JP5431863B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、基板に対して加熱処理を行う基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a heat treatment on a substrate.
半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP用ガラス基板、記録ディスク用基板等の基板の製造工程では、基板に対する加熱処理が適宜に行われる。例えば、基板のフォトリソグラフィ工程では、基板の表面にレジスト液が塗布された後、基板の表面とレジストとの密着性を向上させるために、基板に対して加熱処理が行われる。このような加熱処理に使用される従来の基板処理装置については、例えば、特許文献1に開示されている。
In the manufacturing process of a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a PDP, or a substrate for a recording disk, the substrate is appropriately heated. For example, in a photolithography process of a substrate, after a resist solution is applied to the surface of the substrate, heat treatment is performed on the substrate in order to improve adhesion between the surface of the substrate and the resist. A conventional substrate processing apparatus used for such heat treatment is disclosed in, for example,
特許文献1の基板処理装置は、複数の吐出孔から気体を吐出することにより、プレート上に、基板を非接触で保持している。そして、プレートの上面に沿って基板を搬送しつつ、基板を加熱している。しかしながら、このような基板処理装置では、プレートの上面と基板の下面との間隔(基板の浮上量)を大きくとることは、困難である。このため、基板のサイズが大きい場合には、加熱による基板の反り等により、プレートと基板とが接触してしまう虞がある。
The substrate processing apparatus of
一方、図15のように、プレート110に貫通孔111を形成するとともに、当該貫通孔111内にローラ120を配置し、ローラ120上で基板109を搬送するようにすれば、プレート110と基板109との間隔Gを、大きくとることができる。しかしながら、プレート110の下方に駆動軸121を配置し、当該駆動軸121にローラ120を取り付けると、ローラ120の半径Rが大きくなってしまう。また、それに伴い、貫通孔111の搬送方向の寸法Dも、大きくなってしまう。このような構造では、貫通孔111による加熱のムラが、大きくなる虞がある。
On the other hand, as shown in FIG. 15, if the through
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板とプレートとの接触を防止でき、かつ、高い均一性をもって、基板を加熱できる基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can prevent contact between a substrate and a plate and can heat the substrate with high uniformity.
上記課題を解決するため、本願の第1発明は、基板に対して加熱処理を行う基板処理装置であって、平板状の加熱プレートと、前記加熱プレートの上面に沿って基板を搬送する搬送手段と、を備え、前記搬送手段は、基板の下面を支持しつつ回転するローラと、前記ローラの回転軸とは別個に設けられた駆動軸を介して、前記ローラを間接的に回転させる駆動手段と、を有し、前記ローラの回転軸が前記加熱プレートの上面に露出せず、かつ前記回転軸の少なくとも一部分が、前記加熱プレートの下面より高い位置に配置されている。
In order to solve the above-mentioned problems, a first invention of the present application is a substrate processing apparatus for performing a heat treatment on a substrate, and includes a flat plate-like heating plate and a conveying unit that conveys the substrate along the upper surface of the heating plate. The conveying means includes a roller that rotates while supporting the lower surface of the substrate, and a driving means that indirectly rotates the roller via a driving shaft provided separately from the rotating shaft of the roller. The rotation shaft of the roller is not exposed on the upper surface of the heating plate, and at least a part of the rotation shaft is disposed at a position higher than the lower surface of the heating plate.
本願の第2発明は、第1発明の基板処理装置であって、前記駆動軸は、前記加熱プレートの下方に配置されている。 A second invention of the present application is the substrate processing apparatus of the first invention, wherein the drive shaft is disposed below the heating plate.
本願の第3発明は、第1発明又は第2発明の基板処理装置であって、前記ローラは、前記加熱プレートに固定された軸又は軸受に、取り付けられている。 A third invention of the present application is the substrate processing apparatus of the first invention or the second invention, wherein the roller is attached to a shaft or a bearing fixed to the heating plate.
本願の第4発明は、第3発明の基板処理装置であって、前記ローラは、前記加熱プレートを構成する部材の下面に固定された軸又は軸受に、取り付けられている。 4th invention of this application is a substrate processing apparatus of 3rd invention, Comprising: The said roller is attached to the axis | shaft or bearing fixed to the lower surface of the member which comprises the said heating plate.
本願の第5発明は、第1発明から第4発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、機械的な歯の噛み合わせを利用したギヤを介して、前記ローラに伝達する。 A fifth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth inventions, wherein the drive means rotates the drive shaft with a gear utilizing mechanical tooth meshing. To the roller.
本願の第6発明は、第1発明から第5発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、磁力を利用したギヤを介して、前記ローラに伝達する。 A sixth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth inventions, wherein the drive means applies rotation of the drive shaft to the roller via a gear using magnetic force. introduce.
本願の第7発明は、第1発明から第6発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記ローラの前記回転軸と、前記駆動軸とは、上面視において直交しており、前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、ヘリカルギアを介して、前記ローラに伝達する。 A seventh invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth inventions, wherein the rotation shaft of the roller and the drive shaft are orthogonal to each other in a top view, and the drive The means transmits the rotation of the drive shaft to the roller via a helical gear.
本願の第8発明は、第1発明から第7発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記加熱プレートは、前記加熱プレートの上面からの輻射熱により、基板を加熱する第1加熱手段と、前記加熱プレートの上面から高温の気体を噴出することにより、基板を加熱する第2加熱手段と、を有する。 An eighth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to seventh inventions, wherein the heating plate includes first heating means for heating the substrate by radiant heat from the upper surface of the heating plate. And second heating means for heating the substrate by ejecting a high-temperature gas from the upper surface of the heating plate.
本願の第9発明は、第1発明から第8発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記ローラは、樹脂により形成されている。 A ninth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to eighth inventions, wherein the roller is formed of a resin.
本願の第10発明は、第1発明から第9発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記加熱プレートに配置された全てのローラの、搬送方向に直交する方向の位置が、相違する。 A tenth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to ninth aspects, wherein the positions of all the rollers arranged on the heating plate are different from each other in a direction perpendicular to the conveying direction. .
本願の第1発明〜第10発明によれば、ローラにより基板を支持するため、基板と加熱プレートとの接触を防止できる。また、ローラの回転軸の高さ位置を、駆動軸とは異なる位置に設定できる。このため、ローラの半径を小さく設定できる。したがって、加熱プレートは、高い均一性をもって、基板を加熱できる。
また、ローラの半径を、より小さく設定できる。
According to the first to tenth aspects of the present invention, since the substrate is supported by the roller, the contact between the substrate and the heating plate can be prevented. Further, the height position of the rotation shaft of the roller can be set to a position different from the drive shaft. For this reason, the radius of a roller can be set small. Therefore, the heating plate can heat the substrate with high uniformity.
Further, the radius of the roller can be set smaller.
特に、本願の第2発明によれば、駆動軸が加熱プレートの下方に配置されているため、駆動軸による加熱のムラやパーティクルの発生を、抑制できる。 In particular, according to the second invention of the present application, since the drive shaft is disposed below the heating plate, heating unevenness and particle generation by the drive shaft can be suppressed.
特に、本願の第3発明によれば、加熱プレートが膨張しても、ローラと加熱プレートとの相対位置が、変化しにくい。このため、加熱プレートとローラとの隙間の寸法を、小さく設計することができる。したがって、加熱プレートは、基板をより均一に加熱できる。 In particular, according to the third invention of the present application, even if the heating plate expands, the relative position between the roller and the heating plate hardly changes. For this reason, the dimension of the clearance gap between a heating plate and a roller can be designed small. Therefore, the heating plate can heat the substrate more uniformly.
特に、本願の第4発明によれば、加熱プレートの上面に、回転軸や軸受が露出しない。このため、加熱プレートは、基板を、より均一に加熱できる。 In particular, according to the fourth invention of the present application, the rotating shaft and the bearing are not exposed on the upper surface of the heating plate. For this reason, the heating plate can heat the substrate more uniformly.
特に、本願の第5発明によれば、駆動軸の回転を、より確実にローラに伝達できる。 In particular, according to the fifth invention of the present application, the rotation of the drive shaft can be more reliably transmitted to the roller.
特に、本願の第6発明によれば、駆動軸の回転を、非接触でローラに伝達できる。このため、パーティクルの発生を抑制できる。 In particular, according to the sixth aspect of the present invention, the rotation of the drive shaft can be transmitted to the roller in a non-contact manner. For this reason, generation | occurrence | production of a particle can be suppressed.
特に、本願の第7発明によれば、特定の幅方向位置に配置されたローラのみを、回転させることができる。 In particular, according to the seventh invention of the present application, only the rollers arranged at a specific width direction position can be rotated.
特に、本願の第8発明によれば、加熱プレートの上面からの輻射熱と、加熱プレートの上面から噴出される気体とにより、基板を、より均一に、かつ効率よく加熱できる。 In particular, according to the eighth invention of the present application, the substrate can be heated more uniformly and efficiently by the radiant heat from the upper surface of the heating plate and the gas ejected from the upper surface of the heating plate.
特に、本願の第9発明によれば、ローラと基板とが滑ったり、基板に傷が付いたりすることを、防止できる。 In particular, according to the ninth invention of the present application, it is possible to prevent the roller and the substrate from slipping and the substrate from being damaged.
特に、本願の第10発明によれば、基板の同一位置に、ローラが複数回当たることを、防止できる。したがって、ローラによる基板の加熱ムラを、さらに抑制できる。
In particular, according to the tenth aspect of the present invention, it is possible to prevent the roller from hitting the same position of the substrate a plurality of times. Therefore, uneven heating of the substrate by the roller can be further suppressed.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
<1.一実施形態に係る基板処理装置>
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1を上面側から見た斜視図である。図2は、基板処理装置1を下面側から見た斜視図である。図3は、基板処理装置1の上面図である。また、図4は、図3中のIV−IV位置から見た基板処理装置1の縦断面図である。なお、以下の説明では、基板9が搬送される方向を「搬送方向」と称し、搬送方向に直交する水平方向を「幅方向」と称する。本願の各図には、搬送方向および幅方向が、矢印で示されている。
<1. Substrate Processing Apparatus According to One Embodiment>
FIG. 1 is a perspective view of a
この基板処理装置1は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板9(以下、単に「基板9」という)の表面を選択的にエッチングするフォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布後の基板9に加熱処理を行うための装置である。基板9の製造工程では、複数台の基板処理装置1が、搬送方向に配列される。基板9は、複数台の基板処理装置1上において搬送されつつ、加熱処理を受ける。
The
図1〜図4に示すように、基板処理装置1は、加熱プレート10を備えている。加熱プレート10は、その上面に沿って搬送される基板9を加熱するためのプレートである。加熱プレート10は、略矩形の平板状に形成されている。図4中に拡大して示したように、加熱プレート10は、上段プレート11、下段プレート12、ヒータ13、及び押さえ板14を、上から順に積層させた構造となっている。
As shown in FIGS. 1 to 4, the
上段プレート11、下段プレート12、及び押さえ板14は、例えば、アルミニウム等の金属により形成されている。押さえ板14は、下段プレート12との間でヒータ13を保持する役割を果たす。ヒータ13は、薄板状の発熱体である。ヒータ13は、例えば、ステンレスのエッチングにより形成されるが、他の材料により形成されていてもよい。また、ヒータ13は、所定の電源装置(図示省略)に接続されている。
The
電源装置からヒータ13へ電流を与えると、ヒータ13は、その抵抗に応じて発熱する。ヒータ13から発生した熱は、下段プレート12及び上段プレート11へ伝導し、下段プレート12及び上段プレート11を昇温させる。加熱プレート10上において搬送される基板9は、上段プレート11の上面からの輻射熱を受けて、加熱される。
When a current is supplied from the power supply device to the
また、加熱プレート10の上面には、基板9の下面へ向けて加熱された窒素ガスを噴出する、複数の噴出口10aが形成されている。複数の噴出口10aは、加熱プレート10の上面に、等間隔の格子点状に配置されている。
In addition, a plurality of
図5は、加熱プレート10の上面図である。また、図6は、図5中のVI−VI位置から見た加熱プレート10の縦断面図である。図5及び図6に示すように、加熱プレート10の内部には、複数の噴出口10aへ窒素ガスを送るための内部流路10bが形成されている。本実施形態では、上段プレート11の下面に形成された溝と、下段プレート12の上面とに囲まれた空間が、内部流路10bとなっている。内部流路10bは、加熱プレート10の下面側に形成された導入口10cから、各噴出口10aまで、複数本に分岐しつつ、センターローラ30と重ならないように、延設されている。
FIG. 5 is a top view of the
導入口10cには、内部流路10bへ窒素ガスを供給するための給気管15aが接続されている。給気管15aの上流側の端部は、窒素ガス供給源15bに接続されている。また、給気管15aには、開閉弁15cとヒータ15dとが、介挿されている。
An
開閉弁15cを開放すると、窒素ガス供給源15bから給気管15aへ、圧縮された窒素ガスが供給される。窒素ガスは、ヒータ15dにより加熱された後、導入口10cを介して、内部流路10bへ導入される。そして、内部流路10bを通って各噴出口10aへ送られた窒素ガスは、複数の噴出口10aから上方へ向けて噴出され、基板9の下面に吹き付けられる。加熱プレート10上において搬送される基板9は、加熱された窒素ガスからの熱を受けて、加熱される。
When the on-off
このように、本実施形態の基板処理装置1は、加熱プレート10の上面からの輻射熱により基板9を加熱する第1加熱手段と、加熱プレート10の上面から高温の窒素ガスを噴出することにより基板9を加熱する第2加熱手段と、を有している。このため、輻射熱のみで基板9を加熱する場合よりも、均一に、かつ、効率よく、基板9を加熱できる。
As described above, the
図1〜図4に戻る。加熱プレート10の両側部(基板9の搬送方向に向かって左右の側部)には、それぞれ、4つのローラ20が、搬送方向に等間隔となるように、配置されている。以下では、加熱プレート10の両側部に配置されたローラ20を、「サイドローラ20」と称する。各サイドローラ20は、加熱プレート10の側面に形成された凹部10dの内部に、配置されている。
Returning to FIGS. Four
サイドローラ20は、回転軸21と一体に形成されており、回転軸21ごと回転する。回転軸21は、加熱プレート10の左右に配置されたフレーム40に、回転自在に支持されている。フレーム40の外側には、サイドローラ20及び後述するセンターローラ30の駆動源となるモータ50が、配置されている。各サイドローラ20の回転軸21及びモータ50の回転軸51には、無端ベルト52が掛け渡されている。モータ50を動作させると、モータ50の回転駆動が、モータ50の回転軸51、無端ベルト52、及びサイドローラ20の回転軸21を介して、各サイドローラ20へ伝達される。これにより、各サイドローラ20が、同じ方向に回転する。
The
一方、加熱プレート10の両側部以外の部位には、複数のローラ30が配置されている。以下では、加熱プレート10の両側部以外の部位に配置されたこれらのローラ30を、「センターローラ30」と称する。本実施形態では、幅方向に4つのセンターローラ30が等間隔に配列され、そのセンターローラ30の列が、搬送方向に等間隔に4つ配列されている。すなわち、本実施形態では、計16個のセンターローラ30が、搬送方向及び幅方向に、等間隔に配列されている。
On the other hand, a plurality of
加熱プレート10の下方には、モータ50の回転駆動をセンターローラ30へ伝達するための駆動軸53が、配置されている。駆動軸53は、フレーム40及び後述する軸受ブロック60に、回転自在に支持されている。駆動軸53のモータ50側の端部には、ギヤ54が取り付けられている。ギヤ54は、サイドローラ20の回転軸21に取り付けられたギヤ22と、噛合されている。モータ50を動作させると、モータ50の回転駆動が、モータ50の回転軸51、無端ベルト52、サイドローラ20の回転軸21、ギヤ22、及びギヤ54を介して、駆動軸53へ伝達される。これにより、駆動軸53が回転する。
A
図7は、センターローラ30とその近傍の部位の縦断面図である。また、図8は、センターローラ30の近傍を下面側から見た斜視図である。加熱プレート10の上段プレート11には、センターローラ30の配置空間を確保するための貫通孔10eが形成されている。センターローラ30の上部は、上段プレート11の上面より上方に位置している。また、加熱プレート10の下面側には、貫通孔10eに連通する凹部10fが形成されている。
FIG. 7 is a longitudinal sectional view of the
センターローラ30は、回転軸31と一体に形成されており、回転軸31ごと回転する。回転軸31は、上段プレート11の下面に固定された軸受ブロック60に、回転自在に支持されている。また、上記の駆動軸53も、同じ軸受ブロック60に、回転自在に支持されている。回転軸31及び駆動軸53には、互いに噛合するギヤ32,55が、取り付けられている。駆動軸53が回転すると、その回転が、ギヤ55、ギヤ32、及び回転軸31を介して、センターローラ30へ伝達される。これにより、センターローラ30が回転する。
The
本実施形態では、2つのセンターローラ30に対して、1本の駆動軸53が設けられている。そして、4本の駆動軸53に対して、1つのモータ50が設けられている。このような構造により、駆動軸53やモータ50の数が抑制されている。また、このような構造により、各センターローラ30の回転速度のばらつきが、抑制されている。
In the present embodiment, one
複数のサイドローラ20及び複数のセンターローラ30は、基板9の下面を支持しつつ、回転する。これにより、基板9が搬送方向に搬送される。基板処理装置1は、加熱プレート10上において、基板9を搬送しつつ加熱するため、基板9を、高い均一性をもって加熱できる。
The plurality of
加熱プレート10の上面と基板9の下面との間隔は、上段プレート11、軸受ブロック60、回転軸31、及びセンターローラ30の寸法に応じて決まる。このため、気体の吹き付けのみで加熱プレート10から基板9を浮上させる場合よりも、加熱プレート10と基板9との間隔を、大きくとることができる。また、加熱による基板9の反りが発生したとしても、少なくともセンターローラ30の位置においては、加熱プレート10と基板9との間隔が維持される。これにより、加熱プレート10と基板9との接触が、抑制される。
The distance between the upper surface of the
また、基板処理装置1は、センターローラ30の回転軸31とは別個に設けられた駆動軸53を回転させることにより、センターローラ30を、間接的に回転させる。このため、センターローラ30の回転軸31を、駆動軸53とは異なる位置に配置できる。本実施形態では、センターローラ30の回転軸31を、駆動軸53より高い位置に配置し、それにより、センターローラ30の半径を、小さく設定している。センターローラ30の半径を小さく設定すれば、上段プレート11に形成される貫通孔10eの搬送方向の寸法も、小さく設定できる。その結果、貫通孔10eによる基板9の加熱ムラを抑制し、基板9を、高い均一性をもって加熱できる。
Further, the
特に、図7のように、加熱プレート10の厚さをd1、加熱プレート10の上面と基板9の下面との間隔をd2、センターローラ30の半径をd3、回転軸31の半径をd4としたときに、d1+d2>d3−d4の関係が成立していることが、好ましい。このような寸法関係が成立すれば、センターローラ30の回転軸31の少なくとも一部分が、加熱プレート10の下面より高い位置に配置されることとなる。これにより、センターローラ30の半径を、より小さく設定できる。
In particular, as shown in FIG. 7, the thickness of the
また、本実施形態では、駆動軸53は、加熱プレート10の下方に配置されている。このため、加熱プレート10に、駆動軸53を配置するための穴や溝を形成する必要はない。また、駆動軸53の回転により発生し得るパーティクルが、基板9に付着することも、抑制される。
In the present embodiment, the
また、本実施形態のセンターローラ30は、加熱プレート10自体に固定された軸受ブロック60に、取り付けられている。このため、昇温により加熱プレート10が膨張しても、加熱プレート10とセンターローラ30との相対位置は、変化しにくい。したがって、貫通孔10eの内側面とセンターローラ30との隙間の寸法を、小さく設計することができる。これにより、貫通孔10eによる基板9の加熱ムラを、さらに抑制できる。
Further, the
特に、本実施形態の軸受ブロック60は、上段プレート11の下面に固定されている。このため、加熱プレート10の上面には、軸受ブロック60、回転軸31、ギヤ32等の機構が、露出しない。これにより、加熱プレート10は、基板9をより均一に加熱できる。また、これらの機構から発生し得るパーティクルが、基板9に付着することも、抑制される。
In particular, the bearing
また、本実施形態では、駆動軸53の回転を、機械的な歯の噛み合わせを利用したギヤ55,32を介して、センターローラ30の回転軸31に伝達している。このため、駆動軸53の回転を、より確実にセンターローラ30に伝達できる。
In the present embodiment, the rotation of the
また、図7に示すように、センターローラ30は、搬送方向に垂直な断面において、その端面が、外側へ向けて膨らんだ円弧状となっている。これにより、センターローラ30の端面と基板9の下面との接触面積が抑制され、基板9は、さらに均一に加熱される。
Further, as shown in FIG. 7, the
サイドローラ20及びセンターローラ30は、耐熱性及び耐摩耗性の高い樹脂により形成される。このような樹脂として、例えば、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)を使用することができる。また、サイドローラ20及びセンターローラ30は、ステンレス等の金属により形成されていてもよい。ただし、ローラと基板9とが滑ったり、基板9に傷が付いたりすることを防止するためには、サイドローラ20及びセンターローラ30を、樹脂により形成することが好ましい。
The
<2.変形例>
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
<2. Modification>
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment.
上記の実施形態では、機械的な歯の噛み合わせを利用したギヤ55,32を使用していたが、他の機構を介して、駆動軸53の回転をセンターローラ30へ伝達してもよい。例えば、駆動軸53とセンターローラ30の回転軸31とのとの間に掛け渡されたベルトを介して、駆動軸53の回転をセンターローラ30へ伝達してもよい。
In the above embodiment, the
また、図9のように、駆動軸53の回転を、磁力を利用したギヤ55A,32Aを介して、センターローラ30の回転軸31に伝達してもよい。図9の例では、駆動軸53にギヤ55Aが取り付けられおり、ギヤ55Aの端面には、磁極部551が形成されている。また、センターローラ30の回転軸31には、ギヤ32Aが取り付けられており、ギヤ32Aの端面には、磁極部321が形成されている。このため、駆動軸53を回転させると、ギヤ55Aの磁極部551とギヤ32Aの磁極部321との磁気的な作用により、センターローラ30の回転軸31が回転する。
Further, as shown in FIG. 9, the rotation of the
また、図10のように、センターローラ30自体に磁極部301を設けてもよい。図10の例では、駆動軸53にギヤ55Bが取り付けられており、ギヤ55Bのセンターローラ30に対向する面に、磁極部552が形成されている。このため、駆動軸53を回転させると、ギヤ55Bの磁極部552とセンターローラ30の磁極部301との間の磁気的な作用により、センターローラ30が回転する。
Further, as shown in FIG. 10, a
図9や図10のように、磁力を利用すれば、駆動軸53の回転を、非接触でセンターローラ30に伝達できる。このため、部材の接触によるパーティクルの発生を、抑制できる。
As shown in FIGS. 9 and 10, if the magnetic force is used, the rotation of the
また、図11のように、駆動軸53の回転を、ヘリカルギヤ55C,32Cを介して、センターローラ30の回転軸31に伝達してもよい。図11の例では、駆動軸53は、センターローラ30の回転軸31に上面視において直交する方向(すなわち、搬送方向)に、延設されている。そして、駆動軸53と、センターローラ30の回転軸31とに、螺旋状の歯を有するヘリカルギヤ55C,32Cが、互いに噛合するように、取り付けられている。このため、駆動軸53を回転させると、センターローラ30の回転軸31も回転する。
Further, as shown in FIG. 11, the rotation of the
図11のように、駆動軸53を搬送方向に延設すれば、特定の幅方向位置に配置されたセンターローラ30のみを、回転させることができる。このため、回転させるべきセンターローラ30の配列によっては、駆動軸53の数を低減させることができる。
As shown in FIG. 11, if the
また、上記の実施形態では、センターローラ30は、回転軸31と一体に形成されて回転軸31ごと回転するものであったが、センターローラ30は、加熱プレート10に固定された回転軸31に対して、回転するものであってもよい。
In the above embodiment, the
また、上記の実施形態では、複数のセンターローラ30が、搬送方向及び幅方向に、一定の間隔で配置されていたが、センターローラ30の搬送方向及び幅方向の間隔は、一定でなくてもよい。
In the above embodiment, the plurality of
また、上記の実施形態では、同一の幅方向位置において、搬送方向に4つのセンターローラ30が配列されていたが、これらのセンターローラ30の幅方向の位置を、相違させてもよい。例えば、図12のように、加熱プレート10に配置された全てのセンターローラ30の、幅方向の位置を相違させてもよい。このようにすれば、1つの基板処理装置1内では、基板9の同一位置に、センターローラ30が複数回当たることを防止できる。したがって、センターローラ30による基板9の加熱ムラを、さらに抑制できる。
In the above embodiment, four
また、上記の実施形態では、サイドローラ20は、基板9の下面に当接していたが、基板9の上面に当接するサイドローラ20が、さらに配置されてもよい。例えば、図13のように、一対のサイドローラ20が、基板9を上下から挟持しつつ、回転するようにしてもよい。このようにすれば、基板9をより確実に搬送することができる。また、図14のように、サイドローラ20を、基板9の端面に当接させつつ、上下に延びる軸を中心として回転させるようにしてもよい。
In the above embodiment, the
また、上記の実施形態では、サイドローラ20は、モータ50からの回転駆動を受けて回転するものであったが、サイドローラ20は、モータ50からの回転駆動を受けないフリーローラであってもよい。また、加熱プレート10の両側部以外の部位に、モータ50からの回転駆動を受けないフリーローラが、さらに配置されていてもよい。
In the above embodiment, the
また、上記の実施形態では、複数の噴出口10aから窒素ガスを吐出していたが、窒素ガスに代えて、清浄な空気等の他の気体を吐出してもよい。ただし、基板9の表面において意図しない化学反応が生じることを防止するためには、窒素ガス等の不活性ガスを使用することが、好ましい。
Moreover, in said embodiment, nitrogen gas was discharged from the
また、上記の実施形態では、複数の噴出口10aが、搬送方向及び幅方向に、一定の間隔で配置されていたが、噴出口10aの搬送方向及び幅方向の間隔は、一定でなくてもよい。
In the above embodiment, the plurality of
また、上記の実施形態では、加熱プレート10からの輻射熱と、窒素ガスの吹き付けとによって、基板9を加熱していたが、必ずしも、このような2通りの加熱手段を備えていなくてもよい。例えば、加熱プレート10の上面からの気体の噴出を行わず、輻射熱のみで基板9を加熱するようにしてもよい。
Further, in the above embodiment, the
また、上記の基板処理装置1は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板に対して加熱処理を行う装置であったが、本発明の基板処理装置は、半導体ウエハ、PDP用ガラス基板、記録ディスク用基板等の他の基板に対して、加熱処理を行うものであってもよい。
The
1 基板処理装置
9 基板
10 加熱プレート
10a 噴出口
10b 内部流路
10c 導入口
10d 凹部
10e 貫通孔
10f 凹部
11 上段プレート
12 下段プレート
13 ヒータ
14 押さえ板
20 サイドローラ
21 回転軸
22 ギヤ
30 センターローラ
31 回転軸
32,32A ギヤ
32C ヘリカルギヤ
40 フレーム
50 モータ
51 回転軸
52 無端ベルト
53 駆動軸
54 ギヤ
55,55A,55B ギヤ
55C ヘリカルギヤ
60 軸受ブロック
DESCRIPTION OF
Claims (10)
平板状の加熱プレートと、
前記加熱プレートの上面に沿って基板を搬送する搬送手段と、
を備え、
前記搬送手段は、
基板の下面を支持しつつ回転するローラと、
前記ローラの回転軸とは別個に設けられた駆動軸を介して、前記ローラを間接的に回転させる駆動手段と、
を有し、
前記ローラの回転軸が前記加熱プレートの上面に露出せず、かつ前記回転軸の少なくとも一部分が、前記加熱プレートの下面より高い位置に配置されている基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing a heat treatment on a substrate,
A flat heating plate;
Transport means for transporting the substrate along the upper surface of the heating plate;
With
The conveying means is
A roller that rotates while supporting the lower surface of the substrate;
Drive means for indirectly rotating the roller via a drive shaft provided separately from the rotation shaft of the roller;
Have
The substrate processing apparatus, wherein a rotation shaft of the roller is not exposed on an upper surface of the heating plate, and at least a part of the rotation shaft is disposed at a position higher than a lower surface of the heating plate.
前記駆動軸は、前記加熱プレートの下方に配置されている基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the drive shaft is disposed below the heating plate.
前記ローラは、前記加熱プレートに固定された軸又は軸受に、取り付けられている基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the roller is attached to a shaft or a bearing fixed to the heating plate.
前記ローラは、前記加熱プレートを構成する部材の下面に固定された軸又は軸受に、取り付けられている基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the roller is attached to a shaft or a bearing fixed to a lower surface of a member constituting the heating plate.
前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、機械的な歯の噛み合わせを利用したギヤを介して、前記ローラに伝達する基板処理装置。 A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4 , wherein
The substrate processing apparatus, wherein the drive means transmits the rotation of the drive shaft to the roller via a gear using mechanical tooth meshing.
前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、磁力を利用したギヤを介して、前記ローラに伝達する基板処理装置。 The substrate processing apparatus, wherein the drive means transmits the rotation of the drive shaft to the roller through a gear using magnetic force.
前記ローラの前記回転軸と、前記駆動軸とは、上面視において直交しており、 The rotating shaft of the roller and the drive shaft are orthogonal to each other when viewed from above.
前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、ヘリカルギアを介して、前記ローラに伝達する基板処理装置。 The substrate processing apparatus, wherein the drive means transmits the rotation of the drive shaft to the roller via a helical gear.
前記加熱プレートは、 The heating plate is
前記加熱プレートの上面からの輻射熱により、基板を加熱する第1加熱手段と、 First heating means for heating the substrate by radiant heat from the upper surface of the heating plate;
前記加熱プレートの上面から高温の気体を噴出することにより、基板を加熱する第2加熱手段と、 A second heating means for heating the substrate by ejecting a high-temperature gas from the upper surface of the heating plate;
を有する基板処理装置。A substrate processing apparatus.
前記ローラは、樹脂により形成されている基板処理装置。 The roller is a substrate processing apparatus formed of resin.
前記加熱プレートに配置された全てのローラの、搬送方向に直交する方向の位置が、相違する基板処理装置。 A substrate processing apparatus in which positions of all rollers arranged on the heating plate are different from each other in a direction orthogonal to a transport direction.
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