ろ過、乾燥させて白色の目的物であるボロン酸体１６０ｇを得た。
得られたボロン酸体のＨＰＬＣ純度は、９９％であった。

合成（Ａ１−３）
Ａｒ下、１リットルのフラスコに、得られたジニトロ体である化合物（ｃ）８ｇ、還元鉄７ｇ、酢酸６００ｍｌを入れ、８０℃で４時間反応させて室温まで冷却させた。反応後、反応液をイオン交換水１．５リットルに注ぎ、そこへ酢酸エチル１．５リットルをさらに添加した。添加後、固体が析出していたので、テトラヒドロフラン１リットルと食塩３００ｇを添加し、分液した。水層は１リットルのテトラヒドロフランで再抽出した。濃縮乾燥したものを再度、少量の水、メタノールにて洗浄し、橙色固体を得た。
これにより、ＨＰＬＣ純度８０％の化合物（ｄ）７ｇを得た。

合成（Ａ１−４）
Ａｒ下、１リットルのフラスコに、得られたジアミン体である化合物（ｄ）４．５ｇ、ベンジル３．７ｇ、溶媒として酢酸３００ｍｌを入れ、８０℃にて２時間反応させた。反応後、室温まで冷却させ、反応液をイオン交換水１リットルに注ぎ、結晶をろ過、水洗、７ｇの黒緑色固体を得た。そして、その黒緑色固体をシリカゲルカラム（ＳｉＯ_２ １ｋｇ）で精製した。
これにより、ＨＰＬＣ純度９９％の化合物（e）（前記式Ｄ−２で表わされる化合物）４ｇを得た。この化合物（e）を質量分析したところ、Ｍ＋：８２６であった。
さらに、得られた化合物（e）を設定温度３４０℃で昇華精製した。その昇華精製後の化合物（e）のＨＰＬＣ純度は９９％であった。

（合成例Ａ２）前記式Ｄ−１で表わされる化合物の合成

合成（Ａ２−１）〜（Ａ２−３）
前記合成例Ａ１で説明した合成（Ａ１−２）において、トリフェニルアミンのボロン酸体に代えて、フェニルボロン酸を用いたこと以外は、合成（Ａ１−１）〜（Ａ１−３）と同様にして、ジアミン体である化合物（ｄ）を得た。
合成（Ａ２−４）
Ａｒ下、１リットルのフラスコに、得られたジアミン体である化合物（ｄ）２．３ｇ、ベンジル３．７ｇ、溶媒として酢酸３００ｍｌを入れ、８０℃にて２時間反応させた。反応後、室温まで冷却させ、反応液をイオン交換水１リットルに注ぎ、結晶をろ過、水洗、７ｇの黒緑色固体を得た。そして、その黒緑色固体をシリカゲルカラム（ＳｉＯ_２ １ｋｇ）で精製した。
これにより、ＨＰＬＣ純度９９％の化合物（e）（前記式Ｄ−１で表わされる化合物）２．７ｇを得た。この化合物（e）を質量分析したところ、Ｍ＋：４９２であった。
さらに、得られた化合物（e）を設定温度３４０℃で昇華精製した。その昇華精製後の化合物（e）のＨＰＬＣ純度は９９％であった。

（合成例Ａ３）前記式Ｄ−１１で表わされる化合物の合成

合成（Ａ３−１）〜（Ａ３−３）
前記合成例Ａ１で説明した合成（Ａ１−１）〜（Ａ１−３）と同様にして、ジアミン体である化合物（ｄ）を得た。
合成（Ａ３−４）
Ａｒ下、１リットルのフラスコに、得られたジアミン体である化合物（ｄ）１．５ｇ、９，１０−フェナントレンキノン０．６ｇ、溶媒として酢酸３００ｍｌを入れ、８０℃にて２時間反応させた。反応後、室温まで冷却させ、反応液をイオン交換水１リットルに注ぎ、結晶をろ過、水洗、２ｇの黒緑色固体を得た。そして、その黒緑色固体をシリカゲルカラム（ＳｉＯ_２ １ｋｇ）で精製した。
これにより、ＨＰＬＣ純度９９％の化合物（e）（前記式Ｄ−１１で表わされる化合物）１．５ｇを得た。この化合物（e）を質量分析したところ、Ｍ＋：８２４であった。
さらに、得られた化合物（e）を設定温度３４０℃で昇華精製した。その昇華精製後の化合物（e）のＨＰＬＣ純度は９９％であった。

（合成例Ａ４）前記式Ｄ−１０で表わされる化合物の合成

合成（Ａ４−１）〜（Ａ４−３）
前記合成例Ａ１で説明した合成（Ａ１−２）において、トリフェニルアミンのボロン酸体に代えて、フェニルボロン酸を用いたこと以外は、合成（Ａ１−１）〜（Ａ１−３）と同様にして、ジアミン体である化合物（ｄ）を得た。
合成（Ａ４−４）
Ａｒ下、１リットルのフラスコに、得られたジアミン体である化合物（ｄ）１．５ｇ、９，１０−フェナントレンキノン２．４ｇ、溶媒として酢酸３００ｍｌを入れ、８０℃にて２時間反応させた。反応後、室温まで冷却させ、反応液をイオン交換水１リットルに注ぎ、結晶をろ過、水洗、２ｇの黒緑色固体を得た。そして、その黒緑色固体をシリカゲルカラム（ＳｉＯ_２ １ｋｇ）で精製した。
これにより、ＨＰＬＣ純度９９％の化合物（e）（前記式Ｄ−１０で表わされる化合物）１．８ｇを得た。この化合物（e）を質量分析したところ、Ｍ＋：４９０であった。
さらに、得られた化合物（e）を設定温度３４０℃で昇華精製した。その昇華精製後の化合物（e）のＨＰＬＣ純度は９９％であった。

（合成例Ａ５）前記式Ｄ−５で表わされる化合物の合成

合成（Ａ５−１）〜（Ａ５−３）
前記合成例Ａ１で説明した合成（Ａ１−１）〜（Ａ１−３）と同様にして、ジアミン体である化合物（ｄ）を得た。
合成（Ａ５−４）
Ａｒ下、１リットルのフラスコに、得られたジアミン体である化合物（ｄ）１．５ｇ、ｏ−ベンゾキノン水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ）５．７ｍｌ（Ｖｏｉｇｔ Ｇｌｏｂａｌ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｉｎｃ．）、溶媒として酢酸３００ｍｌを入れ、８０℃にて２時間反応させた。反応後、室温まで冷却させ、反応液をイオン交換水１リットルに注ぎ、結晶をろ過、水洗、２ｇの黒緑色固体を得た。そして、その黒緑色固体をシリカゲルカラム（ＳｉＯ_２ １ｋｇ）で精製した。
これにより、ＨＰＬＣ純度９９％の化合物（e）（前記式Ｄ−５で表わされる化合物）０．８ｇを得た。この化合物（e）を質量分析したところ、Ｍ＋：７２４であった。
さらに、得られた化合物（e）を設定温度３４０℃で昇華精製した。その昇華精製後の化合物（e）のＨＰＬＣ純度は９９％であった。

（合成例Ａ６）前記式Ｄ−４で表わされる化合物の合成

合成（Ａ６−１）〜（Ａ６−３）
前記合成例Ａ１で説明した合成（Ａ１−２）において、トリフェニルアミンのボロン酸体に代えて、フェニルボロン酸を用いたこと以外は、合成（Ａ１−１）〜（Ａ１−３）と同様にして、ジアミン体である化合物（ｄ）を得た。
合成（Ａ６−４）
Ａｒ下、１リットルのフラスコに、得られたジアミン体である化合物（ｄ）１．５ｇ、ｏ−ベンゾキノン水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ）１２ｍｌ（Ｖｏｉｇｔ Ｇｌｏｂａｌ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｉｎｃ．）、溶媒として酢酸３００ｍｌを入れ、８０℃にて２時間反応させた。反応後、室温まで冷却させ、反応液をイオン交換水１リットルに注ぎ、結晶をろ過、水洗、２ｇの黒緑色固体を得た。そして、その黒緑色固体をシリカゲルカラム（ＳｉＯ_２ １ｋｇ）で精製した。
これにより、ＨＰＬＣ純度９９％の化合物（e）（前記式Ｄ−４で表わされる化合物）０．９ｇを得た。この化合物（e）を質量分析したところ、Ｍ＋：３９０であった。
さらに、得られた化合物（e）を設定温度３４０℃で昇華精製した。その昇華精製後の化合物（e）のＨＰＬＣ純度は９９％であった。

（合成例Ａ７）前記式Ｄ−８で表わされる化合物の合成

合成（Ａ７−１）〜（Ａ７−３）
前記合成例Ａ１で説明した合成（Ａ１−１）〜（Ａ１−３）と同様にして、ジアミン体である化合物（ｄ）を得た。
合成（Ａ７−４）
Ａｒ下、１リットルのフラスコに、得られたジアミン体である化合物（ｄ）１．５ｇ、１，２−ナフトキノン０．９ｇ、溶媒として酢酸３００ｍｌを入れ、８０℃にて２時間反応させた。反応後、室温まで冷却させ、反応液をイオン交換水１リットルに注ぎ、結晶をろ過、水洗、２ｇの黒緑色固体を得た。そして、その黒緑色固体をシリカゲルカラム（ＳｉＯ_２ １ｋｇ）で精製した。
これにより、ＨＰＬＣ純度９９％の化合物（e）（前記式Ｄ−８で表わされる化合物）１．４ｇを得た。この化合物（e）を質量分析したところ、Ｍ＋：７７４であった。
さらに、得られた化合物（e）を設定温度３４０℃で昇華精製した。その昇華精製後の化合物（e）のＨＰＬＣ純度は９９％であった。

（合成例Ａ８）前記式Ｄ−７で表わされる化合物の合成

合成（Ａ８−１）〜（Ａ８−３）
前記合成例Ａ１で説明した合成（Ａ１−２）において、トリフェニルアミンのボロン酸体に代えて、フェニルボロン酸を用いたこと以外は、合成（Ａ１−１）〜（Ａ１−３）と同様にして、ジアミン体である化合物（ｄ）を得た。
合成（Ａ８−４）
Ａｒ下、１リットルのフラスコに、得られたジアミン体である化合物（ｄ）１．５ｇ、１，２−ナフトキノン１．９ｇ、溶媒として酢酸３００ｍｌを入れ、８０℃にて２時間反応させた。反応後、室温まで冷却させ、反応液をイオン交換水１リットルに注ぎ、結晶をろ過、水洗、２ｇの黒緑色固体を得た。そして、その黒緑色固体をシリカゲルカラム（ＳｉＯ_２ １ｋｇ）で精製した。
これにより、ＨＰＬＣ純度９９％の化合物（e）（前記式Ｄ−７で表わされる化合物）１．４ｇを得た。この化合物（e）を質量分析したところ、Ｍ＋：４４０であった。
さらに、得られた化合物（e）を設定温度３４０℃で昇華精製した。その昇華精製後の化合物（e）のＨＰＬＣ純度は９９％であった。

２．発光素子の製造
（実施例１）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、キャリア捕捉層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５ｎｍのキャリア捕捉層を形成した。キャリア捕捉層の構成材料としては、チアジアゾール系化合物（ゲスト材料）として前記式Ｄ−１で表わされる化合物を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、キャリア捕捉層中のチアジアゾール系化合物（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を３．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、キャリア捕捉層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す中間層の構成材料で構成される平均厚さ１５ｎｍの中間層を形成した。
ここで、第１の中間層の構成材料としては、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物を用い、アミン系材料としてテトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジンを用いた。また、中間層中のホスト材料の含有量は、３０ｗｔ％とした。

＜５＞ 次に、中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３０ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２４Ｂ）で表わされる化合物（スチリルアミン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、青色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を６．０ｗｔ％とした。

＜６＞ 次に、青色発光層上に、前記式ＥＴＬ−Ａ３で表わされる化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ４０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜７＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜８＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
＜９＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（実施例２）
前記実施例１の工程＜３＞において、キャリア捕捉層のチアジアゾール系化合物として、前記式Ｄ−１で表わされる化合物に代えて、前記式Ｄ−４で表わされる化合物を用いた以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。
（実施例３）
前記実施例１の工程＜３＞において、キャリア捕捉層のチアジアゾール系化合物として、前記式Ｄ−１で表わされる化合物に代えて、前記式Ｄ−７で表わされる化合物を用いた以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。

（実施例４）
前記実施例１の工程＜３＞において、キャリア捕捉層のチアジアゾール系化合物として、前記式Ｄ−１で表わされる化合物に代えて、前記式Ｄ−１０で表わされる化合物を用いた以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。
（実施例５）
前記実施例１の工程＜３＞において、キャリア捕捉層のチアジアゾール系化合物として、前記式Ｄ−１で表わされる化合物に代えて、前記式Ｄ−２で表わされる化合物を用いた以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。

（実施例６）
前記実施例１の工程＜３＞において、キャリア捕捉層のチアジアゾール系化合物として、前記式Ｄ−１で表わされる化合物に代えて、前記式Ｄ−５で表わされる化合物を用いた以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。
（実施例７）
前記実施例１の工程＜３＞において、キャリア捕捉層のチアジアゾール系化合物として、前記式Ｄ−１で表わされる化合物に代えて、前記式Ｄ−８で表わされる化合物を用いた以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。

（実施例８）
前記実施例１の工程＜３＞において、キャリア捕捉層のチアジアゾール系化合物として、前記式Ｄ−１で表わされる化合物に代えて、前記式Ｄ−１１で表わされる化合物を用いた以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。
（実施例９）
前記実施例１の工程＜３＞において、キャリア捕捉層のチアジアゾール系化合物として、前記式Ｄ−１で表わされる化合物に代えて、前記式Ｄ−１１で表わされる化合物を用い、前記実施例１の工程＜４＞において、ホスト材料の添加を省略して、中間層を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。

（比較例１）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ６０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３０ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２４Ｂ）で表わされる化合物（スチリルアミン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、青色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を６．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、青色発光層上に、前記式ＥＴＬ−Ａ３で表わされる化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ４０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜５＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜６＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
＜７＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（実施例１０）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、キャリア捕捉層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５ｎｍのキャリア捕捉層を形成した。キャリア捕捉層の構成材料としては、チアジアゾール系化合物（ゲスト材料）として前記式Ｄ−１１で表わされる化合物を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、キャリア捕捉層中のチアジアゾール系化合物（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を３．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、キャリア捕捉層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す中間層の構成材料で構成される平均厚さ１５ｎｍの中間層を形成した。
ここで、第１の中間層の構成材料としては、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物を用い、アミン系材料としてテトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジンを用いた。また、中間層中のホスト材料の含有量は、３０ｗｔ％とした。

＜５＞ 次に、中間層上に、黄色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３０ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２６Ａ）で表わされる化合物（テトラセン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、黄色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を３．０ｗｔ％とした。

＜６＞ 次に、黄色発光層上に、前記式ＥＴＬ−Ａ３で表わされる化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ４０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜７＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。

＜８＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
＜９＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（比較例２）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ６０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、黄色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３０ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２６Ａ）で表わされる化合物（テトラセン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、黄色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を３．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、黄色発光層上に、前記式ＥＴＬ−Ａ３で表わされる化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ４０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜５＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜６＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
＜７＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（実施例１１）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３５ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、キャリア捕捉層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５ｎｍのキャリア捕捉層を形成した。キャリア捕捉層の構成材料としては、チアジアゾール系化合物（ゲスト材料）として前記式Ｄ−１１で表わされる化合物を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、キャリア捕捉層中のチアジアゾール系化合物（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を３．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、キャリア捕捉層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す中間層の構成材料で構成される平均厚さ１５ｎｍの中間層を形成した。
ここで、第１の中間層の構成材料としては、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物を用い、アミン系材料としてテトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジンを用いた。また、中間層中のホスト材料の含有量は、３０ｗｔ％とした。

＜５＞ 次に、中間層上に、黄色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの黄色発光層を形成した。黄色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２６Ａ）で表わされる化合物（テトラセン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、黄色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を３．０ｗｔ％とした。

＜６＞ 次に、黄色発光層上に、シアン発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍのシアン発光層を形成した。シアン発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２４Ｂ）で表わされる化合物（スチリルアミン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、シアン発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を６．０ｗｔ％とした。

＜７＞ 次に、シアン発光層上に、前記式ＥＴＬ−Ａ３で表わされる化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ２５ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜８＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜９＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
＜１０＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（比較例３）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５５ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、黄色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの黄色発光層を形成した。黄色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２６Ａ）で表わされる化合物（テトラセン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、黄色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を３．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、黄色発光層上に、シアン発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍのシアン発光層を形成した。シアン発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２４Ｂ）で表わされる化合物（スチリルアミン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、シアン発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を６．０ｗｔ％とした。

＜５＞ 次に、シアン発光層上に、前記式ＥＴＬ−Ａ３で表わされる化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ２５ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜６＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜７＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
＜８＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（実施例１２）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、キャリア捕捉層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５ｎｍのキャリア捕捉層を形成した。キャリア捕捉層の構成材料としては、チアジアゾール系化合物（ゲスト材料）として前記式Ｄ−１１で表わされる化合物を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、キャリア捕捉層中のチアジアゾール系化合物（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を３．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、キャリア捕捉層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１５ｎｍの赤色発光層を形成した。赤色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（１７）で表わされる化合物（ジインデノペリレン誘導体）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、赤色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を２．０ｗｔ％とした。

＜５＞ 次に、赤色発光層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す中間層の構成材料で構成される平均厚さ１５ｎｍの中間層を形成した。
ここで、第１の中間層の構成材料としては、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物を用い、アミン系材料としてテトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジンを用いた。また、中間層中のホスト材料の含有量は、３０ｗｔ％とした。

＜６＞ 次に、中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２４Ｂ）で表わされる化合物（スチリルアミン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、青色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を５．０ｗｔ％とした。

＜７＞ 次に、青色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの緑色発光層を形成した。緑色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２５）で表わされる化合物（キナクリドン誘導体）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、緑色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を６．０ｗｔ％とした。

＜８＞ 次に、緑色発光層上に、前記式ＥＴＬ−Ａ３で表わされる化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ２５ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜９＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜１０＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
＜１１＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（比較例４）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３５ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１５ｎｍの赤色発光層を形成した。赤色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（１７）で表わされる化合物（ジインデノペリレン誘導体）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、赤色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を２．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、赤色発光層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す中間層の構成材料で構成される平均厚さ１５ｎｍの中間層を形成した。
ここで、第１の中間層の構成材料としては、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物を用い、アミン系材料としてテトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジンを用いた。また、中間層中のホスト材料の含有量は、３０ｗｔ％とした。

＜５＞ 次に、中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２４Ｂ）で表わされる化合物（スチリルアミン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、青色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を５．０ｗｔ％とした。

＜６＞ 次に、青色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの緑色発光層を形成した。緑色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２５）で表わされる化合物（キナクリドン誘導体）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、緑色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を６．０ｗｔ％とした。

＜７＞ 次に、緑色発光層上に、前記式ＥＴＬ−Ａ３で表わされる化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ２５ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜８＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜９＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
＜１０＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（実施例１３）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ６０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３０ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２４Ｂ）で表わされる化合物（スチリルアミン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、青色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を６．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、青色発光層上に、キャリア捕捉層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５ｎｍのキャリア捕捉層を形成した。キャリア捕捉層の構成材料としては、チアジアゾール系化合物（ゲスト材料）として前記式Ｄ−１１で表わされる化合物を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、キャリア捕捉層中のチアジアゾール系化合物（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を３．０ｗｔ％とした。

＜５＞ 次に、キャリア捕捉層上に、前記式ＥＴＬ−Ａ３で表わされる化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ３５ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜６＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜７＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
＜８＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（実施例１４）
前記実施例１の工程＜４＞において、キャリア捕捉層のホスト材料として、前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物に代えて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）を用いた以外は、前記実施例１３と同様にして発光素子を製造した。

（実施例１５）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、キャリア捕捉層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５ｎｍのキャリア捕捉層を形成した。キャリア捕捉層の構成材料としては、チアジアゾール系化合物（ゲスト材料）として前記式Ｄ−１１で表わされる化合物を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、キャリア捕捉層中のチアジアゾール系化合物（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を３．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、キャリア捕捉層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す中間層の構成材料で構成される平均厚さ１５ｎｍの中間層を形成した。
ここで、第１の中間層の構成材料としては、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物を用い、アミン系材料としてテトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジンを用いた。また、中間層中のホスト材料の含有量は、３０ｗｔ％とした。

＜５＞ 次に、中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３０ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２４Ｂ）で表わされる化合物（スチリルアミン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、青色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を６．０ｗｔ％とした。

＜６＞ 次に、青色発光層上に、キャリア捕捉層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５ｎｍのキャリア捕捉層を形成した。キャリア捕捉層の構成材料としては、チアジアゾール系化合物（ゲスト材料）として前記式Ｄ−１１で表わされる化合物を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、キャリア捕捉層中のチアジアゾール系化合物（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を３．０ｗｔ％とした。

＜７＞ 次に、キャリア捕捉層上に、前記式ＥＴＬ−Ａ３で表わされる化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ３５ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜８＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜９＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
＜１０＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（実施例１６）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの赤色発光層を形成した。赤色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（１７）で表わされる化合物（ジインデノペリレン誘導体）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、赤色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を２．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、赤色発光層上に、前記式ＥＴＬ−Ａ３で表わされる化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜５＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜６＞ 次に、電子輸送層上に、真空蒸着法を用いて、前記式（５０）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍのキャリア発生層を形成した。
＜７＞ 次に、キャリア発生層上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

＜８＞ 次に、正孔輸送層上に、キャリア捕捉層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５ｎｍのキャリア捕捉層を形成した。キャリア捕捉層の構成材料としては、チアジアゾール系化合物（ゲスト材料）として前記式Ｄ−１１で表わされる化合物を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、キャリア捕捉層中のチアジアゾール系化合物（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を３．０ｗｔ％とした。

＜９＞ 次に、キャリア捕捉層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す中間層の構成材料で構成される平均厚さ１５ｎｍの中間層を形成した。
ここで、第１の中間層の構成材料としては、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物を用い、アミン系材料としてテトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジンを用いた。また、中間層中のホスト材料の含有量は、３０ｗｔ％とした。

＜１０＞ 次に、中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１５ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２４Ｂ）で表わされる化合物（スチリルアミン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、青色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を５．０ｗｔ％とした。

＜１１＞ 次に、青色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１５ｎｍの緑色発光層を形成した。緑色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２５）で表わされる化合物（キナクリドン誘導体）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、緑色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を６．０ｗｔ％とした。

＜１２＞ 次に、緑色発光層上に、前記式ＥＴＬ−Ａ３で表わされる化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ２５ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜１３＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜１４＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
＜１５＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（比較例５）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔輸送層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの赤色発光層を形成した。赤色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（１７）で表わされる化合物（ジインデノペリレン誘導体）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ１−５で表わされる化合物（テトラセン系材料）を用いた。また、赤色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を２．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、赤色発光層上に、前記式ＥＴＬ−Ａ３で表わされる化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜５＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜６＞ 次に、電子輸送層上に、真空蒸着法を用いて、前記式（５０）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍのキャリア発生層を形成した。
＜７＞ 次に、キャリア発生層上に、アミン系の正孔輸送性材料（テトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジン）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

＜８＞ 次に、キャリア発生層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１５ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２４Ｂ）で表わされる化合物（スチリルアミン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、青色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を５．０ｗｔ％とした。

＜９＞ 次に、青色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１５ｎｍの緑色発光層を形成した。緑色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２５）で表わされる化合物（キナクリドン誘導体）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、緑色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を６．０ｗｔ％とした。

＜１０＞ 次に、緑色発光層上に、前記式ＥＴＬ−Ａ３で表わされる化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ２５ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜１１＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜１２＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
＜１３＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（実施例１７）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を７０〜９０℃に加温した状態で、プラズマパワー１００Ｗ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、処理時間５ｓｅｃで行った。

＜２＞ 次に、陽極上に、キャリア捕捉層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ６０ｎｍのキャリア捕捉層を形成した。キャリア捕捉層の構成材料としては、チアジアゾール系化合物（ゲスト材料）として前記式Ｄ−１１で表わされる化合物を用い、ホスト材料としてテトラキス−ｐ−ビフェニリル−ベンジジンを用いた。また、キャリア捕捉層中のチアジアゾール系化合物（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を３．０ｗｔ％とした。

＜３＞ 次に、キャリア捕捉層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３０ｎｍの青色発光層を形成した。青色発光層の構成材料としては、発光材料（ゲスト材料）として前記化学式（２４Ｂ）で表わされる化合物（スチリルアミン系化合物）を用い、ホスト材料として前記式Ｈ２−３４で表わされる化合物（アントラセン系材料）を用いた。また、青色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）を６．０ｗｔ％とした。

＜４＞ 次に、青色発光層上に、前記式ＥＴＬ−Ａ３で表わされる化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ４０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜５＞ 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜６＞ 次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１５０ｎｍの陰極を形成した。
＜７＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

３．評価
各実施例および各比較例の発光素子について、一定電流電源（株式会社東陽テクニカ製 ＫＥＩＴＨＬＥＹ２４００）を用いて、１００ｍＡ／ｃｍ^２の定電流を流し、そのときの発光波形を波形測定器（相馬光学社製、「Ｓ−２４４０」）を用いて測定した。
また、そのときの発光光の色度（ｘ，ｙ）を色度計（コニカミノルタセンシング社製、「ＣＳ−２０００」）を用いて、発光輝度（ｃｄ／ｍ^２）を光パワー測定機（エーディーシー社製、「光パワーメーター ８２３０」）を用いて測定した。
さらに、各実施例および各比較例の発光素子について、それぞれ、発光素子に１００ｍＡ／ｃｍ^２の定電流を流し、初期の輝度の８０％となるまでの時間（ＬＴ８０）を測定した。
これらの測定結果を表１〜５および図１１〜１６に示す。

表１、および図１１〜図１４より明らかなように、可視光として青色光を発光する各実施例の発光素子では、キャリア捕捉層を発光層の陽極側および／または陰極側の何れに配置した場合においても、キャリア捕捉層の形成を省略した比較例１の発光素子と比較して、色度を変えることなく、青色光を発光させることができた。
さらに、表１から明らかなように、各実施例の発光素子は、高い発光輝度が得られ、かつ、比較例１の発光素子と比較して長寿命化が図られていることが判った。

表２、および図１４より明らかなように、可視光として黄色光を発光する実施例１０の発光素子では、キャリア捕捉層の形成を省略した比較例２の発光素子と比較して、色度を変えることなく、黄色光を発光させることができた。
さらに、表２から明らかなように、実施例１０の発光素子は、高い発光輝度が得られ、かつ、比較例２の発光素子と比較して長寿命化が図られていることが判った。

表３、および図１５より明らかなように、可視光として白色光（シアン光＋黄色光）を発光する実施例１１の発光素子では、キャリア捕捉層の形成を省略した比較例３の発光素子と比較して、色度を変えることなく、白色光を発光させることができた。
さらに、表３から明らかなように、実施例１１の発光素子は、高い発光輝度が得られ、かつ、比較例３の発光素子と比較して長寿命化が図られていることが判った。

表４、および図１５より明らかなように、可視光として白色光（赤色光＋緑色光＋青色光）を発光する実施例１２の発光素子では、キャリア捕捉層の形成を省略した比較例４の発光素子と比較して、色度を変えることなく、白色光を発光させることができた。
さらに、表４から明らかなように、実施例１２の発光素子は、高い発光輝度が得られ、かつ、比較例４の発光素子と比較して長寿命化が図られていることが判った。

表５、および図１６より明らかなように、可視光として白色光（赤色光＋緑色光＋青色光）を発光する実施例１６の発光素子では、キャリア捕捉層の形成を省略した比較例５の発光素子と比較して、色度を変えることなく、白色光を発光させることができた。
さらに、表５から明らかなように、実施例１６の発光素子は、高い発光輝度が得られ、かつ、比較例５の発光素子と比較して長寿命化が図られていることが判った。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｇ、１Ｒ……発光素子 ２……基板 ３……陽極 ４……正孔注入層 ５……正孔輸送層 ６……キャリア捕捉層 ７……可視光発光層 ７Ｒ……赤色発光層 ７Ｇ……緑色発光層 ７Ｂ……青色発光層 ７Ｃ……シアン発光層 ７Ｙ……黄色発光層 ８……中間層 ９……電子輸送層 １０……電子注入層 １１……陰極 １２……封止部材 １４、１４Ａ……積層体 １５……キャリア発生層 ２０……封止基板 ２２……平坦化層 ２４……駆動用トランジスタ ３１……隔壁 ３２……反射膜 ３３……腐食防止膜 ３４……陰極カバー ３５……エポキシ層 １００……ディスプレイ装置 ２００……照明用光源 ２０１……積層体 ２０２……透明電極 ２０３……対向電極 ２０５……透明基板 ２４１……半導体層 ２４２……ゲート絶縁層 ２４３……ゲート電極 ２４４……ソース電極 ２４５……ドレイン電極 １０００……表示部 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット

Claims (10)

1. 陽極と、
   陰極と、
   前記陽極と前記陰極との間に設けられた、可視光を発光する発光層、および、下記式（１）で表わされるチアジアゾール系化合物と、ホスト材料としてのアセン系材料とを含有するキャリア捕捉層とを有し、
   前記キャリア捕捉層は、前記発光層よりも前記陰極側に位置し、かつ、前記発光層に接することを特徴とする発光素子。
   

   

   ［式（１）中、Ａは、それぞれ独立に、ジアリールアミノ基を置換基として有していてもよいアリール基またはジアリールアミノ基を示し、Ｂは、アリール基またはアリール環を形成する基を示す。］
2. 前記チアジアゾール系化合物は、下記式（１Ｂ）で表わされる請求項１に記載の発光素子。
   

   

   ［式（１Ｂ）中、Ａは、それぞれ独立に、ジアリールアミノ基を置換基として有していてもよいアリール基またはジアリールアミノ基を示す。］
3. 前記チアジアゾール系化合物は、下記式（１Ｃ）で表わされる請求項１に記載の発光素子。
   

   

   ［式（１Ｃ）中、Ａは、それぞれ独立に、ジアリールアミノ基を置換基として有していてもよいアリール基またはジアリールアミノ基を示す。］
4. 前記チアジアゾール系化合物は、下記式（１Ｄ）で表わされる請求項１に記載の発光素子。
   

   

   ［式（１Ｄ）中、Ａは、それぞれ独立に、ジアリールアミノ基を置換基として有していてもよいアリール基またはジアリールアミノ基を示す。］
5. 前記発光層は、１層である請求項１ないし４のいずれかに記載の発光素子。
6. 前記発光層は、前記可視光として青色の発光色を発光する請求項５に記載の発光素子。
7. 前記発光層は、前記可視光として黄色の発光色を発光する請求項５に記載の発光素子。
8. 前記発光層は少なくとも２層からなる請求項１ないし４のいずれかに記載の発光素子。
9. 請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子を備えることを特徴とする発光装置。
10. 請求項９に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。

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