JP5887074B2 - セラミックス組成物、セラミックス焼結体及び電子部品 - Google Patents
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Description
本発明のセラミックス組成物は、固相反応法により得られたディオプサイド結晶粉末を主成分として含有する。このディオプサイド結晶粉末は、Si、Mg、Caの酸化物、炭酸塩等のガラスでない材料からなるセラミックス粉末を、ディオプサイドの化学量論比(Ca:Mg:Si=1:1:2)となるように混合し、融点以下で加熱し、固相反応法により焼結し、所定粒度に粉砕して製造される。
{複合体の共振周波数の温度係数τf=Σ(各成分の体積分率(vol%)×各成分の共振周波数の温度係数τf)} ・・・(1)
{log(複合体の誘電率ε)=Σ(各成分の体積分率(vol%)×log(各成分の誘電率ε)} ・・・(2)
本発明のセラミックス焼結体は、上記のような組成となるように配合されたセラミックス組成物を、ZrO2ボールなどを用いて、水などの湿式下で混合し、必要に応じて結合剤、可塑剤、溶剤等を添加し、所定形状に成形して、焼成することによって得られる。
次に、本発明の電子部品について説明する。
Claims (12)
- 平均粒径が0.8〜2μmであるディオプサイド結晶粉末100質量部に対し、SrTiO3粉末を6〜19質量部、Al成分を酸化物換算で1.4〜5質量部、Li成分を酸化物換算で0.3〜0.9質量部、B成分を酸化物換算で1.6〜3.2質量部、Zn成分を酸化物換算で3.2〜5.1質量部、Cu成分を酸化物換算で0.5〜0.9質量部、Ag成分を酸化物換算で0〜3質量部、Co成分を酸化物換算で2.0〜4.5質量部含有することを特徴とするセラミックス組成物。
- 平均粒径が0.8〜2μmであるディオプサイド結晶粉末100質量部に対し、CaTiO3粉末を13〜43質量部、Al成分を酸化物換算で1.4〜5質量部、Li成分を酸化物換算で0.3〜0.9質量部、B成分を酸化物換算で1.6〜3.2質量部、Zn成分を酸化物換算で3.2〜5.1質量部、Cu成分を酸化物換算で0.5〜0.9質量部、Ag成分を酸化物換算で0〜3質量部、Co成分を酸化物換算で2.0〜4.5質量部含有することを特徴とするセラミックス組成物。
- 平均粒径が0.8〜2μmであるディオプサイド結晶粉末100質量部に対し、SrTiO3粉末及びCaTiO3粉末を合計して6.5〜42質量部、Al成分を酸化物換算で1.4〜5質量部、Li成分を酸化物換算で0.3〜0.9質量部、B成分を酸化物換算で1.6〜3.2質量部、Zn成分を酸化物換算で3.2〜5.1質量部、Cu成分を酸化物換算で0.5〜0.9質量部、Ag成分を酸化物換算で0〜3質量部、Co成分を酸化物換算で2.0〜4.5質量部含有することを特徴とするセラミックス組成物。
- 前記Ag成分を、ディオプサイド結晶粉末100質量部に対し、酸化物換算で0.5〜3質量部含有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のセラミックス組成物。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミックス組成物を焼成して得られたセラミックス焼結体。
- ディオプサイト結晶粒の粒内、粒界及び三重点から選ばれるいずれかに、SrTiO3結晶及び/又はCaTiO3結晶が単独で存在している、請求項5に記載のセラミックス焼結体。
- 前記SrTiO3結晶及び/又は前記CaTiO3結晶の平均粒径が0.5〜3μmである、請求項6に記載のセラミックス焼結体。
- 共振周波数の温度係数τfの絶対値が30×10−6/℃以下であり、Q×f値が5000GHz以上である、請求項5〜7のいずれか1項に記載のセラミックス焼結体。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミックス組成物を焼成して得られるセラミックス層と、該セラミックス層の表面及び/又は内部にあって、前記セラミックス組成物と同時焼成して得られる導体層とを有することを特徴とする電子部品。
- 前記導体層が、Ag、Cu、もしくはそれらの少なくとも一方を含む合金で形成されている請求項9に記載の電子部品。
- 前記導体層の表面が湿式メッキ処理されている請求項9又は10に記載の電子部品。
- 前記電子部品が基板である、請求項9〜11のいずれか1項に記載の電子部品。
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