JP5919199B2 - ハニカム構造体 - Google Patents
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本発明のハニカム構造体の一の実施形態は、図1〜図4に示すハニカム構造体100のように、多孔質の隔壁1と最外周に位置する外周壁3とを有する筒状のハニカム構造部4と、ハニカム構造部4の側面5に配設された一対の電極部21,21とを備えている。隔壁1は、「流体の流路となる、一方の端面11から他方の端面12まで延びる」複数のセル2を区画形成するものである。ハニカム構造体100は、ハニカム構造部4の電気抵抗率が、1〜200Ωcmである。ハニカム構造体100の一対の電極部21,21のそれぞれは、ハニカム構造部4のセル2の延びる方向に延びる帯状に形成されている。ハニカム構造体100は、セル2の延びる方向に直交する断面において、一対の電極部21,21における一方の電極部21が、一対の電極部21,21における他方の電極部21に対して、ハニカム構造部4の中心Oを挟んで反対側に配設されている。更に、ハニカム構造体100は、電極部21が、この電極部21の最大厚さの0〜70%の厚さである部分(肉薄部25)を有するものである。図1は、本発明のハニカム構造体の一の実施形態を模式的に示す斜視図である。図2は、本発明のハニカム構造体の一の実施形態を模式的に示す正面図である。図3は、本発明のハニカム構造体の一の実施形態の、セルの延びる方向に平行な断面を示す模式図である。図4は、本発明のハニカム構造体の一の実施形態の、セルの延びる方向に直交する断面を示す模式図である。なお、図4においては、隔壁が省略されている。
次に、本発明のハニカム構造体の更に他の実施形態について説明する。図20〜図22に示されるように、本実施形態のハニカム構造体800は、上記実施形態のハニカム構造体300(図10参照)において、電気配線を繋ぐための電極端子突起部22が配設されたものである。電極端子突起部22は、ハニカム構造体800において、それぞれの電極部21,21の、セルの延びる方向に直交する断面における中央部であり、且つセルの延びる方向における中央部に配設されている。「セルの延びる方向に直交する断面における中央部」は、ハニカム構造部の周方向における中央部のことである。電極端子突起部22は、電極部21,21間に電圧を印加するために、電源からの配線を接続する部分である。このように、電極端子突起部22が配設されることにより、電極部に電圧を印加したときに、ハニカム構造部の温度分布の偏りを、より小さくすることができる。図20は、本発明のハニカム構造体の更に他の実施形態を模式的に示す正面図である。図21は、図20における、A−A’断面を示す模式図である。図22は、本発明のハニカム構造体の更に他の実施形態を模式的に示す側面図である。
次に、本発明のハニカム構造体の更に他の実施形態について説明する。本実施形態のハニカム構造体900は、上述した、図10に示される、本発明のハニカム構造体の更に他の実施形態(ハニカム構造体300)において、電極部21の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率をもつ導電体23が、電極部21の表面に配設されたものである。具体的には、ハニカム構造体900は、図23に示すような電極部21が形成され、かつ中央に位置する領域Mに導電体23が配設されたものである。電極部21は、セルの延びる方向に直交する断面において、「電極部の最大厚さの0〜70%の厚さである部分」が、中央に位置する領域Mには形成されず、中央に位置する領域M以外の領域に形成されている。従って、本実施形態のハニカム構造体900は、導電体23を有すること以外は、上記実施形態のハニカム構造体300(図10参照)と、同じ条件であることが好ましい。図23は、本発明のハニカム構造体の更に他の実施形態を模式的に示す正面図である。
次に、本発明のハニカム構造体の製造方法について説明する。上記本発明のハニカム構造体の更に他の実施形態である、ハニカム構造体800(図20〜図22参照)を製造する方法(以下、「製造方法(A)」と記す場合がある)を示す。
まず、炭化珪素粉末(炭化珪素)に、金属珪素粉末(金属珪素)、バインダ、界面活性剤、造孔材、水等を添加して成形原料を作製する。炭化珪素粉末の質量と金属珪素の質量との合計に対して、金属珪素の質量が10〜40質量%となるようにすることが好ましい。炭化珪素粉末における炭化珪素粒子の平均粒子径は、3〜50μmが好ましく、5〜20μmが更に好ましい。金属珪素(金属珪素粉末)の平均粒子径は、2〜35μmであることが好ましい。炭化珪素粒子及び金属珪素(金属珪素粒子)の平均粒子径はレーザー回折法で測定した値である。炭化珪素粒子は、炭化珪素粉末を構成する炭化珪素の微粒子である。金属珪素粒子は、金属珪素粉末を構成する金属珪素の微粒子である。尚、これは、ハニカム構造部の材質を、珪素−炭化珪素系複合材とする場合の成形原料の配合である。ハニカム構造部の材質を炭化珪素とする場合には、金属珪素は添加しない。
次に、電極部を形成するための電極部形成原料を調製する。電極部の主成分を、炭化珪素及び珪素とする場合、電極部形成原料は、炭化珪素粉末及び珪素粉末に、所定の添加物を添加し、混練して調製することが好ましい。なお、中央部及び拡張部からなる電極部を形成する場合には、中央部形成原料及び拡張部形成原料をそれぞれ調合する。中央部形成原料は、中央部の主成分を、炭化珪素及び珪素とする場合、炭化珪素粉末及び珪素粉末に、所定の添加物を添加し、混練して形成することが好ましい。拡張部形成原料は、拡張部の主成分を、炭化珪素及び珪素とする場合、炭化珪素粉末及び珪素粉末に、所定の添加物を添加し、混練して形成することが好ましい。
次に、電極端子突起部形成用部材を作製することが好ましい。電極端子突起部形成用部材は、ハニカム成形体に貼り付けられて、電極端子突起部となるものである。電極端子突起部形成用部材の形状は、特に限定されないが、例えば、図20〜図22に示すような形状に形成することが好ましい。そして、得られた電極端子突起部形成用部材を、電極部形成原料が塗布されたハニカム成形体の、電極部形成原料が塗布された部分に貼り付けることが好ましい。尚、ハニカム成形体の作製、電極部形成原料の調合、及び電極端子突起部形成用部材の作製の、順序はどのような順序でもよい。
次に、図23に示される、ハニカム構造体900の製造方法について説明する。ハニカム構造体900の製造方法は、上記製造方法(A)において、「乾燥後のハニカム成形体」を作製した後に、電極端子突起部形成用部材を貼り付けずに、導電体23を配設するものである。
炭化珪素(SiC)粉末と金属珪素(Si)粉末とを80:20の質量割合で混合した。これに、バインダとしてヒドロキシプロピルメチルセルロース、造孔材として吸水性樹脂を添加すると共に、水を添加して成形原料とした。その後、成形原料を真空土練機により混練し、円柱状の坏土を作製した。バインダの含有量は炭化珪素(SiC)粉末と金属珪素(Si)粉末の合計を100質量部としたときに7質量部であった。造孔材の含有量は炭化珪素(SiC)粉末と金属珪素(Si)粉末の合計を100質量部としたときに3質量部であった。水の含有量は炭化珪素(SiC)粉末と金属珪素(Si)粉末の合計を100質量部としたときに42質量部であった。炭化珪素粉末の平均粒子径は20μmであった。金属珪素粉末の平均粒子径は6μmであった。また、造孔材の平均粒子径は、20μmであった。炭化珪素、金属珪素及び造孔材の平均粒子径は、レーザー回折法で測定した値である。
プロパンガスバーナー試験機の金属ケース内にハニカム構造体を収納し、このプロパンガスバーナー試験機を用いてハニカム構造体の加熱冷却試験を行った。その際、ハニカム構造内の温度差の評価試験を行った。プロパンガスバーナー試験機は、プロパンガスを燃焼させるガスバーナーを用いて加熱ガスを供給することができるものである。
上記の「耐熱衝撃性」の試験を行う前のハニカム構造体の抵抗値を測定しておき、「耐熱衝撃性」の試験を行った後のハニカム構造体の抵抗値を測定する。「耐熱衝撃性」試験の前後の抵抗値の差が、「耐熱衝撃性」試験前のハニカム構造体の抵抗値の5%以内であれば、「抵抗変化」が「変化なし」である。上記抵抗値の差が「耐熱衝撃性」試験前のハニカム構造体の抵抗値の5%を超える場合は、「抵抗変化」が「変化あり」である。抵抗値の測定は、ハニカム構造体の電極端子突起部に配線して通電することにより行った。測定時には、ハニカム構造体に電圧印加電流測定装置をつなぎ、印加した。100〜200V印加し、電流値及び電圧値を測定した。得られた電流値及び電圧値からハニカム構造体電気抵抗率を算出し、通電中の最小となる抵抗値をハニカム構造体の抵抗値(抵抗)とした。大きなクラックが発生した場合に抵抗値が大きくなる。「抵抗変化」が「変化なし」の場合が合格であり、「抵抗変化」が「変化あり」の場合が不合格である。なお、表1中、本評価を「抵抗値」と示す。
まず、ハニカム構造体に200Vの電圧を印加し、通電試験を行った。そして、その際のハニカム構造体の最高温度を測定した。その後、以下の基準により、ハニカム構造体の発熱偏りを評価した。なお、上記ハニカム構造体の最高温度が200℃以下であれば、ハニカム構造体における温度分布の偏りが抑制された状態であるということができる。
ハニカム構造体の電極部及びハニカム構造部を、表1に示す値を満たすように変更したこと以外は、実施例1と同様にしてハニカム構造体を作製した。
Claims (5)
- 流体の流路となる一方の端面から他方の端面まで延びる複数のセルを区画形成する多孔質の隔壁と最外周に位置する外周壁とを有する筒状のハニカム構造部と、前記ハニカム構造部の側面に配設された一対の電極部とを備え、
前記ハニカム構造部の電気抵抗率が、10〜200Ωcmであり、
前記一対の電極部のそれぞれが、前記ハニカム構造部のセルの延びる方向に延びる帯状に形成され、
前記セルの延びる方向に直交する断面において、前記一対の電極部における一方の前記電極部が、前記一対の電極部における他方の前記電極部に対して、前記ハニカム構造部の中心を挟んで反対側に配設され、
前記電極部が、前記電極部の最大厚さの0〜70%の厚さである部分を有するものであり、
前記電極部の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率をもつ導電体が、前記電極部の表面に設置されたハニカム構造体。 - 前記電極部には、貫通孔が形成されている請求項1に記載のハニカム構造体。
- 前記電極部の最大厚さは、0.025〜3mmである請求項1または2に記載のハニカム構造体。
- 前記一対の電極部のそれぞれが、前記ハニカム構造部の両端部間に亘って形成された請求項1〜3のいずれか一項に記載のハニカム構造体。
- 前記電極部の電気抵抗率が、0.01〜100Ωcmである請求項1〜4のいずれか一項に記載のハニカム構造体。
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