JP2013012654A - 被加工物の研削方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サポート基板20に接着剤30を介してウェーハ(被加工物)10を貼着してサポート基板付きウェーハ1を形成し、次いで、サポート基板20に粘着シート40を貼着して被加工物ユニット2を形成し、次いで、ウェーハ10側を切削装置の保持手段51の保持面52で保持し、次いで、保持面52と平行な面で回転する切削刃58bを有するバイト加工手段55で粘着シート40を切削して平坦化する。この状態で被加工物ユニット2は厚さが均一となって平坦化し、次いでウェーハ10を研削することにより平坦なウェーハ10を得る。この後、サポート基板20から粘着シート40を剥離し、ウェーハ10からサポート基板20を剥離してサポート基板20を再利用可能とする。
【選択図】図10
Description
はじめに、一実施形態の研削方法で裏面研削されるウェーハ(被加工物)と、その研削方法で用いるサポート基板を説明する。
図1の(a)は一実施形態の研削方法によって裏面研削されて薄化される円板状のウェーハ10の斜視図であり、(b)はウェーハ10の断面図である。ウェーハ10は、シリコンやガリウムヒ素等の半導体材料によって厚さが均一に形成された電子デバイス用の基板ウェーハであって、厚さは例えば500〜700μm程度のものである。ウェーハ10の表面10aには格子状の分割予定ライン11が設定され、この分割予定ライン11で囲まれた多数の矩形状領域に、ICやLSI等の電子回路を有するデバイス12が形成されている。
図2の(a)はサポート基板20の斜視図であり、(b)はサポート基板20の側面図である。サポート基板20は、ウェーハ10と径が概ね同程度で、厚さはウェーハ10と同等あるいは大きな円板状のものである。この場合、サポート基板20の表面20aと裏面20bとは平滑ではあるものの平行ではなく、したがってサポート基板20は厚さが均一ではなく全体としては平坦ではないものとされる。サポート基板20は、ハンドリングが容易な所定の剛性を有する材料から構成され、例えば、ウェーハ10と同じ半導体材料、あるいはガラス等によって形成されたものが用いられる。
以下、ウェーハ10の裏面10bを研削する一実施形態の研削方法を説明する。
はじめに、図3(a)、(b)に示すように、サポート基板20の表面20aに、接着剤(接着部材)30を介してウェーハの表面10a側を同心状に貼着して一体化させ、サポート基板付きウェーハ(サポート基板付き被加工物)1を形成する(被加工物貼着ステップ)。接着剤30としては、後にウェーハ10から剥離可能なUV硬化型や熱硬化型等の樹脂製接着剤等が好適に用いられる。なお、図3(a)では、下面がウェーハ10の表面10a、上面がウェーハ10の裏面10bとなっている。
上記の本発明に係る一実施形態によれば、粘着シート平坦化ステップで粘着シート40を切削して平坦化することにより、サポート基板20の厚さにばらつきがあっても、サポート基板付きウェーハ1に粘着シート40を貼着した被加工物ユニット2全体としては厚さが均一になって平坦化される。したがってこの後の研削ステップでウェーハ10を研削すると、厚さが均一で平坦なウェーハ10を得ることができる。
あるいは、サポート基板20と接着剤30の双方に厚さばらつきがあることによりサポート基板付きウェーハ1全体が平坦ではない場合にも適用することができる。特にウェーハ10が比較的大径である場合には、接着剤30を平坦に塗布することが難しいため本発明方法は有効である。
2…被加工物ユニット
10…ウェーハ(被加工物)
20…サポート基板
20a…サポート基板の表面
20b…サポート基板の裏面
30…接着剤(接着部材)
40…粘着シート
51…切削装置の保持手段
52…保持面
55…バイト加工手段
58b…切削刃
61…研削装置の保持手段
Claims (1)
- サポート基板の表面に配設された被加工物の研削方法であって、
サポート基板の表面に接着部材を介して被加工物を貼着してサポート基板付き被加工物を形成する被加工物貼着ステップと、
該被加工物貼着ステップを実施した後、前記サポート基板の裏面に粘着シートを貼着する粘着シート貼着ステップと、
該粘着シート貼着ステップを実施した後、前記サポート基板付き被加工物の被加工物側を保持する保持面を有した保持手段で該サポート基板付き被加工物を保持して前記粘着シートを露出させた状態とする保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、前記保持面と平行な面で回転する切削刃を有するバイト加工手段で前記粘着シートを切削して平坦化する粘着シート平坦化ステップと、
該粘着シート平坦化ステップを実施した後、前記サポート基板付き被加工物の前記粘着シート側を保持手段で保持し、被加工物を露出させた状態として被加工物を研削する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後、前記粘着シートを前記サポート基板から剥離する粘着シート剥離ステップと、
前記研削ステップを実施した後、前記粘着シート剥離ステップを実施する前または後に、被加工物から前記サポート基板を剥離するサポート基板剥離ステップと、
を備えることを特徴とする被加工物の研削方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9496163B2 (en) | 2013-12-05 | 2016-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Carrier and method of fabricating semiconductor device using the same |
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Families Citing this family (5)
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---|---|---|---|---|
JP2016092281A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 株式会社ディスコ | 表面加工装置 |
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JP7405563B2 (ja) * | 2019-11-01 | 2023-12-26 | 株式会社ディスコ | クリープフィード研削方法及び研削装置 |
CN111136570B (zh) * | 2020-02-11 | 2021-04-27 | 常州我信光学有限公司 | 一种光学镜片加工机构 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009043931A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの裏面研削方法 |
JP2010525561A (ja) * | 2007-04-17 | 2010-07-22 | アイメック | 基板の薄層化方法 |
JP2011023393A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000087004A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-03-28 | Nitta Ind Corp | 被加工物用保持剤およびそれを用いた被加工物の脱着方法 |
JP2008229807A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Toray Ind Inc | 研磨パッド |
JP5215773B2 (ja) * | 2008-08-18 | 2013-06-19 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2010183014A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2011108746A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010525561A (ja) * | 2007-04-17 | 2010-07-22 | アイメック | 基板の薄層化方法 |
JP2009043931A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの裏面研削方法 |
JP2011023393A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9496163B2 (en) | 2013-12-05 | 2016-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Carrier and method of fabricating semiconductor device using the same |
US10157766B2 (en) | 2014-03-19 | 2018-12-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device |
WO2022196132A1 (ja) * | 2021-03-17 | 2022-09-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPWO2022196132A1 (ja) * | 2021-03-17 | 2022-09-22 |
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