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JP2009515158A5 - - Google Patents

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Claims (55)

  1. 試験対象物の超音波非破壊検査のための装置であって、前記装置は、
    超音波透過性材料の細長いストリップであって、前記細長いストリップは前記試験対象物と結合するための近位端及び遠位端を有するストリップ;及び、
    前記細長いストリップに結合される超音波トランスデューサを含んでなり、
    ここに前記細長いストリップは、1対1を超えるアスペクト比を与える幅及び厚さを伴う方向の断面を有し、前記超音波トランスデューサの励起が前記細長いストリップに沿って進行する実質的に非分散の超音波信号を誘導して前記試験対象物に進入するように、前記超音波トランスデューサと整合する、装置。
  2. 前記細長いストリップはせん断速度C及びせん断波長λを有する材料で形成され、ここにλ=C/Fであり、Fはλに対応する周波数であり、前記実質的に非分散の超音波パルスは異なる周波数成分を生成してλshortからλlongまでの範囲のせん断波長を有する、請求項1に記載の装置。
  3. 前記厚さは2.5λshort未満である、請求項2に記載の装置。
  4. 前記厚さはλshort未満である、請求項2に記載の装置。
  5. 前記幅は3.5λlong を超える、請求項2から4のいずれかに記載の装置。
  6. 前記幅は5λlong を超える、請求項2から4のいずれかに記載の装置。
  7. 前記厚さはλlong未満である、請求項2から4のいずれかに記載の装置。
  8. 前記実質的に非分散の超音波信号は、進行方向に垂直かつ前記幅に平行な偏向を有する最低次せん断モード振動である、請求項2から7のいずれかに記載の装置。
  9. 前記細長いストリップは棒速度Cbar及び棒波長λbarを有する材料で形成され、ここにλbar=Cbar/Fであり、Fはλbarに対応する周波数であり、前記実質的に非分散の超音波パルスは異なる周波数成分を生成してλshortからλlongまでの範囲の棒波長を有する、請求項1に記載の装置。
  10. 前記厚さは2.5λshort未満である、請求項9に記載の装置。
  11. 前記厚さはλshort未満である、請求項9に記載の装置。
  12. 前記幅は3.5λlong を超える、請求項9から11のいずれかに記載の装置。
  13. 前記幅は5λlong を超える、請求項9から11のいずれかに記載の装置。
  14. 前記実質的に非分散の超音波信号は、進行方向に垂直かつ前記幅に平行な偏向を有する最低次せん断モード振動である、請求項9から13のいずれかに記載の装置。
  15. 前記超音波トランスデューサは実質的に単一モードの進行ガイド波のみを励起する、請求項1から14のいずれかに記載の装置。
  16. 前記超音波トランスデューサは実質的に単一モードの進行ガイド波のみを励起して前記実質的に非分散超音波信号を誘導する、請求項15に記載の装置。
  17. 前記実質的に非分散の超音波信号は、前記近位端から前記試験対象物へ実質的に円筒状に広がる、請求項1から16のいずれかに記載の装置。
  18. 前記超音波トランスデューサは前記遠位端に結合される、請求項1から17のいずれかに記載の装置。
  19. 前記超音波トランスデューサは、
    (iv)接着結合;
    (v)機械的固定及び超音波透過性カプラ;並びに、
    (vi)機械的固定及び可変の力の1により前記遠位端に結合する、
    請求項18に記載の装置。
  20. 前記超音波トランスデューサは、前記細長いストリップの少なくとも1の縦側の側面に結合されたトランスデューサを含む、請求項1から19のいずれかに記載の装置。
  21. 前記超音波トランスデューサは、電磁的な超音波変換のために動作しうるコイルを含む、請求項1から19のいずれかに記載の装置。
  22. 前記細長いストリップは、前記細長いストリップの前記幅に実質的に平行で進行方向に実質的に垂直な軸の回りに屈曲する、請求項1から21のいずれかに記載の装置。
  23. 前記細長いストリップは進行方向に実質的に平行な軸の回りに屈曲する、請求項1から22のいずれかに記載の装置。
  24. 前記試験対象物に進行する前記実質的に非分散の超音波信号から生じる、試験対象物からの反射超音波の受信動作が可能な超音波受信器を含む、請求項1から23のいずれかに記載の装置。
  25. 前記超音波受信器は、前記反射した超音波を受信する相対的な位置においてそれぞれが前記試験対象物に結合され、前記反射した超音波を検出するために超音波受信トランスデューサを有する1以上のさらなる細長いストリップを含む、請求項24に記載の装置。
  26. 前記細長いストリップ及び前記超音波トランスデューサは前記超音波受信器も形成する、請求項24に記載の装置。
  27. 前記反射した超音波は少なくとも1の反射した信号を含み、前記超音波受信器は前記反射した信号の時間変化を測定する、請求項24から26のいずれかに記載の装置。
  28. 前記近位端は前記試験対象物に対して、
    (i)溶接;
    (ii)ろう付け;
    (iii)はんだ付け;及び
    (iv)接着
    のいずれかにより固定される、請求項1から27のいずれかに記載の装置。
  29. 前記近位端は前記試験対象物にクランプされる、請求項1から27のいずれかに記載の装置。
  30. 前記近位端と前記試験対象物との間に超音波透過性カプラが配置される、請求項29に記載の装置。
  31. 前記細長いストリップを前記試験対象物に対して調節可能な力によりクランプがクランプする、請求項29から30のいずれかに記載の装置。
  32. 前記クランプは、前記試験対象物に溶接されるスタッドにより前記試験対象物に結合される、請求項31に記載の装置。
  33. 前記超音波信号が前記試験対象物に非法線角度で進入するように、前記進行方向は前記表面に対する法線とならないよう、前記近位端は前記試験対象物の表面に結合される、請求項1から32のいずれかに記載の装置。
  34. 前記超音波非破壊検査は厚さ測定である、請求項1から33のいずれかに記載の装置。
  35. 前記超音波非破壊検査はひび割れモニタである、請求項1から33のいずれかに記載の装置。
  36. 前記試験対象物は、
    (i)200を超える温度で、
    (ii)電離放射のバックグラウンドレベルに曝される、
    請求項1から35のいずれかに記載の装置。
  37. 細長いストリップを試験対象物の近位端に結合するステップ;
    前記細長いストリップ内に実質的に非分散の超音波信号を励起し、前記細長いストリップに沿って進行させ前記試験対象物に進入させるステップ;
    を含んでなる、試験対象物の超音波非破壊検査方法。
  38. 前記細長いストリップはせん断速度C及びせん断波長λを有する材料で形成され、ここにλ=C/Fであり、Fはλに対応する周波数であり、前記実質的に非分散の超音波パルスは異なる周波数成分を生成してλshortからλlongまでの範囲のせん断波長を有する、請求項37に記載の方法。
  39. 前記細長いストリップは、方向に厚さ2.5λshort未満の断面を有する、請求項38に記載の方法。
  40. 前記細長いストリップは、横方向に厚さλshort未満の断面を有する、請求項38に記載の方法。
  41. 前記細長いストリップは、横方向に幅3.5λlongを超える断面を有する、請求項38、39及び40のいずれかに記載の方法。
  42. 前記細長いストリップは、横方向に幅5λlongを超える断面を有する、請求項38、39及び40のいずれかに記載の方法。
  43. 前記細長いストリップは、横方向に厚さλlong未満の断面を有する、請求項38、39及び40のいずれかに記載の方法。
  44. 前記実質的に非分散の超音波信号は、進行方向に垂直かつ前記細長いストリップの幅に平行な偏向を有する最低次せん断モード振動を含む、請求項37から42のいずれかに記載の方法。
  45. 前記細長いストリップは棒速度Cbar及び棒波長λbarを有する材料で形成され、ここにλbar=Cbar/Fであり、Fはλbarに対応する周波数であり、前記実質的に非分散の超音波パルスは異なる周波数成分を生成してλshortからλlongまでの範囲の棒波長を有する、請求項37に記載の方法。
  46. 前記厚さは2.5λshort未満である、請求項45に記載の方法。
  47. 前記厚さはλshort未満である、請求項45に記載の方法。
  48. 前記幅は3.5λlong を超える、請求項45、46及び47のいずれかに記載の方法。
  49. 前記幅は5λlong を超える、請求項45、46及び47のいずれかに記載の方法。
  50. 前記厚さはλlong未満である、請求項45、46及び47のいずれかに記載の方法。
  51. 前記実質的に非分散の超音波信号は、進行方向に平行な偏向を有する最低次せん断モード振動である、請求項45から50のいずれかに記載の方法。
  52. 前記細長い導波路内で実質的に単一モードの進行ガイド波のみが励起される、請求項37から51のいずれかに記載の方法。
  53. 前記超音波非破壊検査は厚さ測定である、請求項37から52のいずれかに記載の方法。
  54. 前記超音波非破壊検査はひび割れモニタである、請求項37から53のいずれかに記載の方法。
  55. 前記試験対象物は、
    (i)200を超える温度で、
    (ii)電離放射のバックグラウンドレベルに曝される、
    請求項37から53のいずれかに記載の方法。
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