JP6189892B2 - 超音波非破壊検査方法 - Google Patents
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Description
前記細長いストリップと結合する超音波トランスデューサを含んでなり、ここに、
前記細長いストリップは1対1を超えるアスペクト比を与える幅及び厚さを伴う縦方向の断面を有し、前記超音波トランスデューサの励起が実質的に非分散の超音波信号を誘導して前記細長いストリップを進行し、前記試験対象物に進入するように前記超音波トランスデューサと整合する。
(i)接着接続、
(ii)機械固定及び超音波透過カプラー、並びに、
(iii)機械固定及び種々の力、
の1つにより、前記遠位端に結合する。このように超音波トランスデューサと導波路の遠位端を結合することにより、両者間の効率的なエネルギー伝送が促進される。
(i)溶接、
(ii)ろう付け、
(iii)はんだ付け、及び、
(iv)接着、
のいずれかにより固定されることが前記装置の性能に重要であることを認識する。
(i)200℃を超える温度にある場合、及び
(ii)電離放射のバックグラウンドレベルに曝される場合、
に特に好適である。
細長いストリップの近位端を試験対象物に結合するステップ、
実質的に非分散の超音波信号を前記細長いストリップ内に励起し、前記細長いストリップに沿って進行させ、前記試験対象物に進入させるステップ、を含んでなる。
断面積が単一ワイヤよりずっと大きくなるため、強力な信号を得ることがより容易であり、また、導波路と構造物との間のインターフェイスがより小さくなるので、より多くのエネルギーが被検査構造物に入る。
ストリップから被検査構造物に入るときに、波は円柱状に拡散する傾向にある。このことは、ビーム拡散のために構造物における波の振幅が1/√r(rは、設置点からの距離である)に比例した割合で小さくなることを意味する。
ビーム拡散が球状になるワイヤシステムの場合、1/rに比例した減衰の割合に匹敵する。円柱状ビーム拡散パターンは、飛行時間回折法(TOFD)に基づく単純な厚さ計測及びひび割れの寸法計測の両方に非常に好適である(図3及び図4参照)。
ストリップの先端にトランスデューサを取り付けることによってストリップ内においてせん断波又は縦波を励起することが容易になる。また、適切なトランスデューサをストリップの側面に取り付けることによってどちらかのタイプの波を励起することがより便利であれば、これも可能である。
導波路を構造物に溶接、半田付け、ろう付け、又は接着することが可能である。また、単に低温において粘性のある超音波ゲル接触媒質を使用すること、及び/又は高温及び低音において動作する構造上に導波路をしっかりクランプすることも(例えば、クランプ力を調節可能なネジ付きスタッドを溶接することにより)可能である。導波路は薄いため、導波路の全底面が構造物に取り付けられることを比較的容易に確認でき、従って信号伝達が改善される。永久接合技法では望ましくない幾何学的歪みを避けられないが、構造物への導波路のクランプにおいてはこの欠点を除去できるという利点がある。クランプすることによって充分な信号伝達を達成することができる。
ストリップ型導波路は、典型的な束よりも一方向においてより柔軟であり、コーナーを回って構造物にアクセスすることがより容易になる。
圧縮型ストリップモードについて上記と同一の手順を実施することができる。構造物内において高いせん断波減衰が見られる場合、又は構造物内において圧縮波の利用が有利である場合は、このモードの利用が有用である。
「音響ケーブル(導波路)」の「接合部」を介して、モニタする構造物までエネルギーを伝達することもまた重要である。弾性半空間上の法線の点力及び線力に関する問題は、Lambの問題としてよく知られており、最初にLambによって解決された(参考文献16参照)。異なる幾何学的形状及び偏向源を用いて同様の問題に対する解決方法を示した他の研究者もいる。Miller及びPurseyは、無限に長いストリップ及び表面を法線方向、接線方向、及びねじれた方向に装着している円盤について考察した(参考文献17参照)。Achenbachは、弾性半空間上における非平面せん断の無限線源に対する解決方法を提示しており、その方法は、より大きな構造物に入る導波路におけるSH*モードの簡略化された2次元分解である(参考文献18参照)。この場合、半空間において励起された非平面せん断波は、発生源から構造内へと円柱状に広がる。他のどの負荷条件においても生じる表面波の励起は、非平面せん断負荷においては生じない。モード変換を除くことによって、生成する信号の複雑さは抑えられるので、これは欠陥モニタリング又は厚さ計測に望ましい。また、Miller及びPurseyによって他の発生源について記載された放射パターンは、もっと複雑であり、エネルギーの大部分を必要とする表面波を常に含む。圧縮導波路のストリップ源は、発生源からの波の球状拡散を円柱状拡散に減少させるため、点源に比べて有益でもある。また、ストリップが薄ければ薄いほど、表面波に変換されるエネルギーは小さくなる。
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(1)試験対象物の超音波非破壊検査のための装置であって、前記装置は、
超音波透過性材料の細長いストリップであって、前記細長いストリップは前記試験対象物と結合するための近位端及び遠位端を有するストリップ;及び、
前記細長いストリップに結合される超音波トランスデューサを含んでなり、
ここに前記細長いストリップは、1対1を超えるアスペクト比を与える幅及び厚さを伴う縦方向の断面を有し、前記超音波トランスデューサの励起が前記細長いストリップに沿って進行する実質的に非分散の超音波信号を誘導して前記試験対象物に進入するように、前記超音波トランスデューサと整合する、装置。
(2)前記細長いストリップはせん断速度Cs及びせん断波長λBを有する材料で形成され、ここにλB=Cs/Fであり、FはλBに対応する周波数であり、前記実質的に非分散の超音波パルスは異なる周波数成分を生成してλshortからλlongまでの範囲のせん断波長を有する装置。
(3)前記厚さは2.5λshort未満である装置。
(4)前記厚さはλshort未満である装置。
(5)前記幅は3.5λlong未満である装置。
(6)前記幅は5λlong未満である装置。
(7)前記幅はλlong未満である装置。
(8)前記実質的に非分散の超音波信号は、進行方向に垂直かつ前記幅に平行な偏向を有する最低次せん断モード振動である装置。
(9)前記細長いストリップは棒速度Cbar及び棒波長λbarを有する材料で形成され、ここにλbar=Cbar/Fであり、Fはλbarに対応する周波数であり、前記実質的に非分散の超音波パルスは異なる周波数成分を生成してλshortからλlongまでの範囲の棒波長を有する装置。
(10)前記厚さは2.5λshort未満である装置。
(11)前記厚さはλshort未満である装置。
(12)前記幅は3.5λlong未満である装置。
(13)前記幅は5λlong未満である装置。
(14)前記実質的に非分散の超音波信号は、進行方向に垂直かつ前記幅に平行な偏向を有する最低次せん断モード振動である装置。
(15)前記超音波トランスデューサは実質的に単一モードの進行ガイド波のみを励起する装置。
(16)前記超音波トランスデューサは実質的に単一モードの進行ガイド波のみを励起して前記実質的に非分散超音波信号を誘導する装置。
(17)前記実質的に非分散の超音波信号は、前記近位端から前記試験対象物へ実質的に円筒状に広がる装置。
(18)前記超音波トランスデューサは前記遠位端に結合される装置。
(19)前記超音波トランスデューサは、
(iv)接着結合;
(v)機械的固定及び超音波透過性カプラ;並びに、
(vi)機械的固定及び可変の力の1により前記遠位端に結合する、装置。
(20)前記超音波トランスデューサは、前記細長いストリップの少なくとも1の縦側の側面に結合されたトランスデューサを含む装置。
(21)前記超音波トランスデューサは、電磁的な超音波変換のために動作しうるコイルを含む装置。
(22)前記細長いストリップは、前記細長いストリップの前記幅に実質的に平行で進行方向に実質的に垂直な軸の回りに屈曲する装置。
(23)前記細長いストリップは進行方向に実質的に平行な軸の回りに屈曲する装置。
(24)前記試験対象物に進行する前記実質的に非分散の超音波信号から生じる、試験対象物からの反射超音波の受信動作が可能な超音波受信器を含む装置。
(25)前記超音波受信器は、前記反射した超音波を受信する相対的な位置においてそれぞれが前記試験対象物に結合され、前記反射した超音波を検出するために超音波受信トランスデューサを有する1以上のさらなる細長いストリップを含む装置。
(26)前記細長いストリップ及び前記超音波トランスデューサは前記超音波受信器も形成する装置。
(27)前記反射した超音波は少なくとも1の反射した信号を含み、前記超音波受信器は前記反射した信号の時間変化を測定する装置。
(28)前記近位端は前記試験対象物に対して、
(i)溶接;
(ii)ろう付け;
(iii)はんだ付け;及び
(iv)接着
のいずれかにより固定される装置。
(29)前記近位端は前記試験対象物にクランプされる装置。
(30)前記近位端と前記試験対象物との間に超音波透過性カプラが配置される装置。
(31)前記細長いストリップを前記試験対象物に対して調節可能な力によりクランプがクランプする装置。
(32)前記クランプは、前記試験対象物に溶接されるスタッドにより前記試験対象物に結合される装置。
(33)前記超音波信号が前記試験対象物に非法線角度で進入するように、前記進行方向は前記表面に対する法線とならないよう、前記近位端は前記試験対象物の表面に結合される装置。
(34)前記超音波非破壊検査は厚さ測定である装置。
(35)前記超音波非破壊検査はひび割れモニタである装置。
(36)前記試験対象物は、
(i)200度を超える温度で、
(ii)電離放射のバックグラウンドレベルに曝される、装置。
(37)細長いストリップを試験対象物の近位端に結合するステップ;
前記細長いストリップ内に実質的に非分散の超音波信号を励起し、前記細長いストリップに沿って進行させ前記試験対象物に進入させるステップ;
を含んでなる、試験対象物の超音波非破壊検査方法。
(38)前記細長いストリップはせん断速度Cs及びせん断波長λBを有する材料で形成され、ここにλB=Cs/Fであり、FはλBに対応する周波数であり、前記実質的に非分散の超音波パルスは異なる周波数成分を生成してλshortからλlongまでの範囲のせん断波長を有する、請求項37に記載の方法。
(39)前記細長いストリップは、縦方向に厚さ2.5λshort未満の断面を有する方法。
(40)前記細長いストリップは、横方向に厚さλshort未満の断面を有する方法。
(41)前記細長いストリップは、横方向に幅3.5λlongを超える断面を有する方法。
(42)前記細長いストリップは、横方向に幅5λlongを超える断面を有する方法。
(43)前記細長いストリップは、横方向に厚さλlong未満の断面を有する方法。
(44)前記実質的に非分散の超音波信号は、進行方向に垂直かつ前記細長いストリップの幅に平行な偏向を有する最低次せん断モード振動を含む方法。
(45)前記細長いストリップは棒速度Cbar及び棒波長λbarを有する材料で形成され、ここにλbar=Cbar/Fであり、Fはλbarに対応する周波数であり、前記実質的に非分散の超音波パルスは異なる周波数成分を生成してλshortからλlongまでの範囲の棒波長を有する方法。
(46)前記厚さは2.5λshort未満である方法。
(47)前記厚さはλshort未満である方法。
(48)前記幅は3.5λlong未満である方法。
(49)前記幅は5λlong未満である方法。
(50)前記厚さはλlong未満である方法。
(51)前記実質的に非分散の超音波信号は、進行方向に平行な偏向を有する最低次せん断モード振動である方法。
(52)前記細長い導波路内で実質的に単一モードの進行ガイド波のみが励起される方法。
(53)前記超音波非破壊検査は厚さ測定である方法。
(54)前記超音波非破壊検査はひび割れモニタである方法。
(55)前記試験対象物は、
(i)200度を超える温度で、
(ii)電離放射のバックグラウンドレベルに曝される、方法。
Claims (12)
- 細長い矩形状のストリップを試験対象物の近位端に直接結合するステップ;
前記細長い矩形状のストリップ内に実質的に非分散の超音波信号を励起し、前記細長い矩形状のストリップに沿って進行させ、前記試験対象物に進入させるステップ;
を含む、試験対象物の超音波非破壊検査方法であって、
前記超音波非破壊検査は、厚さ測定であり、
前記実質的に非分散の超音波信号を誘導するために、前記細長い矩形状のストリップ内で実質的に単一モードの進行ガイド波のみが励起される、方法。 - 前記細長い矩形状のストリップは、せん断速度Cs及びせん断波長λBを有する材料で形成され、ここにλB=Cs/Fであり、FはλBに対応する周波数であり、前記実質的に非分散の超音波パルスは、異なる周波数成分を生成してλshortからλlongまでの範囲のせん断波長を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記細長い矩形状のストリップは、厚さ2.5λshort未満を有する、請求項2に記載の方法。
- 前記細長い矩形状のストリップは、横方向に厚さλshort未満の断面を有する、請求項2に記載の方法。
- 前記細長い矩形状のストリップは、横方向に幅3.5λlongを超える断面を有する、請求項2、3及び4のいずれかに記載の方法。
- 前記細長い矩形状のストリップは、横方向に幅5λlongを超える断面を有する、請求項2、3及び4のいずれかに記載の方法。
- 前記細長い矩形状のストリップは、横方向に厚さλlong未満の断面を有する、請求項2、3及び4のいずれかに記載の方法。
- 前記細長い矩形状のストリップは、棒速度Cbar及び棒波長λbarを有する材料で形成され、ここにλbar=Cbar/Fであり、Fはλbarに対応する周波数であり、前記実質的に非分散の超音波パルスは、異なる周波数成分を生成してλshortからλlongまでの範囲の棒波長を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記細長い矩形状のストリップの厚さは、2.5λshort未満である、請求項8に記載の方法。
- 前記細長い矩形状のストリップの厚さは、λshort未満である、請求項8に記載の方法。
- 前記細長い矩形状のストリップの厚さは、λlong未満である、請求項8、9及び10のいずれかに記載の方法。
- 前記実質的に非分散の超音波信号は、進行方向に平行な偏向を有する最低次せん断モード振動である、請求項8から11のいずれかに記載の方法。
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