JP5624275B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents
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Description
陰極と陽極の間に発光層を含む有機電界発光素子であって、一般式(1)で表される化合物を前記発光層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
〔2〕
前記一般式(1)で表される化合物が下記一般式(2)で表される化合物である〔1〕に記載の有機電界発光素子。
〔3〕
前記一般式(2)で表される化合物が下記一般式(3)で表される化合物である〔1〕に記載の有機電界発光素子。
〔4〕
前記化合物の薄膜状態での励起三重項準位(T1エネルギー)が2.8 eV以上3.5 eV以下である〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔5〕
前記発光層が燐光発光材料を含む〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔6〕
前記燐光発光材料がIr錯体又はPt錯体である〔5〕に記載の有機電界発光素子。
〔7〕
前記燐光発光材料が3座以上の配位子を含むPt錯体である〔6〕に記載の有機電界発光素子。
〔8〕
前記燐光発光材料が下記一般式(4)で表されるPt錯体である〔6〕に記載の有機電界発光素子。
〔9〕
前記燐光発光材料の極大発光波長が500nm以下である〔5〕〜〔8〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
一般式(1)で表される化合物は、化学的安定性やキャリア輸送能が高く、T1が大きい構造であり、発光層に用いることができる。
また、発光層ホスト材料には発光材料より大きなエネルギーギャップ(燐光素子の場合には励起三重項準位(T1エネルギー))を有する材料を用いないと発光材料からホスト材料へのエネルギー移動が起き、低効率、低耐久性等を引き起こす。ホスト材料のエネルギーギャップが発光材料のエネルギーギャップより大きい場合も、その差が小さいと一部逆エネルギー移動が起こり、やはり低効率、低耐久性の原因となる。したがって、エネルギーギャップの大きな発光材料を用いる場合ほどエネルギーギャップの大きなホスト材料が必要となる。エネルギーギャップは燐光>蛍光,青>緑>赤だから、短波長(青色)の燐光素子の場合に最もエネルギーギャップ(T1)の大きなホスト材料が必要となる。組み合わせる発光材料にもよるが、一般式(1)で表されるT1エネルギーは好ましくは2.7〜4.0eVであり、より好ましくは2.8〜3.5であり、特に好ましくは2.9〜3.3である。
なお、本発明において、Ipは、材料の薄膜を大気下光電子分光測定(例えば理研計器AC−1を用いて測定)することにより測定された値を意味する。T1エネルギーは、材料の薄膜の燐光発光スペクトルを測定し、その短波長端から求めることができる。例えば、洗浄した石英ガラス基板上に、材料を真空蒸着法により約50nmの膜厚に成膜し、薄膜の燐光発光スペクトルを液体窒素温度下でF−7000日立分光蛍光光度計(日立ハイテクノロジーズ)を用いて測定する。得られた発光スペクトルの短波長側の立ち上がり波長をエネルギー単位に換算することによりT1エネルギーを求めることができる。
アルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、tert−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばビニル、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニルなどが挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニルなどが挙げられる。)、アリール基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。)、アミノ基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜10であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシなどが挙げられる。)、ヘテロ環オキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。)、アシル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0〜30、より好ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜12であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。)、ヘテロ環チオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。)、スルホニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(芳香族ヘテロ環基も包含し、好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。)、シリルオキシ基(好ましくは炭素数3〜40、より好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3〜24であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。)、ホスホリル基(例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。)が挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としては、以上に説明した置換基群Aから選択される基を挙げることができる。
本発明において、上記アルキル基等の置換基の「炭素数」とは、アルキル基等の置換基が他の置換基によって置換されてもよい場合も含み、当該他の置換基の炭素数も包含する意味で用いる。
結合位に炭素原子を有する置換基(R')としては、置換基群Aで挙げたもののうち結合位が炭素原子のものを挙げることができ、本発明の化合物の化学的安定性、キャリア輸送能、T1エネルギーの観点から、好ましくは、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数6〜18のアリール基、炭素数2〜18のカルバモイル基、シアノ基、炭素数2〜10のヘテロ環基であり、より好ましくは、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数6〜18のアリール基であり、特に好ましくは炭素数1〜18のアルキル基である。
R'、Rがさらに置換基を有する場合の置換基は、前述の置換基群Aが挙げられる。
A2〜A5、A7〜A10、A12〜A17はそれぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表し、置換基を有していてもよく、A2〜A5、A7〜A10、A12〜A17が有していてもよい置換基としては前記置換基群Aとして挙げたものが各々独立に適用できる。
一般式(2)において、RおよびR'の定義は前述の一般式(1)で述べたものと同様であり、好ましい範囲も同様である。R' n'は、特に好ましくは2である。
mは、好ましくは0〜3であり、より好ましくは0〜2であり、特に好ましくは0〜1である。
本発明の化合物の化学的安定性、キャリア輸送能、T1エネルギーの観点から、A17〜A40のうち、窒素原子の数は0〜10個であることが好ましく、0〜5個であることが好ましく、0〜2個であることがさらに好ましい。
具体的には一般式(3)において、化学的安定性、キャリア輸送能、T1エネルギーの観点から、Rとしては、好ましくは、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数6〜18のアリール基、炭素数2〜12のアミノ基、炭素数1〜18のアルコキシ基、炭素数6〜18のアリールオキシ基、炭素数2〜10のヘテロ環オキシ基、炭素数1〜18のアシル基、炭素数1〜18のアシルアミノ基、炭素数1〜18のスルホニルアミノ基、炭素数2〜18のスルファモイル基、炭素数2〜18のカルバモイル基、炭素数1〜18のアルキルチオ基、炭素数2〜10のヘテロ環チオ基、炭素数1〜18のスルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数2〜10のヘテロ環基、炭素数3〜18のシリル基、炭素数3〜18のシリルオキシ基、炭素数1〜18のホスホリル基であり、より好ましくは、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数6〜18のアリール基、炭素数2〜12のアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数2〜10のヘテロ環基、炭素数3〜18のシリル基、炭素数1〜18のホスホリル基であり、特に好ましくは炭素数1〜18のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数3〜18のシリル基である。
R''における結合位にsp3炭素原子を有する置換基としては、好ましくは、炭素数1〜18のアルキル基であり、より好ましくは、炭素数1〜6のアルキル基であり、特に好ましくはメチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基のいずれかである。
R、R''がさらに置換基を有する場合の置換基は、前述の置換基群Aが挙げられる。
mは、好ましくは0〜3であり、より好ましくは0〜2であり、特に好ましくは0〜1である。
N−アリール化の方法としてはPd触媒を用いた方法やCu系触媒を用いた方法が主に知られている(例えばAngew.Chem.Int.Ed.,2003,42,5400.参照)。しかし、オルト位に置換基を有するトリアリールアミン材料の合成はオルト置換基の立体障害のため反応が進行しにくく、Cu系触媒を用いた高温反応(ウルマンカップリング反応)により合成することが好ましい。反応温度は140℃以上であることが好ましく、160℃以上であることがより好ましく、180℃以上であることがさらに好ましい。本発明の化合物の代表的な合成方法を下記に示す。
本発明の有機電界発光素子は陰極と陽極の間に発光層を含む有機電界発光素子であって、一般式(1)で表される化合物を前記発光層に含有する。
発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
尚、各層は複数の層に分かれていてもよい。
(基板)
本発明で使用する基板としては、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。
(陽極)
陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。
(陰極)
陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
(有機層)
本発明の有機EL素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機層を有しており、発光層以外の他の有機層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
(発光層)
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における発光材料としては、燐光性発光材料、蛍光性発光材料等いずれも用いることができる。
本発明における発光層は、色純度を向上させるためや発光波長領域を広げるために2種類以上の発光材料を含有することができる。発光材料の少なくとも一種が燐光発光材料であることが好ましい。
本発明における発光材料は、更に前記ホスト材料との間で、1.2eV>△Ip>0.2eV、及び/又は1.2eV>△Ea>0.2eVの関係を満たすことが駆動耐久性の観点で好ましい。ここで、△Ipは、ホスト材料と発光材料のIp値の差を、△Eaはホスト材料と発光材料のEa値の差を意味する。
前記発光材料の少なくとも一種が白金錯体又はイリジウム錯体であることが好ましい。
蛍光発光材料、燐光発光材料については、例えば、特開2008−270736、特開2007−266458に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
窒素原子の位置は、X1、X2、X3およびX4のいずれでもよいが、X2またはX3が窒素原子であることが好ましく、X3が窒素原子であることがより好ましい。
一般式(1)中、2つの炭素原子、X1、X2、X3およびX4から形成される6員環としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環は挙げられ、より好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、特に好ましくはピリジン環である。X1、X2、X3およびX4から形成される6員環が、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環(特に好ましくはピリジン環)であることにより、ベンゼン環と比較して、金属−炭素結合を形成する位置に存在する水素原子の酸性度が向上する為、より金属錯体を形成しやすくなるため、有利である。
X5、X6、X7、X8、X9及びX10がさらに置換可能な場合は各々独立に置換基を有していてもよい。X5、X6、X7、X8、X9及びX10が置換基を有する場合、その置換基としては、上記置換基群Aに表される置換基が挙げられる。その好ましい置換基としては、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、アルキル基、ジアルキルアミノ基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。
X13、X14及びX15は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、または硫黄原子を表し、好ましくは、炭素原子又は窒素原子である。
X11、X12、X13、X14及びX15により表される5員環骨格に含まれる窒素原子の数は、2以下(0、1、または2)であり、1または2が好ましく、2がより好ましい。
X11、X12、X13、X14及びX15がさらに置換可能な場合は各々独立に置換基を有していてもよい。X11、X12、X13、X14及びX15が置換基を有している場合、その置換基としては、上記置換基群Aに表される置換基が挙げられる。その好ましい置換基としては、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、アルキル基、シアノ基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。
Lとして好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、イミノ基、オキシ基、チオ基、シリレン基であり、より好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、イミノ基であり、さらに好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基であり、さらに好ましくは、単結合、メチレン基、フェニレン基であり、さらに好ましくは単結合、ジ置換のメチレン基であり、さらに好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジエチルメチレン基、ジイソブチルメチレン基、ジベンジルメチレン基、エチルメチルメチ
レン基、メチルプロピルメチレン基、イソブチルメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、メチルフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基、シクロペンタンジイル基、フルオレンジイル基、フルオロメチルメチレン基であり、特に好ましくは単結合、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基、シクロヘキサンジイル基であり、最も好ましくはジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基である。
下記に二価の連結基の具体例を示すが、これらに限定されることはない。
X94及びX95がさらに置換可能な場合は各々独立に置換基を有していてもよい。X94及びX95が置換基を有する場合、その置換基としては、上記置換基群Aに表される置換基が挙げられる。その好ましい置換基としては、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、フッ素原子、更に好ましくは、アルキル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して、縮環構造を形成してもよい。
高分子量化合物の場合はホモポリマーであってもよいし、他のポリマーとの共重合体であってもよく、共重合体である場合はランダム共重合体であっても、ブロック共重合体であってもよい。更に共重合体の場合、発光機能を有する化合物および/または電荷輸送機能を有する化合物をポリマー内に有してもよい。
本発明に用いられるホスト材料としては、本発明の化合物の他、例えば、以下の材料を挙げることができる。
ホスト材料は電荷輸送材料及びホール輸送性材料を挙げることができ、電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は1種であっても2種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。
ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、8−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体及びそれらの誘導体(置換基や縮環を有していてもよい)等を挙げることができる。
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる正孔注入材料、正孔輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、イリジウム錯体等の各種金属錯体等を含有する層であることが好ましい。
この他にも、特開平6−212153、特開平11−111463、特開平11−251067、特開2000−196140、特開2000−286054、特開2000−315580、特開2001−102175、特開2001−160493、特開2002−252085、特開2002−56985、特開2003−157981、特開2003−217862、特開2003−229278、特開2004−342614、特開2005−72012、特開2005−166637、特開2005−209643等に記載の化合物を好適に用いることが出来る。
正孔輸送層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、0.1nm〜200nmであるのが好ましく、0.5nm〜100nmであるのがより好ましく、1nm〜100nmであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、本発明の化合物の他、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
この他にも、特開平6−212153、特開2000−196140、特開2003−68468、特開2003−229278、特開2004−342614等に記載の材料を用いることが出来る。
電子輸送層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、0.1nm〜200nmであるのが好ましく、0.2nm〜100nmであるのがより好ましく、0.5nm〜50nmであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する化合物の例としては、アルミニウム(III)ビス(2-メチル-8-キノリナト)4-フェニルフェノラート(Alminum(III)bis(2-methyl-8-quinolinato) 4−phenylphenolate(略号BAlq))等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(2,9−dimethyl−4,7−diphenyl−1,10−phenanthroline(略号:BCP))等のフェナントロリン誘導体等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、1nm〜500nmであるのが好ましく、5nm〜200nmであるのがより好ましく、10nm〜100nmであるのが更に好ましい。
電子ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
本発明において、有機EL素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
保護層については、例えば、特開2008−270736、特開2007−266458に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
本発明の有機EL素子は、発光効率を向上させるため、複数の発光層の間に電荷発生層が設けた構成をとることができる。
前記電荷発生層は、電界印加時に電荷(正孔及び電子)を発生する機能を有すると共に、発生した電荷を電荷発生層と隣接する層に注入させる機能を有する層である。
電荷発生層については、例えば、特開平11−329748や、特開2003−272860や、特開2004−39617に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。
さらに、本発明の素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
本発明の素子の駆動方法については、特開平2−148687号、同6−301355号、同5−29080号、同7−134558号、同8−234685号、同8−241047号の各公報、特許第2784615号、米国特許5828429号、同6023308号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
(例示化合物1の合成)
1H NMR δ(300MHz, CDCl3) =7.15(d,2H), 7.08-6.97(m,8H), 6.95-6.89(m,3H), 6.74-6.66(m,4H), 6.52(d,2H), 1.94(s,3H), 1.81(s,3H), 1.50(s,3H)ppm.
素子作製用には昇華精製したサンプルを用いた。HPLC純度100.0 %。
(a) イオン化ポテンシャル(Ip)
Ipは光電子分光装置(AC-1,理研計器製)により測定した。
(b) 電子親和力(Ea)
バンドギャップEgを吸収スペクトルの長波長端から求め、Ea = Ip-Egより求めた。
(c) 励起三重項準位(T1エネルギー)
−196℃で燐光スペクトルを測定し、発光短波長端より求めた。
結果を表1に示す。
〔実施例1〕
[素子1−1の作製]
厚み0.5mm、2.5cm角のITO膜を有するガラス基板(ジオマテック社製、表面抵抗10Ω/□)を洗浄容器に入れ、2−プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV−オゾン処理を行った。この透明陽極(ITO膜)上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
第1層:銅フタロシアニン:膜厚10nm
第2層:NPD:膜厚40nm
第3層:比較化合物1及びD−158(重量比93:7。表2中では、化合物1+7%D−158のように記載する。):膜厚30nm
第4層:BAlq:膜厚30nm
このものを、大気に触れさせること無く、窒素ガスで置換したグローブボックス内に入れ、ガラス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ(株)製)を用いて封止し、有機電界発光素子1−1を得た。用いた化合物の構造を下記に示す。
表2に示す発光層構成を採用したこと以外は、[素子1−1の作製]と同様に各素子を作製した。なお、下記表2中、「本発明の素子1−1」、「本発明の素子1−4」、「本発明の素子1−17」、「本発明の素子1−20」、「本発明の素子1−27」、「本発明の素子1−32」は、順に「参考例の素子1−1」、「参考例の素子1−4」、「参考例の素子1−17」、「参考例の素子1−20」、「参考例の素子1−27」、「参考例の素子1−32」に読み替えるものとする。
表3に示す発光層構成を採用したこと以外は、[素子1−1の作製]と同様に各素子を作製した。なお、下記表3中、「本発明の素子2−1」、「本発明の素子2−5」、「本発明の素子2−20」、「本発明の素子2−27」、「本発明の素子2−32」は、順に「参考例の素子2−1」、「参考例の素子2−5」、「参考例の素子2−20」、「参考例の素子2−27」、「参考例の素子2−32」に読み替えるものとする。
表4に示す発光層構成を採用したこと以外は、[素子1−1の作製]と同様に各素子を作製した。なお、下記表4中、「本発明の素子3−1」、「本発明の素子3−4」、「本発明の素子3−17」、「本発明の素子3−20」、「本発明の素子3−27」、「本発明の素子3−32」は、順に「参考例の素子3−1」、「参考例の素子3−4」、「参考例の素子3−17」、「参考例の素子3−20」、「参考例の素子3−27」、「参考例の素子3−32」に読み替えるものとする。
表5に示す発光層構成を採用したこと以外は、[素子1−1の作製]と同様に各素子を作製した。なお、下記表5中、「本発明の素子4−1」、「本発明の素子4−5」、「本発明の素子4−20」、「本発明の素子4−32」は、順に「参考例の素子4−1」、「参考例の素子4−5」、「参考例の素子4−20」、「参考例の素子4−32」に読み替えるものとする。
表6に示す発光層構成を採用したこと以外は、[素子1−1の作製]と同様に各素子を作製した。なお、下記表6中、「本発明の素子5−1」、「本発明の素子5−27」、「本発明の素子5−32」は、順に「参考例の素子5−1」、「参考例の素子5−27」、「参考例の素子5−32」に読み替えるものとする。
表7に示す発光層構成を採用したこと以外は、[素子1−1の作製]と同様に各素子を作製した。なお、下記表7中、「本発明の素子6−1」、「本発明の素子6−4」、「本発明の素子6−20」、「本発明の素子6−27」は、順に「参考例の素子6−1」、「参考例の素子6−4」、「参考例の素子6−20」、「参考例の素子6−27」に読み替えるものとする。
表8に示す発光層構成を採用したこと以外は、[素子1−1の作製]と同様に各素子を作製した。なお、下記表8中、「本発明の素子7−1」、「本発明の素子7−20」、「本発明の素子7−32」は、順に「参考例の素子7−1」、「参考例の素子7−20」、「参考例の素子7−32」に読み替えるものとする。
表9に示す発光層構成を採用したこと以外は、[素子1−1の作製]と同様に各素子を作製した。なお、下記表9中、「本発明の素子8−1」、「本発明の素子8−20」、「本発明の素子8−32」は、順に「参考例の素子8−1」、「参考例の素子8−20」、「参考例の素子8−32」に読み替えるものとする。
評価項目
(a)相対外部量子効率
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット2400を用いて、直流電圧を各素子に印加し発光させ,その輝度をトプコン社製輝度計BM−8を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は浜松ホトニクス製スペクトルアナライザーPMA−11を用いて測定した。これらを元に輝度が1000cd/m2付近の外部量子効率を輝度換算法により算出し、本発明の素子1-1、2-1、3-1、4-1、5-1、6-1、7-1、8-1及び9-1の値を10として相対値で示した。
(b)相対駆動電圧
各素子を輝度が1000cd/m2になるように直流電圧を印加し発光させ、この時の印加電圧を駆動電圧評価の指標とし、本発明の素子1-1、2-1、3-1、4-1、5-1、6-1、7-1、8-1及び9-1の値を10として相対値で示した。
(c)相対駆動耐久性
各素子を輝度が1000cd/m2になるように直流電圧を印加し発光させ,この時の印加電圧を駆動電圧評価の指標とし、本発明の素子1-1、2-1、3-1、4-1、5-1、6-1、7-1、8-1及び9-1の値を10として相対値で示した。
(d)極大発光波長
各素子を輝度が1000cd/m2になるように直流電圧を印加し発光させ、このときの発光スペクトルから極大発光波長を求めた。
Claims (8)
- 前記化合物の薄膜状態での励起三重項準位(T1エネルギー)が2.8 eV以上3.5eV以下である請求項1または2に記載の有機電界発光素子。
- 前記発光層が燐光発光材料を含む請求項1〜3のいずれかに記載の有機電界発光素子。
- 前記燐光発光材料がIr錯体又はPt錯体である請求項4に記載の有機電界発光素子。
- 前記燐光発光材料が3座以上の配位子を含むPt錯体である請求項5に記載の有機電界発光素子。
- 前記燐光発光材料が下記一般式(4)で表されるPt錯体である請求項5に記載の有機電界発光素子。
- 前記燐光発光材料の極大発光波長が500nm以下である請求項4〜7のいずれかに記載の有機電界発光素子。
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