JP5838131B2 - タッチオンレンズデバイスを製造するための方法 - Google Patents
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Description
本発明は、タッチデバイスに関し、特にタッチオンレンズ（ＴＯＬ）デバイス及びタッチオンレンズデバイスを製造するための方法に関する。
静電容量方式のタッチデバイスは、一般的にＸ軸及びＹ軸の透明電極を含む。ユーザがデバイスに接触すると、接触点のキャパシタンスが充電され、そしてシステムがキャパシタンスの変化を検出することによって接触点の位置を決定する。
図１Ａは、カバーレンズ１１及び接触基板１２を主と成す静電容量方式のタッチデバイスの積み重ねを抽象的に示している。透明電極を含む接触層は、接触基板１２の一側又は両側に形成されている。図１Ｂは、接触基板を省略し、そして、薄いタッチデバイスを形成するためにガラス基板を加えることなく、カバーレンズ１１上にＩＴＯ層のような接触層１３を直接に配置したタッチオンレンズ（ＴＯＬ）デバイスの積み重ねを抽象的に示している。
通常、現存のタッチオンレンズ（ＴＯＬ）デバイスを製造するための２つの方法がある。第１の方法は、小さいレンズ片、即ちタッチパネルのサイズにレンズ片を強固し、そして、タッチユニットと別の積層構造とをフォトエッチング工程を介してレンズ上に積層する。第２の方法は、接触層と別の積層構造とをフォトエッチング工程によって強化ガラスの大きな母材上に積層し、ガラス母材の切断及び端部研磨等の工程を介して、ガラス母材を所定のサイズのタッチパネルに切断する。しかしながら、上述の２つの方法はいくつかの欠点がある。例えば、第１の方法は、１つの片を作成する費用が高価で、大量生産の効率が低く、経済的利益に見合わない。第１の方法と比較して、第２の方法によって１つの片を作成する費用は安価で、大量生産の効率が高いが、切断工程の後、端部強化工程がなければ、ガラスの力学的性質が弱くなる。
また、他の従来の製造方法は、ＰＥＴ（エチレンテレフタレート）接触母材を形成するために、プリント工程を介してＰＥＴフィルム上に接触層の検出パターンを形成し、そして、タッチサブパネルを形成するために、ＰＥＴ接触母材を所定のサイズのタッチパネルに切断し、最後に、対応するサイズの強化レンズ上にタッチサブパネルを積層する。上述の２つの製造方法と比較して、当該製造工程は、大量生産の効率が高く、力学的性質が良い。しかしながら、例えば高温耐熱、硬さの弱さ等のＰＥＴフィルムの特性によって制限され、接触検出パターンは、一般的にフォトエッチング工程を介するよりも、プリント工程を介して形成される。しかし、接触検出パターンをプリントする工程において、プリントデバイス、プリントインク、及びプリント技術等の影響により、プリント方法によって形成される接触検出パターンの線幅が広くなり、回路の視認性及び製品の外観に影響を与える。さらに、一般的なＰＥＴフィルムの厚さは２５μｍ〜３５０μｍであり、薄いタッチパネルを形成する可能性を低くしている。
従来のタッチオンレンズ（ＴＯＬ）デバイス及び製造方法の欠点を考慮して、上述の問題を解決することができる、新たなタッチオンレンズ（ＴＯＬ）デバイス及び当該タッチオンレンズデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
本開示の形態の目的は、タッチオンレンズ（ＴＯＬ）デバイス及びタッチオンレンズデバイスを製造するための方法を提供する。フォトエッチング工程を介してプラスチック層上の広い領域に接触層を形成し、タッチオンレンズデバイスの大量生産性、機械的強度、及び回路の視認性等の現存する問題を、切断技術を介して改善する。
本開示の一形態において、タッチオンレンズデバイスを製造するための方法は、（１）基板上にプラスチック層を形成し、（２）接触層とプラスチック層とでタッチフィルムを形成するために、プラスチック層上に接触層を形成し、（３）タッチフィルムと基板とを分離し、（４）複数のタッチモジュールを形成するためにタッチフィルムを切断し、（５）タッチモジュールに強化レンズを積層する。
一形態において、プラスチック層は、ポリイミド（ＰＩ）層又はポリエステルイミド層である。
異なる形態において、接触層は、フォトエッチング工程によって形成される検出パターンを含む。
さらに、タッチオンレンズデバイスは、プラスチック層と基板との間に形成される剥離層を含み、シリコンベース又はＦ（フッ素）ベースの化合物で作り上げられている。
また、基板と剥離層との間の接着強度は、剥離層とプラスチック層との間の接着強度の少なくとも３倍である。
さらに、タッチフィルムは、緩衝層をさらに含み、緩衝層は、接触層とプラスチック層との間に形成されており、誘導体又はシリコンの化合物で作り上げられている。
本開示の一形態において、プラスチック層の厚さは、２５μｍ以下である。
一形態において、タッチオンレンズデバイスを製造するための方法は、強化レンズ上にマスク層を形成し、マスク層及びタッチモジュールは、強化レンズの同じ側に配置されている。
本開示の他の形態に係るタッチオンレンズデバイスを製造するための方法は、（１）母材上にプラスチック層を形成し、（２）母材、プラスチック層及び接触層でタッチアセンブリを形成することができるように、プラスチック層上に接触層を形成し、（３）複数のタッチサブアセンブリを形成するためにタッチアセンブリを切断し、（４）タッチサブアセンブリを強化レンズに積層し、（５）切断した後に、母材を分離する。
また、プラスチック層は、ポリイミド（ＰＩ）層又はポリエステルイミド層である。
また、接触層は、フォトエッチング工程によって形成される検出パターンを含む。
タッチアセンブリは、プラスチック層と母材との間に形成される剥離層をさらに含み、シリコンベース又はＦ（フッ素）ベースの化合物で作り上げられている。
タッチアセンブリは、接触層とプラスチック層との間に形成される緩衝層をさらに含み、誘導体又はシリコンの化合物で作り上げられている。
また、タッチアセンブリのプラスチック層及び接触層は、タッチフィルムを構成し、タッチサブアセンブリは、母材及びタッチフィルムの切断後に形成されるタッチモジュールを含む。ステップ（４）の積層工程において、タッチサブアセンブリのタッチモジュールを強化レンズに積層する。
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タッチオンレンズデバイスを製造するための方法は、強化レンズ上にマスク層を形成し、マスク層及びタッチモジュールは、強化レンズの同じ側に配置されている。
本開示の異なる形態に係るタッチオンレンズデバイスは、強化レンズと、強化レンズに積層され、タッチフィルムを切断することで形成されるタッチモジュールと、を備え、タッチモジュールは、接触層とプラスチック層とを含み、プラスチック層の厚さは２５μｍ以下である。
本開示の一形態において、プラスチック層の厚さは、１０〜２０μｍである。
本開示の一形態において、プラスチック層の厚さは、０．５〜１０μｍである。
さらに異なる形態において、プラスチック層は、ポリイミド（ＰＩ）層又はポリエステルイミド層である。
形態において、接触層は、フォトエッチング工程によって形成される検出パターンを含む。
また、タッチフィルムは、接触層とプラスチック層との間に形成される緩衝層をさらに含み、誘導体又はシリコンの化合物で作り上げられている。
タッチオンレンズデバイスは、マスク層をさらに含み、マスク層及びタッチモジュールは、強化レンズの同じ側に形成されている。
本開示は上述の方法を採用し、即ち先ず基板上にプラスチック層を形成し、そしてプラスチック層上に接触層を形成し、最後に強化レンズを切断した後に接触層を積層し、本開示は第１に切断する方法を採用し、そして接触層を積層し、本方法は、高い力学的強度を維持するだけでなく、大量生産の効率を高めることができる。また、本開示は検出パターンを形成するためにフォトエッチング工程を採用し、外観が美しくなるように薄い回路を形成することができる。
図２Ａ乃至図２Ｆは、本開示の第１の形態に係る工程における、タッチオンレンズデバイスの積み重ねの図を抽象的に示している。本明細書及び図面において、上側が接触表面の方向である。図面に示される各層の厚さは、実際の縮尺に従って示されていない。一方、図面は本形態に係る主要な層のみを示し、他の層は必要性に応じて層の間に配置される。
図２Ａに示すように、透明プラスチック層２２は、基板２１上に形成されている。基板２１は、ガラス基板、プラスチックフィルム、又は他の固い基板であり、当該基板２１は、他の工程で再び用いることができるように、他の部材から分離されている。本形態において、プラスチック層２２は、ポリイミド（ＰＩ）層又はポリエステルイミド層であり、基板から容易に分離することができる、（ＳｉＯ２のような）セラミック薄膜等の他のプラスチックでも良い。少なくともプラスチック層２２の材料である、一般的なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に比べて、ポリイミド（ＰＩ）を用いることは、以下の効果がある。将来、基板２１から分離することが比較的容易く、高温耐熱、及び光学的性質が良い。プラスチック層２２の材料である、一般的なＰＥＴに比べて、ポリエステルイミドを用いることは、少なくとも以下の効果がある。例えば、機械的強度が高く、透過率が高く、耐化学性が高く、弱酸性（例えば汗）による侵食から接触層（２３、２４、２５）を効果的に保護することができる。好ましくは、プラスチック層２２の厚さは、２５μｍ以下である。さらに好ましくは、プラスチック層２２の厚さは、１０〜２２μｍである。最も好ましくは、プラスチック層２２の厚さは、０．５〜１０μｍである。
一般的に、プラスチック層２２の厚さの薄型化は、タッチパネルの光透過率を良くし、タッチパネルの薄型化にも寄与する。一般的なタッチオンレンズデバイスに比べて本形態のデバイスは、比較的薄いプラスチック層２２を備え、そのため薄いタッチオンレンズ（ＴＯＬ）デバイスを形成することができる。一方、より容易に分離するために、プラスチック層２２を形成する前に基板２１上に高い接触角の材料を堆積して覆い、プラスチック層２２を基板２１上に形成することができる。
また、ＩＴＯ層又はこれに限定されるものではない透明電極層２３は、プラスチック層２２上に形成される。図３Ａは、本形態に係る電極層２３を示し、電極層２３は、第１の軸（例えばＹ軸）に沿って配置され、第１の軸に沿って互いに接続される複数の第１の電極２３Ａと、第２の軸（例えばＸ軸）に沿って配置され、互いに接続されない複数の第２の電極２３Ｂと、を含む。電極層２３の検出パターンは、フォトエッチング工程によって形成することができる。フォトエッチング工程は、フォトレジストの塗布、露光、現像、ベーキング、エッチング、剥離、及び他の工程を含む。
ポリイミド（ＰＩ）層又はこれに限定されるものではない透明絶縁層２４は、電極層２３上に形成される。図３Ｂは、本開示に係る絶縁層２４を示し、絶縁層２４は、第２の軸（例えばＸ軸）に沿って隣接する第２の電極２３Ｂの間の被覆領域である複数の絶縁ブロック２４Ａを含む。
スパッタリングした金属配線層又はこれに限定されるものではない導線層２５は、絶縁層２４上に形成される。図３Ｃは、本形態に係る導線層２５を示し、導線層２５は、第２の軸（例えばＸ軸）に沿って隣接する第２の電極２３Ｂを電気的に接続するために、絶縁ブロック２４Ａを夫々跨ぐ複数の配線セグメント２５Ａと、第１の軸の電極と第２の軸の電極とを電気的に接続するために用いられ、タッチオンレンズ（ＴＯＬ）デバイスの縁に配置される複数の配線２５Ｂと、を含む。導線層２５のパターンは、フォトエッチング工程によって形成することができる。電極層２３、絶縁層２４及び導線層２５は、単層の接触層と共に形成されている。本形態では、電極層２３の材料がＩＴＯの場合、単層の接触層は単層（ｓｉｎｇｌｅ−ｌａｙｅｒ）ＩＴＯ（ＳＩＴＯ）と呼ぶ場合がある。電極層２３、絶縁層２４及び導線層２５は、本形態の接触層を構成しているが、本開示の接触層は、上述の構成及び配置方法に限定されない。プラスチック層２２及び接触層（２３、２４、２５）はタッチフィルムを形成し、接触層（２３、２４、２５）は、タッチパネルの所定のサイズに合うサイズの複数のタッチユニットを含む。
本形態において、保護層２６は、導線層２５上に形成することができる。保護層２６は、電極層２３、絶縁層２４及び導線層２５を保護するだけでなく、これらの酸化及び侵食を防ぐ。
また、剥離層２１０は、例えばコーティング技術を用いて、基板２１とプラスチック層２２との間に形成することができる。剥離層２１０は、シリコンベース又はＦ（フッ素）ベースの化合物によって形成することができるが、この限りでない。一形態において、プラスチック層２２は、ポリエステルイミド層であり、剥離層２１０上にモノマーをコーティング（例えばスピンコーティング）し、そして硬化工程を介して処理することによって形成される。一形態において、基板２１と剥離層２１０との間の接着強度は、剥離層２１０とプラスチック層２２との間の接着強度より高く（約３倍）、剥離層２１０が基板２１上に保持されている間、外力によってプラスチック層２２を剥離層２１０から簡単に分離することができる。
また、緩衝層２２０は、例えば蒸着技術を用いて、プラスチック層２２と電極層２３との間に形成することができる。緩衝層２２０は、誘導体又は窒化ケイ素、酸化ケイ素等のシリコンの化合物によって形成することができるが、この限りでない。好ましい形態において、緩衝層２２０の厚さは、１０ｎｍ（ナノメートル）又は２００ｎｍ以上である。緩衝層２２０を配置することで、プラスチック層２２と接触層（２３、２４、２５）との間の接着強度が増加し、そしてプラスチック層２２の表面張力を緩和することができる。
また、タッチフィルム２２〜２５及び基板２１は、図２Ｂに示す構造を形成するために分離することができる。図２Ｃに示すように、タッチフィルムは、各タッチユニットがタッチモジュールを形成することができるように切断され、各タッチジュールは、その後の工程を介して独立したタッチパネルを形成することができる。一般的な１つのユニットによって１つのユニットを製造する方法に比べて、本形態は、プラスチック層２２上でタッチパネルの所定のサイズに合うサイズに複数のタッチユニットを形成し、そして形成されたタッチユニットを切断し、タッチオンレンズ（ＴＯＬ）デバイスの大量生産の効率の向上、及び生産性の向上に寄与できる。
また、図２Ｃに示す積層構造を形成する前又は後に、強化レンズ２７（以下、カバーレンズと呼ぶ場合がある。）を図２Ｄに示すようにさらに備えることができる。強化レンズ２７は、タッチモジュールのサイズに合うように、ガラス母材を切断し、そして端部研磨を実行することで形成することができる。積層された接触層を配置した後にガラスを切断する一般的な方法に比べて、本形態の強化レンズ２７は、端部が強化され、そして優れた機械的特性を備えている。マスク層（又はブラックマトリックス層）２８は、プリント技術によって強化レンズ２７上に形成することができる。
図２Ｅに示すように、タッチモジュール（図２Ｃを参照）の構成と、強化レンズ２７(図２Ｄを参照）と、を一体にするために、液状接着剤のような接着層２９は、当該２つの構成を接着するために用いることができる。すなわち、接着層２９の上面は、強化レンズ２７及びマスク層２８の下面に接合され、接着層２９の下面は、保護層２６の上面に接合される。保護層２６が省略される場合、接着層２９の下面は接触層（２３、２４、２５）の上面に接合することができる、すなわち、マスク層２８及びタッチモジュール２２〜２６は、強化レンズ２７における同じ側に形成することができる。接合すると、図２Ｆに示す積層構造が形成される。すなわち、当該構造は、底部から上部に向かって、プラスチック層２２、電極層２３、絶縁層２４、導線層２５、保護層２６、接着層２９、マスク層２８及び強化レンズ２７が形成される。
上述したタッチオンレンズ（ＴＯＬ）デバイスを製造するための方法によれば、接触層（２３、２４、２５）は、先ずプラスチック層２２を形成し、そして切断された強化レンズ２７を接合して、高い強度を有するように処理される。そのため、種々の最終製品の強度を確保することができ、大量生産が可能となる。上述の工程によってタッチオンレンズ（ＴＯＬ）デバイスを形成するために、ＩＴＯを電極層２３の材料として用い、ポリイミド（ＰＩ）をプラスチック層２２の材料として用いると、２つの材料の接着性は非常に優れ、そして簡単に割れ目が生じないので、当該工程はタッチオンレンズの曲面を形成することに適している。一方、導線層２５は直接にマスク層２８と接触しないので、マスク層２８の高さの違いによって形成される開回路の一般的な問題と異なって開回路問題が生じない。
図４Ａ乃至図４Ｆは、本開示の第２の形態に係る工程における、タッチオンレンズデバイスの積み重ねの図を抽象的に示している。本形態は、材料の条件、厚さ、製造工程及び他の効果において、第１の形態（図２Ａ乃至図２Ｆを参照）に類似する。
図４Ａに示すように、最初に透明プラスチック層２２は、母材２０上に形成されている。母材２０は、ガラス基板、プラスチックフィルム、他の固い基板で成すことができ、母材２０は、他の部材から分離することができる。
また、透明電極層２３、透明絶縁層２４及び導線層２５は、順にプラスチック層２２上に形成されている。電極層２３、絶縁層２４及び導線層２５は、本形態の接触層を構成する。母材２０、プラスチック層２２及び接触層（２３、２４、２５）は、タッチアセンブリを形成する。接触層（２３、２４、２５）は複数のタッチユニットを含む。
本開示の一開示において、保護層２６は、導線層２５上に形成することができ、電極層２３、絶縁層２４及び導線層２５を保護するだけでなく、これらの酸化及び侵食を防ぐことができる。
また、剥離層２１０は、母材２０とプラスチック層２２との間に形成することができる。緩衝層２２０は、プラスチック層２２と電極層２３との間に形成することができる。
また、図４Ｂに示すように、タッチアセンブリは、各タッチユニットが独立したタッチサブアセンブリを形成することができるように切断される。１つのユニットによって１つのユニットを製造する一般的な方法に比べて、本形態は、先ず複数のタッチユニットを形成し、それらを切断するので、タッチオンレンズ（ＴＯＬ）デバイスの大量生産の効率の向上、及び生産性の向上に寄与できる。
本形態において、図４Ｂに示す積層構造を形成する前又は後に、強化レンズ２７を図４Ｃに示すようにさらに備えることができる。マスク層２８は、強化レンズ２７下に形成することができる。
図４Ｄに示すように、タッチサブアセンブリ（図４Ｂを参照）と強化レンズ２７（図４Ｃを参照）との構造体を形成するために、接着層２９は当該２つの構造体を共に接合するために用いることができる。すなわち、接着層２９の上面は、強化レンズ２７及びマスク層２８の下面に接合することができ、接着層２９の下面は、保護層２６の上面に接合することができる。保護層２６が省略される場合、接着層２９の下面は、接触層（２３、２４、２５）の上面に接合することができる。接合すると、図４Ｅに示す積層構造が形成される。当該構造体は、底部から上部に向かって、母材２０、剥離層２１０、プラスチック層２２、緩衝層２２０、電極層２３、絶縁層２４、導線層２５、保護層２６、接着層２９、マスク層２８及び強化レンズ２７が形成される。
また、母材２０は図４Ｅに示す構造体から分離され、図４Ｆに示す構造体を形成する。
上述した方法によれば、タッチオンレンズデバイスを形成することができる。図４Ｆに示すように、タッチデバイスは、強化レンズ２７及びタッチモジュール（２２、２２０、２３、２４、２５、２６）を含む。タッチモジュールは、強化レンズ２７に積層される。タッチモジュールは、接触層（２３、２４、２５）及びプラスチック層２２を含むタッチフィルムを切断することで形成される。プラスチック層の厚さは、２５μｍ以下である。
本開示の一形態において、プラスチック層は、ポリイミド（ＰＩ）層又はポリエステルイミド層である。プラスチック層は、高温耐熱で光学特性に優れる。そして、その厚さは、比較的薄い範囲に制御することができる。好ましい形態において、プラスチック層２２の厚さは１０〜２０μｍである。より好ましい形態において、プラスチック層２２の厚さは０．５〜１０μｍである。ＰＥＴのような他のプラスチックに比べて、当該プラスチック層は薄いタッチオンレンズデバイスを作ることができる。
本開示は、本開示を実行するために、形態及びベストモードを参照して述べた。本開示のスコープから外れなければ、種々の改変及び変更は本願発明に含められる。
１１ カバーレンズ
１２ 接触基板
１３ 接触層
２０ 母材
２１ 基板
２２ プラスチック層
２３ 電極層
２３Ａ 第１の電極
２３Ｂ 第２の電極
２４ 絶縁層
２４Ａ 絶縁ブロック
２５ 導線層
２５Ａ 配線セグメント
２５Ｂ 配線
２６ 保護層
２７ 強化レンズ
２８ マスク層
２９ 接着層
２１０ 剥離層
２２０ 緩衝層
１２ 接触基板
１３ 接触層
２０ 母材
２１ 基板
２２ プラスチック層
２３ 電極層
２３Ａ 第１の電極
２３Ｂ 第２の電極
２４ 絶縁層
２４Ａ 絶縁ブロック
２５ 導線層
２５Ａ 配線セグメント
２５Ｂ 配線
２６ 保護層
２７ 強化レンズ
２８ マスク層
２９ 接着層
２１０ 剥離層
２２０ 緩衝層
Claims (15)
- （１）基板上にプラスチック層を形成し、
（２）接触層と前記プラスチック層とでタッチフィルムを形成するために、前記プラスチック層上に接触層を形成し、
（３）前記タッチフィルムと前記基板とを分離し、
（４）複数のタッチモジュールを形成するために前記タッチフィルムを切断し、
（５）前記タッチモジュールに当該タッチモジュールのサイズに合うように予め切断され、その後、強化された強化レンズを積層する、タッチオンレンズデバイスを製造するための方法。 - 前記プラスチック層は、ポリイミド（ＰＩ）層又はポリエステルイミド層である、請求項１に記載のタッチオンレンズデバイスを製造するための方法。
- 前記接触層は、フォトエッチング工程によって形成される検出パターンを含む、請求項１又は２に記載のタッチオンレンズデバイスを製造するための方法。
- 前記タッチオンレンズデバイスは、前記プラスチック層と前記基板との間に形成される剥離層を含み、前記剥離層はシリコンベース又はフッ素ベースの化合物である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のタッチオンレンズデバイスを製造するための方法。
- 前記基板と前記剥離層との間の接着強度は、前記剥離層と前記プラスチック層との間の接着強度の少なくとも３倍である、請求項４に記載のタッチオンレンズデバイスを製造するための方法。
- 前記タッチフィルムは、緩衝層をさらに含み、
前記緩衝層は、前記接触層と前記プラスチック層との間に形成されており、前記緩衝層は、誘導体又はシリコンの化合物で形成されている、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のタッチオンレンズデバイスを製造するための方法。 - 前記プラスチック層の厚さは、２５μｍ以下である、請求項１乃至６のいずれか１項に記載のタッチオンレンズデバイスを製造するための方法。
- 前記強化レンズ上にマスク層を形成し、
前記マスク層及び前記タッチモジュールは、前記強化レンズの同じ側に配置される、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のタッチオンレンズデバイスを製造するための方法。 - （１）母材上にプラスチック層を形成し、
（２）前記プラスチック層上に接触層を形成し、前記プラスチック層と前記接触層とでタッチアセンブリを形成し、
（３）複数のタッチサブアセンブリを形成するために前記タッチアセンブリを切断し、
（４）前記タッチサブアセンブリを当該タッチサブアセンブリのサイズに合うように予め切断され、その後、強化された強化レンズに積層し、
（５）前記母材を分離する、タッチオンレンズデバイスを製造するための方法。 - 前記プラスチック層は、ポリイミド（ＰＩ）層又はポリエステルイミド層である、請求項９に記載のタッチオンレンズデバイスを製造するための方法。
- 前記接触層は、フォトエッチング工程によって形成される検出パターンを含む、請求項９又は１０に記載のタッチオンレンズデバイスを製造するための方法。
- 前記タッチアセンブリは、さらに前記プラスチック層と前記母材との間に形成される剥離層を含み、前記剥離層はシリコンベース又はフッ素ベースの化合物である、請求項９乃至１１のいずれか１項に記載のタッチオンレンズデバイスを製造するための方法。
- 前記タッチアセンブリは、前記接触層と前記プラスチック層との間に形成される緩衝層をさらに含み、
前記緩衝層は、誘導体又はシリコンの化合物で形成されている、請求項９乃至１２のいずれか１項に記載のタッチオンレンズデバイスを製造するための方法。 - 前記タッチアセンブリの前記プラスチック層及び前記接触層は、タッチフィルムを構成し、前記タッチサブアセンブリは、前記母材及び前記タッチフィルムの切断後に形成されるタッチモジュールを含み、ステップ（４）の積層工程において、前記タッチサブアセンブリのタッチモジュールを前記強化レンズに積層する、請求項９乃至１３のいずれか１項に記載のタッチオンレンズデバイスを製造するための方法。
- 前記強化レンズ上にマスク層を形成し、
前記マスク層及び前記タッチモジュールは、前記強化レンズの同じ側に配置される、請求項１４に記載のタッチオンレンズデバイスを製造するための方法。
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|---|---|---|---|---|
| JPH01319210A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-25 | Ricoh Co Ltd | ポリマーフィルム基板における透明電極形成方法 |
| US5062916A (en) * | 1990-08-01 | 1991-11-05 | W. H. Brady Co. | Method for the manufacture of electrical membrane panels having circuits on flexible plastic films |
| US5395740A (en) * | 1993-01-27 | 1995-03-07 | Motorola, Inc. | Method for fabricating electrode patterns |
| JP3110652B2 (ja) * | 1995-05-31 | 2000-11-20 | シャープ株式会社 | マイクロレンズ基板及びそれを用いた液晶表示素子 |
| EP0782039A3 (en) * | 1995-12-27 | 1998-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Display device and process for producing same |
| US6718612B2 (en) * | 1999-08-04 | 2004-04-13 | Asahi Glass Company, Ltd. | Method for manufacturing a magnetic disk comprising a glass substrate using a protective layer over a glass workpiece |
| US6819316B2 (en) * | 2001-04-17 | 2004-11-16 | 3M Innovative Properties Company | Flexible capacitive touch sensor |
| US6707093B2 (en) * | 2001-11-30 | 2004-03-16 | Stmicroelectronics, Inc. | Selective ionic implantation of fluoropolymer film to modify the sensitivity of underlying sensing capacitors |
| JP4118708B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2008-07-16 | アルプス電気株式会社 | フレキシブルセンサおよびそれを用いた入力装置並びにフレキシブルセンサの製造方法 |
| JP2005031790A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Alps Electric Co Ltd | 静電容量式入力センサの実装方法および電子機器 |
| JP4438381B2 (ja) * | 2003-11-05 | 2010-03-24 | 株式会社ブリヂストン | 結晶性ｉｔｏ膜、ｉｔｏ膜の結晶化方法、透明導電性フィルム、タッチパネル及び色素増感型太陽電池 |
| JP4133787B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2008-08-13 | Ｔｄｋ株式会社 | 転写用機能性フィルム、機能性層の形成方法、及び機能性層が付与された物体 |
| TWI321241B (en) * | 2005-09-14 | 2010-03-01 | Ind Tech Res Inst | Flexible pixel array substrate and method of fabricating the same |
| CN201078769Y (zh) * | 2007-04-27 | 2008-06-25 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 电容式触控板的触控图型结构 |
| WO2009018094A1 (en) * | 2007-07-27 | 2009-02-05 | Donnelly Corporation | Capacitive sensor and method for manufacturing same |
| TWI393924B (zh) * | 2008-06-25 | 2013-04-21 | Au Optronics Corp | 觸控式顯示面板、彩色濾光片及其製作方法 |
| US7810355B2 (en) * | 2008-06-30 | 2010-10-12 | Apple Inc. | Full perimeter chemical strengthening of substrates |
| TW201017499A (en) * | 2008-10-27 | 2010-05-01 | Tpk Touch Solutions Inc | Manufacturing method and structure of curved-surface capacitive touch panel |
| KR101172112B1 (ko) * | 2008-11-14 | 2012-08-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 터치 스크린 및 그 제조방법 |
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| TWM363641U (en) * | 2009-04-21 | 2009-08-21 | Emerging Display Tech Corp | Capacitive touch input device |
| US20110005662A1 (en) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | Kuo-Hua Sung | Method for Fabricating Multilayer Panels |
| US20110012845A1 (en) * | 2009-07-20 | 2011-01-20 | Rothkopf Fletcher R | Touch sensor structures for displays |
| US9019211B2 (en) * | 2009-10-30 | 2015-04-28 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for providing touch sensitive displays |
| WO2011062085A1 (ja) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | シャープ株式会社 | タッチセンサ機能付きフレキシブル表示パネル |
| JP5632614B2 (ja) * | 2010-01-13 | 2014-11-26 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム、タッチパネル及び電子機器 |
| JP5306256B2 (ja) * | 2010-02-18 | 2013-10-02 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 電気的固体装置基板の製造方法および電気的固体装置 |
| KR101140954B1 (ko) * | 2010-05-13 | 2012-05-03 | 삼성전기주식회사 | 투명 전도성 기판과 그 제조방법, 및 이를 이용한 터치스크린 |
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