[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP5514302B2 - ガラス基板用の担体 - Google Patents

ガラス基板用の担体 Download PDF

Info

Publication number
JP5514302B2
JP5514302B2 JP2012509867A JP2012509867A JP5514302B2 JP 5514302 B2 JP5514302 B2 JP 5514302B2 JP 2012509867 A JP2012509867 A JP 2012509867A JP 2012509867 A JP2012509867 A JP 2012509867A JP 5514302 B2 JP5514302 B2 JP 5514302B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
elastomer
carrier
support
glass sheet
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012509867A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012526393A (ja
Inventor
エール カレ，アラン
ジ フランソワ，エリック
ワク−ニシンバ，ジーン
ウォンドラクゼク，カトリーン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Inc
Original Assignee
Corning Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Inc filed Critical Corning Inc
Publication of JP2012526393A publication Critical patent/JP2012526393A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5514302B2 publication Critical patent/JP5514302B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/13613—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit the semiconductor element being formed on a first substrate and thereafter transferred to the final cell substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/266—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension of base or substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)

Description

関連出願の相互参照
本願は、２００９年５月６日出願の欧州特許出願第０９３０５４０４．７号の利益を主張する。本願ならびに本明細書に記載される刊行物、特許、および特許文献の開示全体の内容が参照することによって援用される。
本開示は、ガラス基板（ガラスシート）上における電子部品の製造に関し、特に、このような製造の間に薄型基板を支持する担体に関する。
例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイなどのピクセル化ディスプレイの生産では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含めたさまざまな電子部品がガラス基板上に製造される。この施用のための標準的な基板厚さは０．７ミリメートルであり、ディスプレイ製造業者は、これらの基板とともに使用するのに適当な位置に、洗練された製造装置を所有している。
最近になって、例えば０．１ミリメートル以下の厚さを有する基板など、実質的に薄い基板がガラス製造業者によって製造されている。加工のため、このような薄型基板は、一時的に、より厚い担体に接着させることを必要とし、この担体は、製造プロセスの終わりに、基板を損傷させることなく放出する。加えて、担体が、高価な再生利用手段を必要とせずに、少なくとも数回、再利用できれば望ましいであろう。さらには、既存の装置を上手く活用するために、担体／基板組立体は、殆どまたは全く変更することなく、ＴＦＴを含めた電子部品の製造に用いられる従来の装置および試薬を使用した処理に適していることが好ましい。
この問題に対して、今日までさまざまな試みが提案されてきたが、当技術分野ではこの問題に対する解決法は見出されなかった。本問題は、担体が直面しなければならない競合する要件、すなわち、１）ガラス基板上での電子部品の製造の間に使用する化学的処理および昇温に耐える能力、２）不良は製造ライン全体の運転停止を意味しうることから、基板と担体との相対運動を有さず、不良が実質的にゼロの、製造プロセスの間に担体上にガラス基板を堅固に保持する能力、および３）いずれにも損傷を与えずに、製造プロセス後に、ガラス基板およびその上に形成された電子部品を放出する能力の理由から、困難であることが分かる。
以下に十分に論じるように、本開示によれば、同時に満たすべき上記要件のすべてを可能にする担体の構造および担体とガラス基板の接触面の臨界パラメーターが見出された。
第１の態様によれば、０．５ミリメートル以下の厚さを有する薄いガラスシート（７）用の担体（３１）が開示され、前記担体は、
（Ａ）第１（１５）および第２（１７）の対向表面を有するエラストマー（９）と、
（Ｂ）前記エラストマー（９）の第１の表面（１５）に接着した支持体（１１）であって、前記薄いガラスシート（７）の厚さの１〜１０倍の範囲の厚さを有する支持体（１１）と、
を備え、ここで、
（ｉ）使用中、前記薄いガラスシート（７）が、前記エラストマーの第２の表面（１７）に直接接触し、かつ、取り外し可能に接着し；
（ｉｉ）前記エラストマーの第２の表面（１７）が、
（ａ）１０〜９０の範囲のショアＡ硬さ、および
（ｂ）１８５ナノメートル以下の粗さ（Ｒａ値）
を有し；
（ｉｉｉ）前記第１の表面（１５）と前記支持体（１１）との接着が、２０ミリメートル／分の剥離速度および９０°の剥離角で測定した場合に、少なくとも０．５キロニュートン／メートルの剥離強度を有する；
ことを特徴とする。
第２の態様によれば、第１の態様の担体（３１）および、０．５ミリメートル以下の厚さを有する薄いガラスシート（７）を備えた組立体（１３）が開示される。
本開示のさまざまな態様の上記概要に用いられる参照番号は、単に読み手の利便性のためであって、本発明の範囲を限定することは意図されておらず、そのように解釈されるべきではない。さらに一般的には、前述の概要および後述する詳細な説明は両方とも、本発明の単なる典型例であり、本発明の性質および特徴を理解するための概観または枠組みを提供することが意図されていることが理解されるべきである。
本発明の追加の特徴および利点は、以下の詳細な説明に記載され、一部には、その説明から当業者には容易に明らかとなり、あるいは、本明細書に記載される本発明の実施によって認識されよう。添付の図面は、本発明のさらなる理解を提供するために含まれ、本明細書に取り込まれ、その一部を構成する。本明細書および図面に開示される本発明のさまざまな特徴は、いずれかの組合せおよびすべての組合せで用いることができることも理解されるべきである。
図１〜３は、正確な縮尺ではなく、例示する要素の相対的な大きさを示すことは意図されていない。
取り外し可能に接着した薄いガラスシートを備えた担体の実施の形態の概略図。 図１の担体からの薄いガラスシートの取り外しを例証する概略図。 エラストマーとガラス表面の間の付着エネルギーを測定するための実験装置を例証する概略図。 ショア（Shore（登録商標））Ａ硬さ１０を有するシリコーンエラストマーの表面粗さに対する担持不良を示すグラフ。 図４のショアＡ硬さのシリコーンエラストマーの付着エネルギーに対する担持不良を示すグラフ。付着エネルギーは、研磨したパイレックス（登録商標）ガラスからなる円筒および０．１メートル／秒の円筒速度について決定した。 ショアＡ硬さ２２を有するシリコーンエラストマーの表面粗さに対する担持不良を示すグラフ。 図６のショアＡ硬さを有するシリコーンエラストマーの付着エネルギーに対する担持不良を示すグラフ。付着エネルギーは、研磨した「パイレックス」ガラスからなる円筒および０．１メートル／秒の円筒速度について決定した。 ショアＡ硬さ３３を有するシリコーンエラストマーの表面粗さに対する担持不良を示すグラフ。 図８のショアＡ硬さを有するシリコーンエラストマーの付着エネルギーに対する担持不良を示すグラフ。付着エネルギーは、研磨した「パイレックス」ガラスからなる円筒および０．１メートル／秒の円筒速度について決定した。 図４、６、および８のデータを合せた表面粗さに対する担持不良を示すグラフ。この図では、黒ダイヤモンド、白ダイヤモンド、および黒三角は、それぞれ、１０、２２、および３３のショアＡ硬さデータを表している。 図５、７、および９のデータを合せた、付着エネルギーに対する担持不良を示すグラフ。この図では、黒ダイヤモンド、白ダイヤモンド、および黒三角は、それぞれ、１０、２２、および３３のショアＡ硬さデータを表している。
本明細書および添付の特許請求の範囲では、「ガラス」という語句は、ガラスとガラスセラミック材料の両方を含む。
本開示の構造的特徴が図１および２に例証されている。それらに見られるように、担体３１は、第１の表面１５および第２の表面１７を有するエラストマー９を備える。第１の表面１５は支持体１１に接着し、第２の表面１７は、担体の使用中、ガラスシート７に、具体的にはガラスシート７の表面２５に、直接接触する。このような使用の間に、ガラスシート７の露出面２３上に電子部品が形成される。
ガラスシート７は、さまざまな組成を有しうる。代表的な組成として液晶ディスプレイに使用されるものが挙げられ、例えば、Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ社製のＥＡＧＬＥ ＸＧ（商標）ガラス、ＮＥＧ社製のＯＡ−２０ガラス、およびＡｓａｈｉ社製のＡＮ−１００ガラスなどである。従来のＬＣＤガラスとは異なり、ガラスシート７の厚さは０．５ミリメートル以下であり、例えば、０．１ミリメートル未満でありうる。ガラスは剥き出しのままであるか、あるいは、磨耗からの保護、付着の調節および／または脆弱性の低減など、所望の特性を提供することができる任意のポリマーまたは分子でコーティングされてもよい。例として、ペルフルオロオクタデシルトリクロロシランはエラストマーへのガラスの付着の調節に使用することができ、ポリイミドはガラスの脆弱性の低減に使用することができる。
支持体１１もまた、さまざまな組成を有しうる。典型的には、支持体は、例えばガラスシート７と同一のガラスなど、ガラスからなるが、異なるガラス、または、例えばステンレス鋼などの金属でできていてもよい。支持体１１は、ガラスシート７の厚さの１〜１０倍の範囲の厚さを有する。１つの実施の形態では、支持体１１は、ＬＣＤディスプレイの製造に使用されるガラス基板の範囲の厚さを有し、例えば、０．７ミリメートルである。支持体１１の長さおよび幅は、支持される薄いガラスシートの大きさに応じて大きく異なりうる。参考のため、ＬＣＤディスプレイの製造に使用されるＧｅｎ ５基板は、片面が１．５平方メートルの範囲の表面積を有する。支持体１１は、同様の表面積を有するか、または、用途に応じて、それより小さい、または大きい面積を有しうる。
エラストマー９は、表面１５における、支持体１１との実質的に取り外し可能ではない接着、ならびに、表面１７における、ガラスシート７との強力だが取り外し可能な接着を提供する重要な機能をする。用途に応じて、エラストマー９は、支持体１１の表面全体または表面の一部分のみを覆うことができる。部分的な覆いは、エラストマー９と薄いガラスシート７の間の取り外し可能な接着の調整に使用することができる。エラストマー９の厚さは変化に富んでいて差し支えなく、例えば、０．１〜数ミリメートルの範囲でありうる。エラストマーのヤング率はまた、広範囲でありうる。例えば、ヤング率は約１〜１０ＭＰａであってよく、例えば、約１〜５ＭＰａである。十分に滑らかな表面１７を有するエラストマー層を得るために、エラストマーは、硬化の間に、例えば、ペルフルオロシラン（例えば、ペルフルオロデシルトリクロロシラン）の薄層の蒸着によって疎水性化されたガラスシートなど、滑らかな疎水性化したガラスシートで覆うことができる。
好ましくは、エラストマーは無極性エラストマーであり、その例として、シリコーンエラストマー、フルオロシリコーンエラストマーおよびペルフルオロエラストマーが挙げられる。これらの中でもとりわけ、ペルフルオロエラストマーは、低レベルのガス放出（例えば、３２５℃で１時間浸漬後の検出できない程度のガス放出）および高レベルの熱的および化学的安定性（例えば、４００℃に至るまでの熱安定性およびシリコーンおよびフルオロシリコーンよりも高い化学的耐久性）につながる、水素原子のフッ素原子による全置換および完全な架橋を達成する能力の理由から、多くの用途に特に適している。ペルフルオロエラストマーは、シリコーンエラストマーよりも高い、ガラスに対する結合エネルギーを示しうる。これは、薄いガラスシート７および支持体１１の組成に応じて、一部の用途にとっての追加の利点でありうる。
シリコーンエラストマーは、それらの接着レベルを、硬化の間に使用される架橋剤の量を変化させることによって簡単に調整できるという利点を有する。しかしながら、最終製品中の未反応の架橋剤および／または低分子量種は、電子部品の製造の間に許容できないレベルのガス放出を生じうる。上述のように、ペルフルオロエラストマーは、典型的には、ガス放出の問題を有しない。
支持体１１との実質的に取り外し可能ではない接着の観点から、支持体の組成に応じて、一部のエラストマーは、支持体上にコーティングされ、所定の位置で硬化されることによってこのような接着を形成することができる。付着は、加硫速度を変化させることによって促進できる。Gent, The Journal of Adhesion, 79, pp315-325, (2003)参照。他のエラストマーでは、接着促進剤は、必要なレベルの接着を達成するのに役立ちうる。L. Leger, Macromol. Symp. 149, pp197-205 (2000)参照。
例えば、ペルフルオロエラストマーおよびガラスからなる支持体の場合、例えばＦＤＳ（ペルフルオロオクタデシルトリクロロシラン）などの１種類以上のフッ素化シランが接着促進剤として使用されうる。フッ素化シランは、フッ素化された鎖がペルフルオロエラストマーに浸透し、結果として、エラストマーとガラス支持体間の付着を改善するように、ガラス上に蒸着することができる。
接着剤はまた、エラストマーを支持体に取り付けるのに使用することもできるが、この試みは、担体の使用中における、薄いガラスシート７の表面２３上に形成される電子部品の汚染の可能性から、一般的には好ましくない。接着剤は、ポリマーの分子量に関して接着促進剤とは異なる。よって、接着剤は一般に高分子ポリマーである一方、接着促進剤は、接着剤の分子量が接着促進剤の分子量よりも実質的に大きくなるような分子ポリマーである。
しかしながら形成されると、ガラスシート７は担体／ガラスシート組立体の処理の完了後にエラストマーから剥離されることから、エラストマーと支持体との間の接着は、エラストマーが支持体に付着した状態を保持するように十分に高い剥離強度を有することを必要とする。定量的に、エラストマー９の表面１５と支持体１１の接着は、この機能性を達成するために、２０ミリメートル／分の剥離速度および９０°の剥離角で測定する場合、少なくとも０．５キロニュートン／メートルの剥離強度を有することが必要とされる。剥離強度は、引張強度を測定するように設定されたＩＮＳＴＲＯＮ（登録商標）機器を使用して測定される。所定の剥離速度および角度、すなわち、２０ミリメートル／分およびエラストマー９と支持体１１との接触面に対して９０°について、引張荷重がモニタされ、エネルギーに変換される。
エラストマー９と支持体１１との間の接着と比較して、エラストマーと薄いガラスシートとの間の接着は弱いことが必要とされるが、処理の間にガラスシートが外れてしまうほど弱くてはいけない。以下に提示する実施例によって実証されるように、一方では、十分な接着の発生、他方では、過剰な接着の発生というこの達成困難なバランスは、エラストマー９の表面１７が、（ｉ）１０〜９０の範囲のショアＡ硬さ、および（ｉｉ）１８５ナノメートル以下の粗さ、例えば、約１００ナノメートル以下の粗さを有することを確実にすることによって達成することができることが見出された。
ショアＡ硬さは、軟質材料の硬さの測定に用いられる規格化された試験である。他の硬度試験と同様に、貫入器（indentor）を所定の力の下で貫通させ、押し込み深さ（すなわち、材料の貫入抵抗）をショアＡ硬さ値の決定に用いる。粗さは、干渉法によるフィンガープリント（＝表面品質）が知られている基準面を含む、走査型干渉顕微鏡を使用して測定される。サンプルの粗さを決定するため、光源がサンプルと基準面の両方に光を当てる。サンプルおよび基準面からの反射光は、サンプルの粗さに応じて決まる干渉法によるフィンガープリントを与えるように再結合され、ナノメートル単位の粗さ値へと変換される。
ショアＡ硬さおよび表面粗さの試験に加えて、エラストマー９は、電子部品の製造の間に担体／ガラスシート組立体が遭遇する条件下、および、特に、シートと担体との分離を生じる可能性が最も高い条件下で試験することによって特徴付けることができる。それらの条件は、２５℃で２０分間、超音波（５０／６０ヘルツ）アセトン浴中で組立体サンプルを試験することによって効果的に近似することができる。この試験の厳格さは、実質的に不良ゼロの実際に使用することができる組立体と使用できない組立体とを区別するのに十分である。定量的に、サンプルの４５％よりも多くが試験に耐えうる場合、すなわち、ガラスシート７が表面１７上に保持される確率が４５％を超える場合には、実際の不良の割合は実質的にゼロであろう。
薄いガラスシート７と表面１７との接着はファンデルワールス型のものであることに留意すべきである。したがって、表面１７からの薄いガラスシートの取り外しは、表面に最小の損傷しか与えない。よって、担体を再利用することができることを意味し、これは、顕著な経済上の利点を示す。というのも、再利用不可能な担体は、最後に最終製品に至るよりも多くの材料（例えば、支持体１１がガラスでできている場合にはさらなるガラス）が製造で消費される（例えば、薄いガラスシート７よりも１０倍厚い支持体用にさらに最大で１０倍のガラス）ことを意味するからである。
以下の非限定的な例は、本開示の実施の形態をさらに例証するものである。実施例において報告される付着エネルギーは、図３に概略的に例証される回転円筒試験を使用して決定した。M.E.R. Shanahan, A. Carre, Viscoelastic dissipation in wetting and adhesion phenomena, Langmuir, 11, p.1396, 1995参照。
この試験で用いた装置２１は、傾斜αの調整可能な角度を有する平面を含む。試験するエラストマーの層２７が、前記平面に取り付けられ、矢印に示されるように、ガラスの円筒１９が平面を転がり落ちる。所定の角度αについて円筒の速度が測定される。次に、ジュール／平方メートルで表した付着エネルギーＧ（ｖ）を次の式から計算する：
Ｇ（ｖ）＝（ｍ・ｇ・ｓｉｎ（α））／ｗ
ここで、ｇは重力定数であり、ｍおよびｗは、それぞれ、円筒の質量および幅である。
実施例１
この実施例は、電子部品の製造の間に遭遇するであろう状況に耐える、担体／ガラスシート組立体の能力におけるショアＡ硬さおよび表面粗さの影響を例証する。
上述のタイプの「頑健性」試験を行った、すなわち、組立体サンプルを、２５℃で２０分間、超音波（５０／６０ヘルツ）アセトン浴中で処理し、試験に不耐性／耐性のサンプル数を決定した。試験の厳格さの理由から、４５％を超える残存確率（５５％未満の失敗率）を許容されると見なした。
エラストマーのプレス成形後にガラス表面上に直接架橋することによって、Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ社製の「ＥＡＧＬＥ ＸＧ」ガラスに接着させたシリコーンエラストマーを用いて試験を行った。「ＥＡＧＬＥ ＸＧ」ガラスからなるガラスシートをシリコーンエラストマーの露出面に施用した。３種類のショアＡ硬さ値（１０、２２、および３３）およびさまざまな表面粗さを有するエラストマーサンプルを試験した。図３の回転円筒試験を使用して付着エネルギーを決定した。円筒は、研磨された「パイレックス」ガラスでできていた。試験速度は０．２ミリメートル／秒〜０．１メートル／秒の範囲であった。
試験結果を表１、２、および３ならびに図４〜１１に示す。このデータに見られるように、ショアＡ硬さと表面粗さの値は互いに作用する。すなわち、ショアＡ硬さ値が低くなると表面粗さが大きくなりうる。しかしながら、一般に、低い表面粗さ値と低いショアＡ値の組合せが、最も高い付着エネルギーおよび最も高い担持成功率を与える。
実施例２
この実施例は、ＴＦＴ蒸着プロセスのシミュレートを意図した試験において、シリコーンエラストマーをペルフルオロエラストマーと比較する。
担体／ガラスシート組立体を、２０分間の２回の上記実施例１に記載するタイプの超音波洗浄、ならびに、５分間の濃縮フォトレジスト現像液および１４時間の２７０℃におけるＡｕおよびクロムエッチングに供した。シリコーンエラストマーおよびペルフルオロエラストマーは両方とも、超音波洗浄およびフォトレジスト試験において良好に機能した。ペルフルオロエラストマーは昇温エッチング試験においてシリコーンエラストマーより優れていたが、両方とも許容可能であった。試験完了後、ガラスシートは、シリコーンエラストマーよりもペルフルオロエラストマーからのほうが容易に取り外し可能であった。
さらなる比較試験では、シリコーンエラストマーおよびペルフルオロエラストマーを熱安定性およびガス放出について比較した。ペルフルオロエラストマーは４２５℃より高い温度に対して安定であったが、シリコーンエラストマーは安定ではなかった。ガス放出試験では、３２５℃で１時間保持したペルフルオロエラストマーにはガス放出は見られなかったが、シリコーンエラストマーは、同一条件下で環状シロキサンのガス放出を示した。しかしながら、Ｗａｃｋｅｒ Ｃｈｅｍｉｅ ＡＧ社製のシリコーン・ゴムＲＴ６２２からのガス放出は、ストーブ中で予熱することによって（例えば、２００℃で１０時間）、劇的に低減できる。この処理は、ＴＦＴ処理の間のガス放出を低減する。
図３の回転円筒試験を用いた付着エネルギー実験も、シリコーンエラストマーおよびペルフルオロエラストマー上で行った。実験は、ペルフルオロエラストマーが、一貫して、シリコーンエラストマーよりも高い付着エネルギー値を生じ、一部の事例では４０倍も高かったことを示した。
これらの実験結果を考慮すると、シリコーンエラストマーは多くの用途に使用することができるが、ペルフルオロエラストマーは、より幅広い適用性を有することから、より好ましい。
本発明の範囲および精神から逸脱しない、さまざまな変更は、前述の開示から、当業者にとって明白であろう。添付の特許請求の範囲は、本明細書に記載される特定の実施の形態ならびに、これらの実施の形態の変更、変形および等価物にも及ぶことが意図されている。
Figure 0005514302
Figure 0005514302
Figure 0005514302
７ 薄いガラス基板
９ エラストマー
１１ 支持体
１３ 担体／薄いガラス基板組立体
１５ エラストマーの第１の表面
１７ エラストマーの第２の表面
１９ ガラスの円筒
２１ 付着エネルギー試験装置
２３ 薄いガラス基板の露出面
２５ 薄いガラス基板の接着面
２７ エラストマー層
３１ 担体

Claims (9)

  1. ０．５ミリメートル以下の厚さを有する薄いガラスシート用の担体であって、前記担体が、
    （Ａ）第１および第２の対向表面を有するエラストマーと、
    （Ｂ）前記エラストマーの第１の表面に接着した支持体であって、前記薄いガラスシートの厚さの１〜１０倍の範囲の厚さを有する支持体と、
    を備え、ここで、
    （ｉ）使用中、前記薄いガラスシートが、前記エラストマーの第２の表面に直接的に接触し、かつ、取り外し可能に接着し；
    （ｉｉ）前記エラストマーの第２の表面が、
    （ａ）１０〜９０の範囲のショアＡ硬さ、および
    （ｂ）１８５ナノメートル以下の粗さ
    を有し；
    （ｉｉｉ）前記第１の表面と前記支持体との接着が、２０ミリメートル／分の剥離速度および９０°の剥離角で測定した場合に、少なくとも０．５キロニュートン／メートルの剥離強度を有する；
    ことを特徴とする、担体。
  2. 前記エラストマーが、接着剤を使用することなく、前記支持体に接着されることを特徴とする請求項１記載の担体。
  3. ２５℃における５０または６０ヘルツの超音波アセトン浴に入れたときに、薄いガラスシートが前記第２の表面に２０分間保持される確率が４５％を超えることを特徴とする請求項１または２記載の担体。
  4. 前記エラストマーが無極性エラストマーであることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の担体。
  5. 前記支持体がガラスからなることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の担体。
  6. 前記支持体と前記エラストマーとの接着促進剤をさらに含むことを特徴とする請求項５記載の担体。
  7. 前記エラストマーがペルフルオロエラストマーであることを特徴とする請求項６記載の担体。
  8. 請求項１記載の担体、および、０．５ミリメートル以下の厚さを有する薄いガラスシートを備えた組立体。
  9. 前記薄いガラスシートが、ピクセル化ディスプレイ用の基板としての使用に適したガラスを含むことを特徴とする請求項８記載の組立体。
JP2012509867A 2009-05-06 2010-05-03 ガラス基板用の担体 Expired - Fee Related JP5514302B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP09305404.7 2009-05-06
EP09305404 2009-05-06
PCT/US2010/033355 WO2010129459A2 (en) 2009-05-06 2010-05-03 Carrier for glass substrates

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012526393A JP2012526393A (ja) 2012-10-25
JP5514302B2 true JP5514302B2 (ja) 2014-06-04

Family

ID=43050795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012509867A Expired - Fee Related JP5514302B2 (ja) 2009-05-06 2010-05-03 ガラス基板用の担体

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8697228B2 (ja)
JP (1) JP5514302B2 (ja)
KR (1) KR101561729B1 (ja)
CN (1) CN102422406B (ja)
TW (1) TWI480153B (ja)
WO (1) WO2010129459A2 (ja)

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9601530B2 (en) 2008-12-02 2017-03-21 Arizona Board Of Regents, A Body Corporated Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
US9991311B2 (en) 2008-12-02 2018-06-05 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
US9721825B2 (en) 2008-12-02 2017-08-01 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
JP5510901B2 (ja) * 2009-09-18 2014-06-04 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムの製造方法及びガラスフィルムの処理方法並びにガラスフィルム積層体
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
TW201350357A (zh) * 2012-03-21 2013-12-16 Toppan Printing Co Ltd 感熱轉印記錄媒體、其製造方法及感熱轉印記錄方法
US9257339B2 (en) * 2012-05-04 2016-02-09 Silicon Genesis Corporation Techniques for forming optoelectronic devices
FR2992313B1 (fr) * 2012-06-21 2014-11-07 Eurokera Article vitroceramique et procede de fabrication
TW201402333A (zh) * 2012-07-11 2014-01-16 Cando Corp 具有離形性的載板
KR20140023142A (ko) 2012-08-17 2014-02-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치를 제조하기 위한 캐리어 기판
KR20140048747A (ko) * 2012-10-16 2014-04-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 제조 방법
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
KR102002959B1 (ko) 2012-11-20 2019-07-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
US10086584B2 (en) * 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US9340443B2 (en) 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
US10014177B2 (en) * 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
TWI617437B (zh) 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
EP2932496A4 (en) * 2012-12-13 2016-11-02 Corning Inc GLASS AND METHOD FOR PRODUCING GLASS ARTICLES
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
TW201446497A (zh) * 2013-02-26 2014-12-16 Nippon Electric Glass Co 電子裝置的製造方法
TWI622103B (zh) * 2013-03-14 2018-04-21 康寧公司 處理電子裝置的方法
CN105658594B (zh) * 2013-03-15 2019-01-04 康宁股份有限公司 玻璃片的整体退火
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
US20140342148A1 (en) * 2013-05-15 2014-11-20 Corning Incorporated Glass structures and methods of creating and processing glass structures
KR101500949B1 (ko) * 2013-05-20 2015-03-10 주식회사 비아트론 유리 기판의 이송 모듈
KR102038986B1 (ko) 2013-05-28 2019-11-01 삼성디스플레이 주식회사 유리 적층체, 캐리어 유리 기판 상의 디스플레이 패널, 디스플레이 장치, 유리 적층체의 제조 방법 및 디스플레이 패널의 제조 방법
KR20160023819A (ko) 2013-06-20 2016-03-03 쇼오트 글라스 테크놀로지스 (쑤저우) 코퍼레이션 리미티드. 지지 기판 상의 얇은 유리의 접합된 물품, 그 준비 방법 및 용도
KR20150001006A (ko) 2013-06-26 2015-01-06 삼성디스플레이 주식회사 유리 필름 적층체, 이의 제조 방법 및 유리 필름의 제조 방법
US9126452B2 (en) * 2013-07-29 2015-09-08 Xerox Corporation Ultra-fine textured digital lithographic imaging plate and method of manufacture
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
US9687936B2 (en) 2013-12-17 2017-06-27 Corning Incorporated Transparent material cutting with ultrafast laser and beam optics
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US10381224B2 (en) 2014-01-23 2019-08-13 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an electronic device and electronic device thereof
WO2015175353A1 (en) * 2014-05-13 2015-11-19 Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing an electronic device and electronic device thereof
WO2015156891A2 (en) 2014-01-23 2015-10-15 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
WO2017034644A2 (en) 2015-06-09 2017-03-02 ARIZONA BOARD OF REGENTS a body corporate for THE STATE OF ARIZONA for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY Method of providing an electronic device and electronic device thereof
US10046542B2 (en) 2014-01-27 2018-08-14 Corning Incorporated Articles and methods for controlled bonding of thin sheets with carriers
JP6312469B2 (ja) * 2014-03-13 2018-04-18 株式会社アルバック 基板吸着離脱機構、基板搬送装置及び真空装置
JP2017518954A (ja) 2014-04-09 2017-07-13 コーニング インコーポレイテッド デバイスで改質された基体物品、およびそれを製造する方法
JP6260869B2 (ja) * 2014-06-13 2018-01-17 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムの製造方法、及びこのガラスフィルムを含む電子デバイスの製造方法
WO2016007572A1 (en) 2014-07-08 2016-01-14 Corning Incorporated Methods and apparatuses for laser processing materials
US11648623B2 (en) 2014-07-14 2023-05-16 Corning Incorporated Systems and methods for processing transparent materials using adjustable laser beam focal lines
EP3169635B1 (en) 2014-07-14 2022-11-23 Corning Incorporated Method and system for forming perforations
EP3169476A1 (en) 2014-07-14 2017-05-24 Corning Incorporated Interface block; system for and method of cutting a substrate being transparent within a range of wavelengths using such interface block
EP3536440A1 (en) 2014-07-14 2019-09-11 Corning Incorporated Glass article with a defect pattern
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
US9741742B2 (en) 2014-12-22 2017-08-22 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device
US10446582B2 (en) 2014-12-22 2019-10-15 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an imaging system and imaging system thereof
EP3245166B1 (en) 2015-01-12 2020-05-27 Corning Incorporated Laser cutting of thermally tempered substrates using the multi photon absorption method
WO2016154284A1 (en) 2015-03-24 2016-09-29 Corning Incorporated Laser cutting and processing of display glass compositions
CN107666983B (zh) 2015-03-27 2020-10-02 康宁股份有限公司 可透气窗及其制造方法
WO2016187186A1 (en) 2015-05-19 2016-11-24 Corning Incorporated Articles and methods for bonding sheets with carriers
WO2016209897A1 (en) 2015-06-26 2016-12-29 Corning Incorporated Methods and articles including a sheet and a carrier
KR102499697B1 (ko) 2015-07-10 2023-02-14 코닝 인코포레이티드 유연한 기판 시트에서의 홀의 연속 제조 방법 및 이에 관한 물품
KR20220078719A (ko) 2016-05-06 2022-06-10 코닝 인코포레이티드 투명 기판들로부터의 윤곽 형상들의 레이저 절단 및 제거
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
EP3490945B1 (en) 2016-07-29 2020-10-14 Corning Incorporated Methods for laser processing
JP2019532908A (ja) 2016-08-30 2019-11-14 コーニング インコーポレイテッド 強度マッピング光学システムによる材料のレーザー切断
TW202216444A (zh) 2016-08-30 2022-05-01 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI821867B (zh) 2016-08-31 2023-11-11 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
JP6923284B2 (ja) 2016-09-30 2021-08-18 コーニング インコーポレイテッド 非軸対称ビームスポットを用いて透明被加工物をレーザ加工するための装置及び方法
CN110167891A (zh) 2016-10-24 2019-08-23 康宁股份有限公司 用于对片状玻璃基材进行基于激光的机械加工的基材处理工位
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
JP7260523B2 (ja) 2017-08-18 2023-04-18 コーニング インコーポレイテッド ポリカチオン性高分子を使用した一時的結合
WO2019118660A1 (en) 2017-12-15 2019-06-20 Corning Incorporated Method for treating a substrate and method for making articles comprising bonded sheets
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4395451A (en) * 1980-07-14 1983-07-26 Althouse Victor E Semiconductor wafer and die handling method and means
JP3081122B2 (ja) 1994-07-18 2000-08-28 シャープ株式会社 基板搬送用治具及びそれを用いた液晶表示素子の製造方法
US5972152A (en) 1997-05-16 1999-10-26 Micron Communications, Inc. Methods of fixturing flexible circuit substrates and a processing carrier, processing a flexible circuit and processing a flexible circuit substrate relative to a processing carrier
US6687969B1 (en) 1997-05-16 2004-02-10 Micron Technology, Inc. Methods of fixturing flexible substrates and methods of processing flexible substrates
US6451396B1 (en) * 1998-02-13 2002-09-17 Gore Enterprise Holdings, Inc. Flexure endurant composite elastomer compositions
AU2904000A (en) * 1999-01-11 2000-08-01 Burkle, Roland Polymer-coated thin-glass film substrates
EP1048628A1 (de) * 1999-04-30 2000-11-02 Schott Glas Polymerbeschichtete Dünnglasfoliensubstrate
DE10117880B4 (de) 2001-04-10 2009-01-29 Mühlbauer Ag Verfahren zum Vereinzeln von elektronischen Bauteilen aus einem Verbund
US6934001B2 (en) 2001-08-13 2005-08-23 Sharp Laboratories Of America, Inc. Structure and method for supporting a flexible substrate
US6634686B2 (en) 2001-10-03 2003-10-21 Applied Materials, Inc. End effector assembly
TWI250190B (en) 2001-10-03 2006-03-01 Dow Corning Toray Silicone Adhesive sheet of cross-linked silicone, method of manufacturing thereof, and device
JP2003195246A (ja) * 2001-12-14 2003-07-09 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 固定装置、基板の固定方法及びこれを用いた液晶表示パネルの製造装置及び製造方法
US6633835B1 (en) * 2002-01-10 2003-10-14 Networks Associates Technology, Inc. Prioritized data capture, classification and filtering in a network monitoring environment
AU2003211350A1 (en) 2002-03-05 2003-09-16 Hitachi Industries Co., Ltd. Method for holding substrate in vacuum, method for manufacturing liquid crystal display device, and device for holding substrate
US6596569B1 (en) * 2002-03-15 2003-07-22 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US20050136625A1 (en) 2002-07-17 2005-06-23 Debora Henseler Ultra-thin glass devices
JP2004186201A (ja) 2002-11-29 2004-07-02 Sekisui Chem Co Ltd 薄層ガラスパネルの取扱い方法
FR2850390B1 (fr) 2003-01-24 2006-07-14 Soitec Silicon On Insulator Procede d'elimination d'une zone peripherique de colle lors de la fabrication d'un substrat composite
JP2006522475A (ja) 2003-04-02 2006-09-28 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 可撓性電子装置及び可撓性装置を製造する方法
DE10348946B4 (de) * 2003-10-18 2008-01-31 Schott Ag Bearbeitungsverbund für ein Substrat
GB0326537D0 (en) 2003-11-14 2003-12-17 Koninkl Philips Electronics Nv Flexible devices
US7698730B2 (en) * 2004-03-16 2010-04-13 Riverbed Technology, Inc. Service detection
US10284571B2 (en) * 2004-06-28 2019-05-07 Riverbed Technology, Inc. Rule based alerting in anomaly detection
DE102004037902A1 (de) * 2004-08-05 2006-03-16 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Abscheidung einer Anti-Haftungsschicht
JP4535937B2 (ja) * 2005-05-27 2010-09-01 大日本印刷株式会社 基板収納体
CN101242951B (zh) 2005-08-09 2012-10-31 旭硝子株式会社 薄板玻璃层压体以及利用薄板玻璃层压体的显示装置的制造方法
JP2007251080A (ja) 2006-03-20 2007-09-27 Fujifilm Corp プラスチック基板の固定方法、回路基板およびその製造方法
KR100831562B1 (ko) * 2006-03-23 2008-05-21 주식회사 엘지화학 유연성 기판 반송용 점착제 조성물
WO2007129554A1 (ja) 2006-05-08 2007-11-15 Asahi Glass Company, Limited 薄板ガラス積層体、薄板ガラス積層体を用いた表示装置の製造方法および、支持ガラス基板
JPWO2008007622A1 (ja) 2006-07-12 2009-12-10 旭硝子株式会社 保護ガラス付ガラス基板、保護ガラス付ガラス基板を用いた表示装置の製造方法及び剥離紙用シリコーン
KR101486601B1 (ko) 2007-03-12 2015-01-26 아사히 가라스 가부시키가이샤 보호 유리 부착 유리 기판 및 보호 유리 부착 유리 기판을 사용한 표시 장치의 제조 방법
JP5336051B2 (ja) * 2007-04-16 2013-11-06 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー パーフルオロエラストマー組成物及びシール材
US7627572B2 (en) * 2007-05-02 2009-12-01 Mypoints.Com Inc. Rule-based dry run methodology in an information management system
KR20120059512A (ko) 2009-08-27 2012-06-08 아사히 가라스 가부시키가이샤 플렉시블 기재-지지체의 적층 구조체, 지지체를 갖는 전자 디바이스용 패널 및 전자 디바이스용 패널의 제조 방법
US9847243B2 (en) * 2009-08-27 2017-12-19 Corning Incorporated Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave
JP5562597B2 (ja) 2009-08-28 2014-07-30 荒川化学工業株式会社 支持体、ガラス基板積層体、支持体付き表示装置用パネル、および表示装置用パネルの製造方法
WO2011024689A1 (ja) 2009-08-31 2011-03-03 旭硝子株式会社 剥離装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102422406B (zh) 2014-07-09
TWI480153B (zh) 2015-04-11
WO2010129459A3 (en) 2011-03-03
TW201107131A (en) 2011-03-01
US20110111194A1 (en) 2011-05-12
KR101561729B1 (ko) 2015-10-19
CN102422406A (zh) 2012-04-18
JP2012526393A (ja) 2012-10-25
US8697228B2 (en) 2014-04-15
KR20120023063A (ko) 2012-03-12
WO2010129459A2 (en) 2010-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5514302B2 (ja) ガラス基板用の担体
US9847243B2 (en) Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave
KR101229618B1 (ko) 취성 재료의 시트를 검증하는 시험 방법 및 장치
CN108290782B (zh) 玻璃制品和使玻璃片与载体粘结的方法
JP6711824B2 (ja) 非平面状の構造的特徴および無アルカリガラス要素を有するガラス物品
JP5835214B2 (ja) 積層体の製造方法、および積層体
TWI358537B (en) Method and apparatus for proof testing a sheet of
JP2008306149A (ja) ウエハ支持ガラス
US7955703B2 (en) Silicone rubber based pressure sensitive adhesive sheet
US6581446B1 (en) Determination of adhesion strength of HVOF coating by spherical indentation
EP2679385A1 (en) Transfer film
KR101702454B1 (ko) 화학 연마용 표면 보호 필름
KR101924445B1 (ko) 실리콘계 점착 테이프 및 이의 제조 방법
US10814603B2 (en) Methods for processing a first substrate bonded to a second substrate
TW201536554A (zh) 剝離方法、帶黏合劑層的支撐基板及剝離裝置
US20210269610A1 (en) Silicone rubber molded body and production method for the same
JP4305267B2 (ja) 薄膜層の密着性評価方法
JP4291079B2 (ja) 半導体ウェハの耐衝撃性試験方法および半導体デバイスの製造方法
JP2004214317A (ja) 薄型基板の仮固定用テープ及びこれを用いた薄型基板実装用パレット
Longley Surface Modifications in Adhesion and Wetting

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130507

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140304

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140328

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5514302

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees