JP5546363B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。

近年、基材上に半導体装置における半導体素子を搭載した後エリア毎に一括封止を行い（ＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｅａ Ｐａｃｋａｇｅ）方式）、その後、切断して個々の電子部品を製造することが増えてきている。特許文献１に、このような技術に関連する情報が記載されている。

従来の半導体装置の製造方法では、まず、複数の電極端子および複数の導電板を基材に形成する。次に、各導電板に複数の半導体素子を配置する。次に、半導体素子および電極端子をワイヤで接続する。次に、半導体素子および複数の電極端子などを樹脂層にて一括して覆う。次に、ダイシングブレードを用いて樹脂層を切断することにより、半導体素子ごとに樹脂で覆われた個片を、個々の半導体装置として取り出す。

ダイシングブレードを用いて樹脂層を切断する場合には水を使用する。この場合には、樹脂層を切断後に水を乾燥させる手間を要するため、半導体装置の生産性を向上させることのできる方法の開発が望まれている。

特開２００８−２１８４６９号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、半導体装置の生産性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供することをその主たる課題とする。

本発明の第１の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、互いに離間する複数の電極端子を基材に形成する工程と、上記基材に複数の半導体素子を配置する工程と、上記複数の電極端子のうち隣接する２つの電極端子に挟まれた隙間に配置された部位を有し、且つ、上記複数の半導体素子を覆う樹脂層を上記基材に形成する工程と、レーザを照射し上記隙間を通る溝を上記樹脂層に形成することにより、上記樹脂層を、上記複数の半導体素子のいずれかを各々が覆う複数の樹脂部に分離する工程と、を備える。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記分離する工程においては、上記溝として、上記２つの電極端子が離間する方向である第１方向と交差する第２方向に延びるものを形成する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記溝の上記第１方向における寸法は、上記２つの電極端子の上記第１方向における離間距離より大きい。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記分離する工程においては、上記レーザを、上記樹脂層を除去し且つ上記複数の電極端子を除去させない波長で照射する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記分離する工程においては、上記２つの電極端子をそれぞれ、上記複数の樹脂部のいずれかから露出させる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記分離する工程においては、上記複数の電極端子のいずれをも上記複数の樹脂部のいずれかから露出させる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の電極端子を基材に形成する工程においては、上記複数の電極端子を上記基材に当接させる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記分離する工程においては、上記第１方向と上記第２方向とに交差する上記樹脂層の厚み方向のうち上記樹脂層から上記複数の電極端子に向かう方向に、上記レーザを照射する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記分離する工程においては、上記第１方向と上記第２方向とに交差する上記樹脂層の厚み方向のうち上記複数の電極端子から上記樹脂層に向かう方向に、上記レーザを照射する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の半導体素子を配置する工程の前に、上記基材に複数の導電板を形成する工程を更に備え、上記複数の半導体素子を配置する工程においては、各半導体素子を上記複数の導電板のいずれかに配置する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の半導体素子を配置する工程においては、各半導体素子を上記複数の導電板のいずれかに導通させる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記分離する工程の前に、上記樹脂層から上記基材を取り除く工程を更に備える。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記取り除く工程においては、上記複数の電極端子を上記樹脂層から露出させる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記分離する工程においては、レーザ退避溝を有する真空吸引ステージに上記樹脂層を配置し、且つ、上記樹脂層のうち上記２つの電極端子に挟まれた部位を、上記レーザ退避溝に対向させる。

本発明の第２の側面によって提供される半導体装置は、半導体素子と、上記半導体素子に導通する複数の電極端子と、上記半導体素子および上記複数の電極端子を覆い、且つ、上記半導体素子を囲む側面および上記側面につながる底面を有する樹脂部と、を備え、上記複数の電極端子の各々は、上記底面に沿って広がる平板状であり、且つ、上記底面から露出する第１露出面を有し、上記側面は全体にわたって、上記底面の高低差より大きい高低差を有する粗面である。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記樹脂部は、上記側面の全体にわたって上記側面にて露出する球状のシリカを複数含む。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の電極端子はそれぞれ、上記側面から露出する第２露出面を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の電極端子のいずれかは、上記側面から突出する突出部を含む。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記側面は、上記底面と鋭角をなすように上記底面と垂直である方向に対し傾斜し、上記樹脂部は、上記側面になだらかにつながり且つ上記底面と反対側を向く主面を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記側面は、上記底面と鈍角をなすように上記底面と垂直である方向に対し傾斜し、且つ、上記底面となだらかにつながる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記樹脂部は、上記側面とつながり且つ上記底面と反対側を向く主面を有し、上記樹脂部は、上記側面にて上記突出部から上記主面に向かって、上記突出部が突出する方向に隆起する帯状の隆起部を含む。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の電極端子はいずれも、上記第１露出面を底面とする錐台状である。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の電極端子は、上記第１露出面を構成する第１メッキ層と、上記第１メッキ層と異なる導体よりなり且つ上記第１メッキ層に積層された中間層と、上記中間層と異なる導体よりなり且つ上記中間層に積層された第２メッキ層と、を含む。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体素子が配置され且つ上記樹脂部に覆われた導電板を更に備え、上記導電板は、上記底面に沿って延びる平板状であり、且つ、上記底面から露出している。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。 本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。 本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の正面図である。 図３に示した半導体装置の底面図である。 図３に示した半導体装置の左側面図である。 図３に示した半導体装置の平面図（一部透視化）である。 図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図７に示した半導体装置の部分拡大断面図である。 本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造工程における電極端子および導電板を形成する工程を示す要部平面図である。 図１０ＡのＢ−Ｂ線に沿う要部断面図である。 図１０ＡのＣ−Ｃ線に沿う要部断面図である。 図１０Ａに続く半導体素子およびワイヤを形成する工程を示す要部平面図である。 図１１ＡのＢ−Ｂ線に沿う要部断面図である。 図１１ＡのＣ−Ｃ線に沿う要部断面図である。 図１１Ａに続く樹脂層を形成する工程を示す要部平面図（一部透視化）である。 図１２ＡのＢ−Ｂ線に沿う要部断面図である。 図１２ＡのＣ−Ｃ線に沿う要部断面図である。 図１２Ａに続く基材を除去する工程を示す要部平面図（一部透視化）である。 図１３ＡのＢ−Ｂ線に沿う要部断面図である。 図１３ＡのＣ−Ｃ線に沿う要部断面図である。 図１２Ａに続く基材を除去する工程を示す要部底面図である。 図１３Ａに続く樹脂層を樹脂部へ分離する工程を示す要部平面図（一部透視化）である。 図１４ＡのＢ−Ｂ線に沿う要部断面図である。 図１４ＡのＣ−Ｃ線に沿う要部断面図である。 図１３Ａに続く樹脂層を樹脂部へ分離する工程を示す要部底面図である。 樹脂層と同一材料からなる物をダイシングブレードで切断したときの切断面と、樹脂層と同一材料からなる物をレーザを照射することにより切断したときの切断面とを示す写真である。 電極端子および導電板の変形例を示すための半導体装置の断面図である。 電極端子および導電板の変形例を示すための半導体装置の断面図である。 電極端子および導電板の変形例を示すための半導体装置の断面図である。 第２露出面と樹脂部の側面とが面一である半導体装置の断面図である。 本発明の第１実施形態の変形例にかかる半導体装置の斜視図である。 本発明の第１実施形態の変形例にかかる半導体装置の斜視図である。 本発明の第１実施形態の変形例にかかる半導体装置の平面図（一部透視化）である。 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の正面図である。 図２５に示した半導体装置の底面図である。 図２５に示した半導体装置の左側面図である。 図２５に示した半導体装置の平面図（一部透視化）である。 図２８のＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ線に沿う断面図である。 図２８のＸＸＸ−ＸＸＸ線に沿う断面図である。 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の製造工程における、樹脂層を樹脂部３２分離する工程を示す要部平面図である。 図３１ＡのＢ−Ｂ線に沿う要部断面図である。 図３１ＡのＣ−Ｃ線に沿う要部断面図である。 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の製造工程における、樹脂層を樹脂部へ分離する工程を示す要部底面図（一部透視化）である。 本発明の第２実施形態の変形例にかかる半導体装置の斜視図である。 本発明の第２実施形態の変形例にかかる半導体装置の斜視図である。 本発明の第２実施形態の変形例にかかる半導体装置の平面図（一部透視化）である。

以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

図１〜図１５を用いて本発明の第１実施形態について説明する。図１、図２は、本実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。図３は、本実施形態にかかる半導体装置の正面図である。図４は、図３に示した半導体装置の底面図である。図５は、図３に示した半導体装置の左側面図である。図６は、図３に示した半導体装置の平面図（一部透視化）である。図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図７の領域８８の部分拡大断面図である。

これらの図に示す半導体装置Ａ１は、樹脂部１と、半導体素子２と、４つの電極端子３と、導電板４と、４本のワイヤ５と、を備える。半導体装置Ａ１は、たとえばＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｅａ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの構造を有する。半導体装置Ａ１の方向ｘにおける寸法は、数ｍｍ（たとえば１ｍｍ〜２ｍｍ）程度である。半導体装置Ａ１の方向ｙにおける寸法は、数ｍｍ（たとえば１ｍｍ〜２ｍｍ）程度である。半導体装置Ａ１の方向ｚにおける寸法は、たとえば、０．５〜０．８５ｍｍ程度である。

図７に示すように、樹脂部１は、半導体素子２と、電極端子３と、導電板４と、ワイヤ５とを覆っている。樹脂部１は、半導体素子２と、電極端子３と、導電板４と、ワイヤ５とを保護するためのものである。樹脂部１は、たとえば、エポキシ樹脂よりなる。図９に示すように、本実施形態では、樹脂部１は、球状のシリカ１１を複数含む。図７に示すように、樹脂部１は、主面１３と、側面１４と、底面１５とを有する。

主面１３および底面１５はいずれも平面状であり、互いに反対側を向く。図６によく表れているように、側面１４は、方向ｚ視において、半導体素子２を囲んでいる。図７に示すように、側面１４は、主面１３および底面１５につながる。本実施形態において、側面１４は、主面１３となめらかにつながる。側面１４は、底面１５と鋭角をなすように方向ｚに対しわずかに傾斜するテーパ状である。側面１４のうち底面１５から主面１３に至る部位の方向ｘにおける寸法Ｌ１は、たとえば、１０μｍ〜２０μｍである。側面１４は全体にわたって、底面１５の高低差より大きい高低差を有する粗面である。本実施形態においてはさらに、側面１４では全体にわたって、球状のシリカ１１が複数露出している（図９参照）。各シリカ１１の直径は、たとえば、５μｍ〜４０μｍである。側面１４において、たとえば、縦が０．５ｍｍ、横が０．５ｍｍ（０．５ｍｍ角）の領域当たり、４０〜８０個のシリカ１１が露出している。

半導体素子２は、レギュレータＩＣなどのＩＣチップである。半導体素子２には、図示しない複数の電極が形成されている。半導体素子２の方向ｘ，方向ｙにおける寸法はそれぞれ、たとえば、０．５５ｍｍ程度である。半導体素子２の方向ｚにおける寸法は、たとえば、０．２３ｍｍ程度である。

図７によく表れているように、各電極端子３は、半導体装置Ａ１を回路基板８１に実装する際の実装電極として機能する。各電極端子３は、底面１５に沿って広がる平板状である。各電極端子の方向ｘ，方向ｙ，方向ｚにおける寸法は、それぞれ、たとえば、２００μｍ，２００μｍ，３０〜２００μｍである。

各電極端子３は、第１露出面３１と第２露出面３２とを有する。第１露出面３１は、底面１５から露出している。第１露出面３１は底面１５と面一となっている。各電極端子３は、第１露出面３１を底面とする錐台状となっている。なお、各電極端子３の形状は、錐台状である必要は必ずしもなく、直方体状（図１６参照）、逆錐台状（図１７参照）、もしくは、くさび状（図１８参照）であってもよい。第２露出面３２は、側面１４から露出している。第２露出面３２は、側面１４から露出していれば側面１４と面一（図１９参照）であってもかまわない。本実施形態において各電極端子３は、側面１４から突出する突出部３４を含む。電極端子３の側面１４からの突出寸法、すなわち、突出部３４の方向ｘにおける寸法Ｌ２は、たとえば、１０μｍ〜３０μｍである。

各電極端子３は、第１メッキ層３６と、中間層３７と、第２メッキ層３８とを含む。各電極端子３は、第１メッキ層３６、中間層３７、および第２メッキ層３８が積層された積層構造を有する。第１メッキ層３６、中間層３７、および第２メッキ層３８はいずれも、導電性材料よりなる。第１メッキ層３６は、第１露出面３１を構成している。第１メッキ層３６は、後述の半導体装置Ａ１を製造する工程において、中間層３７が取り除かれるのを防止するために形成されている。第２メッキ層３８は、中間層３７が酸化されるのを防止するために形成されている。第２メッキ層３８はさらに、ワイヤ５がボンディングされる際にワイヤ５との接合性を向上させるために、形成されている。第１メッキ層３６を構成する材料と、中間層３７を構成する材料とは、互いに異なる。また、第２メッキ層３８を構成する材料と、中間層３７を構成する材料とは、互いに異なる。第１メッキ層３６、中間層３７、第２メッキ層３８を構成する材料の一例としては、それぞれ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｇが挙げられる。もしくは、第１メッキ層３６、中間層３７、および、第２メッキ層３８を構成する材料の一例としては、それぞれ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ／Ａｕが挙げられる。

なお、各図において、複数の電極端子３の各々を、電極端子３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄとしている。

図７によく表れているように、導電板４は、底面１５に沿って広がる平板状である。導電板４の方向ｘ，方向ｙ，方向ｚにおける寸法は、それぞれ、たとえば、６００μｍ，６００μｍ，３０〜２００μｍである。同図にて方向ｚ視における導電板４の大きさは半導体素子２の大きさとほぼ同程度であるが、方向ｚ視における導電板４は、半導体素子２より小さくても、もしくは、大きくてもよい。

図７によく表れているように、導電板４は、露出面４１を有する。露出面４１は底面１５から露出している。露出面４１は底面１５と面一となっている。導電板４は、露出面４１を底面とする錐台状となっている。なお、導電板４の形状は、錐台状である必要は必ずしもなく、直方体状（図１６参照）、逆錐台状（図１７参照）、もしくは、くさび状であってもよい。導電板４には半導体素子２が配置されている。半導体素子２にて発生した熱は、導電板４に伝わる。導電板４と半導体素子２との間には、導電性の接着層（図示略）が介在していてもよい。

導電板４は、各電極端子３と同様の積層構造を有する。すなわち、導電板４は、第１メッキ層４６、中間層４７、および第２メッキ層４８とが積層された積層構造を有する。第１メッキ層４６は第１メッキ層３６と、中間層４７は中間層３７と、第２メッキ層４８は第２メッキ層３８と同様であるから、第１メッキ層４６、中間層４７、および第２メッキ層４８の説明を省略する。

複数のワイヤ５はそれぞれ、半導体素子２に形成された図示しない電極と、電極端子３とにボンディングされている。これにより、ワイヤ５は、半導体素子２と各電極端子３とを導通させている。ワイヤ５は、たとえば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌよりなる。

図７に示すように、半導体装置Ａ１は、ハンダ８２を用いて、回路基板８１に実装される。ハンダ８２は第１露出面３１のみならず第２露出面３２にも付着する。そのため、ハンダ８２には、同図上側から視認されやすいフィレット８２１が形成されている。また、導電板４と回路基板８１との間にハンダ８２を形成してもよい。このようにすることで、半導体素子２にて発生した熱が導電板４とハンダ８２とを通り回路基板８１に伝わる。そのため、半導体素子２にて発生した熱を、速やかに半導体装置Ａ１の外部に放出できる。さらに、半導体素子２が裏面導通をとる場合、回路基板８１と電気的接続も可能となる。

次に、半導体装置Ａ１の製造方法について、図１０Ａ〜図１４Ｄを参照しつつ説明する。

＜電極端子および導電板の形成＞
図１０Ａは、電極端子および導電板を形成する工程を示す要部平面図である。図１０Ｂは、図１０ＡのＢ−Ｂ線に沿う要部断面図である。図１０Ｃは、図１０ＡのＣ−Ｃ線に沿う要部断面図である。

まず、これらの図に示す基材７１を用意する。基材７１は、たとえば、Ｃｕもしくはステンレスよりなる。次に、基材７１に、複数の電極端子３および複数の導電板４を形成する。基材７１上にて、複数の電極端子３および複数の導電板４は、互いに離間している。より具体的には、基材７１上にて、電極端子３ａ，３ｂは、互いに離間しつつ、方向ｘに沿って交互に配列される。基材７１上にて、電極端子３ｃ，３ｄは、互いに離間しつつ、方向ｘに沿って交互に配列される。一方、基材７１上にて、電極端子３ａ，３ｃは、互いに離間しつつ、方向ｙに沿って交互に配列される。基材７１上にて、電極端子３ｂ，３ｄは、互いに離間しつつ、方向ｙに沿って交互に配列される。さらに、基材７１上にて、各導電板４は、電極端子３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄに囲まれるように、配置される。電極端子３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄおよび導電板４はいずれも、基材７１に当接している。

図１０Ａ、図１０Ｂに示すように、基材７１上にて、方向ｘに離間する電極端子３ａ，３ｂに挟まれた隙間７２１が形成されている。隙間７２１を挟む電極端子３ａ，３ｂは、距離ｗ１だけ離間している。同様に、基材７１上にて、方向ｘに離間する電極端子３ｃ，３ｄに挟まれた同図に示す隙間７２２が形成されている。隙間７２２を挟む電極端子３ｃ，３ｄは、距離ｗ１だけ離間している。距離ｗ１は、たとえば、２０μｍ〜４０μｍである。図１０Ａ、図１０Ｃに示すように、基材７１上にて、方向ｙに離間する電極端子３ａ，３ｃに挟まれた同図に示す隙間７２３が形成されている。隙間７２３を挟む電極端子３ａ，３ｃは、距離ｗ２だけ離間している。基材７１上にて、方向ｙに離間する電極端子３ｂ，３ｄに挟まれた同図に示す隙間７２４が形成されている。隙間７２４を挟む電極端子３ｂ，３ｄは、距離ｗ２だけ離間している。距離ｗ２は、たとえば、１２０μｍ〜１６０μｍである。

複数の電極端子３および複数の導電板４の基材７１への形成は、電鋳法を用いる。電鋳法を用いる際、基材７１は、電流を流すための導体として機能する。複数の電極端子３および複数の導電板４は電鋳法を用いて形成されるため、いずれも、基材７１の側の面を底面とする錐台状となるのが一般的であるが、種々の断面形状となりうる。上述のように、各電極端子３は、第１メッキ層３６と、中間層３７と、第２メッキ層３８が互いに積層された積層構造を有する。同様に、各導電板４は、第１メッキ層４６と、中間層４７と、第２メッキ層４８が互いに積層された積層構造を有する。第１メッキ層３６と第１メッキ層４６、中間層３７と中間層４７、第２メッキ層３８と第２メッキ層４８は、それぞれ、同一の材料よりなる。第１メッキ層３６および第１メッキ層４６は、同時に形成される。中間層３７および中間層４７は同時に形成される。第２メッキ層３８および第２メッキ層４８は同時に形成される。

＜半導体素子およびワイヤの形成＞
図１１Ａは、図１０Ａに続く半導体素子およびワイヤを形成する工程を示す要部平面図である。図１１Ｂは、図１１ＡのＢ−Ｂ線に沿う要部断面図である。図１１Ｃは、図１１ＡのＣ−Ｃ線に沿う要部断面図である。

次に、図１１Ａ〜図１１Ｃに示すように、基材７１に複数の半導体素子２を配置する。より具体的には、各導電板４に複数の半導体素子２を一つずつ接合する。半導体素子２を導電板４に接合するには、たとえば導電性の接着剤を用いることができる。次に、半導体素子２に形成された図示しない電極と、隣接する電極端子３とに、ワイヤ５をボンディングする。

＜樹脂層の形成＞
図１２Ａは、図１１Ａに続く樹脂層を形成する工程を示す要部平面図（一部透視化）である。図１２Ｂは、図１２ＡのＢ−Ｂ線に沿う要部断面図である。図１２Ｃは、図１２ＡのＣ−Ｃ線に沿う要部断面図である。

次に、図１２Ａ〜図１２Ｃに示すように、基材７１に樹脂層７４を形成する。樹脂層７４は、半導体素子２と、複数の電極端子３と、複数の導電板４とを覆っている。また、樹脂層７４は、隙間７２１〜７２４に配置された部位を有する。樹脂層７４は、ｘｙ平面視において、たとえば数百〜数千個の半導体素子２を覆う程度の大きさである。

＜基材の除去＞
図１３Ａは、図１２Ａに続く基材を除去する工程を示す要部平面図（一部透視化）である。図１３Ｂは、図１３ＡのＢ−Ｂ線に沿う要部断面図である。図１３Ｃは、図１３ＡのＣ−Ｃ線に沿う要部断面図である。図１３Ｄは、基材を除去する工程を示す要部底面図である。

次に、図１３Ａ〜図１３Ｄに示すように、樹脂層７４から基材７１を取り除く。基材７１を取り除くには、基材７１を構成する材料のみを選択的に取り除くエッチング処理を行う。図１３Ｂに示すように、基材７１と中間層３７との間には、それぞれ、第１メッキ層３６が介在している。そのため、基材７１および中間層３７を構成する材料が同一であっても、第１メッキ層３６がエッチングに対するバリアとなり、中間層３７が除去されない。同様に、基材７１および中間層４７を構成する材料が同一であっても、第１メッキ層４６がエッチングに対するバリアとなり、中間層４７が除去されない。基材７１を取り除くことにより、複数の電極端子３および複数の導電板４が樹脂層から露出する。このようにして、複数の電極端子３および複数の導電板４が樹脂層７４から露出した中間体７６を得ることができる。

＜樹脂部への分離＞
図１４Ａは、図１３Ａに続く樹脂層を樹脂部へ分離する工程を示す要部平面図（一部透視化）である。図１４Ｂは、図１４ＡのＢ−Ｂ線に沿う要部断面図である。図１４Ｃは、図１４ＡのＣ−Ｃ線に沿う要部断面図である。図１４Ｄは、樹脂層を樹脂部へ分離する工程を示す要部底面図である。

次に、図１４Ａ〜図１４Ｄに示すように、樹脂層７４を、複数の樹脂部１に分離する。樹脂層７４を複数の樹脂部１に分離するには、レーザ７７を樹脂層７４に照射する。レーザ７７を樹脂層７４に照射する際、図１３Ａ〜図１３Ｄに示した中間体７６を、真空吸引ステージ７８（図１４Ａ、図１４Ｄでは省略）に保持させる。中間体７６は、複数の電極端子３が露出している側を真空吸引ステージ７８に向けて配置される。真空吸引ステージ７８には、複数のレーザ退避溝７８１と、図示しない複数の吸引孔とが形成されている。中間体７６が真空吸引ステージ７８に保持された状態では、レーザ退避溝７８１は、方向ｚ視において隙間７２１〜７２４と重なる。レーザ退避溝７８１は、レーザ７７が真空吸引ステージ７８に照射されても、真空吸引ステージ７８の表面が損傷しないようにするためのものである。

本実施形態において、レーザ７７を照射する方向は、図１４Ｂ、図１４Ｃの上側から下側に向かう方向、すなわち、方向ｚのうち樹脂層７４から複数の電極端子３に向かう方向である。レーザ７７の波長は、樹脂層７４を除去し且つ電極端子３を除去させない範囲に属する。当該範囲は、たとえば、５３２〜１０６４ｎｍである。このような波長のレーザ７７としては、ＹＡＧレーザや半波長のグリーンレーザが挙げられる。レーザ７７のスポット径は、たとえば、２０μｍ〜３０μｍである。

レーザ７７を樹脂層７４に照射することにより、樹脂層７４に、複数の第１の溝７４１と複数の第２の溝７４２とが形成される。各第１の溝７４１は、方向ｙに沿って延び、且つ、隙間７２１，７２２を通る。一方、各第２の溝７４２は、方向ｘに沿って延び、且つ、隙間７２３，７２４を通る。レーザ７７を１回ないし複数回（たとえば４、５回）ほど走査させると、第１の溝７４１および第２の溝７４２が樹脂層７４を貫通する。複数の第１の溝７４１および複数の第２の溝７４２が樹脂層７４を貫通することにより、樹脂層７４が複数の樹脂部１に分離される。

各第１の溝７４１の方向ｘにおける最小の寸法Ｗ１は、距離ｗ１より大きいことが好ましい。寸法Ｗ１は、たとえば、４０μｍ〜７０μｍである。寸法Ｗ１を距離ｗ１より大きくすることで、複数の電極端子３はいずれも、側面１４から露出することとなる。また、電極端子３には、樹脂部１の側面１４から突出する突出部３４が形成される。一方、各第２の溝７４２の方向ｙにおける最小の寸法Ｗ２は、距離ｗ２より小さい。

樹脂部１の側面１４は、レーザ７７が照射され樹脂層７４の一部が除去されることにより形成されたものである。そのため、上述のように（図９参照）、側面１４は全体にわたって、底面１５の高低差より大きい高低差を有する粗面となりやすい。本実施形態では、樹脂層７４を構成する材料には、シリカが含まれている。レーザ７７が照射されることにより、樹脂層７４を構成する材料に含まれるシリカが溶融し、複数の球状のシリカ１１として側面１４にて露出する。図１５の９１は、樹脂層７４と同一材料からなる物をダイシングブレードで切断したときの切断面、図１５の９２は、樹脂層７４と同一材料からなる物をレーザを照射することにより切断したときの切断面を示す。同図に示すように、９２に示す切断面は、９１に示す切断面に比べ、凹凸を有する。

本実施形態においては、レーザ７７を照射する方向は、図１４Ｂ、図１４Ｃの上側から下側に向かう方向である。そのため、上述のように（図７参照）、側面１４は、主面１３となめらかにつながりやすい。また、側面１４は、底面１５と鋭角をなすように方向ｚに対しわずかに傾斜するテーパ状となりやすい。

以上のように、半導体装置Ａ１を製造する。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

本実施形態においては、図１４Ｂ、図１４Ｃに示したように、レーザ７７を照射し第１の溝７４１および第２の溝７４２を形成することにより、樹脂層７４を複数の樹脂部１に分離している。本実施形態では、樹脂層７４を複数の樹脂部１に分離するために、ダイシングブレードを用いていない。ダイシングブレードを用いた場合には、水を使用するため、水を乾燥させる手間を要する。また、水流圧や乾燥時の遠心力、空気の吹きつけ力で、樹脂部１が飛散しないように、強固に保持する必要がある。一方、本実施形態によると、樹脂層７４を複数の樹脂部１に分離するのにレーザ７７を照射するため、水を必要としない。そのため、樹脂層７４を複数の樹脂部１に分離した後に水分を乾燥させる手間を省け、分離させる際の外力がほとんど加わらないので保持力が少なくて済む。したがって本実施形態にかかる方法は、半導体装置Ａ１の生産性の向上を図ることができ、かつ、樹脂部１に対する保持力が確保困難な非常に小さい製品に対して有効性が高い。

本実施形態かかる製造方法は、電極端子３にバリが発生するのを防止しつつ、且つ、実装状態を容易に把握できる半導体装置を製造するのに適する。その理由はつぎのとおりである。

本実施形態においては、電極端子３は電鋳法を用いて形成されているため、もともとバリが発生していない。また、レーザ７７を用いて樹脂層７４を複数の樹脂部１に分離しており、ダイシングブレードを用いていない。そのため、電極端子３にバリが発生しない。

レーザ７７を樹脂層７４に照射することにより第１の溝７４１を形成すると、樹脂層７４にて形成される第１の溝７４１の位置が、所望の位置からわずかにずれることがある。また、レーザ７７を樹脂層７４に照射することにより第１の溝７４１を形成すると、第１の溝７４１の方向ｘにおける幅が、所望の幅からずれることがある。そのため、本実施形態では、これらのずれを考慮して、第１の溝７４１の方向ｘにおける幅が距離ｗ１より大きい値となるように、各第１の溝７４１を形成している。これにより、第１の溝７４１の位置が所望の位置からずれても、もしくは、第１の溝７４１の方向ｘにおける幅が所望の幅からずれても、第１の溝７４１の方向ｘにおける幅が距離ｗ１より大きくすることが可能となっている。実際、図１４Ａに示すように、第１の溝７４１の方向ｘにおける幅は、距離ｗ１より大きい寸法Ｗ１となっている。その結果、より確実に電極端子３を側面１４から露出させることが可能となる。電極端子３が側面１４から露出していると、図７に示すように、ハンダ８２には同図上側から視認されやすいフィレット８２１を形成できる。したがって、本実施形態にかかる製造方法は、実装状態を容易に把握できる半導体装置を製造するのに適する。

以上より、本実施形態かかる製造方法は、電極端子３にバリが発生するのを防止しつつ、且つ、実装状態を容易に把握できる半導体装置を製造するのに適する。

従来のように、ダイシングブレードを用いて樹脂層７４をダイシングする場合には、電極端子３にバリが発生するのを抑制するため、樹脂層７４の方向ｙに沿う切断速度が制限される。そのため、従来では、バリがほとんど発生しない程度の遅い切断速度で、樹脂層７４をダイシングしていた。しかしながら、本実施形態では、樹脂層７４を複数の樹脂部１に分離するためにはレーザ７７を照射するため、そもそもバリが発生しない。よって、樹脂層７４の方向ｙに沿う切断速度は、電極端子３に生じうるバリの発生の有無に関係なく、決定することができる。そのため、本実施形態にかかる方法は、方向ｙに沿う樹脂層７４の切断速度を向上させるのに適する。したがって、本実施形態にかかる方法は、半導体装置の生産性の向上を図るのに適する。

本実施形態では、レーザ７７を照射する方向は、方向ｚのうち樹脂層７４から複数の電極端子３に向かう方向である。このようにレーザ７７を照射する場合、図７に示した寸法Ｌ１の値の変動幅は大きいが、寸法Ｗ１（電極端子３に近接する部位の第１の溝７４１の寸法）の変動幅はさほど大きくない。そのため、寸法Ｌ１の値より寸法Ｗ１の値の方がコントロールしやすい。したがって、本実施形態にかかる方法によれば、電極端子３が側面１４から露出している半導体装置Ａ１を製造しやすい。

本実施形態においては、各電極端子３は第１露出面３１を底面とする錐台状である。ハンダ８２は各電極端子３の第２露出面３２にも付着するため、図７の上側からハンダフィレット８２１が見えやすい。

次に、図２０〜図２２を用いて、本実施形態の変形例について説明する。図２０、図２１は、本実施形態の変形例にかかる半導体装置の斜視図である。図２２は、本実施形態の変形例にかかる半導体装置の平面図（一部透視化）である。

これらの図に示す半導体装置Ａ１１は、４つの電極端子３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄに加え、さらに４つの電極端子３を備える点において、上述の半導体装置Ａ１と異なる。側面１４のうち方向ｘを向く面のみでなく、側面１４のうち方向ｙを向く面からも電極端子３が突出している。半導体装置Ａ１１は、第１実施形態にて述べた製造方法と同様の方法により製造できる。半導体装置Ａ１１によっても、半導体装置Ａ１に関して述べたのと同様に、視認性の高いハンダフィレットを各電極端子３に付着させることができる。

次に、図２３〜図３１Ｄを用いて、本発明の第２実施形態について説明する。これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

図２３は、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。図２４は、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。図２５は、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の正面図である。図２６は、図２５に示した半導体装置の底面図である。図２７は、図２５に示した半導体装置の左側面図である。図２８は、図２５に示した半導体装置の平面図（一部透視化）である。図２９は、図２８のＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ線に沿う断面図である。図３０は、図２８のＸＸＸ−ＸＸＸ線に沿う断面図である。

本実施形態は、樹脂層７４を複数の樹脂部１に分離する工程における、樹脂層７４に対しレーザ７７を照射する方向が、第１実施形態と反対となっている。

本実施形態にかかる半導体装置Ａ２は、樹脂部１と、半導体素子２と、４つの電極端子３と、導電板４と、４本のワイヤ５と、を備える。半導体素子２、電極端子３、導電板４、ワイヤ５の各構成は、第１実施形態における構成と同様であるから、説明を省略する。

図２９に示すように、樹脂部１は、半導体素子２と、電極端子３と、導電板４と、ワイヤ５とを覆っている。樹脂部１は、半導体素子２と、電極端子３と、導電板４と、ワイヤ５とを保護するためのものである。樹脂部１は、たとえば、エポキシ樹脂よりなる。本実施形態では、樹脂部１は、球状のシリカ１１を複数含む（図９参照、本実施形態では図示略）。樹脂部１は、主面１３と、側面１４と、底面１５とを有する。

主面１３および底面１５はいずれも平面状であり、互いに反対側を向く。図２８によく表れているように、側面１４は、方向ｚ視において、半導体素子２を囲んでいる。図２９に示すように、側面１４は、主面１３および底面１５につながる。本実施形態において、側面１４は、底面１５となめらかにつながる。側面１４は、底面１５と鈍角をなすように方向ｚに対しわずかに傾斜するテーパ状である。側面１４のうち主面１３から底面１５に至る部位の方向ｘにおける寸法Ｌ４（図２５参照）は、たとえば、１０μｍ〜２０μｍである。側面１４は全体にわたって、底面１５の高低差より大きい高低差を有する粗面である。本実施形態においてもさらに、側面１４では全体にわたって、球状のシリカ１１が複数露出している（図９参照、本実施形態では図示略）。

本実施形態において樹脂部１は、帯状の複数の隆起部１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄを含む。図２５に示すように、隆起部１６ａは、側面１４にて電極端子３ａの突出部３４から主面１３にわたって、電極端子３ａの突出部３４が突出する方向に隆起する形状である。同様に、隆起部１６ｂは、側面１４にて電極端子３ｂの突出部３４から主面１３にわたって、電極端子３ｂの突出部３４が突出する方向に隆起する形状である。同様に、隆起部１６ｃは、側面１４にて電極端子３ｃの突出部３４から主面１３にわたって、電極端子３ｃの突出部３４が突出する方向に隆起する形状である。同様に、隆起部１６ｄは、側面１４にて電極端子３ｄの突出部３４から主面１３にわたって、電極端子３ｄの突出部３４が突出する方向に隆起する形状である。なお、図では隆起部１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄを模式的に示している。隆起部１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄの角は図示したように尖っておらず、曲面状であってもよい。

次に、半導体装置Ａ２の製造方法について、図３１Ａ〜図３１Ｄを参照しつつ説明する。本実施形態では、第１実施形態と同様に基材７１を取り除く工程まで行い、図１３Ａ〜図１３Ｄに示した中間体７６を製造する。

＜樹脂部への分離＞
図３１Ａは、樹脂層を樹脂部へ分離する工程を示す要部平面図である。図３１Ｂは、図３１ＡのＢ−Ｂ線に沿う要部断面図である。図３１Ｃは、図３１ＡのＣ−Ｃ線に沿う要部断面図である。図３１Ｄは、樹脂層を樹脂部へ分離する工程を示す要部底面図（一部透視化）である。

次に、図３１Ａ〜図３１Ｄに示すように、樹脂層７４を、複数の樹脂部１に分離する。樹脂層７４を複数の樹脂部１に分離するには、レーザ７７を樹脂層７４に照射する。レーザ７７を樹脂層７４に照射する際、中間体７６を、真空吸引ステージ７８に保持させる。中間体７６は、複数の電極端子３が露出している側の反対側を真空吸引ステージ７８に向けて配置される。真空吸引ステージ７８には、複数のレーザ退避溝７８１と、図示しない複数の吸引孔とが形成されている。中間体７６が真空吸引ステージ７８に保持された状態では、レーザ退避溝７８１は、方向ｚ視において隙間７２１〜７２４と重なる。

本実施形態において、レーザ７７を照射する方向は、図３１Ｂ、図３１Ｃの上側から下側に向かう方向、すなわち、方向ｚのうち複数の電極端子３から樹脂層７４に向かう方向である。レーザ７７の波長は、樹脂層７４を除去し且つ電極端子３を除去させない範囲に属する。当該範囲は、たとえば、５３２〜１０６４ｎｍである。このような波長のレーザ７７としては、ＹＡＧレーザや半波長のグリーンレーザが挙げられる。レーザ７７のスポット径は、たとえば、２０μｍ〜３０μｍである。

レーザ７７を樹脂層７４に照射することにより、樹脂層７４に、複数の第３の溝７４３と複数の第４の溝７４４とが形成される。各第３の溝７４３は、方向ｙに沿って延び、且つ、隙間７２１，７２２を通る。一方、各第４の溝７４４は、方向ｘに沿って延び、且つ、隙間７２３，７２４を通る。レーザ７７を１回ないし複数回（たとえば４、５回）ほど走査させると、第３の溝７４３および第４の溝７４４が樹脂層７４を貫通する。複数の第３の溝７４３および複数の第４の溝７４４が樹脂層７４を貫通することにより、樹脂層７４が複数の樹脂部１に分離される。

各第３の溝７４３の方向ｘにおける最小の寸法Ｗ３は、距離ｗ１より大きいことが好ましい。寸法Ｗ３は、たとえば、４０μｍ〜７０μｍである。寸法Ｗ３を距離ｗ１より大きくすることで、複数の電極端子３はいずれも、側面１４から露出することとなる。また、電極端子３には、樹脂部１の側面１４から突出する突出部３４が形成される。一方、各第４の溝７４４の方向ｙにおける最小の寸法Ｗ４は、距離ｗ２より小さい。

樹脂部１の側面１４は、レーザ７７が照射され樹脂層７４の一部が除去されることにより形成されたものである。そのため、上述のように、側面１４は全体にわたって、底面１５の高低差より大きい高低差を有する粗面となりやすい。また、本実施形態においては、レーザ７７を照射する方向は、方向ｚのうち複数の電極端子３から樹脂層７４に向かう方向である。そのため、図２９に示すように、側面１４は、底面１５となめらかにつながりやすい。また、側面１４は、底面１５と鈍角をなすように方向ｚに対しわずかに傾斜するテーパ状となりやすい。本実施形態では、レーザ７７が突出部３４に遮断され樹脂層７４の一部が除去されず、樹脂部１には帯状の複数の隆起部１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが形成される。本実施形態ではさらに、樹脂層７４を構成する材料には、シリカが含まれている。レーザ７７が照射されることにより、樹脂層７４を構成する材料に含まれるシリカが溶融し、複数の球状のシリカ１１として側面１４にて露出する（図９参照、本実施形態では図示略）。

以上のように、半導体装置Ａ２を製造する。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

本実施形態においては、図３１Ｂ、図３１Ｃに示したように、レーザ７７を照射し第３の溝７４３および第４の溝７４４を形成することにより、樹脂層７４を複数の樹脂部１に分離している。本実施形態では、樹脂層７４を複数の樹脂部１に分離するために、ダイシングブレードを用いていない。ダイシングブレードを用いた場合には、水を使用するため、水を乾燥させる手間を要する。また、水流圧や乾燥時の遠心力、空気の吹きつけ力で、樹脂部１が飛散しないように、強固に保持する必要がある。一方、本実施形態によると、樹脂層７４を複数の樹脂部１に分離するのにレーザ７７を照射するため、水を必要としない。そのため、樹脂層７４を複数の樹脂部１に分離した後に水分を乾燥させる手間を省け、分離させる際の外力がほとんど加わらないので保持力が少なくて済む。したがって本実施形態にかかる方法は、半導体装置Ａ２の生産性の向上を図ることができ、かつ、樹脂部１に対する保持力が確保困難な非常に小さい製品に対して有効性が高い。

第１実施形態において上述したのと同様の理由により、本実施形態かかる製造方法は、電極端子３にバリが発生するのを防止しつつ、且つ、実装状態を容易に把握できる半導体装置を製造するのに適する。

第１実施形態において上述したのと同様の理由により、本実施形態によると、樹脂層７４の方向ｙに沿う切断速度を向上させることができる。したがって、本実施形態にかかる方法は、半導体装置の生産性の向上を図るのに適する。

次に、図３２〜図３４を用いて、本実施形態の変形例について説明する。図３２、図３３は、本実施形態の変形例にかかる半導体装置の斜視図である。図３４は、本実施形態の変形例にかかる半導体装置の平面図（一部透視化）である。

これらの図に示す半導体装置Ａ２１は、４つの電極端子３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄに加え、さらに４つの電極端子３を備える点において、上述の半導体装置Ａ２と異なる。側面１４のうち方向ｘを向く面のみでなく、側面１４のうち方向ｙを向く面からも電極端子３が突出している。また、半導体装置Ａ２１において樹脂部１は、側面１４のうち方向ｙを向く面にて隆起する複数の隆起部１６を含む。半導体装置Ａ２１は、第２実施形態にて述べた製造方法と同様の方法により製造できる。半導体装置Ａ２１によっても、半導体装置Ａ２に関して述べたのと同様に、視認性の高いハンダフィレットを各電極端子３に付着させることができる。

本発明の範囲は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

基材に各電極端子を形成するのに、電鋳法を用いなくてもよい。たとえば、金属箔積層法や、金属ナノペースト印刷や、描画法を用いて、各電極端子を基材に形成してもよい。この場合、電極端子は、錐台状、直方体状、逆錐台状、あるいは、くさび状のような形状になる。

Ａ１，Ａ１１，Ａ２，Ａ２１ 半導体装置
１ 樹脂部
１１ シリカ
１３ 主面
１４ 側面
１５ 底面
１６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ 隆起部
２ 半導体素子
３，３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ 電極端子
３１ 第１露出面
３２ 第２露出面
３４ 突出部
３６ 第１メッキ層
３７ 中間層
３８ 第２メッキ層
４ 導電板
４１ 露出面
４６ 第１メッキ層
４７ 中間層
４８ 第２メッキ層
５ ワイヤ
７１ 基材
７２１〜７２４ 隙間
７４ 樹脂層
７４１ 第１の溝
７４２ 第２の溝
７４３ 第３の溝
７４４ 第４の溝
７６ 中間体
７７ レーザ
７８ 真空吸引ステージ
７８１ レーザ退避溝
８１ 回路基板
８２ ハンダ
８２１ フィレット
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ４ 寸法
Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４ 寸法
ｗ１，ｗ２ 距離

Claims (24)

1. 互いに離間する複数の電極端子を基材に形成する工程と、
   上記基材に複数の半導体素子を配置する工程と、
   上記複数の電極端子のうち隣接する２つの電極端子に挟まれた隙間に配置された部位を有し、且つ、上記複数の半導体素子を覆う樹脂層を上記基材に形成する工程と、
   レーザを照射し上記隙間を通る溝を上記樹脂層に形成することにより、上記樹脂層を、上記複数の半導体素子のいずれかを各々が覆う複数の樹脂部に分離する工程と、を備え、
   上記分離する工程においては、上記溝として、上記２つの電極端子が離間する方向である第１方向と交差する第２方向に延びるものを形成し、
   上記溝の上記第１方向における寸法は、上記２つの電極端子の上記第１方向における離間距離より大きく、
   上記分離する工程においては、上記レーザを、上記樹脂層を除去し且つ上記複数の電極端子を除去させない波長で照射し、
   上記分離する工程においては、上記２つの電極端子をそれぞれ、上記複数の樹脂部のいずれかから露出させる、半導体装置の製造方法。
2. 互いに離間する複数の電極端子を基材に形成する工程と、
   上記基材に複数の半導体素子を配置する工程と、
   上記複数の電極端子のうち隣接する２つの電極端子に挟まれた隙間に配置された部位を有し、且つ、上記複数の半導体素子を覆う樹脂層を上記基材に形成する工程と、
   レーザを照射し上記隙間を通る溝を上記樹脂層に形成することにより、上記樹脂層を、上記複数の半導体素子のいずれかを各々が覆う複数の樹脂部に分離する工程と、を備え、
   上記分離する工程においては、上記溝として、上記２つの電極端子が離間する方向である第１方向と交差する第２方向に延びるものを形成し、
   上記溝の上記第１方向における寸法は、上記２つの電極端子の上記第１方向における離間距離より大きく、
   上記分離する工程においては、上記レーザを、上記樹脂層を除去し且つ上記複数の電極端子を除去させない波長で照射し、
   上記分離する工程においては、上記複数の電極端子のいずれをも上記複数の樹脂部のいずれかから露出させる、半導体装置の製造方法。
3. 上記複数の電極端子を基材に形成する工程においては、上記複数の電極端子を上記基材に当接させる、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 互いに離間する複数の電極端子を基材に形成する工程と、
   上記基材に複数の半導体素子を配置する工程と、
   上記複数の電極端子のうち隣接する２つの電極端子に挟まれた隙間に配置された部位を有し、且つ、上記複数の半導体素子を覆う樹脂層を上記基材に形成する工程と、
   レーザを照射し上記隙間を通る溝を上記樹脂層に形成することにより、上記樹脂層を、上記複数の半導体素子のいずれかを各々が覆う複数の樹脂部に分離する工程と、を備え、
   上記複数の電極端子を基材に形成する工程においては、上記複数の電極端子を上記基材に当接させ、
   上記分離する工程においては、上記第１方向と上記第２方向とに交差する上記樹脂層の厚み方向のうち上記樹脂層から上記複数の電極端子に向かう方向に、上記レーザを照射する、半導体装置の製造方法。
5. 互いに離間する複数の電極端子を基材に形成する工程と、
   上記基材に複数の半導体素子を配置する工程と、
   上記複数の電極端子のうち隣接する２つの電極端子に挟まれた隙間に配置された部位を有し、且つ、上記複数の半導体素子を覆う樹脂層を上記基材に形成する工程と、
   レーザを照射し上記隙間を通る溝を上記樹脂層に形成することにより、上記樹脂層を、上記複数の半導体素子のいずれかを各々が覆う複数の樹脂部に分離する工程と、を備え、
   上記複数の電極端子を基材に形成する工程においては、上記複数の電極端子を上記基材に当接させ、
   上記分離する工程においては、上記第１方向と上記第２方向とに交差する上記樹脂層の厚み方向のうち上記複数の電極端子から上記樹脂層に向かう方向に、上記レーザを照射する、半導体装置の製造方法。
6. 上記分離する工程においては、上記溝として、上記２つの電極端子が離間する方向である第１方向と交差する第２方向に延びるものを形成する、請求項４または５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 上記溝の上記第１方向における寸法は、上記２つの電極端子の上記第１方向における離間距離より大きい、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 上記分離する工程においては、上記レーザを、上記樹脂層を除去し且つ上記複数の電極端子を除去させない波長で照射する、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 上記分離する工程においては、上記２つの電極端子をそれぞれ、上記複数の樹脂部のいずれかから露出させる、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 上記複数の半導体素子を配置する工程の前に、上記基材に複数の導電板を形成する工程を更に備え、
    上記複数の半導体素子を配置する工程においては、各半導体素子を上記複数の導電板のいずれかに配置する、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
11. 上記複数の半導体素子を配置する工程においては、各半導体素子を上記複数の導電板のいずれかに導通させる、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
12. 上記分離する工程の前に、上記樹脂層から上記基材を取り除く工程を更に備える、請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
13. 上記取り除く工程においては、上記複数の電極端子を上記樹脂層から露出させる、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
14. 上記分離する工程においては、レーザ退避溝を有する真空吸引ステージに上記樹脂層を配置し、且つ、上記樹脂層のうち上記２つの電極端子に挟まれた部位を、上記レーザ退避溝に対向させる、請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
15. 半導体素子と、
    上記半導体素子に導通する複数の電極端子と、
    上記半導体素子および上記複数の電極端子を覆い、且つ、上記半導体素子を囲む側面および上記側面につながる底面を有する樹脂部と、を備え、
    上記複数の電極端子の各々は、上記底面に沿って広がる平板状であり、且つ、上記底面から露出する第１露出面を有し、
    上記側面は全体にわたって、上記底面の高低差より大きい高低差を有する粗面である、半導体装置。
16. 上記樹脂部は、上記側面の全体にわたって上記側面にて露出する球状のシリカを複数含む、請求項１５に記載の半導体装置。
17. 上記複数の電極端子はそれぞれ、上記側面から露出する第２露出面を有する、請求項１５または１６に記載の半導体装置。
18. 上記複数の電極端子のいずれかは、上記側面から突出する突出部を含む、請求項１７に記載の半導体装置。
19. 上記側面は、上記底面と鋭角をなすように上記底面と垂直である方向に対し傾斜し、
    上記樹脂部は、上記側面になだらかにつながり且つ上記底面と反対側を向く主面を有する、請求項１８に記載の半導体装置。
20. 上記側面は、上記底面と鈍角をなすように上記底面と垂直である方向に対し傾斜し、且つ、上記底面となだらかにつながる、請求項１８に記載の半導体装置。
21. 上記樹脂部は、上記側面とつながり且つ上記底面と反対側を向く主面を有し、
    上記樹脂部は、上記側面にて上記突出部から上記主面に向かって、上記突出部が突出する方向に隆起する帯状の隆起部を含む、請求項２０に記載の半導体装置。
22. 上記複数の電極端子はいずれも、上記第１露出面を底面とする錐台状である、請求項１５ないし２１のいずれかに記載の半導体装置。
23. 上記複数の電極端子は、上記第１露出面を構成する第１メッキ層と、上記第１メッキ層と異なる導体よりなり且つ上記第１メッキ層に積層された中間層と、上記中間層と異なる導体よりなり且つ上記中間層に積層された第２メッキ層と、を含む、請求項１５ないし２２のいずれかに記載の半導体装置。
24. 上記半導体素子が配置され且つ上記樹脂部に覆われた導電板を更に備え、
    上記導電板は、上記底面に沿って延びる平板状であり、且つ、上記底面から露出している、請求項１５ないし２３のいずれかに記載の半導体装置。