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JP6193284B2 - 流路構造、吸排気部材、及び処理装置 - Google Patents

流路構造、吸排気部材、及び処理装置 Download PDF

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Description

本発明の実施形態は、流路構造、吸排気部材、及び処理装置に関する。
例えば複数の開口から流体を吸引又は吐出する装置において、各開口から流体を均等に吸引又は吐出させる部材が知られる。例えば、開口に通じる流路が複数回分岐されることで、各開口から流体が均等に吸引又は吐出される。
特開２００６−１３１９８５号公報
流路が複数回分岐される場合、流体に圧力損失が生じやすい。
一つの実施の形態に係る流路構造は、部材を有する。前記部材に、複数の第１の開口部と、複数の第２の開口部と、流路と、複数の合流分岐部とが設けられる。前記流路は、前記複数の第１の開口部と前記複数の第２の開口部との間を接続する。前記合流分岐部は、前記流路に設けられ、互いに接続される第１の結合端部及び前記第１の結合端部の反対側に位置する第１の外端部をそれぞれ有した複数の第１の部分と、互いに接続される第２の結合端部及び前記第２の結合端部の反対側に位置する第２の外端部をそれぞれ有するとともに前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の経路において前記第１の部分よりも前記第２の開口部に近い複数の第２の部分と、をそれぞれ有する。前記合流分岐部のそれぞれの前記第１の結合端部と前記第２の結合端部とが接続される。前記流路における前記複数の第１の開口部とそれぞれの前記第２の開口部との間の経路において、複数の前記合流分岐部が設けられる。前記複数の合流分岐部のうち一つにおける前記複数の第１の部分の前記第１の外端部は、前記複数の合流分岐部のうち互いに異なる一つの、前記第２の外端部に接続される。
図１は、第１の実施の形態に係る半導体製造装置を概略的に示す断面図である。 図２は、第１の実施形態のシャワープレートを概略的に示す斜視図である。 図３は、第１の実施形態の一つの合流分岐部を概略的に示す斜視図である。 図４は、第２の実施の形態に係るシャワープレートを概略的に示す斜視図である。
以下に、第１の実施の形態について、図１乃至図３を参照して説明する。なお、実施形態に係る構成要素や、当該要素の説明について、複数の表現を併記することがある。当該構成要素及び説明について、記載されていない他の表現がされることは妨げられない。さらに、複数の表現が記載されない構成要素及び説明について、他の表現がされることは妨げられない。
図１は、第１の実施の形態に係る半導体製造装置１０を概略的に示す断面図である。半導体製造装置１０は、処理装置の一例であり、例えば、製造装置、吸排気装置、供給装置、及び装置とも称され得る。なお、処理装置は半導体製造装置１０に限らず、対象となる物体に、例えば加工、洗浄、及び試験のような処理を行う他の装置であっても良い。
各図面に示されるように、本明細書において、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が定義される。Ｘ軸とＹ軸とＺ軸とは、互いに直交する。Ｘ軸は、半導体製造装置１０の幅に沿う。Ｙ軸は、半導体製造装置１０の奥行き（長さ）に沿う。Ｚ軸は、半導体製造装置１０の高さに沿う。
図１に示すように、半導体製造装置１０は、製造部１１と、圧力計１２と、ポンプ１３とを有する。ポンプ１３は、例えば、供給部、排出部、送部、とも称され得る。製造部１１に、チャンバ２１が設けられる。半導体製造装置１０は、例えば、チャンバ２１において、半導体ウェハ（以下、ウェハと称する）Ｗを製造する。
製造部１１は、上壁２３と、周壁２４と、ステージ２５と、拡散板２６と、シャワープレート２７とを有する。ステージ２５は、処理部の一例であり、例えば、載置部及び台とも称され得る。拡散板２６は、送部の一例であり、例えば、供給部、排出部、及び部分とも称され得る。シャワープレート２７は、流路構造、吸排気部材、及び部材の一例であり、例えば、分岐部、吐出部、排出部、吸引部、部品とも称され得る。
上壁２３は、第１の内面２３ａを有する。第１の内面２３ａは、下方に向く略平坦な面である。第１の内面２３ａは、チャンバ２１の一部を形成する。すなわち、第１の内面２３ａは、チャンバ２１の内部に向く。
上壁２３に、供給口３１が設けられる。供給口３１は、例えばパイプによって、ポンプ１３に接続される。ポンプ１３は、供給口３１から、チャンバ２１にガスＧを供給する。ガスＧは、流体の一例である。図１は、ガスＧの流れを矢印で示す。
周壁２４は、第２の内面２４ａを有する。第２の内面２４ａは、略水平方向に向く面である。第２の内面２４ａは、チャンバ２１の一部を形成する。すなわち、第２の内面２４ａは、チャンバ２１の内部に向く。
周壁２４に、複数の排気口３２が設けられる。排気口３２は、圧力計１２を介してポンプ１３に接続される。ポンプ１３は、排気口３２から、チャンバ２１のガスＧを吸引することが可能である。言い換えると、チャンバ２１のガスＧは、排気口３２から排出される。
ステージ２５は、チャンバ２１の内部に配置される。ステージ２５は、支持部２５ａを有する。支持部２５ａは、上壁２３の第１の内面２３ａに向き、ウェハＷを支持する。ステージ２５はヒータを有し、支持部２５ａに支持されたウェハＷを加熱することが可能である。
拡散板２６は、チャンバ２１の内部に配置され、上壁２３に取り付けられる。拡散板２６は、第１の面２６ａと、第２の面２６ｂとを有する。第１の面２６ａは、上壁２３の第１の内面２３ａに対向する。第２の面２６ｂは、第１の面２６ａの反対側に位置する。
拡散板２６と、上壁２３との間に、拡散室３５が形成される。拡散室３５は、拡散板２６と上壁２３とによって囲まれる空間である。拡散室３５に、上壁２３の供給口３１が開口する。このため、ガスＧは、供給口３１から拡散室３５に供給される。
拡散板２６に、複数の孔３７が設けられる。孔３７は、第１の面２６ａと、第２の面２６ｂとの間を接続する孔である。すなわち、孔３７は、拡散室３５の内部と外部との間を接続する。
シャワープレート２７は、チャンバ２１の内部に配置され、上壁２３に取り付けられる。シャワープレート２７は、拡散板２６を覆う。言い換えると、シャワープレート２７と上壁２３との間に、拡散板２６が配置される。
シャワープレート２７は、第３の面２７ａと、第４の面２７ｂとを有する。第３の面２７ａは、拡散板２６の第２の面２６ｂに対向する。第３の面２７ａは、第２の面２６ｂに開口した複数の孔３７に面する。第４の面２７ｂは、第３の面２７ａの反対側に位置する。第４の面２７ｂは、ステージ２５の支持部２５ａに支持されたウェハＷに面する。
図２は、第１の実施形態のシャワープレート２７を概略的に示す斜視図である。図２に示すように、シャワープレート２７に、複数の第１の開口部４１と、複数の第２の開口部４２と、流路４３とが設けられる。第１及び第２の開口部４１，４２は、例えば、吸気口、排気口、通気口、開口、入口、出口、及び孔とも称され得る。流路４３は、例えば、ダクト、管路、及び通路とも称され得る。
図２は、説明のため、シャワープレート２７の内部を省略し、第３の面２７ａの一部と、第４の面２７ｂの一部と、シャワープレート２７の内部に形成される流路４３とを示す。流路４３は、中実のシャワープレート２７の内部に設けられ、流体を流されることが可能な通路である。なお、流路４３はこれに限らない。
複数の第１の開口部４１は、シャワープレート２７の第３の面２７ａにそれぞれ開口する。言い換えると、複数の第１の開口部４１は、拡散板２６の第２の面２６ｂに向かって開口する。それぞれの第１の開口部４１の大きさ及び形状は、略同一である。なお、第１の開口部４１はこれに限らない。
複数の第２の開口部４２は、シャワープレート２７の第４の面２７ｂにそれぞれ開口する。言い換えると、複数の第２の開口部４２は、ステージ２５の支持部２５ａ、及び支持部２５ａに支持されたウェハＷに向かって開口する。それぞれの第２の開口部４２の大きさ及び形状は、略同一である。さらに、それぞれの第２の開口部４２の大きさ及び形状は、第１の開口部４１の大きさ及び形状と略同一である。なお、第２の開口部４２はこれに限らない。
流路４３は、複数の第１の開口部４１と、複数の第２の開口部４２との間を接続する。すなわち、複数の第１の開口部４１と複数の第２の開口部４２とは、一つの流路４３によって互いに接続される。言い換えると、一つの流路４３は、それぞれの第１の開口部４１と全ての第２の開口部４２との間を接続し、且つそれぞれの第２の開口部４２と全ての第１の開口部４１との間を接続する。なお、流路４３はこれに限らない。
流路４３は、複数の第１の接続路５１と、複数の第２の接続路５２と、複数の第３の接続路５３と、複数の第４の接続路５４と、複数の合流分岐部５５とを有する。合流分岐部５５は、例えば、例えば、交差部、混合部、結合部、及び部分とも称され得る。
複数の第１の接続路５１、複数の第２の接続路５２、複数の第３の接続路５３、複数の第４の接続路５４、及び複数の合流分岐部５５が、流路４３を形成する。なお、流路４３は、他の部分を有しても良い。
図２に示すように、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路において、三つの合流分岐部５５がそれぞれ設けられる。言い換えると、流路４３における第１の開口部４１からそれぞれの第２の開口部４２への経路は、三つの合流分岐部５５を通る。すなわち、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路に設けられる合流分岐部５５の数は、それぞれ等しい。
合流分岐部５５は、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路を合流及び分岐させる。このため、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路は、それぞれ、三段階に分岐される。
以下の説明において、流路４３における第１の開口部４１からそれぞれの第２の開口部４２への経路における一段階目の合流分岐部５５を合流分岐部５５Ａ、二段階目の合流分岐部５５を合流分岐部５５Ｂ、三段階目の合流分岐部５５を合流分岐部５５Ｃ、と個別に称することがある。すなわち、合流分岐部５５Ａは、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路において、合流分岐部５５Ｂよりも第１の開口部４１に近い。合流分岐部５５Ｃは、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路において、合流分岐部５５Ｂよりも第２の開口部４２に近い。
図３は、第１の実施形態の一つの合流分岐部５５を概略的に示す斜視図である。図３に示すように、それぞれの合流分岐部５５は、二つの第１の部分６１と、二つの第２の部分６２と、接続部分６３と、を有する。第１及び第２の部分６１，６２は、例えば、流路及び通路とも称され得る。
第１の部分６１は、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路において、第２の部分６２よりも第１の開口部４１に近い、合流分岐部５５の一部である。本実施形態において、第１の部分６１は、Ｙ軸に沿う方向に延びる。
合流分岐部５５は、三つ以上の第１の部分６１を有しても良い。さらに、第１の部分６１は、Ｙ軸に沿う方向と異なる方向に延びても良い。例えば、三つ以上の第１の部分６１が放射状に延びても良い。また、第１の部分６１は曲線状に延びても良い。
第１の部分６１は、第１の外端部６１ａと、第１の結合端部６１ｂとをそれぞれ有する。第１の結合端部６１ｂは、第１の端部の一例であり、例えば、結合部、接続部、及び連結部とも称され得る。
第１の外端部６１ａは、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路において、第１の結合端部６１ｂよりも第１の開口部４１に近い、第１の部分６１の一方の端部である。
第１の結合端部６１ｂは、第１の外端部６１ａの反対側に位置する。すなわち、第１の結合端部６１ｂは、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路において、第１の外端部６１ａよりも第２の開口部４２に近い、第１の部分６１の一方の端部である。
二つの第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂは、互いに接続される。言い換えると、二つの第１の部分６１は、第１の結合端部６１ｂにおいて、互いに接続される。本実施形態における二つの第１の部分６１は、直線状に接続されるが、例えば、交差するように接続されても良い。
第２の部分６２は、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路において、第１の部分６１よりも第２の開口部４２に近い、合流分岐部５５の一部である。本実施形態において、第２の部分６２は、Ｘ軸に沿う方向に延びる。
合流分岐部５５は、三つ以上の第２の部分６２を有しても良い。さらに、第２の部分６２は、Ｘ軸に沿う方向と異なる方向に延びても良い。例えば、三つ以上の第２の部分６２が放射状に延びても良い。また、第２の部分６２は曲線状に延びても良い。
第２の部分６２は、第２の外端部６２ａと、第２の結合端部６２ｂとをそれぞれ有する。第２の結合端部６２ｂは、第２の端部の一例であり、例えば、結合部、接続部、及び連結部とも称され得る。
第２の外端部６２ａは、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路において、第２の結合端部６２ｂよりも第２の開口部４２に近い、第２の部分６２の一方の端部である。
第２の結合端部６２ｂは、第２の外端部６２ａの反対側に位置する。すなわち、第２の結合端部６２ｂは、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路において、第２の外端部６２ａよりも第１の開口部４１に近い、第２の部分６２の一方の端部である。
二つの第２の部分６２の第２の結合端部６２ｂは、互いに接続される。言い換えると、二つの第２の部分６２は、第２の結合端部６２ｂにおいて、互いに接続される。本実施形態における二つの第２の部分６２は、直線状に接続されるが、例えば、交差するように接続されても良い。
接続部分６３は、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路において、第１の部分６１と第２の開口部４２との間に介在する、合流分岐部５５の一部である。本実施形態において、接続部分６３は、Ｚ軸に沿う方向に延びる。
接続部分６３は、二つ以上設けられても良い。さらに、接続部分６３は、Ｚ軸に沿う方向と異なる方向に延びても良い。また、接続部分６３は曲線状に延びても良い。
接続部分６３は、第３の結合端部６３ａと、第４の結合端部６３ｂとを有する。第３及び第４の結合端部６３ａ，６３ｂは、例えば、結合部、接続部、及び連結部とも称され得る。
第３の結合端部６３ａは、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路において、第４の結合端部６３ｂよりも第１の開口部４１に近い、接続部分６３の一方の端部である。
第４の結合端部６３ｂは、第３の結合端部６３ａの反対側に位置する。すなわち、第４の結合端部６３ｂは、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路において、第３の結合端部６３ａよりも第２の開口部４２に近い、接続部分６３の一方の端部である。
第３の結合端部６３ａは、互いに結合された二つの第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂに接続される。このため、それぞれの第１の部分６１は、第３の結合端部６３ａに接続された第１の結合端部６１ｂから、Ｙ軸に沿う方向に延びる。
第４の結合端部６３ｂは、互いに結合された二つの第２の部分６２の第２の結合端部６２ｂに接続される。このため、それぞれの第２の部分６２は、第４の結合端部６３ｂに接続された第２の結合端部６２ｂから、Ｘ軸に沿う方向に延びる。
接続部分６３は、互いに結合された二つの第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂと、互いに結合された二つの第２の部分６２の第２の結合端部６２ｂと、の間を接続する。すなわち、二つの第１の部分６１のそれぞれの第１の結合端部６１ｂと、二つの第２の部分６２のそれぞれの第２の結合端部６２ｂとが、接続部分６３によって接続される。
図２に示す複数の合流分岐部５５Ａ、複数の合流分岐部５５Ｂ、及び複数の合流分岐部５５Ｃは、それぞれ、上述の二つの第１の部分６１、二つの第２の部分６２、及び接続部６３を有する。
複数の合流分岐部５５Ａにおける、第１の部分６１、第２の部分６２、及び接続部６３の形状及び大きさは、略同一である。しかし、合流分岐部５５Ａにおける、第１の部分６１、第２の部分６２、及び接続部６３の形状及び大きさは、他のそれぞれの合流分岐部５５Ｂ，５５Ｃにおける、第１の部分６１、第２の部分６２、及び接続部６３の形状及び大きさと異なっても良い。
複数の合流分岐部５５Ｂにおける、第１の部分６１、第２の部分６２、及び接続部６３の形状及び大きさは、略同一である。しかし、合流分岐部５５Ｂにおける、第１の部分６１、第２の部分６２、及び接続部６３の形状及び大きさは、他のそれぞれの合流分岐部５５Ａ，５５Ｃにおける、第１の部分６１、第２の部分６２、及び接続部６３の形状及び大きさと異なっても良い。
複数の合流分岐部５５Ｃにおける、第１の部分６１、第２の部分６２、及び接続部６３の形状及び大きさは、略同一である。しかし、合流分岐部５５Ｃにおける、第１の部分６１、第２の部分６２、及び接続部６３の形状及び大きさは、他のそれぞれの合流分岐部５５Ａ，５５Ｂにおける、第１の部分６１、第２の部分６２、及び接続部６３の形状及び大きさと異なっても良い。
以上のように、同一段階の合流分岐部５５における、第１の部分６１、第２の部分６２、及び接続部６３の形状及び大きさは、略同一である。しかし、異なる段階の合流分岐部５５における、第１の部分６１、第２の部分６２、及び接続部６３の形状及び大きさは、異なっても良い。
図２に示すように、複数の第１の接続路５１は、第１の開口部４１と、対応する合流分岐部５５Ａの第１の部分６１の第１の外端部６１ａとの間を、それぞれ接続する。このように、合流分岐部５５Ａの第１の部分６１は、第１の開口部４１に接続される。
それぞれの第１の接続路５１の長さは、略同一である。第１の接続路５１は、それぞれＺ軸に沿う方向に延びるが、他の方向に延びても良い。さらに、第１の接続路５１は、曲線状に延びても良い。
第２の接続路５２は、第２の開口部４２と、対応する合流分岐部５５Ｃの第２の部分６２の第２の外端部６２ａとの間を、それぞれ接続する。このように、合流分岐部５５Ｃの第２の部分６２は、第２の開口部４２に接続される。
それぞれの第２の接続路５２の長さは、略同一である。第２の接続路５２は、それぞれＺ軸に沿う方向に延びるが、他の方向に延びても良い。さらに、第２の接続路５２は、曲線状に延びても良い。
第３の接続路５３は、合流分岐部５５Ａの第２の部分６２の第２の外端部６２ａと、合流分岐部５５Ｂの第１の部分６１の第１の外端部６１ａとの間を、それぞれ接続する。このように、合流分岐部５５Ａの第２の部分６２は、合流分岐部５５Ｂの第１の部分６１に接続される。
それぞれの第３の接続路５３の長さは、略同一である。第３の接続路５３は、それぞれＺ軸に沿う方向に延びるが、他の方向に延びても良い。さらに、第３の接続路５３は、曲線状に延びても良い。
第４の接続路５４は、合流分岐部５５Ｂの第２の部分６２の第２の外端部６２ａと、合流分岐部５５Ｃの第１の部分６１の第１の外端部６１ａとの間を、それぞれ接続する。このように、合流分岐部５５Ｂの第２の部分６２は、合流分岐部５５Ｃの第１の部分６１に接続される。
それぞれの第４の接続路５４の長さは、略同一である。第４の接続路５４は、それぞれＺ軸に沿う方向に延びるが、他の方向に延びても良い。さらに、第４の接続路５４は、曲線状に延びても良い。
以上のような流路４３の断面形状及び断面積は、第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路において一定である。例えば、流路４３の断面形状は、円形である。なお、流路４３の断面形状は、長円形や四角形のような他の形状であっても良い。なお、本明細書において、流路４３の断面形状及び断面積が第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路において僅かに変化しても、流路４３の断面形状及び断面積は、第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路において一定であるとする。
流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路の長さは、均等である。本明細書において、流路４３における第１の開口部４１と第２の開口部４２との間の経路の長さは、一つの第１の開口部４１から一つの第２の開口部４２へ向かう経路における、流路４３の断面中心の長さを示す。なお、本明細書において、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路の長さが僅かに異なっても、流路４３における第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路の長さは均等であるとする。
上記の半導体製造装置１０は、例えば以下に説明するように、ステージ２５のウェハＷに向かってガスＧを吐出する。なお、半導体製造装置１０がガスＧを吐出する方法は、下記に説明される方法に限られない。
まず、半導体製造装置１０は、図１に示すポンプ１３を作動させる。ポンプ１３は、排気口３２を介してチャンバ２１のガスＧを吸引し、当該ガスＧを供給口３１から拡散室３５に送出する。なお、ポンプ１３は、例えばガスＧが収容されたタンクのガスＧを、供給口３１から送出しても良い。
拡散室３５に導入されたガスＧは、拡散室３５に開口する複数の孔３７から、シャワープレート２７に向かって送出される。拡散板２６は、複数の孔３７が設けられることで、ガスＧが送出される位置を分散させる。
ガスＧは、拡散板２６の孔３７から、シャワープレート２７の第３の面２７ａに向かって送出される。ガスＧは、図２に示す第３の面２７ａに開口する複数の第１の開口部４１に導入される。このように、拡散板２６は、半導体製造装置１０内のガスＧが流される経路において、シャワープレート２７に接続され、複数の第１の開口部４１へガスＧを導入することが可能である。
以下の説明において、複数の第１の開口部４１を、第１の開口部４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ，４１ｅ，４１ｆ，４１ｇ，４１ｈと個別に称することがある。さらに、第１の開口部４１ａから導入されたガスＧをガスＧａ、第１の開口部４１ｂから導入されたガスＧをガスＧｂ、第１の開口部４１ｃから導入されたガスＧをガスＧｃ、第１の開口部４１ｄから導入されたガスＧをガスＧｄ、第１の開口部４１ｅから導入されたガスＧをガスＧｅ、第１の開口部４１ｆから導入されたガスＧをガスＧｆ、第１の開口部４１ｇから導入されたガスＧをガスＧｇ、第１の開口部４１ｈから導入されたガスＧをガスＧｈ、と個別に称することがある。
第１の開口部４１に導入されたガスＧは、それぞれの第１の開口部４１に接続された第１の接続路５１から、合流分岐部５５Ａの第１の部分６１に流入する。そして、ガスＧは、互いに接続された第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂで合流する。このように、流路４３における第１の開口部４１から第２の開口部４２への経路は、合流分岐部５５Ａの第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂで合流する。
第１の結合端部６１ｂで合流したガスＧａ及びガスＧｂ（以下、ガスＧａｂと称する）は、第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂから、接続部分６３に流入する。同じく、ガスＧｃ及びガスＧｄ（以下、ガスＧｃｄと称する）と、ガスＧｅ及びガスＧｆ（以下、ガスＧｅｆと称する）と、ガスＧｇ及びガスＧｈ（以下、ガスＧｇｈと称する）とは、それぞれ第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂで合流し、接続部分６３に流入する。
それぞれのガスＧは、互いに接続された第２の部分６２の第２の結合端部６２ｂで分岐する。このように、流路４３における第１の開口部４１から第２の開口部４２への経路は、合流分岐部５５Ａの第２の部分６２の第２の結合端部６２ｂで分岐する。それぞれのガスＧ（ガスＧａｂ，Ｇｃｄ，Ｇｅｆ，Ｇｇｈ）は、混合された状態で、第２の部分６２の第２の結合端部６２ｂで分岐する。
ガスＧは、合流分岐部５５Ａのそれぞれの第２の部分６２に接続された第３の接続路５３から、合流分岐部５５Ｂの第１の部分６１に流入する。そして、ガスＧは、互いに接続された第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂで合流する。このように、流路４３における第１の開口部４１から第２の開口部４２への経路は、合流分岐部５５Ｂの第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂで再度合流する。
第１の結合端部６１ｂで合流したガスＧａｂ及びガスＧｃｄ（以下、ガスＧａｂｃｄと称する）は、第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂから、接続部分６３に流入する。同じく、ガスＧｅｆ及びガスＧｇｈ（以下、ガスＧｅｆｇｈと称する）は、それぞれ第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂで合流し、接続部分６３に流入する。
それぞれのガスＧは、互いに接続された第２の部分６２の第２の結合端部６２ｂで分岐する。このように、流路４３における第１の開口部４１から第２の開口部４２への経路は、合流分岐部５５Ｂの第２の部分６２の第２の結合端部６２ｂで再度分岐する。それぞれのガスＧ（ガスＧａｂｃｄ，Ｇｅｆｇｈ）は、混合された状態で、第２の部分６２の第２の結合端部６２ｂで分岐する。
ガスＧは、合流分岐部５５Ｂのそれぞれの第２の部分６２に接続された第４の接続路５４から、合流分岐部５５Ｃの第１の部分６１に流入する。そして、ガスＧは、互いに接続された第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂで合流する。このように、流路４３における第１の開口部４１から第２の開口部４２への経路は、合流分岐部５５Ｃの第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂでさらに合流する。
第１の結合端部６１ｂで合流したガスＧａｂｃｄ及びガスＧｅｆｇｈ（以下、ガスＧａｂｃｄｅｆｇｈと称する）は、第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂから、接続部分６３に流入する。
それぞれのガスＧは、互いに接続された第２の部分６２の第２の結合端部６２ｂで分岐する。このように、流路４３における第１の開口部４１から第２の開口部４２への経路は、合流分岐部５５Ｃの第２の部分６２の第２の結合端部６２ｂでさらに分岐する。それぞれのガスＧ（ガスＧａｂｃｄｅｆｇｈ）は、混合された状態で、第２の部分６２の第２の結合端部６２ｂで分岐する。
ガスＧは、合流分岐部５５Ｃのそれぞれの第２の部分６２に接続された第２の接続路５２から、第２の開口部４２へ向かって流れる。ガスＧは、複数の第２の開口部４２から、ステージ２５の支持部２５ａに支持されたウェハＷに向かって吐出される。
以上のように、複数の第１の開口部４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ，４１ｅ，４１ｆ，４１ｇ，４１ｈからそれぞれ導入されたガスＧａ，Ｇｂ，Ｇｃ，Ｇｄ，Ｇｅ，Ｇｆ，Ｇｇ，Ｇｈは、流路４３において複数回に亘って合流及び分岐される。これにより、複数の第２の開口部４２から、全ての第１の開口部４１から導入されたガスＧが混合されたガスＧａｂｃｄｅｆｇｈが吐出される。
以上のようなシャワープレート２７は、例えば、三次元プリンタによって積層造形される。シャワープレート２７は、合成樹脂や金属のような種々の材料によって作られる。シャワープレート２７の材料として、シャワープレート２７が供給する流体（ガスＧ）に対して耐性を有する材料が選択される。
三次元プリンタは、例えば、Ｚ軸に沿う方向において、材料の層の形成と、材料の層の固化とを繰り返すことで、シャワープレート２７を形成する。流路４３は、シャワープレート２７を形成する層の積層途中において、切削加工されても良い。シャワープレート２７を形成する層の積層途中において、例えば流路４３の、下方に向く面以外の面は、切削加工され得る。
シャワープレート２７は、積層造形以外の方法によって形成されても良い。例えば、切削によって流路４３の一部がそれぞれ形成された複数の部材を互いに接合させることで、シャワープレート２７が形成されても良い。
さらに、シャワープレート２７に限らず、複数の第１の開口部４１、複数の第２の開口部４２、及び流路４３を有する種々の部材が、種々の方法で形成されても良い。例えば、複数のパイプを接続させることで、複数の第１の開口部４１、複数の第２の開口部４２、及び流路４３を有する部材が形成されても良い。
第１の実施の形態に係る半導体処理装置１０において、複数の第１の開口部４１と複数の第２の開口部４２との間を接続する流路４３において、複数の第１の部分６１の互いに接続された第１の結合端部６１ｂと、複数の第２の部分６２の互いに接続された第２の結合端部６２ｂと、が接続された、複数の合流分岐部５５が設けられる。これにより、例えば複数の第１の開口部４１から複数の第２の開口部４２に向かってガスＧが流れる場合、複数の合流分岐部５５の第１の結合端部６１ｂにおいてガスＧが合流し、第２の結合端部６２ｂにおいてガスＧが分岐する。従って、例えば、各第１の開口部４１から導入されるガスＧの圧力や流速にばらつきがあったとしても、複数の合流分岐部５５においてガスＧの合流及び分岐が行われるため、各第２の開口部４２から吐出されるガスＧの圧力や流速が均等になりやすい。さらに、複数の第１の開口部４１からガスＧが導入されるため、流路４３におけるガスＧの圧力損失が抑制される。従って、例えば、ポンプ１３が供給可能なガスＧの圧力が比較的低くても、ガスＧが比較的高い圧力で第２の開口部４２から吐出されることが可能である。
流路４３における複数の第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路の長さが均等である。これにより、例えば、流路４３を通って各第２の開口部４２から吐出されるガスＧの圧力や流速がより均等になりやすい。
流路４３における複数の第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の流路４３において、複数の合流分岐部５５が設けられる。これにより、例えば複数の第１の開口部４１から複数の第２の開口部４２に向かってガスＧが流れる場合、ガスＧが複数回に亘って合流及び分岐される。従って、例えば、各第１の開口部４１から導入されるガスＧの圧力や流速にばらつきがあったとしても、各第２の開口部４２から吐出されるガスＧの圧力や流速がより均等になりやすい。
流路４３は、それぞれの第１の開口部４１と、全ての第２の開口部４２との間を接続する。このため、例えば複数の第１の開口部４１から複数の第２の開口部４２に向かってガスＧが流れる場合、一つの第２の開口部４２から吐出されるガスＧ（ガスＧａｂｃｄｅｆｇｈ）は、全ての第１の開口部４１から導入されたガスＧ（ガスＧａ，Ｇｂ，Ｇｃ，Ｇｄ，Ｇｅ，Ｇｆ，Ｇｇ，Ｇｈ）を含む。従って、例えば、各第１の開口部４１から導入されるガスＧの圧力や流速にばらつきがあったとしても、各第２の開口部４２から吐出されるガスＧの圧力や流速がより均等になりやすい。さらに、流路４３の一部が閉塞したとしても、流路４３の他の部分を通ったガスＧが複数の第２の開口部４２から吐出される。このため、ガスＧの供給が停止することが抑制される。
流路４３における複数の第１の開口部４１とそれぞれの第２の開口部４２との間の経路に設けられる合流分岐部５５の数が等しい。これにより、例えば複数の第１の開口部４１から複数の第２の開口部４２に向かってガスＧが流れる場合、それぞれの経路においてガスＧが合流及び分岐される回数が等しくなる。従って、例えば、各第１の開口部４１から導入されるガスＧの圧力や流速にばらつきがあったとしても、各第２の開口部４２から吐出されるガスＧの圧力や流速がより均等になりやすい。
上記第１の実施形態において、第１の開口部４１の数と第２の開口部４２の数とが等しい。しかし、第１及び第２の開口部４１，４２の数はこれに限らない。例えば、第２の開口部４２の数が第１の開口部４１の数より多くても良いし、第１の開口部４１の数が第２の開口部４２の数より多くても良い。第２の開口部４２の数が第１の開口部４１の数よりも多く設定されることで、より広い範囲からガスＧが吐出される。
さらに、上記第１の実施形態において、第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂと、第２の部分６２の第２の結合端部６２ｂとの間が、接続部分６３によって接続される。しかし、複数の第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂと、複数の第２の部分６２の第２の結合端部６２ｂとが、一か所で接続され、接続部分６３が省略されても良い。
以下に、第２の実施の形態について、図４を参照して説明する。なお、以下の実施形態の説明において、既に説明された構成要素と同様の機能を持つ構成要素は、当該既述の構成要素と同じ符号が付され、さらに説明が省略される場合がある。また、同じ符号が付された複数の構成要素は、全ての機能及び性質が共通するとは限らず、各実施形態に応じた異なる機能及び性質を有していても良い。
図４は、第２の実施の形態に係るシャワープレート２７を概略的に示す斜視図である。図４に示すように、第２の実施形態の半導体製造装置１０は、第１のポンプ８１と、第２のポンプ８２と、第３のポンプ８３と、第４のポンプ８４と、第５のポンプ８５と、第６のポンプ８６と、第７のポンプ８７と、第８のポンプ８８と、第１のタンク９１と、第２のタンク９２と、第３のタンク９３と、第４のタンク９４とを有する。第１乃至第８のポンプ８１〜８８は、送部の一例である。
第１のポンプ８１は、一つの第１の開口部４１ａに接続されるとともに、第１のタンク９１に接続される。第２のポンプ８２は、一つの第１の開口部４１ｂに接続されるとともに、第１のタンク９１に接続される。
第１のタンク９１に、第１のガスＧ１が収容される。第１のポンプ８１は、作動することで、第１のタンク９１に収容される第１のガスＧ１を第１の開口部４１ａに導入する。第２のポンプ８２は、作動することで、第１の開口部４１ｂから、流体を第１のタンク９１に向かって吸引する。
第３のポンプ８３は、一つの第１の開口部４１ｃに接続されるとともに、第２のタンク９２に接続される。第４のポンプ８４は、一つの第１の開口部４１ｄに接続されるとともに、第２のタンク９２に接続される。
第２のタンク９２に、第２のガスＧ２が収容される。第３のポンプ８３は、作動することで、第２のタンク９２に収容される第２のガスＧ２を第１の開口部４１ｃに導入する。第４のポンプ８４は、作動することで、第１の開口部４１ｄから、流体を第２のタンク９２に向かって吸引する。
第５のポンプ８５は、一つの第１の開口部４１ｅに接続されるとともに、第３のタンク９３に接続される。第６のポンプ８６は、一つの第１の開口部４１ｆに接続されるとともに、第３のタンク９３に接続される。
第３のタンク９３に、第３のガスＧ３が収容される。第５のポンプ８５は、作動することで、第３のタンク９３に収容される第３のガスＧ３を第１の開口部４１ｅに導入する。第６のポンプ８６は、作動することで、第１の開口部４１ｆから、流体を第３のタンク９３に向かって吸引する。
第７のポンプ８７は、一つの第１の開口部４１ｇに接続されるとともに、第４のタンク９４に接続される。第８のポンプ８８は、一つの第１の開口部４１ｈに接続されるとともに、第４のタンク９４に接続される。
第４のタンク９４に、第４のガスＧ４が収容される。第７のポンプ８７は、作動することで、第４のタンク９４に収容される第４のガスＧ４を第１の開口部４１ｇに導入する。第８のポンプ８８は、作動することで、第１の開口部４１ｈから、流体を第４のタンク９４に向かって吸引する。
第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４は、互いに異なる成分を有するガスである。なお、第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４はこれに限らず、第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４の少なくとも二つが互いに共通の成分を有するガスであっても良い。
以上のように、第１、第３、第５、及び第７のポンプ８１，８３，８５，８７は、複数の第１の開口部４１ａ，４１ｃ，４１ｅ，４１ｇに個別に第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４を導入することが可能である。さらに、第２、第４、第６、及び第８のポンプ８２，８４，８６，８８は、複数の開口部４１ｂ，４１ｄ，４１ｆ，４１ｈから個別に流体を吸引することが可能である。
上記の半導体製造装置１０は、例えば以下に説明するように、ステージ２５のウェハＷに向かって第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４を吐出する。なお、半導体製造装置１０が第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４を吐出する方法は、下記に説明される方法に限られない。
まず、半導体製造装置１０は、第１のポンプ８１を作動させる。第１のポンプ８１は、第１のタンク９１に収容された第１のガスＧ１を、第１の開口部４１ａに導入する。このとき、第２乃至第８のポンプ８２〜８８は停止した状態である。
第１の開口部４１ａに導入された第１のガスＧ１は、第１の開口部４１ａに接続された第１の接続路５１から、合流分岐部５５Ａの第１の部分６１に流入する。第１のガスＧ１は、第１の部分６１の第１の結合端部６１ｂから、接続部分６３に流入する。第１のガスＧ１は、互いに接続された第２の部分６２の第２の結合端部６２ｂで分岐する。同様に、第１のガスＧ１は、合流分岐部５５Ｂ，５５Ｃで分岐され、複数の第２の開口部４２から、ステージ２５の支持部２５ａに支持されたウェハＷに向かって吐出される。
次に、半導体製造装置１０は、第１のポンプ８１を停止させるとともに、第２のポンプ８２を作動させる。第２のポンプ８２は、第１の開口部４１ｂから第１のタンク９１に向かって、流体を吸引する。このため、複数の第２の開口部４２から、チャンバ２１に供給された第１のガスＧ１が吸引される。複数の第２の開口部４２から吸引された第１のガスＧ１は、合流分岐部５５Ｃ，５５Ｂ，５５Ａで合流され、第１の開口部４１ｂから、第１のタンク９１に回収される。
次に、半導体製造装置１０は、第２のポンプ８２を停止させるとともに、第３のポンプ８３を作動させる。第３のポンプ８３は、第２のタンク９２に収容された第２のガスＧ２を、第１の開口部４１ｃに導入する。このとき、第１及び第２のポンプ８１，８２と、第４乃至第８のポンプ８４〜８８とは、停止した状態である。第１の開口部４１ｃに導入された第２のガスＧ２は、第１のガスＧ１と同じく、合流分岐部５５Ａ，５５Ｂ，５５Ｃで分岐され、複数の第２の開口部４２から、ステージ２５の支持部２５ａに支持されたウェハＷに向かって吐出される。
次に、半導体製造装置１０は、第３のポンプ８３を停止させるとともに、第４のポンプ８４を作動させる。第４のポンプ８４は、第１の開口部４１ｄから第２のタンク９２に向かって、流体を吸引する。このため、複数の第２の開口部４２から、チャンバ２１に供給された第２のガスＧ２が吸引される。複数の第２の開口部４２から吸引された第２のガスＧ２は、合流分岐部５５Ｃ，５５Ｂ，５５Ａで合流され、第１の開口部４１ｄから、第２のタンク９２に回収される。
半導体製造装置１０は、同様に、第５及び第７のポンプ８５，８７によって第３及び第４のガスＧ３，Ｇ４を複数の第２の開口部４２から吐出させるとともに、第６及び第８のポンプ８６，８８によって第３及び第４のガスＧ３，Ｇ４を第２の開口部４２から吸引する。
半導体製造装置１０は、上述のように、第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４を、複数の第２の開口部４２から個別に吐出させても良いし、合流分岐部５５で混合された状態で複数の第２の開口部４２から吐出させても良い。例えば、半導体製造装置１０は、第１のポンプ８１と第３のポンプ８３とを同時に作動させても良い。この場合、複数の合流分岐部５５で第１のガスＧ１と第２のガスＧ２とが混合され、混合された第１及び第２のガスＧ１，Ｇ２が複数の第２の開口部４２から吐出される。
第２の実施形態の半導体製造装置１０において、第１、第３、第５、及び第７のポンプ８１，８３，８５，８７は、一つの第１の開口部４１に第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４のいずれか一つを導入し、他の第１の開口部４１に第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４の他の一つを導入することが可能である。この場合、第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４が、流路４３に設けられた複数の合流分岐部５５で混合されるとともに、均等に混合された第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４の少なくとも二つが複数の第２の開口部４２から均等に吐出される。このように、複数のガス（第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４の少なくとも二つ）が、流路４３で均等に混合されることが可能である。
第１乃至第８のポンプ８１〜８８は、第１の開口部４１へ個別に第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４のいずれか一つを導入することと、複数の第１の開口部４１から個別に第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４のいずれか一つを吸引することと、の少なくとも一方が可能である。これにより、例えば、作動する第１乃至第８のポンプ８１〜８８の数を変更することで、所望の圧力、流量、及び割合で第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４を導入又は吸引することができる。さらに、第１の開口部４１から複数種類のガス（第１乃至第４のガスＧ１〜Ｇ４）が導入される場合、同一の第２の開口部４２から、混合された複数種類のガスを吐出又は吸引することができる。
以上説明した少なくとも一つの実施形態によれば、互いに接続される第１の端部をそれぞれ有した複数の第１の部分と、互いに接続される第２の端部をそれぞれ有した複数の第２の部分と、をそれぞれ有し、それぞれの第１の端部と第２の端部とが接続される複数の合流分岐部、が流路に設けられる。これにより、第１又は第２の開口部から吸引又は送出される流体の圧力や流速が均等になりやすい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
以下に、本願の出願当初の特許請求の範囲の内容を付記する。
［１］
複数の第１の開口部と、
複数の第２の開口部と、
前記複数の第１の開口部と前記複数の第２の開口部との間を接続する流路と、
前記流路に設けられ、互いに接続される第１の端部をそれぞれ有した複数の第１の部分と、互いに接続される第２の端部をそれぞれ有するとともに前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の経路において前記第１の部分よりも前記第２の開口部に近い複数の第２の部分と、をそれぞれ有し、それぞれの前記第１の端部と前記第２の端部とが接続される複数の合流分岐部と、
が設けられた部材、
を具備した流路構造。
［２］
前記流路における前記複数の第１の開口部とそれぞれの前記第２の開口部との間の経路の長さが均等である、［１］の流路構造。
［３］
前記流路における前記複数の第１の開口部とそれぞれの前記第２の開口部との間の経路において、複数の前記合流分岐部が設けられる、［１］又は［２］の流路構造。
［４］
前記流路における前記複数の第１の開口部とそれぞれの前記第２の開口部との間の経路に設けられる前記合流分岐部の数が等しい、［３］の流路構造。
［５］
前記流路は、それぞれの前記第１の開口部と、全ての前記第２の開口部との間を接続する、［１］乃至［４］のいずれか一つの流路構造。
［６］
複数の第１の開口部と、
複数の第２の開口部と、
前記複数の第１の開口部と前記複数の第２の開口部との間を接続する流路と、
前記流路に設けられ、互いに接続される第１の端部をそれぞれ有した複数の第１の部分と、互いに接続される第２の端部をそれぞれ有するとともに前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の経路において前記第１の部分よりも前記第２の開口部に近い複数の第２の部分と、をそれぞれ有し、それぞれの前記第１の端部と前記第２の端部とが接続される複数の合流分岐部と、
が設けられ、流体の送出及び吸引の少なくとも一方が可能な送部に接続可能な部材、
を具備した吸排気部材。
［７］
処理部と、
複数の第１の開口部と、
前記処理部に向く複数の第２の開口部と、
前記複数の第１の開口部と前記複数の第２の開口部との間を接続する流路と、
前記流路に設けられ、互いに接続される第１の端部をそれぞれ有した複数の第１の部分と、互いに接続される第２の端部をそれぞれ有するとともに前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の経路において前記第１の部分よりも前記第２の開口部に近い複数の第２の部分と、をそれぞれ有し、それぞれの前記第１の端部と前記第２の端部とが接続される複数の合流分岐部と、
が設けられた部材と、
前記部材に接続され、前記複数の第１の開口部への流体の導入、及び前記複数の第１の開口部からの流体の吸引、の少なくとも一方が可能な送部と、
を具備した処理装置。
［８］
前記送部は、少なくとも一つの前記第１の開口部に第１の流体を導入し、少なくとも一つの他の前記第１の開口部に前記第１の流体と異なる第２の流体を導入することが可能な、［７］の処理装置。
［９］
前記送部は、前記複数の第１の開口部へ個別に流体を導入することと、前記複数の第１の開口部から個別に流体を吸引することと、の少なくとも一方が可能である、［７］又は［８］の処理装置。
１０…半導体製造装置、２５…ステージ、２６…拡散板、２７…シャワープレート、４１，４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ，４１ｅ，４１ｆ，４１ｇ，４１ｈ…第１の開口部、４２…第２の開口部、４３…流路、５５，５５Ａ，５５Ｂ，５５Ｃ…合流分岐部、６１…第１の部分、６１ｂ…第１の結合端部、６２…第２の部分、６２ｂ…第２の結合端部、８１…第１のポンプ、８２…第２のポンプ、８３…第３のポンプ、８４…第４のポンプ、８５…第５のポンプ、８６…第６のポンプ、８７…第７のポンプ、８８…第８のポンプ、Ｇ…ガス、Ｇ１…第１のガス、Ｇ２…第２のガス、Ｇ３…第３のガス、Ｇ４…第４のガス。

Claims (17)

  1. 複数の第１の開口部と、
    複数の第２の開口部と、
    前記複数の第１の開口部と前記複数の第２の開口部との間を接続する流路と、
    前記流路に設けられ、互いに接続される第１の結合端部及び前記第１の結合端部の反対側に位置する第１の外端部をそれぞれ有した複数の第１の部分と、互いに接続される第２の結合端部及び前記第２の結合端部の反対側に位置する第２の外端部をそれぞれ有するとともに前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の経路において前記第１の部分よりも前記第２の開口部に近い複数の第２の部分と、をそれぞれ有し、それぞれの前記第１の結合端部と前記第２の結合端部とが接続される複数の合流分岐部と、
    が設けられた部材、
    を具備し、
    前記流路における前記複数の第１の開口部とそれぞれの前記第２の開口部との間の経路において、複数の前記合流分岐部が設けられ、
    前記複数の合流分岐部のうち一つにおける前記複数の第１の部分の前記第１の外端部は、異なる前記複数の合流分岐部の、前記第２の外端部の一つにそれぞれ接続される、
    流路構造。
  2. 前記複数の第１の開口部の数と前記複数の第２の開口部の数とが等しい、請求項１の流路構造。
  3. 複数の第１の開口部と、
    複数の第２の開口部と、
    前記複数の第１の開口部と前記複数の第２の開口部との間を接続する流路と、
    前記流路に設けられ、互いに接続される第１の端部をそれぞれ有した複数の第１の部分と、互いに接続される第２の端部をそれぞれ有するとともに前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の経路において前記第１の部分よりも前記第２の開口部に近い複数の第２の部分と、をそれぞれ有し、それぞれの前記第１の端部と前記第２の端部とが接続される複数の合流分岐部と、
    が設けられた部材、
    を具備し、
    前記複数の第１の部分と、前記複数の第２の部分とは、捩れの位置にある、
    流路構造。
  4. 前記複数の第１の開口部が開口する第１の面と、
    前記複数の第２の開口部が開口する第２の面と、
    をさらに具備する、請求項１乃至請求項３のうちいずれか一つの流路構造。
  5. 前記流路における前記複数の第１の開口部とそれぞれの前記第２の開口部との間の経路の長さが均等である、請求項１乃至請求項４のうちいずれか一つの流路構造。
  6. 前記流路における前記複数の第１の開口部とそれぞれの前記第２の開口部との間の経路において、複数の前記合流分岐部が設けられる、請求項３の流路構造。
  7. 前記複数の合流分岐部は、前記複数の第１の部分及び前記複数の第２の部分をそれぞれ含む複数の第１の合流分岐部と、前記複数の第１の部分及び複数の第２の部分を含む第２の合流分岐部と、を含み、
    前記第２の合流分岐部の前記複数の第１の部分は、異なる前記複数の第１の合流分岐部の、前記複数の第２の部分のうち一つにそれぞれ接続された、
    請求項６の流路構造。
  8. 前記流路における前記複数の第１の開口部とそれぞれの前記第２の開口部との間の経路に設けられる前記合流分岐部の数が等しい、請求項１乃至請求項７のうちいずれか一つの流路構造。
  9. 前記流路は、それぞれの前記第１の開口部と、全ての前記第２の開口部との間を接続する、請求項１乃至請求項８のいずれか一つの流路構造。
  10. 複数の第１の開口部と、
    複数の第２の開口部と、
    前記複数の第１の開口部と前記複数の第２の開口部との間を接続する流路と、
    前記流路に設けられ、互いに接続される第１の結合端部及び前記第１の結合端部の反対側に位置する第１の外端部をそれぞれ有した複数の第１の部分と、互いに接続される第２の結合端部及び前記第２の結合端部の反対側に位置する第２の外端部をそれぞれ有するとともに前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の経路において前記第１の部分よりも前記第２の開口部に近い複数の第２の部分と、をそれぞれ有し、それぞれの前記第１の結合端部と前記第２の結合端部とが接続される複数の合流分岐部と、
    が設けられ、流体の送出及び吸引の少なくとも一方が可能な送部に接続可能な部材、
    を具備し、
    前記流路における前記複数の第１の開口部とそれぞれの前記第２の開口部との間の経路において、複数の前記合流分岐部が設けられ、
    前記複数の合流分岐部のうち一つにおける前記複数の第１の部分の前記第１の外端部は、異なる前記複数の合流分岐部の、前記第２の外端部の一つにそれぞれ接続される、
    吸排気部材。
  11. 複数の第１の開口部と、
    複数の第２の開口部と、
    前記複数の第１の開口部と前記複数の第２の開口部との間を接続する流路と、
    前記流路に設けられ、互いに接続される第１の端部をそれぞれ有した複数の第１の部分と、互いに接続される第２の端部をそれぞれ有するとともに前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の経路において前記第１の部分よりも前記第２の開口部に近い複数の第２の部分と、をそれぞれ有し、それぞれの前記第１の端部と前記第２の端部とが接続される複数の合流分岐部と、
    が設けられ、流体の送出及び吸引の少なくとも一方が可能な送部に接続可能な部材、
    を具備し、
    前記複数の第１の部分と、前記複数の第２の部分とは、捩れの位置にある、
    吸排気部材。
  12. 前記複数の合流分岐部は、前記複数の第１の部分及び前記複数の第２の部分をそれぞれ含む複数の第１の合流分岐部と、前記複数の第１の部分及び複数の第２の部分を含む第２の合流分岐部と、を含み、
    前記第２の合流分岐部の前記複数の第１の部分は、異なる前記複数の第１の合流分岐部の、前記複数の第２の部分のうち一つにそれぞれ接続された、
    請求項１１の吸排気部材。
  13. 処理部と、
    複数の第１の開口部と、
    前記処理部に向く複数の第２の開口部と、
    前記複数の第１の開口部と前記複数の第２の開口部との間を接続する流路と、
    前記流路に設けられ、互いに接続される第１の結合端部及び前記第１の結合端部の反対側に位置する第１の外端部をそれぞれ有した複数の第１の部分と、互いに接続される第２の結合端部及び前記第２の結合端部の反対側に位置する第２の外端部をそれぞれ有するとともに前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の経路において前記第１の部分よりも前記第２の開口部に近い複数の第２の部分と、をそれぞれ有し、それぞれの前記第１の結合端部と前記第２の結合端部とが接続される複数の合流分岐部と、
    が設けられた部材と、
    前記部材に接続され、前記複数の第１の開口部への流体の導入、及び前記複数の第１の開口部からの流体の吸引、の少なくとも一方が可能な送部と、
    を具備し、
    前記流路における前記複数の第１の開口部とそれぞれの前記第２の開口部との間の経路において、複数の前記合流分岐部が設けられ、
    前記複数の合流分岐部のうち一つにおける前記複数の第１の部分の前記第１の外端部は、異なる前記複数の合流分岐部の、前記第２の外端部の一つにそれぞれ接続される、
    処理装置。
  14. 処理部と、
    複数の第１の開口部と、
    前記処理部に向く複数の第２の開口部と、
    前記複数の第１の開口部と前記複数の第２の開口部との間を接続する流路と、
    前記流路に設けられ、互いに接続される第１の端部をそれぞれ有した複数の第１の部分と、互いに接続される第２の端部をそれぞれ有するとともに前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の経路において前記第１の部分よりも前記第２の開口部に近い複数の第２の部分と、をそれぞれ有し、それぞれの前記第１の端部と前記第２の端部とが接続される複数の合流分岐部と、
    が設けられた部材と、
    前記部材に接続され、前記複数の第１の開口部への流体の導入、及び前記複数の第１の開口部からの流体の吸引、の少なくとも一方が可能な送部と、
    を具備し、
    前記複数の第１の部分と、前記複数の第２の部分とは、捩れの位置にある、
    処理装置。
  15. 前記複数の合流分岐部は、前記複数の第１の部分及び前記複数の第２の部分をそれぞれ含む複数の第１の合流分岐部と、前記複数の第１の部分及び複数の第２の部分を含む第２の合流分岐部と、を含み、
    前記第２の合流分岐部の前記複数の第１の部分は、異なる前記複数の第１の合流分岐部の、前記複数の第２の部分のうち一つにそれぞれ接続された、
    請求項１４の処理装置。
  16. 処理部と、
    複数の第１の開口部と、
    前記処理部に向く複数の第２の開口部と、
    前記複数の第１の開口部と前記複数の第２の開口部との間を接続する流路と、
    前記流路に設けられ、互いに接続される第１の端部をそれぞれ有した複数の第１の部分と、互いに接続される第２の端部をそれぞれ有するとともに前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の経路において前記第１の部分よりも前記第２の開口部に近い複数の第２の部分と、をそれぞれ有し、それぞれの前記第１の端部と前記第２の端部とが接続される複数の合流分岐部と、
    が設けられた部材と、
    前記部材に接続され、前記複数の第１の開口部への流体の導入、及び前記複数の第１の開口部からの流体の吸引、の少なくとも一方が可能な送部と、
    を具備し、
    前記送部は、少なくとも一つの前記第１の開口部に第１の流体を導入し、少なくとも一つの他の前記第１の開口部に前記第１の流体と異なる第２の流体を導入することが可能な、
    処理装置。
  17. 処理部と、
    複数の第１の開口部と、
    前記処理部に向く複数の第２の開口部と、
    前記複数の第１の開口部と前記複数の第２の開口部との間を接続する流路と、
    前記流路に設けられ、互いに接続される第１の端部をそれぞれ有した複数の第１の部分と、互いに接続される第２の端部をそれぞれ有するとともに前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の経路において前記第１の部分よりも前記第２の開口部に近い複数の第２の部分と、をそれぞれ有し、それぞれの前記第１の端部と前記第２の端部とが接続される複数の合流分岐部と、
    が設けられた部材と、
    前記部材に接続され、前記複数の第１の開口部への流体の導入、及び前記複数の第１の開口部からの流体の吸引、の少なくとも一方が可能な送部と、
    を具備し、
    前記送部は、前記複数の第１の開口部へ個別に流体を導入することと、前記複数の第１の開口部から個別に流体を吸引することと、の少なくとも一方が可能である、
    処理装置。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3084275B1 (fr) 2018-07-30 2020-07-31 Centre Nat Rech Scient Tete et systeme compacts de depot en phase vapeur
US12005462B2 (en) * 2019-01-18 2024-06-11 Rooftop Research, Llc Fluid dispensing system
WO2020217601A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 株式会社堀場エステック 流路形成装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1409259A (en) * 1920-02-11 1922-03-14 Sykora Rudolf Fluid-distributing nozzle
US4196748A (en) * 1977-12-16 1980-04-08 Stauffer Chemical Company Multiple strength fluid distribution apparatus
US4550681A (en) * 1982-10-07 1985-11-05 Johannes Zimmer Applicator for uniformly distributing a flowable material over a receiving surface
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
US20020121239A1 (en) * 1996-04-10 2002-09-05 Tonazzi Juan C. Lopez Devices and methods for applying liquid coatings to substrates
US6086677A (en) * 1998-06-16 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
JP2000098319A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Sharp Corp 薬液処理装置
JP2001033000A (ja) * 1999-07-21 2001-02-06 Nippon Sanso Corp ガス供給装置
US6576574B2 (en) * 1999-11-10 2003-06-10 Milliken & Company Airbag coatings comprising microspheres providing improved thermal resistance
JP4703810B2 (ja) * 2000-03-07 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 Ｃｖｄ成膜方法
US6502530B1 (en) * 2000-04-26 2003-01-07 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Design of gas injection for the electrode in a capacitively coupled RF plasma reactor
KR100397889B1 (ko) * 2001-01-18 2003-09-19 삼성전자주식회사 개스공급장치의 잔류개스 제거장치
KR100743840B1 (ko) 2004-11-03 2007-07-30 주식회사 뉴파워 프라즈마 마그네틱 코어가 내장된 플라즈마 반응 챔버
JP2008114097A (ja) * 2005-02-22 2008-05-22 Hoya Advanced Semiconductor Technologies Co Ltd ガス混合器、成膜装置、及び薄膜製造方法
JP5045000B2 (ja) * 2006-06-20 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、ガス供給装置、成膜方法及び記憶媒体
US8196609B2 (en) 2006-08-23 2012-06-12 Horiba Stec, Co., Ltd. Integrated gas panel apparatus
KR100849929B1 (ko) * 2006-09-16 2008-08-26 주식회사 피에조닉스 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치
JP4978554B2 (ja) * 2008-05-12 2012-07-18 信越半導体株式会社 薄膜の気相成長方法および気相成長装置
JP4700095B2 (ja) * 2008-11-03 2011-06-15 シーケーディ株式会社 ガス供給装置、ブロック状フランジ
KR101064210B1 (ko) * 2009-06-01 2011-09-14 한국생산기술연구원 막증착 진공장비용 샤워헤드
KR101559470B1 (ko) * 2009-06-04 2015-10-12 주성엔지니어링(주) 화학 기상 증착 장치
WO2013136656A1 (ja) * 2012-03-15 2013-09-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6013808B2 (ja) * 2012-07-03 2016-10-25 東日本旅客鉄道株式会社 多ノズル式スプレーヘッド
JP6134522B2 (ja) * 2013-01-30 2017-05-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
KR101451244B1 (ko) * 2013-03-22 2014-10-15 참엔지니어링(주) 라이너 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR101467195B1 (ko) * 2013-05-14 2014-12-01 주식회사 아바코 가스 분사기 및 이를 포함하는 박막 증착 장치
JP6199619B2 (ja) * 2013-06-13 2017-09-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置
JP6462613B2 (ja) * 2016-03-15 2019-01-30 株式会社東芝 分流構造

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