JP5665127B2 - 表面を炭素被覆されたシリカ材料の製造方法、該製造方法により製造された炭素被覆シリカ材料及びその用途 - Google Patents
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Description
まず、本発明に用いられるシリカ材料は、石英、多孔性ガラス、シリカゲル、粘土鉱物など、有機シリル化剤でシリル化できるものであれば特に限定はされないが、本発明の製造方法は、細孔径が小さくても、孔の再深部まで均一に炭素被覆することができることから、表面に微小な孔を多数有する、MPSの炭素被覆に特に有効である。MPSは、二酸化ケイ素(シリカ)を材質として、均一で規則的な細孔(メソ孔)を持つ物質のことをいう。細孔は、孔径によって、ミクロ孔(2nm未満)と、メソ孔(2〜50nm)と、マクロ孔(50nm超)とに、一般的に分類される。MPSは、平均細孔径50nm以下の細孔を有するものであることが好ましく、0.5〜20nmの細孔を有するものが特に好ましい。さらに、電気化学素子用電極材料等に適用する場合には、MPSは、平均細孔径が好ましくは3nm以上、より好ましくは4nm以上であることが望ましい。3nm以上の平均細孔径を有することによって、細孔内壁に炭素膜を被覆した後でも電解質イオン等が拡散可能な有意な大きさの細孔を維持することが容易になる。また、ナノ物質の高い分画性を持つ分離フィルター膜等に適用する場合には、炭素被覆後のMPSは、平均細孔径が1nm〜2nmの範囲で調製できるものであることが望ましい。本発明の製造方法を用いると、MPSの細孔径が2〜3nm程度の非常に小さいものであっても、炭素を均一に被覆でき、細孔径1nm〜2nmの分離膜が可能になる。
本発明は、シリカ材料表面のシラノール基を有機シリル化剤でシリル化し、次いで、熱処理することにより、有機シリル基から有機基が離脱し、Siラジカルが発生することでシリカ材料表面が活性化される。
炭素被覆のための炭素源として用いられる有機化合物としては、例えば、アセチレン、エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジエン、シクロヘキサン、シクロペンタン、ベンゼン、トルエン、ベンズアルデヒド、アニソール、ニトロベンゼン、ベンジルアルコール、アセトフェノン、クロロベンゼン、アニリンなどの不飽和結合を有する炭化水素、メタン、エタン、プロパン、ヘキサン、メチルペンタン、ジメチルブタン、エチルペンタンなどの飽和結合を有する炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどの水酸基を有する有機化合物、ピロリメット酸無水物、チオフェン、ピリジン、アクリロニトリル、アセトニトリルなどのカルボン酸基や、窒素及び硫黄などを含有する有機化合物等が挙げられる。その中でも、不飽和結合を有する炭化水素が好ましい。また、シリカ材料がMSPの場合、MPSの表面全体を炭素被覆するためには、MPS細孔の最深部まで有機化合物が進入する必要があることから、MPS細孔径が小さければ小さいほど、有機化合物も低分子であることが好ましいので、MPS細孔径が1.5nm〜3.0nmの場合には、アセチレンが特に好ましい。
有機シリル化されたシリカ材料を加熱し、有機基を離脱することによりシリカ材料表面にSiラジカルが発生し、シリカ材料表面に炭素被覆の触媒活性が現れると考えられる。加熱温度は、有機シリル化剤の有機基により異なるが、有機基が離脱する温度であればよく、例えば、トリメチルシリル類では、450〜700℃が好ましく、550〜650℃がより好ましい。
シリカ材料表面と炭素源である有機化合物との接触は、CVD法のような気相接触、エステル化法あるいは界面活性剤の極性基もしくは親水性基とシラノール基との相互作用による化学結合、毛細管現象などを利用したシリカ表面との物理的な液相/固相接触等、公知の方法を用いることができる。一般的にシリカ材料表面は炭素被覆に対して触媒活性が低いため、より高温で処理しなければ炭素化するのは難しい。透明なガラス表面に薄い炭素薄膜を被覆する場合、ガラスが溶融しないようできるだけ低温で行い、かつ透明性を確保するため金属などの触媒は一切使用できないため、従来の方法では、炭素被覆法として効率的で簡便なCVD法を用いても固体表面上への均一な炭素被覆は困難であった。しかしながら、本発明においては、シリカ材料表面に有機シリル基を導入し、加熱によりシリカ材料表面が活性化されるため、炭素被覆法として効率的で簡便なCVD法を好ましく用いることができる。
式:(平均細孔径)=4×(細孔容積)/(比表面積)
[試薬類]
エチレングリコール(99.5%):和光純薬[058−00986]
セチルトリメチルアンモニウムブロミド(CTAB):和光純薬[030−02105]
テトラエトキシシラン(TEOS):東京化成工業[T0100]
28−30%アンモニア水:和光純薬[016−03146]
ヘキサメチルジシロキサン(HMDS):東京化成工業[H0091]
2−プロパノール(99.7%):和光純薬[166−04836]
5mol/L塩酸:和光純薬[081−05435]
ホウ酸塩pH9.18(25℃)標準液[028−03205]
150℃で、6時間真空乾燥した測定対象試料について、BELSORPminiII(日本ベル)を用いて、液体窒素温度における窒素吸脱着量を測定した。細孔容積は相対圧0.90における窒素吸着量から算出した。比表面積はBETプロットから算出した。平均細孔径はBJH法およびDFT法により算出した。
[示差熱分析(TG)]
TG/TGA−51(島津製作所)を用いて以下の条件で測定した。
雰囲気ガス:空気100cc/分
熱履歴:10℃/分で100℃まで昇温し、100℃で60分間保持し、試料を乾燥させた。5℃/分で800℃まで昇温し、800℃で60分間保持した。次いで100℃まで放冷し、100℃で60分間保持した。
上記熱履歴後の質量を熱分解前後100℃のときにおける重量減少量として求めた。この重量減少量は、CVDによりMPSに被覆された炭素量を示す。
実験を行う前に、黒鉛試料台を1000℃1時間で熱処理を行うことで、試料台をベーキングした。試料台は1.5時間かけて放冷し、室温に戻した後、大気中で反応管を開け、測定試料を試料台に導入した。試料をセットした試料台を反応管に設置して、ロータリーポンプで反応管内を粗引き(反応管内圧力1Pa以下)した後、ターボ分子ポンプでさらに5×10−4Paまで真空引きを行った。圧力が安定した後、試料台を10℃/min、900℃まで昇温し、その時の脱離ガスを四重極質量分析計(Transpector2 H100M,INFICON)で測定した。
S−4800(日立ハイテクノロジー)を用い、試料はリターディング機能を使用することで、低加速電圧(1kV)で、導電性コーティングを行わずに観察を行った。
BELSORP MAX(日本ベル)を用いて以下の条件で測定した。
測定温度:25℃(ウォーターバス制御)
前処理条件:150℃で6時間真空乾燥
測定プローブ:市販の精製水(イオン交換水)を凍結、脱気する操作を繰り返し、溶解しているガス成分を十分に脱気したものを使用
プラスチック製50mL容器に、ホウ酸塩pH9.18(25℃)標準液を30mL入れて蓋をし、卓上振とう機(NISSIN:NA−201N)にセットして、インキュベートカバー(アズワン:I−COVER)を被せて25℃にセットしておよそ1時間余熱した。各試料をそれぞれ0.05g入れ、インキュベートカバー内で25℃7日間振とうするとともに浸漬させた。各試料は口径0.2μmのPTFE製のメンブレン膜で吸引濾過によって回収し、そのまま数回水洗した後、80℃8時間真空乾燥した。回収した粉末は、X線回折測定(SIMADZU:XRD−6100、CuKα線、管電圧30kV、管電流20mA、0.02°ステップスキャンモード、積算時間10sec)を行い、アルカリ浸漬試験前後のMPS由来の100ピーク強度を比較した。
<トリメチルシリル化したMPSの合成>
500mlの丸底フラスコに、120gの水、20gのエチレングリコール、1.2gのカチオン性界面活性剤であるCTABを入れ、フラスコをパラフィルムで蓋をした後60℃のウォーターバスにセットして1時間、スターラーを用いて攪拌しながら余熱した。次いで、5.4gの28%アンモニア水を加え、5分間攪拌した。攪拌終了後、1.5gのTEOSを加え、24時間攪拌し、MPSの前駆体となるシリカ−界面活性剤複合体の分散液を得た。次に、26gのHMDS、20gの2−プロパノール、60gの5mol/L塩酸を500mlの二口丸フラスコに入れ、側口はガラス栓をして、上口に乾留管を取り付け、オイルバスにセットして72℃、30分間余熱した。72℃に加温された二口丸フラスコ溶液内に、上述のシリカ−界面活性剤複合体分散液をピペッターで少しずつ滴下し、全てを投入後30分間攪拌することで、CTABの除去とトリメチルシリル化を行った。次に、分液漏斗に移し、下層の水相を分離除去し、残った油層を50mLの遠心管に入れ、テーブルトップ高速冷却遠心機(SIGMA 3−30K)を用いて22,000rpmで20分間遠心分離を行い、トリメチルシリル化MPS(以下「TMS−MPS」と略記することもある。)の沈殿物を得た。遠心チューブの液を捨て、エタノールで再分散・遠心分離を1回繰り返し、最終的にTMS−MPSのゲル状沈殿物を80℃8時間真空乾燥することで乾燥粉末として得た。
比較として、上記<トリメチルシリル化したMPSの合成>のMPSの前駆体となるシリカ−界面活性剤複合体分散液を、50mLの遠心管に入れ、テーブルトップ高速冷却遠心機(SIGMA 3−30K)を用いて22,000rpmで20分間遠心分離を行うことで沈殿させ、更にエタノールで再分散・遠心分離を行い、得られた沈殿物を80℃8時間真空乾燥することで乾燥粉末として得た。この乾燥粉末を150cc/minの条件で乾燥空気を流しながら、5℃/minで550℃まで昇温し、550℃6時間焼成し、その後室温まで放冷することで、トリメチルシリル化していないMPS(以下「MPS(O)」と略記することもある。)を得た。
上記方法により合成されたTMS−MPSの昇温脱離質量分析(TPD−MS)法による測定結果を図1に示す。450〜700℃付近にトリメチルシリル基由来と考えられる−CH3及びCH4のピークが確認された。また、約550℃を超えると、トリメチルシリル基由来と考えられる−CH3及びCH4のピークが急増し、約600℃でピークが最大値となった。このことから、600℃付近でトリメチルシリル基の分解が促進し、シリカ表面は活性化され、炭素が被覆されやすくなっているといえる。
上記で得られたTMS−MPS乾燥粉末0.1gを、窒素キャリアガス流量を400cc/min、10℃/minの昇温速度で600℃まで加熱処理し、TMS−MPS表面の活性化処理を行った。次いで、窒素キャリアガスにアセチレン濃度が1%となるように混合した原料ガスを400cc/minの流量で30分間、CVDを行った。その後、アセチレンガスを止めて、未反応のアセチレンが完全になくなるまで、窒素キャリアガスのみを流した状態で30分間600℃で維持した後、加熱を止め、室温まで放冷することにより、炭素被覆MPSを得た。上記の方法により、得られた炭素被覆MPS(以下「C(1_600_30)−TMS−MPS」と略記することがある。)の炭素重量減少量(TG減少量)、BET比表面積、細孔容量(相対圧:P/P0=0.90)、BJH及びDFT細孔径分布を上記の方法により調べたところ、炭素重量減少量は4.5(wt%)、BET比表面積は1160(m2/g)、細孔容積は0.96(m3/g)、BJH及びDFT細孔径分布の最大ピーク位置は、それぞれ2.2(nm)及び3.6(nm)であった。
CVD時間を60分とする以外は、実施例1と同様の方法により炭素被覆されたMPSを得た。得られた炭素被覆MPSの炭素重量減少量は14.7(wt%)、BET比表面積は1280(m2/g)、細孔容量は0.89(m3/g)、BJH及びDFT細孔径分布の最大ピーク位置は、それぞれ2.0(nm)及び3.4(nm)であった。
CVD時間を120分とする以外は、実施例1と同様の方法により炭素被覆されたMPSを得た。得られた炭素被覆MPSの炭素重量減少量は33.7(wt%)、BET比表面積は840(m2/g)、細孔容量は0.49(m3/g)、BJH及びDFT細孔径分布の最大ピーク位置は、それぞれ1.4(nm)及び2.0(nm)であった。
CVD時間を180分とする以外は、実施例1と同様の方法により炭素被覆されたMPSを得た。得られた炭素被覆MPS(以下「C(1_600_180)−TMS−MPS」と略記することがある。)の炭素重量減少量は42.4(wt%)、BET比表面積は650(m2/g)、細孔容量は0.39(m3/g)、BJH及びDFT細孔径分布の最大ピーク位置は、それぞれ1.4(nm)及び2.0(nm)であった。
アセチレン濃度を0%とする以外は、実施例1と同様の方法により表面活性化処理及びCVDを行った。処理後のMPSの炭素重量減少量は3.7(wt%)、BET比表面積は1010(m2/g)、細孔容量は0.87(m3/g)、BJH及びDFT細孔径分布の最大ピーク位置は、それぞれ2.4(nm)及び3.6(nm)であった。
アセチレン濃度を5%とする以外は、実施例1と同様の方法により炭素被覆されたMPSを得た。得られた炭素被覆MPSの炭素重量減少量は24.5(wt%)、BET比表面積は1130(m2/g)、細孔容量は0.70(m3/g)、BJH及びDFT細孔径分布の最大ピーク位置は、それぞれ1.7(nm)及び2.3(nm)であった。
アセチレン濃度を20%とする以外は、実施例1と同様の方法により炭素被覆されたMPSを得た。得られた炭素被覆MPSの炭素重量減少量は46.1(wt%)、BET比表面積は350(m2/g)、細孔容量は0.27(m3/g)、DFT細孔径分布の最大ピーク位置は、2.0(nm)であった。なお、本試料ではBJH細孔径分布は測定できなかった。
TMS−MPSのBET比表面積、細孔容量(P/Po=0.9)BJH及びDFT細孔径分布を調べたところ、BET比表面積は970(m2/g)、細孔容量は0.89(m3/g)、BJH及びDFT細孔径分布の最大ピーク位置はそれぞれ2.7(nm)及び3.8(nm)であった。
焼成によって鋳型界面活性剤を除去したMPS(O)のBET比表面積、細孔容量(P/Po=0.9)BJH及びDFT細孔径分布を調べたところ、炭素重量減少量は0(wt%)、BET比表面積は1290(m2/g)、細孔容量は1.12(m3/g)、BJH及びDFT細孔径分布の最大ピーク位置は、それぞれ2.7(nm)及び3.9(nm)であった。
TMS−MSPの代わりに、焼成によって鋳型界面活性剤を除去したMPS(O)を用いた以外は、実施例6と同様の方法により表面活性化処理及びCVDを行った。処理後の炭素被覆MPS(O)(以下「C(20_600_30)−MPS(O)」と略記することがある。)の炭素重量減少量は4.2(wt%)、BET比表面積は1150(m2/g)、細孔容量は0.92(m3/g)、BJH及びDFT細孔径分布の最大ピーク位置は、それぞれ2.7(nm)及び4.0(nm)であった。
実施例4で得られたC(1_600_180)−TMS−MPSのFE−SEM像を図2に、CVD処理前のTMS−MPSを図3に示す。CVD前後で粒子の形状はほぼ変化していないことから、MPSの細孔内にも均一に炭素被覆されていることが確認された。
実施例1のC(1_600_30)−TMS−MPS、比較例1のTMS−MPS、比較例2のMPS(O)、比較例3のC(20_600_30)−MPS(O)の蒸気吸着等温線を図4示す。TMS化していない比較例2及び比較例3は、相対圧0.6付近で急激な水の吸収を示すのに対して、TMS化した実施例1及び比較例1では、より高い相対圧まで水の吸着を示さず、更に、TMS化した後にCVDした実施例1では、相対圧が約0.9まで水が吸着しなかった。また、TMS化していない比較例3の重量減少量(炭素被覆量)は4.2wt%であり、実施例1の4.5wt%と同程度であるが、水吸着の相対圧は全く異なっていること、及び、比較例3の水吸着の相対圧は、CVDを行っていない、つまり、炭素が被覆されていない比較例2と同様であったことから、単に炭素被覆量で疎水性が決まっているわけではないことは明らかである。すなわち、TMS化されていないMPS(O)は炭素堆積の活性点がないため、炭素堆積が不規則で、部分的には親水性のシラノール基が多く残っていると考えられ、TMS化した炭素被覆は、TMS基を起点にまんべんなく炭素被覆され、より効果的に疎水性効果が現れているのではないかと考えられる。したがって、MPS表面を有機シリル化剤でシリル化した場合と、シリル化しない場合(有機化合物はMPS表面のシラノール基とエステル結合)では、炭素被覆量が同じでも、示す物性については異なるとが明らかとなった。
実施例4のC(1_600_180)−TMS−MPS、比較例1のTMS−MPS、比較例2のMPS(O)の耐薬品性試験(塩基性水溶液)の結果を図5に示す。実施例4のC(1_600_180)−TMS−MPSは塩基性水溶液中で一週間振とうしても、MPSの規則構造に由来する(100)のピークが確認された。したがって、TMS化した後にCVDを行ったTMS−MPSは、耐薬品性(塩基性水溶液)に優れることが確認された。本発明のMPSが均一に炭素被覆された際の論理的炭素量は42.2(wt%)であり、その論理的炭素量とほぼ同一の炭素量で被覆されている実施例4のC(1_600_180)−TMS−MPSは一週間振とうしてもMPSの規則構造がほぼ維持されていることから、実施例4のC(1_600_180)−TMS−MPS表面は、シリカがほとんど露出しておらず、ほぼ均一に炭素被覆されていると推察される。
炭素被覆MPSの導電性試験装置の外観を図6に示す。内径7.45mmのセルに実施例4のC(1_600_180)−TMS−MPSを20mg入れ、二端子法により一定電圧をかけながら油圧ジャッキでゆっくりと加圧し、6MPaで保持し、電圧を0.5V、1V、2V、3V、4Vと順に変化させて電流値を測定した。31MPaの加圧条件のときも同様の測定を行った。測定結果を図7に示す。炭素被覆されていないものは全く電気を遠さなかったのに対して、炭素被覆されたサンプルは微弱な電流を検出した。これは、MPSは、細孔表面のみならず粒子外表面も炭素層によって被覆されていることによって、粒子同士の接触で導電パスが通じたと考えられる。導電率は6MPaで2.52μS/m、31MPaで4.44μS/mとなり、加圧される力が強いほど、粒子間の接触が多くなり、電流がより多く流れたと考えられる。以上より、本発明の炭素被覆MPSは、導電性を有することが確認された。
Claims (14)
- 有機シリル化剤により表面がシリル化されたシリカ材料を、有機シリル化剤の有機基が離脱する温度で加熱し、次いで、CVDで処理することを特徴とする炭素被覆シリカ材料の製造方法。
- 前記シリカ材料が、メソポーラスシリカであることを特徴とする請求項1に記載の炭素被覆シリカ材料の製造方法。
- 前記CVDが有機化合物を0〜50vol%含むキャリアガスで行われることを特徴とする請求項1又は2に記載の炭素被覆シリカ材料の製造方法。
- 前記有機化合物が、不飽和結合を有する炭化水素であることを特徴とする請求項3に記載の炭素被覆シリカ材料の製造方法。
- 前記有機化合物が窒素、ホウ素、硫黄、リンから選ばれる少なくとも1種の異種元素を含むことを特徴とする請求項3又は4に記載の炭素被覆シリカ材料の製造方法。
- 前記CVDが、有機基が離脱する温度と同じ温度で行われることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の炭素被覆シリカ材料の製造方法。
- 前記シリカ材料がメソポーラスシリカであって、
請求項1〜6の何れか1項に記載の製造方法により製造された炭素被覆シリカ材料。 - 請求項7に記載の炭素被覆シリカ材料を含む帯電防止膜。
- 請求項7に記載の炭素被覆シリカ材料を含む医療材料。
- 請求項7に記載の炭素被覆シリカ材料を含む透明電極。
- 請求項7に記載の炭素被覆シリカ材料を含む透明導電膜。
- 請求項7に記載の炭素被覆シリカ材料を含む充填剤。
- 請求項7に記載の炭素被覆シリカ材料を含む担体。
- 請求項7に記載の炭素被覆シリカ材料を含む電気化学素子。
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