JP5641739B2 - 有機半導体膜形成用溶液、及び有機半導体デバイス - Google Patents

Description

本発明は、新規な有機半導体膜形成用溶液、及びこのような有機半導体膜形成用溶液の使用方法に関する。また、本発明は、このような有機半導体膜形成用溶液を用いて得られる有機半導体デバイスに関する。

有機半導体化合物は、有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、有機キャリア輸送層、有機発光デバイス等のための有機半導体層への利用に関して、様々な研究がなされている。特に、有機半導体化合物からなる有機半導体層を有する薄膜トランジスタは、低コスト且つ軽量のデバイスとして、現在のシリコンベーストランジスタを代替することが期待されている。また、有機半導体層は、軽量で且つフレキシブルであること等、有機材料に特有の利点を活用することで、スマートタグ、軽量ディスプレイ等への応用も期待されている。

したがって、有機半導体層を形成するための有機半導体化合物に関しては多くの研究がなされている（特許文献１〜５、及び非特許文献１）。これらの有機半導体化合物のなかでも、縮合多環芳香族化合物が、材料の安定性、キャリアの移動度等に関して好ましいことが分かってきている。

なお、ディールス−アルダー（Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ）反応と呼ばれる反応が、有機合成の分野で知られている。この反応は、共役二重結合をもった化合物の１位及び４位に、二重結合又は三重結合を有する化合物を付加して、６員環の環式化合物を生成するものである。また、このディールス−アルダー反応を用いて、ナフタレンに対してヘキサクロロシクロペンタジエンを付加させることが提案されている（非特許文献２及び３）。

特開２００６−８９４１３号公報 特開２００８−２９０９６３号公報 国際公開ＷＯ２００６／０７７８８８号公報 特開２００８−２９０９６３号公報 国際公開第２００８／０５０７２６号

"Ｆａｃｉｌｅ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ Ｈｉｇｈｌｙ π−Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ｈｅｔｅｒｏａｒｅｎｅｓ， Ｄｉｎａｐｈｔｈｏ［２，３−ｂ：２‘，３‘−ｆ］ｃｈａｌｃｏｇｅｎｏｐｈｅｎｏ［３，２−ｂ］ｃｈａｌｃｏｇｅｎｏｐｈｅｎｅｓ， ａｎｄ Ｔｈｅｉｒ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｔｏ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ"， Ｔａｔｓｕｙａ Ｙａｍａｍｏｔｏ， ａｎｄ Ｋａｚｕｏ Ｔａｋｉｍｉｙａ， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， ２００７， １２９ （８）， ｐｐ ２２２４−２２２５ "Ｄｉｅｎｏｐｈｉｌｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ ｏｆ Ａｒｏｍａｔｉｃ Ｄｏｕｂｌｅ Ｂｏｎｄｓ ｉｎ ｔｈｅ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ β−Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅｓ"， Ａ． Ａ． Ｄａｎｉｓｈ， Ｍ． Ｓｉｌｖｅｒｍａｎ， Ｙ． Ａ． Ｔａｊｉｍａ， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， １９５４， ７６ （２３）， ｐｐ ６１４４−６１５０ "Ｔａｎｄｅｍ Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ−Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ Ｒｅａｃｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙｉｎｇ Ｈｉｇｈ Ｓｔｅｒｅｏｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ： Ｒｅａｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｈｅｘａｃｈｌｏｒｏｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ ｗｉｔｈ Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ．"， Ｌａｃｏｕｒｃｅｌｌｅ， Ｃｌａｉｒｅ； Ｐｏｉｔｅ， Ｊｅａｎ Ｃｌａｕｄｅ； Ｂａｌｄｙ， Ａｎｄｒｅ； Ｊａｕｄ， Ｊｏｅｌ； Ｎｅｇｒｅｌ， Ｊｅａｎ Ｃｌａｕｄｅ； Ｃｈａｎｏｎ， Ｍｉｃｈｅｌ， Ａｃｔａ Ｃｈｅｍｉｃａ Ｓｃａｎｄｉｎａｖｉｃａ ４７， ００９２−００９４

有機半導体層の形成においては、有機半導体化合物を含有する溶液を基材に塗布し、そして溶媒を除去する溶液法（キャスト、スピンコート、プリント等）、及び有機半導体化合物を基材に蒸着させる蒸着法が知られている。溶液法は一般に、製造コスト、製造速度等に関して好ましいことが知られている。

しかしながら、有機半導体化合物として好ましいことが知られている縮合多環芳香族化合物は、非極性で且つ結晶性が高いことから、溶液に溶解させることが難しい。したがって、縮合多環芳香族化合物による有機半導体層の形成、特に低分子の縮合多環芳香族化合物による有機半導体層の形成では、蒸着法を用いることが一般的であった。

そこで本発明では、溶液法を用いて縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体層（有機半導体膜）を安定的に形成することを可能にする新規な有機半導体膜形成用溶液、及びこのような有機半導体膜形成用溶液の使用方法を提供する。また、本発明では、このような有機半導体膜形成用溶液を用いて得られる有機半導体デバイスを提供する。

本発明の発明者は、ジナフトチエノチオフェン等の化合物に特定の化合物を付加させた構造を有する付加化合物を含有する有機半導体膜形成用溶液が、上記の課題を解決できることを見出して、本発明に想到した。

有機半導体膜を形成するための本発明の溶液は、有機溶媒、前記有機溶媒に溶解している第１の付加化合物、及び前記有機溶媒に溶解しており且つ前記第１の付加化合物の結晶化を抑制する結晶化抑制剤を含有している。

ここで、この第１の付加化合物は、下記の式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に、二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）が二重結合を介して脱離可能に付加されてなる構造を有する：
Ａｒ_１Ａｒ_２Ａｒ_３ （Ｉ）
（Ａｒ_１〜Ａｒ_３は、下記に記載のとおり）。

また、結晶化抑制剤は、下記の（ａ）〜（ｃ）からなる群より選択される少なくとも１種の化合物である：
（ａ）式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する第２の化合物（ＩＩ”）が二重結合を介して脱離可能に付加されてなる構造を有する第２の付加化合物、
（ｂ）二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）であって、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加できる化合物（ＩＩ’）、及び
（ｃ）二重結合を有する第２の化合物（ＩＩ”）であって、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加できる化合物（ＩＩ”）。

有機半導体膜を生成する本発明の方法は、有機半導体膜を形成するための本発明の溶液を、基材に塗布して、膜を作製するステップ、そしてこの膜を減圧及び／又は加熱して、第１の付加化合物から二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）を脱離及び除去して、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体膜を得るステップを含む。また、有機半導体デバイスを製造する本発明の方法は、有機半導体膜を生成する本発明の方法によって有機半導体膜を生成するステップを含む。

本発明の有機半導体デバイスは、有機半導体膜を有し、この有機半導体膜が、下記の式（Ｉ）を有する有機半導体化合物で作られており、この有機半導体膜が、下記の式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）が二重結合を介して脱離可能に付加されてなる第１の付加化合物を含有しており、且つ有機半導体膜が、下記の式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）が二重結合を介して脱離可能に付加されてなる第１の付加化合物、及び下記の（ａ）〜（ｃ）からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含有している：
Ａｒ_１Ａｒ_２Ａｒ_３ （Ｉ）
（Ａｒ_１〜Ａｒ_３は、下記に記載のとおり）。

なお、本発明に関して、第１及び第２の「付加化合物」はそれぞれ、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に、二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）及び第２の化合物（ＩＩ’）が二重結合を介して脱離可能に付加されてなる構造を有する任意の化合物を意味しており、その具体的な合成方法によっては限定されるものではない。また、この付加化合物は、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）及び／又は第２の化合物（ＩＩ’）が１分子付加した構造を有する付加化合物だけでなく、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）及び／又は第２の化合物（ＩＩ’）が２分子、３分子、４分子、又はそれよりも多く付加した構造を有する付加化合物であってもよい。

本発明に関して、「芳香族環」は、ベンゼン環と同様に共役している環を意味するものとし、例えばベンゼン環と並んで、フラン環、チオフェン環、ピロール環、イミダゾール環のような複素芳香族環を挙げることができる。また本発明に関して、「立体異性体」は、同一の構造式を有する化合物がその中の原子又は原子団の立体配置を異にすることによっておこる異性を意味し、光学異性体、幾何異性体、及び回転異性体等を包含する。

なお、以下の説明において、「第１の付加化合物」及び「第２の付加化合物」は、簡単のために、「付加化合物」としてまとめて言及することがある。同様に、「二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）」及び「二重結合を有する第２の化合物（ＩＩ’）」は、簡単のために、「二重結合を有する化合物（ＩＩ）」としてまとめて言及することがある。

第１及び第２の付加化合物は、ディールス−アルダー反応を用いて、ジナフトチエノチオフェン等の式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に、ヘキサクロロシクロペンタジエン等の二重結合を有する化合物（ＩＩ）を二重結合を介して脱離可能に付加させることによって得られるものである。この付加化合物は、二重結合を有する化合物（ＩＩ）の付加によって生じる極性の増加及び／又は結晶性の低下によって、溶媒に対する溶解性を増加させることができる。したがってこの付加化合物を含有している本発明の半導体膜形成用溶液によれば、蒸着法よりも一般に容易な溶液法を用いて、縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体層を形成することが可能となる。

また、本発明の半導体膜形成用溶液は、特定の化合物を結晶化抑制剤として含有していることによって、溶液法による有機半導体膜の形成の際に、第１の付加化合物の結晶化を抑制し、それによって優れた有機半導体膜を提供すること、且つ／又は効率的に有機半導体膜を提供することができる。

図１は、実施例１の有機半導体膜形成用溶液から得られた固形物を示す写真である。 図２は、実施例１の有機半導体膜形成用溶液から得られたＦＥＴの有機半導体膜を示す写真である。 図３は、比較例１の有機半導体膜形成用溶液から得られた固形物を示す写真である。 図４は、比較例１の有機半導体膜形成用溶液から得られたＦＥＴの有機半導体膜を示す写真である。 図５は、参考例１Ａ及び参考比較例１で用いた電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の構造の概略図である。 図６は、参考例１Ａで得られた電界効果トランジスタの出力特性を示す図である。 図７は、参考例１Ａで得られた電界効果トランジスタの伝達特性を示す図である。 図８は、参考例１０Ａの付加化合物の熱脱離特性を示す図である。 図９は、参考例１０Ａで得られた電界効果トランジスタの出力特性を示す図である。 図１０は、参考例１０Ａで得られた電界効果トランジスタの伝達特性を示す図である。 図１１は、参考例１０Ａで得られた有機半導体膜中の残留付加化合物についてのＮＭＲ結果を示す図である。

《有機半導体膜形成用溶液》
有機半導体膜を形成するための本発明の溶液は、有機溶媒、有機溶媒に溶解している第１の付加化合物、及び有機溶媒に溶解しており且つ第１の付加化合物の結晶化を抑制する結晶化抑制剤を含有している。

ここで、この第１の付加化合物は、下記の式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に、二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）が二重結合を介して脱離可能に付加されてなる構造を有する：
Ａｒ_１Ａｒ_２Ａｒ_３ （Ｉ）
（Ａｒ_１及びＡｒ_３はそれぞれ独立に、２〜５個の芳香族環が縮合している置換又は非置換の縮合芳香族環部分から選択され、
Ａｒ_２は、１個の芳香族環からなる置換又は非置換の芳香族環部分、及び２〜５個の芳香族環が縮合している置換又は非置換の縮合芳香族環部分から選択され、
Ａｒ_１とＡｒ_２は、少なくとも２つの炭素原子を共有して縮合芳香環を形成しており、且つ
Ａｒ_２とＡｒ_３は、少なくとも２つの炭素原子を共有して縮合芳香環を形成している）。

また、結晶化抑制剤は、下記の（ａ）〜（ｃ）からなる群より選択される少なくとも１種の化合物である：
（ａ）式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する第２の化合物（ＩＩ”）が二重結合を介して脱離可能に付加されてなる構造を有する第２の付加化合物、
（ｂ）二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）であって、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加できる化合物（ＩＩ’）、及び
（ｃ）二重結合を有する第２の化合物（ＩＩ”）であって、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加できる化合物（ＩＩ”）。

有機半導体膜を形成するための本発明の溶液では、第１の付加化合物が、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する化合物（ＩＩ’）が付加した構造を有していることによって、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物と比較して、極性が増加し且つ／又は結晶性が低下しており、それによって溶媒に対する比較的高い溶解性を有している。したがって本発明の溶液によれば、溶液法を用いて縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体層を形成することができる。具体的には例えば、本発明の溶液を、基材に塗布して、膜を作製し、そしてこの膜を減圧及び／又は加熱して、第１の付加化合物から二重結合を有する第１の前記化合物（ＩＩ’）を脱離及び除去することによって、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体膜を得ることができる。

また、有機半導体膜を形成するための本発明の溶液は、結晶化抑制剤として含有していることによって、溶液法による有機半導体膜の形成の際に結晶化を抑制し、それによって優れた有機半導体膜を提供すること、且つ／又は効率的に有機半導体膜を提供することができる。

本発明の有機半導体膜形成用溶液は、任意の濃度で第１の付加化合物を含有することができ、例えば第１の付加化合物を、０．０１〜２０質量％、０．０５〜１０質量％、０．１〜５質量％の濃度で含有することができる。

本発明の有機半導体膜形成用溶液において使用可能な溶媒としては、第１の付加化合物を溶解できる任意の溶媒を用いることができる。例えば使用可能な溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、酢酸エチル等の非プロトン性極性溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１、４−ジオキサン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン（すなわち１，３，５‐トリメチルベンゼン）等の芳香族炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；及びジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等の含ハロゲン溶媒を考慮することができる。

第１の付加化合物が、立体異性体を有する場合、本発明の溶液は例えば、第１の付加化合物及び少なくとも１つのその立体異性体が溶媒に溶解されてなり、且つ付加化合物及びその立体異性体の合計に対する熱脱離温度が最も低い立体異性体の割合｛付加化合物及びその立体異性体のうちの熱脱離温度が最も低い立体異性体／付加化合物及びその立体異性｝が、５０ｍｏｌ％超、７０ｍｏｌ％超、９０ｍｏｌ％超、９５ｍｏｌ％超であってよい。

また、第１の付加化合物が、立体異性体としてＥｘｏ体及びＥｎｄｏ体を有する場合、本発明の溶液は例えば、第１の付加化合物のＥｘｏ体及びＥｎｄｏ体が溶媒に含有されてなり、且つ第１の付加化合物のＥｘｏ体とＥｎｄｏ体との合計に対する熱脱離温度が低い方の立体異性体の割合｛Ｅｘｏ体及びＥｎｄｏ体のうちの熱脱離温度が低い方の立体異性体／（Ｅｘｏ体＋Ｅｎｄｏ体）｝が、５０ｍｏｌ％超、７０ｍｏｌ％超、９０ｍｏｌ％超、９５ｍｏｌ％超であってよい。したがって、本発明の溶液は例えば、式（ＩＩＩ−６）の付加化合物のＥｘｏ体とＥｎｄｏ体とが溶媒に溶解されてなり、且つこの付加化合物のＥｘｏ体とＥｎｄｏ体との合計に対するＥｘｏ体の割合｛Ｅｘｏ体／（Ｅｘｏ体＋Ｅｎｄｏ体）｝が、５０ｍｏｌ％超、７０ｍｏｌ％超、９０ｍｏｌ％超、９５ｍｏｌ％超、又は９９ｍｏｌ％超であってよい。

ここで、第１の付加化合物含有溶液が、比較的熱脱離温度が低い立体異性体を比較的大きい割合で含有している場合、この溶液から加熱によって二重結合を有する化合物（ＩＩ）を脱離及び除去して式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体膜を得る際に、比較的低い温度からこの脱離を開始させることができる。したがって、この場合には、比較的低温での有機半導体膜の生成を促進できる。

なお、ディールス−アルダー反応においては、主橋の反対側に置換基が存在する反応生成物がＥｎｄｏ体として定義され、主橋と同じ側に置換基が存在する反応生成物がＥｘｏ体として定義される。

《有機半導体膜形成用溶液−結晶化抑制剤−第２の付加化合物》
１つの態様では、本発明の溶液に含有されている結晶化抑制剤は、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する第２の化合物（ＩＩ”）が二重結合を介して脱離可能に付加されてなる構造を有する第２の付加化合物である。

ここで、第２の付加化合物は、第１の付加化合物と同じ式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物を有している。すなわち、第２の付加化合物は、二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）の代わりに、二重結合を有する第２の化合物（ＩＩ”）が付加していることを除いて、第１の付加化合物と同じである。

したがって、第２の付加化合物のうちの式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物の部分は、第１の付加化合物、特に第１の付加化合物のうちの式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物の部分に対して比較的大きい親和性を有する。しかしながら、第１の付加化合物と第２の付加化合物とは、二重結合を有する第１及び第２の化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）に関して構造的に異なっており、したがって溶液法による有機半導体膜の形成の際に比較的結晶化しにくい。

また、第１及び第２の付加化合物はそれぞれ、二重結合を有する第１及び第２の化合物（Ｉ’）及び（ＩＩ’）が式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加されてなる構造を有する。したがって、第１及び第２の付加化合物は、例えば加熱及び／又は減圧によって、二重結合を有する第１及び第２の化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）を脱離及び除去したときに、いずれも式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物をもたらす。

よって、例えば溶液が含有している第１の付加化合物の濃度が一定である場合、この溶液が第２の付加化合物を更に含有することによって、溶液中における実質的な式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物の含有率を大きくすることができる。

本発明の有機半導体膜形成用溶液は、結晶化抑制剤としての第２の付加化合物を、溶媒中に溶解することが可能な任意の量で含有することができ、例えば第２の付加化合物の第１の付加化合物に対するモル比（第２の付加化合物／第１の付加化合物）は、０．１ｍｏｌ％以上、１ｍｏｌ％以上、１０ｍｏｌ％以上、３０ｍｏｌ％以上、５０ｍｏｌ％以上であってよい。ここで、このモル比が、１００ｍｏｌ％であることは、有機半導体膜形成用溶液に含有されている第１の付加化合物のモル数と第２の付加化合物のモル数とが同じであることを意味する。

《有機半導体膜形成用溶液−結晶化抑制剤−第１及び第２の化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）》
他の１つの態様では、本発明の溶液に含有されている結晶化抑制剤は、二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）である。ここで、結晶化抑制剤として用いられている二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）は、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加して第１の付加化合物を構成している二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）と同じである。したがって、結晶化抑制剤として用いられている二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）は、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加できる。

また、他の１つの態様では、二重結合を有する第２の化合物（ＩＩ”）であって、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加できる化合物（ＩＩ”）である。すなわち、結晶化抑制剤として用いられている二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ”）は、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加して第１の付加化合物を構成している二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）とは異なる。しかしながら、結晶化抑制剤として用いられている二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ”）は、二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）と同様に、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加できる。

結晶化抑制剤として用いられている二重結合を有する第１及び第２の化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）はいずれも、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）が二重結合を介して脱離可能に付加して第１の付加化合物を形成するのと同様な機構で、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に脱離可能に付加し、且つ／又は式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に対して親和性を示し、それによって溶液法による有機半導体膜の形成の際に、第１の付加化合物の極性を更に増加させ、且つ／又は第１の付加化合物同士の結晶化を妨げることができる。

本発明の有機半導体膜形成用溶液は、結晶化抑制剤としての二重結合を有する第１及び第２の化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）を、溶媒中に溶解することが可能な任意の量で含有することができ、例えば第１及び第２の化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）の第１の付加化合物に対するモル比（第１及び／又は第２の化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）／第１の付加化合物）は、０．１ｍｏｌ％以上、１ｍｏｌ％以上、１０ｍｏｌ％以上、３０ｍｏｌ％以上、５０ｍｏｌ％以上であってよい。ここで、このモル比が、１００ｍｏｌ％であることは、有機半導体膜形成用溶液に含有されている第１の付加化合物のモル数と第１及び／又は第２の化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）のモル数とが同じであることを意味する。

《付加化合物》
本発明に関して付加化合物は、下記の式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に、二重結合を有する化合物（ＩＩ）が二重結合を介して脱離可能に付加されてなる構造を有する：
Ａｒ_１Ａｒ_２Ａｒ_３ （Ｉ）
（Ａｒ_１及びＡｒ_３はそれぞれ独立に、２〜５個の芳香族環が縮合している置換又は非置換の縮合芳香族環部分から選択され、
Ａｒ_２は、１個の芳香族環からなる置換又は非置換の芳香族環部分、及び２〜５個の芳香族環が縮合している置換又は非置換の縮合芳香族環部分から選択され、
Ａｒ_１とＡｒ_２は、少なくとも２つの炭素原子を共有して縮合芳香環を形成しており、且つ
Ａｒ_２とＡｒ_３は、少なくとも２つの炭素原子を共有して縮合芳香環を形成している）。

付加化合物において、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する化合物（ＩＩ）が「脱離可能」に付加されていることは、付加化合物が、例えば減圧及び／又は加熱によって、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物を分解させずに、二重結合を有する化合物（ＩＩ）を脱離させること、特に二重結合を有する化合物（ＩＩ）を脱離及び除去することが可能であることを意味している。

例えば、付加化合物は、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物の例である下記の式（Ｉ−４）の化合物に、二重結合を有する化合物（ＩＩ）の例である下記の式（ＩＩ−１）の化合物が付加されてなり、それによって下記の式（ＩＩＩ−１）を有する化合物又はその立体異性体である：

（Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択される元素あり、且つ
縮合ベンゼン環部分は、置換又は非置換である）

（Ｒはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択される）；

（Ｙ及びＲ、並びに縮合ベンゼン環部分は、上記のとおり）。

また例えば、付加化合物は、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物の例である下記の式（Ｉ−４）の化合物に、二重結合を有する化合物（ＩＩ）の例である下記の式（ＩＩ−６）の化合物が付加されてなり、それによって下記の式（ＩＩＩ−６）を有する化合物又はその立体異性体である：

（Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択される元素であり、且つ
縮合ベンゼン環部分は、置換又は非置換である）；

（Ｒ及びＲ_ｒはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択される）；

（Ｙ、Ｒ及びＲ_ｒ、並びに縮合ベンゼン環部分は、上記のとおり）。

《付加化合物の第１の合成方法》
付加化合物は、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物を、二重結合を有する化合物（ＩＩ）と混合するステップを含む方法によって製造できる。このとき、二重結合を有する化合物（ＩＩ）は、溶媒中に溶解して用いることもできるが、単独で用いることもできる。ここで、この溶媒としては、二重結合を有する化合物（ＩＩ）を溶解できる任意の溶媒を用いることができる。例えば使用可能な溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、酢酸エチル等の非プロトン性極性溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１、４−ジオキサン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン（すなわち１，３，５‐トリメチルベンゼン）等の芳香族炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；及びジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等の含ハロゲン溶媒を考慮することができる。

付加化合物の合成においては、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物と、二重結合を有する化合物（ＩＩ）との混合の際に、加熱及び／又は光照射によって、反応を促進することもできる。付加化合物の合成の際の反応温度は、生成速度、成分の安定性、成分の沸点等を考慮して決定することができ例えば、２０℃以上、５０℃以上、１００℃以上であって、１８０℃以下、２００℃以下、又は２２０℃以下の温度にすることができる。また反応時間は例えば、１分以上、１０分以上、３０分以上、１時間以上であって、１日以下、３日以下、５日以下、又は１０日以下にすることができる。

《中間体付加化合物、及び付加化合物の第２の合成方法》
中間体付加化合物は、下記の（Ｉ’）の化合物に二重結合を有する化合物（ＩＩ）がこの二重結合を介して付加されてなる構造を有する：
Ａｒ_１Ｑ （Ｉ’）
｛Ａｒ_１は、２〜５個の芳香族環が縮合している置換又は非置換の縮合芳香族環部分から選択され、且つ
Ｑは、下記の式を有し、且つＡｒ_１の縮合芳香環の一部を構成している：
（Ｙは、カルコゲンから選択される元素である）｝。

具体的には例えば、式（Ｉ’）の化合物は、下記の式の化合物であってよい：

本発明のこの中間体付加化合物は、式（Ｉ’）の化合物に二重結合を有する化合物（ＩＩ）を付加させて得ることができる。この付加反応の反応条件については、式（Ｉ）の化合物に二重結合を有する化合物（ＩＩ）を付加させる反応に関する記載を参照できる。

上記の付加化合物を、上記の中間体付加化合物から合成する方法は、下記の工程（ａ）及び（ｂ）を含む：
（ａ）中間体付加化合物２分子を反応させて、下記の式の化合物を得ること：
Ａｒ_１Ｑ＝ＱＡｒ_１
（Ｑ＝Ｑは、下記の構造を示す：
）、そして
（ｂ）上記式Ａｒ_１Ｑ＝ＱＡｒ_１の得られた化合物をヨウ素と反応させること。

この方法によれば、下記の式（Ｉ（ａ１））の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する化合物（ＩＩ）がこの二重結合を介して脱離可能に付加されてなる構造を有する付加化合物を製造することができる：
Ａｒ_１Ａｒ_{２（ａ１）}Ａｒ_１ （Ｉ（ａ１））
（Ａｒ_１は、２〜５個の芳香族環が縮合している置換又は非置換の縮合芳香族環部分から選択され、
Ａｒ_{２（ａ１）}は、下記の式（ａ１）の縮合芳香族環部分であり、且つ
Ａｒ_１とＡｒ_{２（ａ１）}は、少なくとも２つの炭素原子を共有して縮合芳香環を形成している）。

なお、上記の付加化合物を上記の中間体付加化合物から合成する方法の条件等に関しては、非特許文献１の記載を参照することができる。すなわち例えば、工程（ａ）における中間体付加化合物２分子の反応は、テトラヒドロフラン中において、テトラクロロチタン／亜鉛（ＴｉＣｌ_４／Ｚｎ）触媒を用いて行うことができる。また、工程（ｂ）における式Ａｒ_１（Ｑ＝Ｑ）Ａｒ_１とヨウ素との反応は、トリクロロメタン（すなわちクロロホルム）（ＣＨＣｌ_３）中において行うことができる。

《式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物》
式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に関し、Ａｒ_１及びＡｒ_３はそれぞれ独立に、２〜５個の芳香族環、特に２〜４個の芳香族環が縮合している置換又は非置換の縮合芳香族環部分から選択される。Ａｒ_１及びＡｒ_３は、ディールス−アルダー反応を行ったときに、ジエン部分又は求ジエン部分として、この部分に、二重結合を有する化合物（ＩＩ）を脱離可能に付加させることができるようにして選択できる。ここでは、芳香族環は特に、置換又は非置換のベンゼン環である。また、Ａｒ_１とＡｒ_３は同じであっても異なっていてもよい。

したがってＡｒ_１及びＡｒ_３はそれぞれ独立に、置換又は非置換の下記の（ｂ１）〜（ｂ４）からなる群より選択されるベンゼン環部分であってよい：

また、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に関し、Ａｒ_２は、１個の芳香族環からなる置換又は非置換の芳香族環部分、又は２〜５個、特に２〜３個の芳香族環が縮合している置換又は非置換の縮合芳香族環部分である。

したがって、Ａｒ_２は、置換又は非置換の下記の（ａ１）〜（ａ４）からなる群より選択される芳香族環部分又は縮合芳香族環部分であってよい：
（Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲン、特に酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）及びテルル（Ｔｅ）から選択される元素、より特に硫黄であり、Ｙは全て同じでも、一部が異なっていてもよい）。

好ましくは式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物は、有機半導体化合物、すなわち半導体としての性質を示す有機物化合物である。また、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物は、置換又は非置換の下記の式（Ｉ−１）〜（Ｉ−５）の縮合多環芳香族化合物からなる群より選択できる。これらの縮合多環芳香族化合物は安定性が高く、したがって付加化合物からの二重結合を有する化合物（ＩＩ）の脱離、特に熱による脱離、より特に比較的高温且つ／又は長時間の熱による脱離の際にも、安定に維持することができる。したがって、これらの化合物を用いる場合、付加化合物からの二重結合を有する化合物（ＩＩ）の脱離を高い割合で行うことができる。

（Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択される元素、特に酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）及びテルル（Ｔｅ）から選択される元素、より特に硫黄であり、Ｙは全て同じでも、一部が異なっていてもよい）。

式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物、及びその合成に関しては、特に限定されないが、特許文献１〜５及び非特許文献１を参照することができる。

なお、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物の芳香族環部分及び／又は縮合芳香族環部分の置換は例えば、ハロゲン、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のエステル基、炭素原子数１〜２０のエーテル基、炭素原子数１〜２０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、及び炭素原子数１〜２０のスルフィド基からなる群より選択される置換基によってなされている。

《二重結合を有する化合物（ＩＩ）》
二重結合を有する化合物（ＩＩ）は、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に脱離可能に付加できる任意の化合物であってよい。したがって例えば、二重結合を有する化合物（ＩＩ）は、特にディールス−アルダー反応によって、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に求ジエン体（ジエノフィル）又は共役ジエン体として、脱離可能に付加する任意の化合物であってよい。また、二重結合を有する化合物（ＩＩ）は、特に式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物のＡｒ_１、Ａｒ_２及びＡｒ_３のうちの少なくとも１つの芳香族環部分又は縮合芳香族環部分、より特に式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物のＡｒ_１及びＡｒ_３のうちの少なくとも１つの縮合芳香族環部分に脱離可能に付加できる任意の化合物であってよい。

二重結合を有する化合物（ＩＩ）が求ジエン体である場合、二重結合を有する化合物（ＩＩ）は、下記の式（ＩＩ−Ａ１）及び（ＩＩ−Ｂ１）のいずれかの化合物であってよい：
（Ｒ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃ及びＲ_ｄはそれぞれ独立に、結合、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択され、
Ｒ_ａ及びＲ_ｂは、互いに結合して環を形成していてもよく、且つ
Ｒ_ｃ及びＲ_ｄは、互いに結合して環を形成していてもよい）。

ここで、上記の式（ＩＩ−Ａ１）の化合物は、炭素−酸素二重結合部分の存在によって、その炭素原子に隣接する炭素−炭素二重結合部分が比較的求電子的であり、したがって求ジエン体としてディールス−アルダー反応を促進するために好ましいことがある。同様に上記の式（ＩＩ−Ｂ１）の化合物は、酸素の存在によって、この酸素原子に隣接する炭素−炭素二重結合部分が比較的求電子的であり、したがって求ジエン体としてディールス−アルダー反応を促進するために好ましいことがある。

また、二重結合を有する化合物（ＩＩ）が求ジエン体である場合、二重結合を有する化合物（ＩＩ）は、下記の式（ＩＩ−Ａ２）及び（ＩＩ−Ｂ２）のいずれかの化合物であってよい：
（Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃ、Ｒ_ｄ及びＲ_ｅはそれぞれ独立に、結合、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択され、
Ｒ_ｅ及びＲ_ｂは、互いに結合して環を形成していてもよく、且つ
Ｒ_ｃ及びＲ_ｄは、互いに結合して環を形成していてもよい）。

ここで、上記の式（ＩＩ−Ａ２）の化合物は、２つの炭素−酸素二重結合部分の存在によって、それらの炭素原子の間の炭素−炭素二重結合部分が比較的求電子的であり、したがって求ジエン体としてディールス−アルダー反応を促進するために好ましいことがある。同様に上記の式（ＩＩ−Ｂ２）の化合物は、２つの酸素の存在によって、それらの酸素原子の間の炭素−炭素二重結合部分が比較的求電子的であり、したがって求ジエン体としてディールス−アルダー反応を促進するために好ましいことがある。

また更に、二重結合を有する化合物（ＩＩ）が求ジエン体である場合、二重結合を有する化合物（ＩＩ）は、下記の式（ＩＩ−Ａ３）及び（ＩＩ−Ｂ３）のいずれかの化合物であってよい：
（Ｒ_ｃ及びＲ_ｄはそれぞれ独立に、結合、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択され、
Ｒ_ｃ及びＲ_ｄは、互いに結合して環を形成していてもよく、
ｎは、１〜５の整数であり、且つ
Ｚは、結合（−）、酸素（−Ｏ−）、メチレン性炭素（−Ｃ（Ｒ_ｒ）_２−）、エチレン性炭素（−Ｃ（Ｒ_ｒ）＝）、カルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）、窒素（−Ｎ（Ｒ_ｒ）−）、及び硫黄（−Ｓ−）からなる群より選択され、且つｎが２又はそれよりも大きいときにはそれぞれ異なっていてもよい（Ｒ_ｒはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択される））。

ここで、上記の式（ＩＩ−Ａ３）の化合物は、２つの炭素−酸素二重結合部分の存在によって、それらの炭素原子の間の炭素−炭素二重結合部分が比較的求電子的であり、したがって求ジエン体としてディールス−アルダー反応を促進するために好ましいことがある。同様に上記の式（ＩＩ−Ｂ３）の化合物は、２つの酸素の存在によって、それらの酸素原子の間の炭素−炭素二重結合部分が比較的求電子的であり、したがって求ジエン体としてディールス−アルダー反応を促進するために好ましいことがある。また上記の式（ＩＩ−Ａ３）又は（ＩＩ−Ｂ３）の化合物は、二重結合が環状構造の一部となっていることによって、構造的に安定しており、したがってこれらの化合物を脱離可能に式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に付加させるために好ましいことがある。

なお、共役ジエン型の二重結合を有する化合物（ＩＩ）は、ディールス−アルダー反応において、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物との組み合わせに応じて、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に求ジエン体及び／又は共役ジエン体として付加する。

二重結合を有する化合物（ＩＩ）は、環状部分を有する化合物であってよい。二重結合が環状構造の一部となっていることは、二重結合を有する化合物（ＩＩ）を構造的に安定させ、それによって二重結合を有する化合物（ＩＩ）を脱離可能に式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に付加させるために好ましいことがある。

したがって例えば、二重結合を有する化合物（ＩＩ）は、下記の式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−１２）のいずれかの化合物であってよい：

（Ｒ及びＲ_ｒはそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択される）。

二重結合を有する化合物（ＩＩ）は、共役ジエン型の化合物、例えば式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−３）及び式（ＩＩ−８）のいずれかの化合物であってよい。また、二重結合を有する化合物（ＩＩ）は、求ジエン型の化合物、例えば式（ＩＩ−４）〜式（ＩＩ−６）、式（ＩＩ−９）、及び式（ＩＩ−１０）〜式（ＩＩ−１２）のいずれかの化合物であってよい。また更に、二重結合を有する化合物（ＩＩ）は、環状部分を有する化合物、例えば式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−６）、式（ＩＩ−８）、及び式（ＩＩ−１０）〜式（ＩＩ−１２）のいずれかの化合物であってよい。

なお、式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−１２）のいずれかの化合物のＲ及びＲ_ｒに関して、炭素原子数４〜１０の芳香族基の置換基に関しては、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物の芳香族環部分又は縮合芳香族環部分を置換していてもよい置換基を参照できる。

以下では、下記の式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−１２）のいずれかの化合物について、より詳細に説明する。

《式（ＩＩ−１）の化合物》
（Ｒは上記のとおり）

特に、式（ＩＩ−１）の化合物に関し、Ｒはそれぞれ独立に、水素及びハロゲンからなる群より選択される。Ｒがハロゲンである場合、Ｒはそれぞれ独立に、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）及びそれらの組み合わせからなる群より選択される元素、特にフッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）及びそれらの組み合わせからなる群より選択される元素、より特に塩素であってよい。したがって、式（ＩＩ−１）の化合物は例えば、ヘキサフルオロシクロペンタジエン、ヘキサクロロシクロペンタジエン、ヘキサブロモシクロペンタジエン、５，５−ジフルオロテトラクロロシクロペンタジエン、又は５，５−ジブロモテトラクロロシクロペンタジエン、特にヘキサクロロシクロペンタジエンであってよい。また、Ｒが全て水素である場合には、式（ＩＩ−１）の化合物は、シクロペンタジエンである。

《式（ＩＩ−２）の化合物》
（Ｒは上記のとおり）

特に、式（ＩＩ−２）の化合物に関し、Ｒはそれぞれ独立に、水素及びハロゲンからなる群より選択される。また、Ｒが全て水素である場合には、式（ＩＩ−２）の化合物は、フランである。

《式（ＩＩ−３）の化合物》
（Ｒ及びＲ_ｒは上記のとおり）

特に、式（ＩＩ−３）の化合物に関し、Ｒはそれぞれ独立に、水素及びハロゲンからなる群より選択される。また特に、Ｒ_ｒは炭素原子数１〜１０のエステル基、例えばメチルエステルである。したがって特に上記の式（ＩＩ−３）の化合物は、Ｒが水素であり且つＲ_ｒが炭素原子数１〜１０のアルキルエステル基である化合物、すなわちカルボン酸アルキルピロール、例えばＲが水素であり且つＲ_ｒがメチルエステル基であるカルボン酸メチルピロールであってよい。

《式（ＩＩ−４）の化合物》
（Ｒ及びＲ_ｒは上記のとおり）

特に、式（ＩＩ−４）の化合物に関し、Ｒ_ｒが水素以外の基、すなわち比較的かさばる基であることは、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物と式（ＩＩ−４）の化合物との付加生成物から、加熱等によって式（ＩＩ−４）の化合物の脱離を促進するために好ましいことがある。

《式（ＩＩ−５）の化合物》
（Ｒは上記のとおり）

特に、式（ＩＩ−５）の化合物に関し、Ｒがいずれも水素である化合物は、無水マレイン酸である。したがって式（ＩＩ−５）の化合物は、無水マレイン酸又はその水素基が置換された化合物として考えることができる。

《式（ＩＩ−６）の化合物》
（Ｒ及びＲ_ｒは上記のとおり）

特に、式（ＩＩ−６）の化合物に関し、Ｒはそれぞれ独立に、水素及びハロゲンからなる群より選択される。また特に、Ｒ_ｒは、炭素原子数１〜１０のアルキル基、又は炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、例えばヒドロキシフェニル基である。

したがって例えば、上記の式（ＩＩ−６）の化合物は、Ｒが水素であり且つＲ_ｒがメチル基であるＮ−メチルマレイミド、Ｒが水素であり且つＲ_ｒがエチル基であるＮ−エチルマレイミドであってよい。また例えば、上記の式（ＩＩ−６）の化合物は、Ｒが水素であり且つＲ_ｒが炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基である化合物、すなわち芳香族マレイミド、特にＲが水素であり且つＲ_ｒがフェニル基であるＮ-フェニルマレイミド、又はＲが水素であり且つＲ_ｒがヒドロキシフェニル基であるヒドロキシフェニルマレイミドであってよい。

《式（ＩＩ−７）の化合物》
（Ｒ_ｒは上記のとおり）

特に、式（ＩＩ−７）の化合物に関し、Ｒ_ｒは、炭素原子数１〜１０のアルキル基からなる群より選択される。したがって特に上記の式（ＩＩ−７）の化合物は、Ｒ_ｒがアルキル基である化合物、すなわちＮ−スルホニルアシルアミド、例えばＲ_ｒがメチル基であるＮ−スルホニルアセトアミドであってよい。

《式（ＩＩ−８）の化合物》
（Ｒは上記のとおり）

特に、式（ＩＩ−８）の化合物に関し、Ｒはそれぞれ独立に、水素及びハロゲンからなる群より選択される。Ｒがハロゲンである場合、Ｒはそれぞれ独立に、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）及びそれらの組み合わせからなる群より選択される元素である。また、Ｒが全て水素である場合には、式（ＩＩ−８）の化合物は、アントラセンとなる。

《式（ＩＩ−９）の化合物》
（Ｒ_ｒは上記のとおり）

特に、式（ＩＩ−９）の化合物に関し、Ｒ_ｒは、炭素原子数１〜１０のアルキル基からなる群より選択される。したがって特に上記の式（ＩＩ−９）の化合物は、Ｒ_ｒがアルキル基である化合物、すなわちトリシアノカルボン酸アルキル−エチレン、例えばＲ_ｒがメチル基であるトリシアノカルボン酸メチル−エチレンであってよい。

《式（ＩＩ−１０）の化合物》
（Ｒ及びＲ_ｒは上記のとおり）

《式（ＩＩ−１１）の化合物》
（Ｒは上記のとおり）

特に、式（ＩＩ−１１）の化合物に関し、Ｒはそれぞれ独立に、水素及びハロゲンからなる群より選択される。また、Ｒが全て水素である場合には、式（ＩＩ−２）の化合物は、炭酸ビニレンである。

《式（ＩＩ−１２）の化合物》
（Ｒ及びＲ_ｒは上記のとおり）

《有機半導体膜の生成方法》
有機半導体膜を生成する本発明の方法は、本発明の有機半導体膜形成用溶液を、基材に塗布して、膜を作製するステップ、そしてこの膜に減圧及び／又は加熱を行って、第１の付加化合物、及び随意に第２の付加化合物から二重結合を有する化合物（ＩＩ）を脱離及び除去して、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体膜を得るステップを含む。

この溶液の基材への塗布は、任意の様式で行うことができ、例えばキャスト法、スピンコート法、プリント法等によって行うこと等ができる。この溶液の基材への塗布は、単に溶液を基材に滴下して行うこともできる。

加熱及び／又は減圧によって化合物（ＩＩ）を脱離及び除去させる場合には、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物を実質的に分解させない任意の条件を用いることができる。したがって化合物（ＩＩ）の脱離及び除去は例えば、８０℃以上、１００℃以上、１２０℃以上、又は１４０℃以上であって、２００℃以下、２２０℃以下、２４０℃以下、２６０℃以下の温度で加熱を行うことができる。また、化合物（ＩＩ）の脱離及び除去は例えば、真空下又は大気圧下において行うことができる。また更に、化合物（ＩＩ）の脱離及び除去は例えば、窒素雰囲気下又は大気雰囲気下において行うことができる。特に、大気圧の大気雰囲気下において化合物（ＩＩ）の脱離及び除去を行うことは、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物の製造を容易にするために好ましい。

《有機半導体デバイスの製造方法》
有機半導体デバイスを製造する本発明の方法は、有機半導体膜を生成する本発明の方法によって有機半導体膜を生成するステップを含む。またこの方法は随意に、有機半導体膜の上側又は下側に、電極層及び／又は誘電体層を形成するステップを更に含むことができる。

《有機半導体デバイス》
本発明の有機半導体デバイスは、有機半導体膜を有する有機半導体デバイスであって、有機半導体膜が、有機半導体膜が、下記の式（Ｉ）を有する有機半導体化合物で作られており、且つ有機半導体膜が、下記の式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）が二重結合を介して脱離可能に付加されてなる第１の付加化合物、及び下記の（ａ）〜（ｃ）からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含有している：
Ａｒ_１Ａｒ_２Ａｒ_３ （Ｉ）
（Ａｒ_１及びＡｒ_３はそれぞれ独立に、２〜５個の芳香族環が縮合している置換又は非置換の縮合芳香族環部分から選択され、
Ａｒ_２は、１個の芳香族環からなる置換又は非置換の芳香族環部分、及び２〜５個の芳香族環が縮合している置換又は非置換の縮合芳香族環部分から選択され、
Ａｒ_１とＡｒ_２は、少なくとも２つの炭素原子を共有して縮合芳香環を形成しており、且つ
Ａｒ_２とＡｒ_３は、少なくとも２つの炭素原子を共有して縮合芳香環を形成している）；
（ａ）式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する第２の化合物（ＩＩ”）が二重結合を介して脱離可能に付加されてなる構造を有する第２の付加化合物、
（ｂ）二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）であって、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加できる化合物（ＩＩ’）、及び
（ｃ）二重結合を有する第２の化合物（ＩＩ”）であって、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加できる化合物（ＩＩ”）。

ここで、有機半導体膜が第１の付加化合物及び上記の（ａ）〜（ｃ）からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含有していることは、有機半導体膜が検知可能な量でこれらの化合物を含有していることを意味する。したがって例えば式（Ｉ）を有する有機半導体化合物に対するこれらの化合物のモル比は、１ｐｐｍ超、１０ｐｐｍ超、１００ｐｐｍ超、１，０００ｐｐｍ超、又は１０，０００ｐｐｍ（１％）超であってよい。また、式（Ｉ）を有する有機半導体化合物これらの化合物の割合は、１０ｍｏｌ％以下、５ｍｏｌ％以下、３ｍｏｌ％以下、１ｍｏｌ％以下、０．１ｍｏｌ％以下、又は０．０１ｍｏｌ％以下であってよい。

このような本発明の有機半導体デバイスは、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物と並んで第１の付加化合物及び上記の（ａ）〜（ｃ）からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含有しているにもかかわらず、有機半導体デバイスとしての特性を有することができる。すなわち、本発明の有機半導体デバイスの有機半導体膜を本発明の有機半導体膜形成用溶液から製造する場合、付加化合物の熱脱離反応及び結晶化抑制剤の除去が完全には進行しなくても、本発明の有機半導体デバイスは半導体デバイスとしての特性を有することができる。これは、本発明の有機半導体デバイス又はその有機半導体膜の製造を容易にするために好ましい。

特に本発明の有機半導体デバイスは、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び有機半導体膜を有する薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁膜によってソース電極及びドレイン電極とゲート電極とを絶縁し、且つゲート電極に印加される電圧によってソース電極からドレイン電極へと有機半導体を通って流れる電流を制御する薄膜トランジスタである。また特に本発明の有機半導体デバイスは、有機半導体膜を活性層として有する太陽電池である。

《実施例１》
この実施例では、２種類の付加化合物を含有する有機半導体膜形成用溶液を調製し、その固形物としての析出状態について確認した。

下記の参考例１０Ａでのようにして、ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）にＮ−フェニルマレイミド（ＰＭＩ）１分子が付加した付加化合物（ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ））を得た。ここで、このＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ）は、ＮＭＲの結果から、ｅｎｄｏ体であると推定される。また、下記の参考例１３でのようにして、ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）にＮ−シクロヘキシルマレイミド（ＣＨＭＩ）１分子が付加した付加化合物（ＤＮＴＴ−１ＣＨＭＩ）を得た。

合計で１．０質量％の量のＤＮＴＴ−１ＰＭＩ及びＤＮＴＴ−１ＣＨＭＩをクロロロホルムに加えて、有機半導体膜形成用溶液を得た。ここで、ＤＮＴＴ−１ＰＭＩとＤＮＴＴ−１ＣＨＭＩとのモル比は、１：１になるようにした。

〈結晶化の評価〉
この有機半導体膜形成用溶液をシリコンウエハに滴下し、溶媒であるクロロホルムを常温の大気中において揮発させて固形物を析出させた。この固形物の析出状態を顕微鏡にて観察した。結果を図１に示す。ここで、図１（ａ）は、この固形物の全体を示す写真であり、且つ図１（ａ）は、この固形物の拡大写真（５００倍）である。

図１から理解されるように、固形物が膜状に析出しており、実質的に結晶化が進行していないことが確認された。これは、有機半導体膜形成用溶液が２種類の付加化合物を含有していることにより、溶媒が揮発して固形物が析出する際に、結晶化が抑制されていることによると考えられる。

〈ＦＥＴの作製〉
この有機半導体膜形成用溶液を用いて、下記のようにして、ボトムコンタクトボトムゲート型ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子を作製した。

基材は、３００ｎｍのＳｉＯ_２酸化膜付ｎドープシリコンウェハー（面抵抗０．００５Ω・ｃｍ）のＳｉＯ_２酸化膜上に、チャネル長５０μｍ及びチャネル幅１．５ｍｍのソース／ドレイン金電極を作製して得た（ボトムコンタクト）。

有機半導体膜形成用溶液を、室温において基材のチャネル部に滴下し、速やかに揮発させて膜を得、そしてこの膜を加熱して有機半導体膜を得た。その後、窒素下において、２１０℃で２時間にわたってこの膜を加熱して、有機半導体膜を得た。

窒素下における加熱の前後において、この膜を観察した。結果を図２に示す。ここで、図２（ａ）は、加熱（アニール）の前の観察結果を示しており、また図２（ｂ）は、加熱の後の観察結果を示している。この図２からは、加熱によって、有機半導体膜全体にわたって微小な結晶粒子が析出することが理解される。

得られたＦＥＴの有機半導体膜の特性を評価すると、ｐ型半導体特性を示した。また、キャリア移動度は最大で０．０１ｃｍ^２／Ｖｓであり、且つオン／オフ比は最大で１０^５であった。

《実施例２》
この実施例では、付加化合物とこの付加化合物を構成する化合物とを含有する有機半導体膜形成用溶液を調製し、その固形物としての析出状態について確認した。

下記の参考例１０Ａでのようにして、ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）にＮ−フェニルマレイミド（ＰＭＩ）１分子が付加した付加化合物（ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ））を得た。ここで、このＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ）は、ＮＭＲの結果から、ｅｎｄｏ体であると推定される。

１．０質量％の量のＤＮＴＴ−１ＰＭＩ、及びＤＮＴＴ−１ＰＭＩに対して１ｍｏｌ％のＰＭＩをクロロロホルムに加えて、有機半導体膜形成用溶液を得た。

〈結晶化の評価〉
この有機半導体膜形成用溶液をシリコンウエハに滴下し、溶媒であるクロロホルムを常温の大気中において揮発させて固形物を析出させた。この固形物の析出状態を顕微鏡にて観察すると、固形物が膜状に析出しており、実質的に結晶化が進行していないことが確認された。これは、有機半導体膜形成用溶液が付加化合物とこの付加化合物を構成する化合物を含有していることにより、溶媒が揮発して固形物が析出する際に、結晶化が抑制されていることによると考えられる。

〈ＦＥＴの作製〉
この有機半導体膜形成用溶液を用いて、実施例１でのようにして、ボトムコンタクトボトムゲート型ＦＥＴ素子を作製した。得られたＦＥＴの有機半導体膜の特性を評価すると、ｐ型半導体特性を示した。また、キャリア移動度は最大で０．０１ｃｍ^２／Ｖｓであり、且つオン／オフ比は最大で１０^５であった。

《実施例３》
この実施例では、付加化合物とこの付加化合物を構成する化合物とを含有する有機半導体膜形成用溶液を調製し、その固形物としての析出状態について確認した。

下記の参考例１３でのようにして、ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）にＮ−シクロヘキシルマレイミド（ＣＨＭＩ）１分子が付加した付加化合物（ＤＮＴＴ−１ＣＨＭＩ）を得た。

１．０質量％の量のＤＮＴＴ−１ＣＨＭＩ、及びＤＮＴＴ−１ＣＨＭＩに対して１ｍｏｌ％のＰＭＩをクロロロホルムに加えて、有機半導体膜形成用溶液を得た。

〈結晶化の評価〉
この有機半導体膜形成用溶液をシリコンウエハに滴下し、溶媒であるクロロホルムを常温の大気中において揮発させて固形物を析出させた。この固形物の析出状態を顕微鏡にて観察すると、固形物が膜状に析出しており、実質的に結晶化が進行していないことが確認された。これは、有機半導体膜形成用溶液が付加化合物とこの付加化合物を構成する化合物を含有していることにより、溶媒が揮発して固形物が析出する際に、結晶化が抑制されていることによると考えられる。

〈ＦＥＴの作製〉
この有機半導体膜形成用溶液を用いて、実施例１でのようにして、ボトムコンタクトボトムゲート型ＦＥＴ素子を作製した。得られたＦＥＴの有機半導体膜の特性を評価すると、ｐ型半導体特性を示した。また、キャリア移動度は最大で０．０１ｃｍ^２／Ｖｓであり、且つオン／オフ比は最大で１０^５であった。

《比較例１》
この比較例では、付加化合物のみを含有する有機半導体膜形成用溶液を調製し、その固形物としての析出状態について確認した。

下記の参考例１０Ａでのようにして、ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）にＮ−フェニルマレイミド（ＰＭＩ）１分子が付加した付加化合物（ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ））を得た。ここで、このＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ）は、ＮＭＲの結果から、ｅｎｄｏ体であると推定される。

１．０質量％の量のＤＮＴＴ−１ＰＭＩをクロロロホルムに加えて、有機半導体膜形成用溶液を得た。

〈結晶化の評価〉
この有機半導体膜形成用溶液をシリコンウエハに滴下し、溶媒であるクロロホルムを常温の大気中において揮発させて固形物を析出させた。結果を図３に示す。ここで、図３は、この固形物の拡大写真（５００倍）である。

図３から理解されるように、固形物は粒子状に析出しており、固形物の膜状は得られなかった。これは、有機半導体膜形成用溶液から溶媒が揮発する間にＤＮＴＴ−１ＰＭＩの結晶化が進行したことによると考えられる。

〈ＦＥＴの作製〉
この有機半導体膜形成用溶液を用いて、実施例１でのようにして、ボトムコンタクトボトムゲート型ＦＥＴ素子を作製した。得られたＦＥＴの有機半導体膜の特性を評価が、半導体としての特性は得られなかった。また、得られたＦＥＴの有機半導体膜を偏光顕微鏡によって観察した。結果を図４に示す。図４から理解されるように、有機半導体が粒子を形成しており、電極間のチャネルにおいて有機半導体膜の経路が形成されていなかった。

《参考例》
以下の参考例では、式（Ｉ）の縮合多環芳香族化合物と二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）とが付加した構造を有する付加生成物について示す。

目的化合物の構造は、必要に応じて１Ｈ−ＮＭＲ（１Ｈ−核磁気共鳴スペクトル）、ＭＳ（質量分析スペクトル）、及び元素分析により決定した。使用した機器は以下のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ ：ＪＥＯＬ ＥＣＡ−５００ （５００ＭＨｚ）
ＭＳ ：Ｓｈｉｍａｚｕ ＱＰ−５０５０Ａ
元素分析 ：Ｐａｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ２４００ ＣＨＮ型元素分析計

また、付加反応について行ったコンピュータシュミレーションでの条件は、下記の通りである。

〈半経験手法〉
プログラム： ＭＯＰＡＣ３．０
ハミルトニアン： ＡＭ１
構造最適化： ＥＦ法で構造最適化

〈非経験手法〉
プログラム： Ｇａｕｓｓｉａｎ０３
相関交換関数： Ｂ３ＬＹＰ
基底関数系： ６−３１Ｇ（ｄ）
構造最適化： Ｂｅｒｎｙアルゴリズム

このコンピュータシュミレーションでは、原料化合物の生成熱、及びこれらの化合物の付加生成物の生成熱を求め、それによってこの付加生成物を生成する反応の実現可能性を評価した。ここでは、原料化合物の生成熱の合計と、これらの化合物の付加生成物の生成熱との差（相対生成熱）の値が、−２０ｋｃａｌ／ｍｏｌ（吸熱）よりも大きい場合、すなわち付加反応が発熱反応であるか又はわずかに吸熱反応である場合には、この付加生成物を生成する反応が実現可能であると考えられる。また、この相対生成熱の値が比較的小さく、例えば相対生成熱の値が−２０ｋｃａｌ／ｍｏｌよりも大きい吸熱反応又は２０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下の発熱反応である場合には、この付加反応が可逆的であると考えられる。なお、ＭＯＰＡＣは炭素及び水素のみを考慮した場合には非常に信頼性が高いものの、それ以外の元素が含まれる場合には、Ｇａｕｓｓｉａｎの信頼性が高い。

《参考例１Ａ》
特許文献２に示される手法により合成したジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ、ＭＷ＝３４０．４６、構造式を下記に示す）１００ｍｇ（０．２９３ｍｍｏｌ）に、ヘキサクロロシクロペンタジエン（ＨＣＣＰＤ、ＭＷ＝２７２．７７、構造式を下記に示す）２０ｇ（４７．６６ｍｍｏｌ）を加え、反応温度を２４時間にわたって１６０℃に保った。

その後、反応生成物を放冷して、ヘキサクロロシクロペンタジエン２付加ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ−２ＨＣＣＰＤ（ＴＴｓ）、Ｍｗ．８８６．００、２０ｍｇ、０．０２２５ｍｍｏｌ、収率＝７．７％、構造式を下記に示す）を得た。

尚、上記のようにして得たＤＮＴＴ−２ＨＣＣＰＤ（ＴＴｓ）は、高速液体クロマトグラフィ（Ａｇｉｌｅｎｔ １１００ Ｓｅｒｉｅｓ ＨＰＬＣ：Ｈｉｇｈ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ， ＳＨＩＳＥＩＤＯ ＣＡＰＣＥＬＬ ＰＡＫ Ｃ１８ ＴＹＰＥ ＵＧ１２０、溶媒：アセトニトリル／水）により精製した。

ＤＮＴＴ−２ＨＣＣＰＤ（ＴＴｓ）についての分析結果を下記に示す：
^１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．４３（ｓ，１Ｈ），８．３９（ｓ，１Ｈ），８．３３（ｓ，１Ｈ），８．２４（ｓ，１Ｈ），８．０５（ｍ，１Ｈ），７．９６（ｍ，１Ｈ），７．５５（ｍ，２Ｈ），４．２０（ｄ，Ｊ＝９．５Ｈｚ，１Ｈ），４．１６（ｄ，Ｊ＝９．５Ｈｚ，１Ｈ），３．６４（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，２Ｈ）
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ_３２Ｈ_１２Ｃｌ_１２Ｓ_２： Ｃ，４３．３７；Ｈ，１．３７
Ｆｏｕｎｄ： Ｃ，４１．９；Ｈ，１．３
ＭＳ（７０ｅＶ、ＤＩ）： ３４０ｍ／ｚ

質量分析（ＭＳ）の検出値（３４０ｍ／ｚ）は、ＤＮＴＴ（分子量３４０．４６）と一致しており、ＤＮＴＴ−２ＨＣＣＰＤ（ＴＴｓ）が質量分析（７０ｅＶ、ＤＩ）の条件に曝されることで、ＨＣＣＰＤが脱離してＤＮＴＴを再生していることが示されている。

上記合成で得られたＤＮＴＴ−２ＨＣＣＰＤ（ＴＴｓ）を、０．２質量％の濃度になるようにトルエンに溶解させて、半導体素子作成用溶液を調整した。

次に、３００ｎｍのＳｉＯ_２酸化膜付ｎドープシリコンウェハー（面抵抗０．００５Ω・ｃｍ）に対して、ＵＶオゾン処理を２０分にわたって行った（アイＵＶ−オゾン洗浄装置ＯＣ−２５０６１５−Ｄ＋Ａ、アイグラフィックス株式会社）。また、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＤＴＳ、信越化学ＬＳ−６４９５）１０ｍｍｏｌ／トルエン溶液を調製し、この溶液中に、ＵＶオゾン処理を行ったシリコン基板を２４時間浸漬させた。その後、真空蒸着法（サンユー電子、抵抗加熱方式蒸着装置：ＳＶＣ−７００ＴＭ／７００−２）により、チャネル長５０μｍ及びチャネル幅１．５ｍｍのソース／ドレイン金電極を、シリコン基板上に作製した。

このシリコン基板を４０℃に加熱しながら、チャネル部分に、半導体素子作成用溶液を滴下して溶媒を揮発させ、ＤＮＴＴ−２ＨＣＣＰＤ（ＴＴｓ）からなる薄層を形成した。このようにして作製した素子を、真空下において１８０℃で１時間にわたって加熱処理し、有機半導体素子を作製した。得られた有機半導体素子の概略を図５に示す。この図５で示す有機半導体素子では、シリコンウェハーである基材（ゲート電極）７上に、酸化ケイ素である誘電体層５が形成されており、この誘電体層５上に、ソース及びドレイン電極２及び３、そして有機半導体１が積層されている。

有機半導体特性の測定を行ったところ、ｐ型半導体を示した。キャリア移動度は、２×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓであり、オン／オフ比は１１３、閾値電圧１４．４Ｖであった。電界効果トタンジスタ（ＦＥＴ）としての出力特性及び伝達特性をそれぞれ、図６及び６に示す。ここで、図６は、縦軸がドレイン電流（Ｉ_Ｄ（Ａ））を示しており、横軸がドレイン電圧（Ｖ_Ｄ（Ｖ））を示している。また図７は、縦軸がドレイン電流（Ｉ_Ｄ（Ａ））を示しており、横軸がゲート電圧（Ｖ_Ｇ（Ｖ））を示している。

《参考比較例１Ａ》
ＨＣＣＰＤを付加させていない単独のＤＮＴＴを０．２質量％の濃度でトルエンに加えたが、ほとんど溶解しなかった。したがって、単独のＤＮＴＴは、溶液法で用いることができなかった。

《参考例１Ｂ》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）とヘキサクロロシクロペンタジエン（ＨＣＣＰＤ）との付加反応を、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）を用いるコンピュータシュミレーションによって確認した。

結果を下記の表に示す。なお、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）において、ＤＮＴＴの生成熱は１１７．２９ｋｃａｌ／ｍｏｌとし、ＨＣＣＰＤの生成熱は５．８６ｋｃａｌ／ｍｏｌであるとした。

表１の付加位置については、下記の化学式で示すように、「ｃ」は中央の位置、「ｚ」は近い硫黄（Ｓ）原子に対して同じ側（ｚｕｓａｍｍｅｎ）の末端の位置、「ｅ」は近い硫黄（Ｓ）原子に対して反対側（ｅｎｔｇｅｇｅｎ）の末端の位置で、ＤＮＴＴにＨＣＣＰＤが付加していることを示している。

また、表１において、「ａｎｔｉ」は、ＤＮＴＴの共役面に対して逆側からＨＣＣＰＤが付加していることを示しており、「ｉｓｏ」は、ＤＮＴＴの同じ側の末端に２つのＨＣＣＰＤが付加していることを示している。また更に、３つ以上のＨＣＣＰＤが付加している場合の「ａｎｔｉ」は、隣接する反対末端間でのＨＣＣＰＤ間の結合配座が「ａｎｔｉ」であることを示している。

表１の結果からは、ＤＮＴＴにＨＣＣＰＤが１つのみ付加する場合には、近い硫黄（Ｓ）原子に対して同じ側の末端の位置（付加位置「ｚ」、記号「ＤＮＴＴ−１ＨＣＣＰＤ（Ｔ）」）、及び近い硫黄（Ｓ）原子に対して反対側の末端の位置（付加位置「ｅ」、記号「ＤＮＴＴ−１ＨＣＣＰＤ（Ｔｂ）」）で、ＤＮＴＴにＨＣＣＰＤが付加することが理解される。また、この付加生成物に対して更にもう１つのＨＣＣＰＤが付加する場合には、既にＨＣＣＰＤが付加している末端と同じ末端（付加位置「ｉｓｏ」）に更に、ＨＣＣＰＤが付加することが理解される（記号「ＤＮＴＴ−２ＨＣＣＰＤ（ＴＴｓ）」）。

ＤＮＴＴにＨＣＣＰＤが２つ付加する場合にはＨＣＣＰＤが既に付加している末端と同じ末端（付加位置「ｉｓｏ」）に更にＨＣＣＰＤが付加するというこの結果は、参考例１Ａで得られた結果に対応している。したがって、ディールス−アルダー反応におけるコンピュータシュミレーションの適用の妥当性が理解される。

《参考例２Ａ》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ、ＭＷ＝３４０．４６）１７５０ｍｇ（５．１４ｍｍｏｌ）、Ｎ―スルホニルアセトアミド（ＮＳＡＡ、ＭＷ１０５．１２、構造式を下記に示す）１７．８３ｇ（１６９．６２ｍｍｏｌ、３３００ｍｏｌ％）、及び金属触媒試薬ＣＨ_３ＲｅＯ_３（ＡＣＲＯＳ Ａ０２４５３８７、ＭＷ２４９．２３）１２．８１ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）を、クロロホルム溶媒中において混合し、窒素下において６３℃で１５．５時間にわたって還流した。これにより、ＤＮＴＴとＮＳＡＡとのディールス−アルダー付加反応を行った。

その後、ろ過により固形物を取得し、これをクロロホルムで洗浄した。得られた緑色の固体１．８２ｇは、原料を含む不純物であることが確認された。

ろ過液にヘキサンを添加して再結晶させ、ろ過により０．２６３６ｇの黄色の固形物（３１．５ｍｇ）を得た。この固形物をＨＰＬＣにより分取し、ＤＮＴＴにＮＳＡＡ１分子が付加した付加化合物３１．５ｍｇ（ＤＮＴＴ−１ＮＳＡＡ、Ｍｗ＝４４５．５８、収率１．４ｍｏｌ％）を得た。この付加化合物の構造式を下記に示す。

得られたＤＮＴＴ−１ＮＳＡＡについての分析結果を下記に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．４２（ｓ，２Ｈ），８．３８（ｓ，２Ｈ），８．０５（ｍ，２Ｈ），７．９５（ｍ，２Ｈ），７．５４（ｍ，４Ｈ），２．０３（ｓ，３Ｈ）
ＭＳ（７０ｅＶ、ＤＩ）： ３３９．８５ｍ／ｚ

質量分析（ＭＳ）の検出値（３３９．８５ｍ／ｚ）は、ＤＮＴＴ（分子量３４０．４６）と一致しており、ＤＮＴＴ−１ＮＳＡＡが質量分析（７０ｅＶ、ＤＩ）の条件に曝されることで、ＮＳＡＡが脱離してＤＮＴＴが再生していることが示されている。

《参考例２》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）とＮ−スルホニルアセトアミド（ＮＳＡＡ）との付加反応を、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）及び非経験手法（Ｇａｕｓｓｉａｎ）を用いるコンピュータシュミレーションによって確認した。

結果を下記の表に示す。なお、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）において、ＤＮＴＴの生成熱は１１７．５６ｋｃａｌ／ｍｏｌとし、ＮＳＡＡの生成熱は−４９．２７ｋｃａｌ／ｍｏｌであるとした。

表２の付加位置については、下記の化学式で示すようにＤＮＴＴの炭素を番号付けし、ＮＳＡＡの窒素（Ｎ）原子及び硫黄（Ｓ）原子が配位する炭素を特定した。

表２の結果からは、ＤＮＴＴにＮＳＡＡが付加する反応が実現可能であり、この場合には、ＤＮＴＴの中央の位置にＮＳＡＡが付加することが理解される。

《参考例３》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）とシクロペンタジエン（ＣＰＤ、構造式を下記に示す）との付加反応を、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）及び非経験手法（Ｇａｕｓｓｉａｎ）を用いるコンピュータシュミレーションによって確認した。

結果を下記の表に示す。なお、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）において、ＤＮＴＴの生成熱は１１７．５６ｋｃａｌ／ｍｏｌとし、ＣＰＤの生成熱は３７．９７ｋｃａｌ／ｍｏｌであるとした。

表３の付加位置については下記に例示する。なお、表３の記号「ＣＰＤ−ＣＰＤ」は、２つのＣＰＤが付加した付加生成物を示している。

表３の結果からは、ＤＮＴＴにＣＰＤを付加する付加反応が、実現可能であることが理解される。

《参考例４》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）とフラン（ＦＲＮ、構造式を下記に示す）との付加反応を、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）及び非経験手法（Ｇａｕｓｓｉａｎ）を用いるコンピュータシュミレーションによって確認した。

結果を下記の表に示す。なお、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）において、ＤＮＴＴの生成熱は１１７．５６ｋｃａｌ／ｍｏｌとし、ＦＲＮの生成熱は２．９６ｋｃａｌ／ｍｏｌであるとした。

表４の付加位置については下記に例示する。なお、表４の記号「ＦＲＮ−ＦＲＮ」は、２つのＦＲＮが付加した付加生成物を示している。

表４の結果からは、ＤＮＴＴにＦＲＮを付加する付加反応が、実現可能であることが理解される。

《参考例５》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）とアントラセン（ＡＮＴＨ、構造式を下記に示す）との付加反応を、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）及び非経験手法（Ｇａｕｓｓｉａｎ）を用いるコンピュータシュミレーションによって確認した。

結果を下記の表に示す。なお、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）において、ＤＮＴＴの生成熱は１１７．５６ｋｃａｌ／ｍｏｌとし、ＡＮＴＨの生成熱は６２．９２ｋｃａｌ／ｍｏｌであるとした。

表５の付加位置については下記に示す。

表５の結果からは、ＤＮＴＴにＡＮＴＨを付加する付加反応が、実現可能であることが理解される。

《参考例６》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）とトリシアノ−カルボン酸メチル−エチレン（ＴＣＰＭ、構造式を下記に示す）との付加反応を、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）及び非経験手法（Ｇａｕｓｓｉａｎ）を用いるコンピュータシュミレーションによって確認した。

結果を下記の表に示す。なお、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）において、ＤＮＴＴの生成熱は１１７．５６ｋｃａｌ／ｍｏｌとし、ＴＣＰＭの生成熱は４０．２４ｋｃａｌ／ｍｏｌであるとした。

表６の付加反応の反応条件における「光」及び「熱」はそれぞれ、光及び熱によって付加反応を進行させられることを意味している。表６の付加位置については下記に例示する。

表６の結果からは、ＤＮＴＴにＴＣＰＭを付加する付加反応が、実現可能であることが理解される。

《参考例７》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）とカルボン酸メチルピロール（ＮＭＰＣ、構造式を下記に示す）との付加反応を、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）及び非経験手法（Ｇａｕｓｓｉａｎ）を用いるコンピュータシュミレーションによって確認した。

結果を下記の表に示す。なお、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）において、ＤＮＴＴの生成熱は１１７．５６ｋｃａｌ／ｍｏｌとし、ＮＭＰＣの生成熱は−３０．４６ｋｃａｌ／ｍｏｌであるとした。

表７の付加反応の反応条件における「光」及び「熱」はそれぞれ、光及び熱によって付加反応を進行させられることを意味している。表７の付加位置については下記に例示する。

表７の結果からは、ＤＮＴＴにＮＭＰＣを付加する付加反応が、実現可能であることが理解される。

《参考例８》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）とヒドロキシフェニル−マレイミド（ＨＯＰＭＩ、構造式を下記に示す）との付加反応を、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）及び非経験手法（Ｇａｕｓｓｉａｎ）を用いるコンピュータシュミレーションによって確認した。

結果を下記の表に示す。なお、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）において、ＤＮＴＴの生成熱は１１７．５６ｋｃａｌ／ｍｏｌとし、ＨＯＰＭＩの生成熱は−３８．１３ｋｃａｌ／ｍｏｌであるとした。

表８の付加反応の反応条件における「光」及び「熱」はそれぞれ、光及び熱によって付加反応を進行させられることを意味している。表８の付加位置については下記に例示する。

表８の結果からは、ＤＮＴＴにＨＯＰＭＩを付加する付加反応が、実現可能であることが理解される。

《参考例９》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）と炭酸ビニレン（ＶＣ（ビニレンカーボネート）、構造式を下記に示す）との付加反応を、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）及び非経験手法（Ｇａｕｓｓｉａｎ）を用いるコンピュータシュミレーションによって確認した。

結果を下記の表に示す。なお、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）において、ＤＮＴＴの生成熱は１１７．５６ｋｃａｌ／ｍｏｌとし、ＶＣの生成熱は−５９．３０ｋｃａｌ／ｍｏｌであるとした。

表９の付加反応の反応条件における「光」及び「熱」はそれぞれ、光及び熱によって付加反応を進行させられることを意味している。

表９の付加位置については、下記の化学式で示すとおりである。

Ｍ位：２−７
Ｌ位：４−５
Ｚ位：３−６
Ｔ位：３−４、又は５−６
Ｃ位：７ｂ−１４ｂ

表９の結果からは、ＤＮＴＴにＶＣを付加する付加反応が、実現可能であることが理解される。

《参考例１０Ａ》
特許文献２に示される手法により合成したジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ、ＭＷ＝３４０．４６）５００ｍｇ（１．４７ｍｍｏｌ）、Ｎ−フェニルマレイミド（ＰＭＩ、ＭＷ＝１７３．１６、構造式を下記に示す）２．５４ｇ（１４．７ｍｍｏｌ、１０００ｍｏｌ％ＤＮＴＴ基準）、ラジカル補足剤としてのヒドロキノン（ＭＷ１１０．１）１６．２ｍｇ（Ｎ−フェニルマレイミド基準で１ｍｏｌ％）を、メシチレン溶媒中で混合し、窒素下において１６０℃で２時間にわたって撹拌した。これにより、ＤＮＴＴとＰＭＩとのディールス−アルダー付加反応を行った。

反応後、ろ過により固形物を取得し、これをクロロホルムで洗浄した。この固形物は、ＮＭＲによりＤＮＴＴ（原料）であることが確認された（収量４２２．３ｍｇ、収率８４．５ｍｏｌ％）。

ろ過液を、ＨＰＬＣ（高速液体クロマトグラフィ、Ａｇｉｌｅｎｔ １１００ Ｓｅｒｉｅｓ ＨＰＬＣ：Ｈｉｇｈ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ， ＳＨＩＳＥＩＤＯ ＣＡＰＣＥＬＬ ＰＡＫ Ｃ１８ ＴＹＰＥ ＵＧ１２０、溶媒：アセトニトリル／水）により分取し、ＤＮＴＴにＰＭＩ１分子が付加した付加化合物１１３．２ｍｇ（ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ、Ｍｗ＝５１３．６３、収率１５．０ｍｏｌ％）を得た。

得られたＤＮＴＴ−１ＰＭＩは、２種の立体異性体（それぞれ「立体異性体Ａ」及び「立体異性体Ｂ」とする）の混合物であった。これらの立体異性体についての分析結果を下記に示す。なお、ＮＭＲの結果から、立体異性体Ａがｅｎｄｏ体であり、且つ立体異性体Ｂがｅｘｏ体であると推定される。

ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ）
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．３０ (Ｓ、１Ｈ )、８．２３（Ｓ、１Ｈ）、７．９５（ｍ、１Ｈ）、７．８９（ｍ、１Ｈ）、７．５０（ｍ、２Ｈ）、７．４７（ｍ、２Ｈ）、７．２５（ｍ、２Ｈ）、７．１２（ｔ、Ｊ＝７．３Ｈｚ，１Ｈ）、７．０７（ｄｄ、Ｊ＝７．３Ｈｚ、７．７Ｈｚ，２Ｈ）、６．５０（ｄ、Ｊ＝７．７Ｈｚ、２Ｈ）、５．３０（ｄ、Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ）、５．２２（ｄ、Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ）、３．５４（ｄｄ、Ｊ＝３．３Ｈｚ，８．１Ｈｚ，１Ｈ）、３．５１（ｄｄ、Ｊ＝３．３Ｈｚ、８．１Ｈｚ、１Ｈ）
ＭＳ（７０ｅＶ、ＤＩ）： ５１４．１０ｍ／ｚ

ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ｂ）
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．３３（ｓ、１Ｈ）、８．２５（ｓ、１Ｈ）、７．９７（ｍ、１Ｈ）、７．９０（ｍ、１Ｈ）、７．４９（ｍ、２Ｈ）、７．４２（ｍ、１Ｈ）、７．４０（ｍ、１Ｈ）、７．３１（ｍ、１Ｈ）、７．３０（ｍ、２Ｈ）、７．２６（ｍ、２Ｈ）、６．５３（ｍ、２Ｈ）、５．２２（ｄ、Ｊ＝３．３Ｈｚ、１Ｈ）、５．１８ (ｄ、Ｊ＝３．３Ｈｚ、１Ｈ)、３．５９（ｄｄ、Ｊ＝３．３Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ）、３．５６（ｄｄ、Ｊ＝３．３Ｈｚ、８．４Ｈｚ、１Ｈ）
ＭＳ（７０ｅＶ、ＤＩ）： ５１３．０５ｍ／ｚ

質量分析（ＭＳ）の検出値はいずれも、ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（Ｍｗ＝５１３．６３）と実質的に一致している。

示差熱天秤分析（Ｒｉｇａｋｕ ＴＧ−ＤＴＡ ＴＧ８１２０）を用いて、窒素下において１℃／ｍｉｎの昇温分析を行って、ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ及びＢ）の熱脱離特性を評価した。これによれば、ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ）では、１９５℃から２６０℃の温度範囲において、重量減少が３１．９ｗｔ％であった。また、ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ｂ）では、１５５℃から２６０℃の温度範囲において、重量減少が３２．７ｗｔ％であった。結果を図８に示す。ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（ＭＷ＝５１３．６３）から、ＰＭＩが逆ディールス−アルダー反応により熱脱離した場合、重量減少は−３３．７ｗｔ％（計算値）であるので、ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ及びＢ）での分析結果は、加熱によってＰＭＩが脱離したことを示している。また、ＮＭＲによれば、熱脱離後の試料がＤＮＴＴと一致することが確認された。

ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ及びＢ）をそれぞれ用いて、下記のようにして、ボトムコンタクトボトムゲート型ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子を作製した。

基材は、３００ｎｍのＳｉＯ_２酸化膜付ｎドープシリコンウェハー（面抵抗０．００５Ω・ｃｍ）のＳｉＯ_２酸化膜上に、チャネル長５０μｍ及びチャネル幅１．５ｍｍのソース／ドレイン金電極を作製して得た（ボトムコンタクト）。

この基材を５０℃に加熱しながら、ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ及びＢ）のクロロホルム３ｗｔ％溶液を、基材のチャネル部に滴下し、速やかに揮発させて膜を得、そしてこの膜を加熱して有機半導体膜を得た。ここで、ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ）ついては、窒素下において、２００℃で２時間の加熱を行った。また、ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ｂ）については、窒素下又は大気下において、１６０℃で２時間の加熱を行った。

得られた有機半導体膜の特性を評価すると、ｐ型半導体特性を示した。また、キャリア移動度は０．０１〜０．０００１ｃｍ^２／Ｖｓであり、且つオン／オフ比は１０^３〜１０^５であった。すなわち、ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ｂ）については、窒素下において加熱を行った場合だけでなく、大気下において加熱を行った場合にも、半導体特性が得られた。電界効果トタンジスタ（ＦＥＴ）としての出力特性及び伝達特性をそれぞれ、図９及び１０に示す。ここで、図９は、縦軸がドレイン電流（Ｉ_Ｄ（Ａ））を示しており、横軸がドレイン電圧（Ｖ_Ｄ（Ｖ））を示している。また図１０は、縦軸がドレイン電流（Ｉ_Ｄ（Ａ））を示しており、横軸がゲート電圧（Ｖ_Ｇ（Ｖ））を示している。

また、偏光顕微鏡によるチャネル部の観察によれば、加熱して有機半導体膜を得た後では、有機半導体膜の全面に微小な結晶が形成されていることが確認された。したがって、加熱によってＤＮＴＴ−１ＰＭＩからＰＭＩが脱離して、ＤＮＴＴの結晶が生成していることが確認された。

ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ｂ）から得られた有機半導体膜を有する上記のＦＥＴ素子に関して、有機半導体膜中における残留ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ及びＢ）の有無について、ＮＭＲにより確認した。結果を図１１に示す。なお、この図１１において、「ＤＮＴＴ」、「ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（Ａ）」、「ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（Ｂ）」、及び「ＦＥＴ ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（Ｂ）」はそれぞれ、ＤＮＴＴ、ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ）、ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ｂ）、及びＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ｂ）から得られた有機半導体膜についての分析結果を示している。

図１１によれば、ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ｂ）から得られた有機半導体膜では、ＤＮＴＴに相当するＮＭＲピークのみでなく、ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ及びＢ）両方に相当するＮＭＲピークが観測される。すなわち、有機半導体膜中にＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ及びＢ）が残留している場合であっても、十分な半導体特性を提供できることが確認された。ここで、ＤＮＴＴは溶解性が低く、したがってＮＭＲによってピークが観察されにくい。一方で、ＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ及びＢ）は溶解性が高いため、溶解分に相当したＮＭＲピークが観測されている。このため、このＮＭＲ結果からは、有機半導体膜におけるＤＮＴＴ−１ＰＭＩとＤＮＴＴとの比は判断できない。なお、図１１の「ＤＮＴＴ」のピークは、ノイズが大きくなっていることから理解されるように、他のピークと比較して倍率を大きくしている。また、有機半導体膜での検出されているＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ及びＢ）のＮＭＲピークの大きさが、ＤＮＴＴのピークと相対してほぼ同程度であることより、残留成分のＤＮＴＴ−１ＰＭＩ（立体異性体Ａ及びＢ）は、微少量であることが分かる。

《参考例１０Ｂ》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）とＮ−フェニルマレイミドとの付加反応を、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）及び非経験手法（Ｇａｕｓｓｉａｎ）を用いるコンピュータシュミレーションによって確認した。

結果を下記の表に示す。なお、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）において、ＤＮＴＴの生成熱は１１７．５６ｋｃａｌ／ｍｏｌとし、ＰＭＩの生成熱は５．８３ｋｃａｌ／ｍｏｌであるとした。

表１０の付加位置については、下記の化学式で示すとおりである。

Ｍ位：２−７
Ｃ位：７ｂ−１４ｂ
Ｚ位：３−６
ＭＭ位：２−７及び９−１４
ＺＺ位：３−６及び１０−１３
ＭＺ位及びＺＭ位：２−７及び１０−１３

表１０の結果からは、１分子のＤＮＴＴに１分子のＰＭＩを付加する付加反応、及び１分子のＤＮＴＴに２分子のＰＭＩを付加する付加反応が、実現可能であることが理解される。

《参考例１１》
ナフトアルデヒド（ＮＡＬ、構造式を下記に示す）とＮ−フェニルマレイミド（ＰＭＩ、構造式を下記に示す）との付加反応を、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）及び非経験手法（Ｇａｕｓｓｉａｎ）を用いるコンピュータシュミレーションによって確認した。

同様にして、３−メチルチオ−２−ナフトアルデヒド（ＭＴＮＡＬ、構造式を下記に示す）とＮ−フェニルマレイミド（ＰＭＩ、構造式を下記に示す）との付加反応を、コンピュータシュミレーションによって確認した。

結果を下記の表に示す。なお、上記の半経験手法（ＭＯＰＡＣ）において、ＮＡＬの生成熱は９．５８ｋｃａｌ／ｍｏｌとし、ＭＴＮＡＬの生成熱は１２．２８ｋｃａｌ／ｍｏｌとし、ＰＭＩの生成熱は５．８３ｋｃａｌ／ｍｏｌであるとした。

表９の付加反応の反応条件における「熱」は、熱によって付加反応を進行させられることを意味している。

表１１の付加位置は、下記のとおりである：
Ｍ位：１−４
Ｚ位：８−５

表１１の結果からは、ＮＡＬにＰＭＩを付加する付加反応、及びＭＴＮＡＬにＰＭＩを付加する付加反応が、実現可能であることが理解される。また、表１１の結果からは、下記のＥｎｄｏ体及びＥｘｏ体が、いずれも形成されることが理解される。

《参考例１２》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ、ＭＷ＝３４０．４６）５００ｍｇ（１．４７ｍｍｏｌ）、Ｎ−メチルマレイミド（ＭＭＩ、ＭＷ＝１１１．１）１．６３ｇ（１４．７ｍｍｏｌ、ＤＮＴＴ基準で１０００ｍｏｌ％）、ラジカル補足剤としてのヒドロキノン（ＭＷ１１０．１）１６．２ｍｇ（Ｎ−メチルマレイミド基準で１ｍｏｌ％）を、メシチレン溶媒中において混合し、窒素下において１６０℃で２時間にわたって撹拌した。これにより、ＤＮＴＴとＭＭＩとのディールス−アルダー付加反応を行った。

その後、ろ過により固形物を取得し、クロロホルムで洗浄した。この固形物は、ＮＭＲによりＤＮＴＴ（原料）であることが確認された（収量３４３．５ｍｇ、収率．６８．７ｍｏｌ％）。

ろ過液を、ＨＰＬＣにより分取し、ＤＮＴＴにＭＭＩ１分子が付加した付加物化合物１１３．２ｍｇ（ＤＮＴＴ−１ＭＭＩ、Ｍｗ＝４５１．５６、収率２８．５ｍｏｌ％）を得た。この付加化合物の構造式を下記に示す。

得られたＤＮＴＴ−１ＭＭＰは、２種の立体異性体（それぞれ「立体異性体Ａ」及び「立体異性体Ｂ」とする）の混合物であった。これらの立体異性体についての分析結果を下記に示す。なお、ＮＭＲの結果から、立体異性体Ａがｅｎｄｏ体であり、且つ立体異性体Ｂがｅｘｏ体であると推定される。

ＤＮＴＴ−１ＭＭＩ（立体異性体Ａ）
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．２８（ｓ，１Ｈ），８．１９（ｓ，１Ｈ），７．９４（ｍ，１Ｈ），７．８８（ｍ，１Ｈ），７．４７（ｍ，２Ｈ），７．４６（ｍ，１Ｈ），７．４２（ｍ，１Ｈ），７．２１（ｍ，２Ｈ），５．１８（ｄ，Ｊ＝２．９Ｈｚ，１Ｈ），５．１１（ｄ，Ｊ＝２．９Ｈｚ，１Ｈ），３．３７（ｄｄ，Ｊ＝２．９Ｈｚ，７．７Ｈｚ，１Ｈ），３．３５（ｄｄ，Ｊ＝２．９Ｈｚ，７．７Ｈｚ，１Ｈ），２．５３（ｓ，３Ｈ）
ＭＳ（７０ｅＶ、ＤＩ）： ４５１．００ｍ／ｚ

ＤＮＴＴ−１ＭＭＩ（立体異性体Ｂ）
^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．３２（ｓ，１Ｈ），８．２３（ｓ，１Ｈ），７．９５（ｍ，１Ｈ），７．８９（ｍ，１Ｈ），７．４９（ｍ，２Ｈ），７．３３（ｍ，１Ｈ），７．３１（ｍ，１Ｈ），７．１７（ｍ，２Ｈ），５．１１（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），５．０７（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），３．４３（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ），３．４０（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ），２．５２（ｓ，３Ｈ）
ＭＳ（７０ｅＶ、ＤＩ）： ４５１．３０ｍ／ｚ

質量分析（ＭＳ）の検出値はいずれも、ＤＮＴＴ−１ＭＭＩ（Ｍｗ＝４５１．５６）と実質的に一致している。

参考例１０Ａでのようにして示差熱天秤分析を用いて、ＤＮＴＴ−１ＭＭＩの熱脱離特性を評価した。これによれば、ＤＮＴＴ−１ＭＭＩ（立体異性体Ａ）では、２２０℃から２６０℃の温度範囲において熱脱離が起こった。なお、ＤＮＴＴ−１ＭＭＩ（立体異性体Ｂ）のサンプル微量であったため、熱脱離特性の評価が行えなかった。

ＤＮＴＴ−１ＭＭＩ（立体異性体Ａ）に関しては、参考例１０Ａでのようにして有機半導体膜を得て、半導体特性を評価した。ここで、有機半導体膜を得るための加熱は、窒素下において、２２５℃で２時間にわたって行った。得られた有機半導体膜の特性を評価すると、ｐ型半導体特性を示した。また、キャリア移動度は、０．０１〜０．０００１ｃｍ^２／Ｖｓであり、且つオン／オフ比は１０^３〜１０^５であった。

《参考例１３》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ、ＭＷ＝３４０．４６）５００ｍｇ（１．４７ｍｍｏｌ）、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド（ＣＨＭＩ、ＭＷ＝１７９．２２）２．６３ｇ（１４．７ｍｍｏｌ、ＤＮＴＴ基準で１０００ｍｏｌ％）、ラジカル補足剤としてのヒドロキノン（ＭＷ１１０．１）１６．２ｍｇ（Ｎ−フェニルマレイミド基準で１ｍｏｌ％）を、メシチレン溶媒中において混合し、窒素下において１６０℃で２時間にわたって撹拌した。これにより、ＤＮＴＴとＣＨＭＩとのディールス−アルダー付加反応を行った。

その後、ろ過により固形物を取得し、クロロホルムで洗浄した。この固形物は、ＮＭＲによりＤＮＴＴ（原料）であることが確認された（収量４７８．５ｍｇ、収率．９５．７ｍｏｌ％）。

ろ過液を、ＨＰＬＣにより分取し、ＤＮＴＴにＣＨＭＩ１分子が付加した付加化合物２８．９ｍｇ（ＤＮＴＴ−１ＣＨＭＩ、Ｍｗ＝５１９．１３、収率２．１ｍｏｌ％）を得た。この付加化合物の構造式を下記に示す。

得られたＤＮＴＴ−１ＣＨＭＩについての分析結果を下記に示す。なお、ＤＮＴＴ−１ＣＨＭＩに関しては、立体異性体は得られなかった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．３１（ｓ，１Ｈ），８．２３（ｓ，１Ｈ），７．９５（ｍ，１Ｈ），７．８９（ｍ，１Ｈ），７．４８（ｍ，２Ｈ），７．３３（ｍ，１Ｈ），７．３２（ｍ，１Ｈ），７．１７（ｍ，２Ｈ），５．０８（ｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，１Ｈ），５．０５（ｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，１Ｈ），３．５１（ｍ，１Ｈ），３．３３（ｄｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，８．３Ｈｚ，１Ｈ），３．３０（ｄｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，８．３Ｈｚ，１Ｈ），１．６８（ｍ，４Ｈ），１．５８（ｍ，１Ｈ），１．０９（ｍ，３Ｈ），０．８４（ｍ，２Ｈ）
ＭＳ（７０ｅＶ、ＤＩ）： ５１９．２０ｍ／ｚ

質量分析（ＭＳ）の検出値は、ＤＮＴＴ−１ＣＨＭＩ（Ｍｗ＝５１９．１３）と実質的に一致している。

参考例１０Ａでのようにして示差熱天秤分析を用いて、ＤＮＴＴ−１ＣＨＭＩの熱脱離特性を評価した。これによれば、ＤＮＴＴ−１ＣＨＭＩでは、２００℃から２８０℃の温度範囲において熱脱離が起こった。

ＤＮＴＴ−１ＣＨＭＩに関して、参考例１０Ａでのようにして有機半導体膜を得て、半導体特性を評価した。ここで、有機半導体膜を得るための加熱は、窒素下において、２１０℃で２時間にわたって行った。得られた有機半導体膜の特性を評価すると、ｐ型半導体特性を示した。キャリア移動度は、０．０１〜０．０００１ｃｍ^２／Ｖｓであり、且つオン／オフ比は１０^３〜１０^５であった。

《参考例１４》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ、ＭＷ＝３４０．４６）２０００ｍｇ（５．８７ｍｍｏｌ）、Ｎ−ベンジルマレイミド（ＢＺＭＩ、ＭＷ＝１８７．１９）１０．９９ｇ（５８．７ｍｍｏｌ、ＤＮＴＴ基準で１０００ｍｏｌ％）、ラジカル補足剤としてヒドロキノン（ＭＷ１１０．１）６４．８ｍｇ（Ｎ−ベンジルマレイミド基準で１ｍｏｌ％）をメシチレン溶媒中において混合し、窒素下において１６０℃で４時間にわたって撹拌した。これにより、ＤＮＴＴとＢＺＭＩとのディールス−アルダー付加反応を行った。

その後、ろ過により固形物を取得し、クロロホルムで洗浄した。この固形物は、ＮＭＲによりＤＮＴＴ（原料）であることが確認された（収量９８０ｍｇ、収率．４９．０ｍｏｌ％）。

ろ過液を、ＨＰＬＣにより分取し、ＤＮＴＴにＢＺＭＩ１分子が付加した付加化合物６５９．２ｍｇ（ＤＮＴＴ−１ＢＺＭＩ、Ｍｗ＝５２７．１０、収率２１．３ｍｏｌ％）を得た。この付加化合物の構造式を下記に示す。

得られたＤＮＴＴ−１ＢＺＭＩについての分析結果を下記に示す。なお、ＤＮＴＴ−１ＢＺＭＩに関しては、立体異性体は得られなかった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．３１（ｓ，１Ｈ），８．２２（ｓ，１Ｈ），７．９５（ｍ，１Ｈ），７．８９（ｍ，１Ｈ），７．４８（ｍ，２Ｈ），７．２３（ｍ，２Ｈ），７．１８（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１Ｈ），７．１４（ｄｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，７．３Ｈｚ，２Ｈ），６．９９（ｍ，２Ｈ），６．７５（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），５．０８（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），５．０５（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），４．２８（ｓ，２Ｈ），３．４４（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ），３．４１（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ）
ＭＳ（７０ｅＶ、ＤＩ）： ５２７．９５ｍ／ｚ

質量分析（ＭＳ）の検出値は、ＤＮＴＴ−１ＢＺＭＩ（Ｍｗ＝５２７．１０）と実質的に一致している。

参考例１０Ａでのようにして示差熱天秤分析を用いて、ＤＮＴＴ−１ＢＺＭＩの熱脱離特性を評価した。これによれば、ＤＮＴＴ−１ＢＺＭＩでは、１９０℃から２６０℃の温度範囲において熱脱離が起こった。

ＤＮＴＴ−１ＢＺＭＩに関して、参考例１０Ａでのようにして有機半導体膜を得て、半導体特性を評価した。ここで、有機半導体膜を得るための加熱は、窒素下において、２００℃で２時間にわたって行った。得られた有機半導体膜の特性を評価すると、ｐ型半導体特性を示した。それぞれのキャリア移動度は、０．０１〜０．０００１ｃｍ^２／Ｖｓであり、オン／オフ比は１０^３〜１０^５であった。

《参考例１５》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ、ＭＷ＝３４０．４６）５００ｍｇ（１．４７ｍｍｏｌ）、Ｎ−ｔ−ブチルマレイミド（ＴＢＭＩ、ＭＷ＝１５３．１８）２．２５ｇ（１４．７ｍｍｏｌ、ＤＮＴＴ基準で１０００ｍｏｌ％）、ラジカル補足剤としてのヒドロキノン（ＭＷ１１０．１）１６．２ｍｇ（Ｎ−ｔ−ブチルマレイミド基準で１ｍｏｌ％）をメシチレン溶媒中において混合し、窒素下において１６０℃で４時間にわたって撹拌した。これにより、ＤＮＴＴにＴＢＭＩとのディールス−アルダー付加反応を行った。

その後、ろ過により固形物を取得し、クロロホルムで洗浄した。この固形物は、ＮＭＲによりＤＮＴＴ（原料）であることが確認された（収量４８６ｍｇ、収率．９７．２ｍｏｌ％）。

ろ過液を、ＨＰＬＣにより分取し、ＤＮＴＴへのＴＢＭＩ１分子が付加した付加化合物２．１ｍｇ（ＤＮＴＴ−１ＴＢＭＩ、Ｍｗ＝４９３．６４、収率０．２９ｍｏｌ％）を得た。この付加化合物の構造式を下記に示す。

ＤＮＴＴ−１ＴＢＭＩについての分析結果を下記に示す。なお、ＤＮＴＴ−１ＴＢＭＩに関しては、立体異性体は得られなかった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．３１（ｓ，１Ｈ），８．２２（ｓ，１Ｈ），７．９５（ｍ，１Ｈ），７．８９（ｍ，１Ｈ），７．４８（ｍ，２Ｈ），７．３５（ｍ，１Ｈ），７．３３（ｍ，１Ｈ），７．１８（ｍ，２Ｈ），５．０６（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），５．０２（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），３．２３（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，８．８Ｈｚ，１Ｈ），３．１６（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，８．８Ｈｚ，１Ｈ），２．５９（ｓ，９Ｈ）

《参考例１５》
ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ、ＭＷ＝３４０．４６）５００ｍｇ（１．４７ｍｍｏｌ）、無水マレイン酸（ＭＡ、ＭＷ＝９８．０６）１．４４ｇ（１４．７ｍｍｏｌ、ＤＮＴＴ基準で１０００ｍｏｌ％）、ラジカル補足剤としてのヒドロキノン（ＭＷ１１０．１）１６．２ｍｇ（無水マレイン酸基準で１ｍｏｌ％）をメシチレン溶媒中において混合し、窒素下において１６０℃で４時間にわたって撹拌した。これにより、ＤＮＴＴとＭＡとのディールス−アルダー付加反応を行った。

その後、ろ過により固形物を取得し、クロロホルムで洗浄した。この固形物は、ＮＭＲによりＤＮＴＴ（原料）であることが確認された（収量４７２．２ｍｇ、収率．９４．４ｍｏｌ％）。

ろ過液を、ＨＰＬＣにより分取し、ＤＮＴＴにＭＡ１分子が付加した付加化合物３２．２ｍｇ（ＤＮＴＴ−１ＭＡ、Ｍｗ＝４３８．５２、収率５．０ｍｏｌ％）を得た。この付加化合物の構造式を下記に示す。

得られたＤＮＴＴ−１ＭＡについての分析結果を下記に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）： δ８．３１（ｓ，１Ｈ），８．２２（ｓ，１Ｈ），７．９５（ｍ，１Ｈ），７．８９（ｍ，１Ｈ），７．４８（ｍ，２Ｈ），７．２３（ｍ，２Ｈ），７．００（ｍ，２Ｈ），５．０９（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），５．０５（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），３．４４（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ），３．４１（ｄｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，８．４Ｈｚ，１Ｈ）
ＭＳ（７０ｅＶ、ＤＩ）： ３４１．３１ｍ／ｚ

質量分析（ＭＳ）の検出値は、ＤＮＴＴ（分子量３４０．４６）と一致しており、ＤＮＴＴ−１ＭＡが質量分析（７０ｅＶ、ＤＩ）の条件に曝されることで、ＭＡが脱離してＤＮＴＴが再生していることが示されている。

１ 有機半導体
２ ソース電極
３ ドレイン電極
５ 誘電体層（酸化ケイ素）
７ シリコンウェハー基材（ゲート電極）
１０ 有機半導体素子

Claims (20)

1. 有機溶媒、前記有機溶媒に溶解している第１の付加化合物、及び前記有機溶媒に溶解しており且つ前記第１の付加化合物の結晶化を抑制する結晶化抑制剤を含有しており；
   前記第１の付加化合物が、置換又は非置換の下記の式（Ｉ−４）の縮合多環芳香族化合物に、二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）が前記二重結合を介して脱離可能に付加されてなる構造を有し：
   （Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択される元素）
   前記結晶化抑制剤が、下記の（ａ）〜（ｃ）からなる群より選択される少なくとも１種の化合物であり、
   （ａ）式（Ｉ−４）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する第２の化合物（ＩＩ”）が二重結合を介して脱離可能に付加されてなる構造を有する第２の付加化合物、
   （ｂ）二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）であって、式（Ｉ−４）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加できる化合物（ＩＩ’）、及び
   （ｃ）二重結合を有する第２の化合物（ＩＩ”）であって、式（Ｉ−４）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加できる化合物（ＩＩ”）、
   二重結合を有する前記化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）がそれぞれ独立に、下記の式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−１２）のいずれかを有し：
   （Ｒ及びＲ _ｒ はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択される）；かつ
   前記式（Ｉ−４）の縮合多環芳香族化合物の置換が、ハロゲン、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のエステル基、炭素原子数１〜２０のエーテル基、炭素原子数１〜２０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、及び炭素原子数１〜２０のスルフィド基からなる群よりそれぞれ独立に選択される置換基によってなされている、
   有機半導体膜形成用溶液。
2. 前記結晶化抑制剤を、前記第１の付加化合物に対して０．１ｍｏｌ％〜１００ｍｏｌ％の割合で含有している、請求項１に記載の溶液。
3. 減圧及び／又は加熱によって、前記式（Ｉ−４）の縮合多環芳香族化合物から、二重結合を有する前記第１の化合物（ＩＩ’）及び／又は第２の化合物（ＩＩ’）を脱離させることができる、請求項１又は２に記載の溶液。
4. 二重結合を有する前記化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）が、下記の式（ＩＩ−６）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の溶液：
   
5. 二重結合を有する前記化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）が、下記の式（ＩＩ−１）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の溶液：
   
6. 二重結合を有する前記化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）が、下記の式（ＩＩ−２）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の溶液：
   
7. 二重結合を有する前記化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）が、下記の式（ＩＩ−３）を有する、請求項１又は２に記載の溶液：
   
8. 二重結合を有する前記化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）が、下記の式（ＩＩ−４）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の溶液：
   
9. 二重結合を有する前記化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）が、下記の式（ＩＩ−５）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の溶液：
   
10. 二重結合を有する前記化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）が、下記の式（ＩＩ−７）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の溶液：
    
11. 二重結合を有する前記化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）が、下記の式（ＩＩ−８）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の溶液：
    
12. 二重結合を有する前記化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）が、下記の式（ＩＩ−９）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の溶液：
    
13. 二重結合を有する前記化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）が、下記の式（ＩＩ−１０）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の溶液：
    
14. 二重結合を有する前記化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）が、下記の式（ＩＩ−１１）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の溶液：
    
15. 二重結合を有する前記化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）が、下記の式（ＩＩ−１２）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の溶液：
    
16. 請求項１〜１５のいずれか一項に記載の溶液を、基材に塗布して、膜を作製するステップ、そして
    前記膜を減圧及び／又は加熱して、前記第１の付加化合物から二重結合を有する第１の前記化合物（ＩＩ’）を脱離及び除去して、前記式（Ｉ−４）の縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体膜を得るステップ、
    を含む、有機半導体膜の生成方法。
17. 前記脱離及び除去を大気下で行う、請求項１６に記載の方法。
18. 請求項１５又は１６に記載の方法によって有機半導体膜を生成するステップを含む、有機半導体デバイスの製造方法。
19. 有機半導体膜を有する有機半導体デバイスであって、
    前記有機半導体膜が、置換又は非置換の下記の式（Ｉ−４）を有する有機半導体化合物で作られており：
    （Ｙはそれぞれ独立に、カルコゲンから選択される元素）
    前記有機半導体膜が、下記の式（Ｉ−４）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）が前記二重結合を介して脱離可能に付加されてなる第１の付加化合物、及び下記の（ａ）〜（ｃ）からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含有しており：
    （ａ）式（Ｉ−４）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を有する第２の化合物（ＩＩ”）が二重結合を介して脱離可能に付加されてなる構造を有する第２の付加化合物、
    （ｂ）二重結合を有する第１の化合物（ＩＩ’）であって、式（Ｉ−４）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加できる化合物（ＩＩ’）、及び
    （ｃ）二重結合を有する第２の化合物（ＩＩ”）であって、式（Ｉ−４）の縮合多環芳香族化合物に二重結合を介して脱離可能に付加できる化合物（ＩＩ”）；
    二重結合を有する前記化合物（ＩＩ’）及び（ＩＩ”）がそれぞれ独立に、下記の式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−１２）のいずれかを有し：
    （Ｒ及びＲ _ｒ はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、アミド基、メルカプト基、シアノ基、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数２〜１０のアルキニル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数４〜１０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数１〜１０のエステル基、炭素原子数１〜１０のエーテル基、炭素原子数１〜１０のケトン基、炭素原子数１〜１０のアミノ基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１０のイミド基、及び炭素原子数１〜１０のスルフィド基からなる群より選択される）；かつ
    前記式（Ｉ−４）の縮合多環芳香族化合物の置換が、ハロゲン、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数２〜２０のアルキニル基、炭素原子数４〜２０の置換又は非置換の芳香族基、炭素原子数２〜１０のエステル基、炭素原子数１〜２０のエーテル基、炭素原子数１〜２０のケトン基、炭素原子数１〜２０のアミノ基、炭素原子数１〜２０のアミド基、炭素原子数１〜２０のイミド基、及び炭素原子数１〜２０のスルフィド基からなる群よりそれぞれ独立に選択される置換基によってなされている、
    有機半導体デバイス。
20. ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び前記有機半導体膜を有する薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁膜によって前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ゲート電極とを絶縁し、且つ前記ゲート電極に印加される電圧によって前記ソース電極から前記ドレイン電極へと前記有機半導体を通って流れる電流を制御する薄膜トランジスタである、請求項１９に記載の有機半導体デバイス。