JP5750821B2 - Organic compound, organic electroluminescent element material, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic EL display device, and organic EL lighting - Google Patents
Organic compound, organic electroluminescent element material, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic EL display device, and organic EL lighting Download PDFInfo
- Publication number
- JP5750821B2 JP5750821B2 JP2009256296A JP2009256296A JP5750821B2 JP 5750821 B2 JP5750821 B2 JP 5750821B2 JP 2009256296 A JP2009256296 A JP 2009256296A JP 2009256296 A JP2009256296 A JP 2009256296A JP 5750821 B2 JP5750821 B2 JP 5750821B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- ring
- organic
- compound
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 73
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 65
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 title claims description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 280
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 145
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 91
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 52
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 51
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 32
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 28
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 21
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 claims description 20
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 7
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 6
- -1 9-anthryl group Chemical group 0.000 description 100
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 96
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 96
- 239000010408 film Substances 0.000 description 94
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 78
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 59
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 47
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 27
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 25
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 21
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 19
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 19
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 19
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 18
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 17
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 10
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 10
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 8
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 7
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 7
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 6
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 6
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 6
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 6
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 6
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 0 C*C(C)N(*N(C(C)(C)[Am]N(C(C)(C)[Al])[I+]=[Al])[Al](C)C)[Al]I Chemical compound C*C(C)N(*N(C(C)(C)[Am]N(C(C)(C)[Al])[I+]=[Al])[Al](C)C)[Al]I 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 5
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 5
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 5
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 5
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 5
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 5
- DPZNOMCNRMUKPS-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethoxybenzene Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1 DPZNOMCNRMUKPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-4-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1 CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N N-bromosuccinimide Chemical compound BrN1C(=O)CCC1=O PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical class C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 4
- XSIFPSYPOVKYCO-UHFFFAOYSA-N butyl benzoate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 XSIFPSYPOVKYCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 4
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 4
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 description 4
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 4
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 4
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 4
- ABDKAPXRBAPSQN-UHFFFAOYSA-N veratrole Chemical compound COC1=CC=CC=C1OC ABDKAPXRBAPSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SZUVGFMDDVSKSI-WIFOCOSTSA-N (1s,2s,3s,5r)-1-(carboxymethyl)-3,5-bis[(4-phenoxyphenyl)methyl-propylcarbamoyl]cyclopentane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound O=C([C@@H]1[C@@H]([C@](CC(O)=O)([C@H](C(=O)N(CCC)CC=2C=CC(OC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C1)C(O)=O)C(O)=O)N(CCC)CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 SZUVGFMDDVSKSI-WIFOCOSTSA-N 0.000 description 3
- GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N (2S,3R)-N-[(2S)-3-(cyclopenten-1-yl)-1-[(2R)-2-methyloxiran-2-yl]-1-oxopropan-2-yl]-3-hydroxy-3-(4-methoxyphenyl)-2-[[(2S)-2-[(2-morpholin-4-ylacetyl)amino]propanoyl]amino]propanamide Chemical compound C1(=CCCC1)C[C@@H](C(=O)[C@@]1(OC1)C)NC([C@H]([C@@H](C1=CC=C(C=C1)OC)O)NC([C@H](C)NC(CN1CCOCC1)=O)=O)=O GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N 0.000 description 3
- QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N (3S)-3-[[(2S)-2-[[(2S)-2-[5-[(3aS,6aR)-2-oxo-1,3,3a,4,6,6a-hexahydrothieno[3,4-d]imidazol-4-yl]pentanoylamino]-3-methylbutanoyl]amino]-3-(4-hydroxyphenyl)propanoyl]amino]-4-[1-bis(4-chlorophenoxy)phosphorylbutylamino]-4-oxobutanoic acid Chemical compound CCCC(NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)[C@H](Cc1ccc(O)cc1)NC(=O)[C@@H](NC(=O)CCCCC1SC[C@@H]2NC(=O)N[C@H]12)C(C)C)P(=O)(Oc1ccc(Cl)cc1)Oc1ccc(Cl)cc1 QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N 0.000 description 3
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical group C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical group C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 3
- 125000006268 biphenyl-3-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000005578 chrysene group Chemical group 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 229940125797 compound 12 Drugs 0.000 description 3
- 229940126543 compound 14 Drugs 0.000 description 3
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 3
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 3
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N lithium butane Chemical compound [Li+].CCC[CH2-] DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 3
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 3
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 3
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 3
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 3
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 3
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 3
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004317 1,3,5-triazin-2-yl group Chemical group [H]C1=NC(*)=NC([H])=N1 0.000 description 2
- IJAAWBHHXIWAHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(2-phenylethenyl)benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 IJAAWBHHXIWAHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSIGJGFTADMDOB-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-3-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=CC(C)=C1 OSIGJGFTADMDOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 1-[6-[2-[3-[3-[3-[2-[2-[3-[[2-[2-[[(2r)-1-[[2-[[(2r)-1-[3-[2-[2-[3-[[2-(2-amino-2-oxoethoxy)acetyl]amino]propoxy]ethoxy]ethoxy]propylamino]-3-hydroxy-1-oxopropan-2-yl]amino]-2-oxoethyl]amino]-3-[(2r)-2,3-di(hexadecanoyloxy)propyl]sulfanyl-1-oxopropan-2-yl Chemical compound O=C1C(SCCC(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(=O)N[C@@H](CSC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CO)C(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(N)=O)CC(=O)N1CCNC(=O)CCCCCN\1C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2CC/1=C/C=C/C=C/C1=[N+](CC)C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2C1 UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 0.000 description 2
- CTPUUDQIXKUAMO-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3-iodobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC(I)=C1 CTPUUDQIXKUAMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLMBNEVGYRXFNA-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2,3-dimethylbenzene Chemical compound COC1=CC=CC(C)=C1C BLMBNEVGYRXFNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 1-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=CC2=C1 QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- 125000002941 2-furyl group Chemical group O1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- DTFKRVXLBCAIOZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylanisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1C DTFKRVXLBCAIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005979 2-naphthyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004105 2-pyridyl group Chemical group N1=C([*])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000000175 2-thienyl group Chemical group S1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUADUHVXMFJVLH-UHFFFAOYSA-N 7-chloro-3-imidazol-1-yl-2H-1,2,4-benzotriazin-1-ium 1-oxide Chemical compound N1[N+](=O)C2=CC(Cl)=CC=C2N=C1N1C=CN=C1 BUADUHVXMFJVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 2
- ZIRVQSRSPDUEOJ-UHFFFAOYSA-N 9-bromoanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(Br)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 ZIRVQSRSPDUEOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004129 EU approved improving agent Substances 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100030361 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) pph-3 gene Proteins 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CWRYPZZKDGJXCA-UHFFFAOYSA-N acenaphthene Chemical compound C1=CC(CC2)=C3C2=CC=CC3=C1 CWRYPZZKDGJXCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IPBVNPXQWQGGJP-UHFFFAOYSA-N acetic acid phenyl ester Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1 IPBVNPXQWQGGJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002078 anthracen-1-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C([*])=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- 125000000748 anthracen-2-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C([H])=C([*])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- UDEWPOVQBGFNGE-UHFFFAOYSA-N benzoic acid n-propyl ester Natural products CCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 UDEWPOVQBGFNGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001562 benzopyrans Chemical class 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 2
- 229940125773 compound 10 Drugs 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005583 coronene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003336 coronenyl group Chemical group C1(=CC2=CC=C3C=CC4=CC=C5C=CC6=CC=C1C1=C6C5=C4C3=C21)* 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- ZXHUJRZYLRVVNP-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran-4-ylboronic acid Chemical compound C12=CC=CC=C2OC2=C1C=CC=C2B(O)O ZXHUJRZYLRVVNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical class [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 2
- IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N ethylcyclohexane Chemical compound CCC1CCCCC1 IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- HVQAJTFOCKOKIN-UHFFFAOYSA-N flavonol Natural products O1C2=CC=CC=C2C(=O)C(O)=C1C1=CC=CC=C1 HVQAJTFOCKOKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N jdtic Chemical compound C1([C@]2(C)CCN(C[C@@H]2C)C[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@@H]2NCC3=CC(O)=CC=C3C2)=CC=CC(O)=C1 ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N 0.000 description 2
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 description 2
- OLXYLDUSSBULGU-UHFFFAOYSA-N methyl pyridine-4-carboxylate Chemical compound COC(=O)C1=CC=NC=C1 OLXYLDUSSBULGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N n-Butyllithium Substances [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N phenetole Chemical compound CCOC1=CC=CC=C1 DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DYUMLJSJISTVPV-UHFFFAOYSA-N phenyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC1=CC=CC=C1 DYUMLJSJISTVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-M phenylacetate Chemical compound [O-]C(=O)CC1=CC=CC=C1 WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229940049953 phenylacetate Drugs 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Chemical class 0.000 description 2
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 2
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- WJKHJLXJJJATHN-UHFFFAOYSA-N triflic anhydride Chemical compound FC(F)(F)S(=O)(=O)OS(=O)(=O)C(F)(F)F WJKHJLXJJJATHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N trimethyl borate Chemical compound COB(OC)OC WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003960 triphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenoxy)boronic acid Chemical compound OB(O)OC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVNPEUJXKZFWSJ-LMTQTHQJSA-N (R)-N-[(4S)-8-[6-amino-5-[(3,3-difluoro-2-oxo-1H-pyrrolo[2,3-b]pyridin-4-yl)sulfanyl]pyrazin-2-yl]-2-oxa-8-azaspiro[4.5]decan-4-yl]-2-methylpropane-2-sulfinamide Chemical compound CC(C)(C)[S@@](=O)N[C@@H]1COCC11CCN(CC1)c1cnc(Sc2ccnc3NC(=O)C(F)(F)c23)c(N)n1 UVNPEUJXKZFWSJ-LMTQTHQJSA-N 0.000 description 1
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSNIZNHTOVFARY-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzothiazole Chemical group C1=CC=C2C=NSC2=C1 CSNIZNHTOVFARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTZQTRPPVKQPFO-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzoxazole Chemical group C1=CC=C2C=NOC2=C1 KTZQTRPPVKQPFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 1,2-dioctyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(CCCCCCCC)C(CCCCCCCC)=C3CC2=C1 PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKEWBOPVULFSFJ-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydroperimidin-2-one Chemical class C1=CC(NC(O)=N2)=C3C2=CC=CC3=C1 NKEWBOPVULFSFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPPWGCYEYAMHDT-UHFFFAOYSA-N 1,4-di(propan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C(C)C)C=C1 SPPWGCYEYAMHDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylethenyl)-4-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005978 1-naphthyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- YEBQUUKDSJCPIX-UHFFFAOYSA-N 12h-benzo[a]thioxanthene Chemical class C1=CC=CC2=C3CC4=CC=CC=C4SC3=CC=C21 YEBQUUKDSJCPIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFJWYZMQAEBMO-UHFFFAOYSA-N 1h-benzo[h]quinolin-10-one Chemical compound C1=CNC2=C3C(=O)C=CC=C3C=CC2=C1 ZVFJWYZMQAEBMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVRPFRMDMNDIDH-UHFFFAOYSA-N 1h-quinazolin-2-one Chemical group C1=CC=CC2=NC(O)=NC=C21 AVRPFRMDMNDIDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HODQZCIFYBMTHU-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21.O1CCOC2=CSC=C21 HODQZCIFYBMTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJCFZCTTZWHRNL-UHFFFAOYSA-N 2,4-Dimethylanisole Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1C UJCFZCTTZWHRNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CESUFNSEOLEPAN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-bromophenyl)naphthalene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 CESUFNSEOLEPAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDBQJSCPCGTAFG-QHCPKHFHSA-N 4,4-difluoro-N-[(1S)-3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-pyridin-3-ylpropyl]cyclohexane-1-carboxamide Chemical compound FC1(CCC(CC1)C(=O)N[C@@H](CCN1CCC(CC1)N1C(=NN=C1C)C(C)C)C=1C=NC=CC=1)F WDBQJSCPCGTAFG-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 4,4-difluoro-N-[3-[3-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)-8-azabicyclo[3.2.1]octan-8-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]cyclohexane-1-carboxamide Chemical compound CC(C)C1=NN=C(C)N1C1CC2CCC(C1)N2CCC(NC(=O)C1CCC(F)(F)CC1)C1=CC=CS1 BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYBLVRRCNVHZQJ-UHFFFAOYSA-N 5-Hydroxyflavone Chemical compound C=1C(=O)C=2C(O)=CC=CC=2OC=1C1=CC=CC=C1 IYBLVRRCNVHZQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGTNBODHPCZTCG-UHFFFAOYSA-N 8-iodonaphthalen-2-ol Chemical compound C1=CC=C(I)C2=CC(O)=CC=C21 GGTNBODHPCZTCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003860 C1-C20 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NUGPIZCTELGDOS-QHCPKHFHSA-N N-[(1S)-3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-pyridin-3-ylpropyl]cyclopentanecarboxamide Chemical compound C(C)(C)C1=NN=C(N1C1CCN(CC1)CC[C@@H](C=1C=NC=CC=1)NC(=O)C1CCCC1)C NUGPIZCTELGDOS-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N N-[3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]acetamide Chemical compound C(C)(C)C1=NN=C(N1C1CCN(CC1)CCC(C=1SC=CC=1)NC(C)=O)C LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000292 Polyquinoline Chemical class 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISZWRZGKEWQACU-UHFFFAOYSA-N Primuletin Natural products OC1=CC=CC(C=2OC3=CC=CC=C3C(=O)C=2)=C1 ISZWRZGKEWQACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006069 Suzuki reaction reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N acetnaphthylene Natural products C1=CC(C=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005036 alkoxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012935 ammoniumperoxodisulfate Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003828 azulenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- TXVHTIQJNYSSKO-UHFFFAOYSA-N benzo[e]pyrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC4=CC=C1C2=C34 TXVHTIQJNYSSKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 238000010504 bond cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N borane Chemical compound [10BH3] UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- OSQPUMRCKZAIOZ-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;ethanol Chemical compound CCO.O=C=O OSQPUMRCKZAIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N cyclobutene Chemical compound C1CC=C1 CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N cyclohexylcyclohexane Chemical compound C1CCCCC1C1CCCCC1 WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHADSMKORVFYOS-UHFFFAOYSA-N cyclooctanol Chemical compound OC1CCCCCCC1 FHADSMKORVFYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N cyclooctanone Chemical compound O=C1CCCCCCC1 IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 description 1
- JOFBTOVNZIUWPX-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran-1-ylboronic acid Chemical compound O1C2=CC=CC=C2C2=C1C=CC=C2B(O)O JOFBTOVNZIUWPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical class C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- ZTYYDUBWJTUMHW-UHFFFAOYSA-N furo[3,2-b]furan Chemical group O1C=CC2=C1C=CO2 ZTYYDUBWJTUMHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical group 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUMMCEUVDBVXTQ-UHFFFAOYSA-N naphthalen-1-ylboronic acid Chemical compound C1=CC=C2C(B(O)O)=CC=CC2=C1 HUMMCEUVDBVXTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N nonan-5-one Chemical compound CCCCC(=O)CCCC WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000005327 perimidinyl group Chemical group N1C(=NC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 1
- RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N phenanthridine Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=NC2=C1 RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002071 phenylalkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003884 phenylalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- MHOZZUICEDXVGD-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[2,3-d]imidazole Chemical group C1=NC2=CC=NC2=N1 MHOZZUICEDXVGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical group C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZTPJDLYPMPRDF-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-c]pyrazole Chemical group N1=NC2=CC=NC2=C1 GZTPJDLYPMPRDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical group N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000006836 terphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005579 tetracene group Chemical group 0.000 description 1
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical group N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONCNIMLKGZSAJT-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b]furan Chemical group S1C=CC2=C1C=CO2 ONCNIMLKGZSAJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b]thiophene Chemical group S1C=CC2=C1C=CS2 VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000002366 time-of-flight method Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N trihydridoboron Substances B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHDIQVFFNDKAQU-UHFFFAOYSA-N tripropan-2-yl borate Chemical compound CC(C)OB(OC(C)C)OC(C)C NHDIQVFFNDKAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 125000001834 xanthenyl group Chemical class C1=CC=CC=2OC3=CC=CC=C3C(C12)* 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Furan Compounds (AREA)
Description
本発明は、発光効率が高く、耐熱性を含めた駆動寿命に優れる有機電界発光素子に好適に用いられる電荷輸送材料として有用な化合物、さらに湿式成膜法に好適に用いられうるものであり、有機溶剤に対する溶解性が高い有機化合物に関する。 The present invention is a compound useful as a charge transport material suitably used for an organic electroluminescence device having high luminous efficiency and excellent driving life including heat resistance, and can be suitably used for a wet film-forming method, The present invention relates to an organic compound having high solubility in an organic solvent.
近年、薄膜型の電界発光素子としては、無機材料を使用したものに代わり、有機薄膜を用いた有機電界発光素子の開発が行われるようになっている。有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを設けて形成され、各層に適した材料が開発されつつある。また、有機電界発光素子の発光色も赤、緑、青と、それぞれに開発が進んでいる。 In recent years, as a thin film type electroluminescent element, an organic electroluminescent element using an organic thin film has been developed instead of using an inorganic material. Organic electroluminescent devices are usually formed by providing a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, etc. between the anode and the cathode, and materials suitable for each layer are being developed. . In addition, the light emission colors of organic electroluminescent elements are being developed in red, green, and blue, respectively.
しかしながら、青色有機電界発光素子については、効率、寿命、耐熱性の観点で満足できるものが実現されておらず、フルカラーディスプレイ用途への適用には制約があるという課題があった。
有機電界発光素子の各構成層の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法がある。このうち、真空蒸着法では、テレビやモニタ用の中・大型フルカラーパネルなどを製作する場合、歩留まりの観点で課題を有する。そのため、中でもこれら大面積の用途には湿式成膜法が好適である。
However, blue organic electroluminescent elements have not been satisfactory in terms of efficiency, life, and heat resistance, and there is a problem that application to full color display is limited.
As a method for forming each constituent layer of the organic electroluminescent element, there are a vacuum vapor deposition method and a wet film formation method. Among these, the vacuum deposition method has a problem in terms of yield when manufacturing a medium- or large-sized full-color panel for a television or a monitor. Therefore, the wet film-forming method is suitable for these large area applications.
しかしながら、湿式成膜法で有機電界発光素子の有機層を形成するためには、有機層を形成する材料が溶剤に溶解し、かつ湿式成膜後にも素子の構成層として要求される高い性能を有することが望まれる。しかし、従来開発されている湿式成膜法用材料であっても、このような湿式成膜法に要求される条件を満たさないものが多かった。
例えば、特許文献1では、下記式で示される材料を用いて、湿式成膜法によって作製した素子が開示されている。
However, in order to form an organic layer of an organic electroluminescent element by a wet film formation method, the material for forming the organic layer is dissolved in a solvent, and the high performance required as a component layer of the element after the wet film formation is obtained. It is desirable to have. However, even materials that have been conventionally developed for wet film formation methods often do not satisfy the conditions required for such wet film formation methods.
For example, Patent Document 1 discloses an element manufactured by a wet film formation method using a material represented by the following formula.
また、特許文献2には、下記式で示される材料を用い、湿式成膜法によって作製した素子が開示されている。 Patent Document 2 discloses an element manufactured by a wet film forming method using a material represented by the following formula.
しかしながら、これらの材料は、溶剤に対する溶解性や耐熱性といった湿式成膜のプロセス上の要求物性を満足していない上に、素子に用いても駆動電圧が高かったり、十分な寿命が得られないなどの問題があった。また、特許文献3には、(A−1)及び(A−2)を、特許文献4には下記(A−3)を電荷輸送材料として用いて、蒸着法で成膜した素子について記載がある。
However, these materials do not satisfy the physical properties required in the process of wet film formation such as solubility in solvents and heat resistance, and the driving voltage is high or sufficient life is not obtained even when used in an element. There were problems such as.
本発明は、種々の溶剤に可溶であり、有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法で形成して、駆動電圧が低く、十分な寿命を有する有機電界発光素子を作製し得る有機化合物および有機電界発光素子用組成物と、この有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された有機層を有する有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を含む有機EL
表示装置及び有機EL照明を提供することを課題とする。
The present invention is an organic compound that is soluble in various solvents and that can form an organic layer of an organic electroluminescent device by a wet film forming method to produce an organic electroluminescent device having a low driving voltage and a sufficient lifetime. And an organic electroluminescent element having an organic layer formed by a wet film-forming method using the composition for organic electroluminescent element, and an organic EL including the organic electroluminescent element
It is an object to provide a display device and organic EL lighting.
本発明者らが鋭意検討した結果、素子の駆動寿命が十分でないのは、発光層中の電子の移動が速いため、ホールとの再結合確率が低下していることが一因であると推測した。
更なる検討を行った結果、特定の構造を有する化合物を用いることにより、化合物の電子移動能を調整することで、上記課題が解決できることを見出して、本発明に到達した。
即ち、本発明は、下記式(1)で表されることを特徴とする、有機化合物、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、並びに有機EL表示装置及び有機EL照明に存する。
As a result of intensive studies by the present inventors, the reason why the drive life of the device is not sufficient is presumed to be due to a decrease in recombination probability with holes due to fast movement of electrons in the light emitting layer. did.
As a result of further studies, the inventors have found that the above problem can be solved by adjusting the electron transfer ability of the compound by using a compound having a specific structure, and have reached the present invention.
That is, the present invention is represented by the following formula (1): an organic compound, an organic electroluminescent element material, an organic electroluminescent element composition, an organic electroluminescent element, an organic EL display device, and an organic It exists in EL lighting.
(式中、Ar1は、置換基を有していてもよい芳香族環を表し、R 1 とR2は、互いに結合して環Aとともにナフタレン環、フェナントレン環、又は、キノリン環を形成する。 (In the formula, Ar 1 substituted by Table also aromatic ring, R 1 and R 2, a naphthalene ring bonded to together with ring A together, phenanthrene ring, or form a quinoline ring To do.
nは、0〜2の整数を表す。
また、式中の、ジベンゾフラン環、アントラセン環及びベンゼン環は、連結部位以外に置換基を有していてもよい。)
n represents an integer of 0 to 2.
Moreover, the dibenzofuran ring, the anthracene ring, and the benzene ring in a formula may have a substituent other than a connection part. )
本発明の有機化合物は、アントラセン環以外の部分で、立体障害を生じさせたため、優れた酸化還元耐久性及び適度な電荷移動度を有し、また有機溶剤に対する高い溶解度を両立できたものである。
その為、本発明の有機化合物を含む層を有する有機電界発光素子は、駆動電圧が低く、また駆動寿命が長い。
The organic compound of the present invention has steric hindrance at a portion other than the anthracene ring, so that it has excellent redox durability and appropriate charge mobility, and has both high solubility in an organic solvent. .
Therefore, the organic electroluminescence device having the layer containing the organic compound of the present invention has a low driving voltage and a long driving life.
以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形して実施することができる。
[語句の説明]
本発明において、単に「芳香環」と称した場合には、芳香族炭化水素環および芳香族複素環のいずれも含むものとする。
Embodiments of the present invention will be described in detail below. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made within the scope of the invention.
[Explanation of words]
In the present invention, the simple term “aromatic ring” includes both an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring.
本発明において、「(ヘテロ)アリール」と称した場合には、芳香族炭化水素環および芳香族複素環のいずれも含むものとする。
本発明において、「置換基を有していてもよい」とは、置換基を1または2以上有していてもよいことを意味するものとする。
<有機化合物>
本発明の有機化合物は、下記式(1)で表されることを特徴とする、有機化合物である。
In the present invention, the term “(hetero) aryl” includes both an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocycle.
In the present invention, “may have a substituent” means that one or more substituents may be present.
<Organic compounds>
The organic compound of the present invention is an organic compound represented by the following formula (1).
(式中、Ar1は、置換基を有していてもよい芳香族環を表し、
R1は、炭素数1以上の任意の置換基を表し、R2は、水素原子又は任意の置換基を表し、R1とR2は、互いに結合して環を形成していてもよい。
環Aは、5又は6員環の芳香族環を表す。但し、環AはR1とR2以外に置換基を有していてもよい。
(In the formula, Ar 1 represents an aromatic ring which may have a substituent,
R 1 represents an arbitrary substituent having 1 or more carbon atoms, R 2 represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent, and R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring.
Ring A represents a 5- or 6-membered aromatic ring. However, ring A may have a substituent other than R 1 and R 2 .
nは、0〜2の整数を表す。
また、式中の、ジベンゾフラン環、アントラセン環及びベンゼン環は、連結部位以外に置換基を有していてもよい。)
[構造上の特徴]
本発明の有機化合物が、酸化還元耐久性に優れ、適度に調整された電荷移動度を有し、更に有機溶剤に対して高い溶解度を有する理由を以下の通り推測する。
n represents an integer of 0 to 2.
Moreover, the dibenzofuran ring, the anthracene ring, and the benzene ring in a formula may have a substituent other than a connection part. )
[Structural features]
The reason why the organic compound of the present invention is excellent in oxidation-reduction durability, has a moderately adjusted charge mobility, and has a high solubility in an organic solvent is presumed as follows.
本発明の有機化合物は、酸化還元耐久能および電子移動能を有するアントラセン環と、ホール移動能を有するジベンゾフラン環とを含んでいる。
分子中で、このアントラセン環と他の部分構造が立体障害(ひずみ)を生じると、励起エネルギーがアントラセン環に集中する。これにより、アントラセン環から、ひずみ発生部位の近傍に結合している基へのエネルギー移動が生じ、アントラセン環と該基とが結合解裂することになる。この結果、電荷耐久性や電荷移動度が低下してしまう。
The organic compound of the present invention contains an anthracene ring having redox durability and electron transfer ability and a dibenzofuran ring having hole transfer ability.
When this anthracene ring and other partial structures cause steric hindrance (strain) in the molecule, the excitation energy is concentrated on the anthracene ring. Thereby, energy transfer from the anthracene ring to a group bonded in the vicinity of the strain generation site occurs, and the anthracene ring and the group are cleaved. As a result, charge durability and charge mobility are lowered.
これに対して、本発明の有機化合物は、環Aとm−位で結合しているベンゼン環と、環Aのo−位に結合しているR1とで立体障害が生じている。つまり、アントラセン環と他の部分構造が、立体障害を起こしていない。これにより、本発明の有機化合物は、アントラセン環との結合解離がしにくく、酸化還元耐久性が良好である。また、立体障害により、本発明の有機化合物は、有機溶剤に対する溶解性が良好である。 On the other hand, in the organic compound of the present invention, steric hindrance occurs between the benzene ring bonded to the ring A at the m-position and R 1 bonded to the o-position of the ring A. That is, the anthracene ring and other partial structures do not cause steric hindrance. As a result, the organic compound of the present invention is not easily dissociated from the anthracene ring and has good redox durability. Further, due to steric hindrance, the organic compound of the present invention has good solubility in an organic solvent.
また、−(Ar1)n−フェニル基−環Aによって、近傍の分子との、アントラセン環−アントラセン環の分子間距離を離し、電子移動度を調整することが可能となる。
電子移動度が調整された結果、発光層中で、ホールと電子との再結合確率を高めるため、得られる素子の発光効率が高まり、また駆動寿命が長いとの効果を奏する。
また、上記の立体障害が生じている部分と、アントラセン環との距離を離すことで、アントラセンからのエネルギー移動により、結合解裂する確率を低下することができるため好ましい。
In addition, by-(Ar 1 ) n-phenyl group-ring A, the intermolecular distance of an anthracene ring-anthracene ring from a neighboring molecule can be increased, and the electron mobility can be adjusted.
As a result of adjusting the electron mobility, the recombination probability between holes and electrons is increased in the light emitting layer, so that the light emitting efficiency of the resulting device is increased and the driving life is long.
Further, it is preferable to increase the probability of bond cleavage by energy transfer from anthracene by separating the distance between the steric hindrance and the anthracene ring.
以上の様に、本発明の有機化合物を湿式成膜法で形成する有機電界発光素子の有機層に用いることにより、有機電界発光素子の耐久性向上、駆動電圧の低下および寿命の向上につながる。
なお、本発明における湿式成膜法とは、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の溶剤を含有するインクを用いて成膜する方法をいう。パターニングのし易さという点で、これらのうちダイコート法、ロールコート法、スプレーコート法、インクジェット法、フレキソ印刷法が好ましい。
As described above, by using the organic compound of the present invention in the organic layer of the organic electroluminescent element formed by the wet film forming method, the durability of the organic electroluminescent element is improved, the driving voltage is lowered, and the lifetime is improved.
The wet film forming method in the present invention is a spin coating method, a dip coating method, a die coating method, a bar coating method, a blade coating method, a roll coating method, a spray coating method, a capillary coating method, an ink jet method, a screen printing method, A gravure printing method, flexographic printing method, offset printing method, or the like is a method for forming a film using an ink containing a solvent. Of these, the die coating method, the roll coating method, the spray coating method, the ink jet method, and the flexographic printing method are preferable from the viewpoint of easy patterning.
以下に上記式(1)における各構成要素について詳細に説明する。
[Ar1について]
Ar1は、置換基を有していてもよい芳香環を表す。
上記芳香環としては、炭素数30以下のものが好ましく、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、ピレン環、トリフェニレン環、コロネン環などの芳香族炭化水素環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環などの芳香族複素環が挙げられる。これらのうち、化合物の安定性の面からベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環が特に好ましく、ベンゼン環が最も好ましい。
Hereinafter, each component in the above formula (1) will be described in detail.
[About Ar 1 ]
Ar 1 represents an aromatic ring which may have a substituent.
As the aromatic ring, those having 30 or less carbon atoms are preferable. For example, aromatic hydrocarbon rings such as benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, naphthacene ring, chrysene ring, pyrene ring, triphenylene ring, coronene ring, and thiophene ring , Furan ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, indole ring, benzothiophene ring, benzofuran ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, carbazole ring, etc. Is mentioned. Of these, a benzene ring, a naphthalene ring, a pyridine ring, a dibenzofuran ring and a dibenzothiophene ring are preferable, a benzene ring and a naphthalene ring are particularly preferable, and a benzene ring is most preferable from the viewpoint of the stability of the compound.
また、Ar1は置換基を有していてもよく、その置換基としては、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基、炭素数3〜20の芳香族複素環基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基、炭素数1〜20のアルキルチオ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基、シアノ基が挙げられる。 Ar 1 may have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms, and an aromatic group having 3 to 20 carbon atoms. A heterocyclic group, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a (hetero) aryloxy group having 3 to 20 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, a (hetero) arylthio group having 3 to 20 carbon atoms, and a cyano group. Can be mentioned.
これらのうち、Ar1が有する置換基としては、化合物の安定性の面から炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基が好ましく、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基が特に好ましい。
Ar1が有していてもよい置換基のより好適な具体例としては、以下のものが挙げられる。
Among these, as a substituent which Ar < 1 > has, the C1-C20 alkyl group and C6-C25 aromatic hydrocarbon group are preferable from the surface of the stability of a compound, C6-C25 aromatic A group hydrocarbon group is particularly preferred.
As more specific examples of a preferable Ar 1 is the substituent which may have, include the following.
[置換基群Z]
炭素数1〜20のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基であり、メチル基、エチル基が、原料が入手しやすく、また安価であるなどの点から好ましく、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基は非極性溶剤に高い溶解性を持つために好ましい。
[Substituent group Z]
Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, hexyl group, octyl group and cyclohexyl group. Group, decyl group, octadecyl group and the like. Among these, Preferably, they are a methyl group, an ethyl group, and an isopropyl group, and a methyl group and an ethyl group are preferable from the point of being easy to obtain a raw material and cheap, and an iso-butyl group and a sec-butyl group. , Tert-butyl group is preferable because of its high solubility in nonpolar solvents.
炭素数6〜25の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基などのナフチル基、9−フェナンチル基、3−フェナンチル基などのフェナンチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基などのアントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基などのナフタセニル基、1−クリセニル基、2−クリセニル基、3−クリセニル基、4−クリセニル基、5−クリセニル基、6−クリセニル基などのクリセニル基、1−ピレニル基などのピレニル基、1−トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基、1−コロネニル基などのコロネニル基、4−ビフェニル基、
3−ビフェニル基などのビフェニル基等が挙げられ、化合物の安定性の面からフェニル基、2−ナフチル基、1−アントラニル基、9−フェナントリル基、9−アントラニル基、4−ビフェニル基、3−ビフェニル基が好ましく、フェニル基、2−ナフチル基、3−ビフェニル基が化合物の精製のし易さから特に好ましい。
Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms include a naphthyl group such as a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group, a phenanthyl group such as a 9-phenanthyl group and a 3-phenanthyl group, and 1-anthryl. Group, 2-anthryl group, anthryl group such as 9-anthryl group, 1-naphthacenyl group, naphthacenyl group such as 2-naphthacenyl group, 1-chrysenyl group, 2-chrysenyl group, 3-chrysenyl group, 4-chrysenyl group, 5-chrycenyl group, 6-chrycenyl group and other chrycenyl groups, 1-pyrenyl group and other pyrenyl groups, 1-triphenylenyl group and other triphenylenyl groups, 1-coronenyl group and other coronenyl groups, 4-biphenyl group,
And biphenyl groups such as 3-biphenyl group. From the viewpoint of stability of the compound, phenyl group, 2-naphthyl group, 1-anthranyl group, 9-phenanthryl group, 9-anthranyl group, 4-biphenyl group, 3- A biphenyl group is preferable, and a phenyl group, a 2-naphthyl group, and a 3-biphenyl group are particularly preferable because of easy purification of the compound.
炭素数3〜20の芳香族複素環基の例としては、2−チエニル基などのチエニル基、2−フリル基などのフリル基、2−イミダゾリル基などのイミダゾリル基、9−カルバゾリル基などのカルバゾリル基、2−ピリジル基などのピリジル基、1,3,5−トリアジン−2−イル基などのトリアジン−イル基等が挙げられる。中でも9−カルバゾリル基が化合物の安定性の面から好ましい。 Examples of the aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms include thienyl group such as 2-thienyl group, furyl group such as 2-furyl group, imidazolyl group such as 2-imidazolyl group, and carbazolyl such as 9-carbazolyl group. Groups, pyridyl groups such as 2-pyridyl group, triazin-yl groups such as 1,3,5-triazin-2-yl group, and the like. Of these, a 9-carbazolyl group is preferable from the viewpoint of stability of the compound.
炭素数1〜20のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、9−アントラニルオキシ基、2−チエニルオキシ基等が挙げられる。
炭素数1〜20のアルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。
Examples of the alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, isopropyloxy group, cyclohexyloxy group, octadecyloxy group and the like.
Examples of the (hetero) aryloxy group having 3 to 20 carbon atoms include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 9-anthranyloxy group, 2-thienyloxy group and the like.
Examples of the alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms include methylthio group, ethylthio group, isopropylthio group, cyclohexylthio group and the like.
炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、9−アントラニルチオ基、2−チエニルチオ基等が挙げられる。
nは0〜2の整数を表す。
nは、アントラセン環からひずみの大きい結合部位を離して、化合物の耐久性を向上させる点で1〜2が好ましく、また有機溶剤に対する溶解性や成膜性の向上点で0が特に好ましい。
Examples of the (hetero) arylthio group having 3 to 20 carbon atoms include a phenylthio group, a 1-naphthylthio group, a 9-anthranylthio group, and a 2-thienylthio group.
n represents an integer of 0 to 2.
n is preferably 1 to 2 in terms of improving the durability of the compound by separating a bond site having a large strain from the anthracene ring, and 0 is particularly preferable in terms of improving the solubility in organic solvents and the film forming property.
また、(Ar1)nで表される部分は、その置換基も含め分子量は、通常700以下、好ましくは500以下、さらに好ましくは200以下、また通常0以上である。
上記範囲内であると、化合物の精製が容易である点で好ましい。
[環Aについて]
環Aは、5又は6員環の芳香族環を表す。
Moreover, the molecular weight of the moiety represented by (Ar 1 ) n including its substituents is usually 700 or less, preferably 500 or less, more preferably 200 or less, and usually 0 or more.
Within the above range, it is preferable in terms of easy purification of the compound.
[About Ring A]
Ring A represents a 5- or 6-membered aromatic ring.
環Aの芳香環としては、炭素数30以下のものが好ましく、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、ピレン環、トリフェニレン環、コロネン環などの芳香族炭化水素環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環などの芳香族複素環等が挙げられる。 The aromatic ring of ring A is preferably an aromatic ring having 30 or less carbon atoms, for example, an aromatic hydrocarbon ring such as a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, naphthacene ring, chrysene ring, pyrene ring, triphenylene ring, coronene ring, Aromatics such as thiophene ring, furan ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, indole ring, benzothiophene ring, benzofuran ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, carbazole ring Heterocycle etc. are mentioned.
これらのうち、化合物の安定性の面からベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環が特に好ましく、ベンゼン環が最も好ましい。
[R1及びR2について]
R1は、炭素数1以上の任意の置換基を表し、R2は、水素原子又は任意の置換基を表す。R1とR2は、互いに結合して環を形成していてもよい。
Of these, a benzene ring, a naphthalene ring, a pyridine ring, a dibenzofuran ring and a dibenzothiophene ring are preferable, a benzene ring and a naphthalene ring are particularly preferable, and a benzene ring is most preferable from the viewpoint of the stability of the compound.
[About R 1 and R 2 ]
R 1 represents an arbitrary substituent having 1 or more carbon atoms, and R 2 represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent. R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring.
R1の具体例としては、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基、炭素数3〜20の芳香族複素環基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基、炭素数1〜20のアルキルチオ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基、シアノ基が挙げられる。これらのうち、化合物の安定性の面から炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基が好ましく、芳香族炭化水素基が特に好ましい。 Specific examples of R 1 include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms, an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, Examples thereof include a (hetero) aryloxy group having 3 to 20 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, a (hetero) arylthio group having 3 to 20 carbon atoms, and a cyano group. Among these, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms are preferable, and an aromatic hydrocarbon group is particularly preferable from the viewpoint of the stability of the compound.
R2の具体例としては、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基、炭素数3〜20の芳香族複素環基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基、炭素数1〜20のアルキルチオ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基、シアノ基が挙げられる。これらのうち、化合物の安定性の面から水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基が好ましく、水素原子、芳香族炭化水素基が特に好ましい。 Specific examples of R 2 include a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms, an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms, and an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Examples thereof include an alkoxy group, a (hetero) aryloxy group having 3 to 20 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, a (hetero) arylthio group having 3 to 20 carbon atoms, and a cyano group. Of these, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms are preferable, and a hydrogen atom and an aromatic hydrocarbon group are particularly preferable from the viewpoint of stability of the compound.
R1とR2の好ましい組み合わせは、R1が芳香族炭化水素基、R2が水素原子の組み合わせであるが、さらに好ましくはR1とR2とが互いに結合して環を形成した基である。
R1とR2とが互いに結合して環を形成した基としては、例えば、環Aとともにナフタレン環、フェナントレン環、キノリン環などがあげられる。
A preferred combination of R 1 and R 2 is a combination in which R 1 is an aromatic hydrocarbon group and R 2 is a hydrogen atom, more preferably a group in which R 1 and R 2 are bonded to each other to form a ring. is there.
Examples of the group in which R 1 and R 2 are bonded to each other to form a ring include a naphthalene ring, a phenanthrene ring, and a quinoline ring together with ring A.
尚、環Aは、本発明の効果を損なわない限り、R1及びR2以外に置換基を有していてもよい。環AがR1及びR2以外に有していてもよい置換基としては、例えば、上記[R1及びR2について]の項に記載のものと同様の基が挙げられる。
但し、環Aは、酸化還元耐久性の点ではR1及びR2以外に置換基を有さないことが好ましい。
Ring A may have a substituent other than R 1 and R 2 as long as the effects of the present invention are not impaired. Examples of the substituent that the ring A may have other than R 1 and R 2 include the same groups as those described in the above-mentioned section [about R 1 and R 2 ].
However, ring A preferably has no substituent other than R 1 and R 2 in terms of oxidation-reduction durability.
[ジベンゾフラン環及びアントラセン環について]
アントラセン環およびジベンゾフラン環は置換基を有していてもよい。
このアントラセン環およびジベンゾフラン環が有していてもよい置換基としては、炭素数50以下の置換基が好ましく、該置換基はさらに置換基を有していてもよい。
アントラセン環およびジベンゾフラン環が有していてもよい置換基の具体例としては、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素環基、炭素数3〜20の芳香族複素環基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基、炭素数1〜20のアルキルチオ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基、シアノ基などが挙げられる。これらのうち、アントラセン環が有する置換基としては、化合物の安定性の面から、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基、炭素数3〜20の芳香族複素環基が好ましく、芳香族炭化水素環基が特に好ましい。
[Dibenzofuran ring and anthracene ring]
The anthracene ring and dibenzofuran ring may have a substituent.
The substituent that the anthracene ring and dibenzofuran ring may have is preferably a substituent having 50 or less carbon atoms, and the substituent may further have a substituent.
Specific examples of the substituent that the anthracene ring and dibenzofuran ring may have include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 25 carbon atoms, and an aromatic group having 3 to 20 carbon atoms. Heterocyclic group, C1-C20 alkoxy group, C3-C20 (hetero) aryloxy group, C1-C20 alkylthio group, C3-C20 (hetero) arylthio group, cyano group, etc. Is mentioned. Among these, as a substituent which an anthracene ring has, from the surface of stability of a compound, a C1-C20 alkyl group, a C6-C25 aromatic hydrocarbon group, a C3-C20 aromatic A heterocyclic group is preferable, and an aromatic hydrocarbon ring group is particularly preferable.
炭素数1〜20のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基であり、メチル基、エチル基が、原料が入手しやすく、また安価であるなどの点から好ましく、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基は非極性溶剤に高い溶解性を持つために好ましい。 Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, hexyl group, octyl group and cyclohexyl group. Group, decyl group, octadecyl group and the like. Among these, Preferably, they are a methyl group, an ethyl group, and an isopropyl group, and a methyl group and an ethyl group are preferable from the point of being easy to obtain a raw material and cheap, and an iso-butyl group and a sec-butyl group. , Tert-butyl group is preferable because of its high solubility in nonpolar solvents.
炭素数6〜25の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基などのナフチル基、9−フェナンチル基、3−フェナンチル基などのフェナンチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基などのアントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基などのナフタセニル基、1−クリセニル基、2−クリセニル基、3−クリセニル基、4−クリセニル基、5−クリセニル基、6−クリセニル基などのクリセニル基、1−ピレニル基などのピレニル基、1−トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基、1−コロネニル基などのコロネニル基、4−ビフェニル基、3−ビフェニル基などのビフェニル基等が挙げられ、化合物の安定性の面からフェニル基、2−ナフチル基、1−アントラニル基、9−フェナントリル基、9−アントラニル基が好ましく、フェニル基、2−ナフチル基が化合物の精製のし易さから特に好ましい。 Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms include a naphthyl group such as a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group, a phenanthyl group such as a 9-phenanthyl group and a 3-phenanthyl group, and 1-anthryl. Group, 2-anthryl group, anthryl group such as 9-anthryl group, 1-naphthacenyl group, naphthacenyl group such as 2-naphthacenyl group, 1-chrysenyl group, 2-chrysenyl group, 3-chrysenyl group, 4-chrysenyl group, 5-chrycenyl group, 6-chrycenyl group and other chrycenyl groups, 1-pyrenyl group and other pyrenyl groups, 1-triphenylenyl group and other triphenylenyl groups, 1-coronenyl group and other coronenyl groups, 4-biphenyl group and 3-biphenyl group In view of the stability of the compound, phenyl group, 2-naphthyl group, 1-ant Group, 9-phenanthryl group, 9-anthranyl group is preferably a phenyl group, 2-naphthyl group is particularly preferred from the purification ease of the compound.
炭素数3〜20の芳香族複素環基の例としては、2−チエニル基などのチエニル基、2−フリル基などのフリル基、2−イミダゾリル基などのイミダゾリル基、9−カルバゾリル基などのカルバゾリル基、2−ピリジル基などのピリジル基、1,3,5−トリアジン−2−イル基などのトリアジン−イル基等が挙げられる。中でも9−カルバゾリル基が化合物の安定性の面から好ましい。 Examples of the aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms include thienyl group such as 2-thienyl group, furyl group such as 2-furyl group, imidazolyl group such as 2-imidazolyl group, and carbazolyl such as 9-carbazolyl group. Groups, pyridyl groups such as 2-pyridyl group, triazin-yl groups such as 1,3,5-triazin-2-yl group, and the like. Of these, a 9-carbazolyl group is preferable from the viewpoint of stability of the compound.
炭素数1〜20のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。中でもメトキシ基、エトキシ基が溶剤に対する溶解性向上と化合物のガラス転移点、すなわち耐熱性の面から好ましい。
炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、2−ナフチルオキシ基、9−アントラニルオキシ基、2−チエニルオキシ基等が挙げられる。中でも、フェノキシ基、2−ナフチルオキシ基が溶剤に対する溶解性向上の面から好ましい。
Examples of the alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, isopropyloxy group, cyclohexyloxy group, octadecyloxy group and the like. Of these, a methoxy group and an ethoxy group are preferable from the viewpoint of improving solubility in a solvent and the glass transition point of the compound, that is, heat resistance.
Examples of the (hetero) aryloxy group having 3 to 20 carbon atoms include a phenoxy group, a 2-naphthyloxy group, a 9-anthranyloxy group, and a 2-thienyloxy group. Among these, a phenoxy group and a 2-naphthyloxy group are preferable from the viewpoint of improving the solubility in a solvent.
炭素数1〜20のアルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。中でも、メチルチオ基、エチルチオ基は溶剤に対する溶解性向上と化合物のガラス転移点、すなわち耐熱性の面から好ましい。
炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、9−アントラニルチオ基、2−チエニルチオ基等が挙げられる。中でも、フェニルチオ基は溶剤に対する溶解性向上の面から好ましい。
Examples of the alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms include methylthio group, ethylthio group, isopropylthio group, cyclohexylthio group and the like. Among these, a methylthio group and an ethylthio group are preferable from the viewpoint of improving solubility in a solvent and the glass transition point of the compound, that is, heat resistance.
Examples of the (hetero) arylthio group having 3 to 20 carbon atoms include a phenylthio group, a 1-naphthylthio group, a 9-anthranylthio group, and a 2-thienylthio group. Among these, a phenylthio group is preferable from the viewpoint of improving solubility in a solvent.
またこれらの基は、更に置換基を有していてもよく、その置換基としては、前述のAr1が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
[分子量について]
式(1)で表される有機化合物の分子量は、通常7000以下であり、化合物の精製の容易さを考えた場合、好ましくは分子量5000以下であり、溶剤に対する溶解性を考慮した場合、特に好ましくは3000以下、昇華精製による高純度化を考えた場合、最も好ましくは1500以下である。また、通常、式(1)で表される有機化合物の分子量は、500以上であり、化合物の熱的安定性を考えた場合、好ましくは分子量600以上である。
These groups may further have a substituent, and examples of the substituent include the same substituents as the above-mentioned Ar 1 may have.
[About molecular weight]
The molecular weight of the organic compound represented by the formula (1) is usually 7000 or less, preferably 5,000 or less when considering the ease of purification of the compound, and particularly preferable when considering solubility in a solvent. Is preferably 3000 or less, and most preferably 1500 or less in view of high purity by sublimation purification. In general, the molecular weight of the organic compound represented by the formula (1) is 500 or more, and when considering the thermal stability of the compound, the molecular weight is preferably 600 or more.
[溶剤に対する溶解性について]
式(1)で表される有機化合物は、通常トルエンに対して、室温(25℃)で、0.5重量%以上溶解するものが好ましく、塗布時に均一な膜を形成させ易いことから、1.0重量%以上溶解するものが好ましく、さらに塗布膜の膜厚制御がしやすいことから、1.5重量%以上溶解するものがより好ましく、さらに長時間の保存安定性の点から、2.0重量%以上溶解するものが特に好ましく、2.5重量%以上溶解するものが最も好ましい。
[Solubility in solvents]
The organic compound represented by the formula (1) is preferably one that usually dissolves 0.5% by weight or more in toluene at room temperature (25 ° C.). It is preferable that it dissolves in an amount of not less than 0.0% by weight, and more preferable is that it dissolves in an amount of not less than 1.5% by weight because the film thickness of the coating film can be easily controlled. Those that dissolve at 0% by weight or more are particularly preferable, and those that dissolve at least 2.5% by weight are most preferable.
<物性などについて>
式(1)で表される有機化合物は、ガラス転移温度(Tg)は、好ましくは100℃以上、更に好ましくは110℃以上、また通常180℃以下である。
上記範囲内であると、湿式成膜時の膜中での分子の配列の制御がしやすく、性能のふれが小さくなること、熱安定性が向上し、成膜後の素子としての駆動時の耐久性がよいこと、により好ましい。
<About physical properties>
The organic compound represented by the formula (1) has a glass transition temperature (Tg) of preferably 100 ° C. or higher, more preferably 110 ° C. or higher, and usually 180 ° C. or lower.
Within the above range, it is easy to control the arrangement of molecules in the film during wet film formation, performance fluctuation is reduced, thermal stability is improved, and driving as an element after film formation is performed. It is more preferable that the durability is good.
本発明の有機化合物の電子移動度(μe)は、下記の[電子移動度の測定方法]の項で記載の方法で、μeは、通常2.0×10−7cm2/V・s以上、好ましくは1.0×10−6cm2/V・s以上、さらに好ましくは1.0×10−5cm2/V・s以上、また通常1.0×10−1cm2/V・s以下、好ましくは1.0×10−2cm2/V・s以下、さらに好ましくは3.0×10−3cm2/V・s以下である。
[電荷移動度の測定方法]以下、TOF法による測定方法を示す。
The electron mobility (μe) of the organic compound of the present invention is the method described in the section “Method for Measuring Electron Mobility” below, and μe is usually 2.0 × 10 −7 cm 2 / V · s or more. , Preferably 1.0 × 10 −6 cm 2 / V · s or more, more preferably 1.0 × 10 −5 cm 2 / V · s or more, and usually 1.0 × 10 −1 cm 2 / V · s. s or less, preferably 1.0 × 10 −2 cm 2 / V · s or less, more preferably 3.0 × 10 −3 cm 2 / V · s or less.
[Measurement Method of Charge Mobility] A measurement method by the TOF method will be described below.
(電荷移動度測定用サンプルの作製)
電荷移動度測定用サンプルとしては、基板上に、陽極、有機層、陰極の順に形成された単素子を作成する(以下、「測定サンプル」と称する)。尚、陽極及び陰極は、測定をするために、どちらか一方は光を透過するものを用いる。基板側から測定する場合には、基板についても透明基板を用いる。
(Preparation of charge mobility measurement sample)
As a sample for charge mobility measurement, a single element formed in the order of an anode, an organic layer, and a cathode is prepared on a substrate (hereinafter referred to as “measurement sample”). In addition, in order to measure, the anode and the cathode use one that transmits light. When measuring from the substrate side, a transparent substrate is also used for the substrate.
上記有機層は、有機化合物、及び有機溶剤を含有する組成物を用いて湿式成膜法により形成する。尚、上記組成物の調製に用いる有機溶剤は、有機化合物を良好に溶解するものであれば特に制限はない。
有機層を形成する湿式成膜法には、特に制限はないが、例えば、キャスト法などが挙げられる。
The organic layer is formed by a wet film formation method using a composition containing an organic compound and an organic solvent. The organic solvent used for preparing the composition is not particularly limited as long as it dissolves the organic compound well.
Although there is no restriction | limiting in particular in the wet film-forming method which forms an organic layer, For example, the casting method etc. are mentioned.
また、上記有機層の膜厚は、測定が可能な範囲であれば特に制限はないが、例えば、1μmとされる。
(測定方法)
測定方法、及び原理は下記の通りである。
電荷移動度を測定する為に、例えば、パルス光源としてBrio(ランプ励起Nd:YAGパルスーレーザー、Quantel社製)を、オシロスコープとしてTDS2022型オシロスコープ(Tektronix社製)を用いる。
The film thickness of the organic layer is not particularly limited as long as it can be measured, but is set to 1 μm, for example.
(Measuring method)
The measurement method and principle are as follows.
In order to measure charge mobility, for example, Brio (lamp excitation Nd: YAG pulse laser, manufactured by Quantel) is used as a pulse light source, and a TDS2022 type oscilloscope (manufactured by Tektronix) is used as an oscilloscope.
本発明における電荷移動度の測定は、上記の通り作製した測定サンプルに、25℃で電圧(0.3〜0.5MV/cm)を印加する。この状態で、測定サンプルの透明電極側より、例えばBrio(ランプ励起Nd:YAGパルスーレーザー、Quantel社製)を用いてパルス光を照射する。
この時に、発生した電流を、シャント抵抗により、電流−電圧変化を行い、オシロスコープを用いて電圧波形を観測する。
In the measurement of charge mobility in the present invention, a voltage (0.3 to 0.5 MV / cm) is applied to a measurement sample prepared as described above at 25 ° C. In this state, pulse light is irradiated from the transparent electrode side of the measurement sample using, for example, Brio (lamp excitation Nd: YAG pulse laser, manufactured by Quantel).
At this time, the generated current is subjected to a current-voltage change by a shunt resistor, and a voltage waveform is observed using an oscilloscope.
ここで、測定感度を更に良好にする為に、電圧増幅装置、例えば、DA1855A型差動アンプ(LeCroy社製)を用いてもよい。
ここで、電荷が有機層中の端から端、つまり電極間を移動するのに要する時間は、電流が発生して、電流が消えるまでの時間と考えることができる。
この電荷が有機層中を移動するのに要した時間をT(sec)、有機層に印加した電圧をV(V)(但し、電圧は、電界強度が0.3〜0.5MV/cmとなる電圧)、有機層の膜厚をd(cm)とすると、単位電界強度、単位秒あたりの電荷の移動速度として、電荷移動度は
μ=d/[T×(V/d)] (cm2/V・s)
と算出することができる。
Here, in order to further improve the measurement sensitivity, a voltage amplifier, for example, a DA1855A differential amplifier (manufactured by LeCroy) may be used.
Here, the time required for the charge to move from end to end in the organic layer, that is, between the electrodes, can be considered as the time from when the current is generated until the current disappears.
The time required for this charge to move in the organic layer is T (sec), and the voltage applied to the organic layer is V (V) (however, the voltage is 0.3 to 0.5 MV / cm. Assuming that the thickness of the organic layer is d (cm), the charge mobility is μ = d / [T × (V / d)] (cm 2 / V · s)
Can be calculated.
この方法により、例えば3点以上の電圧において電荷移動度の算出を行い、Poole−Frenkelの式
μ(E)=μ(0)×exp(β×E0.5)
E=V/d
μ(0)=zero−field mobility
β:Poole−Frenkel factor
を用いて実測データを、最小二乗法によりフィッティングすることで任意の電界強度における電荷移動度を算出する。
By this method, for example, charge mobility is calculated at three or more voltages, and the Pool-Frenkel equation μ (E) = μ (0) × exp (β × E 0.5 )
E = V / d
μ (0) = zero-field mobility
β: Poole-Frenkel factor
The charge mobility at an arbitrary electric field strength is calculated by fitting measured data by using the least square method.
測定サンプルに印加する電圧の極性を反転させることで、透明電極表面から対向電極に移動する電荷の極性が反転するので、正孔移動度も電子移動度も同様の手法で測定する。
尚、電荷移動度の測定に用いる測定機器は、上記と同等の測定が可能であれば、上記の測定機器に限定されるものではなく、その他の測定機器を用いてもよいが、上記の測定機器を用いることが好ましい。
By reversing the polarity of the voltage applied to the measurement sample, the polarity of the charge moving from the transparent electrode surface to the counter electrode is reversed, so that the hole mobility and the electron mobility are measured by the same method.
Note that the measuring instrument used for measuring the charge mobility is not limited to the above-described measuring instrument as long as the same measurement as described above is possible. It is preferable to use equipment.
<具体例>
以下に、本発明の有機化合物の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
<Specific example>
Although the preferable specific example of the organic compound of this invention is shown below, this invention is not limited to these.
<有機化合物の合成方法>
本発明の有機化合物は、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができる。
例えば、下図にしめすようにボロン酸あるいはボロン酸エステルとハロゲン化合物の鈴木カップリング、芳香族環のハロゲン化、ハロゲン部位をボロン酸あるいはボロン酸エステルへの変換の反応を組み合わせて実施することにより、芳香族−芳香族結合を生成する方法などが好ましく用いることができるが、これに限定されるものではない。
<Synthesis Method of Organic Compound>
The organic compound of the present invention can be synthesized by selecting a raw material according to the structure of the target compound and using a known method.
For example, as shown in the figure below, by performing a combination of a boronic acid or a boronic acid ester and a halogen compound, a Suzuki coupling, a halogenation of an aromatic ring, and a reaction of converting a halogen moiety into a boronic acid or a boronic acid ester, Although the method etc. which produce | generate an aromatic-aromatic bond can be used preferably, it is not limited to this.
<本発明の有機化合物の用途>
本発明の有機化合物は、発光材料、又は電荷輸送材料(電荷輸送性化合物)として用いられることが好ましく、また有機電界発素子における発光層の発光材料、電荷輸送材料として用いることが好ましく、特に電荷輸送材料として用いられることが好ましい。
また、製造方法を簡便にできることから、本発明の有機化合物は、湿式成膜法で形成される有機層に用いることが好ましい。
<Use of the organic compound of the present invention>
The organic compound of the present invention is preferably used as a light emitting material or a charge transport material (charge transporting compound), and is preferably used as a light emitting material or a charge transport material for a light emitting layer in an organic electroluminescent device. It is preferably used as a transport material.
Moreover, since the manufacturing method can be simplified, the organic compound of the present invention is preferably used for an organic layer formed by a wet film forming method.
尚、本発明の有機化合物は、有機電界発光素子の他に、電子写真感光体、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子などにも好適に用いることができる。
<有機電界発光素子用組成物>
本発明の有機電界発光素子用組成物は、少なくとも本発明の有機化合物及び溶剤を含有する。
In addition, the organic compound of this invention can be used suitably also for an electrophotographic photoreceptor, a photoelectric conversion element, an organic solar cell, an organic rectifying element, etc. besides an organic electroluminescent element.
<Composition for organic electroluminescence device>
The composition for organic electroluminescent elements of the present invention contains at least the organic compound of the present invention and a solvent.
上記有機電界発光素子用組成物における本発明の有機化合物の含有量は、通常0.5重
量%以上、好ましくは1重量%以上、通常50重量%以下、好ましくは10重量%以下である。この範囲とすることにより、発光効率の向上及び素子の低電圧化の効果が得られる。尚、前記有機化合物は組成物中に、1種のみ含まれていてもよく、2種以上が組み合わせて含まれていてもよい。
The content of the organic compound of the present invention in the composition for organic electroluminescent elements is usually 0.5% by weight or more, preferably 1% by weight or more, usually 50% by weight or less, preferably 10% by weight or less. By setting it within this range, the effect of improving the light emission efficiency and lowering the voltage of the element can be obtained. In addition, the said organic compound may be contained only in 1 type in the composition, and may be contained in combination of 2 or more type.
組成物に含有される溶剤は、湿式成膜により本発明の有機化合物を含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。
溶剤は、溶質が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されないが、以下の例が好ましい。
例えば、n−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類;トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類;シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル類;等が挙げられる。
The solvent contained in the composition is a volatile liquid component used for forming a layer containing the organic compound of the present invention by wet film formation.
The solvent is not particularly limited as long as the solute dissolves well, but the following examples are preferable.
For example, alkanes such as n-decane, cyclohexane, ethylcyclohexane, decalin, and bicyclohexane; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, and tetralin; halogenated fragrances such as chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene Group hydrocarbons: 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethyl Aromatic ethers such as anisole and diphenyl ether; aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate; Alicyclic ketones such as Sanone, Cyclooctanone and Fencon; Alicyclic alcohols such as cyclohexanol and cyclooctanol; Aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; Aliphatic alcohols such as butanol and hexanol; Ethylene And aliphatic ethers such as glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA).
中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。これらの溶剤は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶剤の沸点は通常80℃以上、好ましくは100℃以上、より好ましくは120℃以上、また、通常270℃以下、好ましくは250℃以下、より好ましくは沸点230℃以下である。
Of these, alkanes and aromatic hydrocarbons are preferable. One of these solvents may be used alone, or two or more thereof may be used in any combination and ratio.
In order to obtain a more uniform film, it is preferable that the solvent evaporates from the liquid film immediately after the film formation at an appropriate rate. For this reason, the boiling point of the solvent is usually 80 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher, and usually 270 ° C. or lower, preferably 250 ° C. or lower, more preferably 230 ° C. or lower.
溶剤の使用量は、有機電界発光素子用組成物100重量%に対して、好ましくは10重量%以上、より好ましくは50重量%以上、特に好ましくは80重量%以上、また、好ましくは99.95重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下、特に好ましくは99.8重量%以下である。含有量が下限を下回ると、粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、上限を上回ると、成膜後、溶剤を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。 The amount of the solvent used is preferably 10% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, particularly preferably 80% by weight or more, and preferably 99.95% with respect to 100% by weight of the composition for organic electroluminescent elements. % By weight or less, more preferably 99.9% by weight or less, particularly preferably 99.8% by weight or less. When the content is lower than the lower limit, the viscosity becomes too high, and the film forming workability may be lowered. On the other hand, if the value exceeds the upper limit, the film thickness obtained by removing the solvent after film formation cannot be obtained, so that film formation tends to be difficult.
本発明の有機電界発光素子用組成物には、本発明の有機化合物や溶剤の他、有機電界発光素子、特に発光層に用いられる電荷輸送性化合物を含有することができる。
本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて、発光層を形成する場合には、本発明の有機化合物をホスト材料とし、他の電荷輸送性化合物をドーパント材料として含んでいてもよいし、本発明の有機化合物をドーパント材料とし、他の電荷輸送性化合物をホスト材料として含んでいてもよい。また、ドーパント材料、ホスト材料ともに、本発明の有機化合物であってもよい。
In addition to the organic compound and the solvent of the present invention, the composition for an organic electroluminescent element of the present invention can contain a charge transporting compound used for an organic electroluminescent element, particularly a light emitting layer.
When forming a light emitting layer using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, the organic compound of the present invention may be used as a host material, and another charge transporting compound may be included as a dopant material, The organic compound of the present invention may be used as a dopant material, and another charge transporting compound may be included as a host material. Further, both the dopant material and the host material may be the organic compound of the present invention.
他の電荷輸送性化合物としては、従来有機電界発光素子用材料として用いられているものを使用することができる。例えば、ナフタレン、ペリレン、アントラセン、ピレン、トリフェニレン、クリセン、ナフタセン、フェナントレン、コロネン、フルオランテン、ベンゾフェナントレン、フルオレン、アセトナフトフルオランテン、クマリン、p−ビス(
2−フェニルエテニル)ベンゼン及びそれらの誘導体、キナクリドン誘導体、DCM(4−(dicyanomethylene)−2−methyl−6−(p−dimethylaminostyryl)−4H−pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン、アリールアミノ基が置換された縮合芳香族環化合物、アリールアミノ基が置換されたスチリル誘導体等があげられる。
As other charge transporting compounds, those conventionally used as materials for organic electroluminescence devices can be used. For example, naphthalene, perylene, anthracene, pyrene, triphenylene, chrysene, naphthacene, phenanthrene, coronene, fluoranthene, benzophenanthrene, fluorene, acetonaphthofluoranthene, coumarin, p-bis (
2-phenylethenyl) benzene and derivatives thereof, quinacridone derivatives, DCM (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran) series compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothio Examples thereof include xanthene derivatives, azabenzothioxanthene, condensed aromatic ring compounds substituted with an arylamino group, and styryl derivatives substituted with an arylamino group.
他の電荷輸送性化合物は、該組成物を100重量%とすると、通常1重量%以上、また、通常50重量%以下、好ましくは30重量%以下である。
有機電界発光素子用組成物には、必要に応じて、上記の化合物等の他に、更に他の化合物を含有していてもよい。例えば、上記の溶剤の他に、別の溶剤を含有していてもよい。そのような溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
The other charge transporting compound is usually 1% by weight or more, and usually 50% by weight or less, preferably 30% by weight or less, assuming that the composition is 100% by weight.
The composition for organic electroluminescent elements may further contain other compounds in addition to the above-described compounds as necessary. For example, in addition to the above solvent, another solvent may be contained. Examples of such a solvent include amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide, and dimethyl sulfoxide. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.
また、その他の発光材料として、任意の公知材料を適用可能であり、蛍光発光材料あるいは燐光発光材料を単独若しくは複数を混合して使用できる。
尚、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料分子の対称性や剛性を低下させたり、あるいはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも、重要である。
青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クリセン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
In addition, any other known material can be used as the other light emitting material, and a fluorescent light emitting material or a phosphorescent light emitting material can be used alone or in combination.
For the purpose of improving the solubility in a solvent, it is also important to reduce the symmetry and rigidity of the light emitting material molecule or to introduce a lipophilic substituent such as an alkyl group.
Examples of fluorescent dyes that emit blue light include perylene, pyrene, anthracene, chrysene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof.
中でも、クリセンの誘導体が好ましく、例えば、以下の具体例が挙げられる。 Among these, derivatives of chrysene are preferable, and examples include the following specific examples.
緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。
黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
赤色蛍光色素としては、DCM系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
燐光発光材料としては、例えば周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
Examples of the green fluorescent dye include quinacridone derivatives and coumarin derivatives.
Examples of yellow fluorescent dyes include rubrene and perimidone derivatives.
Examples of red fluorescent dyes include DCM compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene and the like.
Examples of the phosphorescent material include organometallic complexes containing a metal selected from
周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウ
ム、白金、金等が挙げられる。
また、成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有してもよい。
Preferred examples of the metal in the phosphorescent organometallic complex containing a metal selected from
Moreover, you may contain various additives, such as a leveling agent and an antifoamer, for the purpose of the improvement of film formability.
<有機電界発光素子>
本発明の有機電界発光素子は、基板上に少なくとも陽極、陰極及びこれらの両極間に設けられた発光層を有するものであって、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された層を有することを特徴とする。該湿式成膜法により形成された層は、該発光層であることが好ましい。
<Organic electroluminescent device>
The organic electroluminescent element of the present invention has at least an anode, a cathode, and a light emitting layer provided between both electrodes on a substrate, and is wet-film-formed using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention. It has the layer formed by the method. The layer formed by the wet film formation method is preferably the light emitting layer.
図1は本発明の有機電界発光素子に好適な構造例を示す断面の模式図であり、図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は発光層、5は電子注入層、6は陰極を各々表す。
[有機電界発光素子]
本発明の有機電界発光素子は、基板上に少なくとも陽極、陰極及びこれらの両極間に設けられた発光層を有するものであって、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された層を有することを特徴とする。該湿式成膜法により形成された層は、該発光層であることが好ましい。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a structure example suitable for the organic electroluminescent device of the present invention. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a light emitting layer, Each of the electron injection layers 6 represents a cathode.
[Organic electroluminescence device]
The organic electroluminescent element of the present invention has at least an anode, a cathode, and a light emitting layer provided between both electrodes on a substrate, and is wet-film-formed using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention. It has the layer formed by the method. The layer formed by the wet film formation method is preferably the light emitting layer.
図1は本発明の有機電界発光素子に好適な構造例を示す断面の模式図であり、図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は発光層、5は電子注入層、6は陰極を各々表す。
[1]基板
基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a structure example suitable for the organic electroluminescent device of the present invention. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a light emitting layer, Each of the electron injection layers 6 represents a cathode.
[1] Substrate
The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element, and a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film, a sheet, or the like is used. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polysulfone is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.
[2]陽極
基板1上には陽極2が設けられる。陽極2は発光層側の層(正孔注入層3又は発光層4など)への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/又はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。
[2] Anode
An anode 2 is provided on the substrate 1. The anode 2 plays a role of hole injection into a layer on the light emitting layer side (such as the
This anode 2 is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or A conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline is used.
陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などを用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。 In general, the anode 2 is often formed by sputtering, vacuum deposition, or the like. In addition, when forming an anode using fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, or conductive polymer fine powder, an appropriate binder resin solution is used. The anode 2 can also be formed by dispersing and coating the substrate 1. Further, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett. 60, 2711, 1992).
陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視
光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましい。この場合、陽極の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陽極2の厚みは任意であり、陽極2は基板1と同一でもよい。また、さらには上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
The anode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.
The thickness of the anode 2 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. When it may be opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary, and the anode 2 may be the same as the substrate 1. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.
陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
(正孔注入層)
正孔注入層3は、陽極2から発光層5へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極2上に形成される。
The surface of the anode is treated with ultraviolet (UV) / ozone, oxygen plasma, or argon plasma for the purpose of removing impurities adhering to the anode and adjusting the ionization potential to improve hole injection. Is preferred.
(Hole injection layer)
The
本発明に係る正孔注入層3の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層3を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層3の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。
The method for forming the
The thickness of the
<湿式成膜法による正孔注入層の形成>
湿式成膜により正孔注入層3を形成する場合、通常は、正孔注入層3を構成する材料を適切な溶剤(正孔注入層用溶剤)と混合して成膜用の組成物(正孔注入層形成用組成物)を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層3の下層に該当する層(通常は、陽極)上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層3を形成する。
<Formation of hole injection layer by wet film formation method>
When forming the
(正孔輸送性化合物)
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物及び溶剤を含有する。
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。
(Hole transporting compound)
The composition for forming a hole injection layer usually contains a hole transporting compound and a solvent as a constituent material of the hole injection layer.
The hole transporting compound is a compound having a hole transporting property that is usually used in a hole injection layer of an organic electroluminescence device, and may be a polymer compound or the like, a monomer or the like. Although it may be a low molecular weight compound, it is preferably a high molecular weight compound.
正孔輸送性化合物としては、陽極2から正孔注入層3への電荷注入障壁の観点から4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で3級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。
The hole transporting compound is preferably a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV from the viewpoint of a charge injection barrier from the anode 2 to the
尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
正孔注入層3の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物1種又は2種以上と、その他の正孔輸送性化合物1種又は2種以上とを併用することが好ましい。
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
In the present invention, the derivative includes, for example, an aromatic amine derivative, and includes an aromatic amine itself and a compound having an aromatic amine as a main skeleton. It may be a mer.
The hole transporting compound used as the material for the
Among the above examples, an aromatic amine compound is preferable from the viewpoint of amorphousness and visible light transmittance, and an aromatic tertiary amine compound is particularly preferable. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型化合物)がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式(I)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。 The type of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but from the viewpoint of uniform light emission due to the surface smoothing effect, a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (a polymerizable compound in which repeating units are linked) is further included. preferable. Preferable examples of the aromatic tertiary amine polymer compound include a polymer compound having a repeating unit represented by the following formula (I).
(式(I)中、Ar1及びAr2は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ar3〜Ar5は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Yは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ar1〜Ar5のうち、同一のN原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。 (In the formula (I), Ar 1 and Ar 2 each independently represent an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Ar 3 to Ar 5 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Represents a linking group selected from the group of linking groups, and among Ar 1 to Ar 5 , two groups bonded to the same N atom may be bonded to each other to form a ring.
(上記各式中、Ar6〜Ar16は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。R1及びR2は、各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。))
Ar1〜Ar16の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基
がさらに好ましい。
(In the above formulas, Ar 6 to Ar 16 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.))
As the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group of Ar 1 to Ar 16 , a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, a thiophene from the viewpoint of the solubility, heat resistance, hole injection / transport property of the polymer compound A group derived from a ring or a pyridine ring is preferred, and a group derived from a benzene ring or a naphthalene ring is more preferred.
Ar1〜Ar16の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常400以下、中でも250以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。
R1及びR2が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。
The aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group of Ar 1 to Ar 16 may further have a substituent. The molecular weight of the substituent is usually 400 or less, preferably about 250 or less. As the substituent, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group and the like are preferable.
When R 1 and R 2 are optional substituents, examples of the substituent include alkyl groups, alkenyl groups, alkoxy groups, silyl groups, siloxy groups, aromatic hydrocarbon groups, aromatic heterocyclic groups, and the like. .
式(I)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第2005/089024号パンフレットに記載のものが挙げられる。
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4-ethylenedioxythiophene(3,4-エチレンジオキシチオフェン)を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー(PEDOT/PSS)もまた好ましい。また、このポリマーの末端を
メタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the formula (I) include those described in International Publication No. 2005/089024.
In addition, as a hole transporting compound, a conductive polymer (PEDOT / PSS) obtained by polymerizing 3,4-ethylenedioxythiophene (3,4-ethylenedioxythiophene), a polythiophene derivative, in high molecular weight polystyrene sulfonic acid. Is also preferred. Moreover, the end of this polymer may be capped with methacrylate or the like.
さらに、正孔輸送性化合物としては、後述の[正孔輸送層]の項に記載の架橋性化合物を用いてもよい。架橋性化合物を用いる場合、成膜方法なども同様である。
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常0.01重量%以上、好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、また、通常70重量%以下、好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは50重量%以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。
Furthermore, as the hole transporting compound, a crosslinkable compound described in the section of [Hole transporting layer] described later may be used. When a crosslinkable compound is used, the film forming method is the same.
The concentration of the hole transporting compound in the composition for forming a hole injection layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.01% by weight or more, preferably in terms of film thickness uniformity. Is 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, and usually 70% by weight or less, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. If this concentration is too high, film thickness unevenness may occur, and if it is too low, defects may occur in the formed hole injection layer.
(電子受容性化合物)
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
(Electron-accepting compound)
The composition for forming a hole injection layer preferably contains an electron accepting compound as a constituent material of the hole injection layer.
The electron-accepting compound is preferably a compound having an oxidizing power and the ability to accept one electron from the above-described hole transporting compound, specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and 5 eV or more. The compound which is the compound of these is further more preferable.
このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる1種又は2種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンダフルオロフェニル)ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩(国際公開2005/089024号パンフレット);塩化鉄(III)(特開平11−251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アン
モニウム等の高原子価の無機化合物;テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンダフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物;フラーレン誘導体;ヨウ素;ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。
Examples of such electron-accepting compounds include triarylboron compounds, metal halides, Lewis acids, organic acids, onium salts, salts of arylamines and metal halides, and salts of arylamines and Lewis acids. Examples thereof include one or more compounds selected from the group. More specifically, an onium salt substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate and triphenylsulfonium tetrafluoroborate (International Publication No. WO 2005/089024); High valent inorganic compounds such as iron (III) chloride (Japanese Patent Laid-Open No. 11-251067), ammonium peroxodisulfate; cyano compounds such as tetracyanoethylene, tris (pendafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365) Aromatic boron compounds such as); fullerene derivatives; iodine; sulfonate ions such as polystyrene sulfonate ions, alkylbenzene sulfonate ions, camphor sulfonate ions, and the like.
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。
正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常0.1モル%以上、好ましくは1モル%以上である。但し、通常100モル%以下、好ましくは40モル%以下である。
These electron accepting compounds can improve the conductivity of the hole injection layer by oxidizing the hole transporting compound.
The content of the electron-accepting compound in the hole-injecting layer or the composition for forming a hole-injecting layer with respect to the hole-transporting compound is usually 0.1 mol% or more, preferably 1 mol% or more. However, it is usually 100 mol% or less, preferably 40 mol% or less.
(その他の構成材料)
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
(Other components)
As a material for the hole injection layer, other components may be further contained in addition to the above-described hole transporting compound and electron accepting compound as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. Examples of other components include various light emitting materials, electron transporting compounds, binder resins, and coating property improving agents. In addition, only 1 type may be used for another component and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and ratios.
(溶剤)
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも1種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常110℃以上、好ましくは140℃以上、中でも200℃以上、通常400℃以下、中でも300℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があし、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
(solvent)
At least one of the solvents of the composition for forming a hole injection layer used in the wet film formation method is preferably a compound that can dissolve the constituent material of the hole injection layer. The boiling point of this solvent is usually 110 ° C. or higher, preferably 140 ° C. or higher, particularly 200 ° C. or higher, usually 400 ° C. or lower, and preferably 300 ° C. or lower. If the boiling point of the solvent is too low, the drying speed is too high and the film quality may be deteriorated. Further, if the boiling point of the solvent is too high, it is necessary to increase the temperature of the drying step, which may adversely affect other layers and the substrate.
溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。
Examples of the solvent include ether solvents, ester solvents, aromatic hydrocarbon solvents, amide solvents, and the like.
Examples of ether solvents include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole , Phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, aromatic ethers such as 2,4-dimethylanisole, and the like.
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、3−イロプロピルビフェニル、1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、1,4−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
アミド系溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。
Examples of the ester solvent include aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate.
Examples of the aromatic hydrocarbon solvent include toluene, xylene, cyclohexylbenzene, 3-isopropylpropylphenyl, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene, cyclohexylbenzene, and methylnaphthalene. Can be mentioned.
Examples of the amide solvent include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, and the like.
その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。
これらの溶剤は1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。
(成膜方法)
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層3の下層に該当する層(通常は、陽極2)上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層3を形成する。
In addition, dimethyl sulfoxide and the like can also be used.
These solvent may use only 1 type and may use 2 or more types by arbitrary combinations and a ratio.
(Film formation method)
After preparing the composition for forming the hole injection layer, the composition is applied on the layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 (usually the anode 2) by wet film formation, and dried. The
塗布工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、10℃以上が好ましく、50℃以下が好ましくい。
塗布工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.01ppm以上、通常80%以下である。
塗布後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。
The temperature in the coating step is preferably 10 ° C. or higher and preferably 50 ° C. or lower in order to prevent film loss due to the formation of crystals in the composition.
Although the relative humidity in an application | coating process is not limited unless the effect of this invention is impaired remarkably, it is 0.01 ppm or more normally, and usually 80% or less.
After coating, the film of the composition for forming a hole injection layer is usually dried by heating or the like. Examples of the heating means used in the heating step include a clean oven, a hot plate, infrared rays, a halogen heater, microwave irradiation and the like. Among them, a clean oven and a hot plate are preferable in order to uniformly apply heat to the entire film.
加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が2種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも1種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは120℃以上、好ましくは410℃以下で加熱することが好ましい。 The heating temperature in the heating step is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent used in the composition for forming a hole injection layer as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. In the case of a mixed solvent containing two or more types of solvents used in the hole injection layer, at least one type is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent. In consideration of an increase in the boiling point of the solvent, the heating step is preferably performed at 120 ° C. or higher, preferably 410 ° C. or lower.
加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは10秒以上、通常180分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は2回に分けて行ってもよい。 In the heating step, the heating time is not limited as long as the heating temperature is not lower than the boiling point of the solvent of the composition for forming a hole injection layer and sufficient insolubilization of the coating film does not occur. Is less than a minute. If the heating time is too long, the components of the other layers tend to diffuse, and if it is too short, the hole injection layer tends to be inhomogeneous. Heating may be performed in two steps.
<真空蒸着法による正孔注入層の形成>
真空蒸着により正孔注入層3を形成する場合には、正孔注入層3の構成材料(前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等)の1種又は2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度まで排気した後、るつぼを加熱して(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して)、蒸発量を制御して蒸発させ(2種以上の材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極2上に正孔注入層3を形成させる。なお、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層3を形成することもできる。
<Formation of hole injection layer by vacuum deposition>
When the
蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1×10−6Torr(0.13×10−4Pa)以上、通常9.0×10−6Torr(12.0×10−4Pa)以下である。 蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない
限り限定されないが、通常0.1Å/秒以上、通常5.0Å/秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは10℃以上で、好ましくは50℃以下で行われる。
The degree of vacuum at the time of vapor deposition is not limited as long as the effects of the present invention are not significantly impaired, but usually 0.1 × 10 −6 Torr (0.13 × 10 −4 Pa) or more, usually 9.0 × 10 −6 Torr. (12.0 × 10 −4 Pa) or less. The deposition rate is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.1 Å / second or more and usually 5.0 Å / second or less. The film forming temperature at the time of vapor deposition is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is preferably 10 ° C. or higher, preferably 50 ° C. or lower.
[正孔輸送層]
本発明に係る正孔輸送層4の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層4を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔輸送層4は、正孔注入層がある場合には正孔注入層3の上に、正孔注入層3が無い場合には陽極2の上に形成することができる。 また、本発明の有機電界発光素子は、正
孔輸送層を省いた構成であってもよい。
[Hole transport layer]
The method for forming the
The
正孔輸送層4を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層5に接するため、発光層5からの発光を消光したり、発光層5との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
The material for forming the
このような正孔輸送層4の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層3に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、
ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。
Such a material for the
Examples include porphyrin derivatives, silole derivatives, oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes, and the like.
また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が3つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。 In addition, for example, polyvinylcarbazole derivatives, polyarylamine derivatives, polyvinyltriphenylamine derivatives, polyfluorene derivatives, polyarylene derivatives, polyarylene ether sulfone derivatives containing tetraphenylbenzidine, polyarylene vinylene derivatives, polysiloxane derivatives, polythiophenes Derivatives, poly (p-phenylene vinylene) derivatives, and the like. These may be any of an alternating copolymer, a random polymer, a block polymer, or a graft copolymer. Further, it may be a polymer having a branched main chain and three or more terminal portions, or a so-called dendrimer.
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
ポリアリールアミン誘導体としては、下記式(II)で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式(II)で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、Ara又はArbが異なっているものであってもよい。
Of these, polyarylamine derivatives and polyarylene derivatives are preferred.
The polyarylamine derivative is preferably a polymer containing a repeating unit represented by the following formula (II). In particular, the polymer is preferably composed of a repeating unit represented by the following formula (II). In this case, Ar a or Ar b may be different in each repeating unit.
(式(II)中、Ara及びArbは、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。)
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、6員環の単環又は2〜5縮合環由来の基及びこれらの環が2環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
(In formula (II), Ar a and Ar b each independently represent an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)
Examples of the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent include, for example, a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, and acenaphthene. Examples include a group derived from a 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring, such as a ring, a fluoranthene ring, a fluorene ring, and a group in which these rings are linked by a direct bond.
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、5又は6員環の単環又は2〜4縮合環由来の基及びこれらの環が2環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。 Examples of the aromatic heterocyclic group which may have a substituent include a furan ring, a benzofuran ring, a thiophene ring, a benzothiophene ring, a pyrrole ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, an oxadiazole ring, an indole ring, and a carbazole ring. , Pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine Ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring, etc. ring Are those groups group and the rings of from 2-4 fused ring is linked by a direct bond or two or more rings.
有機溶剤に対して溶解性、耐熱性の点から、Ara及びArbは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が2環以上連結してなる基(例えば、ビフェニル基(ビフェニレン基)やターフェニル基(ターフェニレン基))が好ましい。 Ar a and Ar b are each independently a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a triphenylene ring, a pyrene ring, a thiophene ring, a pyridine ring, a fluorene from the viewpoint of solubility and heat resistance in an organic solvent. A group derived from a ring selected from the group consisting of rings or a group formed by linking two or more benzene rings (for example, a biphenyl group (biphenylene group) or a terphenyl group (terphenylene group)) is preferable.
中でも、ベンゼン環由来の基(フェニル基)、ベンゼン環が2環連結してなる基(ビフェニル基)及びフルオレン環由来の基(フルオレニル基)が好ましい。
Ara及びArbにおける芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。
Among these, a group derived from a benzene ring (phenyl group), a group formed by connecting two benzene rings (biphenyl group), and a group derived from a fluorene ring (fluorenyl group) are preferable.
Examples of the substituent that the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group in Ar a and Ar b may have include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkoxycarbonyl group, and a dialkyl. Examples thereof include an amino group, a diarylamino group, an acyl group, a halogen atom, a haloalkyl group, an alkylthio group, an arylthio group, a silyl group, a siloxy group, a cyano group, an aromatic hydrocarbon ring group, and an aromatic heterocyclic group.
ポリアリーレン誘導体としては、前記式(II)におけるAraやArbとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
ポリアリーレン誘導体としては、下記式(III−1)及び/又は下記式(III−2)からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
As the polyarylene derivative, an arylene group such as an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent exemplified as Ar a or Ar b in the formula (II) is used as a repeating unit. The polymer which has is mentioned.
As a polyarylene derivative, the polymer which has a repeating unit which consists of following formula (III-1) and / or following formula (III-2) is preferable.
(式(III−1)中、Ra、Rb、Rc及びRdは、各々独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を表す。t及びsは、各々独立に、0〜3の整数を表す。t又はsが2以上の場合、一分子中に含まれる複数のRa又はRbは同一であっても異なっていてもよく、隣接するRa又はRb同士で環を形成していてもよい。) (In formula (III-1), R a , R b , R c and R d are each independently an alkyl group, an alkoxy group, a phenylalkyl group, a phenylalkoxy group, a phenyl group, a phenoxy group, an alkylphenyl group, Represents an alkoxyphenyl group, an alkylcarbonyl group, an alkoxycarbonyl group, or a carboxy group, and t and s each independently represent an integer of 0 to 3. When t or s is 2 or more, they are contained in one molecule. A plurality of R a or R b may be the same or different, and adjacent R a or R b may form a ring.)
(式(III−2)中、Re及びRfは、各々独立に、上記式(III−1)におけるRa、Rb、Rc又はRdと同義である。r及びuは、各々独立に、0〜3の整数を表す。r又はuが2以上の場合、一分子中に含まれる複数のRe及びRfは同一であっても異なっていてもよく、隣接するRe又はRf同士で環を形成していてもよい。Xは、5員環又は6員環を構成する原子又は原子群を表す。)
Xの具体例としては、―O―、―BR―、―NR―、―SiR2―、―PR―、―SR―、―CR2―又はこれらが結合してなる基である。尚、Rは、水素原子又は任意の有機基を表す。本発明における有機基とは、少なくとも一つの炭素原子を含む基である。
(In formula (III-2), R e and R f are each independently the same as R a , R b , R c or R d in formula (III-1). Independently represents an integer of 0 to 3. When r or u is 2 or more, a plurality of R e and R f contained in one molecule may be the same or different, and adjacent R e or R f may form a ring, and X represents an atom or a group of atoms constituting a 5-membered ring or a 6-membered ring.)
Specific examples of X are —O—, —BR—, —NR—, —SiR 2 —, —PR—, —SR—, —CR 2 —, or a group formed by bonding thereof. R represents a hydrogen atom or an arbitrary organic group. The organic group in the present invention is a group containing at least one carbon atom.
また、ポリアリーレン誘導体としては、前記式(III−1)及び/又は前記式(III−2)からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式(III−3)で表される繰り返し単位を有することが好ましい。 The polyarylene derivative has a repeating unit represented by the following formula (III-3) in addition to the repeating unit consisting of the formula (III-1) and / or the formula (III-2). Is preferred.
(式(III−3)中、Arc〜Arjは、各々独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。v及びwは、各々独立に0又は1を表す。)
Arc〜Arjの具体例としては、前記式(II)における、Ara及びArbと同様である。
上記式(III−1)〜(III−3)の具体例及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開2008-98619号公報に記載のものなどが挙げられる。
(In formula (III-3), Ar c to Ar j each independently represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, and v and w each represent Independently represents 0 or 1.)
Specific examples of Ar c to Ar j are the same as Ar a and Ar b in the formula (II).
Specific examples of the above formulas (III-1) to (III-3) and specific examples of polyarylene derivatives include those described in JP-A-2008-98619.
湿式成膜法で正孔輸送層4を形成する場合は、上記正孔注入層3の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層3の形成の場合と同様である。
In the case of forming the
The composition for forming a hole transport layer contains a solvent in addition to the above hole transport compound. The solvent used is the same as that used for the composition for forming a hole injection layer. The film forming conditions, heat drying conditions, and the like are the same as in the case of forming the
真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層3の形成の場合と同様である。
正孔輸送層4は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
正孔輸送層4はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。
In the case where the hole transport layer is formed by the vacuum deposition method, the film forming conditions are the same as those in the case of forming the
The
The
この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基;ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基;ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。
架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。 架橋性
化合物は1種のみを有していてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。
Examples of this crosslinkable group include groups derived from cyclic ethers such as oxetane and epoxy; groups derived from unsaturated double bonds such as vinyl, trifluorovinyl, styryl, acrylic, methacryloyl and cinnamoyl; benzo Examples include groups derived from cyclobutene.
The crosslinkable compound may be any of a monomer, an oligomer, and a polymer. The crosslinkable compound may have only 1 type, and may have 2 or more types by arbitrary combinations and ratios.
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられ、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖又は側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、上記式(II)や式(III−1)〜(III−3)に架橋性基が直接又は連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。 As the crosslinkable compound, a hole transporting compound having a crosslinkable group is preferably used. Examples of the hole transporting compound include those exemplified above, and those having a crosslinkable group bonded to the main chain or side chain with respect to these hole transporting compounds. In particular, the crosslinkable group is preferably bonded to the main chain via a linking group such as an alkylene group. In particular, the hole transporting compound is preferably a polymer containing a repeating unit having a crosslinkable group, and the above formula (II) and formulas (III-1) to (III-3) can be used as a crosslinkable group. Is preferably a polymer having a repeating unit bonded directly or via a linking group.
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、
フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体;トリフェニルアミン誘導体;シロール誘導体;オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体;トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
As the crosslinkable compound, a hole transporting compound having a crosslinkable group is preferably used. Examples of hole transporting compounds include pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives,
Nitrogen-containing aromatic compound derivatives such as phthalocyanine derivatives and porphyrin derivatives; triphenylamine derivatives; silole derivatives; oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes, and the like. Among them, nitrogen-containing aromatic derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives; triphenylamine derivatives, silole derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes, etc. Particularly preferred are triphenylamine derivatives.
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層4を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解又は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。
正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤及び重合促進剤;縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤;などが挙げられる。
In order to form a
The composition for forming a hole transport layer may contain an additive for promoting a crosslinking reaction in addition to the crosslinking compound. Examples of additives that promote the crosslinking reaction include polymerization initiators and polymerization accelerators such as alkylphenone compounds, acylphosphine oxide compounds, metallocene compounds, oxime ester compounds, azo compounds, onium salts; condensed polycyclic hydrocarbons, And photosensitizers such as porphyrin compounds and diaryl ketone compounds.
また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤;電子受容性化合物;バインダー樹脂;などを含有していてもよい。
正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、さらに好ましくは0.1重量%以上、通常50重量%以下、好ましくは20重量%以下、さらに好ましくは10重量%以下含有する。
Further, it may contain a coating property improving agent such as a leveling agent and an antifoaming agent; an electron accepting compound; a binder resin;
In the composition for forming a hole transport layer, the crosslinkable compound is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, usually 50% by weight or less, preferably 20%. It is contained in an amount of not more than wt%, more preferably not more than 10 wt%.
このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層(通常は正孔注入層3)上に成膜後、加熱及び/又は光などの活性エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。
成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層3の湿式成膜時と同様である。
成膜後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常120℃以上、好ましくは400℃以下である。
After forming a composition for forming a hole transport layer containing a crosslinkable compound at such a concentration on the lower layer (usually the hole injection layer 3), the composition is crosslinked by heating and / or irradiation with active energy such as light. Are crosslinked to form a network polymer compound.
Conditions such as temperature and humidity during film formation are the same as those during the wet film formation of the
The heating method after film formation is not particularly limited. As heating temperature conditions, it is 120 degreeC or more normally, Preferably it is 400 degrees C or less.
加熱時間としては、通常1分以上、好ましくは24時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、塗布膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で120℃以上、1分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
光などの活性エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の活性エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、0.1秒以上、好ましくは10時間以下照射される。
The heating time is usually 1 minute or longer, preferably 24 hours or shorter. The heating means is not particularly limited, and means such as placing a laminated body having a coated film layer on a hot plate or heating in an oven is used. For example, conditions such as heating on a hot plate at 120 ° C. or more for 1 minute or more can be used.
In the case of irradiation with active energy such as light, a method of irradiating directly using an ultraviolet / visible / infrared light source such as an ultra-high pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a halogen lamp, an infrared lamp, or the above-mentioned light source is incorporated. Examples include a mask aligner and a method of irradiation using a conveyor type light irradiation device. In active energy irradiation other than light, for example, there is a method of irradiation using a so-called microwave oven that irradiates a microwave generated by a magnetron. As the irradiation time, it is preferable to set conditions necessary for reducing the solubility of the film, but irradiation is usually performed for 0.1 seconds or longer, preferably 10 hours or shorter.
加熱及び光などの活性エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
このようにして形成される正孔輸送層4の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。
[4]発光層
正孔注入層3の上には通常発光層4が設けられる。発光層4は例えば前述の発光材料を含む層であり、電界を与えられた電極間において、陽極2から正孔注入層3を通じて注入された正孔と、陰極6から電子輸送層5を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。発光層4は発光材料(ドーパント)と1種又は2種
以上のホスト材料を含むことが好ましく、発光層4は本発明の有機化合物をホスト材料として含むことがさらに好ましく、真空蒸着法で形成してもよいが、本発明の有機電界発光素子用組成物を用い、湿式成膜法によって作製された層であることが特に好ましい。
The irradiation of active energy such as heating and light may be performed alone or in combination. When combined, the order of implementation is not particularly limited.
The film thickness of the
[4] Light emitting layer
A
ここで、湿式成膜法とは、前述の如く、溶剤を含む組成物を、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。
なお、発光層4は、本発明の性能を損なわない範囲で、他の材料、成分を含んでいてもよい。
Here, the wet film forming method is, as described above, a composition containing a solvent, spin coating method, dip coating method, die coating method, bar coating method, blade coating method, roll coating method, spray coating method, capillary coating. This method is a wet film formation method such as a method, an ink jet method, a screen printing method, a gravure printing method, or a flexographic printing method.
In addition, the
一般に有機電界発光素子において、同じ材料を用いた場合、電極間の膜厚が薄い方が、実効電界が大きくなる為、注入される電流が多くなるので、駆動電圧は低下する。その為、電極間の総膜厚は薄い方が、有機電界発光素子の駆動電圧は低下するが、あまりに薄いと、ITO等の電極に起因する突起により短絡が発生する為、ある程度の膜厚が必要となる。 In general, when the same material is used in the organic electroluminescent element, the thinner the film thickness between the electrodes, the larger the effective electric field, so that the injected current increases, so the driving voltage decreases. For this reason, the driving voltage of the organic electroluminescence device decreases when the total film thickness between the electrodes is thin, but if it is too thin, a short circuit occurs due to the protrusion caused by the electrode such as ITO. Necessary.
本発明においては、発光層4以外に、正孔注入層3及び後述の電子輸送層5等の有機層を有する場合、発光層4と正孔注入層3や電子輸送層5等の他の有機層とを合わせた総膜厚は通常30nm以上、好ましくは50nm以上であり、さらに好ましくは100nm以上で、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下であり、さらに好ましくは300nm以下である。また、発光層4以外の正孔注入層3や後述の電子注入層5の導電性が高い場合、発光層4に注入される電荷量が増加する為、例えば正孔注入層3の膜厚を厚くして発光層4の膜厚を薄くし、総膜厚をある程度の膜厚を維持したまま駆動電圧を下げることも可能である。
In the present invention, in addition to the
よって、発光層4の膜厚は、通常10nm以上、好ましくは20nm以上で、通常300nm以下、好ましくは200nm以下である。なお、本発明の素子が、陽極及び陰極の両極間に、発光層4のみを有する場合の発光層4の膜厚は、通常30nm以上、好ましくは50nm以上、通常500nm以下、好ましくは300nm以下である。
[5]電子注入層
電子注入層5は陰極6から注入された電子を効率よく発光層4へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行うには、電子注入層5を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましく、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属が用いられる。
Therefore, the thickness of the
[5] Electron injection layer
The electron injection layer 5 serves to efficiently inject electrons injected from the cathode 6 into the
電子注入層5の膜厚は0.1〜5nmが好ましい。
また、陰極6と発光層4又は後述の電子輸送層8との界面にLiF、MgF2、Li2O、Cs2CO3等の極薄絶縁膜(0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Appl.Phys.Lett.,70巻,152頁,1997年;特開平10−74
586号公報;IEEETrans.Electron.Devices,44巻,1245頁,1997年;SID 04 Digest ,154頁)。
The film thickness of the electron injection layer 5 is preferably 0.1 to 5 nm.
Also, an ultrathin insulating film (0.1 to 5 nm) such as LiF, MgF 2 , Li 2 O, Cs 2 CO 3 may be inserted at the interface between the cathode 6 and the
586 publication; IEEE Trans. Electron. Devices, 44, 1245, 1997; SID 04 Digest, 154).
さらに、後述するバソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は通常5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常200nm以下、好ましくは100nm以下である。 Furthermore, organic metal transport materials represented by metal complexes such as nitrogen-containing heterocyclic compounds such as bathophenanthroline and aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline described later are doped with alkali metals such as sodium, potassium, cesium, lithium and rubidium. (Described in JP-A-10-270171, JP-A 2002-1000047, JP-A 2002-1000048, and the like) makes it possible to improve electron injection / transport properties and achieve excellent film quality. Therefore, it is preferable. The film thickness in this case is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.
電子注入層5は、発光層4と同様にして湿式成膜法、或いは真空蒸着法により発光層4上に積層することにより形成される。真空蒸着法の場合には、真空容器内に設置されたるつぼ又は金属ボートに蒸着源を入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、るつぼ又は金属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼ又は金属ボートと向き合って置かれた基板上に電子注入層を形成する。
The electron injection layer 5 is formed by laminating on the
アルカリ金属の蒸着は、クロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロムに充填したアルカリ金属ディスペンサーを用いて行う。このディスペンサーを真空容器内で加熱することにより、クロム酸アルカリ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発される。有機電子輸送材料とアルカリ金属とを共蒸着する場合は、有機電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、各々のるつぼ及びディスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、るつぼ及びディスペンサーと向き合って置かれた基板上に電子注入層を形成する。 The alkali metal is deposited using an alkali metal dispenser in which nichrome is filled with an alkali metal chromate and a reducing agent. By heating the dispenser in a vacuum container, the alkali metal chromate is reduced and the alkali metal is evaporated. In the case of co-evaporating the organic electron transport material and the alkali metal, the organic electron transport material is put in a crucible installed in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump. Each crucible and dispenser are simultaneously heated and evaporated to form an electron injection layer on the substrate placed facing the crucible and dispenser.
このとき、電子注入層5の膜厚方向において均一に共蒸着されるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。
なお、電子注入層5は、図5,6に示す如く、これを省略してもよい。
[6]陰極
陰極6は、発光層側の層(電子注入層5又は発光層4など)に電子を注入する役割を果たす。陰極6として用いられる材料は、前記陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
At this time, co-evaporation is uniformly performed in the film thickness direction of the electron injection layer 5, but there may be a concentration distribution in the film thickness direction.
The electron injection layer 5 may be omitted as shown in FIGS.
[6] Cathode
The cathode 6 plays a role of injecting electrons into a layer on the light emitting layer side (such as the electron injection layer 5 or the light emitting layer 4). The material used for the cathode 6 can be the material used for the anode 2, but a metal having a low work function is preferable for efficient electron injection, such as tin, magnesium, indium, calcium, A suitable metal such as aluminum or silver or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.
陰極6の膜厚は通常、陽極2と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
[7]その他の構成層
以上、図1に示す層構成の素子を中心に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子における陽極2及び陰極6と発光層4との間には、その性能を損なわない限り、上記説明にある層の他にも、任意の層を有していてもよく、また発光層4以外の任意の層を省略してもよい。
The film thickness of the cathode 6 is usually the same as that of the anode 2. For the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal, further laminating a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere on the cathode increases the stability of the device. For this purpose, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum are used.
[7] Other constituent layers
As described above, the element having the layer structure shown in FIG. 1 has been mainly described. However, the above description is provided as long as the performance is not impaired between the anode 2 and the cathode 6 and the
有してもよい層としては例えば、電子輸送層7が挙げられる。電子輸送層7は素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、図2に示す如く、発光層4と電子注入層5との間に設けられる。
電子輸送層7は、電界を与えられた電極間において陰極6から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層7に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極6又は電子注入層5からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。
Examples of the layer that may be included include the
The
このような条件を満たす材料としては、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−又は5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5,645,948
号)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。
Materials satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives, Styryl biphenyl derivatives, silole derivatives, 3- or 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948)
No.), quinoxaline compounds (JP-A-6-207169), phenanthroline derivatives (JP-A-5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N′-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogen Amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, n-type zinc selenide and the like.
電子輸送層7の膜厚は、通常下限は1nm、好ましくは5nm程度であり、上限は通常300nm、好ましくは100nm程度である。
電子輸送層7は、正孔注入層3と同様にして湿式成膜法、或いは真空蒸着法により発光層4上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。
また、特に、発光物質として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合、図3に示す如く、正孔阻止層8を設けることも効果的である。正孔阻止層8は正孔と電子を発光層4内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。即ち、正孔阻止層8は、発光層4から移動してくる正孔が電子輸送層7に到達するのを阻止することで、発光層4内で電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層4内に閉じこめる役割と、電子輸送層8から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送する役割がある。
The lower limit of the thickness of the
The
In particular, when a phosphorescent material or a blue light emitting material is used as the light emitting substance, it is also effective to provide the
正孔阻止層8は、陽極2から移動してくる正孔を陰極6に到達するのを阻止する役割と、陰極6から注入された電子を率よく発光層4の方向に輸送することができる化合物により、発光層4の上に、発光層4の陰極6側の界面に接するように積層形成される。
正孔阻止層8を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。
The
The physical properties required for the material constituting the
このような条件を満たす正孔阻止層材料としては、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)が挙げられる。 Examples of the hole blocking layer material satisfying such conditions include mixed arrangements of bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum, and the like. Ligand complexes, metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, styryl compounds such as distyrylbiphenyl derivatives ( JP-A-11-242996), triazole derivatives such as 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (JP-A-7-41759) And phenanthroline derivatives such as bathocuproine (Japanese Patent Laid-Open No. 10-79297).
さらに、国際公開第2005/022962号パンフレットに記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も正孔阻止材料として好ましい。
正孔阻止層8の膜厚は、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上で、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。
正孔阻止層8も正孔注入層3と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
Furthermore, compounds having at least one pyridine ring substituted at the 2,4,6-positions described in International Publication No. 2005/022962 are also preferable as the hole blocking material.
The film thickness of the
The
電子輸送層7及び正孔阻止層8は必要に応じて、適宜設ければよく、1)電子輸送層のみ、2)正孔阻止層のみ、3)正孔阻止層/電子輸送層の積層、4)用いない、等、用法がある。
正孔阻止層8と同様の目的で、図4に示す如く、正孔注入層3と発光層4の間に電子阻止層9を設けることも効果的である。電子阻止層9は、発光層4から移動してくる電子が正孔注入層3に到達するのを阻止することで、発光層4内で正孔との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層4内に閉じこめる役割と、正孔注入層3から注入された正孔を効率よく発光層4の方向に輸送する役割がある。
The
For the same purpose as the
電子阻止層9に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(H
OMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。また、発光層4を湿式成膜法で形成する場合、電子阻止層9も湿式成膜法で形成することが、素子製造が容易となるため、好ましい。
このため、電子阻止層9も湿式成膜適合性を有することが好ましく、このような電子阻止層9に用いられる材料としては、本発明の有機化合物の他、F8−TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(国際公開第2004/084260号パンフレット)等が挙げられる。
The characteristics required for the electron blocking layer 9 are high hole transportability, energy gap (H
The difference between OMO and LUMO is large, and the excited triplet level (T1) is high. Further, when the
For this reason, it is preferable that the electron blocking layer 9 also has wet film forming compatibility, and examples of the material used for such an electron blocking layer 9 include dioctylfluorene represented by F8-TFB in addition to the organic compound of the present invention. And a copolymer of triphenylamine (WO 2004/084260 pamphlet) and the like.
なお、図1とは逆の構造、即ち、基板1上に陰極6、電子注入層5、発光層4、正孔注入層3、陽極2の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図2〜図6に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。
さらには、図1に示す層構成を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その際には段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合はその2層)の代わりに、例えばV2O5等を電荷発生層(CGL)として用いると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
The structure opposite to that shown in FIG. 1, that is, the cathode 6, the electron injection layer 5, the
Further, a structure in which a plurality of layers shown in FIG. 1 are stacked (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) may be employed. In that case, instead of the interfacial layer (between the light emitting units) (when the anode is ITO and the cathode is Al, the two layers), for example, V 2 O 5 is used as the charge generation layer (CGL). This is more preferable from the viewpoint of luminous efficiency and driving voltage.
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
<有機EL表示装置>
本発明の有機EL表示装置は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機EL表示装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
The present invention can be applied to any of an organic electroluminescent element having a single element, an element having a structure arranged in an array, and a structure having an anode and a cathode arranged in an XY matrix.
<Organic EL display device>
The organic EL display device of the present invention uses the above-described organic electroluminescent element of the present invention. There is no restriction | limiting in particular about the model and structure of the organic electroluminescent display apparatus of this invention, It can assemble in accordance with a conventional method using the organic electroluminescent element of this invention.
例えば、「有機ELディスプレイ」(オーム社、平成16年8月20日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法で、本発明の有機EL表示装置を形成することができる。
<有機EL照明>
本発明の有機EL照明は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機EL照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
For example, the organic EL display device of the present invention can be obtained by the method described in “Organic EL display” (Ohm, published on Aug. 20, 2004, Shizushi Tokito, Chiba Adachi, Hideyuki Murata). Can be formed.
<Organic EL lighting>
The organic EL illumination of the present invention uses the above-described organic electroluminescent element of the present invention. There is no restriction | limiting in particular about the model and structure of the organic EL illumination of this invention, It can assemble in accordance with a conventional method using the organic electroluminescent element of this invention.
<実施例>
以下、実施例を示して本発明について更に具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明はその要旨を逸脱しない限り任意に変更して実施できる。
[化合物H−1の合成例]
(化合物2の合成)
<Example>
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples, and the present invention can be arbitrarily modified and implemented without departing from the gist thereof.
[Synthesis Example of Compound H-1]
(Synthesis of Compound 2)
3−ブロモ−ヨードベンゼン(25g、88mmol)および1−ナフチルボロン酸(
13.8g、80mmol)をトルエン 240ml/エタノール 120ml混合溶媒に溶解し、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム 1g、2M炭酸ナトリウ
ム水溶液125mlを加え、窒素気流下、4時間還流攪拌しながら反応させた。トルエンと水を加え、分液し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。この操作を2回行い、化合物2を合計で37gを得た。
3-bromo-iodobenzene (25 g, 88 mmol) and 1-naphthylboronic acid (
13.8 g, 80 mmol) was dissolved in a mixed solvent of 240 ml of toluene / 120 ml of ethanol, 1 g of tetrakis (triphenylphosphine) palladium and 125 ml of 2M sodium carbonate aqueous solution were added, and the reaction was carried out under a nitrogen stream for 4 hours with stirring under reflux. Toluene and water were added, and the mixture was separated and purified by silica gel column chromatography. This operation was performed twice to obtain 37 g of Compound 2 in total.
(化合物3の合成) (Synthesis of Compound 3)
1−ブロモ−3−ナフチルベンゼン(20g、71mmol)を250mlの脱水THFに溶解した。−78℃に溶液を保持し、1.2MRのn−BuLiのヘキサン溶液50mlを添加した。1時間攪拌後、ホウ酸トリメチル25mlを添加し、2時間攪拌後、徐々に昇温させた。1N−HClを加え、塩化メチレン50mlを入れて抽出し、濃縮乾燥し
た。この操作を2回繰り返し、37gの化合物3を得た。
1-Bromo-3-naphthylbenzene (20 g, 71 mmol) was dissolved in 250 ml dehydrated THF. The solution was kept at −78 ° C. and 50 ml of 1.2 MR n-BuLi in hexane was added. After stirring for 1 hour, 25 ml of trimethyl borate was added, and after stirring for 2 hours, the temperature was gradually raised. 1N-HCl was added, and 50 ml of methylene chloride was added for extraction, followed by concentration and drying. This operation was repeated twice to obtain 37 g of
(化合物4の合成) (Synthesis of Compound 4)
3−ブロモ−ヨードベンゼン(17.6g、62mmol)およびナフチルフェニルボロン酸3(14.0g、62.1mmol)をトルエン 170ml/エタノール 85ml混合溶媒に溶解し、2M炭酸ナトリウム水溶液 85ml、テトラキス(トリフェニ
ルホスフィン)パラジウム2g、を加え、窒素気流下、6時間還流攪拌しながら反応させ
た。トルエンと水を加え、分液し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、13.0gの化合物4を得た。
3-Bromo-iodobenzene (17.6 g, 62 mmol) and naphthylphenylboronic acid 3 (14.0 g, 62.1 mmol) were dissolved in a mixed solvent of 170 ml of toluene / 85 ml of ethanol, 85 ml of 2M aqueous sodium carbonate solution, tetrakis (triphenyl) Phosphine) palladium (2 g) was added, and the mixture was allowed to react with stirring under reflux for 6 hours under a nitrogen stream. Toluene and water were added, and the mixture was separated and purified by silica gel column chromatography to obtain 13.0 g of
(化合物5の合成) (Synthesis of Compound 5)
3’−ブロモフェニル−3−(1−ナフチル)ベンゼン4(13.0g、36mmol)を200mlの脱水THFに溶解した。−78℃に溶液を保持し、1.05MRのn−BuLiのヘキサン溶液 24mlを添加した。1時間攪拌後、ホウ酸トリメチル 12mlを添加し、2.5時間攪拌後、徐々に昇温させた。1N−HCl 200mlを加え、
酢酸エチル400mlを入れて抽出し、濃縮乾燥し、ヘキサンで洗浄して13.6gの化合物5を得た。
3′-Bromophenyl-3- (1-naphthyl) benzene 4 (13.0 g, 36 mmol) was dissolved in 200 ml of dehydrated THF. The solution was kept at −78 ° C. and 24 ml of 1.05 MR n-BuLi in hexane was added. After stirring for 1 hour, 12 ml of trimethyl borate was added, and after stirring for 2.5 hours, the temperature was gradually raised. Add 200 ml of 1N-HCl,
Extracted with 400 ml of ethyl acetate, concentrated to dryness, washed with hexane to obtain 13.6 g of compound 5.
(化合物6) (Compound 6)
ナフチルビフェニルボロン酸5(5.34g、16.5mmol)および9−ブロモアントラセン(4.03g、15.7mmol)をトルエン 100ml/エタノール 50ml混合溶媒に溶解し、2M炭酸ナトリウム水溶液 40mLを加え、テトラキス(ト
リフェニルホスフィン)パラジウム 0.9gを加え、窒素気流下、80℃で6.5時間
攪拌しながら反応させた。トルエンと水を加え、分液し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した後、4.1gの化合物6を得た。
Naphtylbiphenylboronic acid 5 (5.34 g, 16.5 mmol) and 9-bromoanthracene (4.03 g, 15.7 mmol) are dissolved in a mixed solvent of 100 ml of toluene / 50 ml of ethanol, 40 ml of 2M aqueous sodium carbonate solution is added, and tetrakis ( 0.9 g of triphenylphosphine) palladium was added, and the reaction was allowed to stir at 80 ° C. for 6.5 hours under a nitrogen stream. Toluene and water were added, and the mixture was separated and purified by silica gel column chromatography to obtain 4.1 g of compound 6.
(化合物7の合成) (Synthesis of Compound 7)
ナフチルビフェニルアントラセン6(4.11g、9mmol)を室温下、N,N−ジメチルホルムアミド20mlにくわえ攪拌し、N−ブロモスクシンイミド(1.6g、9m
mol)のDMF20ml溶液を加え、さらに2hr攪拌した。水およびメタノールを加え、4.66gの結晶をろ過して得た。さらなる精製はせず、そのまま次の反応に用いた。
Naphthylbiphenylanthracene 6 (4.11 g, 9 mmol) was added to 20 ml of N, N-dimethylformamide at room temperature and stirred, and N-bromosuccinimide (1.6 g, 9 m) was stirred.
mol) in DMF (20 ml) was added, and the mixture was further stirred for 2 hr. Water and methanol were added to obtain 4.66 g of crystals by filtration. The product was used in the next reaction without further purification.
(化合物H−1の合成) (Synthesis of Compound H-1)
化合物7(2.64g、4.9mmol)およびジベンゾフランボロン酸(1.46g、6.9mmol)をトルエン(50ml)/エタノール(25ml)混合溶媒に溶解し、2M炭酸ナトリウム水溶液 25mLを加え、テトラキス(トリフェニルホスフィン)
パラジウム(0.11g)を加え、窒素気流下、80℃で3.5時間攪拌しながら反応させた。トルエンと水を加え、分液し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した後、昇華精製し、2.31gのH―1を得た。
DEI−MS(m/z=622(M+))により化合物H−1であることを確認した。
Compound 7 (2.64 g, 4.9 mmol) and dibenzofuranboronic acid (1.46 g, 6.9 mmol) were dissolved in a mixed solvent of toluene (50 ml) / ethanol (25 ml), 25 mL of 2M aqueous sodium carbonate solution was added, and tetrakis ( Triphenylphosphine)
Palladium (0.11 g) was added, and the reaction was allowed to stir at 80 ° C. for 3.5 hours under a nitrogen stream. Toluene and water were added, and the mixture was separated, purified by silica gel column chromatography, and then purified by sublimation to obtain 2.31 g of H-1.
The compound H-1 was confirmed by DEI-MS (m / z = 622 (M +)).
[化合物H−2の合成例]
(化合物8の合成)
[Synthesis Example of Compound H-2]
(Synthesis of Compound 8)
窒素気流下、9-Broomoanthracene, (5.0g、19.45mmol), 化合物3(6.76g 、27.24 mmol), Toluene/EtOH, 70ml/35ml,NaCO3(2M)30mlを65℃で1h攪拌し、Pd(PPh3)4(1.32g 、1.16mmol)を加え、6時間還流した。Tolueneで2回分液を行った。有機層活性白土+MgSO4でろ過、濃縮。カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物8(7.0g)を得た。
(化合物9の合成)
Under nitrogen flow, 9-Broomoanthracene, (5.0 g, 19.45 mmol), Compound 3 (6.76 g, 27.24 mmol), Toluene / EtOH, 70 ml / 35 ml, NaCO 3 (2M) 30 ml were stirred at 65 ° C. for 1 h, and Pd ( PPh3) 4 (1.32 g, 1.16 mmol) was added and refluxed for 6 hours. Liquid separation was performed twice with Toluene. Filter and concentrate with organic layer activated clay + MgSO4. Purification by column chromatography gave Compound 8 (7.0 g).
(Synthesis of Compound 9)
室温で、ナフチルフェニルアントラセン8(7.5g、19.71mmol)を140mlのDMFに入れ、攪拌しながらNBS,(3.51g、19.71mmol)を20mlDMFに溶かして滴下, 1時間攪拌後、MeOHと水の混合溶媒に再沈。MeOHで懸洗してろ過。淡黄色固体の化合物9を7.1g得た。
(化合物H−2の合成)
At room temperature, naphthylphenylanthracene 8 (7.5 g, 19.71 mmol) is added to 140 ml of DMF, and NBS, (3.51 g, 19.71 mmol) is dissolved in 20 ml DMF while stirring and added dropwise. After stirring for 1 hour, MeOH and water are mixed. Reprecipitate in solvent. Wash with MeOH and filter. 7.1 g of light yellow solid compound 9 was obtained.
(Synthesis of Compound H-2)
窒素気流下、化合物9(4.64g、10.11mmol), 4-(Dibenzofuranyl)boronic acid, (3.0g、14.15mmol), Toluene/EtOH, 80ml/40ml,Na2CO3(2M)30mlを65℃で1h攪拌し、Pd(PPh3)4, 0.58g (0.506 mmol)を加え、4.5時間還流した。Tolueneで2回分液を行った後、濃縮し、カラムクロマトグラフィーにより精製(n-Hexane:Toluene=5:1)し、淡黄色固体の化合
物H−2を2.5g得た。DEI−MS(m/z=546(M+))により化合物H−2であること
を確認した。
Under nitrogen stream, compound 9 (4.64g, 10.11mmol), 4- (Dibenzofuranyl) boronic acid, (3.0g, 14.15mmol), Toluene / EtOH, 80ml / 40ml, Na2CO3 (2M) 30ml is stirred at 65 ℃ for 1h. , Pd (PPh3) 4, 0.58 g (0.506 mmol) was added and refluxed for 4.5 hours. After liquid separation twice with Toluene, it was concentrated and purified by column chromatography (n-Hexane: Toluene = 5: 1) to obtain 2.5 g of pale yellow solid compound H-2. The compound H-2 was confirmed by DEI-MS (m / z = 546 (M +)).
[化合物H−3の合成例]
(化合物10の合成)
[Synthesis Example of Compound H-3]
(Synthesis of Compound 10)
窒素気流下、7−ヒドロキシ−1−ヨードナフタレン(6.62g、26.7mmol)、化合物3(9.28g 、37.38mmol), Toluene/EtOH, 100ml/50ml,NaCO3(2M)42mlを65℃で1h攪拌し、Pd(PPh3)4(1.85g 、1.624mmol)を加え、6時間還流した。Tolueneで2回分液を行った。有機層活性白土+MgSO4でろ過、濃縮。カラムクロマトグラフィー
により精製し、化合物10を6.1g得た。
Under a nitrogen stream, 65 mg of 7-hydroxy-1-iodonaphthalene (6.62 g, 26.7 mmol), compound 3 (9.28 g, 37.38 mmol), Toluene / EtOH, 100 ml / 50 ml, NaCO 3 (2M) 42 ml The mixture was stirred at ° C. for 1 h, Pd (PPh 3 ) 4 (1.85 g, 1.624 mmol) was added, and the mixture was refluxed for 6 hr. Liquid separation was performed twice with Toluene. Filter and concentrate with organic layer activated clay + MgSO 4 . Purification by column chromatography gave 6.1 g of compound 10.
(化合物11の合成) (Synthesis of Compound 11)
窒素気流下、200mlフラスコに、化合物10(6.1g、17.6mmol)、ジクロロメタン(15ml)、トリエチルアミン(3.56g)を加え、氷水浴で冷却しながらトリフルオロメタンスルホン酸無水物(5.96g、21.1mmol)を加えた。
全量添加後室温に戻し5時間撹拌した。水と1N塩酸を加え、ジクロロメタンで抽出、希塩酸で洗浄後、MgSO4乾燥、濃縮、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物11を6.69g得た。
Under a nitrogen stream, compound 10 (6.1 g, 17.6 mmol), dichloromethane (15 ml) and triethylamine (3.56 g) were added to a 200 ml flask, and trifluoromethanesulfonic anhydride (5.96 g) was cooled in an ice-water bath. 21.1 mmol) was added.
After the entire amount was added, the mixture was returned to room temperature and stirred for 5 hours. Water and 1N hydrochloric acid were added, extracted with dichloromethane, washed with dilute hydrochloric acid, dried over MgSO 4 , concentrated, and purified by column chromatography to obtain 6.69 g of compound 11.
(化合物12の合成) (Synthesis of Compound 12)
窒素気流下、4−ジベンゾフランボロン酸(4.99g、23.5mmol)、9−ブロモアントラセン(6.96g 、27.1mmol), Toluene/EtOH, 140ml/70ml,NaCO3(2M)35ml、Pd(PPh3)4(1.27g 、1.1mmol)を加え、6時間還流した。Tolueneで2回分液を行った。MgSO4でろ過、濃縮。カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物12を7.
23g得た。
Under a nitrogen stream, 4-dibenzofuranboronic acid (4.99 g, 23.5 mmol), 9-bromoanthracene (6.96 g, 27.1 mmol), Toluene / EtOH, 140 ml / 70 ml, NaCO 3 (2M) 35 ml, Pd ( PPh 3 ) 4 (1.27 g, 1.1 mmol) was added and refluxed for 6 hours. Liquid separation was performed twice with Toluene. Filter with MgSO4 and concentrate. 6. Purify by column chromatography to obtain compound 12.
23 g was obtained.
(化合物13の合成) (Synthesis of Compound 13)
窒素気流下、化合物12(7.23g、21.0mmol)をN,N−ジメチルホルムアミド(DMF、100ml)との混合物を氷水浴中で撹拌しながら、20mlのDMFに溶解
させたN−ブロモこはく酸イミド(3.78g、21.2mmol)を30分間かけ滴下した。その後氷水浴を外し、DMF(55ml)を追加して、室温で6時間撹拌した。水(約100ml)とジクロロメタン(約200ml)を添加し分液を行った。MgSO4でろ
過、濃縮。メタノール(100ml)で洗浄し、化合物13を8.09g得た。
N-Bromo Amber dissolved in 20 ml of DMF while stirring a mixture of Compound 12 (7.23 g, 21.0 mmol) with N, N-dimethylformamide (DMF, 100 ml) in an ice-water bath under a nitrogen stream. Acid imide (3.78 g, 21.2 mmol) was added dropwise over 30 minutes. Thereafter, the ice-water bath was removed, DMF (55 ml) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. Water (about 100 ml) and dichloromethane (about 200 ml) were added for liquid separation. Filter with MgSO 4 and concentrate. Washing with methanol (100 ml) gave 8.09 g of compound 13.
(化合物14の合成) (Synthesis of Compound 14)
窒素気流下、12(8.0g、18.9mmol)を脱水テトラヒドロフラン(300ml)
に溶解し、ドライアイス/エタノール浴に浸して内部温度をー60℃以下とした。その後、ノルマルブチルリチウム/ヘキサン溶液(1.65mol/l、15ml)を30分間かけて滴下した。その後−60℃以下で2時間撹拌した後、ホウ酸トリイソプロピル(4.07g、21.6mmol)を10分間で滴下し、その後20分間撹拌した。ドライアイスエタノール浴を外し、さらに30分間撹拌した。その後、1N−HCl(50ml)を加え、水(約100ml)と酢酸エチル(約200ml)を添加し分液を行った。MgSO4でろ過、濃縮。ジクロロメタンに溶解後、メタノールを添加し再沈殿を行い、熱ヘキサ
ンで繰り返し洗浄した。化合物14を3.77g得た。
Under a nitrogen stream, 12 (8.0 g, 18.9 mmol) was dehydrated in tetrahydrofuran (300 ml).
And was immersed in a dry ice / ethanol bath to adjust the internal temperature to −60 ° C. or lower. Thereafter, a normal butyl lithium / hexane solution (1.65 mol / l, 15 ml) was added dropwise over 30 minutes. Then, after stirring at −60 ° C. or lower for 2 hours, triisopropyl borate (4.07 g, 21.6 mmol) was added dropwise over 10 minutes, and then stirred for 20 minutes. The dry ice ethanol bath was removed and the mixture was further stirred for 30 minutes. Thereafter, 1N-HCl (50 ml) was added, and water (about 100 ml) and ethyl acetate (about 200 ml) were added for liquid separation. Filter with MgSO4 and concentrate. After dissolving in dichloromethane, methanol was added for reprecipitation, and the mixture was washed repeatedly with hot hexane. 3.77 g of compound 14 was obtained.
(化合物H−3の合成) (Synthesis of Compound H-3)
窒素気流下、化合物14(3.54g、9.12mmol)、化合物11(3.61g 、7.55mmol), Toluene/EtOH, 38ml/19ml,NaCO3(2M)12ml、Pd(PPh3)4(0.432g
、0.374mmol)を加え、3時間還流した。Tolueneで2回分液を行った。有機層をMgSO4で処理後ろ過、濃縮。カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物H−3を3.9g得た。
Under nitrogen flow, Compound 14 (3.54 g, 9.12 mmol), Compound 11 (3.61 g, 7.55 mmol), Toluene / EtOH, 38 ml / 19 ml, NaCO 3 (2M) 12 ml, Pd (PPh 3 ) 4 ( 0.432g
0.374 mmol) was added and refluxed for 3 hours. Liquid separation was performed twice with Toluene. The organic layer was treated with MgSO4, filtered and concentrated. Purification by column chromatography gave 3.9 g of compound H-3.
DEI−MS(m/z=672(M+))により化合物H−3であることを確認した。
<有機化合物の物性測定>
[ガラス転移温度の測定]
[化合物H−1の合成例]〜[化合物H−3の合成例]で合成された化合物H−1〜H−3、及び下記に示す、比較化合物J−1〜J−3について、製品名:DSC6220、(エスアイアイ・ナノテクノロジー社製)を用いてガラス転移温度を測定した。その結果を表1に纏める。
The compound H-3 was confirmed by DEI-MS (m / z = 672 (M +)).
<Measurement of physical properties of organic compounds>
[Measurement of glass transition temperature]
Product names of Compounds H-1 to H-3 synthesized in [Synthesis Example of Compound H-1] to [Synthesis Example of Compound H-3] and Comparative Compounds J-1 to J-3 shown below : Glass transition temperature was measured using DSC 6220, manufactured by SII Nanotechnology. The results are summarized in Table 1.
[トルエンに対する溶解度測定]
[化合物H−1の合成例]〜[化合物H−3の合成例]で合成された化合物H−1〜H
−3、及び比較化合物(J−1)〜(J−3)について、室温(25℃)でのトルエンに対する溶解度を測定した。その結果を表1に纏める。
[電子移動度の測定]
<測定サンプルの作成>
ガラス基板1上に、インジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nmの厚さに堆積したもの(三容真空社製、スパッタ成膜品。)に、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングしてITO層を陽極2として形成し、ITO基板を得た。
[Measurement of solubility in toluene]
[Synthesis Example of Compound H-1] to [Synthesis Example of Compound H-3] Compounds H-1 to H synthesized in [Synthesis Example of Compound H-3]
-3 and Comparative Compounds (J-1) to (J-3) were measured for solubility in toluene at room temperature (25 ° C.). The results are summarized in Table 1.
[Measurement of electron mobility]
<Creation of measurement sample>
On a glass substrate 1, an indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited to a thickness of 150 nm (manufactured by Sanyo Vacuum Co., Ltd., sputtered film) is subjected to normal photolithography technology and hydrochloric acid etching. Then, an ITO layer was formed as an anode 2 by patterning into a stripe having a width of 2 mm to obtain an ITO substrate.
このITO基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させた。
次に、本発明の材料をトルエンに溶解させて塗布液を調製し、これを、陽極2上に、スピナ回転数:1500rpm、スピナ回転時間:30秒、スピンコート雰囲気:窒素中との条件でスピンコートし、ベークを行い、サンプル層を形成した。なお、それぞれの塗布液には、トルエンに対して0.03〜0.04重量%の表面平滑剤を添加した。表面平滑剤としては、KF−96−10cs(信越シリコーン社製)を使用した。
The ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with an aqueous surfactant solution, water cleaning with ultrapure water, ultrasonic cleaning with ultrapure water, and water cleaning with ultrapure water, and then dried with compressed air.
Next, the material of the present invention is dissolved in toluene to prepare a coating solution, and this is applied on the anode 2 under the conditions of spinner rotation speed: 1500 rpm, spinner rotation time: 30 seconds, spin coating atmosphere: in nitrogen. A sample layer was formed by spin coating and baking. In addition, 0.03-0.04 weight% of surface smoothing agent was added to each coating liquid with respect to toluene. As the surface smoothing agent, KF-96-10cs (manufactured by Shin-Etsu Silicone) was used.
サンプル層を形成した素子を、真空蒸着層内に設置した。その際、陰極蒸着用のマスクである2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプと直交するように素子に密着させた。また、内部はスクロールポンプにより装置の粗排気を行った後、ターボ分子ポンプにより装置内の真空度が9.9×10−4Pa以下になるまで排気した。 The element on which the sample layer was formed was placed in the vacuum deposition layer. At that time, a stripe shadow mask having a width of 2 mm, which is a mask for cathode vapor deposition, was brought into close contact with the element so as to be orthogonal to the ITO stripe of the anode 2. The inside of the apparatus was evacuated roughly by a scroll pump and then evacuated by a turbo molecular pump until the degree of vacuum in the apparatus was 9.9 × 10 −4 Pa or less.
その後、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.6〜16.0Å/秒、真空度2.0〜25×10−4Paで制御して膜厚40〜80nmのアルミニウム層を陰極9として形成した。なお、以上のアルミニウム層の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
引き続き、測定用素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。真空蒸着装置に連結された窒素グローブボックス中で、23mm×23mmサイズのガラス板の外周部に、約1mmの幅で光硬化性樹脂30Y−437(スリーボンド社製)を塗布し、中央部に水分ゲッターシート(ダイニック社製)を設置した。この上に、測定用素子を、陰極9が蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。以上の様にして、2mm×2mmのサイズの素子面積を有する測定用素子を作製した。
Thereafter, aluminum is heated by a molybdenum boat, and an aluminum layer having a film thickness of 40 to 80 nm is formed on the cathode 9 by controlling the deposition rate from 0.6 to 16.0 Å / sec and the degree of vacuum from 2.0 to 25 × 10 −4 Pa. Formed as. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition of the above aluminum layer was kept at room temperature.
Subsequently, in order to prevent the measuring element from being deteriorated by moisture in the atmosphere during storage, a sealing treatment was performed by the method described below. In a nitrogen glove box connected to a vacuum deposition apparatus, a photocurable resin 30Y-437 (manufactured by ThreeBond Co., Ltd.) with a width of about 1 mm is applied to the outer periphery of a 23 mm × 23 mm glass plate, and moisture is applied to the center. A getter sheet (manufactured by Dynic) was installed. On top of this, the measuring element was bonded so that the surface on which the cathode 9 was deposited was opposed to the desiccant sheet. Then, only the area | region where the photocurable resin was apply | coated was irradiated with ultraviolet light, and resin was hardened. As described above, a measuring element having an element area of 2 mm × 2 mm was produced.
電荷移動度の測定方法としては、飛行時間測定法(ToF法)を用いて測定した。測定用素子の陰極2側が高電位となるように電界強度E(V/cm)をかけた。次に、測定用素子面の陽極2に、Nd:YAGナノ秒パルスレーザーを用いて、第三高調波である355nmの波長の光を短時間照射した。そのとき発生する過渡光電流を検出し、その屈曲点を飛行時間ttr(s)とした。この飛行時間ttrと電界強度E(=V/d,V:測定用素子の陽極2と陰極9との間の電位差,d:測定用素子のサンプル層10の膜厚)から、次式を用いることにより、電子移動度μeを算出した。値は電界強度0.4MV/cmにおけるものを表に示す。 As a method for measuring the charge mobility, the time of flight measurement method (ToF method) was used. Electric field strength E (V / cm) was applied so that the cathode 2 side of the measuring element was at a high potential. Next, the anode 2 on the measuring element surface was irradiated with light having a wavelength of 355 nm, which is the third harmonic, for a short time using an Nd: YAG nanosecond pulse laser. The transient photocurrent generated at that time was detected, and the inflection point was defined as the flight time ttr (s). From the flight time ttr and the electric field strength E (= V / d, V: potential difference between the anode 2 and the cathode 9 of the measuring element, d: film thickness of the sample layer 10 of the measuring element), the following equation is used. Thus, the electron mobility μe was calculated. Values are shown in the table at an electric field strength of 0.4 MV / cm.
μe=d/[T×(V/d)] (cm2/V・s) μe = d / [T × (V / d)] (cm2 / V · s)
(実施例4)
[有機電界発光素子の作成]
図1に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
Example 4
[Creation of organic electroluminescence device]
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 1 was produced by the following method.
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a glass substrate 1 having a thickness of 150 nm (sputtered film; sheet resistance 15 Ω) is patterned into a 2 mm wide stripe using normal photolithography and hydrochloric acid etching. Thus, an anode 2 was formed. The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, then dried with nitrogen blow, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.
次いで、正孔注入層3を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔注入層3の材料として、下記式(PB−1)の芳香族アミノ基を有する高分子化合物(重量平均分子量:52000,数平均分子量:32500))と下記に示す構造式の電子受容性化合物(A−2)とを用い、下記の条件でスピンコートした。
Next, the
<正孔注入層用組成物>
溶剤 安息香酸エチル
塗布液濃度 PB−1 2.0重量%
A−2 0.4重量%
<成膜条件>
スピナ回転数 2250rpm
スピナ回転時間 30秒
スピンコート雰囲気 大気下 25℃
乾燥条件 230℃×60分
上記のスピンコートにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。
<Composition for hole injection layer>
Solvent ethyl benzoate
Coating solution concentration PB-1 2.0% by weight
A-2 0.4% by weight
<Film formation conditions>
Spinner speed 2250rpm
Spinner rotation time 30 seconds
Spin coat atmosphere Atmosphere 25 ℃
Drying conditions 230 ° C x 60 minutes
A uniform thin film having a thickness of 30 nm was formed by the above spin coating.
続いて、正孔輸送層を以下のように湿式製膜法によって形成した。正孔輸送層の材料として、下記に示す構造式の電荷輸送材料(PB−2)を、溶剤としてシクロヘキシルベンゼンを用いた有機電界発光素子用組成物を調製し、この有機電界発光素子用組成物を用いて下記の条件でスピンコートした。 Subsequently, a hole transport layer was formed by a wet film forming method as follows. A composition for organic electroluminescence device was prepared using a charge transport material (PB-2) having the following structural formula as a material for the hole transport layer and cyclohexylbenzene as a solvent, and the composition for organic electroluminescence device Was used for spin coating under the following conditions.
<正孔輸送層用組成物>
溶剤 シクロヘキシルベンゼン
塗布液濃度 PB−2 1.4重量%
<成膜条件>
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 120秒
スピンコート雰囲気 乾燥窒素中 25℃
乾燥条件 230℃×60分 (乾燥窒素下)
上記のスピンコートにより膜厚20nmの均一な薄膜が形成された。
<Composition for hole transport layer>
Solvent Cyclohexylbenzene
Coating solution concentration PB-2 1.4% by weight
<Film formation conditions>
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 120 seconds
Spin coat atmosphere 25 ° C in dry nitrogen
Drying conditions 230 ° C x 60 minutes (under dry nitrogen)
A uniform thin film having a thickness of 20 nm was formed by the above spin coating.
次に、発光層を形成するにあたり、電荷輸送材料として、合成例1に示す、本発明の有機化合物(H−1)、発光材料として、下記構造の有機化合物(D−1)、を用いて下記に示す有機電界発光素子組成物を調製し、以下に示す条件で正孔輸送層上にスピンコートして膜厚45nmで発光層を得た。
<発光層用組成物>
溶剤 シクロヘキシルベンゼン
組成物中濃度 H−1: 5重量%
D−1: 0.35重量%
<スピンコート条件>
スピナ回転数 2000rpm
スピナ回転時間 120秒
乾燥条件 130℃×60分(減圧下)
上記のスピンコートにより膜厚50nmの均一な薄膜が形成された。
Next, in forming the light emitting layer, the organic compound (H-1) of the present invention shown in Synthesis Example 1 is used as the charge transport material, and the organic compound (D-1) having the following structure is used as the light emitting material. The organic electroluminescent element composition shown below was prepared and spin-coated on the hole transport layer under the following conditions to obtain a light emitting layer with a film thickness of 45 nm.
<Composition for light emitting layer>
Solvent Cyclohexylbenzene
Concentration in composition H-1: 5% by weight
D-1: 0.35% by weight
<Spin coating conditions>
Spinner speed 2000rpm
Spinner rotation time 120 seconds
Drying conditions 130 ° C x 60 minutes (under reduced pressure)
A uniform thin film having a thickness of 50 nm was formed by the above spin coating.
次に、正孔阻止層として下記に示すピリジン誘導体(HB−1)をるつぼ温度251〜252℃として、蒸着速度0.08〜0.12nm/秒で10nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は2.1〜2.4×10−4Pa(約1.6〜1.8×10−6Torr)であった。 Next, a pyridine derivative (HB-1) shown below was laminated as a hole blocking layer at a crucible temperature of 251 to 252 ° C. with a deposition rate of 0.08 to 0.12 nm / second and a thickness of 10 nm. The degree of vacuum during the deposition was 2.1 to 2.4 × 10 −4 Pa (about 1.6 to 1.8 × 10 −6 Torr).
次に、正孔阻止層の上に、電子輸送層として下記に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(ET−1)を同様にして蒸着した。この時のアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体のるつぼ温度は222〜239℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は1.7〜2.0×10−4Pa(約1.3〜1.5×10−6Torr)、蒸着速度は0.1nm/秒で膜厚は30nmとした。 Next, an aluminum 8-hydroxyquinoline complex (ET-1) shown below was deposited as an electron transport layer on the hole blocking layer in the same manner. At this time, the crucible temperature of the aluminum 8-hydroxyquinoline complex is controlled in the range of 222 to 239 ° C., and the degree of vacuum during the deposition is 1.7 to 2.0 × 10 −4 Pa (about 1.3 to 1. 5 × 10 −6 Torr), the deposition rate was 0.1 nm / second, and the film thickness was 30 nm.
上記の正孔阻止層及び電子輸送層を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
ここで、電子輸送層までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2.3×10−6Torr(約3.0×10−4Pa)以下になるまで排気した。
The substrate temperature during vacuum deposition of the hole blocking layer and the electron transport layer was kept at room temperature.
Here, the element on which the electron transport layer has been deposited is once taken out from the vacuum deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm wide stripe shadow mask is orthogonal to the ITO stripe of the anode 2 as a mask for cathode deposition. In close contact with the element, it is placed in another vacuum deposition apparatus and the degree of vacuum in the apparatus is 2.3 × 10 −6 Torr (about 3.0 × 10 −4 Pa) in the same manner as the organic layer. Exhaust until below.
次に、電子輸送層の上に、電子注入層として、フッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.015nm/秒、真空度2.5×10−6Torr(約3.3×10−4Pa)で、0.5nmの膜厚で電子輸送層の上に成膜した。
次に、電子注入層の上に、陰極として、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.5〜3.0nm/秒、真空度3.3〜7.5×10−6Torr(約4.4〜10.0×10−4Pa)で成膜して膜厚80nmのアルミニウム層を形成して陰極を完成させた。
Next, lithium fluoride (LiF) is deposited on the electron transport layer as an electron injection layer by using a molybdenum boat, a deposition rate of 0.015 nm / second, and a degree of vacuum of 2.5 × 10 −6 Torr (about 3 3 × 10 −4 Pa) and a film thickness of 0.5 nm was formed on the electron transport layer.
Next, on the electron injection layer, aluminum is heated as a cathode by a molybdenum boat, a deposition rate of 0.5 to 3.0 nm / second, and a degree of vacuum of 3.3 to 7.5 × 10 −6 Torr (about The film was formed at 4.4 to 10.0 × 10 −4 Pa) to form an aluminum layer having a thickness of 80 nm, thereby completing the cathode.
以上の電子注入層、陰極の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性は以下の通りである。
輝度/電流:4.6[cd/A](@100cd/m2)
電圧:6.0[V](@100cd/m2)
発光効率:2.4[1m/W](@100cd/m2)
素子の発光スペクトルの極大波長は464nmであり、色度はCIE(x,y)=(0.14,0.16)であった。
(実施例5)実施例4においてH−1の代わりにH−2を用いる以外同様に素子を作成した。
輝度/電流:4.7[cd/A](@100cd/m2)
電圧:5.7[V](@100cd/m2)
発光効率:2.6[1m/W](@100cd/m2)
素子の発光スペクトルの極大波長は465nmであり、色度はCIE(x,y)=(0.14,0.18)であった。
(実施例6)実施例4においてH−1の代わりにH−3を用いる以外同様に素子を作成した。
輝度/電流:4.4[cd/A](@100cd/m2)
電圧:5.7[V](@100cd/m2)
発光効率:2.4[1m/W](@100cd/m2)
素子の発光スペクトルの極大波長は464nmであり、色度はCIE(x,y)=(0.14,0.15)であった。
(比較例4)実施例4においてH−1の代わりに比較化合物J−1を用いる以外同様に素子を作成した。
輝度/電流:4.3[cd/A](@100cd/m2)
電圧:6.0[V](@100cd/m2)
発光効率:2.2[1m/W](@100cd/m2)
素子の発光スペクトルの極大波長は464nmであり、色度はCIE(x,y)=(0.14,0.15)であった。
The substrate temperature at the time of vapor deposition of the electron injection layer and the cathode was kept at room temperature.
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The light emission characteristics of this element are as follows.
Luminance / current: 4.6 [cd / A] (@ 100 cd / m 2 )
Voltage: 6.0 [V] (@ 100 cd / m 2 )
Luminous efficiency: 2.4 [1 m / W] (@ 100 cd / m 2 )
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 464 nm, and the chromaticity was CIE (x, y) = (0.14, 0.16).
(Example 5) An element was prepared in the same manner as in Example 4 except that H-2 was used instead of H-1.
Luminance / current: 4.7 [cd / A] (@ 100 cd / m 2 )
Voltage: 5.7 [V] (@ 100 cd / m 2 )
Luminous efficiency: 2.6 [1 m / W] (@ 100 cd / m 2 )
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 465 nm, and the chromaticity was CIE (x, y) = (0.14, 0.18).
(Example 6) An element was prepared in the same manner as in Example 4 except that H-3 was used instead of H-1.
Luminance / current: 4.4 [cd / A] (@ 100 cd / m 2 )
Voltage: 5.7 [V] (@ 100 cd / m 2 )
Luminous efficiency: 2.4 [1 m / W] (@ 100 cd / m 2 )
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 464 nm, and the chromaticity was CIE (x, y) = (0.14, 0.15).
Comparative Example 4 A device was prepared in the same manner as in Example 4 except that Comparative Compound J-1 was used instead of H-1.
Luminance / current: 4.3 [cd / A] (@ 100 cd / m 2 )
Voltage: 6.0 [V] (@ 100 cd / m 2 )
Luminous efficiency: 2.2 [1 m / W] (@ 100 cd / m 2 )
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 464 nm, and the chromaticity was CIE (x, y) = (0.14, 0.15).
表2に示すが如く、本発明の有機化合物を用いて作製した有機電界発光素子は、電流効率及び発光効率が高い。 As shown in Table 2, the organic electroluminescent device produced using the organic compound of the present invention has high current efficiency and luminous efficiency.
1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
10 正孔取出し層
11 光電変換層
12 電子取出し層
1 Substrate
2 Anode
3 Hole injection layer
4 hole transport layer
5 Light emitting layer
6 Hole blocking layer
7 Electron transport layer
8 Electron injection layer
9 Cathode
10 hole extraction layer 11 photoelectric conversion layer 12 electron extraction layer
Claims (11)
該有機層が、請求項5に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層を含むことを特徴とする、有機電界発光素子。 In an organic electroluminescent device having an organic layer between an anode and a cathode,
An organic electroluminescent device, wherein the organic layer includes a layer formed using the composition for an organic electroluminescent device according to claim 5.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009256296A JP5750821B2 (en) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | Organic compound, organic electroluminescent element material, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic EL display device, and organic EL lighting |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009256296A JP5750821B2 (en) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | Organic compound, organic electroluminescent element material, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic EL display device, and organic EL lighting |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011100942A JP2011100942A (en) | 2011-05-19 |
JP5750821B2 true JP5750821B2 (en) | 2015-07-22 |
Family
ID=44191882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009256296A Active JP5750821B2 (en) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | Organic compound, organic electroluminescent element material, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic EL display device, and organic EL lighting |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5750821B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11980093B2 (en) | 2018-05-17 | 2024-05-07 | Lg Chem, Ltd. | Organic light emitting diode |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9312500B2 (en) | 2012-08-31 | 2016-04-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
KR20170075114A (en) | 2015-12-22 | 2017-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
KR20170075118A (en) * | 2015-12-22 | 2017-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
KR20170075122A (en) | 2015-12-22 | 2017-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
KR102579752B1 (en) | 2015-12-22 | 2023-09-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
WO2017170313A1 (en) | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 住友化学株式会社 | Light-emitting element |
JP6996263B2 (en) * | 2017-12-04 | 2022-01-17 | 大日本印刷株式会社 | A method for manufacturing an organic electroluminescence element, a composition for an organic electroluminescence layer, and an organic electroluminescence element. |
WO2020080714A1 (en) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | 주식회사 엘지화학 | Organic compound and organic light-emitting device comprising same |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4384536B2 (en) * | 2004-04-27 | 2009-12-16 | 三井化学株式会社 | Anthracene compound and organic electroluminescent device containing the anthracene compound |
TWI373506B (en) * | 2004-05-21 | 2012-10-01 | Toray Industries | Light-emitting element material and light-emitting material |
JP4807013B2 (en) * | 2005-09-02 | 2011-11-02 | 東レ株式会社 | Light emitting device material and light emitting device |
JP2007131722A (en) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Toray Ind Inc | Electroluminescent element material and electroluminescent element |
JP4942448B2 (en) * | 2006-10-13 | 2012-05-30 | 三井化学株式会社 | Anthracene compound and organic electroluminescence device containing the compound |
JP4979333B2 (en) * | 2006-10-13 | 2012-07-18 | 三井化学株式会社 | Anthracene compound and organic electroluminescence device containing the compound |
JP2008195841A (en) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Toray Ind Inc | Material for light-emitting element and the resulting light-emitting element |
-
2009
- 2009-11-09 JP JP2009256296A patent/JP5750821B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11980093B2 (en) | 2018-05-17 | 2024-05-07 | Lg Chem, Ltd. | Organic light emitting diode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011100942A (en) | 2011-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6191680B2 (en) | Organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, organic EL display device, and organic EL lighting | |
JP5757244B2 (en) | Organic electroluminescent device manufacturing method, organic electroluminescent device, display device, and illumination device | |
JP5560592B2 (en) | Nitrogen-containing heterocyclic compound, organic electroluminescent element material, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic EL display and organic EL lighting | |
JP5549228B2 (en) | Organic EL device and organic light emitting device | |
JP6331393B2 (en) | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent device | |
JP5750821B2 (en) | Organic compound, organic electroluminescent element material, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic EL display device, and organic EL lighting | |
JP5742092B2 (en) | Organic compound, charge transport material, composition for organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, organic EL display and organic EL lighting | |
JP5664128B2 (en) | Pyrimidine compound, material for organic electroluminescence device, composition for organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, lighting device and display device | |
JP2012006878A (en) | Organometallic complex, luminescent material, organic electroluminescent element material, organometallic complex-containing composition, organic electroluminescent element, organic el display, and organic el illumination | |
JP2011105676A (en) | Organometallic complex, luminescent material, material of organic electroluminescent element, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display and organic el illumination | |
JP5757370B2 (en) | Organic electroluminescence device, organic EL lighting, and organic EL display device | |
JP5321700B2 (en) | Organic electroluminescence device, organic EL lighting, and organic EL display device | |
JP5717333B2 (en) | Organic electroluminescent device manufacturing method, organic electroluminescent device, organic EL display device, and organic EL illumination | |
JP5617202B2 (en) | Organic compound, charge transport material, composition for organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, organic EL display and organic EL lighting | |
JP2010229121A (en) | Organic metal complex, composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device | |
JP5644196B2 (en) | Compound, charge transport material, composition for organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, organic EL display device and organic EL illumination | |
JP2014220248A (en) | Method of manufacturing organic electroluminescent element | |
JP5644147B2 (en) | Organic compound, organic electroluminescent element material, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic EL display device, and organic EL lighting | |
JP5569630B2 (en) | Organic electroluminescence device, organic EL lighting, and organic EL display device | |
JP2012119471A (en) | Composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display device, and organic el illumination | |
JP2010209143A (en) | Composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display and organic el illumination | |
JP2022136017A (en) | Aromatic compound | |
JP2021127325A (en) | Aromatic diamine derivative |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120711 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131029 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140318 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140930 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150421 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150504 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5750821 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |