JP5768309B2 - 電荷積分法を用いたマルチリニアイメージセンサ - Google Patents
電荷積分法を用いたマルチリニアイメージセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5768309B2 JP5768309B2 JP2012542457A JP2012542457A JP5768309B2 JP 5768309 B2 JP5768309 B2 JP 5768309B2 JP 2012542457 A JP2012542457 A JP 2012542457A JP 2012542457 A JP2012542457 A JP 2012542457A JP 5768309 B2 JP5768309 B2 JP 5768309B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- potential
- region
- image sensor
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000010354 integration Effects 0.000 title claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 8
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009607 mammography Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
- H01L27/14856—Time-delay and integration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
- H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
− 列方向の絶縁:ゲートの真下に位置し第1の導電型の表面領域に隣接する低濃度にドープされた半導体領域では、ゲートに印加された電位のためにキャリアが空乏化する。したがって、これらの領域は、抵抗性が高く、共通の基準領域(一般的な共通の電位を有する)の空乏化されていない部分から表面領域を電気的に絶縁する(小さなリーク電流があったとしても)。また、その際、これらの領域は、隣接するフォトダイオードの表面領域も互いに絶縁する。
− 列間の絶縁:列間に第1の導電型(p+またはp++型)の高濃度にドープされた領域がある場合、第2の導電型(n型)の領域は、これらの高濃度にドープされた領域と共通(p型)の基準層との間に配置され、その結果、フォトダイオードの表面領域は、これらの高濃度にドープされた領域を介してこの基準層に接続されることはない。
− その中に電荷を蓄積するため、第1のフォトダイオードの真下に電位井戸を形成する。
− 同時に、第2のフォトダイオードによって生成される電荷が第1のフォトダイオードに流れ込むように、第1のフォトダイオードに隣接する第2のフォトダイオードの電位井戸の底部を上げる。
− 次に、第1のフォトダイオードからすべての電荷を第2のフォトダイオードに流入する。
− 次いで、サイクルを再開するが、そこでは、既に電荷を受け取った第2のフォトダイオードが、別の画素行に属する別のフォトダイオードに対して、第1のフォトダイオードとしての機能を果たす。
− 画素の第1のフォトダイオードにおいて光によって生成された電荷が、第1のフォトダイオードによって蓄積される一方で、第2のフォトダイオードにおいて光によって生成された電荷が、第2のゲートの真下を通ることによって、第2のフォトダイオードから第1のフォトダイオードに流れ込み、第1のフォトダイオードにおいて蓄積する、第1の積分段階、
− 第1のフォトダイオードにおいて蓄積された電荷が、第2のフォトダイオードに転送される、第1の転送段階、
− 第2のフォトダイオードにおいて光によって生成された電荷が、第2のフォトダイオードによって蓄積される一方で、次の行の画素の第1のフォトダイオードにおいて光によって生成された電荷が、次の行の画素の第1の転送ゲートの真下を通ることによって、第2のフォトダイオードに流れ込み、第2のフォトダイオードにおいて蓄積する、第2の積分段階、ならびに
− 第2のフォトダイオードにおいて蓄積された電荷が、次の行の画素の第1の転送ゲートの真下を通ることによって、次の行の画素の第1のフォトダイオードに転送される、第2の転送段階
において周期的に変化する電位を印加するよう設計される。
− 第1の導電型を有するようドープされたフォトダイオードの表面領域に隣接するが、これらの表面領域より高濃度にドープされた、第1の導電型の絶縁領域、ならびに
− 第1の導電型の共通の基準領域から第1の導電型の絶縁領域を完全に絶縁した、第2の導電型の絶縁領域
の重畳から形成されることが好ましい領域を絶縁することによって分離される。
− 第1の転送ゲートG1j
− 第1のフォトダイオードPH1j
− 第2の転送ゲートG2j
− 第2のフォトダイオードPH2j
画素Pjの第2のフォトダイオードの直後には、次の画素Pj+1の第1の転送ゲートが続き、同様に、画素Pjの第1の転送ゲートの直前には、前の画素Pj−1の第2のフォトダイオードがある。
− 全く同一の列の2つのフォトダイオード間では、絶縁は、ゲートの真下に位置する半導体領域の空乏化によって得られ、これらの半導体領域は、低濃度にドープされ、キャリアが空乏化される場合は抵抗性が高くなり、表面領域16がエピタキシャル層12に直接接触することを防ぐ。
− フォトダイオードの真下では、領域16の絶縁は、n型の領域14を介して達成される。
− 最終的に、全く同一の行のフォトダイオード間では、全く同一の行のすべての表面領域に同じ電位をもたらすことができるため、いかなる絶縁も必要とされないことが理解されよう。しかし、列間に配置され得る高濃度にドープされた領域を拡散する際、これらの領域をエピタキシャル層に直接接続しないように注意を払う必要がある。この点については、後の記載でより詳しく説明される。
− 第1の積分時間の間、第1のフォトダイオードPH1のp+型の領域に印加される電位は、これらのフォトダイオードにおいて光によって生成される電荷が蓄積する電位井戸を形成するのに十分に高い電位である。この高電位は、ゼロに等しいものであってもよい(図2の曲線Aを参照)。これらの電荷は、このフォトダイオードに既に存在する、その前の電荷転送サイクルから得られた電荷に追加される。同時に、第2のフォトダイオードPH2に印加される電位は、低い電位であり、第2のフォトダイオードにおける電荷の蓄積を防ぐ。さらに、フォトダイオードPH2jを同じ画素の第1のフォトダイオードPH1jから分離するゲートG2jの電位は、電荷がこの第2のダイオードから第1のフォトダイオードへ流れ込むことができるほど十分に高い。次の画素のゲートG1j+1の電位は、これに反して、電位障壁を形成するほど十分に低く、電荷が第2のフォトダイオードPH2jから次の画素Pj+1へ通過することを防ぐ。この結果、フォトダイオードは、サイクルの開始時点で既に存在する電荷に加えて、その画素の2つのフォトダイオードにおいて光によって生成されるすべての電荷を蓄積する。
− 第1の積分時間の終了時には、ゲートおよびフォトダイオードの電位は、すべての電荷をその画素の第1のフォトダイオードからその画素の第2のフォトダイオードへ確実に転送するために変更される。
− 第2の積分時間の間、第1と第2のフォトダイオードの役割を逆にすると、第2のフォトダイオードPH2の電位は、これらのフォトダイオードにおいて光によって生成される電荷が蓄積する電位井戸を形成するのに十分に高い電位である(ここでも同様に0ボルトが十分であり得る)。同時に、第1のフォトダイオードPH1に印加される電位は、低い電位であり、電位井戸の形成を防ぐ。さらに、フォトダイオードPH2jを次の画素の第1のフォトダイオードPH1j+1から分離するゲートG1j+1の電位は、電荷がこの次の第1のフォトダイオードから第2のフォトダイオードPH2jへ流れ込むことができるほど十分に高く、その画素のゲートG2jの電位は、電位障壁を形成するほど十分に低く、電荷が第2のフォトダイオードPH2jから第1のフォトダイオードPH1jへ通過することを防ぎ、電荷が第1のフォトダイオードPH1jから第2のフォトダイオードへ通過することを防ぐ。この結果、画素Pjの第2のフォトダイオードは、それ自体の電荷および次の画素Pj+1の第1のフォトダイオードの電荷を蓄積する。
− 第2の積分時間の終了時には、ゲートおよびフォトダイオードの電位は、すべての電荷を第2のフォトダイオードPH2jから次の画素の第1のフォトダイオードPH1j+1へ確実に転送するために変更される。したがって、このフォトダイオードPH1j+1は、この時点で、3つの構成要素、すなわち、第1の積分時間の前にフォトダイオードPH1jによって前もって蓄積された電荷と、第1の積分時間の間にダイオードPH1jおよびPH2jによって蓄積された電荷と、第2の積分時間の間にフォトダイオードPH2jおよびPH1j+1によって蓄積された電荷との合計である電荷を受け取る。
− 一方では、これらの構造は、電位障壁を形成することによって、異なる列の隣接するフォトダイオードの電位井戸を互いに分離し、ある列の画素の電荷が別の列の隣接する画素の電荷と混ざり合うことを防ぐ。
− 他方では、これらの構造は、フォトダイオードのp+型の表面領域と接触し、これらの表面領域に所望の電位を印加することを可能にする。
Claims (11)
- 時間遅延積分モードで動作する電荷転送イメージセンサであって、
前記イメージセンサは、隣接するN行の画素行を備え、各行がそれぞれi段(iは1からP)を有するP個の画素を有し、i段の隣接する画素は、フォトダイオード(PH1、PH2)と、前記フォトダイオードのそれぞれに隣接する転送ゲート(G1、G2)とを交互に備え、前記2つのフォトダイオードは、第1の導電型の共通の基準領域(12)を備え、行の同じi段の画素におけるイメージの点によって生成された電荷を加算することによって、読み取り対象の行を観測する代わりに、いくつかの画素行を使用し、
前記2つのフォトダイオードは、第1の導電型の共通の基準領域(12)を備え、そこには反対の導電型の個別の領域(14)が形成され、その領域自体は、前記第1の導電型の個別の表面領域(16)で覆われる、イメージセンサにおいて、転送ゲートの両側に位置する2つのフォトダイオードの前記表面領域(16)は、互いに電気的に絶縁され、前記共通の基準領域からも電気的に絶縁されること、および前記イメージセンサは、これらの領域に、互いに異なりかつ周期的に変化する電位をもたらす手段を備えることを特徴とする、イメージセンサ。 - 前記ゲートおよび前記フォトダイオードに電位を周期的に印加するためのシーケンス回路を備え、
前記シーケンス回路は、1つのサイクルにおいて、
− その中に電荷を蓄積するため、第1のフォトダイオードの真下に電位井戸を形成し、
− 同時に、第2のフォトダイオードによって生成される電荷が前記第1のフォトダイオードに流れ込むように、前記第1のフォトダイオードの隣の前記第2のフォトダイオードの前記電位井戸の底部を上げ、
− 次に、前記第1のフォトダイオードからすべての電荷を前記第2のフォトダイオードに流入し、
前記シーケンス回路は、次の同じサイクルにおいて、
−前記第1のフォトダイオードから既に電荷を受け取った前記第2のフォトダイオードが、次の画素行に属する第3のフォトダイオードに対して、第1のフォトダイオードとしての機能を果たす
ことを特徴とする、請求項1に記載のイメージセンサ。 - 第1の行と最終の行との間の中間にある段の行の画素は、連続的に、前記画素行の方向に垂直な方向に、高さが変化する電位障壁を確立させる第1の転送ゲート(G1)と、前記第1のゲートに隣接する第1のフォトダイオード(PH1)と、高さが変化する電位障壁を確立させる第2の転送ゲート(G2)と、前記第2のゲートに隣接し、かつ次の行の画素の前記第1のゲートに隣接する第2のフォトダイオード(PH2)とを備えることを特徴とする、請求項2に記載のイメージセンサ。
- 前記シーケンス回路は、前記フォトダイオードとすべての前記行の前記ゲートに、以下の4つの連続した段階
− 画素の前記第1のフォトダイオードにおいて光によって生成された電荷が、前記第1のフォトダイオードによって蓄積される一方で、前記第2のフォトダイオードにおいて光によって生成された電荷が、前記第2のゲートの真下を通ることによって、前記第2のフォトダイオードから前記第1のフォトダイオードに流れ込み、前記第1のフォトダイオードにおいて蓄積する、第1の積分段階、
− 前記第1のフォトダイオードにおいて蓄積された電荷が、前記第2のフォトダイオードに転送される、第1の転送段階、
− 前記第2のフォトダイオードにおいて光によって生成された電荷が、前記第2のフォトダイオードによって蓄積される一方で、次の行の画素の前記第1のフォトダイオードにおいて光によって生成された電荷が、前記次の行の画素の前記第1の転送ゲートの真下を通ることによって、前記第2のフォトダイオードに流れ込み、前記第2のフォトダイオードにおいて蓄積する、第2の積分段階、ならびに
− 前記第2のフォトダイオードにおいて蓄積された電荷が、前記次の行の画素の前記第1の転送ゲートの真下を通ることによって、前記次の行の画素の前記第1のフォトダイオードに転送される、第2の転送段階
において周期的に変化する電位を印加するよう設計されることを特徴とする、請求項3に記載のイメージセンサ。 - 前記第1の転送段階と前記第2の積分段階で前記第2のフォトダイオードの前記表面領域に印加される電位はそれぞれ、前記第2の積分段階中よりも前記第1の転送段階中において、より深い電位井戸を前記第2のフォトダイオードの真下に形成するよう選択されることを特徴とする、請求項4に記載のイメージセンサ。
- 前記第2の転送ゲートに印加される電位は、前記第1の積分段階中よりも前記第1の転送段階中において、前記第2の転送ゲートの真下の前記電位障壁を低くするように選択されることを特徴とする、請求項5に記載のイメージセンサ。
- 全く同一の行の隣接画素のフォトダイオードは、以下の領域
− 前記フォトダイオードの前記表面領域(16)に隣接するが、これらの表面領域より高濃度にドープされた、前記第1の導電型の第1絶縁領域(20)、ならびに
− 前記第1の導電型の前記絶縁領域の真下に位置し、前記第1の導電型の前記共通の基準領域から前記第1の導電型の前記絶縁領域を完全に分離した、前記第2の導電型の第2絶縁領域(22)
の重畳を含む絶縁構造によって分離されることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載のイメージセンサ。 - 前記第2の導電型の前記第2絶縁領域における不純物濃度に対する前記第1の導電型の前記第1絶縁領域における不純物濃度の割合が、フォトダイオードの前記第2の導電型の前記個別の領域における不純物濃度に対する前記表面領域における不純物濃度の割合よりも高く、その結果、前記絶縁構造において形成された前記電位井戸が、前記フォトダイオードにおいて形成されたものより浅いことを特徴とする、請求項7に記載のイメージセンサ。
- 電気接点は、前記表面領域(16)に電位を伝達するため、前記第1の導電型の前記絶縁領域(20)上に設けられることを特徴とする、請求項7または8に記載のイメージセンサ。
- 前記第1の導電型の前記絶縁領域における第2の導電型のドレインと、前記フォトダイオードから前記ドレインに至る空間を覆う制御ゲートとを備えるアンチブルーミング構造を備えることを特徴とする、請求項7〜9のいずれか一項に記載のイメージセンサ。
- 2つのフォトダイオード間の前記転送ゲートの幅を制限するため、隣接するフォトダイオードの方に向いている前記フォトダイオードの角部を斜めにすることを特徴とする、請求項7〜10のいずれか一項に記載のイメージセンサ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0958796 | 2009-12-09 | ||
FR0958796A FR2953642B1 (fr) | 2009-12-09 | 2009-12-09 | Capteur d'image multilineaire a integration de charges. |
PCT/EP2010/068694 WO2011069880A1 (fr) | 2009-12-09 | 2010-12-02 | Capteur d'image multilineaire a integration de charges |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013528925A JP2013528925A (ja) | 2013-07-11 |
JP5768309B2 true JP5768309B2 (ja) | 2015-08-26 |
Family
ID=42288944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012542457A Expired - Fee Related JP5768309B2 (ja) | 2009-12-09 | 2010-12-02 | 電荷積分法を用いたマルチリニアイメージセンサ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8748954B2 (ja) |
EP (1) | EP2510545B1 (ja) |
JP (1) | JP5768309B2 (ja) |
KR (1) | KR101788890B1 (ja) |
FR (1) | FR2953642B1 (ja) |
TW (1) | TWI521689B (ja) |
WO (1) | WO2011069880A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9184209B2 (en) * | 2011-10-14 | 2015-11-10 | Mitsubishi Electric Corporation | TDI-type linear image sensor |
FR2990299B1 (fr) * | 2012-05-03 | 2014-05-09 | E2V Semiconductors | Capteur d'image matriciel a transfert de charges bidirectionnel a grilles dissymetriques |
CN103402061B (zh) * | 2013-08-12 | 2016-05-18 | 长春长光辰芯光电技术有限公司 | Cmos tdi图像传感器及其电荷转移控制方法 |
JP6254048B2 (ja) | 2014-06-05 | 2017-12-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
FR3036848B1 (fr) | 2015-05-28 | 2017-05-19 | E2V Semiconductors | Capteur d'image a transfert de charges a double implantation de grille |
US10469782B2 (en) | 2016-09-27 | 2019-11-05 | Kla-Tencor Corporation | Power-conserving clocking for scanning sensors |
JP2021064703A (ja) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び撮像方法 |
KR20220019548A (ko) | 2020-08-10 | 2022-02-17 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
CN117038684A (zh) * | 2023-07-14 | 2023-11-10 | 北京空间机电研究所 | 一种可精细调整电荷累加级数的tdi-cmos图像探测器 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0746034A3 (en) * | 1995-05-29 | 1998-04-29 | Matsushita Electronics Corporation | Solid-state image pick-up device and method for manufacturing the same |
US6787749B1 (en) * | 1996-11-12 | 2004-09-07 | California Institute Of Technology | Integrated sensor with frame memory and programmable resolution for light adaptive imaging |
US6465820B1 (en) * | 1998-09-16 | 2002-10-15 | Dalsa, Inc. | CMOS compatible single phase CCD charge transfer device |
US6906749B1 (en) | 1998-09-16 | 2005-06-14 | Dalsa, Inc. | CMOS TDI image sensor |
JP4493124B2 (ja) * | 1999-08-04 | 2010-06-30 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 固体撮像装置 |
KR100434806B1 (ko) | 1999-10-05 | 2004-06-07 | 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 액티브 화소 센서를 갖는 시간 지연 적분 촬상 장치 및 방법 |
JP2005101486A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子及びその制御方法 |
JP4444754B2 (ja) | 2004-08-12 | 2010-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置の駆動方法 |
US8446508B2 (en) * | 2005-07-27 | 2013-05-21 | Sony Corporation | Solid state imaging device with optimized locations of internal electrical components |
FR2906080B1 (fr) | 2006-09-19 | 2008-11-28 | E2V Semiconductors Soc Par Act | Capteur d'image en defilement par integrations successives et sommation, a pixels cmos actifs |
FR2906081B1 (fr) | 2006-09-19 | 2008-11-28 | E2V Semiconductors Soc Par Act | Capteur d'image lineaire cmos a fonctionnement de type transfert de charges |
US7923763B2 (en) | 2007-03-08 | 2011-04-12 | Teledyne Licensing, Llc | Two-dimensional time delay integration visible CMOS image sensor |
JP2009278241A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Canon Inc | 固体撮像装置の駆動方法および固体撮像装置 |
FR2960341B1 (fr) * | 2010-05-18 | 2012-05-11 | E2V Semiconductors | Capteur d'image matriciel a transfert de charges a grille dissymetrique. |
FR2971084B1 (fr) * | 2011-01-28 | 2013-08-23 | E2V Semiconductors | Capteur d'image multilineaire a integration de charges |
FR2973162B1 (fr) * | 2011-03-23 | 2013-11-22 | E2V Semiconductors | Capteur d'image a tres haute dynamique |
-
2009
- 2009-12-09 FR FR0958796A patent/FR2953642B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-12-02 US US13/514,982 patent/US8748954B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-02 KR KR1020127014964A patent/KR101788890B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-02 JP JP2012542457A patent/JP5768309B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-02 EP EP10787739.1A patent/EP2510545B1/fr not_active Not-in-force
- 2010-12-02 WO PCT/EP2010/068694 patent/WO2011069880A1/fr active Application Filing
- 2010-12-06 TW TW099142367A patent/TWI521689B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120089746A (ko) | 2012-08-13 |
US8748954B2 (en) | 2014-06-10 |
EP2510545B1 (fr) | 2013-08-07 |
FR2953642B1 (fr) | 2012-07-13 |
FR2953642A1 (fr) | 2011-06-10 |
WO2011069880A1 (fr) | 2011-06-16 |
TW201143077A (en) | 2011-12-01 |
TWI521689B (zh) | 2016-02-11 |
KR101788890B1 (ko) | 2017-10-20 |
JP2013528925A (ja) | 2013-07-11 |
US20120248516A1 (en) | 2012-10-04 |
EP2510545A1 (fr) | 2012-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5768309B2 (ja) | 電荷積分法を用いたマルチリニアイメージセンサ | |
JP3647390B2 (ja) | 電荷転送装置、固体撮像装置及び撮像システム | |
US8816406B2 (en) | Matrix charge-transfer image sensor with asymmetric gate | |
US9236407B2 (en) | Image sensor | |
JP2009506548A (ja) | 撮像素子画素用のイオン注入された分離領域 | |
KR101968340B1 (ko) | 전하-적분 다중선형 이미지 센서 | |
US6351001B1 (en) | CCD image sensor | |
TW201036152A (en) | Shallow trench isolation regions in image sensors | |
KR900005875B1 (ko) | 고체 촬성 소자 | |
JP2001308304A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP5480535B2 (ja) | 裏面照射型固体撮像装置及びこれを含む撮影装置 | |
KR100749098B1 (ko) | 높은 감도 및 전송 특성을 갖는 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
JP4907941B2 (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
CN100527429C (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
JP4049248B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
TWI711167B (zh) | 具有雙閘極植入之電荷轉移影像感測器 | |
US9093353B2 (en) | Matrix image sensor providing bidirectional charge transfer with asymmetric gates | |
JPS61188965A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2922688B2 (ja) | 赤外固体撮像素子 | |
JP2002208692A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2007149758A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP2008028063A (ja) | 信号変換装置及びその製造方法、並びに信号計測システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131031 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140818 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140826 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150123 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150310 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150401 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150605 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5768309 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |