JP5617276B2

JP5617276B2 - 透明導電性積層体及びその製造方法

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Publication number: JP5617276B2
Application number: JP2010039920A
Authority: JP
Inventors: 淳光櫻井; 小林　裕; 裕小林; 孝幸植垣
Original assignee: Toppan Inc
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2010-02-25
Filing date: 2010-02-25
Publication date: 2014-11-05
Anticipated expiration: 2030-02-25
Also published as: JP2011175900A

Description

本発明は、透明なプラスチック基材上に成膜された酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜を有する透明導電性積層体に関し、導電性、透過率が高く、且つ優れた密着性と耐性を有し、パターン形状が目立たないタッチパネル又はタッチパネルを用いたディスプレイ、特に静電容量式タッチパネルに用いられる透明導電性積層体に関するものである。

従来、可視透過率の高い透明導電膜は液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：ｌｉｑｕｉｄｃｒｙｓｔａｌｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：ｐｌａｓｍａｄｉｓｐｌａｙｐａｎｅｌ）、タッチパネル等に使用されている。これらのディスプレイとタッチパネルは従来のブラウン管（ＣＲＴ：ｃａｔｈｏｄｅｒａｙｔｕｂｅ）ディスプレイに比べて圧倒的に薄く、軽量で、省電力等の多くの利点を有するので、近年、需要が著しく拡大し、主流になっている。

液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイとタッチパネルは光学部品であるため、その中の部材として用いられる透明導電膜には低い電気抵抗、可視光に対する高い透過率と高い耐久性などが要求される。ＩＴＯ膜は、導電性が良好で、しかも可視光波長域での透光性が良好のため、各種のディスプレイ、タッチパネル及び太陽電池の透明電極、熱反射ガラス、防曇、防氷、帯電防止ガラス、電磁シールガラス等に利用されている。ＩＴＯ膜の成膜方法については、マグネトロンスパッタリング法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの方法が工業的に広く用いられている。具体的には、下記特許文献などが提案されている。

特開平６−３２０６６１号公報特開平７−２０７４３９号公報特開平８−１７４７４６号公報特開平８−１９２４９２号公報特開２００３−１６０３６２号公報

特許文献１及び２によれば、マグネトロンスパッタリング法を用いて積層体を作製することによって、可視光域での透過率が高い透明導電膜を作る方法を提案されている。しかし、得られた透明導電薄膜は一定の耐性を持っている一方、上記透明導電膜は基材自身の強度が不十分であり、且つ透明導電膜の密着性と耐久性も不十分であるという欠点がある。

特許文献３及び４では、透明基板の片面あるいは両面に透明硬質な有機物質層によるハードコート層が設けられ、その上に、酸化ケイ素とＩＴＯ透明導電膜を積層する方法が提案されている。この方法から、得られた透明導電膜は密着性と一定の耐性を持っているがタッチパネルへの応用において、上記透明導電膜の耐久性は不十分である。

さらに、特許文献５では、透明ガラス基板の上に、酸化金属層、酸化ケイ素層とＩＴＯ透明導電膜を積層する方法が提案されている。この方法から、得られた透明導電膜は密着性と一定の耐性を有しているが、積層する際に、基板を２００℃以上に加熱することが必要であり、プラスチックへの応用はできない。

また、透明導電性積層体に導電部と非導電部を形成する際、非導電部に積層膜を残すと、基材面やハードコート面に比べ光学特性が不安定であり、再現性が低下するため、光学特性の制御が困難である。

そこで、本発明は前記従来技術の問題点を解決し、フィルムなどの基材に対して透明性が高く、優れた密着性を有し、且つパターン形状が目立たない透明導電性積層体を作製し、ディスプレイあるいはタッチパネル向けとして提供することを目的とする。

上記の課題を解決するための手段として、請求項１に記載の発明は、透明プラスチック基材の一方の面又は両方の面に、ハードコート層、金属酸化物層、酸化ケイ素層及び酸化インジウム・スズ層を前記透明プラスチック基材側から順に設けてなる透明導電性積層体であって、前記金属酸化物層の屈折率が１．７以上２．６以下であり、かつ光学膜厚が５ｎｍ以上２５ｎｍ以下であり、前記金属酸化物層に用いられる材料は酸化ニオブであり、前記酸化ケイ素層の屈折率が１．３以上１．５以下であり、かつ光学膜厚が５０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であり、前記酸化インジウム・スズ層の光学膜厚が３０ｎｍ以上６５ｎｍ以下であることを特徴とする透明導電性積層体である。

また、本発明は、前記透明プラスチック基材の一方の面又は両方の面にハードコート層を設け、前記ハードコート層の膜厚が１μｍ以上８μｍ以下であることを特徴とする透明導電性積層体である。前記ハードコート層に用いられる硬化性樹脂は、紫外線硬化型アクリル系樹脂である。

また、本発明は、全光透過率が８０％以上であり、ヘーズが１％以下であり、シート抵抗が１００Ω／□以上５００Ω／□以下であり、透過色相ａ＊及びｂ＊がそれぞれ−３．０以上３．０以下（色彩計算：２°、視野Ｄ６５光源）であることを特徴とする透明導電性積層体である。

また、本発明は、前記透明導電性積層体が、前記酸化インジウム・スズ層表面で構成される導電部と、前記透明プラスチック基材表面又は前記ハードコート層表面で構成される非導電部とを有することを特徴とする透明導電性積層体である。

また、本発明は、前記導電部と前記非導電部との透過率の差及び反射率の差が、それぞれ−１．０％以上１．０％以下であり、前記導電部と前記非導電部との透過色差ΔＥ＊ａｂ（Ｔ）及び反射色差ΔＥ＊ａｂ（Ｒ）が、それぞれ−５．０以上５．０以下であることを特徴とする透明導電性積層体である。

また、本発明は、本発明に記載の透明導電性積層体を用いることを特徴とするタッチパネル又はディスプレイである。

また、本発明は、透明プラスチック基材の一方の面又は両方の面に、光学膜厚が５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である金属酸化物層、及び光学膜厚が５０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である酸化ケイ素層を、前記透明プラスチック基材側から順にマグネトロンスパッタリング法にて形成する工程と、前記酸化ケイ素層の表面に、光学膜厚が３０ｎｍ以上６５ｎｍ以下である酸化インジウム・スズ層を、酸化スズの含量が２ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下のターゲットを用いてマグネトロンスパッタリング法にてこの順に形成する工程と、前記酸化インジウム・スズ層の表面をパターニングして非導電部を形成する工程とを備えることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法である。

また、本発明は、前記透明プラスチック基材の一方の面又は両方の面に、膜厚が１μｍ以上８μｍ以下であるハードコート層を形成する工程を含むことを特徴とする透明導電性積層体の製造方法である。

また、本発明は、前記非導電部が、前記透明プラスチック基材表面又は前記ハードコート層表面で構成されることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法である。

本発明の透明導電性積層体は、透明性が高く各層間で優れた密着性を持つ。また、透明導電性積層体に基材面もしくはハードコート面で構成された非導電部をパターニングすることで、光学特性の再現性に優れ、前記のパターニングされた透明導電性積層体を静電容量式タッチパネルとして用いた場合、そのパターン形状が目立つことのない視認性に優れたタッチパネルを得ることができる。

本発明の透明導電性積層体の第１の実施形態の断面説明図である。本発明の透明導電性積層体の第２の実施形態の断面説明図である。本発明の透明導電性積層体の第３の実施形態の断面説明図である。本発明の透明導電性積層体の第４の実施形態の断面説明図である。本発明の透明導電性積層体の第５の実施形態の断面説明図である。

図１は、本発明の透明導電性積層体の第１の実施形態の断面説明図である。本発明の透明導電性積層体１０は、透明プラスチック基材１１の一方の面に、金属酸化物層１３、酸化ケイ素層１４及び酸化インジウム・スズ層１５を透明プラスチック基材１１側から順に設けた構成をとる。

本発明の透明プラスチック基材１１として、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、セルロースおよびこれらの共重合樹脂、ゼラチン、カゼインなどの有機天然化合物などから、合成した透明な基板が例示できる。詳しい例として、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン、トリアセテート（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファンなどが、好ましくはＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＴＡＣなどが挙げられるが、この限りではない。

本発明では、透明プラスチック基材として、特に上記のポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、トリアセテート（ＴＡＣ）などを利用できる。しかし、上記透明基板の機械的な強度が不十分なため、その上に成膜した製品は機械的な強度が不十分である。この問題を解決するために、図２から５のように、透明プラスチック基材と金属酸化物層との間に第１のハードコート層２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａを挿入することができる。ハードコート層は、透明プラスチック基材の表面に１層のみ設けてもよいが、さらに、透明プラスチック基材の強度を増加した時に発生するカールを抑制するために、透明プラスチック基材の裏面に第２のハードコート層２２ｂ、３２ｂ、４２ｂ、５２ｂを挿入することも可能である。

本発明の第１のハードコート層と第２のハードコート層の膜厚については、１μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。膜厚が薄いとハードコート層の性能が出にくい。膜厚が厚いとハードコート層の性能が出やすいが、クラック発生の可能性が高くなる。そして、第１のハードコート層の膜厚と第２のハードコート層の膜厚の調整することにより、得られた透明導電薄膜積層体の表裏の応力が対称となるべく調整することができる。

本発明のハードコート層に用いられる硬化性樹脂には、電離放射線や紫外線照射により硬化する硬化性樹脂や熱硬化性の樹脂が挙げられる。具体的には、紫外線硬化型であるアクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類等のアクリル系や、有機珪素系の樹脂、熱硬化型のポリシロキサン樹脂等が好適である。以上の樹脂が挙げられるが、この限りではない。

ハードコート層の形成方法は、主成分である樹脂と紫外線を吸収する材料を溶剤に溶解させ、ダイコーター、カーテンフローコーター、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、スピンコーター、マイクログラビアコーターなどの公知の塗布方法で形成する。

本発明の金属酸化物層１３は、高屈折率の金属酸化物層である。金属酸化物層に用いられる材料としては、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_５、ＳｎＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５等が挙げられるが、この限りではない。

金属酸化物層の屈折率は、透明プラスチック基材とハードコート層の屈折率が１．５以上１．７以下であるため、１．７以上２．６以下であることが好ましい。この範囲にすることで、ハードコート層の屈折率より高いので、高屈折率材料として用いることができる。

また、金属酸化物層の光学膜厚は、５ｎｍ以上２５ｎｍ以下であることが好ましい。この範囲にすることで、得られたパターン形状が目立つことのない視認性を持っている。なお、光学膜厚は、金属酸化物の屈折率をｎ、膜厚をｄとしたときに、ｎｄで表される。

本発明の酸化ケイ素層１４は、低屈折率の金属酸化物層であり、ＳｉＯｘで表される。ここで、ｘは酸素原子の数である。酸化ケイ素層の屈折率は、１．３以上１．５以下であることが好ましい。この範囲にすることで、得られた酸化ケイ素層の屈折率が低いので、低屈折率材料として用いることができる。ここで、酸化ケイ素層の屈折率は、酸素原子の数ｘで調整することができ、その値は１．５以上２．０以下であることが好ましい。

また、酸化ケイ素層の光学膜厚は、５０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であることが好ましい。この範囲にすることで、得られたパターン形状が目立つことのない視認性を持っている。

本発明の金属酸化物層及び酸化ケイ素層は、屈折率及び光学膜厚をそれぞれ上記範囲に調整することにより、所望の光学特性を有する透明導電性積層体を得ることができる。具体的には、後述するように、透明性が高く、ヘーズの値が小さく、かつ視認性が良好な透明導電性積層体を得ることができる。そして、本発明の透明導電性積層体は酸化インジウム・スズ層自身の特有な黄色味を軽減することができる。

また、本発明の金属酸化物層及び酸化ケイ素層の作用としては、単純な光学調整だけではなく、密着性改善作用もある。金属酸化物層及び酸化ケイ素層を成膜することによって、酸化インジウム・スズ層との親和性が良くなり、透明導電性積層体の密着性を改善することができる。

本発明の金属酸化物層及び酸化ケイ素層は、図１のように、透明プラスチック基材の一方の面のみに設けてもよく、また、透明プラスチック基材の両方の面に設けてもよい。また、透明プラスチック基材の一方の面にハードコート層を設ける場合は、図２または４のように、ハードコート層表面に金属酸化物層２３、４３及び酸化ケイ素層２４、４４を順に設けることができる。また、透明プラスチック基材の両方の面にハードコート層を設ける場合は、図３または５のように、第１のハードコート層表面に第１の金属酸化物層３３ａ、５３ａ及び第１の酸化ケイ素層３４ａ、５４ａを、第２のハードコート層表面に第２の金属酸化物層３３ｂ、５３ｂ及び第２の酸化ケイ素層３４ｂ、５４ｂを、それぞれ順に設けることができる。

本発明の積層膜の成膜方法としては、膜の特性を得るために、気相成膜が好ましい。気相成膜方法には、マグネトロンスパッタリング法や、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの物理真空蒸着法（ＰＶＤ）と化学気相成長法（ＣＶＤ）がある。この中で、マグネトロンスパッタリング法が特に好ましい。

本発明の酸化インジウム・スズ層は１５、酸化スズの含量が２ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下のターゲットを用いて成膜することが好ましい。酸化スズの含量が２ｗｔ％より少なくなるとキャリア密度が低すぎで、導電性能が著しく落ちる。酸化スズの含量が１５ｗｔ％より多くなると酸化インジウム・スズ層の構造が変化し、導電性能も悪くなる。

酸化インジウム・スズ層の光学膜厚が３０ｎｍ以上６５ｎｍ以下であることが好ましい。３０ｎｍより薄い場合、膜厚が薄く性能が出られない。また、６５ｎｍより厚いと得られた膜の透過率は低下し、光学特性が低下する。

本発明の酸化インジウム・スズ層は、図１から３のように、酸化ケイ素層の表面に設けられる。また、図４又は５のように、パターンを形成して、酸化インジウム・スズ層表面で構成される導電部４６、５６ａ、５６ｂと、ハードコート層表面で構成される非導電部４７、５７ａ、５７ｂを設けてもよい。なお、ハードコート層があっても、非導電部が透明プラスチック機材表面で構成されてもよい。このように、酸化インジウム・スズ層だけでなく、金属酸化物層及び酸化ケイ素層も含めてパターニングすることにより、安定した光学特性が得られ、光学特性の制御を容易に行うことができる。

非導電部形成の具体的な方法としては、透明導電性積層体表面にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法やナノインプリント法などの加工技術を用いてパターンを形成後、酸化インジウム・スズ層が非晶質の場合は、水酸化ナトリウム水溶液を用いて透明導電性積層体のエッチングを行う。もしくは、積層膜の各層それぞれに合ったエッチャントを用いてエッチングを行うことも可能であるが、この限りではない。

本発明の透明導電性積層体は、全光透過率が８０％以上であり、ヘーズが１％以下であり、シート抵抗が１００Ω／□以上５００Ω／□以下であり、且つ透過色相ａ＊及びｂ＊が−３．０以上３．０以下（色彩計算：２°、視野Ｄ６５光源）を満たすため、優れた光学特性を有する透明導電性積層体を作製することができる。

透明導電性積層体に形成したパターン形状が目立たないための一番理想的な条件は、導電部と非導電部の透過率の差と反射率の差が０になっていることである。本発明では、図４又は５に記載の透明導電性積層体に、導電部と非導電部とを形成するパターニング後、導電部と非導電部の透過率の差と反射率の差が、それぞれ−１．０％以上１．０％以下であることを特徴とする。そして、導電部と非導電部の透過色差ΔＥ＊ａｂ（Ｔ）と反射色差ΔＥ＊ａｂ（Ｒ）はそれぞれ−５．０以上５．０以下であることを特徴とする。これらの範囲を満たすことにより、得られた透明導電性積層体に形成したパターンの形状がほぼ目立たない状態になる。

本発明の応用範囲は、透明導電薄膜積層体を用いることを特徴とするタッチパネルなどである。本発明で作製した透明導電性積層体は、シート抵抗が低く、密着性が良く、透過率が高く、パターン形状を目立たないなどの特徴を持っているために、帯電防止フィルム、静電容量式タッチパネルなどへの応用が可能である。

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。

＜実施例１＞
紫外線硬化型アクリル系樹脂であるユニディックＶ−９５００（ＤＩＣ社製）を用いて、１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）両面に、ハードコート層（ＨＣ（１）及びＨＣ（２））をマイクログラビアコーターにより塗工した。得られたハードコート層の膜厚は、ＨＣ（１）、ＨＣ（２）ともに３μｍである。マグネトロンスパッタリング法にて、この１９４μｍ厚のＨＣ（１）／ＰＥＴ／ＨＣ（２）フィルム（両面ハードコート付きＰＥＴフィルム）のＨＣ（１）の表面上に、金属酸化物層である高屈折率酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）と低屈折率酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を順次に積層した。このとき、Ｎｂ_２Ｏ_５層の光学膜厚を１９ｎｍ、ＳｉＯ_２層の光学膜厚を１０２ｎｍとし、Ｎｂ_２Ｏ_５層の屈折率を２．３１、ＳｉＯ_２層の屈折率を１．４６とした。次いで、酸化スズを１０ｗｔ％含有する酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）層を、光学膜厚を４０ｎｍとして成膜した。最後に、フォトリソグラフィ法により、透明導電性積層体をエッチングすることによって得られるハードコート面で構成された非導電部をパターニングした。なお、Ｎｂ_２Ｏ_５層及びＳｉＯ_２層は、成膜時の酸素流量（分圧）を変化させることにより、形成される薄膜の酸素欠損の量を変化させ、屈折率を調整した。また、ＩＴＯ層の成膜時のシート抵抗の制御は、印加電力、成膜時間、酸素流量により調整した。以上により、実施例１の透明導電性積層体を作製した。得られた透明導電性積層体の評価は以下のように行った。

［シート抵抗測定］
三菱化学社製の表面抵抗測定装置ＬｏｒｅｓｔａＨＰ／ＭＣＰ−４１０を用いて抵抗値を４端子法で測定した。

［分光スペクトルの測定］
日立製作所社製の自動分光光度計Ｕ−４０００を用い、Ｄ６５、２度視野の条件下で、薄膜面について入射角５°における分光スペクトルを測定した。

［全光透過率とヘーズの測定］
ＮｉｐｐｏｎＤＥＮＳＨＯＫＵ社製のＮＤＨ２０００ヘーズメーターを使用して測定した。

［耐湿熱密着性の測定］
アニール後、得られた透明導電性積層体を、６０℃、９５％ＲＨの環境下で、２０日間放置した。その後、ガラス基板の上に両面テープで張り付け、透明導電性積層体の上から、ナイフで碁盤の目状に１００個の切り込みを入れて、セロハン粘着テープを強く張り付けた後、９０°方向に急速に剥し、透明導電薄膜の剥離の有無を調べた。１００目のうち、剥離しない目の数をＸで表示した。すなわち、剥離箇所がある場合はＸ／１００、剥離箇所が無い場合は１００／１００と示される。

＜比較例１＞
紫外線硬化型アクリル系樹脂であるユニディックＶ−９５００（ＤＩＣ社製）を用いて、１８８μｍのＰＥＴ両面に（ＨＣ（１）及びＨＣ（２））をマイクログラビアコーターにより塗工した。得られたハードコート層の膜厚は、ＨＣ（１）、ＨＣ（２）ともに３μｍである。マグネトロンスパッタリング法にて、ＨＣ（１）の表面に、酸化スズを１０ｗｔ％含有する酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）層を、光学膜厚を４０ｎｍとして成膜した。以上により、比較例１の透明導電性薄膜を作製した。得られた透明導電性積層体の評価は実施例１と同様の方法で行った。

実施例１及び比較例１についての評価結果を表１に示す。なお、表１に記載の符号は以下のようである。透過Ｙは視感度平均透過率、反射Ｙは視感度平均反射率、Ｌ＊は明度、ａ＊及びｂ＊は色度、ΔＥ＊ａｂは色差である。
ΔＥ＊ａｂ＝〔（ΔＥ＊）２＋（Δａ＊）２＋（Δｂ＊）２〕１／２

表１の通り、実施例１で得られた透明導電性積層体は、シート抵抗、全光線透過率、ヘーズ、透過色相ａ＊、ｂ＊、反射色相ａ＊及びｂ＊、導電部と非導電部の透過率の差、反射率の差、透過色差ΔＥ＊ａｂ（Ｔ）及び反射色差ΔＥ＊ａｂ（Ｒ）が所望の範囲内であり、優れた光学特性を持つ透明導電性積層体を得ることができた。また、耐湿熱密着性も問題なく、両方とも１００／１００であった。

一方、比較例１で得られた透明導電性積層体は、導電部と非導電部の透過率の差、反射率の差、透過色相差ΔＥ＊ａｂ（Ｔ）及び反射色差ΔＥ＊ａｂ（Ｒ）が所望の範囲から外れ、耐湿熱密着性が実施例よりも劣る結果となった。このため、比較例１で得られた透明導電性積層体は、光学特性が劣り、酸化インジウム・スズ層自身特有の黄色味が目立った。

実施例１と比較例１を比較すると、本発明の透明導電性積層体は優れた光学特性を持ち、パターン形状が目立たないため、静電容量式タッチパネルなどへの応用が可能であることが確認された。

本発明ではフィルムなどのプラスチック基材に対して透明性が高く、優れた密着性を持ち、且パターン形状を目立たない透明導電性積層体を作製とすることがでた。得られたＩＴＯ透明導電性積層体は静電容量タイプタッチパネル等に応用することが十分可能である。

１０、２０、３０、４０、５０・・・透明導電性積層体
１１、２１、３１、４１、５１・・・透明プラスチック基材
２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ・・・第１のハードコート層
２２ｂ、３２ｂ、４２ｂ、５２ｂ・・・第２のハードコート層
１３、２３、４３・・・金属酸化物層
３３ａ、５３ａ・・・第１の金属酸化物層
３３ｂ、５３ｂ・・・第２の金属酸化物層
１４、２４、４４・・・酸化ケイ素層
３４ａ、５４ａ・・・第１の酸化ケイ素層
３４ｂ、５４ｂ・・・第２の酸化ケイ素層
１５、２５、４５・・・酸化インジウム・スズ層
３５ａ、５５ａ・・・第１の酸化インジウム・スズ層
３５ｂ、５５ｂ・・・第２の酸化インジウム・スズ層
４６・・・導電部
５６ａ・・・第１の導電部
５６ｂ・・・第２の導電部
４７・・・非導電部
５７ａ・・・第１の非導電部
５７ｂ・・・第２の非導電部

Claims

透明プラスチック基材の一方の面又は両方の面に、ハードコート層、金属酸化物層、酸化ケイ素層及び酸化インジウム・スズ層を前記透明プラスチック基材側から順に設けてなる透明導電性積層体であって、
前記金属酸化物層の屈折率が１．７以上２．６以下であり、かつ光学膜厚が５ｎｍ以上２５ｎｍ以下であり、前記金属酸化物層に用いられる材料は酸化ニオブであり、
前記酸化ケイ素層の屈折率が１．３以上１．５以下であり、かつ光学膜厚が５０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であり、
前記酸化インジウム・スズ層の光学膜厚が３０ｎｍ以上６５ｎｍ以下であり、
前記ハードコート層の膜厚が１μｍ以上８μｍ以下であり、
前記ハードコート層に用いられる硬化性樹脂は、紫外線硬化型アクリル系樹脂であり、
前記透明導電性積層体が、全光透過率が８０％以上であり、ヘーズが１％以下であり、シート抵抗が１００Ω／□以上５００Ω／□以下であり、透過色相ａ＊及びｂ＊がそれぞれ−３．０以上３．０以下（色彩計算：２°、視野Ｄ６５光源）
であることを特徴とする透明導電性積層体。
前記透明導電性積層体が、前記酸化インジウム・スズ層表面で構成される導電部と、前記透明プラスチック基材表面又は前記ハードコート層表面で構成される非導電部とを有することを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体。
前記導電部と前記非導電部との透過率の差及び反射率の差が、それぞれ−１．０％以上１．０％以下であり、前記導電部と前記非導電部との透過色差ΔＥ＊ａｂ（Ｔ）及び反射色差ΔＥ＊ａｂ（Ｒ）が、それぞれ−５．０以上５．０以下であることを特徴とする請求項２に記載の透明導電性積層体。
請求項１から３のいずれかに記載の透明導電性積層体を用いることを特徴とするタッチパネル又はディスプレイ。