JP5650662B2 - Jak阻害剤および関連中間化合物の製造方法 - Google Patents
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Description
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
R2は、−C(=O)−NH2、−C(=O)O−R3およびシアノから選択され;
R3は、C1−4アルキルまたはC1−4フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
R2は、−C(=O)−NH2、−C(=O)O−R3およびシアノから選択され;
R3は、C1−4アルキルまたはC1−4フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
R2は、−C(=O)O−R3であり;そして
P1は、保護基である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
(式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
X1は、ハロゲンである。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基であり;
X1は、ハロゲンである。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
X1はハロであり;
RcおよびRdは、各々独立して、HおよびC1−6アルキルから選択されるか;あるいは
RcおよびRdは、それらが結合される酸素原子ならびに酸素原子が結合されるホウ素原子と一緒になって、5〜6員複素環式環を形成して、複素環式環は、任意に1、2、3または4つのC1−4アルキル基で任意に置換される。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
X2は、トシラート基、トリフラート基、ヨード、クロロまたはブロモであり;
P1は、保護基であり;
RcおよびRdは、各々独立して、HおよびC1−6アルキルから選択されるか;あるいは
RcおよびRdは、それらが結合される酸素原子ならびに酸素原子が結合されるホウ素原子と一緒になって、5〜6員複素環式環を形成して、複素環式環は、任意に1、2、3または4つのC1−4アルキル基で任意に置換される。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
RcおよびRdは、各々独立して、C1−6アルキルであるか;あるいは
RcおよびRdは、それらが結合される酸素原子ならびに酸素原子が結合されるホウ素原子と一緒になって、5〜6員複素環式環を形成して、複素環式環は、任意に1、2、3または4つのC1−4アルキル基で任意に置換される。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
RcおよびRdは、各々独立して、C1−6アルキルであ;あるいは
RcおよびRdは、それらが結合される酸素原子ならびに酸素原子が結合されるホウ素原子と一緒になって、5〜6員複素環式環を形成して、複素環式環は、任意に1、2、3または4つのC1−4アルキル基で任意に置換される。
(a)式Iaの化合物の(R)−または(S)−エナンチオマーが、エナンチオマー過剰となって含まれる組成物を、式D−1:
(b)第二の塩基の存在下で、式IVの化合物を式D−1の化合物と反応させること
を包含する方法を提供し、
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
P1は、保護基であり;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択される第二の塩基。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
P1は、保護基であり;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択される。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
(a)式Iaの化合物のラセミ体を含む組成物を、溶媒の存在下で、キラル酸と反応させて、式Iaの化合物の塩を形成すること;
(b)式Iaの化合物(R)−または(S)−エナンチオマーのキラル塩が、エナンチオマー過剰となって含まれる組成物を分離すること;および
(c)前記キラル塩を塩基で処理して、式Iaの化合物の(R)−または(S)−エナンチオマーが、エナンチオマー過剰となって含まれる組成物を形成すること
を包含する方法を提供し、
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
X2は、トシラート基、トリフラート基、ヨード、クロロまたはブロモであり;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
RcおよびRdは、各々独立して、HまたはC1−6アルキルであるか;あるいは
RcおよびRdは、それらが結合される酸素原子ならびに酸素原子が結合されるホウ素原子と一緒になって、5〜6員複素環式環を形成して、複素環式環は、任意に1、2、3または4つのC1−4アルキル基で任意に置換され;
P1およびP2は、各々独立して、保護基である。
(a)式XVIII:
(b)任意に、ステップ(a)の生成物を再保護して、式XVIの化合物を生成すること
を包含する方法を提供し、
ここで式中、P3は、保護基であり;
X3は、ハロゲンであり;
R4は、C1−6アルキルであり;
mは、1および2から選択される整数である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
R2は、−C(=O)−NH2、−C(=O)O−R3、−C(=O)OHおよび−C(=O)Hから選択され;
R3は、C1−4アルキルまたはC1−4フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
ここで式中、
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
R2は、−C(=O)−NH2および−C(=O)O−R3から選択され;
R3は、C1−4アルキルまたはC1−4フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
本発明は、とりわけ、JAK阻害剤として有用である式IIIのニトリル化合物およびその中間体の合成工程を提供する。一態様では、当該工程は水素化法である。いくつかの実施形態では、当該工程は、不斉水素化法であって、これは、JAK阻害剤またはその中間体の(R)−または(S)−エナンチオマーのエナンチオマー過剰を生じる。別の態様では、当該工程は不斉アザ−マイケル付加法であって、これは、JAK阻害剤またはその中間体の(R)−または(S)−エナンチオマーのエナンチオマー過剰を生じる:
式IIIの化合物は、式IIの化合物を触媒的水素化して式Iの化合物を生成し、これが次に、官能基変換および/または脱保護ステップを介して式IIIの化合物に変換され得ることにより生成され得る。いくつかの実施形態では、当該工程は式Iの化合物をラセミ化合物として生成するが、一方、より好ましい実施形態では、当該工程は、エナンチオマー過剰の式Iの化合物の(S)−または(R)−エナンチオマーを生じる。当該工程の一ステップは、以下に示すように式IIのα,β−不飽和化合物の水素化を伴う。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
R2は、−C(=O)−NH2、−C(=O)O−R3およびシアノから選択され;
R3は、C1−4アルキルまたはC1−4フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
(i)L2を有するルテニウムまたはロジウム触媒の存在下で、式IIの化合物を水素ガスと反応させること;そしてその結果生じた組成物を分析して、(R)−または(S)−エナンチオマーが過剰量で存在するか否かを確定すること(ここで、L2はキラルリガンドである);
(ii)L3を有するルテニウムまたはロジウム触媒の存在下で、式IIの化合物を水素ガスと反応させること;そしてその結果生じた組成物を分析して、(R)−または(S)−エナンチオマーが過剰量で存在するか否かを確定すること(ここで、L3は反対立体化学を有するL2と同一のキラルリガンドである);ならびに
(iii)組成物のエナンチオマー過剰に関する所望の立体化学に基づいてL1として用いるためにL2またはL3を選択すること。
水素化触媒は、[Rh(COD)2]CF3SO3と、以下のものから選択されるキラルホスフィンリガンドの混合物であり:
水素化触媒負荷は、約0.005〜約0.01モル%であり;
式IIの化合の水素化触媒に対する比は、約20000/1〜約10000/1であり;
水素圧は、約7〜約60 barであり;
反応は、ほぼ室温〜約75℃の温度で実行され;
反応は、式IIの化合物が式Iの化合物への変換が約99.5%以上になるまで、実行され;
反応は約10〜約25時間であり;そして
エナンチオマー過剰率は、約94%以上である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
本発明は、さらに、式Iのアミドを式Iのニトリル化合物に変換する工程を提供する。式Iのアミドを変換する方法は、アミドを脱水してニトリルを生成することを伴う。次に、保護基を除去することができ、その結果生じるアミンがプロトン化されて、製薬上許容可能な塩を生じることができる。したがって、いくつかの実施形態では、本発明は、脱水条件下で、式I:
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
R2は、−C(=O)−NH2から選択され;
P1は、保護基である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
本発明はさらに、式Iのエステルを、式Iのニトリル化合物に変換する工程を提供する。式Iのエステルを変換する工程は、酸を生成するためのエステルの鹸化、選択的加アンモニア分解、ならびにアミドの脱水を伴う。次に、保護基を除去することができ、その結果生じるアミンがプロトン化されて、製薬上許容可能な塩を生成し得る。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
R2は、−C(=O)OR3であり;
R3は、C1−4アルキルから選択され;そして
P1は、保護基である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;そして
P1は、保護基である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
不斉水素化工程(上記)に用いられる式IIの化合物は、スキーム1に示したように製造され得、ここでP1およびP2は、各々独立して、保護基であり、R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され、R2は、シアノまたはアルキルエステルである。式IVの化合物を調製するための経路を、以下に記載する。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
R2は、−C(=O)OR3およびシアノであり;
R3は、C1−4アルキルまたはC1−4フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
ここで式中、R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
R2は、−C(=O)−NH2および−C(=O)O−R3から選択され;
R3は、C1−4アルキルまたはC1−4フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
ここで式中、R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
別の態様において、本発明は、とりわけ、エナンチオマー過剰の式Id:
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
X1は、ハロゲンである。
ここで式中、XはCY3Y4であり、YはCY5Y6であるか;または
XはSまたはNY7であり、YはCY5Y6であるか;または
XはCY3Y4であり、YはSであって;
Q1およびQ2は、各々独立して、H、C1−6アルキル、C1−6ハロアルキル、カルボキシ、C1−6アルキルカルボキサミド、C1−6アルコキシカルボニルおよびフェニルから選択されここで、C1−6アルキル、C1−6ハロアルキル、C1−6アルキルカルボキサミド、C1−6アルコキシカルボニルおよびフェニルは、各々、ヒドロキシル、カルボキシ、トリ−C1−6アルキルシリル、トリ−C1−6アルキルシリルオキシ、C6−10アリール、C6−10アリールアミノ、C1−9へテロアリールおよびC1−9へテロアリールアミノから独立して選択される1、2または3個の基により任意に置換され;C6−10アリール、C6−10アリールアミノ、C1−9へテロアリールおよびC1−9へテロアリールアミノは、各々、ハロゲン、C1−6アルキルおよびC1−6ハロアルキルから独立して選択される1、2、3または4個の基により任意に置換され;
Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6は、各々独立して、H、ヒドロキシル、カルボキシ、C1−6アルキル、C1−6ハロアルキル、C1−6アルコキシカルボニルおよびフェニルから選択されるか;または
Y1およびY2は一緒になって、オキソを形成するか;または
Y3およびY4は一緒になって、オキソを形成するか;または
Y5およびY6は一緒になって、オキソを形成するか;または
Y1およびY2は、それらが結合される炭素と一緒になって、5または6員シクロアルキル環を形成するか;あるいは
Q1およびY5は、それらが結合される炭素原子と一緒になって、5または6員シクロアルキル環を形成する。
XはCY3Y4であり、YはCY5Y6であるか;または
XはSまたはNY7であり、YはCY5Y6であるか;または
XはCY3Y4であり、YはSであって;
Q1は、Hまたはメチルであり;
Q2は、H、メチル、イソプロピル、ブチル、カルボキシ、C1−5アルキルアミノカルボニル、メトキシカルボニルおよびフェニルから選択され、ここで、メチルおよびC1−5アルキルアミノカルボニルは、各々、ヒドロキシル、カルボキシ、トリ−C1−6アルキルシリル、トリ−C1−4アルキルシリルオキシ、フェニル、フェニルアミノおよびインドール−3−イルから独立して選択される1、2または3個の基により任意に置換され;フェニルおよびインドール−3−イルは、各々、メチルおよびトリフルオロメチルから独立して選択される1または2個の基により任意に置換され;
Y1は、H、ヒドロキシル、カルボキシ、メチルおよびメトキシカルボニルであり;
Y2は、Hまたはメチルであり;
Y3、Y4、Y5およびY6は、各々独立して、H、ヒドロキシル、メチルおよびフェニルから選択され;
Y7は、Hまたはメチルであるか;あるいは
Y1およびY2は一緒になって、オキソを形成するか;または
Y3およびY4は一緒になって、オキソを形成するか;または
Y5およびY6は一緒になって、オキソを形成するか;または
Y1およびY2は、それらが結合される炭素と一緒になって、6員シクロアルキル環を形成するか;あるいは
Q1およびY5は、それらが結合される炭素原子と一緒になって、6員シクロアルキル環を形成する。
ここで式中、*は、(R)−または(S)−立体配置を有するキラル炭素であり;
Ar1およびAr2は、各々独立して、C6−10アリールであって、これは、C1−6アルキルおよびC1−6ハロアルキルから独立して選択される1、2、3または4個の基により任意に置換され;
Raは、各々独立して、C1−6アルキルから選択され;
Rbは、H、C1−6アルキルおよびC1−6ハロアルキルから選択される。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
R2は、−C(=O)−NH2、−C(=O)O−R3、−C(=O)OHおよび−C(=O)Hから選択され;
R3は、C1−4アルキルまたはC1−4フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
RcおよびRdは、各々独立して、C1−6アルキルであるか;あるいは
RcおよびRdは、それらが結合される酸素原子ならびに酸素原子が結合されるホウ素原子と一緒になって、5〜6員複素環式環を形成して、複素環式環は、任意に1、2、3または4つのC1−4アルキル基で任意に置換される。
別の態様において、本発明は、式Idの化合物からニトリル化合物を調製するための工程を提供する。したがって、いくつかの実施形態では、本発明は、式Id:
式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
X1は、ハロゲンである。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
RcおよびRdは、各々独立して、HおよびC1−6アルキルから選択されるか;あるいは
RcおよびRdは、それらが結合される酸素原子ならびに酸素原子が結合されるホウ素原子と一緒になって、5〜6員複素環式環を形成して、複素環式環は、任意に1、2、3または4つのC1−4アルキル基で任意に置換される。
式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
RcおよびRdは、各々独立して、HおよびC1−6アルキルから選択されるか;あるいは
RcおよびRdは、それらが結合される酸素原子ならびに酸素原子が結合されるホウ素原子と一緒になって、5〜6員複素環式環を形成して、複素環式環は、任意に1、2、3または4つのC1−4アルキル基で任意に置換され;
X2は、トシラート基、トリフラート基、ヨード、クロロまたはブロモであり;
P1は、保護基である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
RcおよびRdは、各々独立して、HおよびC1−6アルキルから選択されるか;あるいは
RcおよびRdは、それらが結合される酸素原子ならびに酸素原子が結合されるホウ素原子と一緒になって、5〜6員複素環式環を形成して、複素環式環は、任意に1、2、3または4つのC1−4アルキル基で任意に置換され;
X2は、トシラート基、トリフラート基、ヨード、クロロまたはブロモである。
式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;そして
P1は、保護基である。
式IVの化合物は、下記のものと類似の方法により生成され得る。次いで、スキーム4に示されるように、式Vの3置換アクリルアルデヒドが調製され得る。したがって、典型的ウィッティヒ条件下での式C−4のアルデヒドの処置(例えば、(トリフェニルホスホルアニリデン)アセトアルデヒドとの反応)は、式Vの対応する化合物を提供する。
式IIIのキラル化合物は、式IXの保護化ピラゾールホウ酸塩誘導体のラセミ化合物のキラルカラム分離(例えば、キラル分取クロマトグラフィー)により、そしてその後のIXのキラル中間体と式XIの非保護化ピロロ[2,3−d]ピリミジンとの鈴木カップリング反応により、製造され得る(スキーム5)。代替的には、式(S)−IXまたは(R)−IXのキラル中間体を、鈴木カップリング条件下で、式Xの保護化ピロロ[2,3−d]ピリミジンと反応させて、その後、P1保護基を除去するように脱保護し、式IIIのキラル化合物を生じ得る(スキーム5)。式IXのラセミ置換ピラゾールホウ酸塩誘導体は、式XVのピラゾールホウ酸誘導体と式D−1のマイケル受容体との間のマイケル付加反応により製造され得る(スキーム5)。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
RcおよびRdは、各々独立して、C1−6アルキルであるか;あるいは
RcおよびRdは、それらが結合される酸素原子ならびに酸素原子が結合されるホウ素原子と一緒になって、5〜6員複素環式環を形成して、複素環式環は、任意に1、2、3または4つのC1−4アルキル基で任意に置換される。いくつかの実施形態では、クロマトグラフィーは、アイソクラティックまたは勾配モードでキラル固定相および移動相を用いて、バッチまたは連続方式で実行される。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
RcおよびRdは、各々独立して、C1−6アルキルであるか;あるいは
RcおよびRdは、それらが結合される酸素原子ならびに酸素原子が結合されるホウ素原子と一緒になって、5〜6員複素環式環を形成して、複素環式環は、任意に1、2、3または4つのC1−4アルキル基で任意に置換され;
X2は、トシラート基、トリフラート基、ヨード、クロロまたはブロモである。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
RcおよびRdは、各々独立して、C1−6アルキルであるか;あるいは
RcおよびRdは、それらが結合される酸素原子ならびに酸素原子が結合されるホウ素原子と一緒になって、5〜6員複素環式環を形成して、複素環式環は、任意に1、2、3または4つのC1−4アルキル基で任意に置換され;
X2は、トシラート基、トリフラート基、ヨード、クロロまたはブロモであり;
P1は、保護基である。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
RcおよびRdは、各々独立して、C1−6アルキルであるか;あるいは
RcおよびRdは、それらが結合される酸素原子ならびに酸素原子が結合されるホウ素原子と一緒になって、5〜6員複素環式環を形成して、複素環式環は、任意に1、2、3または4つのC1−4アルキル基で任意に置換される。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;そして
P1は、保護基である。
式Iaのラセミ化合物は、以下のスキーム6におけるマイケル付加工程により生成され得る。したがって、式IVの化合物は、式D−1のアクリロニトリルと反応して、式Iaのラセミ化合物を生成し得る。次に、式Iaのラセミ化合物はキラルカラムクロマトグラフィーにより分離されて、式Iaの化合物の(R)−または(S)−エナンチオマーが、エナンチオマー過剰となって含まれる組成物を生じ得る。次いで、保護基が除去されて、エナンチオマー過剰の式IIIの化合物の(R)−または(S)−エナンチオマーを生じる。
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
(a)式Iaの化合物のラセミ体を含む組成物を、溶媒の存在下で、キラル酸と反応させて、式Iaの化合物の塩を形成すること;
(b)式Iaの化合物(R)−または(S)−エナンチオマーのキラル塩が、エナンチオマー過剰となって含まれる組成物を分離すること;および
(c)前記キラル塩を塩基で処理して、式Iaの化合物の(R)−または(S)−エナンチオマーが、エナンチオマー過剰となって含まれる組成物を形成すること
を包含する方法を提供し、
式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である。
(a)式Iaの化合物の(R)−または(S)−エナンチオマーが、エナンチオマー過剰となって含まれる組成物を、式D−1:
(b)第二の塩基の存在下で、式IVの化合物を式D−1の化合物と反応させること
を包含する方法を提供し、
ここで式中、*は、キラル炭素を示し;
P1は、保護基であり;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択される第二の塩基。
式中、*は、キラル炭素を示し;
P1は、保護基であり;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択される。
式中、*は、キラル炭素を示し;
P1は、保護基であり;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択される。
ここで式中、R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択される。
i)式IVの中間化合物への高収率経路
式IVの化合物は、上記の式IIIの化合物のための種々の合成経路における重要な中間体である。これらの化合物は、一般的に、鈴木カップリング工程により生成される。パラジウム触媒を用いる式Xの保護化7H−ピロロ[2,3−d]ピリミジン誘導体と式XVの非保護化ピラゾールホウ酸誘導体との鈴木カップリングは、低収率を生じる(スキーム10)。何れの特定の理論にも縛られずに考えると、低収率は、鈴木カップリング反応における非保護化アミン官能基の妨害に起因すると考えられる。
ここで式中、X2は、トシラート基、トリフラート基、ヨード、クロロまたはブロモであり;
P1およびP2は、各々独立して、保護基であり;
RcおよびRdは、各々独立して、HまたはC1−6アルキルであるか;あるいは
RcおよびRdは、それらが結合される酸素原子ならびにホウ素原子と一緒になって、5〜6員複素環式環を形成して、複素環式環は、任意に1、2、3または4つのC1−4アルキル基で任意に置換される。
ここで式中、P1およびP2は、各々独立して、保護基であり;
RcおよびRdは、各々独立して、HまたはC1−6アルキルであるか;あるいは
RcおよびRdは、それらが結合される酸素原子ならびにホウ素原子と一緒になって、5〜6員複素環式環を形成して、複素環式環は、任意に1、2、3または4つのC1−4アルキル基で任意に置換される。
ここで式中、X2は、トシラート基、トリフラート基、ヨード、クロロまたはブロモであり;
P1は、保護基である。
本発明はさらに、本明細書中に記載される工程において有用である式XVIのピラゾールピナコールボレートの製造方法を提供する。式XIの化合物の特定のサブセットは、式XIIIaの4−置換ピラゾールボレート誘導体であり、これは、上記の式XIIIの化合物の代わりにされ得る。
(a)式XVIII:
(b)任意に、ステップ(a)の生成物を再保護して、式XVIの化合物を生成すること
を包含する工程を提供し、
ここで式中、P3は、保護基であり;
X3は、ハロゲンであり;
R4は、C1−6アルキルであり;そして
mは、1および2から選択される整数である。
ここで式中、P3は、保護基であり;
X3は、ハロゲンであり;
mは、1および2から選択される整数である。
ここで式中、X3はハロゲンであり;
mは、1および2から選択される整数である。
式XIの化合物は、本明細書中に記載される合成工程のうちのいくつかにおいて有用な中間体である。いくつかの実施形態では、本発明は、式XIの化合物である4−クロロ−7H−ピロロ[2,3−d]ピリミジン(XIa)を調製するための工程を提供する(スキーム15)(式中、X2はクロロである)。
いくつかの実施形態では、本発明は、90%以上のエナンチオマー過剰率の式III’:
(a)式XI’:
(b)Pd(トリフェニルホスフィン)4、炭酸カリウムおよび溶媒の存在下で、式X’の前記化合物を、式XIII’:
(c)脱保護条件下で、式XII’の化合物を反応させて、式IV’:
(d)1,8−ジアザ−ビシクロ[5.4.0]ウンデク−7−エンの存在下で、式IV’’の化合物を、式XIV’:
(e)[Rh(COD)2]CF3SO3、ならびに以下の:
(f)脱保護条件下で、式I’の前記化合物を反応させて、式III’(式中、*はキラル炭素を示す)の前記化合物を生成すること
を包含する工程を提供する。
溶媒は、2,2,2−トリフルオロエタノール(TFE)であり;
水素化触媒負荷は、約0.005〜約0.01mol%であり;
式IIの化合物の水素化触媒に対する比は、約20000/1〜約10000/1であり;
水素圧は、約7〜約60barであり;
反応は、ほぼ室温〜約75℃Cの温度で実行され;
反応は、式IIの化合物が式 の化合物に99.5%以上変換するまで実行され;そして
反応は、約10〜約25時間である。
(i)F−4:
(ii)F−3の化合物を、メタノール中で約2当量のアンモニアと反応させて、式F−2:
(iii)約1〜約1.5当量のカリウムtert−ブトキシドの存在下で、式F−2の化合物を、約1〜約1.5当量の式[Ph3P+(CH2OCH3)]Cl−(式中、Phはフェニルである)のウィッティヒ型試薬と反応させて、式F−1:
(iv)式F−1の化合物を、還流で、テトラヒドロフラン中において濃塩酸水溶液で処理して、式XI’の化合物を生成すること
を包含する。
(i)1H−ピラゾールをN−ブロモスクシンイミドと反応させて、式XIX’:
(ii)式XIXの化合物を保護して、式XVIII’:
(iii)式XVIII’の化合物を、約1当量以上の塩化イソプロピルマグネシウムと反応させた後、約1当量以上の式XVII’:
を包含する。
(i)4−ヨード−1H−ピラゾールを保護して、式XVIII’’:
(ii)式XVIII’’の化合物を、テトラヒドロフラン中で約1当量以上の塩化イソプロピルマグネシウムと反応させた後、約1当量以上の式XVII’:
を包含する。
(a)式XI’:
(b)Pd(トリフェニルホスフィン)4、炭酸カリウムおよび溶媒の存在下で、式X’’の化合物を、式XIII’:
(c)脱保護条件下で、式XII’’の化合物を反応させて、式IV’’:
(d)式IV’’の化合物と式D−1’:
(e)式I’’の化合物のラセミ体を含む組成物を、移動相を用いるキラルクロマトグラフィーユニットに通して、式I’’の化合物の(R)−エナンチオマーが、エナンチオマー過剰となって含まれる組成物を収集すること;および
(f)式I’’の前記化合物をテトラフルオロホウ酸リチウムと、その後、水酸化アンモニウム水溶液と反応させて、式III’の化合物の(R)−エナンチオマーが、エナンチオマー過剰となって含まれる組成物を生成すること
を包含する工程を提供し、
ここで式中、*はキラル炭素である。
(a)式I’’の化合物のラセミ体を形成するのに十分な条件下で、アセトニトリル中の炭酸セシウムの存在下で、エナンチオマー過剰の式I’’:
(b)式I’’の化合物のラセミ体を含む組成物を、移動相を用いるキラルクロマトグラフィーユニットに通して、式I’’の化合物の(R)−エナンチオマーが、エナンチオマー過剰となって含まれる組成物を収集すること;および
(c)式I’’の化合物をテトラフルオロホウ酸リチウムと、その後、水酸化アンモニウム水溶液と反応させて、式III’の化合物の(R)−エナンチオマーが、エナンチオマー過剰となって含まれる組成物を形成すること
を包含する工程を提供し、
ここで式中、*はキラル炭素である。
(a)式XI’:
(b)Pd(トリフェニルホスフィン)4、炭酸カリウムおよび溶媒の存在下で、式X’’の前記化合物を、式XIII’:
(c)脱保護条件下で、式XII’’の前記化合物を反応させて、式IV’’:
(d)式IV’’の前記化合物と式D−1’:
(e)式I’’の前記化合物の前記ラセミ体を含む前記組成物を、移動相を用いるキラルクロマトグラフィーユニットに通して、式I’’の前記化合物の(R)−エナンチオマーが、エナンチオマー過剰となって含まれる組成物を収集すること;および
(f)式I’’の前記化合物をボロントリフルオリドジエチルエーテレートと、その後、水酸化アンモニウム水溶液と反応させて、式III’の前記化合物の(R)−エナンチオマーが、エナンチオマー過剰となって含まれる組成物を形成すること
を包含する工程を提供し、
ここで式中、*はキラル炭素である。
(a)式I’’の化合物のラセミ体を形成するのに十分な条件下で、アセトニトリル中の炭酸セシウムの存在下で、式I’’:
(b)式I’’の前記化合物の前記ラセミ体を含む前記組成物を、移動相を用いるキラルクロマトグラフィーユニットに通して、式I’’の化合物の(R)−エナンチオマーが、エナンチオマー過剰となって含まれる組成物を収集すること;および
(c)式I’’の前記化合物をボロントリフルオリドジエチルエーテレートと、その後、水酸化アンモニウム水溶液と反応させて、式III’の前記化合物の(R)−エナンチオマーが、エナンチオマー過剰となって含まれる組成物を形成すること
を包含する工程を提供し、
ここで式中、*はキラル炭素である。
を包含する工程を提供し、
ここで式中、*はキラル炭素である。
光学的富化生成物(4−(1−(3−アミノ−1−シクロペンチル−3−オキソプロピル)−1H−ピラゾール−4−イル)−7H−ピロロ[2,3−d]ピリミジン−7−イル)メチルピバレート((R)−11または(S)−11)を得るために基質(Z)−(4−(1−(3−アミノ−1−シクロペンチル−3−オキソプロプ−1−エニル)−1H−ピラゾール−4−イル)−7H−ピロロ[2,3−d]ピリミジン−7−イル)メチルピバレート(10)を用いる不斉水素化のための一般スクリーニング手順:ガラスバイアル(20mL)を有する300mL容量オートクレーブに、窒素下で、基質(10)、触媒(金属、リガンドおよび触媒前駆体)および無酸素溶媒(4〜6mL)を入れた。このオートクレーブに水素ガスを投入して所望の圧力にして、室温で撹拌するかまたは油浴を用いて加熱した。水素ガスを放出後、反応混合物を減圧下で濃縮した。残渣を、酢酸エチルおよびメタノール(v/v=9/1)の混合物を用いてシリカゲルパッドを通して溶離することにより精製して、生成物(4−(1−(3−アミノ−1−シクロペンチル−3−オキソプロピル)−1H−ピラゾール−4−イル)−7H−ピロロ[2,3−d]ピリミジン−7−イル)メチルピバレート((R)−11または(S)−11)を、化学変換(HPLCおよびキラルHPLC)、LC/MSおよびNMR分光法、ならびにエナンチオマー過剰率(キラルHPLCによる%ee)決定のために生成した。
光学的富化生成物3−シクロペンチル−3−(4−(7−((2−(トリメチルシリル)エトキシ)メチル)−7H−ピロロ[2,3−d]ピリミジン−4−イル)−1H−ピラゾール−1−イル)プロパンニトリル((R)−20または(S)−20)を得るために基質(Z)−3−シクロペンチル−3−(4−(7−((2−(トリメチルシリル)エトキシ)メチル)−7H−ピロロ[2,3−d]ピリミジン−4−イル)−1H−ピラゾール−1−イル)アクリロニトリル(19)を用いる不斉水素化のための一般スクリーニング手順:ガラスバイアル(20mL)を有する300mL容量オートクレーブに、窒素下で、基質(19)、触媒(金属、リガンドおよび触媒前駆体)および無酸素溶媒(4〜6mL)を入れた。このオートクレーブに水素ガスを投入して所望の圧力にして、室温で撹拌するかまたは油浴を用いて加熱した。水素ガスを放出後、反応混合物を減圧下で濃縮した。残渣を、酢酸エチルおよびメタノール(v/v=9/1)の混合物を用いてシリカゲルパッドを通して溶離することにより精製して、生成物3−シクロペンチル−3−(4−(7−((2−(トリメチルシリル)エトキシ)メチル)−7H−ピロロ[2,3−d]ピリミジン−4−イル)−1H−ピラゾール−1−イル)プロパンニトリル((R)−20または(S)−20)を、化学変換(HPLCおよびキラルHPLC)、LC/MSおよびNMR分光法、ならびにエナンチオマー過剰率(キラルHPLCによる%ee)決定のために生成した。
光学的富化生成物メチル3−シクロペンチル−3−(4−(7−((2−(トリメチルシリル)エトキシ)メチル)−7H−ピロロ[2,3−d]ピリミジン−4−イル)−1H−ピラゾール−1−イル)プロパノエート((R)−22または(S)−22)を得るために基質(E)−メチル3−シクロペンチル−3−(4−(7−((2−(トリメチルシリル)エトキシ)メチル)−7H−ピロロ[2,3−d]ピリミジン−4−イル)−1H−ピラゾール−1−イル)アクリレート(21)を用いる不斉水素化のための一般スクリーニング手順:ガラスバイアル(20mL)を有する300mL容量オートクレーブに、窒素下で、基質(21)、触媒(金属、リガンドおよび触媒前駆体)および無酸素溶媒(4〜6mL)を入れた。このオートクレーブに水素ガスを投入して所望の圧力にして、室温で撹拌するかまたは油浴を用いて加熱した。水素ガスを放出後、反応混合物を減圧下で濃縮した。残渣を、酢酸エチルおよびメタノール(v/v=9/1)の混合物を用いてシリカゲルパッドを通して溶離することにより精製して、生成物メチル3−シクロペンチル−3−(4−(7−((2−(トリメチルシリル)エトキシ)メチル)−7H−ピロロ[2,3−d]ピリミジン−4−イル)−1H−ピラゾール−1−イル)プロパノエート((R)−22または(S)−22)を、化学変換(HPLCおよびキラルHPLC)、LC/MSおよびNMR分光法、ならびにエナンチオマー過剰率(キラルHPLCによる%ee)決定のために生成した。
8つのカラムを装備したSMBユニット上で、ラセミ混合物を処理した。以下の実施例で提示される種々の条件を用いて、種々の規模で、分離を実施した。純度の迅速確定を可能にするために分離に用いられる同一移動相および同一固定相を用いてキラルHPLC法により、各エナンチオマーの純度をモニタリングした。各々の場合に、回転蒸発器または流下薄膜蒸発器を用いて、真空下での蒸発により、濃縮溶液として、両エナンチオマーを回収した。実施例1〜3では、所望のエナンチオマーをラフィネートとして回収する。実施例4では、所望のエナンチオマーを抽出物として回収する。報告されるキラル純度および収率は、定常状態操作を保証するためにSMBユニットが少なくとも10〜15サイクルの間操作された後に測定されたデータである。種々の操作条件を試験して、高純度および高生成物収率を保証した。実施例1〜3では、同一固定相および移動相を用いる分離を、種々のカラム直径を有する種々のSMBユニットに関して試験する。実施例4では、SMBを、2つの異なる操作圧で操作する。実施例4では、SMBゾーンIIIの長さを増大することにより、カラム形状を古典的<2>/<2>/<2>/<2>から<2>/<2>/<3>/<1>に変更して、ラフィネートの純度を増大し、処理量を増大した。
カラム: キラルセル(登録商標)OD
移動相: イソプロピルアルコールおよびn−ヘプタン 20/80(v/v)
カラム長: 10cm
カラム内径:10 mm
カラム数: 8
供給濃度:80g/l
温度: 25℃.
カラム: キラルセル(登録商標)OD
移動相: イソプロピルアルコールおよびn−ヘプタン 20/80(v/v)
カラム長: 9.5cm
カラム内径:49 mm
カラム数: 8
供給濃度:80g/l
温度: 25℃.
カラム: キラルセル(登録商標)OD
移動相: イソプロピルアルコールおよびn−ヘプタン 20/80(v/v)
カラム長: 9.0cm
カラム内径:200 mm
カラム数: 8
供給濃度:53.7g/l
温度: 25℃.
カラム: (S,S) ウェルク−O(登録商標)1
移動相: メチル−tert−ブチルエーテル
カラム長: 10.0cm
カラム内径:10mm
カラム数: 8
供給濃度:90g/l
Claims (33)
- 式I:
(式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
R2は、−C(=O)−NH2、−C(=O)O−R3およびシアノから選択され;
R3は、C1−4アルキルまたはC1−4フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である)。 - 前記組成物が、エナンチオマー過剰の式Iの化合物の(R)−または(S)−エナンチオマーを含み;前記水素化触媒がL1を有するルテニウムまたはロジウム触媒であって、L1がキラルホスフィンリガンドである請求項1記載の方法。
- 前記エナンチオマー過剰率が90%以上である請求項2記載の方法。
- 前記エナンチオマー過剰率が99%以上である請求項2記載の方法。
- 前記キラルホスフィンリガンドが、以下のうちの1つから選択される請求項2記載の方法:
- 前記組成物が、エナンチオマー過剰の式Iの化合物の(S)−エナンチオマーを含む請求項2記載の方法。
- L1が、以下のリガンドのうちの1つから選択される請求項6記載の方法:
- 前記組成物が、エナンチオマー過剰の式Iの化合物の(R)−エナンチオマーを含む請求項2記載の方法。
- L1が、以下のリガンドのうちの1つから選択される請求項8記載の方法:
- 前記生成物が、式Ia:
(式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である)。 - R2が−C(=O)−NH2である請求項2〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 脱水条件下で式Iの前記化合物を反応させて、式Ia:
(式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である)。 - 前記脱水条件が、トリエチルアミンの存在下で塩化トリクロロアセチルを含む請求項12記載の方法。
- R2が−C(=O)O−R3である請求項2〜9のいずれか一項に記載の方法。
- R2が−C(=O)OCH3である請求項2〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 式Iの前記化合物を金属水酸化物と反応させて、式Ic:
(式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である)。 - 前記金属水酸化物がアルカリ金属水酸化物またはアルカリ土類金属水酸化物である請求項16記載の方法。
- 前記金属水酸化物が水酸化リチウムである請求項16記載の方法。
- 式Icの前記化合物をカップリング試薬の存在下でアンモニアまたは水酸化アンモニウムと反応させて、式Ib:
(式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である)。 - 前記カップリング剤がN,N−カルボニルジイミダゾールである請求項19記載の方法。
- 式Ibの前記化合物を脱水条件下で反応させて、式Ia:
(式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である)。 - P1が−CH2OC(=O)C(CH3)3または−CH2OCH2CH2Si(CH3)3である請求項2〜21のいずれか一項に記載の方法。
- R1がシクロペンチルである請求項2〜22のいずれか一項に記載の方法。
- 脱保護条件下で式Iaの前記化合物を反応させて、式III:
(式中、*は、キラル炭素を示し;
R1は、C3−7シクロアルキル、C1−6アルキルおよびC1−6フルオロアルキルから選択され;
P1は、保護基である)。 - P1が−CH2OC(=O)C(CH3)3または−CH2OCH2CH2Si(CH3)3である請求項24記載の方法。
- R1がシクロペンチルである請求項24または25記載の方法。
- 式IIIの前記化合物が(3R)−3−シクロペンチル−3−[4−(7H−ピロロ[2,3−d]ピリミジン−4−イル)−1H−ピラゾール−1−イル]プロパンニトリルである請求項24または25記載の方法。
- 式IIIの化合物をリン酸と反応させて式IIIの前記化合物のリン酸塩を形成することをさらに包含する請求項24〜27のいずれか一項に記載の方法。
- 90%以上のエナンチオマー過剰率の式III’:
(a)式XI’:
(b)Pd(トリフェニルホスフィン)4、炭酸カリウムおよび溶媒の存在下で、式X’の前記化合物を、式XIII’:
(c)脱保護条件下で、式XII’の前記化合物を反応させて、式IV’:
(d)1,8−ジアザ−ビシクロ[5.4.0]ウンデク−7−エンの存在下で、式IV’’の前記化合物を、式XIV’:
(e)[Rh(COD)2]CF3SO3、ならびに以下の:
(f)脱保護条件下で、式I’の前記化合物を反応させて、式III’ の前記化合物を形成すること
を包含する方法
(式中、*はキラル炭素を示す)。 - 式XI’:
(i)F−4:
(ii)F−3の前記化合物を、メタノール中で2当量のアンモニアと反応させて、式F−2:
(iii)1〜1.5当量のカリウムtert−ブトキシドの存在下で、式F−2の前記化合物を、1〜1.5当量の式[Ph3P+(CH2OCH3)]Cl−(式中、Phはフェニルである)のウィッティヒ型試薬と反応させて、式F−1:
(iv)式F−1の前記化合物を、還流でのテトラヒドロフラン中における濃塩酸水溶液で処理して、式XI’の化合物を形成すること
を包含する方法。 - 式XIII’:
(i)1H−ピラゾールをN−ブロモスクシンイミドと反応させて、式XIX’:
(ii)式XIXの前記化合物を保護して、式XVIII’:
(iii)式XVIII’の前記化合物を、1当量以上の塩化イソプロピルマグネシウムと反応させた後、1当量以上の式XVII’:
を包含する方法。 - 式XIII’:
(i)4−ヨード−1H−ピラゾールを保護して、式XVIII’’:
(ii)式XVIII’’の化合物を、テトラヒドロフラン中で1当量以上の塩化イソプロピルマグネシウムと反応させた後、1当量以上の式XVII’:
を包含する方法。 - ステップ(e)において:
溶媒が、2,2,2−トリフルオロエタノール(TFE)であり;
水素化触媒負荷が、0.005〜0.01mol%であり;
式IIの前記化合物の前記水素化触媒に対する比が、20000/l〜10000/lであり;
水素圧が、7〜60barであり;
反応が、ほぼ室温〜75℃の温度で実行され;
式IIの前記化合物の式の前記化合物への変換が99.5以上になるまで、反応が実行され;そして
反応が、10〜25時間である
請求項29記載の方法。
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