JP5570322B2 - 光伝送基体および受光モジュール - Google Patents

Description

本発明は、光伝送基体および受光モジュールに関する。

近年、情報処理能力の向上を図るべく、集積回路素子などの電気素子の間の電気通信を光伝送に変更することが検討されている。例えば、特許文献１には、集積回路素子と、光導波路と、発光素子などの光電変換素子と、を具備する光伝送基板が開示されている。集積回路素子は、駆動素子などを介して光電変換素子に電気信号を伝送する機能を担っている。

特開２００６−１２０９５６号公報

しかし、光導波路を伝播する光の光路を変更する際に、意図しない箇所から光導波路に光が入射されてしまい、かかる不要光と、本来の光信号とが混ざってしまう場合があった。

本発明は、上述の事情のもとで考え出されたものであって、光信号の信頼性が優れた光伝送基体および受光モジュールを提供することを目的とする。

本発明の光伝送基体は、基体と、該基体の上に形成される光学層とを有し、前記光学層は、第１方向に光が伝送される光導波路と、該光導波路の前記第１方向における端部に位置し、上面より窪んでいる窪み部とを有し、前記窪み部は、前記光導波路の端部に接し、前記第１方向と第２方向との間で前記基板とは反対側方向に光路の変更を行う第１光路変更部と、前記第１光導波路と離隔して且つ前記第１光路変更部に対向して位置し、前記第１方向と他の方向との間で光路の変更を行う第２光路変更部とを有し、前記第２光路変更部の傾斜角度（前記第２光路変更部の面と前記第１方向とのなす角）は、前記第１光路変更部の傾斜角度（前記第１光路変更部の面と前記第１方向とのなす角）に比べて小さい。

本発明の受光モジュールは、本発明に係る光伝送基板と、前記第１光導波路を経て入力される光の光電変換を行う受光素子とを有する。

本発明によれば、光信号の信頼性が優れた光伝送基体および受光モジュールを提供することができる。

本発明に係る受光モジュールの１つの実施形態の概略構成を示す平面図である。 図１に示したＩＩ−ＩＩ線に沿った要部断面図である。 図１に示した受光モジュールの構成の一部を省略した図である。 （ａ）図３に示したＩＶａ−ＩＶａ線に沿った断面図であり、（ｂ）図４（ａ）に示したＩＶｂ−ＩＶｂ線に沿った断面図である。 図１に示した受光モジュールの構成の一部をさらに省略した図である。 （ａ）図５に示した要部を拡大した平面図であり、（ｂ）図６（ａ）に示したＶＩｂ−ＶＩｂ線に沿った断面図である。 図２に示した受光モジュールの変形例を示す断面図である。

＜光伝送基板および受光モジュール＞
以下、本発明に係る光伝送基板および受光モジュールの一実施形態として光伝送基板１１および受光モジュール１０を例示し、図面を参照しつつ説明する。本発明でいう「受光モジュール」とは、受光する機能を有するモジュールの意味であり、受光する機能に加えて、発光する機能を有していてもよい。

図１，２に示した受光モジュール１０は、第１基体２０と、光学層３０と、第２基体４０と、受光素子５０と、回路素子６０と、電気配線７０とを備えている。この第２基体４０と、光学層３０とは、光伝送基板１１として機能する。

第１基体２０は、光学層３０を支持する機能を担っている。この第１基体２０の厚みとしては、例えば０．１〜２〔ｍｍ〕の範囲が挙げられる。この第１基体２０としては、例えばガラス基材エポキシ樹脂基板、ガラス基材銅張基板、ポリイミド樹脂基板、セラミック基板などが使用される。

この第１基体２０の上面の所定領域には、光学層３０が形成されている。この光学層３０は、第１クラッド部３１と、第１コア部３２とを含んでいる。

この第１クラッド部３１は、光学層３０の母材として機能している。この第１コア部３２は、第１クラッド部３１の中に形成されている。この第１コア部３２の屈折率ｎ_３２は、第１クラッド部３１の屈折率ｎ_３１に比べて大きくなっている。第１クラッド部３１の屈折率ｎ_３１に比べて第１コア部３２の屈折率ｎ_３２を大きくすることで、光学層３０は、光信号を閉じ込めることができるようになり、光導波路として機能することができるようになる。本実施形態の第１コア部３２は、一部が第１光導波路３２ａとして機能している。この第１光導波路３２ａでは、第１方向Ｄ１，Ｄ２におけるＤ１方向に向かって光が伝送される。この第１コア部３２の屈折率ｎ_３２としては、第１クラッド部３１の屈折率ｎ_３１に対しての比屈折率差が０．８〜３〔％〕の範囲内であることが好ましい。

この第１コア部３２は、第１クラッド部３１の中に複数形成されており、各々が第１方向Ｄ１，Ｄ２に沿って延びている。この複数の第１コア部３２は、第１方向Ｄ１，Ｄ２に交わる第３方向Ｄ５，Ｄ６に沿って配列されている。本実施形態では、第１方向Ｄ１，Ｄ２と、第３方向Ｄ５，Ｄ６とが直交している。本実施形態では、第１コア部３２が延びている第１方向Ｄ１，Ｄ２が光伝送方向となり、第１コア部３２が配列される第３方向Ｄ５，Ｄ６が配列方向となる。

この第１コア部３２の第３方向Ｄ５，Ｄ６における間隔としては、例えば２５〜４５〔μｍ〕の範囲が挙げられる。第１コア部３２の大きさとしては、第２方向Ｄ３，Ｄ４と第３方向Ｄ５，Ｄ６とに広がる面方向Ｄ１，Ｄ２−Ｄ５，Ｄ６において、一辺の長さまたは直径が例えば２０〜１００〔μｍ〕の範囲が挙げられる。

この第１クラッド部３１と、第１コア部３２とを形成する材料としては、例えば直接露光法が使用可能な樹脂、または屈折率変化法が使用可能な樹脂などが挙げられる。直接露光法が使用可能な樹脂としては、例えば感光性を有する樹脂が挙げられ、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などが含まれる。また、屈折率変化法が使用可能な樹脂としては、紫外線（Ultra-Violet radiation、ＵＶ線）の照射により屈折率が低下する特性を有する樹脂が挙げられ、例えばポリシランなどの樹脂が含まれる。

なお、直接露光法とは、第１クラッド部３１の下部を形成後、第１コア部３２の材料を塗工してマスク露光により第１コア部３２を形成し、その上面および側面にさらに第１クラッド部３１の材料を塗工形成して光学層３０を作製する方法である。また、屈折率変化法とは、第１コア部３２となる部位以外にＵＶ線の照射を行ない、第１コア部３２となる部位以外の屈折率を低下させることによって光導波路を作製する方法である。

この第１コア部３２には、第１光路変更部３２ｂと、第２光路変更部３２ｃとが形成されている。第１光路変更部３２ｂは、第１光導波路３２ａの第１方向Ｄ１，Ｄ２におけるＤ１方向側の端部に位置している。また、第２光路変更部３２ｃは、第１光路変更部３２ｂの第１方向Ｄ１，Ｄ２におけるＤ１方向側の端部に位置し、当該第１光路変更部３２ｂと対向して形成されている。この第１光路変更部３２ｂは、第１光導波路３２ａに接しており、この第２光路変更部３２ｃは、第１光導波路３２ａと離隔している。

この第１光路変更部３２ｂは、第１光導波路３２ａの内をＤ１方向に伝送する光を、当該第１光導波路３２ａの外側に光路変更する機能を担っている。この第１光路変更部３２ｂは、第１光導波路３２ａの内をＤ１方向に伝送する光を第２方向Ｄ３，Ｄ４に光路変更する機能を担っている。本実施形態では、第２方向Ｄ３，Ｄ４が第１方向Ｄ１，Ｄ２および第３方向Ｄ５，Ｄ６に直交している。つまり、この第１コア部３２は、第１光路変更部３２ｂよりも第１方向Ｄ１，Ｄ２におけるＤ２方向側に位置する部位が第１光導波路３２ａとして機能することとなり、第１光路変更部３２ｂよりも第１方向Ｄ１，Ｄ２におけるＤ１方向側に位置する部位が第１光導波路３２ａとして機能しないこととなる。

また、第２光路変更部３２ｃは、第１光導波路３２ａの内をＤ１方向に伝送する光を、当該第１光導波路３２ａの外側に光路変更する機能を担っている。この第２光路変更部３２ｃは、第１光導波路３２ａの内をＤ１方向に伝送する光を第２方向Ｄ３，Ｄ４以外の方向に光路変更する機能を担っている。

本実施形態の光学層３０には、Ｄ４方向側の上面からＤ３方向に窪んでいる窪み部３０ａが形成されている。この窪み部３０ａは、内部が中空になっており、第１クラッド部３１および第１コア部３２が内周面に現れている。この窪み部３０ａの内部は、充填物があってもよく、窪み部の内周面のみに表面層が形成されていてもよい。

この窪み部３０ａは、第２方向Ｄ３，Ｄ４に沿って広がっており、当該第１方向Ｄ１，Ｄ２において第１コア部３２を分断している。つまり、本実施形態では、窪み部３０ａによって、１つの第１コア部３２が２つに分かれている。本実施形態では、この窪み部３０ａの内面に現れている第１コア部３２のうち、Ｄ２方向側の一方が第１光路変更部３２ｂとして機能し、Ｄ１方向側の他方が第２光路変更部３２ｃとして機能している。この窪み部３０ａは、１つの窪み部が１つの第１コア部３２を分断しても、１つの窪み部が複数の第１コア部３２を分断してもよい。本実施形態では、窪み部３０ａが広がっている第２方向Ｄ３，Ｄ４が上下方向となっている。

本実施形態では、第１光路変更部３２ｂとして光反射面が形成されている。この光反射面は、第１光導波路３２ａの光軸に対して傾斜しており、光の反射によって光路変更が可能となっている。この第１光路変更部３２ｂでは、屈折率の異なる界面における光反射を利用して、第１光導波路３２ａを伝搬する光の大部分を反射している。この光反射面の傾斜角は、第１光導波路３２ａの光軸方向と、光路変更する方向との二等分角θ_Ｌであることが好ましく、この二等分角θ_Ｌから±３度の範囲に形成される。本実施形態では、第１方向Ｄ１，Ｄ２と第２方向Ｄ３，Ｄ４とが直交しているので、光反射面が当該２つの方向に対して４５°の角度で傾斜している。

この第１コア部３２を形成する材料としては、窪み部３０ａの内部の屈折率ｎ_Ａに比べて屈折率ｎ_３２の大きいものが挙げられる。このような屈折率を有する材料を採用することで、第１コア部３２は、第１光路変更部３２ｂにおいて効率的に光を反射することができる。この第１コア部３２は、第１光路変更部３２ｂにおいて全反射が生じる条件を満たす材料を採用するのが好ましい。この全反射が生じる条件は、スネルの法則によって求めることができる。つまり、第１コア部３２を構成する材料としては、窪み部３０ａの内部の屈折率ｎ_Ａに、ｓｉｎθ_Ｌを乗じた値よりも大きい屈折率ｎ_３２を有する材料が好ましい。本実施形態の場合、ｎ_Ａ≒１であり、θ_Ｌ＝４５°であることから、第１コア部３２は、√２以上の屈折率を有することが好ましい。

本実施形態では、第２光路変更部３２ｃとして光屈折面が形成されている。この光屈折面は、第１光導波路３２ａの光軸に対して傾斜しており、光の屈折によって光路変更が可能となっている。この第２光路変更部３２ｃでは、屈折率の異なる界面における光屈折を利用して、第１光導波路３２ａを伝搬する光のうち、第１光路変更部３２ｂを透過した光の大部分を屈折させている。この光屈折面の傾斜角は、第１光導波路３２ａの光軸方向と、光路変更する方向との二等分角θ_Ｌよりも小さいことが好ましい。本実施形態では、第１方向Ｄ１，Ｄ２と第２方向Ｄ３，Ｄ４とが直交しているので、光屈折面が第１方向Ｄ１，Ｄ２に対して４５°よりも小さい角度で傾斜している。

この窪み部３０ａを形成する方法としては、例えばレーザ加工、ドリル加工、およびダイシング加工などが挙げられる。レーザ加工、ドリル加工、ダイシング加工を採用する場合は、例えば第１光路変更部３２ｂとなる面と、第２光路変更部３２ｃとなる面とを異なる角度で加工することで、窪み部３０ａを形成することができる。また、ダイシング加工を採用する場合は、例えば面方向Ｄ１，Ｄ２−Ｄ３，Ｄ４における窪み部３０ａの形状と、同形状の切り刃を採用して加工することで、窪み部３０ａを形成することができる。レーザ加工、ドリル加工、およびダイシング加工を採用する場合は、第３方向Ｄ５，Ｄ６に沿って走査する距離を制御することで、当該第３方向Ｄ５，Ｄ６における窪み部３０ａの長さを制御して形成することができる。

第１光路変更部３２ｂを透過した光は、第１光路変更部３２ｂで光路変更した光と光路距離が異なっている。そのため、かかる２つの光が合わさると第２光導波路４２ａに入射されると、光信号の信頼性が低下してしまう場合がある。この光伝送基板１１では、第１光路変更部３２ｂの傾斜角度に比べて第２光路変更部３２ｃの傾斜角度が小さくなっているので、第１光路変更部３２ｂを透過した光が合わさって伝送される第２光導波路４２ａに入射されるのを抑えることができる。ひいては、この光伝送基板１１では、光信号の信頼性を高めることができる。

この光伝送基板１１では、第１基体２０と、第１クラッド部３１との間に導電体層３３が形成されている。この導電体層３３は、第１基体２０と光学層３０との密着性を高める機能を担っている。また、この導電体層３３は、例えば窪み部３０ａを形成する手段としてレーザ加工を採用した際に、第１基体２０にレーザ光が照射され、第１基体２０に変形が生じるのを防いでいる。本実施形態では、導電体層３３が窪み部３０ａの底面を構成している。この導電体層３３が窪み部３０ａから露出している領域は、第２基体４０のコア部２２のＤ３方向側に位置している。この導電体層３３の当該領域と、コア部２２との間に第１光路変更部３２ｂが位置している。

第２基体４０は、受光素子５０と、回路素子６０と、電気配線７０とを支持する機能を担っている。この第２基体４０の厚みとしては、例えば０．２〜１．５〔ｍｍ〕の範囲が挙げられる。この第２基体４０としては、例えばガラス基材エポキシ樹脂基板、ガラス基
材銅張基板、ポリイミド樹脂基板、セラミック基板などが使用される。この第２基体４０は、単層の基板、または複数の基板を積層した積層体として形成される。

この第２基体４０としては、ベース基体とビルドアップ層とから構成され、貫通導体を有するビルドアップ基板が好適に用いられる。この貫通導体としては、中央が中空となった形状でも、また中央が導電ペーストなどにより埋められた構成でもかまわない。この貫通導体は、めっき法、金属膜の蒸着法、導電性樹脂の注入法などの方法を用いて形成できる。このようにビルドアップ基板に貫通導体が設けることによって、貫通導体を介して良好な放熱が可能となる。このビルドアップ層は、樹脂絶縁層と導電層とから構成される。樹脂絶縁層としては、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂などが使用される。この樹脂絶縁層の厚みとしては、例えば１０〜７０〔μｍ〕の範囲が挙げられる。この樹脂絶縁層は、レーザで微細な穴あけが可能であることが好ましい。この樹脂絶縁層によってビルドアップ層は、積層して複雑な電気配線パターンを引き回したり、狭い範囲に集約したりすることができる。このビルドアップ層の導電層は、種々の電極に電気的に接続されており、一部が電気配線７０にも電気的に接続されている。

また、この第２基体４０には、第２方向Ｄ３，Ｄ４に貫通して形成されている貫通孔４０ａが形成されている。この貫通孔４０ａは、受光素子５０が配置される領域のＤ３方向側に位置し、第３方向Ｄ５，Ｄ６に沿って並んでいる。この貫通孔４０ａは、光学層３０と、受光素子５０との間の光路として機能する。

貫通孔４０ａには、第２クラッド部４１と、第２コア部４２とが形成されている。この第２クラッド部４１は、この貫通孔４０ａを第２方向Ｄ３，Ｄ４に貫通して形成されている。この第２コア部４２は、第２クラッド部４１を第２方向Ｄ３，Ｄ４に貫通して形成されている。この第２コア部４２の屈折率ｎ_４２は、第２クラッド部４１の屈折率ｎ_４１に比べて大きくなっている。第２クラッド部４１の屈折率ｎ_４１に比べて第２コア部４２の屈折率ｎ_４２を大きくすることで、第２コア部４２は、光信号を閉じ込めることができるようになり、第２光導波路４２ａとして機能することができるようになる。この第２コア部４２の屈折率ｎ_４２としては、第２クラッド部４１の屈折率ｎ_４１に対しての比屈折率差が０．８〜３〔％〕の範囲内であることが好ましい。なお、この貫通孔４０ａは、中空の貫通孔であってもよいが、光を効率的に導く観点から、第２クラッド部４１および第２コア部４２を有することが好ましい。

本実施形態では、第１光導波路２２ａの中を伝送される光が第１光路変更部２２ｂによって光路変換され、第２光導波路４２ａに入射されるように構成されている。つまり、第１光路変更部２２ｂは、第１光導波路３２ａと、第２光導波路４２ａとを光学的に連結している。また、第２光路変更部２２ｃは、第１光導波路２２ａの中を伝送される光が第２光導波路４２ａの内に伝送しないように光路変更する機能を担っている。この第２光路変更部３２ｃは、第１光導波路３２ａを伝送する光のうち、第１光路変更部３２ｂで光路を変更することができなかった光が、第２光導波路４２ａに入射されないように設けられている。つまり、第２光路変更部２２ｃは、第１光路変更部３２ｂで光路変更した光と光路距離が異なる光が第２光導波路４２ａに入射されるのを抑えている。

受光素子５０は、第２光導波路４２ａから照射される光を受けて電気信号に変換する機能を担っている。光を受ける受光素子５０としては、例えばフォトディテクタ（ＰＤ；Photo Diode）など種々の受光素子が適用できる。この受光素子としてＰＤを採用する場合
は、応答速度の速い素子が好ましく、例えばＰＩＮ−ＰＤなどが挙げられる。この受光素子５０としては、面方向Ｄ３，Ｄ４−Ｄ５，Ｄ６に実装することができ、Ｄ６方向に伝播する光を受けて光電変換をする受光素子が好ましい。かかる受光素子では、第２光導波路４２ａに良好に光を入射することができる。

受光素子５０は、１つの素子に１つの光電変換部を有していても、１つの素子に複数の光電変換部を有していてもよい。本実施形態の受光素子５０は、１つの素子に１つの光電変換部を有している。１つの光電変換部は、１つの貫通孔４０ａに対応して配置される。つまり、この１つの光電変換部は、１つの第２光導波路４２ａに対応して配置される。

回路素子６０は、受光素子５０と電気的に接続されている。この回路素子６０は、受光素子５０で受光する光信号強度に応じて出力される電流信号を電圧信号に変換して出力している。また、この回路素子６０は、信号の波形を制御したり、ノイズ成分を除去したりする機能を併せ持っていてもよい。なお、受光素子５０で発する電気信号の出力が小さい場合、信号を増幅する機能を担っていても良い。この信号増幅機能は、受光素子５０自体が有していてもよい。また、この回路素子６０は、論理演算および数値計算を行う機能を有していてもよい。

電気配線７０は、第１電気配線７１、第２電気配線７２、第３電気配線７３、第４電気配線７４、接続導体７５を有している。

第１電気配線７１および第２電気配線７２は、光伝送基板１１において、受光素子５０と回路素子６０とを電気的に接続する機能を担っている。

第１電気配線７１は、第２基体４０の上面に形成されている。この第１電気配線７１は、第１端部が受光素子５０に接続され、第２端部が回路素子６０または基準電位に電気的に接続されている。第２電気配線７２は、第２基体４０の上面に形成されている。この第２電気配線７２は、第１端部が回路素子６０に接続され、第２端部が受光素子５０および基準電位を含む種々の部位に電気的に接続されている。この第１電気配線７２の一部は、第２基体４０の内部または上面などに設けられる導体を介して、第１電気配線７１に電気的に接続されている。

第３電気配線７３および第４電気配線７４は、第２基体４０と第２基体４０とを電気的に接続する機能を担っている。第３電気配線７３は、第２基体４０の下面に形成されている。この第３電気配線７３は、第１端部が第２基体４０の内部または上面などに設けられる導体を介して、第１電気配線７１および第２電気配線７３を含む種々の部位に電気的に接続されている。この第３電気配線７３は、第２端部が第４電気配線７４に接続されている。この第４電気配線７４は、第２基体４０の上面に形成されている。この第４電気配線７４は、第３電気配線７３と対向して配置されている。この第４電気配線７４は、第１端部が第３電気配線７３に接続され、第２端部が電源および基準電位を含む種々の部位に電気的に接続されている。

第１電気配線７１と第２電気配線７２との接続、および第３電気配線７３と第４電気配線７４との接続は、接続導体７５を介して行われている。この接続導体７５としては、例えば金属バンプ、導電性接着剤、異方性導電材料などが挙げられる。

なお、電気配線７０の上には、樹脂絶縁層としてソルダレジスト層が設けられていてもよい。ソルダレジスト層は、電気配線７０を含む領域の上面に、ラミネート法、またはスピンコートおよびドクターブレードに代表される塗布法を用いることで作製することができる。

なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。

本実施形態では、第２基体４０に第２光導波路４２ａが形成されている。しかし、このような形態に限られない。例えば、図７に示したように、第１基体２０Ａに貫通孔２０Ａａが形成され、この貫通孔２０Ａａに第２光導波路２２Ａａが形成されていてもよい。この貫通孔２０Ａａには、第２クラッド部２１および第２コア部２２が設けられている。この場合には、第１基体２０Ａの上に光電変換素子５０、駆動素子６０、電気配線７０などが形成され、かかる第１基体２０Ａが第２基体４０の代替機能を奏する。

また、第１光路変更部２２ｂが光学的に結合されるのは、第２光導波路４２ａに限られない。例えば、光電変換素子５０に光学的に直接結合していてもよいし、他の光路変更部に光学的に結合していてもよく、種々の光学的な構成への結合が考慮される。

１０、１０Ａ・・・受光モジュール
１１・・・光伝送基板
２０、２０Ａ・・・第１基体（基体）
２０Ａａ・・・貫通孔
２２Ａａ・・・第２光導波路
３０・・・光学層
３０ａ・・・窪み部
３１・・・第２クラッド部
３２・・・第２コア部
３２ａ・・・第１光導波路（光導波路）
３２ｂ・・・第１光路変更部
３２ｃ・・・第２光路変更部
３３・・・導電体層
４０・・・第２基体（第２の基体）
４０ａ・・・貫通孔
４１・・・第１クラッド部
４２・・・第１コア部
４２ａ・・・第２光導波路（第２の光導波路）
５０・・・光電変換素子
６０・・・駆動素子
７０・・・電気配線
７１・・・第１電気配線
７２・・・第２電気配線
７３・・・第３電気配線
７４・・・第４電気配線
７５・・・接続導体

Claims (7)

1. 基体と、該基体の上に形成される光学層とを有し、
   前記光学層は、第１方向に光が伝送される光導波路と、該光導波路の前記第１方向における端部に位置し、上面より窪んでいる窪み部とを有し、
   前記窪み部は、前記光導波路の端部に接し、前記第１方向と第２方向との間で前記基板とは反対側方向に光路の変更を行う第１光路変更部と、前記第１光導波路と離隔して且つ前記第１光路変更部に対向して位置し、前記第１方向と他の方向との間で光路の変更を行う第２光路変更部とを有し、
   前記第２光路変更部の傾斜角度（前記第２光路変更部の面と前記第１方向とのなす角）は、前記第１光路変更部の傾斜角度（前記第１光路変更部の面と前記第１方向とのなす角）に比べて小さい、光伝送基体。
   
2. 前記第２方向に貫通して形成され、当該第２方向に光が伝送される第２の光導波路が形成されている第２の基体をさらに有する、請求項１に記載の光伝送基体。
3. 前記光学層の下に形成された導電体層をさらに有する、請求項１または２に記載の光伝送基体。
4. 前記導電体層は、前記窪み部の底面を構成している、請求項３に記載の光伝送基体。
5. 前記基体は、前記第２方向に貫通して形成され、当該第２方向に光が伝送される第３の光導波路が形成されている、請求項１に記載の光伝送基体。
6. 前記光学層は、樹脂材料によって形成されており、
   前記窪み部は、レーザを用いて形成される、請求項１から５のいずれかに記載の光伝送基体。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の光伝送基体と、
   前記第２の光導波路を経て入力される光の光電変換を行う受光素子とを有する、受光モジュール。

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