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JP5560592B2 - Nitrogen-containing heterocyclic compound, organic electroluminescent element material, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic EL display and organic EL lighting - Google Patents

Nitrogen-containing heterocyclic compound, organic electroluminescent element material, composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic EL display and organic EL lighting Download PDF

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JP5560592B2
JP5560592B2 JP2009131271A JP2009131271A JP5560592B2 JP 5560592 B2 JP5560592 B2 JP 5560592B2 JP 2009131271 A JP2009131271 A JP 2009131271A JP 2009131271 A JP2009131271 A JP 2009131271A JP 5560592 B2 JP5560592 B2 JP 5560592B2
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organic electroluminescent
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Description

本発明は、種々の溶剤に可溶で、電荷輸送能が高く、更には高い非晶性を示し優れた成膜性を有する含窒素複素環化合物、該化合物からなる有機電界発光素子用材料、該化合物を含む有機電界発光素子用組成物、該化合物を含む層を有する有機電界発光素子、並びにこの有機電界発光素子を用いた有機ELディスプレイ、及び有機EL照明に関するものである。   The present invention is a nitrogen-containing heterocyclic compound that is soluble in various solvents, has a high charge transporting ability, has a high amorphous property, and has an excellent film forming property, a material for an organic electroluminescent device comprising the compound, The present invention relates to a composition for an organic electroluminescent device containing the compound, an organic electroluminescent device having a layer containing the compound, an organic EL display using the organic electroluminescent device, and organic EL illumination.

近年、有機薄膜を用いた電界発光素子(有機電界発光素子)の開発が行われている。有機電界発光素子における有機薄膜の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法が挙げられる。このうち、湿式成膜法は真空プロセスが要らず、大面積化が容易で、1つの層を形成するための塗布液(有機電界発光素子用組成物)に様々な機能をもった複数の材料を混合して入れることが容易である等の利点がある。   In recent years, an electroluminescent element (organic electroluminescent element) using an organic thin film has been developed. Examples of the method for forming the organic thin film in the organic electroluminescence device include a vacuum deposition method and a wet film formation method. Among these, the wet film-forming method does not require a vacuum process, is easy to increase in area, and a plurality of materials having various functions in a coating liquid (composition for an organic electroluminescent element) for forming one layer. There are advantages such as easy mixing and mixing.

湿式成膜法によって形成された発光層の材料としては、ポリ(p−フェニレンビニレン)誘導体やポリフルオレン誘導体等の高分子材料が主に用いられているが、高分子材料には以下のような改善すべき点がある。
・高分子材料は重合度や分子量分布を制御することが困難である。
・連続駆動時に末端残基による劣化が起こる。
・材料自体の高純度化が困難で、不純物を含む。
上記改善すべき点のために、湿式成膜法による素子は、真空蒸着法による素子に比べて駆動安定性に劣り、一部を除いて実用レベルに至っていないのが現状である。
Polymer materials such as poly (p-phenylene vinylene) derivatives and polyfluorene derivatives are mainly used as the material for the light emitting layer formed by the wet film formation method. There are points to be improved.
・ It is difficult to control the degree of polymerization and molecular weight distribution of polymer materials.
・ Deterioration due to terminal residues occurs during continuous driving.
・ High purity of the material itself is difficult and contains impurities.
Because of the above points to be improved, devices using a wet film formation method are inferior in driving stability to devices using a vacuum vapor deposition method and have not reached a practical level with some exceptions.

以上のような問題を解決する試みとして、例えば、特許文献1には高分子化合物ではなく、複数の低分子材料(電荷輸送材料、発光材料)を混合して湿式成膜法により形成した有機薄膜を用いた有機電界発光素子が記載されている。しかしながら、特許文献1に記載されている有機電界発光素子は蛍光発光を利用しているため、素子の発光効率及び最大発光輝度が低く、実用特性を満たしていない。   As an attempt to solve the above problems, for example, Patent Document 1 discloses an organic thin film formed by a wet film forming method by mixing a plurality of low molecular materials (charge transport materials, light emitting materials) instead of a polymer compound. An organic electroluminescent device using is described. However, since the organic electroluminescent element described in Patent Document 1 uses fluorescent light emission, the light emission efficiency and the maximum light emission luminance of the element are low, and the practical characteristics are not satisfied.

湿式成膜法により形成された複数の低分子材料からなる有機薄膜を用いた有機電界発光素子において、非特許文献1では、素子の発光効率を高めるために、燐光発光を利用した素子が記載されている。非特許文献1に記載の有機電界発光素子の電荷輸送材料は、以下に示すビフェニル誘導体を用いている。   In an organic electroluminescent device using an organic thin film made of a plurality of low-molecular materials formed by a wet film formation method, Non-Patent Document 1 describes a device using phosphorescence emission in order to increase the luminous efficiency of the device. ing. The charge transport material of the organic electroluminescence device described in Non-Patent Document 1 uses the following biphenyl derivative.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

しかしながら、上記ビフェニル誘導体は、非常に結晶化しやすく、湿式成膜法では均一な膜を得ることが困難であった。更に、上記ビフェニル誘導体は、溶剤に対する溶解性が低い。このため、クロロホルム、1, 2 − ジクロロエタン等のハロゲン系溶剤を塗布
溶剤に用いる必要があるが、ハロゲン系溶剤は環境負荷が大きく実用上問題がある。又、
ハロゲン系溶剤中に含まれる不純物により材料が劣化される可能性が大きいため、ハロゲン系溶剤を用いた湿式成膜法による素子は駆動安定性が十分でないことが考えられる。
However, the biphenyl derivative is very easy to crystallize, and it has been difficult to obtain a uniform film by the wet film forming method. Further, the biphenyl derivative has low solubility in a solvent. For this reason, it is necessary to use a halogen-based solvent such as chloroform or 1,2-dichloroethane as a coating solvent, but the halogen-based solvent has a large environmental load and has a practical problem. or,
Since there is a high possibility that the material is deteriorated by impurities contained in the halogen-based solvent, it is conceivable that the driving stability of the element formed by the wet film forming method using the halogen-based solvent is not sufficient.

特開平11−273859号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-238359

J a p a n e s e J o u r n a l o f A p p l i e d P h y s i c s V o l . 4 4 ,N o . 1 B , 2 0 0 5 , p p . 6 2 6 - 6 2 9J a p a n e s J o u r n a l o f A p p l i e d P h y s i c s V o l. 4 4, N o. 1 B, 2 0 0 5, p p. 6 2 6-6 2 9

本発明は、上記の従来実状に鑑みてなされたものであり、種々の溶剤に可溶であり、電荷輸送能が高く、容易には結晶化しない有機電界発光素子用材料を提供すること、更には優れた成膜性を示し、十分な駆動安定性を持ち、低い駆動電圧での駆動が可能な有機電界発光素子を形成するための組成物、並びにそれを用いた有機電界発光素子及び有機ELディスプレイを提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above-described conventional situation, and provides an organic electroluminescent element material that is soluble in various solvents, has a high charge transport ability, and does not easily crystallize. Shows an excellent film forming property, has sufficient driving stability, and a composition for forming an organic electroluminescent device capable of being driven at a low driving voltage, and an organic electroluminescent device and an organic EL using the composition It is an object to provide a display.

本発明者らが鋭意検討した結果、下記式(1)で表される含窒素複素環化合物が、種々の溶剤に可溶で、電荷輸送能が高く、結晶化しにくい化合物であるため湿式成膜法による薄膜形成が可能であり、しかも、優れた電荷輸送能を有するため、有機電界発光素子に用いると高い駆動安定性を示し、かつ低い駆動電圧で駆動可能であることを見出し、本発明に到達した。   As a result of intensive studies by the present inventors, the nitrogen-containing heterocyclic compound represented by the following formula (1) is a compound that is soluble in various solvents, has a high charge transporting ability, and is difficult to crystallize. It is possible to form a thin film by the method, and has an excellent charge transporting ability. Therefore, when used in an organic electroluminescent device, it has been found that it has high driving stability and can be driven at a low driving voltage. Reached.

即ち、本発明は、下記式(1)で表されることを特徴とする含窒素複素環化合物、及び該化合物からなる有機電界発光素子材料、及び該化合物を含む有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、並びに有機ELディスプレイ及び有機EL照明に存する。   That is, the present invention is a nitrogen-containing heterocyclic compound represented by the following formula (1), an organic electroluminescent element material comprising the compound, and an organic electroluminescent element composition comprising the compound, It exists in organic electroluminescent elements, organic EL displays and organic EL lighting.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(式(1)中X1〜X3は、CH又は窒素原子表す。但し、X1〜X3のいずれか一つは窒素原子を表す。
〜Rは、各々独立に、炭素数50以下の、置換基を有していてもよい有機基を表す。Lは、単結合又は炭素数25以下の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
nは2以上6以下の整数を表す。
(In formula (1), X 1 to X 3 represent CH or a nitrogen atom, provided that any one of X 1 to X 3 represents a nitrogen atom.
R 1 to R 3 each independently represents an organic group having 50 or less carbon atoms, which may have a substituent. L 1 represents a single bond or an aromatic ring group having 25 or less carbon atoms, which may have a substituent.
n represents an integer of 2 to 6.

mは0以上4以下の整数を表す。
p,r及びsは、各々独立に、0以上4以下の整数を表す。
尚、一分子内に、複数のR〜R、L、及びArが含まれる場合、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。
また、Ar1は、下記芳香族炭化水素基群Aから選ばれる基を表す。)
<芳香族炭化水素基群A>
m represents an integer of 0 or more and 4 or less.
p, r, and s each independently represent an integer of 0 or more and 4 or less.
Incidentally, in a molecule, if a plurality of R 1 ~R 3, L 1, which and Ar 1 are included, each independently, may be the same or may be different.
Ar 1 represents a group selected from the following aromatic hydrocarbon group group A. )
<Aromatic hydrocarbon group A>

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(上記式中の、ベンゼン環及びナフタレン環は、置換基を有していてもよい。) (The benzene ring and naphthalene ring in the above formula may have a substituent.)

本発明の含窒素複素環化合物は、種々溶剤に対する溶解性が優れると共に、結晶化しない化合物であるため、湿式成膜法による薄膜形成が可能であり、しかも優れた電荷輸送能を有する。
この為、本発明の含窒素複素環化合物を含む有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法により形成される有機電界発光素子は、大面積化が可能である。
The nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention is excellent in solubility in various solvents and is a compound that does not crystallize, so that a thin film can be formed by a wet film-forming method and has an excellent charge transport ability.
For this reason, the organic electroluminescent element formed by the wet film-forming method using the composition for organic electroluminescent elements containing the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention can have a large area.

本発明の含窒素複素環化合物を含む有機電界発光素子によれば、優れた成膜性により十分な駆動安定性を持ち、且つ低電圧での駆動が可能な、大面積を持つ有機ELディスプレイの作成が可能である。   According to the organic electroluminescent device containing the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention, the organic EL display having a large area that has sufficient driving stability due to excellent film forming property and can be driven at a low voltage. Can be created.

本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the structure of the organic electroluminescent element of this invention.

以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例(代表例)であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
[語句の説明]
本発明において、単に「複素環」又は「炭化水素環」と称した場合には、芳香族性を有する環及び芳香族性を有しない環のいずれをも含むものとする。また、単に「芳香環」と称した場合には、炭化水素芳香環及び複素芳香環のいずれをも含むものとする。
Embodiments of the present invention will be described in detail below, but the description of the constituent elements described below is an example (representative example) of an embodiment of the present invention, and the present invention does not exceed the gist thereof. It is not specified in the contents.
[Explanation of phrase]
In the present invention, when the term “heterocycle” or “hydrocarbon ring” is simply used, it includes both a ring having aromaticity and a ring having no aromaticity. In addition, when simply referred to as “aromatic ring”, it includes both hydrocarbon aromatic rings and heteroaromatic rings.

また、本発明において、「芳香環基」とは、「単環の芳香環に由来する基」、「2以上の環が縮合した縮合環に由来する基」の他、「これらの単環及び/又は縮合環の2以上が単結合を介して連結した基」も含むものとする。
また、本発明において、「置換基を有していてもよい」とは、置換基を1又は2以上有していてもよいことを意味するものとする。
In the present invention, the “aromatic ring group” refers to “a group derived from a monocyclic aromatic ring”, “a group derived from a condensed ring in which two or more rings are condensed”, And / or a group in which two or more of the condensed rings are linked via a single bond.
In the present invention, “may have a substituent” means that one or more substituents may be present.

また、「(ヘテロ)アリール」とは、「アリール」と「ヘテロアリール」の両方を意味するものとする。
[式(1)で表される含窒素複素環化合物]
本発明の含窒素複素環化合物は、下記式(1)で表される化合物である。
“(Hetero) aryl” means both “aryl” and “heteroaryl”.
[Nitrogen-containing heterocyclic compound represented by formula (1)]
The nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention is a compound represented by the following formula (1).

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(式(1)中X1〜X3は、CH又は窒素原子表す。但し、X1〜X3のいずれか一つは窒素原子を表す。
〜Rは、各々独立に、炭素数50以下の、置換基を有していてもよい有機基を表す。Lは、単結合又は炭素数25以下の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
nは2以上6以下の整数を表す。
(In formula (1), X 1 to X 3 represent CH or a nitrogen atom, provided that any one of X 1 to X 3 represents a nitrogen atom.
R 1 to R 3 each independently represents an organic group having 50 or less carbon atoms, which may have a substituent. L 1 represents a single bond or an aromatic ring group having 25 or less carbon atoms, which may have a substituent.
n represents an integer of 2 to 6.

mは0以上4以下の整数を表す。
p,r及びsは、各々独立に、0以上4以下の整数を表す。
尚、一分子内に、複数のR〜R、L、及びArが含まれる場合、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。
また、Ar1は、下記芳香族炭化水素基群Aから選ばれる基を表す。)
<芳香族炭化水素基群A>
m represents an integer of 0 or more and 4 or less.
p, r, and s each independently represent an integer of 0 or more and 4 or less.
Incidentally, in a molecule, if a plurality of R 1 ~R 3, L 1, which and Ar 1 are included, each independently, may be the same or may be different.
Ar 1 represents a group selected from the following aromatic hydrocarbon group group A. )
<Aromatic hydrocarbon group A>

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(上記式中の、ベンゼン環及びナフタレン環は、置換基を有していてもよい。)
[1]構造上の特徴
本発明の下記式(1)で示される化合物は、窒素複素環部に電子豊富な窒素原子を二つ有
する事から高い電子輸送能を示し、さらに上記の芳香族炭化水素群を有することで分子が非対称性を持つため、種々の溶剤に対して優れた溶解性と、高い非晶性を示す。
(The benzene ring and naphthalene ring in the above formula may have a substituent.)
[1] Structural features The compound represented by the following formula (1) of the present invention has two electron-rich nitrogen atoms in the nitrogen heterocycle portion, and thus exhibits high electron transport ability. Since the molecule has asymmetry due to having a hydrogen group, it exhibits excellent solubility in various solvents and high amorphousness.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

[2]式(1)における各構成要素
[2−1] X1〜X3について。
X1〜X3は、CH又は窒素原子表す。但し、X1〜X3のいずれか一つは窒素原子を表す。
中でも、高い電子輸送能を有する事、化合物の安定性、また合成的な容易さの点で、X1〜X3のいずれかが窒素原子である。
[2] Each component in formula (1)
[2-1] About X 1 to X 3 .
X 1 to X 3 represent CH or a nitrogen atom. However, any one of X 1 to X 3 represents a nitrogen atom.
Among them, any one of X 1 to X 3 is a nitrogen atom in view of having a high electron transport ability, stability of the compound, and ease of synthesis.

[2−2]nについて。
nは、前記式(1)に含まれる、下記式(i)で表される部分構造の数を表す。nは、
通常2以上、また、通常6以下、好ましくは3以下、の整数を表す。
昇華精製での高純度化が容易である点で、nは2であることが特に好ましい。
[2-2] About n.
n represents the number of partial structures represented by the following formula (i) included in the formula (1). n is
Usually represents an integer of 2 or more, usually 6 or less, preferably 3 or less.
It is particularly preferable that n is 2 in terms of easy purification by sublimation purification.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(上記式(i)中、L、Ar、R〜R、並びに、s及びrは、各々前記式(1)におけるものと同義である。)
[2−3]Arについて。
前記式(1)中、Arは下記芳香族炭化水素基群Aから選ばれる基を表す。
<芳香族炭化水素基群A>
(In the above formula (i), L 1, Ar 1, R 2 ~R 3, and, s and r have the same meanings as those in each Formula (1).)
[2-3] for Ar 1.
In the formula (1), Ar 1 represents a group selected from the following aromatic hydrocarbon group group A.
<Aromatic hydrocarbon group A>

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(上記式で表される基は、置換基を有していてもよい。)
式(1)中の芳香族炭化水素基Arは、分子に非対称性を与え、種々の溶剤に対する溶解性を向上させる目的で導入されており、o-フェニレン基、m-フェニレン基、1,2-ナフチル基、1,4-ナフチル基、1,6-ナフチル基、1,7-ナフチル基、1,8-ナフチル基が挙げられる。該芳香族炭化水素基Arは、化合物の安定性、合成の容易さ、精製のし易さなどの面からm-フェニレン基を用いることが特に好ましい。
(The group represented by the above formula may have a substituent.)
The aromatic hydrocarbon group Ar 1 in the formula (1) is introduced for the purpose of imparting asymmetry to the molecule and improving the solubility in various solvents, and includes o-phenylene group, m-phenylene group, 1, Examples include 2-naphthyl group, 1,4-naphthyl group, 1,6-naphthyl group, 1,7-naphthyl group, and 1,8-naphthyl group. As the aromatic hydrocarbon group Ar 1 , it is particularly preferable to use an m-phenylene group from the viewpoints of stability of the compound, ease of synthesis, ease of purification, and the like.

また、芳香族炭化水素基Arが有していてもよい置換基としては、上記芳香族炭化水素基群Aを含めたArの炭素数が通常25以下であれば特に制限はされないが、後述の<R〜R、m、r、sについて>の項のR〜Rの具体例に記載のものから選択し用いてもよい。尚、置換基同士が結合して環を形成することはない。また化合物の酸化還元安定性の面で、式(1)中の芳香族炭化水素基Arは、置換基を有さないことが好ましい。 In addition, the substituent that the aromatic hydrocarbon group Ar 1 may have is not particularly limited as long as the carbon number of Ar 1 including the aromatic hydrocarbon group A is usually 25 or less, below <R 1 ~R 3, m, r, for s> it may be used selected from those set forth in the specific examples of R 1 to R 3 in the section. The substituents are not bonded to form a ring. In terms of redox stability of the compound, the aromatic hydrocarbon group Ar 1 in the formula (1) preferably has no substituent.

[2−4] R〜R、m、r、sについて
式(1)中、R〜Rは、炭素数50以下の、置換基を有していてもよい有機基を表す。
は、含窒素複素環に結合する置換基であり、mは含窒素複素環に結合するR1の数を表す。mは、昇華精製での高純度化が容易である点で、通常0以上、また4以下、好ましくは2以下の整数であり、mが0とはR1が含窒素複素環に置換しない事を意味する。また、mが2以上のとき、含窒素複素環に置換する複数のR1は、同一であっても異なっていてもよい。
[2-4] R 1 to R 3 , m, r, and s In formula (1), R 1 to R 3 represent an organic group having 50 or less carbon atoms and optionally having a substituent.
R 1 is a substituent bonded to the nitrogen-containing heterocyclic ring, and m represents the number of R 1 bonded to the nitrogen-containing heterocyclic ring. m is an integer of usually 0 or more and 4 or less, preferably 2 or less in that it is easy to achieve high purity by sublimation purification. When m is 0, R 1 is not substituted with a nitrogen-containing heterocyclic ring. Means. When m is 2 or more, the plurality of R 1 substituted on the nitrogen-containing heterocycle may be the same or different.

は、カルバゾール環に結合する置換基であり、rはカルバゾール環に結合するR
の数を表す。rは、昇華精製での高純度化が容易である点で、通常0以上、また通常4以下、好ましくは1以下の整数であり、rが0とはRがカルバゾール環に置換しない事を
意味する。また、rが2以上のとき、カルバゾール環に置換する複数のRは、同一であ
っても異なっていてもよい。
R 2 is a substituent bonded to the carbazole ring, and r is R 2 bonded to the carbazole ring.
Represents the number of r is an integer of usually 0 or more and usually 4 or less, preferably 1 or less in that it is easy to achieve high purity by sublimation purification, and r is 0, and that R 2 is not substituted with a carbazole ring. means. When r is 2 or more, the plurality of R 2 substituted on the carbazole ring may be the same or different.

は、カルバゾール環に結合する置換基であり、sはカルバゾール環に結合するR
の数を表す。sは、昇華精製での高純度化が容易である点で、通常0以上、また通常4以下、好ましくは1以下の整数であり、sが0とはRがカルバゾール環に置換しない事を
意味する。また、sが2以上のとき、カルバゾール環に置換する複数のRは、同一であ
っても異なっていてもよい。
R 3 is a substituent bonded to the carbazole ring, and s is R 3 bonded to the carbazole ring.
Represents the number of s is an integer of usually 0 or more and usually 4 or less, preferably 1 or less, in that it is easy to achieve high purity by sublimation purification. When s is 0, R 3 is not substituted with a carbazole ring. means. When s is 2 or more, the plurality of R 3 substituted on the carbazole ring may be the same or different.

〜Rは、各々独立に炭素数50以下の有機基を表し、これらは置換基を有していてもよい。通常炭素数50以下であるが、分子の安定性、精製の容易さという点で、好ましくは30以下である。
有機基の具体例としては、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基、炭素数3〜20の芳香族複素環基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基、炭素数1〜20のアルキルチオ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基、シアノ基が挙げられる。アルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基は化合物の安定性の面から好ましく、芳香族炭化水素基は特に好ましい。
R 1 to R 3 each independently represents an organic group having 50 or less carbon atoms, and these may have a substituent. The number of carbon atoms is usually 50 or less, but is preferably 30 or less from the viewpoint of molecular stability and ease of purification.
Specific examples of the organic group include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms, an aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, Examples thereof include a (hetero) aryloxy group having 3 to 20 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms, a (hetero) arylthio group having 3 to 20 carbon atoms, and a cyano group. An alkyl group, an aromatic hydrocarbon group, and an aromatic heterocyclic group are preferable from the viewpoint of stability of the compound, and an aromatic hydrocarbon group is particularly preferable.

炭素数1〜20のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基である。メチル基、エチル基が原料の入手しやすさ、安価さなどから好ましく、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基は、非極性溶剤に対して高い溶解性を持つために好ましい。   Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, hexyl group, octyl group and cyclohexyl group. Group, decyl group, octadecyl group and the like. Preferably, they are a methyl group, an ethyl group, and an isopropyl group. A methyl group and an ethyl group are preferable from the viewpoint of availability of raw materials and low cost, and an iso-butyl group, a sec-butyl group, and a tert-butyl group are preferable because they have high solubility in nonpolar solvents.

炭素数6〜25の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基などのナフチル基、9−フェナンチル基、3−フェナンチル基などのフェナンチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基などのアントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基などのナフタセニル基、1−クリセニル基、2−クリセニル基、3−クリセニル基、4−クリセニル基、5−クリセニル基、6−クリセニル基などのクリセニル基、1−ピレニル基などのピレニル基、1−トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基、1−コロネニル基などのコロネニル基等があげられ、化合物の安定性の面からフェニル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、9−アントリル基、9−フェナントリル基が好ましく、フェニル基、2−ナフチル基が化合物の精製のし易さから特に好ましい。   Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms include a naphthyl group such as a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group, a phenanthyl group such as a 9-phenanthyl group and a 3-phenanthyl group, and 1-anthryl. Group, 2-anthryl group, anthryl group such as 9-anthryl group, 1-naphthacenyl group, naphthacenyl group such as 2-naphthacenyl group, 1-chrysenyl group, 2-chrysenyl group, 3-chrysenyl group, 4-chrysenyl group, Examples include a chrycenyl group such as a 5-chrycenyl group and a 6-chrenyl group, a pyrenyl group such as a 1-pyrenyl group, a triphenylenyl group such as a 1-triphenylenyl group, a coronenyl group such as a 1-coronenyl group, and the like. From the aspect, phenyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 9-anthryl group and 9-phenanthryl group are preferred. , Phenyl group, 2-naphthyl group is particularly preferred from the purification ease of the compound.

炭素数3〜20の芳香族複素環基の例としては、2−チエニル基などのチエニル基、2−フリル基などのフリル基、2−イミダゾリル基などのイミダゾリル基、9−カルバゾリル基などのカルバゾリル基、2−ピリジル基などのピリジル基、1,3,5−トリアジン−2−イル基などのトリアジン−イル基等が挙げられる。中でも9−カルバゾリル基が安定性の面から好ましい。   Examples of the aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms include thienyl group such as 2-thienyl group, furyl group such as 2-furyl group, imidazolyl group such as 2-imidazolyl group, and carbazolyl such as 9-carbazolyl group. Groups, pyridyl groups such as 2-pyridyl group, triazin-yl groups such as 1,3,5-triazin-2-yl group, and the like. Of these, a 9-carbazolyl group is preferable from the viewpoint of stability.

炭素数1〜20のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。中でもメトキシ基、エトキシ基が溶解性向上とガラス転移点の面から好ましい。
炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、3−フェノキシフェノキシ基、2−ナフチルオキシ基、9−アントラニルオキシ基、2−チエニルオキシ基等が挙げられる。中でも、フェノキシ基、3−フェノキシフェノキシ基、2−ナフチルオキシ基が溶解性向上の面から好ましく、3−フェノキシフェノキシ基は特に好ましい。
Examples of the alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, isopropyloxy group, cyclohexyloxy group, octadecyloxy group and the like. Of these, a methoxy group and an ethoxy group are preferable from the viewpoints of improved solubility and glass transition point.
Examples of the (hetero) aryloxy group having 3 to 20 carbon atoms include a phenoxy group, a 3-phenoxyphenoxy group, a 2-naphthyloxy group, a 9-anthranyloxy group, and a 2-thienyloxy group. Among these, a phenoxy group, a 3-phenoxyphenoxy group, and a 2-naphthyloxy group are preferable from the viewpoint of improving solubility, and a 3-phenoxyphenoxy group is particularly preferable.

炭素数1〜20のアルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。中でも、メチルチオ基、エチルチオ基は溶解性向上とガラス転移点の面から好ましい。
炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、9−アントラニルチオ基、2−チエニルチオ基等が挙げられる。中でも、フェニルチオ基は、溶剤に対する溶解性が向上する点で好ましい。
Examples of the alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms include methylthio group, ethylthio group, isopropylthio group, cyclohexylthio group and the like. Of these, a methylthio group and an ethylthio group are preferable from the viewpoints of improved solubility and glass transition point.
Examples of the (hetero) arylthio group having 3 to 20 carbon atoms include a phenylthio group, a 1-naphthylthio group, a 9-anthranylthio group, and a 2-thienylthio group. Among these, a phenylthio group is preferable in terms of improving solubility in a solvent.

〜Rは、上記した基を更に置換基として有していてもよい。
[2−5]Lについて。
式(1)中のLは単結合又は炭素数25以下の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
炭素数25以下の芳香環基の具体例としては、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基、炭素数3〜25の芳香族複素環基が挙げられる。芳香族炭化水素基が化合物の酸化還元安定性の面から好ましい。
R 1 to R 3 may further have the above-described group as a substituent.
[2-5] for L 1.
L 1 in Formula (1) represents a single bond or an aromatic ring group having 25 or less carbon atoms, which may have a substituent.
Specific examples of the aromatic ring group having 25 or less carbon atoms include an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms and an aromatic heterocyclic group having 3 to 25 carbon atoms. An aromatic hydrocarbon group is preferred from the viewpoint of redox stability of the compound.

炭素数6〜25の芳香族炭化水素基の例としては、1,4−フェニレン基、1,3−フェニレン基などのフェニレン基、1、6−ナフチレン基などのナフチレン基、3,9−フェナンチレン基などのフェナンチレン基、2,6−アントラニレン基、9、10−アントラニレン基などのアントラニレン基、1、6−ピレニレン基などのピレニレン基、2,7−トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基、4,4’−ビフェニレン基、3,3’−ビフェニレン基、4,3’−ビフェニレン基などのビフェニレン基等があげられ、化合物の安定性の面から1,4−フェニレン基、1,3−フェニレン基、3,3’−ビフェニレン基、4,3’−ビフェニレン基、1、6−ナフチレン基が好ましく、1,3−フェニレン基、3,3’−ビフェニレン基、1、6−ナフチレン基が化合物の溶剤に対する溶解性の面から
特に好ましい。
Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms include phenylene groups such as 1,4-phenylene group and 1,3-phenylene group, naphthylene groups such as 1,6-naphthylene group, and 3,9-phenanthylene. Groups such as phenanthylene groups, 2,6-anthranylene groups, anthranylene groups such as 9,10-anthranylene groups, 1, pyrenylene groups such as 1,6-pyrenylene groups, triphenylenyl groups such as 2,7-triphenylenyl groups, 4,4 ′ -Biphenylene group, 3,3'-biphenylene group, biphenylene group such as 4,3'-biphenylene group, etc. are mentioned. From the viewpoint of stability of the compound, 1,4-phenylene group, 1,3-phenylene group, 3 , 3'-biphenylene group, 4,3'-biphenylene group and 1,6-naphthylene group are preferable, 1,3-phenylene group, 3,3'-biphenylene group and 1,6-naphthylene group. From the viewpoint of the solubility of the compound in the solvent, a hydrogen group is particularly preferable.

炭素数3〜25の芳香族複素環基の例としては、2、5−チエニレン基などのチエニレン基、2、5−フリレン基などのフリレン基、2、6−ピリジレン基などのピリジレン基、2,6−キノリレン基などのキノリレン基等が挙げられる。中でも2、6−ピリジレン基、2,6−キノリレン基が安定性の面から好ましい。
が置換基を有していてもよい芳香環の場合、その置換基として、前記<R〜R、m、r、sについて>の項のR〜Rの具体例に記載のものから選択して用いてもよい。
Examples of aromatic heterocyclic groups having 3 to 25 carbon atoms include thienylene groups such as 2,5-thienylene groups, furylene groups such as 2,5-furylene groups, pyridylene groups such as 2,6-pyridylene groups, 2 Quinolylene groups such as, 6-quinolylene group and the like. Among these, 2,6-pyridylene group and 2,6-quinolylene group are preferable from the viewpoint of stability.
When L 1 is an aromatic ring which may have a substituent, the substituent is described in the specific examples of R 1 to R 3 in the section of <About R 1 to R 3 , m, r, and s>. You may select from and use.

[3]式(2)について。
前記式(1)で表される化合物の中でも、m−フェニレン基の導入により溶剤に対して高い溶解性を示す点で、下記式(2)で表される化合物が好ましい。
[3] Regarding formula (2).
Among the compounds represented by the formula (1), a compound represented by the following formula (2) is preferable in that it exhibits high solubility in a solvent by introducing an m-phenylene group.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(式(2)中X1〜X3は、CH又は窒素原子を表す。但し、X1〜X3のいずれか一つは窒素原子を表す。R〜Rは、各々独立に、炭素数50以下、置換基を有していてもよいの有機基を表す。
は、単結合又は炭素数25以下の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
nは1以上6以下の整数を表す。
(In formula (2), X 1 to X 3 represent CH or a nitrogen atom, provided that any one of X 1 to X 3 represents a nitrogen atom. R 1 to R 4 each independently represents carbon. An organic group of several 50 or less, which may have a substituent.
L 1 represents a single bond or an aromatic ring group having 25 or less carbon atoms, which may have a substituent.
n represents an integer of 1 to 6.

mは0以上4以下の整数を表す。
p、r及びsは、各々独立に0以上、4以下の整数を表す。
尚、一分子内に、複数のR〜R、及びLが含まれる場合、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。)
[3−1] X1〜X3について。
m represents an integer of 0 or more and 4 or less.
p, r, and s each independently represent an integer of 0 or more and 4 or less.
In addition, when several R < 2 > -R < 4 > and L < 1 > are contained in one molecule, each may be the same and may differ independently. )
[3-1] About X 1 to X 3 .

式(2)中のX1〜X3は、前記式(1)のX1〜X3と同義である。好ましい例も同様である。
[3−2] R〜R、並びに、m、p、r及びsについて。
m、r及びsは、各々、前記式(1)におけるものと同義である。また、具体例、好ましい例も同様である。
X 1 to X in the formula (2) 3 has the same meaning as X 1 to X 3 in the formula (1). The preferable example is also the same.
[3-2] About R 1 to R 4 and m, p, r, and s.
m, r, and s are respectively synonymous with those in the formula (1). The same applies to specific examples and preferred examples.

また、R〜Rは、各々、前記式(1)におけるものと同義である。また、具体例、好ましい例及びさらに有していてもよい置換基も同様である。
は、カルバゾール環の窒素原子に結合したベンゼン環に結合する置換基であり、pはベンゼン環に結合するRの数を表す。pは、昇華精製での高純度化が容易である点で
、通常0以上、また通常4以下、好ましくは1以下の整数であり、pが0とはRがベン
ゼン環に置換しない事を意味する。また、pが2以上のとき、ベンゼン環に置換する複数
のRは、同一であっても異なっていてもよい。
Moreover, R < 1 > -R < 3 > is synonymous with the thing in said Formula (1) respectively. The same applies to specific examples, preferred examples, and substituents that may be further included.
R 4 is a substituent bonded to the benzene ring bonded to the nitrogen atom of the carbazole ring, and p represents the number of R 4 bonded to the benzene ring. p is an integer of usually 0 or more and usually 4 or less, preferably 1 or less in that it is easy to achieve high purity by sublimation purification. When p is 0, it means that R 4 is not substituted with a benzene ring. means. When p is 2 or more, the plurality of R 4 substituted on the benzene ring may be the same or different.

[3−3]Lについて。
式(2)中、Lは、前記式(1)におけるものと同義である。また、具体例、好ましい例及びさらに有していてもよい置換基も同様である。
[4]式(3)について。
式(2)で表される化合物の中でも、ガラス転移温度が高く、耐熱性に優れる点から下記式(3)で表される化合物であることが好ましい。
[3-3] for L 1.
In formula (2), L 1 has the same meaning as in formula (1). The same applies to specific examples, preferred examples, and substituents that may be further included.
[4] Regarding formula (3).
Among the compounds represented by the formula (2), a compound represented by the following formula (3) is preferable from the viewpoint of high glass transition temperature and excellent heat resistance.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(式(3)中、X1〜X3、はCH又は窒素原子表す。但し、X1〜X3のいずれか一つは窒素原子を表す。
12〜R14及びR22〜R24は、各々独立に、炭素数50以下の、置換基を有していてもよい有機基を表す。L11及びL12は、各々独立に、単結合又は炭素数25以下の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
(In Formula (3), X < 1 > -X < 3 > represents CH or a nitrogen atom, provided that any one of X < 1 > -X < 3 > represents a nitrogen atom.
R 12 to R 14 and R 22 to R 24 each independently represents an organic group having 50 or less carbon atoms and optionally having a substituent. L 11 and L 12 each independently represents a single bond or an aromatic ring group having 25 or less carbon atoms, which may have a substituent.

、r、s、p、r及びsは、各々独立に、0以上4以下の整数を表す。
尚、一分子内に、複数のR12〜R14及びR22〜R24が含まれる場合、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。)
[4−1]X1〜X3について。
式(3)中のX1〜X3は、前記式(2)のX1〜X3と同義である。好ましい例も同様である。
p 1 , r 1 , s 1 , p 2 , r 2 and s 2 each independently represent an integer of 0 or more and 4 or less.
In addition, when several R < 12 > -R < 14 > and R < 22 > -R < 24 > are contained in one molecule, each may be the same and may differ independently. )
[4-1] Regarding X 1 to X 3 .
X 1 to X in the formula (3) 3 has the same meaning as X 1 to X 3 in the formula (2). The preferable example is also the same.

[4−2]R12〜R14及びR22〜R24、並びにp、r、s、p、r及びsについて。
式(3)中のp、r、s、p、r及びsは、各々前記式(2)のp、r及びsと同義である。また、好ましい範囲も同様である。
式(3)中のR12〜R14及びR22〜R24は、前記式(2)のR〜Rと同義である。また、具体例及び好ましい例も同様である。
[4-2] About R 12 to R 14 and R 22 to R 24 , and p 1 , r 1 , s 1 , p 2 , r 2 and s 2 .
P 1 , r 1 , s 1 , p 2 , r 2 and s 2 in the formula (3) have the same meanings as p, r and s in the formula (2), respectively. The preferable range is also the same.
R < 12 > -R < 14 > and R < 22 > -R < 24 > in Formula (3) are synonymous with R < 2 > -R < 4 > of said Formula (2). The specific examples and preferred examples are also the same.

[4−3]L11、及びL12について。
式(3)中のL11、及びL12は、各々独立に、炭素数25以下の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。L11及びL12は、前記式(1)及び(2)のLの具体例、好ましい例及びその置換基と同様である。
11、及びL12は、同一であっても異なっていてもよいが、分子の非対称性を高めて、溶剤に対する溶解度を向上させる点で、異なっていることが好ましい。
[4-3] About L 11 and L 12 .
L 11 and L 12 in Formula (3) each independently represent an aromatic ring group having 25 or less carbon atoms, which may have a substituent. L 11 and L 12 are the same as the specific examples, preferred examples and substituents of L 1 in the formulas (1) and (2).
L 11 and L 12 may be the same or different, but are preferably different from the viewpoint of increasing the asymmetry of the molecule and improving the solubility in a solvent.

[5]式(4)について。
式(3)で表される化合物の中でも、好ましい態様であるL11及びL12が、異なる含窒素環化合物として、下記式(4)で表される化合物が好ましい。
[5] Regarding equation (4).
Among the compounds represented by the formula (3), a compound represented by the following formula (4) is preferred as a nitrogen-containing ring compound in which L 11 and L 12 which are preferred embodiments are different.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(式(4)中、X1〜X3は、CH又は窒素原子表す。但し、X1〜X3のいずれか一つは窒素原子を表す。
12〜R14及びR22〜R24は、各々独立に、置換基を有していてもよい炭素数50以下の有機基を表す。L11は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数25以下の芳香環基を表す。また、環Bはベンゼン環を表し、L’は単結合又は炭素数19以下
の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
(In Formula (4), X < 1 > -X < 3 > represents CH or a nitrogen atom, provided that any one of X < 1 > -X < 3 > represents a nitrogen atom.
R 12 to R 14 and R 22 to R 24 each independently represents an organic group having 50 or less carbon atoms which may have a substituent. L 11 represents a single bond or an aromatic ring group having 25 or less carbon atoms which may have a substituent. Ring B represents a benzene ring, and L ′ represents a single bond or an aromatic ring group having 19 or less carbon atoms, which may have a substituent.

尚、一分子内に、複数のR12〜R14及びR22〜R24が含まれる場合、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。)
[5−1]X1〜X3について。
式(4)中のX1〜X3は、前記式(3)のX1〜X3と同義である。好ましい例も同様である。
In addition, when several R < 12 > -R < 14 > and R < 22 > -R < 24 > are contained in one molecule, each may be the same and may differ independently. )
[5-1] About X 1 to X 3 .
X < 1 > -X < 3 > in Formula (4) is synonymous with X < 1 > -X < 3 > of said Formula (3). The preferable example is also the same.

[5−2] R12〜R14及びR22〜R24、並びにp、r、s、p、r
及びsについて。
式(4)中のp、r、s、p、r及びsは、各々前記式(3)のp、r、s、p、r及びsと同義である。また、好ましい範囲も同様である。
式(4)中のR12〜R14及びR22〜R24は、前記式(3)のR12〜R14及びR22〜R24と同義である。また、具体例及び好ましい例も同様である。
[5-2] R 12 to R 14 and R 22 to R 24 , and p 1 , r 1 , s 1 , p 2 , r
About 2 and s 2.
P 1, r 1, s 1 , p 2, r 2 and s 2 in the formula (4) is, p 1, r 1 of each Formula (3), s 1, and p 2, r 2 and s 2 It is synonymous. The preferable range is also the same.
R < 12 > -R < 14 > and R < 22 > -R < 24 > in Formula (4) are synonymous with R < 12 > -R < 14 > and R < 22 > -R < 24 > of said Formula (3). The specific examples and preferred examples are also the same.

[5−3]L11及びL’について。
式(4)中のL11は、各々独立に置換基を有していてもよい炭素数25以下の芳香環基を表す。L11は、前記式(1)及び(2)のLの具体例、好ましい例及びその置換基と同様である。
式(4)中のL’は、単結合又は炭素数19以下の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。尚、L’−環Bは、式(3)におけるL12に相当する。
[5-3] About L 11 and L ′.
L 11 in Formula (4) represents an aromatic ring group having 25 or less carbon atoms which may have a substituent. L 11 is the same as the specific examples, preferred examples, and substituents of L 1 in the formulas (1) and (2).
L ′ in Formula (4) represents a single bond or an aromatic ring group having 19 or less carbon atoms, which may have a substituent. Note that L′-ring B corresponds to L 12 in formula (3).

炭素数19以下の、置換基を有していてもよい芳香環基の具体例としては、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基、炭素数3〜25の芳香族複素環基が挙げられる。芳香族炭化水素基が化合物の安定性の面から好ましい。
炭素数6〜19の芳香族炭化水素基の例としては、1,4−フェニレン基、1,3−フェニレン基などのフェニレン基、1、6−ナフチレン基などのナフチレン基、3,9−フェナンチレン基などのフェナンチレン基、2,6−アントラニレン基、9、10−アント
ラニレン基などのアントラニレン基、1、6−ピレニレン基などのピレニレン基、2,7−トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基、4,4’−ビフェニレン基、3,3’−ビフェニレン基、4,3’−ビフェニレン基などのビフェニレン基等があげられ、化合物の安定性の面から1,4−フェニレン基、1,3−フェニレン基、3,3’−ビフェニレン基、4,3’−ビフェニレン基、1、6−ナフチレン基が好ましく、1,3−フェニレン基、3,3’−ビフェニレン基、1、6−ナフチレン基が化合物の溶解性の面から特に好ましい。
Specific examples of the aromatic ring group having 19 or less carbon atoms, which may have a substituent, include an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms and an aromatic heterocyclic group having 3 to 25 carbon atoms. . An aromatic hydrocarbon group is preferable from the viewpoint of stability of the compound.
Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 19 carbon atoms include phenylene groups such as 1,4-phenylene group and 1,3-phenylene group, naphthylene groups such as 1,6-naphthylene group, and 3,9-phenanthylene. Groups such as phenanthylene groups, 2,6-anthranylene groups, anthranylene groups such as 9,10-anthranylene groups, 1, pyrenylene groups such as 1,6-pyrenylene groups, triphenylenyl groups such as 2,7-triphenylenyl groups, 4,4 ′ -Biphenylene group, 3,3'-biphenylene group, biphenylene group such as 4,3'-biphenylene group, etc. are mentioned. From the viewpoint of stability of the compound, 1,4-phenylene group, 1,3-phenylene group, 3 , 3'-biphenylene group, 4,3'-biphenylene group and 1,6-naphthylene group are preferable, 1,3-phenylene group, 3,3'-biphenylene group and 1,6-naphthylene group. Particularly preferred from the viewpoint of the solubility of the compound.

炭素数3〜19の芳香族複素環基の例としては、2、5−チエニレン基などのチエニレン基、2、5−フリレン基などのフリレン基、2、6−ピリジレン基などのピリジレン基、2,6−キノリレン基などのキノリレン基等が挙げられる。中でも2、6−ピリジレン基、2,6−キノリレン基が安定性の面から好ましい。
[6]分子量
本発明の含窒素複素環化合物の分子量は、通常7000以下であり、化合物の精製の容易さを考えた場合、好ましくは分子量5000以下であり、溶剤に対する溶解性を考慮した場合特に好ましくは3000以下、昇華精製による高純度化を考えた場合最も好ましくは1500以下である。
Examples of the aromatic heterocyclic group having 3 to 19 carbon atoms include thienylene groups such as 2,5-thienylene groups, furylene groups such as 2,5-furylene groups, pyridylene groups such as 2,6-pyridylene groups, Quinolylene groups such as, 6-quinolylene group and the like. Among these, 2,6-pyridylene group and 2,6-quinolylene group are preferable from the viewpoint of stability.
[6] Molecular weight The molecular weight of the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention is usually 7000 or less, and when considering the ease of purification of the compound, the molecular weight is preferably 5000 or less, particularly when considering solubility in a solvent. It is preferably 3000 or less, and most preferably 1500 or less when considering high purification by sublimation purification.

本発明の含窒素複素環化合物の分子量は、通常100以上であり、化合物の熱的安定性を考えた場合、好ましくは分子量500以上である。
[7]物性
本発明の含窒素複素環化合物におけるガラス転移温度は、通常90℃以上、好ましくは100℃以上、更に好ましくは120℃以上、また通常500℃以下、好ましくは250℃以下、更に好ましくは200℃以下である。上記範囲内であると、耐熱性に優れ、得られる素子の駆動寿命が長くなるため好ましい。
The molecular weight of the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention is usually 100 or more. When considering the thermal stability of the compound, the molecular weight is preferably 500 or more.
[7] Physical Properties The glass transition temperature in the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention is usually 90 ° C or higher, preferably 100 ° C or higher, more preferably 120 ° C or higher, and usually 500 ° C or lower, preferably 250 ° C or lower, more preferably. Is 200 ° C. or lower. Within the above range, heat resistance is excellent and the drive life of the resulting element is long, which is preferable.

また、溶剤への溶解度は、室温で通常0.1重量%以上、好ましくは1重量%以上、更に好ましくは5重量%以上、また通常30重量%以下である。上記範囲内であると、湿式成膜法で膜を形成する場合に、均一な膜が得られ、素子とした場合にクラッキングや短絡などが生じにくくなる点で好ましい。
[8]例示化合物
本発明の含窒素複素環化合物の好ましい具体例を挙げるが、本発明の含窒素複素環化合物は以下の例示化合物に限定されるものではない。
Further, the solubility in a solvent is usually 0.1% by weight or more, preferably 1% by weight or more, more preferably 5% by weight or more, and usually 30% by weight or less at room temperature. Within the above range, it is preferable in that a uniform film is obtained when a film is formed by a wet film forming method, and cracking or short-circuiting is less likely to occur when an element is formed.
[8] Illustrative compound Preferred specific examples of the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention are listed below, but the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention is not limited to the following exemplary compounds.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

Figure 0005560592
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[9]製造方法
<合成法>
本発明の含窒素複素環化合物の製造方法は特には制限されず、本発明の含窒素複素環化合物が得られる限り任意である。例えば本発明の式(1)で表される化合物は、アミノベンゾニトリル誘導体と金属触媒を用いたカップリング反応、続くベンゾイルハライド誘導体とのカップリング反応を用いることにより合成できる。
[9] Manufacturing method <Synthesis method>
The method for producing the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention is not particularly limited, and is arbitrary as long as the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention is obtained. For example, the compound represented by the formula (1) of the present invention can be synthesized by using a coupling reaction using an aminobenzonitrile derivative and a metal catalyst, followed by a coupling reaction with a benzoyl halide derivative.

例えば、含窒素複素環のX2位にリンカーLを介してフェニルカルバゾールが、6位にフェニルカルバゾールが置換した化合物の場合は、以下のスキームに従い合成することが可能
である。
For example, phenyl carbazole via a linker L to X 2-position of the nitrogen-containing heterocyclic ring is, in the case of compounds phenyl carbazole is substituted at the 6-position, it can be synthesized according to the following scheme.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(上式中、R1は、前記式(1)、(2)及び(3)と同義であり、Lはリンカー、Mは金属元子、Xはハロゲン原子又はトリフルオロメタンスルホン酸エステル基を表す。)
以下に、上記スキーム中に示した素反応について説明する。
<含窒素複素環形成反応>
不活性ガス雰囲気下、有機金属試薬1モルと、アミノベンゾニトリル誘導体1モルを反応させ、アセチル基を有する化合物0.5〜10モルを極性又は無極性の溶剤に溶解又は懸濁させ、攪拌しながら0〜150度の温度を加える事により含窒素複素環を含んだ基質の混合物を得る。混合物からの精製は、蒸留、濾過、抽出、再結晶、再沈殿、懸濁洗浄、クロマトグラフィーの操作を組み合わせることにより精製することができる。
(In the above formula, R 1 is as defined in the above formulas (1), (2) and (3), L is a linker, M is a metal element, and X is a halogen atom or a trifluoromethanesulfonate group. .)
Below, the elementary reaction shown in the said scheme is demonstrated.
<Nitrogen-containing heterocycle formation reaction>
In an inert gas atmosphere, 1 mol of an organometallic reagent and 1 mol of an aminobenzonitrile derivative are reacted, and 0.5 to 10 mol of a compound having an acetyl group is dissolved or suspended in a polar or nonpolar solvent and stirred. While adding a temperature of 0 to 150 ° C., a substrate mixture containing a nitrogen-containing heterocycle is obtained. Purification from the mixture can be performed by a combination of distillation, filtration, extraction, recrystallization, reprecipitation, suspension washing, and chromatographic operations.

溶剤としては、基質を溶解させるものであれば特に制限はないが、ヘキサン、シクロヘキサン等の非ベンゼン系無極性溶剤、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶剤、メタノール、エタノールなどのアルコール系溶剤、酢酸、酪酸、ポリリン酸などの酸性系溶剤等を用いて反応を行うことが好ましく、酢酸等の酸性溶剤が特に好ましい。   The solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the substrate. Non-benzene nonpolar solvents such as hexane and cyclohexane, amide solvents such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide, diethyl The reaction is preferably carried out using an ether solvent such as ether, tetrahydrofuran, dioxane or diethylene glycol dimethyl ether, an alcohol solvent such as methanol or ethanol, an acidic solvent such as acetic acid, butyric acid or polyphosphoric acid, and an acidic solvent such as acetic acid. Is particularly preferred.

<カップリング反応>
フェニルカルバゾールの硼素試薬1モルと含窒素複素環基質を有するハロゲン化物又はトリフルオロメタンスルホン酸エステル試薬0.75〜5モルを遷移金属元素触媒を用いて、塩基存在下で無極性又は極性溶剤中で反応させることにより基質のカップリングした混合物を得ることができる混合物からの精製は、蒸留、濾過、抽出、再結晶、再沈殿、懸濁洗浄、クロマトグラフィーの操作を組み合わせることにより精製することができる。
<Coupling reaction>
In a nonpolar or polar solvent in the presence of a base, 1 mol of a phenylcarbazole boron reagent and a halogenated trifluoromethanesulfonate ester reagent having a nitrogen-containing heterocyclic substrate or 0.75-5 mol of a trifluoromethanesulfonate reagent are used in the presence of a base. Purification from a mixture that can yield a coupled mixture of substrates by reacting can be accomplished by a combination of distillation, filtration, extraction, recrystallization, reprecipitation, suspension washing, and chromatographic operations. .

遷移金属元素触媒としては、有機パラジウム触媒、有機ニッケル触媒、有機銅触媒、有機白金触媒、有機ロジウム触媒、有機ルテニウム触媒、有機イリジウム触媒などがあげられ、反応の簡便さや反応収率の高さから有機パラジウム触媒が好ましい。
塩基は、特に限定はしないが、金属水酸化物、金属塩、有機アルカリ金属試薬などが好ましい。
Examples of transition metal element catalysts include organic palladium catalysts, organic nickel catalysts, organic copper catalysts, organic platinum catalysts, organic rhodium catalysts, organic ruthenium catalysts, and organic iridium catalysts. Organic palladium catalysts are preferred.
The base is not particularly limited, but metal hydroxides, metal salts, organic alkali metal reagents and the like are preferable.

使用する溶剤としては、反応基質に対して活性である溶剤以外であれば特に限定はしないが、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の非芳香族炭化水素系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶剤、水等
を単一又は混合して使用することができる。
又必要であれば界面活性剤を1-100mol%加えることもできる。
The solvent to be used is not particularly limited as long as it is a solvent that is active with respect to the reaction substrate, but non-aromatic hydrocarbon solvents such as hexane, heptane, and cyclohexane, and aromatic carbonization such as benzene, toluene, and xylene. A hydrogen solvent, ether solvents such as dimethoxyethane, tetrahydrofuran and dioxane, alcohol solvents such as ethanol and propanol, water and the like can be used singly or in combination.
If necessary, 1-100 mol% of a surfactant can be added.

[10]含窒素化合物の用途
本発明の含窒素複素環化合物は、高い電荷輸送能を有するため、電荷輸送材料として電子写真感光体、有機電界発光素子、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等に好適に使用できる。例えば、本発明の含窒素複素環化合物は、有機電界発光素子の発光層において、ドーパント材料、とりわけ赤色燐光発光材料のホスト材料として有用である。
[10] Use of nitrogen-containing compound Since the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention has a high charge transporting ability, an electrophotographic photoreceptor, an organic electroluminescent element, a photoelectric conversion element, an organic solar cell, an organic rectifier as a charge transporting material. It can be used suitably for an element etc. For example, the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention is useful as a dopant material, particularly as a host material for a red phosphorescent material, in a light emitting layer of an organic electroluminescent device.

特に、本発明の含窒素複素環化合物は、種々の溶剤に対する溶解性に優れると共に、非晶性を有するため、湿式成膜法による薄膜形成が可能であることから、湿式成膜法に適用される有機電界発光素子用材料として好適であり、本発明の含窒素複素環化合物よりなる有機電界発光素子用材料、或いは本発明の含窒素複素環化合物を含む有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法により駆動安定性に優れ、かつ低い駆動電圧で駆動可能な有機電界発光素子を製造することができる。   In particular, the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention is excellent in solubility in various solvents and has an amorphous property, so that it can be formed into a thin film by a wet film forming method, so that it is applied to a wet film forming method. The organic electroluminescent element material comprising the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention or the organic electroluminescent element composition comprising the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention is suitable. An organic electroluminescence device which is excellent in driving stability and can be driven with a low driving voltage can be manufactured by a wet film forming method.

[有機電界発光素子用組成物]
本発明の有機電界発光素子用組成物は、前述の本発明の含窒素複素環化合物を含むものであり、通常、本発明の含窒素複素環化合物と溶剤とを含み、更に好ましくは燐光発光材料を含むものであり、有機電界発光素子に使用される。
[1]溶剤
有機電界発光素子用組成物は、さらに溶剤を含有する。
[Composition for organic electroluminescence device]
The composition for an organic electroluminescent device of the present invention contains the above-mentioned nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention, and usually contains the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention and a solvent, and more preferably a phosphorescent material. It is used for an organic electroluminescent element.
[1] Solvent The composition for organic electroluminescent elements further contains a solvent.

ここで溶剤とは、湿式成膜により発光層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。
溶剤は、溶質が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されないが、以下の例が好ましい。
例えば、n−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類;トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類;シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル類;等が挙げられる。
Here, the solvent is a volatile liquid component used for forming a light emitting layer by wet film formation.
The solvent is not particularly limited as long as the solute dissolves well, but the following examples are preferable.
For example, alkanes such as n-decane, cyclohexane, ethylcyclohexane, decalin, and bicyclohexane; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, and tetralin; halogenated fragrances such as chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene Group hydrocarbons: 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethyl Aromatic ethers such as anisole and diphenyl ether; aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate; Alicyclic ketones such as Sanone, Cyclooctanone and Fencon; Alicyclic alcohols such as cyclohexanol and cyclooctanol; Aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; Aliphatic alcohols such as butanol and hexanol; Ethylene And aliphatic ethers such as glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA).

中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。これらの溶剤は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
用いられる溶剤の沸点は、通常100℃以上、好ましくは140℃以上、さらに好ましくは200℃以上、また通常400℃以下、好ましくは300℃以下、さらに好ましくは260℃以下である。この範囲内であると、乾燥速度が適度であるため良好な膜質を得られ、さらに乾燥工程での加熱温度が高くなりにくく、他の有機層やガラス基板などに影響を与えにくくなるため好ましい。
Of these, alkanes and aromatic hydrocarbons are preferable. One of these solvents may be used alone, or two or more thereof may be used in any combination and ratio.
The boiling point of the solvent used is usually 100 ° C. or higher, preferably 140 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher, and usually 400 ° C. or lower, preferably 300 ° C. or lower, more preferably 260 ° C. or lower. Within this range, the drying rate is moderate, so that good film quality can be obtained, and the heating temperature in the drying step is hardly increased, and other organic layers and glass substrates are hardly affected, which is preferable.

[2]発光材料
本発明の有機電界発光素子用組成物は、発光材料を含むことが好ましい。本発明における発光材料とは、主として発光する成分を示し、ドーパント成分に当たる。即ち、有機電界発光素子用組成物から発せられる光量(単位:cd/m)の内、通常10〜100%、好ましくは20〜100%、より好ましくは50〜100%、最も好ましくは80〜100%が、ある成分材料からの発光と同定される場合、それを発光材料と定義する。
[2] Luminescent Material The composition for organic electroluminescent elements of the present invention preferably contains a luminescent material. The light emitting material in the present invention mainly indicates a component that emits light and corresponds to a dopant component. That is, the amount of light emitted from the composition for organic electroluminescent elements (unit: cd / m 2 ) is usually 10 to 100%, preferably 20 to 100%, more preferably 50 to 100%, most preferably 80 to 80%. If 100% is identified as luminescence from a component material, it is defined as the luminescent material.

組成物から発せられる光量の測定は、作製した有機電界発光素子に、フォトダイオードが光を認識できる任意の電圧を印加したときのPLスペクトルをフォトダイオードにより観察する。
発光材料としては、公知材料を適用可能であり、蛍光発光材料或いは燐光発光材料を単独若しくは複数を混合して使用できるが、内部量子効率の観点から、好ましくは、燐光発光材料である。
In measuring the amount of light emitted from the composition, the PL spectrum when an arbitrary voltage at which the photodiode can recognize light is applied to the produced organic electroluminescent element is observed with the photodiode.
As the light-emitting material, known materials can be applied, and a fluorescent light-emitting material or a phosphorescent light-emitting material can be used alone or in combination, and a phosphorescent light-emitting material is preferable from the viewpoint of internal quantum efficiency.

本発明の有機電界発光素子用組成物に使用する場合、この発光材料の最大発光ピーク波長は390〜490nmの範囲にあることが好ましい。
なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料における分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも、重要である。
When used in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, the maximum emission peak wavelength of the luminescent material is preferably in the range of 390 to 490 nm.
For the purpose of improving the solubility in a solvent, it is also important to reduce the symmetry and rigidity of molecules in the luminescent material or to introduce lipophilic substituents such as alkyl groups.

青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍
光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、DCM系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
Examples of fluorescent dyes that emit blue light include perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof. Examples of the green fluorescent dye include quinacridone derivatives and coumarin derivatives. Examples of yellow fluorescent dyes include rubrene and perimidone derivatives. Examples of red fluorescent dyes include DCM compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene and the like.

燐光発光材料としては、例えば周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記一般式(V)又は式(VI)で表される化合物が挙げられる。
Examples of the phosphorescent material include organometallic complexes containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.
Preferred examples of the metal in the phosphorescent organometallic complex containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold. Preferred examples of these organometallic complexes include compounds represented by the following general formula (V) or formula (VI).

MQ(q−j)Q’ (V)
(一般式(V)中、Mは金属を表し、qは上記金属の価数を表す。また、Q及びQ’は二座配位子を表す。jは0、1又は2を表す。)
MQ (qj) Q'j (V)
(In general formula (V), M represents a metal, q represents the valence of the metal, Q and Q ′ represent a bidentate ligand, and j represents 0, 1 or 2.)

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(一般式(VI)中、Mは金属を表し、Tは炭素又は窒素を表す。R92〜R95は、それぞれ独立に、置換基を表す。ただし、Tが窒素の場合は、R94及びR95は無い。)
以下、まず、一般式(V)で表される化合物について説明する。
一般式(V)中、Mは任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表7ないし11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
(In the general formula (VI), M d represents a metal, T represents carbon or nitrogen. R 92 to R 95 each independently represents a substituent. However, when T is nitrogen, R 94 represents R 94. And R 95 is not present.)
Hereinafter, the compound represented by the general formula (V) will be described first.
In the general formula (V), M represents an arbitrary metal, and specific examples of preferable ones include the metals described above as the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.

また、一般式(V)中の二座配位子Q及びQ’は、それぞれ、以下の部分構造を有する配位子を示す。   Further, the bidentate ligands Q and Q ′ in the general formula (V) each represent a ligand having the following partial structure.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

Figure 0005560592
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Q’として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは、下記のものが挙げられる。 As Q ', the following are particularly preferable from the viewpoint of the stability of the complex.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

上記Q,Q’の部分構造において、環A1は、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。また、環A2は、含窒素芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。
環A1,A2が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
In the partial structures of Q and Q ′, the ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, and these may have a substituent. Ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group, and these may have a substituent.
When the rings A1 and A2 have a substituent, preferred substituents include halogen atoms such as fluorine atoms; alkyl groups such as methyl groups and ethyl groups; alkenyl groups such as vinyl groups; methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups. Alkoxycarbonyl groups; alkoxy groups such as methoxy groups and ethoxy groups; aryloxy groups such as phenoxy groups and benzyloxy groups; dialkylamino groups such as dimethylamino groups and diethylamino groups; diarylamino groups such as diphenylamino groups; carbazolyl groups; An acyl group such as an acetyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; a cyano group; an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a naphthyl group, and a phenanthyl group.

一般式(V)で表される化合物として、さらに好ましくは、下記一般式(Va)、(Vb)、(Vc)で表される化合物が挙げられる。   More preferable examples of the compound represented by the general formula (V) include compounds represented by the following general formulas (Va), (Vb), and (Vc).

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(一般式(Va)中、MはMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、環A2は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。) (In general formula (Va), M a represents the same metal as M, w represents the valence of the metal, and ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. Ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(一般式(Vb)中、MはMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、環A2は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。
(In the general formula (Vb), M b represents the same metal as M, w represents the valence of the metal. Further, the ring A1 is an aromatic optionally substituted hydrocarbon group or a substituted Represents an aromatic heterocyclic group which may have a group, and ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
)

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(一般式(Vc)中、MはMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、jは0、1又は2を表す。さらに、環A1及び環A1’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。また、環A2及び環A2’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。)
上記一般式(Va)、(Vb)、(Vc)において、環A1及び環A1’の基としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
(In the general formula (Vc), M c represents the same metal as M, w represents the valence of the metal, j represents 0, 1 or 2. Furthermore, ring A1 and ring A1 ′ represent Each independently represents an optionally substituted aromatic hydrocarbon group or an optionally substituted aromatic heterocyclic group, and ring A2 and ring A2 ′ are each independently Represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
In the general formulas (Va), (Vb), and (Vc), the group of the ring A1 and the ring A1 ′ is preferably a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a thienyl group, a furyl group, a benzo group, for example. Examples include thienyl group, benzofuryl group, pyridyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, carbazolyl group and the like.

また、環A2、環A2’の基としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。
更に、一般式(Va)、(Vb)、(Vc)で表される化合物が有していてもよい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基等が挙げられる。
In addition, the group of ring A2 and ring A2 ′ is preferably a pyridyl group, pyrimidyl group, pyrazyl group, triazyl group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, quinolyl group, isoquinolyl group, quinoxalyl group, A phenanthridyl group and the like can be mentioned.
Furthermore, the substituents that the compounds represented by the general formulas (Va), (Vb), and (Vc) may have include halogen atoms such as fluorine atoms; alkyl groups such as methyl groups and ethyl groups; vinyls Alkenyl groups such as methoxy groups; alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups; alkoxy groups such as methoxy groups and ethoxy groups; aryloxy groups such as phenoxy groups and benzyloxy groups; dialkyls such as dimethylamino groups and diethylamino groups An amino group; a diarylamino group such as a diphenylamino group; a carbazolyl group; an acyl group such as an acetyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; a cyano group;

上記置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常1以上6以下である。さらに、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常2以上6以下である。また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常2以上6以下である。さらに、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常1以上6以下である。また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常6以上14以下である。さらに、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常2以上24以下である。また、置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常12以上28以下である。さらに、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常1以上14以下である。また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常1以上12以下である。   When the said substituent is an alkyl group, the carbon number is 1 or more and 6 or less normally. Furthermore, when the substituent is an alkenyl group, the carbon number is usually 2 or more and 6 or less. When the substituent is an alkoxycarbonyl group, the carbon number is usually 2 or more and 6 or less. Further, when the substituent is an alkoxy group, the carbon number is usually 1 or more and 6 or less. Moreover, when a substituent is an aryloxy group, the carbon number is 6 or more and 14 or less normally. Furthermore, when the substituent is a dialkylamino group, the carbon number is usually 2 or more and 24 or less. Further, when the substituent is a diarylamino group, the carbon number is usually 12 or more and 28 or less. Furthermore, when the substituent is an acyl group, the carbon number is usually 1 or more and 14 or less. Moreover, when a substituent is a haloalkyl group, the carbon number is 1 or more and 12 or less normally.

なお、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環A1が
有する置換基と環A2が有する置換基とが結合するか、又は、環A1’が有する置換基と環A2’が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環基としては、7,8−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
中でも、環A1、環A1’、環A2及び環A2’の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。
These substituents may be connected to each other to form a ring. As a specific example, a substituent of the ring A1 and a substituent of the ring A2 are bonded, or a substituent of the ring A1 ′ and a substituent of the ring A2 ′ are bonded. Two fused rings may be formed. Examples of such a condensed ring group include a 7,8-benzoquinoline group.
Among them, as a substituent for ring A1, ring A1 ′, ring A2 and ring A2 ′, an alkyl group, alkoxy group, aromatic hydrocarbon group, cyano group, halogen atom, haloalkyl group, diarylamino group, carbazolyl group are more preferable. Is mentioned.

また、一般式(Va)、(Vb)、(Vc)におけるM,M,Mとして好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられる。
上記一般式(V)、(Va)、(Vb)又は(Vc)で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない(以下において、Phはフェニル基を表す。)。
In general formula (Va), (Vb), preferably as M a, M b, M c in (Vc), ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold.
Specific examples of the organometallic complex represented by the general formula (V), (Va), (Vb) or (Vc) are shown below, but are not limited to the following compounds (in the following, Ph is phenyl Represents a group).

Figure 0005560592
Figure 0005560592

Figure 0005560592
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上記一般式(V)、(Va)、(Vb)、(Vc)で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Q及び/又はQ’として2−アリールピリジン系配位子、即ち、2−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、及び、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。
また、国際公開第2005/019373号パンフレットに記載の化合物も使用することができる。
Among the organometallic complexes represented by the general formulas (V), (Va), (Vb), and (Vc), in particular, as the ligand Q and / or Q ′, a 2-arylpyridine-based ligand, , 2-arylpyridine, compounds having an arbitrary substituent bonded thereto, and compounds formed by condensing an arbitrary group thereto are preferable.
Moreover, the compound as described in an international publication 2005/019373 pamphlet can also be used.

次に、前記一般式(VI)で表される化合物について説明する。
一般式(VI)中、Mは金属を表し、具体例としては、周期表7ないし11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の2価の金属が挙げられる。
Next, the compound represented by the general formula (VI) will be described.
In the general formula (VI), M d represents a metal, and specific examples thereof include the metals described above as the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. Among these, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold is preferable, and divalent metals such as platinum and palladium are particularly preferable.

また、一般式(VI)において、R92及びR93は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。 In the general formula (VI), R 92 and R 93 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, or a carboxyl group. Represents an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.

さらに、Tが炭素の場合、R94及びR95は、それぞれ独立に、R92及びR93と同様の例示物で表される置換基を表す。また、前述の如く、Tが窒素の場合はR94及びR95は無い。
また、R92〜R95はさらに置換基を有していてもよい。この場合のさらに有していてもよい置換基には特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
Further, when T is carbon, R 94 and R 95 each independently represent a substituent represented by the same examples as R 92 and R 93 . Further, as described above, when T is nitrogen, R 94 and R 95 are absent.
R 92 to R 95 may further have a substituent. In this case, the substituent which may further be present is not particularly limited, and any group can be used as the substituent.

さらに、R92〜R95は互いに連結して環を形成してもよく、この環が更に任意の置換基を有していてもよい。
一般式(VI)で表される有機金属錯体の具体例(T−1,T−10〜T−15)を以下に示すが、下記の例示化合物に限定されるものではない。なお、以下において、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を表す。
Furthermore, R 92 to R 95 may be linked to each other to form a ring, and this ring may further have an arbitrary substituent.
Specific examples (T-1, T-10 to T-15) of the organometallic complex represented by the general formula (VI) are shown below, but are not limited to the following exemplified compounds. In the following, Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

[3]その他の成分
本発明の有機電界発光素子用組成物中には、前述した溶剤及び発光材料以外にも、必要に応じて、各種の他の溶剤を含んでいてもよい。このような他の溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。
[3] Other ingredients
In the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, various other solvents may be included as necessary in addition to the above-described solvents and light emitting materials. Examples of such other solvents include amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide, and dimethyl sulfoxide.

また、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
また、2層以上の層を湿式成膜法により積層する際に、これらの層が相溶することを防ぐため、成膜後に硬化させて不溶化させる目的で光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含有させておくこともできる。
[4]組成物中の各々の割合
有機電界発光素子用組成物中の本発明のキナゾリン系化合物、発光材料及び必要に応じて添加可能な成分(レベリング剤など)などの固形分濃度は、通常0.01重量%以上、
好ましくは0.05重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、最も好ましくは1重量%以上であり、通常80重量%以下、好ましくは50重量%以下、より好ましくは40重量%以下、さらに好ましくは30重量%以下、最も好ましくは20重量%以下である。この濃度が下限を下回ると、薄膜を形成する場合、厚膜を形成するのが困難となり、上限を超えると、薄膜を形成するのが困難となる恐れがある。
Moreover, various additives, such as a leveling agent and an antifoamer, may be included.
In addition, when two or more layers are laminated by a wet film formation method, in order to prevent these layers from being compatible with each other, a photocurable resin or a thermosetting resin is used for the purpose of curing and insolubilizing after film formation. Can also be contained.
[4] Ratio of each in the composition The solid content concentration of the quinazoline compound of the present invention, the luminescent material and components (leveling agents, etc.) that can be added as necessary in the composition for organic electroluminescent elements is usually 0.01% by weight or more,
Preferably it is 0.05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, further preferably 0.5% by weight or more, most preferably 1% by weight or more, usually 80% by weight or less, preferably 50% by weight. Below, more preferably 40% by weight or less, still more preferably 30% by weight or less, and most preferably 20% by weight or less. If this concentration is below the lower limit, it is difficult to form a thick film when forming a thin film, and if it exceeds the upper limit, it may be difficult to form a thin film.

また、本発明の有機電界発光素子用組成物において、発光材料/含窒素複素環化合物の重量混合比は、通常、0.1/99.9以上であり、より好ましくは0.5/99.5以上であり、更に好ましくは1/99以上であり、最も好ましくは2/98以上で、通常、50/50以下であり、より好ましくは40/60以下であり、更に好ましくは30/70以下であり、最も好ましくは20/80以下である。この比が下限を下回ったり、上限を超えたりすると、著しく発光効率が低下する恐れがある。   In the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, the weight mixing ratio of the light emitting material / nitrogen-containing heterocyclic compound is usually 0.1 / 99.9 or more, more preferably 0.5 / 99. 5 or more, more preferably 1/99 or more, most preferably 2/98 or more, usually 50/50 or less, more preferably 40/60 or less, still more preferably 30/70 or less. And most preferably 20/80 or less. If this ratio falls below the lower limit or exceeds the upper limit, the luminous efficiency may be significantly reduced.

また、溶剤の含有量は、本発明の含窒素複素環化合物100重量部に対して、好ましくは10重量部以上、より好ましくは50重量部以上、特に好ましくは80重量部以上、また、好ましくは99.95重量部以下、より好ましくは99.9重量部以下、特に好ましくは99.8重量部以下である。
上記範囲内であると、湿式成膜法で膜を形成する場合に、膜均一性に優れ、また成膜後の膜の厚みが十分に得られるため好ましい。
Further, the content of the solvent is preferably 10 parts by weight or more, more preferably 50 parts by weight or more, particularly preferably 80 parts by weight or more, and preferably 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention. It is 99.95 parts by weight or less, more preferably 99.9 parts by weight or less, and particularly preferably 99.8 parts by weight or less.
Within the above range, when forming a film by a wet film forming method, it is preferable because film uniformity is excellent and a sufficient film thickness can be obtained after film formation.

[5]有機電界発光素子用組成物の性状及び物性等について。
・水分濃度
具体的には、本発明の有機電界発光素子用組成物中に含まれる水分量は、通常1重量%以下、好ましくは0.1重量%以下、より好ましくは0.01重量%以下である。また、組成物中に含まれる水分は少ない方がよいので、下限値は理想的には0である。
[5] Properties and physical properties of the composition for organic electroluminescent elements.
Water concentration Specifically, the amount of water contained in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is usually 1% by weight or less, preferably 0.1% by weight or less, more preferably 0.01% by weight or less. It is. Moreover, since it is better that the moisture contained in the composition is less, the lower limit value is ideally 0.

有機電界発光素子用組成物中の水分濃度の測定方法としては、日本工業規格「化学製品の水分測定法」(JIS K0068:2001)に記載の方法が好ましく、例えば、カールフィッシャー試薬法(JIS K0211−1348)等により分析することができる。
(物性)
本発明の有機電界発光素子用組成物の粘度については、極端に低粘度の場合は、例えば成膜工程における過度の液膜流動による塗面不均一、インクジェット成膜におけるノズル吐出不良等が起こりやすくなり、極端に高粘度の場合は、インクジェット成膜におけるノズル目詰まり等が起こりやすくなる。このため、本発明の組成物の25℃における粘度は、通常2mPa・s以上、好ましくは3mPa・s以上、より好ましくは5mPa・s以上であり、通常1000mPa・s以下、好ましくは100mPa・s以下、より好ましくは50mPa・s以下である。
As a method for measuring the moisture concentration in the composition for organic electroluminescent elements, the method described in Japanese Industrial Standard “Method for Measuring Moisture of Chemical Products” (JIS K0068: 2001) is preferable. For example, the Karl Fischer reagent method (JIS K0211). -1348) and the like.
(Physical properties)
Regarding the viscosity of the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, when the viscosity is extremely low, for example, coating surface non-uniformity due to excessive liquid film flow in the film forming process, nozzle ejection failure in ink jet film formation, etc. are likely to occur. In the case of extremely high viscosity, nozzle clogging or the like in ink jet film formation is likely to occur. For this reason, the viscosity at 25 ° C. of the composition of the present invention is usually 2 mPa · s or more, preferably 3 mPa · s or more, more preferably 5 mPa · s or more, and usually 1000 mPa · s or less, preferably 100 mPa · s or less. More preferably, it is 50 mPa · s or less.

また、本発明の有機電界発光素子用組成物の表面張力が高い場合は、基板に対する成膜用液の濡れ性が低下する、液膜のレベリング性が悪く、乾燥時の成膜面乱れが起こりやすくなる等の問題が発生する場合があるため、本発明の組成物の20℃における表面張力は、通常50mN/m未満、好ましくは40mN/m未満である。
更に、本発明の有機電界発光素子用組成物の蒸気圧が高い場合は、溶剤の蒸発による溶質濃度の変化等の問題が起こりやすくなる場合がある。このため、本発明の組成物の25℃における蒸気圧は、通常50mmHg以下、好ましくは10mmHg以下、より好ましくは1mmHg以下である。
Further, when the surface tension of the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is high, the wettability of the film forming liquid to the substrate is lowered, the leveling property of the liquid film is poor, and the film formation surface is disturbed during drying. Since problems such as being easy to occur may occur, the surface tension of the composition of the present invention at 20 ° C. is usually less than 50 mN / m, preferably less than 40 mN / m.
Furthermore, when the vapor pressure of the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is high, problems such as changes in solute concentration due to evaporation of the solvent may easily occur. For this reason, the vapor pressure at 25 ° C. of the composition of the present invention is usually 50 mmHg or less, preferably 10 mmHg or less, more preferably 1 mmHg or less.

[有機電界発光素子]
本発明の有機電界発光素子は、基板上に陽極、陰極、及びこれら両極間に設けられた有機層を有するものであって、この有機層に本発明の含窒素複素環化合物を含有することを特徴とする。該含窒素複素環化合物を含有する層は、本発明の有機電界発光素子用材料又は有機電界発光素子用組成物を用いて形成されることが好ましい。また、本発明の含窒素複素環化合物を含有する有機層は、発光層であることが好ましい。また、該含窒素複素環化合物を含有する層に、有機金属錯体がドープされていることが好ましい。この有機金属錯体としては、前記発光材料として例示したものを使用できる。
[Organic electroluminescent device]
The organic electroluminescent device of the present invention has an anode, a cathode, and an organic layer provided between both electrodes on a substrate, and the organic layer contains the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention. Features. The layer containing the nitrogen-containing heterocyclic compound is preferably formed using the organic electroluminescent element material or the organic electroluminescent element composition of the present invention. The organic layer containing the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention is preferably a light emitting layer. The layer containing the nitrogen-containing heterocyclic compound is preferably doped with an organometallic complex. As this organometallic complex, those exemplified as the light emitting material can be used.

図1は本発明にかかる有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図であり、図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は正孔阻止層、7は電子輸送層、8は電子注入層、9は陰極を各々表す。
尚、本発明において湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。これは、有機電界発光素子に用いられる塗布用組成物特有の液性に合うためである。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a structural example of an organic electroluminescent device according to the present invention. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a hole transport layer, 5 Represents a light-emitting layer, 6 represents a hole blocking layer, 7 represents an electron transport layer, 8 represents an electron injection layer, and 9 represents a cathode.
In the present invention, the wet film forming method includes, for example, spin coating method, dip coating method, die coating method, bar coating method, blade coating method, roll coating method, spray coating method, capillary coating method, ink jet method, screen printing. This method is a wet film formation method such as a method, a gravure printing method, or a flexographic printing method. Among these film forming methods, a spin coating method, a spray coating method, and an ink jet method are preferable. This is because the liquid property specific to the coating composition used for the organic electroluminescent element is matched.

{基板}
基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
{substrate}
The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element, and a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film, a sheet, or the like is used. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, polysulfone or the like is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.

{陽極}
陽極2は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
{anode}
The anode 2 serves to inject holes into the layer on the light emitting layer side.
This anode 2 is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, or platinum, a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or It is composed of a conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline.

陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極2を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。   In general, the anode 2 is often formed by a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like. In addition, when forming the anode 2 using fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, and conductive polymer fine powder, an appropriate binder resin solution It is also possible to form the anode 2 by dispersing it and applying it onto the substrate 1. Furthermore, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett. 60, 2711, 1992).

陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが好ましい。この場合、陽極2の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陽極2の厚みは任意であり、陽極2は基板1と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
The anode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.
The thickness of the anode 2 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode 2 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. When it may be opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary, and the anode 2 may be the same as the substrate 1. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.

陽極2に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極2表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
{正孔注入層}
正孔注入層3は、陽極2から発光層5へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極2上に形成される。
For the purpose of removing impurities adhering to the anode 2 and adjusting the ionization potential to improve the hole injection property, the surface of the anode 2 is treated with ultraviolet (UV) / ozone, or with oxygen plasma or argon plasma. It is preferable to do.
{Hole injection layer}
The hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 5, and is usually formed on the anode 2.

本発明に係る正孔注入層3の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層3を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層3の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。
The method for forming the hole injection layer 3 according to the present invention may be a vacuum deposition method or a wet film formation method, and is not particularly limited, but the hole injection layer 3 is formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots. It is preferable.
The thickness of the hole injection layer 3 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

<湿式成膜法による正孔注入層の形成>
湿式成膜により正孔注入層3を形成する場合、通常は、正孔注入層3を構成する材料を適切な溶剤(正孔注入層用溶剤)と混合して成膜用の組成物(正孔注入層形成用組成物)を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層3の下層に該当する層(通常は、陽極)上に塗布して、乾燥することにより正孔注入層3を形成する。
<Formation of hole injection layer by wet film formation method>
When forming the hole injection layer 3 by wet film formation, the material for forming the hole injection layer 3 is usually mixed with an appropriate solvent (hole injection layer solvent) to form a film-forming composition (positive Hole injecting layer forming composition), and applying the hole injecting layer forming composition on the layer corresponding to the lower layer of the hole injecting layer 3 (usually an anode) by an appropriate technique, The hole injection layer 3 is formed by drying.

(正孔輸送性化合物)
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物及び溶剤を含有する。
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。
(Hole transporting compound)
The composition for forming a hole injection layer usually contains a hole transporting compound and a solvent as a constituent material of the hole injection layer.
The hole transporting compound is a compound having a hole transporting property that is usually used in a hole injection layer of an organic electroluminescence device, and may be a polymer compound or the like, a monomer or the like. Although it may be a low molecular weight compound, it is preferably a high molecular weight compound.

正孔輸送性化合物としては、陽極2から正孔注入層3への電荷注入障壁の観点から4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で3級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。   The hole transporting compound is preferably a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV from the viewpoint of a charge injection barrier from the anode 2 to the hole injection layer 3. Examples of hole transporting compounds include aromatic amine derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives, benzylphenyl derivatives, compounds in which tertiary amines are linked by a fluorene group, hydrazone derivatives, silazane derivatives, silanamines Derivatives, phosphamine derivatives, quinacridone derivatives, polyaniline derivatives, polypyrrole derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polythienylene vinylene derivatives, polyquinoline derivatives, polyquinoxaline derivatives, carbon and the like.

尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
正孔注入層3の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミンポリマー1種又は2種以上と、その他の正孔輸送性化合物1種又は2種以上とを併用することが好ましい。
In the present invention, the derivative includes, for example, an aromatic amine derivative, and includes an aromatic amine itself and a compound having an aromatic amine as a main skeleton. It may be a mer.
The hole transporting compound used as the material for the hole injection layer 3 may contain any one of these compounds alone, or may contain two or more. When two or more kinds of hole transporting compounds are contained, the combination thereof is arbitrary, but one or more aromatic tertiary amine polymers and one or more other hole transporting compounds are used. It is preferable to use together.

上記例示した中でも非晶性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発
光の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型化合物)がさらに好ましい。芳香族三級アミンポリマーの好ましい例として、下記式(I)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
Among the examples exemplified above, an aromatic amine compound is preferable from the viewpoint of amorphousness and visible light transmittance, and an aromatic tertiary amine compound is particularly preferable. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.
The type of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but from the viewpoint of uniform light emission due to the surface smoothing effect, a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (a polymerizable compound in which repeating units are linked) is further included. preferable. Preferable examples of the aromatic tertiary amine polymer include polymer compounds having a repeating unit represented by the following formula (I).

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(式(I)中、Ar及びArは、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ar〜Arは、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Yは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ar〜Arのうち、同一のN原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。 (In the formula (I), Ar 1 and Ar 2 each independently represent an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Ar 3 to Ar 5 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Represents a linking group selected from the group of linking groups, and among Ar 1 to Ar 5 , two groups bonded to the same N atom may be bonded to each other to form a ring.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(上記各式中、Ar〜Ar16は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。R及びRは、各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。))
Ar〜Ar16の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。
(In the above formulas, Ar 6 to Ar 16 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.))
As the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group of Ar 1 to Ar 16 , a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, a thiophene from the viewpoint of the solubility, heat resistance, hole injection / transport property of the polymer compound A group derived from a ring or a pyridine ring is preferred, and a group derived from a benzene ring or a naphthalene ring is more preferred.

Ar〜Ar16の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、さらに置換基を有してい
てもよい。置換基の分子量としては、通常400以下、中でも250以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。
及びRが任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。
The aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group of Ar 1 to Ar 16 may further have a substituent. The molecular weight of the substituent is usually 400 or less, preferably about 250 or less. As the substituent, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group and the like are preferable.
When R 1 and R 2 are optional substituents, examples of the substituent include alkyl groups, alkenyl groups, alkoxy groups, silyl groups, siloxy groups, aromatic hydrocarbon groups, aromatic heterocyclic groups, and the like. .

式(I)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミンポリマーの具体例としては、国際公開第2005/089024号パンフレットに記載のものが挙げられる。
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4-ethylenedioxythiophene(3,4-エチレンジオキシチオフェン)を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー(PEDOT/PSS)もまた好ましい。また、このポリマーの末端を
メタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer having a repeating unit represented by the formula (I) include those described in International Publication No. 2005/089024.
In addition, as a hole transporting compound, a conductive polymer (PEDOT / PSS) obtained by polymerizing 3,4-ethylenedioxythiophene (3,4-ethylenedioxythiophene), a polythiophene derivative, in high molecular weight polystyrene sulfonic acid. Is also preferred. Moreover, the end of this polymer may be capped with methacrylate or the like.

正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常0.01重量%以上、好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、また、通常70重量%以下、好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは50重量%以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。   The concentration of the hole transporting compound in the composition for forming a hole injection layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.01% by weight or more, preferably in terms of film thickness uniformity. Is 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, and usually 70% by weight or less, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. If this concentration is too high, film thickness unevenness may occur, and if it is too low, defects may occur in the formed hole injection layer.

(電子受容性化合物)
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
(Electron-accepting compound)
The composition for forming a hole injection layer preferably contains an electron accepting compound as a constituent material of the hole injection layer.
The electron-accepting compound is preferably a compound having an oxidizing power and the ability to accept one electron from the above-described hole transporting compound, specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and 5 eV or more. The compound which is the compound of these is further more preferable.

このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる1種又は2種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンダフルオロフェニル)ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩(国際公開2005/089024号パンフレット);塩化鉄(III)(特開平11−251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アン
モニウム等の高原子価の無機化合物;テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンダフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物;フラーレン誘導体;ヨウ素;ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。
Examples of such electron-accepting compounds include triarylboron compounds, metal halides, Lewis acids, organic acids, onium salts, salts of arylamines and metal halides, and salts of arylamines and Lewis acids. Examples thereof include one or more compounds selected from the group. More specifically, an onium salt substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate and triphenylsulfonium tetrafluoroborate (International Publication No. WO 2005/089024); High valent inorganic compounds such as iron (III) chloride (Japanese Patent Laid-Open No. 11-251067), ammonium peroxodisulfate; cyano compounds such as tetracyanoethylene, tris (pendafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365) Aromatic boron compounds such as); fullerene derivatives; iodine; sulfonate ions such as polystyrene sulfonate ions, alkylbenzene sulfonate ions, camphor sulfonate ions, and the like.

これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。
正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常0.1モル%以上、好ましくは1モル%以上である。但し、通常100モル%以下、好ましくは40モル%以下である。
These electron accepting compounds can improve the conductivity of the hole injection layer by oxidizing the hole transporting compound.
The content of the electron-accepting compound in the hole-injecting layer or the composition for forming a hole-injecting layer with respect to the hole-transporting compound is usually 0.1 mol% or more, preferably 1 mol% or more. However, it is usually 100 mol% or less, preferably 40 mol% or less.

(その他の構成材料)
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良
剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
(Other components)
As a material for the hole injection layer, other components may be further contained in addition to the above-described hole transporting compound and electron accepting compound as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. Examples of other components include various light emitting materials, electron transporting compounds, binder resins, and coating property improving agents. In addition, only 1 type may be used for another component and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and ratios.

(溶剤)
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも1種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常110℃以上、好ましくは140℃以上、中でも200℃以上、通常400℃以下、中でも300℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があり、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
(solvent)
At least one of the solvents of the composition for forming a hole injection layer used in the wet film formation method is preferably a compound that can dissolve the constituent material of the hole injection layer. The boiling point of this solvent is usually 110 ° C. or higher, preferably 140 ° C. or higher, particularly 200 ° C. or higher, usually 400 ° C. or lower, and preferably 300 ° C. or lower. If the boiling point of the solvent is too low, the drying speed is too high and the film quality may be deteriorated. Further, if the boiling point of the solvent is too high, it is necessary to increase the temperature of the drying step, which may adversely affect other layers and the substrate.

溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。
Examples of the solvent include ether solvents, ester solvents, aromatic hydrocarbon solvents, amide solvents, and the like.
Examples of ether solvents include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole , Phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, aromatic ethers such as 2,4-dimethylanisole, and the like.

エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、3−イロプロピルビフェニル、1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、1,4−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
Examples of the ester solvent include aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate.
Examples of the aromatic hydrocarbon solvent include toluene, xylene, cyclohexylbenzene, 3-isopropylpropylphenyl, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene, cyclohexylbenzene, and methylnaphthalene. Can be mentioned.

アミド系溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。
その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。
これらの溶剤は1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。
Examples of the amide solvent include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, and the like.
In addition, dimethyl sulfoxide and the like can also be used.
These solvent may use only 1 type and may use 2 or more types by arbitrary combinations and a ratio.

(成膜方法)
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層3の下層に該当する層(通常は、陽極2)上に塗布して、乾燥することにより正孔注入層3を形成する。
塗布工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、10℃以上が好ましく、50℃以下が好ましくい。
(Film formation method)
After preparing the composition for forming the hole injection layer, this composition is applied by wet film formation onto a layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 (usually, the anode 2) and dried. The hole injection layer 3 is formed.
The temperature in the coating step is preferably 10 ° C. or higher and preferably 50 ° C. or lower in order to prevent film loss due to the formation of crystals in the composition.

塗布工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.01ppm以上、通常80%以下である。
塗布後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。
Although the relative humidity in an application | coating process is not limited unless the effect of this invention is impaired remarkably, it is 0.01 ppm or more normally, and usually 80% or less.
After coating, the film of the composition for forming a hole injection layer is usually dried by heating or the like. Examples of the heating means used in the heating step include a clean oven, a hot plate, infrared rays, a halogen heater, microwave irradiation and the like. Among them, a clean oven and a hot plate are preferable in order to uniformly apply heat to the entire film.

加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が2種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも1種類がその溶剤の沸
点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは120℃以上、好ましくは410℃以下で加熱することが好ましい。
The heating temperature in the heating step is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent used in the composition for forming a hole injection layer as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. In the case of a mixed solvent containing two or more types of solvents used in the hole injection layer, at least one type is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent. In consideration of an increase in the boiling point of the solvent, the heating step is preferably performed at 120 ° C. or higher, preferably 410 ° C. or lower.

加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは10秒以上、通常180分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は2回に分けて行ってもよい。   In the heating step, the heating time is not limited as long as the heating temperature is not lower than the boiling point of the solvent of the composition for forming a hole injection layer and sufficient insolubilization of the coating film does not occur. Is less than a minute. If the heating time is too long, the components of the other layers tend to diffuse, and if it is too short, the hole injection layer tends to be inhomogeneous. Heating may be performed in two steps.

<真空蒸着法による正孔注入層の形成>
真空蒸着により正孔注入層3を形成する場合には、正孔注入層3の構成材料(前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等)の1種又は2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度まで排気した後、るつぼを加熱して(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して)、蒸発量を制御して蒸発させ(2種以上の材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極2上に正孔注入層3を形成させる。なお、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層3を形成することもできる。
<Formation of hole injection layer by vacuum deposition>
When the hole injection layer 3 is formed by vacuum deposition, one or more of the constituent materials of the hole injection layer 3 (the aforementioned hole transporting compound, electron accepting compound, etc.) are placed in a vacuum vessel. Put in crucibles installed (in case of using two or more materials, put them in each crucible), evacuate the inside of the vacuum vessel to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump, and then heat the crucible (two types When using the above materials, heat each crucible) and control the evaporation amount to evaporate (when using two or more materials, control each evaporation amount independently) and face the crucible Then, the hole injection layer 3 is formed on the anode 2 of the substrate placed on the substrate. In addition, when using 2 or more types of materials, the hole injection layer 3 can also be formed by putting those mixtures into a crucible, heating and evaporating.

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1×10−6Torr(0.13×10−4Pa)以上、通常9.0×10−6Torr(12.0×10−4Pa)以下である。 蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない
限り限定されないが、通常0.1Å/秒以上、通常5.0Å/秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは10℃以上で、好ましくは50℃以下で行われる。
The degree of vacuum at the time of vapor deposition is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.1 × 10 −6 Torr (0.13 × 10 −4 Pa) or more, usually 9.0 × 10 −6 Torr. (12.0 × 10 −4 Pa) or less. The deposition rate is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.1 Å / second or more and usually 5.0 Å / second or less. The film forming temperature at the time of vapor deposition is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is preferably 10 ° C. or higher, preferably 50 ° C. or lower.

{正孔輸送層}
本発明に係る正孔輸送層4の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層4を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔輸送層4は、正孔注入層がある場合には正孔注入層3の上に、正孔注入層3が無い場合には陽極2の上に形成することができる。 また、本発明の有機電界発光素子は、正
孔輸送層を省いた構成であってもよい。
{Hole transport layer}
The method for forming the hole transport layer 4 according to the present invention may be a vacuum deposition method or a wet film formation method, and is not particularly limited, but the hole transport layer 4 is formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots. It is preferable.
The hole transport layer 4 can be formed on the hole injection layer 3 when there is a hole injection layer and on the anode 2 when there is no hole injection layer 3. The organic electroluminescent device of the present invention may have a configuration in which the hole transport layer is omitted.

正孔輸送層4を形成する材料としては、正孔輸送能が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層5に接するため、発光層5からの発光を消光したり、発光層5との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。   The material for forming the hole transport layer 4 is preferably a material having a high hole transport capability and capable of efficiently transporting injected holes. Therefore, it is preferable that the ionization potential is small, the transparency to visible light is high, the hole mobility is large, the stability is high, and impurities that become traps are not easily generated during manufacturing or use. In many cases, it is preferable not to quench the light emitted from the light emitting layer 5 or to form an exciplex with the light emitting layer 5 to reduce the efficiency because it is in contact with the light emitting layer 5.

このような正孔輸送層4の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層3に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。   Such a material for the hole transport layer 4 may be any material conventionally used as a constituent material for the hole transport layer. For example, the hole transport property used for the hole injection layer 3 described above. What was illustrated as a compound is mentioned. In addition, arylamine derivatives, fluorene derivatives, spiro derivatives, carbazole derivatives, pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, silole derivatives, oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatics Group derivatives, metal complexes and the like.

また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニ
ルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が3つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
In addition, for example, polyvinylcarbazole derivatives, polyarylamine derivatives, polyvinyltriphenylamine derivatives, polyfluorene derivatives, polyarylene derivatives, polyarylene ether sulfone derivatives containing tetraphenylbenzidine, polyarylene vinylene derivatives, polysiloxane derivatives, polythiophenes Derivatives, poly (p-phenylene vinylene) derivatives, and the like. These may be any of an alternating copolymer, a random polymer, a block polymer, or a graft copolymer. Further, it may be a polymer having a branched main chain and three or more terminal portions, or a so-called dendrimer.

中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
ポリアリールアミン誘導体としては、下記式(II)で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式(II)で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、Ar又はArが異なっているものであってもよい。
Of these, polyarylamine derivatives and polyarylene derivatives are preferred.
The polyarylamine derivative is preferably a polymer containing a repeating unit represented by the following formula (II). In particular, the polymer is preferably composed of a repeating unit represented by the following formula (II). In this case, Ar a or Ar b may be different in each repeating unit.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(式(II)中、Ar及びArは、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。)
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、6員環の単環又は2〜5縮合環由来の基及びこれらの環が2環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
(In formula (II), Ar a and Ar b each independently represent an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)
Examples of the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent include, for example, a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, and acenaphthene. Examples include a group derived from a 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring, such as a ring, a fluoranthene ring, a fluorene ring, and a group in which these rings are linked by a direct bond.

置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、5又は6員環の単環又は2〜4縮合環由来の基及びこれらの環が2環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。   Examples of the aromatic heterocyclic group which may have a substituent include a furan ring, a benzofuran ring, a thiophene ring, a benzothiophene ring, a pyrrole ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, an oxadiazole ring, an indole ring, and a carbazole ring. , Pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine Ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring, etc. ring Are those groups group and the rings of from 2-4 fused ring is linked by a direct bond or two or more rings.

溶剤に対する溶解性や耐熱性の点から、Ar及びArは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が2環以上連結してなる基(例えば、ビフェニル基(ビフェニレン基)やターフェニル基(ターフェニレン基))が好ましい。 Ar a and Ar b are each independently composed of a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a triphenylene ring, a pyrene ring, a thiophene ring, a pyridine ring, and a fluorene ring from the viewpoint of solubility in solvents and heat resistance. A group derived from a ring selected from the group or a group formed by linking two or more benzene rings (for example, a biphenyl group (biphenylene group) or a terphenyl group (terphenylene group)) is preferable.

中でも、ベンゼン環由来の基(フェニル基)、ベンゼン環が2環連結してなる基(ビフェニル基)及びフルオレン環由来の基(フルオレニル基)が好ましい。
Ar及びArにおける芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。
Among these, a group derived from a benzene ring (phenyl group), a group formed by connecting two benzene rings (biphenyl group), and a group derived from a fluorene ring (fluorenyl group) are preferable.
Examples of the substituent that the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group in Ar a and Ar b may have include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkoxycarbonyl group, and a dialkyl. Examples thereof include an amino group, a diarylamino group, an acyl group, a halogen atom, a haloalkyl group, an alkylthio group, an arylthio group, a silyl group, a siloxy group, a cyano group, an aromatic hydrocarbon ring group, and an aromatic heterocyclic group.

ポリアリーレン誘導体としては、前記式(II)におけるArやArとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
ポリアリーレン誘導体としては、下記式(III−1)及び/又は下記式(III−2)からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
As the polyarylene derivative, an arylene group such as an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent exemplified as Ar a or Ar b in the formula (II) is used as a repeating unit. The polymer which has is mentioned.
As a polyarylene derivative, the polymer which has a repeating unit which consists of following formula (III-1) and / or following formula (III-2) is preferable.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(式(III−1)中、Ra、Rb、R及びRは、各々独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を表す。t及びsは、各々独立に、0〜3の整数を表す。t又はsが2以上の場合、一分子中に含まれる複数のRa又はRbは同一であっても異なっていてもよく、隣接するRa又はRb同士で環を形成していてもよい。) (In formula (III-1), R a , R b , R c and R d are each independently an alkyl group, an alkoxy group, a phenylalkyl group, a phenylalkoxy group, a phenyl group, a phenoxy group, an alkylphenyl group, Represents an alkoxyphenyl group, an alkylcarbonyl group, an alkoxycarbonyl group, or a carboxy group, and t and s each independently represent an integer of 0 to 3. When t or s is 2 or more, they are contained in one molecule. A plurality of R a or R b may be the same or different, and adjacent R a or R b may form a ring.)

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(式(III−2)中、R及びRは、各々独立に、上記式(III−1)におけるRa、Rb、R又はRと同義である。r及びuは、各々独立に、0〜3の整数を表す。r又はuが2以上の場合、一分子中に含まれる複数のR及びRは同一であっても異なっていてもよく、隣接するR又はR同士で環を形成していてもよい。Xは、5員環又は6員環を構成する原子又は原子群を表す。)
Xの具体例としては、―O―、―BR―、―NR―、―SiR―、―PR―、―SR―、―CR―又はこれらが結合してなる基である。尚、Rは、水素原子又は任意の有機基を表す。本発明における有機基とは、少なくとも一つの炭素原子を含む基である。
(In formula (III-2), R e and R f are each independently the same as R a , R b , R c or R d in formula (III-1). Independently represents an integer of 0 to 3. When r or u is 2 or more, a plurality of R e and R f contained in one molecule may be the same or different, and adjacent R e or R f may form a ring, and X represents an atom or a group of atoms constituting a 5-membered ring or a 6-membered ring.)
Specific examples of X are —O—, —BR—, —NR—, —SiR 2 —, —PR—, —SR—, —CR 2 —, or a group formed by bonding thereof. R represents a hydrogen atom or an arbitrary organic group. The organic group in the present invention is a group containing at least one carbon atom.

また、ポリアリーレン誘導体としては、前記式(III−1)及び/又は前記式(III−2)からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式(III−3)で表される繰り返し単位を有することが好ましい。   The polyarylene derivative has a repeating unit represented by the following formula (III-3) in addition to the repeating unit consisting of the formula (III-1) and / or the formula (III-2). Is preferred.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

(式(III−3)中、Ar〜Arは、各々独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。v及びwは、各々独立に0又は1を表す。)
Ar〜Arの具体例としては、前記式(II)における、Ar及びArと同様である。
上記式(III−1)〜(III−3)の具体例及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開2008−98619号公報に記載のものなどが挙げられる。
(In formula (III-3), Ar c to Ar j each independently represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, and v and w each represent Independently represents 0 or 1.)
Specific examples of Ar c to Ar j are the same as Ar a and Ar b in the formula (II).
Specific examples of the above formulas (III-1) to (III-3) and specific examples of polyarylene derivatives include those described in JP-A-2008-98619.

湿式成膜法で正孔輸送層4を形成する場合は、上記正孔注入層3の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式塗布後、加熱乾燥させて成膜する。
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、塗布条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層3の形成の場合と同様である。
When the hole transport layer 4 is formed by a wet film forming method, a hole transport layer forming composition is prepared in the same manner as the formation of the hole injection layer 3, and then wet-coated and then heat-dried. Form a film.
The composition for forming a hole transport layer contains a solvent in addition to the above hole transport compound. The solvent used is the same as that used for the composition for forming a hole injection layer. In addition, the application conditions, the heat drying conditions, and the like are the same as in the case of forming the hole injection layer 3.

真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層3の形成の場合と同様である。
正孔輸送層4は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
正孔輸送層4はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。
In the case where the hole transport layer is formed by the vacuum deposition method, the film forming conditions are the same as those in the case of forming the hole injection layer 3.
The hole transport layer 4 may contain various light emitting materials, electron transport compounds, binder resins, coating property improving agents, and the like in addition to the hole transport compound.
The hole transport layer 4 may also be a layer formed by crosslinking a crosslinkable compound. The crosslinkable compound is a compound having a crosslinkable group, and forms a network polymer compound by crosslinking.

この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基;ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基;ベンゾシクロブテン環由来の基などが挙げられる。
架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。 架橋性
化合物は1種のみを有していてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。
Examples of this crosslinkable group include groups derived from cyclic ethers such as oxetane and epoxy; groups derived from unsaturated double bonds such as vinyl, trifluorovinyl, styryl, acrylic, methacryloyl and cinnamoyl; benzo And a group derived from a cyclobutene ring.
The crosslinkable compound may be any of a monomer, an oligomer, and a polymer. The crosslinkable compound may have only 1 type, and may have 2 or more types by arbitrary combinations and ratios.

架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられ、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖又は側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、上記式(II)や式(III−1)〜(III−3)に架橋性基が直接又は連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。   As the crosslinkable compound, a hole transporting compound having a crosslinkable group is preferably used. Examples of the hole transporting compound include those exemplified above, and those having a crosslinkable group bonded to the main chain or side chain with respect to these hole transporting compounds. In particular, the crosslinkable group is preferably bonded to the main chain via a linking group such as an alkylene group. In particular, the hole transporting compound is preferably a polymer containing a repeating unit having a crosslinkable group, and the above formula (II) and formulas (III-1) to (III-3) can be used as a crosslinkable group. Is preferably a polymer having a repeating unit bonded directly or via a linking group.

架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体
、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体;トリフェニルアミン誘導体;シロール誘導体;オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体;トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
As the crosslinkable compound, a hole transporting compound having a crosslinkable group is preferably used. Examples of hole transporting compounds include nitrogen-containing aromatic compound derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives; triphenylamine derivatives Silole derivatives; oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes and the like. Among them, nitrogen-containing aromatic derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives; triphenylamine derivatives, silole derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes, etc. Particularly preferred are triphenylamine derivatives.

架橋性化合物を架橋して正孔輸送層4を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解又は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。
正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤及び重合促進剤;縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤;などが挙げられる。
In order to form a hole transport layer 4 by crosslinking a crosslinkable compound, a composition for forming a hole transport layer in which a crosslinkable compound is dissolved or dispersed in a solvent is usually prepared and deposited by wet film formation. To crosslink.
The composition for forming a hole transport layer may contain an additive for promoting a crosslinking reaction in addition to the crosslinking compound. Examples of additives that promote the crosslinking reaction include polymerization initiators and polymerization accelerators such as alkylphenone compounds, acylphosphine oxide compounds, metallocene compounds, oxime ester compounds, azo compounds, onium salts; condensed polycyclic hydrocarbons, And photosensitizers such as porphyrin compounds and diaryl ketone compounds.

また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤;電子受容性化合物;バインダー樹脂;などを含有していてもよい。
正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、さらに好ましくは0.1重量%以上、通常50重量%以下、好ましくは20重量%以下、さらに好ましくは10重量%以下含有する。
Further, it may contain a coating property improving agent such as a leveling agent and an antifoaming agent; an electron accepting compound; a binder resin;
In the composition for forming a hole transport layer, the crosslinkable compound is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, usually 50% by weight or less, preferably 20%. It is contained by weight% or less, more preferably 10% by weight or less.

このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層(通常は正孔注入層3)上に成膜後、加熱及び/又は光などの活性エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。
塗布時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層3の湿式塗布時と同様である。
塗布後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常120℃以上、好ましくは400℃以下である。
After forming a composition for forming a hole transport layer containing a crosslinkable compound at such a concentration on the lower layer (usually the hole injection layer 3), the composition is crosslinked by heating and / or irradiation with active energy such as light. Are crosslinked to form a network polymer compound.
Conditions such as temperature and humidity at the time of application are the same as those at the time of wet application of the hole injection layer 3.
The heating method after application is not particularly limited. As heating temperature conditions, it is 120 degreeC or more normally, Preferably it is 400 degrees C or less.

加熱時間としては、通常1分以上、好ましくは24時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で120℃以上、1分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
光などの活性エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の活性エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、0.1秒以上、好ましくは10時間以下照射される。
The heating time is usually 1 minute or longer, preferably 24 hours or shorter. The heating means is not particularly limited, and means such as placing a laminated body having a deposited layer on a hot plate or heating in an oven is used. For example, conditions such as heating on a hot plate at 120 ° C. or more for 1 minute or more can be used.
In the case of irradiation with active energy such as light, a method of irradiating directly using an ultraviolet / visible / infrared light source such as an ultra-high pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a halogen lamp, an infrared lamp, or the above-mentioned light source is incorporated. Examples include a mask aligner and a method of irradiation using a conveyor type light irradiation device. In active energy irradiation other than light, for example, there is a method of irradiation using a so-called microwave oven that irradiates a microwave generated by a magnetron. As the irradiation time, it is preferable to set conditions necessary for reducing the solubility of the film, but irradiation is usually performed for 0.1 seconds or longer, preferably 10 hours or shorter.

加熱及び光などの活性エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
このようにして形成される正孔輸送層4の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。
{発光層}
正孔注入層3の上には通常発光層4が設けられる。発光層4は発光材料を含む層であり、電界を与えられた電極間において、陽極2から正孔注入層3を通じて注入された正孔と、陰極6から電子注入層5を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる
発光源となる層である。発光層4は発光材料(ドーパント)と1種又は2種以上のホスト材料を含むことが好ましく、発光層4は本発明の含窒素複素環化合物をホスト材料として含むことが更に好ましく、真空蒸着法で形成していてもよいが、本発明の有機電界発光素子用組成物を用い、湿式成膜法によって作製された層であることが特に好ましい。
The irradiation of active energy such as heating and light may be performed alone or in combination. When combined, the order of implementation is not particularly limited.
The film thickness of the hole transport layer 4 thus formed is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.
{Light emitting layer}
A light emitting layer 4 is usually provided on the hole injection layer 3. The light emitting layer 4 is a layer containing a light emitting material, and between the electrodes to which an electric field is applied, holes injected from the anode 2 through the hole injection layer 3 and electrons injected from the cathode 6 through the electron injection layer 5 It is a layer that is excited by recombination and becomes a main light emitting source. The light emitting layer 4 preferably contains a light emitting material (dopant) and one or more host materials, and the light emitting layer 4 more preferably contains the nitrogen-containing heterocyclic compound of the present invention as a host material. However, it is particularly preferable that the layer be formed by a wet film-forming method using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention.

ここで、湿式成膜法とは、上記溶剤を含む本発明の有機電界発光素子用組成物を、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法により塗布して成膜するものである。
なお、発光層4は、本発明の性能を損なわない範囲で、他の材料、成分を含んでいてもよい。
Here, the wet film-forming method is a method in which the composition for organic electroluminescent elements of the present invention containing the above-mentioned solvent is applied by spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing, screen printing, or inkjet method. It is a film.
In addition, the light emitting layer 4 may contain other materials and components as long as the performance of the present invention is not impaired.

一般に有機電界発光素子において、同じ材料を用いた場合、電極間の膜厚が薄い方が、実効電界が大きくなる為、注入される電流が多くなるので、駆動電圧は低下する。その為、電極間の総膜厚は薄い方が、有機電界発光素子の駆動電圧は低下するが、あまりに薄いと、ITO等の電極に起因する突起により短絡が発生する為、ある程度の膜厚が必要となる。   In general, when the same material is used in the organic electroluminescent element, the thinner the film thickness between the electrodes, the larger the effective electric field, so that the injected current increases, so the driving voltage decreases. For this reason, the driving voltage of the organic electroluminescence device decreases when the total film thickness between the electrodes is thin, but if it is too thin, a short circuit occurs due to the protrusion caused by the electrode such as ITO. Necessary.

本発明においては、発光層4以外に、正孔注入層3及び後述の電子輸送層7等の有機層を有する場合、発光層4と正孔注入層3や電子輸送層7等の他の有機層とを合わせた総膜厚は通常30nm以上、好ましくは50nm以上であり、更に好ましくは100nm以
上で、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下であり、更に好ましくは300nm以下である。また、発光層4以外の正孔注入層3や後述の電子注入層5の導電性が高い場合、発光層4に注入される電荷量が増加する為、例えば正孔注入層3の膜厚を厚くして発光層4の膜厚を薄くし、総膜厚をある程度の膜厚を維持したまま駆動電圧を下げることも可能である。
In the present invention, in addition to the light emitting layer 4, when the organic layer such as the hole injection layer 3 and the electron transport layer 7 described later is provided, the light emitting layer 4 and other organic materials such as the hole injection layer 3 and the electron transport layer 7 The total film thickness combined with the layers is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or less.
Above, it is 1000 nm or less normally, Preferably it is 500 nm or less, More preferably, it is 300 nm or less. In addition, when the conductivity of the hole injection layer 3 other than the light emitting layer 4 and the electron injection layer 5 described later is high, the amount of charge injected into the light emitting layer 4 increases. It is also possible to reduce the drive voltage while increasing the thickness to reduce the thickness of the light emitting layer 4 and maintaining the total thickness to some extent.

よって、発光層4の膜厚は、通常10nm以上、好ましくは20nm以上で、通常300nm以下、好ましくは200nm以下である。なお、本発明の素子が、陽極及び陰極の両極間に、発光層4のみを有する場合の発光層4の膜厚は、通常30nm以上、好ましくは50nm以上、通常500nm以下、好ましくは300nm以下である。
{正孔阻止層}
発光層5と後述の電子注入層8との間に、正孔阻止層6を設けてもよい。正孔阻止層6は、発光層5の上に、発光層5の陰極9側の界面に接するように積層される層である。
Therefore, the thickness of the light emitting layer 4 is usually 10 nm or more, preferably 20 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 200 nm or less. When the element of the present invention has only the light emitting layer 4 between the anode and the cathode, the thickness of the light emitting layer 4 is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, usually 500 nm or less, preferably 300 nm or less. is there.
{Hole blocking layer}
A hole blocking layer 6 may be provided between the light emitting layer 5 and an electron injection layer 8 described later. The hole blocking layer 6 is a layer laminated on the light emitting layer 5 so as to be in contact with the interface of the light emitting layer 5 on the cathode 9 side.

この正孔阻止層6は、陽極2から移動してくる正孔を陰極9に到達するのを阻止する役割と、陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送する役割とを有する。

正孔阻止層6を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996号公報)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)などが挙げられる。更に、国際公開第2005−022962号パンフレットに記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も、正孔阻止層6の材料として好ましい。
The hole blocking layer 6 has a role of blocking holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 9 and a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode 9 toward the light emitting layer 5. Have

The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer 6 include high electron mobility, low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet level (T1). Is high. Examples of the material for the hole blocking layer satisfying such conditions include bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum, and the like. Mixed metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, distyrylbiphenyl derivatives, etc. Triazole derivatives such as styryl compounds (JP-A-11-242996), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (JP-A-7 -41759), phenanthroline derivatives such as bathocuproine (JP-A-10-79297), and the like. That. Further, a compound having at least one pyridine ring substituted at the 2,4,6-position described in International Publication No. 2005-022962 is also preferable as the material for the hole blocking layer 6.

なお、正孔阻止層6の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
正孔阻止層6の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
正孔阻止層6の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上、また、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。
In addition, the material of the hole-blocking layer 6 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
There is no restriction | limiting in the formation method of the hole-blocking layer 6. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.
The thickness of the hole blocking layer 6 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.

{電子輸送層}
発光層5と後述の電子注入層8の間に、電子輸送層7を設けてもよい。
電子輸送層7は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送することができる化合物より形成される。
{Electron transport layer}
An electron transport layer 7 may be provided between the light emitting layer 5 and an electron injection layer 8 described later.
The electron transport layer 7 is provided for the purpose of further improving the light emission efficiency of the device, and efficiently transports electrons injected from the cathode 9 between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer 5. Formed from a compound capable of

電子輸送層7に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極9又は電子注入層8からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−ヒドロキシフラボン金属錯体、5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5645948号明細書)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。   As an electron transporting compound used for the electron transport layer 7, usually, the electron injection efficiency from the cathode 9 or the electron injection layer 8 is high, and the injected electrons having high electron mobility are efficiently transported. The compound which can be used is used. Examples of the compound satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives , Distyrylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3-hydroxyflavone metal complexes, 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compounds ( JP-A-6-207169), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N'-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide , N-type zinc sulfide, n-type zinc Such as emissions of zinc, and the like.

なお、電子輸送層7の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
電子輸送層7の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
電子輸送層7の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常1nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常300nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。
{電子注入層}
電子注入層8は、陰極9から注入された電子を効率良く発光層5へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層8を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられ、その膜厚は通常0.1nm以上、5nm以下が好ましい。
In addition, the material of the electron carrying layer 7 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
There is no restriction | limiting in the formation method of the electron carrying layer 7. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.
The thickness of the electron transport layer 7 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.
{Electron injection layer}
The electron injection layer 8 plays a role of efficiently injecting electrons injected from the cathode 9 into the light emitting layer 5. In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer 8 is preferably a metal having a low work function. Examples include alkali metals such as sodium and cesium, alkaline earth metals such as barium and calcium, and the film thickness is preferably from 0.1 nm to 5 nm.

更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常、5nm以上、中でも10nm以上が好ましく、また、通常200nm以下、中でも100nm以下が好ましい。   Furthermore, an organic electron transport compound represented by a metal complex such as a nitrogen-containing heterocyclic compound such as bathophenanthroline or an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline is doped with an alkali metal such as sodium, potassium, cesium, lithium, or rubidium ( (As described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-1000047, JP-A-2002-1000048, etc.), it is possible to improve the electron injection / transport properties and achieve excellent film quality. preferable. In this case, the film thickness is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.

なお、電子注入層8の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
電子注入層8の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
{陰極}
陰極9は、発光層5側の層(電子注入層8又は発光層5など)に電子を注入する役割を果たすものである。
In addition, the material of the electron injection layer 8 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
There is no restriction | limiting in the formation method of the electron injection layer 8. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.
{cathode}
The cathode 9 plays a role of injecting electrons into a layer on the light emitting layer 5 side (such as the electron injection layer 8 or the light emitting layer 5).

陰極9の材料としては、前記の陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。   As the material of the cathode 9, the material used for the anode 2 can be used. However, in order to perform electron injection efficiently, a metal having a low work function is preferable. For example, tin, magnesium, indium, A suitable metal such as calcium, aluminum, silver, or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.

なお、陰極9の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
陰極9の膜厚は、通常、陽極2と同様である。
さらに、低仕事関数金属から成る陰極9を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、1種のみで用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
In addition, the material of the cathode 9 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
The film thickness of the cathode 9 is usually the same as that of the anode 2.
Further, for the purpose of protecting the cathode 9 made of a low work function metal, it is preferable to further stack a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere because the stability of the device is increased. For this purpose, for example, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold and platinum are used. In addition, these materials may be used only by 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

{その他の層}
本発明に係る有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極2と陰極9との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
<電子阻止層>
有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。
{Other layers}
The organic electroluminescent element according to the present invention may have another configuration without departing from the gist thereof. For example, as long as the performance is not impaired, an arbitrary layer may be provided between the anode 2 and the cathode 9 in addition to the layers described above, and an arbitrary layer may be omitted. .
<Electron blocking layer>
Examples of the layer that may be included include an electron blocking layer.

電子阻止層は、正孔注入層3又は正孔輸送層4と発光層5との間に設けられ、発光層5から移動してくる電子が正孔注入層3に到達するのを阻止することで、発光層5内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層5内に閉じこめる役割と、正孔注入層3から注入された正孔を効率よく発光層5の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。   The electron blocking layer is provided between the hole injection layer 3 or the hole transport layer 4 and the light emitting layer 5 and prevents electrons moving from the light emitting layer 5 from reaching the hole injection layer 3. Thus, the probability of recombination of holes and electrons in the light emitting layer 5 is increased, the excitons generated are confined in the light emitting layer 5, and the holes injected from the hole injection layer 3 are efficiently collected. There is a role to transport in the direction of. In particular, when a phosphorescent material or a blue light emitting material is used as the light emitting material, it is effective to provide an electron blocking layer.

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層5を本発明に係る有機層として湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、F8−TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(国際公開第2004/084260号パンフレット)等が挙げられる。   The characteristics required for the electron blocking layer include high hole transportability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1). Furthermore, in the present invention, when the light emitting layer 5 is formed as an organic layer according to the present invention by a wet film formation method, the electron blocking layer is also required to be compatible with the wet film formation. Examples of the material used for such an electron blocking layer include a copolymer of dioctylfluorene and triphenylamine typified by F8-TFB (International Publication No. 2004/084260).

なお、電子阻止層の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
In addition, the material of an electron blocking layer may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
There is no restriction | limiting in the formation method of an electron blocking layer. Therefore, it can be formed by a wet film forming method, a vapor deposition method, or other methods.

さらに陰極9と発光層5又は電子輸送層7との界面に、例えばフッ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF2)、酸化リチウム(Li2O)、炭酸セシウム(II)(CsCO3)等で形成された極薄絶縁膜(0.1〜5nm)を挿入することも、素子の
効率を向上させる有効な方法である(Applied Physics Letters, 1997年, Vol.70, pp.152;特開平10−74586号公報;IEEE Transactions on Electron Devices, 1
997年,Vol.44, pp.1245;SID 04 Digest, pp.154等参照)。
Further, at the interface between the cathode 9 and the light emitting layer 5 or the electron transport layer 7, for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), lithium oxide (Li 2 O), cesium carbonate (II) (CsCO 3 ). Inserting an ultrathin insulating film (0.1 to 5 nm) formed by the above method is also an effective method for improving the efficiency of the device (Applied Physics Letters, 1997, Vol. 70, pp. 152; Kaihei 10-74586; IEEE Transactions on Electron Devices, 1
997, Vol. 44, pp. 1245; SID 04 Digest, pp. 154 etc.).

また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図1の層構成であれば、基板1上に他の構成要素を陰極9、電子注入層8、電子輸送層7、正孔阻止層6、発光層5、正孔輸送層4、正孔注入層3、陽極2の順に設けてもよい。
更には、少なくとも一方が透明性を有する2枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。
Moreover, in the layer structure demonstrated above, it is also possible to laminate | stack components other than a board | substrate in reverse order. For example, in the case of the layer configuration of FIG. 1, the other components on the substrate 1 are the cathode 9, the electron injection layer 8, the electron transport layer 7, the hole blocking layer 6, the light emitting layer 5, the hole transport layer 4, the positive layer. The hole injection layer 3 and the anode 2 may be provided in this order.
Furthermore, it is also possible to constitute the organic electroluminescent element according to the present invention by laminating components other than the substrate between two substrates, at least one of which is transparent.

また、基板以外の構成要素(発光ユニット)を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その場合には、各段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合は、それら2層)の代わりに、例えば五酸化バナジウム(V25)等からなる電荷発生層(Carrier Generation Layer:CGL)を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 In addition, a structure in which a plurality of components (light emitting units) other than the substrate are stacked in a plurality of layers (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) may be employed. In that case, instead of the interface layer between the steps (between the light emitting units) (when the anode is ITO and the cathode is Al, these two layers), for example, a charge made of vanadium pentoxide (V 2 O 5 ) or the like. When a generation layer (Carrier Generation Layer: CGL) is provided, a barrier between steps is reduced, which is more preferable from the viewpoint of light emission efficiency and driving voltage.

更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
Furthermore, the organic electroluminescent device according to the present invention may be configured as a single organic electroluminescent device, or may be applied to a configuration in which a plurality of organic electroluminescent devices are arranged in an array. You may apply to the structure by which the cathode is arrange | positioned at XY matrix form.
Each layer described above may contain components other than those described as materials unless the effects of the present invention are significantly impaired.

[有機ELディスプレイ及び有機EL照明]
本発明の有機電界発光素子は、有機ELディスプレイ又は有機EL照明に使用される。本発明により得られる有機電界発光素子は、例えば、「有機ELディスプレイ」(オーム社,平成16年8月20日発行,時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法で有機ELディスプレイ及び有機EL照明を形成することができる。
[Organic EL display and organic EL lighting]
The organic electroluminescent element of the present invention is used for an organic EL display or organic EL illumination. The organic electroluminescent device obtained by the present invention is described in, for example, “Organic EL Display” (Ohm, August 20, 2004, written by Shizushi Tokito, Chiba Adachi, and Hideyuki Murata). An organic EL display and organic EL illumination can be formed by the method.

次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
(合成例1:化合物1の合成)
EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to description of a following example, unless the summary is exceeded.
(Synthesis Example 1: Synthesis of Compound 1)

Figure 0005560592
Figure 0005560592

<中間体1の合成>
THF(3 mL)に削状マグネシウム(145 mg, 6.0 mmol)を加え、室温下でブロモベンゼン(973 mg, 6.2 mmol)のTHF溶液(1 mL)を穏やかに滴下した。滴下終了後、反応混合液を還流させながら1時間攪拌した。次いで、還流条件下で2-アミノ-5-ブロモベンゾニトリル(1.18
g, 6.0 mmol)のTHF溶液(1 mL)を穏やかに滴下し、さらに30分間攪拌を行った。その後反応混合液を0度まで冷却し、3-ブロモベンゾイルクロライド(658 mg, 3.0 mmol)のTHF溶
液(1 mL)を穏やか加えた後に、反応混合液を還流させながら1時間攪拌を行った。反応終了後、精製水にあけ、塩化メチレンで抽出した。有機層を精製水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧下に溶剤を留去し、残渣をクロロホルム・ヘキサンにより再結晶を行い中間体1(444 mg)を得た。
<Synthesis of Intermediate 1>
Grinded magnesium (145 mg, 6.0 mmol) was added to THF (3 mL), and a THF solution (1 mL) of bromobenzene (973 mg, 6.2 mmol) was gently added dropwise at room temperature. After completion of the dropwise addition, the reaction mixture was stirred for 1 hour while refluxing. Then, under reflux conditions 2-amino-5-bromobenzonitrile (1.18
g, 6.0 mmol) in THF (1 mL) was gently added dropwise, followed by further stirring for 30 minutes. Thereafter, the reaction mixture was cooled to 0 ° C., a THF solution (1 mL) of 3-bromobenzoyl chloride (658 mg, 3.0 mmol) was added gently, and the mixture was stirred for 1 hour while refluxing the reaction mixture. After completion of the reaction, the reaction mixture was poured into purified water and extracted with methylene chloride. The organic layer was washed with purified water and then dried over sodium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was recrystallized from chloroform / hexane to obtain Intermediate 1 (444 mg).

<化合物1の合成>
窒素雰囲気下、中間体1(400 mg, 0.901 mmol)、3-(9-カルバゾリル)フェニルボロン酸(625 mg, 2.17mmol)のトルエン(2.7 mL)溶液に、2M-炭酸ナトリウム水溶液(1.4 mL)、エタノール(1.4 mL)を加え、10分間窒素を通して脱気を行った。混合物にテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(63 mg, 0.055 mmol)を添加し
、還流させながら3時間攪拌した。反応終了後、混合物を水にあけ、トルエンで抽出した。有機層を精製水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶剤を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物1(649 mg)を得た。
<Synthesis of Compound 1>
Under a nitrogen atmosphere, Intermediate 1 (400 mg, 0.901 mmol), 3- (9-carbazolyl) phenylboronic acid (625 mg, 2.17 mmol) in toluene (2.7 mL) solution and 2M aqueous sodium carbonate solution (1.4 mL) , Ethanol (1.4 mL) was added and degassed with nitrogen for 10 minutes. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (63 mg, 0.055 mmol) was added to the mixture, and the mixture was stirred for 3 hours while refluxing. After completion of the reaction, the mixture was poured into water and extracted with toluene. The organic layer was washed with purified water and dried over magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 1 (649 mg).

このものの質量分析値は764(M+)であり、ガラス転移温度は、135℃であった。
(合成例2:化合物2の合成)
The mass spectral value of this product was 764 (M + ), and the glass transition temperature was 135 ° C.
(Synthesis Example 2: Synthesis of Compound 2)

Figure 0005560592
Figure 0005560592

THF(50 mL)に削状マグネシウム(471 mg, 19.4 mmol)を加え、室温下で3-ブロモビフェ
ニル(4.89 g, 21.0 mmol)のTHF溶液(5 mL)を穏やかに滴下した。滴下終了後、反応混合液を還流させながら1時間攪拌した。次いで、還流条件下で2-アミノ-5-ブロモベンゾニト
リル(3.17g, 16.1 mmol)のTHF溶液(12.5 mL)を穏やかに滴下し、さらに30分間攪拌を行った。その後反応混合液を0度まで冷却し、3-ブロモベンゾイルクロライド(4.25 g, 19.4 mmol)のTHF溶液(12.5 mL)を穏やか加えた後に、反応混合液を還流させながら1時間攪拌
を行った。反応終了後、精製水にあけ、塩化メチレンで抽出した。有機層を精製水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧下に溶剤を留去し、残渣にヘキサンを加えて固体を析出させ中間体2(4.8 g)を得た。
Grinded magnesium (471 mg, 19.4 mmol) was added to THF (50 mL), and a THF solution (5 mL) of 3-bromobiphenyl (4.89 g, 21.0 mmol) was gently added dropwise at room temperature. After completion of the dropwise addition, the reaction mixture was stirred for 1 hour while refluxing. Next, a THF solution (12.5 mL) of 2-amino-5-bromobenzonitrile (3.17 g, 16.1 mmol) was gently added dropwise under reflux conditions, and the mixture was further stirred for 30 minutes. Thereafter, the reaction mixture was cooled to 0 ° C., a THF solution (12.5 mL) of 3-bromobenzoyl chloride (4.25 g, 19.4 mmol) was gently added, and then the reaction mixture was stirred for 1 hour while refluxing. After completion of the reaction, the reaction mixture was poured into purified water and extracted with methylene chloride. The organic layer was washed with purified water and then dried over sodium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure, and hexane was added to the residue to precipitate a solid, yielding intermediate 2 (4.8 g).

<化合物2の合成>
窒素雰囲気下、中間体2(1.0 g, 1.94 mmol)、3-(9-カルバゾリル)フェニルボロン酸(1.22 g, 4.26 mmol)にトルエン(5 mL)、2M-炭酸ナトリウム水溶液(2.5 mL)
、エタノール(2.5 mL)を加え、10分間窒素を通して脱気を行った。混合物にテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(115 mg, 0.10 mmol)を添加し、還流さ
せながら3時間攪拌した。反応終了後、混合物を水にあけ、トルエンで抽出した。有機層を精製水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶剤を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物2(1.01 g)を得た。
<Synthesis of Compound 2>
Intermediate 2 (1.0 g, 1.94 mmol), 3- (9-carbazolyl) phenylboronic acid (1.22 g, 4.26 mmol) in toluene (5 mL), 2M aqueous sodium carbonate solution (2.5 mL) under nitrogen atmosphere
, Ethanol (2.5 mL) was added and degassed with nitrogen for 10 minutes. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (115 mg, 0.10 mmol) was added to the mixture and stirred for 3 hours while refluxing. After completion of the reaction, the mixture was poured into water and extracted with toluene. The organic layer was washed with purified water and dried over magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 2 (1.01 g).

このものの質量分析値は840(M+)であり、ガラス転移温度は、135 ℃であった。
[有機電界発光素子の作製]
{測定方法}
<輝度半減期>
輝度半減期の測定方法は、作製した有機電界発光素子に、試験開始時の輝度が3000nitとなる直流一定電流を通電したときの輝度変化をフォトダイオードにより観察した。輝度値が試験開始時の半分、すなわち1500nitとなるまでの時間(輝度半減期)を求めた。通電試験は、室温を空調により23±1.5℃に制御した室内で行なった。
The mass spectral value of this product was 840 (M + ), and the glass transition temperature was 135 ° C.
[Production of organic electroluminescence device]
{Measuring method}
<Luminance half-life>
As a method for measuring the luminance half-life, a change in luminance was observed with a photodiode when a constant direct current with a luminance of 3000 nit at the start of the test was applied to the produced organic electroluminescent device. The time (luminance half-life) until the luminance value reached half of the test start, that is, 1500 nit was obtained. The energization test was performed in a room where the room temperature was controlled to 23 ± 1.5 ° C. by air conditioning.

<駆動電圧>
駆動電圧の測定方法は、作製した有機電界発光素子に、最初に直流一定電流を通電した
ときの輝度が、1000nitとなる電圧を測定した。
<発光効率>
発光効率の測定方法は、作製した有機電界発光素子に、1000nitとなる電流値を測定し発光効率を算出した。 以下、製造例、及び実施例を挙げて、本発明を更に詳細に説明する。なお、以下の実施例は本発明を詳細に説明するために示すものであり、本発明はその趣旨に反しない限り以下の実施例に限定されるものではない。
<Drive voltage>
The driving voltage was measured by measuring the voltage at which the luminance was 1000 nit when a constant DC current was first applied to the produced organic electroluminescent device.
<Luminous efficiency>
As a method for measuring the luminous efficiency, a current value of 1000 nit was measured on the produced organic electroluminescent element to calculate the luminous efficiency. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to production examples and examples. In addition, the following examples are shown in order to explain the present invention in detail, and the present invention is not limited to the following examples unless it is contrary to the gist thereof.

〈基板〉
図1に示す有機電界発光素子を作製した。
ガラス基板1上に、インジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を120nmの厚さに堆積したもの(三容真空社製、スパッタ成膜品)を、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。
<substrate>
The organic electroluminescent element shown in FIG. 1 was produced.
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a glass substrate 1 with a thickness of 120 nm (manufactured by Sanyo Vacuum Co., Ltd., sputtered film product) using ordinary photolithography technology and hydrochloric acid etching Then, the anode 2 was formed by patterning into stripes having a width of 2 mm.

〈前処理〉
パターン形成したITO基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
<Preprocessing>
The patterned ITO substrate is cleaned in the order of ultrasonic cleaning with an aqueous surfactant solution, water cleaning with ultrapure water, ultrasonic cleaning with ultrapure water, and water cleaning with ultrapure water, followed by drying with compressed air, and finally UV irradiation. Ozone cleaning was performed.

〈正孔注入層の成膜〉
まず、下の構造式(P1)に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子2重量%と、構造式(A1)に示す4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート0.4重量%を、溶剤としての安息香酸エチルに溶解した後、孔径0.2μmのPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)製メンブレンフィルターを用いて濾過し、塗布組成物を作製した。この塗布組成物を上記ガラス基板上にスピンコートした。スピンコート条件として、スピナ回転数500rpm、2秒、そして2250rpm、30秒の2段階で行った。乾燥条件は下記の2つの加熱工程を経る。第1の加熱工程として、80℃で1分間加熱を行った後、第2の加熱工程として、230℃で1時間乾燥を行い、室温まで冷却することで、均質な膜厚30nmの薄膜を形成した。このようにして、膜厚30nmの正孔注入層3を形成した。尚、加熱の際用いた装置はオーブンである。
<Film formation of hole injection layer>
First, 2% by weight of a hole transporting polymer having a repeating structure represented by the following structural formula (P1) and 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate represented by the structural formula (A1) After dissolving 0.4% by weight in ethyl benzoate as a solvent, it was filtered using a PTFE (polytetrafluoroethylene) membrane filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a coating composition. This coating composition was spin-coated on the glass substrate. As spin coating conditions, spinner rotation speed was 500 rpm, 2 seconds, and 2250 rpm, 30 seconds. Drying conditions go through the following two heating steps. After heating at 80 ° C. for 1 minute as the first heating step, drying at 230 ° C. for 1 hour as the second heating step and cooling to room temperature forms a uniform thin film with a thickness of 30 nm did. In this way, a hole injection layer 3 having a thickness of 30 nm was formed. The apparatus used for heating is an oven.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

〈正孔輸送層の成膜〉
次いで、正孔輸送層4を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔輸送層の材料は、下記式(HT−1)の繰り返し構造を有する高分子化合物1.4重量%を、シクロヘキシルベンゼンに溶解させた組成物を調製し、孔径0.2μmPTFE製メンブレンフィルターを用いて濾過し、以下に示す条件で上記正孔注入層3上にスピンコートした。スピンコートは窒素雰囲気グローブボックス中にて行い、スピンコート条件として、スピナ回転数500rpm、2秒、そして1500rpm、120秒の2段階で行った。その後、窒素雰囲気グローブボックス中にて230℃で1時間乾燥を行うことで、均質な膜厚18.2nmの薄膜を形成した。尚、加熱の際用いた装置はホットプレートである。
<Deposition of hole transport layer>
Next, the hole transport layer 4 was formed by a wet film formation method as follows. As the material for the hole transport layer, a composition in which 1.4% by weight of a polymer compound having a repeating structure of the following formula (HT-1) is dissolved in cyclohexylbenzene is prepared, and a membrane filter made of PTFE having a pore size of 0.2 μm is used. It filtered using, and spin-coated on the said positive hole injection layer 3 on the conditions shown below. Spin coating was performed in a nitrogen atmosphere glove box, and spin coating conditions were performed in two stages: spinner rotation speed 500 rpm, 2 seconds, and 1500 rpm, 120 seconds. Thereafter, drying was performed at 230 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere glove box to form a uniform thin film having a thickness of 18.2 nm. The apparatus used for heating is a hot plate.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

〈発光層の成膜〉
次いで、発光層(有機層)を以下のように湿式成膜法によって形成した。発光層の材料は以下に示す材料H−1、H−2及びD−1、D−2を50対50対5対7の割合で混合し、この混合物4.8重量%をシクロヘキシルベンゼンに溶解させた組成物を調整し、孔径0.2μmPTFE製メンブレンフィルターを用いて濾過し、以下に示す条件で上記正孔輸送層4上にスピンコートした。
<Deposition of light emitting layer>
Subsequently, the light emitting layer (organic layer) was formed by the wet film-forming method as follows. The material of the light-emitting layer is the following materials H-1, H-2, D-1, and D-2 mixed at a ratio of 50: 50: 5: 7, and 4.8% by weight of this mixture is dissolved in cyclohexylbenzene. The prepared composition was prepared, filtered using a membrane filter made of PTFE having a pore size of 0.2 μm, and spin-coated on the hole transport layer 4 under the following conditions.

スピンコートは窒素雰囲気グローブボックス中にて行い、スピンコート条件として、スピナ回転数500rpm、2秒、そして1500rpm、120秒の2段階で行った。その後、窒素雰囲気グローブボックス中にて130℃で1時間真空乾燥を行うことで、均質な膜厚57.2nmの薄膜を形成した。尚、加熱の際用いた装置はホットプレートである。   Spin coating was performed in a nitrogen atmosphere glove box, and spin coating conditions were performed in two stages: spinner rotation speed 500 rpm, 2 seconds, and 1500 rpm, 120 seconds. Thereafter, vacuum drying was performed at 130 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere glove box to form a thin film having a uniform film thickness of 57.2 nm. The apparatus used for heating is a hot plate.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

次に、正孔注入層3と正孔輸送層4と発光層5を成膜した基板をチャンバー型真空蒸着装置内に移し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が1.8×10−6Torr以下になるまでクライオポンプを用いて排気し、下記構造式(HB−1)で表される化合物を真空蒸着法によって積層し正孔阻止層6を得た。蒸着時の真空度は1.6〜1.5×10−6Torr、蒸着速度は0.7〜0.9Å/秒の範囲で制御し、膜厚10.0nmの膜を発光層の上に積層して正孔阻止層6を形成した。 Next, the substrate on which the hole injection layer 3, the hole transport layer 4, and the light emitting layer 5 are formed is transferred into a chamber-type vacuum vapor deposition apparatus, the apparatus is roughly evacuated by an oil rotary pump, and then the vacuum inside the apparatus is The hole blocking layer 6 was obtained by evacuating using a cryopump until the degree became 1.8 × 10 −6 Torr or less, and laminating a compound represented by the following structural formula (HB-1) by a vacuum deposition method. . The degree of vacuum during deposition is 1.6 to 1.5 × 10 −6 Torr, the deposition rate is controlled in the range of 0.7 to 0.9 kg / sec, and a film with a thickness of 10.0 nm is formed on the light emitting layer. The hole blocking layer 6 was formed by stacking.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

次いで、トリス(8−キノリナート)アルミニウムを加熱して蒸着を行い、電子輸送層7を成膜した。蒸着時の真空度は1.3〜1.2×10−6Torr、蒸着速度は1.0〜1.1Å/秒の範囲で制御し、膜厚30.0nmの膜を正孔阻止層6の上に積層して電子輸送層7を形成した。
ここで、電子輸送層7までの蒸着を行った素子を電子輸送層までを蒸着した有機層蒸着チャンバーから金属蒸着チャンバーへと移動し、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプと直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して、有機層蒸着時と同様にして装置内の真空度が3.7×10−4Pa以下になるまで排気した。
Next, tris (8-quinolinato) aluminum was heated and evaporated to form an electron transport layer 7. The degree of vacuum during deposition is 1.3 to 1.2 × 10 −6 Torr, the deposition rate is controlled within the range of 1.0 to 1.1 Å / sec, and a film with a thickness of 30.0 nm is formed as the hole blocking layer 6. The electron transport layer 7 was formed by stacking on the substrate.
Here, the element on which the electron transport layer 7 has been deposited is moved from the organic layer deposition chamber on which the electron transport layer has been deposited to the metal deposition chamber, and a 2 mm wide striped shadow mask is used as a mask for cathode deposition. The element is in close contact with the ITO stripe of the anode 2 and installed in another vacuum deposition apparatus, and the degree of vacuum in the apparatus is 3.7 × 10 −4 Pa or less in the same manner as in the organic layer deposition. It exhausted until it became.

電子注入層8として、先ずフッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.13〜0.16Å/秒、真空度3.7×10−4Paで制御し、0.5nmの膜厚で電子輸送層の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.8〜5.2Å/秒、真空度3.3〜3.8×10−4Paで制御して膜厚80.1nmのアルミニウム層を形成して陰極9を形成した。以上の2層型陰極の蒸着時の基板温度は室温に保持した。 As the electron injection layer 8, first, lithium fluoride (LiF) was controlled using a molybdenum boat at a deposition rate of 0.13 to 0.16 Å / sec and a degree of vacuum of 3.7 × 10 −4 Pa, 0.5 nm. Was formed on the electron transport layer. Next, aluminum was similarly heated by a molybdenum boat and controlled at a deposition rate of 0.8 to 5.2 liters / second and a degree of vacuum of 3.3 to 3.8 × 10 −4 Pa to a film thickness of 80.1 nm. A cathode 9 was formed by forming an aluminum layer. The substrate temperature at the time of vapor deposition of the above two-layer cathode was kept at room temperature.

引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。
真空蒸着装置に連結された窒素グローブボックス中で、23mm×23mmサイズのガラス板の外周部に、約1mmの幅で光硬化性樹脂30Y−437(スリーボンド社製)を塗布し、中央部に水分ゲッターシート(ダイニック社製)を設置した。この上に、陰極形成を終了した基板を、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。
Subsequently, in order to prevent the element from being deteriorated by moisture in the atmosphere during storage, a sealing process was performed by the method described below.
In a nitrogen glove box connected to a vacuum deposition apparatus, a photocurable resin 30Y-437 (manufactured by ThreeBond Co., Ltd.) with a width of about 1 mm is applied to the outer periphery of a 23 mm × 23 mm glass plate, and moisture is applied to the center. A getter sheet (manufactured by Dynic) was installed. On this, the board | substrate which complete | finished cathode formation was bonded together so that the vapor-deposited surface might oppose a desiccant sheet. Then, only the area | region where the photocurable resin was apply | coated was irradiated with ultraviolet light, and resin was hardened.

以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。   As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained.

Figure 0005560592
Figure 0005560592

この素子の効率は3.9 lm/Wであり、1000cd/mで駆動させた場合の素子半減寿命は3000時間であった。 The efficiency of this device was 3.9 lm / W, and the device half life when driven at 1000 cd / m 2 was 3000 hours.

本発明は、有機電界発光素子が使用される各種の分野、例えば、フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛けテレビ)や、面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯等の分野において、好適に使用することが出来る。   The present invention relates to various fields in which organic electroluminescent elements are used, for example, flat panel displays (for example, for OA computers and wall-mounted televisions), and light sources that make use of characteristics as surface light emitters (for example, light sources for copying machines). , Liquid crystal displays and backlights for instruments), display panels, marker lamps, and the like.

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
1 Substrate
2 Anode
3 Hole injection layer
4 hole transport layer
5 Light emitting layer
6 Hole blocking layer
7 Electron transport layer
8 Electron injection layer
9 Cathode

Claims (11)

下記式(1)で表されることを特徴とする、含窒素複素環化合物。
Figure 0005560592
(式(1)中R は、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基を表す。は、単結合又は炭素数6〜25の芳香族炭化水素基を表す。)
A nitrogen-containing heterocyclic compound represented by the following formula (1):
Figure 0005560592
(Equation (1) Medium R 1 represents an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms. L represents a single bond or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms.)
上記式(1)中、RIn the above formula (1), R 1 が、フェニル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、9−アントリル基、9−フェナントリル基、または、ビフェニリル基から選ばれるものである、請求項1に記載の含窒素複素環化合物。The nitrogen-containing heterocyclic compound according to claim 1, wherein is selected from a phenyl group, a 2-naphthyl group, a 1-anthryl group, a 9-anthryl group, a 9-phenanthryl group, or a biphenylyl group. 上記式(1)中、Lが、単結合、1,4−フェニレン基、1,3−フェニレン基、3,3’−ビフェニレン基、4,3’−ビフェニレン基、または、1、6−ナフチレン基から選ばれるものである、請求項1または2に記載の含窒素複素環化合物。In the above formula (1), L is a single bond, 1,4-phenylene group, 1,3-phenylene group, 3,3′-biphenylene group, 4,3′-biphenylene group, or 1,6-naphthylene. The nitrogen-containing heterocyclic compound according to claim 1 or 2, which is selected from a group. 上記式(1)中、RIn the above formula (1), R 1 が、フェニル基、または、ビフェニリル基である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の含窒素複素環化合物。The nitrogen-containing heterocyclic compound according to any one of claims 1 to 3, wherein is a phenyl group or a biphenylyl group. 上記式(1)中、Lが、1,3−フェニレン基である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の含窒素複素環化合物。The nitrogen-containing heterocyclic compound according to any one of claims 1 to 4, wherein L in the formula (1) is a 1,3-phenylene group. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の含窒素複素環化合物からなることを特徴とする、有機電界発光素子用材料。   An organic electroluminescent element material comprising the nitrogen-containing heterocyclic compound according to any one of claims 1 to 5. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の含窒素複素環化合物、及び有機溶剤を含有することを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。   The composition for organic electroluminescent elements characterized by containing the nitrogen-containing heterocyclic compound as described in any one of Claims 1-5, and an organic solvent. 陽極、陰極及び該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子であって、 該
有機層が、請求項7に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法にて形成された層を含むことを特徴とする、有機電界発光素子
An organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and an organic layer between the anode and the cathode, wherein the organic layer is formed by a wet film formation method using the composition for an organic electroluminescent device according to claim 7. An organic electroluminescent device comprising a layer formed of
上記有機層が、請求項1〜5のいずれか一項に記載の含窒素複素環化合物を含有することを特徴とする、有機電界発光素子。   The said organic layer contains the nitrogen-containing heterocyclic compound as described in any one of Claims 1-5, The organic electroluminescent element characterized by the above-mentioned. 請求項8又は9に記載の有機電界発光素子を備えたことを特徴とする、有機ELディスプレイ。   An organic EL display comprising the organic electroluminescent element according to claim 8. 請求項8又は9に記載の有機電界発光素子を備えたことを特徴とする、有機EL照明。   An organic EL illumination comprising the organic electroluminescence device according to claim 8.
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