JP6065185B2 - 撮像装置及び暗電荷測定方法 - Google Patents
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Description
まず、実施の形態について説明する前に、本開示に至った経緯について説明する。
本実施の形態に係る撮像装置は、被写体を撮像する、例えばデジタルカメラであり、被写体を長時間露光撮影することができる。また、ユーザによってシャッターボタンが押されている間シャッタを開放し続ける、バルブ撮影も可能である。
[1−1−1.撮像装置の構成]
図1は、実施の形態1に係る撮像装置の構成を示すブロック図である。この撮像装置10は、被写体を撮像する、例えばデジタルカメラである。
次に、上述した固体撮像素子100の構成について、図3及び図4を用いて説明する。
次に、固体撮像素子100に配置された各画素201の構成について、図5Aを用いて説明する。図5Aは、本実施の形態における画素201の構成を示す回路図である。
このように構成された画素201は、読み出しライン選択部140から供給される画素読み出しパルス(パルスTX、パルスRX及びパルスSEL)によって、画素信号を出力する。以下、画素信号の出力動作について、図5Bを用いて説明する。
以上のように構成された撮像装置10のバルブ撮影時の動作について、以下説明する。なお、撮像装置10は、以下で説明するバルブ撮影以外に、露光時間が短い(例えば1秒以下)の通常の撮影が可能であってもよい。
ここでは、撮像装置10のバルブ撮影時の動作の概要について、図6を用いて説明する。図6は、本実施の形態における撮像装置10のバルブ撮影時の動作を示すフローチャートである。
このようにして測定される暗電荷量について、図7を用いて説明する。図7は、本実施の形態において暗電流成分測定部150で測定される暗電荷量について説明するための図である。
次に、固体撮像素子100からの画素信号の読み出し動作の詳細について、図8A及び図8Bを用いて説明する。図8Aは、本実施の形態における画素信号の読み出し動作について説明するための、固体撮像素子100の構成を示すレイアウト図であり、図8Bは、本実施の形態における画素信号の読み出し動作を示すタイミングチャートである。図8Bには、読み出しライン選択部140で選択された行(OB画素部:ob1、ob2、obn、有効画素部101:e1、e2、em)と、露光制御部130によって発行されたTXパルスと、図8Aに示すOB画素部102の1行目、2行目及びn行目に供給されるTXパルス(TX1、TX2及びTXn)と、図8Aに示す有効画素部101の1行目、2行目及びm行目に供給されるTXパルス(TXe1、TXe2及びTXem)とが示されている。
次に、表示信号生成部160における報知信号の生成動作の詳細について、図9〜図11を用いて説明する。図9は、本実施の形態における報知信号の生成動作について説明するための図である。図10は、本実施の形態における固体撮像素子100に温度変化が無い場合の報知信号の時系列変化を示す図である。図11は、本実施の形態における固体撮像素子100に温度変化がある場合の報知信号の時系列変化を示す図である。
以上のように、本実施の形態において、撮像装置10は、露光中の互いに異なる複数のタイミングで画素信号を読み出して暗電荷量を測定する。これにより、露光中の環境変化による暗電荷量の変動を測定することができる。よって、適切なタイミングで露光を停止することができる。つまり、当該撮像装置のユーザは、露光を停止する適切なタイミングを容易に決定できる。
次に、実施の形態1の変形例について、図12を用いて説明する。図12は、本変形例に係る撮像装置10Aの構成を示すブロック図である。
次に、実施の形態2について図13を用いて説明する。本実施の形態に係る撮像装置は、固体撮像素子100の露光前に、暗電荷に対応するノイズを重畳した予想画像を表示し、当該画像を確認したユーザによって最大暗電荷量が指定される。
図13は、本実施の形態に係る撮像装置20の構成を示すブロック図である。
以上のように、本実施の形態において、画像処理部270は、有効画素部101の露光前に、ユーザが最大暗電荷量を指定するための基準となる基準暗電荷量に対応するノイズ成分をサンプル画像に重畳する。また、表示部180は、有効画素部101の露光前に、当該ノイズ成分が重畳されたサンプル画像を表示する。
次に、実施の形態3について、図15〜図17を用いて説明する。本実施の形態に係る撮像装置は、固体撮像素子100の露光中の暗電荷量に対応するノイズ成分が重畳された画像を露光中に表示する。これにより、ユーザは適切なタイミングで露光を停止することができる。
図15は、本実施の形態に係る撮像装置30の構成を示すブロック図である。
以上のように、本実施の形態において、画像処理部370は暗電流成分測定部350によって暗電荷量が測定される毎に、測定された暗電荷量に対応するノイズ成分をサンプル画像に重畳し、表示部180は、当該ノイズ成分が重畳された画像を表示する。
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、実施の形態1〜3及びその変形例を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施の形態1〜3及びその変形例で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。
100 固体撮像素子
101 有効画素部
102 OB画素部
103 遮光膜
110 レンズ
120、220 暗電流測定制御部
130、130A 露光制御部
131 機械式シャッタ
140 読み出しライン選択部
150、150A、350 暗電流成分測定部
160、260 表示信号生成部
160B 残り時間生成部
170、270、370 画像処理部
180 表示部
180B 報知部
181 表示画面
181a 表示
181b 残り時間表示ウィンドウ
181c 柱状ゲージ
190 画像記録部
201 画素
211 読み出し制御線
212 垂直信号線
601 露光開始期間
602 露光終了期間
PD フォトダイオード
Tamp ソースフォロワトランジスタ
Trx リセットトランジスタ
Tsel 選択トランジスタ
Ttx 転送トランジスタ
Claims (9)
- 被写体を撮像する撮像装置であって、
複数の画素が行列状に配置され、当該複数の画素のうち遮光された画素が複数行配置された第1画素部と、当該複数の画素のうち前記被写体からの光が入射する画素が配置された第2画素部とを含む固体撮像素子と、
前記第2画素部を露光する露光制御部と、
前記第2画素部の露光中の互いに異なる複数のタイミングで、前記第1画素部の画素行を順次選択し、選択した画素行の各画素から画素信号を出力させる行選択部と、
前記行選択部の選択によって前記第1画素部から画素信号が出力される毎に、当該画素信号を用いて前記固体撮像素子の暗電流により発生した暗電荷量を測定する暗電荷測定部とを備える
撮像装置。 - さらに、前記暗電荷測定部によって前記暗電荷量が測定される毎に、測定された前記暗電荷量から最大暗電荷量までの差を用いて残りの露光時間を示す残り時間情報を生成する残り時間生成部を備える
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記最大暗電荷量は、ユーザによって指定され、
前記撮像装置は、さらに、
前記第2画素部の露光前に、ユーザが前記最大暗電荷量を指定するための基準となる基準暗電荷量に対応するノイズ成分を画像に重畳する画像処理部と、
前記ノイズ成分が重畳された画像を表示する表示部とを備える
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記露光制御部は、前記暗電荷測定部で測定された暗電荷量が前記最大暗電荷量より大きい場合に露光を停止する
請求項2又は3に記載の撮像装置。 - さらに、前記残り時間生成部により前記残り時間情報が生成される毎に、生成された前記残り時間情報を用いて前記残りの露光時間をユーザに報知する報知部を備える
請求項2〜4のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記報知部は、前記差が前記最大暗電荷量に占める割合を示す図形を表示することにより、前記残りの露光時間を報知する
請求項5に記載の撮像装置。 - 前記撮像装置は、さらに、
前記暗電荷測定部によって前記暗電荷量が測定される毎に、測定された暗電荷量に対応するノイズ成分を画像に重畳する画像処理部と、
当該ノイズ成分が重畳された画像を表示する表示部とを備える
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記行選択部は、さらに、前記第2画素部の画素行を選択し、選択した画素行の各画素から画素信号を出力させ、
前記画像処理部は、さらに、前記行選択部の選択によって前記第2画素部から出力された画素信号を用いて画像を生成し、生成した画像に前記ノイズ成分を重畳する
請求項3又は7に記載の撮像装置。 - 被写体を撮像する撮像装置を用いた暗電荷測定方法であって、
前記撮像装置は、複数の画素が行列状に配置され、当該複数の画素のうち遮光された画素が複数行配置された第1画素部と、当該複数の画素のうち前記被写体からの光が入射する画素が配置された第2画素部とを含む固体撮像素子を備え、
前記暗電荷測定方法は、
前記第1画素部の少なくとも1つの画素行を選択し、選択した画素行の各画素から画素信号を出力する行選択ステップと、
前記行選択ステップで出力された画素信号を用いて、前記固体撮像素子の暗電流により発生した暗電荷量を測定する暗電荷測定ステップとを含み、
前記行選択ステップにおいて選択する画素行を変えながら、前記第2画素部の露光中に、前記行選択ステップ及び前記暗電荷測定ステップを繰り返す
暗電荷測定方法。
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