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JP5956167B2 - 発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、発光素子を有する発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法に関する。
発光ダイオード等の発光素子上に蛍光体粒子を含む樹脂層からなる波長変換層を形成し、発光素子からの光の一部を波長変換層中の蛍光体粒子で異なる波長の光に変換し、蛍光体粒子による変換後の光を発光素子からの波長変換層を通過する光と混合して放出する発光装置が知られている。
このような発光装置においては、波長変換層で混合された光を透過する透明板状部材が波長変換層上に配置されている(例えば、特許文献1及び2参照)。更に、発光素子、波長変換層及び透明板状部材の各々の側面を反射樹脂等の材料からなる反射部材で覆って発光素子からの出射光を効率よく外部に取り出す構成が備えられている。
特開2010−192629号公報 特開2010−219324号公報
しかしながら、かかる発光装置の信頼性試験時には、長時間に亘って発光素子に対して発光のために連続的に通電を行う故に、発光素子の発熱によって発光装置の反射部材を構成する反射材料が加熱され、又は発光素子の発光によって光触媒作用が生じることとなり、その結果、反射部材から透明液状成分が表面に染み出す現象、すなわちオイルブリードが生じる。その透明液状成分の染み出し量が多い場合には、透明液状成分は反射部材表面だけに留まらず、透明板状部材の表面や発光装置のパッケージングまで流れ出てしまい、発光装置の外観上の悪化をもたらす結果となる。また、このような発光装置を車両用灯具等の灯具の光源として用いた場合には、灯具内に染み出した透明液状成分が所望の配光特性を崩すという問題が生じることがある。
また、このような発光装置を常温等の通常の使用温度で使用続けた場合においては経時変化による反射部材の劣化が考えられる。反射部材が劣化すると信頼性試験の際と同様にオイルブリードが生じて透明液状成分が表面に染み出すことが起き得るため、発光装置としての信頼性を損なうという問題もあった。
そこで、本発明の目的は、かかる点を鑑みてなされたものであり、経時変化による反射部材の劣化によって反射部材からの透明液状成分が発光装置の表面に染み出すことを防止して信頼性の高い発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法を提供することである。
本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に搭載された半導体発光素子、前記半導体発光素子上に配置されて蛍光体粒子を含有する波長変換層、及び前記波長変換層上に搭載された透光性プレートからなる発光構造体と、フィラーを含有する樹脂からなり前記発光構造体の側面に配置された反射部材と、を備え、樹脂からなり前記反射部材上に配置され前記透光性プレートの側面に接して前記反射部材を封止する透光性部材を有し、前記透光性部材は、前記反射部材の表面全体を覆い、前記透光性部材は、前記フィラーを含まないか、あるいは3wt%以下で含むことを特徴としている。
本発明の車両用灯具は、上記の発光装置を光源として備えた車両用灯具であって、前記発光装置からの光を照射方向に向けて投影して照射面上に投影像を形成する光学系を有することを特徴としている。
本発明の発光装置の製造方法は、基板上に配置された半導体発光素子と透光性プレートとの間に蛍光体粒子を含有する波長変換層を形成する第1工程と、前記半導体発光素子、前記波長変換層及び前記透光性プレートからなる発光構造体の側面に反射部材形成用の未硬化の樹脂からなる反射材料を充填する第2工程と、前記透光性プレートの側面に接して前記反射部材を封止するように樹脂からなる透光性部材を前記反射部材上に配置する第3工程と、を含み、前記透光性部材は、前記反射部材の表面全体を覆い、前記透光性部材は、前記フィラーを含まないか、あるいは3wt%以下で含むことを特徴としている。
本発明の発光装置及びその製造方法によれば、透光性部材が反射部材の表面全体を覆って反射部材を封止するように形成されているので、信頼性試験を施した場合に、発光素子の発光のために光触媒作用又は発光素子の発熱による加熱により反射部材においてオイルブリードの透明液状成分が生じても、その透明液状成分の装置表面への染み出し経路が透光性部材によって塞がれることになる。すなわち、フィラーが含まれていないために光触媒作用がない透光性部材が透明液状成分の装置表面へ染み出し経路に蓋をする働きをする。特に、反射部材として光触媒作用のある材料を用いる場合にはオイルブリードにより生じる透明液状成分が多くなるため透光性部材が透明液状成分の染み出し防止として有効に作用することが期待できる。よって、オイルブリードにより透明液状成分が装置表面に染み出してくることを防止することができる。この結果、経時変化による反射部材の劣化によって反射部材からの透明液状成分が発光装置の表面に染み出すことを防止して信頼性の高い発光装置を提供することができる。
本発明の車両用灯具によれば、発光装置において装置表面へのオイルブリードによる透明液状成分の流れ出しが防止されるので、発光装置を光源として備えた場合に透明液状成分による配光への悪影響が防止され、所望の配光特性を得ることができる。
本発明の実施例1の発光装置を示す断面図である。 実施例1の発光装置の信頼性試験を施した結果を従来例及び比較例1〜3と共に示す図である。 図2の比較例2で生じたクラックを示す断面図及び上面図である。 実施例1の発光装置の製造方法を示す断面図である。 図4の製造方法の続き部分を示す断面図である。 本発明の実施例2の発光装置を示す断面図である。 本発明の実施例3の発光装置を示す断面図である。 本発明の実施例4の発光装置を示す断面図である。 本発明の実施例5の発光装置を示す断面図である。 発光装置1〜5のいずれかを光源として備えた車両用灯具の構成を示す図である。 発光装置1〜5のいずれかを光源として備えた車両用灯具の構成を示す図である。 発光装置1〜5のいずれかを光源として備えた車両用灯具の構成を示す図である。
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。
(第1実施例)
図1は本発明の第1実施例として発光装置の断面図を示している。この発光装置においては、実装基板10上には、AIN(窒化アルミ)セラミックス等の材料からなるサブマウント基板11が接合剤12を介して配置されている。サブマウント基板11の大きさは実装基板10のそれより小さい。また、サブマウント基板11の上面には配線が形成されており、サブマウント基板11上には、2つのフリップチップタイプの半導体発光素子(以下、単に発光素子と称す)13が、各々複数のバンプ14により接合されることにより実装されている。2つの発光素子13は互いに同一のLED(発光ダイオード)からなり、所定の間隔だけ互いに離間されて配置されている。発光素子13の上面には、波長変換層15が設けられ、波長変換層15の上には透明板状部材(透光性プレート)16が設けられている。
波長変換層15の基材には、蛍光体粒子(図示せず)が高濃度で分散されている。その蛍光体粒子は発光素子13の発する光により励起され所定波長の蛍光を発する、例えば、YAG蛍光体粒子である。波長変換層15の基材としては、発光素子13の発する光と共に、蛍光体粒子が発する蛍光に対して透光性を有する材料が用いられる。基材は、透明樹脂等の有機材料であっても、ガラス等の無機材料であっても良い。例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を用いることができる。
また、波長変換層15においては、発光素子13の側面と透明板状部材16の下面とを接続する傾斜面150が形成されている。また、2つの発光素子13間においても発光素子13の側面間を直接結ぶ傾斜面150が形成されている。これら傾斜面150は図1に示したように波長変換層15側に若干窪んだ湾曲面でも良い。
透明板状部材16は2つの発光素子13を覆うように波長変換層15上に形成されている。透明板状部材16の上面が本発光装置の光取り出し面である。透明板状部材16としては、発光素子13の発する光、及び蛍光体粒子の発する蛍光に対して透光性を有するものを用いるが、所望の光学特性を有する透光性プレートであっても良い。例えば、特定の波長をカットする板状フィルターを透光性プレートとして用いることも可能である。また、発光素子13からの光を所望の波長光に変換する蛍光体成分を含有する蛍光ガラスプレートや、蛍光体原料を焼結して作製した蛍光セラミックスのプレート(例えば、YAGプレート)を用いることも可能である。
また、透明板状部材16の下面及び上面は平坦であるが、この平坦形状に限定されない。例えば、下面及び上面に光を拡散・配光等させるための微細な凹凸が形成されても良い。また、透明板状部材16の上面は、光取り出し面となるため、光の取り出し効率を向上させるために表面処理を施し加工しても良い。また、透明板状部材16の上面はレンズ形状に加工されていても良い。
また、実装基板10上には、サブマウント基板11と、発光素子13、バンプ14、波長変換層15及び透明板状部材16からなる発光構造体とを囲むように枠体17が配置されている。枠体17は例えば、セラミック又は反射樹脂からなり、透明板状部材16の上面位置に達する高さを有する。また、サブマウント基板11を含む発光構造体と枠体17との間の空間は第1層として反射部材18が配置されている。反射部材18はサブマウント基板11と発光素子13との間のバンプ14以外の空隙部分にも形成されている。
透明板状部材16と枠体17との間の反射部材18の上面には断面が湾曲した窪みが形成されており、その窪みを埋めるように第2層として透明部材(透光性部材)19が配置されている。透明部材19は発光装置を上面側、すなわち透明板状部材16側から見た場合に環状になっている。また、透明部材19はその環状の内周側で透明板状部材16と接触し、環状の外周側で枠体17と接して反射部材18を封止する。
反射部材18は、シリコーン樹脂や無機バインダを含む樹脂からなるベース部材に、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ジルコニア、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等のフィラーを含んでいる。反射部材18の硬さはA硬度(JIS)10〜60程度である。反射部材18は軟らかいほどシリコンオイル等の可塑剤を多く含むので、その可塑剤がオイルブリードの透明液状成分として出てくるので、透明液状成分の発生量を多くしないためには望ましくはA硬度30〜60程度であり、例えば、A硬度53である。
透明部材19は、反射部材18と同じベース部材からなり、上記した酸化物のフィラーを含んでおらず、オイルブリードを発生しない程度の可塑剤を若干含んでいる。透明部材19の硬さとしてはA硬度30〜60程度が望ましく、例えば、A硬度46が用いられる。また、透明部材19は完全に透明な部材に限らず、半透明或いは色付きの透光性を有する部材であれば良い。
かかる構成の実施例1の発光装置において、発光素子13から上方に放射された光は、波長変換層15に入射し、一部が蛍光体粒子によって所定の波長の光に変換され、蛍光体粒子によって変換されなかった光と混合されて透明板状部材16の上面から出射される。発光素子13の側面から出射される光は、波長変換層15に入射し、一部が蛍光体粒子によって所定の波長の光に変換され、波長変換層15の傾斜面150に向かう。その傾斜面150に向かった光のうちの傾斜面150又は反射部材18によって上方に反射された光が透明板状部材16の上面から出射される。
図2は実施例1の発光装置(1A及び1B)について信頼性試験を施した結果を従来例及び比較例と共に示している。信頼性試験では発光装置の発光素子へ通電によりジャンクション温度が165℃に設定された状態で1000時間の連続点灯が行われた。
実施例1Aでは反射部材18としてA硬度53の反射材料が用いられ、透明部材19としてはA硬度46の透明材料が用いられた。実施例1Bでは反射部材18としてA硬度10の反射材料が用いられ、透明部材19としてはA硬度46の透明材料が用いられた。
従来例は反射部材18に相当する反射部材の第1層がA硬度53で形成された発光装置であって透明部材19に相当する第2層はない。
また、比較例1〜3は、実施例1の反射部材18の位置部分に第1層と透明部材19の位置部分に第2層とを有する発光装置であるが、比較例1〜3各々の第1層及び第2層共に反射部材である。比較例1〜3各々の硬度は、比較例1では第1層:A硬度10,第2層:A硬度53、比較例2では第1層:A硬度53,第2層:A硬度75、比較例3では第1層:A硬度10,第2層:A硬度75である。なお、従来例及び比較例1〜3のその他の構成は図1の実施例1の発光装置と同一である。
図2に示した信頼性試験の結果から分かるように、実施例1A及び1Bについては透明液状成分の装置表面への染み出しがほとんど観察されず、またクラックの発生もなかった。他方、従来例及び比較例1〜3では透明液状成分の装置表面への染み出しが観察された。また、比較例2及び3では第2層にクラックが発生した。
ここで、第1層である反射部材の透明液状成分の染み出しの発生について考察する。先ず、その染み出す透明液状成分としては、反射部材の樹脂を軟らかくする効果を持つ可塑剤の成分が主成分と推定され、樹脂の硬化時にはベース部材とは反応することなく、反射部材内に別部材として存在している。反射部材が高温の雰囲気で発光素子の光に晒されると、結合しているメチル基の側鎖の分解が促され、切れた部分からその透明液状成分の染み出しが生じる。反射部材に混合されている上記のフィラーによる光触媒効果が更に分解を促進させている。酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブのように光触媒作用があるものの場合には特に分解が促進される。また、反射部材の樹脂はメチル基を有するもの以外にも分解されるような基、例えば、アルキル基やフェニル基を有するものでも同様に分解が促進されてしまう。
透明液状成分の染み出しが観察された従来例及び比較例1〜3では、熱源及び光源となる発光素子に近い部分で反射部材及び波長変換層と接している反射部材の部材が分解されている。
実施例1A及び1Bでは透明液状成分の染み出しがほとんど生じなかった理由としては、透明部材19にはフィラーが含有されていないので分解がないこと、及び透明部材19の可塑剤の含有量が少ないために透明液状成分の染み出し量が少なくなったことが考えられる。また、透明部材19にはフィラーが含有されていないことにより硬度が低いためにクラックが生じ難い。それ故に、反射部材18で生じた部材の分解が表面へ染み出す経路に蓋をしたことになり、透明部材19の表面において透明液状成分の染み出しがほとんど観察されなかったと推測される。
実施例1Bのように、第1層の反射部材18の硬度がA10程度の場合には、可塑剤が多い分だけ反射部材18で生じる部材の分解が多くなり、その結果、透明部材19の表面への染み出しが起きると推測したが、実際には透明液状成分の染み出しがほとんど観察されなかった。これは、やはり透明部材19が透明液状成分の表面へ染み出す経路に蓋をする働きをしたと考えられる。
比較例1では、上記したように第1層にA硬度10の反射部材が用いられ、第2層にA硬度53の反射部材が用いられている。この比較例1の場合には従来例と比べて透明液状成分の染み出し量が多くなった。これは、第1層の反射部材の硬さを下げるために第1層に多く含まれる可塑剤が染み出して透明液状成分となるので、第2層の染み出し量に加算されて表面への染み出し量が多くなったと推測される。このことから可塑剤が多いほど表面への透明液状成分の染み出し量も多くなると理解することができる。
比較例2では、上記したように第1層にA硬度53の反射部材が用いられ、第2層にA硬度75の反射部材が用いられている。この比較例2の場合には第2層にクラックが発生した。このクラックは第2層に可塑剤が少ない反射部材が用いられたために発生したと推測される。
クラックは比較例2の発光装置の場合には、その発光装置について図3(a)の断面図及び図3(b)の上面図に符号20で示すように、発光素子13に近い第2層19a部分で生じ易く、特に、第1層18aが透明板状部材16の側面と接している部分で生じると共に、透明板状部材16の側面から第2層19aを外枠17方向に延びるように生じる。これは、第2層19aがA硬度75の硬い樹脂であるので熱による膨張が起きたときに延びることなく割れたためにクラックが入り、第1層18aの反射部材において発生した透明液状成分が表面に染み出す経路の蓋をするには至らず、クラックが透明液状成分の表面への染み出す経路になってしまったと推測される。
比較例3では、比較例2と同様に、第2層のA硬度75の反射部材にクラックが発生した。よって、比較例3の透明液状成分の染み出しはそのクラックを介して、第1層のA硬度10の反射部材で大量に発生した透明液状成分が噴出してきたためと推測される。
このように実施例1の発光装置においては、反射部材18と比べてフィラーなしで可塑剤が少ない透明材料(樹脂)からなる透明部材19が反射部材18の上面を覆うことにより反射部材18を封止しているので、信頼性試験を施した場合に、発光素子13の発熱又は光触媒作用のために反射部材18においてオイルブリードにより透明液状成分が生じても、その透明液状成分の装置表面への染み出し経路が透明部材19によって塞がれることになる。すなわち、光触媒効果がない透明部材19が透明液状成分の装置表面へ染み出し経路に蓋をする働きをする。よって、経時変化による反射部材の劣化によりオイルブリードが生じて透明液状成分が装置表面に染み出すことを防止することができ、これにより信頼性の高い発光装置を得ることができる。
次に、実施例1の発光装置の製造方法について図4(a)〜(d)及び図5(a),(b)を用いて説明する。
(第1工程)
先ず、図4(a)に示すように、実装基板10上には、サブマウント基板11が接合剤12によって接着され、その後、サブマウント基板11上にの上面の配線パターンに、フリップチップタイプの発光素子13の素子電極をバンプ14を用いて各々接合して2つの発光素子13が実装される。
次に、波長変換層15の未硬化の基材が用意され、蛍光体粒子が予め定めた濃度で添加され、十分に混練することにより、基材中に一様に分散され、未硬化のペースト15bが得られる。このペースト15bは図4(b)のように、各発光素子13の上面に所定量だけ塗布(または滴下)され、そのペースト15bの上に、2つの発光素子13の上面を含む大きさの透明板状部材16を搭載する。図4(b)に矢印Aで示す方向に、透明板状部材16の自重、もしくは、必要に応じて透明板状部材16の上面に荷重をかけ、図4(c)に示すように発光素子13上面と透明板状部材16との間に所定の層厚でペースト15bの層が形成される。
また、ペースト15bは、発光素子13の側面の少なくとも一部を覆いつつ表面張力を保つことによって、発光素子13の側面と透明板状部材16の下面を接続する傾斜面150が形成される。更に、2つの発光素子13間においても発光素子13の側面間を直接結ぶペースト15bの傾斜面150が形成される。
ペースト15bを所定の硬化処理により硬化させることにより波長変換層15が形成される。この波長変換層15の形成までが第1工程である。
なお、この後の工程で波長変換層15の形状が変わらないのであれば、ペースト15bを完全に硬化させず、半硬化となる条件で硬化させても良い。
また、ペースト15b中に所定の粒径を有する粒子状のスペーサー(3つ以上)を混入させて発光素子13上面と透明板状部材16との間に所定の層厚が得られるようにしても良い。
更に、図4(d)に示すように、実装基板10上面に枠体17が接着剤によって接着される。枠体17は上記したようにサブマウント基板11と、発光素子13、バンプ14、波長変換層15及び透明板状部材16からなる発光構造体とを囲むように配置される。
(第2工程)
このサブマウント基板11を含む発光構造体と枠体17との間の空間に、図5(a)に示すように反射部材18のための未硬化の反射材料180が例えば、ポッティング方法により充填される。充填量は、反射材料180の表面が透明板状部材16の下面と同じ高さ程度が望ましい。実際には、反射材料180が透明板状部材16の下面と同じ高さまで充填されると、反射材料180は透明板状部材16の側面まで達して、透明板状部材16と枠体17との間で反射材料180の表面は表面張力により湾曲して窪んだ形状になる。その反射材料180の窪んだ部分181の底面が透明板状部材16の下面と同じ高さ位置になっていれば良い。未硬化の反射材料180は所定の硬化処理により硬化されて窪み部分を有する反射部材18として形成される。
なお、反射部材18の窪んだ部分の底面位置が透明板状部材16の下面より低いと、発光素子13の側面に接着している波長変換層15に接している反射部材18の厚みが薄くなる。こうなると、反射部材18を透過して出てくる光成分が多くなるため反射部材18で反射して透明板状部材16から出てくる光成分が少なくなり、発光装置の輝度が低下する。また、反射部材18を透過する成分が多いと、発光装置を車両用灯具に使用した場合に、カットオフライン(光照射面上に投影された光の明暗境界線)が出ないために良好な配光が得られない。
なお、反射材料180の充填にはポッティング方法に限らず、印刷方法等の他の方法を用いても良い。
(第3工程)
反射部材18の窪んだ部分には、例えば、ポッティング方法により図5(b)に示すように未硬化の透明材料190が充填される。透明材料190はその窪み部分を埋めて反射部材18を封止しかつ透明板状部材16の上面に掛からないように充填される。未硬化の透明材料190は所定の硬化処理により硬化されて透明部材19として形成される。以上により、実施例1の発光装置が製造される。
(第2実施例)
図6は本発明の第2実施例として発光装置の断面図を示している。この第2実施例の発光装置においては、サブマウント11上に枠体17が配置されており、第1実施例の実装基板10が備えられていない。枠体17は透明板状部材16の上面位置に達する高さを有する。
サブマウント基板11上において、発光素子13、バンプ14、波長変換層15及び透明板状部材16からなる発光構造体と枠体17との間の空間には反射部材18が形成されている。また、実施例1と同様に、透明板状部材16と枠体17との間の反射部材18の上面には断面が湾曲した窪みが形成されており、その窪みを埋めるように透明部材19が充填されることによって反射部材18を封止する構造が形成されている。
実施例2の発光装置のその他の構成は実施例1の発光装置と同一であり、実施例2の場合でも実施例1と同様の効果が得られる。
(第3実施例)
図7は本発明の第3実施例として発光装置の断面図を示している。この第3実施例の発光装置においては、透明板状部材16の側面に段差部16aが形成されており、透明板状部材16の上面の大きさがその下面の大きさより小さくされている。すなわち、透明板状部材16は凸状に形成されている。透明部材19はその端部が段差部16aに載ることにより透明板状部材16と接続している。
実施例3の発光装置のその他の構成は実施例1の発光装置と同一であり、実施例3の場合でも実施例1と同様の効果が得られる。実施例3では、特に、透明板状部材16と透明部材19との接続において図7から分かるように断面がL字の面において透明板状部材16と透明部材19とが接触しているので、反射部材18におけるオイルブリードにより生じた透明液状成分の装置表面への染み出し経路が透明部材19によって完全に封止されることになる。
また、実施例3の発光装置の製造方法は図4及び図5に示した実施例1の発光装置の製造方法と同様であるが、その製造段階では反射材料180の充填時に反射材料180の表面張力により透明板状部材16の側面全てが反射材料180で覆われてしまうことが防止され、透明材料190の充填時に透明材料190と透明板状部材16とを確実に接触させて反射部材18を完全に覆うことができる。
なお、実施例3においては、透明板状部材16の下面の大きさがその上面の大きさより小さくなるように段差部16aが形成されても良い。
(第4実施例)
図8は本発明の第4実施例として発光装置の断面図を示している。この第4実施例の発光装置においては、透明板状部材16の側面に凹部16bが形成され、透明部材19の凸状の端部がその凹部16bに入り込むことにより透明板状部材16と透明部材19とが接続している。
実施例4の発光装置のその他の構成は実施例1の発光装置と同一であり、実施例4の場合でも実施例1と同様の効果が得られる。実施例4では、特に、透明板状部材16と透明部材19との接続において図8から分かるように透明板状部材16の側面が凹状にされ、透明部材19の側面が凸状にされ、その凹凸が嵌まり合うことにより透明板状部材16と透明部材19とが接触しているので、反射部材18におけるオイルブリードにより生じた透明液状成分の装置表面への染み出し経路が透明部材19によって完全に塞がれることになる。
また、実施例4の発光装置の製造方法は図4及び図5に示した実施例1の発光装置の製造方法と同様であるが、その製造段階では反射材料180の充填時に反射材料180の表面張力により透明板状部材16の側面全てが反射材料180で覆われてしまうことが防止され、透明材料190の充填時に透明材料190と透明板状部材16とを確実に接触させて反射部材18を完全に覆うことができる。
なお、実施例4においては、透明板状部材16の側面が凸状にされ、透明部材19の側面が凹状にされても良い。
また、上記した各実施例1〜4においては、反射部材18の上面の窪みを埋めるように透明部材19が配置されているが、本発明はこれに限定されず、反射部材の上面に窪みがなくても良く、反射部材の平坦な上面を覆うように透明部材19が配置されても良い。
(第5実施例)
図9は本発明の第5実施例として発光装置の断面図を示している。この第5実施例の発光装置においては、サブマウント基板11を含む発光構造体(発光素子13、バンプ14、波長変換層15及び透明板状部材16)と枠体17との間に反射部材28と透明部材29とが一体に形成されている。透明部材29では反射部材28に比べてフィラーの含有率が少ない。
第5実施例の発光装置の製造方法では、図5(a)に示したサブマウント基板11を含む発光構造体と枠体17との間に充填された未硬化の反射材料180を、遠心分離機(図示せず)で反射材料180内のフィラーを沈降させることが行われる。反射材料180を注入後、遠心分離機によってフィラーを沈降させ、その後、50℃程度にて約1時間に亘って温める。こうすることにより、反射部材28と透明部材29とに2層にすることができる。なお、この第5実施例の反射材料180としては20〜30wt%のフィラーを混合した反射部材を用いることができる。沈降によって透明部材29はフィラーが3wt%以下になるようにすることが好ましい。また、遠心分離機の分離動作時間及び回転数、更に、50℃の加熱時間に応じて反射部材28及び透明部材29の透明度を調整することができる。
実施例5の発光装置のその他の構成は実施例1の発光装置と同一であり、実施例5の場合でも実施例1と同様の効果が得られる。実施例5では、特に、反射部材28と透明部材29とが一体に形成されているので、2層を個別に形成した場合の層間の界面での剥離といった不具合を防止することができる。
なお、上記した各実施例においては、複数の発光素子が配置された発光装置が示されているが、本発明はこれに限定されず、単一の発光素子が配置された発光装置にも当然適用することができる。
また、上記した各実施例においては、発光素子としてLEDが用いられているが、本発明はLED以外の有機EL(エレクトロルミネセンス)素子等の他の半導体発光素子を用いることができる。更に、発光素子としてはフリップチップタイプの発光素子に限らず、本発明はワイヤーボンディングでサブマウント基板上のパターンと接続する方式の発光素子を用いても良いことは勿論である。
(車両用灯具1)
図10は、上記した本発明の実施例1〜5に係る発光装置のいずれかを光源として備えた車両用灯具101(リフレクタ型)の構成を示す図である。
発光装置30(実施例1〜5に係る発光装置)は、光取り出し面が図10において下方を向くように配置されている。光学系を形成するリフレクタ210は、回転放物面を形成する光反射面を有し、その焦点位置が発光装置30の近傍に設定されている。リフレクタ210の反射面は、複数の単位反射面からなるいわゆるマルチリフレクタを構成している。リフレクタ210は、光反射面が投影方向後方側から投影方向前方側に亘る範囲において発光装置30を囲むように発光装置30の下方側に配置され、発光装置30からの光を投影方向に向けて反射させる。
(車両用灯具2)
図11は、上記した本発明の実施例1〜5に係る発光装置のいずれかを光源として備えた車両用灯具102(プロジェクター型)の構成を示す図である。
発光装置30は、光取り出し面が図11において上方を向くように配置されている。光学系を形成するリフレクタ210は、回転放物面を形成する光反射面を有し、その第1の焦点位置が発光装置30の近傍に設定され、第2の焦点位置がシェード220の上端縁近傍に設定されている。リフレクタ210の光反射面は、複数の単位反射面からなるいわゆるマルチリフレクタを構成している。リフレクタ210は、光反射面が投影方向後方側から投影方向前方側に亘る範囲において発光装置30を囲むように発光装置30の上方側に配置され、発光装置30からの光を投影方向に向けて反射させる。
シェード220は、リフレクタ210からの反射光の一部を遮光してカットオフラインを形成する遮光部材である。シェード220は、発光装置30及びリフレクタ210と、投影レンズ230の間であって、その上端縁が投影レンズ230の焦点に位置するように配置されている。投影レンズ230は、リフレクタ210からの反射光を拡大投影する。
(車両用灯具3)
図12は、上記した本発明の実施例1〜5に係る発光装置のいずれかを光源として備えた車両用灯具103(ダイレクトプロジェクション型)の構成を示す図である。
発光装置30は、光取り出し面が投影方向前方を向くように配置されている。発光装置30の光は、光反射面を介することなく投影方向前方に配置された投影レンズ230に直接照射される。
シェード220は、発光装置30からの光の一部を遮光してカットオフラインを形成する遮光部材である、シェード220は、発光装置30と投影レンズ230の間であって、その上端縁が投影レンズ230の焦点に位置するように配置されている。投影レンズ230は、発光装置30からの光を鉛直方向において反転投影するとともに水平方向に引き延ばしたような投影像を形成する。
10 実装基板
11 サブマウント基板
13 発光素子
14 バンプ
15 波長変換層
16 透明板状部材
17 枠体
18 反射部材
19 透明部材
30 発光装置

Claims (11)

  1. 基板と、
    前記基板上に搭載された半導体発光素子、前記半導体発光素子上に配置されて蛍光体粒子を含有する波長変換層、及び前記波長変換層上に搭載された透光性プレートからなる発光構造体と、
    フィラーを含有する樹脂からなり前記発光構造体の側面に配置された反射部材と、を備え、
    樹脂からなり前記反射部材上に配置され前記透光性プレートの側面に接して前記反射部材を封止する透光性部材を有し、
    前記透光性部材は、前記反射部材の表面全体を覆い、
    前記透光性部材は、前記フィラーを含まないか、あるいは3wt%以下で含むことを特徴とする発光装置。
  2. 前記反射部材の上面は窪みを有し、前記窪みを埋めるように前記透光性部材が配置されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  3. 前記透光性プレートは側面に段差部を有し、前記段差部に前記透光性部材が接続していることを特徴とする請求項1又は2記載の発光装置。
  4. 前記透光性プレートは側面において前記透光性部材と凹凸構造をもって接続していることを特徴とする請求項1又は2記載の発光装置。
  5. 前記透光性部材はA硬度30〜60の範囲内の透明材料からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1記載の発光装置。
  6. 前記反射部材と前記透光性部材とは一体に形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  7. 前記基板は、前記発光構造体がサブマウント基板を介して搭載された実装基板であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1記載の発光装置。
  8. 請求項1ないし7のいずれか1つに記載の発光装置を光源として備えた車両用灯具であって、
    前記発光装置からの光を照射方向に向けて投影して照射面上に投影像を形成する光学系を有することを特徴とする車両用灯具。
  9. 基板上に配置された半導体発光素子と透光性プレートとの間に蛍光体粒子を含有する波長変換層を形成する第1工程と、
    前記半導体発光素子、前記波長変換層及び前記透光性プレートからなる発光構造体の側面に反射部材形成用の未硬化の樹脂からなる反射材料を充填する第2工程と、
    前記透光性プレートの側面に接して前記反射部材を封止するように樹脂からなる透光性部材を前記反射部材上に配置する第3工程と、を含み、
    前記透光性部材は、前記反射部材の表面全体を覆い、
    前記透光性部材は、前記フィラーを含まないか、あるいは3wt%以下で含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
  10. 前記第2工程においては前記反射材料の充填後、前記反射材料を硬化させ、
    前記第3工程においては未硬化の前記反射材料の表面張力により形成された窪みを埋めるように透明材料を充填し、充填した前記透明材料を硬化させて前記透光性部材を形成することを特徴とする請求項9記載の発光装置の製造方法。
  11. 前記第3工程においては遠心分離機で前記反射材料内のフィラーを沈降させ、前記フィラーの沈降後の前記反射材料を硬化させて前記反射部材と前記透光性部材とを形成することを特徴とする請求項9記載の発光装置の製造方法。
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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6444299B2 (ja) * 2013-04-17 2018-12-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6210767B2 (ja) * 2013-07-17 2017-10-11 オリンパス株式会社 光源装置
JP6282438B2 (ja) 2013-10-18 2018-02-21 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP6438648B2 (ja) * 2013-11-15 2018-12-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
CN105874615B (zh) * 2014-01-09 2020-01-03 亮锐控股有限公司 具有反射性侧壁的发光器件
WO2015157178A1 (en) * 2014-04-07 2015-10-15 Crystal Is, Inc. Ultraviolet light-emitting devices and methods
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
TWI557952B (zh) 2014-06-12 2016-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光元件
JP6302762B2 (ja) * 2014-06-23 2018-03-28 スタンレー電気株式会社 発光装置および照明装置
JP6374723B2 (ja) 2014-07-25 2018-08-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP6378595B2 (ja) 2014-09-19 2018-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置
JP6484982B2 (ja) * 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6369266B2 (ja) * 2014-09-30 2018-08-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
KR20160056089A (ko) 2014-11-11 2016-05-19 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
JP2016092364A (ja) 2014-11-11 2016-05-23 スタンレー電気株式会社 発光装置及び灯具
JP6564206B2 (ja) * 2015-03-09 2019-08-21 スタンレー電気株式会社 発光装置
TWI657597B (zh) 2015-03-18 2019-04-21 新世紀光電股份有限公司 側照式發光二極體結構及其製造方法
JP2016181689A (ja) 2015-03-18 2016-10-13 新世紀光電股▲ふん▼有限公司Genesis Photonics Inc. 発光ダイオード及びその製造方法
JP6554914B2 (ja) * 2015-06-01 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
JP6481559B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9922963B2 (en) * 2015-09-18 2018-03-20 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device
JP6615557B2 (ja) * 2015-09-30 2019-12-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6278035B2 (ja) * 2015-11-27 2018-02-14 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
EP3174110B1 (en) * 2015-11-30 2020-12-23 Nichia Corporation Light emitting device
JP6332294B2 (ja) * 2015-11-30 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6399017B2 (ja) 2016-02-29 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6920859B2 (ja) * 2016-04-04 2021-08-18 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102016208489A1 (de) * 2016-05-18 2017-11-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils und optoelektronisches bauteil
DE102016114474A1 (de) * 2016-08-04 2018-02-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil mit einem lichtemittierenden Bauelement
EP3507839B1 (en) * 2016-09-01 2021-11-24 Lumileds LLC White-appearing semiconductor light-emitting devices having a temperature sensitive particle layer
US11081628B2 (en) 2016-09-01 2021-08-03 Lumileds Llc White-appearing semiconductor light-emitting devices having a temperature sensitive low-index particle layer
JP6934712B2 (ja) * 2016-09-20 2021-09-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び車両用灯具
CN107946441A (zh) * 2016-10-12 2018-04-20 亿光电子工业股份有限公司 发光装置及发光二极管封装结构
TWI651870B (zh) 2016-10-19 2019-02-21 新世紀光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
DE102017125413A1 (de) * 2016-11-01 2018-05-03 Nichia Corporation Lichtemitierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
CN108878625B (zh) 2017-05-12 2023-05-05 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
JP7014948B2 (ja) 2017-06-13 2022-02-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
TW201919261A (zh) 2017-11-05 2019-05-16 新世紀光電股份有限公司 發光裝置
TW202249306A (zh) 2017-11-05 2022-12-16 新世紀光電股份有限公司 發光裝置
JP7139111B2 (ja) * 2017-12-22 2022-09-20 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
WO2020003789A1 (ja) 2018-06-29 2020-01-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
US11043621B2 (en) 2018-07-09 2021-06-22 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
JP7453553B2 (ja) 2018-12-28 2024-03-21 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6680349B1 (ja) * 2018-12-28 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
JP6822526B2 (ja) * 2019-07-11 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
JP7277760B2 (ja) 2019-08-19 2023-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7372526B2 (ja) * 2019-09-24 2023-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光モジュールの製造方法
CN110690337B (zh) * 2019-09-29 2021-07-09 维沃移动通信有限公司 一种闪光灯结构及电子设备
JP7417067B2 (ja) * 2020-01-30 2024-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7193740B2 (ja) * 2020-04-17 2022-12-21 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光モジュールの製造方法
JP7060819B2 (ja) * 2020-07-01 2022-04-27 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3585781B2 (ja) 1999-08-31 2004-11-04 株式会社東芝 立体表示装置
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2004027492A1 (ja) 2002-09-19 2004-04-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 表示装置および表示装置を備えた電子機器
JP2004314856A (ja) 2003-04-17 2004-11-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 車輌用ヘッドライト制御装置
JP2006269448A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Stanley Electric Co Ltd Led
JP2010199547A (ja) * 2009-01-30 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
JP5278023B2 (ja) * 2009-02-18 2013-09-04 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP5326705B2 (ja) * 2009-03-17 2013-10-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5612292B2 (ja) 2009-10-06 2014-10-22 スタンレー電気株式会社 光照射装置及び光偏向液晶セルの製造方法
JP5340879B2 (ja) 2009-10-13 2013-11-13 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP5395684B2 (ja) 2010-01-18 2014-01-22 スタンレー電気株式会社 光偏向装置
JP2011204376A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP5572013B2 (ja) * 2010-06-16 2014-08-13 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2012033823A (ja) 2010-08-02 2012-02-16 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP5622494B2 (ja) 2010-09-09 2014-11-12 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5751787B2 (ja) 2010-09-28 2015-07-22 スタンレー電気株式会社 光偏向液晶素子、投射型ディスプレイおよびブレ補正撮像装置

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