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JP5641330B2 - ポリカーボネート多層ポリマー構造体を作製する方法 - Google Patents

ポリカーボネート多層ポリマー構造体を作製する方法 Download PDF

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Description

本発明は、ビスフェノールAをベースとするポリカーボネートポリマーからそれぞれ作製された、少なくとも1つの第1のポリマー層および第2のポリマー層を有し、このポリマー層の間には素子が配置されている構造体を作製する方法に関し、次のステップを含む:素子は、第1のポリマー層の上に配置され、または第1のポリマー層の凹みに施され、次いで第1のポリマー層の上に、素子を被覆して第2のポリマー層が施され、そして第1のポリマー層および第2のポリマー層は、圧力下に、高い温度において定められた時間ラミネートされる。さらに本発明は、このような方法で得られる構造体と、セキュリティおよび/またはバリュードキュメントを作製するこの方法の使用、ならびにこれによって作製されたセキュリティおよび/またはバリュードキュメントに関する。
電子素子、特に集積回路(IC’s)のみならず、チップモジュール、ディスプレイ、バッテリー、コイル、コンデンサ、接点等を、ポリカーボネート(PC)ベースの記録体に集積する場合に、例えば、薄い半導体構造体に対して、熱的および機械的過負荷またはストレスによって、ラミネーションの間に素子が早期破壊する、あるいは寿命が減少するという問題がある。上記の種類の従来技術の方法では、例えば、個々のPC層のラミネーションによってスマートカード を製造するためには、PCフィルムは、チップの上に直接置かれる。工業的に確立された取り組み方では、調製されたカード構造体は、温度および圧力の下に一緒に圧縮されて、「準一体の」ブロックを形成する。PCは、この比熱転移係数およびこの比較的高いガラス転移点のためににより直ちに軟化することはないので、チップに直接高い圧力がかかり、この圧力が殆んどの場合に、チップの機械的な破壊をもたらす。
この問題を回避するには、当技術分野では、電子素子の上に自己接着性または弾性フィルムを使用することが知られている。したがって、チップなどの介在させた素子を含むPCフィルムは、素子が破壊される高いリスクを伴わずにカードに結合することができる。通常、これらの接着層は、カード構造体の弱点である。カード周辺部を通して、水蒸気および空気が容易に浸入し、このため後に剥離が生じる。別の環境の影響、特に高温度だけでなく、急速な温度変化でもカードが剥がれることがあり、もはや使用することはできない。さらに、例えば、空隙を充填することが重要な場合、50μm未満の厚さの接着剤フィルムは、工業的規模で取り扱うことが殆んど困難であるか、または全くできず、また可撓性がない。同様なことは、回折構造体、例えば体積ホログラムを有する素子に当てはまる。このホログラムをさらにPCフィルムで直接ラミネートして、カードを形成する場合、このことは、目に見えて測定可能な状態で、このホログラムの、表示品質、特に色彩および3次元外観を、ある種の状況下で低下させる。感光性ポリマーをベースとするほとんどの体積ホログラムは、明らかに150℃未満の軟化点またはガラス転移温度Tgを有する。ラミネーションの間に、当初未だ硬いPCフィルムを、このホログラムの軟らかい感光性ポリマーの上に圧縮する場合に、ブラッグプレーンが表示され、ある種のエレメントがこれらの波長において表示される。例えば、緑色画像エレメントは、黄色画像エレメントになる。さらに、特に体積ホログラムに対して、3次元外観は明らかに低下し、このホログラムはかなり平坦であるように見え、2次元的で、ウオッシュアウトされているように見える。また、これらの影響は、「硬い」PCが脆い表面に施され、機械的なストレスを起こし、または、例えば感光性ポリマーから作製された軟らかい本体を変形し、こうしてこれらの素子がこれらの機能において損なわれるという問題に基づいている。
文献EP 0688839 A2から、ジェミナルに二置換されたジヒドロキシジフェニルシクロアルカンをベースとするポリカーボネートは、それ自体は知られている。この従来技術では、このようなポリカーボネートは、シルクスクリーン印刷インキの結合剤として使用されている。また、この文献から、このようなポリカーボネートを作製する方法も入手できる。全内容を含むこの文献を、本出願の開示の範囲内で本明細書に含める。
EP 0688839 A2 DE 3832396.6 米国特許第3028365号 米国特許第2999835号 米国特許第3148172号 米国特許第3275601号 米国特許第2991273号 米国特許第3271367号 米国特許第3062781号 米国特許第2970131号 米国特許第2999846号 DE−A1570703 DE−2063050 DE−2063052 DE−2211956 FR−A1561518
「H.Schnell、Chemistry and Physics of Poricarbonates、Interscience Publishers、New York 1964」 「H.Schnell、Chemistry and Physics of Polycarbonates、Polymer Reviews、巻IX、頁33ff.、Interscience Publ.1964」 van Renesse、Optical Documennt Security、第3版、Artech House、2005
したがって、本発明の技術的な目的は、素子の破壊または損傷を減少させるか、防止して、製造される構造体の非常に高い集結度および耐久性が確保された、温度および/または圧力に敏感な素子を、ポリカーボネートの2つのポリマー層の間に、ラミネートする方法を提供することである。
この技術的な目的を達成するために、本発明は、ビスフェノールAをベースとするポリカーボネートポリマーからそれぞれ作製された、少なくとも1つの第1のポリマー層および第2のポリマー層を有し、第1のポリマー層と第2のポリマー層の間に素子が配置されている構造体を作製する方法を教示し、この方法は、次のステップを含む:a)素子が、第1のポリマー層上に配置されるか、第1のポリマー層の凹みに施されるステップ、b)第1のポリマー層が側板上にコートされ、この層の上またはこの層の中に、素子が、溶剤または溶剤の混合物、およびジェミナルに二置換されたジヒドロキシジフェニルシクロアルカンをベースとするポリカーボネート誘導体を含む液体調製剤を伴って、少なくとも素子の領域に配置されるステップ、c)場合によって、ステップb)の後に、乾燥されるステップ、d)ステップb)またはステップc)の後に、第2のポリマー層が第1のポリマー層の上に施され、素子を被覆するステップ、e)第1のポリマー層および第2のポリマー層が、圧力下に、120℃から200℃または220℃の温度において、定められた時間互いにラミネートされるステップ。
本発明は、本発明によって使用されるポリカーボネート誘導体は、既にフィルムおよび他の層(ビスフェノールAをベースとするポリカーボネート、Tg約150℃)のためのポリカーボネート材料の通常の軟化点未満の温度で、易流動性になり、同時に例えばMakrofol(登録商標)などのフィルムのためのポリカーボネート材料と親和性があるという発見に基づいている。標準のラミネーション温度よりも既に低い温度で易流動性の挙動を示すことは、圧力は既にかかっているが、ラミネートされるべき多層構造体が未だラミネーション温度に加熱されていない時に、ラミネーションの初期に、素子が受けるストレスが、より低い程度であるということである。高い親和性は、本発明により提供されるポリカーボネート誘導体を含む層が、フィルムのポリカーボネート材料と結合して、一体構造を形成することによって示される。これら材料間の層界面は、ラミネーションした後には光学的に検出することはできない。素子を保護するラミネーションは、高い親和性と関連して、特定の理論に縛られることなしに、驚くべきことには、第1の加熱の後に、ポリカーボネート誘導体の相の変化が起こる可能性があり、相の前記変化の間にガラス転移温度Tgが、ビスフェノールAをベースとするポリカーボネートのガラス転移温度Tgに近い値に上昇するということにも基づいている可能性がある。
結果として、本発明により使用されるポリカーボネート誘導体は、圧力および温度に感受性の高い素子を組み込む状況において、結合またはラミネーションを可能にし、ポリカーボネート誘導体は、それ自体、温度をかけた後に(例えばラミネーションの間)、「純粋な」ビスフェノールAをベースとするポリカーボネートと同じように振舞う。
本発明により使用されるポリカーボネート誘導体を含む層における、示差走査熱量測定ダイアグラムを示す図である。 半導体素子を含む多層構造体を作製するプロセスの流れを示す図である。 体積ホログラムを含む多層構造体を作製するプロセスの流れを示す図である。 ディスプレイを含む多層構造体を作製するプロセスの流れを示す図である。
本発明の別の利点は、本発明により使用される液体調製剤、特に溶液は、印刷技法によって適用することができ、したがって、通常の印刷方法(例えば、スクリーン、グラビア、凸版および平版印刷、ならびにインクジェット印刷)が、それぞれの側面から見て(薄い)層厚で使用できる。これは、表面に適用される接着剤フィルムと比較して、材料の実質的な節減となる。市販の接着系(例えば、エポキシドをベースとする)も理論的に印刷可能であるが、ラミネーションの間に変色するか、それらの接着特性を失うはずである。
また、この方印刷法は、位置を分散した方法で、位置を分散した、全面でない面への適用、および異なる層厚を可能にする。
印刷に加えて、液体調製剤は、ナイフコート、ディスペンス、スプレー、注型またはスプレッドでもコートすることができる。
原則的に、本発明には、任意の素子を使用することができる。しかし、本発明による利点は、電子素子または(体積)ホログラムなどの機械的および/または熱的に感受性の高い素子に関して、特に好ましい効果を有する。電子素子は、例えば集積回路、厚膜回路、いくつかの離散的、能動および受動素子、センサー、チップモジュール、ディスプレイ、バッテリー、コイル、コンデンサ、接点その他である。
ステップe)の特定の圧力(加工物における圧力)は、一般に1バールから10バールの範囲であり、特に3バールから7バールの範囲である。ステップe)の温度は、好ましくは140℃から180℃の範囲であり、特に150℃から170℃の範囲である。ステップe)の時間は、0.5秒から45秒、特に10秒から30秒である。
ステップc)において、乾燥は20℃から120℃、特に60℃から120℃、好ましくは80℃から110℃の範囲の温度において、少なくとも1分間、好ましくは5分間から600分間、特に10分間から120分間実施することができる。
ステップb)において生じる層厚(乾燥の前または後)は、例えば0.1μmから50μm、好ましくは1μmから10μm、特に2μmから5μmの範囲にある。
使用されるポリマー層は、20μmから1,000μm、特に50μmから300μmの範囲の厚さを有することができる。凹みが、ステップa)に施されている場合には、この深さは、ポリマー層の厚さの10%から100%であってよい。凹みの典型的な絶対値は、殆んどの場合、5μmから50μmの範囲にある。
ポリカーボネート誘導体が、少なくとも10,000、好ましくは20,000から300,000の平均分子量(平均重量)を有するならば、これは好ましいことである。
詳細には、ポリカーボネート誘導体は、式(I)の官能性カーボネート構造単位、
Figure 0005641330
[式中、RおよびRは、互いに独立して水素、ハロゲン、好ましくは塩素または臭素、C−Cアルキル、C−Cシクロアルキル、C−C10アリール、好ましくはフェニル、およびC−C12アラルキル、好ましくはフェニル−C−Cアルキル、特にベンジルであり、mは、4から7、好ましくは4もしくは5の整数であり、RおよびRは、それぞれのXに対して別々に選択可能であって、独立して水素またはC−Cアルキルを表し、Xは炭素、およびnは、ただし少なくとも1つの原子Xにおいて、20より大きい整数であり、RおよびRは、共にアルキルである]を含むことができる。
さらに、1から2個の原子Xにおいて、特に1個の原子Xにおいて、RおよびRは、共にアルキルである。 RおよびRは、特にメチルであってもよい。ジフェニル−置換されたC原子(C1)に対しアルファ位にあるX原子は、ジアルキル−置換されることはあり得ない。C1に対しベータ位にあるX原子は、アルキルで二置換されている。m=4もしくはm=5が好ましい。ポリカーボネート誘導体は、例えば、4,4’−(3,3,5−トリメチルシクロヘキサン−1,1−ジイル)ジフェノール、4,4’−(3,3−ジメチルシクロヘキサン−1,1−ジイル)ジフェノール、または4,4’−(2,4,4−トリメチルシクロヘキサン−1,1−ジイル)ジフェノールなどのモノマーをベースとして形成することができる。
本発明により使用されるポリカーボネート誘導体は、文献DE 3832396.6(全内容を含むこの開示の範囲を、本明細書に本記載の開示の範囲内で含める)に従って式(Ia)のジフェノールから、例えば作製することができる。
ホモポリカーボネートの形成を受けて式(Ia)の1つのジフェノール、ならびにコポリカーボネートの形成を受けて式(Ia)のいくつかのジフェノールを使用することができる(基、原子団およびパラメータは式Iと同一)。
Figure 0005641330

(Ia)
さらに高分子、熱可塑性、芳香族ポリカーボネート誘導体を作製するために、式(Ia)のジフェノールを他のジフェノール、例えば
Figure 0005641330

式(Ib)のジフェノールとの混合物の形で使用することもできる。
式(Ib)の適切な他のジフェノールは、式中、Zが6から30個のC原子を含む芳香族基であり、この芳香族基は1つまたはいくつかの芳香族核を含むことができ、置換されて、脂肪族基または式(Ia)のものとは違った他の脂環式基またはヘテロ原子を、ブリッジ部分として含むことができるジフェノールである。
式(Ib)のジフェノールの例は、ハイドロキノン、レゾルシン、ジヒドロキシジフェニル、ビ−(ヒドロキシフェニル)−アルケン、ビス−(ヒドロキシフェニル)−シクロアルカン、ビス−(ヒドロキシフェニル)−スルフィド、ビス−(ヒドロキシフェニル)−エーテル、ビス−(ヒドロキシフェニル)−ケトン、ビス−(ヒドロキシフェニル)−スルホン、ビス−(ヒドロキシフェニル)−スルホキシド、α,α’−ビス−(ヒドロキシフェニル)−ジイソプロピルベンゼン、およびこれらの核アルキル化およびこれらの核ハロゲン化化合物である。
これらのおよび他の適切なジフェノールは、例えば文献、米国特許第3028365号、
第2999835号、第3148172号、第3275601号、第2991273号、
第3271367号、第3062781号、第2970131号および第2999846号に、文献DE−A1570703、2063050、2063052、2211956、FR−A1561518に、および単行書「H.Schnell、Chemistry and Physics of Poricarbonates、Interscience Publishers、New York 1964」に記載されており、全内容を含むこれらを、本出願の開示の範囲内で本明細書に含める。
好ましい他のジフェノールは、例えば4,4’−ジヒドロキシジフェニル、2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−プロパン、2,4−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルブタン、1,1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサン、α,α−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−p−ジイソプロピルベンゼン、2,2−ビス−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロパン、2,2−ビス−(3−クロロ−4−ヒドロキシフェニル)−プロパン、ビス−(3,5−ジメチル−4ヒドロキシフェニル)−メタン、2,2−ビス−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロパン、ビス−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−スルホン、2,4−ビス−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルブタン、1,1−ビス−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサン、α,α−ビス−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−p−ジイソプロピルベンゼン、2,2−ビス−(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシフェニル)−プロパン、および2,2−ビス−(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)−プロパンである。
特に好ましい式(Ib)のジフェノールは、例えば、2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−プロパン、2,2−ビス−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロパン、2,2−ビス−(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシフェニル)−プロパン、
2,2−ビス−(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)−プロパン、および1,1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンである。特に2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−プロパンが好ましい。他のジフェノールを、個々にならびに混合物として使用することができる。
式(Ia)のジフェノールの、適切であれば、さらに使用される他の式(Ib)のジフェノールに対するモル比は、100モル%(Ia)から0モル%(Ib)の間および2モル%(Ia)から98モル%(Ib)の間、好ましくは100モル%(Ia)から0モル%(Ib)の間および10モル%(Ia)から90モル%(Ib)の間、および特に100モル%(Ia)から0モル%(Ib)の間および30モル%(Ia)から70モル%(Ib)の間であるべきである。
式(Ia)のジフェノールからの高分子量ポリカーボネートは、適切であれば、他のジフェノールと組み合わせて、知られているポリカーボネート製造方法によって作製することができる。異なるジフェノールは、統計的に、ならびに区分的にも結合させることができる。
本発明により使用されるポリカーボネート誘導体は、それ自体は知られた方法で分岐させることができる。分岐が望まれる場合には、これは少量、好ましくは0.05モル%と2.0モル%の間(使用されるジフェノールに対して)の3つ以上の官能性化合物、特に3つ以上のフェノール性ヒドロキシル基を有するような化合物を縮合させることによって、それ自体は知られた方法で達成することができる。3つ以上のフェノール性ヒドロキシル基を有する分岐剤は、フロログルシン、4,6−ジメチル−2,4,6,−トリ−(4−ヒドロキシフエニル)−ヘプタン−2、4,6−ジメチル−2,4,6,−トリ−(4−ヒドロキシフエニル)−ヘプタン、1,3,5−トリ−(4−ヒドロキシフエニル)−ベンゼン、1,1,1−トリ−(4−ヒドロキシフエニル)−エタン、トリ−(4−ヒドロキシフエニル)−フエニルメタン、2,2−ビス−[4,4−ビス−(4−ヒドロキシフエニル)−シクロヘキシル]−プロパン、2,2−ビス−(4−ビス−(4−ヒドロキシフエニル−イソプロピル)−フェノール、2,6−ビス−(2−ヒドロキシ−5−メチル−ベンジル)−4−メチルフェノール、2−(4−ヒドロキシフエニル)−2−(2,4−ジヒドロキシフエニル)−プロパン、ヘキサ−[4−(4−ヒドロキシフエニル−イソプロピル)−フェニル]−オルトテレフタル酸エステル、テトラ−(4−ヒドロキシフエニル)−メタン、テトラ−[4−(4−ヒドロキシフエニル−イソプロピル)フェノキシ]−メタン、および1,4−ビス−[4’,4’’−(4−ジヒドロキシトリフエニル)−メチル]−ベンゼンである。他の3官能性化合物のいくつかは、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、トリメシン酸、シアヌル酸塩化物、および3,3−ビス−(3−メチル−4−ヒドロキシフエニル)−2−オキソ−2,3,−ジヒドロインドールである。
ポリカーボネート誘導体の分子量を、それ自体知られているように制御するには、分子鎖停止剤として通常の濃度で、一官能性の化合物を使用する。適切な化合物は、例えばフェノール、t−ブチルフェノールまたは他のアルキル置換されたフェノールである。分子量を制御するには、特に少量の式(Ic)の化合物
Figure 0005641330

(Ic)
[式中、Rは、分岐したCおよび/または分岐したCアルキル基である]が適切である。
好ましくはアルキル基中のCHプロトンの構成比は、47%と89%の間にあり、CHおよびCHのプロトンの構成比は、53%と11%の間にある。さらに、好ましくはRは、OH基に対しオルト位および/またはパラ位にあり、特に好ましくはオルト構成比の上限は、20%である。分子鎖停止剤は、一般に使用されるジフェノールに対して、0.5モル%から10モル%、好ましくは1.5%から8モル%の量で使用される。
ポリカーボネート誘導体は、好ましくはそれ自体知られた方法で、相界面法(H.Schnell、Chemistry and Physics of Polycarbonates、Polymer Reviews、巻IX、頁33ff.、Interscience Publ.1964参照のこと)により作製することができる。
本明細書では、式(Ia)のジフェノールは、水性のアルカリ性の相に溶解される。他のジフェノールによりコポリカーボネートを作製するには、式(Ia)と他のジフェノール、例えば式(Ib)のジフェノールとの混合物が使用される。分子量を制御するには、例えば式(Ic)の分子鎖停止剤を添加することができる。次いで反応を、不活性な、好ましくはポリカーボネートを溶解するホスゲンを含む有機相の存在下で、相界面縮合の方法により実施する。反応温度は、0℃と40℃の間である。
適切であれば、また使用される分岐剤(好ましくは0.05から2.0モル%)は、水性のアルカリ性の相にジフェノールと共に存在させることができるか、またはホスゲン化の前に有機溶剤中に溶解して添加することができる。式(Ia)のジフェノールの他に、適切であれば、他のジフェノール(Ib)、したがって、これらのモノ−および/またはビス−クロロカルボン酸エステルも使用することができ、後者は、有機溶剤中に溶解させて添加する。分子鎖停止剤の量および分岐剤の量は、さらに式(Ia)、適切であれば、式(Ib)に対応するジフェノラート基のモル量に依存し、またクロロカルボン酸エステルが使用される場合には、ホスゲンの量は、それに応じて知られた方法において減少させることができる。
分子鎖停止剤および、適切であれば、分岐剤およびクロロカルボン酸エステルに対する適切な有機溶剤は、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン、および特に塩化メチレンおよびクロロベンゼンの混合物である。適切であれば、使用される分子鎖停止剤および分岐剤は同じ溶剤に溶解させてもよい。
相界面ポリ縮合に対する有機相として、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン、および塩化メチレンおよびクロロベンゼンの混合物が使える。
水性のアルカリ性の相として、例えばNaOH溶液が使える。相界面法によるポリカーボネート誘導体の作製は、トリブチルアミンまたはトリエチルアミン等の特に第三脂肪族アミンなどの触媒により、通常の方法で触媒することができ、この触媒は、使用されるジフェノールに対して0.05モル%から10モル%の量で使用することができる。この触媒は、ホスゲン化の前、またはホスゲン化の間または後にも、添加することができる。
ポリカーボネート誘導体は、均一相において、従来技術の方法、いわゆる“ピリジン法”
により、ならびに例えばホスゲンの換わりにジフェニルカーボネートを使用することによる、溶融物をエステル交換する方法により作製することができる。
ポリカーボネート誘導体は、直鎖または分岐していてよく、これらは式(Ia)のジフェノールをベースとする、ホモポリカーボネートまたはコポリカーボネートであり得る。
他のジフェノールを含む、特に式(Ib)のジフェノールを含む任意の組成物によって、ポリカーボネート特性は、好ましい形に変化させることができる。このようなコポリカーボネート中には、式(Ia)のジフェノールが、ポリカーボネート誘導体の形で、ジフェノール単位の100モル%に対して、100モル%から2モル%の量で、好ましくは100モル%から10モル%の量で、特に100モル%から30モル%の量で含まれる。
本発明の特に有利な実施形態は、このポリカーボネー誘導体が、特に式(Ib)をベースとするモノマー単位M1、好ましくはビスフェノールAおよびジェミナルに二置換されたジヒドロキシジフェニルシクロアルカン、好ましくは4,4’−(3,3,5−トリメチルシクロヘキサン−1,1−ジイル)ジフェノールを含む[ここで、モル比M2/M1は、好ましくは0.5より大きい]ことを特徴とする。このようなコポリマーに対して、驚くべきことには、第1の加熱サイクルの後の150℃未満のガラス転移点Tgが、第2の加熱サイクルにおいて上昇し得ることが、(このことは、得られる構造の安定性を実質的に向上させることになる)既にはっきりと見出されている。
A)本発明により使用されるポリカーボネート誘導体の1重量%から30重量%、好ましくは10重要%から25重量%、特に15重量%から20重量%、およびB)有機溶剤のまたは溶剤の混合物の70重量%から99重量%、好ましくは75重量%から90重量%、特に80重量%から85重量%を含む液体調製剤が、極めて好ましい。
液体調製剤は、いわゆる官能性材料含むことができる。これらは、当分野の技術者(また、van Renesse、Optical Documennt Security、第3版、Artech House、2005参照のこと)によく知られている材料であり、これらは、セキュリティおよび/またはバリュードキュメントの保護のために使用される。それらには、例えば光蛍光体、電子蛍光体、反ストークス蛍光体などの発光物質(染料または顔料、有機または無機)、ならびに磁化可能な、光音響的にアドレス可能な、または圧電的な材料が属する。これは、蛍光物質ならびに燐光物質を含む。さらに、ラマン活性またはラマン増幅材料を、いわゆるバーコード材料と同様に使用することができる。
使用される有機溶剤は、好ましくはハロゲンを含まない有機溶剤である。これらは、特にメシチレン、1,2,4−トリ−メチルベンゼン、クメンおよびソルベントナフサ、トルエン、キシレンなどの脂肪族、脂環族、芳香族炭化水素、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシプロピル酢酸、エチル−3−エトキシプロピオン酸などの(有機)エステルである。メシチレン、1,2,4−トリ−メチルベンゼン、キュメンおよびソルベントナフサ、トルエン、キシレン、酢酸メチルエステル、酢酸エチルエステル、メトキシプロピル酢酸、エチル−3−エトキシプロピオン酸が好ましい。メシチレン(1,3,5−トリメチルベンゼン、1,2,4−トリメチルベンゼン、クメン(2−フェニルプロパン)、ソルベントナフサおよびエチル−3−エトキシプロピオン酸が好ましい。
溶剤の適切な混合物は、例えばA)メシチレン、0重量%から10重量%、好ましくは1重量%から5重量%、特に2重量%から3重量%、B)1−メトキシ−2−プロパノール−酢酸、10重量%から50重量%、好ましくは25重量%から50重量%、特に30重量%から40重量%、C)1,2,4−トリ−メチルベンゼン、0重量%から20重量%、好ましくは1重量%から20重量%、特に7重量%から15重量%、D)エチル−3−エトキシプロピオン酸、10重量%から50重量%、好ましくは25重量%から50重量%、特に30重量%から40重量%、E)クメン、0重量%から10重量%、好ましくは0.01重量%から2重量%、特に0.05重量%から0.5重量%、およびソルベントナフサ、0重量%から80重量%、好ましくは1重量%から40重量%、特に15重量%から25重量%を含み、成分A)からE)の相対的な量の合計は、常に100重量%になる。
素子上の温度ストレスを低くするために、ステップe)の温度は、120℃から220℃、特に120℃から200℃の範囲にある場合が好ましい。ステップe)の初期において、温度は、120℃から150℃、およびステップe)の終わりにおいて150℃から200℃または220℃であってよい。
一般に、第1のポリカーボネート層および第2のポリカーボネート層は、145℃を超える、特に147℃を超えるガラス転移点を有する。
第1のポリカーボネート層および第2のポリカーボネート層の厚さは、同一または異なって、10μmから1,000μmの範囲、特に20μmから200μmの範囲であってよい。ポリカーボネート層の主たる面に垂直な方向で測定した素子の厚さは、例えば0.1μmから50μm、特に1μmから30μmの範囲である。
本発明は、さらに本発明による方法によって得られる構造体に関する。構造的な特徴として、このような構造体は、第1のポリカーボネート層、第2のポリカーボネート層、第1のポリカーボネート層と第2のポリカーボネート層との間に配置された素子、および、第1のポリカーボネート層を第2のポリカーボネート層に結合し、ポリカーボネート層と中間層とを互いに強固に結合する、ジェミナルに二置換されたジヒドロキシジフェニルシクロアルカンをベースとするポリカーボネート誘導体を含む中間層を包含することができる。
さらに本発明は、セキュリティおよび/またはバリュードキュメントを作製する本発明による方法の使用に関し、ここで、場合によって、この構造体の製造と同時に、その前または後に、第1のポリカーボネート層および/または第2のポリカーボネート層は、少なくとも1つの追加の層、例えば印刷層と直接的または間接的に結合される。セキュリティおよび/またはバリュードキュメントの例は、身分証明書、パスポート、IDカード、アクセス管理カード、ビザ、税記号、切符、自動車免許証、車両記録、紙幣、小切手、郵便切手、クレジットカード、いずれかのチップカードおよび接着ラベル(例えば製品保護用)である。このようなセキュリティおよび/またはバリュードキュメントは、一般に少なくとも1つの基体、印刷層および場合によって透明な被覆層を含む。基体、印刷層および被覆層自体は、多数の層から成り得る。基体は、担体構造体であり、この上に情報、画像、パターンその他を含む印刷層が適用される。基体用の材料として、紙および/または(有機)ポリマー基礎原料上の全ての通常の材料を使用することができる。このようなセキュリティおよび/またはバリュードキュメントは、全多層構造体の中に本発明による構造体を含む。本発明による構造体に加えて、少なくとも1つの印刷層を施すことができ、適切であれば、いくつかの印刷層を施すことができ、これらは2つのポリマー層の間に、この構造体の外面上に、またはこの構造体で結合された追加の層上に適用することができる。
以下、本発明を、実施形態を参照してさらに詳細に記載するが、本発明を限定するものではない。
本発明により使用されるポリカーボネート誘導体の作製
実施例1.1から実施例1.5のポリカーボネート誘導体が好ましい。
(実施例1.1)
第1のポリカーボネート誘導体の作製
ビスフェノールA(2,2−ビス−(4−ジヒドロキシジフェニル)−プロパン205.7g(0.90モル)、1,1−ビス−(4−ヒドロキシフエニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン30.7g(0.10モル)、KOH336.6g(6モル)、および水2,700gを、不活性ガス雰囲気中で撹拌下に溶解させる。次いで塩化メチレン2,500ml中のフェノール1.88gの溶液を添加する。よく撹拌した溶液の中に、ホスゲン198g(2モル)をpH13からpH14で、21℃から25℃で導入する。次いで、エチルピペリジン1mlを添加し、さらに45分間撹拌する。リン酸で酸性化した後に、ビスフェノラートを含まない水相を分離し、有機相を中性になるように水で洗浄し、有機相から水を除去する。
このポリカーボネート誘導体は、相対溶液粘度1.255を有した。
(実施例1.2)
第2のポリカーボネート誘導体の作製
実施例1と類似の方法において、ビスフェノールA181.4g(0.79モル)および1,1−ビス−(4−ヒドロキシフエニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン63.7g(0.21モル)の混合物を反応させて、ポリカーボネートを得た。
このポリカーボネート誘導体は、相対溶液粘度1.263を有した。
(実施例1.3)
第3のポリカーボネート誘導体の作製
実施例1と類似の方法において、ビスフェノールA149.0g(0.65モル)および(4−ヒドロキシフエニル)−プロパンおよび1,1−ビス−(4−ヒドロキシフエニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン107.9g(0.35モル)の混合物を反応させて、ポリカーボネートを得た。
このポリカーボネート誘導体は、相対溶液粘度1.263を有した。
(実施例1.4)
第4のポリカーボネート誘導体の作製
実施例1と同様にして、ビスフェノールA205.7g(0.90モル)および1,1−ビス−(4−ヒドロキシフエニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン30.7g(0.10モル)の混合物を反応させて、ポリカーボネートを得た。
(実施例1.5)
第5のポリカーボネート誘導体の作製
実施例1同様にして、ビスフェノールA181.4g(0.79モル)および1,1−ビス−(4−ヒドロキシフエニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン63.7g(0.21モル)の混合物を反応させて、ポリカーボネートを得た。
本発明により使用される液体調製剤の作製
調製剤を、印刷技法により、例えばシルクスクリーン印刷の方法によって適用するとき、次の溶液を調製する:実施例1.3から得られるポリカーボネートおよび、以下を含む溶媒混合物82.5%:
メシチレン 2.4
1−メトキシ−2−プロパノール酢酸 34.95
1,2,4−トリメチルベンゼン 10.75
エチル−3−エトキシプロピオン酸 33.35
クモル 0.105
ソルベントナフサ 18.45
20℃において溶液粘度800ミリパスカルを有する無色の、高粘性溶液が得られた。
実施例3からのポリカーボネート誘導体を含むコーティングのガラス転移温度の測定。
実施例2の溶剤混合物中の実施例1.3からのポリカーボネート誘導体溶液を作製した。ポリカーボネート誘導体の構成比は10重量%、溶剤混合物構成比は90重量%である。
得られた溶液をシルクスクリーン印刷の方法によってガラスプレート上に印刷した。結果として、5μmの層厚が得られた。このコーティングをドライボックスの中で、100℃で1時間乾燥した。次いでこの乾燥フィルムをガラスプレートから取り外し、示差走査熱量測定法(DSC)の方法によって検査した。
乾燥後、第1の加熱ステップの後に、軟化温度Tg=112℃を検出した。冷却後および第2の加熱ステップの後にだけ、それぞれTg=185℃において期待された転移が観察された。DSC(示差走査熱量測定法)線図を図1に示す。第1の加熱ステップにおける低いTg値は、比較的低い温度でのラミネーションを可能にする。
本発明による構造体の作製
ポリカーボネートフィルム1Makrofol(登録商標)6−2(厚さ、約100μm)を、銅から作製されたトランスポンダーアンテナ2および銀ペーストで被覆した。トランスポンダーアンテナ2のエレメントは、約12μmの厚さを有する。トランスポンダーアンテナ2の所与の接触領域の上に、半導体素子3、電子的トランスポンダー機能を制御する15μmのフレックスチプを配置する(図2a)。次に上に挙げた素子2、3を施したポリカーボネートフィルムの側面に、実施例2による組成物からの層4を、シルクスクリーン印刷の方法によって施す(図2b)。シルクスクリーン印刷を2回行う。次いで大気中、100℃で60分間乾燥する。乾燥されたポリカーボネート誘導体の、約3.3μmの層厚(図2b)が得られる。素子2、3およびポリカーボネート誘導体層4を伴ったこのポリカーボネートフィルム1を、別のポリカーボネートフィルム5Makrofol(登録商標)6−2(厚さ、約100μm)で被覆し、こうして得られる構造体を、適切であれば、さらに積み重ねたポリマー層により、通例の圧力(約5バール)の作用下で、約160℃から200℃以上において、通常の工業的ラミネートプレスでラミネートする(図2c)。
比較実験を、ポリカーボネート誘導体層4なしで、対応する方法で行った。
本発明による動作可能な素子の収率は、約75%であったが、ポリカーボネート誘導体なしの方法では、結果として約25%であった。
この構造体の光学的検査は、この領域に認識し得る相限界をなんら示さず、このポリカーボネートフィルム1、5は、直接(またはポリカーボネート誘導体からの層4によってのみ)互いに結合された。この構造体は、一体のブロックである。
ラミネートされるべき素子のその他の例は、体積ホログラム6であり、これは、例えば10μmの厚さを有する。上述のバリアントに対し類似の方法で処理が行われ、図3a〜図3cに参照されている。1つの構造体が得られ、このラミネートされたホログラム6は、色彩を含めて、画像品質に関する全ての必要条件を満たす。
ラミネートされるべき他の素子のその他の例は、ディスプレイ7または本記載の他の一般部分に挙げられている電子素子であってよい。このような素子7が、30μmを超える層厚を有する場合は、この素子は、ポリカーボネートフィルム1の上に施すのではなく、ポリカーボネートフィルム1の凹み8の中に施す。次いでポリカーボネート誘導体を含むコーティングは、挿入された素子7を有する凹み8において、いかなる中空の場所も残されず、ポリカーボネート誘導体による完全な充填が達成されるように適切になされる。それぞれのプロセスの流れを図4a〜4cに示す。

Claims (19)

  1. 次のステップ、
    a)素子が、第1のポリマー層(1)上に配置されるか、第1のポリマー層(1)の凹みに施されるステップ、
    b)第1のポリマー層(1)が側板上にコートされ、この層の上またはこの層の中に、素子(2,3,6,7)が、溶剤または溶剤の混合物およびジェミナルに二置換されたジヒドロキシジフェニルシクロアルカンをベースとするポリカーボネート誘導体を含む液体調製剤を伴って、少なくとも素子(2,3,6,7)の領域に配置されるステップ、
    c)場合によって、ステップb)の後に、乾燥されるステップ、
    d)ステップb)またはステップc)の後に、第2のポリマー層(2)が第1のポリマー層(1)の上に施され、素子(2,3,6,7)を被覆するステップ、
    e)第1のポリマー層(1)および第2のポリマー層(5)が120℃から230℃の温度において、定められた時間ラミネートされるステップ、
    を含み、ビスフェノールAをベースとするポリカーボネートポリマーからそれぞれ作製された、少なくとも1つの第1のポリマー層(1)および第2のポリマー層(5)を有し、前記ポリマー層(1,5)の間に素子(2,3,6,7)が配置されている構造体を製造する方法であって;
    素子(2,3,6,7)が、電子素子(2,3,7)または体積ホログラム(6)である、構造体の製造方法
  2. ポリカーボネート誘導体が、少なくとも10,000平均分子量(重量平均)を有する、請求項に記載の方法。
  3. ポリカーボネート誘導体が、式(I)
    Figure 0005641330
    (I)
    [式中、
    R1およびR2は、互いに独立して水素、ハロゲンC1−C8アルキル、C5−C6シクロアルキル、C6−C10アリールおよびC7−C12アラルキルから選択され
    mは、4から7整数であり、
    R3およびR4は、それぞれのXに対して個々に独立して選択され、水素またはC1−C6アルキルを表し、
    Xは炭素であり、そして
    nは、ただし、少なくとも1つの原子Xにおいて、20より大きい整数であり、
    R3およびR4は、共にアルキルである。]の官能性ポリカーボネート構造単位を含む、請求項1または2に記載の方法。
  4. 1から2個の原子XにおいてR3およびR4が、共にアルキルである、請求項に記載の方法。
  5. R3およびR4が、メチルである、請求項またはに記載の方法。
  6. ジフェニル−置換されたC原子(C1)に対しアルファ位にあるX原子が、ジアルキル−置換されていない、請求項からの一項に記載の方法。
  7. C1に対しベータ位にあるX原子が、アルキルで二置換されている、請求項からの一項に記載の方法。
  8. mが、4もしくは5である、請求項からの一項に記載の方法。
  9. ポリカーボネート誘導体が、
    4,4’−(3,3,5−トリメチルシクロヘキサン−1,1−ジイル)ジフェノール、
    4,4’−(3,3−ジメチルシクロヘキサン−1,1−ジイル)ジフェノール、または
    4,4’−(2,4,4−トリメチルシクロペンタン−1,1−ジイル)ジフェノール
    をベースとする、請求項からの一項に記載の方法。
  10. ポリカーボネート誘導体がビスフェノールAをベースとするモノマー単位M1からなるコポリマー、およびジェミナルに二置換されたジヒドロキシジフェニルシクロアルカンベースとするモノマー単位M2(Ib)を含み、モル比 M2/M10.3より大き、請求項1からのいずれか一項に記載の方法。
  11. ステップe)の温度が、120℃から220℃の範囲にある、請求項1から1のいずれか一項に記載の方法。
  12. 第1のポリカーボネート層(1)および第2のポリカーボネート層(5)が、145℃を超えるガラス転移点を有する、請求項1から1の一項に記載の方法。
  13. 第1のポリカーボネート層(1)の厚さおよび第2のポリカーボネート層(5)の厚さが、同一または異なって、10μmから1,000μm範囲にある、請求項1から1の一項に記載の方法。
  14. ポリカーボネート層(1,5)の主表面に直交して測定された、素子の厚さが、0.1μmから50μm範囲にある、請求項1から1の一項に記載の方法。
  15. 請求項1から1の一項に記載の方法によって得られる構造体。
  16. 少なくとも1つの第1のポリカーボネート層(1)、第2のポリカーボネート層(5)、および第1のポリカーボネート層(1)および第2のポリカーボネート層(5)の間に配置された素子(2,3,6,7)、および、第1のポリカーボネート層(1)を第2のポリカーボネート層(5)に結合する、ジェミナルに二置換されたジヒドロキシジフェニルシクロアルカンをベースとするポリカーボネート誘導体含む中間層(4)を包含し、ここで、ポリカーボネート層(1,5)および中間層(4)が互いに固着されている、構造体であって;
    素子(2,3,6,7)が、電子素子(2,3,7)または体積ホログラム(6)である、構造体
  17. 請求項1から14の一項に記載の方法において、前記構造体の製造と同時に、製造の前または製造の後に、第1のポリカーボネート層(1)および/または第2のポリカーボネート層(5)が、少なくとも1つの追加の層直接的にまたは間接的に結合されている、セキュリティおよび/またはバリュードキュメントを製造する、方法
  18. 請求項17に記載される方法よって得られるセキュリティおよび/またはバリュードキュメント。
  19. 請求項1または1に記載の構造体および少なくとも1つの印刷層を含む、セキュリティおよび/またはバリュードキュメント。
JP2010530272A 2007-10-31 2008-10-29 ポリカーボネート多層ポリマー構造体を作製する方法 Active JP5641330B2 (ja)

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