JP5794836B2 - シリコーン樹脂組成物、シリコーン樹脂シート、光半導体素子装置、および、シリコーン樹脂シートの製造方法。 - Google Patents
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Description
式(2):
式(3):
飽和炭化水素基としては、例えば、炭素数1〜6の直鎖状または分岐状のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシル基など)、例えば、炭素数3〜6のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基など)などが挙げられる。
式(5):
上記式(4)、(5)において、R4で示される1価の炭化水素基としては、上記した第1オルガノポリシロキサンのR1と同様の炭化水素基が挙げられる。
1.シリコーン樹脂シートの作製
実施例1
水素末端ビニルメチルシロキサン−ジメチルシロキサン共重合体(ビニル基含有量0.079mmol/g、ヒドロシリル基含有量0.04mmol/g、数平均分子量47000、粘度(25℃)8100mPa・s)30gに、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの10%メタノール溶液14.3μL(0.013mmol)を添加し、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(トリメチルシロキシ末端ジメチルシロキサン−メチルヒドロシロキサン共重合体:ヒドロシリル基含有量7.14mmol/g、数平均分子量2000)1.00gと、白金−カルボニル錯体溶液(白金濃度2質量%)1.9μLとを加えた。
水素末端ビニルメチルシロキサン−ジメチルシロキサン共重合体(ビニル基含有量0.079mmol/g、ヒドロシリル基含有量0.04mmol/g、数平均分子量47000、粘度(25℃)8100mPa・s)に代えて、水素末端ビニルメチルシロキサン−ジメチルシロキサン共重合体(ビニル基含有量0.13mmol/g、ヒドロシリル基含有量0.04mmol/g、数平均分子量48000、粘度(25℃)14000mPa・s)を用い、オルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合量を1.63gにした以外は、上記した実施例1と同様にして、シリコーン樹脂シートを作製した。
水素末端ビニルメチルシロキサン−ジメチルシロキサン共重合体(ビニル基含有量0.079mmol/g、ヒドロシリル基含有量0.04mmol/g、数平均分子量47000、粘度(25℃)8100mPa・s)に代えて、水素末端ビニルメチルシロキサン−ジメチルシロキサン共重合体(ビニル基含有量0.84mmol/g、ヒドロシリル基含有量0.037mmol/g、数平均分子量61000、粘度(25℃)4500mPa・s)を用い、オルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合量を10.6gにした以外は、上記した実施例1と同様にして、シリコーン樹脂シートを作製した。
ビニル末端ポリジメチルシロキサン20g(0.71mmol)、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(トリメチルシロキシ末端ジメチルシロキサン−メチルヒドロシロキサン共重合体:ヒドロシリル基含有量7.14mmol/g、数平均分子量2000)0.80g、白金−カルボニル錯体溶液(白金濃度2質量%)0.036ml、1,3,5,7−テトラビニル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン0.028ml(0.081mmol)を配合し、室温(20℃)で10分間攪拌、混合し、シリコーン樹脂組成物を調製した。
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを配合しない以外は、実施例1と同様にして、シリコーン樹脂組成物を調整した。
2.評価
各実施例および各比較例のシリコーン樹脂シートについて、下記の評価を実施した。
(1)硬さ試験
作製直後の各実施例および各比較例のシリコーン樹脂シートについて、デジタル測長計(MS−5C、ニコン社製)を用いて、センサーヘッドで7g/mm2の圧力で、その厚み方向に加圧した。
シート硬度の値が高いほど、シリコーン樹脂シートが固いことを示す。
(2)保存安定性試験
各実施例および各比較例のシリコーン樹脂シートを、5℃で24時間保存し、上記の硬さ試験と同様にして、シート硬度を求めた。
(3)シリコーン樹脂シートの状態評価
各実施例および各比較例のシリコーン樹脂シートに液状成分(未反応成分)が残存しているか、目視および触感で確認し、下記の評価基準に基づいて判定した。結果を表1に示す。
○:液状成分が残存していない。
×:液状成分が残存している。
3 発光ダイオード
7 封止層
Claims (3)
- シリコーン樹脂組成物が半硬化したシリコーン樹脂シートであって、
前記シリコーン樹脂組成物は、
少なくとも2つのエチレン系不飽和炭化水素基と少なくとも2つのヒドロシリル基とを1分子中に併有する第1オルガノポリシロキサンと、
エチレン系不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも2つのヒドロシリル基を1分子中に有する第2オルガノポリシロキサンと、
ヒドロシリル化触媒と、
ヒドロシリル化抑制剤と
を含有し、
第1オルガノポリシロキサンのヒドロシリル基と、第2オルガノポリシロキサンのヒドロシリル基とのモル比(第1オルガノポリシロキサンのヒドロシリル基/第2オルガノポリシロキサンのヒドロシリル基)は、1/100〜50/1であり、
前記ヒドロシリル化触媒が、第1オルガノポリシロキサンのエチレン系不飽和炭化水素基の含有量1mmol/gに対して、1.0×10−6〜5.0×10−3mmolの割合で含有され、
前記ヒドロシリル化抑制剤が、第四級アンモニウムヒドロキシドを含有し、ヒドロシリル化触媒100質量部に対して、1.0×102〜1.0×106質量部の割合で含有され、
7g/mm 2 の圧力で加圧した後の厚みの、加圧前の厚みに対する百分率をシート硬度とした場合に、
前記シート硬度は、0.1〜10%であり、
作製直後の前記シート硬度に対する、5℃で24時間保存した後の前記シート硬度の百分率は、100〜200%であることを特徴とする、シリコーン樹脂シート。 - 光半導体素子と、
前記光半導体素子を封止する封止層であって、請求項1に記載のシリコーン樹脂シートが硬化した封止層と
を備えることを特徴とする、光半導体素子装置。 - 請求項1に記載のシリコーン樹脂シートの製造方法であって、
前記シリコーン樹脂組成物を基材に塗工する工程と、
前記基材に塗工された前記シリコーン樹脂組成物を、20〜200℃で、0.1〜120分加熱する工程と
を含むことを特徴とする、シリコーン樹脂シートの製造方法。
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