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JP5682280B2 - Manufacturing method of semiconductor element sealing body and manufacturing method of semiconductor package - Google Patents

Manufacturing method of semiconductor element sealing body and manufacturing method of semiconductor package Download PDF

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JP5682280B2 JP2010277521A JP2010277521A JP5682280B2 JP 5682280 B2 JP5682280 B2 JP 5682280B2 JP 2010277521 A JP2010277521 A JP 2010277521A JP 2010277521 A JP2010277521 A JP 2010277521A JP 5682280 B2 JP5682280 B2 JP 5682280B2
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Description

本発明は、半導体素子封止体の製造方法および半導体パッケージの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a sealed semiconductor element and a method for manufacturing a semiconductor package.

近年のエレクトロニクス産業の著しい発展に伴い、トランジスタ、IC、LSI、超LSIへと、半導体素子における回路の集積度は急激に増大している。このため、半導体素子の大きさも、従来長辺が数mm程度だったものが10数mmへと飛躍的に増大している。また、半導体素子の高速化のため外部と電気的に接合するピンの数も200ピンを越えるようになってきている。   With the remarkable development of the electronics industry in recent years, the degree of circuit integration in semiconductor elements has rapidly increased to transistors, ICs, LSIs, and super LSIs. For this reason, the size of the semiconductor element has been drastically increased from a long side of about several millimeters to a few ten millimeters. In addition, the number of pins that are electrically connected to the outside has exceeded 200 pins in order to increase the speed of semiconductor devices.

また、半導体装置の実装においても、より高密度化、より薄型化が一段と加速され、その結果、半導体製品自体もQFP(Quad Flat Package)等に代表される従来型のパッケージだけでなく、BGA(Ball Grid Array)等の面実装タイプのパッケージが出現し、パッケージのより薄型化が進んでいる。   Also, in the mounting of semiconductor devices, higher density and thinner are further accelerated. As a result, the semiconductor product itself is not only a conventional package represented by QFP (Quad Flat Package) but also BGA ( Surface mount type packages such as Ball Grid Array) have appeared, and the thickness of the package has been further reduced.

さらに、面実装タイプのパッケージが占有する面積を増加させずに、半導体装置の高密度化を図るために、2つ以上の面実装タイプのパッケージを積層するPOP(Package On Package)型の半導体装置が提案されている。   Further, in order to increase the density of the semiconductor device without increasing the area occupied by the surface mount type package, a POP (Package On Package) type semiconductor device in which two or more surface mount type packages are stacked is used. Has been proposed.

このような面実装タイプのパッケージを、一括して複数製造する方法として、例えば、以下に示すような、半導体素子をウエハー・レベル・パッケージ(WLP)に封止して埋め込む基板技術(EWLP;Embedded Wafer Level Package)が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。   As a method for manufacturing a plurality of such surface-mount type packages at once, for example, as shown below, a substrate technology (EWLP; Embedded) in which a semiconductor element is sealed and embedded in a wafer level package (WLP). Wafer Level Package) has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

まず、図11(a)に示すように、上面に接着層102が設けられたダミー基板101を用意し、接着層102を介してダミー基板101上に、複数の半導体素子616を、このものが有する電極パッド(図示せず)がダミー基板101側となるように載置する。   First, as shown in FIG. 11A, a dummy substrate 101 having an adhesive layer 102 provided on the upper surface is prepared, and a plurality of semiconductor elements 616 are formed on the dummy substrate 101 with the adhesive layer 102 interposed therebetween. The electrode pads (not shown) are placed so as to be on the dummy substrate 101 side.

次に、図11(b)に示すように、ダミー基板101上に載置された半導体素子616を覆うように封止部617で封止する。   Next, as shown in FIG. 11B, sealing is performed by a sealing portion 617 so as to cover the semiconductor element 616 placed on the dummy substrate 101.

次に、接着層102に加熱等の処理を施すことによりその接着力を低下させて、図11(c)に示すように、半導体素子616および封止部617からダミー基板101を取り除くことにより、一方の面側から半導体素子616が露出した状態で封止部617により封止された封止体610を得る(図11(d)参照。)。   Next, the adhesive layer 102 is subjected to a treatment such as heating to reduce its adhesive force, and the dummy substrate 101 is removed from the semiconductor element 616 and the sealing portion 617 as shown in FIG. A sealing body 610 sealed with a sealing portion 617 is obtained in a state where the semiconductor element 616 is exposed from one surface side (see FIG. 11D).

次に、図12(a)に示すように、半導体素子616が備える電極パッドが露出するように、封止体610の半導体素子616が露出する側の面に、貫通孔625を有する第1の被覆層615を形成する。   Next, as illustrated in FIG. 12A, a first hole having a through hole 625 on the surface of the sealing body 610 where the semiconductor element 616 is exposed so that the electrode pad included in the semiconductor element 616 is exposed. A covering layer 615 is formed.

次に、図12(b)に示すように、貫通孔625内に、電極パッドと電気的に接続する導体ポスト614を形成した後、この導体ポスト614に電気的に接続された配線613を第1の被覆層615上に形成する。   Next, as shown in FIG. 12B, a conductor post 614 that is electrically connected to the electrode pad is formed in the through hole 625, and then the wiring 613 that is electrically connected to the conductor post 614 is connected to the first electrode 614. 1 coating layer 615 is formed.

次に、図12(c)に示すように、配線613の後述するバンプ611と接続すべき領域が露出するように、第1の被覆層615上に、開口部622を有する第2の被覆層612を形成する。   Next, as shown in FIG. 12C, a second coating layer having an opening 622 on the first coating layer 615 so that a region to be connected to a later-described bump 611 of the wiring 613 is exposed. 612 is formed.

次に、図12(d)に示すように、開口部622に、配線613と電気的に接続するバンプ611を形成するとともに、第1の被覆層615および第2の被覆層612が形成された封止体610をその厚さ方向に切断することにより個片化して、複数のパッケージ600を一括して得る。   Next, as shown in FIG. 12D, bumps 611 that are electrically connected to the wiring 613 are formed in the opening 622, and the first coating layer 615 and the second coating layer 612 are formed. The sealing body 610 is cut into pieces by cutting in the thickness direction, and a plurality of packages 600 are collectively obtained.

以上のようにして、複数のパッケージ(半導体パッケージ)600を一括して製造することができるが、面実装タイプのパッケージを積層するPOP型の半導体装置を得る場合、このパッケージ600の他、POP型の半導体装置において、上側に配置されたパッケージ600のバンプ611と電気的に接続することができる導体柱を、封止部に備えたタイプのパッケージを製造する必要がある。   As described above, a plurality of packages (semiconductor packages) 600 can be manufactured in a lump. However, when obtaining a POP type semiconductor device in which surface mount type packages are stacked, in addition to this package 600, POP type In this semiconductor device, it is necessary to manufacture a package of a type in which a conductive column that can be electrically connected to the bump 611 of the package 600 disposed on the upper side is provided in the sealing portion.

かかる構成のパッケージについても、パッケージ600と同様に、一括して製造することができる製造方法が求められている。   As for the package having such a configuration, like the package 600, there is a demand for a manufacturing method that can be manufactured collectively.

特開2006−287235号公報JP 2006-287235 A

本発明の目的は、半導体素子を備え、上下に電気的接続を確保し得るパッケージを一括して複数製造することが可能であるとともに、前記パッケージを高い信頼性で製造することができる半導体素子封止体の製造方法および半導体パッケージの製造方法を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor element package that can manufacture a plurality of packages each having a semiconductor element and that can ensure electrical connection vertically, and that can manufacture the package with high reliability. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a stationary body and a method for manufacturing a semiconductor package.

このような目的は、下記(1)〜(10)に記載の本発明により達成される。
(1)少なくとも1つの電極パッドを有する複数の半導体素子と、導電性を有する複数の導体柱と、前記半導体素子および前記導体柱を封止する封止部とを有する半導体素子封止体の製造方法であって、
平板状をなすダミー基板を用意し、該ダミー基板上に、前記電極パッドが前記ダミー基板側となるように前記半導体素子を配置するとともに、加熱することで分解し気化する樹脂成分を含有する犠牲層を、前記導体柱を形成すべき位置に該導体柱の形状に対応して形成する半導体素子配置工程と、
前記半導体素子が配置され、かつ前記犠牲層が形成されている側の面に、前記ダミー基板と前記半導体素子と前記犠牲層とを覆うように封止して封止部を形成する封止部形成工程と、
前記封止部、前記半導体素子および前記犠牲層から前記ダミー基板を剥離させる剥離工程と、
前記犠牲層を、加熱することで前記樹脂成分を分解・気化させることにより除去して、前記封止部の前記導体柱を形成すべき位置に、第1の貫通孔を形成した後、該第1の貫通孔に前記導体柱を形成することにより、前記半導体素子封止体を得る導体柱形成工程と
前記導体柱の双方の端部が露出するように、前記封止部の前記導体柱が露出していない側の面を研削および/または研磨する研削・研磨工程とを有することを特徴とする半導体素子封止体の製造方法。
Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to ( 10 ).
(1) Manufacture of a semiconductor element sealing body having a plurality of semiconductor elements having at least one electrode pad, a plurality of conductive pillars having conductivity, and a sealing portion for sealing the semiconductor elements and the conductor pillars A method,
A dummy substrate having a flat plate shape is prepared, and the semiconductor element is arranged on the dummy substrate so that the electrode pad is on the dummy substrate side, and a sacrifice containing a resin component that decomposes and vaporizes by heating. A semiconductor element disposing step of forming a layer corresponding to the shape of the conductor pillar at a position where the conductor pillar is to be formed;
A sealing portion that forms a sealing portion by sealing the dummy substrate, the semiconductor element, and the sacrificial layer on a surface on which the semiconductor element is disposed and the sacrificial layer is formed. Forming process;
A peeling step of peeling the dummy substrate from the sealing portion, the semiconductor element, and the sacrificial layer;
The sacrificial layer is removed by decomposing and vaporizing the resin component by heating to form a first through hole at a position where the conductive column of the sealing portion is to be formed. by forming the conductor post to one through-hole, and the conductor post forming step of obtaining the semiconductor element sealing material,
And a grinding / polishing step of grinding and / or polishing a surface of the sealing portion on which the conductor column is not exposed so that both ends of the conductor column are exposed. Manufacturing method of element sealing body.

)前記半導体素子配置工程において、前記犠牲層は、前記樹脂成分と、活性エネルギー線の照射により活性種を発生する活性剤とを含有する樹脂組成物を含む液状材料を、前記ダミー基板上に供給し乾燥させて薄膜を形成する第1の工程と、
前記犠牲層を形成しない領域に位置する前記薄膜に、前記活性エネルギー線を照射することで、前記樹脂成分の50%重量減少温度を低下させる第2の工程と、
前記薄膜を加熱して、前記領域に位置する前記薄膜に含まれる前記樹脂成分を選択的に分解・気化させることで、前記領域に位置する前記薄膜を除去する第3の工程とを経ることにより形成される上記()に記載の半導体素子封止体の製造方法。
( 2 ) In the semiconductor element arranging step, the sacrificial layer is formed on the dummy substrate with a liquid material containing a resin composition containing the resin component and an activator that generates active species upon irradiation with active energy rays. A first step of forming a thin film by supplying to the substrate and drying;
A second step of lowering the 50% weight loss temperature of the resin component by irradiating the active energy ray to the thin film located in a region where the sacrificial layer is not formed;
By passing through the third step of removing the thin film located in the region by heating the thin film and selectively decomposing and vaporizing the resin component contained in the thin film located in the region. The manufacturing method of the semiconductor element sealing body as described in said ( 1 ) formed.

)前記封止部形成工程において、前記封止部は、顆粒状のエポキシ樹脂組成物を溶融させた状態で、前記ダミー基板、前記半導体素子および前記犠牲層を覆うように、前記半導体素子が配置され、かつ前記犠牲層が形成されている側の面に供給した後、この溶融状態のエポキシ樹脂組成物を圧縮成形することにより形成される上記(1)または(2)に記載の半導体素子封止体の製造方法。 ( 3 ) In the sealing part forming step, the sealing part covers the dummy substrate , the semiconductor element, and the sacrificial layer in a state where the granular epoxy resin composition is melted. The semiconductor according to (1) or (2) , wherein the semiconductor is formed by compressing and molding the molten epoxy resin composition after being supplied to the surface on which the sacrificial layer is formed. Manufacturing method of element sealing body.

)前記導体柱形成工程において、前記導体柱は、電解メッキ法により形成される上記(1)ないし()のいずれかに記載の半導体素子封止体の製造方法。 ( 4 ) The method for manufacturing a sealed semiconductor element according to any one of (1) to ( 3 ), wherein in the conductor pillar forming step, the conductor pillar is formed by an electrolytic plating method.

)複数の第2の貫通孔が形成されたシート材と、該シート材上に配置され少なくとも1つの電極パッドを有する複数の半導体素子と、前記シート材上に配置され導電性を有する複数の導体柱と、前記半導体素子および前記導体柱を封止する封止部とを有する半導体素子封止体の製造方法であって、
平板状をなすシート材を用意し、該シート材上に、前記電極パッドが前記シート材側となるように前記半導体素子を配置するとともに、加熱することで分解し気化する樹脂成分を含有する犠牲層を、前記導体柱を形成すべき位置に該導体柱の形状に対応して形成する半導体素子配置工程と、
前記半導体素子が配置され、かつ前記犠牲層が形成されている側の面に、前記シート材と前記半導体素子と前記犠牲層とを覆うように封止して封止部を形成する封止部形成工程と、
前記電極パッドおよび前記犠牲層に対応するように、前記シート材の厚さ方向に複数の第2の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記犠牲層を、加熱することで前記樹脂成分を分解・気化させることにより除去して、前記封止部の前記導体柱を形成すべき位置に、第1の貫通孔を形成した後、該第1の貫通孔に前記導体柱を形成することにより、前記半導体素子封止体を得る導体柱形成工程と
前記導体柱の双方の端部が露出するように、前記封止部の前記導体柱が露出していない側の面を研削および/または研磨する研削・研磨工程とを有することを特徴とする半導体素子封止体の製造方法。
( 5 ) A sheet material in which a plurality of second through holes are formed, a plurality of semiconductor elements disposed on the sheet material and having at least one electrode pad, and a plurality of conductive elements disposed on the sheet material. A method of manufacturing a semiconductor element sealing body having a conductor pillar and a sealing portion for sealing the semiconductor element and the conductor pillar,
A sacrificial material containing a resin component that is prepared as a flat sheet material, and the semiconductor element is disposed on the sheet material so that the electrode pad is on the sheet material side and is decomposed and vaporized by heating. A semiconductor element disposing step of forming a layer corresponding to the shape of the conductor pillar at a position where the conductor pillar is to be formed;
A sealing portion that forms a sealing portion by sealing the sheet material, the semiconductor element, and the sacrificial layer on a surface on which the semiconductor element is disposed and the sacrificial layer is formed. Forming process;
A through hole forming step of forming a plurality of second through holes in the thickness direction of the sheet material so as to correspond to the electrode pad and the sacrificial layer;
The sacrificial layer is removed by decomposing and vaporizing the resin component by heating to form a first through hole at a position where the conductive column of the sealing portion is to be formed. by forming the conductor post to one through-hole, and the conductor post forming step of obtaining the semiconductor element sealing material,
And a grinding / polishing step of grinding and / or polishing a surface of the sealing portion on which the conductor column is not exposed so that both ends of the conductor column are exposed. Manufacturing method of element sealing body.

)上記(1)ないし()のいずれかに記載の半導体素子封止体の製造方法により製造された半導体素子封止体と、厚さ方向に複数の第2の貫通孔が形成されたシート材とを用意し、各前記第2の貫通孔に前記電極パッドおよび前記導体柱が対応するように、前記半導体素子封止体に前記シート材を貼り合わせるシート材貼り合わせ工程と、
前記第2の貫通孔に導電性を有する導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、
前記シート材の前記半導体素子封止体とは反対の面側に、前記導体ポストに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、
前記半導体素子封止体とは反対側の面に、前記配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、
前記開口部で露出する前記配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、
前記半導体素子毎に対応するように、前記半導体素子封止体を個片化することにより、複数の半導体パッケージを一括して得る個片化工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
( 6 ) A semiconductor element sealing body manufactured by the method for manufacturing a semiconductor element sealing body according to any one of (1) to ( 4 ), and a plurality of second through holes are formed in the thickness direction. A sheet material bonding step of bonding the sheet material to the semiconductor element sealing body so that the electrode pads and the conductor pillars correspond to the second through holes,
A conductor post forming step of forming a conductive post having conductivity in the second through hole;
A wiring forming step of forming a wiring electrically connected to the conductor post on the surface of the sheet material opposite to the semiconductor element sealing body;
A covering portion forming step of forming a covering portion having an opening so that a part of the wiring is exposed on a surface opposite to the semiconductor element sealing body;
The wire exposed at the opening, the bump connecting step of electrically connecting the bumps,
A method for manufacturing a semiconductor package, comprising: a step of individually obtaining a plurality of semiconductor packages by dividing the semiconductor element sealing body into pieces so as to correspond to each semiconductor element. .

)上記()に記載の半導体素子封止体の製造方法により製造された半導体素子封止体を用意し、前記第2の貫通孔に導電性を有する導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、
前記シート材の前記半導体素子封止体とは反対の面側に、前記導体ポストに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、
前記半導体素子封止体とは反対側の面に、前記配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、
前記開口部で露出する前記配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、
前記半導体素子毎に対応するように、前記半導体素子封止体を個片化することにより、複数の半導体パッケージを一括して得る個片化工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
( 7 ) Conductor post formation in which a semiconductor element sealing body manufactured by the method for manufacturing a semiconductor element sealing body according to ( 5 ) is prepared, and a conductive post having conductivity is formed in the second through hole. Process,
A wiring forming step of forming a wiring electrically connected to the conductor post on the surface of the sheet material opposite to the semiconductor element sealing body;
A covering portion forming step of forming a covering portion having an opening so that a part of the wiring is exposed on a surface opposite to the semiconductor element sealing body;
The wire exposed at the opening, the bump connecting step of electrically connecting the bumps,
A method for manufacturing a semiconductor package, comprising: a step of individually obtaining a plurality of semiconductor packages by dividing the semiconductor element sealing body into pieces so as to correspond to each semiconductor element. .

)前記導体ポスト形成工程において、前記導体ポストは、電解メッキ法により形成される上記()または()に記載の半導体パッケージの製造方法。 ( 8 ) In the said conductor post formation process, the said conductor post is a manufacturing method of the semiconductor package as described in said ( 6 ) or ( 7 ) formed by the electrolytic plating method.

)前記配線形成工程において、前記配線は、電解メッキ法により形成される上記()ないし()のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。 ( 9 ) The method of manufacturing a semiconductor package according to any one of ( 6 ) to ( 8 ), wherein in the wiring formation step, the wiring is formed by an electrolytic plating method.

10)前記導体ポストと前記バンプとは、前記シート材の面方向において、異なる位置に形成される上記()ないし()のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。 ( 10 ) The method for manufacturing a semiconductor package according to any one of ( 6 ) to ( 9 ), wherein the conductor post and the bump are formed at different positions in the surface direction of the sheet material.

本発明によれば、半導体素子と、上下での電気的接続が可能となる導体柱を備える半導体パッケージを一括して複数製造することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to manufacture a plurality of semiconductor packages including a semiconductor element and a conductive pillar that can be electrically connected up and down.

さらに、配置する半導体素子を、予め評価試験を行い良品と判断されたものを選定する構成とすることにより、信頼性の高い半導体パッケージを得ることが可能となる。   Furthermore, a highly reliable semiconductor package can be obtained by adopting a configuration in which the semiconductor element to be arranged is selected as a non-defective product by performing an evaluation test in advance.

本発明の半導体パッケージの製造方法により製造された半導体パッケージを備える半導体装置の一例を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows an example of the semiconductor device provided with the semiconductor package manufactured by the manufacturing method of the semiconductor package of this invention. 図1に示す半導体装置が備える各半導体パッケージを示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows each semiconductor package with which the semiconductor device shown in FIG. 1 is provided. 導体柱を有する半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法の第1実施形態を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating 1st Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor package which manufactures the semiconductor package which has a conductor pillar collectively. 導体柱を有する半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法の第1実施形態を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating 1st Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor package which manufactures the semiconductor package which has a conductor pillar collectively. 導体柱を有する半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法の第1実施形態を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating 1st Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor package which manufactures the semiconductor package which has a conductor pillar collectively. 封止部を形成する方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the method of forming a sealing part. 封止部を形成する方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the method of forming a sealing part. 導体柱を有する半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法の第2実施形態を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating 2nd Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor package which manufactures the semiconductor package which has a conductor pillar collectively. 導体柱を有する半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法の第2実施形態を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating 2nd Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor package which manufactures the semiconductor package which has a conductor pillar collectively. 導体柱を有する半導体パッケージを複数一括して製造する半導体パッケージの製造方法の第2実施形態を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating 2nd Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor package which manufactures the semiconductor package which has a conductor pillar collectively. 導体柱を有しない半導体パッケージを複数一括して製造する方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the method to manufacture several semiconductor packages which do not have a conductor pillar collectively. 導体柱を有しない半導体パッケージを複数一括して製造する方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the method to manufacture several semiconductor packages which do not have a conductor pillar collectively.

以下、本発明の半導体素子封止体の製造方法および本発明の半導体パッケージの製造方法を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the semiconductor element sealing body of the present invention and the manufacturing method of the semiconductor package of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

まず、本発明の半導体素子封止体の製造方法および本発明の半導体パッケージの製造方法を説明するのに先立って、本発明の半導体パッケージの製造方法により製造された半導体パッケージを備える半導体装置について説明する。   First, prior to describing a method for manufacturing a sealed semiconductor element according to the present invention and a method for manufacturing a semiconductor package according to the present invention, a semiconductor device including the semiconductor package manufactured by the method for manufacturing a semiconductor package according to the present invention will be described. To do.

<半導体装置>
図1は、本発明の半導体パッケージの製造方法により製造された半導体パッケージを備える半導体装置の一例を示す縦断面図、図2は、図1に示す半導体装置が備える各半導体パッケージを示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図1、2中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
<Semiconductor device>
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of a semiconductor device provided with a semiconductor package manufactured by the semiconductor package manufacturing method of the present invention, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing each semiconductor package provided in the semiconductor device shown in FIG. It is. In the following description, the upper side in FIGS. 1 and 2 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

図1に示す半導体装置30は、POP(Package On Package)型の半導体装置であり、2つのパッケージ20と1つのパッケージ10とを有しており、2つのパッケージ20が積層され、さらに、上側のパッケージ20上に、パッケージ10が積層された構成をなしている。   A semiconductor device 30 shown in FIG. 1 is a POP (Package On Package) type semiconductor device, which includes two packages 20 and one package 10. The two packages 20 are stacked, and the upper The package 10 is stacked on the package 20.

パッケージ(半導体パッケージ)10は、図2(a)に示すように、厚さ方向に貫通する貫通孔151を備えるインターポーザー(基板)15と、インターポーザー15上に配置された半導体素子(ダイ)16と、半導体素子16を封止する封止部(モールド部)17と、貫通孔151に設けられた導体ポスト14と、導体ポスト14に電気的に接続された配線13と、配線13に電気的に接続されたバンプ(端子)21と、配線13を被覆し、かつバンプ21を露出させるように設けられた被覆部12とを有している。   As shown in FIG. 2A, the package (semiconductor package) 10 includes an interposer (substrate) 15 having a through-hole 151 penetrating in the thickness direction, and a semiconductor element (die) disposed on the interposer 15. 16, a sealing part (mold part) 17 for sealing the semiconductor element 16, a conductor post 14 provided in the through hole 151, a wiring 13 electrically connected to the conductor post 14, and a wiring 13 Bumps (terminals) 21 connected to each other, and a covering portion 12 provided so as to cover the wiring 13 and expose the bump 21.

インターポーザー(基板)15は、半導体素子16を支持する基板であり、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。このインターポーザー15には、その厚さ方向に貫通する複数(本実施形態では2つ)の貫通孔(スルーホール)151が形成されている。   The interposer (substrate) 15 is a substrate that supports the semiconductor element 16, and its planar view shape is usually a square such as a square or a rectangle. The interposer 15 is formed with a plurality of (two in the present embodiment) through-holes (through-holes) 151 penetrating in the thickness direction.

半導体素子16は、図示しない電極パッドをその下面側に有しており、この電極パッドが貫通孔151に対応するようにインターポーザー15上に配置されている。   The semiconductor element 16 has an electrode pad (not shown) on the lower surface side, and this electrode pad is disposed on the interposer 15 so as to correspond to the through hole 151.

かかる位置に半導体素子16が配置された状態で、封止部17は、半導体素子16およびインターポーザー15の上面側をほぼ全て覆うように形成される。   In a state where the semiconductor element 16 is disposed at such a position, the sealing portion 17 is formed so as to cover almost the entire upper surface side of the semiconductor element 16 and the interposer 15.

貫通孔151には、導体ポスト14が設けられ、この導体ポスト14がその上側の端部で、半導体素子16が備える電極パッドと電気的に接続される。   A conductor post 14 is provided in the through hole 151, and the conductor post 14 is electrically connected to an electrode pad included in the semiconductor element 16 at an upper end thereof.

また、インターポーザー15の下面には、所定形状に形成された配線13が設けられ、その一部が導体ポスト14の下側の端部と電気的に接続される。   A wiring 13 formed in a predetermined shape is provided on the lower surface of the interposer 15, and a part of the wiring 13 is electrically connected to the lower end of the conductor post 14.

さらに、配線13の下面には、バンプ21が電気的に接続されており、これにより、半導体素子16とバンプ21とが、電極パッド、導体ポスト14および配線13を介して電気的に接続される。   Further, the bump 21 is electrically connected to the lower surface of the wiring 13, whereby the semiconductor element 16 and the bump 21 are electrically connected via the electrode pad, the conductor post 14 and the wiring 13. .

そして、バンプ21をその下側から露出させるための開口部121を備える被覆部12が配線13を被覆するように設けられている。   And the coating | coated part 12 provided with the opening part 121 for exposing the bump 21 from the lower side is provided so that the wiring 13 may be coat | covered.

パッケージ(半導体パッケージ)20は、導体柱28を備えることで、その上下で電気的接続が可能なパッケージであり、図2(b)に示すように、半導体素子(ダイ)26および導体柱28と、半導体素子26および導体柱28を封止する封止部(モールド部)27と、封止部27の上下にそれぞれ配置された、厚さ方向に貫通する第2の貫通孔251を備えるインターポーザー(基板)25と、第2の貫通孔251に設けられた導体ポスト24と、導体ポスト24に電気的に接続された配線23と、配線23に電気的に接続されたバンプ(端子)21と、配線23を被覆し、かつバンプ21を露出させるように設けられた被覆部22とを有している。   The package (semiconductor package) 20 includes the conductive pillars 28 and can be electrically connected to the top and bottom thereof. As shown in FIG. 2B, the semiconductor element (die) 26 and the conductive pillars 28 , An interposer provided with a sealing part (mold part) 27 for sealing the semiconductor element 26 and the conductor pillar 28, and a second through hole 251 penetrating in the thickness direction, which is disposed above and below the sealing part 27, respectively. (Substrate) 25, conductor post 24 provided in second through hole 251, wiring 23 electrically connected to conductor post 24, and bump (terminal) 21 electrically connected to wiring 23, And a covering portion 22 provided so as to cover the wiring 23 and expose the bump 21.

かかる構成のパッケージ20では、封止部27の上側および下側の双方に、インターポーザー25、導体ポスト24、配線23、バンプ21および被覆部22がそれぞれ設けられており、これにより、パッケージ20の上下での導通の確保(電気的接続)が可能となる。   In the package 20 having such a configuration, the interposer 25, the conductor post 24, the wiring 23, the bump 21 and the covering portion 22 are provided on both the upper side and the lower side of the sealing portion 27, respectively. Ensuring conduction (electrical connection) at the top and bottom becomes possible.

インターポーザー25は、2つのインターポーザー25で半導体素子26および導体柱28を挾持する基板であり、その平面視形状は、インターポーザー15と同様に、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。このインターポーザー25には、その厚さ方向に貫通する複数(下側のインターポーザー25では3つ、上側のインターポーザー25では2つ)の貫通孔(スルーホール)251が形成されている。   The interposer 25 is a substrate that holds the semiconductor element 26 and the conductor column 28 by the two interposers 25, and the planar view shape thereof is generally a square such as a square or a rectangle, like the interposer 15. The interposer 25 is formed with a plurality of through holes (through holes) 251 (three in the lower interposer 25 and two in the upper interposer 25) penetrating in the thickness direction.

半導体素子26および導体柱28は、それぞれ、その上面側において、導体柱28が第2の貫通孔251に対応し、さらに下面側において、半導体素子26の下面側に設けられた電極パッドおよび導体柱28が第2の貫通孔251に対応するように、2つのインターポーザー25の間に挾持されている。   The semiconductor element 26 and the conductor column 28 respectively correspond to the second through-hole 251 on the upper surface side, and further, the electrode pad and the conductor column provided on the lower surface side of the semiconductor element 26 on the lower surface side. 28 is sandwiched between the two interposers 25 so as to correspond to the second through holes 251.

かかる位置に半導体素子26および導体柱28が配置された状態で、封止部27は、2つのインターポーザー25で形成される空間を埋めるように設けられている。このような封止部27を形成することで、導体柱28は、その上下の端部において封止部27から露出し、半導体素子26は、その電極パッドにおいて封止部27の下側の端部から露出する構成をなす。   In a state where the semiconductor element 26 and the conductor pillar 28 are disposed at such a position, the sealing portion 27 is provided so as to fill a space formed by the two interposers 25. By forming such a sealing portion 27, the conductor column 28 is exposed from the sealing portion 27 at the upper and lower end portions thereof, and the semiconductor element 26 is provided at the lower end of the sealing portion 27 in the electrode pad. The structure exposed from the part.

各第2の貫通孔251には、導体ポスト24が設けられ、これら導体ポスト24は、その一方の端部で、半導体素子16が備える電極パッドまたは導体柱28と電気的に接続される。   Each of the second through holes 251 is provided with a conductor post 24, and the conductor post 24 is electrically connected to an electrode pad or a conductor column 28 included in the semiconductor element 16 at one end thereof.

また、双方のインターポーザー25の封止部27と反対側の面には、所定形状に形成された配線23が設けられ、その一部が導体ポスト24の他方の端部と電気的に接続される。   Further, on the surface opposite to the sealing portion 27 of both interposers 25, a wiring 23 formed in a predetermined shape is provided, and a part of the wiring 23 is electrically connected to the other end portion of the conductor post 24. The

さらに、配線23の導体ポスト24と反対側の面には、バンプ21が電気的に接続されており、これにより、半導体素子26とバンプ21とが、電極パッド、導体ポスト24および配線23を介して電気的に接続される。また、導体柱28とバンプ21とが、導体ポスト24および配線23を介して電気的に接続される。   Further, the bump 21 is electrically connected to the surface of the wiring 23 opposite to the conductor post 24, whereby the semiconductor element 26 and the bump 21 are connected via the electrode pad, the conductor post 24 and the wiring 23. Are electrically connected. In addition, the conductor column 28 and the bump 21 are electrically connected via the conductor post 24 and the wiring 23.

そして、バンプ21を露出させるための開口部221を備える被覆部22が配線23を被覆するように設けられている。   A covering portion 22 having an opening 221 for exposing the bump 21 is provided so as to cover the wiring 23.

上記のような構成をなす1つのパッケージ10と2つのパッケージ20とを備える半導体装置30において、バンプ21を介して各パッケージ10、20が接続されることにより、1つの半導体素子16と2つの半導体素子26とがそれぞれ電気的に接続される。   In the semiconductor device 30 including the one package 10 and the two packages 20 having the above-described configuration, each of the packages 10 and 20 is connected through the bumps 21, whereby one semiconductor element 16 and two semiconductors are connected. Each element 26 is electrically connected.

かかる構成の半導体装置30は、互いに異なる機能を有する半導体素子16および半導体素子26をそれぞれ備えるパッケージ10およびパッケージ20が積層されており、パッケージ(半導体素子)の組み合わせの自由度が高く、汎用性が高いといった利点を有する。   In the semiconductor device 30 having such a configuration, the package 10 and the package 20 each including the semiconductor element 16 and the semiconductor element 26 having different functions are stacked, and the degree of freedom of combination of the packages (semiconductor elements) is high and versatility. It has the advantage of being high.

なお、上記の半導体装置30では、パッケージ10がインターポーザー15を備える構成としたが、これに代えて、被覆部12と同様の絶縁性を有する被覆部で構成するようにしてもよい。また、パッケージ20についても同様に、インターポーザー25に代えて、被覆部22と同様の絶縁性を有する被覆部で構成するようにしてもよい。   In the semiconductor device 30 described above, the package 10 includes the interposer 15. However, instead of this, the package 10 may include a covering portion having the same insulating property as the covering portion 12. Similarly, the package 20 may be configured by a covering portion having the same insulating property as the covering portion 22 instead of the interposer 25.

以上のような半導体装置30は、1つのパッケージ10および2つのパッケージ20をそれぞれ用意し、積層した2つのパッケージ20の上側のパッケージ20上に、パッケージ10を配置した状態で、互いに接触するバンプ21同士を接続することにより製造されるが、このようなパッケージ10およびパッケージ20のうち、パッケージ20の製造に、本発明の半導体パッケージの製造方法が適用される。   In the semiconductor device 30 as described above, one package 10 and two packages 20 are prepared, and the bumps 21 that are in contact with each other in a state in which the package 10 is arranged on the upper package 20 of the two stacked packages 20. The semiconductor package manufacturing method of the present invention is applied to the manufacture of the package 20 out of the package 10 and the package 20.

<半導体パッケージの製造方法>
以下、本発明の半導体パッケージの製造方法を適用したパッケージ20の製造方法について詳述する。
<Semiconductor package manufacturing method>
Hereinafter, a manufacturing method of the package 20 to which the manufacturing method of the semiconductor package of the present invention is applied will be described in detail.

<第1実施形態>
まず、パッケージ20を製造する製造方法の第1実施形態ついて説明する。
すなわち、パッケージ20の製造方法の第1実施形態では、平板状をなすダミー基板を用意し、このダミー基板上に、電極パッドがダミー基板側となるように半導体素子を配置するとともに、加熱することで分解し気化する樹脂成分を含有する犠牲層を、導体柱を形成すべき位置にこの導体柱の形状に対応して形成する半導体素子配置工程と、半導体素子が配置され、かつ犠牲層が形成されている側の面に、ダミー基板と半導体素子と犠牲層とを覆うように封止して封止部を形成する封止部形成工程と、封止部、半導体素子および犠牲層からダミー基板を剥離させる剥離工程と、犠牲層を、加熱することで樹脂成分を分解・気化させることにより除去して、封止部の導体柱を形成すべき位置に、第1の貫通孔を形成した後、この第1の貫通孔に導体柱を形成することにより半導体素子封止体を得る導体柱形成工程と、厚さ方向に複数の第2の貫通孔が形成されたシート材を用意し、各第2の貫通孔に電極パッドおよび導体柱が対応するように、半導体素子封止体にシート材を貼り合わせるシート材貼り合わせ工程と、第2の貫通孔に導電性を有する導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、シート材の半導体素子封止体とは反対の面側に、導体ポストに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、半導体素子封止体とは反対側の面に、配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、開口部で露出する前記配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、半導体素子毎に対応するように、半導体素子封止体を個片化することにより、複数の半導体パッケージを一括して得る個片化工程とを有する。
<First Embodiment>
First, a first embodiment of a manufacturing method for manufacturing the package 20 will be described.
That is, in the first embodiment of the manufacturing method of the package 20, a flat dummy substrate is prepared, and the semiconductor element is arranged on the dummy substrate so that the electrode pads are on the dummy substrate side and heated. Forming a sacrificial layer containing a resin component that decomposes and vaporizes at a position corresponding to the shape of the conductor pillar at a position where the conductor pillar is to be formed, and a semiconductor element is disposed and a sacrificial layer is formed A sealing part forming step for sealing the dummy substrate, the semiconductor element and the sacrificial layer so as to cover the dummy substrate, the semiconductor element and the sacrificial layer, and forming the sealing part from the sealing part, the semiconductor element and the sacrificial layer. After the first through hole is formed at the position where the conductive pillar of the sealing portion is to be formed by removing the sacrificial layer by heating and removing the resin component by decomposing and vaporizing it. This first through hole A conductor column forming step for obtaining a semiconductor element sealing body by forming a conductor column and a sheet material in which a plurality of second through holes are formed in the thickness direction are prepared, and an electrode pad is provided in each second through hole A sheet material bonding step of bonding a sheet material to the semiconductor element sealing body, a conductor post forming step of forming a conductive post having conductivity in the second through hole, and a sheet material so that the conductor pillars correspond to each other A wiring forming process for forming wiring electrically connected to the conductor post on the surface opposite to the semiconductor element sealing body, and a part of the wiring is exposed on the surface opposite to the semiconductor element sealing body In order to correspond to each semiconductor element, a covering portion forming step for forming a covering portion having an opening portion, a bump connecting step for electrically connecting a bump to the wiring exposed in the opening portion, and a semiconductor By separating the element sealing body into individual pieces , And a singulation process may collectively a plurality of semiconductor packages.

図3〜図5は、導体柱28を有する半導体パッケージ20を複数一括して製造する本発明の半導体パッケージの製造方法の第1実施形態を説明するための縦断面図、図6、図7は、封止部27を形成する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図3〜図7中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   3 to 5 are longitudinal sectional views for explaining a first embodiment of the semiconductor package manufacturing method of the present invention for manufacturing a plurality of semiconductor packages 20 having conductor pillars 28 in a lump. FIGS. FIG. 5 is a longitudinal sectional view for explaining a method of forming a sealing portion 27. In the following description, the upper side in FIGS. 3 to 7 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

[1]まず、図3(a)に示すように、上面に接着層102が設けられた平板状をなすダミー基板101を用意し、接着層102を介してダミー基板101上に、複数の半導体素子26を、このものが有する電極パッド(図示せず)がダミー基板101側となるように配置(載置)するとともに、加熱することで分解し気化する樹脂成分を含有する犠牲層38を、導体柱28を形成すべき位置にこの導体柱28の形状に対応して(一致するようにして)形成する(半導体素子配置工程)。   [1] First, as shown in FIG. 3A, a flat dummy substrate 101 having an upper surface provided with an adhesive layer 102 is prepared, and a plurality of semiconductors are formed on the dummy substrate 101 via the adhesive layer 102. The element 26 is disposed (placed) so that an electrode pad (not shown) of the element 26 is on the dummy substrate 101 side, and a sacrificial layer 38 containing a resin component that decomposes and vaporizes by heating is formed. The conductor pillar 28 is formed at a position where the conductor pillar 28 is to be formed, corresponding to the shape of the conductor pillar 28 (semiconductor element arranging step).

以下、本工程について詳述する。
[1−1]まず、上面に接着層102が設けられた平板状をなすダミー基板101を用意する。
Hereinafter, this step will be described in detail.
[1-1] First, a flat dummy substrate 101 having an adhesive layer 102 provided on the upper surface is prepared.

このダミー基板101は、半導体素子26および犠牲層38を支持し得る程度の硬度を有するものであればよく、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板のようなリジット基板(硬性基板)またはフレキシブル基板(可撓性基板)の何れであってもよいが、これらの中でも、特に、ビルドアップ基板であるのが好ましい。ビルドアップ基材は、特に、加工性に優れることから好ましく用いられる。   The dummy substrate 101 only needs to have a hardness that can support the semiconductor element 26 and the sacrificial layer 38, such as a core substrate composed of a core material, a build-up substrate composed of a build-up material, and the like. Either a rigid substrate (hard substrate) or a flexible substrate (flexible substrate) may be used, and among these, a build-up substrate is particularly preferable. A build-up substrate is preferably used because it is particularly excellent in processability.

コア基板としては、特に限定されないが、例えば、主として、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂のような熱硬化性樹脂等で構成されるものが挙げられる。これらの中でも、シアネート樹脂を主材料として構成されているものが好ましく用いられる。かかる構成材料で構成されるダミー基板101は、優れた機械的強度を有するものである。   Although it does not specifically limit as a core board | substrate, For example, what is mainly comprised with thermosetting resins, such as cyanate resin, an epoxy resin, a bismaleimide-triazine resin, etc. are mentioned. Among these, those composed mainly of cyanate resin are preferably used. The dummy substrate 101 made of such a constituent material has excellent mechanical strength.

ビルドアップ材料としては、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物等の硬化物を主材料として構成されるものが挙げられる。   The build-up material is not particularly limited, but for example, curing a resin composition containing a thermosetting resin such as a phenol resin, a urea resin, a melamine resin, and an epoxy resin, a curing agent, and an inorganic filler. The thing comprised as a main material is mentioned.

なお、ダミー基板101としては、上述したコア基板およびビルドアップ基板の他、金属基板またはガラス基板等を用いることができる。   As the dummy substrate 101, a metal substrate or a glass substrate can be used in addition to the above-described core substrate and build-up substrate.

接着層102は、ダミー基板101と、半導体素子26および犠牲層38とを接着するための機能を有するとともに、後工程[3]において、ダミー基板101から、半導体素子26および犠牲層38を剥離させる機能を有するものである。   The adhesive layer 102 has a function for adhering the dummy substrate 101, the semiconductor element 26, and the sacrificial layer 38, and peels off the semiconductor element 26 and the sacrificial layer 38 from the dummy substrate 101 in a subsequent step [3]. It has a function.

このような接着層102としては、例えば、接着層102の加熱により熱分解する熱分解性の樹脂成分を含んで構成されるもの等が挙げられる。   As such an adhesive layer 102, for example, an adhesive layer that includes a thermally decomposable resin component that is thermally decomposed by heating of the adhesive layer 102 can be used.

このような接着層102は、熱分解性の樹脂成分を主成分として構成されているのが好ましく、特に、接着層102が溶剤を含む場合、溶剤を除いた全量に対して熱分解性の樹脂成分が50wt%以上含まれているのが好ましい。   Such an adhesive layer 102 is preferably composed mainly of a thermally decomposable resin component. In particular, when the adhesive layer 102 contains a solvent, the thermally decomposable resin with respect to the total amount excluding the solvent. The component is preferably contained in an amount of 50 wt% or more.

また、熱分解性の樹脂成分としては、接着層102の加熱により熱分解するものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、(メタ)アクリレート系樹脂等が挙げられる。これらの樹脂成分の中でも、後工程[4]における接着層102の熱分解時間を効果的に短縮するためには、ポリカーボネート系樹脂を主成分とすることが好ましい。   Further, the thermally decomposable resin component is not particularly limited as long as it is thermally decomposed by heating the adhesive layer 102. For example, polycarbonate resin, polyacetal resin, polyester resin, polyamide Resin, polyimide resin, polyether resin, polyurethane resin, (meth) acrylate resin and the like. Among these resin components, in order to effectively shorten the thermal decomposition time of the adhesive layer 102 in the post-process [4], it is preferable to use a polycarbonate-based resin as a main component.

なお、接着層102を構成する樹脂成物は1種類の樹脂成分のみから構成されていてもよく、また、2種以上の樹脂成分を含んでいてもよい。なお、本明細書においては、接着層102を構成する材料が1種類の樹脂成分からなる場合も樹脂組成物と称することとする。   In addition, the resin composition which comprises the contact bonding layer 102 may be comprised only from 1 type of resin components, and may contain 2 or more types of resin components. In the present specification, the material constituting the adhesive layer 102 is also referred to as a resin composition when it is composed of one kind of resin component.

ポリカーボネート系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリプロピレンカーボネート樹脂、ポリエチレンカーボネート樹脂、1,2−ポリブチレンカーボネート樹脂、1,3−ポリブチレンカーボネート樹脂、1,4−ポリブチレンカーボネート樹脂、cis−2,3−ポリブチレンカーボネート樹脂、trans−2,3−ポリブチレンカーボネート樹脂、α,β−ポリイソブチレンカーボネート樹脂、α,γ−ポリイソブチレンカーボネート樹脂、cis−1,2−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、trans−1,2−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、cis−1,3−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、trans−1,3−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ポリヘキセンカーボネート樹脂、ポリシクロプロペンカーボネート樹脂、ポリシクロヘキセンカーボネート樹脂、1,3−ポリシクロヘキサンカーボネート樹脂、ポリ(メチルシクロヘキセンカーボネート)樹脂、ポリ(ビニルシクロヘキセンカーボネート)樹脂、ポリジヒドロナフタレンカーボネート樹脂、ポリヘキサヒドロスチレンカーボネート樹脂、ポリシクロヘキサンプロピレンカーボネート樹脂、ポリスチレンカーボネート樹脂、ポリ(3−フェニルプロピレンカーボネート)樹脂、ポリ(3−トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート)樹脂、ポリ(3−メタクリロイロキシプロピレンカーボネート)樹脂、ポリパーフルオロプロピレンカーボネート樹脂、ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ポリノルボルナンカーボネート樹脂、exo−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、endo−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、trans−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、cis−ポリノルボルネンカーボネート樹脂並びにこれらの組合せを挙げることができる。   Although it does not specifically limit as a polycarbonate-type resin, For example, a polypropylene carbonate resin, a polyethylene carbonate resin, 1, 2- polybutylene carbonate resin, 1, 3- polybutylene carbonate resin, 1, 4- polybutylene carbonate resin, cis- 2,3-polybutylene carbonate resin, trans-2,3-polybutylene carbonate resin, α, β-polyisobutylene carbonate resin, α, γ-polyisobutylene carbonate resin, cis-1,2-polycyclobutylene carbonate resin, trans-1,2-polycyclobutylene carbonate resin, cis-1,3-polycyclobutylene carbonate resin, trans-1,3-polycyclobutylene carbonate resin, polyhexene carbonate resin, Lopropene carbonate resin, polycyclohexene carbonate resin, 1,3-polycyclohexane carbonate resin, poly (methylcyclohexene carbonate) resin, poly (vinylcyclohexene carbonate) resin, polydihydronaphthalene carbonate resin, polyhexahydrostyrene carbonate resin, polycyclohexane Propylene carbonate resin, polystyrene carbonate resin, poly (3-phenylpropylene carbonate) resin, poly (3-trimethylsilyloxypropylene carbonate) resin, poly (3-methacryloyloxypropylene carbonate) resin, polyperfluoropropylene carbonate resin, poly Norbornene carbonate resin, polynorbornane carbonate resin, exo-polynorbornene carbonate Examples thereof include nate resins, endo-polynorbornene carbonate resins, trans-polynorbornene carbonate resins, cis-polynorbornene carbonate resins, and combinations thereof.

また、ポリカーボネート系樹脂としては、例えば、ポリプロピレンカーボネート/ポリシクロヘキセンカーボネート共重合体、1,3−ポリシクロヘキサンカーボネート/ポリノルボルネンカーボネート共重合体、ポリ[(オキシカルボニルオキシ−1,1,4,4−テトラメチルブタン)−alt−(オキシカルボニルオキシ−5−ノルボルネン−2−endo−3−endo−ジメタン)]樹脂、ポリ[(オキシカルボニルオキシ−1,4−ジメチルブタン)−alt−(オキシカルボニルオキシ−5−ノルボルネン−2−endo−3−endo−ジメタン)]樹脂、ポリ[(オキシカルボニルオキシ−1,1,4,4−テトラメチルブタン)−alt−(オキシカルボニルオキシ−p−キシレン)]樹脂、及びポリ[(オキシカルボニルオキシ−1,4−ジメチルブタン)−alt−(オキシカルボニルオキシ−p−キシレン)]樹脂、1,3−ポリシクロヘキサンカーボネート樹脂/exo−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、1,3−ポリシクロヘキサンカーボネート樹脂/endo−ポリノルボルネンカーボネート樹脂等が挙げられる。   Examples of the polycarbonate resin include polypropylene carbonate / polycyclohexene carbonate copolymer, 1,3-polycyclohexane carbonate / polynorbornene carbonate copolymer, poly [(oxycarbonyloxy-1,1,4,4- Tetramethylbutane) -alt- (oxycarbonyloxy-5-norbornene-2-endo-3-endo-dimethane)] resin, poly [(oxycarbonyloxy-1,4-dimethylbutane) -alt- (oxycarbonyloxy -5-norbornene-2-endo-3-endo-dimethane)] resin, poly [(oxycarbonyloxy-1,1,4,4-tetramethylbutane) -alt- (oxycarbonyloxy-p-xylene)] Resin and poly [(oxycarbo Ruoxy-1,4-dimethylbutane) -alt- (oxycarbonyloxy-p-xylene)] resin, 1,3-polycyclohexane carbonate resin / exo-polynorbornene carbonate resin, 1,3-polycyclohexane carbonate resin / endo -Polynorbornene carbonate resin etc. are mentioned.

さらに、ポリカーボネート系樹脂としては、上記の他、カーボネート構成単位において、少なくとも2つの環状体を有するポリカーボネート樹脂を用いることもできる。   Furthermore, as the polycarbonate-based resin, in addition to the above, a polycarbonate resin having at least two cyclic bodies in the carbonate constituent unit can also be used.

環状体の数は、カーボネート構成単位において、2つ以上であればよいが、2〜5であるのが好ましく、2または3であるのがより好ましく、2であるのがさらに好ましい。カーボネート構成単位としてこのような数の環状体が含まれることにより、ダミー基板101と、半導体素子26および導体柱28との密着性が優れたものとなる。   The number of cyclic bodies may be two or more in the carbonate structural unit, but is preferably 2 to 5, more preferably 2 or 3, and further preferably 2. By including such a number of annular bodies as the carbonate structural unit, the adhesion between the dummy substrate 101 and the semiconductor element 26 and the conductor column 28 becomes excellent.

また、複数の環状体は、それぞれの頂点同士が互いに連結している連結多環系構造をなしていてもよいが、それぞれが有する一辺同士が互いに連結している縮合多環系構造をなしているのが好ましい。これにより、封止部27を形成する工程[2]での耐熱性と接着層102の熱分解時間を短縮することを両立することができる。   In addition, the plurality of cyclic bodies may have a linked polycyclic structure in which the vertices are connected to each other, but a condensed polycyclic structure in which the sides of each ring are connected to each other. It is preferable. Thereby, it is possible to satisfy both the heat resistance in the step [2] of forming the sealing portion 27 and the thermal decomposition time of the adhesive layer 102.

さらに、複数の環状体は、それぞれ、5員環または6員環であるあるのが好ましい。これにより、カーボネート構成単位の平面性が保たれることから、溶剤に対する溶解性をより安定させることができる。   Furthermore, it is preferable that each of the plurality of cyclic bodies is a 5-membered ring or a 6-membered ring. Thereby, since the planarity of a carbonate structural unit is maintained, the solubility with respect to a solvent can be stabilized more.

このような複数の環状体は、脂環式化合物であるのが好ましい。各環状体が脂環式化合物である場合に、前述したような効果がより顕著に発揮されることになる。   Such a plurality of cyclic bodies are preferably alicyclic compounds. When each cyclic body is an alicyclic compound, the effects as described above are more remarkably exhibited.

これらのことを考慮すると、ポリカーボネート系樹脂において、カーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式(1X)で表わされるものが特に好ましい構造である。   In consideration of these, in the polycarbonate resin, as the carbonate structural unit, for example, a structure represented by the following chemical formula (1X) is a particularly preferable structure.

Figure 0005682280
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なお、上記化学式(1X)で表わされるカーボネート構成単位を有するポリカーボネート系樹脂は、デカリンジオールと、炭酸ジフェニルのような炭酸ジエステルとの重縮合反応により得ることができる。   In addition, the polycarbonate-type resin which has a carbonate structural unit represented by the said Chemical formula (1X) can be obtained by the polycondensation reaction of decalin diol and carbonic acid diester like diphenyl carbonate.

また、上記化学式(1X)で表わされるカーボネート構成単位において、デカリンジオールが有する水酸基に連結する炭素原子に由来するものは、それぞれ、デカリン(すなわち、縮合多環系構造を形成する2つの環状体)を構成する炭素原子に結合し、かつ、これら水酸基に連結する炭素原子の間に3つ以上の原子が介在しているのが好ましい。これにより、ポリカーボネート系樹脂の分解性を制御でき、その結果、封止部27を形成する工程[2]での耐熱性と接着層102の熱分解時間を短縮することを両立することができる。さらに、溶剤に対する溶解性をより安定させることができる。   In the carbonate structural unit represented by the chemical formula (1X), those derived from the carbon atom linked to the hydroxyl group of decalin diol are each decalin (that is, two cyclic bodies forming a condensed polycyclic structure). It is preferable that three or more atoms intervene between the carbon atoms that are bonded to the carbon atoms constituting and bonded to these hydroxyl groups. Thereby, the decomposability | decomposability of a polycarbonate-type resin can be controlled, As a result, both heat resistance in process [2] which forms the sealing part 27 and shortening of the thermal decomposition time of the contact bonding layer 102 can be made compatible. Furthermore, the solubility with respect to a solvent can be stabilized more.

このようなカーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式(1A)、(1B)で表わされるものが挙げられる。   Examples of such a carbonate structural unit include those represented by the following chemical formulas (1A) and (1B).

Figure 0005682280
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さらに、複数の環状体は、脂環式化合物である他、複素脂環式化合物であってもよい。各環状体が複素脂環式化合物である場合であっても、前述したような効果がより顕著に発揮されることになる。   Further, the plurality of cyclic bodies may be alicyclic compounds or may be heteroalicyclic compounds. Even when each cyclic body is a heteroalicyclic compound, the effects as described above are more remarkably exhibited.

この場合、ポリカーボネート系樹脂において、カーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式(2X)で表わされるものが特に好ましい構造である。   In this case, in the polycarbonate resin, as the carbonate structural unit, for example, one represented by the following chemical formula (2X) is a particularly preferable structure.

Figure 0005682280
Figure 0005682280

なお、上記化学式(2X)で表わされるカーボネート構成単位を有するポリカーボネート系樹脂は、下記化学式(2a)で表わされるエーテルジオールと、炭酸ジフェニルのような炭酸ジエステルとの重縮合反応により得ることができる。   In addition, the polycarbonate-type resin which has a carbonate structural unit represented by the said Chemical formula (2X) can be obtained by the polycondensation reaction of ether diol represented by the following Chemical formula (2a), and carbonic acid diester like diphenyl carbonate.

Figure 0005682280
Figure 0005682280

また、上記化学式(2X)で表わされるカーボネート構成単位において、上記化学式(2a)で表わされる環状エーテルジオールが有する水酸基由来の炭素原子は、それぞれ、上記環状エーテル(すなわち、縮合多環系構造を形成する2つの環状体)を構成する炭素原子に結合し、かつ、これら炭素原子の間に3つ以上の原子が介在しているのが好ましい。これにより、封止部27を形成する工程[2]での耐熱性と接着層102の熱分解時間を短縮することを両立することができる。さらに、溶剤に対する溶解性をより安定させることができる。   In the carbonate structural unit represented by the chemical formula (2X), the carbon atom derived from the hydroxyl group of the cyclic ether diol represented by the chemical formula (2a) forms the cyclic ether (that is, a condensed polycyclic structure). It is preferable that three or more atoms are interposed between these carbon atoms and bonded to the carbon atoms constituting the two cyclic bodies. Thereby, it is possible to satisfy both the heat resistance in the step [2] of forming the sealing portion 27 and the thermal decomposition time of the adhesive layer 102. Furthermore, the solubility with respect to a solvent can be stabilized more.

このようなカーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式(2A)で表わされる1,4:3,6−ジアンヒドロ−D−ソルビトール(イソソルビド)型のものや、下記化学式(2B)で表わされる1,4:3,6−ジアンヒドロ−D−マンニトール(イソマンニド)型ものが挙げられる。   Examples of such a carbonate structural unit include those of the 1,4: 3,6-dianhydro-D-sorbitol (isosorbide) type represented by the following chemical formula (2A), and those represented by the following chemical formula (2B). 4: 3,6-dianhydro-D-mannitol (isomannide) type.

Figure 0005682280
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ポリカーボネート系樹脂の重量平均分子量(Mw)は、1,000〜1,000,000であることが好ましく、5,000〜800,000であることがさらに好ましい。重量平均分子量を上記下限以上とすることにより、ダミー基板101に対する濡れ性が向上すること、さらに、成膜性を向上するという効果を得ることができる。また、上記上限値以下とすることで、各種溶剤に対する溶解性、さらには、接着層102の熱分解性を向上するという効果を得ることができる。   The weight-average molecular weight (Mw) of the polycarbonate-based resin is preferably 1,000 to 1,000,000, and more preferably 5,000 to 800,000. By setting the weight average molecular weight to the above lower limit or more, the wettability with respect to the dummy substrate 101 can be improved, and further, the film forming property can be improved. Moreover, the effect of improving the solubility with respect to various solvents and also the thermal decomposition property of the contact bonding layer 102 can be acquired by setting it as the said upper limit or less.

ポリカーボネート系樹脂の重合方法は、特に限定されるわけではないが、例えば、ホスゲン法(溶剤法)または、エステル交換法(溶融法)等の公知の重合方法を用いることができる。   The polymerization method of the polycarbonate-based resin is not particularly limited. For example, a known polymerization method such as a phosgene method (solvent method) or a transesterification method (melting method) can be used.

樹脂成分は、接着層102を構成する全量(溶剤を含む場合には、溶剤を除いた全量)の10wt%〜100wt%の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、50wt%以上、特には、80wt%〜100wt%の割合で配合することが好ましい。10wt%以上、特に80wt%以上とすることで、接着層102を熱分解した後の残渣を低減できるという効果がある。また、接着層102の樹脂成分を多くすることで短時間で接着層102を熱分解できるという効果がある。   The resin component is preferably blended at a ratio of 10 wt% to 100 wt% of the total amount constituting the adhesive layer 102 (the total amount excluding the solvent if a solvent is included). More preferably, it is blended at a ratio of 50 wt% or more, particularly 80 wt% to 100 wt%. By setting it to 10 wt% or more, especially 80 wt% or more, there is an effect that the residue after thermally decomposing the adhesive layer 102 can be reduced. Moreover, there is an effect that the adhesive layer 102 can be thermally decomposed in a short time by increasing the resin component of the adhesive layer 102.

通常、封止部27の封止温度は125℃前後、また、封止部27を後硬化(ポストキュア)させる温度は175℃前後であるため、樹脂成分としては125℃前後では熱分解し難く、175℃前後で熱分解する樹脂成分が好ましい。これにより、封止部27を封止する工程では、接着層102の剥離や変形を抑制することができる。   Usually, the sealing temperature of the sealing portion 27 is around 125 ° C., and the temperature at which the sealing portion 27 is post-cured (post-cured) is around 175 ° C. Therefore, it is difficult to thermally decompose the resin component at around 125 ° C. A resin component that thermally decomposes at around 175 ° C. is preferable. Thereby, in the process of sealing the sealing part 27, peeling and deformation | transformation of the contact bonding layer 102 can be suppressed.

樹脂成分として、特に好ましいのは、封止部27で封止する温度で熱分解し難く、また、封止部27で封止する温度以上での熱分解性に優れる点から、ポリプロピレンカーボネート、1,4−ポリブチレンカーボネート、1,3−ポリシクロヘキサンカーボネート/ポリノルボルネンカーボネート共重合体である。   As the resin component, polypropylene carbonate, 1 is particularly preferable because it is difficult to thermally decompose at the temperature sealed by the sealing portion 27 and is excellent in thermal decomposability above the temperature sealed by the sealing portion 27. , 4-polybutylene carbonate, 1,3-polycyclohexane carbonate / polynorbornene carbonate copolymer.

また、熱分解性の樹脂成分がポリカーボネート系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、(メタ)アクリレート系樹脂のうちの少なくとも1種を含む場合、接着層102を構成する材料は、前記樹脂成分の他に光酸発生剤を含む樹脂組成物であることが好ましい。これにより、接着層102(熱分解性の樹脂成分)を露光することで、接着層102の熱分解温度を低下させることができる。封止部27で半導体素子26および導体柱28を封止した後、接着層102を露光することにより熱分解する温度を低下させることができる。そのため、半導体素子封止体270の熱履歴を経ることによる熱損傷を防止することができ、さらに、封止部27を後硬化させるのと同時に半導体素子封止体270を剥離させることができる場合があるので、より好ましい。   Further, the thermally decomposable resin component is at least one of polycarbonate resin, polyacetal resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, polyether resin, polyurethane resin, and (meth) acrylate resin. In the case where it is included, the material constituting the adhesive layer 102 is preferably a resin composition containing a photoacid generator in addition to the resin component. Thereby, the thermal decomposition temperature of the adhesive layer 102 can be lowered by exposing the adhesive layer 102 (thermally decomposable resin component). After sealing the semiconductor element 26 and the conductive column 28 with the sealing portion 27, the temperature at which the thermal decomposition occurs can be reduced by exposing the adhesive layer 102. Therefore, thermal damage due to the thermal history of the semiconductor element sealing body 270 can be prevented, and furthermore, the semiconductor element sealing body 270 can be peeled off at the same time as the sealing portion 27 is post-cured. Is more preferable.

ここで、樹脂成分としてポリカーボネート系樹脂であるポリプロピレンカーボネート樹脂を使用した場合の熱分解温度が低下するメカニズムについて説明する。下記式(1Y)で示すように、先ず、前記光酸発生剤由来のHが、ポリプロピレンカーボネート樹脂のカルボニル酸素をプロトン化し、さらに極性遷移状態を転移させ不安定な互変異性中間体[A]及び[B]を生じる。次に、中間体[A]は、アセトン及びCOとして断片化する熱切断が起こるため、熱分解温度が低下する。また、中間体[B]は炭酸プロピレンを生成し、炭酸プロピレンはCO及びプロピレンオキシドとして断片化する熱閉環構造を形成するため、熱分解温度が低下する。 Here, the mechanism by which the thermal decomposition temperature decreases when a polypropylene carbonate resin, which is a polycarbonate resin, is used as the resin component will be described. As shown by the following formula (1Y), first, H + derived from the photoacid generator protonates the carbonyl oxygen of the polypropylene carbonate resin, and further transitions the polar transition state to an unstable tautomeric intermediate [A ] And [B]. Next, the thermal decomposition temperature of the intermediate [A] is lowered because thermal cleavage that fragmentes as acetone and CO 2 occurs. In addition, the intermediate [B] produces propylene carbonate, and propylene carbonate forms a thermal ring-closing structure that is fragmented as CO 2 and propylene oxide, so that the thermal decomposition temperature is lowered.

Figure 0005682280
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光酸発生剤は、化学線を照射することにより酸を発生する化合物であれば、特に限定されるものではなく、例えば、求核ハロゲン化物、錯金属ハライド陰イオン等が挙げられる。より具体的には、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート−4−メチルフェニル[4−(1−メチルエチル)フェニル]ヨードニウム(DPI−TPFPB)、トリス(4−t−ブチルフェニル)スルホニウムテトラキス−(ペンタフルオロフェニル)ボレート(TTBPS−TPFPB)、トリス(4−t−ブチルフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスフェート(TTBPS−HFP)、トリフェニルスルホニウムトリフレート(TPS−Tf)、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフレート(DTBPI−Tf)、トリアジン(TAZ−101)、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート(TPS−103)、トリフェニルスルホニウムビス(パーフルオロメタンスルホニル)イミド(TPS−N1)、ジ−(p−t−ブチル)フェニルヨードニウム、ビス(パーフルオロメタンスルホニル)イミド(DTBPI−N1)、トリフェニルスルホニウム、トリス(パーフルオロメタンスルホニル)メチド(TPS−C1)、ジ−(p−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリス(パーフルオロメタンスルホニル)メチド(DTBPI−C1)等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   The photoacid generator is not particularly limited as long as it is a compound that generates an acid upon irradiation with actinic radiation, and examples thereof include nucleophilic halides and complex metal halide anions. More specifically, tetrakis (pentafluorophenyl) borate-4-methylphenyl [4- (1-methylethyl) phenyl] iodonium (DPI-TPFPB), tris (4-t-butylphenyl) sulfonium tetrakis- (penta Fluorophenyl) borate (TTBPS-TPFPB), tris (4-t-butylphenyl) sulfonium hexafluorophosphate (TTBPS-HFP), triphenylsulfonium triflate (TPS-Tf), bis (4-tert-butylphenyl) iodonium Triflate (DTBPI-Tf), triazine (TAZ-101), triphenylsulfonium hexafluoroantimonate (TPS-103), triphenylsulfonium bis (perfluoromethanesulfonyl) imi (TPS-N1), di- (pt-butyl) phenyliodonium, bis (perfluoromethanesulfonyl) imide (DTBPI-N1), triphenylsulfonium, tris (perfluoromethanesulfonyl) methide (TPS-C1), Examples include di- (pt-butylphenyl) iodonium tris (perfluoromethanesulfonyl) methide (DTBPI-C1) and the like, and one or more of them can be used in combination.

光酸発生剤の含有量は、樹脂成分100重量部に対して0.1〜15重量部であることが好ましく、0.5〜10重量部であることが特に好ましい。これにより、接着層102を露光することにより効果的に樹脂成分の熱分解温度を低下させることができ、さらに、熱分解後の残渣を低減することができる。   The content of the photoacid generator is preferably 0.1 to 15 parts by weight, particularly preferably 0.5 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin component. Thereby, the thermal decomposition temperature of the resin component can be effectively lowered by exposing the adhesive layer 102, and further, the residue after the thermal decomposition can be reduced.

また、接着層102を構成する樹脂組成物は、光酸発生剤とともに、特定のタイプまたは波長の光に対する光酸発生剤の反応性を発現あるいは増大させる機能を有する成分である増感剤を含んでいても良い。   The resin composition constituting the adhesive layer 102 includes a sensitizer, which is a component having a function of developing or increasing the reactivity of the photoacid generator with respect to light of a specific type or wavelength, together with the photoacid generator. You can leave.

増感剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンツピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン−9−オン、2‐イソプロピル−9H−チオキサンテン−9−オン、4−イソプロピル−9H−チオキサンテン−9−オン、1−クロロ−4‐プロポキシチオキサントン、およびこれらの混合物等が挙げられる。このような増感剤の含有量は、前述した光酸発生剤100重量部に対して、100重量部以下であるのが好ましく、50重量部以下であるのがより好ましい。   The sensitizer is not particularly limited. For example, anthracene, phenanthrene, chrysene, benzpyrene, fluoranthene, rubrene, pyrene, xanthone, indanthrene, thioxanthen-9-one, 2-isopropyl-9H- Examples include thioxanthen-9-one, 4-isopropyl-9H-thioxanthen-9-one, 1-chloro-4-propoxythioxanthone, and mixtures thereof. The content of such a sensitizer is preferably 100 parts by weight or less, and more preferably 50 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the photoacid generator described above.

また、接着層102を構成する樹脂組成物は、上記成分の他、例えば、酸捕捉剤を含んでいてもよい。酸捕捉剤は、光の照射により発生した酸が、光を照射していない部位に拡散するのを防止する機能を有する成分である。すなわち、光を照射していない部位の現像液に対する溶解性の向上や熱分解温度の低下を防止する機能を有する成分である。このような酸捕捉剤を含むことにより、現像および熱分解によるパターンニング精度をより高いものとすることができる。   Moreover, the resin composition which comprises the contact bonding layer 102 may contain the acid capture | acquisition agent other than the said component, for example. The acid scavenger is a component having a function of preventing an acid generated by light irradiation from diffusing to a site not irradiated with light. That is, it is a component having a function of preventing improvement in solubility in a developing solution at a site not irradiated with light and lowering of the thermal decomposition temperature. By including such an acid scavenger, patterning accuracy by development and thermal decomposition can be made higher.

酸捕捉剤としては、例えば、トリ(n−プロピル)アミン、トリエチルアミン、下記一般式(2Y)で表される化合物、および、下記一般式(3Y)で表される化合物等に代表されるアミン(二級アミン、三級アミン)、およびこれらの混合物等が挙げられる。   Examples of the acid scavenger include tri (n-propyl) amine, triethylamine, a compound represented by the following general formula (2Y), and an amine represented by a compound represented by the following general formula (3Y) ( Secondary amines, tertiary amines), and mixtures thereof.

Figure 0005682280
[一般式(2Y)中、Rは、H、または、アルキル基である。]
Figure 0005682280
[In General Formula (2Y), R 1 represents H or an alkyl group. ]

Figure 0005682280
[一般式(3Y)中、R〜R6は、Hまたは任意の2つがメチル基で残りがHである。]
Figure 0005682280
[In General Formula (3Y), R 2 to R 6 are H or any two are methyl groups and the rest are H. ]

これらの中でも、上記一般式(2Y)で表される化合物、上記一般式(3Y)で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種の化合物を用いるのが好ましく、上記一般式(2Y)で表される化合物を用いるのがより好ましい。これにより、樹脂組成物の光に対する感度を高いものとしつつ、光を照射していない部位の現像液に対する溶解性の向上や熱分解温度の低下をより効果的に防止することができる。   Among these, it is preferable to use at least one compound selected from the group consisting of the compound represented by the general formula (2Y) and the compound represented by the general formula (3Y). It is more preferable to use a compound represented by Thereby, while improving the sensitivity with respect to the light of a resin composition, the improvement of the solubility with respect to the developing solution of the site | part which has not irradiated light and the fall of a thermal decomposition temperature can be prevented more effectively.

酸捕捉剤の含有量は、前述した光酸発生剤100重量部に対して、0.01〜10重量部であるのが好ましく、0.02〜8重量部であるのがより好ましい。これにより、光を照射していない部位の現像液に対する溶解性の向上や熱分解温度の低下をさらに効果的に防止することができる。   The content of the acid scavenger is preferably 0.01 to 10 parts by weight and more preferably 0.02 to 8 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the photoacid generator described above. Thereby, the improvement of the solubility with respect to the developing solution of the site | part which has not irradiated light and the fall of a thermal decomposition temperature can be prevented still more effectively.

また、接着層102を構成する樹脂組成物は、酸化防止剤を含んでいてもよい。酸化防止剤は、望ましくない酸の発生や、樹脂組成物の自然酸化を防止する機能を有している。   Further, the resin composition constituting the adhesive layer 102 may contain an antioxidant. The antioxidant has a function of preventing generation of undesirable acid and natural oxidation of the resin composition.

酸化防止剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ニューヨーク州タリータウンのCiba Fine Chemicals社から入手可能なCiba IRGANOX(登録商標) 1076又はCiba IRGAFOS(登録商標) 168が好適に用いられる。   The antioxidant is not particularly limited. For example, Ciba IRGANOX (registered trademark) 1076 or Ciba IRGAFOS (registered trademark) 168 available from Ciba Fine Chemicals of Tarrytown, New York is preferably used. .

また、他の酸化防止剤としては、例えば、Ciba Irganox(登録商標) 129、Ciba Irganox 1330、Ciba Irganox 1010、Ciba Cyanox(登録商標) 1790、Ciba Irganox 3114、Ciba Irganox 3125等を用いることもできる。   In addition, as other antioxidants, for example, Ciba Irganox (registered trademark) 129, Ciba Irganox 1330, Ciba Irganox 1010, Ciba Cyanox (registered trademark) 1790, Ciba Irganox 3114, Ciga 31, Ciga etc. can be used.

酸化防止剤の含有量は、前記樹脂成分100重量部に対して、0.1〜10重量部であるのが好ましく、0.5〜5重量部であるのがより好ましい。   The content of the antioxidant is preferably 0.1 to 10 parts by weight, and more preferably 0.5 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin component.

さらに、接着層102を構成する樹脂組成物は、必要によりアクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤等の添加剤等を含んでも良い。   Furthermore, the resin composition constituting the adhesive layer 102 may include additives such as leveling agents such as acrylic, silicone, fluorine, and vinyl, and silane coupling agents, if necessary.

シランカップリング剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス(トリエトキシプロピル)テトラスルフィド、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、単独でも2種以上混合して用いてもよい。接着層102を構成する樹脂組成物がシランカップリング剤を含むことにより、パターニング時の密着性向上という効果がある。   The silane coupling agent is not particularly limited. For example, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, p -Styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxy Silane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltri Ethoxysilane 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, bis (triethoxypropyl) Examples thereof include tetrasulfide and 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, and these may be used alone or in combination of two or more. When the resin composition which comprises the contact bonding layer 102 contains a silane coupling agent, there exists an effect of the adhesive improvement at the time of patterning.

ここで、接着層102に含まれる熱分解性の樹脂成分の50%重量減少温度が400℃以下、特に、350℃以下であることが好ましい。50%重量減少温度を400℃以下とすることで、接着層102を熱分解する際に、半導体素子封止体270への熱の影響を少なくすることができる。   Here, the 50% weight reduction temperature of the thermally decomposable resin component contained in the adhesive layer 102 is preferably 400 ° C. or lower, particularly 350 ° C. or lower. By setting the 50% weight reduction temperature to 400 ° C. or less, the thermal effect on the semiconductor element sealing body 270 can be reduced when the adhesive layer 102 is thermally decomposed.

すなわち、50%重量減少温度を400℃以下であれば、加熱時間を調整することで、400℃を超える加熱を行わずに、接着層102を熱分解することができる。従って、接着層102を熱分解する際に、半導体素子封止体270への熱の影響を少なくすることができる。
さらに、接着層102を構成する樹脂組成物は、溶媒(溶剤)を含有していても良い。
That is, if the 50% weight reduction temperature is 400 ° C. or less, the adhesive layer 102 can be pyrolyzed by adjusting the heating time without performing heating exceeding 400 ° C. Therefore, when the adhesive layer 102 is thermally decomposed, the influence of heat on the semiconductor element sealing body 270 can be reduced.
Furthermore, the resin composition constituting the adhesive layer 102 may contain a solvent (solvent).

溶媒としては、特に限定されるものではないが、例えば、メシチレン、デカリン、ミネラルスピリット類等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール/エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸N−ブチル、乳酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル/ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類、N−メチル−2−ピロリドン等のアミド/ラクタム類が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。樹脂組成物が溶媒を含有することにより、樹脂組成物の粘度を調整することが容易となり、接着層(薄膜)102の形成が容易となる。   Examples of the solvent include, but are not limited to, hydrocarbons such as mesitylene, decalin, and mineral spirits, alcohols such as anisole, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol methyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, and diglyme. / Ethers, ethylene carbonate, ethyl acetate, N-butyl acetate, ethyl lactate, ethyl 3-ethoxypropionate, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene carbonate, γ-butyrolactone, etc./lactones, Examples include ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, and amides / lactams such as N-methyl-2-pyrrolidone. It is, can be used singly or in combination of two or more of them. When the resin composition contains a solvent, it becomes easy to adjust the viscosity of the resin composition, and the formation of the adhesive layer (thin film) 102 becomes easy.

前記溶媒の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物の全量の5〜98重量%であることが好ましく、10〜95重量%であることがより好ましい。   Although content of the said solvent is not specifically limited, It is preferable that it is 5-98 weight% of the whole quantity of a resin composition, and it is more preferable that it is 10-95 weight%.

また、接着層102に含まれる熱分解性の樹脂成分の95%重量減少温度と5%重量減少温度との差が、1℃以上300℃以下であることが好ましい。なかでも、95%重量減少温度と5%重量減少温度との差が5℃以上、200℃以下であることが好ましい。1℃以上とすることで急激な熱分解反応により大量のアウトガス発生し、設備が汚染してしまうのを防止するという効果があり、また、300℃以下とすることで熱分解に要する時間を短縮できるため、半導体素子封止体270へのダメージを抑制することが可能であること、半導体素子封止体270に熱分解性の樹脂成分が残留し難いという効果を両立することができる。   The difference between the 95% weight reduction temperature and the 5% weight reduction temperature of the thermally decomposable resin component contained in the adhesive layer 102 is preferably 1 ° C. or more and 300 ° C. or less. Especially, it is preferable that the difference of 95% weight reduction temperature and 5% weight reduction temperature is 5 degreeC or more and 200 degrees C or less. By setting the temperature to 1 ° C or higher, there is an effect that a large amount of outgas is generated due to a rapid pyrolysis reaction and the equipment is prevented from being contaminated. By setting the temperature to 300 ° C or lower, the time required for thermal decomposition is shortened. Therefore, the damage to the semiconductor element sealing body 270 can be suppressed and the effect that the thermally decomposable resin component hardly remains in the semiconductor element sealing body 270 can be achieved.

さらに、接着層102に含まれる熱分解性樹脂成分は、5%重量減少温度が50℃以上、特に100℃以上である樹脂組成物であることが好ましい。このようにすることで、半導体素子封止体270の製造プロセス中に接着層102が不要に、熱分解してしまうことを抑制できる。   Furthermore, the thermally decomposable resin component contained in the adhesive layer 102 is preferably a resin composition having a 5% weight loss temperature of 50 ° C. or higher, particularly 100 ° C. or higher. By doing in this way, it can suppress that the contact bonding layer 102 unnecessarily thermally decomposes during the manufacturing process of the semiconductor element sealing body 270.

ここで、50%重量減少温度、95%重量減少温度、5%重量減少温度とは、それぞれTG/DTA(熱重量/示差熱分析)で測定した時の50%、95%、5%の重量が失われる温度を意味する。TG/DTA測定は、熱分解性の樹脂成分を約10mg精秤し、TG/DTA装置(セイコーインスツルメンツ社製)により測定(雰囲気:窒素、昇温速度:5℃/分)することができる。   Here, the 50% weight loss temperature, the 95% weight loss temperature, and the 5% weight loss temperature are the weights of 50%, 95%, and 5% as measured by TG / DTA (thermal weight / differential thermal analysis), respectively. Means the temperature at which is lost. In the TG / DTA measurement, about 10 mg of a thermally decomposable resin component is precisely weighed and measured with a TG / DTA apparatus (manufactured by Seiko Instruments Inc.) (atmosphere: nitrogen, heating rate: 5 ° C./min).

なお、熱分解性の樹脂成分の50%重量減少温度を400℃以下とするためには、たとえば、脂環族や芳香族の骨格を有さない直鎖または分岐状の熱分解性樹脂成分を選択すればよい。   In order to set the 50% weight reduction temperature of the thermally decomposable resin component to 400 ° C. or lower, for example, a linear or branched thermally decomposable resin component having no alicyclic or aromatic skeleton is used. Just choose.

また、95%重量減少温度と5%重量減少温度との差を1℃以上、300℃以下とするためには、たとえば、熱分解性の樹脂組成物の樹脂成分の分子量分布を調整すればよい。   In order to set the difference between the 95% weight loss temperature and the 5% weight loss temperature to 1 ° C. or more and 300 ° C. or less, for example, the molecular weight distribution of the resin component of the thermally decomposable resin composition may be adjusted. .

さらに、5%重量減少温度を50℃以上とするためには、たとえば、熱分解性樹脂成分の分子量を調整すればよい。   Furthermore, in order to set the 5% weight reduction temperature to 50 ° C. or higher, for example, the molecular weight of the thermally decomposable resin component may be adjusted.

なお、本工程においてダミー基板101上に配置される半導体素子26を、予め評価試験を行い良品と判断されたもの選定する構成とすることにより、本実施形態で一括して製造されるパッケージ20の歩留まりの向上を図ることができるとともに、信頼性の高いパッケージ20が得られる。   In this step, the semiconductor elements 26 arranged on the dummy substrate 101 are configured to select those that have been evaluated in advance and determined to be non-defective, so that the package 20 manufactured in a batch in the present embodiment can be selected. The yield can be improved and the highly reliable package 20 can be obtained.

[1−2]次いで、加熱することで熱分解する熱分解性の樹脂成分を含有する犠牲層38を、ダミー基板101上の導体柱28を形成すべき位置にこの導体柱28の形状に対応して形成する。   [1-2] Next, the sacrificial layer 38 containing a thermally decomposable resin component that is thermally decomposed by heating corresponds to the shape of the conductor pillar 28 at a position on the dummy substrate 101 where the conductor pillar 28 is to be formed. To form.

かかる構成の導体柱38の形成方法、すなわち、形成すべき導体柱28の形状に対応してパターニングされた犠牲層38を形成する形成方法は、特に限定されず、例えば、I:予め成形型等を用いてパターニングされた犠牲層38をダミー基板101上に配置する方法、II:ダミー基板101上に前記樹脂成分を含有する薄膜を形成し、犠牲層38の形状に対応したマスクを用いて、この薄膜をパターニングする方法等が挙げられるが、中でも、IIの方法を用いるのが好ましい。IIの方法によれば、微細な形状の犠牲層38であっても、優れたパターニング精度で形成(成膜)することが可能となる。   A method for forming the conductor pillar 38 having such a configuration, that is, a method for forming the sacrificial layer 38 patterned corresponding to the shape of the conductor pillar 28 to be formed is not particularly limited. A method of disposing the sacrificial layer 38 patterned on the dummy substrate 101, II: forming a thin film containing the resin component on the dummy substrate 101, and using a mask corresponding to the shape of the sacrificial layer 38, Although the method of patterning this thin film etc. are mentioned, Among these, it is preferable to use the method II. According to the method II, even the sacrificial layer 38 having a fine shape can be formed (deposited) with excellent patterning accuracy.

また、IIの方法を用いて犠牲層38を形成する場合、犠牲層38は、接着層102の構成材料で説明した樹脂成分と光酸発生剤とを含有する樹脂組成物で構成されているものとする。犠牲層38を、かかる構成のものとすることで、犠牲層(薄膜)38自体が感光性を有するものとなり、薄膜上にレジスト層等を形成することなく薄膜をパターニングすることが可能となるため、犠牲層38を形成するための工程数の削減が図られる。   When the sacrificial layer 38 is formed using the method II, the sacrificial layer 38 is composed of a resin composition containing the resin component described in the constituent material of the adhesive layer 102 and a photoacid generator. And Since the sacrificial layer 38 has such a structure, the sacrificial layer (thin film) 38 itself has photosensitivity, and the thin film can be patterned without forming a resist layer or the like on the thin film. Thus, the number of steps for forming the sacrificial layer 38 can be reduced.

以下、前記樹脂成分と前記光酸発生剤とを含有する樹脂組成物で構成される薄膜を形成して、IIの方法を用いて犠牲層38を形成する場合を一例に説明する。   Hereinafter, the case where the thin film comprised with the resin composition containing the said resin component and the said photo-acid generator is formed and the sacrificial layer 38 is formed using the method of II is demonstrated to an example.

[1−2a]まず、加熱することで熱分解する熱分解性の樹脂成分と、活性エネルギー線の照射により酸を発生する光酸発生剤とを含有する樹脂組成物を含む液状材料を用意し、その後、この液状材料をダミー基板101上に供給し乾燥させることにより薄膜を形成する(第1の工程)。   [1-2a] First, a liquid material including a resin composition containing a thermally decomposable resin component that is thermally decomposed by heating and a photoacid generator that generates an acid upon irradiation with active energy rays is prepared. Thereafter, this liquid material is supplied onto the dummy substrate 101 and dried to form a thin film (first step).

この樹脂組成物は、接着層102の構成材料で説明した樹脂成分と光酸発生剤とを必須成分として含有するものであり、その他の構成材料としては接着層102と同様の組成をなすものである。   This resin composition contains the resin component described in the constituent material of the adhesive layer 102 and the photoacid generator as essential components, and other constituent materials have the same composition as the adhesive layer 102. is there.

なお、犠牲層38の構成材料として用いる樹脂組成物としては、活性エネルギー線の照射前後の50%重量減少温度の差が20〜100℃であるものを用いるのが好ましい。これにより、薄膜の活性エネルギー線を照射した領域をより優れた選択性をもって、除去することができるようになる。   In addition, as a resin composition used as a constituent material of the sacrificial layer 38, it is preferable to use a resin composition having a difference in 50% weight loss temperature of 20 to 100 ° C. before and after irradiation with active energy rays. As a result, the region irradiated with the active energy rays of the thin film can be removed with better selectivity.

また、樹脂組成物として、前記活性エネルギー線の照射後の95%重量減少温度と5%重量減少温度との差が、1℃≦(95%重量減少温度)−(5%重量減少温度)≦200℃であるものを用いるのが好ましい。これにより、活性エネルギー線を照射した領域における薄膜を除去する際に、薄膜を加熱する温度範囲を狭く設定することが可能となり、薄膜の除去に要する時間を短縮できるという利点が得られる。   Further, as the resin composition, the difference between the 95% weight reduction temperature and the 5% weight reduction temperature after irradiation with the active energy ray is 1 ° C. ≦ (95% weight reduction temperature) − (5% weight reduction temperature) ≦ It is preferable to use one at 200 ° C. Thereby, when removing the thin film in the region irradiated with the active energy ray, it is possible to set a narrow temperature range for heating the thin film, and there is an advantage that the time required for removing the thin film can be shortened.

さらに、樹脂組成物として、前記活性エネルギー線の照射後の95%重量減少温度と5%重量減少温度との差が、80℃≦(95%重量減少温度)−(5%重量減少温度)≦150℃であるものを用いるのがより好ましい。これにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。   Further, as the resin composition, the difference between the 95% weight reduction temperature and the 5% weight reduction temperature after irradiation with the active energy ray is 80 ° C. ≦ (95% weight reduction temperature) − (5% weight reduction temperature) ≦ It is more preferable to use what is 150 degreeC. Thereby, the said effect can be exhibited more notably.

なお、上述した樹脂組成物において、樹脂成分は、活性種の存在下で、樹脂成分の主鎖が熱切断するものであるのが好ましい。これにより、樹脂組成物の50%重量減少温度を効果的に下げることができるため、薄膜の活性エネルギー線を照射した領域をより優れた選択性をもって、除去することができ、さらに、前記樹脂成分の主鎖が熱切断し、低分子成分となって揮発するため、ダミー基板101上に樹脂組成物が残留し難いという利点が得られる。   In the resin composition described above, the resin component is preferably one in which the main chain of the resin component is thermally cut in the presence of active species. Thereby, since the 50% weight reduction temperature of the resin composition can be effectively lowered, the region irradiated with the active energy ray of the thin film can be removed with better selectivity. The main chain is thermally cut and volatilizes as a low molecular component, so that an advantage that the resin composition hardly remains on the dummy substrate 101 can be obtained.

また、樹脂成分は、活性種の存在下で、樹脂成分の熱閉環反応が促進されるものであるのが好ましい。これにより、樹脂成分が熱閉環することにより、樹脂成分がより効果的に熱分解し易くなるため、50%重量減少温度が効果的に低下するという利点が得られるためである。   Moreover, it is preferable that a resin component is a thing by which the thermal ring-closing reaction of a resin component is accelerated | stimulated in presence of an active species. Thereby, since the resin component is more easily thermally decomposed by the thermal ring closure of the resin component, an advantage that the 50% weight reduction temperature is effectively reduced can be obtained.

さらに、樹脂成分は、主鎖に脂肪族4級の炭素原子を有するものであるのが好ましい。かかる樹脂成分を選択することで、樹脂成分を熱分解させる際の樹脂成分由来の中間体の安定性が向上することになる。   Furthermore, the resin component preferably has an aliphatic quaternary carbon atom in the main chain. By selecting such a resin component, the stability of the intermediate derived from the resin component when the resin component is thermally decomposed is improved.

また、樹脂成分は、主鎖にヘテロ原子を有するものであるのが好ましい。かかる樹脂成分を選択することで、樹脂成分中において、結合電子が移動しやすいため、主鎖の熱分解および熱閉環反応が促進されることとなり、50%重量減少温度が低下し易くなるという利点が得られる。   The resin component preferably has a hetero atom in the main chain. By selecting such a resin component, bond electrons easily move in the resin component, so that thermal decomposition of the main chain and thermal ring closure reaction are promoted, and the 50% weight loss temperature is likely to be lowered. Is obtained.

さらに、この際、樹脂成分は、主鎖のヘテロ原子に隣接した3級の炭素原子を有するものであるのが好ましい。これにより、樹脂成分の50%重量減少温度を低下させる際の樹脂成分由来の中間体の安定性、さらには、結合電子が移動しやすくなり、主鎖の熱分解および熱閉環反応が促進するという利点が得られる。なお、本明細書中において、ヘテロ原子とは、水素および炭素以外の原子を意味する。   Further, at this time, the resin component preferably has a tertiary carbon atom adjacent to the hetero atom of the main chain. As a result, the stability of the intermediate derived from the resin component when the 50% weight reduction temperature of the resin component is lowered, and further, the bonded electrons are easily transferred, and the thermal decomposition and thermal ring closure reaction of the main chain are promoted. Benefits are gained. In the present specification, the hetero atom means an atom other than hydrogen and carbon.

また、樹脂成分は、その主鎖の繰返し原子数が5〜7であるものであるのが好ましい。これは、繰返し原子数が5〜7であると環状構造(5〜7員環)を形成しやすく、かかる構造を有する樹脂成分は、その50%重量減少温度が効果的に低下したものとなるためである。   The resin component preferably has 5 to 7 repeating atoms in the main chain. This is because when the number of repeating atoms is 5 to 7, it is easy to form a cyclic structure (5 to 7-membered ring), and the resin component having such a structure has a 50% weight reduction temperature effectively reduced. Because.

さらに、樹脂成分は、その主鎖にX−C(=O)−Y構造を有するものであるのが好ましい。ここで、前記構造中、XおよびYはそれぞれ、酸素原子、窒素原子、硫黄原子のいずれかである。樹脂成分をかかる構造を有するものとすることで、結合電子が移動しやすいため、主鎖の熱分解および熱閉環反応が促進され、樹脂成分の50%重量減少温度が低下し易くなるという利点が得られる。   Furthermore, the resin component preferably has an XC (= O) -Y structure in the main chain. Here, in the structure, X and Y are each an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom. By having the resin component having such a structure, the bonded electrons are easily moved, so that the thermal decomposition of the main chain and the thermal ring closure reaction are promoted, and the 50% weight reduction temperature of the resin component is easily lowered. can get.

また、樹脂成分は、主鎖に1級あるいは2級の炭素原子を有し、この炭素原子の側鎖に官能基が結合している構造のものであるのが好ましい。これは、官能基により主鎖の熱分解が促進されるという理由による。   The resin component preferably has a structure having a primary or secondary carbon atom in the main chain and a functional group bonded to the side chain of the carbon atom. This is because the thermal decomposition of the main chain is promoted by the functional group.

さらに、この場合、前記官能基は、カルボニル基、チオカルボニル基、ホルマール基およびアセタール基のうちのいずれかであるのが好ましい。これにより、前記効果がより顕著に発揮されることとなる。   Furthermore, in this case, the functional group is preferably any one of a carbonyl group, a thiocarbonyl group, a formal group and an acetal group. Thereby, the said effect will be exhibited more notably.

なお、液状材料をダミー基板101上に供給する方法としては、特に限定されないが、各種塗布法を用いることができ、塗布法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法等が挙げられる。   The method for supplying the liquid material onto the dummy substrate 101 is not particularly limited, and various coating methods can be used. Examples of the coating method include spin coating, casting, micro gravure coating, and gravure. Examples thereof include a coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an ink jet method, and a micro contact printing method.

また、液状材料を乾燥させる方法としては、特に限定されないが、例えば、樹脂成分の分解・気化が開始する温度よりも低い温度で加熱する方法が挙げられ、かかる方法を用いることで、液状材料の乾燥を容易に行うことができる。   In addition, the method for drying the liquid material is not particularly limited. For example, a method of heating at a temperature lower than the temperature at which the decomposition and vaporization of the resin component starts can be mentioned. Drying can be performed easily.

[1−2b]次いで、犠牲層38を形成しない領域に位置する前記薄膜に、活性エネルギー線を照射することで、前記樹脂成分の50%重量減少温度を低下させる(第2の工程)。   [1-2b] Next, the thin film located in the region where the sacrificial layer 38 is not formed is irradiated with active energy rays to lower the 50% weight reduction temperature of the resin component (second step).

これにより、薄膜の犠牲層38を形成する領域では、前記樹脂成分の50%重量減少温度が高温を維持したままとなるが、薄膜の犠牲層38を形成しない領域では、前記樹脂成分の50%重量減少温度が低下した状態となる。   Thereby, in the region where the thin film sacrificial layer 38 is formed, the 50% weight reduction temperature of the resin component remains high, but in the region where the thin film sacrificial layer 38 is not formed, 50% of the resin component. The weight reduction temperature is reduced.

かかる領域に位置する薄膜に対する活性エネルギー線の照射は、例えば、前記領域の形状に対応した開口部を有するマスクを用意し、このマスクを介して、前記薄膜に活性エネルギー線を照射することで行うことができる。   Irradiation of active energy rays to the thin film located in such a region is performed by, for example, preparing a mask having an opening corresponding to the shape of the region and irradiating the thin film with active energy rays through the mask. be able to.

[1−2c]次いで、薄膜を加熱して、犠牲層38を形成しない領域に位置する薄膜に含まれる前記樹脂成分を選択的に分解・気化させる(第3の工程)。   [1-2c] Next, the thin film is heated to selectively decompose and vaporize the resin component contained in the thin film located in the region where the sacrificial layer 38 is not formed (third step).

そのため、導体柱28を形成すべき位置に、この導体柱28の形状に対応した形状をなす犠牲層38が形成される。   Therefore, a sacrificial layer 38 having a shape corresponding to the shape of the conductor column 28 is formed at a position where the conductor column 28 is to be formed.

ここで、犠牲層38を形成する領域に位置する薄膜を除去することなく、犠牲層38を形成しない領域に位置する薄膜を選択的に除去できるのは、前記工程[1−2b]を経ることで、犠牲層38を形成する領域に位置する薄膜に含まれる樹脂成分の50%重量減少温度が高温を維持したままであるのに対して、犠牲層38を形成しない領域に位置する薄膜に含まれる樹脂成分の50%重量減少温度が低下した状態となっていることに起因する。   Here, the thin film located in the region where the sacrificial layer 38 is not formed can be selectively removed without removing the thin film located in the region where the sacrificial layer 38 is formed through the step [1-2b]. Thus, while the 50% weight reduction temperature of the resin component contained in the thin film located in the region where the sacrificial layer 38 is formed remains high, it is contained in the thin film located in the region where the sacrificial layer 38 is not formed. This is because the 50% weight reduction temperature of the resin component is reduced.

このような状態となっている薄膜を加熱すると、犠牲層38を形成しない領域に位置する薄膜が優先的に除去されるため、導体柱28の形状に対応した(一致した)形状をなす犠牲層38が形成される。   When the thin film in such a state is heated, the thin film located in the region where the sacrificial layer 38 is not formed is removed preferentially, and therefore the sacrificial layer having a shape corresponding to (matching) the shape of the conductor pillar 28. 38 is formed.

このように、前記樹脂成分と前記活性剤とを含有する樹脂組成物を含有する感光性を有する薄膜を形成し、その後、この薄膜をパターニングすることにより犠牲層38を得る方法によれば、比較的簡単な工程で、微細な形状の犠牲層38を確実に形成することができる。   Thus, according to the method of forming the photosensitive thin film containing the resin composition containing the resin component and the activator and then patterning the thin film, the sacrificial layer 38 is obtained by comparison. The sacrificial layer 38 having a fine shape can be reliably formed by a simple process.

具体的には、犠牲層38を、例えば、円柱形状のものとする場合、半径20〜100μm程度、高さ30〜500μm程度のものを形成することが可能となる。   Specifically, when the sacrificial layer 38 has a cylindrical shape, for example, a layer having a radius of about 20 to 100 μm and a height of about 30 to 500 μm can be formed.

[1−3]次いで、複数の半導体素子26を、このものが有する電極パッド(図示せず)がシート材25’側となるように配置(載置)する。   [1-3] Next, the plurality of semiconductor elements 26 are arranged (placed) such that an electrode pad (not shown) of the semiconductor element 26 is on the sheet material 25 'side.

以上のような工程を経ることにより、ダミー基板101上に、複数の半導体素子26が配置されるとともに、犠牲層38が導体柱28を形成すべき位置にこの導体柱28の形状に対応して形成される。   Through the above-described steps, a plurality of semiconductor elements 26 are arranged on the dummy substrate 101, and the sacrificial layer 38 corresponds to the shape of the conductor pillar 28 at a position where the conductor pillar 28 is to be formed. It is formed.

なお、上記では、まず、前記工程[1−2]においてダミー基板101上に犠牲層38を形成し、次いで、前記[1−3]においてダミー基板101上に半導体素子26を形成する場合について説明したが、これに限らず、前記工程[1−2]と、前記工程[1−3]との順序を逆にしてもよい。   In the above description, the sacrificial layer 38 is first formed on the dummy substrate 101 in the step [1-2], and then the semiconductor element 26 is formed on the dummy substrate 101 in the step [1-3]. However, the present invention is not limited to this, and the order of the step [1-2] and the step [1-3] may be reversed.

[2]次に、ダミー基板101の上面、すなわち半導体素子26が配置され、かつ、犠牲層38が形成されている側の面を、ダミー基板101と半導体素子26と犠牲層38とを覆うように封止部27を形成する(図3(b)参照。;封止部形成工程)。   [2] Next, the upper surface of the dummy substrate 101, that is, the surface on which the semiconductor element 26 is disposed and the sacrificial layer 38 is formed, covers the dummy substrate 101, the semiconductor element 26, and the sacrificial layer 38. The sealing part 27 is formed in (see FIG. 3B; sealing part forming step).

封止部27を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、顆粒状のエポキシ樹脂組成物を溶融させた状態で、ダミー基板101、半導体素子26および犠牲層38を覆うようにダミー基板101の上面に供給した後、この溶融状態のエポキシ樹脂組成物を圧縮成形する方法が挙げられる。かかる方法によれば、半導体素子26をダミー基板101上において容易かつ高密度に封止部27で封止することができる。   A method for forming the sealing portion 27 is not particularly limited. For example, the dummy substrate 101 is covered so as to cover the dummy substrate 101, the semiconductor element 26, and the sacrificial layer 38 in a state where the granular epoxy resin composition is melted. And a method of compressing and molding the molten epoxy resin composition after being supplied to the upper surface of the resin. According to this method, the semiconductor element 26 can be easily and densely sealed on the dummy substrate 101 with the sealing portion 27.

また、本実施形態のように、エポキシ樹脂組成物で構成される封止部27によりダミー基板101上の半導体素子26および犠牲層38を取り囲むようにして半導体素子26および犠牲層38を封止する構成とすることにより、ダミー基板101と封止部27との間での熱線膨張係数の差を小さく設定することができる。これにより、ダミー基板101から半導体素子封止体270を剥離する際には、通常、これらを加熱することになるが、この際に、ダミー基板101と封止部27との間で反りが生じ、これに起因して、封止部27に亀裂が生じてしまうのを的確に抑制または防止することができる。   Further, as in the present embodiment, the semiconductor element 26 and the sacrificial layer 38 are sealed so as to surround the semiconductor element 26 and the sacrificial layer 38 on the dummy substrate 101 by the sealing portion 27 formed of the epoxy resin composition. By setting it as a structure, the difference of the thermal expansion coefficient between the dummy substrate 101 and the sealing part 27 can be set small. As a result, when the semiconductor element sealing body 270 is peeled from the dummy substrate 101, these are usually heated. At this time, warpage occurs between the dummy substrate 101 and the sealing portion 27. As a result, it is possible to accurately suppress or prevent the sealing portion 27 from being cracked.

以下、かかる方法により、封止部27を形成する場合について詳述する。
[2−1]まず、エポキシ樹脂組成物を瞬時に下型キャビティ504内に供給することができるシャッター等の樹脂材料供給機構を備えた樹脂材料供給容器502上に、振動フィーダー501等の搬送手段を用いて顆粒状のエポキシ樹脂組成物503を一定量搬送し、これにより、顆粒状のエポキシ樹脂組成物503が入れられた樹脂材料供給容器502を用意する(図6参照。)。
Hereinafter, the case where the sealing part 27 is formed by this method will be described in detail.
[2-1] First, a conveying means such as a vibration feeder 501 is provided on a resin material supply container 502 provided with a resin material supply mechanism such as a shutter that can instantaneously supply the epoxy resin composition into the lower mold cavity 504. A certain amount of the granular epoxy resin composition 503 is transported by using this, thereby preparing a resin material supply container 502 containing the granular epoxy resin composition 503 (see FIG. 6).

この際、樹脂材料供給容器502における顆粒状のエポキシ樹脂組成物503の計量は、樹脂材料供給容器502の下に設置した計量手段により行われる。   At this time, the measurement of the granular epoxy resin composition 503 in the resin material supply container 502 is performed by a measuring means installed under the resin material supply container 502.

ここで、顆粒状のエポキシ樹脂組成物503は、その構成材料として、エポキシ樹脂を含有するものである。   Here, the granular epoxy resin composition 503 contains an epoxy resin as a constituent material thereof.

エポキシ樹脂としては、例えば、1分子内にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量および分子構造を特に限定するものではない。具体的には、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂;クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂;トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の3官能型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂;トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the epoxy resin include monomers, oligomers, and polymers in general having two or more epoxy groups in one molecule, and the molecular weight and molecular structure thereof are not particularly limited. Specifically, crystalline epoxy resins such as biphenyl type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, hydroquinone type epoxy resin; cresol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, Novolac type epoxy resins such as naphthol novolac type epoxy resins; Phenol aralkyl type epoxy resins such as phenylene skeleton-containing phenol aralkyl type epoxy resins, biphenylene skeleton containing phenol aralkyl type epoxy resins, phenylene skeleton containing naphthol aralkyl type epoxy resins; Triphenolmethane type Trifunctional epoxy resins such as epoxy resins and alkyl-modified triphenolmethane epoxy resins; dicyclopentadiene-modified phenolic epoxy Modified phenol type epoxy resins such as cis-resin and terpene modified phenol type epoxy resins; heterocyclic ring-containing epoxy resins such as triazine nucleus-containing epoxy resins, and the like. Among these, one kind or two or more kinds can be used in combination. .

また、エポキシ樹脂組成物503は、その構成材料として、硬化剤を含有しているのが好ましい。   Moreover, it is preferable that the epoxy resin composition 503 contains the hardening | curing agent as the constituent material.

硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応して硬化させるものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数2〜20の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルプロパン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジシクロヘキサン、ビス(4−アミノフェニル)フェニルメタン、1,5−ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、1,1−ビス(4−アミノフェニル)シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミノ類;アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂;フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂;ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂;ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン;ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)等の芳香族酸無水物等を含む酸無水物等;ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物;イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物;カルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   The curing agent is not particularly limited as long as it can be cured by reacting with an epoxy resin, and examples thereof include ethylene diamine, trimethylene diamine, tetramethylene diamine, and hexamethylene diamine. Linear aliphatic diamine, metaphenylenediamine, paraphenylenediamine, paraxylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diamino Diphenylsulfone, 4,4′-diaminodicyclohexane, bis (4-aminophenyl) phenylmethane, 1,5-diaminonaphthalene, metaxylenediamine, paraxylenediamine, 1,1-bis (4-aminophenyl) cyclohexane, Dicyanodiamide Amino acids; resol-type phenol resins such as aniline-modified resole resins and dimethyl ether resole resins; Phenol aralkyl resins such as biphenylene skeleton-containing phenol aralkyl resins; phenol resins having a condensed polycyclic structure such as naphthalene skeleton and anthracene skeleton; polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene; hexahydrophthalic anhydride (HHPA), methyltetrahydrophthalic anhydride Acid (MTHPA) alicyclic acid anhydride, trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA), benzofu Acid anhydrides including aromatic acid anhydrides such as non-tetracarboxylic acid (BTDA); Polymercaptan compounds such as polysulfides, thioesters, thioethers; Isocyanate compounds such as isocyanate prepolymers and blocked isocyanates; Carboxylic acid-containing polyester resins Organic acids, such as these, are mentioned, Among these, it can be used 1 type or in combination of 2 or more types.

また、これらの中でも、半導体素子26および犠牲層38を封止するための封止部27の構成材料に用いる硬化剤としては、耐湿性、信頼性等の観点から、1分子内に少なくとも2個のフェノール性水酸基を有する化合物が好ましく用いられる。かかる硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;レゾール型フェノール樹脂;ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン;フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。   Among these, as the curing agent used for the constituent material of the sealing portion 27 for sealing the semiconductor element 26 and the sacrificial layer 38, at least two curing agents are used in one molecule from the viewpoint of moisture resistance, reliability, and the like. A compound having a phenolic hydroxyl group is preferably used. Examples of the curing agent include novolak type phenol resins such as phenol novolak resin, cresol novolak resin, tert-butylphenol novolak resin, and nonylphenol novolak resin; resol type phenol resin; polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene; phenylene skeleton-containing phenol. Examples thereof include aralkyl resins and biphenylene skeleton-containing phenol aralkyl resins.

また、エポキシ樹脂組成物503は、その構成材料として、無機充填材を含有しているものを用いることができる。   Moreover, the epoxy resin composition 503 can use what contains an inorganic filler as a constituent material.

無機充填材としては、特に限定されず、例えば、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、2次凝集シリカ等のシリカ;アルミナ;チタンホワイト;水酸化アルミニウム;タルク;クレー;マイカ;ガラス繊維等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、特に溶融球状シリカが好ましい。また、粒子形状は限りなく真球状であることが好ましい。さらに、粒子の大きさの異なるものを混合することにより無機充填量を多くすることができるが、その粒径としては、下型キャビティ504内での半導体素子26の周辺への充填性を考慮すると0.01μm以上、150μm以下であることが好ましい。   The inorganic filler is not particularly limited. For example, silica such as fused crushed silica, fused spherical silica, crystalline silica, secondary agglomerated silica; alumina; titanium white; aluminum hydroxide; talc; clay; mica; glass fiber, etc. These can be used, and one or more of these can be used in combination. Among these, fused spherical silica is particularly preferable. Further, the particle shape is preferably infinitely spherical. Furthermore, the inorganic filling amount can be increased by mixing the particles having different particle sizes, but the particle size is considered in consideration of the filling property around the semiconductor element 26 in the lower mold cavity 504. It is preferable that they are 0.01 micrometer or more and 150 micrometers or less.

また、エポキシ樹脂組成物503は、その構成材料として、硬化促進剤を含有しているのが好ましい。   Moreover, it is preferable that the epoxy resin composition 503 contains the hardening accelerator as the structural material.

硬化促進剤としては、特に限定されず、例えば、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7等のジアザビシクロアルケン及びその誘導体;トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のアミン系化合物;2−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物;トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類;テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート;ベンゾキノンをアダクトしたトリフェニルホスフィン等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   The curing accelerator is not particularly limited, and examples thereof include diazabicycloalkenes such as 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 and derivatives thereof; amine compounds such as tributylamine and benzyldimethylamine; Imidazole compounds such as 2-methylimidazole; organic phosphines such as triphenylphosphine and methyldiphenylphosphine; tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium / tetrabenzoic acid borate, tetraphenylphosphonium / tetranaphthoic acid borate, tetra Tetra-substituted phosphonium / tetra-substituted borates such as phenylphosphonium / tetranaphthoyloxyborate and tetraphenylphosphonium / tetranaphthyloxyborate; Include triphenylphosphine or the like is can be used singly or in combination of two or more of them.

さらに、エポキシ樹脂組成物503は、上記の構成材料の他に、必要に応じて、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤;カーボンブラック等の着色剤;天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸もしくはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等の離型剤;シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力剤;ハイドロタルサイト等のイオン捕捉剤;水酸化アルミニウム等の難燃剤;酸化防止剤等の各種添加剤を含有していてもよい。   Further, the epoxy resin composition 503 includes, in addition to the above-described constituent materials, a coupling agent such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane; a colorant such as carbon black; a natural wax, a synthetic wax, Release agents such as higher fatty acids or metal salts thereof, paraffin and oxidized polyethylene; low stress agents such as silicone oil and silicone rubber; ion scavengers such as hydrotalcite; flame retardants such as aluminum hydroxide; Various additives may be contained.

また、顆粒状のエポキシ樹脂組成物503は、JIS標準篩を用いて篩分により測定した粒度分布における、2mm以上の粗粒の割合が全樹脂組成物に対して3質量%以下であることが好ましく、1質量%以下であることがより好ましい。これは、粒子サイズが大きくなるほどその質量、体積とも大きくなることから、サイズの大きな粒子の割合が多いほど、秤量時の秤量精度が低下し、圧縮成形後の封止部27の品質低下の一因となったり、振動フィーダー501や樹脂材料供給容器502等の供給口での詰まり等の問題が生じたりする。これに対して、上述した上限値以下の範囲とすると、良好な秤量精度が得られることで半導体装置における品質の低下を引き起こす恐れが低くなり、さらに、前記供給口での詰まり等の問題を生じる恐れも低くなるためである。また、2mm以上の粗粒の割合の下限値については、特に限定するものではなく、0質量%であってもよい。   Further, in the granular epoxy resin composition 503, the ratio of coarse particles of 2 mm or more in the particle size distribution measured by sieving using a JIS standard sieve is 3% by mass or less with respect to the total resin composition. Preferably, it is 1 mass% or less. This is because the larger the particle size, the larger the mass and volume. Therefore, the greater the proportion of the larger particles, the lower the weighing accuracy at the time of weighing, and a decrease in the quality of the sealing part 27 after compression molding. This may cause problems such as clogging at supply ports such as the vibration feeder 501 and the resin material supply container 502. On the other hand, if the range is equal to or less than the above-described upper limit value, a good weighing accuracy can be obtained, thereby reducing the possibility of causing a deterioration in quality in the semiconductor device, and causing problems such as clogging at the supply port. This is because the fear is reduced. Moreover, about the lower limit of the ratio of the coarse grain of 2 mm or more, it does not specifically limit and 0 mass% may be sufficient.

また、顆粒状のエポキシ樹脂組成物503は、安定した秤量精度を得るため、JIS標準篩を用いて篩分により測定した粒度分布における、106μm未満の微粉の割合が全樹脂組成物に対して5質量%以下であることが好ましく、3質量%以下であることがより好ましい。このことは、106μm未満の微粉が、顆粒状のエポキシ樹脂組成物503の保管中における固着、顆粒状のエポキシ樹脂組成物503の搬送経路上での粒子同士の固着や搬送装置への付着を生じ、搬送不良の原因となり、連続生産性や生産のタクトタイムに支障をきたしたりする。これに対して、上述した上限値以下の範囲とすると、粒子同士の固着や搬送装置への付着がほとんどなく、良好な連続生産性や安定した生産性が得られる。また、粒径が106μm未満の微粉の割合の下限値については、特に限定されるものではなく、0質量%であってもよい。   Moreover, in order to obtain stable weighing accuracy, the granular epoxy resin composition 503 has a proportion of fine powder of less than 106 μm in the particle size distribution measured by sieving using a JIS standard sieve is 5 with respect to the total resin composition. The content is preferably at most mass%, more preferably at most 3 mass%. This means that fine powder of less than 106 μm is fixed during storage of the granular epoxy resin composition 503, fixed particles on the transport path of the granular epoxy resin composition 503, and adhered to the transport device. This may cause poor conveyance and hinder continuous productivity and production cycle time. On the other hand, when the range is equal to or less than the above-described upper limit value, there is almost no sticking of particles and adhesion to the conveying device, and good continuous productivity and stable productivity can be obtained. Further, the lower limit value of the proportion of fine powder having a particle size of less than 106 μm is not particularly limited, and may be 0% by mass.

なお、顆粒状のエポキシ樹脂組成物503の粒度分布を測定する方法としては、例えば、ロータップ型篩振動機に備え付けた目開き2.00mmおよび106μmのJIS標準篩を用い、これらの篩を20分間に亘って振動(ハンマー打数:120回/分)させながら40gの試料を篩に通して分級し、分級前の試料質量に対する2.00mmの篩に残る粗粒の質量%、106μmの篩を通過する微粉の質量%を求める方法が、実際の圧縮成形に必要な特性を体現できるので好ましい。なお、この方法の場合、アスペクト比の高い粒子(短径は篩の目開きより小さく、長径は大きいもの)は、それぞれの篩を通過する可能性があるが、便宜上、一定の方法により分級した成分の質量%により、顆粒状の樹脂組成物の粒度分布と定義する。   In addition, as a method for measuring the particle size distribution of the granular epoxy resin composition 503, for example, using a JIS standard sieve having a mesh size of 2.00 mm and 106 μm provided in a low-tap type sieve vibrator, 40 g of sample is passed through a sieve while vibrating (hammer stroke: 120 times / min.), And passes through a 106 μm sieve, the mass% of coarse particles remaining on the 2.00 mm sieve with respect to the sample weight before classification. The method for obtaining the mass% of the fine powder to be used is preferable because the characteristics necessary for actual compression molding can be realized. In this method, particles having a high aspect ratio (the minor axis is smaller than the sieve opening and the major axis is larger) may pass through each sieve, but for convenience, they are classified by a certain method. The particle size distribution of the granular resin composition is defined by mass% of the components.

また、顆粒状のエポキシ樹脂組成物503は、顆粒密度D1と硬化後の硬化物比重D2の比D1/D2が0.88〜0.95程度であることが好ましく、0.90〜0.94程度であることがより好ましい。このような下限値以上とすると、粒子内部の空隙率が高くなり過ぎることがなく、圧縮成形時における封止部27内でのボイドの発生等の問題が生じるおそれが低い。また、上述した上限値以下とすると、顆粒密度が高くなり過ぎることがなく、振動フィーダー501等の搬送手段による搬送時に顆粒の移動速度が遅くなる問題もない。移動速度が遅くなると停滞する恐れがあり、それによる固着、つまり等の問題が生じる。さらに、顆粒状のエポキシ樹脂組成物503の顆粒密度D1としては、1.95以下であることが好ましく、1.90以下であることがより好ましい。このような上限値以下とすると、良好な搬送性が得られる。また、顆粒状のエポキシ樹脂組成物503の顆粒密度D1の下限値としては、特に限定されるものではないが、粒子内部の空隙率が高くなり過ぎない範囲となる1.75以上とすることが好ましい。   The granular epoxy resin composition 503 preferably has a ratio D1 / D2 of the granule density D1 and the cured product specific gravity D2 of about 0.88 to 0.95, preferably 0.90 to 0.94. More preferably, it is about. When the lower limit value is exceeded, the voids inside the particles do not become too high, and there is a low possibility that problems such as the generation of voids in the sealing portion 27 during compression molding will occur. Moreover, if it is below the above-mentioned upper limit value, the granule density will not become too high, and there will be no problem that the moving speed of the granule becomes slow at the time of conveyance by a conveying means such as the vibration feeder 501. If the moving speed becomes slow, there is a risk of stagnation, which causes problems such as sticking. Furthermore, the granule density D1 of the granular epoxy resin composition 503 is preferably 1.95 or less, and more preferably 1.90 or less. When the upper limit value is not exceeded, good transportability is obtained. Further, the lower limit value of the granule density D1 of the granular epoxy resin composition 503 is not particularly limited, but may be 1.75 or more which is a range in which the porosity inside the particles does not become too high. preferable.

顆粒密度D1の測定方法としては、取扱し易いように顆粒状の樹脂組成物を32メッシュ(目開き500μm)のJIS標準篩にて篩分後、篩上の顆粒状の樹脂組成物約5gを0.1mgまで秤量したものを試料とする。ピクノメータ(容量50cc)を蒸留水で満たし、さらに界面活性剤を数滴添加した後、蒸留水と界面活性剤の入ったピクノメータの質量を測定する。次いで、ピクノメータに試料をいれ、蒸留水と界面活性剤と試料の入ったピクノメータ全体の質量を測定し、以下の式(1)にしたがって算出する。
顆粒密度(g/ml)=(Mp×ρw)/(Mw+Mp−Mt) ・・・(1)
ρw:測定時の温度における蒸留水の密度(g/ml)
Mw:蒸留水を満たし、さらに界面活性剤を数滴添加したピクノメータの質量(g)
Mp:試料の質量(g)
Mt:蒸留水と界面活性剤と試料をいれたピクノメータの質量(g)
なお、界面活性剤は蒸留水と試料の濡れを高め、気泡の巻き込みを極小にするために用いる。使用可能な界面活性剤は特に制限がなく、気泡の巻き込みがなくなるような材料を選択すればよい。
The granule density D1 is measured by sieving the granular resin composition with a JIS standard sieve of 32 mesh (aperture 500 μm) for easy handling, and then adding about 5 g of the granular resin composition on the sieve. A sample weighed to 0.1 mg is used. After filling the pycnometer (capacity 50 cc) with distilled water and adding a few drops of surfactant, the mass of the pycnometer containing distilled water and surfactant is measured. Next, the sample is put into a pycnometer, the mass of the entire pycnometer containing distilled water, a surfactant, and the sample is measured, and calculated according to the following formula (1).
Granule density (g / ml) = (Mp × ρw) / (Mw + Mp−Mt) (1)
ρw: density of distilled water at the measurement temperature (g / ml)
Mw: Mass of a pycnometer filled with distilled water and further added with a few drops of surfactant (g)
Mp: sample mass (g)
Mt: Mass of the pycnometer containing distilled water, surfactant and sample (g)
The surfactant is used to increase the wetting of distilled water and the sample and minimize the entrainment of bubbles. There are no particular limitations on the surfactant that can be used, and a material that eliminates entrainment of bubbles may be selected.

また、硬化物比重D2の測定方法としては、より簡便な方法であるトランスファー成形による硬化物比重の測定方法を用いる。具体的には、顆粒状のエポキシ樹脂組成物503を一旦所定の寸法のタブレットに打錠し、トランスファー成形機を用い、金型温度175±5℃、注入圧力7MPa、硬化時間120秒で、直径50mm×厚さ3mmの円盤を成形し、質量、体積を求め成形材料の硬化物比重を算出する方法が挙げられる。   Moreover, as a measuring method of hardened | cured material specific gravity D2, the measuring method of hardened | cured material specific gravity by transfer molding which is a simpler method is used. Specifically, the granular epoxy resin composition 503 is once compressed into tablets of a predetermined size, and using a transfer molding machine, the mold temperature is 175 ± 5 ° C., the injection pressure is 7 MPa, the curing time is 120 seconds, and the diameter is Examples include a method of forming a disk having a size of 50 mm and a thickness of 3 mm, calculating the mass and volume, and calculating the specific gravity of the cured product.

[2−2]次に、圧縮成形金型の上型と下型の間に、顆粒状のエポキシ樹脂組成物503が入れられた樹脂材料供給容器502を設置するとともに、前記工程[1]において形成した、半導体素子26が配置され、かつ犠牲層38が形成されたダミー基板101を、クランプ、吸着のような固定手段により圧縮成型金型の上型に、半導体素子26および犠牲層38が下側になるようにして固定する(図示せず。)。   [2-2] Next, the resin material supply container 502 in which the granular epoxy resin composition 503 is placed is placed between the upper mold and the lower mold of the compression mold, and in the step [1] The formed dummy substrate 101 on which the semiconductor element 26 is disposed and the sacrificial layer 38 is formed is placed on the upper mold of the compression molding die by a fixing means such as clamping and suction, and the semiconductor element 26 and the sacrificial layer 38 are placed below. Fix it to the side (not shown).

[2−3]次に、樹脂材料供給容器502の底面を構成するシャッター等の樹脂材料供給機構により、秤量された顆粒状のエポキシ樹脂組成物503を下型が備える下型キャビティ504内へ供給する(図7参照。)。   [2-3] Next, the weighed granular epoxy resin composition 503 is supplied into the lower mold cavity 504 provided in the lower mold by a resin material supply mechanism such as a shutter constituting the bottom surface of the resin material supply container 502. (See FIG. 7).

これにより、顆粒状のエポキシ樹脂組成物503は、下型キャビティ504内で所定温度に加熱され、その結果、溶融される。   Thereby, the granular epoxy resin composition 503 is heated to a predetermined temperature in the lower mold cavity 504, and as a result, is melted.

[2−4]次に、樹脂材料供給容器502を圧縮成形金型の上型と下型の間から搬出した後、上型と下型との距離を接近させることにより型締めを行うことにより、溶融したエポキシ樹脂組成物が半導体素子26および犠牲層38を取り囲むように下型キャビティ504内に充填させる。さらに、溶融したエポキシ樹脂組成物を硬化させることにより封止部27を形成して、ダミー基板101上の半導体素子26および犠牲層38を封止する。   [2-4] Next, after carrying out the resin material supply container 502 from between the upper mold and the lower mold of the compression mold, the mold is clamped by bringing the distance between the upper mold and the lower mold closer. The lower mold cavity 504 is filled with the melted epoxy resin composition so as to surround the semiconductor element 26 and the sacrificial layer 38. Furthermore, the sealing part 27 is formed by hardening the molten epoxy resin composition, and the semiconductor element 26 and the sacrificial layer 38 on the dummy substrate 101 are sealed.

なお、この際、下型キャビティ504内は、減圧下であるのが好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物による充填率をより向上させることができる。   At this time, the inside of the lower mold cavity 504 is preferably under reduced pressure. Thereby, the filling rate by an epoxy resin composition can be improved more.

[2−5]次に、所定時間放置した後、圧縮成形金型の上型と下型とを離間することにより圧縮成型金型を開き、固定手段を解放することにより、封止部27が形成されたダミー基板101を取り出す。   [2-5] Next, after leaving for a predetermined period of time, the compression mold is opened by separating the upper mold and the lower mold, and the fixing means is released, so that the sealing portion 27 is released. The formed dummy substrate 101 is taken out.

以上のようにして、ダミー基板101の上面に、ダミー基板101と半導体素子26と犠牲層38を覆う封止部27が形成される。   As described above, the sealing portion 27 that covers the dummy substrate 101, the semiconductor element 26, and the sacrificial layer 38 is formed on the upper surface of the dummy substrate 101.

すなわち、半導体素子26および犠牲層38の双方を封止する封止部27を一括して形成することができる。   That is, the sealing portion 27 that seals both the semiconductor element 26 and the sacrificial layer 38 can be formed collectively.

[3]次に、接着層102の接着力を低下させることにより、図3(c)に示すように、半導体素子26、犠牲層38および封止部27からダミー基板101を剥離させる(剥離工程)。   [3] Next, by reducing the adhesive force of the adhesive layer 102, the dummy substrate 101 is peeled from the semiconductor element 26, the sacrificial layer 38, and the sealing portion 27 as shown in FIG. ).

これにより、ダミー基板101が取り除かれ、封止部27の下側の面側(他方の面側)から半導体素子26と犠牲層38とが封止部27から露出した状態となる。   Thereby, the dummy substrate 101 is removed, and the semiconductor element 26 and the sacrificial layer 38 are exposed from the sealing portion 27 from the lower surface side (the other surface side) of the sealing portion 27.

この接着層102の接着力の低下は、例えば、前記工程[1]で説明したように、接着層102が熱分解性の樹脂成分を含んで構成される場合には、加熱処理によるエネルギーの付与により容易に行うことができる。   For example, as described in the above step [1], when the adhesive layer 102 includes a thermally decomposable resin component, the decrease in the adhesive strength of the adhesive layer 102 is imparted with energy by heat treatment. Can be easily performed.

すなわち、接着層102が熱分解性の樹脂成分を含んで構成される場合には、接着層102を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、接着層102が気化することに起因して、その接着力が低下する。   That is, when the adhesive layer 102 includes a thermally decomposable resin component, the adhesive layer 102 is vaporized by heating the adhesive layer 102 to thermally decompose the resin component. The adhesive force decreases.

[4]次に、犠牲層38を、加熱することで除去して、封止部27の導体柱28を形成すべき位置に、第1の貫通孔271を形成した後、この第1の貫通孔271に導体柱28を形成する(導体柱形成工程)。   [4] Next, the sacrificial layer 38 is removed by heating, and the first through hole 271 is formed at a position where the conductor column 28 of the sealing portion 27 is to be formed. Conductor columns 28 are formed in the holes 271 (conductor column forming step).

以下、この導体柱形成工程について説明する。
[4−1]まず、犠牲層38を加熱する。
Hereinafter, this conductor column forming step will be described.
[4-1] First, the sacrificial layer 38 is heated.

ここで、犠牲層38は、加熱することで分解し気化する樹脂成分を含有し、かつ、封止部27の下面側で露出していることから、本工程において、加熱することで分解し気化した前記樹脂成分が、雰囲気中に拡散するため、犠牲層38が除去され、その結果、導体柱28を形成すべき位置に対応して、複数の第1の貫通孔271が形成される。   Here, since the sacrificial layer 38 contains a resin component that decomposes and vaporizes when heated and is exposed on the lower surface side of the sealing portion 27, it decomposes and vaporizes when heated in this step. Since the resin component diffuses into the atmosphere, the sacrificial layer 38 is removed. As a result, a plurality of first through holes 271 are formed corresponding to positions where the conductor pillars 28 are to be formed.

なお、接着層102と犠牲層38とが同一の材料で構成されている場合には、封止部27からのダミー基板101の脱離と、犠牲層38の除去とがほぼ同時に行われる。   When the adhesive layer 102 and the sacrificial layer 38 are made of the same material, the dummy substrate 101 is detached from the sealing portion 27 and the sacrificial layer 38 is removed almost simultaneously.

[4−2]次いで、形成された複数の第1の貫通孔271に、それぞれ、導体柱28を形成する。   [4-2] Next, the conductive pillars 28 are respectively formed in the formed first through holes 271.

この導体柱28を形成する方法としては、後工程[8]において説明する、第2の貫通孔251に導体ポスト24を形成する方法と同様の方法が用いられ、導体ポスト24に対して、優れた密着性を発揮する導体柱28を容易かつ確実に形成することができるという観点から、特に、電解メッキ法が好ましく用いられるが、この電解メッキ法については、後工程[8]において詳述することとする。   As a method for forming the conductor column 28, a method similar to the method for forming the conductor post 24 in the second through hole 251 described in a later step [8] is used. In particular, the electrolytic plating method is preferably used from the viewpoint that the conductor pillars 28 exhibiting excellent adhesion can be easily and reliably formed. This electrolytic plating method will be described in detail in the post-process [8]. I will do it.

[5] 次に、図3(f)に示すように、封止部27の上面を、導体柱28の上面側(一方の面側)の端部が露出するまで、研削および/または研磨する(研削・研磨工程)。   [5] Next, as shown in FIG. 3 (f), the upper surface of the sealing portion 27 is ground and / or polished until the end on the upper surface side (one surface side) of the conductor column 28 is exposed. (Grinding / polishing process).

これにより、パッケージ20の上側に搭載されるパッケージとバンプ21を介して電気的に接続される端子として機能する導体柱28が、封止部27の上面側で露出することとなる。   As a result, the conductor pillar 28 functioning as a terminal electrically connected to the package mounted on the upper side of the package 20 via the bump 21 is exposed on the upper surface side of the sealing portion 27.

この封止部27の研削および/または研磨は、例えば、研削装置(グラインダー)が備える研削盤を用いて行うことができる。   The sealing portion 27 can be ground and / or polished using, for example, a grinder provided in a grinding device (grinder).

以上のようにして、半導体素子26と導体柱28とが封止部27により封止された半導体素子封止体270を得ることができる。   As described above, the semiconductor element sealing body 270 in which the semiconductor element 26 and the conductor column 28 are sealed by the sealing portion 27 can be obtained.

なお、前記研削・研磨工程[5]は、上記のように前記導体柱形成工程[4]の後に行う他、前記導体柱形成工程[4]に先立って行うようにしても良い。ただし、本実施形態のように、前記導体柱形成工程[4]の後に行うことにより、前記導体柱形成工程[4]において、封止体27に亀裂等が生じてしまうのを的確に抑制または防止することができる。   The grinding / polishing step [5] may be performed prior to the conductor column forming step [4] in addition to the conductor column forming step [4] as described above. However, as in the present embodiment, by performing after the conductor column forming step [4], it is possible to accurately suppress or prevent the sealing body 27 from being cracked in the conductor column forming step [4]. Can be prevented.

また、上記の半導体素子配置工程[1]、封止部形成工程[2]、剥離工程[3]、導体柱形成工程[4]および研削・研磨工程[5]により、複数の半導体素子26と、複数の導体柱28と、これらを封止する封止部27とを有する半導体素子封止体270が製造される、本発明の半導体素子封止体の製造方法の第1実施形態が構成される。   In addition, the semiconductor element placement process [1], the sealing part formation process [2], the peeling process [3], the conductor pillar formation process [4], and the grinding / polishing process [5] described above, The semiconductor device sealing body 270 according to the first embodiment of the present invention is manufactured, in which the semiconductor element sealing body 270 having the plurality of conductor pillars 28 and the sealing portion 27 for sealing them is manufactured. The

[6]次に、平板状をなすシート材25’を2つ用意し、このシート材25’に、その厚さ方向に貫通する第2の貫通孔251を形成する(貫通孔形成工程)。   [6] Next, two flat sheet materials 25 ′ are prepared, and second through holes 251 that penetrate in the thickness direction are formed in the sheet material 25 ′ (through hole forming step).

なお、この第2の貫通孔251は、次工程[7]において、半導体素子封止体270の上側に配置されるシート材25’では、導体柱28に対応する位置に形成され、半導体素子封止体270の下側に配置されるシート材25’では、半導体素子16が備える電極パッドと導体柱28とに対応する位置に形成される。   In the next step [7], the second through-hole 251 is formed at a position corresponding to the conductor pillar 28 in the sheet material 25 ′ disposed on the upper side of the semiconductor element sealing body 270, and seals the semiconductor element. In the sheet material 25 ′ disposed below the stopper 270, the sheet material 25 ′ is formed at a position corresponding to the electrode pad and the conductor column 28 provided in the semiconductor element 16.

また、シート材25’は、その厚さ方向に切断して個片化することにより、半導体パッケージ20が有するインターポーザー(基板)25となり、半導体素子26および導体柱28を挾持する機能を発揮するものである。   Further, the sheet material 25 ′ is cut in the thickness direction and separated into individual pieces, thereby forming an interposer (substrate) 25 included in the semiconductor package 20 and exhibiting a function of holding the semiconductor element 26 and the conductor pillar 28. Is.

このシート材25’は、特に限定されないが、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板のようなリジット基板(硬性基板)またはフレキシブル基板(可撓性基板)の何れであってもよいが、これらの中でも、特に、ビルドアップ基板であるのが好ましい。ビルドアップ基材は、特に、加工性に優れることから好ましく用いられる。   The sheet material 25 ′ is not particularly limited, but is a rigid substrate (hard substrate) or a flexible substrate (flexible substrate) such as a core substrate made of a core material, a build-up substrate made of a build-up material. Any of these may be used, but among these, a build-up substrate is particularly preferable. A build-up substrate is preferably used because it is particularly excellent in processability.

コア基板としては、特に限定されないが、例えば、主として、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂のような熱硬化性樹脂等で構成されるものが挙げられる。これらの中でも、シアネート樹脂を主材料として構成されているものが好ましく用いられる。かかる構成材料で構成されるシート材25’は、優れた機械的強度を有するものである。   Although it does not specifically limit as a core board | substrate, For example, what is mainly comprised with thermosetting resins, such as cyanate resin, an epoxy resin, a bismaleimide-triazine resin, etc. are mentioned. Among these, those composed mainly of cyanate resin are preferably used. The sheet material 25 ′ composed of such a constituent material has excellent mechanical strength.

シアネート樹脂としては、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得られたものが挙げられる。具体的には、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等が挙げられる。   As cyanate resin, what was obtained by making a halogenated cyanide compound and phenols react, and prepolymerizing by methods, such as a heating as needed, is mentioned. Specific examples include bisphenol type cyanate resins such as novolac type cyanate resin, bisphenol A type cyanate resin, bisphenol E type cyanate resin, and tetramethylbisphenol F type cyanate resin.

なお、エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂のようなビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂のようなノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂のようなアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂およびフルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。   Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin such as bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, novolac type epoxy resin such as cresol novolak epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin. And arylalkylene type epoxy resins such as xylylene type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, norbornene type epoxy resins, adamantane type epoxy resins and fluorene type epoxy resins.

コア基板として、上記のような熱硬化性樹脂を用いる場合、コア基板としては、ガラス繊維織布に硬化前の熱硬化性樹脂を含浸させた後、この熱硬化性樹脂を硬化させることにより得られたものを用いるのが好ましい。これにより、シート材25’(コア基板)は、より優れた機械的強度を発揮するものとなる。   When the thermosetting resin as described above is used as the core substrate, the core substrate is obtained by impregnating a glass fiber woven fabric with a thermosetting resin before curing and then curing the thermosetting resin. It is preferable to use those obtained. As a result, the sheet material 25 ′ (core substrate) exhibits more excellent mechanical strength.

ビルドアップ材料としては、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物等の硬化物を主材料として構成されるものが挙げられる。   The build-up material is not particularly limited, but for example, curing a resin composition containing a thermosetting resin such as a phenol resin, a urea resin, a melamine resin, and an epoxy resin, a curing agent, and an inorganic filler. The thing comprised as a main material is mentioned.

かかる構成の樹脂組成物の中でも、熱硬化性樹脂として、下記一般式(1)で表わされる共重合体エポキシ樹脂を含むものが好ましく用いられる。このような樹脂組成物の硬化物で構成されるシート材25’は、優れた機械的強度を有するものである。また、シート材25’は、本工程[6]において、第2の貫通孔251が形成されるが、微細な形状を有する第2の貫通孔251を形成する際の加工性にも優れる。   Among the resin compositions having such a configuration, those containing a copolymer epoxy resin represented by the following general formula (1) are preferably used as the thermosetting resin. The sheet material 25 ′ composed of a cured product of such a resin composition has excellent mechanical strength. In addition, the sheet material 25 ′ is formed with the second through hole 251 in this step [6], but is excellent in workability when forming the second through hole 251 having a fine shape.

Figure 0005682280
[式中、Arは縮合環芳香族炭化水素基を、Xは水素、またはエポキシ基(グリシジルエーテル基)を、Rは、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される1種を表す。nは1以上の整数であり、p、qは0以上の整数であり、またp、qの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。]
Figure 0005682280
[Wherein Ar represents a condensed ring aromatic hydrocarbon group, X represents hydrogen or an epoxy group (glycidyl ether group), R 2 represents hydrogen, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a phenyl group, And one selected from benzyl groups. n is an integer of 1 or more, p and q are integers of 0 or more, and the values of p and q may be the same or different for each repeating unit. ]

なお、前記共重合体エポキシ樹脂の縮合環芳香族炭化水素基[Ar]は、下記式(Ar1)〜(Ar4)で表される構造ののうち、いずれかであるのが好ましい。   In addition, it is preferable that the condensed ring aromatic hydrocarbon group [Ar] of the copolymer epoxy resin is any one of structures represented by the following formulas (Ar1) to (Ar4).

Figure 0005682280
[式中、Rは、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジル基の中から選択される1種を表す。]
Figure 0005682280
[Wherein, R 1 represents one selected from a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a phenyl group, and a benzyl group. ]

なお、前記共重合体エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、硬化物(第1のシート材25’)中において、3〜42重量%程度であるのが好ましく、5〜35重量%程度であるのがより好ましい。   In addition, although content of the said copolymer epoxy resin is not specifically limited, In hardened | cured material (1st sheet material 25 '), it is preferable that it is about 3-42 weight%, About 5-35 weight%. It is more preferable that

また、樹脂組成物中には、前記共重合体エポキシ樹脂の他に、さらに前記共重合体エポキシ樹脂とは異なる他のエポキシ樹脂を含有してもよい。他のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等が挙げられる。   In addition to the copolymer epoxy resin, the resin composition may further contain another epoxy resin different from the copolymer epoxy resin. Although it does not specifically limit as another epoxy resin, For example, novolak-type epoxy resins, such as a phenol novolak-type epoxy resin and a cresol novolak epoxy resin, a biphenyl-type epoxy resin, etc. are mentioned.

硬化剤は、特に限定されないが、例えば、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾールのようなイミダゾール化合物、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)、トリスアセチルアセトナートコバルト(III)等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン等の3級アミン類、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸、またはこの混合物が挙げられる。硬化促進剤として、これらの中の誘導体も含めて1種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて2種類以上を併用してもよい。   The curing agent is not particularly limited, but examples thereof include imidazoles such as 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, and 2-ethyl-4-methylimidazole. Compounds, organic metal salts such as zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), trisacetylacetonate cobalt (III), triethylamine, tributylamine, diazabicyclo [2, 2,2] tertiary amines such as octane, phenolic compounds such as phenol, bisphenol A, nonylphenol, organic acids such as acetic acid, benzoic acid, salicylic acid, paratoluenesulfonic acid, or mixtures thereof. As the curing accelerator, one kind including these derivatives may be used alone, or two or more kinds including these derivatives may be used in combination.

無機充填材としては、特に限定されないが、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   The inorganic filler is not particularly limited. For example, talc, calcined clay, unfired clay, mica, silicate such as glass, oxide such as titanium oxide, alumina, silica, fused silica, calcium carbonate, magnesium carbonate , Carbonates such as hydrotalcite, hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide, sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate, calcium sulfite, zinc borate, barium metaborate, Borate such as aluminum borate, calcium borate, sodium borate, nitrides such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, carbon nitride, titanates such as strontium titanate, barium titanate, etc. One or more of these can be used in combination.

無機充填材の粒径は、特に限定されないが、平均粒子径が1.2μm以下であることが好ましく、平均粒径が0.01〜1.0μm程度であるのがより好ましい。   The particle size of the inorganic filler is not particularly limited, but the average particle size is preferably 1.2 μm or less, and more preferably about 0.01 to 1.0 μm.

また、無機充填材の含有量は、硬化物(シート材25’)中において、0〜85重量%程度であるのが好ましく、30〜65重量%程度であるのがより好ましい。   In addition, the content of the inorganic filler is preferably about 0 to 85% by weight, and more preferably about 30 to 65% by weight in the cured product (sheet material 25 ').

前記樹脂組成物は、シアネート樹脂及び/又はそのプレポリマーを含有することが好ましい。   The resin composition preferably contains a cyanate resin and / or a prepolymer thereof.

前記シアネート樹脂及び/又はそのプレポリマー樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。   Although it does not specifically limit as said cyanate resin and / or its prepolymer resin, For example, it can obtain by making a halogenated cyanide compound and phenols react, and prepolymerizing by methods, such as a heating, as needed. it can. Moreover, the commercial item prepared in this way can also be used.

前記シアネート樹脂及び/又はそのプレポリマーを用いることにより、シート材25’の弾性率を向上させることができる。また、シアネート樹脂(特にノボラック型シアネート樹脂)は、剛直な化学構造を有するため、耐熱性に優れており、ガラス転移温度以上でも弾性率の低下が小さく、高温においても高弾性率を維持することができる。さらに、硬化反応によって水酸基などの分極率の大きな官能基が生じないため、誘電特性においても優れたものとすることができる。   By using the cyanate resin and / or its prepolymer, the elastic modulus of the sheet material 25 ′ can be improved. Cyanate resins (especially novolac-type cyanate resins) have a rigid chemical structure, so they are excellent in heat resistance, have a small decrease in elastic modulus even above the glass transition temperature, and maintain a high elastic modulus even at high temperatures. Can do. Furthermore, since a functional group having a high polarizability such as a hydroxyl group is not generated by the curing reaction, the dielectric properties can be improved.

前記シアネート樹脂及び/又はそのプレポリマーの中でも、下記一般式(3)で表されるノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、前記効果に加えて、シート材25’のガラス転移温度をさらに高くすることができるとともに、硬化後の絶縁樹脂層の難燃性をより向上させることができる。   Among the cyanate resins and / or prepolymers thereof, novolak type cyanate resins represented by the following general formula (3) are preferable. Thereby, in addition to the above effects, the glass transition temperature of the sheet material 25 ′ can be further increased, and the flame retardancy of the insulating resin layer after curing can be further improved.

Figure 0005682280
Figure 0005682280

前記シアネート樹脂及び/又はそのプレポリマーの含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物の5〜50重量%であることが好ましく、さらに好ましくは10〜40重量%である。これにより、微細な形状を有する第2の貫通孔251を形成する際の加工性により優れたものとなる。   Although content of the said cyanate resin and / or its prepolymer is not specifically limited, It is preferable that it is 5 to 50 weight% of a resin composition, More preferably, it is 10 to 40 weight%. Thereby, it becomes more excellent in the workability at the time of forming the 2nd through-hole 251 which has a fine shape.

なお、樹脂組成物中には、樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性向上のため、各種添加剤、例えば、レベリング剤、消泡剤、酸化防止剤、顔料、染料、消泡剤、難燃剤、紫外線吸収剤、イオン捕捉剤、非反応性希釈剤、反応性希釈剤、揺変性付与剤、増粘剤等を添加するようにしてもよい。   In the resin composition, various additives such as leveling agents, antifoaming agents, antioxidants, pigments, dyes, antifoaming agents are used to improve various properties such as resin compatibility, stability, and workability. An agent, a flame retardant, an ultraviolet absorber, an ion scavenger, a non-reactive diluent, a reactive diluent, a thixotropic agent, a thickener, and the like may be added.

フレキシブル基板としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、ポリイミドベンゾオキサゾール(PIBO)、液晶ポリマーのような熱可塑性樹脂等で構成されるものが挙げられる。   Examples of flexible substrates include polyimide, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polytetrafluoroethylene (PTFE), polyimide benzoxazole (PIBO), and heat such as liquid crystal polymer. The thing comprised with a plastic resin etc. is mentioned.

また、シート材25’に対する第2の貫通孔251の形成は、如何なる方法を用いてもよいが、例えば、I:シート材25’の第2の貫通孔251を形成しない領域にマスクを形成し、このマスクを用いて、シート材25’をエッチングして第2の貫通孔251を形成する方法、II:シート材25’の第2の貫通孔251を形成する領域にレーザーを選択的に照射して第2の貫通孔251を形成する方法等が挙げられるが、IIの方法を用いるのが好ましい。IIの方法によれば、微細な形状の第2の貫通孔251を比較的容易に形成することができる。   Also, any method may be used to form the second through-hole 251 in the sheet material 25 ′. For example, I: a mask is formed in a region of the sheet material 25 ′ where the second through-hole 251 is not formed. , Using this mask, etching the sheet material 25 ′ to form the second through hole 251; II: selectively irradiating the region of the sheet material 25 ′ where the second through hole 251 is formed with a laser The method of forming the second through-hole 251 can be mentioned, but the method II is preferably used. According to the method II, the second through hole 251 having a fine shape can be formed relatively easily.

なお、Iの方法において、シート材25’をエッチングする方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法や、ウェットエッチング等の化学的エッチング法が挙げられる。   In the method I, as a method of etching the sheet material 25 ′, for example, a physical etching method such as plasma etching, reactive etching, beam etching, and light-assisted etching, or a chemical etching method such as wet etching is used. Can be mentioned.

また、IIの方法において用いられるレーザーの種類としては、例えば、Ne−Heレーザー、YAGレーザー、YVOレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。 Examples of the type of laser used in the method II include Ne-He laser, YAG laser, YVO 4 laser, and excimer laser.

なお、前述したように、パッケージをインターポーザー25に代えて被覆部を備える構成とする場合、本工程[6]〜次工程[7]に代えて、後工程[10]を行うことにより、半導体素子封止体270の両面に貫通孔を備える被覆部を形成することができる。   As described above, when the package is configured to include the covering portion instead of the interposer 25, the semiconductor is obtained by performing the post-process [10] instead of the main process [6] to the next process [7]. Covering portions having through holes on both surfaces of the element sealing body 270 can be formed.

[7]次に、半導体素子16が備える電極パッドと導体柱28とに対応する位置に第2の貫通孔251が形成されたシート材25’を、半導体素子封止体270の下側の面に配置し、さらに、導体柱28に対応する位置に第2の貫通孔251が形成されたシート材25’を、半導体素子封止体270の上側の面に配置する(シート材配置工程)。   [7] Next, a sheet material 25 ′ in which the second through-hole 251 is formed at a position corresponding to the electrode pad provided in the semiconductor element 16 and the conductor column 28 is attached to the lower surface of the semiconductor element sealing body 270. Further, a sheet material 25 ′ having a second through hole 251 formed at a position corresponding to the conductor pillar 28 is disposed on the upper surface of the semiconductor element sealing body 270 (sheet material arranging step).

なお、この際、半導体素子封止体270の上面および下面に配置されるシート材25’は、それぞれ、図示しないエポキシ系接着剤等の接着剤により固定される。   At this time, the sheet materials 25 ′ disposed on the upper and lower surfaces of the semiconductor element sealing body 270 are respectively fixed by an adhesive such as an epoxy adhesive (not shown).

[8]次に、シート材25’が備える第2の貫通孔251に、図4(b)に示すように、導電性を有する導体ポスト24を形成する(導体ポスト形成工程)。   [8] Next, as shown in FIG. 4B, conductive posts 24 having conductivity are formed in the second through holes 251 provided in the sheet material 25 '(conductor post forming step).

この導体ポスト24を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、I:電解メッキ法、無電解メッキ法のようなメッキ法を用いて導体ポスト24を形成する方法、II:導電性材料を含有する液状材料を第2の貫通孔251に供給し乾燥・固化することにより導体ポスト24を形成する方法等が挙げられるが、Iの方法、特に電解メッキ法を用いて導体ポスト24を形成するのが好ましい。電解メッキ法によれば、半導体素子26が有する電極パッドおよび次工程[9]で形成する配線23に対して、優れた密着性を発揮する導体ポスト24を容易かつ確実に形成することができる。   The method for forming the conductor post 24 is not particularly limited. For example, I: a method for forming the conductor post 24 using a plating method such as an electrolytic plating method or an electroless plating method, and II: a conductive material. Examples of the method include forming the conductor post 24 by supplying the liquid material to the second through-hole 251, drying and solidifying, and the like. In particular, the conductor post 24 is formed using the method I, particularly electrolytic plating. Is preferred. According to the electrolytic plating method, the conductor post 24 exhibiting excellent adhesion can be easily and reliably formed on the electrode pad of the semiconductor element 26 and the wiring 23 formed in the next step [9].

以下、電解メッキ法を用いて導体ポスト24を形成する方法について説明する。
[8−1]まず、シート材25’の半導体素子封止体270とは反対の面側に、シート材25’、第2の貫通孔251の内面、第2の貫通孔251から露出する電極パッドおよび導体柱28を覆うように一体的に、導電性を有するシード層を形成する。
Hereinafter, a method of forming the conductor post 24 using the electrolytic plating method will be described.
[8-1] First, the electrode exposed from the sheet material 25 ′, the inner surface of the second through hole 251, and the second through hole 251 on the surface of the sheet material 25 ′ opposite to the semiconductor element sealing body 270. A conductive seed layer is integrally formed so as to cover the pad and the conductor pillar 28.

このシード層は、例えば、Cu/Ti膜で構成され、スパッタリング法等の気相成膜法を用いて、まず、Ti膜を形成した後、このTi膜上にCu膜を形成することにより得ることができる。   This seed layer is composed of, for example, a Cu / Ti film, and is obtained by first forming a Ti film using a vapor phase film forming method such as a sputtering method and then forming a Cu film on the Ti film. be able to.

[8−2]次いで、導体ポスト24を形成しない領域すなわち第2の貫通孔251を除く領域にマスク(レジスト層)を形成する。   [8-2] Next, a mask (resist layer) is formed in a region where the conductor post 24 is not formed, that is, a region excluding the second through hole 251.

このマスクの形成は、感光性材料を含有する液状材料を塗布法等を用いてシード層上に供給し、次に、形成すべき導体ポスト24の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液で現像することにより形成することができる。   The mask is formed by supplying a liquid material containing a photosensitive material onto the seed layer using a coating method or the like, and then exposing through a photomask corresponding to the shape of the conductor post 24 to be formed. It can be formed by developing with a developer.

なお、本工程で用いられる、感光性材料としては、ネガ型の感光性材料およびポジ型の感光性材料の何れであってもよい。   The photosensitive material used in this step may be either a negative photosensitive material or a positive photosensitive material.

[8−3]次いで、シード層を電極として用いた電解メッキ法により、導体ポスト24を形成する。   [8-3] Next, the conductor posts 24 are formed by electrolytic plating using the seed layer as an electrode.

ここで、前記工程[8−2]により、第2の貫通孔251がマスクから選択的に露出するようにマスクが形成されているため、本工程において、導体ポスト24を、第2の貫通孔251を埋めるように選択的に形成することができる。   Here, since the mask is formed by the step [8-2] so that the second through hole 251 is selectively exposed from the mask, the conductor post 24 is replaced with the second through hole in this step. It can be selectively formed to fill 251.

導体ポスト24を構成する金属としては、特に限定されず、例えば、Cu、Cu系合金、Ni、Ni系合金、Au等が挙げられる。   The metal constituting the conductor post 24 is not particularly limited, and examples thereof include Cu, Cu-based alloy, Ni, Ni-based alloy, and Au.

なお、導体ポスト24は、図4(b)に示すように、第2の貫通孔251のほぼ全てを埋めるように形成されている必要はなく、少なくとも第2の貫通孔251の内面、電極パッドおよび導体柱28を覆うように形成されていればよい。   As shown in FIG. 4B, the conductor post 24 need not be formed so as to fill almost all of the second through hole 251. At least the inner surface of the second through hole 251 and the electrode pad Further, it may be formed so as to cover the conductor pillar 28.

[8−4]次いで、シード層上に形成されたマスクを除去する。
このマスクの除去は、プラズマエッチング、リアクティブエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうち1種または2種以上を組み合わせて行うことができるが、具体的には、マスクをアルカリ現像液で膨潤・溶解し除去する方法が好ましく用いられる。
[8-4] Next, the mask formed on the seed layer is removed.
The removal of the mask can be performed by combining one or more of physical etching methods such as plasma etching, reactive etching, beam etching, and light assisted etching, and chemical etching methods such as wet etching. However, specifically, a method of swelling and dissolving the mask with an alkaline developer and removing it is preferably used.

なお、次工程[9]において配線23を電解メッキ法を用いて形成する場合には、このマスクの除去の際に、シード層を除去することなくシート材25’上に残存させておく。
以上のような工程を経て、第2の貫通孔251内に導体ポスト24が形成される。
When the wiring 23 is formed by electrolytic plating in the next step [9], the seed layer is left on the sheet material 25 ′ without removing the seed layer when the mask is removed.
The conductor post 24 is formed in the second through hole 251 through the above-described steps.

[9]次に、図4(c)に示すように、2つのシート材25’の半導体素子封止体270とは反対の面側に、導体ポスト24に電気的に接続するように、所定形状にパターニングされた配線23を形成する(配線形成工程)。   [9] Next, as shown in FIG. 4 (c), the two sheet members 25 ′ are predetermined on the surface opposite to the semiconductor element sealing body 270 so as to be electrically connected to the conductor posts 24. A wiring 23 patterned into a shape is formed (wiring forming step).

この配線23を形成する方法としては、前記工程[8]で説明した導体ポスト24を形成する方法と同一の方法を用いることができ、導体ポスト24を形成する場合と同様に電解メッキ法を用いるのが好ましい。   As a method of forming the wiring 23, the same method as the method of forming the conductor post 24 described in the step [8] can be used, and the electrolytic plating method is used in the same manner as the case of forming the conductor post 24. Is preferred.

以下、電解メッキ法を用いて配線23を形成する方法について説明する。
[9−1]まず、本実施形態では、前記工程[8−4]において残存させておいたシード層の配線23を形成しない領域にマスクを形成する。
Hereinafter, a method of forming the wiring 23 using the electrolytic plating method will be described.
[9-1] First, in the present embodiment, a mask is formed in a region where the wiring 23 of the seed layer left in the step [8-4] is not formed.

このマスクの形成には、前記工程[8−2]においてマスクを形成する方法として説明したのと同様の方法が用いられる。   For the formation of this mask, the same method as described as the method for forming the mask in the step [8-2] is used.

[9−2]次いで、電解メッキ法により配線23を形成する。
ここで、本工程[9−2]において、配線23を電解メッキ法により形成する場合には、前述のように、シード層を除去することなくシート材25’に残存させていることから、このシード層を電極として用いて、電解メッキ法により配線23を形成することができる。
[9-2] Next, the wiring 23 is formed by an electrolytic plating method.
Here, in this step [9-2], when the wiring 23 is formed by the electrolytic plating method, the seed layer is left in the sheet material 25 ′ without being removed as described above. Wiring 23 can be formed by electrolytic plating using the seed layer as an electrode.

なお、配線23を構成する金属としては、特に限定されず、導体ポスト24を構成する金属として挙げたのと同様のものを用いることができる。さらに、導体ポスト24と配線23との構成材料は、同一であっても、異なっていてもよい。   In addition, it does not specifically limit as a metal which comprises the wiring 23, The thing similar to having mentioned as a metal which comprises the conductor post 24 can be used. Furthermore, the constituent material of the conductor post 24 and the wiring 23 may be the same or different.

[9−3]次いで、シード層上に形成されたマスクを除去した後、シート材25’の半導体素子封止体270とは反対の面側でマスクの除去により露出するシード層を除去する。   [9-3] Next, after removing the mask formed on the seed layer, the seed layer exposed by removing the mask is removed on the side of the sheet material 25 ′ opposite to the semiconductor element sealing body 270.

これらマスクおよびシード層の除去は、それぞれ、前記工程[8−4]において説明したのと同様の方法を用いることができる。これらの中でも、マスクの除去には、マスクをアルカリ現像液で膨潤・溶解して除去する方法、シード層の除去には、エッチング液を用いてシード層を除去する方法が好ましく用いられる。   The removal of these masks and seed layers can be performed using the same method as described in the above step [8-4]. Among these, a method of removing the mask by swelling and dissolving with an alkaline developer is preferably used for removing the mask, and a method of removing the seed layer using an etching solution is preferably used for removing the seed layer.

以上のような工程を経て、2つのシート材25’の半導体素子封止体270とは反対側の面に、それぞれ所定形状に形成された配線23を、導体ポスト24および/または導体柱28に電気的に接続された状態で形成することができる。   Through the steps as described above, the wiring 23 formed in a predetermined shape on the surface opposite to the semiconductor element sealing body 270 of the two sheet members 25 ′ is formed on the conductor post 24 and / or the conductor pillar 28. It can be formed in an electrically connected state.

[10]次に、図4(d)に示すように、2つのシート材25’の半導体素子封止体270とは反対の面側に、それぞれ、配線23の一部が露出するように、開口部221を備える被覆部22を形成する(被覆部形成工程)。   [10] Next, as shown in FIG. 4 (d), a part of the wiring 23 is exposed on the surface of the two sheet members 25 ′ opposite to the semiconductor element sealing body 270. The covering portion 22 including the opening 221 is formed (covering portion forming step).

なお、この開口部221は、次工程[11]において、バンプ21を形成する位置に対応するように形成される。   The opening 221 is formed so as to correspond to the position where the bump 21 is formed in the next step [11].

また、開口部221から露出する配線23上には、被覆層(アンダー・バリア・メタル層(UBM層))を形成するのが好ましい。これにより、例えば、配線23がCuや、Cu系合金で構成される場合には、配線23からバンプ21に対するCu原子の溶出を的確に抑制または防止することができる。   Further, it is preferable to form a covering layer (under barrier metal layer (UBM layer)) on the wiring 23 exposed from the opening 221. Thereby, for example, when the wiring 23 is made of Cu or a Cu-based alloy, the elution of Cu atoms from the wiring 23 to the bumps 21 can be suppressed or prevented accurately.

このような、被覆層は、通常、主としてNiで構成される下層上に、主としてAuで構成される上層を積層した積層体で構成され、例えば、無電解メッキ法を用いて形成される。   Such a coating layer is usually composed of a laminate in which an upper layer mainly composed of Au is laminated on a lower layer mainly composed of Ni, and is formed using, for example, an electroless plating method.

この被覆部22の形成は、感光性を有する絶縁性材料を含有する液状材料(ワニス)を塗布法等を用いてシート材25’の半導体素子封止体270とは反対の面側に供給し、次いで、形成すべき開口部221の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液(エッチング液)で開口部221とすべき領域を除去することにより形成される。   The covering portion 22 is formed by supplying a liquid material (varnish) containing an insulating material having photosensitivity to the surface of the sheet material 25 ′ opposite to the semiconductor element sealing body 270 using a coating method or the like. Then, after exposure through a photomask corresponding to the shape of the opening 221 to be formed, the region to be the opening 221 is removed with a developer (etching solution).

ここで、本工程において用いられる、感光性を有する絶縁性材料としては、特に限定されないが、優れた密着性、厚さ均一性および段差埋め込み性を有するものとして、例えば、以下に示すものが好適に用いられる。   Here, the insulating material having photosensitivity used in this step is not particularly limited, but the following materials are preferable as those having excellent adhesion, thickness uniformity, and step embedding property. Used for.

まず、アルカリ可溶性樹脂と感光剤とを含有するアルカリ可溶系樹脂組成物が、感光性を有する絶縁性材料として好適に用いられる。   First, an alkali-soluble resin composition containing an alkali-soluble resin and a photosensitizer is suitably used as an insulating material having photosensitivity.

アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、クレゾール型ノボラック樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、メタクリル酸樹脂、メタクリル酸エステル樹脂等のアクリル系樹脂、水酸基、カルボキシル基等を含む環状オレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂等が挙げられる。これらの中でもポリアミド系樹脂が好ましく、具体的にはポリベンゾオキサゾール構造およびポリイミド構造の少なくとも一方を有し、かつ主鎖または側鎖に水酸基、カルボキシル基、エーテル結合またはエステル結合を有する樹脂、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有する樹脂、ポリイミド前駆体構造を有する樹脂、ポリアミド酸エステル構造を有する樹脂等が挙げられる。このようなポリアミド系樹脂としては、例えば下記一般式(4)で示されるポリアミド系樹脂を挙げることができる。   Examples of the alkali-soluble resin include acrylic resins such as cresol-type novolak resins, hydroxystyrene resins, methacrylic acid resins, and methacrylic ester resins, cyclic olefin resins containing hydroxyl groups, carboxyl groups, and polyamide resins. . Among these, polyamide-based resins are preferable. Specifically, resins having at least one of a polybenzoxazole structure and a polyimide structure and having a hydroxyl group, a carboxyl group, an ether bond or an ester bond in the main chain or side chain, polybenzox Examples thereof include a resin having an oxazole precursor structure, a resin having a polyimide precursor structure, and a resin having a polyamic acid ester structure. As such a polyamide-type resin, the polyamide-type resin shown, for example by following General formula (4) can be mentioned.

Figure 0005682280
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前記一般式(4)で示されるポリアミド系樹脂は、例えばXの構造を有するジアミン、ビス(アミノフェノール)またはジアミノフェノール等から選ばれる化合物と、Yの構造を有するテトラカルボン酸無水物、トリメリット酸無水物、ジカルボン酸またはジカルボン酸ジクロライド、ジカルボン酸誘導体、ヒドロキシジカルボン酸、ヒドロキシジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応して得られる。なお、ジカルボン酸の場合には反応収率等を高めるため、1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール等を予め反応させた活性エステルの型のジカルボン酸誘導体を用いてもよい。   The polyamide resin represented by the general formula (4) includes, for example, a compound selected from a diamine having a X structure, bis (aminophenol), diaminophenol, and the like, a tetracarboxylic acid anhydride having a Y structure, and trimellit. It can be obtained by reacting with a compound selected from acid anhydride, dicarboxylic acid or dicarboxylic acid dichloride, dicarboxylic acid derivative, hydroxydicarboxylic acid, hydroxydicarboxylic acid derivative and the like. In the case of dicarboxylic acid, an active ester type dicarboxylic acid derivative obtained by reacting 1-hydroxy-1,2,3-benzotriazole or the like in advance may be used in order to increase the reaction yield or the like.

前記一般式(4)で示されるポリアミド樹脂を、例えば150〜400℃で加熱すると脱水閉環し、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、または両者の共重合体という形で耐熱性樹脂が得られる。   When the polyamide resin represented by the general formula (4) is heated at, for example, 150 to 400 ° C., dehydration and ring closure occurs, and a heat resistant resin is obtained in the form of polyimide, polybenzoxazole, or a copolymer of both.

前記一般式(4)で示されるXは環状化合物基であり、例えばベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族化合物、ビスフェノール類、ピロール類、フラン類等の複素環式化合物等が挙げられる。   X represented by the general formula (4) is a cyclic compound group, and examples thereof include aromatic compounds such as a benzene ring and a naphthalene ring, and heterocyclic compounds such as bisphenols, pyrroles and furans.

は、水酸基または−O−Rであり、Rが炭素数1〜15の有機基または窒素含有環状化合物である。Rの具体例としては、ホルミル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。
上記Rは、水酸基のアルカリ水溶液に対する溶解性を調節する目的で用いられる。
R 1 is a hydroxyl group or —O—R 3 , and R 3 is an organic group having 1 to 15 carbon atoms or a nitrogen-containing cyclic compound. Specific examples of R 3 include formyl group, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tertiary butyl group, tertiary butoxycarbonyl group, phenyl group, benzyl group, tetrahydrofuranyl group, tetrahydropyranyl group and the like. Can be mentioned.
R 3 is used for the purpose of adjusting the solubility of the hydroxyl group in an alkaline aqueous solution.

また、Rとして窒素含有環状化合物を用いても良い。これにより、金属配線(特に銅配線)等との密着性に優れる。この前記窒素含有環状化合物としては、例えば(1H−テトラゾル−5−イル)アミノ基、1−(1H−テトラゾル−5−イル)メチル−アミノ基、3−(1H−テトラゾル−5−イル)ベンズ−アミノ基等が挙げられる。 It is also possible to use a nitrogen-containing cyclic compound as R 3. Thereby, it is excellent in adhesiveness with a metal wiring (especially copper wiring) etc. Examples of the nitrogen-containing cyclic compound include (1H-tetrazol-5-yl) amino group, 1- (1H-tetrazol-5-yl) methyl-amino group, and 3- (1H-tetrazol-5-yl) benz. -An amino group etc. are mentioned.

前記一般式(4)で示されるYは、環状化合物基であり、前記Xと同様のものが挙げられ、例えばベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族化合物、ビスフェノール類、ピロール類、フラン類、ピリジン類等の複素環式化合物等が挙げられる。   Y represented by the general formula (4) is a cyclic compound group, and examples thereof include those similar to X. For example, aromatic compounds such as benzene ring and naphthalene ring, bisphenols, pyrroles, furans, pyridine And the like, and the like.

前記一般式(4)で示すように、Yには、Rが0〜4個結合される。
は、水酸基、カルボキシル基、−O−R、−COORであり、それぞれ同じであっても異なっていても良い。Rが炭素数1〜15の有機基または窒素含有環状化合物である。Rの具体例としては、ホルミル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。
As shown in the general formula (4), 0 to 4 R 2 are bonded to Y.
R 2 is a hydroxyl group, a carboxyl group, —O—R 3 , or —COOR 3 , and may be the same or different. R 3 is an organic group having 1 to 15 carbon atoms or a nitrogen-containing cyclic compound. Specific examples of R 3 include formyl group, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tertiary butyl group, tertiary butoxycarbonyl group, phenyl group, benzyl group, tetrahydrofuranyl group, tetrahydropyranyl group and the like. Can be mentioned.

但し、Rとして水酸基が無い場合、Rの少なくとも1つはカルボキシル基でなければならない。また、Rとしてカルボキシル基が無い場合、Rの少なくとも1つは水酸基でなければならない。
上記Rは、水酸基のアルカリ水溶液に対する溶解性を調節する目的で用いられる。
However, if the hydroxyl group is not as R 1, at least one of R 2 must be a carboxyl group. Further, when a carboxyl group is not as R 2, at least one of R 1 must be a hydroxyl group.
R 3 is used for the purpose of adjusting the solubility of the hydroxyl group in an alkaline aqueous solution.

また、前記アルカリ可溶性樹脂の側鎖および他方の末端の少なくとも一方は、窒素含有環状化合物で置換されているのが好ましい。これにより、被覆部22の配線23に対する密着性を向上させることができる。   Moreover, it is preferable that at least one of the side chain and the other terminal of the alkali-soluble resin is substituted with a nitrogen-containing cyclic compound. Thereby, the adhesiveness with respect to the wiring 23 of the coating | coated part 22 can be improved.

前記窒素含有環状化合物としては、例えば1−(5−1H−トリアゾイル)メチルアミノ基、3−(1H−ピラゾイル)アミノ基、4−(1H−ピラゾイル)アミノ基、5−(1H−ピラゾイル)アミノ基、1−(3−1H−ピラゾイル)メチルアミノ基、1−(4−1H−ピラゾイル)メチルアミノ基、1−(5−1H−ピラゾイル)メチルアミノ基、(1H−テトラゾル−5−イル)アミノ基、1−(1H−テトラゾル−5−イル)メチル−アミノ基、3−(1H−テトラゾル−5−イル)ベンズ−アミノ基等が挙げられる。   Examples of the nitrogen-containing cyclic compound include 1- (5-1H-triazoyl) methylamino group, 3- (1H-pyrazoyl) amino group, 4- (1H-pyrazoyl) amino group, and 5- (1H-pyrazoyl) amino. Group, 1- (3-1H-pyrazolyl) methylamino group, 1- (4-1H-pyrazoyl) methylamino group, 1- (5-1H-pyrazolyl) methylamino group, (1H-tetrazol-5-yl) An amino group, 1- (1H-tetrazol-5-yl) methyl-amino group, 3- (1H-tetrazol-5-yl) benz-amino group and the like can be mentioned.

また、アルカリ可溶系樹脂組成物は、感光剤を含有する。これにより、紫外線等の照射によりアルカリ可溶系樹脂に化学反応が生じ、これに起因してアルカリ水溶液に溶解しやすくなり、溶解度の差異を設けることができる。   The alkali-soluble resin composition contains a photosensitizer. As a result, a chemical reaction occurs in the alkali-soluble resin by irradiation with ultraviolet rays or the like, and due to this, it becomes easy to dissolve in the alkaline aqueous solution, and a difference in solubility can be provided.

また、前記感光剤としては、特に限定されないが、例えば、フェノール化合物と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸または1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸とのエステルが挙げられる。   The photosensitizer is not particularly limited. For example, an ester of a phenol compound and 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonic acid or 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid. Is mentioned.

前記感光剤の含有量は、アルカリ可溶系樹脂組成物全体の1〜50重量%が好ましく、特に5〜30重量%が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に感度に優れる。   The content of the photosensitizer is preferably 1 to 50% by weight, and particularly preferably 5 to 30% by weight, based on the entire alkali-soluble resin composition. When the content is within the above range, the sensitivity is particularly excellent.

また、アルカリ可溶系樹脂組成物には、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤等のカップリング剤およびそれらの各反応物等の添加剤を添加することができる。   Moreover, additives, such as a coupling agent, such as a leveling agent, a silane coupling agent, a titanate coupling agent, and those each reaction material, can be added to an alkali-soluble resin composition as needed.

以上のようなアルカリ可溶系樹脂組成物は、通常、前述の各成分を溶媒に溶解し、液状材料(ワニス状)にして使用される。   The alkali-soluble resin composition as described above is usually used by dissolving the above-described components in a solvent to form a liquid material (varnish-like).

溶媒としては、特に限定されないが、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N′−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート等が挙げられ、単独溶媒またはこれらの混合溶媒が用いられる。   Examples of the solvent include, but are not limited to, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N′-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, Dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate Methyl-3-methoxypropionate and the like, and a single solvent or a mixed solvent thereof is used.

<<ノルボルネン系樹脂組成物>>
次に、上述したアルカリ可溶系樹脂組成物の他に、感光性を有する絶縁性材料として好適に用いられるものとして、ノルボルネン系樹脂組成物が挙げられる。このノルボルネン系樹脂組成物の中でも、特に、密着性、厚さ均一性および段差埋め込み性を顕著に発揮するものとして、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物(A)および下記一般式(5)で示される構造を有する化合物(B)を含む樹脂組成物が好ましく用いられる。
<< norbornene resin composition >>
Next, in addition to the alkali-soluble resin composition described above, a norbornene-based resin composition may be mentioned as a material that can be suitably used as an insulating material having photosensitivity. Among these norbornene-based resin compositions, those that exhibit remarkable adhesion, thickness uniformity, and step-embedding property, particularly, a cyclic olefin polymer or a hydrogenated product thereof (A) and the following general formula (5) The resin composition containing the compound (B) which has a structure shown by is used preferably.

前記樹脂組成物に含まれる環状オレフィンの重合体またはその水素添加物(A)は、特に制限されるものではないが、シクロヘキセン系、シクロオクテン系等の単環体オレフィン系モノマーの重合体、ノルボルネン系、ノルボルナジエン系、ジシクロペンタジエン系、ジヒドロジシクロペンタジエン系、テトラシクロドデセン系、トリシクロペンタジエン系、ジヒドロトリシクロペンタジエン系、テトラシクロペンタジエン系、ジヒドロテトラシクロペンタジエン系等の多環体オレフィン系モノマーの重合体等が挙げられる。これらの中でも、耐湿性や耐薬品性に優れる多環体オレフィンモノマーの重合体が好ましく、その中でも、硬化後の樹脂組成物の耐熱性や機械強度の観点からノルボルネン系モノマーが特に好ましい。   The cyclic olefin polymer or the hydrogenated product (A) thereof contained in the resin composition is not particularly limited, but is a polymer of a monocyclic olefin monomer such as cyclohexene or cyclooctene, norbornene , Norbornadiene, dicyclopentadiene, dihydrodicyclopentadiene, tetracyclododecene, tricyclopentadiene, dihydrotricyclopentadiene, tetracyclopentadiene, dihydrotetracyclopentadiene, etc. Examples thereof include a monomer polymer. Among these, a polymer of a polycyclic olefin monomer excellent in moisture resistance and chemical resistance is preferable, and among these, a norbornene-based monomer is particularly preferable from the viewpoint of heat resistance and mechanical strength of the cured resin composition.

また、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物(A)のカチオン重合性の官能基は、特に制限されるものではなく、エポキシ基、オキセタニル基、ビニルエーテル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシシリル基等が挙げられるが、光解像性や硬化後の機械強度の観点より、エポキシ基、オキセタニル基が好ましい。   Further, the cationically polymerizable functional group of the cyclic olefin polymer or its hydrogenated product (A) is not particularly limited, and is an epoxy group, oxetanyl group, vinyl ether group, alkenyl group, alkynyl group, alkoxysilyl group. The epoxy group and the oxetanyl group are preferable from the viewpoint of photoresolution and mechanical strength after curing.

このようなカチオン重合性官能基を有するモノマーは、特に制限されるものではないが、例えば、エポキシ基を有するものとしては、5−[(2,3−エポキシプロポキシ)メチル]−2−ノルボルネン等、オキセタニル基を有するものとしては5−[{(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ}メチル]−2−ノルボルネン等、ビニルエーテル基を有するものとしては、5−ビニロキシメチル−2−ノルボルネン等、アルケニル基を有するものとしては、5−アリル−2−ノルボルネン、5−メチリデン−2−ノルボルネン、5−エチリデン−2−ノルボルネン、5−イソプロピリデン−2−ノルボルネン、5−(2−プロペニル)−2−ノルボルネン、5−(3−ブテニル)−2−ノルボルネン、5−(1−メチル−2−プロペニル)−2−ノルボルネン、5−(4−ペンテニル)−2−ノルボルネン、5−(1−メチル−3−ブテニル)−2−ノルボルネン、5−(5−ヘキセニル)−2−ノルボルネン、5−(1−メチル−4−ペンテニル)−2−ノルボルネン、5−(2,3−ジメチル−3−ブテニル)−2−ノルボルネン、5−(2−エチル−3−ブテニル)−2−ノルボルネン、5−(3,4−ジメチル−4−ペンテニル)−2−ノルボルネン、5−(7−オクテニル)−2−ノルボルネン、5−(2−メチル−6−ヘプテニル)−2−ノルボルネン、5−(1,2−ジメチル−5−ヘキセニル)−2−ノルボルネン、5−(5−エチル−5−ヘキセニル)−2−ノルボルネン、5−(1,2,3−トリメチル−4−ペンテニル)−2−ノルボルネン、8−エチリデンテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,12]ドデック−3−エン、8−エチリデンテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,101,6]ドデック−3−エン等、アルキニル基を有するものとしては、5−エチニル−2−ノルボルネン等、アルコキシシリル基を有するものとしては、ジメチル(5−ノルボルネン−2−イル)メトキシシラン、5−トリメトキシシリル−2−ノルボルネン、5−トリエトキシシリル−2−ノルボルネン、5−(2−トリメトキシシリルエチル)−2−ノルボルネン、5−(2−トリエトキシシリルエチル)−2−ノルボルネン、5−(3−トリメトキシシリルプロピル)−2−ノルボルネン、5−(4−トリメトキシシリルブチル)−2−ノルボルネン等が挙げられる。 The monomer having such a cationically polymerizable functional group is not particularly limited, and examples thereof include an epoxy group such as 5-[(2,3-epoxypropoxy) methyl] -2-norbornene. As those having an oxetanyl group, 5-[{(3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy} methyl] -2-norbornene and the like, and those having a vinyl ether group as 5-vinyloxymethyl-2-norbornene and the like Examples of those having an alkenyl group include 5-allyl-2-norbornene, 5-methylidene-2-norbornene, 5-ethylidene-2-norbornene, 5-isopropylidene-2-norbornene, and 5- (2-propenyl) -2. -Norbornene, 5- (3-butenyl) -2-norbornene, 5- (1-methyl-2-propenyl) -2 -Norbornene, 5- (4-pentenyl) -2-norbornene, 5- (1-methyl-3-butenyl) -2-norbornene, 5- (5-hexenyl) -2-norbornene, 5- (1-methyl- 4-pentenyl) -2-norbornene, 5- (2,3-dimethyl-3-butenyl) -2-norbornene, 5- (2-ethyl-3-butenyl) -2-norbornene, 5- (3,4 Dimethyl-4-pentenyl) -2-norbornene, 5- (7-octenyl) -2-norbornene, 5- (2-methyl-6-heptenyl) -2-norbornene, 5- (1,2-dimethyl-5- Hexenyl) -2-norbornene, 5- (5-ethyl-5-hexenyl) -2-norbornene, 5- (1,2,3-trimethyl-4-pentenyl) -2-norbornene, 8-ethylidene Torashikuro [4.4.0.1 2,5. 1 7,12] Dodekku-3-ene, 8-ethylidene tetracyclo [4.4.0.1 2, 5. 1 7,10 0 1,6 ] As having an alkynyl group such as dodec-3-ene, etc., as having an alkoxysilyl group such as 5-ethynyl-2-norbornene, dimethyl (5-norbornene-2- Yl) methoxysilane, 5-trimethoxysilyl-2-norbornene, 5-triethoxysilyl-2-norbornene, 5- (2-trimethoxysilylethyl) -2-norbornene, 5- (2-triethoxysilylethyl) Examples include 2-norbornene, 5- (3-trimethoxysilylpropyl) -2-norbornene, and 5- (4-trimethoxysilylbutyl) -2-norbornene.

さらに、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物(A)は、上記のカチオン重合性官能基を有する環状オレフィン系モノマーの単量体だけではなく、カチオン重合性官能基を有する環状オレフィン系モノマーと他のモノマーとの重合体でもよい。光解像性や硬化後の機械強度の観点から、光反応性官能基を有する環状オレフィン系モノマーの重合割合は、20〜80mol%が好ましく、30〜70mol%が特に好ましい。   Furthermore, the polymer of cyclic olefin or its hydrogenated product (A) is not limited to the cyclic olefin monomer having a cationic polymerizable functional group, but also the cyclic olefin monomer having a cationic polymerizable functional group. Polymers with other monomers may also be used. From the viewpoint of photoresolution and mechanical strength after curing, the polymerization ratio of the cyclic olefin monomer having a photoreactive functional group is preferably 20 to 80 mol%, particularly preferably 30 to 70 mol%.

また、前記他のモノマーとしては、特に制限されるものではないが、例えば、アルキル基を有するものとして、5−メチル−2−ノルボルネン、5−エチル−2−ノルボルネン、5−プロピル−2−ノルボルネン、5−ブチル−2−ノルボルネン、5−ペンチル−2−ノルボルネン、5−ヘキシル−2−ノルボルネン、5−ヘプチル−2−ノルボルネン、5−オクチル−2−ノルボルネン、5−ノニル−2−ノルボルネン、5−デシル−2−ノルボルネン等、シリル基を有するものとしては、1,1,3,3,5,5−ヘキサメチル−1,5−ジメチルビス(2−(5−ノルボルネン−2−イル)エチル)トリシロキサン、5ートリメチルシリルメチルエーテル−2−ノルボルネン等、アリール基を有するものとしては、5−フェニルー2−ノルボルネン、5−ナフチル−2−ノルボルネン、5−ペンタフルオロフェニル−2−ノルボルネン等、アラルキル基を有するものとしては、5−ベンジル−2−ノルボルネン、5−フェネチル−2−ノルボルネン、5−ペンタフルオロフェニルメチル−2−ノルボルネン、5−(2−ペンタフルオロフェニルエチル)−2−ノルボルネン、5−(3−ペンタフルオロフェニルプロピル)−2−ノルボルネン等、ヒドロキシル基、エーテル基、カルボキシル基、エステル基、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有するものとしては、5−ノルボルネン−2−メタノール、及びこのアルキルエーテル、酢酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、プロピオン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、酪酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、吉草酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、カプロン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、カプリル酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、カプリン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、ラウリン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、ステアリン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、オレイン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、リノレン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸、5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸エチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸t−ブチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸i−ブチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸トリメチルシリルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸トリエチルシリルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸イソボルニルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−ヒドロキシエチルエステル、5−ノルボルネン−2−メチル−2−カルボン酸メチルエステル、ケイ皮酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、5−ノルボルネン−2−メチルエチルカルボネート、5−ノルボルネン−2−メチルn−ブチルカルボネート、5−ノルボルネン−2−メチルt−ブチルカルボネート、5−メトキシ−2−ノルボルネン、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−エチルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−n−ブチルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−n―プロピルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−i−ブチルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−i−プロピルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−ヘキシルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−オクチルエステル、(メタ)アクリル酸5−ノルボルネン−2−デシルエステル等、またテトラシクロ環から成るものとして、8−メトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−エトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−n−プロポキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−i−プロポキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−n−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−(2−メチルプロポキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−(1−メチルプロポキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−(4’−t−ブチルシクロヘキシロキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−フェノキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−メトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−エトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−n−プロポキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−i−プロポキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−n−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−(2−メチルプロポキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−(1−メチルプロポキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−(4’−t−ブチルシクロヘキシロキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−フェノキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−メチル−8−アセトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(メトキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(エトキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(n−プロポキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(i−プロポキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(n−ブトキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(t−ブトキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(シクロへキシロキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(フェノキシロキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(テトラヒドロフラニロキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,9−ジ(テトラヒドロピラニロキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン−8−カルボン酸、8−メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン−8−カルボン酸、8−メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−エチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.01,6]ドデック−3−エン等が挙げられる。 Further, the other monomer is not particularly limited, and examples thereof include those having an alkyl group such as 5-methyl-2-norbornene, 5-ethyl-2-norbornene, 5-propyl-2-norbornene. 5-butyl-2-norbornene, 5-pentyl-2-norbornene, 5-hexyl-2-norbornene, 5-heptyl-2-norbornene, 5-octyl-2-norbornene, 5-nonyl-2-norbornene, 5 -Decyl-2-norbornene and the like having a silyl group include 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,5-dimethylbis (2- (5-norbornen-2-yl) ethyl) Examples of those having an aryl group such as trisiloxane, 5-trimethylsilylmethyl ether-2-norbornene, and the like include 5-phenyl-2- Examples of those having an aralkyl group such as rubornene, 5-naphthyl-2-norbornene, and 5-pentafluorophenyl-2-norbornene include 5-benzyl-2-norbornene, 5-phenethyl-2-norbornene, and 5-pentafluorophenyl. Methyl-2-norbornene, 5- (2-pentafluorophenylethyl) -2-norbornene, 5- (3-pentafluorophenylpropyl) -2-norbornene, etc., hydroxyl group, ether group, carboxyl group, ester group, acryloyl As those having a group or methacryloyl group, 5-norbornene-2-methanol and its alkyl ether, acetic acid 5-norbornene-2-methyl ester, propionic acid 5-norbornene-2-methyl ester, butyric acid 5-norbornene-2 -Mechi Esters, valeric acid 5-norbornene-2-methyl ester, caproic acid 5-norbornene-2-methyl ester, caprylic acid 5-norbornene-2-methyl ester, capric acid 5-norbornene-2-methyl ester, lauric acid 5- Norbornene-2-methyl ester, stearic acid 5-norbornene-2-methyl ester, oleic acid 5-norbornene-2-methyl ester, linolenic acid 5-norbornene-2-methyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid, 5 -Norbornene-2-carboxylic acid methyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid ethyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid t-butyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid i-butyl ester, 5-norbornene 2-Carboxylic acid trimethyl Rusilyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid triethylsilyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid isobornyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid 2-hydroxyethyl ester, 5-norbornene-2-methyl 2-carboxylic acid methyl ester, cinnamic acid 5-norbornene-2-methyl ester, 5-norbornene-2-methylethyl carbonate, 5-norbornene-2-methyl n-butyl carbonate, 5-norbornene-2- Methyl t-butyl carbonate, 5-methoxy-2-norbornene, (meth) acrylic acid 5-norbornene-2-methyl ester, (meth) acrylic acid 5-norbornene-2-ethyl ester, (meth) acrylic acid 5- Norbornene-2-n-butyl ester, (meth) acte Luric acid 5-norbornene-2-n-propyl ester, (meth) acrylic acid 5-norbornene-2-i-butyl ester, (meth) acrylic acid 5-norbornene-2-i-propyl ester, (meth) acrylic acid 8-methoxycarbonyl as a 5-norbornene-2-hexyl ester, (meth) acrylic acid 5-norbornene-2-octyl ester, (meth) acrylic acid 5-norbornene-2-decyl ester, etc. Tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-ethoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-n-propoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-i-propoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-n-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8- (2-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8- (1-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-t-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-cyclohexyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8- (4′-t-butylcyclohexyloxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-phenoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-tetrahydrofuranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene, 8-tetrahydropyranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-methoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-ethoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-n-propoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-i-propoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-n-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8- (2-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8- (1-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-t-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-cyclohexyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8- (4′-t-butylcyclohexyloxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-phenoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-tetrahydrofuranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-tetrahydropyranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene, 8-methyl-8-acetoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (methoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (ethoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (n-propoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (i-propoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (n-butoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (t-butoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (cyclohexyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (phenoxyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (tetrahydrofuranyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene, 8,9-di (tetrahydropyranyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene-8-carboxylic acid, 8-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene-8-carboxylic acid, 8-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-ethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 0 1,6 ] dodec-3-ene and the like.

また、前記環状オレフィン系モノマーの重合形態は、特に制限されるものではなく、ランダム重合、ブロック重合等の公知の形態を適用することができ、さらに、重合方法は、付加重合法や開環重合法等が挙げられる。具体的に重合体としては、1種または複数のノルボルネン系化合物等のビシクロ[2.2.1]ヘプタ−2−エン誘導体モノマ−の(共)重合体、ビシクロ[2.2.1]ヘプタ−2−エン誘導体モノマ−とα−オレフィン類等の共重合可能な他のモノマ−との共重合体、およびこれらの共重合体の水素添加物等が挙げられるが、樹脂の耐熱性の観点から、1種または2種以上のビシクロ[2.2.1]ヘプタ−2−エン誘導体の付加重合体が好ましい。   In addition, the polymerization form of the cyclic olefin monomer is not particularly limited, and known forms such as random polymerization and block polymerization can be applied. Further, the polymerization method includes addition polymerization and ring-opening polymerization. Legal etc. are mentioned. Specific examples of the polymer include (co) polymers of bicyclo [2.2.1] hept-2-ene derivative monomers such as one or more norbornene compounds, bicyclo [2.2.1] hepta. 2-ene derivative monomers and copolymers of other monomers capable of copolymerization such as α-olefins, and hydrogenated products of these copolymers. Therefore, an addition polymer of one or more bicyclo [2.2.1] hept-2-ene derivatives is preferable.

なお、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物(A)の重量平均分子量は、特に制限されないが、溶剤に対する溶解性や感光性樹脂組成物の流動性の観点から5000〜500000程度であるが好ましく、7000〜200000程度であるのが特に好ましい。重量平均分子量は、標準ポリノルボルネンを用いてゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いて測定することができる(ASTMDS3635−91に準拠。)。   The weight average molecular weight of the cyclic olefin polymer or hydrogenated product (A) thereof is not particularly limited, but is preferably about 5000 to 500000 from the viewpoint of solubility in a solvent and fluidity of the photosensitive resin composition. 7000 to 200,000 is particularly preferable. The weight average molecular weight can be measured using gel permeation chromatography (GPC) using standard polynorbornene (based on ASTM D3363-91).

環状オレフィンの重合体またはその水素添加物(A)の重量平均分子量は、重合開始剤とモノマーの比を変えたり、重合時間を変えたりすることにより制御することができる。   The weight average molecular weight of the polymer of cyclic olefin or its hydrogenated product (A) can be controlled by changing the ratio of the polymerization initiator to the monomer or changing the polymerization time.

ここで、前記樹脂組成物に、下記一般式(5)で示される構造を有する化合物(B)を含有する構成とすることにより、このものの硬化物に充分な機械強度をもたせるだけでなく、被覆部22を作製した場合に、この被覆部22に充分な平坦性をもたせることができる。   Here, by making the resin composition contain a compound (B) having a structure represented by the following general formula (5), not only the cured product of this composition has sufficient mechanical strength but also a coating When the part 22 is produced, the covering part 22 can have sufficient flatness.

Figure 0005682280
(式中、R、Rは有機基であり、同じでも異なっていてもよく、R〜R10はそれぞれ独立して水素原子あるいは炭素数1〜2のアルキル基またはアルコキシル基であり、X、Y、Zは有機基であり、同じでも異なっていてもよく、R11は直結あるいは炭素数1〜6の炭化水素基または酸素を含んでいる炭素数1〜12の有機基のいずれかであり、nは0〜6である。)
Figure 0005682280
(Wherein R 1 and R 2 are organic groups which may be the same or different, and R 3 to R 10 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms or an alkoxyl group, X, Y and Z are organic groups which may be the same or different, and R 11 is either a direct bond or a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or an organic group having 1 to 12 carbon atoms containing oxygen. And n is 0-6.)

一般式(5)中の、R、Rは、有機基であり、同じでも異なっていてもよく、それぞれ炭素数1〜12の炭化水素基または酸素を含んだ炭素数1〜12の有機基が好ましい。R〜R10はそれぞれ独立して水素原子あるいは炭素数1〜2のアルキル基またはアルコキシル基である。R11は直結あるいは炭素数1〜6の炭化水素基または酸素を含んでいる炭素数1〜12の有機基のいずれかであり、好ましくは、直結または炭素数1〜4の炭化水素基である。X、Y、Zは有機基であり、同じでも異なっていてもよく、R11は炭素数1〜6の炭化水素基または酸素を含んだ炭素数1〜12の有機基であり、nは0〜6である。このような構成とすることにより、このものの硬化物に充分な機械強度をもたせるだけでなく、被覆部22を作製した場合に、充分な平坦性をもたせることができる。 R 1 and R 2 in the general formula (5) are organic groups, which may be the same or different, each having 1 to 12 carbon atoms or an organic group having 1 to 12 carbon atoms containing oxygen. Groups are preferred. R 3 to R 10 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms, or an alkoxyl group. R 11 is either a direct bond or a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or an organic group having 1 to 12 carbon atoms containing oxygen, preferably a direct bond or a hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms. . X, Y, and Z are organic groups, which may be the same or different. R 11 is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or an organic group having 1 to 12 carbon atoms including oxygen, and n is 0. ~ 6. By adopting such a configuration, not only can a cured product of this product have sufficient mechanical strength, but also a sufficient flatness can be provided when the covering portion 22 is produced.

また、上記一般式(5)で示される構造を有する化合物(B)において、有機基である基Yは、例えば、−C(CH−、−CH−、直結(ダングリングボンド)、−COO−、−CONH−等が挙げられ、その中でも直結、−COO−、−CONH−のいずれかであることが好ましい。有機基である基X、基Zは、−CO−、−C(CH−、−CH−、直結、−COO−、−CONH−等が挙げられ、その中でも直結、−CO−、−COO−、−CONH−のいずれかであり、同一であることが好ましい。有機基である基R、基Rは、エポキシ基や、炭素数1〜12の炭化水素基または酸素を含んだ炭素数1〜12の有機基が好ましい。さらに好ましい一般式(5)の基R、基Rは、下記式(6)の構造を有するものである。これらの一般式(5)で示される構造を有する化合物(B)は、単独でも2種以上混合して用いても良い。これらの構造の化合物を用いることにより、被覆部22を作製した場合に、得られる被覆部22に充分な平坦性と、優れた機械強度を付与できる点から好ましい。さらに、前記樹脂組成物を含有する液状材料(ワニス)中での、樹脂組成物の溶媒に対する相溶性が優れる点からも好ましく用いられる。 In the compound (B) having the structure represented by the general formula (5), the group Y which is an organic group is, for example, —C (CH 3 ) 2 —, —CH 2 —, direct bond (dangling bond). , -COO-, -CONH-, etc., among which direct bonding, -COO-, or -CONH- is preferable. Examples of the group X and the group Z that are organic groups include —CO—, —C (CH 3 ) 2 —, —CH 2 —, direct connection, —COO—, —CONH—, and the like. , -COO-, -CONH-, and preferably the same. The groups R 1 and R 2 which are organic groups are preferably epoxy groups, hydrocarbon groups having 1 to 12 carbon atoms, or organic groups having 1 to 12 carbon atoms including oxygen. Further preferred groups R 1 and R 2 of the general formula (5) have the structure of the following formula (6). These compounds (B) having the structure represented by the general formula (5) may be used alone or in combination of two or more. By using the compounds having these structures, when the covering portion 22 is produced, it is preferable because sufficient flatness and excellent mechanical strength can be imparted to the obtained covering portion 22. Furthermore, it is preferably used from the viewpoint of excellent compatibility of the resin composition with the solvent in the liquid material (varnish) containing the resin composition.

Figure 0005682280
(式中、R12は、アルキル基である。)
Figure 0005682280
(In the formula, R 12 is an alkyl group.)

なお、上記一般式(5)において基R、基Rとして上記一般式(6)の構造を有する化合物としては、例えば、3−エチル−3−フェノキシメチルオキセタン、3−エチル−3−シクロヘキシロキシメチルオキセタン、3−エチル−3−[(2−エチルヘキシロキシ)メチル]オキセタン、1,4−ビス{[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ]メチル}ベンゼン、4,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ]ビフェニル、フェノールノボラック型オキセタン等を挙げられる。 In the general formula (5), examples of the compound having the structure of the general formula (6) as the group R 1 and the group R 2 include 3-ethyl-3-phenoxymethyloxetane, 3-ethyl-3-cyclohexane. Siloxymethyloxetane, 3-ethyl-3-[(2-ethylhexyloxy) methyl] oxetane, 1,4-bis {[(3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy] methyl} benzene, 4,4-bis [ (3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy] biphenyl, phenol novolac oxetane and the like.

これらの中でも、1,4−ビス{[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ]メチル}ベンゼン、4,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ]ビフェニル、フェノールノボラック型オキセタンが好ましく、4,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシ]ビフェニル、イソフタル酸ビス[(3−エチル−3−オキセタルニル)メチル]エステル等が特に好ましい。   Among these, 1,4-bis {[(3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy] methyl} benzene, 4,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy] biphenyl, and phenol novolac oxetane 4,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanyl) methoxy] biphenyl, isophthalic acid bis [(3-ethyl-3-oxetanyl) methyl] ester, and the like are particularly preferable.

なお、樹脂組成物中における上記一般式(5)で示される構造を有する化合物(B)の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物を含む液状材料中における溶媒との相溶性の観点から、前記環状オレフィンの重合体またはその水素添加物(A)100重量部に対して1〜30重量部が好ましく、特に5〜10重量部が好ましい。   The content of the compound (B) having the structure represented by the general formula (5) in the resin composition is not particularly limited, but from the viewpoint of compatibility with the solvent in the liquid material containing the resin composition. The amount of the cyclic olefin polymer or its hydrogenated product (A) is preferably from 1 to 30 parts by weight, particularly preferably from 5 to 10 parts by weight.

また、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物(A)および上記一般式(5)で示される構造を有する化合物(B)を含む樹脂組成物には、酸を発生する化合物(C)が含まれているのが好ましい。   In addition, the resin composition containing the polymer of cyclic olefin or its hydrogenated product (A) and the compound (B) having the structure represented by the general formula (5) includes a compound (C) that generates an acid. It is preferable.

酸を発生する化合物(C)は、光照射や熱によりブレンステッド酸またはルイス酸を発生するものである。具体的には、例えば、オニウム塩、ハロゲン化合物、硫酸塩やそれらの混合物等が挙げられる。オニウム塩としては、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ヨードニウム塩、スルフォニウム塩、リン酸塩、アルソニウム塩、オキソニウム塩等が挙げられ、前記のオニウム塩とカウンターアニオンを作ることができる化合物である限り、カウンターアニオンの制限はない。カウンターアニオンの例としては、ホウ酸、アルソニウム酸、リン酸、アンチモニック酸、硫酸塩、カルボン酸とそれらのハロゲン置換体等が挙げられる。   The compound (C) that generates an acid generates a Bronsted acid or a Lewis acid by light irradiation or heat. Specific examples include onium salts, halogen compounds, sulfates, and mixtures thereof. Examples of onium salts include diazonium salts, ammonium salts, iodonium salts, sulfonium salts, phosphates, arsonium salts, oxonium salts, and the like. There is no limit. Examples of the counter anion include boric acid, arsonium acid, phosphoric acid, antimonic acid, sulfate, carboxylic acid and their halogen-substituted products.

前記オニウム塩の酸発生剤としては、特に限定されず、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロボレート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロアルセナート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロフォスフェート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロサルフェート、4−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、4−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアンチモネート、4−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアルセナート、4−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロフォスフェート、4−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロスルフォネート、トリス(t−ブチルフェニル)スルフォニムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、4−t−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、4−t−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロスルフォネート、4−t−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアンチモネート、4−t−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムトリフルオロフォスフォネート、4−t−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムトリフルオロスルフォネート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムトリフルオロボレート、4,4’,4”−トリス(t−ブチルフェニル)スルフォニウムトリフレート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムテトラフルオロボレート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムヘキサフルオロアルセネート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムヘキサフルオロスルフォネート、トリス(4−メトキシフェニル)スルフォニウムテトラフルオロボレート、トリス(4−メトキシフェニル)スルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリス(4−メトキシフェニル)スルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート、トリス(4−メトキシフェニル)スルフォニウムトリフルオロスルフォネート、トリフェニルスルフォニウムジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート、トリフェニルヨードニウムトリフルオロスルフォネート、3,3−ジニトロジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、3,3−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、3,3−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、3,3−ジニトロジフェニルヨードニウムトリフルオロサルフォネート、4,4’−ジ−t−ブチルフェニルヨードニウムトリフレート、4,4’−ジ−t−ブチルフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、4,4−ジニトロジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、4,4−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、4,4−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、4,4−ジニトロジフェニルヨードニウムトリフルオロサルフォネート、(4−メチルフェニル−4−(1−メチルエチル)フェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   The acid generator of the onium salt is not particularly limited, and is triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium hexafluoroborate, triphenylsulfonium tetrafluoroarsenate, triphenylsulfonium tetrafluorophosphate, triphenyl. Nylsulfonium tetrafluorosulfate, 4-thiophenoxydiphenylsulfonium tetrafluoroborate, 4-thiophenoxydiphenylsulfonium tetrafluoroantimonate, 4-thiophenoxydiphenylsulfonium tetrafluoroarsenate, 4-thiophenoxydiphenyl Sulfonium tetrafluorophosphate, 4-thiophenoxydiphenylsulfonium tetrafluorosulfonate, Lis (t-butylphenyl) sulphonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, 4-t-butylphenyldiphenylsulphonium tetrafluoroborate, 4-t-butylphenyldiphenylsulphonium tetrafluorosulphonate, 4-t -Butylphenyldiphenylsulfonium tetrafluoroantimonate, 4-t-butylphenyldiphenylsulfonium trifluorophosphonate, 4-t-butylphenyldiphenylsulfonium trifluorosulfonate, tris (4-methylphenyl) sulfone Phonium trifluoroborate, 4,4 ′, 4 ″ -tris (t-butylphenyl) sulfonium triflate, tris (4-methylphenyl) sulfonium tetrafluoroborate, tris 4-methylphenyl) sulfonium hexafluoroarsenate, tris (4-methylphenyl) sulfonium hexafluorophosphate, tris (4-methylphenyl) sulfonium hexafluorosulfonate, tris (4-methoxyphenyl) ) Sulfonium tetrafluoroborate, tris (4-methoxyphenyl) sulfonium hexafluoroantimonate, tris (4-methoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphate, tris (4-methoxyphenyl) sulfonium trifluoros Ruphonate, triphenylsulfonium diphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, diphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, tripheny Ruiodonium tetrafluoroborate, triphenyliodonium hexafluoroantimonate, triphenyliodonium hexafluoroarsenate, triphenyliodonium hexafluorophosphate, triphenyliodonium trifluorosulfonate, 3,3-dinitrodiphenyliodonium tetrafluoroborate, 3 , 3-dinitrodiphenyliodonium hexafluoroantimonate, 3,3-dinitrodiphenyliodonium hexafluoroarsenate, 3,3-dinitrodiphenyliodonium trifluorosulfonate, 4,4′-di-t-butylphenyliodonium triflate, 4,4′-di-t-butylphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, 4,4 Dinitrodiphenyliodonium tetrafluoroborate, 4,4-dinitrodiphenyliodonium hexafluoroantimonate, 4,4-dinitrodiphenyliodonium hexafluoroarsenate, 4,4-dinitrodiphenyliodonium trifluorosulfonate, (4-methylphenyl-4 -(1-methylethyl) phenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate and the like can be mentioned, and one or more of these can be used in combination.

また、ハロゲンを含有している酸発生剤としては、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)トリアジン、2−アリル−4,6−ビス(トリクロロメチル)トリアジン、α,β,α−トリブロモメチルフェニルスルフォン、α、α―2,3,5,6−ヘキサクロロキシレン、2,2−ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロキシレン、1,1,1−トリス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)エタン等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the acid generator containing halogen include 2,4,6-tris (trichloromethyl) triazine, 2-allyl-4,6-bis (trichloromethyl) triazine, α, β, α-tribromo. Methylphenylsulfone, α, α-2,3,5,6-hexachloroxylene, 2,2-bis (3,5-dibromo-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexa Fluoroxylene, 1,1,1-tris (3,5-dibromo-4-hydroxyphenyl) ethane and the like can be mentioned, and one or more of these can be used in combination.

スルフォネート系の酸発生剤としては、具体的には、2−ニトロベンジルトシレート、2,6−ジニトロベンジルトシレート、2,4−ジニトロベンジルトシレート、2−ニトロベンジルメタンスルフォネート、2−ニトロベンジルエタンスルフォネート、9,10−ジメトキシアントラセン−2−スルフォネート、1,2,3−トリス(メタンスルフォニルロキシ)ベンゼン、1,2,3−トリス(エタンスルフォニルロキシ)ベンゼン、1,2,3−トリス(プロパンスルフォニルロキシ)ベンゼン等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   Specific examples of the sulfonate-based acid generator include 2-nitrobenzyl tosylate, 2,6-dinitrobenzyl tosylate, 2,4-dinitrobenzyl tosylate, 2-nitrobenzyl methanesulfonate, 2- Nitrobenzyl ethanesulfonate, 9,10-dimethoxyanthracene-2-sulfonate, 1,2,3-tris (methanesulfonylloxy) benzene, 1,2,3-tris (ethanesulfonylloxy) benzene, 1,2, 3-tris (propanesulfonylloxy) benzene and the like can be mentioned, and one or more of these can be used in combination.

前述のような酸発生剤の中でも、4,4’−ジ−t−ブチルフェニルヨードニウムトリフレート、4,4’,4”−トリス(t−ブチルフェニル)スルフォニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリフェニルスルフォニウムジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、4,4’−ジ−t−ブチルフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリス(t−ブチルフェニル)スルフォニムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、4−メチルフェニル−4−(1−メチルエチル)フェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート単体またはそれらの混合物の中から選ばれる1種または2種以上が好ましく用いられる。   Among the acid generators as described above, 4,4′-di-t-butylphenyliodonium triflate, 4,4 ′, 4 ″ -tris (t-butylphenyl) sulfonium triflate, diphenyliodonium tetrakis ( Pentafluorophenyl) borate, triphenylsulfonium diphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, 4,4′-di-t-butylphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, tris (t-butylphenyl) sulfonyltetrakis One or more selected from (pentafluorophenyl) borate, 4-methylphenyl-4- (1-methylethyl) phenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate alone or a mixture thereof Used Mashiku.

また、樹脂組成物中における酸を発生する化合物(C)の含有量は、特に限定されないが、前記環状オレフィンの重合体またはその水素添加物(A)と酸を発生する化合物(C)の作用により硬化反応可能な化合物の合計100重量部に対して0.1〜20重量部が好ましく、特に0.5〜10重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に光解像後の開口形状、および感度(被覆部22のパターニング性)に優れる。   Further, the content of the compound (C) that generates acid in the resin composition is not particularly limited, but the action of the polymer of cyclic olefin or its hydrogenated product (A) and the compound (C) that generates acid. Is preferably from 0.1 to 20 parts by weight, particularly preferably from 0.5 to 10 parts by weight, based on a total of 100 parts by weight of the compound capable of curing reaction. When the content is in the above range, the opening shape after photo-resolution and the sensitivity (patterning property of the covering portion 22) are particularly excellent.

酸を発生する化合物(C)の作用により硬化反応可能な化合物の重量平均分子量は、特に制限されるものではないが、1000以下であることが好ましく、特に100〜600であることが好ましい。   The weight average molecular weight of the compound capable of undergoing a curing reaction by the action of the acid-generating compound (C) is not particularly limited, but is preferably 1000 or less, particularly preferably 100 to 600.

また、酸を発生する化合物(C)の作用により硬化反応可能な化合物の配合量は、特に制限されるものではないが、光反応性官能基を有する環状オレフィンの重合体またはその水素添加物(A)100重量部に対して、1〜50重量部であることが好ましく、10〜40重量部が特に好ましい。   Further, the compounding amount of the compound capable of undergoing a curing reaction by the action of the compound (C) that generates an acid is not particularly limited, but a polymer of a cyclic olefin having a photoreactive functional group or a hydrogenated product thereof ( A) It is preferable that it is 1-50 weight part with respect to 100 weight part, and 10-40 weight part is especially preferable.

以上のような樹脂組成物は、通常、前述の各成分を溶媒に溶解し、液状材料(ワニス状)にして使用される。   The resin composition as described above is usually used in the form of a liquid material (varnish) by dissolving the aforementioned components in a solvent.

溶媒としては、樹脂組成物のキャリアとして働き、シート材25’への塗布後や硬化過程で除去される非反応性溶媒、樹脂組成物と相溶性のある反応基を含んでいる反応性溶媒が挙げられる。   Examples of the solvent include a non-reactive solvent that acts as a carrier for the resin composition and is removed after application to the sheet material 25 ′ and in the curing process, and a reactive solvent containing a reactive group compatible with the resin composition. Can be mentioned.

非反応性溶媒としては、特に制限されるものではないが、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、デカヒドロナフタレン等のアルカン、シクロアルカン類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族類が挙げられる。また、必要に応じて、ジエチルエーテル類、テトラヒドロフラン、アニソール、アセテート類、エステル類、ラクトン類、ケトン類、アミド類等を用いることもできる。   The non-reactive solvent is not particularly limited, and examples include alkanes such as pentane, hexane, heptane, cyclohexane and decahydronaphthalene, cycloalkanes, and aromatics such as benzene, toluene, xylene and mesitylene. . If necessary, diethyl ethers, tetrahydrofuran, anisole, acetates, esters, lactones, ketones, amides, and the like can also be used.

反応性溶媒としては、特に制限されるものではないが、シクロヘキセンオキサイドやα−ピネンオキサイド等のシクロエーテル化合物、[メチレンビス(4,1−フェニレンオキシメチレン)]ビスオキシラン等の芳香族シクロエーテル、1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル等のシクロアリファティックビニルエーテル化合物、ビス(4−ビニルフェニル)メタン等の芳香族類が挙げられる。   The reactive solvent is not particularly limited, but is a cycloether compound such as cyclohexene oxide or α-pinene oxide, an aromatic cycloether such as [methylenebis (4,1-phenyleneoxymethylene)] bisoxirane, 1 And cycloaliphatic vinyl ether compounds such as 4-cyclohexanedimethanol divinyl ether and aromatics such as bis (4-vinylphenyl) methane.

これらの中でも、樹脂組成物のシート材25’に対する塗布性の観点から、メシチレン、デカヒドロナフタレン、2−ヘプタノンが好ましい。   Among these, mesitylene, decahydronaphthalene, and 2-heptanone are preferable from the viewpoint of applicability of the resin composition to the sheet material 25 ′.

なお、環状オレフィンの重合体またはその水素添加物(A)および上記一般式(5)で示される構造を有する化合物(B)を含む樹脂組成物を含有する液状材料は、その固形分濃度が5〜60重量%であることが好ましく、30〜55重量%が特に好ましく、粘度は10〜25000mPa・sが好ましく、100〜3000mPa・sが特に好ましい。上記範囲とすることで、ダミー基板101に対する塗布性を確保することが可能となる。   The liquid material containing the resin composition containing the polymer of cyclic olefin or its hydrogenated product (A) and the compound (B) having the structure represented by the general formula (5) has a solid content concentration of 5 It is preferably ˜60 wt%, particularly preferably 30 to 55 wt%, and the viscosity is preferably 10 to 25000 mPa · s, particularly preferably 100 to 3000 mPa · s. By setting it within the above range, it is possible to ensure applicability to the dummy substrate 101.

[11]次に、図5(a)に示すように、開口部221から露出する配線23に電気的に接続するようにバンプ21を形成する(バンプ接続工程)。   [11] Next, as shown in FIG. 5A, the bump 21 is formed so as to be electrically connected to the wiring 23 exposed from the opening 221 (bump connection step).

ここで、本実施形態のように、導体ポスト24とバンプ21との接続を、配線23を介して行う構成とすることにより、バンプ21を、シート材25’の面方向において、導体ポスト24とは異なる位置に配置することができる。換言すれば、バンプ21と導体ポスト24との中心部が重ならないように、これらを配置することができる。したがって、得られるパッケージ20における上面および下面の双方の所望の位置にバンプ21を形成することができるので、このパッケージ20に積層するパッケージの種類の選択の幅が広がる。また、パッケージの出力ピン数を増大させることができる。   Here, as in the present embodiment, the connection between the conductor post 24 and the bump 21 is performed via the wiring 23, so that the bump 21 is connected to the conductor post 24 in the surface direction of the sheet material 25 ′. Can be arranged in different positions. In other words, the bumps 21 and the conductor posts 24 can be arranged so that the central portions do not overlap. Therefore, since the bumps 21 can be formed at desired positions on both the upper surface and the lower surface of the package 20 to be obtained, the range of selection of the types of packages stacked on the package 20 is widened. In addition, the number of output pins of the package can be increased.

このバンプ21を配線23に接合する方法としては、特に限定されないが、例えば、バンプ21と配線23との間に、粘性を有するフラックスを介在させることにより行われる。   A method for bonding the bump 21 to the wiring 23 is not particularly limited. For example, the bump 21 is bonded by a viscous flux between the bump 21 and the wiring 23.

また、バンプ21の構成材料としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材等が挙げられる。   In addition, examples of the constituent material of the bump 21 include a solder material such as solder, silver solder, copper solder, and phosphor copper solder.

[12] 次に、図5(b)に示すように、半導体素子26毎に対応するように、被覆部22等が設けられた半導体素子封止体270を個片化することにより、複数の半導体パッケージ20を一括して得る(個片化工程)。   [12] Next, as shown in FIG. 5B, by separating the semiconductor element sealing body 270 provided with the covering portion 22 and the like so as to correspond to each semiconductor element 26, a plurality of pieces are obtained. The semiconductor package 20 is obtained collectively (individualization step).

この半導体素子封止体270の個片化は、例えば、半導体素子封止体270の厚さ方向に、ダイシングソーを用いて、封止部27、2つのシート材25’および2つの被覆部22を切断することにより行うことができる。
以上のような工程を経て、複数の半導体パッケージ20が製造される。
For example, the semiconductor element sealing body 270 is separated into pieces by using, for example, a dicing saw in the thickness direction of the semiconductor element sealing body 270, the sealing portion 27, the two sheet members 25 ′, and the two covering portions 22. This can be done by cutting.
Through the steps as described above, a plurality of semiconductor packages 20 are manufactured.

このような半導体パッケージ20の製造方法によれば、半導体素子26と導体柱28とを備え、上下での電気的接続が可能な半導体パッケージ20を、一括して製造することが可能となる。   According to such a manufacturing method of the semiconductor package 20, it is possible to collectively manufacture the semiconductor package 20 including the semiconductor element 26 and the conductor pillar 28 and capable of electrical connection in the vertical direction.

さらに、前記工程[1]において、ダミー基板101上に配置する半導体素子26を、予め評価試験を行い良品と判断されたものを選定する構成とすることにより、前記工程[12]で得られる複数の半導体パッケージ20は、信頼性の高いものとなる。   Further, in the step [1], the semiconductor element 26 disposed on the dummy substrate 101 is configured to select a semiconductor element 26 that has been determined as a non-defective product by performing an evaluation test in advance. The semiconductor package 20 is highly reliable.

なお、本実施形態では、半導体素子封止体270の上側および下側の双方に、シート材25’、導体ポスト24、配線23、被覆部22およびバンプ21を設ける場合について説明したが、かかる場合に限定されず、これらをいずれか一方に設けるようにしても良い。   In the present embodiment, the case where the sheet material 25 ′, the conductor post 24, the wiring 23, the covering portion 22, and the bump 21 are provided on both the upper side and the lower side of the semiconductor element sealing body 270 has been described. It is not limited to these, You may make it provide these in either one.

<第2実施形態>
次に、パッケージ20を製造する製造方法の第2実施形態ついて説明する。
Second Embodiment
Next, a second embodiment of a manufacturing method for manufacturing the package 20 will be described.

すなわち、パッケージ20の製造方法の第2実施形態では、平板状をなすシート材を用意し、該シート材上に、前記電極パッドが前記シート材側となるように前記半導体素子を配置するとともに、加熱することで分解し気化する樹脂成分を含有する犠牲層を、前記導体柱を形成すべき位置に該導体柱の形状に対応して形成する半導体素子配置工程と、前記半導体素子が配置され、かつ前記犠牲層が形成されている側の面に、前記シート材と前記半導体素子と前記犠牲層とを覆うように封止して封止部を形成する封止部形成工程と、前記電極パッドおよび前記犠牲層に対応するように、前記シート材の厚さ方向に複数の第2の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記犠牲層を、加熱することで前記樹脂成分を分解・気化させることにより除去して、前記封止部の前記導体柱を形成すべき位置に、第1の貫通孔を形成した後、該第1の貫通孔に前記導体柱を形成することにより、前記半導体素子封止体を得る導体柱形成工程と、第2の貫通孔に導電性を有する導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、シート材の半導体素子封止体とは反対の面側に、導体ポストに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、半導体素子封止体とは反対側の面に、配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、開口部で露出する配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、半導体素子毎に対応するように、半導体素子封止体を個片化することにより、複数の半導体パッケージを一括して得る個片化工程とを有する。   That is, in the second embodiment of the manufacturing method of the package 20, a flat sheet material is prepared, and the semiconductor element is arranged on the sheet material so that the electrode pad is on the sheet material side, A semiconductor element disposing step of forming a sacrificial layer containing a resin component that decomposes and vaporizes by heating corresponding to the shape of the conductor pillar at a position where the conductor pillar is to be formed; and the semiconductor element is disposed; And a sealing part forming step of sealing the surface of the sacrificial layer so as to cover the sheet material, the semiconductor element, and the sacrificial layer to form a sealing part, and the electrode pad And a through-hole forming step of forming a plurality of second through-holes in the thickness direction of the sheet material so as to correspond to the sacrificial layer, and the resin component is decomposed and vaporized by heating the sacrificial layer Removed by letting Then, after forming the first through hole at the position where the conductive column of the sealing portion is to be formed, the conductive column is formed in the first through hole, whereby the semiconductor element sealing body is formed. A conductive pillar forming step, a conductive post forming step of forming a conductive post having conductivity in the second through-hole, and a surface of the sheet material opposite to the semiconductor element sealing body; A wiring forming step for forming a wiring to be connected; a covering portion forming step for forming a covering portion having an opening so that a part of the wiring is exposed on a surface opposite to the semiconductor element sealing body; A plurality of semiconductor packages can be obtained collectively by separating the semiconductor element sealing body so as to correspond to the bump connection step for electrically connecting the bumps to the wiring exposed at the part and for each semiconductor element. And a singulation process.

図8〜図10は、導体柱28を有する半導体パッケージ20を複数一括して製造する本発明の半導体パッケージの製造方法の第2実施形態を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図8〜図10中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   8 to 10 are longitudinal sectional views for explaining a second embodiment of the semiconductor package manufacturing method of the present invention for manufacturing a plurality of semiconductor packages 20 having conductor pillars 28 in a lump. In the following description, the upper side in FIGS. 8 to 10 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

[1’]まず、図8(a)に示すような、平板状をなすシート材25’を用意し、このシート材25’に、複数の半導体素子26を、このものが有する電極パッド(図示せず)がシート材25’側となるように配置(載置)するとともに、犠牲層38を、導体柱28を形成すべき位置にこの導体柱28の形状に対応して形成する(図8(b)参照;半導体素子配置工程)。   [1 ′] First, a sheet material 25 ′ having a flat plate shape as shown in FIG. 8A is prepared, and a plurality of semiconductor elements 26 are provided on the sheet material 25 ′. A sacrificial layer 38 is formed at a position where the conductor pillar 28 is to be formed corresponding to the shape of the conductor pillar 28 (not shown) on the sheet material 25 'side (FIG. 8). (B) Reference: semiconductor element arrangement step).

このシート材25’上への半導体素子26の配置と、犠牲層38の形成とは、前記工程[1]において、ダミー基板101上に半導体素子26を配置し、かつ犠牲層38を形成する場合に説明したのと同様の方法を用いて行うことができる。   The arrangement of the semiconductor element 26 on the sheet material 25 ′ and the formation of the sacrificial layer 38 are performed when the semiconductor element 26 is arranged on the dummy substrate 101 and the sacrificial layer 38 is formed in the step [1]. It can be performed using a method similar to that described above.

なお、このシート材25’は、前記工程[7]において、半導体素子封止体270の下側の面に配置されたシート材25’と同様のものを用いることができる。   As the sheet material 25 ′, the same material as the sheet material 25 ′ disposed on the lower surface of the semiconductor element sealing body 270 in the step [7] can be used.

なお、半導体素子26は、シート材25’上に固定されていても固定されていなくてもよいが、エポキシ系接着剤等の接着剤により固定されているのが好ましい。これにより、次工程[3’]において、半導体素子26を封止部27で封止する際に、半導体素子26の位置ずれが生じてしまうのを効果的に防止することができる。   The semiconductor element 26 may or may not be fixed on the sheet material 25 ', but is preferably fixed with an adhesive such as an epoxy adhesive. Thereby, when the semiconductor element 26 is sealed by the sealing portion 27 in the next step [3 ′], it is possible to effectively prevent the positional deviation of the semiconductor element 26 from occurring.

[2’]次に、シート材25’の上面、すなわち半導体素子26が配置され、かつ犠牲層38が設けられている側の面を、シート材25’、半導体素子26および犠牲層38を覆うように封止部27を形成する(図8(c)参照;封止部形成工程)。   [2 ′] Next, the sheet material 25 ′, the semiconductor element 26, and the sacrificial layer 38 are covered with the upper surface of the sheet material 25 ′, that is, the surface on which the semiconductor element 26 is disposed and the sacrificial layer 38 is provided. Thus, the sealing portion 27 is formed (see FIG. 8C; sealing portion forming step).

シート材25’上に封止部27を形成する方法としては、前記工程[2]において、ダミー基板101上に封止部27を形成する方法として説明したのと同様の方法を用いることができる。   As a method for forming the sealing portion 27 on the sheet material 25 ′, the same method as described as the method for forming the sealing portion 27 on the dummy substrate 101 in the step [2] can be used. .

[3’]次に、図8(d)に示すように、シート材25’に、その厚さ方向に貫通する複数の第2の貫通孔251を形成する(貫通孔形成工程)。   [3 '] Next, as shown in FIG. 8D, a plurality of second through holes 251 penetrating in the thickness direction are formed in the sheet material 25' (through hole forming step).

なお、この第2の貫通孔251は、シート材25’上に位置する、半導体素子26の電極パッドに対応する位置、および犠牲層38に対応する位置にそれぞれ形成される。   The second through hole 251 is formed at a position corresponding to the electrode pad of the semiconductor element 26 and a position corresponding to the sacrificial layer 38 on the sheet material 25 ′.

また、シート材25’に第2の貫通孔251を形成する方法としては、前記工程[6]において説明したのと同様の方法を用いることができる。   In addition, as a method of forming the second through hole 251 in the sheet material 25 ′, the same method as described in the step [6] can be used.

[4’]次に、図8(e)に示すように、犠牲層38を、加熱することで除去して、封止部27の導体柱28を形成すべき位置に、第1の貫通孔271を形成した後、図8(f)に示すように、この第1の貫通孔271に導体柱28を形成する(導体柱形成工程)。   [4 ′] Next, as shown in FIG. 8E, the sacrificial layer 38 is removed by heating, and the first through hole is formed at a position where the conductor column 28 of the sealing portion 27 is to be formed. After forming 271, as shown in FIG. 8 (f), the conductor column 28 is formed in the first through hole 271 (conductor column forming step).

また、第1の貫通孔271を形成し、さらに、この第1の貫通孔271に導体柱28を形成する方法としては、前記工程[4]において説明したのと同様の方法を用いることができる。   Further, as a method of forming the first through hole 271 and further forming the conductor pillar 28 in the first through hole 271, the same method as described in the step [4] can be used. .

なお、本実施形態においても、犠牲層38は、第1の貫通孔271を介して封止部27の下側面で露出していることから、本工程において犠牲層38を加熱ことで、確実に除去することができる。   In this embodiment as well, the sacrificial layer 38 is exposed on the lower surface of the sealing portion 27 through the first through-hole 271, so that the sacrificial layer 38 can be reliably heated by heating in this step. Can be removed.

[5’]次に、図8(g)に示すように、封止部27の上面を、導体柱28の上面側の端部が露出するまで、研削および/または研磨する(研削・研磨工程)。   [5 ′] Next, as shown in FIG. 8G, the upper surface of the sealing portion 27 is ground and / or polished until the end on the upper surface side of the conductor column 28 is exposed (grinding / polishing step). ).

これにより、パッケージ20の上側に搭載されるパッケージとバンプ21を介して電気的に接続される端子として機能する導体柱28が、得られるパッケージ20の上面側で露出することとなる。   As a result, the conductive pillar 28 that functions as a terminal electrically connected to the package mounted on the upper side of the package 20 via the bumps 21 is exposed on the upper surface side of the obtained package 20.

この封止部27の研削および/または研磨は、例えば、研削装置(グラインダー)が備える研削盤を用いて行うことができる。   The sealing portion 27 can be ground and / or polished using, for example, a grinder provided in a grinding device (grinder).

これにより、シート材25’、半導体素子26および導体柱28がシート材25’の上面側で封止部27により封止された半導体素子封止体270’が得られる。   Thereby, a semiconductor element sealing body 270 ′ in which the sheet material 25 ′, the semiconductor element 26, and the conductor column 28 are sealed by the sealing portion 27 on the upper surface side of the sheet material 25 ′ is obtained.

なお、上記の半導体素子配置工程[1’]、封止部形成工程[2’]、貫通孔形成工程[3’]、導体柱形成工程[4’]および研削・研磨工程[4’]により、シート材25’、複数の半導体素子26および複数の導体柱28がシート材25’の上面側で封止部27により封止された半導体素子封止体270’が製造される、本発明の半導体素子封止体の製造方法の第2実施形態が構成される。   The semiconductor element placement step [1 ′], the sealing portion formation step [2 ′], the through hole formation step [3 ′], the conductor column formation step [4 ′], and the grinding / polishing step [4 ′]. The semiconductor element sealing body 270 ′ in which the sheet material 25 ′, the plurality of semiconductor elements 26, and the plurality of conductor columns 28 are sealed by the sealing portion 27 on the upper surface side of the sheet material 25 ′ is manufactured. 2nd Embodiment of the manufacturing method of a semiconductor element sealing body is comprised.

[6’]次に、次工程[7’]において、半導体素子封止体270’の上側に配置すべき平板状をなすシート材25’を用意し、このシート材25’に、その厚さ方向に貫通する第2の貫通孔251を形成した後、図9(a)に示すように、シート材25’を半導体素子封止体270’の上側に配置する(貫通孔形成工程)。   [6 ′] Next, in the next step [7 ′], a sheet material 25 ′ having a flat plate shape to be disposed on the upper side of the semiconductor element sealing body 270 ′ is prepared. After forming the second through-hole 251 penetrating in the direction, as shown in FIG. 9A, the sheet material 25 ′ is disposed above the semiconductor element sealing body 270 ′ (through-hole forming step).

なお、この第2の貫通孔251は、導体柱28に対応する位置に形成される。
また、このシート材25’は、前記工程[7]において、半導体素子封止体270の上側の面に配置されたシート材25’と同様のものを用いることができる。
The second through hole 251 is formed at a position corresponding to the conductor column 28.
Further, as the sheet material 25 ′, the same material as the sheet material 25 ′ disposed on the upper surface of the semiconductor element sealing body 270 in the step [7] can be used.

さらに、シート材25’に第2の貫通孔251を形成する方法としては、前記工程[6]において、シート材25’に第2の貫通孔251を形成する方法で説明したのと同様の方法を用いることができる。   Furthermore, as a method of forming the second through hole 251 in the sheet material 25 ′, the same method as described in the method of forming the second through hole 251 in the sheet material 25 ′ in the step [6]. Can be used.

[7’]次に、図9(b)に示すように、2つのシート材25’が備える第2の貫通孔251に、導電性を有する導体ポスト24を形成する(導体ポスト形成工程)。   [7 '] Next, as shown in FIG. 9B, conductive posts 24 having conductivity are formed in the second through holes 251 provided in the two sheet members 25' (conductor post forming step).

この導体ポスト24を形成する方法としては、前記工程[8]において説明したのと同様の方法を用いることができる。   As a method for forming the conductor post 24, the same method as described in the step [8] can be used.

[8’]次に、図9(c)に示すように、2つのシート材25’の半導体素子封止体270’とは反対の面側に、導体ポスト24に電気的に接続するように、所定形状にパターニングされた配線23を形成する(配線形成工程)。   [8 ′] Next, as shown in FIG. 9 (c), the two sheet members 25 ′ are electrically connected to the conductor post 24 on the opposite side of the semiconductor element sealing body 270 ′. Then, the wiring 23 patterned into a predetermined shape is formed (wiring forming step).

この配線23を形成する方法としては、前記工程[9]において説明したのと同様の方法を用いることができる。   As a method of forming the wiring 23, the same method as described in the step [9] can be used.

[9’]次に、図9(d)に示すように、2つのシート材25’の半導体素子封止体270’とは反対の面側に、配線23の一部が露出するように、開口部221を備える被覆部22を形成する(被覆部形成工程)。   [9 ′] Next, as shown in FIG. 9D, a part of the wiring 23 is exposed on the surface of the two sheet members 25 ′ opposite to the semiconductor element sealing body 270 ′. The covering portion 22 including the opening 221 is formed (covering portion forming step).

なお、この開口部221は、次工程[10’]において、バンプ21を形成する位置に対応するように形成される。   The opening 221 is formed so as to correspond to the position where the bump 21 is formed in the next step [10 '].

この被覆部22を形成する方法としては、前記工程[10]において説明したのと同様の方法を用いることができる。   As a method for forming the covering portion 22, the same method as described in the step [10] can be used.

[10’]次に、図10(a)に示すように、開口部221から露出する配線23に電気的に接続するようにバンプ21を形成する(バンプ接続工程)。   [10 '] Next, as shown in FIG. 10A, the bump 21 is formed so as to be electrically connected to the wiring 23 exposed from the opening 221 (bump connection step).

このバンプ21を形成する方法としては、前記工程[11]において説明したのと同様の方法を用いることができる。   As a method for forming the bump 21, the same method as described in the step [11] can be used.

[11’] 次に、図10(b)に示すように、半導体素子26毎に対応するように被覆部22等が設けられた半導体素子封止体270’を個片化することにより、複数の半導体パッケージ20を一括して得る(個片化工程)。   [11 ′] Next, as shown in FIG. 10B, the semiconductor element sealing body 270 ′ provided with the covering portion 22 and the like so as to correspond to each semiconductor element 26 is separated into a plurality of pieces. The semiconductor packages 20 are collectively obtained (individualization step).

この半導体素子封止体270の個片化は、前記工程[12]において、半導体素子封止体270を個片化する方法として説明したのと同様の方法を用いることができる。
以上のような工程を経て、半導体パッケージ20が製造される。
For the separation of the semiconductor element sealing body 270, the same method as described as the method for separating the semiconductor element sealing body 270 in the step [12] can be used.
The semiconductor package 20 is manufactured through the above processes.

このような半導体パッケージ20の製造方法によれば、半導体素子26と導体柱28とを備え、上下での電気的接続が可能な半導体パッケージ20を、一括して製造することが可能となる。   According to such a manufacturing method of the semiconductor package 20, it is possible to collectively manufacture the semiconductor package 20 including the semiconductor element 26 and the conductor pillar 28 and capable of electrical connection in the vertical direction.

さらに、前記工程[1’]において、シート材25’上に配置する半導体素子26を、予め評価試験を行い良品と判断されたものを選定する構成とすることにより、前記工程[11’]で得られる複数の半導体パッケージ20は、信頼性の高いものとなる。   Further, in the step [1 ′], the semiconductor element 26 arranged on the sheet material 25 ′ is configured to select a semiconductor element 26 that has been evaluated in advance and determined to be a non-defective product. The obtained semiconductor packages 20 are highly reliable.

また、前記工程[3’]において、半導体素子26が配置され、かつ犠牲層38を形成したシート材25’に、直接、第2の貫通孔251を形成し、前記工程[7’]において、この第2の貫通孔251に導体ポスト24が形成される。そのため、前記第1実施形態の半導体パッケージ20の製造方法のように、ダミー基板101から半導体素子封止体270を取り外し、さらに導体ポスト24を形成するためのシート材25’を半導体素子封止体270に貼り付ける必要がないので、半導体パッケージ20を一括して複数製造する際の、工程数の削減を図ることができるため、半導体パッケージ20の生産性の向上を図ることができる。   In the step [3 ′], the second through hole 251 is directly formed in the sheet material 25 ′ in which the semiconductor element 26 is disposed and the sacrificial layer 38 is formed. In the step [7 ′] A conductor post 24 is formed in the second through hole 251. Therefore, as in the method of manufacturing the semiconductor package 20 of the first embodiment, the semiconductor element sealing body 270 is removed from the dummy substrate 101, and the sheet material 25 ′ for forming the conductor post 24 is further replaced with the semiconductor element sealing body. Since it is not necessary to stick to 270, it is possible to reduce the number of processes when manufacturing a plurality of semiconductor packages 20 in a lump, so that the productivity of the semiconductor package 20 can be improved.

なお、本実施形態では、半導体素子封止体270の上側にも、シート材25’、導体ポスト24、配線23、被覆部22およびバンプ21を設ける場合について説明したが、これらの半導体素子封止体270の上側への形成を省略することもできる。この場合、前記工程[6’]が省略される。   In the present embodiment, the case where the sheet material 25 ′, the conductor post 24, the wiring 23, the covering portion 22, and the bumps 21 are provided on the upper side of the semiconductor element sealing body 270 has been described. The formation on the upper side of the body 270 can also be omitted. In this case, the step [6 '] is omitted.

なお、本発明の半導体素子封止体の製造方法および本発明の半導体パッケージの製造方法により製造された半導体パッケージ20を備える半導体装置30は、例えば、携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ゲーム機、液晶テレビ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プリンタ等に広く用いることができる。   The semiconductor device 30 including the semiconductor package 20 manufactured by the method for manufacturing a semiconductor element encapsulant of the present invention and the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention includes, for example, a mobile phone, a digital camera, a video camera, a car navigation system, It can be widely used in personal computers, game machines, liquid crystal televisions, liquid crystal displays, organic electroluminescence displays, printers and the like.

以上、本発明の半導体素子封止体の製造方法および本発明の半導体パッケージの製造方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。   As mentioned above, although the manufacturing method of the semiconductor element sealing body of this invention and the manufacturing method of the semiconductor package of this invention were demonstrated, this invention is not limited to these.

例えば前記実施形態では、パッケージ10およびパッケージ20は、それぞれ、1つの半導体素子16および半導体素子26を備える場合について説明したが、かかる場合に限定されず、各パッケージ10、20は、2つ以上の同一または異種の半導体素子を備えるものであってもよい。かかる構成とすることにより、パッケージ10、20の高機能化および多機能化を図ることができる。   For example, in the embodiment, the case where the package 10 and the package 20 each include one semiconductor element 16 and the semiconductor element 26 has been described. However, the present invention is not limited to this case, and each of the packages 10 and 20 includes two or more packages. You may provide the same or different semiconductor element. With this configuration, the packages 10 and 20 can be enhanced in function and multifunction.

また、前記実施形態では、POP(Package On Package)型の半導体装置30が備える半導体パッケージ20の製造に、本発明の半導体パッケージの製造方法を適用する場合について説明したが、かかる構成の装置の製造に適用されるばかりでなく、例えば、CSP(Chip Size Package)型の半導体装置、BGA(Ball Grid Allay)型の半導体装置、FBGA(Fine Pitch Ball Gird Allay)等の半導体装置が備える半導体パッケージの製造に適用することができる。   In the above embodiment, the case where the semiconductor package manufacturing method of the present invention is applied to the manufacture of the semiconductor package 20 included in the POP (Package On Package) type semiconductor device 30 has been described. For example, a semiconductor package provided in a semiconductor device such as a CSP (Chip Size Package) type semiconductor device, a BGA (Ball Grid Array) type semiconductor device, or an FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array). Can be applied to.

また、本発明の半導体素子封止体の製造方法および本発明の半導体パッケージの製造方法には、任意の目的の工程が1または2以上追加されてもよい。   In addition, one or more processes for any purpose may be added to the method for manufacturing a sealed semiconductor element according to the present invention and the method for manufacturing a semiconductor package according to the present invention.

10、20 パッケージ
12、22 被覆部
121、221 開口部
13、23 配線
142 マスク
14、24 導体ポスト
15、25 インターポーザー
151、251 貫通孔
16、26 半導体素子
17、27 封止部
21 バンプ
25’ シート材
270、270’ 半導体素子封止体
28 導体柱
30 半導体装置
501 振動フィーダー
502 樹脂材料供給容器
503 エポキシ樹脂組成物
504 下型キャビティ
600 パッケージ
101、601 ダミー基板
102、602 接着層
610 封止体
611 バンプ
612 第2の被覆層
613 配線
614 導体ポスト
615 第1の被覆層
616 半導体素子
617 封止部
622 開口部
625 貫通孔
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,20 Package 12,22 Cover part 121,221 Opening part 13,23 Wiring 142 Mask 14,24 Conductor post 15,25 Interposer 151,251 Through-hole 16,26 Semiconductor element 17,27 Sealing part 21 Bump 25 ' Sheet material 270, 270 ′ Semiconductor element sealing body 28 Conductor pillar 30 Semiconductor device 501 Vibration feeder 502 Resin material supply container 503 Epoxy resin composition 504 Lower mold cavity 600 Package 101, 601 Dummy substrate 102, 602 Adhesive layer 610 Sealing body 611 Bump 612 Second covering layer 613 Wiring 614 Conductor post 615 First covering layer 616 Semiconductor element 617 Sealing part 622 Opening part 625 Through hole

Claims (10)

少なくとも1つの電極パッドを有する複数の半導体素子と、導電性を有する複数の導体柱と、前記半導体素子および前記導体柱を封止する封止部とを有する半導体素子封止体の製造方法であって、
平板状をなすダミー基板を用意し、該ダミー基板上に、前記電極パッドが前記ダミー基板側となるように前記半導体素子を配置するとともに、加熱することで分解し気化する樹脂成分を含有する犠牲層を、前記導体柱を形成すべき位置に該導体柱の形状に対応して形成する半導体素子配置工程と、
前記半導体素子が配置され、かつ前記犠牲層が形成されている側の面に、前記ダミー基板と前記半導体素子と前記犠牲層とを覆うように封止して封止部を形成する封止部形成工程と、
前記封止部、前記半導体素子および前記犠牲層から前記ダミー基板を剥離させる剥離工程と、
前記犠牲層を、加熱することで前記樹脂成分を分解・気化させることにより除去して、前記封止部の前記導体柱を形成すべき位置に、第1の貫通孔を形成した後、該第1の貫通孔に前記導体柱を形成することにより、前記半導体素子封止体を得る導体柱形成工程と
前記導体柱の双方の端部が露出するように、前記封止部の前記導体柱が露出していない側の面を研削および/または研磨する研削・研磨工程とを有することを特徴とする半導体素子封止体の製造方法。
A method for producing a semiconductor element sealing body, comprising: a plurality of semiconductor elements having at least one electrode pad; a plurality of conductive pillars having conductivity; and a sealing portion for sealing the semiconductor elements and the conductor pillars. And
A dummy substrate having a flat plate shape is prepared, and the semiconductor element is arranged on the dummy substrate so that the electrode pad is on the dummy substrate side, and a sacrifice containing a resin component that decomposes and vaporizes by heating. A semiconductor element disposing step of forming a layer corresponding to the shape of the conductor pillar at a position where the conductor pillar is to be formed;
A sealing portion that forms a sealing portion by sealing the dummy substrate, the semiconductor element, and the sacrificial layer on a surface on which the semiconductor element is disposed and the sacrificial layer is formed. Forming process;
A peeling step of peeling the dummy substrate from the sealing portion, the semiconductor element, and the sacrificial layer;
The sacrificial layer is removed by decomposing and vaporizing the resin component by heating to form a first through hole at a position where the conductive column of the sealing portion is to be formed. by forming the conductor post to one through-hole, and the conductor post forming step of obtaining the semiconductor element sealing material,
And a grinding / polishing step of grinding and / or polishing a surface of the sealing portion on which the conductor column is not exposed so that both ends of the conductor column are exposed. Manufacturing method of element sealing body.
前記半導体素子配置工程において、前記犠牲層は、前記樹脂成分と、活性エネルギー線の照射により活性種を発生する活性剤とを含有する樹脂組成物を含む液状材料を、前記ダミー基板上に供給し乾燥させて薄膜を形成する第1の工程と、
前記犠牲層を形成しない領域に位置する前記薄膜に、前記活性エネルギー線を照射することで、前記樹脂成分の50%重量減少温度を低下させる第2の工程と、
前記薄膜を加熱して、前記領域に位置する前記薄膜に含まれる前記樹脂成分を選択的に分解・気化させることで、前記領域に位置する前記薄膜を除去する第3の工程とを経ることにより形成される請求項に記載の半導体素子封止体の製造方法。
In the semiconductor element arranging step, the sacrificial layer supplies a liquid material containing a resin composition containing the resin component and an activator that generates active species upon irradiation with active energy rays onto the dummy substrate. A first step of drying to form a thin film;
A second step of lowering the 50% weight loss temperature of the resin component by irradiating the active energy ray to the thin film located in a region where the sacrificial layer is not formed;
By passing through the third step of removing the thin film located in the region by heating the thin film and selectively decomposing and vaporizing the resin component contained in the thin film located in the region. semiconductor device manufacturing method of the sealing body according to claim 1 is formed.
前記封止部形成工程において、前記封止部は、顆粒状のエポキシ樹脂組成物を溶融させた状態で、前記ダミー基板、前記半導体素子および前記犠牲層を覆うように、前記半導体素子が配置され、かつ前記犠牲層が形成されている側の面に供給した後、この溶融状態のエポキシ樹脂組成物を圧縮成形することにより形成される請求項1または2に記載の半導体素子封止体の製造方法。 In the sealing part forming step, the semiconductor element is disposed in the sealing part so as to cover the dummy substrate , the semiconductor element, and the sacrificial layer in a state where the granular epoxy resin composition is melted. and after supplying the surface on which the sacrificial layer is formed, the manufacture of semiconductor element encapsulation of claim 1 or 2 is formed by compression molding the epoxy resin composition of the molten state Method. 前記導体柱形成工程において、前記導体柱は、電解メッキ法により形成される請求項1ないしのいずれかに記載の半導体素子封止体の製造方法。 In the conductor post forming step, the conductor posts, the semiconductor device manufacturing method of the sealing body according to any one of claims 1 to 3 is formed by electrolytic plating. 複数の第2の貫通孔が形成されたシート材と、該シート材上に配置され少なくとも1つの電極パッドを有する複数の半導体素子と、前記シート材上に配置され導電性を有する複数の導体柱と、前記半導体素子および前記導体柱を封止する封止部とを有する半導体素子封止体の製造方法であって、
平板状をなすシート材を用意し、該シート材上に、前記電極パッドが前記シート材側となるように前記半導体素子を配置するとともに、加熱することで分解し気化する樹脂成分を含有する犠牲層を、前記導体柱を形成すべき位置に該導体柱の形状に対応して形成する半導体素子配置工程と、
前記半導体素子が配置され、かつ前記犠牲層が形成されている側の面に、前記シート材と前記半導体素子と前記犠牲層とを覆うように封止して封止部を形成する封止部形成工程と、
前記電極パッドおよび前記犠牲層に対応するように、前記シート材の厚さ方向に複数の第2の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記犠牲層を、加熱することで前記樹脂成分を分解・気化させることにより除去して、前記封止部の前記導体柱を形成すべき位置に、第1の貫通孔を形成した後、該第1の貫通孔に前記導体柱を形成することにより、前記半導体素子封止体を得る導体柱形成工程と
前記導体柱の双方の端部が露出するように、前記封止部の前記導体柱が露出していない側の面を研削および/または研磨する研削・研磨工程とを有することを特徴とする半導体素子封止体の製造方法。
A sheet material in which a plurality of second through holes are formed, a plurality of semiconductor elements disposed on the sheet material and having at least one electrode pad, and a plurality of conductive pillars disposed on the sheet material and having conductivity. And a manufacturing method of a semiconductor element sealing body having a sealing portion for sealing the semiconductor element and the conductor column,
A sacrificial material containing a resin component that is prepared as a flat sheet material, and the semiconductor element is disposed on the sheet material so that the electrode pad is on the sheet material side and is decomposed and vaporized by heating. A semiconductor element disposing step of forming a layer corresponding to the shape of the conductor pillar at a position where the conductor pillar is to be formed;
A sealing portion that forms a sealing portion by sealing the sheet material, the semiconductor element, and the sacrificial layer on a surface on which the semiconductor element is disposed and the sacrificial layer is formed. Forming process;
A through hole forming step of forming a plurality of second through holes in the thickness direction of the sheet material so as to correspond to the electrode pad and the sacrificial layer;
The sacrificial layer is removed by decomposing and vaporizing the resin component by heating to form a first through hole at a position where the conductive column of the sealing portion is to be formed. by forming the conductor post to one through-hole, and the conductor post forming step of obtaining the semiconductor element sealing material,
And a grinding / polishing step of grinding and / or polishing a surface of the sealing portion on which the conductor column is not exposed so that both ends of the conductor column are exposed. Manufacturing method of element sealing body.
請求項1ないしのいずれかに記載の半導体素子封止体の製造方法により製造された半導体素子封止体と、厚さ方向に複数の第2の貫通孔が形成されたシート材とを用意し、各前記第2の貫通孔に前記電極パッドおよび前記導体柱が対応するように、前記半導体素子封止体に前記シート材を貼り合わせるシート材貼り合わせ工程と、
前記第2の貫通孔に導電性を有する導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、
前記シート材の前記半導体素子封止体とは反対の面側に、前記導体ポストに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、
前記半導体素子封止体とは反対側の面に、前記配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、
前記開口部で露出する前記配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、
前記半導体素子毎に対応するように、前記半導体素子封止体を個片化することにより、複数の半導体パッケージを一括して得る個片化工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
Claims 1 prepared a semiconductor element sealing body manufactured by the manufacturing method of the semiconductor element encapsulation material according to any one of 4, and a plurality of second through-holes in the thickness direction is formed a sheet material And a sheet material laminating step of laminating the sheet material to the semiconductor element sealing body so that the electrode pads and the conductor pillars correspond to the second through holes,
A conductor post forming step of forming a conductive post having conductivity in the second through hole;
A wiring forming step of forming a wiring electrically connected to the conductor post on the surface of the sheet material opposite to the semiconductor element sealing body;
A covering portion forming step of forming a covering portion having an opening so that a part of the wiring is exposed on a surface opposite to the semiconductor element sealing body;
The wire exposed at the opening, the bump connecting step of electrically connecting the bumps,
A method for manufacturing a semiconductor package, comprising: a step of individually obtaining a plurality of semiconductor packages by dividing the semiconductor element sealing body into pieces so as to correspond to each semiconductor element. .
請求項に記載の半導体素子封止体の製造方法により製造された半導体素子封止体を用意し、前記第2の貫通孔に導電性を有する導体ポストを形成する導体ポスト形成工程と、
前記シート材の前記半導体素子封止体とは反対の面側に、前記導体ポストに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、
前記半導体素子封止体とは反対側の面に、前記配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、
前記開口部で露出する前記配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、
前記半導体素子毎に対応するように、前記半導体素子封止体を個片化することにより、複数の半導体パッケージを一括して得る個片化工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
Preparing a semiconductor element sealing body manufactured by the method for manufacturing a semiconductor element sealing body according to claim 5 , and forming a conductive post having conductivity in the second through hole; and
A wiring forming step of forming a wiring electrically connected to the conductor post on the surface of the sheet material opposite to the semiconductor element sealing body;
A covering portion forming step of forming a covering portion having an opening so that a part of the wiring is exposed on a surface opposite to the semiconductor element sealing body;
The wire exposed at the opening, the bump connecting step of electrically connecting the bumps,
A method for manufacturing a semiconductor package, comprising: a step of individually obtaining a plurality of semiconductor packages by dividing the semiconductor element sealing body into pieces so as to correspond to each semiconductor element. .
前記導体ポスト形成工程において、前記導体ポストは、電解メッキ法により形成される請求項またはに記載の半導体パッケージの製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor package according to claim 6 or 7 , wherein, in the conductor post forming step, the conductor post is formed by an electrolytic plating method. 前記配線形成工程において、前記配線は、電解メッキ法により形成される請求項ないしのいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。 In the wiring forming step, the wiring method of manufacturing a semiconductor package according to any one of claims 6 to 8 is formed by electrolytic plating. 前記導体ポストと前記バンプとは、前記シート材の面方向において、異なる位置に形成される請求項ないしのいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。 Wherein the conductor posts and said bump, in the planar direction of the sheet material, method of manufacturing a semiconductor package according to any one of claims 6 to 9 are formed in different positions.
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