JP5541681B2 - ウエーハの平坦化方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 35
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 24
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
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Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
4 インゴット
6 うねり測定装置
10 定盤
16 透明フィルム
20 超音波振動子
24 紫外線ランプ
28 チャックテーブル
30 研削ユニット
36 研削ホイール
40 研削砥石
Claims (1)
- インゴットから切り出したウエーハの両面を研削して平坦なウエーハに仕上げるウエーハの平坦化方法であって、
インゴットから切り出したウエーハの一方の面及び他方の面のうねりを計測してうねりデータを記録するうねり計測工程と、
透過性を有する定盤にウエーハより大きい面積を有する透過性を有するフィルムを敷設し、該フィルム上に紫外線の照射によって固化する液状樹脂を塗布して樹脂層を形成し、該樹脂層にウエーハの該一方の面を付着させるウエーハ付着工程と、
該うねり計測工程によって得られた前記うねりデータに基づいて、ウエーハに選択的に超音波を付与して該液状樹脂の粘性を部分的に低下させてウエーハのうねりを復元するうねり復元工程と、
該定盤側から紫外線を照射して該液状樹脂を固化させる液状樹脂固化工程と、
該フィルム側をチャックテーブルで保持しながらウエーハの該他方の面を研削してうねりを除去し、該他方の面を平坦に仕上げる第1の平坦化工程と、
ウエーハの該一方の面から該樹脂層とともに該フィルムを剥離して、ウエーハの該他方の面をチャックテーブルで保持しながらウエーハの該一方の面を研削してうねりを除去し、該一方の面を平坦に仕上げる第2の平坦化工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの平坦化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010009642A JP5541681B2 (ja) | 2010-01-20 | 2010-01-20 | ウエーハの平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010009642A JP5541681B2 (ja) | 2010-01-20 | 2010-01-20 | ウエーハの平坦化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011151099A JP2011151099A (ja) | 2011-08-04 |
JP5541681B2 true JP5541681B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=44537850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010009642A Active JP5541681B2 (ja) | 2010-01-20 | 2010-01-20 | ウエーハの平坦化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5541681B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013145784A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 樹脂貼付け方法 |
US9881783B2 (en) | 2013-02-19 | 2018-01-30 | Sumco Corporation | Method for processing semiconductor wafer |
JP2014192307A (ja) | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | サファイア基板の平坦加工方法 |
CN105336581A (zh) * | 2015-11-04 | 2016-02-17 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 功率半导体器件制作方法及装置 |
CN108857601A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-11-23 | 浙江工业大学 | 钴基合金的光催化加工方法及其设备 |
JP7240154B2 (ja) * | 2018-12-05 | 2023-03-15 | 株式会社ディスコ | 保護部材形成方法及び保護部材形成装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002329690A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2006263837A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの平坦加工方法 |
JP5078603B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-11-21 | コバレントマテリアル株式会社 | 板状体の加工方法 |
JP5504412B2 (ja) * | 2008-05-09 | 2014-05-28 | 株式会社ディスコ | ウェーハの製造方法及び製造装置、並びに硬化性樹脂組成物 |
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2010
- 2010-01-20 JP JP2010009642A patent/JP5541681B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011151099A (ja) | 2011-08-04 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131205 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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