JP5435020B2 - 位置検出装置 - Google Patents
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Description
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、二つの集積回路の出力端子同士の短絡を検出可能な位置検出装置を提供することにある。
これにより、例えば、出荷時において、集積回路特定情報を集積回路特定情報記憶手段に記憶させておくことで、制御用集積回路および監視用集積回路を特定するための処理を不要にすることができ、作動時の処理に関する負担を低減することができる。
本発明では、例えば、イグニッションスイッチがONとなるとき、異常時スイッチ設定情報を異常時スイッチ設定情報記憶手段に記憶する。これにより、異なるアプリケーションに応じて異常時スイッチ設定情報記憶手段に異なる異常時スイッチ設定情報が自動的に記憶される。よって、異なるアプリケーションに応じて異なる異常時スイッチ設定情報を予め記憶させておく必要がなくなり、出荷時の設定作業を省略することができる。また、異なるアプリケーションのそれぞれに合わせて位置検出装置を作る必要がなく、共通の位置検出装置で異なるアプリケーションに対応することができる。ここで、異なるアプリケーションというのは、例えば電子制御スロットルシステムまたはアクセルペダルモジュール等を含む。電子制御スロットルシステムは、異常時に出力端子の出力電圧が高電位側に出力するよう要求する。また、アクセルペダルモジュールは、異常時に出力端子の出力電圧が低電位側に出力するよう要求する。
本発明では、例えば、出荷時において、異常時スイッチ設定情報を異常時スイッチ設定情報記憶手段に記憶する。このため、確実に異常時スイッチ設定を行うことができる。また、異なるアプリケーションの種類を判定する処理を不要にするため、作動時の処理に関する負担を低減することができる。
(第1実施形態)
被検出体としてのスロットルバルブ1の一端には、円筒状のヨーク2と、そのヨーク2の径内側に2個の永久磁石3が固定されている。図1では、2個の永久磁石3の間を流れる磁束を概念的に矢印で示している。
第1集積回路10および第2集積回路20の回路ならびにマイクロコンピュータ30を図2および図3に基づいて説明する。
ホール素子111は、半導体薄膜で形成されており、磁束密度の変化に対応する信号を出力する。
A/D変換回路112は、ホール素子111から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換する。
D/A変換回路114は、DSP113から出力されたデジタル信号をアナログ信号に変換する。
第1出力端子13は、ECU40と電気的に接続可能に設けられ、第1集積回路10の出力電圧をECU40に出力する。
第1端子41および第2端子42は、第1保護抵抗12の両側に電気的に接続している。
減算回路43は、第1端子41および第2端子42と電気的に接続され、第1保護抵抗12の両側の電圧に対し減算処理を行う。これにより、第1保護抵抗12の両端の電位差が算出される。
絶対値回路44は、減算回路43と電気的に接続され、減算回路43から出力された値に対し絶対値処理を行う。これにより、第1保護抵抗12の両端の電位差の絶対値が算出される。
また、第2電圧切替回路26は、第1HISW161と同じ機能をもつ第2高電位側スイッチ(以下、「第2HISW」という)261、および、第2LOSW162と同じ機能をもつ第2低電位側スイッチ(以下、「第2LOSW」という)262を有する。
EEPROM34には、出荷時において、CPU31の様々な数値演算処理、情報処理、および制御処理等に必要な情報が記憶させておいてある。EEPROM34には、第1集積回路10および第2集積回路20の用途を特定する情報が記録されている。EEPROM34は、特許請求の範囲における「集積回路特定情報記憶手段」に対応する。
また、アクセルペダルモジュールのECU40にはプルダウン抵抗が設けられ、回転角センサ4がアクセルペダルモジュールに適用される場合、第1出力端子13または第2出力端子23には、吐き出し電流が流れる。アクセルペダルモジュールは、異常時に回転角センサ4の出力がLO側に制御されるよう要求する。
まず、出荷時の設定について説明する。図5に示すように、第1集積回路10から出力される電圧信号S1は、スロットルバルブ1の開度が大きくなるに従い出力電圧が高くなる出力特性(以下、「右肩上り特性」という)を有している。また、第2集積回路20から出力される電圧信号S2は、スロットルバルブ1の開度が大きくなるに従い出力電圧が低くなる出力特性(以下、「右肩下り特性」という)を有している。つまり、回転角センサ4の第1集積回路10および第2集積回路20からECU40に出力される電圧信号は、いわゆるクロス特性を有する。
S100でイグニッションスイッチがONとなると、処理はS101移行する。
S101では、第1電圧切替回路16の異常時スイッチ設定を行う。ここで、IGON時に、第1出力端子13を流れる電流の方向に基づいて第1電圧切替回路16の異常時スイッチ設定を行う。IGON時に第1出力端子13を流れる電流が引き込み電流場合、RAM33において第1電圧切替回路16の異常時スイッチ設定情報を表すビットに1を書き込むことで、異常処理回路46の制御信号により第1HISW161がONとなり第1LOSW162がOFFとなるよう設定する。一方、IGON時に第1出力端子13を流れる電流が吐き出し電流の場合、RAM33において第1電圧切替回路16の異常時スイッチ設定情報を表すビットに0を書き込むことで、異常処理回路46の制御信号により第1HISW161がOFFとなり第1LOSW162がONとなるよう設定する(図8参照)。
本実施形態の場合、IGON時に第1出力端子13を流れる電流が引き込み電流であり、RAM33において第1電圧切替回路16の異常時スイッチ設定情報を表すビットに1を書き込む。
S105では、第2電流遮断スイッチ25は、第2異常検出回路24の異常処理回路46の制御信号により作動しOFFとなる(図6(B)参照)。そして、処理はS102に戻る。
これにより、RAM33に記憶された情報に基づき、第1異常検出回路14の異常処理回路46の制御信号により第1HISW161または第1LOSW162のいずれかをONにし、第2異常検出回路24の異常処理回路46の制御信号により第2HISW261または第2LOSW262のいずれかをONにすることができる。
(第2実施形態)
(第3実施形態)
上記実施形態では、第1集積回路に第1電流遮断スイッチが設けられ、第2集積回路に第2電流遮断スイッチが設けられている。これに対し、他の実施形態では、第1電流遮断スイッチおよび第2電流遮断スイッチを備えないこととしても良い。
4 ・・・回転角センサ(位置検出装置)、
10 ・・・第1集積回路、
11 ・・・第1線形電圧出力回路、
12 ・・・第1保護抵抗、
13 ・・・第1出力端子、
14 ・・・第1異常検出回路、
15 ・・・第1電流遮断スイッチ(第1電流遮断手段)、
16 ・・・第1電圧切替回路、
20 ・・・第2集積回路、
21 ・・・第2線形電圧出力回路、
22 ・・・第2保護抵抗、
23 ・・・第2出力端子、
24 ・・・第2異常検出回路、
25 ・・・第2電流遮断スイッチ(第2電流遮断手段)、
26 ・・・第2電圧切替回路、
40 ・・・ECU(電子制御装置)。
Claims (8)
- 被検出体を駆動制御する電子制御装置に対し、電源の電圧を最大値とする電圧を前記被検出体の位置に応じて出力する位置検出装置であって、
前記被検出体の位置に応じて線形に増大する電圧を出力する第1線形電圧出力回路、一端側が前記第1線形電圧出力回路に接続される第1保護抵抗、一端が前記第1保護抵抗の他端側に接続され他端が前記電子制御装置に接続される第1出力端子、および、前記第1保護抵抗の両側の電圧差に基づき第1異常検出信号を出力する第1異常検出回路を有する第1集積回路と、
前記被検出体の位置に応じて線形に減少する電圧を出力する第2線形電圧出力回路、一端側が前記第2線形電圧出力回路に接続される第2保護抵抗、および、一端が前記第2保護抵抗の他端側に接続され他端が前記電子制御装置に接続される第2出力端子、前記第2保護抵抗の両側の電圧差に基づき第2異常検出信号を出力する第2異常検出回路を有する第2集積回路と、
を備える位置検出装置。 - 前記第1集積回路は、
前記第1線形信号出力回路と前記第1保護抵抗との間に設けられ、前記第1異常検出回路が前記第1異常検出信号を出力したとき、前記第1線形信号出力回路と前記第1保護抵抗との間の電流の流れを遮断する第1電流遮断手段を有し、
前記第2集積回路は、
前記第2線形信号出力回路と前記第2保護抵抗との間に設けられ、前記第2異常検出回路が前記第2異常検出信号を出力したとき、前記第2線形信号出力回路と前記第2保護抵抗との間の電流の流れを遮断する第2電流遮断手段を有することを特徴とする請求項1に記載の位置検出装置。 - 前記第1集積回路は、
一端が前記電源の高電位側に接続され、他端が前記第1保護抵抗と前記第1出力端子との間に接続され、前記第1異常検出信号に応じてONまたはOFFとなる第1高電位側スイッチ、および、
一端が前記第1保護抵抗と前記第1出力端子との間に接続され、他端が前記電源の低電位側に接続され、前記第1異常検出信号に応じてOFFまたはONとなる第1低電位側スイッチ、を有し、
前記第2集積回路は、
一端が前記電源の高電位側に接続され、他端が前記第2保護抵抗と前記第2出力端子との間に接続され、前記第2異常検出信号に応じてONまたはOFFとなる第2高電位側スイッチ、および、
一端が前記第2保護抵抗と前記第2出力端子との間に接続され、他端が前記電源の低電位側に接続され、前記第2異常検出信号に応じてOFFまたはONとなる第2低電位側スイッチ、を有することを特徴とする請求項1または2に記載の位置検出装置。 - 前記第1集積回路または前記第2集積回路の一方を「前記被検出体を駆動制御するための電圧を出力する制御用集積回路」とし、前記第1集積回路または前記第2集積回路の他方を「前記第1集積回路または前記第2集積回路の一方を監視するための監視用集積回路」とすることを示す情報である集積回路特定情報を記憶する集積回路特定情報記憶手段をさらに備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の位置検出装置。
- 前記集積回路特定情報記憶手段は不揮発性メモリであることを特徴とする請求項4に記載の位置検出装置。
- 前記第1異常検出信号に応じて前記第1高電位側スイッチまたは前記第1低電位側スイッチのいずれをONにするかを示す情報、および、前記第2異常検出信号に応じて前記第2高電位側スイッチまたは前記第2低電位側スイッチのいずれをONにするかを示す情報である異常時スイッチ設定情報を記憶する異常時スイッチ設定情報記憶手段をさらに備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の位置検出装置。
- 前記異常時スイッチ設定情報記憶手段は揮発性メモリであることを特徴とする請求項6に記載の位置検出装置。
- 前記異常時スイッチ設定情報記憶手段は不揮発性メモリであることを特徴とする請求項6に記載の位置検出装置。
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