JP5652105B2

JP5652105B2 - Exposure equipment

Info

Publication number: JP5652105B2
Application number: JP2010230261A
Authority: JP
Inventors: 正思岡田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2010-10-13
Filing date: 2010-10-13
Publication date: 2015-01-14
Anticipated expiration: 2030-10-13
Also published as: JP2012084713A

Description

本発明は、露光装置に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus.

ウェハの両面にパターンを形成する縮小投影型の露光装置において、ウェハの裏面に付された位置合わせマークを顕微鏡で検出してアライメントを行う（裏面アライメント）技術が知られている（特許文献１参照）。ウェハステージの裏面（ウェハが露光する面と反対の面）側に配置された顕微鏡は、ウェハステージに設けられている貫通孔を介して、ウェハステージにウェハが載置されていない状態で該ウェハステージの上方に配設されたマスクに付されているマスクマークを検出し、その位置を記憶する。そして、ウェハがウェハステージに載置されると、上記顕微鏡は上記貫通孔を介してウェハの裏面の位置合わせマークを検出する。該位置合わせマークの位置と上記記憶したマスクマークの位置とを比較することにより、載置したウェハをＸ方向、Ｙ方向についてアライメントする。 In a reduction projection type exposure apparatus that forms a pattern on both sides of a wafer, a technique is known in which alignment marks attached to the back side of the wafer are detected by a microscope to perform alignment (back side alignment) (see Patent Document 1). ). The microscope disposed on the back side of the wafer stage (the surface opposite to the surface on which the wafer is exposed) is in a state where the wafer is not placed on the wafer stage through a through hole provided in the wafer stage. A mask mark attached to a mask disposed above the stage is detected, and the position is stored. When the wafer is placed on the wafer stage, the microscope detects an alignment mark on the back surface of the wafer through the through hole. By comparing the position of the alignment mark with the stored position of the mask mark, the placed wafer is aligned in the X direction and the Y direction.

特開平９−１１５８１２号公報JP-A-9-115812

従来技術では、ウェハ裏面の位置合わせマークを基準位置にアライメントするためには、アライメント・ユニット駆動装置を用いてアライメント・ユニットをウェハステージに対して相対移動させる必要がある。このような相対移動機構を備えると、装置が複雑化するという問題があった。 In the prior art, in order to align the alignment mark on the back surface of the wafer with the reference position, it is necessary to move the alignment unit relative to the wafer stage using an alignment unit driving device. When such a relative movement mechanism is provided, there is a problem that the apparatus becomes complicated.

請求項１の発明による露光装置は、二次元方向に移動可能な基板ステージと、前記基板ステージ上に配設され、裏面に裏面基準マークを有する露光基板を載置する基板載置部を有し、前記基板載置部に貫通孔を有する基板載置ユニットと、前記貫通孔に設けられ、視標マークを有する視標部材と、前記基板載置ユニットに設けられるアライメント検出系と、を備え、前記アライメント検出系は、前記基板載置部に載置された前記露光基板の裏面基準マークを前記視標部材を介して照明する照明光学系と、前記照明光学系によって照明された前記裏面基準マークと前記視標部材の前記視標マークとを検出するアライメント光学系とを有し、前記視標部材は、前記アライメント光学系が前記裏面基準マークに合焦している状態で前記アライメント光学系の焦点深度内に前記視標マークを有することを特徴とする。
請求項３の発明による露光装置は、二次元方向に移動可能な基板ステージと、前記基板ステージ上に配設され、裏面に裏面基準マークを有する露光基板を載置する基板載置部を有し、前記基板載置部に貫通孔を有する基板載置ユニットと、前記貫通孔に設けられる視標部材と、前記基板載置部に載置された前記露光基板の裏面基準マークを前記視標部材を介して照明すると共に視標マークの像を前記視標部材に投影する照明光学系と、前記照明光学系によって照明された前記裏面基準マークと前記視標部材に投影された前記視標マーク像とを検出するアライメント光学系とを有し、前記基板載置ユニットに内蔵されるアライメント検出系と、を備え、前記照明光学系は、前記アライメント光学系が前記裏面基準マークに合焦している状態で前記アライメント光学系の焦点深度内に、前記視標マークの像を投影することを特徴とする。 An exposure apparatus according to a first aspect of the present invention includes a substrate stage movable in a two-dimensional direction, and a substrate mounting portion for mounting an exposure substrate disposed on the substrate stage and having a back surface reference mark on the back surface. A substrate placement unit having a through hole in the substrate placement unit, a target member provided in the through hole and having a target mark, and an alignment detection system provided in the substrate placement unit , The alignment detection system includes an illumination optical system that illuminates a back surface reference mark of the exposure substrate placed on the substrate placement unit via the target member, and the back surface reference mark illuminated by the illumination optical system. And an alignment optical system that detects the target mark of the target member, and the target member is aligned with the alignment optical system in focus on the back surface reference mark. And having the target mark-focus depth of the academic system.
An exposure apparatus according to a third aspect of the present invention includes a substrate stage movable in a two-dimensional direction, and a substrate placement portion for placing an exposure substrate disposed on the substrate stage and having a back surface reference mark on the back surface. A substrate placement unit having a through hole in the substrate placement portion; a target member provided in the through hole; and a back surface reference mark of the exposure substrate placed in the substrate placement portion. And an illumination optical system that projects an image of a target mark on the target member, the back surface reference mark illuminated by the illumination optical system, and the target mark image projected on the target member And an alignment detection system built in the substrate mounting unit, and the illumination optical system has the alignment optical system focused on the back surface reference mark. In state before Within the depth of focus of the alignment optical system, characterized by projecting an image of the target mark.

本発明による露光装置では、簡単な構成で基板裏面からのアライメントを適切に行うことができる。 In the exposure apparatus according to the present invention, alignment from the back surface of the substrate can be appropriately performed with a simple configuration.

本発明の一実施の形態による基板載置ユニットを搭載した露光装置の概要を説明する図である。It is a figure explaining the outline | summary of the exposure apparatus carrying the board | substrate mounting unit by one embodiment of this invention. ベースライン計測の原理を説明する要部構成図である。It is a principal part block diagram explaining the principle of a baseline measurement. 基板載置ユニットを説明する図である。It is a figure explaining a substrate mounting unit. 裏面アライメント用顕微鏡の要部構成図である。It is a principal part block diagram of the microscope for back surface alignment. 変形例２による基板載置ユニットを説明する図である。It is a figure explaining the board | substrate mounting unit by the modification 2.

以下、図面を参照して本発明を実施するための形態について説明する。図１は、本発明の一実施の形態による基板載置ユニット３５０を搭載した露光装置の概要を説明する図である。図１において、紙面に垂直方向をＸ軸、右方向をＹ軸、上方向をＺ軸とする。露光装置は、露光光（照明光）を供給するための光源１１として、所定波長（たとえば波長４０５ｎｍ）のレーザ光源を備えている。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a view for explaining the outline of an exposure apparatus equipped with a substrate mounting unit 350 according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the direction perpendicular to the paper surface is the X axis, the right direction is the Y axis, and the upward direction is the Z axis. The exposure apparatus includes a laser light source having a predetermined wavelength (for example, a wavelength of 405 nm) as the light source 11 for supplying exposure light (illumination light).

光源１１から射出された略平行光束は、ビーム整形光学系１２を介して所定の光束に整形された後、干渉性低減部１３に入射する。干渉性低減部１３は、被照射面であるマスク１００上（ひいてはウェハ２００上）での干渉パターンの発生を低減させる。干渉性低減部１３の詳細については、たとえば特開昭５９−２２６３１７号公報に開示されている。 The substantially parallel light beam emitted from the light source 11 is shaped into a predetermined light beam via the beam shaping optical system 12 and then enters the coherence reduction unit 13. The coherence reducing unit 13 reduces the generation of an interference pattern on the mask 100 (and thus on the wafer 200) that is the surface to be irradiated. Details of the interference reduction unit 13 are disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-226317.

干渉性低減部１３からの光束は、第１フライアイレンズ１４を介して振動ミラー１５で偏向された後、リレー光学系１６を介して第２フライアイレンズ１７を重畳的に照明する。ここで、振動ミラー１５は、Ｘ軸周りに回動する折り曲げミラーであって、被照射面での干渉パターンの発生を低減させる。第２フライアイレンズ１７の後側焦点面には、多数の光源からなる二次光源が形成される。該二次光源からの光束は、その近傍に配置された開口絞り１８によって制限された後、コンデンサー光学系１９を介してマスク１００を重畳的に照明する。このような照明光学系を有することにより、光源１１による光束に照明むらが生じているとしても、被照射面（マスク１００、ウェハ２００）において照明むらを抑えた均一性の高い照明光が得られる。 The light beam from the coherence reducing unit 13 is deflected by the vibrating mirror 15 via the first fly-eye lens 14 and then illuminates the second fly-eye lens 17 via the relay optical system 16 in a superimposed manner. Here, the oscillating mirror 15 is a bending mirror that rotates around the X axis, and reduces the occurrence of interference patterns on the irradiated surface. On the rear focal plane of the second fly-eye lens 17, a secondary light source composed of a number of light sources is formed. The light beam from the secondary light source is limited by an aperture stop 18 disposed in the vicinity thereof, and then illuminates the mask 100 in a superimposed manner via a condenser optical system 19. By having such an illumination optical system, even if illumination unevenness occurs in the light flux from the light source 11, highly uniform illumination light with reduced illumination unevenness can be obtained on the irradiated surface (mask 100, wafer 200). .

マスク１００に形成されているパターンを透過した光束は、投影光学系５０を介して、感光性基板であるウェハ２００上にマスクパターンの像を形成する。マスク１００は、マスクホルダ（不図示）を介してマスクステージ１５０に載置されている。なお、マスクステージ１５０は、主制御系（不図示）からの指令に基づき、マスクステージ制御部（不図示）によって駆動制御される。このとき、マスクステージ１５０の移動は、マスク干渉計（不図示）とマスクステージ１５０に設けられた移動鏡（不図示）とにより計測される。 The light beam that has passed through the pattern formed on the mask 100 forms an image of the mask pattern on the wafer 200, which is a photosensitive substrate, via the projection optical system 50. The mask 100 is placed on the mask stage 150 via a mask holder (not shown). The mask stage 150 is driven and controlled by a mask stage controller (not shown) based on a command from a main control system (not shown). At this time, the movement of the mask stage 150 is measured by a mask interferometer (not shown) and a movable mirror (not shown) provided on the mask stage 150.

一方、ウェハ２００は、ウェハステージ３００上に位置する基板載置ユニット３５０の上面に真空チャックされている。本実施形態では、基板載置ユニット３５０がウェハホルダに相当する。基板載置ユニット３５０の詳細については後述する。ウェハステージ３００は、主制御系（不図示）からの指令に基づき、ウェハステージ制御部（不図示）によって駆動される。このとき、ウェハステージ３００の移動は、ウェハ干渉計３０１とウェハステージ３００に設けられた移動鏡３０２とにより計測する。なお、計測用の干渉計はＸ、Ｙ、Ｚ各軸に対して設けられている。ウェハステージ３００は、Ｘ方向の移動機能、Ｙ方向の移動機能、Ｚ方向の移動機能、Ｚ軸周り（角度θ）の回転機能、Ｘ軸周りのチルト機能、およびＹ軸周りのチルト機能を有し、ウェハ干渉計３０１とウェハステージ制御部とによりnmオーダで位置制御可能に構成されている。上記構成は、定盤４００上に設けられている。 On the other hand, the wafer 200 is vacuum chucked on the upper surface of the substrate mounting unit 350 located on the wafer stage 300. In this embodiment, the substrate mounting unit 350 corresponds to a wafer holder. Details of the substrate mounting unit 350 will be described later. Wafer stage 300 is driven by a wafer stage controller (not shown) based on a command from a main control system (not shown). At this time, the movement of the wafer stage 300 is measured by the wafer interferometer 301 and the movable mirror 302 provided on the wafer stage 300. A measurement interferometer is provided for each of the X, Y, and Z axes. Wafer stage 300 has a movement function in the X direction, a movement function in the Y direction, a movement function in the Z direction, a rotation function around the Z axis (angle θ), a tilt function around the X axis, and a tilt function around the Y axis. The wafer interferometer 301 and the wafer stage control unit are configured to be position-controllable in the nm order. The above configuration is provided on the surface plate 400.

露光装置には、ウェハ２００の表面上に形成されているアライメントマーク、または後述する裏面アライメント用の基準マークを検出するためのウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０を備える。顕微鏡ユニット４０は、視標マーク４１（図２）が形成されている視標板４２（図２）を有し、該視標板４２上に上記アライメントマーク（または裏面アライメント用の基準マーク）の光学像を結像する。結像レンズと撮像素子とを含む撮像装置４５は、上記アライメントマーク（または裏面アライメント用の基準マーク）の像とともに上記視標マーク４１を撮像する。撮像装置４５からの出力信号は、信号処理系（不図示）によって信号処理され、上記アライメントマーク（または裏面アライメント用の基準マーク）の位置情報が取得される。該アライメントマーク（または裏面アライメント用の基準マーク）の位置情報は、ベースライン計測（またはウェハ２００のＸＹ平面に沿ったアライメント）の際に必要である。 The exposure apparatus includes a wafer alignment microscope unit 40 for detecting an alignment mark formed on the front surface of the wafer 200 or a reference mark for back surface alignment described later. The microscope unit 40 has a target plate 42 (FIG. 2) on which a target mark 41 (FIG. 2) is formed, and the alignment mark (or a reference mark for back surface alignment) is placed on the target plate 42. An optical image is formed. An imaging device 45 including an imaging lens and an imaging element captures the target mark 41 together with an image of the alignment mark (or a reference mark for back surface alignment). An output signal from the imaging device 45 is signal-processed by a signal processing system (not shown), and position information of the alignment mark (or back surface alignment reference mark) is acquired. The position information of the alignment mark (or the reference mark for back surface alignment) is necessary for baseline measurement (or alignment along the XY plane of the wafer 200).

＜ベースライン計測＞
ベースライン計測について説明する。図２は、ベースライン計測の原理を説明する要部構成図である。上述した照明光学系を構成するコンデンサー光学系１９を介して均一照明されるマスク１００は、マスクステージ１５０に保持されている。ベースライン計測に際し、マスクステージ１５０は、マスク１００の中心１００Ｃが投影光学系５０の光軸Ａｘと合致するように位置決めされる。 <Baseline measurement>
Baseline measurement will be described. FIG. 2 is a main part configuration diagram for explaining the principle of baseline measurement. The mask 100 that is uniformly illuminated through the condenser optical system 19 constituting the illumination optical system described above is held on the mask stage 150. In the baseline measurement, the mask stage 150 is positioned so that the center 100C of the mask 100 coincides with the optical axis Ax of the projection optical system 50.

一方、ウェハ２００を保持するためのウェハステージ３００（図１）上の基板載置ユニット３５０には、ウェハ２００が載置される。なお、図２においてはウェハ２００の一部のみ図示されている。ウェハ２００の表面には、アライメントマーク、すなわち基準マーク２１１が形成されている。ウェハステージ３００は、基準マーク２１１が投影光学系５０の投影視野内の所定位置にくるように位置決めされる。この状態で、マスク１００の上方に設けられたＴＴＬ（through the lens）方式のマスクアライメント用顕微鏡ユニット１４０（図１において不図示）によって、マスク１００に形成されたアライメントマーク、すなわちマスクマーク１１１とウェハ２００の基準マーク２１１とが同じ視野に検出される。 On the other hand, the wafer 200 is placed on the substrate placement unit 350 on the wafer stage 300 (FIG. 1) for holding the wafer 200. In FIG. 2, only a part of the wafer 200 is shown. An alignment mark, that is, a reference mark 211 is formed on the surface of the wafer 200. The wafer stage 300 is positioned so that the reference mark 211 is at a predetermined position within the projection field of the projection optical system 50. In this state, an alignment mark formed on the mask 100, that is, the mask mark 111 and the wafer by a TTL (through the lens) type mask alignment microscope unit 140 (not shown in FIG. 1) provided above the mask 100. 200 reference marks 211 are detected in the same field of view.

マスクマーク１１１とマスク１００の中心１００Ｃとの距離Ｄｍは、設計上あらかじめ定まった値である。したがって、投影光学系５０の像面側（ウェハ２００側）におけるマスクマーク１１１の投影点と中心１００Ｃの投影点との距離Ｄｗは、次式（１）で表される。
Ｄｗ＝Ｄｍ／Ａ（１）
ただし、Ａはウェハ２００側からマスク１００側を見たときの投影光学系５０の倍率である。投影倍率が１／５倍の縮小投影光学系の場合は、Ａ＝５である。 The distance Dm between the mask mark 111 and the center 100C of the mask 100 is a predetermined value in design. Therefore, the distance Dw between the projection point of the mask mark 111 and the projection point of the center 100C on the image plane side (wafer 200 side) of the projection optical system 50 is expressed by the following equation (1).
Dw = Dm / A (1)
However, A is the magnification of the projection optical system 50 when the mask 100 side is viewed from the wafer 200 side. In the case of a reduction projection optical system with a projection magnification of 1/5, A = 5.

次に、ウェハステージ３００は、ウェハ２００の基準マーク２１１がウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０の視野内の所定位置にくるように位置決めされる。ウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０は、投影光学系５０に並置されている。顕微鏡ユニット４０の光軸Ａｘ４０は、投影像面（投影光学系５０の像面）側において投影光学系５０の光軸Ａｘと平行である。撮像装置４５は、ミラー４３によって折り曲げられた光束による像を撮像する。視標板４２は、基準マーク２１１を位置検出する際の基準となる視標マーク４１が形成されたガラス板である。顕微鏡ユニット４０は、基準マーク２１１の像を視標板４２に結像する。 Next, the wafer stage 300 is positioned so that the reference mark 211 of the wafer 200 comes to a predetermined position within the field of view of the microscope unit 40 for wafer alignment. The wafer alignment microscope unit 40 is juxtaposed to the projection optical system 50. The optical axis Ax40 of the microscope unit 40 is parallel to the optical axis Ax of the projection optical system 50 on the projection image plane (image plane of the projection optical system 50) side. The imaging device 45 captures an image of the light beam bent by the mirror 43. The visual target plate 42 is a glass plate on which the visual target mark 41 serving as a reference when detecting the position of the reference mark 211 is formed. The microscope unit 40 forms an image of the reference mark 211 on the target plate 42.

ベースライン量ＢＬは、図２に示すように、マスクアライメント用顕微鏡ユニット１４０を用いてマスクマーク１１１と基準マーク２１１とがアライメント（光学的位置合わせ）されたときのウェハステージ３００の位置Ｐ１と、ウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０を用いて視標マーク４１と基準マーク２１１とがアライメントされたときのウェハステージ３００の位置Ｐ２とを上記ウェハ干渉計３０１でそれぞれ計測し、次式（２）のように２つの位置の差（Ｐ１−Ｐ２）を計算することにより求められる。
ＢＬ＝Ｐ１−Ｐ２（２） As shown in FIG. 2, the baseline amount BL is a position P1 of the wafer stage 300 when the mask mark 111 and the reference mark 211 are aligned (optical alignment) using the mask alignment microscope unit 140, and The wafer interferometer 301 measures the position P2 of the wafer stage 300 when the target mark 41 and the reference mark 211 are aligned using the wafer alignment microscope unit 40, as shown in the following equation (2). It is calculated | required by calculating the difference (P1-P2) of two positions.
BL = P1-P2 (2)

以上説明したように求めたベースライン量ＢＬは、ウェハ２００の基準マーク２１１を顕微鏡ユニット４０を用いて位置検出し、該検出位置に基づいてウェハステージ３００を投影光学系５０の投影視野内の所定位置に位置決めする（すなわちウェハ２００をＸＹ平面に沿ってアライメントする）ときの基準量となるものである。つまり、ウェハステージ制御部（不図示）は、顕微鏡ユニット４０を用いて検出した位置と上記ベースライン量ＢＬとに基づいて演算した位置へウェハ２００を移動させる。 The baseline amount BL obtained as described above is obtained by detecting the position of the reference mark 211 of the wafer 200 using the microscope unit 40, and setting the wafer stage 300 within the projection field of the projection optical system 50 based on the detected position. This is a reference amount for positioning at the position (that is, aligning the wafer 200 along the XY plane). That is, the wafer stage controller (not shown) moves the wafer 200 to a position calculated based on the position detected using the microscope unit 40 and the baseline amount BL.

＜基板載置ユニット＞
ウェハ２００の裏面（図２において下側）に形成されている裏面基準マークを検出しながらウェハ２００の位置決めをする場合は、ウェハ２００の裏面についての基準量が必要となる。本実施形態では、ウェハ２００の裏面に形成された裏面基準マークを検出するために裏面アライメント用顕微鏡を備える。 <Substrate placement unit>
When positioning the wafer 200 while detecting the back surface reference mark formed on the back surface (lower side in FIG. 2) of the wafer 200, a reference amount for the back surface of the wafer 200 is required. In the present embodiment, a back surface alignment microscope is provided in order to detect a back surface reference mark formed on the back surface of the wafer 200.

図３は、本実施の形態による基板載置ユニット３５０を説明する図である。基板載置ユニット３５０は、ウェハステージ３００（図１）に対して着脱可能に構成される。図３において、ウェハ吸着部３６０は、不図示の真空吸着機構によってウェハを吸着させる部材である。このウェハ吸着部３６０上にウェハ２００（図１）が載置される。ウェハ吸着部３６０には３つの穴が設けられている。中央の穴３６１は、ウェハ２００を交換する場合にウェハ２００を押し上げるセンターアップ用の穴である。 FIG. 3 is a diagram for explaining the substrate mounting unit 350 according to the present embodiment. The substrate mounting unit 350 is configured to be detachable from the wafer stage 300 (FIG. 1). In FIG. 3, a wafer suction unit 360 is a member that sucks a wafer by a vacuum suction mechanism (not shown). The wafer 200 (FIG. 1) is placed on the wafer suction unit 360. The wafer suction portion 360 is provided with three holes. The center hole 361 is a center-up hole that pushes up the wafer 200 when the wafer 200 is replaced.

穴３６２は、ウェハ２００の裏面に形成される裏面基準マークを裏面アライメント用顕微鏡３７０で検出するための貫通孔である。穴３６３は、裏面アライメント用顕微鏡３７０と同様の裏面アライメント用顕微鏡３９０を用いて、ウェハ２００の裏面に形成される裏面基準マークを検出するための貫通孔である。穴３６２および穴３６３の直径は、たとえば６mmである。このため、裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）は、ウェハ吸着部３６０上に載置されたウェハ２００の裏面のうち、穴３６２（穴３６３）を介してそれぞれφ６mmの円内を検出する。なお、ウェハ２００をウェハ吸着部３６０上に載置する際、不図示のウェハローダの位置合わせ機構（たとえば位置合わせピン）に当接させることによってプリセットするので（プリセット精度はたとえば±０．１mm）、ウェハ２００の裏面に形成された裏面基準マークが上記貫通孔を介して裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）の視野内（たとえば０．５mm角）に位置する。 The hole 362 is a through hole for detecting the back surface reference mark formed on the back surface of the wafer 200 by the back surface alignment microscope 370. The hole 363 is a through-hole for detecting a back surface reference mark formed on the back surface of the wafer 200 using a back surface alignment microscope 390 similar to the back surface alignment microscope 370. The diameter of the hole 362 and the hole 363 is, for example, 6 mm. For this reason, the back surface alignment microscope 370 (390) detects the inside of a circle of φ6 mm through the hole 362 (hole 363) in the back surface of the wafer 200 placed on the wafer suction unit 360. In addition, when placing the wafer 200 on the wafer adsorption unit 360, the wafer 200 is preset by being brought into contact with an alignment mechanism (for example, an alignment pin) of a wafer loader (not illustrated) (preset accuracy is, for example, ± 0.1 mm). The back surface reference mark formed on the back surface of the wafer 200 is located within the field of view (for example, 0.5 mm square) of the back surface alignment microscope 370 (390) through the through hole.

図４は、裏面アライメント用顕微鏡３７０の要部構成図である。光源３７１は、たとえばＬＥＤによって構成され、照明光を供給する。光源３７１からの照明光は、不図示の照明開口絞りを介して制限された後、ミラー３７２で折り曲げられて照明リレーレンズ３７３に入射する。照明リレーレンズ３７３を介した光は、ハーフプリズム３７４を反射した後、対物レンズ３７５に入射する。対物レンズ３７５を介した光は、ミラー３７６で上方に折り曲げられ、視標板３７７を介してウェハ２００の裏側を照明する。 FIG. 4 is a main part configuration diagram of the rear surface alignment microscope 370. The light source 371 is composed of, for example, an LED and supplies illumination light. Illumination light from the light source 371 is limited via an illumination aperture stop (not shown), then bent by a mirror 372 and incident on an illumination relay lens 373. Light that passes through the illumination relay lens 373 is reflected by the half prism 374 and then enters the objective lens 375. The light passing through the objective lens 375 is bent upward by the mirror 376 and illuminates the back side of the wafer 200 via the target plate 377.

視標板３７７は、ウェハ吸着部３６０の貫通穴３６２内に設けられたガラス板であり、この視標板３７７には裏面視標マーク３７８が形成されている。裏面視標マーク３７８は、ウェハ２００の裏面に形成された裏面基準マーク２２１を位置検出する際の基準として使用される。ウェハ２００の裏面と視標板３７７との間隔は、たとえば２０μm〜５０μmであり、裏面基準マーク２２１にフォーカス調整した対物レンズ３７５の焦点深度内に視標板３７７（裏面視標マーク３７８）を含むように構成される。 The target plate 377 is a glass plate provided in the through hole 362 of the wafer suction unit 360, and a rear target mark 378 is formed on the target plate 377. The back target mark 378 is used as a reference when detecting the position of the back reference mark 221 formed on the back surface of the wafer 200. The distance between the back surface of the wafer 200 and the target plate 377 is, for example, 20 μm to 50 μm, and includes the target plate 377 (back target mark 378) within the depth of focus of the objective lens 375 that is focused on the rear surface reference mark 221. Configured as follows.

照明された裏面基準マーク２２１からの反射光は、ミラー３７６で反射され、対物レンズ３７５を介してハーフプリズム３７４に入射する。ハーフプリズム３７４を透過した光は、リレーレンズ３７９を介して撮像素子３８０に入射する。上述したように、対物レンズ３７５の焦点深度内に視標板３７７を含めているので、撮像素子３８０の撮像面には、裏面基準マーク２２１の像が視標板３７７に形成されている裏面視標マーク３７８の像とともに結ばれる。 The reflected light from the illuminated back surface reference mark 221 is reflected by the mirror 376 and enters the half prism 374 via the objective lens 375. The light transmitted through the half prism 374 enters the image sensor 380 through the relay lens 379. As described above, since the target plate 377 is included within the focal depth of the objective lens 375, the rear surface view in which the image of the rear surface reference mark 221 is formed on the target plate 377 on the imaging surface of the image sensor 380. It is tied together with the image of the mark mark 378.

撮像素子３８０からの出力信号は、信号処理系（不図示）によって信号処理され、上記裏面基準マーク２２１の位置情報が取得される。該裏面基準マーク２２１の位置情報は、裏面ベースライン計測（またはウェハ２００のＸＹ平面に沿った裏面アライメント）の際に必要である。 An output signal from the image sensor 380 is signal-processed by a signal processing system (not shown), and position information of the back surface reference mark 221 is acquired. The position information of the back surface reference mark 221 is necessary for back surface baseline measurement (or back surface alignment along the XY plane of the wafer 200).

＜裏面ベースライン計測＞
裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）を用いた裏面ベースライン計測について説明する。裏面ベースライン計測の開始時は、ウェハステージ３００上の基板載置ユニット３５０からウェハ２００を取り外しておく。これにより、図３に例示するように、ウェハ吸着部３６０の穴３６２を介して裏面アライメント用顕微鏡３７０の裏面視標マーク３７８が検出可能である。裏面アライメント用顕微鏡３９０の裏面視標マーク３９８についても、穴３６３を介して検出可能である。 <Backside baseline measurement>
The back surface baseline measurement using the back surface alignment microscope 370 (390) will be described. At the start of back surface baseline measurement, the wafer 200 is removed from the substrate mounting unit 350 on the wafer stage 300. As a result, as illustrated in FIG. 3, the back target mark 378 of the back surface alignment microscope 370 can be detected through the hole 362 of the wafer suction unit 360. The back target mark 398 of the back surface alignment microscope 390 can also be detected through the hole 363.

ウェハステージ３００は、裏面視標マーク３７８がウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０の視野内の所定位置にくるように位置決めされる。裏面ベースライン量ＢＬ２は、マスクアライメント用顕微鏡ユニット１４０を用いてマスクマーク１１１と裏面視標マーク３７８とがアライメント（光学的位置合わせ）されたときのウェハステージ３００の位置Ｐ３と、ウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０を用いて視標マーク４１と裏面視標マーク３７８とがアライメントされたときのウェハステージ３００の位置Ｐ４とを上記ウェハ干渉計３０１でそれぞれ計測し、次式（３）のように２つの位置の差（Ｐ３−Ｐ４）を計算することにより求められる。
ＢＬ２＝Ｐ３−Ｐ４（３） The wafer stage 300 is positioned so that the back target mark 378 is at a predetermined position in the field of view of the wafer alignment microscope unit 40. The back surface baseline amount BL2 is the position P3 of the wafer stage 300 when the mask mark 111 and the back surface target mark 378 are aligned (optical alignment) using the mask alignment microscope unit 140, and the wafer alignment microscope. The position P4 of the wafer stage 300 when the target mark 41 and the rear target mark 378 are aligned using the unit 40 is measured by the wafer interferometer 301, and two values are obtained as in the following equation (3). It is obtained by calculating the difference in position (P3-P4).
BL2 = P3-P4 (3)

裏面アライメント用顕微鏡３９０を用いた裏面ベースライン計測についても同様である。すなわち、ウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０を用いて上記視標マーク４１と裏面視標マーク３９８とがアライメントされたときのウェハステージ３００の位置をＰ４’とする。裏面ベースライン量ＢＬ２は、次式（４）のように２つの位置の差（Ｐ３−Ｐ４’）を計算することにより求められる。
ＢＬ２＝Ｐ３−Ｐ４’ （４） The same applies to the back surface baseline measurement using the back surface alignment microscope 390. That is, the position of the wafer stage 300 when the target mark 41 and the rear target mark 398 are aligned using the wafer alignment microscope unit 40 is defined as P4 ′. The back surface baseline amount BL2 is obtained by calculating the difference between two positions (P3−P4 ′) as in the following equation (4).
BL2 = P3-P4 ′ (4)

次に、基板載置ユニット３５０にウェハ２００を載置し、ウェハ吸着部３６０にウェハ２００を吸着させる。そして、不図示のウェハ吸着部微動機構を駆動し、裏面アライメント用顕微鏡３７０を用いて上記裏面視標マーク３７８とウェハ２００の裏面基準マーク２２１とをアライメントさせる。裏面アライメント用顕微鏡３９０を用いる場合は、上記裏面視標マーク３９８とウェハ２００の裏面基準マーク２２１とをアライメントさせる。 Next, the wafer 200 is mounted on the substrate mounting unit 350, and the wafer 200 is sucked by the wafer suction unit 360. Then, a wafer suction unit fine movement mechanism (not shown) is driven, and the back surface target mark 378 and the back surface reference mark 221 of the wafer 200 are aligned using the back surface alignment microscope 370. When the back surface alignment microscope 390 is used, the back surface mark 398 and the back surface reference mark 221 of the wafer 200 are aligned.

以上説明したように求めた裏面ベースライン量ＢＬ２は、ウェハ２００の裏面基準マーク２２１を裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）を用いて位置検出し、該検出位置に基づいてウェハステージ３００を投影光学系５０の投影視野内の所定位置に位置決めする（すなわちウェハ２００をＸＹ平面に沿ってアライメントする）ときの基準量となるものである。つまり、ウェハステージ制御部（不図示）は、裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）を用いて検出した位置と上記裏ベースライン量ＢＬ２とに基づいて演算した位置へウェハ２００を移動させる。 The back surface baseline amount BL2 obtained as described above is used to detect the position of the back surface reference mark 221 of the wafer 200 using the back surface alignment microscope 370 (390), and the wafer stage 300 is projected based on the detected position. This is a reference amount for positioning at a predetermined position within 50 projection fields (that is, aligning the wafer 200 along the XY plane). That is, the wafer stage controller (not shown) moves the wafer 200 to a position calculated based on the position detected using the back surface alignment microscope 370 (390) and the back baseline amount BL2.

裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）による撮像面の二次元座標をあらかじめ校正しておくと、該校正した座標と上述した裏面ベースライン量ＢＬ２とに基づいてウェハ２００の裏面基準マーク２２１の位置を演算することができる。この場合には、上述した吸着部微動機構によるアライメントを省略し、裏面視標マーク３７８（または３９８）とウェハ２００の裏面基準マーク２２１との位置ずれを見込んでウェハステージ３００を移動できるので、スループットの向上に有効である。 When the two-dimensional coordinates of the imaging surface by the back surface alignment microscope 370 (390) are calibrated in advance, the position of the back surface reference mark 221 on the wafer 200 is calculated based on the calibrated coordinates and the back surface baseline amount BL2 described above. can do. In this case, the above-described alignment by the suction unit fine movement mechanism is omitted, and the wafer stage 300 can be moved in consideration of the positional deviation between the back surface target mark 378 (or 398) and the back surface reference mark 221 of the wafer 200. It is effective in improving

なお、裏面ベースライン計測の際にウェハステージ３００をＺ軸周り（角度θ）に回転させて、裏面視標マーク３７８および裏面視標マーク３９８のＸ方向整列を行うとよい。 Note that the wafer stage 300 may be rotated about the Z-axis (angle θ) during the back surface baseline measurement to align the back surface target mark 378 and the back surface target mark 398 in the X direction.

以上説明した実施形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）露光装置は、二次元方向に移動可能なウェハステージ３００と、ウェハステージ３００上に配設され、貫通孔３６２，３６３を有するウェハ吸着部３６０上にウェハ２００を載置する基板載置ユニット３５０と、ウェハ吸着部３６０の貫通孔に設けられる裏面視標マーク３７８，３９８と、基板載置ユニット３５０に設けられる裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０とを備える。裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０とウェハ吸着部３６０とを相対移動させなくてよいので、簡単な構成でウェハ２００の裏面からアライメントを適切に行うことができる。 According to the embodiment described above, the following operational effects can be obtained.
(1) The exposure apparatus is a wafer stage 300 that can move in a two-dimensional direction, and a substrate placement that is placed on the wafer stage 300 and places the wafer 200 on a wafer suction portion 360 having through holes 362 and 363. It includes a unit 350, back surface target marks 378 and 398 provided in the through holes of the wafer suction unit 360, and back surface alignment microscopes 370 and 390 provided on the substrate mounting unit 350. Since it is not necessary to relatively move the back surface alignment microscopes 370 and 390 and the wafer suction unit 360, alignment can be appropriately performed from the back surface of the wafer 200 with a simple configuration.

（２）上記（１）の露光装置において、裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０は、ウェハ２００の露光面と反対側の面に形成されている裏面基準マーク２２１を貫通孔３６２，３６３を介して検出するので、ウェハ２００をウェハ吸着部３６０上に載置したままで裏面基準マーク２２１を検出できる。 (2) In the exposure apparatus of (1), the back surface alignment microscopes 370 and 390 detect the back surface reference mark 221 formed on the surface opposite to the exposure surface of the wafer 200 through the through holes 362 and 363. Therefore, the back surface reference mark 221 can be detected while the wafer 200 is placed on the wafer suction unit 360.

（３）上記（１）または（２）の露光装置において、裏面視標マーク３７８，３９８は、裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０が裏面基準マーク２２１に合焦している状態で裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０の焦点深度内に位置するので、裏面視標マーク３７８，３９８を検出する場合と、裏面基準マーク２２１を検出する場合とで裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０をフォーカス調節し直す必要がない。これは、スループットの向上に有効である。 (3) In the exposure apparatus of the above (1) or (2), the back surface target marks 378 and 398 are arranged such that the back surface alignment microscopes 370 and 390 are in focus on the back surface reference mark 221. , 390 within the depth of focus, it is not necessary to refocus the back alignment microscopes 370, 390 when detecting the back target marks 378, 398 and when detecting the back reference marks 221. This is effective for improving the throughput.

（４）上記露光装置において、基板載置ユニット３５０および裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０は、ウェハステージ３００に対して着脱可能に構成されているので、後から裏面アライメント用顕微鏡３７０、３９０を追加搭載する要求にも対処できる。 (4) In the above exposure apparatus, the substrate mounting unit 350 and the back surface alignment microscopes 370 and 390 are configured to be detachable from the wafer stage 300, so that the back surface alignment microscopes 370 and 390 are additionally mounted later. It is possible to deal with requests to make.

（変形例１）
上述した説明では、視標板３７７に裏面視標マーク３７８を形成する例を説明した。視標板３７７に裏面視標マーク３７８を形成する代わりに、視標板３７７上に裏面視標マークの像を投影するように構成してもよい。たとえば図４に例示するように、裏面視標マーク３８２を形成したガラス板３８１を配することにより、裏面視標マーク３８２の像を投影する。 (Modification 1)
In the above description, an example in which the back face target mark 378 is formed on the target plate 377 has been described. Instead of forming the back target mark 378 on the target plate 377, an image of the back target mark may be projected on the target plate 377. For example, as illustrated in FIG. 4, an image of the back target mark 382 is projected by arranging a glass plate 381 on which the back target mark 382 is formed.

（変形例２）
図５は、変形例２による基板載置ユニット３５０Ｂを説明する図である。基板載置ユニット３５０Ｂは、ウェハステージ３００（図１）に対して着脱可能に構成される。上述した基板載置ユニット３５０と比べて、裏面アライメント用顕微鏡３７０と裏面アライメント用顕微鏡３９０との間隔がマイクロメータ４２０および４３０によって調節可能に構成される点が異なる。 (Modification 2)
FIG. 5 is a diagram illustrating a substrate mounting unit 350B according to the second modification. The substrate mounting unit 350B is configured to be detachable from the wafer stage 300 (FIG. 1). Compared with the substrate mounting unit 350 described above, the difference between the back surface alignment microscope 370 and the back surface alignment microscope 390 is that the micrometers 420 and 430 can be adjusted.

図５において、ウェハ吸着部３６０は、不図示の真空吸着機構によってウェハを吸着させる部材である。中央の穴３６１は、ウェハ２００を交換する場合にウェハ２００を押し上げるセンターアップ用の穴である。 In FIG. 5, a wafer suction unit 360 is a member that sucks a wafer by a vacuum suction mechanism (not shown). The center hole 361 is a center-up hole that pushes up the wafer 200 when the wafer 200 is replaced.

穴３６２Ｂは、ウェハ２００の裏面に形成される裏面基準マークを裏面アライメント用顕微鏡３７０で検出するための貫通孔である。マイクロメータ４２０による裏面アライメント用顕微鏡３７０の移動範囲に合わせて長穴とする。穴３６３Ｂは、裏面アライメント用顕微鏡３７０と同様の裏面アライメント用顕微鏡３９０を用いて、ウェハ２００の裏面に形成される裏面基準マークを検出するための貫通孔である。マイクロメータ４３０による裏面アライメント用顕微鏡３９０の移動範囲に合わせて長穴とする。 The hole 362 </ b> B is a through hole for detecting the back surface reference mark formed on the back surface of the wafer 200 with the back surface alignment microscope 370. A long hole is formed in accordance with the movement range of the back surface alignment microscope 370 by the micrometer 420. The hole 363 </ b> B is a through hole for detecting a back surface reference mark formed on the back surface of the wafer 200 using a back surface alignment microscope 390 similar to the back surface alignment microscope 370. A long hole is formed in accordance with the movement range of the back surface alignment microscope 390 by the micrometer 430.

裏面アライメント用顕微鏡３７０および裏面アライメント用顕微鏡３９０は、それぞれガイドレール４００に沿って移動する。裏面アライメント用顕微鏡３７０および裏面アライメント用顕微鏡３９０は、マイクロメータ４２０および４３０によって位置調整された後、不図示の真空吸着機構を有する真空吸着部４１０によって基板載置ユニット３５０Ｂに固定される。 The back surface alignment microscope 370 and the back surface alignment microscope 390 move along the guide rail 400, respectively. The position of the back surface alignment microscope 370 and the back surface alignment microscope 390 is adjusted by the micrometers 420 and 430, and then fixed to the substrate mounting unit 350B by a vacuum suction unit 410 having a vacuum suction mechanism (not shown).

変形例２によれば、ウェハの裏面に形成される裏面基準マークのピッチが異なるウェハを使用する場合にも対応できるので、実デバイス設計の自由度を高めることができる。 According to the second modification, it is possible to cope with the case where a wafer having a different back surface reference mark pitch formed on the back surface of the wafer is used, and thus the degree of freedom in designing an actual device can be increased.

（変形例３）
上述した基板載置ユニット３５０を用いて露光装置の定期検査を行うこともできる。検査用のガラスウェハとして、あらかじめ裏面に裏面基準マークを形成した厚さ約１mmのガラスウェハを用意する。該ガラスウェハの表面には、レジストの付着性を高めるために上記裏面基準マークが観察できる程度の範囲（窓と呼ぶ）を残してクロム蒸着を施しておく。 (Modification 3)
Periodic inspection of the exposure apparatus can also be performed using the substrate mounting unit 350 described above. As a glass wafer for inspection, a glass wafer having a thickness of about 1 mm having a back surface reference mark formed on the back surface in advance is prepared. In order to enhance the adhesion of the resist, chromium deposition is performed on the surface of the glass wafer leaving a range (referred to as a window) in which the back surface reference mark can be observed.

表面アライメントの精度管理用レチクル（マスク）をマスクステージ１５０に載置した上で、基板載置ユニット３５０上に上記ガラスウェハを載置し、ウェハ吸着部３６０によって該ガラスウェハを吸着させる。ウェハステージ制御部（不図示）は、顕微鏡ユニット４０を用いて検出した位置と上記ベースライン量ＢＬとに基づいて演算した位置へウェハ２００を移動して表面アライメントを行う。この表面アライメントを行うとき、顕微鏡ユニット４０は、ガラスウェハの表面から上記「窓」を通して裏面基準マークを検出する。該表面アライメント後、ガラスウェハを一次露光する。ガラスウェハを基板載置ユニット３５０から取り外して現像処理を施すと、該ガラスウェハには上記表面アライメントの精度管理用レチクルによる第１パターンが形成されている。 After placing a reticle (mask) for surface alignment accuracy control on the mask stage 150, the glass wafer is placed on the substrate placement unit 350, and the glass wafer is adsorbed by the wafer adsorption unit 360. A wafer stage controller (not shown) moves the wafer 200 to a position calculated based on the position detected using the microscope unit 40 and the baseline amount BL, and performs surface alignment. When performing this surface alignment, the microscope unit 40 detects the back surface reference mark from the surface of the glass wafer through the “window”. After the surface alignment, the glass wafer is subjected to primary exposure. When the glass wafer is removed from the substrate mounting unit 350 and development processing is performed, a first pattern is formed on the glass wafer by the above-described reticle for quality control of surface alignment.

裏面アライメントの精度管理用レチクル（マスク）をマスクをマスクステージ１５０に載置した上で、基板載置ユニット３５０上に現像後のガラスウェハを再度載置し、ウェハ吸着部３６０によって該ガラスウェハを吸着させる。ウェハステージ制御部（不図示）は、裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）を用いて検出した位置と上記裏面ベースライン量ＢＬ２とに基づいて演算した位置へウェハ２００を移動して裏面アライメントを行う。この裏面アライメントを行うとき、裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）は、裏面基準マークをガラスウェハの裏面から検出する。該裏面アライメント後、ガラスウェハを二次露光する。ガラスウェハを基板載置ユニット３５０から取り外して現像処理を施すと、該ガラスウェハには上記裏面アライメントの精度管理用レチクルによる第２パターンが形成されている。 After placing a reticle (mask) for accuracy control of backside alignment on the mask stage 150, the developed glass wafer is placed again on the substrate placement unit 350, and the glass wafer is placed by the wafer suction unit 360. Adsorb. A wafer stage controller (not shown) moves the wafer 200 to a position calculated based on the position detected using the back surface alignment microscope 370 (390) and the back surface baseline amount BL2, and performs back surface alignment. When performing this back surface alignment, the back surface alignment microscope 370 (390) detects the back surface reference mark from the back surface of the glass wafer. After the back surface alignment, the glass wafer is subjected to secondary exposure. When the glass wafer is removed from the substrate mounting unit 350 and development processing is performed, a second pattern is formed on the glass wafer by the above-described reticle for accuracy control of the back surface alignment.

上記第１パターンは、実デバイス製造における表面パターンに相当し、上記第２パターンは、実デバイス製造における裏面パターンに相当する。変形例３によれば、上述したようにガラスウェハの片面（表面）のみに形成したレジスト像に基づいて、実デバイス製造における表裏パターンの位置ずれ量を評価できる。 The first pattern corresponds to a front surface pattern in actual device manufacturing, and the second pattern corresponds to a back surface pattern in actual device manufacturing. According to the modified example 3, as described above, based on the resist image formed only on one side (front surface) of the glass wafer, the amount of positional deviation of the front and back patterns in actual device manufacture can be evaluated.

以上の説明はあくまで一例であり、上記の実施形態の構成に何ら限定されるものではない。 The above description is merely an example, and is not limited to the configuration of the above embodiment.

１９…コンデンサー光学系
４０…ウェハアライメント用顕微鏡ユニット
５０…投影光学系
１００…マスク
１１１…マスクマーク
１４０…マスクアライメント用顕微鏡ユニット
１５０…マスクステージ
２００…ウェハ
２１１…基準マーク
２２１…裏面基準マーク
３００…ウェハステージ
３５０…基板載置ユニット
３６０…ウェハ吸着部
３７０、３９０…裏面アライメント用顕微鏡
３７７…視標板
３７８、３９８…裏面視標マーク DESCRIPTION OF SYMBOLS 19 ... Condenser optical system 40 ... Wafer alignment microscope unit 50 ... Projection optical system 100 ... Mask 111 ... Mask mark 140 ... Mask alignment microscope unit 150 ... Mask stage 200 ... Wafer 211 ... Reference mark 221 ... Back surface reference mark 300 ... Wafer Stage 350 ... Substrate placing unit 360 ... Wafer suction part 370, 390 ... Back surface alignment microscope 377 ... Target plate 378, 398 ... Back surface target mark

Claims

A substrate stage movable in two dimensions,
A substrate placement unit that is disposed on the substrate stage and has a substrate placement portion for placing an exposure substrate having a back surface reference mark on the back surface; and a substrate placement unit having a through hole in the substrate placement portion ;
A target member provided in the through hole and having a target mark;
An alignment detection system provided in the substrate mounting unit ,
The alignment detection system includes an illumination optical system that illuminates a back surface reference mark of the exposure substrate placed on the substrate placement unit via the target member, and the back surface reference mark illuminated by the illumination optical system. And an alignment optical system for detecting the target mark of the target member,
The exposure apparatus , wherein the target member has the target mark within a depth of focus of the alignment optical system in a state where the alignment optical system is focused on the back surface reference mark .

The exposure apparatus according to claim 1,
The exposure apparatus , wherein the target member includes a transparent plate attached to the through hole and the target mark formed on the transparent plate .

A substrate stage movable in two dimensions,
A substrate placement unit that is disposed on the substrate stage and has a substrate placement portion for placing an exposure substrate having a back surface reference mark on the back surface; and a substrate placement unit having a through hole in the substrate placement portion;
A target member provided in the through hole;
An illumination optical system that illuminates a back surface reference mark of the exposure substrate placed on the substrate placement portion through the target member and projects an image of the target mark onto the target member; and the illumination optical system An alignment optical system for detecting the back surface reference mark illuminated by the target mark image and the target mark image projected on the target member, and an alignment detection system built in the substrate mounting unit. ,
The exposure optical system projects an image of the target mark within the depth of focus of the alignment optical system in a state where the alignment optical system is focused on the back surface reference mark .

In the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The substrate mounting unit, the exposure apparatus characterized by being configured to be detachable with respect to the substrate stage.