JP5922901B2 - 処理液供給装置、基板処理装置、気泡の除去方法および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板の処理を行う処理液供給装置、基板処理装置、気泡の除去方法および基板処理方法に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。基板処理装置は、フォトレジスト液等の処理液を供給する処理液供給装置を備える。処理液中には気体が溶存するため、処理液を極力廃棄することなく気体を除去することが可能な処理液供給装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載された処理液供給装置においては、薬液ボトルに貯蓄された処理液が第１の処理液供給管路を介してバッファタンクに導かれる。バッファタンクに一時貯蓄された処理液が第２の処理液供給管路を介して供給ノズルに供給される。第２の処理液供給管路には、処理液中に混入している気泡を除去するフィルタが設けられる。また、フィルタは循環管路により薬液ボトルに接続される。循環管路は、フィルタに接続されるドレイン管路と、ドレイン管路から分岐して第１の処理液供給管路に連通する戻り管路とにより構成される。循環経路には、可変絞りが設けられる。

可変絞りにより循環管路中を流れる処理液の圧力が低下される。それにより、処理液中に溶存する気体が顕在化して気泡が発生する。その気泡は循環管路のドレイン管路を通して外部に排出される。一方、処理液は循環管路の戻り管路により再び薬液ボトルに戻される。

特開２０１０−１３５５３５号公報

しかしながら、特許文献１に記載された処理液供給装置においては、処理液が戻り管路を通して再び薬液ボトルに戻される際に、気泡も薬液ボトルに戻される場合がある。そのため、気泡を含む処理液が再びフィルタに供給される。それにより、フィルタに気泡が蓄積される。また、気泡がドレイン管路を通して外部に排出される際に、処理液も外部に排出される場合がある。そのため、処理液の一部が廃棄される。

本発明の目的は、処理液を廃棄することなくフィルタに蓄積される気泡を効率よく除去することが可能な処理液供給装置、基板処理装置、気泡の除去方法および基板処理方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る処理液供給装置は、処理液を用いて基板に処理を行う処理部に処理液を供給する処理液供給装置であって、処理液を貯留する第１のタンクと、第１のタンクに処理液を供給する処理液供給系と、処理液から気泡を除去するフィルタと、第１のタンクからフィルタに処理液を供給する供給装置と、フィルタにより気泡が除去された処理液を処理部に導く第１の供給経路と、フィルタにより除去された気泡を含む処理液をフィルタから第１のタンクに導く第１の戻し経路と、第１の戻し経路を開閉する第１の開閉装置と、第１のタンク内の上部空間を外部に連通させる排出経路と、排出経路を開閉する第２の開閉装置と、基板の処理時と気泡の除去時とで第１の供給経路ならびに第１および第２の開閉装置を制御する制御部とを備え、制御部は、処理部における基板の処理時には、第１の開閉装置を閉状態にするとともにフィルタにより気泡が除去された処理液が処理部に供給されるように第１の供給経路を制御し、気泡の除去時には、第１の開閉装置を開状態にするとともに第２の開閉装置を閉状態にすることにより、気泡を含む処理液をフィルタから第１の戻し経路を通して第１のタンクに戻し、第１のタンク内に一定量の気体が蓄積されることにより第１のタンク内の処理液の液面が予め定められた第１の位置まで低下した場合に、第１の開閉装置を閉状態にするとともに第２の開閉装置を開状態にすることにより、第１のタンク内の処理液の液面を上昇させるとともに第１のタンク内に蓄積された気体を排出経路を通して外部に排出させるものである。

この処理液供給装置においては、第１のタンク内の処理液が供給装置によりフィルタに供給される。処理部における基板の処理時には、第１の開閉装置が閉状態にされるとともにフィルタにより気泡が除去された処理液が第１の供給経路を通して処理部に供給される。

気泡の除去時には、第１の開閉装置が開状態にされるとともに第２の開閉装置が閉状態にされる。それにより、気泡を含む処理液がフィルタから第１の戻し経路を通して第１のタンクに戻される。その結果、第１のタンク内の下部に処理液が貯留され、第１のタンク内の上部空間に気体が蓄積される。第１のタンク内に一定量の気体が蓄積される。それにより、第１のタンク内の処理液の液面が予め定められた第１の位置まで低下した場合に、第１の開閉装置が閉状態にされるとともに第２の開閉装置が開状態にされることにより、第１のタンク内の処理液の液面が上昇されるとともに第１のタンク内の上部空間に蓄積された気体が排出経路を通して外部に排出される。この場合、処理液は第１のタンク内の下部に貯留されるので、第１のタンク内から処理液が排出管路を通して外部に排出されない。これにより、処理液を廃棄することなくフィルタに蓄積される気泡を効率よく除去することが可能になる。

（２）制御部は、第１のタンク内に貯留される処理液の液面が第１の位置よりも高い第２の位置に達した場合に、第２の開閉装置を閉状態にするとともに処理液供給系による第１のタンク内への処理液の供給を停止させてもよい。

この場合、第１のタンク内に貯留される処理液が排出経路から排出されることを防止することができる。

（３）処理液供給装置は、第１のタンク内に貯留される処理液の液面が第１の位置まで低下したことを検出する第１の液面検出器と、第１のタンク内に貯留される処理液の液面が第２の位置まで上昇したことを検出する第２の液面検出器とをさらに備え、制御部は、第１の液面検出器により第１のタンク内の処理液の液面が第１の位置まで低下したことが検出された場合に、第１の開閉装置を閉状態にするとともに第２の開閉装置を開状態にし、第２の液面検出器により第１のタンク内に貯留される処理液の液面が第２の位置に達したことが検出された場合に、第２の開閉装置を閉状態にするとともに処理液供給系による第１のタンク内への処理液の供給を停止させてもよい。

これにより、第１のタンク内に一定量の気体が蓄積されたときに、第１のタンク内に蓄積された気体を外部に確実に排出することができる。また、第１のタンク内に貯留される処理液が排出経路から排出されることを確実に防止することができる。

（４）制御部は、第１のタンク内に貯留される処理液の液面が第１の位置よりも低い第３の位置まで低下した場合に、第２の開閉装置を閉状態にするとともに供給装置を停止させてもよい。この場合、供給装置により第１のタンクからフィルタに空気が供給されることを確実に防止することができる。

（５）処理液供給装置は、第１のタンク内に貯留される処理液の液面が第３の位置まで低下したことを検出する第３の液面検出器をさらに備え、第３の液面検出器により第１のタンク内の処理液の液面が第３の位置まで低下したことが検出された場合に、第２の開閉装置を閉状態にするとともに供給装置を停止させてもよい。この場合、供給装置により第１のタンクからフィルタに空気が供給されることを確実に防止することができる。

（６）供給装置は、第１のタンクとフィルタとの間に設けられた第１のポンプを含んでもよい。この場合、第１のタンクからフィルタに処理液を効率よく供給することができる。
（７）処理液供給装置は、フィルタにより気泡が除去された処理液を圧送する第２のポンプと、第１のポンプと第２のポンプとの間に接続される第２の戻し経路とをさらに備え、制御部は、フィルタの立ち上げ時に、第２の戻し経路を通してフィルタにより気泡が除去された処理液を第１のポンプに導くように第２のポンプを制御してもよい。
この場合、フィルタの立ち上げ時に、処理液がフィルタに十分に接触する。これにより、フィルタの性能の立ち上がり時間を短縮することができる。

（８）処理液供給系は、処理液を貯留する処理液貯留容器と、処理液貯留容器から供給される処理液を貯留する第２のタンクと、第２のタンク内の処理液を第１のタンクに導く第２の供給経路とを含み、処理液貯留容器内の処理液が加圧されることにより、処理液貯留容器内の処理液が第２のタンクおよび第２の供給経路を通して第１のタンクに供給されてもよい。

この場合、第１のタンク内の処理液の液面を第１の位置から容易に上昇させることができる。また、第２のタンクに処理液が貯留されるため、処理液供給装置を停止させることなく処理液貯留容器を交換することができる。

（９）第２の発明に係る基板処理装置は、基板に処理液を用いた処理を行う処理部と、処理部に処理液を供給する第１の発明に係る処理液供給装置とを備えるものである。

この基板処理装置においては、上記処理液供給装置の第１のタンク内の処理液が供給装置によりフィルタに供給される。処理部における基板の処理時には、第１の開閉装置が閉状態にされるとともにフィルタにより気泡が除去された処理液が第１の供給経路を通して処理部に供給される。

処理液供給装置においては、気泡の除去時には、第１の開閉装置が開状態にされるとともに第２の開閉装置が閉状態にされる。それにより、気泡を含む処理液がフィルタから第１の戻し経路を通して第１のタンクに戻される。その結果、第１のタンク内の下部に処理液が貯留され、第１のタンク内の上部空間に気体が蓄積される。第１のタンク内に一定量の気体が蓄積されることにより第１のタンク内の処理液の液面が予め定められた第１の位置まで低下した場合に、第１の開閉装置が閉状態にされるとともに第２の開閉装置が開状態にされる。それにより、第１のタンク内の処理液の液面が上昇されるとともに第１のタンク内の上部空間に蓄積された気体が排出経路を通して外部に排出される。この場合、処理液は第１のタンク内の下部に貯留されるので、第１のタンク内から処理液が排出管路を通して外部に排出されない。これにより、処理液を廃棄することなくフィルタに蓄積される気泡を効率よく除去することが可能になる。また、処理部における基板の処理時には、気泡が除去された処理液が処理部に供給される。その結果、基板処理の精度が向上する。

（１０）第３の発明に係る気泡の除去方法は、処理液を用いて基板に処理を行う処理部に処理液を供給する処理液供給装置における気泡の除去方法であって、処理液供給装置は、処理液を貯留する第１のタンクと、処理液から気泡を除去するフィルタと、第１のタンクからフィルタに処理液を供給する供給装置と、フィルタにより気泡が除去された処理液を処理部に導く第１の供給経路と、フィルタにより除去された気泡を含む処理液をフィルタから第１のタンクに導く戻し経路と、戻し経路を開閉する第１の開閉装置と、第１のタンク内の上部空間を外部に連通させる排出経路と、排出経路を開閉する第２の開閉装置とを含み、除去方法は、処理部における基板の処理時に、第１の開閉装置を閉状態にするとともに第１のタンク内の処理液を供給装置によりフィルタに供給するステップと、処理部における基板の処理時に、フィルタにより気泡が除去された処理液を処理部に供給するステップと、気泡の除去時に、第１の開閉装置を開状態にするとともに第２の開閉装置を閉状態にすることにより、気泡を含む処理液をフィルタから戻し経路を通して第１のタンクに戻すステップと、気泡の除去時に、第１のタンク内に一定量の気体が蓄積されることにより第１のタンク内の処理液の液面が予め定められた第１の位置まで低下した場合に、第１の開閉装置を閉状態にするとともに第２の開閉装置を開状態にすることにより、第１のタンク内の処理液の液面を上昇させるとともに第１のタンク内に蓄積された気体を排出経路を通して外部に排出させるステップとを含むものである。

この気泡の除去方法においては、第１のタンク内の処理液が供給装置によりフィルタに供給される。処理部における基板の処理時には、第１の開閉装置が閉状態にされるとともにフィルタにより気泡が除去された処理液が第１の供給経路を通して処理部に供給される。

気泡の除去時には、第１の開閉装置が開状態にされるとともに第２の開閉装置が閉状態にされることにより、気泡を含む処理液がフィルタから戻し経路を通して第１のタンクに戻される。それにより、第１のタンク内の下部に処理液が貯留され、第１のタンク内の上部空間に気体が蓄積される。第１のタンク内に一定量の気体が蓄積されることにより第１のタンク内の処理液の液面が予め定められた第１の位置まで低下した場合に、第１の開閉装置が閉状態にされるとともに第２の開閉装置が開状態にされる。それにより、第１のタンク内の処理液の液面が上昇されるとともに第１のタンク内の上部空間に蓄積された気体が排出経路を通して外部に排出される。この場合、処理液は第１のタンク内の下部に貯留されるので、第１のタンク内から処理液が排出管路を通して外部に排出されない。これにより、処理液を廃棄することなくフィルタに蓄積される気泡を効率よく除去することが可能になる。

（１１）第４の発明に係る基板処理方法は、基板処理装置における基板処理方法であって、基板処理装置は、処理液を用いて基板に処理を行う処理部と、処理液を貯留する第１のタンクと、処理液から気泡を除去するフィルタと、第１のタンクからフィルタに処理液を供給する供給装置と、フィルタにより気泡が除去された処理液を処理部に導く第１の供給経路と、フィルタにより除去された気泡を含む処理液をフィルタから第１のタンクに導く戻し経路と、戻し経路を開閉する第１の開閉装置と、第１のタンク内の上部空間を外部に連通させる排出経路と、排出経路を開閉する第２の開閉装置とを含み、基板処理方法は、基板の処理時に、第１のタンク内の処理液を供給装置によりフィルタに供給するステップと、基板の処理時に、第１の開閉装置を閉状態にするとともにフィルタからフィルタにより気泡が除去された処理液を第１の供給経路を通して処理部に供給するステップと、気泡の除去時に、第１の開閉装置を開状態にするとともに第２の開閉装置を閉状態にすることにより、気泡を含む処理液をフィルタから戻し経路を通して第１のタンクに戻すステップと、気泡の除去時に、第１のタンク内に一定量の気体が蓄積されることにより第１のタンク内の処理液の液面が予め定められた第１の位置まで低下した場合に、第１の開閉装置を閉状態にするとともに第２の開閉装置を開状態にすることにより、第１のタンク内の処理液の液面を上昇させるとともに第１のタンク内に蓄積された気体を排出経路を通して外部に排出させるステップとを含むものである。

この基板処理方法においては、第１のタンク内の処理液が供給装置によりフィルタに供給される。基板の処理時には、第１の開閉装置が閉状態にされるとともにフィルタにより気泡が除去された処理液が第１の供給経路を通して処理部に供給される。
気泡の除去時には、第１の開閉装置が開状態にされるとともに第２の開閉装置が閉状態にされることにより、気泡を含む処理液がフィルタから戻し経路を通して第１のタンクに戻される。それにより、第１のタンク内の下部に処理液が貯留され、第１のタンク内の上部空間に気体が蓄積される。第１のタンク内に一定量の気体が蓄積されることにより第１のタンク内の処理液の液面が予め定められた第１の位置まで低下した場合に、第１の開閉装置が閉状態にされるとともに第２の開閉装置が開状態にされる。それにより、第１のタンク内の処理液の液面が上昇されるとともに第１のタンク内の上部空間に蓄積された気体が排出経路を通して外部に排出される。この場合、処理液は第１のタンク内の下部に貯留されるので、第１のタンク内から処理液が排出管路を通して外部に排出されない。これにより、処理液を廃棄することなくフィルタに蓄積される気泡を効率よく除去することが可能になる。また、基板の処理時には、気泡が除去された処理液が処理部に供給される。その結果、基板処理の精度が向上する。

本発明によれば、処理液を廃棄することなくフィルタに蓄積される気泡を効率よく除去することが可能になる。

本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。 図１の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部を＋Ｙ方向側から見た図である。 処理液供給ユニットの構成を示すブロック図である。 フィルタ中の気泡の除去処理を説明するための図である。 フィルタ中の気泡の除去処理を示すフローチャートである。 図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部を−Ｙ方向側から見た図である。 図１の塗布処理部、搬送部および熱処理部を−Ｘ方向側から見た図である。 搬送部を−Ｙ方向側から見た図である。 搬送機構を示す斜視図である。 洗浄乾燥処理ブロックの内部構成を示す図である。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置、基板処理システムおよび検査周辺露光装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。

（１）基板処理システムの構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。

図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１０００は、基板処理装置１００およびホストコンピュータ８００を備える。

基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。本実施の形態においては、キャリア１１３としてＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドまたは収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（Open Cassette）等を用いてもよい。

搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。また、メインコントローラ１１４は、有線通信または無線通信によりホストコンピュータ８００に接続されている。メインコントローラ１１４とホストコンピュータ８００との間で種々のデータの送受信が行われる。

搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、後述の図８に示すように、搬送部１１２には、キャリア１１３と搬送機構１１５との間で基板Ｗを受け渡すための開口部１１７が形成される。

搬送部１１２の側面には、メインパネルＰＮが設けられる。メインパネルＰＮは、メインコントローラ１１４に接続されている。ユーザは、基板処理装置１００における基板Ｗの処理状況等をメインパネルＰＮで確認することができる。

メインパネルＰＮの近傍には、例えばキーボードからなる操作部が設けられている。ユーザは、操作部を操作することにより、基板処理装置１００の動作設定等を行うことができる。

第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図８参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図８参照）が設けられる。

第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図８参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図８参照）が設けられる。第２の処理ブロック１３内において、熱処理部１３３とインターフェイスブロック１４との間にはパッキン１４５が設けられる。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。

搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図８参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。

また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図８参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。

搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。なお、露光装置１５の基板搬入部１５ａおよび基板搬出部１５ｂは、水平方向に隣接するように配置されてもよく、または上下に配置されてもよい。

ここで、搬入搬出ブロック１４Ｂは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに対して＋Ｙ方向および−Ｙ方向に移動可能に設けられる。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ、搬入搬出ブロック１４Ｂおよび露光装置１５のメンテナンス時には、搬入搬出ブロック１４Ｂを＋Ｙ方向または−Ｙ方向に移動させることにより、作業スペースを確保することができる。なお、搬入搬出ブロック１４Ｂは、他のブロックに比べて軽量であり、容易に移動させることができる。

なお、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａでは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２において多量の液体（例えば洗浄液およびリンス液）を用いる。そのため、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、液体を供給するための用力設備に確実に接続する必要がある。一方、搬入搬出ブロック１４Ｂでは、液体をほとんど使用しない。そのため、搬入搬出ブロック１４Ｂは、用力設備に簡易的に接続することができる。すなわち、搬入搬出ブロック１４Ｂは、用力設備に対する切り離しおよび再接続を容易に行うことができる。

これらにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ、搬入搬出ブロック１４Ｂおよび露光装置１５のメンテナンス時に、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを移動させずに搬入搬出ブロック１４Ｂのみを移動させることで、作業者の労力および作業時間を大幅に軽減することができる。

（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図２は、図１の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を＋Ｙ方向側から見た図である。

図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。塗布処理部１２１および塗布現像処理部１３１の下部には、複数の処理液供給ユニット２００が配置される。

各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１，３３には、現像処理ユニット１３９が設けられ、各塗布処理室３２，３４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。

各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５およびカップ２７は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。

また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数のノズル２８およびそのノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。各塗布処理ユニット１２９の複数のノズル２８は、一つの処理液供給ユニット２００に接続されている。処理液供給ユニット２００から処理液がノズル２８に供給され、ノズル２８から基板Ｗ上に処理液が吐出される。この場合、処理液として、反射防止膜用の処理液（反射防止液）、レジスト膜用の処理液（レジスト液）、レジストカバー膜用の処理液（レジストカバー液）が用いられる。

各塗布処理ユニット１２９においては、複数のノズル２８のうちのいずれかのノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。そして、そのノズル２８から処理液が吐出されることにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。なお、ノズル２８から基板Ｗに処理液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。

本実施の形態においては、塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９において、反射防止液がノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９において、レジスト液がノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９において、レジストカバー液がノズル２８から基板Ｗに供給される。

図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。各現像処理ユニット１３９の２つのスリットノズル３８は、他の一つの処理液供給ユニット２００に接続されている。処理液供給ユニット２００から処理液がスリットノズル３８に供給され、スリットノズル３８から基板Ｗ上に処理液が吐出される。この場合、処理液としては、現像用の処理液（現像液）が用いられる。

現像処理ユニット１３９においては、まず、一方のスリットノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。その後、他方のスリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。なお、スリットノズル３８から基板Ｗに現像液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。

本実施の形態では、現像処理ユニット１３９において基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つのスリットノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。

なお、図２の例では、塗布処理ユニット１２９が２つのカップ２７を有し、現像処理ユニット１３９が３つのカップ３７を有するが、塗布処理ユニット１２９が３つのカップ２７を有してもよく、または現像処理ユニット１３９が２つのカップ３７を有してもよい。

洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

なお、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、ブラシ等を用いて基板Ｗの裏面、および基板Ｗの端部（ベベル部）のポリッシング処理を行ってもよい。ここで、基板Ｗの裏面とは、回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面と反対側の面をいう。

図２に示すように、塗布処理室２１〜２４，３２，３４において塗布処理ユニット１２９の上方には、塗布処理室２１〜２４，３２，３４内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４１が設けられる。また、現像処理室３１，３３において現像処理ユニット１３９の上方には、現像処理室３１，３３内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４７が設けられる。

また、塗布処理室２１〜２４，３２，３４内において塗布処理ユニット１２９の下部には、カップ２７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４２が設けられる。また、現像処理室３１，３３において現像処理ユニット１３９の下部には、カップ３７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４８が設けられる。

図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において塗布現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、塗布現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、複数の処理液供給ユニット２００から塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への処理液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの排液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプおよび温度調節器等の流体関連機器が収納される。

（３）処理液供給ユニットの構成
次に、処理液供給ユニット２００について説明する。図３は、処理液供給ユニット２００の構成を示すブロック図である。図３では、塗布処理ユニット１２９のノズル２８に処理液としてレジスト液、反射防止液またはレジストカバー液を供給する処理液供給ユニット２００の構成および動作について説明する。現像処理ユニット１３９のスリットノズル３８に処理液として現像液を供給するための処理液供給ユニット２００の構成および動作は、図３の処理液供給ユニット２００の構成および動作と同様である。処理液供給ユニット２００およびメインコントローラ１１４により本発明に係る処理液供給装置が構成される。

図３に示すように、処理液供給ユニット２００は、処理液ボトル２１０、トラップタンク２２０、気液分離トラップタンク２３０、ポンプ２４０，２６０およびフィルタ２５０を含む。

処理液ボトル２１０は処理液を貯留する。処理液ボトル２１０は、配管Ｌ１により気体供給源２８０に接続される。配管Ｌ１にはバルブｖ０が介挿される。気体供給源２８０は、例えば工場に設けられる用力設備である。処理液ボトル２１０とトラップタンク２２０とは配管Ｌ２により接続される。

トラップタンク２２０は、処理液ボトル２１０から供給される処理液を一時的に貯留する。トラップタンク２２０には、処理液の液面を検出する上限液面センサ２２１および下限液面センサ２２２が設けられる。上限液面センサ２２１はトラップタンク２２０の上部に配置される。下限液面センサ２２２はトラップタンク２２０の下部に配置される。トラップタンク２２０には配管Ｌ３が接続される。配管Ｌ３にはバルブｖ１が介挿される。

気液分離トラップタンク２３０は、トラップタンク２２０から供給される処理液を一時的に貯留する。気液分離トラップタンク２３０には、処理液の液面を検出する上限液面センサ２３１、中間液面センサ２３２および下限液面センサ２３３が設けられる。上限液面センサ２３１は気液分離トラップタンク２３０の上部に配置される。下限液面センサ２３３は気液分離トラップタンク２３０の下部に配置される。中間液面センサ２３２は気液分離トラップタンク２３０の上限液面センサ２３１と下限液面センサ２３３との中間の位置に配置される。気液分離トラップタンク２３０の上部には配管Ｌ５が接続される。配管Ｌ５にはバルブｖ２が介挿される。気液分離トラップタンク２３０において、後述するように、処理液中に混入する気泡が外部に排出される。

フィルタ２５０は、気液分離膜を有するとともに、流入部２５１および２つの流出部２５２，２５３を有する。フィルタ２５０において、流入部２５１から流入した一部の処理液は気液分離膜を透過して流出部２５２から流出し、残りの処理液は気液分離膜を透過せず流出部２５３から流出する。気液分離膜を透過した処理液から気泡が除去される。

気液分離トラップタンク２３０とポンプ２４０とは配管Ｌ６により接続される。配管Ｌ６にはバルブｖ３が介挿される。ポンプ２４０とフィルタ２５０の流入部２５１とは配管Ｌ７により接続される。配管Ｌ７にはバルブｖ４が介挿される。フィルタ２５０の流出部２５３と気液分離トラップタンク２３０とは配管Ｌ８により接続される。配管Ｌ８にはバルブｖ５が介挿される。フィルタ２５０の流出部２５２とポンプ２６０とは配管Ｌ９により接続される。配管Ｌ９にはバルブｖ６が介挿される。ポンプ２６０とポンプ２４０とは配管Ｌ１０により接続される。配管Ｌ１０にはバルブｖ７が介挿される。ポンプ２６０は、配管Ｌ１１によりノズル２８に接続される。配管Ｌ１１にはバルブｖ８が介挿される。

図３では、配管Ｌ１１に設けられる１つのバルブｖ８および１つのノズル２８が示されるが、配管Ｌ１１は複数の部分に分岐し、複数の分岐部分にそれぞれバルブｖ８およびノズル２８が設けられる。

本実施の形態では、メインコントローラ１１４は、上限液面センサ２２１、下限液面センサ２２２、上限液面センサ２３１、中間液面センサ２３２および下限液面センサ２３３の検出結果に基づいて、バルブｖ０〜ｖ８およびポンプ２４０，２６０を制御する。

初期状態では、バルブＶ０〜ｖ７は閉止されている。メインコントローラ１１４がバルブｖ０を開放すると、気体供給源２８０から配管Ｌ１を介して処理液ボトル２１０内にＮ_２ガス（窒素ガス）が供給される。これにより、処理液ボトル２１０中の処理液が加圧され、配管Ｌ２を介してトラップタンク２２０に供給される。その結果、トラップタンク２２０中の処理液の液面が上昇する。また、トラップタンク２２０中の処理液が加圧され、配管Ｌ４を介して気液分離トラップタンク２３０に供給される。トラップタンク２２０中の処理液の液面が上限液面センサ２２１により検出されると、メインコントローラ１１４はバルブｖ０を閉止する。それにより、Ｎ_２ガスの供給が停止され、処理液ボトル２１０からトラップタンク２２０への処理液の供給が停止される。トラップタンク２２０中の処理液の液面が下限液面センサ２２２により検出されると、メインコントローラ１１４はバルブｖ０を開放する。それにより、Ｎ_２ガスの供給が再開され、処理液ボトル２１０からトラップタンク２２０に処理液が供給される。

気液分離トラップタンク２３０中の処理液の液面が上限液面センサ２３１により検出されると、メインコントローラ１１４はバルブｖ０を閉止する。それにより、Ｎ_２ガスの供給が停止され、トラップタンク２２０から気液分離トラップタンク２３０への処理液の供給が停止される。気液分離トラップタンク２３０中の処理液の液面が中間液面センサ２３２により検出されると、メインコントローラ１１４はバルブｖ０を開放する。それにより、Ｎ２ガスの供給が再開され、トラップタンク２２０から気液分離トラップタンク２３０に処理液が供給される。気液分離トラップタンク２３０中の処理液の液面が下限液面センサ２３３により検出されると、メインコントローラ１１４は警報を発生するとともに、ポンプ２４０，２６０を停止させる。

基板処理装置１００の稼動開始時には、メインコントローラ１１４は、バルブｖ３，ｖ４，ｖ６，ｖ７を開放した状態で、ポンプ２４０，２６０を動作させる。それにより、気液分離トラップタンク２３０に貯留された処理液が、配管Ｌ６を介してポンプ２４０に供給され、ポンプ２４０から配管Ｌ７、フィルタ２５０、配管Ｌ９、ポンプ２６０および配管Ｌ１０を通してポンプ２４０に戻るように循環する。その結果、フィルタ２５０の気液分離膜に処理液が十分に接触し、フィルタ２５０の性能の立ち上がり時間が短縮される。

塗布処理ユニット１２９における塗布処理時には、メインコントローラ１１４は、バルブｖ３，ｖ４，ｖ６を開放し、バルブｖ５，ｖ７を閉止する。それにより、気液分離トラップタンク２３０に貯留された処理液がポンプ２４０により配管Ｌ６，Ｌ７を介してフィルタ２５０の流入部２５２に供給され、フィルタ２５０の流出部２５２から配管Ｌ９に流出する処理液がポンプ２６０により配管Ｌ１１に供給される。メインコントローラ１１４がバルブｖ８を開放すると、配管Ｌ１１に供給された処理液がノズル２８から基板Ｗ上に吐出される。

気液分離トラップタンク２３０内の処理液の液面が下限液面センサ２３３により検出される位置まで低下した場合に、バルブｖ２が閉止されるとともにポンプ２４０，２６０が停止される。これにより、気液分離トラップタンク２３０からフィルタ２５０に空気が供給されること供給されることを確実に防止することができる。

処理液ボトル２１０の交換時には、トラップタンク２２０に貯留された処理液により基板Ｗに処理液の塗布処理が行われる。これにより、基板処理装置１００を停止させることなく処理液ボトル２１０を交換することができる。

塗布処理ユニット１２９における塗布処理が継続されることにより、フィルタ２５０に処理液中の気泡が滞留する。それにより、ポンプ２４０，２６０による処理液の吸引能力が低下する。そこで、以下に示すように、フィルタ２５０中の気泡の除去処理が行われる。

図４は、フィルタ２５０中の気泡の除去処理を説明するための図である。図５は、フィルタ２５０中の気泡の除去処理を示すフローチャートである。

図４（ａ）に示すように、メインコントローラ１１４は、バルブｖ２を閉止するとともに（ステップＳ１）、バルブｖ５を開放する（ステップＳ２）。これにより、フィルタ２５０中に滞留した気泡を含む処理液が、フィルタ２５０の流出部２５３から配管Ｌ８を通って気液分離トラップタンク２３０に戻される。

図４（ｂ）に示すように、フィルタ２５０から気液分離トラップタンク２３０に気泡を含む処理液が戻されることにより、気液分離トラップタンク２３０内の上部空間に気体が蓄積されるとともに、処理液の液面が低下する。

次に、メインコントローラ１１４は、気液分離トラップタンク２３０内の処理液の液面が中間液面センサ２３２により検出されたか否かを判定する（ステップＳ３）。処理液の液面が中間液面センサ２３２により検出されていない場合、メインコントローラ１１４は待機する。

気液分離トラップタンク２３０内の処理液の液面が中間液面センサ２３２により検出された場合、メインコントローラ１１４は、バルブｖ２を開放するとともに（ステップＳ４）、バルブｖ５を閉止する（ステップＳ５）。また、メインコントローラ１１４は、バルブｖ０を開放することにより気体供給源２８０から処理液ボトル２１０にＮ_２ガスを供給する（ステップＳ６）。それにより、トラップタンク２２０から気液分離トラップタンク２３０に処理液が供給される。その結果、図４（ｃ）に示されるように、気液分離トラップタンク２３０内の処理液の液面が上昇するとともに、気液分離トラップタンク２３０内の上部空間に蓄積される気体が配管Ｌ５を通して外部に排出される。

その後、メインコントローラ１１４は、気液分離トラップタンク２３０内の処理液の液面が上限液面センサ２３１により検出されたか否かを判定する（ステップＳ７）。処理液の液面が上限液面センサ２３１により検出されていない場合には、メインコントローラ１１４は待機する。処理液の液面が上限液面センサ２３１により検出された場合、メインコントローラ１１４は、バルブｖ０を閉止することにより気体供給源２８０から処理液ボトル２１０へのＮ_２ガスの供給を停止し（ステップＳ８）、ステップＳ１の処理に戻る。

上記のステップＳ１〜Ｓ８の処理を１回または２回以上行った後、メインコントローラ１１４はバルブｖ２，ｖ５を閉止する。

上記のステップＳ１〜Ｓ８の処理を１回または２回以上行うことにより、処理液を気液分離トラップタンク２３０に戻しつつフィルタ２５０に滞留した気泡を外部に排出することができる。これにより、処理液を廃棄することなくフィルタ２５０に滞留した気泡を効率よく除去することができる。

（４）熱処理部の構成
図６は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を−Ｙ方向側から見た図である。

図６に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。

熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。

エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。ここで、基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの表面において基板Ｗの外周端部に沿った一定幅の領域をいう。

基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。

洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

（５）搬送部の構成
（５−１）概略構成
図７は、図１の塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を−Ｘ方向側から見た図である。図８は、搬送部１２２，１３２，１６３を−Ｙ方向側から見た図である。

図７および図８に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。

上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。

図７に示すように、塗布処理室２１，２２と上段熱処理部３０１とは上段搬送室１２５を挟んで対向するように設けられ、塗布処理室２３，２４と下段熱処理部３０２とは下段搬送室１２６を挟んで対向するように設けられる。同様に、現像処理室３１および塗布処理室３２（図２）と上段熱処理部３０３（図６）とは上段搬送室１３５（図８）を挟んで対向するように設けられ、現像処理室３３および塗布処理室３４（図２）と下段熱処理部３０４（図６）とは下段搬送室１３６（図８）を挟んで対向するように設けられる。

図８に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。

載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。

なお、図８の例では、基板載置部ＰＡＳＳ９が１つのみ設けられるが、複数の基板載置部ＰＡＳＳ９が上下に設けられてもよい。この場合、基板Ｗを一時的に載置するためのバッファ部として複数の基板載置部ＰＡＳＳ９を用いてもよい。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。

また、基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。

また、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置され、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。

上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の上方に給気ユニット４３が設けられる。上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の上方に給気ユニット４３が設けられる。給気ユニット４３には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。

また、上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の下方に上段搬送室１２５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の下方に下段搬送室１２６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

同様に、上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の下方に上段搬送室１３５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の下方に下段搬送室１３６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

これにより、上段搬送室１２５，１３５および下段搬送室１２６，１３６の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの搬送部１６３内の上部には、給気ユニット４５が設けられる。搬入搬出ブロック１４Ｂ内の上部には、給気ユニット４６が設けられる。給気ユニット４５，４６には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。それにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂ内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

（５−２）搬送機構の構成
次に、搬送機構１２７について説明する。図９は、搬送機構１２７を示す斜視図である。

図８および図９に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図８に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。

図８および図９に示すように、ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。

移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１およびハンドＨ２が取り付けられる。ハンドＨ１，Ｈ２は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。

上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。また、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図８）および上段熱処理部３０１（図６）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

なお、図８に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。

（６）洗浄乾燥処理ブロックの構成
図１０は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの内部構成を示す図である。なお、図１０は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを＋Ｘ方向側から見た図である。

図１０に示すように、搬送機構１４１は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ３，Ｈ４を有し、搬送機構１４２は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ５，Ｈ６を有する。

搬送機構１４１の＋Ｙ側には洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が階層的に設けられ、搬送機構１４２の−Ｙ側には洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が階層的に設けられる。搬送機構１４１，１４２の間において、−Ｘ側には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２が上下に設けられる。

また、上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。

（７）基板処理装置の各構成要素の動作
以下、本実施の形態に係る基板処理装置１００の各構成要素の動作について説明する。

（７−１）インデクサブロック１１の動作
以下、図１および図８を主に用いてインデクサブロック１１の動作を説明する。

本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、まず、インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、そのキャリア１１３から１枚の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送する。その後、搬送機構１１５はキャリア１１３から他の１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３（図８）に搬送する。

なお、基板載置部ＰＡＳＳ２（図８）に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ２からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。同様に、基板載置部ＰＡＳＳ４に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ３に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ４からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済み基板Ｗをキャリア１１３へ搬送するとともにキャリア１１３に収容する。

（７−２）第１の処理ブロック１２の動作
以下、図１〜図６および図８を主に用いて第１の処理ブロック１２の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１２７，１２８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１１５（図８）により基板載置部ＰＡＳＳ１（図８）に載置された基板Ｗは、搬送機構１２７（図８）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図６）の所定の密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図６）から密着強化処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている未処理の基板Ｗをその密着強化処理ユニットＰＡＨＰに搬入する。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図６）の所定の冷却ユニットＣＰから冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている密着強化処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、反射防止膜形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により塗布処理室２２（図２）のスピンチャック２５（図２）上から反射防止膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図６）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている反射防止膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨに搬入する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が連続的に行われる。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図７）の所定の冷却ユニットＣＰ（図６）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、レジスト膜形成処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により塗布処理室２１（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジスト膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図６）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている熱処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５（図８）に載置する。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ６（図８）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。その後、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６から取り出した現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図８）に搬送する。

搬送機構１２７が上記の処理を繰り返すことにより、第１の処理ブロック１２内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１２８は、搬送機構１２７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図８）、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図７）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１２７によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１において処理され、搬送機構１２８によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１）および下方の処理部（塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１２７，１２８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第１の処理ブロック１２のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１２７，１２８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

なお、上記の例では、塗布処理室２２における反射防止膜の形成処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われるが、適正に反射防止膜を形成することが可能であれば、反射防止膜の形成に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。

（７−３）第２の処理ブロック１３の動作
以下、図１〜図６および図８を主に用いて第２の処理ブロック１３の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１３７，１３８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１２７により基板載置部ＰＡＳＳ５（図８）に載置された基板Ｗは、搬送機構１３７（図８）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により塗布処理室３２（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジストカバー膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室３２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図６）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているレジストカバー膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２によりエッジ露光部ＥＥＷ（図６）からエッジ露光処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗのエッジ露光処理が行われる。

搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているエッジ露光処理後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図８）に載置するとともに、そのハンドＨ２により搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接する上段熱処理部３０１（図７）の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。なお、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接する熱処理ユニットＰＨＰから取り出される基板Ｗは、露光装置１５における露光処理が終了した基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図６）の所定の冷却ユニットＣＰ（図６）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている露光処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により現像処理室３１（図２）のスピンチャック３５（図２）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック３５上に載置する。現像処理室３１においては、現像処理ユニット１３９によりレジストカバー膜の除去処理および現像処理が行われる。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図７）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている現像処理後の基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。その後、搬送機構１３７は、熱処理ユニットＰＨＰから取り出した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６（図８）に載置する。

搬送機構１３７が上記の処理を繰り返すことにより、第２の処理ブロック１３内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１３８は、搬送機構１３７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図８）、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４（図２）および下段熱処理部３０４（図６）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１３７によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３において処理され、搬送機構１３８によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３）および下方の処理部（現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１３７，１３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第２の処理ブロック１３のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１３７，１３８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

なお、上記の例では、現像処理室３１における基板Ｗの現像処理の前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われるが、適正に現像処理を行うことが可能であれば、現像処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。

（７−４）洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作
以下、図８および図１０を主に用いて洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作について説明する。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１０）は、搬送機構１３７（図８）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。

次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図１０）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。

次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図８）に載置する。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいては、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１４１は、搬送機構１３８（図８）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図１０）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図８）に載置する。

このように、搬送機構１４１は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１を経由して載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに交互に搬送する。

ここで、キャリア１１３（図８）に収容されている基板Ｗは、搬送機構１１５（図８）により基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図８）に交互に搬送される。また、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図６）における基板Ｗの処理速度は、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図６）における基板Ｗの処理速度と略等しい。

また、搬送機構１２７（図８）の動作速度は搬送機構１２８（図８）の動作速度と略等しい。また、現像処理室３１（図２）、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３（図６）における基板Ｗの処理速度は、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４（図６）における基板Ｗの処理速度と略等しい。また、搬送機構１３７（図８）の動作速度は搬送機構１３８（図８）の動作速度と略等しい。

したがって、上記のように、搬送機構１４１（図１０）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ１（図８）から載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに基板Ｗが交互に搬送されることにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図８）に搬送される基板Ｗの順序とが一致する。この場合、基板処理装置１００における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。

搬送機構１４２（図１０）は、ハンドＨ５により基板載置部ＰＡＳＳ９（図８）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６により、洗浄乾燥処理部１６２（図１０）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ５に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。

次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図１０）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。

次に、搬送機構１４２（図１０）は、ハンドＨ５により基板載置部ＰＡＳＳ９（図８）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６により、洗浄乾燥処理部１６２（図１０）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ５に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。

次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図１０）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、ＰＥＢ処理が行われる。

このように、搬送機構１４２は、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２を経由して上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４に交互に搬送する。

搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図８）は、ハンドＨ７により、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに載置された基板Ｗを取り出し、露光装置１５の基板搬入部１５ａに搬送する。また、搬送機構１４６は、ハンドＨ８により、露光装置１５の基板搬出部１５ｂから露光処理後の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送する。

ここで、上述したように、搬送機構１４１（図１０）によって載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図８）に載置される基板Ｗの順序は、キャリア１１３（図８）から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序に等しい。それにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、搬送機構１４２（図１０）により露光装置１５に搬入される基板Ｗの順序とを一致させることができる。それにより、露光装置１５における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。また、一のキャリア１１３から基板処理装置１００に搬入された複数の基板Ｗ間において、露光処理の状態にばらつきが生じることを防止することができる。

なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１４１（図１０）により、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１３７，１３８（図８）により、ＰＥＢ処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

また、第１および第２の処理ブロック１２，１３の不具合等によって基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２まで正常に搬送されない場合、基板Ｗの搬送が正常となるまで搬送機構１４１による載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２からの基板Ｗの搬送を一時的に停止してもよい。

（８）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００の塗布処理ユニット１２９における塗布処理時または現像処理ユニット１３９における現像処理時には、基板処理時には、気液分離トラップタンク２３０内の処理液がポンプ２４０によりフィルタ２５０に供給される。フィルタ２５０により気泡が除去された処理液は配管Ｌ９，Ｌ１１を通してノズル２８またはスリットノズル３８に供給される。

気泡の除去処理時には、バルブｖ５が開放されるとともにバルブｖ２が閉止されることにより、気泡を含む処理液がフィルタ２５０から配管Ｌ８を通して気液分離トラップタンク２３０に戻される。それにより、気液分離トラップタンク２３０内の下部に処理液が貯留され、気液分離トラップタンク２３０内の上部空間に気体が蓄積される。

気液分離トラップタンク２３０内の処理液の液面が中間液面センサ２３２により検出される位置まで低下した場合に、バルブｖ５が閉止されるとともにバルブｖ２が開放される。また、処理液ボトル２１０からトラップタンク２２０を介して気液分離トラップタンク２３０に処理液が供給される。これにより、気液分離トラップタンク２３０内に一定量の気体が蓄積されたときに、気液分離トラップタンク２３０内の処理液の液面が上昇される。その結果、気液分離トラップタンク２３０内の上部空間に蓄積された気体が配管Ｌ５を通して外部に排出される。この場合、処理液は気液分離トラップタンク２３０内の下部に貯留されるので、気液分離トラップタンク２３０内から配管Ｌ５を通して外部に排出されない。これにより、フィルタ２５０に蓄積される気泡を効率よく除去することが可能になる。

気液分離トラップタンク２３０内の処理液の液面が上限液面センサ２３１により検出される位置まで上昇した場合に、バルブｖ５が開放されるとともにバルブｖ２が閉止される。また、気液分離トラップタンク２３０への処理液の供給が停止される。これにより、気液分離トラップタンク２３０内に貯留される処理液を配管Ｌ５から排出することを確実に防止することができる。

（９）他の実施の形態
（９−１）上記実施の形態において、メインコントローラ１１４は、フィルタ２５０中の気泡の除去処理におけるステップＳ３の処理で、気液分離トラップタンク２３０内の処理液の液面が中間液面センサ２３２により検出されるまで待機し、検出された後にステップＳ４の処理に進むが、これに限定されない。

例えば、メインコントローラ１１４は、ステップＳ３の処理の代わりに、予め定められた所定時間待機し、所定時間経過した後にステップＳ４の処理に進んでもよい。この場合、気液分離トラップタンク２３０に中間液面センサ２３２が設けられなくてもよい。

（９−２）上記実施の形態において、メインコントローラ１１４は、フィルタ２５０中の気泡の除去処理におけるステップＳ７の処理で、気液分離トラップタンク２３０内の処理液の液面が上限液面センサ２３１により検出されるまで待機し、検出された後にステップＳ８の処理に進むが、これに限定されない。

例えば、メインコントローラ１１４は、ステップＳ７の処理の代わりに、予め定められた所定時間待機し、所定時間経過した後にステップＳ８の処理に進んでもよい。この場合、気液分離トラップタンク２３０に上限液面センサ２３１が設けられなくてもよい。

（１０）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、ノズル２８またはスリットノズル３８が処理部の例であり、処理液供給ユニット２００およびメインコントローラ１１４が処理液供給装置の例であり、気液分離トラップタンク２３０が第１のタンクの例である。処理液ボトル２１０およびトラップタンク２２０が処理液供給系の例であり、フィルタ２５０がフィルタの例であり、ポンプ２４０が供給装置およびポンプの例である。配管Ｌ９，Ｌ１１が第１の供給経路の例であり、配管Ｌ８が戻し経路の例であり、バルブｖ５が第１の開閉装置の例であり、配管Ｌ５が排出経路の例であり、バルブｖ２が第２の開閉装置の例である。

メインコントローラ１１４が制御部の例であり、中間液面センサ２３２が第１の液面検出器の例であり、上限液面センサ２３１が第２の液面検出器の例であり、下限液面センサ２３３が第３の液面検出器の例である。処理液ボトル２１０が処理液貯留容器の例であり、トラップタンク２２０が第２のタンクの例であり、配管Ｌ４が第２の供給経路の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。

１１ インデクサブロック
１２ 第１の処理ブロック
１３ 第２の処理ブロック
１４ インターフェイスブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１５ 露光装置
１５ａ 基板搬入部
１５ｂ 基板搬出部
２１〜２４，３２，３４ 塗布処理室
２５，３５ スピンチャック
２７，３７ カップ
２８ ノズル
２９ ノズル搬送機構
３１，３３ 現像処理室
３８ スリットノズル
３９ 移動機構
４３，４５〜４７ 給気ユニット
４４，４８ 排気ユニット
５０，６０ 流体ボックス部
１００ 基板処理装置
１１１ キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３ 搬送部
１１３ キャリア
１１４ メインコントローラ
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６ 搬送機構
１１６ ハンド
１１７ 開口部
１２１ 塗布処理部
１２３，１３３ 熱処理部
１２５，１３５ 上段搬送室
１２６，１３６ 下段搬送室
１２９ 塗布処理ユニット
１３１ 塗布現像処理部
１３９ 現像処理ユニット
１４５ パッキン
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
２００ 処理液供給ユニット
２１０ 処理液ボトル
２２０ トラップタンク
２２１，２３１ 上限液面センサ
２２２，２３３ 下限液面センサ
２３０ 気液分離トラップタンク
２３２ 中間液面センサ
２４０，２６０ ポンプ
２５０ フィルタ
２５１ 流入部
２５２，２５３ 流出部
２８０ 気体供給源
３０１，３０３ 上段熱処理部
３０２，３０４ 下段熱処理部
３１１，３１２，３１３ ガイドレール
３１４ 移動部材
３１５ 回転部材
８００ ホストコンピュータ
１０００ 基板処理システム
ＣＰ 冷却ユニット
ＥＥＷ エッジ露光部
Ｈ１〜Ｈ６ ハンド
Ｌ１〜Ｌ１１ 配管
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２ 載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ載置兼冷却部
ＰＡＨＰ 密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９ 基板載置部
ＰＨＰ 熱処理ユニット
ＰＮ メインパネル
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄乾燥処理ユニット
ｖ０〜ｖ８ バルブ
Ｗ 基板

Claims (11)

1. 処理液を用いて基板に処理を行う処理部に処理液を供給する処理液供給装置であって、
   処理液を貯留する第１のタンクと、
   第１のタンクに処理液を供給する処理液供給系と、
   処理液から気泡を除去するフィルタと、
   前記第１のタンクから前記フィルタに処理液を供給する供給装置と、
   前記フィルタにより気泡が除去された処理液を前記処理部に導く第１の供給経路と、
   前記フィルタにより除去された気泡を含む処理液をフィルタから前記第１のタンクに導く第１の戻し経路と、
   前記第１の戻し経路を開閉する第１の開閉装置と、
   前記第１のタンク内の上部空間を外部に連通させる排出経路と、
   前記排出経路を開閉する第２の開閉装置と、
   基板の処理時と気泡の除去時とで前記第１の供給経路ならびに前記第１および第２の開閉装置を制御する制御部とを備え、
   前記制御部は、
   前記処理部における基板の処理時には、前記第１の開閉装置を閉状態にするとともに前記フィルタにより気泡が除去された処理液が前記処理部に供給されるように前記第１の供給経路を制御し、
   気泡の除去時には、前記第１の開閉装置を開状態にするとともに前記第２の開閉装置を閉状態にすることにより、気泡を含む処理液を前記フィルタから前記第１の戻し経路を通して前記第１のタンクに戻し、前記第１のタンク内に一定量の気体が蓄積されることにより前記第１のタンク内の処理液の液面が予め定められた第１の位置まで低下した場合に、前記第１の開閉装置を閉状態にするとともに前記第２の開閉装置を開状態にすることにより、前記第１のタンク内の処理液の液面を上昇させるとともに前記第１のタンク内に蓄積された気体を前記排出経路を通して外部に排出させることを特徴とする処理液供給装置。
2. 前記制御部は、前記第１のタンク内に貯留される処理液の液面が前記第１の位置よりも高い第２の位置に達した場合に、前記第２の開閉装置を閉状態にするとともに前記処理液供給系による前記第１のタンク内への処理液の供給を停止させることを特徴とする請求項１記載の処理液供給装置。
3. 前記第１のタンク内に貯留される処理液の液面が前記第１の位置まで低下したことを検出する第１の液面検出器と、
   前記第１のタンク内に貯留される処理液の液面が前記第２の位置まで上昇したことを検出する第２の液面検出器とをさらに備え、
   前記制御部は、前記第１の液面検出器により前記第１のタンク内の処理液の液面が前記第１の位置まで低下したことが検出された場合に、前記第１の開閉装置を閉状態にするとともに前記第２の開閉装置を開状態にし、前記第２の液面検出器により前記第１のタンク内に貯留される処理液の液面が前記第２の位置に達したことが検出された場合に、前記第２の開閉装置を閉状態にするとともに前記処理液供給系による前記第１のタンク内への処理液の供給を停止させることを特徴とする請求項２記載の処理液供給装置。
4. 前記制御部は、前記第１のタンク内に貯留される処理液の液面が前記第１の位置よりも低い第３の位置まで低下した場合に、前記第２の開閉装置を閉状態にするとともに前記供給装置を停止させることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の処理液供給装置。
5. 前記第１のタンク内に貯留される処理液の液面が前記第３の位置まで低下したことを検出する第３の液面検出器をさらに備え、
   前記第３の液面検出器により前記第１のタンク内の処理液の液面が前記第３の位置まで低下したことが検出された場合に、前記第２の開閉装置を閉状態にするとともに前記供給装置を停止させることを特徴とする請求項４記載の処理液供給装置。
6. 供給装置は、前記第１のタンクと前記フィルタとの間に設けられた第１のポンプを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の処理液供給装置。
7. 前記フィルタにより気泡が除去された処理液を圧送する第２のポンプと、
   前記第１のポンプと前記第２のポンプとの間に接続される第２の戻し経路とをさらに備え、
   前記制御部は、前記フィルタの立ち上げ時に、前記第２の戻し経路を通して前記フィルタにより気泡が除去された処理液を前記第１のポンプに導くように前記第２のポンプを制御する、請求項６記載の処理液供給装置。
8. 処理液供給系は、
   処理液を貯留する処理液貯留容器と、
   処理液貯留容器から供給される処理液を貯留する第２のタンクと、
   前記第２のタンク内の処理液を前記第１のタンクに導く第２の供給経路とを含み、
   前記処理液貯留容器内の処理液が加圧されることにより、前記処理液貯留容器内の処理液が前記第２のタンクおよび前記第２の供給経路を通して前記第１のタンクに供給されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の処理液供給装置。
9. 基板に処理液を用いた処理を行う処理部と、
   前記処理部に処理液を供給する請求項１〜８のいずれかに記載の処理液供給装置とを備えることを特徴とする基板処理装置。
10. 処理液を用いて基板に処理を行う処理部に処理液を供給する処理液供給装置における気泡の除去方法であって、
    前記処理液供給装置は、
    処理液を貯留する第１のタンクと、処理液から気泡を除去するフィルタと、前記第１のタンクから前記フィルタに処理液を供給する供給装置と、前記フィルタにより気泡が除去された処理液を前記処理部に導く第１の供給経路と、前記フィルタにより除去された気泡を含む処理液をフィルタから前記第１のタンクに導く戻し経路と、前記戻し経路を開閉する第１の開閉装置と、前記第１のタンク内の上部空間を外部に連通させる排出経路と、前記排出経路を開閉する第２の開閉装置とを含み、
    前記除去方法は、
    前記処理部における基板の処理時に、前記第１のタンク内の処理液を前記供給装置により前記フィルタに供給するステップと、
    前記処理部における基板の処理時に、前記第１の開閉装置を閉状態にするとともに前記フィルタにより気泡が除去された処理液を前記処理部に供給するステップと、
    気泡の除去時に、前記第１の開閉装置を開状態にするとともに前記第２の開閉装置を閉状態にすることにより、気泡を含む処理液を前記フィルタから前記戻し経路を通して前記第１のタンクに戻すステップと、
    気泡の除去時に、前記第１のタンク内に一定量の気体が蓄積されることにより前記第１のタンク内の処理液の液面が予め定められた第１の位置まで低下した場合に、前記第１の開閉装置を閉状態にするとともに前記第２の開閉装置を開状態にすることにより、前記第１のタンク内の処理液の液面を上昇させるとともに前記第１のタンク内に蓄積された気体を前記排出経路を通して外部に排出させるステップとを含むことを特徴とする気泡の除去方法。
11. 基板処理装置における基板処理方法であって、
    前記基板処理装置は、処理液を用いて基板に処理を行う処理部と、処理液を貯留する第１のタンクと、処理液から気泡を除去するフィルタと、前記第１のタンクから前記フィルタに処理液を供給する供給装置と、前記フィルタにより気泡が除去された処理液を前記処理部に導く第１の供給経路と、前記フィルタにより除去された気泡を含む処理液をフィルタから前記第１のタンクに導く戻し経路と、前記戻し経路を開閉する第１の開閉装置と、前記第１のタンク内の上部空間を外部に連通させる排出経路と、前記排出経路を開閉する第２の開閉装置とを含み、
    前記基板処理方法は、
    基板の処理時に、前記第１のタンク内の処理液を前記供給装置により前記フィルタに供給するステップと、
    基板の処理時に、前記第１の開閉装置を閉状態にするとともに前記フィルタから前記フィルタにより気泡が除去された処理液を前記第１の供給経路を通して前記処理部に供給するステップと、
    気泡の除去時に、前記第１の開閉装置を開状態にするとともに前記第２の開閉装置を閉状態にすることにより、前記気泡を含む処理液を前記フィルタから前記戻し経路を通して前記第１のタンクに戻すステップと、
    気泡の除去時に、前記第１のタンク内に一定量の気体が蓄積されることにより前記第１のタンク内の処理液の液面が予め定められた第１の位置まで低下した場合に、前記第１の開閉装置を閉状態にするとともに前記第２の開閉装置を開状態にすることにより、前記第１のタンク内の処理液の液面を上昇させるとともに前記第１のタンク内に蓄積された気体を前記排出経路を通して外部に排出させるステップとを含むことを特徴とする基板処理方法。

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