JP6115438B2 - Breaking device and cutting method - Google Patents
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Description
本発明は半導体基板、セラミックス基板等の脆性材料基板の上に樹脂層などがコーティングされた複合基板の破断装置及び分断方法に関するものである。 The present invention relates to a breaking device and a cutting method for a composite substrate in which a resin layer or the like is coated on a brittle material substrate such as a semiconductor substrate or a ceramic substrate.
半導体チップは、半導体ウエハに形成された素子領域を、その領域の境界位置で分断することにより製造される。従来、ウエハをチップに分断する場合には、ダイシング装置によってダイシングブレードを回転させて、切削によって半導体ウエハを小さく切断していた。 A semiconductor chip is manufactured by dividing an element region formed on a semiconductor wafer at a boundary position of the region. Conventionally, when a wafer is divided into chips, a dicing blade is rotated by a dicing apparatus, and the semiconductor wafer is cut into small pieces by cutting.
しかしダイシング装置を用いる場合には切削による排出屑を排出するための水が必要であり、その水や排出屑が半導体チップの性能へ悪影響を与えないように、半導体チップへの保護を施し、水や排出屑を洗浄するための前後工程が必要となる。従って工程が複雑となり、コスト削減や加工時間が短縮できないという欠点があった。又ダイシングブレードを用いた切削によって膜が剥がれたり欠けが生じるなどの問題が生じる。又微小な機械構造を有するMEMS基板においては、水の表面張力による構造の破壊が引起こされるため水が使用できず、ダイシングによって分断できないといった問題が生じていた。 However, when using a dicing machine, water is required to discharge the waste generated by cutting, and the semiconductor chip is protected so that the water or the discharged waste does not adversely affect the performance of the semiconductor chip. In addition, a pre- and post-process for cleaning the discharged waste is required. Therefore, the process is complicated, and there is a disadvantage that cost reduction and processing time cannot be shortened. In addition, there is a problem that the film is peeled off or chipped by cutting using a dicing blade. Further, in the MEMS substrate having a minute mechanical structure, the structure is broken by the surface tension of water, so that water cannot be used, and there is a problem that it cannot be divided by dicing.
又特許文献1,2には、スクライブラインが形成された半導体ウエハを、スクライブラインが形成された面の裏面から、スクライブラインに沿って面に垂直に押圧することによりブレイクする基板破断装置が提案されている。以下、このような破断装置によるブレイクの概要を示す。ブレイクの対象となる半導体ウエハには、整列して多数の機能領域が形成されているものとする。分断する場合には、まず半導体ウエハに機能領域の間に等しい間隔を隔てて縦方向及び横方向にスクライブラインを形成する。そしてこのスクライブラインに沿って破断装置で分断する。図1(a)は分断する前の破断装置に載置された半導体ウエハの断面図を示している。本図に示すように、複合基板101に機能領域101a,101bとその間にスクライブラインS1,S2,S3・・・が形成されている。分断する場合には複合基板101の裏面に粘着テープ102を貼り付け、その表面に保護フィルム103を貼り付ける。そしてブレイク時には図1(b)に示すように受け刃105,106のちょうど中間にブレイクすべきスクライブライン、この場合にはスクライブラインS2を配置し、その上部よりブレード104をスクライブラインに合わせて降下させ、複合基板101を押圧する。このようにして一対の受け刃105,106とブレード104との三点曲げによるブレイクが行われていた。 Patent Documents 1 and 2 propose a substrate breaker that breaks a semiconductor wafer on which a scribe line is formed by pressing it perpendicularly to the surface along the scribe line from the back surface of the surface on which the scribe line is formed. Has been. Hereinafter, an outline of the break by such a breaking device will be shown. It is assumed that a number of functional regions are formed in alignment on a semiconductor wafer to be broken. When dividing, first, scribe lines are formed in the vertical direction and the horizontal direction at equal intervals between the functional areas on the semiconductor wafer. And it cut | disconnects with a fracture | rupture apparatus along this scribe line. FIG. 1A shows a cross-sectional view of a semiconductor wafer placed on a breaking device before cutting. As shown in this figure, functional regions 101a, 101b and scribe lines S1, S2, S3,... In the case of dividing, an adhesive tape 102 is attached to the back surface of the composite substrate 101, and a protective film 103 is attached to the surface. In the case of a break, a scribe line to be broken, in this case a scribe line S2, is arranged in the middle of the receiving blades 105 and 106 as shown in FIG. The composite substrate 101 is pressed. In this way, a break by three-point bending between the pair of receiving blades 105 and 106 and the blade 104 has been performed.
このような構成を有する破断装置においては、ブレイク時にブレード104を押し下げて押圧した場合、複合基板101は僅かではあるが撓むので、複合基板101と受け刃105,106の前縁が接する部分に応力が集中する。このため破断装置の受け刃105,106の部分が図1(a)に示すように機能領域101a,101bに接触していると、ブレイク時に機能領域に力が加わってしまう。そのため半導体ウエハ上の機能領域が損傷する可能性があるという問題点があった。 In the breaking device having such a configuration, when the blade 104 is pushed down and pressed at the time of the break, the composite substrate 101 is slightly bent, so the composite substrate 101 and the front edges of the receiving blades 105 and 106 are in contact with each other. Stress is concentrated. For this reason, if the receiving blades 105 and 106 of the breaking device are in contact with the functional areas 101a and 101b as shown in FIG. 1A, a force is applied to the functional area during the break. Therefore, there is a problem that the functional area on the semiconductor wafer may be damaged.
又破断装置を用いて分断する基板として、セラミックス基板上にシリコン樹脂がコーティングされた複合基板がある。このような複合基板ではセラミックス基板をブレイクした後に、樹脂層を直接ブレイクバーで押圧した場合には、樹脂層が変形して損傷し易いという問題点があった。又これを解消するためにレーザ光を用いて分断しようとすると、レーザによる熱の影響により損傷を受けたり、レーザを照射した後、飛散物が周辺に付着してしまうことがあるという問題点があった。 As a substrate to be cut using a breaking device, there is a composite substrate in which a silicon resin is coated on a ceramic substrate. In such a composite substrate, there is a problem that when the resin layer is directly pressed by a break bar after the ceramic substrate is broken, the resin layer is easily deformed and damaged. In order to solve this problem, there is a problem that if the laser beam is used to divide the laser beam, the laser beam may be damaged by the influence of heat or the scattered objects may adhere to the periphery after the laser irradiation. there were.
本発明はこのような問題点に着目してなされたものであって、既に脆性材料基板がブレイクされている複合基板を損傷なく破断できるようにすることを目的とする。 The present invention has been made paying attention to such problems, and an object of the present invention is to be able to break a composite substrate on which a brittle material substrate has already been broken without damage.
この課題を解決するために、本発明の分断方法は、一方の面に機能領域を有する脆性材料基板上に樹脂がコーティングされ、前記機能領域を分断するように前記脆性材料基板にブレイクラインが形成された複合基板を分断する分断方法であって、弾性支持板上に前記複合基板を脆性材料基板の面が上面となるように配置し、エキスパンドバーを前記脆性材料基板のブレイクラインに沿って押下することによって樹脂層を破断するものである。 In order to solve this problem, the dividing method of the present invention is such that a resin is coated on a brittle material substrate having a functional region on one side, and a break line is formed on the brittle material substrate so as to divide the functional region. A dividing method for dividing a composite substrate, wherein the composite substrate is disposed on an elastic support plate so that a surface of the brittle material substrate is an upper surface, and an expand bar is pushed along a break line of the brittle material substrate. By doing so, the resin layer is broken.
この課題を解決するために、本発明の分断方法は、一方の面に機能領域を有する脆性材料基板上に樹脂がコーティングされた複合基板を分断する分断方法であって、前記複合基板の機能領域を分断するように前記脆性材料基板の樹脂がコーティングされていない面をスクライブしてスクライブラインを形成し、前記複合基板の脆性材料基板を前記スクライブラインに沿ってブレイクし、弾性支持板上に前記複合基板を脆性材料基板の面が上面となるように配置し、エキスパンドバーを前記脆性材料基板のブレイクラインに沿って押下することによって樹脂層を破断するものである。 In order to solve this problem, the dividing method of the present invention is a dividing method for dividing a composite substrate in which a resin is coated on a brittle material substrate having a functional region on one side, the functional region of the composite substrate And scribing the surface of the brittle material substrate that is not coated with resin to form a scribe line, breaking the brittle material substrate of the composite substrate along the scribe line, and the composite substrate arranged such that the surface of the brittle material substrate is the upper surface, it is to break the resin layer by pressing along the d Kisupandoba the break line of the brittle material substrate.
この課題を解決するために、本発明の破断装置は、一方の面に機能領域を有する脆性材料基板上に樹脂がコーティングされ、前記機能領域を分断するように前記脆性材料基板にブレイクラインが形成された複合基板の樹脂層を破断する破断装置であって、テーブルと、少なくとも前記複合基板と同等の平面方向の広さを有する弾性部材から成る平板であり、前記テーブル上に配置され、ブレイクラインが形成された面を上面として前記複合基板を保持する弾性支持板と、エキスパンドバーを有するエキスパンダと、前記テーブルをその面に沿って移動させる移動機構と、前記複合基板とエキスパンドバーとを平行に保ちつつ、前記弾性支持板上の複合基板の面に向けて前記エキスパンダを昇降させる昇降機構と、を具備するものである。 In order to solve this problem, in the breaking device of the present invention, a resin is coated on a brittle material substrate having a functional region on one side, and a break line is formed on the brittle material substrate so as to divide the functional region. a breaking device for breaking the resin layer of the composite substrate that is, a table, a flat plate made of an elastic member having a width of at least the composite substrate equivalent to the planar direction, are arranged on the front Symbol table, break An elastic support plate for holding the composite substrate with the surface on which the line is formed as an upper surface, an expander having an expand bar, a moving mechanism for moving the table along the surface, and the composite substrate and the expand bar. And an elevating mechanism that elevates and lowers the expander toward the surface of the composite substrate on the elastic support plate while maintaining parallelism.
ここで前記エキスパンダのエキスパンドバーは、下端の断面が円弧状に形成されたものとしてもよい。 Here, the expander of the expander may have a lower end section formed in an arc shape.
このような特徴を有する本発明によれば、複合基板を弾性支持板上に配置し、ブレイクラインに筋状のエキスパンドバーの最下端ラインが対応するように位置合わせして破断している。そのため、機能領域が損傷することなく樹脂層をブレイクラインに沿って破断することができるという効果が得られる。 According to the present invention having such a feature, the composite substrate is disposed on the elastic support plate, and is aligned and broken so that the lowermost line of the streak-like expanded bar corresponds to the break line. Therefore, the effect that the resin layer can be broken along the break line without damaging the functional region is obtained.
次に本発明の実施の形態について説明する。図2はこのような基板の一例として長方形状の半導体素子が形成された複合基板10の正面図及び側面図を示している。この実施の形態においては分断の対象となる複合基板10をセラミックス基板11上に樹脂層、例えばシリコン樹脂12がコーティングされた複合基板10とする。ここで複合基板10のセラミックス基板11のみの分断は、基板に垂直にスクライブが浸透して一気に分断が進むので「ブレイク」と表現し、シリコン樹脂層12の分断は、力を加えることによって樹脂層の亀裂が徐々に押し広げられて裂けていくので「破断」と表現している。又複合基板10の全体の分断を「分断」として表現している。複合基板10の製造工程でx軸,y軸に平行なラインに沿って縦横に整列して格子状に多数の機能領域13が形成されている。この機能領域13は、例えばLEDや機械構成部品、センサ、アクチュエータ等を作り込んだMEMS機能領域とする。そして各機能領域毎に分断して半導体チップとするために、一点鎖線で示すように縦方向に等間隔のラインをスクライブ予定ラインSy1〜Syn、横方向の等間隔のラインをスクライブ予定ラインSx1〜Sxmとし、これらのスクライブ予定ラインで囲まれる正方形の中央に機能領域の部品が位置するようにする。 Next, an embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 shows a front view and a side view of a composite substrate 10 on which a rectangular semiconductor element is formed as an example of such a substrate. In this embodiment, the composite substrate 10 to be divided is a composite substrate 10 in which a ceramic layer 11 is coated with a resin layer, for example, a silicon resin 12. Here, the division of only the ceramic substrate 11 of the composite substrate 10 is expressed as “break” because the scribe penetrates perpendicularly to the substrate and the division proceeds at a stretch. The division of the silicon resin layer 12 is performed by applying force to the resin layer. Since the cracks of the are gradually spread and tear, it is expressed as “breaking”. Further, the entire division of the composite substrate 10 is expressed as “division”. In the manufacturing process of the composite substrate 10, a large number of functional regions 13 are formed in a lattice shape so as to be aligned vertically and horizontally along lines parallel to the x-axis and y-axis. This functional area 13 is a MEMS functional area in which, for example, LEDs, machine components, sensors, actuators, and the like are built. Then, in order to divide each functional area into semiconductor chips, as shown by alternate long and short dash lines, scribe lines S y1 to S yn are arranged at equal intervals in the vertical direction, and scribe lines are arranged at equal intervals in the horizontal direction. S x1 to S xm are set so that the functional area component is located at the center of the square surrounded by the scribe lines.
次にこの実施の形態の樹脂層の破断に用いられる破断装置20について説明する。破断装置20は、図3に示すようにy方向への移動及び回転することが可能なテーブル21を有している。破断装置20にはテーブル21の下方にテーブル21をその面に沿ってy軸方向に移動させ、更にその面に沿って回転させる移動機構が設けられている。そしてテーブル21の上に後述する弾性支持板40を介して分断対象となる複合基板10が載置される。テーブル21の上部にはコ字状の水平固定部材22が設けられ、その上部にはサーボモータ23が保持されている。サーボモータ23の回転軸にはボールネジ24が直結され、ボールネジ24の下端は、別の水平固定部材25にて回転できるように支持されている。上移動部材26は中央部にボールネジ24に螺合する雌ネジ27を備え、その両端部から下方に向けて支持軸28a,28bを備えている。支持軸28a,28bは水平固定部材25の一対の貫通孔を貫通して下移動部材29に連結されている。下移動部材29の下面には後述するエキスパンダ30がテーブル21の面に平行に取付けられている。これにより、サーボモータ23によりボールネジ24を回転させた場合、上移動部材26と下移動部材29とが一体となって上下動し、エキスパンダ30も同時に上下動することとなる。ここでサーボモータ23と水平固定部材22,25、上下の移動部材26,29はエキスパンダ30を昇降させる昇降機構を構成している。 Next, the breaking device 20 used for breaking the resin layer according to this embodiment will be described. As shown in FIG. 3, the breaking device 20 has a table 21 that can move and rotate in the y direction. The breaking device 20 is provided below the table 21 with a moving mechanism for moving the table 21 along the surface in the y-axis direction and rotating along the surface. Then, the composite substrate 10 to be divided is placed on the table 21 via an elastic support plate 40 described later. A U-shaped horizontal fixing member 22 is provided on the upper portion of the table 21, and a servo motor 23 is held on the upper portion. A ball screw 24 is directly connected to the rotation shaft of the servo motor 23, and the lower end of the ball screw 24 is supported so that it can be rotated by another horizontal fixing member 25. The upper moving member 26 is provided with a female screw 27 screwed into the ball screw 24 at the center, and support shafts 28a and 28b from both ends thereof downward. The support shafts 28 a and 28 b pass through a pair of through holes of the horizontal fixing member 25 and are connected to the lower moving member 29. An expander 30 which will be described later is attached to the lower surface of the lower moving member 29 in parallel to the surface of the table 21. As a result, when the ball screw 24 is rotated by the servo motor 23, the upper moving member 26 and the lower moving member 29 move up and down together, and the expander 30 moves up and down simultaneously. Here, the servo motor 23, the horizontal fixing members 22, 25, and the upper and lower moving members 26, 29 constitute an elevating mechanism for elevating the expander 30.
次にシリコン樹脂層の破断の際に用いるエキスパンダ30について説明する。エキスパンダ30は例えば図4に斜視図を示すように、平面状のベース31に平行な筋状のエキスパンドバー32a〜32nが多数並列に形成されているものとする。この各エキスパンドバーの全ての稜線は1つの平面を構成している。又エキスパンドバーの間隔は一定でスクライブ予定ラインの間隔の2以上の整数倍であればよく、本実施の形態では2倍とする。そして各エキスパンドバーの断面はブレイクラインに沿って押圧することのできる突出部を有する形状であれば特に限定されないが、後述するように湾曲した円弧状とすることが好ましい。尚図4ではエキスパンドバー32a〜32nを明示するためそれらが上面となるように示しているが、使用時にはエキスパンドバー32a〜32nが下方となるように下移動部材29に取付けられる。 Next, the expander 30 used when the silicon resin layer is broken will be described. For example, as shown in a perspective view in FIG. 4, the expander 30 includes a large number of streak-like expanded bars 32 a to 32 n that are parallel to the planar base 31. All the ridge lines of each expanding bar constitute one plane. The interval between the expanded bars is constant and may be an integer multiple of 2 or more than the interval between the scheduled scribe lines. In the present embodiment, the interval is twice. The section of each expanded bar is not particularly limited as long as it has a shape having a protrusion that can be pressed along the break line, but is preferably a curved arc as described later. In FIG. 4, the expanded bars 32 a to 32 n are shown to be on the upper surface in order to clearly show them. However, when used, the expanded bars 32 a to 32 n are attached to the lower moving member 29 so as to be downward.
本実施の形態では、複合基板10の樹脂層を破断する際に弾性支持板40を用いる。弾性支持板40は図5に斜視図を示すように長方形の平板のゴム製治具であって、複合基板10と同一の大きさであり、例えば厚さを数mm程度とする。 In the present embodiment, the elastic support plate 40 is used when the resin layer of the composite substrate 10 is broken. As shown in the perspective view of FIG. 5, the elastic support plate 40 is a rectangular flat rubber jig having the same size as the composite substrate 10 and has a thickness of, for example, about several mm.
次に複合基板10を分断する方法について説明する。図6は分断する過程を示す図であり、図6(a)は複合基板10の一部分を示している。まず図6(b)に示すように、セラミックス基板11の面を上面として図示しないスクライブ装置によりスクライビングホイール50を移動させ、スクライブ予定ラインに沿ってスクライブする。そして図2(a)に示すようにx方向のスクライブラインSx1〜Sxm、y方向のスクライブラインSy1〜Synを形成する。 Next, a method for dividing the composite substrate 10 will be described. FIG. 6 is a diagram showing a process of dividing, and FIG. 6A shows a part of the composite substrate 10. First, as shown in FIG. 6B, the scribing wheel 50 is moved by a scribing device (not shown) with the surface of the ceramic substrate 11 as the upper surface, and scribing is performed along the planned scribe line. Then, scribe lines S x1 to S xm in the x direction and scribe lines S y1 to S yn in the y direction are formed as shown in FIG.
次にブレイク工程では、図6(c)に示すように、まず複合基板10を反転させる。そして図示しないブレイク装置を用いて既に形成されているスクライブラインの真上にブレイクバー51が位置するようにし、ブレイクバー51を押し下げることによってセラミックス基板11のみをブレイクする。 Next, in the breaking process, as shown in FIG. 6C, first, the composite substrate 10 is inverted. Then, the break bar 51 is positioned directly above the scribe line already formed using a break device (not shown), and only the ceramic substrate 11 is broken by pushing down the break bar 51.
これによってセラミックス基板11のみがスクライブラインSx1〜Sxm,Sy1〜Synに沿ってブレイクされた状態となる。図6(d)はx方向及びy方向の各スクライブラインに沿ってブレイクされた複合基板10の一部を示している。尚スクライブラインSx1〜Sxm,Sy1〜Synは全てブレイクされているので、以下ではブレイクラインBx1〜Bxm,By1〜Bynという。 This ceramic substrate 11 only scribe line S x1 to S xm, in a state of being break along the S y1 to S yn. FIG. 6D shows a part of the composite substrate 10 that is broken along the scribe lines in the x and y directions. Since the scribe lines S x1 to S xm and S y1 to S yn are all broken, they are hereinafter referred to as break lines B x1 to B xm and B y1 to B yn .
次に図7に示すようにセラミックス基板11に形成されたブレイクラインをシリコン樹脂層にも浸透させて複合基板10の分断を完了する方法について説明する。図7は樹脂層の破断する過程を示す図であり、図7(a)は複合基板の一部分を示している。まず、前述した破断装置20のテーブル21上に弾性支持板40を配置し、更にその上面に複合基板10を配置する。このとき図7(a)に示すようにシリコン樹脂層12を弾性支持板40に当接するように配置し、セラミックス基板11の面を上面とする。次いでこのエキスパンダ30のいずれかのエキスパンドバー、例えば32aの最下部の稜線をブレイクライン、例えばBx1に合わせるように位置決めする。こうすれば他のエキスパンドバーについても、1つおきにブレイクラインの真上となるようになる。 Next, a method for completing the division of the composite substrate 10 by allowing the break line formed on the ceramic substrate 11 to penetrate the silicon resin layer as shown in FIG. FIG. 7 is a diagram showing a process of breaking the resin layer, and FIG. 7A shows a part of the composite substrate. First, the elastic support plate 40 is disposed on the table 21 of the breaking device 20 described above, and the composite substrate 10 is disposed on the upper surface thereof. At this time, as shown in FIG. 7A, the silicon resin layer 12 is disposed so as to contact the elastic support plate 40, and the surface of the ceramic substrate 11 is the upper surface. Next, the expansion bar of any one of the expanders 30, for example, the lowermost ridge line of 32a is positioned so as to be aligned with the break line, for example, Bx1 . This way, every other expanded bar will be directly above the break line.
次にサーボモータ23を駆動し、上移動部材26と下移動部材29とを同時に低下させてエキスパンダ30のエキスパンドバーをテーブル21に対して平行に保ちつつ徐々に降下させる。そして図7(b)に示すようにエキスパンドバー32aをブレイクラインBx1の真上からセラミックス基板11を押圧する。こうすれば図7(c)に示すようにセラミックス基板11がエキスパンドバー32aに押されて変形し、沈み込んで弾性支持板40が同様にV字状に変形する。このときエキスパンドバー32aの押し込みに応じてセラミックス基板の左右が均等に変形していくことで、亀裂をブレイクラインに沿って下方に浸透させることができる。ここでエキスパンドバーの下方の断面の形状は特に限定されないが、例えば、三角形状の場合には、頂点をブレイクラインに揃える位置決めを高精度に行なう必要性が相対的に高くなる。そこでセラミックス基板11、シリコン樹脂12をこのようにバランスよく変形させるために、各エキスパンドバーの下方の断面は円弧状としている。これにより、エキスパンドバーの稜線をブレイクラインに揃える位置決めの精度の許容範囲が相対的に広くなっている。そしてエキスパンドバーを十分降下させることによって、樹脂内の亀裂が進展して左右に押し開く力が加わり、破断が完了することとなる。破断が完了すると、サーボモータ23を逆転させてエキスパンダ30を上昇させる。 Next, the servo motor 23 is driven, and the upper moving member 26 and the lower moving member 29 are lowered at the same time, and the expanding bar of the expander 30 is gradually lowered while being kept parallel to the table 21. Then, as shown in FIG. 7B, the expanded bar 32a is pressed against the ceramic substrate 11 from directly above the break line Bx1 . If it carries out like this, as shown in FIG.7 (c), the ceramic substrate 11 will be pushed and deform | transformed by the expand bar 32a, will sink, and the elastic support plate 40 will similarly deform | transform into a V shape. At this time, the left and right sides of the ceramic substrate are uniformly deformed in response to the pushing of the expand bar 32a, so that the crack can penetrate downward along the break line. Here, the shape of the cross section below the expand bar is not particularly limited. However, for example, in the case of a triangular shape, the necessity of highly accurately positioning the apex to the break line becomes relatively high. Therefore, in order to deform the ceramic substrate 11 and the silicon resin 12 in a balanced manner as described above, the lower cross section of each expanding bar has an arc shape. Thereby, the tolerance | permissible_range of the positioning accuracy which aligns the ridgeline of an expanded bar with a break line is relatively wide. Then, by sufficiently lowering the expanding bar, a crack in the resin progresses and a force to push left and right is applied, and the fracture is completed. When the breakage is completed, the servo motor 23 is reversed to raise the expander 30.
このときエキスパンダ30は多数のエキスパンドバーが並列に形成されており、その間隔はスクライブラインの2倍であるため、1つおきに複数のブレイクラインに沿って同時にシリコン樹脂12を破断することができる。 At this time, the expander 30 has a large number of expanded bars formed in parallel, and the distance between them is twice that of the scribe line. Therefore, the silicon resin 12 can be simultaneously broken along a plurality of break lines. it can.
そしてテーブル21をy軸方向にブレイクラインのピッチ分だけ移動させて、同様にしてエキスパンダ30を降下させることによって他の隣接するブレイクラインについても樹脂層の破断を完了することができる。ここではエキスパンドバーの間隔がスクライブラインのピッチの2倍であるので、1回テーブル21をシフトさせて破断することによって複合基板10の全てのx軸方向の破断を完了することができる。又エキスパンドバーの間隔がスクライブラインのピッチの3倍の場合には、2回テーブル21を移動させて破断することで全てのx軸方向の破断を完了することができる。 Then, by moving the table 21 in the y-axis direction by the break line pitch and lowering the expander 30 in the same manner, the breakage of the resin layer can be completed for the other adjacent break lines. Here, since the interval between the expanded bars is twice the pitch of the scribe lines, all the breaks in the x-axis direction of the composite substrate 10 can be completed by shifting the table 21 once and breaking. When the interval between the expanded bars is three times the pitch of the scribe lines, all the breaks in the x-axis direction can be completed by moving the table 21 twice and breaking.
そしてテーブル21を90°回転させてy軸のブレイクラインについても同様にエキスパンダ30を降下させ、樹脂層を破断する。そしてテーブル21をy軸方向にブレイクラインのピッチ分だけ移動させて、同様にしてエキスパンダ30を降下させる。こうすれば全面の破断が完了し、各ブレイクラインに沿って樹脂を引き裂いて正方形状の機能領域を分断してMEMSチップを多数形成することができる。 Then, the table 21 is rotated by 90 °, and the expander 30 is similarly lowered with respect to the break line of the y-axis to break the resin layer. Then, the table 21 is moved in the y-axis direction by the break line pitch, and the expander 30 is lowered similarly. By doing so, the entire surface is broken, and the resin is torn along each break line to divide the square-shaped functional region, so that a large number of MEMS chips can be formed.
尚この実施の形態では、ベースとなっている基板としてセラミックス基板について説明しているが、本発明は半導体基板やガラス基板等の種々の脆性材料基板にも適用することができる。 In this embodiment, the ceramic substrate is described as the base substrate. However, the present invention can also be applied to various brittle material substrates such as a semiconductor substrate and a glass substrate.
又この実施の形態では、セラミックス基板に塗布する樹脂としてシリコン樹脂について説明しているが、その他の種々の材質の層、例えばガラス基板に対して積層するものとして偏光板等の層であってもよい。 In this embodiment, the silicon resin is described as the resin to be applied to the ceramic substrate. However, it may be a layer of various other materials, for example, a layer such as a polarizing plate to be laminated on the glass substrate. Good.
又この実施の形態ではエキスパンダを下面に多数のエキスパンドバーを有する平板状の部材としているが、1つのエキスパンドバーのみでエキスパンダを形成し、このエキスパンダを複合基板に押し当てて破断するようにしてもよい。 In this embodiment, the expander is a flat plate member having a large number of expand bars on the lower surface. However, the expander is formed by only one expand bar, and the expander is pressed against the composite substrate to break. It may be.
本発明は保護すべき領域を有する脆性材料基板をスクライブし分断する際に、保護すべき領域を損傷することなく破断することができるため、機能領域が形成された基板の破断装置に有効に適用することができる。 Since the present invention can be ruptured without damaging the area to be protected when scribing and dividing the brittle material substrate having the area to be protected, the invention is effectively applied to a substrate breaking apparatus in which the functional area is formed. can do.
10 複合基板
11 セラミックス基板
12 シリコン樹脂
13 機能領域
20 破断装置
21 テーブル
22,25 水平固定部材
23 サーボモータ
24 ボールネジ
26,29 移動部材
30 エキスパンダ
31 ベース
32a〜32n エキスパンドバー
40 弾性支持板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Composite substrate 11 Ceramic substrate 12 Silicon resin 13 Functional area 20 Breaking device 21 Table 22, 25 Horizontal fixing member 23 Servo motor 24 Ball screw 26, 29 Moving member 30 Expander 31 Base 32a-32n Expand bar 40 Elastic support plate
Claims (5)
弾性支持板上に前記複合基板を脆性材料基板の面が上面となるように配置し、
エキスパンドバーを前記脆性材料基板のブレイクラインに沿って押下することによって樹脂層を破断する分断方法。 A cutting method for dividing a composite substrate in which a resin is coated on a brittle material substrate having a functional region on one side and a break line is formed on the brittle material substrate so as to divide the functional region,
The composite substrate is disposed on the elastic support plate so that the surface of the brittle material substrate is the upper surface,
A cutting method for breaking a resin layer by pressing an expand bar along a break line of the brittle material substrate.
前記複合基板の機能領域を分断するように前記脆性材料基板の樹脂がコーティングされていない面をスクライブしてスクライブラインを形成し、
前記複合基板の脆性材料基板を前記スクライブラインに沿ってブレイクし、
弾性支持板上に前記複合基板を脆性材料基板の面が上面となるように配置し、
エキスパンドバーを前記脆性材料基板のブレイクラインに沿って押下することによって樹脂層を破断する分断方法。 A cutting method for cutting a composite substrate in which a resin is coated on a brittle material substrate having a functional region on one side,
Scribing the surface of the brittle material substrate that is not coated with resin so as to divide the functional area of the composite substrate to form a scribe line,
Breaking the brittle material substrate of the composite substrate along the scribe line;
The composite substrate is disposed on the elastic support plate so that the surface of the brittle material substrate is the upper surface ,
Cutting method to break the resin layer by pressing along the d Kisupandoba the break line of the brittle material substrate.
テーブルと、
少なくとも前記複合基板と同等の平面方向の広さを有する弾性部材から成る平板であり、前記テーブル上に配置され、ブレイクラインが形成された面を上面として前記複合基板を保持する弾性支持板と、
エキスパンドバーを有するエキスパンダと、
前記テーブルをその面に沿って移動させる移動機構と、
前記複合基板とエキスパンドバーとを平行に保ちつつ、前記弾性支持板上の複合基板の面に向けて前記エキスパンダを昇降させる昇降機構と、を具備する破断装置。 A breaker that breaks a resin layer of a composite substrate in which a resin is coated on a brittle material substrate having a functional region on one side and a break line is formed on the brittle material substrate so as to divide the functional region. ,
Table,
A flat plate made of an elastic member having at least the width of the composite substrate equivalent planar direction, are arranged on the front Symbol table, and an elastic supporting plate that holds the composite substrate surfaces which break line is formed as the upper surface ,
An expander having an expanded bar;
A moving mechanism for moving the table along its surface;
A breaking device comprising: an elevating mechanism that elevates and lowers the expander toward the surface of the composite substrate on the elastic support plate while keeping the composite substrate and the expanding bar in parallel.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013215394A JP6115438B2 (en) | 2013-10-16 | 2013-10-16 | Breaking device and cutting method |
KR1020140073640A KR102259441B1 (en) | 2013-10-16 | 2014-06-17 | Breaking apparatus and dividing method |
TW103121614A TWI620636B (en) | 2013-10-16 | 2014-06-23 | Fracture device and breaking method |
CN201410309300.8A CN104552629B (en) | 2013-10-16 | 2014-07-01 | Disrumpent feelings device and method for dividing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013215394A JP6115438B2 (en) | 2013-10-16 | 2013-10-16 | Breaking device and cutting method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015079824A JP2015079824A (en) | 2015-04-23 |
JP6115438B2 true JP6115438B2 (en) | 2017-04-19 |
Family
ID=53011030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013215394A Active JP6115438B2 (en) | 2013-10-16 | 2013-10-16 | Breaking device and cutting method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6115438B2 (en) |
KR (1) | KR102259441B1 (en) |
CN (1) | CN104552629B (en) |
TW (1) | TWI620636B (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017001180A (en) * | 2016-09-29 | 2017-01-05 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Surface layer fracturing apparatus of brittle material substrate |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6243699B2 (en) * | 2013-10-25 | 2017-12-06 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Fragment material substrate cutting device |
JP6407056B2 (en) * | 2015-02-20 | 2018-10-17 | 株式会社ディスコ | Dividing device and dividing method |
JP6561565B2 (en) * | 2015-04-30 | 2019-08-21 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Method and apparatus for dividing bonded substrate |
EP3410473B1 (en) * | 2017-05-30 | 2021-02-24 | Infineon Technologies AG | Apparatus and method for dividing substrates |
TW202041343A (en) * | 2018-12-18 | 2020-11-16 | 日商三星鑽石工業股份有限公司 | Method for fabricating ceramic chip and chip of prior to plastic working for ceramic chip fabricating |
JP7561735B2 (en) * | 2019-07-16 | 2024-10-04 | 日東電工株式会社 | How to cut composite materials |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS639950A (en) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Nec Kansai Ltd | Method for separating semiconductor element |
JP3787489B2 (en) * | 2000-10-02 | 2006-06-21 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Method and apparatus for breaking brittle substrate |
JP2002151443A (en) * | 2000-11-08 | 2002-05-24 | Victor Co Of Japan Ltd | Device for cleaving semiconductor element |
JP3792508B2 (en) * | 2000-12-19 | 2006-07-05 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Method for dividing bonded brittle substrates |
JP3779237B2 (en) | 2002-07-04 | 2006-05-24 | 住友電気工業株式会社 | Substrate cutting method and substrate cutting apparatus |
JP4210981B2 (en) * | 2002-09-27 | 2009-01-21 | 住友電気工業株式会社 | Cleaving device and cleavage method |
JP5037138B2 (en) * | 2005-01-05 | 2012-09-26 | Thk株式会社 | Work breaking method and device, scribing and breaking method, and scribing device with break function |
JP5356931B2 (en) | 2008-11-26 | 2013-12-04 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Substrate cleaving device |
JP5421699B2 (en) * | 2009-09-07 | 2014-02-19 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor element separation method and semiconductor element separation apparatus |
JP5170195B2 (en) * | 2010-09-24 | 2013-03-27 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Method for dividing brittle material substrate with resin |
JP2013089622A (en) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Breaking method of semiconductor substrate |
JP5824365B2 (en) * | 2012-01-16 | 2015-11-25 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Breaking method for brittle material substrate |
-
2013
- 2013-10-16 JP JP2013215394A patent/JP6115438B2/en active Active
-
2014
- 2014-06-17 KR KR1020140073640A patent/KR102259441B1/en active IP Right Grant
- 2014-06-23 TW TW103121614A patent/TWI620636B/en not_active IP Right Cessation
- 2014-07-01 CN CN201410309300.8A patent/CN104552629B/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|---|---|---|
JP2017001180A (en) * | 2016-09-29 | 2017-01-05 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Surface layer fracturing apparatus of brittle material substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104552629B (en) | 2017-11-10 |
KR20150044367A (en) | 2015-04-24 |
TW201515802A (en) | 2015-05-01 |
KR102259441B1 (en) | 2021-06-01 |
JP2015079824A (en) | 2015-04-23 |
TWI620636B (en) | 2018-04-11 |
CN104552629A (en) | 2015-04-29 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
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|
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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