JP6167619B2 - Package molded body for light emitting device and light emitting device using the same - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 209
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 209
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 21
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 10
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 62
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 48
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/483—Containers
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Description
本発明は、発光装置用のパッケージ成形体と、それを用いた発光装置とに関する。 The present invention relates to a package molded body for a light emitting device and a light emitting device using the same.
フレームインサート型樹脂パッケージを用いた発光装置では、発光素子から発生する熱が樹脂パッケージ内に蓄熱されやすいため、放熱性を高める必要がある。また、パッケージ裏面からリードが露出しているフレームインサート型樹脂パッケージでは、リードが樹脂成形体から剥離しやすい。よって、樹脂成形体とリードとの密着性を高めることが求められる。 In a light-emitting device using a frame insert type resin package, heat generated from the light-emitting element is easily stored in the resin package, and thus it is necessary to improve heat dissipation. Further, in the frame insert type resin package in which the leads are exposed from the back surface of the package, the leads are easily peeled from the resin molded body. Therefore, it is required to improve the adhesion between the resin molded body and the lead.
放熱性を高めた樹脂パッケージとしては、リードを樹脂成形体の裏面に露出させることにより、パッケージの凹部に載置した発光素子での発熱を、リードを介して実装基板に効率よく放出できるようにしたものが知られている(例えば、特許文献1)。
樹脂成形体とリードとの密着性を高めるための構成としては、金属プレートに、垂直側に沿った窪み(側部の切欠き)と水平底面に沿った窪み(底部窪み)とを設け、それらの窪みを樹脂成形体で覆うことにより、樹脂成形体をリードに保持することが知られている(例えば、特許文献2)。
これらの樹脂パッケージを用いた発光装置は、半田ペーストを用いて実装基板上に実装される。
As a resin package with improved heat dissipation, by exposing the leads to the back side of the molded resin, heat generated by the light-emitting elements placed in the recesses of the package can be efficiently released to the mounting substrate via the leads. Is known (for example, Patent Document 1).
As a configuration for improving the adhesion between the resin molded body and the lead, the metal plate is provided with a depression along the vertical side (notch on the side) and a depression along the horizontal bottom surface (bottom depression). It is known that a resin molded body is held on a lead by covering the dents with a resin molded body (for example, Patent Document 2).
Light emitting devices using these resin packages are mounted on a mounting substrate using a solder paste.
発光装置を実装する際、半田ペーストに含まれる半田と半田フラックスは、リフローによって溶融する。半田フラックスとは、半田の濡れ性の向上等のために一般的に半田に混ぜられているフラックス成分である。この半田フラックスは、狭い隙間に広がりやすい性質を有している。そのため、パッケージの実装面にリードと樹脂成形体との境界が露出していると、その境界からフラックスが侵入し、リードと樹脂成形体との境界面に沿って広がる可能性がある。もし、半田フラックスが樹脂パッケージの凹部内まで達すると、半田フラックスが発光素子からの光を吸収するため、発光装置の発光強度が低下するおそれがある。 When mounting the light emitting device, the solder and solder flux contained in the solder paste are melted by reflow. The solder flux is a flux component that is generally mixed with solder in order to improve the wettability of the solder. This solder flux has a property of easily spreading in a narrow gap. For this reason, if the boundary between the lead and the resin molded body is exposed on the mounting surface of the package, the flux may enter from the boundary and spread along the boundary surface between the lead and the resin molded body. If the solder flux reaches the inside of the recess of the resin package, the solder flux absorbs light from the light emitting element, which may reduce the light emission intensity of the light emitting device.
特許文献1のパッケージは、樹脂パッケージの実装面(裏面)から樹脂成形体の凹部までの間に存在する「リードと樹脂成形体との境界面(半田フラックスの侵入経路)」の長さが短い。よって、発光装置の実装時に、半田フラックスが凹部まで達する可能性が高い。
特許文献2のパッケージにおいて、リードがパッケージから露出している第1の形態(例えば、特許文献2の図3、図6)では、樹脂成形体と側面切欠きとの境界がパッケージの実装面(裏面)に露出している。そして、樹脂パッケージの裏面からリード表面までの半田フラックスの侵入経路の長さが短い。よって、引用文献1と同様に、発光装置の実装時に、半田フラックスが凹部まで達する可能性が高い。
また、特許文献2のパッケージにおいて、リードがパッケージで覆われている第2の形態(例えば、特許文献2の図5)では、放熱性が低い。
The package of
In the package of Patent Document 2, in the first form in which the leads are exposed from the package (for example, FIG. 3 and FIG. 6 of Patent Document 2), the boundary between the resin molded body and the side cutout is the package mounting surface ( Exposed on the back). The length of the solder flux intrusion path from the back surface of the resin package to the lead surface is short. Therefore, similarly to the cited
Further, in the package of Patent Document 2, in the second form in which the leads are covered with the package (for example, FIG. 5 of Patent Document 2), the heat dissipation is low.
そこで、本発明は、パッケージ成形体の凹部内への半田フラックスの侵入を効果的に抑制でき且つ放熱性に優れたパッケージ成形体と、それを用いた発光装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a package molded body that can effectively suppress the penetration of solder flux into the recess of the package molded body and has excellent heat dissipation, and a light emitting device using the package molded body.
本発明のパッケージ成形体は、
発光素子を収納するための凹部を有する樹脂成形体と、前記樹脂成形体の下部に配置されたリードとを備えたパッケージ成形体において、
前記リードの一方の面の一部が前記樹脂成形体の前記凹部の底面より露出し、他方の面に、前記樹脂成形体の裏面より露出した露出部と、内部に充填された樹脂により内面全体が覆われているリード凹部とを有し、
前記一方の面から前記他方の面に亘る切欠きまたは貫通孔が形成されており、
前記他方の面における前記切欠きまたは貫通孔の前記凹部の中央側の第1端部は、前記リード凹部内に位置し、前記樹脂により覆われていることを特徴とする。
The molded package of the present invention is
In a package molded body comprising a resin molded body having a recess for housing a light emitting element, and a lead disposed at the lower part of the resin molded body,
A part of one surface of the lead is exposed from the bottom surface of the concave portion of the resin molded body, the other surface is exposed from the back surface of the resin molded body, and the entire inner surface is filled with resin filled inside. And a lead recess that is covered,
A notch or a through hole is formed from the one surface to the other surface,
The notch or the first end of the through hole on the center side of the recess in the other surface is located in the lead recess and covered with the resin.
本発明のパッケージ成形体は、他方の面における切欠きまたは貫通孔(切欠き等)の発光素子側の第1端部を、リード凹部内に位置させて樹脂により覆うことにより、切欠き等の第1端部から半田フラックスが侵入するのを抑制することができる。また、本発明のパッケージ成形体は、リードの他方の面が樹脂成形体の裏面より露出しているので、リードの一方の面に載置される発光素子からの熱を外部に効率よく放熱することができる。 The package molded body of the present invention has a notch on the other surface or a first end on the light emitting element side of a through-hole (notch, etc.) located in the lead recess and covered with a resin so that the notch etc. Intrusion of solder flux from the first end can be suppressed. In the package molded body of the present invention, since the other surface of the lead is exposed from the back surface of the resin molded body, the heat from the light emitting element mounted on one surface of the lead is efficiently radiated to the outside. be able to.
また、本発明の発光装置は、本発明に係るパッケージ成形体と、
前記パッケージ成形体の樹脂成形体に設けられた凹部に収納され、前記凹部の底面から露出したリードの一方の面に載置された発光素子と、
前記発光素子および前記樹脂成形体の前記凹部を封止する封止樹脂と、
を含んでいる。
Moreover, the light emitting device of the present invention includes a package molded body according to the present invention,
A light emitting element that is housed in a recess provided in the resin molded body of the package molded body and is placed on one surface of the lead exposed from the bottom surface of the recess;
A sealing resin for sealing the concave portion of the light emitting element and the resin molded body;
Is included.
本発明の発光装置は、放熱性に優れ且つ半田フラックスが侵入しにくいパッケージ成形体を用いているので、耐熱性に優れ且つ発光強度の強い発光装置を得ることができる。 Since the light emitting device of the present invention uses a package molded body that is excellent in heat dissipation and in which solder flux does not easily enter, a light emitting device that has excellent heat resistance and high light emission intensity can be obtained.
本発明のパッケージ成形体および発光装置によれば、凹部内への半田フラックスの侵入を効果的に抑制でき、且つ発光素子からの熱を効率よく放熱することができる。 According to the package molded body and the light emitting device of the present invention, the penetration of the solder flux into the recess can be effectively suppressed, and the heat from the light emitting element can be efficiently radiated.
<実施の形態1>
図1に示すように、本実施の形態に係る発光装置50は、少なくとも1つのリード(図1では2つのリード20、30)および樹脂成形体11を含むパッケージ成形体10と、発光素子40と、封止樹脂52を含んでいる。
発光素子40は、パッケージ成形体10の樹脂成形体11に設けられた凹部12に収納され、凹部12の底面121から露出したリード(図1では第1リード20)の表面21に載置される。発光素子40は一対の電極を備えており、一方の電極と第1リード20、他方の電極と第2リード30とは、ボンディングワイヤBWによって電気的に接続されている。
封止樹脂52は、発光素子40を収容した樹脂成形体11の凹部12を封止するものであり、発光素子40を外部環境から保護している。
<
As shown in FIG. 1, a
The
The sealing
図2〜4に示すように、本実施の形態のパッケージ成形体10は、一方向(Ld方向)に細長い形状を有しており、樹脂成形体11と、樹脂成形体11の下部に配置された少なくとも1つのリード(本実施の形態では、2つのリード20、30)を含んでいる。
樹脂成形体11は、発光素子を収納するための凹部12を上面に有しており、凹部12は側壁13で囲まれている。
As shown in FIGS. 2 to 4, the package molded
The resin molded
本実施の形態では、リードは第1リード20と第2リード30から構成されている。
第1リード20の一方の面(表面21)は、その一部が樹脂成形体11の凹部12の底面121より露出している。また、第1リード20の他方の面(裏面22)は、樹脂成形体11の裏面14より露出した露出部221と、リード凹部24とを有している。リード凹部24には樹脂27が充填されており、リード凹部24の内面全体は、樹脂27で覆われている。
第1リード20の裏面22が樹脂成形体11の裏面14より露出しているので、発光素子40で発生した熱は、第1リード20の表面21から裏面22へと伝わり、裏面22から外部(例えば、発光装置を実装する実装基板)へと効率よく放熱することができる。
In the present embodiment, the lead is composed of the
A part of one surface (surface 21) of the
Since the
第1リード20と同様に、第2リード30の一方の面(表面31)は、その一部が樹脂成形体11の凹部12の底面121より露出し、他方の面(裏面32)は、リード凹部34とを有している。リード凹部34の内面は、樹脂37で覆われている。
第1および第2リード20、30は互いに離間しており、それらの間は樹脂成形体11で満たされている。
Similar to the
The first and second leads 20 and 30 are spaced from each other, and the space between them is filled with the resin molded
なお、図1,3などに示すように、本実施の形態において、第1および第2リード20、30は、平板状である。第1および第2リード20、30は、実質的に折り曲げ加工はされていない。すなわち、第1および第2リード20、30の一方の面(表面21,31)は、意図的に形成される溝(例えば後述の表面溝)を考慮しなければ、略平坦である。また、第1および第2リード20、30の他方の面(裏面22,32)は、意図的に形成される凹部(例えばリード凹部24,34)を考慮しなければ、略平坦である。例えば、第1リード20の表面21における発光素子40が載置される部分は、第1リード20の表面21におけるリード凹部24の直上に位置する部分と略同一面上にある。このような構成により、パッケージ成形体10を薄型に形成することができる。また、第1および第2リード20、30を介する発光素子40からの放熱経路を短くしやすく、発光素子40で発生した熱を効率良く放熱することができる。
As shown in FIGS. 1 and 3 and the like, in the present embodiment, the first and second leads 20 and 30 have a flat plate shape. The first and second leads 20 and 30 are not substantially bent. That is, one surface (surfaces 21 and 31) of the first and second leads 20 and 30 is substantially flat unless a groove (for example, a surface groove described later) that is intentionally formed is not taken into consideration. Further, the other surfaces (back surfaces 22 and 32) of the first and second leads 20 and 30 are substantially flat unless the intentionally formed recesses (for example, the lead recesses 24 and 34) are taken into consideration. For example, the portion on the
本実施の形態では、第1リード20には、Ld方向に伸びた対向する二辺に沿って、表面21から裏面22に亘る切欠き25aが形成されている。図2に示すように、本実施の形態では、切欠き25aは略矩形の形状で、Ld方向の二辺の両方に形成されている。このような切欠き25aは、樹脂成形体11をモールド成型する際に有利になりうる。例えば、樹脂成形体11用の溶融樹脂は、リード凹部24の位置から注入することができる(後述)が、このとき溶融樹脂は、リード凹部24から切欠き25aに向かって、第1リード20の裏面22に沿って横方向に流れる。また、切欠き25aを通って第1リード20の表面21側に流れ込んだ溶融樹脂の一部は、表面21に沿って横方向に流れる。このように、切欠き25aでは、溶融樹脂が第1リード20の表面21、裏面22に沿って流れやすいため、第1リード20と樹脂成形体11との間に欠陥(隙間)のない又は少ないパッケージ成形体10を得ることができる。
In the present embodiment, the
切欠き25aは、少なくとも一部が樹脂成形体11の側壁13の下に位置するように形成されている。これにより、切欠き25aを、樹脂成形体11の一部により充填することができる。
切欠き25aは、切欠き25aによって、第1リード20と樹脂成形体11との結合力を高めるのに有効である。第1リード20に切欠き25aを設けると第1リード20の外周の長さを長くすることができる。そして、切欠き25aに樹脂成形体11の一部を充填することにより、第1リード20の側面28(図4)と樹脂成形体11との接触面積を増加させることができる。これにより、切欠き25aによって、第1リード20と樹脂成形体11との結合力が高まる。
The
The
裏面22における切欠き25aの端部のうち、凹部12の中央側(発光素子40側)に位置している端部、言い換えれば、長手方向Ldにおいて発光素子40に最も接近している端部(第1端部251b)は、リード凹部24内に位置し、樹脂27により覆われている。これにより、切欠き25aの(裏面22側の)第1端部251bは樹脂成形体11の裏面14から露出しなくなるので、発光装置をリフローしたときに、第1端部251bと樹脂成形体11との境界から半田フラックスが侵入するのを抑制することができる。
Of the end portions of the
なお、第1リード20の裏面22におけるリード凹部24と樹脂27との境界241から半田フラックスが侵入する可能性はある。しかしながら、境界241から凹部12まで半田フラックスが侵入するためには、リード凹部24と樹脂27との境界241から、リード凹部24と樹脂27との境界面を通り、さらに切欠き25aと樹脂成形体11との境界面を通って、第1リード20の表面21側における、切欠き25aと樹脂成形体11との境界251aまでの「半田フラックスの侵入経路」を通る必要がある(図3(b))。つまり、切欠き25aの裏面22側の第1端部251bを、リード凹部24内に位置させて樹脂27により覆うことにより、半田フラックスの侵入経路を従来に比べて長くすることができる。これにより、半田フラックスが凹部12内まで侵入するのを防止または抑制することができる。
In addition, there is a possibility that the solder flux enters from the
リード凹部24に充填された樹脂27は、樹脂成形体11の裏面14から連続してなるのが好ましい。一例としては、リード凹部24に充填される樹脂27を、樹脂成形体11と一体に形成させてもよい。例えば、樹脂27を樹脂成形体11の一部として形成させて、樹脂27を樹脂成形体11とをつなげてもよい。つまり、樹脂成形体11は、第1リード20の表面21、側面28および裏面22と結合することになる。これにより、第1リード20と樹脂成形体11との結合力を高めることができる。
The
別の例としては、樹脂27を、第1リード20の幅方向(Wd方向)に亘って延在させることもできる(図4(b))。具体的には、リード凹部24を第1リード20のWd方向の全体に亘って設けて、リード凹部24の内面を樹脂27で覆う。図4(b)からも明らかなように、第1リード20は、凹部12の底面121から露出する部分を除いて、樹脂27と樹脂成形体11とによって囲まれることになる。よって、第1リード20と樹脂成形体11との結合力をさらに高めることができる。
なお、発光素子40を、切欠き25aと第1リード20の第1縁部26(第2リード30と対向する縁部)との間に位置させることにより、発光素子40の載置位置の直下に樹脂27が配置されないように設計することができる。言い換えれば、発光素子40の載置位置の直下では、第1リード20の裏面22を樹脂成形体11の裏面14から露出させることができるので、発光素子40で発生した熱を、第1リード20の裏面22から効率よく放熱することができる。
As another example, the
The
第1リード20と同様に、第2リード30にも、Ld方向に伸びた対向する二辺に沿って、表面31から裏面32に亘る切欠き35aが形成されている。切欠き35aは、少なくとも一部が樹脂成形体11の側壁13の下に位置するように形成され、切欠き35aを、樹脂成形体11の一部によって隙間なく充填している。これにより、第2リード30と樹脂成形体11との結合力が高まる。
また、第1リード20と同様に、裏面22における切欠き35aのうち、凹部12の中央側(発光素子40側)に位置している端部(第1端部351b)は、リード凹部34内に位置し、樹脂37により覆われていてもよい。これにより、切欠き35aの第1端部351bは樹脂成形体11の裏面14から露出しなくなるので、発光装置をリフローしたときに、第1端部351bと樹脂成形体11との境界から半田フラックスが侵入するのを抑制することができる。
Similar to the
Similarly to the
なお、第2リード30には発光素子40が載置されないので、半田フラックスが樹脂成形体11の凹部12の侵入することによる悪影響が少ないと考えられる。よって、第2リード30については、リード凹部34および樹脂37を設けずに、切欠き35aの(裏面32側の)第1端部351bを樹脂成形体11の裏面14から露出させてもよい。
また、第2リード30の裏面32にリード凹部34および樹脂37を設ける場合には、樹脂成形体11の凹部12の直下全体に設けることができる(図2(b)、図3(b))。すなわち、樹脂成形体11の凹部12の直下では、第2リード30の裏面32が樹脂成形体11の裏面14より露出させなくてもよい。これは、第2リード30には発光素子40を載置しないので、第2リード30の裏面32から外部に放熱する必要がないためである。なお、外部端子との通電のために、第2リード30の裏面32を露出させてもよい。
In addition, since the
Moreover, when providing the lead recessed
第1リード20と同様に、リード凹部34に充填される樹脂37を、樹脂成形体11と一体に形成させてもよい。例えば、樹脂37を樹脂成形体11の一部として形成させて、樹脂37を樹脂成形体11とをつなげてもよい。これにより、第2リード30と樹脂成形体11との結合力を高めることができる。
さらに、樹脂37を、第2リード30の幅方向(Wd方向)に亘って延在させることもできる。具体的には、リード凹部24を第2リード30のWd方向の全体に亘って設けて、その中に樹脂27を充填する。図4(b)で示す第1リード20と同様に、第2リード30は、凹部12の底面121から露出する部分を除いて、樹脂37と樹脂成形体11とによって囲まれることになる。よって、第2リード30と樹脂成形体11との結合力をさらに高めることができる。
Similarly to the
Further, the
図3(b)および図5(a)に示すように、第1リード20の表面21側において、切欠き25aの第1端部251aは樹脂成形体11の凹部12の底面121で露出し、切欠き25aの第2端部252a(第1端部251aと対向する端部)は、側壁13で覆ってもよい。すなわち、図5(a)のように、凹部12の底面121から、切欠き25aの中に充填された樹脂成形体11の一部(部分25e)が露出する。部分25eは、発光装置50の製造時に、後述する封止樹脂52(図7(b))と接合する。ここで、封止樹脂52は、第1リード20に比べて、樹脂成形体11に対する接着力のほうが高い。よって、封止樹脂52と部分25eとが接合することにより、封止樹脂52とパッケージ成形体10との結合力が高まり得る。
As shown in FIG. 3B and FIG. 5A, on the
切欠き25aの(表面21側の)第1端部251aまで半田フラックスが到達しにくい場合や、第1端部251aと発光素子40との距離が離れている場合(半田フラックスによる悪影響が低いと見積もられる場合)には、図5(a)のように、切欠き25aの一部を樹脂成形体11の凹部12から露出させるのが好ましい。
なお、第1リード20は、切欠き25aが形成された位置で幅が狭くなっているので、強度が局所的に低下する。そのため、切欠き25aの第2端部252aを樹脂成形体11の側壁13で覆うことにより、第1リード20の狭幅部分を補強するのが好ましい。
When it is difficult for the solder flux to reach the
Since the
一方、図5(b)に示すように、切欠き25a全体を、樹脂成形体11の側壁13で覆ってもよい。第1リード20の表面21側において、切欠き25aの(表面21側の)第1端部251aが樹脂成形体11で覆われるので、第1端部251aから樹脂成形体11の凹部12までの長さだけ、半田フラックスの侵入経路を長くすることができる。よって、半田フラックスが樹脂成形体11の凹部12内に侵入するのを抑制することができる。また、第1リード20の狭幅部分全体が樹脂成形体11の側壁13で補強する効果もある。
切欠き25aの表面21側の第1端部251aまで半田フラックスが到達しやすい場合や、表面21側の第1端部251aと発光素子40との距離が近い場合(半田フラックスによる悪影響が高いと見積もられる場合)には、図5(b)のように、切欠き25aの全体を樹脂成形体11の側壁13で覆うのが好ましい。
On the other hand, as shown in FIG. 5B, the
When the solder flux easily reaches the
第2リード30の切欠き35aについても、第1リード20と同様の理由により、切欠き35aの(表面31側の)第1端部351aを露出させたほうがよい場合と、露出させないほうがよい場合とがある。
例えば、切欠き35aの第1端部351aまで半田フラックスが到達しにくい場合や、第1端部351aと発光素子40との距離が離れている場合(半田フラックスによる悪影響が低いと見積もられる場合)には、切欠き35aの一部を樹脂成形体11の凹部12から露出させるのが好ましい。
一方、切欠き35aの第1端部351aまで半田フラックスが到達しやすい場合や、第1端部351aと発光素子40との距離が近い場合(半田フラックスによる悪影響が高いと見積もられる場合)には、切欠き35aの全体を樹脂成形体11の側壁13で覆うのが好ましい。
For the
For example, when the solder flux hardly reaches the
On the other hand, when the solder flux easily reaches the
本実施の形態では、切欠き25a、35aの形状を略矩形にしているが、多角形状、部分円形状(例えば半円など)など、任意の形状にすることができる。また、本実施の形態では、切欠き25a、35aは、Ld方向に伸びた二辺の両方に形成されているが、いずれか一辺のみに形成することもできる。
In the present embodiment, the shapes of the
変形例として、図2〜5の第1リード20の切欠き25aに代えて、図6のように貫通孔25bを設けることができる。貫通孔25bを形成した第1リード20では、切欠き25aに比べて局所的な強度低下が起こりにくいので、第1リード20の強度を維持したい場合に好適である。一方、第1リード20の幅(Wd方向の寸法)が狭くて貫通孔25bを適所に形成するのが困難な場合など、貫通孔25bの形成が困難な理由がある場合には、切欠き25aを設けるほうが好ましい。
As a modification, a through
切欠き25aと同様に、第1リード20の裏面における貫通孔25の端部のうち、凹部12の中央側(発光素子40側)に位置している端部(第1端部251b)は、リード凹部24内に位置し、樹脂により覆われている。これにより、貫通孔25の(裏面22側の)第1端部251bは樹脂成形体11の裏面14から露出しなくなるので、発光装置をリフローしたときに、第1端部251bと樹脂成形体11との境界から半田フラックスが侵入するのを抑制することができる。
また、貫通孔25の裏面22側の第1端部251bを、リード凹部24内に位置させて樹脂により覆うことにより、半田フラックスの侵入経路を従来に比べて長くすることができるので、半田フラックスが凹部12内まで侵入するのを抑制することができる。
Similarly to the
Further, since the
また、切欠き25a、35aと同様の理由により、貫通孔25の裏面22側の第1端部251bを露出させたほうがよい場合と、露出させないほうがよい場合とがある。
例えば、貫通孔25の表面21側の第1端部251aまで半田フラックスが到達しにくい場合や、表面21側の第1端部251aと発光素子40との距離が離れている場合(半田フラックスによる悪影響が低いと見積もられる場合)には、貫通孔25の一部を樹脂成形体11の凹部12から露出させるのが好ましい。
一方、貫通孔25の表面21側の第1端部251aまで半田フラックスが到達しやすい場合や、第1端部251aと発光素子40との距離が近い場合(半田フラックスによる悪影響が高いと見積もられる場合)には、貫通孔25の全体を樹脂成形体11の側壁13で覆うのが好ましい。
Further, for the same reason as the
For example, when the solder flux is difficult to reach the
On the other hand, when the solder flux easily reaches the
本実施の形態では、貫通孔25の形状を楕円形にしているが、真円形、多角形状(三角形、矩形など)など、任意の形状にすることができる。
In the present embodiment, the shape of the through
なお、図示しないが、第2リード30についても、切欠き35aに代えて、貫通孔25bと同様の貫通孔を設けることができる。
Although not shown, the
第1リード20の放熱性の観点から、第1リード20の裏面22が樹脂成形体11の裏面22から露出する露出面積は広いほうが好ましい。一方、切欠き25aからの半田フラックスの侵入防止の観点からは、少なくとも切欠き25aの(裏面22側の)第1端部251bは樹脂成形体11の裏面22から露出しないほうが好ましい。
そこで、図7に示すように、第1リード20の第1縁部26からリード凹部24の凹部12の中央側(発光素子40側)の縁部241までの距離yが、第1リード20の第1縁部26から切欠き25aの第1端部251bまでの距離zに対して50%〜80%であるのが好ましい。この比率が50%未満の場合は、発光素子40の直下にリード凹部24と樹脂27とが設けられるため、放熱性が低下するおそれがある。また、この比率が80%を越える場合は、切欠き25aの第1端部251bのごく近傍のみを樹脂27で覆うことになるため、第1端部251bからの半田フラックスの侵入を防止する効果が低減するおそれがある。
From the viewpoint of heat dissipation of the
Therefore, as shown in FIG. 7, the distance y from the
また、放熱性や半田フラックス防止の観点から、図7に示す各部分の寸法を次のような範囲にすることができる。
リード凹部24の縁部241から、切欠き25aの第1端部251bまでの長さx1は、0.1mm〜1.4mmであるのが好ましい。長さx1<0.1mmより小さいと、半田フラックスの侵入経路を十分に長くすることができず、半田フラックスが第1端部251bから侵入しやすくなる。長さx1>1.4mmであると、放熱性が低下する。
リード凹部24の長手方向Ldの長さx2は、0.4〜1.6mmであるのが好ましい。長さx2<0.4mmであると、第1リード20と樹脂成形体11との密着性が弱くなるおそれがある。長さx2>1.6mmであると、放熱性が低下する。
Further, from the viewpoint of heat dissipation and solder flux prevention, the dimensions of the respective parts shown in FIG. 7 can be set to the following ranges.
From the
Longitudinal Ld length x 2 of the
さらに、第1リード20の強度の観点から、図4および図7に示す各部分の寸法を次のような範囲にすることができる。
リード凹部24が形成された位置での第1リード20の板厚24tが、第1リード20の板厚20tに対して25%〜60%であるのが好ましい(図4)。この比率が25%未満の場合、リード凹部24が形成された位置での第1リード20の強度が弱くなり、第1リード20の反りの原因になる。反りの生じた第1リード20を用いてパッケージ成形体10を形成すると、樹脂成形体11にクラックが発生しやすくなる。この比率が60%を越えると、リード凹部24に充填できる樹脂27の厚さが薄くなり、樹脂27にクラックが入りやすい。
切欠き25aの長手方向Ldの寸法(切欠き25aの幅25w)は、0.3〜0.9mmであるのが好ましい。幅25w<0.3mmであると、第1リード20と樹脂成形体11との密着性が弱くなるおそれがある。幅25w>0.9mmであると、切欠き25aが形成された狭幅部分において、第1リード20の強度が局所的に弱くなり、第1リード20の反りの原因になる。反りの生じた第1リード20を用いてパッケージ成形体10を形成すると、樹脂成形体11にクラックが発生しやすくなる(図7)。
Furthermore, from the viewpoint of the strength of the
The plate thickness 24t of the
The dimension in the longitudinal direction Ld of the
図7に示した長さx1、x2および切欠き25aの幅25wの関係により、切欠き25aとリード凹部24との位置関係が決まる。
例えば、幅25w≧(長さx2−長さx1)であれば、切欠き25aの第2端部252bは、リード凹部24の外側に位置する(図8(a))。
この条件を満たすように各寸法を決定すると、切欠き25aによる狭幅部分の一部は、板厚20tのままにすることができる。つまり、強度の低い狭幅部分が、リード凹部24によってさらに強度低下するのを緩和することができる。よって、第1リード20の強度を維持したい場合に好適である。
The positional relationship between the
For example, if the
If each dimension is determined so as to satisfy this condition, a part of the narrow width portion by the
一方、幅25w<(長さx2−長さx1)であれば、切欠き25aの第2端部252bが、リード凹部24内に位置して、前記樹脂により覆われる(図8(b))。
この条件を満たすように各寸法を決定すると、切欠き25aの第2端部252bを樹脂27で覆うことができる。よって、第2端部252bからの半田フラックスの侵入を抑制することができる。
On the other hand, if the
When each dimension is determined so as to satisfy this condition, the
なお、上述の各寸法は、第1リード20の切欠き25aについて述べているが、第1リード20の切欠き35aの寸法および切欠き35aとリード凹部24との位置関係についても同様に決定することができる。さらに、第1および第2リード20、30の切欠き25a、35aに代えて、各リードに貫通孔25aを設ける場合も、貫通孔25bの各寸法および貫通孔25bとリード凹部24との位置関係についても同様に決定することができる。
The above dimensions are described for the
図2(c)および図3を再び参照すると、第1リード20の裏面22側において、切欠き25aの第1端部251bを覆う樹脂27は、パッケージ成形体10の裏面14側においてリード凹部に対応する凹み141を設けることができる。以下に説明するように、この凹み141は、発光装置の実装不良の解消に有効であると考えられる。
2C and 3 again, on the
このパッケージ成形体10を用いた発光装置を実装基板に半田リフローで実装すると、溶融した半田は樹脂成形体11に対する濡れ性が低いため、溶融半田は第1リード20の露出面21に自然に集まる。しかし、時として、溶融した半田が樹脂成形体11の上に留まって、半田ボールを形成することがある。半田ボールによって発光装置が浮き上がったまま実装基板に実装されると、発光装置の実装不良となる。
このような半田ボールSBは、樹脂成形体11の周縁に凹凸がある位置に形成されやすく、本実施の形態のパッケージ成形体10では、切欠き25aの近傍に発生する傾向にある(図2(c))。そこで、切欠き25aの第1端部251bを覆う樹脂27を凹み141を設けることにより、リフロー時に半田ボールSBがこの凹み141に引き寄せられ、かつ凹みに半田ボールSBが広がることにより、発光装置が実装基板から浮き上がるのを抑制できる。
When the light emitting device using the package molded
Such a solder ball SB tends to be formed at a position where the periphery of the resin molded
第1リード20と同様の理由から、第2リード30についても、切欠き35aの第1端部351bを覆う樹脂37は、パッケージ成形体10の裏面14側においてリード凹部に対応する凹み142を設けることができる。
For the same reason as the
なお、製造時には、リード凹部24に、溶融樹脂用のゲートを配置して、樹脂成形体11および樹脂27を形成するための溶融樹脂を注入することができる。このようなゲートでは、樹脂硬化後にバリ141aが生じることがある。バリ141aは発光装置の実装不良の原因となるため、除去する必要があるが、樹脂27に凹み141を設けることにより、バリ141aの高さが凹み141の深さより低い場合には、バリ141aの除去を省略することができる。
At the time of manufacture, a molten resin gate can be disposed in the
第1および第2リード20、30の表面21、31には、表面溝211、212を設けることができる。表面溝211、212は、樹脂成形体11の側壁13で覆われている。また幅方向Wdに伸びる表面溝211は、切欠き25aの第1端部251aと第2端部252aとの間に形成される。表面溝211、212は、第1および第2リード20、30の表面21、31を伝う半田フラックスを溜めて、半田フラックスの拡散を抑制する効果と、表面21、31と樹脂成形体11との接触面積を広くして、第1および第2リード20、30と樹脂成形体11との接合強度を高める効果とが期待される。
以下に、発光装置50の製造方法を説明する。
<1.パッケージ成形体10の製造>
金属板をパンチングして、対向配置された第1リード20と第2リード30との対を複数備えたリードフレームを形成する。切欠き25a、25bは、パンチングの際に同時に形成することができる。第1リード20及び第2リード30とは、タイバーによってリードフレームに連結される。その後、第1および第2リード20、30の裏面22、32側の所定位置に、リード凹部24、34をウェットエッチング又は打ち出しにより形成する。各リード対と対応する位置に樹脂成形体11用の空隙を有している金型90で、リードフレームLFを挟持する(図9(a))。そして、リード凹部24に配置した溶融樹脂用ゲートから、金型90の空隙に、樹脂成形体11用の樹脂材料を注入する。樹脂材料が硬化した後に金型90を外すと、リードフレームに固定された状態のパッケージ成形体10が得られる。
Below, the manufacturing method of the light-emitting
<1. Production of package molded
A metal plate is punched to form a lead frame having a plurality of pairs of the
<2.発光素子40の実装>
図1に示す発光素子40は、一対の電極がいずれも上面に設けられている。このような発光素子40では、パッケージ成形体10の第1リード20に、発光素子40をダイボンドにより実装する。発光素子40の一方の電極と第1リード20、他方の電極と第2リード30とを、それぞれボンディングワイヤBWで電気的に接続する。
なお、第1電極が上面に、第2電極が下面に設けられた発光素子を用いることもできる。この場合、下面を第1リード20に導電性ペーストを用いて固定し、これにより第2電極と第1リード20とを電気的に接続することができる。また、上面に設けられた第1電極は、ボンディングワイヤBWを用いて第2リード30に電気的に接続する。
<2. Mounting of Light-Emitting
The
Note that a light-emitting element in which the first electrode is provided on the upper surface and the second electrode is provided on the lower surface can be used. In this case, the lower surface is fixed to the
<3.封止樹脂52の充填>
パッケージ成形体10の凹部12に、液体状態の封止樹脂をポッティングし、その後に硬化させる。封止樹脂52を2層にする場合には、まず、凹部12に第1封止樹脂(アンダーフィル)をポッティングした後に硬化し、次いで、凹部12に第2封止樹脂(オーバーフィル)をポッティングした後に硬化する。
<3. Filling with sealing
A sealing resin in a liquid state is potted in the
<4.発光装置50の個片化>
リードフレームのタイバーをダイシングによって切断し、個々の発光装置50に分離する。
<4. Individualization of the
The lead frame tie bars are cut by dicing and separated into individual
以下に、発光装置50の各構成部材に適した材料を説明する。
(第1リード20、第2リード電極30)
第1リード20、第2リード電極30は、加工性や強度の観点からすると、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅などのいずれか1つ以上からなる導電性材料を用いることができる。第1リード20、第2リード30は、金、銀及びそれらの合金などでメッキするのが好ましい。
Below, the material suitable for each structural member of the light-emitting
(First lead 20, second lead electrode 30)
From the viewpoint of workability and strength, the
(樹脂成形体11)
樹脂成形体11の成形材料には、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂のほか、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)などの熱可塑性樹脂を用いることができる。また、成形材料中に酸化チタンなどの白色顔料などを混合して、樹脂成形体11の凹部12内における光の反射率を高めることもできる。
(Resin molding 11)
As a molding material of the
(ボンディングワイヤBW)
ボンディングワイヤBWとしては、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金から成る金属製のワイヤを用いることが出来る。
(Bonding wire BW)
As the bonding wire BW, for example, a metal wire made of a metal such as gold, silver, copper, platinum, aluminum, or an alloy thereof can be used.
(封止樹脂52)
封止樹脂の材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂またはこれらを1つ以上含む樹脂を用いることができる。封止樹脂52は単一層から形成することもできるが、複数層(例えば、アンダーフィルとオーバーコートの2層)から構成することもできる。
また、封止樹脂52には、酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、アルミナ、窒化アルミニウムなどの光散乱粒子を分散させてもよい。
さらに、封止樹脂52には、発光素子40からの発光の波長を変換する材料(蛍光体等)の粒子を分散させてもよい。例えば白色光を発する発光装置50では、青色光を発光する発光素子40と、青色光を吸収して黄色光を発する蛍光体粒子(例えばYAG粒子)とを組み合わせることができる。
(Sealing resin 52)
As a material of the sealing resin, a silicone resin, an epoxy resin, an acrylic resin, or a resin including one or more of these can be used. The sealing
Further, light scattering particles such as titanium oxide, silicon dioxide, titanium dioxide, zirconium dioxide, alumina, and aluminum nitride may be dispersed in the sealing
Furthermore, particles of a material (phosphor or the like) that converts the wavelength of light emitted from the
(半田)
本実施形態における半田とは、Sn−Ag−Cu、Sn−Zi−Bi、Sn−Cu、Pb−Sn、Au−Sn、Au−Ag等を用いることができる。
(solder)
As the solder in this embodiment, Sn—Ag—Cu, Sn—Zi—Bi, Sn—Cu, Pb—Sn, Au—Sn, Au—Ag, or the like can be used.
本発明のパッケージ成形体11は、第1リード20の裏面22における切欠き25aの発光素子40の第1端部251bを、リード凹部24内に位置させて樹脂27により覆うことにより、パッケージ成形体11を用いて発光装置50を製造、実装したときに、切欠き25aの第1端部251bから半田フラックスが侵入するのを抑制することができる。
また、本発明のパッケージ成形体11は、第1リード20の裏面22が樹脂成形体11の裏面14より露出しているので、パッケージ成形体11を用いて発光装置50を製造したときに、第1リード20の表面21に載置された発光素子40からの熱を外部に効率よく放熱することができる。
The package molded
In addition, since the
10 パッケージ成形体
11 樹脂成形体
12 凹部
121 底面
13 側壁
14 樹脂成形体の裏面
20 第1リード
21 第1リードの表面(一方の面)
22 第1リードの裏面(他方の面)
221 第1リードの裏面の露出部
211、212 表面溝(V字溝)
24 リード凹部
25a 切欠き部
25b 貫通孔
251a 第1端部(表面側)
251b 第1端部(裏面側)
252a 第2端部(表面側)
252b 第2端部(裏面側)
27 樹脂
30 第2リード
31 第2リードの表面(一方の面)
32 第2リードの裏面(他方の面)
321 第2リードの裏面の露出部
34 リード凹部
35a 切欠き部
351a 第1端部(表面側)
351b 第1端部(裏面側)
352a 第2端部(表面側)
352b 第2端部(裏面側)
37 樹脂
40 発光素子
50 発光装置
52 封止樹脂
DESCRIPTION OF
22 Back side of the first lead (the other side)
221
24 Lead recessed
251b First end (back side)
252a Second end (front side)
252b Second end (back side)
27
32 Back side of second lead (the other side)
321 Exposed portion on the back surface of the
351b First end (back side)
352a Second end (surface side)
352b Second end (back side)
37
Claims (11)
前記樹脂成形体の下部に配置されたリードと、を備えたパッケージ成形体において、
前記リードの一方の面の一部が前記樹脂成形体の前記凹部の底面より露出し、
前記リードの他方の面は、前記樹脂成形体の裏面より露出した露出部と、該他方の面に設けられたリード凹部とを有し、該リード凹部は内部に充填された樹脂により内面全体が覆われており、
前記リードは、前記一方の面から前記他方の面に亘る切欠きまたは貫通孔が形成されており、
前記他方の面における前記切欠きまたは貫通孔の前記凹部の中央側の第1端部は、前記リード凹部内に位置し、前記樹脂により覆われており、
前記樹脂は、前記パッケージ成形体の裏面側において、リード凹部に対応する位置に凹みを備えるパッケージ成形体。 A resin molded body having a recess for housing the light emitting element;
In the molded package having a lead disposed at a lower portion of the resin molded body,
A part of one surface of the lead is exposed from the bottom surface of the recess of the resin molded body,
The other surface of the lead has an exposed portion exposed from the back surface of the resin molded body and a lead concave portion provided on the other surface , and the lead concave portion is entirely filled with resin filled therein. Covered,
The lead has a notch or a through hole extending from the one surface to the other surface,
A first end portion on the center side of the recess of the notch or the through hole in the other surface is located in the lead recess, and is covered with the resin ,
The resin is a package molded body having a dent at a position corresponding to the lead recess on the back side of the package molded body.
少なくとも第1リードに前記切欠きまたは貫通孔が形成され
前記第1リードの一方の面において、前記第2リードと対向する前記第1リードの第1縁部と前記切欠きまたは貫通孔の前記第1端部との間に前記発光素子を載置する領域を有し、他方の面に、前記樹脂成形体の裏面より露出した露出部と内部に充填された樹脂により内面全体が覆われているリード凹部とを有し、
前記リードの前記他方の面において、前記第1リードの前記第1縁部から前記リード凹部の前記発光素子側の縁部までの距離yが、前記第1リードの前記第1縁部から前記切欠きまたは貫通孔の第1端部までの距離zに対して50%〜80%であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のパッケージ成形体。 The lead includes a first lead and a second lead that are exposed to be separated from each other on the bottom surface of the concave portion of the resin molded body,
The notch or the through hole is formed in at least the first lead, and the first edge of the first lead facing the second lead and the first of the notch or the through hole are formed on one surface of the first lead. There is a region for placing the light emitting element between one end portion, and the entire inner surface is covered on the other surface with an exposed portion exposed from the back surface of the resin molded body and a resin filled inside. A lead recess,
On the other surface of the lead, the distance y from the first edge of the first lead to the edge of the lead recess on the light emitting element side is the cutting distance from the first edge of the first lead. The package molded body according to any one of claims 1 to 6, wherein the package molded body is 50% to 80% with respect to a distance z to the first end of the notch or the through hole.
前記切欠きまたは貫通孔は、前記一方向に延在する辺に沿って形成された切欠きであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のパッケージ成形体。 The package molded body has a shape extending in one direction,
The package formed body according to any one of claims 1 to 7, wherein the notch or the through hole is a notch formed along a side extending in the one direction.
前記パッケージ成形体の樹脂成形体に設けられた凹部に収納され、前記凹部の底面から露出したリードの一方の面に載置された発光素子と、
前記発光素子および前記樹脂成形体の前記凹部を封止する封止樹脂と、
を含む発光装置。 The package molded body according to any one of claims 1 to 10,
A light emitting element that is housed in a recess provided in the resin molded body of the package molded body and is placed on one surface of the lead exposed from the bottom surface of the recess;
A sealing resin for sealing the concave portion of the light emitting element and the resin molded body;
A light emitting device comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013077951A JP6167619B2 (en) | 2012-04-06 | 2013-04-03 | Package molded body for light emitting device and light emitting device using the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012087586 | 2012-04-06 | ||
JP2012087586 | 2012-04-06 | ||
JP2013077951A JP6167619B2 (en) | 2012-04-06 | 2013-04-03 | Package molded body for light emitting device and light emitting device using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013232635A JP2013232635A (en) | 2013-11-14 |
JP6167619B2 true JP6167619B2 (en) | 2017-07-26 |
Family
ID=49210116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013077951A Active JP6167619B2 (en) | 2012-04-06 | 2013-04-03 | Package molded body for light emitting device and light emitting device using the same |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8872218B2 (en) |
JP (1) | JP6167619B2 (en) |
CN (1) | CN103367615B (en) |
DE (1) | DE102013205894B4 (en) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6102187B2 (en) * | 2012-10-31 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device package and light emitting device using the same |
JP6107136B2 (en) | 2012-12-29 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME, AND LIGHTING DEVICE EQUIPPED WITH THE LIGHT EMITTING DEVICE |
JP6484396B2 (en) | 2013-06-28 | 2019-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device package and light emitting device using the same |
JP6262578B2 (en) * | 2014-03-18 | 2018-01-17 | スタンレー電気株式会社 | Light emitting device |
JP6457225B2 (en) * | 2014-09-25 | 2019-01-23 | 株式会社小糸製作所 | Light emitting device |
JP6650941B2 (en) * | 2015-04-01 | 2020-02-19 | ゴルテック.インク | Micro light emitting diode transfer method, manufacturing method, apparatus and electronic equipment |
JP6206442B2 (en) | 2015-04-30 | 2017-10-04 | 日亜化学工業株式会社 | Package, method for manufacturing the same, and light emitting device |
JP6668742B2 (en) * | 2015-12-22 | 2020-03-18 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device, package and manufacturing method thereof |
JP6508131B2 (en) * | 2016-05-31 | 2019-05-08 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device |
US10411169B2 (en) * | 2017-02-03 | 2019-09-10 | Nichia Corporation | Light emitting device having leads in resin package |
KR102385940B1 (en) | 2017-09-01 | 2022-04-13 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Light emitting device package and light source unit |
US11227810B2 (en) * | 2017-11-10 | 2022-01-18 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Electronic module with a groove and press hole on the surface of a conductor |
DE102019211550A1 (en) * | 2019-08-01 | 2021-02-04 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | HOUSING FOR A RADIATION-EMITTING COMPONENT, METHOD FOR MANUFACTURING A RADIATION-EMITTING COMPONENT AND RADIATION-EMITTING COMPONENT |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100335480B1 (en) * | 1999-08-24 | 2002-05-04 | 김덕중 | Leadframe using chip pad as heat spreading path and semiconductor package thereof |
JP2003110145A (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Harvatek Corp | Airfoil surface-mount package for light-emitting diode |
US7244965B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
JP3910171B2 (en) * | 2003-02-18 | 2007-04-25 | シャープ株式会社 | Semiconductor light emitting device, method for manufacturing the same, and electronic imaging device |
JP4359195B2 (en) * | 2004-06-11 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | Semiconductor light emitting device, manufacturing method thereof, and semiconductor light emitting unit |
JP2006222454A (en) | 2006-05-01 | 2006-08-24 | Toshiba Electronic Engineering Corp | Semiconductor light emitting device and surface-mounted package |
JP5205724B2 (en) * | 2006-08-04 | 2013-06-05 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device |
EP2109157B1 (en) | 2006-12-28 | 2018-11-28 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing the same |
JP5122172B2 (en) | 2007-03-30 | 2013-01-16 | ローム株式会社 | Semiconductor light emitting device |
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JP5365252B2 (en) | 2009-02-25 | 2013-12-11 | 日亜化学工業株式会社 | Optical semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5689223B2 (en) * | 2009-03-05 | 2015-03-25 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device |
JP5710128B2 (en) * | 2010-01-19 | 2015-04-30 | 大日本印刷株式会社 | Manufacturing method of lead frame with resin |
KR101064084B1 (en) * | 2010-03-25 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package and fabrication method thereof |
JP2012028743A (en) * | 2010-06-22 | 2012-02-09 | Panasonic Corp | Package for semiconductor device, method of manufacturing the same, and semiconductor device |
TWM400099U (en) * | 2010-09-27 | 2011-03-11 | Silitek Electronic Guangzhou | Lead frame, package structure and lighting device thereof |
JP5484288B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-05-07 | 株式会社Lixil | Column foundations such as carports and terraces, column foundation construction methods and precast concrete blocks |
-
2013
- 2013-04-03 JP JP2013077951A patent/JP6167619B2/en active Active
- 2013-04-03 DE DE102013205894.2A patent/DE102013205894B4/en active Active
- 2013-04-03 CN CN201310115663.3A patent/CN103367615B/en active Active
- 2013-04-03 US US13/855,745 patent/US8872218B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103367615A (en) | 2013-10-23 |
US8872218B2 (en) | 2014-10-28 |
JP2013232635A (en) | 2013-11-14 |
US20130264604A1 (en) | 2013-10-10 |
DE102013205894B4 (en) | 2021-06-17 |
DE102013205894A1 (en) | 2013-10-10 |
CN103367615B (en) | 2018-02-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160216 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160303 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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|
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |