JP6017227B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光モジュール、発光モジュールを用いた発光装置、発光モジュールの作製方法および発光モジュールを用いた発光装置の作製方法に関する。

一対の電極の間に膜状に広がる発光性の有機化合物を含む層（ＥＬ層ともいう）を備える発光素子が知られている。このような発光素子は例えば有機ＥＬ素子と呼ばれ、一対の電極の間に電圧を印加すると、発光性の有機化合物から発光が得られる。そして、有機ＥＬ素子を用いた照明装置や、表示装置などに適用した発光装置が知られている。有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に開示されている。

また、有機ＥＬ素子の信頼性は、大気中の不純物（代表的には水および／または酸素）が存在する環境において、損なわれ易い。そして、有機ＥＬ素子を封止するためのさまざまな構造が検討されている。

例えば、透湿性の低い基板上に形成された有機ＥＬ素子を透湿性の低い封止膜で覆う封止構造が知られている。また、一対の基板の間に有機ＥＬ素子と吸湿性物質を含む層を内側に封じ込めるように、該一対の基板が固着された表示装置の一例が、特許文献２に開示されている。

特開２００２−３２４６７３号公報 特開２００５−２０９６３３号公報

有機ＥＬ素子を覆う封止膜の透湿性を充分に低い値（具体的には、ガスバリア性が水蒸気透過率として１０^−５ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下、好ましくは１０^−６ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下）にするには、大気中の不純物を透過し難い材料を選択して、充分な厚さで成膜して用いる必要がある。

例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング法などによりピンホールを生ずることなく充分な厚さで形成された無機材料を含む膜は、大気中の不純物が透過し難く、有機ＥＬ素子の封止膜として好適である。しかし、ＣＶＤ法やスパッタリング法などは成膜速度が遅く、短時間で充分な厚さの封止膜を作製することは困難である。

一方、液状の組成物を硬化する方法によれば、短時間で厚い膜が形成できる。しかし、有機ＥＬ素子に接して液状組成物を硬化すると、硬化に伴う体積の収縮が有機ＥＬ素子に応力を加え、有機ＥＬ素子が損傷し、発光不良が引き起こされる場合がある。

本発明の一態様は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを提供することを課題の一とする。

または、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを用いた発光装置を提供することを課題の一とする。

または、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールの作製方法を提供することを課題の一とする。

または、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを用いた発光装置の作製方法を提供することを課題の一とする。

上記目的を達成するために、本発明の一態様は、有機ＥＬ素子を覆う封止構造が当該有機ＥＬ素子に与える応力に着眼した。そして、以下の構成を備える発光モジュールに想到し、上記課題の解決に至った。

本発明の一態様の発光モジュールは、第１の基板と第１の基板と対向する第２の基板の間に、第１の基板上に形成された発光素子と粘性材層を、当該発光素子を囲むシール材で封じ込める構成を有する。そして、当該粘性材層は当該発光素子と第２の基板の間に設けられ、且つ不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含むものである。

すなわち、本発明の一態様は、第１の基板と、第１の基板と対向する第２の基板と、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるシール材と、第１の基板と第２の基板の間に発光素子、粘性材層および枠体と、を有する発光モジュールである。そして、発光素子は、第１の基板上に設けられた第１の電極と、第１の電極と重なる第２の電極と、第１の電極と第２の電極に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を備える。そして、粘性材層は、発光素子に接して第１の基板と第２の基板との間に設けられ、且つ不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含む。そして、枠体は、発光素子と粘性材層を囲み、シール材は、発光素子と、粘性材層と、枠体と、を内側に封じ込めるように設けられている。

上記本発明の一態様の発光モジュールは、第１の基板と第１の基板と対向する第２の基板の間に、第１の基板上に形成された発光素子と粘性材層を、発光素子を囲むシール材で封じ込める構成を有する。そして、当該粘性材層は周囲を枠体で囲われて、発光素子に接して前記第１の基板と第２の基板との間に設けられ、且つ不純物（代表的には水および／または酸素）と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含むものである。

第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるシール材と、粘性材層と、が発光素子を囲むため、不純物が発光モジュールの内部に侵入する現象を抑制できる。また、粘性材層は非固体であって発光素子と第２の基板の間で流動する。その結果、発光素子に加わる応力は粘性材層に緩和され、発光素子の損傷を防ぐことができる。また、粘性材層に含まれる乾燥剤が、発光モジュール内に残留する不純物および／または外部から侵入する不純物と反応或いは吸着する。その結果、発光素子の劣化を防ぐことができる。また、発光素子に接して設けられた粘性材層が、発光素子の駆動に伴う発熱を第２の基板の側に放熱し、発光素子の熱による劣化を抑制できる。また、発光素子と第２の基板の間に挟まれた粘性材層が、発光素子の発熱による寸法変化に起因する、発光素子と第２の基板の間に生じる応力を緩和して、発光素子の損傷を防ぐことができる。

これらの相乗作用の結果、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを提供できる。また、発光不良が生じ難い発光モジュールを提供できる。

また、本発明の一態様は、第１基板と、第１の基板と対向する第２の基板と、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるシール材と、第１の基板と第２の基板の間に発光素子、粘性材層および枠体と、を有する発光モジュールである。そして、発光素子は、第１の基板上に設けられた第１の電極と、第１の電極と重なる第２の電極と、第１の電極と第２の電極に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を備える。そして、粘性材層は、発光素子に接して前記第１の基板と第２の基板との間に設けられ、且つ不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含む。そして、枠体は、発光素子、粘性材層、第１の空間および第２の空間を囲み、第１の空間は発光素子と重なり、第２の空間は狭窄部を介して第１の空間と接続し、且つ少なくとも一部に粘性材層で満たされていない空間を備え、シール材は、発光素子と、粘性材層と、枠体と、を内側に封じ込めるように設けられている。

上記本発明の一態様の発光モジュールは、第１の基板と第１の基板と対向する第２の基板の間に、第１の基板上に形成された発光素子と粘性材層を、発光素子を囲むシール材で封じ込める構成を有する。そして、当該粘性材層は周囲を枠体で囲われて、発光素子に接して前記第１の基板と第２の基板との間に設けられ、且つ不純物（代表的には水および／または酸素）と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含むものである。また、枠体が発光素子と重なる第１の空間と、第１の空間と狭窄部を介して接続された第２の空間を囲み、さらに第２の空間の少なくとも一部に粘性材層で満たされていない構成を備える。

第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるシール材と、粘性材層と、が発光素子を囲むため、不純物が発光モジュールの内部に侵入する現象を抑制できる。また、粘性材層は非固体であって発光素子と第２の基板の間で流動する。その結果、発光素子に加わる応力は粘性材層に緩和され、発光素子の損傷を防ぐことができる。また、粘性材層に含まれる乾燥剤が、発光モジュール内に残留する不純物および／または外部から侵入する不純物と反応或いは吸着する。その結果、発光素子の劣化を防ぐことができる。また、発光素子に接して設けられた粘性材層が、発光素子の駆動に伴う発熱を第２の基板の側に放熱し、発光素子の熱による劣化を抑制できる。また、発光素子と第２の基板の間に挟まれた粘性材層が、発光素子の発熱による寸法変化に起因する、発光素子と第２の基板の間に生じる応力を緩和して、発光素子の損傷を防ぐことができる。加えて、狭窄部を介して第１の空間に接続された第２の空間の粘性材層で満たされていない空間が、発光モジュールの発熱に伴う粘性材層の体積変化を吸収または体積変化に伴う圧力を緩和する。その結果、発光モジュールの封止構造（例えば、シール材の接着構造）が粘性材層の熱膨張により破壊される現象を防ぐことができる。

これらの相乗作用の結果、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを提供できる。また、発光不良が生じ難い発光モジュールを提供できる。

また、本発明の一態様は、第２の電極、粘性材層および第２の基板が、発光性の有機化合物を含む層が発する光を透過する、上記の発光モジュールである。

上記本発明の一態様の発光モジュールは、透光性を有する材料で発光素子の第２の電極から第２の基板までが構成される。これにより、発光素子が発する光を第２の基板の側から取り出すことができる。また、粘性材層が発光素子の第２の電極と第２の基板を光学的に接続し、発光性の有機化合物を含む層が発する光を効率よく第２の基板の側に取り出すことができる。その結果、発光効率の高い発光モジュールを提供できる。また、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。また、発光不良が生じ難い発光モジュールを提供できる。

また、本発明の一態様は、粘性材層に含まれる乾燥剤の中心粒径が、１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である、上記の発光モジュールである。

上記本発明の一態様の発光モジュールは、中心粒径が１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の乾燥剤を含んで構成される。これにより、発光性の有機化合物が発する光が粘性材層に散乱される現象を抑制できる。その結果、発光効率の高い発光モジュールを提供できる。また、信頼性の高い発光モジュールを提供できる。また、発光不良が生じ難い発光モジュールを提供できる。

また、本発明の一態様は、活性化材層を第１の基板と第２の基板の間であって、発光素子と枠体の間に重なるように備え、活性化材層は、粘性材層に含まれる乾燥剤を活性化する材料を含む、上記の発光モジュールである。

上記本発明の一態様の発光モジュールは、発光素子と枠体の間に活性化材層を備える。活性化材層は活性化材を含み、粘性材層に含まれる乾燥剤を活性化する働きを有する。このような構成において、流動性を有する粘性材層は、発光素子を囲う枠体の内側を流動する。粘性材層に含まれる乾燥剤は、発光素子の第２の電極と第２の基板の間で、不純物と反応或いは不純物を吸着する。次いで、不純物と反応或いは不純物を吸着した乾燥剤は、発光素子と枠体の間に設けられた活性化材層と接触し、再活性化される。その結果、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを提供できる。また、発光不良が生じ難い発光モジュールを提供できる。

また、本発明の一態様は、第１の基板と、第１の基板と対向する第２の基板と、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるシール材と、第１の基板と第２の基板の間にトランジスタ、発光素子、粘性材層および枠体と、を有する発光装置である。そして、トランジスタは、第１の基板上に設けられ、発光素子は、第１の基板上にトランジスタを介して電力が供給される第１の電極と、第１の電極と重なる第２の電極と、第１の電極と第２の電極に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を備える。そして、粘性材層は、発光素子に接して前記第１の基板と第２の基板との間に設けられ、且つ不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含む。そして、枠体は、トランジスタと、発光素子と、粘性材層と、を囲み、シール材は、発光素子と、粘性材層と、枠体と、を内側に封じ込めるように設けられている。

上記本発明の一態様の発光装置は、第１の基板と第１の基板と対向する第２の基板の間に、第１の基板上に形成されたトランジスタと、第１の基板上に形成され且つ該トランジスタに接続された発光素子と、粘性材層とを、該発光素子を囲むシール材で封じ込める構成を有する。そして、当該粘性材層は周囲を枠体で囲われて、発光素子に接して第１の基板と第２の基板との間に設けられ、且つ不純物（代表的には水および／または酸素）と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含むものである。

第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるシール材と、粘性材層と、が発光素子を囲むため、不純物が発光装置の内部に侵入する現象を抑制できる。また、粘性材層は非固体であって発光素子と第２の基板の間で流動する。その結果、発光素子に加わる応力は粘性材層に緩和され、発光素子の損傷を防ぐことができる。また、粘性材層に含まれる乾燥剤が、発光装置内に残留する不純物および／または外部から侵入する不純物と反応或いは吸着する。その結果、発光素子の劣化を防ぐことができる。また、発光素子に接して設けられた粘性材層が、発光素子の駆動に伴う発熱を第２の基板の側に放熱し、発光素子の熱による劣化を抑制できる。また、発光素子と第２の基板の間に挟まれた粘性材層が、発光素子の発熱による寸法変化に起因する、発光素子と第２の基板の間に生じる応力を緩和して、発光素子の損傷を防ぐことができる。

その結果、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光装置を提供できる。また、発光不良が生じ難い発光装置を提供できる。

また、本発明の一態様は、トランジスタは、ゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の一方の側に接するゲート電極と、ゲート絶縁層の他方の側に接し、且つゲート電極と重畳する酸化物半導体層と、酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続し、且つゲート電極と重なる間隙が設けられたソース電極とドレイン電極を備え、発光素子の第１の電極はソース電極またはドレイン電極のいずれか一方と電気的に接続される、上記の発光装置である。

上記本発明の一態様の発光装置は、チャネル形成領域に酸化物半導体層を備えるトランジスタを含み、且つ該トランジスタと、粘性材層とを、該発光素子を囲むシール材で封じ込める構成を有する。そして、当該粘性材層は、不純物（代表的には水）と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含むものである。

第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるシール材と、粘性材層と、がチャネル形成領域に酸化物半導体層を備えるトランジスタと発光素子を囲む構成により、発光装置の内部に不純物が侵入する現象を抑制できる。また、粘性材層に含まれる乾燥剤が、発光装置内に残留する不純物および／または外部から侵入する不純物と反応或いは吸着する。その結果、水素原子を含む不純物（代表的には水）が、チャネル形成領域に酸化物半導体層を備えるトランジスタの信頼性を損なう現象を防止することができる。

その結果、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光装置を提供できる。また、発光不良が生じ難い発光装置を提供できる。

また、本発明の一態様は、第１の基板に、発光素子を形成する第１のステップと、第２の基板に、発光素子を囲う枠体と枠体を囲うシール材を形成する第２のステップと、枠体で囲まれた領域に、不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤を含む粘性を有する非固体を滴下する第３のステップと、シール材を用いて、第１の基板と第２の基板を貼り合わせ、発光素子、非固体および枠体を内側に封じ込める第４のステップと、を有する発光モジュールの作製方法である。

上記本発明の一態様の発光モジュールの作製方法は、枠体で囲まれた領域に不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤を含む粘性を有する非固体を滴下するステップに続いて、第１の基板と第２の基板をシール材で貼り合わせて、発光素子と、枠体と、非固体と、を内側に封じ込める方法である。

これにより、面積が大きい第１の基板と第２の基板の間に、非固体の粘性材層を効率よく形成できる。

その結果、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを作製できる。また、発光不良が生じ難い発光モジュールを作製できる。

また、本発明の一態様は、第１の基板に、トランジスタと発光素子を形成する第１のステップと、第２の基板に、トランジスタと発光素子を囲う枠体と枠体を囲うシール材を形成する第２のステップと、枠体で囲まれた領域に、不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤を含む粘性を有する非固体を滴下する第３のステップと、シール材を用いて、第１の基板と第２の基板を貼り合わせ、トランジスタ、発光素子、非固体および枠体を内側に封じ込める第４のステップと、を有する発光装置の作製方法である。

上記本発明の一態様の発光装置の作製方法は、枠体で囲まれた領域に不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤を含む粘性を有する非固体を滴下するステップに続いて、第１の基板と第２の基板をシール材で貼り合わせて、トランジスタと、発光素子と、枠体と、非固体と、を内側に封じ込める方法である。

これにより、面積が大きい第１の基板と第２の基板の間に、非固体の粘性材層を効率よく形成できる。

その結果、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光装置を作製できる。また、発光不良が生じ難い発光装置を作製できる。

なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すものとする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一態様である。

また、本明細書において、物質Ａを他の物質Ｂからなるマトリクス中に分散する場合、マトリクスを構成する物質Ｂをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Ａをゲスト材料と呼ぶものとする。なお、物質Ａ並びに物質Ｂは、それぞれ単一の物質であっても良いし、２種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。

なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

本発明の一態様によれば、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを提供できる。

または、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを用いた発光装置を提供できる。

または、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールの作製方法を提供できる。

または、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを用いた発光装置の作製方法を提供できる。

実施の形態に係る発光モジュールの構成を説明する図。 実施の形態に係る発光モジュールの構成を説明する図。 実施の形態に係る発光装置を説明する図。 実施の形態に係る発光装置を説明する図。 実施の形態に係る発光モジュールの作製方法を説明する図。 実施の形態に係る発光装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る発光素子の構成を説明する図。 実施の形態に係るトランジスタの作製方法および構成を説明する図。 実施の形態に係る発光装置を説明する図。 実施の形態に係る電子機器を説明する図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光モジュールについて、図１を参照して説明する。

本発明の一態様の発光モジュールの構成を図１に示す。図１（Ａ）は本発明の一態様の発光モジュールの上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ａ−Ｂおよび切断線Ｃ−Ｄにおける断面図である。

図１に例示する発光モジュール１００は、第１の基板１０１と第２の基板１０２の間に、発光素子１１０と粘性材層１２０を、発光素子１１０を囲むシール材１３１で封じ込める構成を有する。発光素子１１０は第１の電極１１１と、第２の電極１１２と、その間に発光性の有機化合物を含む層１１３と、を有する。また、隔壁１１４は第１の電極１１１と重なる開口部を有し、第１の電極１１１は第１の端子１０３と電気的に接続し、第２の電極１１２は第２の端子１０４と電気的に接続する。粘性材層１２０は、周囲を枠体１３２で囲われ、第２の電極１１２に接して、第１の基板１０１と第２の基板１０２との間に設けられている。

なお、発光素子１１０と粘性材層の間に、発光素子１１０を覆う封止膜を設けても良い。

＜粘性材層＞
粘性材層１２０は乾燥剤と粘性を有する非固体とを含む。

また、粘性材層１２０は流動性を有し、粘性材層１２０を構成する粘性材の粘性は代表的には１ｃｐ以上５００ｃｐ以下であると好ましい。粘性材の粘性が１ｃｐ以上あると粘性材がたれ難く、例えば粘性材の塗布装置からの液だれを防ぐことができ、粘性材層１２０の作製が容易である。また、粘性材の粘性が５００ｃｐ以下であると、粘性材層１２０から発光素子１１０の第２の電極１１２に加わる応力を緩和できる。その結果、発光素子１１０を損傷することなく、発光素子１１０に近接した位置に乾燥剤を設けることが可能となり、不純物が発光素子１１０の内部に拡散する現象を効果的に抑制できる。よって、発光素子１１０の信頼性を効果的に向上できる。

乾燥剤は、不純物と反応或いは不純物を吸着する材料であればよく、代表的には水および／または酸素と反応、或いは水および／または酸素を吸着する材料であれば好ましい。なお、不純物は発光素子の信頼性を低下する原因となる物質を指し、代表的には水、酸素等を挙げることができる。水、酸素等は発光性の有機化合物を含む層を劣化せしめ、発光素子の発光特性を損なう。乾燥剤に適用可能な材料としては、例えば、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物など化学吸着型の乾燥剤等、または例えばゼオライト、シリカゲル、酸化アルミニウム、アロフェンなどの物理吸着型の乾燥剤等を挙げることができる。なお、封止された空間において不純物と反応した乾燥剤から気体が発生する、または乾燥剤の体積が大きく変化すると、封止構造（例えばシール材）に応力が加わり、封止構造を破壊してしまう場合がある。物理吸着型の乾燥剤は不純物との反応或いは吸着に伴う気体の発生や体積の増加が極めて少ないため好ましい。

粘性を有する非固体は粘性を有する非固体ともいうことができ、乾燥剤を含む状態で流動性を有すれば良い。また、発光性の有機化合物を含む層を溶解しない材料、揮発性が低い材料が好ましい。粘性を有する非固体に適用可能な材料としては、例えば、ストレートシリコーンオイル、変性シリコーンオイル、流動パラフィン、パーフルオロカーボン等を挙げることができる。なお、ストレートシリコーンオイルの具体例として、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイル等を挙げることができる。また、変性シリコーンオイルの具体例として、ポリシロキサンの側鎖をポリエーテル変性、メチルスチリル変性、アルキル変性、高級脂肪酸エステル変性、高級脂肪酸含有、フッ素変性したもの等、主鎖の片末端または両末端を変性したものまたは側鎖および主鎖を変性したものを挙げることができる。

本実施の形態で説明する発光モジュール１００は、粘性材層１２０に、乾燥剤としてゼオライトと、粘性を有する非固体としてシリコーンオイルを含む。

＜枠体＞
枠体１３２は第１の基板１０１と第２の基板１０２の間に挟まれた粘性材層１２０を囲んで、粘性材層１２０と接している。枠体１３２は単層構造であっても、２層以上の積層構造であっても、粘性材層１２０を二重に囲む構造であってもよい。なお、枠体１３２の基板からの高さを用いて第１の基板１０１と第２の基板１０２の間隔を調整する構成としてもよい。

枠体１３２は粘性材層１２０と反応しない材料であればよく、不純物が透過し難い材料が特に好ましい。枠体１３２に適用可能な材料としては、例えば、フォトレジスト、アクリル樹脂、ポリイミド等を挙げることができる。

本実施の形態で説明する発光モジュール１００は、枠体１３２にポリイミドが用いられている。

＜シール材＞
シール材１３１は第１の基板１０１と第２の基板１０２を貼り合わせ、第１の基板１０１と第２の基板１０２の間に発光素子１１０と、枠体１３２で囲まれた粘性材層１２０と、を封じ込めている。シール材１３１は単層構造であっても、２層以上の積層構造であっても、枠体１３２を二重に囲む構造であってもよい。

シール材１３１は第１の基板１０１と第２の基板１０２を貼り合わせることができる材料であればよく、不純物が透過し難い材料が特に好ましい。シール材１３１に適用可能な材料としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ガラスフリット、ガラスリボン、ハンダ等を挙げることができる。

なお、シール材１３１が粘性材層１２０と反応しない材料であれば、シール材１３１は枠体１３２を兼ねることができる。シール材１３１が枠体１３２を兼ねる構成とすることで、使用する材料の種類や、作製工程を削減できるため好ましい。

本実施の形態で説明する発光モジュール１００は、シール材１３１に紫外線硬化型のエポキシ樹脂が用いられている。

＜第１の基板および第２の基板＞
第１の基板１０１および第２の基板１０２はそれぞれ製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備え、その厚さおよび大きさは製造装置に適用可能であれば特に限定されない。また、単層構造であっても、２層以上の層が積層された構造であってもよい。

第１の基板１０１および第２の基板１０２はガスバリア性を有すると好ましい。また、発光素子との間にガスバリア性を有する膜を形成しても良い。具体的には、ガスバリア性が水蒸気透過率として１０^−５ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下、好ましくは１０^−６ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下であると、発光モジュールの信頼性を高められるため好ましい。

また、第１の基板１０１および第２の基板１０２は可撓性を有していてもよい。可撓性を有する基板としてはプラスチック基板の他、厚さが５０μｍ以上５００μｍの薄いガラスや、金属箔を用いることができる。

なお、第１の基板１０１または第２の基板１０２の少なくとも一方は、発光素子が発する光を透過する。

発光素子が発する可視光を透過する基板としては、例えば、無アルカリガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、石英基板、サファイア基板、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ポリエステル、アクリルまたはポリイミド等を含むプラスチック基板、等をその例に挙げることができる。

また、第１の基板１０１と第２の基板１０２のいずれか一方に、第１の基板に形成される発光素子が発する光を透過し難い基板を用いてもよい。例えば、セラミック基板やステンレス等を含む金属基板が挙げられる。

なお、第１の基板１０１の発光素子を形成する側の面は、絶縁性であれば好ましい。また、絶縁性の膜を積層して用いてもよい。また、第１の基板１０１の発光素子を形成する側の面は、平坦であれば好ましい。また、発光素子との間に平坦化のための膜を形成しても良い。

本実施の形態で説明する発光モジュール１００は、第１の基板１０１と第２の基板１０２にそれぞれ無アルカリガラス基板が用いられている。

＜発光素子＞
発光素子１１０は第１の電極１１１と第２の電極１１２の間に発光性の有機化合物を含む層１１３を挟持する。また、発光素子が発する光を透過する基板が適用された側の少なくとも一方の電極（具体的には第１の電極１１１または第２の電極１１２）は、発光性の有機化合物を含む層１１３が発する光を透過する。なお、本実施の形態で例示する発光モジュールに適用可能な発光素子の詳細な構成については、実施の形態６において説明するものとし、ここでは説明を省略する。

本実施の形態で説明する発光モジュール１００は、発光性の有機化合物を含む層１１３に白色を呈する光を発する層を備える発光素子１１０を有する。

＜隔壁＞
隔壁１１４は第１の電極１１１と第２の電極１１２を電気的に絶縁する層である。また、単層構成であっても、２層以上の層を積層した構造であってもよい。また、その厚さは特に限定されない。また、隔壁の上端部または下端部に、曲率を有する曲面を形成すると好ましい。

隔壁１１４に用いることができる材料としては、絶縁性を備え、作製工程に耐えられる程度の耐熱性を備える材料であればよく、例えばフォトポリマー（具体的には感光性アクリル、感光性ポリイミド等）、無機材料膜、有機材料膜から選ばれた一の絶縁層、またはこれらから選ばれた一を含む絶縁層を用いることができる。

本実施の形態で説明する発光モジュール１００は、隔壁１１４にポジ型の感光性ポリイミドが用いられ、その上端部に０．２μｍ以上３μｍの曲率半径を有する曲面を備える。

上記本発明の一態様の発光モジュールは、第１の基板と第１の基板と対向する第２の基板の間に、第１の基板上に形成された発光素子と粘性材層を、発光素子を囲むシール材で封じ込める構成を有する。そして、当該粘性材層は周囲を枠体で囲われて、発光素子に接して第１の基板と第２の基板との間に設けられ、且つ不純物（代表的には水および／または酸素）と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含むものである。

第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるシール材と、粘性材層と、が発光素子を囲むため、不純物が発光モジュールの内部に侵入する現象を抑制できる。また、粘性材層は非固体であって発光素子と第２の基板の間で流動する。その結果、発光素子に加わる応力は粘性材層に緩和され、発光素子の損傷を防ぐことができる。また、粘性材層に含まれる乾燥剤が、発光モジュール内に残留する不純物および／または外部から侵入する不純物と反応或いは吸着する。その結果、発光素子の劣化を防ぐことができる。また、発光素子に接して設けられた粘性材層が、発光素子の駆動に伴う発熱を第２の基板の側に放熱し、発光素子の熱による劣化を抑制できる。また、発光素子と第２の基板の間に挟まれた粘性材層が、発光素子の発熱による寸法変化に起因する、発光素子と第２の基板の間に生じる応力を緩和して、発光素子の損傷を防ぐことができる。

これらの相乗作用の結果、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを提供できる。また、発光不良が生じ難い発光モジュールを提供できる。

＜変形例１．＞
また、本実施の形態で例示する発光モジュールの変形例について、図２（Ａ）を参照して説明する。図２（Ａ）の上側は本発明の一態様の発光モジュールの上面図であり、下側は切断線Ａ−Ｂにおける断面図である。本発明の一態様の発光モジュール２００ａは、第１の基板２０１と第１の基板２０１と対向する第２の基板２０２の間に、第１の基板２０１上に形成された発光素子２１０と粘性材層２２０を、発光素子２１０を囲むシール材２３１で封じ込める構成を有する。そして、当該粘性材層２２０は周囲を枠体２３２で囲われて、発光素子２１０の第２の電極（図示しないが、第１の基板２０１と接する側の反対側にある）に接して第２の基板２０２との間に設けられ、且つ不純物（代表的には水および／または酸素）と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含むものである。また、枠体２３２は発光素子２１０と重なる第１の空間２４１と、第１の空間２４１と狭窄部２４５を介して接続された第２の空間２４２を囲み、さらに第２の空間２４２の少なくとも一部２４２ｂが粘性材層２２０で満たされていない。

狭窄部は、粘性材層が第１の空間と第２の空間の間を自由に往き来できるようにするものである。一方、狭窄部は第２の空間に設けた粘性材層で満たされていない一部２４２ｂが、第１の空間側に移動してしまう現象を防いでいる。なお、第２の空間の形状は狭窄部から広がる形状に限定されない。例えば、第２の空間は、狭窄部と同程度の断面積を有する管状であってもよく、容積を確保するために蛇行するように設けられた形状であってもよい。

なお、発光モジュールに第２の空間を複数設けることもできる。第２の空間を複数に分けると、発光モジュールのレイアウトの自由度が高くなり、付加価値を高めることができる。図２（Ｂ）に例示する発光モジュール２００ｂは、第２の空間を２つ備える。

第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるシール材と、粘性材層と、が発光素子を囲むため、不純物が発光モジュールの内部に侵入する現象を抑制できる。また、粘性材層は非固体であって発光素子と第２の基板の間で流動する。その結果、発光素子に加わる応力は粘性材層に緩和され、発光素子の損傷を防ぐことができる。

また、粘性材層に含まれる乾燥剤が、発光モジュール内に残留する不純物および／または外部から侵入する不純物と反応或いは吸着する。その結果、発光素子の劣化を防ぐことができる。また、発光素子に接して設けられた粘性材層が、駆動に伴い発光素子が発する熱を第２の基板の側に放熱し、発光素子の熱による劣化を抑制できる。

また、発光素子と第２の基板の間に挟まれた粘性材層が、発熱により膨張する発光素子の寸法変化を吸収し、発光素子と第２の基板の間に生じる応力が発光素子に集中する現象を防止できる。その結果、発光素子の損傷を防ぐことができる。

加えて、第１の空間に狭窄部を介して接続された第２の空間の粘性材層で満たされていない空間が、発光モジュールの発熱に伴う粘性材層の体積変化を吸収または体積変化に伴う圧力を緩和するため、発光モジュールの封止構造（例えば、シール材の接着構造）が膨張した粘性材層により破壊される現象を防ぐことができる。また、封止された空間においてアルカリ金属の酸化物やアルカリ土類金属の酸化物などの化学吸着型の乾燥剤が、不純物と反応して気体を発生する場合やその体積が大きくなる場合であっても、第２の空間の粘性材層で満たされていない空間が、その体積変化を吸収または体積変化に伴う圧力を緩和できる。

＜変形例２．＞
また、本実施の形態で例示する発光モジュールの変形例として、第２の電極１１２、粘性材層１２０および第２の基板１０２が、いずれも発光性の有機化合物を含む層１１３が発する光を透過する構成を有する発光モジュールについて説明する。

特に、粘性材層１２０は発光性の有機化合物を含む層１１３が発する光を９５％以上、好ましくは９８％以上１００％未満透過するものが好ましい。これにより、発光素子１１０が発する光を第２の基板１０２の側に効率良く取り出すことができる。具体的には、粘性を有する非固体にシリコーンオイルを用い、粘性材層１２０の厚さを１０μｍとして、可視光の透過率が９９％の粘性材層１２０を構成することができる。

特に、粘性材層１２０の屈折率は空気の屈折率以上、好ましくは１．３以上１．７以下、より好ましくは１．４以上１．６以下であって、発光性の有機化合物を含む層１１３の屈折率以上第２の基板１０２の屈折率以下であると好ましい。発光素子１１０が発する光を第２の基板１０２の側から外に効率良く取り出すことができるからである。

また、粘性材層１２０と枠体１３２の間に粘性材層で満たされていない空間を設けてもよい。粘性材層で満たされていない空間が、粘性材層１２０が熱により膨張した際に生じる応力を緩和できるため好ましい。

なお、発光素子１１０と粘性材層の間に、発光素子１１０を覆う封止膜を設けても良い。封止膜の屈折率は粘性材層の屈折率以上発光性の有機化合物を含む層の屈折率以下が好ましく、その厚さは１ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましい。

上記本発明の一態様の発光モジュールは、透光性を有する材料で発光素子の第２の電極から第２の基板までが構成される。これにより、発光素子が発する光を第２の基板の側から取り出すことができる。また、粘性材層が発光素子の第２の電極と第２の基板を光学的に接続し、発光性の有機化合物を含む層が発する光を効率よく第２の基板の側に取り出すことができる。その結果、発光効率の高い発光モジュールを提供できる。消費電力の低減された発光モジュールを提供できる。信頼性の高い発光モジュールを提供できる。また、発光不良が生じ難い発光モジュールを提供できる。

＜変形例３．＞
また、本実施の形態で例示する発光モジュールの変形例として、粘性材層１２０に含まれる乾燥剤の中心粒径が１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である発光モジュールについて説明する。

上記本発明の一態様の発光モジュールは、中心粒径が１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の乾燥剤を含んで構成される。乾燥剤の中心粒径を１０ｎｍ以上とすることで、乾燥剤の吸着部位が破壊されてしまう現象を抑制し、４００ｎｍ以下とすることで乾燥剤の表面積を大きくし、不純物と反応または／および不純物と吸着し易くできる。なお、乾燥剤の中心粒径を４００ｎｍ以下とすると乾燥剤が粘性材層で凝集し易くなるが、シランカップリング剤で表面を修飾した乾燥剤を用いることにより、凝集を防止できる。また、粘性材層に乾燥剤を分散する際に、超音波を照射すると凝集を防ぐことができる。

また、第２の電極１１２、粘性材層１２０および第２の基板１０２が、いずれも発光性の有機化合物を含む層１１３が発する光を透過する構成において、粘性材層１２０に含まれる乾燥剤の中心粒径を１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることで、発光性の有機化合物が発する光が粘性材層に散乱される現象を抑制できる。その結果、発光効率の高い発光モジュールを提供できる。また、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを提供できる。また、発光不良が生じ難い発光モジュールを提供できる。

＜変形例４．＞
また、本実施の形態で例示する発光モジュールの変形例について、図２（Ｃ）を参照して説明する。図２（Ｃ）の上側は本発明の一態様の発光モジュールの上面図であり、下側は切断線Ａ−Ｂにおける断面図である。本発明の一態様の発光モジュール２００ｃは、発光素子２１０と枠体２３２の間に粘性材層２２０に含まれる乾燥剤を活性化する活性化材を含む活性化材層２４６を備える。

このような構成において、流動性を有する粘性材層は、発光素子を囲う枠体の内側を流動する。粘性材層に含まれる乾燥剤は、発光素子の第２の電極と第２の基板の間で、不純物と反応或いは不純物を吸着する。次いで、不純物と反応或いは不純物を吸着した乾燥剤は、発光素子と枠体の間に設けられた活性化材層と接触し、再活性化される。その結果、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを提供できる。また、発光不良が生じ難い発光モジュールを提供できる。

なお、粘性材層には再生可能な乾燥剤を用いる。再生可能な乾燥剤としては、物理吸着型の乾燥剤をその例に挙げることができる。一方、活性化材層に用いる活性化材としては、物理吸着した水分等の不純物を奪い取る材料が求められる。具体的にはアルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物など化学吸着型の乾燥剤を活性化材に用いる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、複数の本発明の一態様の発光モジュールをマトリクス状に配置して構成する発光装置について、図３を参照して説明する。

本実施の形態では、本発明の一態様の発光モジュールがトランジスタにそれぞれ接続されたアクティブマトリクス型の発光装置を説明するが、本発明の一態様はアクティブマトリクス型の発光装置に限定されるものではなく、パッシブマトリクス型の発光装置にも適用可能である。また、いずれの発光装置も、表示装置や照明装置に利用できる。

＜アクティブマトリクス型の発光装置＞
本発明の一態様のアクティブマトリクス型の発光装置の構成を図３に示す。なお、図３（Ａ）は本発明の一態様の発光装置の上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の切断線Ａ−Ｂおよび切断線Ｃ−Ｄにおける断面図である。図３（Ｂ）に例示する発光装置１４００は図中に示す矢印の方向に光を射出する。

アクティブマトリクス型の発光装置１４００は、駆動回路部（ソース側駆動回路）１４０１、画素部１４０２、駆動回路部（ゲート側駆動回路）１４０３、第２の基板１４０４、シール材１４０５を備える（図３（Ａ）および図３（Ｂ）参照）。なお、シール材１４０５で囲まれた内側には、枠体１４０６が設けられており、枠体１４０６で囲まれた空間は、粘性材層１４０７を含む。

発光装置１４００は外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１４０９を介して、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣのみを図示するが、ＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣまたはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

発光装置１４００の構成の詳細について図３（Ｂ）に示す断面図を用いて説明する。発光装置１４００は、第１の基板１４１０上に図示されたソース側駆動回路１４０１を含む駆動回路部および、同様に図示された画素を含む画素部１４０２を備える。また、ソース側駆動回路１４０１およびゲート側駆動回路１４０３に入力される信号を伝送するための引き回し配線１４０８を備える。

なお、本実施の形態ではソース側駆動回路１４０１がｎチャネル型トランジスタ１４２３とｐチャネル型トランジスタ１４２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を含む構成について例示するが、駆動回路はこの構成に限定されず、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路またはＮＭＯＳ回路で構成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。

＜トランジスタの構成１．＞
本実施の形態で例示するアクティブマトリクス型の発光装置は、さまざまなトランジスタを用いて構成できる。具体的には、チャネルが形成される領域に、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンの他、酸化物半導体などを用いたトランジスタを適用できる。

トランジスタのチャネルが形成される領域に単結晶半導体を用いると、トランジスタサイズを微細化することが可能となるため、表示部において画素をさらに高精細化することができる。

半導体層を構成する単結晶半導体としては、代表的には、単結晶シリコン基板、単結晶ゲルマニウム基板、単結晶シリコンゲルマニウム基板など、第１４族元素でなる単結晶半導体基板、化合物半導体基板（ＳｉＣ基板、サファイア基板、ＧａＮ基板等）などの半導体基板を用いることができる。好適には、絶縁表面上に単結晶半導体層が設けられたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることができる。

ＳＯＩ基板の作製方法としては、鏡面研磨ウェハーに酸素イオンを注入した後、高温加熱することにより、表面から一定の深さに酸化層を形成させるとともに、表面層に生じた欠陥を消滅させて作る方法、水素イオン照射により形成された微小ボイドの熱処理による成長を利用して半導体基板を劈開する方法や、絶縁表面上に結晶成長により単結晶半導体層を形成する方法等を用いることができる。

本実施の形態では、単結晶半導体基板の一つの面からイオンを添加して、単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆弱化層を形成する。次いで、単結晶半導体基板の一つの面上、または第１の基板１４１０上のどちらか一方に絶縁層を形成する。次いで、脆弱化層が形成された単結晶半導体基板と第１の基板１４１０を、絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、脆弱化層に亀裂を生じさせて、単結晶半導体基板を脆弱化層で分離する熱処理を行い、単結晶半導体基板より半導体層として単結晶半導体層を第１の基板１４１０上に形成する。なお、第１の基板１４１０としては、ガラス基板を用いることができる。

また、半導体基板に絶縁分離領域を形成し、絶縁分離された半導体領域を用いてトランジスタ１４１１、トランジスタ１４１２を形成してもよい。

単結晶半導体をチャネル形成領域として用いることで、結晶粒界における結合の欠陥に起因する、トランジスタのしきい値電圧等の電気的特性のばらつきを軽減できるため、本発明の一態様の発光装置は、各画素にしきい値電圧補償用の回路を配置しなくても正常に発光素子を動作させることができる。したがって、一画素における回路要素を削減することが可能となるため、レイアウトの自由度が向上する。よって、発光装置の高精細化を図ることができる。例えば、マトリクス状に配置された複数の画素を一インチあたり３５０以上含む（水平解像度が３５０ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌｓ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）以上である）、さらに好ましくは４００以上含む（水平解像度が４００ｐｐｉ以上である）構成とすることが可能となる。

さらに、単結晶半導体をチャネル形成領域として用いたトランジスタは、高い電流駆動能力を維持したまま、微細化が可能である。該微細なトランジスタを用いることで表示に寄与しない回路部の面積を縮小することができるため、表示部においては表示面積が拡大し、かつ発光装置の狭額縁化が達成できる。

＜画素部の構成１．＞
画素部１４０２は複数の画素を備える。画素は発光素子１４１８と、発光素子１４１８の第１の電極１４１３にドレイン電極が接続された電流制御用トランジスタ１４１２と、スイッチング用トランジスタ１４１１と、を有する。

発光モジュールに設けられた発光素子１４１８は、第１の電極１４１３と、第２の電極１４１７と、発光性の有機化合物を含む層１４１６と、を有する。なお、隔壁１４１４が第１の電極１４１３の端部を覆って形成されている。

隔壁１４１４の上端部または下端部には、曲率を有する曲面が形成されるようにする。隔壁１４１４は、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型の感光性樹脂、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。例えば、隔壁１４１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、隔壁１４１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。ここでは、ポジ型の感光性ポリイミド膜を用いることにより形成する。

発光素子１４１８の構成としては、例えば実施の形態６で例示する発光素子の構成を適用できる。

具体的には、発光性の有機化合物を含む層１４１６に白色を呈する光を発する構成を適用できる。また、白色を呈する光を発する発光素子にカラーフィルタを重ねて設ける構成とすることで、発光色が異なる発光モジュールを構成できる。

例えば、複数の発光素子のそれぞれに、異なる色を呈する光を透過するカラーフィルタを重ねて設けると、発光性の有機化合物を含む層を作り分けることなく、異なる色を呈する光を発する発光モジュールを複数配置できる。そして、それぞれの発光モジュールを独立して駆動可能な構成とすることで、多色の表示装置を構成できる。

また、遮光性の膜（ブラックマトリクスともいう）を隔壁に重ねて設けると、一のカラーフィルタに隣接する発光素子から入射する光を低減できる。その結果、表示装置の色再現性を向上できる。

本実施の形態では、発光素子１４１８が発する光を第２の電極１４１７側に取り出す場合について説明する。具体的には、発光性の有機化合物を含む層１４１６が発する光を透過する導電膜を用いて、第２の電極１４１７を構成する場合について説明する。

また、本実施の形態では、発光素子１４１８の第１の電極１４１３と第２の電極１４１７を用いて、微小共振器（マイクロキャビティともいう）を構成する場合について説明する。例えば、第１の電極１４１３に発光性の有機化合物を含む層１４１６が発する光を反射する導電膜を用い、第２の電極１４１７に、当該光の一部を反射し、一部を透過する半透過・半反射膜性の導電膜を用いて構成できる。

また、光学調整層を第１の電極と第２の電極の間に設けることができる。光学調整層は反射性の第１の電極１４１３と半透過・半反射性の第２の電極１４１７の間の光学距離を調整する層であり、光学調整層の厚さを調整することにより、第２の電極１４１７から優先的に取り出す光の波長を調整できる。

光学調整層に用いることができる材料としては、発光性の有機化合物を含む層を適用できる。例えば、電荷発生領域を用いて、その厚さを調整してもよい。特に正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む領域を光学調整層に用いると、光学調整層が厚い構成であっても駆動電圧の上昇を抑制できるため好ましい。

また、光学調整層に用いることができる他の材料としては、発光性の有機化合物を含む層１４１６が発する光を透過する透光性の導電膜を適用できる。例えば、反射性の導電膜の表面に該透光性を有する導電膜を積層して、第１の電極１４１３を構成できる。この構成によれば、フォトリソグラフィ工程を用いて隣接する第１の電極の光学調整層の厚さを変えることができ、表示装置の微細化に好適である。

発光素子１４１８が発する光を第２の電極１４１７側に取り出す場合、カラーフィルタ１４３４および遮光性の膜１４３５は、いずれも第２の基板１４０４に設けることができる。

なお、カラーフィルタ１４３４を設けた第２の基板１４０４と、第１の基板の間隔は、後述するシール材１４０５や、枠体１４０６などを用いて調整できる。カラーフィルタ１４３４は発光素子１４１８に近接して設けられている構成が好ましく、その間隔が隣接する発光素子間の間隔（隔壁の幅）以下であると、一のカラーフィルタに隣接する発光素子から入射する光を低減できる。その結果、表示装置の色再現性を向上できる。

なお、隔壁１４１４を遮光性とすると、発光モジュールに設けられた反射性の膜による外光の反射を抑制できる。発光素子１４１８の外側に延在する反射膜が、外光を反射すると発光装置のコントラストが低下してしまうため、鮮やかな発光を得られない。隔壁を遮光性とする場合は、黒色に着色した樹脂層を用いて形成できる。

＜封止構造１．＞
本実施の形態で例示する発光装置１４００は、第１の基板１４１０、第２の基板１４０４、およびシール材１４０５で囲まれた空間に、発光素子１４１８を封止する構造を備える。

空間には枠体１４０６が設けられ、枠体１４０６は発光素子１４１８と粘性材層１４０７を囲んでいる。空間は隙間なく粘性材層１４０７によって満たされていても良く、一部に空間が残っていてもよい。残された空間には不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填されていてもよい。不活性気体が充填された空間を設ける構成とすることで、粘性材層１４０７が熱により膨張した際に生じる応力を緩和できるため好ましい。また、残された空間に乾燥剤など不純物の吸着材を設けても良い。

上記本発明の一態様の発光装置は、第１の基板と第１の基板と対向する第２の基板の間に、第１の基板上に形成されたトランジスタと、第１の基板上に形成され且つ該トランジスタに接続された発光素子と、粘性材層とを、該発光素子を囲むシール材で封じ込める構成を有する。そして、当該粘性材層は周囲を枠体で囲われて、発光素子に接して第１の基板と第２の基板との間に設けられ、且つ不純物（代表的には水および／または酸素）と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含むものである。

第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるシール材と、粘性材層と、が発光素子を囲むため、不純物が発光装置の内部に侵入する現象を抑制できる。また、粘性材層は非固体であって発光素子と第２の基板の間で流動する。その結果、発光素子に加わる応力は粘性材層に緩和され、発光素子の損傷を防ぐことができる。また、粘性材層に含まれる乾燥剤が、発光装置内に残留する不純物および／または外部から侵入する不純物と反応或いは吸着する。その結果、発光素子の劣化を防ぐことができる。また、発光素子に接して設けられた粘性材層が、発光素子の駆動に伴う発熱を第２の基板の側に放熱し、発光素子の熱による劣化を抑制できる。また、発光素子と第２の基板の間に挟まれた粘性材層が、発光素子の発熱による寸法変化に起因する、発光素子と第２の基板の間に生じる応力を緩和して、発光素子の損傷を防ぐことができる。

その結果、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光装置を提供できる。また、発光不良が生じ難い発光装置を提供できる。

＜変形例＞
また、本実施の形態で例示する発光装置の変形例として、チャネル形成領域に酸化物半導体層を備えるトランジスタを含み、且つ該トランジスタと、粘性材層とを、発光素子を囲むシール材で封じ込める構成を有する発光装置について図３（Ｃ）を参照して説明する。なお、当該粘性材層は、不純物（代表的には水）と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含む構成を有する。

図３（Ｃ）に例示する発光装置は、第１の基板１４１０上に図示されたソース側駆動回路１４０１を含む駆動回路部および、同様に図示された画素を含む画素部１４０２を備える。また、ソース側駆動回路１４０１およびゲート側駆動回路１４０３に入力される信号を伝送するための引き回し配線１４０８を備える。

なお、本変形例ではソース側駆動回路１４０１がｎチャネル型トランジスタ１４２３ｂを用いた回路を含む構成について例示する。また、本変形例では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。

＜トランジスタの構成２．＞
本実施の形態で例示するアクティブマトリクス型の発光装置の変形例は、チャネルが形成される領域に酸化物半導体を用いたトランジスタが適用されている。

チャネルが形成される領域に酸化物半導体を用いたトランジスタは、大面積の基板に作製することが容易である。また、アモルファスシリコンを用いたトランジスタに比較して、高速に動作する。

チャネルが形成される領域に酸化物半導体を用いたトランジスタの構成としては、例えば実施の形態７で例示するトランジスタの構成を適用できる。

なお、酸化物半導体において水素イオン、又は水素分子は、酸化物半導体のキャリア濃度を高める不純物として働く。従って、チャネルが形成される領域に酸化物半導体を用いたトランジスタに水素原子を含む不純物が拡散すると、トランジスタの特性は損なわれ、それを用いた発光装置の信頼性も失われてしまう。そして、水素原子を含む不純物は、酸化物半導体を用いた発光装置に残存および／または装置外から浸入する。特に水分を発光装置から完全に除去すること、および／または大気中から浸入する水分を完全に防ぐことは困難である。

＜画素部の構成２．＞
図３（Ｃ）に例示する画素部１４０２は複数の画素を備える。画素は発光素子１４１８と、発光素子１４１８の第１の電極１４１３にソース電極またはドレイン電極が接続された電流制御用トランジスタ１４１２ｂを有する。本実施の形態で例示するアクティブマトリクス型の発光装置の変形例は、チャネルが形成される領域に酸化物半導体を用いたトランジスタが適用されている。

なお、カラーフィルタ１４３４を設けた第２の基板１４０４と、第１の基板の間隔は、シール材１４０５や、スペーサ１４３３などを用いて調整できる。

スペーサ１４３３は隔壁１４１４上に、例えばフォトリソグラフィ工程で形成することができる。画素部に設けられたスペーサ１４３３は、発光素子１４１８が発する光の少なくとも一部を遮蔽し、隣接する他の画素に設けられたカラーフィルタに光が侵入する現象（光学的なクロストークといえる）を低減する効果を奏する。

また、カラーフィルタ１４３４は発光素子１４１８に近接して設けられている構成が好ましく、その間隔が隣接する発光素子間の間隔（隔壁の幅）以下であると、一のカラーフィルタに隣接する発光素子から入射する光を低減できる。その結果、発光装置の色再現性を向上できる。さらに、本実施の形態の変形例で例示する発光装置は、スペーサ１４３３が画素部に設けられているため、カラーフィルタ１４３４と発光素子１４１８の間隔を画素部全体で均一に調整できる。

＜封止構造２．＞
図３（Ｃ）に例示する発光装置は第１の基板１４１０、第２の基板１４０４およびシール材１４０５ｂで囲まれた空間に、発光素子１４１８を封止する構造を備える。

空間には発光素子１４１８と粘性材層１４０７が設けられ、シール材１４０５ｂが発光素子１４１８と粘性材層１４０７を囲んでいる。言い換えると、図３（Ｃ）に例示する発光装置が備えるシール材１４０５ｂは、図３（Ｂ）に例示する発光装置が備えるシール材１４０５と枠体１４０６の機能を兼ねる。具体的には、図３（Ｃ）に例示する発光装置が備えるシール材１４０５ｂは第１の基板１４１０と第２の基板１４０４を貼り合わせ、その間に発光素子１４１８と、粘性材層１４０７を封止する働きを備える。

シール材１４０５ｂは粘性材層１４０７と反応しない材料を用いる。具体的には、シール材１４０５ｂに適用可能な材料としては、例えば、ガラスフリット、ガラスリボン等を挙げることができる。

なお、空間は隙間なく粘性材層１４０７によって満たされていても良く、一部に空間が残っていてもよい。残された空間には不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填されていてもよい。不活性気体が充填された空間を設ける構成とすることで、粘性材層１４０７が熱により膨張した際に生じる応力を緩和できるため好ましい。また、残された空間に乾燥剤など不純物の吸着材を設けても良い。

＜粘性材層＞
粘性材層１４０７は乾燥剤と粘性を有する非固体とを含む。また、粘性材層１４０７は流動性を有し、粘性材層１４０７を構成する粘性材の粘性は代表的には１ｃｐ以上５００ｃｐ以下であると好ましい。

乾燥剤は、不純物と反応或いは不純物を吸着する材料であればよく、代表的には水および／または酸素と反応、或いは水および／または酸素を吸着する材料であれば好ましい。なお、本実施の形態で例示する発光装置の変形例においては、不純物は発光素子の信頼性を低下する原因となる物質だけでなく、トランジスタのチャネルが形成される領域に用いられた酸化物半導体のキャリア濃度を高める原因となる物質も含む。代表的には水、酸素の他、水素イオン、水素分子等を挙げることができる。乾燥剤に適用可能な材料としては、例えば、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物など化学吸着型の乾燥剤等、または例えばゼオライト、シリカゲル、酸化アルミニウム、アロフェンなどの物理吸着型の乾燥剤等を挙げることができる。

粘性を有する非固体は、乾燥剤を含む状態で流動性を有すれば良い。粘性を有する非固体に適用可能な材料としては、例えば、ストレートシリコーンオイル、変性シリコーンオイル、流動パラフィン、パーフルオロカーボン等を挙げることができる。

第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板を貼り合わせるシール材と、粘性材層と、がチャネル形成領域に酸化物半導体層を備えるトランジスタと発光素子を囲む構成により、発光装置の内部に不純物が侵入する現象を抑制できる。また、粘性材層に含まれる乾燥剤が、発光装置内に残留する不純物および／または外部から侵入する不純物と反応或いは吸着する。その結果、水素原子を含む不純物（代表的には水）が、チャネル形成領域に酸化物半導体層を備えるトランジスタの信頼性を損なう現象を防止することができる。

その結果、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光装置を提供できる。また、発光不良が生じ難い発光装置を提供できる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、複数の本発明の一態様の発光モジュールをマトリクス状に配置して構成する発光装置について、図４を参照して説明する。なお、本実施の形態で例示する発光装置は、画素部と重なる第１の空間と、第１の空間と狭窄部を介して接続する第２の空間を備える。

本実施の形態では、本発明の一態様の発光モジュールがトランジスタにそれぞれ接続されたアクティブマトリクス型の発光装置を説明するが、本発明の一態様はアクティブマトリクス型の発光装置に限定されるものではなく、パッシブマトリクス型の発光装置にも適用可能である。また、いずれの発光装置も、表示装置や照明装置に利用できる。

＜アクティブマトリクス型の発光装置＞
本発明の一態様のアクティブマトリクス型の発光装置の構成を図４に示す。なお、図４（Ａ）は本発明の一態様の発光装置の上面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）の切断線Ａ−Ｂおよび切断線Ｃ−Ｄにおける断面図である。図４（Ｂ）に例示する発光装置２４００は図中に示す矢印の方向に光を射出する。

アクティブマトリクス型の発光装置２４００は、駆動回路部（ソース側駆動回路）２４０１、画素部２４０２、駆動回路部（ゲート側駆動回路）２４０３、第２の基板２４０４、シール材２４０５を備える（図４（Ａ）および図４（Ｂ）参照）。なお、シール材２４０５で囲まれた内側には、枠体２４０６が設けられており、枠体２４０６で囲まれた空間は粘性材層２４０７を含む。また、枠体２４０６は画素部２４０２と重なる第１の空間２４４１と、駆動回路２４０１、駆動回路２４０３と重なる第２の空間２４４２を囲む。第１の空間２４４１と第２の空間２４４２は狭窄部２４０６ａを介して接続され、第２の空間２４４２の少なくとも一部２４４２ａが粘性材層２４０７で満たされていない。

狭窄部２４０６ａは枠体２４０６に設けられた開口部であり、粘性材層２４０７が第１の空間２４４１と第２の空間２４４２を自由に往き来できるようにするものである。一方、狭窄部２４０６ａは第２の空間２４４２に設けられた粘性材層で満たされていない一部２４４２ａが、第１の空間２４４１側に移動する現象を防いでいる。なお、第２の空間２４４２の断面の形状は狭窄部２４０６ａから広がる形状に限定されない。例えば、狭窄部と同程度の断面積を有する管状であってもよく、容積を大きくするために蛇行させた管状であってもよい。

第１の基板２４１０と、第２の基板２４０４と、第１の基板２４１０と第２の基板２４０４を貼り合わせるシール材２４０５と、粘性材層２４０７と、が画素部２４０２を囲むため、不純物が発光装置２４００の内部に侵入する現象を抑制できる。また、粘性材層２４０７は非固体であって発光素子２４１８と第２の基板２４０４の間で流動する。その結果、発光素子２４１８に加わる応力は粘性材層２４０７に緩和され、発光素子２４１８の損傷を防ぐことができる。

また、粘性材層２４０７に含まれる乾燥剤が、発光装置２４００内に残留する不純物および／または外部から侵入する不純物と反応或いは吸着する。その結果、発光素子２４１８の劣化を防ぐことができる。また、発光素子２４１８の駆動に伴う発熱を第２の基板２４０４の側に放熱し、発光素子２４１８の熱による劣化を抑制できる。

また、発光素子２４１８と第２の基板２４０４の間に挟まれた粘性材層２４０７が、発光素子の発熱による寸法変化に起因する、発光素子２４１８と第２の基板２４０４の間に生じる応力を緩和して、発光装置２４００の損傷を防ぐことができる。

加えて、第１の空間に狭窄部を介して接続された第２の空間の粘性材層で満たされていない空間が、発光モジュールの発熱に伴う粘性材層２４０７の体積変化を吸収または体積変化に伴う圧力を緩和するため、発光装置の封止構造（例えば、シール材２４０５の接着構造）が膨張した粘性材層２４０７により破壊される現象を防ぐことができる。

発光装置２４００は外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）２４０９を介して、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣのみを図示するが、ＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣまたはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

発光装置２４００の構成の詳細について図４（Ｂ）に示す断面図を用いて説明する。発光装置２４００は、第１の基板２４１０上に図示されたソース側駆動回路２４０１を含む駆動回路部および、同様に図示された画素を含む画素部２４０２を備える。また、ソース側駆動回路２４０１およびゲート側駆動回路２４０３に入力される信号を伝送するための引き回し配線２４０８を備える。

なお、本実施の形態ではソース側駆動回路２４０１がｎチャネル型トランジスタ２４２３とｐチャネル型トランジスタ２４２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を含む構成について例示するが、駆動回路はこの構成に限定されず、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路またはＮＭＯＳ回路で構成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光モジュールの作製方法を説明する。具体的には、枠体で囲まれた領域に不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤を含む粘性を有する非固体を滴下するステップに続いて、第１の基板と第２の基板をシール材で貼り合わせて、発光素子と、枠体と、非固体と、を内側に封じ込める作製方法について、図５を用いて説明する。

＜第１のステップ＞
はじめに、第１の基板２０１上に発光素子２１０を形成する（図５（Ａ）参照）。なお、図５には発光素子２１０の詳細な構造（第１の端子、第２の端子等）を省略して図示している。例えば、実施の形態１に例示する構造を発光素子２１０に適用できる。

発光素子２１０の作製方法の一例を説明する。例えば第１の基板に無アルカリガラスを用い、スパッタリング法を用いて第１の基板上にＮｉ−Ａｌ−Ｌａ合金上にＴｉ薄膜を積層した反射性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程を経て、島状の導電膜と、該導電膜と電気的に接続された第１の端子と、後に第２の電極が電気的に接続される第２の端子を形成する。次いで、島状の導電膜上に開口部を有する絶縁性の隔壁を形成し、当該開口部に現れた導電膜を第１の電極とする。

次いで、発光性の有機化合物を含む層を第１の電極を覆うように形成し、第２の電極を第１の電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持するように形成する。なお、第２の電極は第２の端子と電気的に接続する。

＜第２のステップ＞
次いで、発光素子２１０を囲う枠体２３２と当該枠体２３２を囲うシール材２３１を、第２の基板２０２に形成する（図５（Ｂ）参照）。なお、枠体２３２とシール材２３１を形成する順番は特に限定されない。

枠体２３２は例えばフォトリソグラフィ工程を用いて、フォトレジスト、アクリル樹脂、ポリイミド等を加工して形成することができる。また、インクジェット法や、ディスペンサ法を用いて形成することもできる。

シール材２３１はその材料に合わせた方法を選択して形成すればよい。例えば、硬化性の樹脂（エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）を用いる場合はディスペンサ等を用いてシール材２３１を形成すれば良く、ガラスフリットを用いる場合はディスペンサ法等でガラスフリットの分散液を塗布した後に仮焼成して、シール材２３１を形成すればよい。

＜第３のステップ＞
次いで、第２の基板の枠体２３２で囲まれた領域に粘性材を滴下する。粘性材は不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤を含む。また粘性材は粘性を有する非固体であるため、枠体２３２に囲まれた範囲に広がる（図５（Ｃ）参照）。粘性材を滴下する方法として、例えば液晶表示装置の作製に用いるＯＤＦ（Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）方式の製造装置を用いることができる。ＯＤＦ方式の製造装置を用いて粘性材を滴下すると、第１の基板と第２の基板の間隔が狭い表示装置や、大型の表示装置の作製において製造時間を短縮できる。また、ポッティング装置を用いることもできる。

＜第４のステップ＞
次いで、シール材２３１を用いて第１の基板２０１と第２の基板２０２を貼り合わせ、シール材２３１の内側に発光素子２１０、粘性材層２２０および枠体２３２を封じ込める。

なお、第１の基板２０１と、第２の基板２０２と、枠体２３２の内側に封じ込める粘性材層２２０の量は、滴下する粘性材の量を変えることにより調整できる。また、粘性材と共に不純物が低減された気体（例えば、乾燥された窒素やアルゴンガスなどの不活性ガス）を封入する場合は、粘性材の量と共に第１の基板２０１と、第２の基板２０２を貼り合わせる環境を満たす気体の組成および圧力を調整すればよい。

例えば減圧環境下で、第１の基板２０１と、第２の基板２０２と、枠体２３２で囲まれる空間と同じ体積の粘性材を滴下すれば、当該空間を粘性材層２２０で満たすことができる。一方、粘性材の滴下量を減らせば、当該空間に粘性材層２２０と共に減圧された空間を設けることができる。

また、不純物が低減された気体中で、第１の基板２０１と、枠体２３２で囲まれる領域に、第１の基板２０１と、第２の基板２０２と、シール材２３１で囲まれる空間より少ない体積の粘性材を滴下すれば、当該空間に粘性材層２２０と共に不純物が低減された気体を封入することができる。

粘性材料で満たされず、減圧された空間または減圧された気体が封じ込められた空間が、発光モジュールの発熱に伴う粘性材層の体積変化を吸収または体積変化に伴う圧力を緩和するため、発光モジュールの封止構造（例えば、シール材の接着構造）が粘性材層の熱膨張により破壊される現象を防ぐことができる。

第１の基板２０１と第２の基板２０２を貼り合わせる方法は、シール材２３１に用いる材料に合わせた方法を選択すればよい。例えば、硬化性の樹脂（エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）を用いる場合、紫外線硬化型であれば紫外線を、熱硬化型であれば熱を与えてシール材２３１を硬化する。また、例えばガラスフリットを用いる場合は、レーザを用いてガラスフリットが吸収する波長の光を照射して、第１の基板２０１と第２の基板２０２をシール材２３１で融着すればよい。

＜変形例＞
また、本実施の形態で例示する発光モジュールの作製方法の変形例として、第１の基板に発光素子を囲う枠体と発光素子を形成する第１のステップと、第２の基板に枠体を囲うシール材を形成する第２のステップと、枠体で囲まれた領域に不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤を含む粘性を有する非固体を滴下する第３のステップと、シール材を用いて、第１の基板と第２の基板を貼り合わせ、発光素子、非固体および枠体を内側に封じ込める第４のステップと、を有する発光モジュールの作製方法について説明する。

この作製方法によれば、発光素子の第１の電極と枠体を第１の基板に形成する。その結果、同一の加工方法（例えば、フォトリソグラフィ法）を用いて、連続してこれらを形成できるため、作製工程が簡便なものとなる。

上記本発明の一態様の発光モジュールの作製方法は、枠体で囲まれた領域に不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤を含む粘性を有する非固体を滴下するステップに続いて、第１の基板と第２の基板をシール材で貼り合わせて、発光素子と、枠体と、非固体と、を内側に封じ込める方法である。

これにより、面積が大きい第１の基板と第２の基板の間に、非固体の粘性材層を効率よく形成できる。

有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを作製できる。また、発光不良が生じ難い発光モジュールを作製できる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明する。具体的には、枠体で囲まれた領域に不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤を含む粘性を有する非固体を滴下するステップに続いて、第１の基板と第２の基板をシール材で貼り合わせて、トランジスタと、発光素子と、枠体と、非固体と、を内側に封じ込める作製方法について、図６を用いて説明する。

＜第１のステップ＞
はじめに、第１の基板３０１上に発光素子およびトランジスタを含む画素部３１０と、トランジスタを含む駆動回路３１５と、を形成する（図６（Ａ）参照）。なお、図６には画素部３１０と駆動回路３１５の詳細な構造を省略して図示している。

画素部３１０に設ける発光素子には実施の形態１に例示する構造が適用できる。また、同一の工程で作製できるトランジスタを画素部３１０と駆動回路３１５に用いることが可能であり、例えば実施の形態７に例示するトランジスタを適用できる。

画素部３１０の作製方法の一例を説明する。例えば第１の基板３０１に無アルカリガラスを用い、その表面に実施形態７で例示する方法でトランジスタを形成する。また、トランジスタと共に配線、容量などを形成し、画素部と駆動回路部を作製する。

次いで、トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続する第１の電極を形成する。第１の電極としては、例えばスパッタリング法を用いてＮｉ−Ａｌ−Ｌａ合金上にＴｉ薄膜を積層した反射性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程を経て、画素ごとに島状の導電膜を形成する。次いで、島状の導電膜のそれぞれに重なる開口部を有する絶縁性の隔壁を形成し、当該開口部に現れる導電膜を複数の発光素子の第１の電極とする。

次いで、発光性の有機化合化合物を含む層を第１の電極を覆うように形成し、第２の電極を第１の電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持するように形成する。

＜第２のステップ＞
次いで、画素部３１０を囲う枠体３３２と当該枠体３３２を囲うシール材３３１を、第２の基板３０２に形成する（図６（Ｂ）参照）。なお、枠体３３２とシール材３３１を形成する順番は特に限定されない。

枠体３３２は例えばフォトリソグラフィ工程を用いて、フォトレジスト、アクリル樹脂、ポリイミド等を加工して形成することができる。また、インクジェット法や、ディスペンサ法を用いて形成することもできる。なお、本実施の形態で例示する枠体３３２は狭窄部を有し、画素部３１０に重なる第１の空間を形成する部分と、駆動回路３１５と重なる第２の空間を形成する部分とが形成されるように設けられている。

シール材３３１はその材料に合わせた方法を選択して形成すればよい。例えば、硬化性の樹脂（エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）を用いる場合はディスペンサ法等を用いてシール材３３１を形成すれば良く、ガラスフリットを用いる場合はディスペンサ法等でガラスフリットの分散液を塗布した後に仮焼成して、シール材３３１を形成すればよい。

＜第３のステップ＞
次いで、第２の基板の枠体３３２で囲まれた領域に粘性材を滴下する。粘性材は不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤を含む。また粘性材は粘性を有する非固体であるため、枠体３３２に囲まれた範囲に広がる（図６（Ｃ）参照）。なお、第１の空間に狭窄部を介して接続する第２の空間を設ける場合、粘性材は第１の空間側に滴下する。第１の空間側に滴下することにより、第２の空間よりも先に第１の空間を満たすように粘性材を滴下できる。

＜第４のステップ＞
次いで、シール材３３１を用いて第１の基板３０１と第２の基板３０２を貼り合わせ、シール材３３１の内側に画素部３１０、粘性材層３２０および枠体３３２を封じ込める。

なお、第１の基板３０１と、第２の基板３０２と、枠体３３２の内側に封じ込める粘性材層３２０の量は、滴下する粘性材の量を変えることにより調整できる。また、粘性材と共に不純物が低減された気体（例えば、乾燥された窒素やアルゴンガスなどの不活性ガス）を封入する場合は、粘性材の量と共に第１の基板３０１と、第２の基板３０２を貼り合わせる環境を満たす気体の組成および圧力を調整すればよい。

例えば減圧環境下で、第１の基板３０１と、第２の基板３０２と、枠体３３２で囲まれる空間と同じ体積の粘性材を滴下すれば、当該空間を粘性材層３２０で満たすことができる。一方、粘性材の滴下量を減らせば、当該空間に粘性材層３２０と共に減圧された空間を設けることができる。

また、不純物が低減された気体中で、第１の基板３０１と、枠体３３２で囲まれる領域に、第１の基板３０１と、第２の基板３０２と、枠体３３２で囲まれる空間より少ない体積の粘性材を滴下すれば、当該空間に粘性材層３２０と共に不純物が低減された気体を封入することができる。

粘性材料で満たされず、減圧された空間または減圧された気体が封じ込められた空間が、発光装置の発熱に伴う粘性材層の体積変化を吸収または体積変化に伴う圧力を緩和するため、発光装置の封止構造（例えば、シール材の接着構造）が粘性材層の熱膨張により破壊される現象を防ぐことができる。

第１の基板３０１と第２の基板３０２を貼り合わせる方法は、シール材３３１に用いる材料に合わせた方法を選択すればよい。例えば、硬化性の樹脂（エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）を用いる場合、紫外線硬化型であれば紫外線を、熱硬化型であれば熱を与えてシール材３３１を硬化する。また、例えばガラスフリットを用いる場合は、レーザを用いてガラスフリットが吸収する波長の光を照射して、第１の基板３０１と第２の基板３０２をシール材３３１で融着すればよい。

なお、第１の基板３０１の画素部に白色を呈する光を発する画素を形成し、第２の基板３０２にそれぞれの画素に対応するカラーフィルタを形成すると、多色の発光装置を形成できる。

＜変形例＞
また、本実施の形態で例示する発光装置の作製方法の変形例として、第１の基板に画素部を囲う枠体と画素部を形成する第１のステップと、第２の基板に枠体を囲うシール材を形成する第２のステップと、枠体で囲まれた領域に不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤を含む粘性を有する非固体を滴下する第３のステップと、シール材を用いて、第１の基板と第２の基板を貼り合わせ、トランジスタと、発光素子と、枠体と、非固体と、を内側に封じ込める第４のステップと、を有する発光装置の作製方法について説明する。

この作製方法によれば、画素部と枠体を第１の基板に形成する。その結果、同一の加工方法（例えば、フォトリソグラフィ法）を用いて、連続してこれらを形成できるため、作製工程が簡便なものとなる。

上記本発明の一態様の発光装置の作製方法は、枠体で囲まれた領域に不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤を含む粘性を有する非固体を滴下するステップに続いて、第１の基板と第２の基板をシール材で貼り合わせて、発光素子と、枠体と、非固体と、を内側に封じ込める方法である。

これにより、面積が大きい第１の基板と第２の基板の間に、非固体の粘性材層を効率よく形成できる。

有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光装置を作製できる。また、発光不良が生じ難い発光装置を作製できる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光モジュールまたは発光装置に用いることができる発光素子の構成について説明する。具体的には、一対の電極に発光性の有機化合物を含む層が挟持された発光素子の一例について、図７を参照して説明する。

本実施の形態で例示する発光素子は、第１の電極、第２の電極及び第１の電極と第２の電極の間に発光性の有機化合物を含む層（以下ＥＬ層という）を備える。第１の電極または第２の電極のいずれか一方は陽極、他方は陰極として機能する。ＥＬ層は第１の電極と第２の電極の間に設けられ、該ＥＬ層の構成は第１の電極と第２の電極の材質に合わせて適宜選択すればよい。以下に発光素子の構成の一例を例示するが、発光素子の構成がこれに限定されないことはいうまでもない。

＜発光素子の構成例１．＞
発光素子の構成の一例を図７（Ａ）に示す。図７（Ａ）に示す発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間にＥＬ層が挟まれている。

陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極１１０１の側から正孔が注入され、陰極１１０２の側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。

本明細書においては、両端から注入された電子と正孔が再結合する領域を１つ有する層または積層体を発光ユニットという。よって、当該発光素子の構成例１は発光ユニットを１つ備えるということができる。

発光ユニット１１０３は、少なくとも発光物質を含む発光層を１つ以上備えていればよく、発光層以外の層と積層された構造であっても良い。発光層以外の層としては、例えば正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい（ブロッキングする）物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い）の物質等を含む層が挙げられる。

発光ユニット１１０３の具体的な構成の一例を図７（Ｂ）に示す。図７（Ｂ）に示す発光ユニット１１０３は、正孔注入層１１１３、正孔輸送層１１１４、発光層１１１５、電子輸送層１１１６、並びに電子注入層１１１７が陽極１１０１側からこの順に積層されている。

＜発光素子の構成例２．＞
発光素子の構成の他の一例を図７（Ｃ）に示す。図７（Ｃ）に例示する発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間に発光ユニット１１０３を含むＥＬ層が挟まれている。さらに、陰極１１０２と発光ユニット１１０３との間には中間層１１０４が設けられている。なお、当該発光素子の構成例２の発光ユニット１１０３には、上述の発光素子の構成例１が備える発光ユニットと同様の構成が適用可能であり、詳細については、発光素子の構成例１の記載を参酌できる。

中間層１１０４は少なくとも電荷発生領域を含んで形成されていればよく、電荷発生領域以外の層と積層された構成であってもよい。例えば、第１の電荷発生領域１１０４ｃ、電子リレー層１１０４ｂ、及び電子注入バッファー１１０４ａが陰極１１０２側から順次積層された構造を適用することができる。

中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明する。陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいて、正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２へ移動し、電子は電子リレー層１１０４ｂへ移動する。電子リレー層１１０４ｂは電子輸送性が高く、第１の電荷発生領域１１０４ｃで生じた電子を電子注入バッファー１１０４ａに速やかに受け渡す。電子注入バッファー１１０４ａは発光ユニット１１０３に電子を注入する障壁を緩和し、発光ユニット１１０３への電子注入効率を高める。従って、第１の電荷発生領域１１０４ｃで発生した電子は、電子リレー層１１０４ｂと電子注入バッファー１１０４ａを経て、発光ユニット１１０３のＬＵＭＯ準位に注入される。

また、電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃを構成する物質と電子注入バッファー１１０４ａを構成する物質が界面で反応し、互いの機能が損なわれてしまう等の相互作用を防ぐことができる。

当該発光素子の構成例２の陰極に用いることができる材料の選択の幅は、構成例１の陰極に用いることができる材料の選択の幅に比べて、広い。なぜなら、構成例２の陰極は中間層が発生する正孔を受け取ればよく、仕事関数が比較的大きな材料を適用できるからである。

＜発光素子の構成例３．＞
発光素子の構成の他の一例を図７（Ｄ）に示す。図７（Ｄ）に例示する発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間に２つの発光ユニットが設けられたＥＬ層を備えている。さらに、第１の発光ユニット１１０３ａと、第２の発光ユニット１１０３ｂとの間には中間層１１０４が設けられている。

なお、陽極と陰極の間に設ける発光ユニットの数は２つに限定されない。図７（Ｅ）に例示する発光素子は、発光ユニット１１０３が複数積層された構造、所謂、タンデム型の発光素子の構成を備える。但し、例えば陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層の発光ユニット１１０３を設ける場合には、ｍ（ｍは自然数、１以上（ｎ−１）以下）番目の発光ユニットと、（ｍ＋１）番目の発光ユニットとの間に、それぞれ中間層１１０４を設ける構成とする。

また、当該発光素子の構成例３の発光ユニット１１０３には、上述の発光素子の構成例１と同様の構成を適用することが可能であり、また当該発光素子の構成例３の中間層１１０４には、上述の発光素子の構成例２と同様の構成が適用可能である。よって、詳細については、発光素子の構成例１、または発光素子の構成例２の記載を参酌できる。

発光ユニットの間に設けられた中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明する。陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、中間層１１０４において正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２側に設けられた発光ユニットへ移動し、電子は陽極側に設けられた発光ユニットへ移動する。陰極側に設けられた発光ユニットに注入された正孔は、陰極側から注入された電子と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。また、陽極側に設けられた発光ユニットに注入された電子は、陽極側から注入された正孔と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。よって、中間層１１０４において発生した正孔と電子は、それぞれ異なる発光ユニットにおいて発光に至る。

なお、発光ユニット同士を接して設けることで、両者の間に中間層と同じ構成が形成される場合は、発光ユニット同士を接して設けることができる。具体的には、発光ユニットの一方の面に電荷発生領域が形成されていると、当該電荷発生領域は中間層の第１の電荷発生領域として機能するため、発光ユニット同士を接して設けることができる。

発光素子の構成例１乃至構成例３は、互いに組み合わせて用いることができる。例えば、発光素子の構成例３の陰極と発光ユニットの間に中間層を設けることもできる。

＜発光素子に用いることができる材料＞
次に、上述した構成を備える発光素子に用いることができる具体的な材料について、陽極、陰極、並びにＥＬ層の順に説明する。

＜陽極に用いることができる材料＞
陽極１１０１は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上が好ましい）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。

これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、インジウム−亜鉛酸化物膜は、酸化インジウムに対し１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５ｗｔ％以上５ｗｔ％以下、酸化亜鉛を０．１ｗｔ％以上１ｗｔ％以下含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。

この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン等）、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の導電性ポリマーを用いても良い。

但し、陽極１１０１と接して第２の電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができる。具体的には、仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。第２の電荷発生領域を構成する材料については、第１の電荷発生領域と共に後述する。

＜陰極に用いることができる材料＞
陰極１１０２に接して第１の電荷発生領域１１０４ｃを、発光ユニット１１０３との間に設ける場合、陰極１１０２は仕事関数の大小に関わらず様々な導電性材料を用いることができる。

なお、陰極１１０２および陽極１１０１のうち少なくとも一方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成する。可視光を透過する導電膜としては、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（略称：ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などを挙げることができる。また、光を透過する程度（好ましくは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下程度）の金属薄膜を用いることもできる。

＜ＥＬ層に用いることができる材料＞
上述した発光ユニット１１０３を構成する各層に用いることができる材料について、以下に具体例を示す。

正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。

なお、第２の電荷発生領域を用いて正孔注入層を形成してもよい。正孔注入層に第２の電荷発生領域を用いると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができるのは前述の通りである。第２の電荷発生領域を構成する材料については第１の電荷発生領域と共に後述する。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層は、単層に限られず正孔輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子よりも正孔の輸送性の高い物質であればよく、特に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

正孔輸送性の高い物質としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）などの芳香族アミン化合物が挙げられる。または、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）などのカルバゾール誘導体が挙げられる。

これ以外にも、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）などの高分子化合物を正孔輸送層に用いることができる。

＜発光層＞
発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、単層に限られず発光物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。発光物質は蛍光性化合物や、燐光性化合物を用いることができる。発光物質に燐光性化合物を用いると、発光素子の発光効率を高められるため好ましい。

発光物質として用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）などが挙げられる。

発光物質として用いることができる燐光性化合物としては、例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）などが挙げられる。

発光物質は、ホスト材料に分散させて用いるのが好ましい。ホスト材料としては、その励起エネルギーが、発光物質の励起エネルギーよりも大きなものが好ましい。

ホスト材料として用いることができる材料としては、ＮＰＢ（略称）などの芳香族アミン化合物、ＣｚＰＣＡ１（略称）などのカルバゾール誘導体を用いることができる。または、ＰＶＫ（略称）、ＰＶＴＰＡ（略称）、ＰＴＰＤＭＡ（略称）、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ（略称）などの高分子化合物を含む正孔輸送性の高い物質を用いることができる。または、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体を用いることができる。または、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）などのオキサゾール系やチアゾール系配位子を有する金属錯体を用いることができる。または、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）などの電子輸送性の高い物質を用いることができる。

＜電子輸送層＞
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層は、単層に限られず電子輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。正孔よりも電子の輸送性の高い物質であればよく、特に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

電子輸送性の高い物質としては、例えばＡｌｑ（略称）などのキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。または、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２（略称）、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２（略称）などのオキサゾール系や、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。または、ＰＢＤ（略称）などが挙げられる。

これ以外にも、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、などの高分子化合物を電子輸送層に用いることができる。

＜電子注入層＞
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層は、単層に限られず電子注入性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子注入層を設ける構成とすることで陰極１１０２からの電子の注入効率が高まり、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

電子注入性の高い物質としては、例えばリチウム（Ｌｉ）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらの化合物が挙げられる。また電子輸送性を有する物質中にアルカリ金属、アルカリ土類金属若しくはマグネシウム（Ｍｇ）又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることもできる。

＜電荷発生領域に用いることができる材料＞
第１の電荷発生領域１１０４ｃ、及び第２の電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む領域である。なお、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層とアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。但し、第１の電荷発生領域を陰極側に設ける積層構造の場合には、電子輸送性の高い物質を含む層が陰極１１０２と接する構造となり、第２の電荷発生領域を陽極側に設ける積層構造の場合には、アクセプター性物質を含む層が陽極１１０１と接する構造となる。

なお、電荷発生領域において、正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、０．１以上４．０以下の比率でアクセプター性物質を添加することが好ましい。

電荷発生領域に用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物や元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。

また、電荷発生領域に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。

＜電子リレー層に用いることができる材料＞
電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいてアクセプター性物質がひき抜いた電子を速やかに受け取ることができる層である。従って、電子リレー層１１０４ｂは、電子輸送性の高い物質を含む層であり、またそのＬＵＭＯ準位は、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおけるアクセプター性物質のアクセプター準位と、当該電子リレー層が接する発光ユニット１１０３のＬＵＭＯ準位との間に位置する。具体的には、およそ−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするのが好ましい。

電子リレー層１１０４ｂに用いる物質としては、例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物が挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定な化合物であるため電子リレー層１１０４ｂに用いる物質として好ましい。さらに、含窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフルオロ基などの電子吸引基を有する化合物を用いることにより、電子リレー層１１０４ｂにおける電子の受け取りがさらに容易になるため、好ましい。

ペリレン誘導体の具体例としては、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＰＴＣＤＡ）等が挙げられる。

また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ）等が挙げられる。

＜電子注入バッファーに用いることができる材料＞
電子注入バッファー１１０４ａは、第１の電荷発生領域１１０４ｃから発光ユニット１１０３への電子の注入を容易にする層である。電子注入バッファー１１０４ａを第１の電荷発生領域１１０４ｃと発光ユニット１１０３の間に設けることにより、両者の注入障壁を緩和することができる。

電子注入バッファー１１０４ａには、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファー１１０４ａが、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した発光ユニット１１０３の一部に形成することができる電子輸送層の材料と同様の材料を用いて形成することができる。

＜発光素子の作製方法＞
発光素子の作製方法の一態様について説明する。第１の電極上にこれらの層を適宜組み合わせてＥＬ層を形成する。ＥＬ層は、それに用いる材料に応じて種々の方法（例えば、乾式法や湿式法等）を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法などを選んで用いればよい。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。ＥＬ層上に第２の電極を形成し、発光素子を作製する。

以上のような材料を組み合わせることにより、本実施の形態に示す発光素子を作製することができる。この発光素子からは、上述した発光物質からの発光が得られ、その発光色は発光物質の種類を変えることにより選択できる。

また、発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、発光スペクトルの幅を拡げて、例えば白色発光を得ることもできる。白色発光を得る場合には、例えば、発光物質を含む層を少なくとも２つ備える構成とし、それぞれの層を互いに補色の関係にある色を呈する光を発するように構成すればよい。具体的な補色の関係としては、例えば青色と黄色、あるいは青緑色と赤色等が挙げられる。

さらに、演色性の良い白色発光を得る場合には、発光スペクトルが可視光全域に拡がるものが好ましく、例えば、一つの発光素子が、青色を呈する光を発する層、緑色を呈する光を発する層、赤色を呈する光を発する層を備える構成とすればよい。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に用いることができるトランジスタの構成について説明する。なお、本実施の形態で例示するトランジスタの作製方法は実施の形態８で説明する。

本実施の形態で例示するトランジスタの構成を、図８（Ｄ）を用いて説明する。図８（Ｄ）はトランジスタの断面を表している。

本実施の形態で例示するトランジスタ７１０は、基板７０１上に下地となる絶縁層７０４と、ゲート電極７１１と、ゲート絶縁層７１２と、酸化物半導体層７１３と、ソース電極またはドレイン電極として機能する電極７５１と電極７５２と、トランジスタを保護する絶縁層７０５と、を有する。

＜下地となる絶縁層の構成＞
下地となる絶縁層７０４はトランジスタ７１０の下地となる。

下地となる絶縁層７０４は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムなどから選ばれた一または複数の材料を含む層の単層構造であっても、２層以上の積層構造であってもよい。

＜ゲート電極＞
ゲート電極７１１はゲート絶縁層７１２を介して酸化物半導体層７１３と重なり、トランジスタ７１０のゲート電極として機能する。

ゲート電極７１１は導電材料を含む層の単層構造であっても、２層以上の積層構造であってもよい。

導電材料は導電性を有し熱処理工程に耐えられる材料であればよく、例えばモリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等から選ばれた一の金属、またはこれらから選ばれた一を含む合金を用いることができる。

また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン層に代表される半導体層、ニッケルシリサイドなどのシリサイド層を用いてもよい。

＜ゲート絶縁層＞

ゲート絶縁層７１２は酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化タンタルなどを用いることができる。

ゲート絶縁層７１２は高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）材料を用いることもできる。高誘電率材料としては、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化ランタン、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉ_ｘＯ_ｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、ハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌ_ｘＯ_ｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、窒素が添加されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉ_ｘＯ_ｙＮ_ｚ（ｘ＞０、ｙ＞０、ｚ＞０））、窒素が添加されたハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌ_ｘＯ_ｙＮ_ｚ（ｘ＞０、ｙ＞０、ｚ＞０））などをその例として挙げられる。

ゲート絶縁層７１２は単層構造であっても、積層構造であっても良い。例えば、ｈｉｇｈ−ｋ材料を含む層と、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウムなどから選ばれた材料を含む層との積層構造としてもよい。

ゲート絶縁層７１２はその厚さを薄くするか、上述したｈｉｇｈ−ｋ材料をその材料に用いると、動作特性を損なうことなくトランジスタを微細化できる。

例えば、酸化シリコンを用いる場合には、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることができる。

一方、ｈｉｇｈ−ｋ材料を用いる場合には、その厚さをトンネル効果などに起因するゲートリークが発生する程度に薄くすることなく、トランジスタを微細化できる。

なお、ゲート絶縁層７１２に第１３族元素および酸素を含む絶縁材料を適用できる。なお、第１３族元素を含む絶縁材料とは、絶縁材料に一または複数の第１３族元素を含むことを意味する。

例えば、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化アルミニウムガリウム、酸化ガリウムアルミニウムなどが、第１３族元素および酸素を含む絶縁材料の一例として挙げられる。ここで、酸化アルミニウムガリウムとは、ガリウムの含有量（原子％）よりアルミニウムの含有量（原子％）が多いものを示し、酸化ガリウムアルミニウムとは、ガリウムの含有量（原子％）がアルミニウムの含有量（原子％）以上のものを示す。

＜酸化物半導体層＞
チャネルが形成される酸化物半導体層７１３は、ゲート絶縁層７１２を介してゲート電極７１１と重なり、ゲート電極７１１を挟んで設けられた電極７５１と電極７５２と、電気的に接続されている。なお、電極７５１と電極７５２は、ソース電極またはドレイン電極として機能する。

チャネルが形成される酸化物半導体層７１３の厚さは、２ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする。

なお、酸化物半導体層７１３は島状に加工されていなくてもよい。

酸化物半導体層７１３は単結晶でも、非単結晶でもよい。後者である場合、アモルファスを含んでいても、結晶性を有する部分を含んでいても、アモルファス中に結晶性を有する部分を含む構造でもよい。また、アモルファスでも、多結晶でも、非アモルファスでもよい。

結晶性を有する酸化物半導体層の一例としては、ｃ軸配向結晶（ＣＡＡＣ：ｃ−ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｓ）を有する酸化物半導体層が挙げられる。

酸化物半導体層７１３は、その化学量論比に対し、酸素を過剰に含む構成が好ましい。酸素を過剰にすることにより金属酸化物層の酸素欠損に起因するキャリアの生成を抑制することができる。

酸化物半導体層７１３は、少なくともインジウム（Ｉｎ）あるいは亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。特にＩｎとＺｎを含むことが好ましい。

また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加えてガリウム（Ｇａ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズ（Ｓｎ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウム（Ｈｆ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウム（Ａｌ）を有することが好ましい。

また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）のいずれか一種あるいは複数種を有してもよい。

例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、三元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯとも表記する）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、四元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。

ここで、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料とは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）を有する酸化物、という意味であり、その組成は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。例えば、ＳｉＯ_２が入っていても良い。

また、酸化物半導体として、ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０、且つ、ｍは整数でない）で表記される材料を用いてもよい。なお、Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＣｏから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素を示す。また、酸化物半導体として、Ｉｎ_２ＳｎＯ_５（ＺｎＯ）_ｎ（ｎ＞０、且つ、ｎは整数）で表記される材料を用いてもよい。

しかし、これらに限られず、必要とする半導体特性（移動度、しきい値、ばらつき等）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、キャリア濃度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。

＜ソース電極およびドレイン電極＞

電極７５１と電極７５２は、いずれも酸化物半導体層７１３と電気的に接続し、当該トランジスタのソース電極およびドレイン電極として機能する。

ソース電極またはドレイン電極として機能する電極は導電材料を含む層の単層構造であっても、２層以上の積層構造であってもよい。

導電材料は熱処理工程に耐えられる材料であればよく、例えばアルミニウム、クロム、銅、チタン、タンタル、モリブデンおよびタングステンから選ばれた一の金属、またはこれらから選ばれた一を含む合金を用いることができる。また、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、ネオジムおよびスカンジウムから選ばれた一の金属、またはこれらから選ばれた一を含む合金を用いることもできる。

また、導電材料は金属窒化物を用いることができる。具体的には、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タングステン等をその例に挙げることができる。

また、導電材料は導電性の金属酸化物を用いることができる。具体的には、酸化インジウム、酸化スズ、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯともいう）（酸化インジウム酸化スズ）、インジウム亜鉛酸化物（インジウム−亜鉛酸化物）、酸化亜鉛、ガリウムまたはアルミニウムが添加された酸化亜鉛、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。

また、導電材料はグラフェンなどを用いることができる。

例えば、チタンや窒化チタンからなる単層構造、シリコンを含むアルミニウムの単層構造、アルミニウム層上にチタン層が積層された２層構造、窒化チタン層上にチタン層が積層された２層構造、チタン層とアルミニウム層とチタン層とが積層された３層構造などが挙げられる。

なお、トランジスタのチャネル長（Ｌ）は酸化物半導体層に接するソース電極の端部と酸化物半導体層に接するドレイン電極の端部の間隔によって決定される。

＜トランジスタを保護する絶縁層＞
トランジスタを保護する絶縁層７０５は水分等の不純物が外部から侵入する現象を防いで、トランジスタを保護する層である。

絶縁層７０５の厚みは、少なくとも１ｎｍ以上とする。

絶縁層７０５はバリア性を有する絶縁体を含む層の単層構造であっても、２層以上の積層構造であってもよい。

特に、酸化アルミニウムを含む構成が好ましく、酸化アルミニウム層と、他の無機絶縁材料を含む層との積層構造としてもよい。酸化アルミニウムは、水分、酸素、その他の不純物を透過させにくいからである。

また、絶縁層７０５は酸素過剰領域を有する酸化物絶縁層と、酸化アルミニウム層の積層体であって、酸化物半導体層側に酸素過剰領域を有する酸化物絶縁層を設ける構成としてもよい。

酸素過剰領域を有する酸化物絶縁層は、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等を用いることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。

（実施の形態８）
本実施の形態では、実施の形態７で説明した酸化物半導体層をチャネル形成領域に備えるトランジスタ７１０の作製方法について、図８を用いて説明する。

＜下地となる絶縁層の形成＞
はじめに、トランジスタ７１０の下地となる絶縁層７０４を形成する。下地となる絶縁層７０４は、基板７０１上にプラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等により形成する。

基板７０１は下地となる絶縁層を形成する工程以後の工程において、処理に耐えうる程度の耐熱性を有すれば良く、その大きさには制限はない。

基板７０１はあらかじめ他の半導体素子が設けられていてもよい。

基板７０１として、例えば、バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを用いることができる。また、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などを適用することもできる。

基板７０１として、可撓性を有する基板を用いてもよい。可撓性基板上にトランジスタを直接作製してもよいし、他の作製基板上にトランジスタを作製し、その後可撓性基板に剥離、転置してもよい。なお、作製基板から可撓性基板に剥離、転置する場合は、作製基板と酸化物半導体層を含むトランジスタとの間に剥離層を設けるとよい。

＜ゲート電極の形成＞
次に、ゲート電極となる導電層はスパッタリング法等を用いて成膜する。

続いて、フォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、ゲート電極となる導電層をエッチングしてゲート電極７１１を形成する。

＜ゲート絶縁層＞
次に、ゲート絶縁層７１２をゲート電極上に形成する。ゲート電極上の絶縁層となる絶縁層は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて成膜する（図８（Ａ）参照）。

＜酸化物半導体層の形成＞
次に、チャネルが形成される酸化物半導体層７１３をゲート絶縁層７１２上に形成する。

酸化物半導体層は、スパッタリング法、分子線エピタキシー法、原子層堆積法またはパルスレーザー蒸着法により成膜できる。

例えば、酸化物半導体としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、ターゲットを用いて作製することができる。ターゲットの材料及びその組成は様々なものを用いることが可能であり、例えば、Ｉｎ_２Ｏ_３とＧａ_２Ｏ_３とＺｎＯを１：１：１［ｍｏｌ数比］（＝Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｇａ_２Ｏ_３：ＺｎＯ）の割合で含む酸化物ターゲットを用いることができる。また、例えば、Ｉｎ_２Ｏ_３とＧａ_２Ｏ_３とＺｎＯを１：１：２［ｍｏｌ数比］（＝Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｇａ_２Ｏ_３：ＺｎＯ）の割合で含む酸化物ターゲットを用いることもできる。

また、酸化物半導体としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成は、原子数比で、Ｉｎ：Ｚｎ＝５０：１〜１：２（モル数比に換算するとＩｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝２５：１〜１：４）、好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝２０：１〜１：１（モル数比に換算するとＩｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１０：１〜１：２）、さらに好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝１５：１〜１．５：１（モル数比に換算するとＩｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１５：２〜３：４）とする。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がＩｎ：Ｚｎ：Ｏ＝Ｘ：Ｙ：Ｚのとき、Ｚ＞１．５Ｘ＋Ｙとする。

また、例えば、酸化物半導体としてＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、ターゲットを用いて作製することができる。ターゲットの組成は、様々なモノを用いることが可能であり、例えば、ＩｎとＳｎとＺｎを原子数比で１：２：２（＝Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ）の割合で含む酸化物ターゲットを用いることができる。また、例えば、ＩｎとＳｎとＺｎを原子数比で２：１：３（＝Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ）の割合で含む酸化物ターゲットを用いることができる。また、例えば、ＩｎとＳｎとＺｎを原子数比で１：１：１（＝Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ）の割合で含む酸化物ターゲットを用いることができる。また、例えば、ＩｎとＳｎとＺｎを原子数比で２０：４５：３５（＝Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ）の割合で含む酸化物ターゲットを用いることができる。

なお、ターゲットの相対密度は９０％以上１００％以下、好ましくは９５％以上９９．９％以下である。相対密度の高いターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体層は緻密な膜とすることができる。

続いて、フォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、酸化物半導体層を選択的にエッチングして島状に形成する（図８（Ｂ）参照）。

＜ソース電極またはドレイン電極として機能する電極の形成＞
次に、ソース電極またはドレイン電極として機能する電極７５１、電極７５２を形成する。

ソース電極またはドレイン電極となる導電材料を含む層は、スパッタリング法などを用いて成膜する。

次に、フォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、導電材料を含む層を選択的にエッチングして電極７５１、電極７５２を形成する（図８（Ｃ）参照）。なお、同じ導電材料を含む層からなる配線等（図示せず）も同一の工程で形成する。

＜トランジスタを保護する絶縁層の形成＞
次に、トランジスタを保護する絶縁層７０５を形成する。

トランジスタを保護する絶縁層は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて成膜する。

以上の工程により、チャネルが形成される領域に酸化物半導体材料を用いたトランジスタ７１０を作製できる。

なお、本実施の形態において用いるレジストマスクは、フォトリソグラフィ工程により形成されるものに限られない。フォトリソグラフィ法の他に、インクジェット法、印刷法等を適宜用いて形成できる。フォトマスクを使用することなくレジストマスクを形成すると、発光装置の製造コストを低減することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。

（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様のパッシブマトリクス型の発光装置について説明する。具体的には、第１の基板と第１の基板と対向する第２の基板の間に、第１の基板上に形成された複数の発光素子と粘性材層を、複数の発光素子を囲むシール材で封じ込める構成を有する。そして、当該粘性材層は周囲を枠体で囲われて、発光素子に接して第１の基板と第２の基板との間に設けられ、且つ不純物（代表的には水および／または酸素）と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含むものである。

＜パッシブマトリクス型の発光装置＞
パッシブマトリクス型の発光装置に発光素子と粘性材層を、当該発光素子を囲むシール材で封じ込める構成を適用した場合の構成を図９に示す。なお、図９（Ａ）は、発光装置の上面図。図９（Ｂ）は図９（Ａ）に示す発光装置の第１の基板に設けられた画素部の詳細を示す斜視図、図９（Ｃ）は図９（Ａ）をＸ−Ｙで切断した断面図である。

パッシブマトリクス型の発光装置２５００は、第１の基板２５０１と第２の基板２５２０の間に、画素部２４０２と、粘性材層２５０７と、画素部２４０２を囲む枠体２４０６と、をシール材２４０５で封じ込める構成を有する（図９（Ａ）、図９（Ｂ）参照）。

画素部２４０２は第１の基板２５０１上に設けられた第１の電極２５０２と、第１の電極２５０２と交差する第２の電極２５０３との間に、発光性の有機化合物を含む層２５０４が挟持された発光素子が、マトリクス状に設けられている。発光素子の構成としては、例えば実施の形態６で例示した発光素子の構成を適用できる。なお、第１の電極２５０２の端部は絶縁層２５０５に覆われており、絶縁層２５０５上には隔壁層２５０６が設けられている。

隔壁層２５０６の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなるような傾斜を有する。つまり、隔壁層２５０６の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層２５０５の面方向と同様の方向を向き、絶縁層２５０５と接する辺）の方が上辺（絶縁層２５０５の面方向と同様の方向を向き、絶縁層２５０５と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層２５０６を設けることで、第２の電極２５０３をストライプ状に分断し、クロストーク等に起因した発光装置の動作不良を防ぐことができる。

また、本実施の形態で例示する発光装置が備える発光素子は白色を呈する光を発し、第２の基板２５２０には、赤色を呈する光を透過するカラーフィルタ２１４０Ｒと、緑色を呈する光を透過するカラーフィルタ２１４０Ｇと、青色を呈する光を透過するカラーフィルタ２１４０Ｂと、が設けられている。それぞれのカラーフィルタと発光素子が互いに重なるように、シール材２４０５を用いて第１の基板２５０１と、第２の基板２５２０が張り合わされている。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態１０）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。具体的には、第１の基板と第１の基板と対向する第２の基板の間に、第１の基板上に形成された発光素子と粘性材層を、発光素子を囲むシール材で封じ込める構成を有する。そして、当該粘性材層は周囲を枠体で囲われて、発光素子に接して第１の基板と第２の基板との間に設けられ、且つ不純物（代表的には水および／または酸素）と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含む発光モジュールを有する発光パネルを搭載した電子機器について図１０を用いて説明する。

発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図１０に示す。

図１０（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。

テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図１０（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製される。

図１０（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成されており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図１０（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０４および表示部７３０５の両方、または一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図１０（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図１０（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。

図１０（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。

図１０（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。

表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。

また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。

また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、または筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。

また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。

表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。

図１０（Ｅ）は、折りたたみ式のコンピュータの一例を示している。折りたたみ式のコンピュータ７４５０は、ヒンジ７４５４で接続された筐体７４５１Ｌと筐体７４５１Ｒを備えている。また、操作ボタン７４５３、左側スピーカ７４５５Ｌおよび右側スピーカ７４５５Ｒの他、コンピュータ７４５０の側面には図示されていない外部接続ポート７４５６を備える。なお、筐体７４５１Ｌに設けられた表示部７４５２Ｌと、筐体７４５１Ｒに設けられた表示部７４５２Ｒが互いに対峙するようにヒンジ７４５４を軸として折り畳むと、表示部を筐体で保護することができる。

表示部７４５２Ｌと表示部７４５２Ｒは、画像を表示する他、指などで触れると情報を入力できる。例えば、インストール済みのプログラムを示すアイコンを指でふれて選択し、プログラムを起動できる。または、表示された画像の二箇所に触れた指の間隔を変えて、画像を拡大または縮小できる。または、表示された画像の一箇所に触れた指を移動して画像を移動できる。また、キーボードの画像を表示して、表示された文字や記号を指で触れて選択し、情報を入力することもできる。

また、コンピュータ７４５０に、ジャイロ、加速度センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）受信機、指紋センサ、ビデオカメラを搭載することもできる。例えば、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、コンピュータ７４５０の向き（縦か横か）を判断して、表示する画面の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。

また、コンピュータ７４５０はネットワークに接続できる。コンピュータ７４５０はインターネット上の情報を表示できる他、ネットワークに接続された他の電子機器を遠隔から操作する端末として用いることができる。

図１０（Ｆ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７５００は、筐体７５０１に光源として本発明の一態様の発光装置７５０３ａ〜７５０３ｄが組み込まれている。照明装置７５００は、天井や壁等に取り付けることが可能である。

また、本発明の一態様の発光装置は、発光パネルが薄膜状であるため、曲面を有する基体に貼り付けることで、曲面を有する発光装置とすることができる。また、その発光装置を、曲面を有する筐体に配置することで、曲面を有する電子機器または照明装置を実現することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

１００ 発光モジュール
１０１ 第１の基板
１０２ 第２の基板
１０３ 端子
１０４ 端子
１１０ 発光素子
１１１ 第１の電極
１１２ 第２の電極
１１４ 隔壁
１２０ 粘性材層
１３１ シール材
１３２ 枠体
２００ａ 発光モジュール
２００ｂ 発光モジュール
２００ｃ 発光モジュール
２０１ 第１の基板
２０２ 第２の基板
２１０ 発光素子
２２０ 粘性材層
２３１ シール材
２３２ 枠体
２４１ 第１の空間
２４２ 第２の空間
２４２ｂ 一部
２４５ 狭窄部
２４６ 活性化材層
３０１ 第１の基板
３０２ 第２の基板
３１０ 画素部
３１５ 駆動回路
３２０ 粘性材層
３３１ シール材
３３２ 枠体
７０１ 基板
７０４ 絶縁層
７０５ 絶縁層
７１０ トランジスタ
７１１ ゲート電極
７１２ ゲート絶縁層
７１３ 酸化物半導体層
７５１ 電極
７５２ 電極
１１０１ 陽極
１１０２ 陰極
１１０３ 発光ユニット
１１０３ａ 発光ユニット
１１０３ｂ 発光ユニット
１１０４ 中間層
１１０４ａ 電子注入バッファー
１１０４ｂ 電子リレー層
１１０４ｃ 電荷発生領域
１１１３ 正孔注入層
１１１４ 正孔輸送層
１１１５ 発光層
１１１６ 電子輸送層
１１１７ 電子注入層
１４００ 発光装置
１４０１ ソース側駆動回路
１４０２ 画素部
１４０３ ゲート側駆動回路
１４０４ 第２の基板
１４０５ シール材
１４０５ｂ シール材
１４０６ 枠体
１４０７ 粘性材層
１４０８ 配線
１４１０ 第１の基板
１４１１ トランジスタ
１４１２ トランジスタ
１４１２ｂ 電流制御用トランジスタ
１４１３ 第１の電極
１４１４ 隔壁
１４１７ 第２の電極
１４１８ 発光素子
１４２３ ｎチャネル型トランジスタ
１４２３ｂ ｎチャネル型トランジスタ
１４２４ ｐチャネル型トランジスタ
１４３３ スペーサ
１４３４ カラーフィルタ
１４３５ 膜
２１４０Ｂ カラーフィルタ
２１４０Ｇ カラーフィルタ
２１４０Ｒ カラーフィルタ
２４００ 発光装置
２４０１ ソース側駆動回路
２４０２ 画素部
２４０３ ゲート側駆動回路
２４０４ 第２の基板
２４０５ シール材
２４０６ 枠体
２４０６ａ 狭窄部
２４０７ 粘性材層
２４０８ 配線
２４１０ 第１の基板
２４１８ 発光素子
２４２３ ｎチャネル型トランジスタ
２４２４ ｐチャネル型トランジスタ
２４４１ 第１の空間
２４４２ 第２の空間
２４４２ａ 一部
２５００ 発光装置
２５０１ 第１の基板
２５０２ 第１の電極
２５０３ 第２の電極
２５０５ 絶縁層
２５０６ 隔壁層
２５０７ 粘性材層
２５２０ 第２の基板
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７４５０ コンピュータ
７４５１Ｌ 筐体
７４５１Ｒ 筐体
７４５２Ｌ 表示部
７４５２Ｒ 表示部
７４５３ 操作ボタン
７４５４ ヒンジ
７４５５Ｌ スピーカ
７４５５Ｒ スピーカ
７４５６ 外部接続ポート
７５００ 照明装置
７５０１ 筐体
７５０３ａ〜７５０３ｄ 発光装置

Claims (5)

1. 第１の基板と、
   前記第１の基板と対向する第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせるシール材と、
   前記第１の基板と前記第２の基板の間に発光素子、粘性材層および枠体と、を有し、
   前記発光素子は、前記第１の基板上に設けられた第１の電極と、前記第１の電極と重なる第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を備え、
   前記粘性材層は、前記発光素子に接して設けられ、且つ不純物と反応または不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含み、
   前記枠体は、前記発光素子と前記粘性材層を囲み、
   前記シール材は、前記発光素子と、前記粘性材層と、前記枠体と、を内側に封じ込めるように設けられ、
   前記第１の基板と前記第２の基板の間に活性化材層を有し、
   前記活性化材層は、前記発光素子と重ならず、且つ前記発光素子と前記枠体の間に重なるように設けられ、
   前記活性化材層は、前記乾燥剤を活性化する材料を含むことを特徴とする発光装置。
2. 請求項１において、
   前記第２の電極、前記粘性材層および前記第２の基板が、前記発光性の有機化合物を含む層が発する光を透過することを特徴とする発光装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記乾燥剤の中心粒径が、１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
4. 第１の基板と、
   前記第１の基板と対向する第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせるシール材と、
   前記第１の基板と前記第２の基板の間にトランジスタ、発光素子、粘性材層および枠体と、を有し、
   前記トランジスタは、前記第１の基板上に設けられ、
   前記発光素子は、前記第１の基板上に設けられ、前記トランジスタを介して電力が供給される第１の電極と、前記第１の電極と重なる第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極に挟持された発光性の有機化合物を含む層と、を備え、
   前記粘性材層は、前記発光素子に接して設けられ、且つ不純物と反応または不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含み、
   前記枠体は、前記トランジスタと、前記発光素子と、前記粘性材層と、を囲み、
   前記シール材は、前記トランジスタと、前記発光素子と、前記粘性材層と、前記枠体と、を内側に封じ込めるように設けられ、
   前記第１の基板と前記第２の基板の間に活性化材層を有し、
   前記活性化材層は、前記発光素子と重ならず、且つ前記発光素子と前記枠体の間に重なるように設けられ、
   前記活性化材層は、前記乾燥剤を活性化する材料を含むことを特徴とする発光装置。
5. 請求項４において、
   前記トランジスタは、ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の一方の側に接するゲート電極と、前記ゲート絶縁層の他方の側に接し、且つ前記ゲート電極と重畳する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、を備え、
   前記第１の電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極のいずれか一方と電気的に接続されることを特徴とする発光装置。

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