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JP5431863B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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JP5431863B2 JP2009240491A JP2009240491A JP5431863B2 JP 5431863 B2 JP5431863 B2 JP 5431863B2 JP 2009240491 A JP2009240491 A JP 2009240491A JP 2009240491 A JP2009240491 A JP 2009240491A JP 5431863 B2 JP5431863 B2 JP 5431863B2
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、基板に対して加熱処理を行う基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a heat treatment on a substrate.

半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP用ガラス基板、記録ディスク用基板等の基板の製造工程では、基板に対する加熱処理が適宜に行われる。例えば、基板のフォトリソグラフィ工程では、基板の表面にレジスト液が塗布された後、基板の表面とレジストとの密着性を向上させるために、基板に対して加熱処理が行われる。このような加熱処理に使用される従来の基板処理装置については、例えば、特許文献1に開示されている。   In the manufacturing process of a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a PDP, or a substrate for a recording disk, the substrate is appropriately heated. For example, in a photolithography process of a substrate, after a resist solution is applied to the surface of the substrate, heat treatment is performed on the substrate in order to improve adhesion between the surface of the substrate and the resist. A conventional substrate processing apparatus used for such heat treatment is disclosed in, for example, Patent Document 1.

特開2008−16543号公報JP 2008-16543 A

特許文献1の基板処理装置は、複数の吐出孔から気体を吐出することにより、プレート上に、基板を非接触で保持している。そして、プレートの上面に沿って基板を搬送しつつ、基板を加熱している。しかしながら、このような基板処理装置では、プレートの上面と基板の下面との間隔(基板の浮上量)を大きくとることは、困難である。このため、基板のサイズが大きい場合には、加熱による基板の反り等により、プレートと基板とが接触してしまう虞がある。   The substrate processing apparatus of Patent Document 1 holds a substrate in a non-contact manner on a plate by discharging gas from a plurality of discharge holes. And the board | substrate is heated, conveying a board | substrate along the upper surface of a plate. However, in such a substrate processing apparatus, it is difficult to increase the distance between the upper surface of the plate and the lower surface of the substrate (the flying height of the substrate). For this reason, when the size of the substrate is large, the plate and the substrate may come into contact with each other due to warpage of the substrate due to heating.

一方、図15のように、プレート110に貫通孔111を形成するとともに、当該貫通孔111内にローラ120を配置し、ローラ120上で基板109を搬送するようにすれば、プレート110と基板109との間隔Gを、大きくとることができる。しかしながら、プレート110の下方に駆動軸121を配置し、当該駆動軸121にローラ120を取り付けると、ローラ120の半径Rが大きくなってしまう。また、それに伴い、貫通孔111の搬送方向の寸法Dも、大きくなってしまう。このような構造では、貫通孔111による加熱のムラが、大きくなる虞がある。   On the other hand, as shown in FIG. 15, if the through hole 111 is formed in the plate 110 and the roller 120 is disposed in the through hole 111 and the substrate 109 is transported on the roller 120, the plate 110 and the substrate 109 are arranged. The gap G can be made large. However, when the drive shaft 121 is disposed below the plate 110 and the roller 120 is attached to the drive shaft 121, the radius R of the roller 120 increases. Along with this, the dimension D in the transport direction of the through hole 111 also increases. In such a structure, the unevenness of heating due to the through hole 111 may increase.

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板とプレートとの接触を防止でき、かつ、高い均一性をもって、基板を加熱できる基板処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can prevent contact between a substrate and a plate and can heat the substrate with high uniformity.

上記課題を解決するため、本願の第1発明は、基板に対して加熱処理を行う基板処理装置であって、平板状の加熱プレートと、前記加熱プレートの上面に沿って基板を搬送する搬送手段と、を備え、前記搬送手段は、基板の下面を支持しつつ回転するローラと、前記ローラの回転軸とは別個に設けられた駆動軸を介して、前記ローラを間接的に回転させる駆動手段と、を有し、前記ローラの回転軸が前記加熱プレートの上面に露出せず、かつ前記回転軸の少なくとも一部分が、前記加熱プレートの下面より高い位置に配置されている。

In order to solve the above-mentioned problems, a first invention of the present application is a substrate processing apparatus for performing a heat treatment on a substrate, and includes a flat plate-like heating plate and a conveying unit that conveys the substrate along the upper surface of the heating plate. The conveying means includes a roller that rotates while supporting the lower surface of the substrate, and a driving means that indirectly rotates the roller via a driving shaft provided separately from the rotating shaft of the roller. The rotation shaft of the roller is not exposed on the upper surface of the heating plate, and at least a part of the rotation shaft is disposed at a position higher than the lower surface of the heating plate.

本願の第2発明は、第1発明の基板処理装置であって、前記駆動軸は、前記加熱プレートの下方に配置されている。   A second invention of the present application is the substrate processing apparatus of the first invention, wherein the drive shaft is disposed below the heating plate.

本願の第3発明は、第1発明又は第2発明の基板処理装置であって、前記ローラは、前記加熱プレートに固定された軸又は軸受に、取り付けられている。   A third invention of the present application is the substrate processing apparatus of the first invention or the second invention, wherein the roller is attached to a shaft or a bearing fixed to the heating plate.

本願の第4発明は、第3発明の基板処理装置であって、前記ローラは、前記加熱プレートを構成する部材の下面に固定された軸又は軸受に、取り付けられている。   4th invention of this application is a substrate processing apparatus of 3rd invention, Comprising: The said roller is attached to the axis | shaft or bearing fixed to the lower surface of the member which comprises the said heating plate.

本願の第5発明は、第1発明から第4発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、機械的な歯の噛み合わせを利用したギヤを介して、前記ローラに伝達する。 A fifth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth inventions, wherein the drive means rotates the drive shaft with a gear utilizing mechanical tooth meshing. To the roller.

本願の第6発明は、第1発明から第5発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、磁力を利用したギヤを介して、前記ローラに伝達する。 A sixth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth inventions, wherein the drive means applies rotation of the drive shaft to the roller via a gear using magnetic force. introduce.

本願の第7発明は、第1発明から第6発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記ローラの前記回転軸と、前記駆動軸とは、上面視において直交しており、前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、ヘリカルギアを介して、前記ローラに伝達する。 A seventh invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth inventions, wherein the rotation shaft of the roller and the drive shaft are orthogonal to each other in a top view, and the drive The means transmits the rotation of the drive shaft to the roller via a helical gear.

本願の第8発明は、第1発明から第7発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記加熱プレートは、前記加熱プレートの上面からの輻射熱により、基板を加熱する第1加熱手段と、前記加熱プレートの上面から高温の気体を噴出することにより、基板を加熱する第2加熱手段と、を有する。 An eighth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to seventh inventions, wherein the heating plate includes first heating means for heating the substrate by radiant heat from the upper surface of the heating plate. And second heating means for heating the substrate by ejecting a high-temperature gas from the upper surface of the heating plate.

本願の第9発明は、第1発明から第8発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記ローラは、樹脂により形成されている。 A ninth invention of the present application is the substrate processing apparatus according to any one of the first to eighth inventions, wherein the roller is formed of a resin.

本願の第10発明は、第1発明から第9発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記加熱プレートに配置された全てのローラの、搬送方向に直交する方向の位置が、相違する。 A tenth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to ninth aspects, wherein the positions of all the rollers arranged on the heating plate are different from each other in a direction perpendicular to the conveying direction. .

本願の第1発明〜第10発明によれば、ローラにより基板を支持するため、基板と加熱プレートとの接触を防止できる。また、ローラの回転軸の高さ位置を、駆動軸とは異なる位置に設定できる。このため、ローラの半径を小さく設定できる。したがって、加熱プレートは、高い均一性をもって、基板を加熱できる。
また、ローラの半径を、より小さく設定できる。
According to the first to tenth aspects of the present invention, since the substrate is supported by the roller, the contact between the substrate and the heating plate can be prevented. Further, the height position of the rotation shaft of the roller can be set to a position different from the drive shaft. For this reason, the radius of a roller can be set small. Therefore, the heating plate can heat the substrate with high uniformity.
Further, the radius of the roller can be set smaller.

特に、本願の第2発明によれば、駆動軸が加熱プレートの下方に配置されているため、駆動軸による加熱のムラやパーティクルの発生を、抑制できる。   In particular, according to the second invention of the present application, since the drive shaft is disposed below the heating plate, heating unevenness and particle generation by the drive shaft can be suppressed.

特に、本願の第3発明によれば、加熱プレートが膨張しても、ローラと加熱プレートとの相対位置が、変化しにくい。このため、加熱プレートとローラとの隙間の寸法を、小さく設計することができる。したがって、加熱プレートは、基板をより均一に加熱できる。   In particular, according to the third invention of the present application, even if the heating plate expands, the relative position between the roller and the heating plate hardly changes. For this reason, the dimension of the clearance gap between a heating plate and a roller can be designed small. Therefore, the heating plate can heat the substrate more uniformly.

特に、本願の第4発明によれば、加熱プレートの上面に、回転軸や軸受が露出しない。このため、加熱プレートは、基板を、より均一に加熱できる。   In particular, according to the fourth invention of the present application, the rotating shaft and the bearing are not exposed on the upper surface of the heating plate. For this reason, the heating plate can heat the substrate more uniformly.

特に、本願の第5発明によれば、駆動軸の回転を、より確実にローラに伝達できる。 In particular, according to the fifth invention of the present application, the rotation of the drive shaft can be more reliably transmitted to the roller.

特に、本願の第6発明によれば、駆動軸の回転を、非接触でローラに伝達できる。このため、パーティクルの発生を抑制できる。 In particular, according to the sixth aspect of the present invention, the rotation of the drive shaft can be transmitted to the roller in a non-contact manner. For this reason, generation | occurrence | production of a particle can be suppressed.

特に、本願の第7発明によれば、特定の幅方向位置に配置されたローラのみを、回転させることができる。 In particular, according to the seventh invention of the present application, only the rollers arranged at a specific width direction position can be rotated.

特に、本願の第8発明によれば、加熱プレートの上面からの輻射熱と、加熱プレートの上面から噴出される気体とにより、基板を、より均一に、かつ効率よく加熱できる。 In particular, according to the eighth invention of the present application, the substrate can be heated more uniformly and efficiently by the radiant heat from the upper surface of the heating plate and the gas ejected from the upper surface of the heating plate.

特に、本願の第9発明によれば、ローラと基板とが滑ったり、基板に傷が付いたりすることを、防止できる。 In particular, according to the ninth invention of the present application, it is possible to prevent the roller and the substrate from slipping and the substrate from being damaged.

特に、本願の第10発明によれば、基板の同一位置に、ローラが複数回当たることを、防止できる。したがって、ローラによる基板の加熱ムラを、さらに抑制できる。
In particular, according to the tenth aspect of the present invention, it is possible to prevent the roller from hitting the same position of the substrate a plurality of times. Therefore, uneven heating of the substrate by the roller can be further suppressed.

基板処理装置を上面側から見た斜視図である。It is the perspective view which looked at the substrate processing apparatus from the upper surface side. 基板処理装置を下面側から見た斜視図である。It is the perspective view which looked at the substrate processing apparatus from the lower surface side. 基板処理装置の上面図である。It is a top view of a substrate processing apparatus. 図3中のIV−IV位置から見た基板処理装置の縦断面図である。It is the longitudinal cross-sectional view of the substrate processing apparatus seen from the IV-IV position in FIG. 加熱プレートの上面図である。It is a top view of a heating plate. 図5中のVI−VI位置から見た加熱プレートの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the heating plate seen from the VI-VI position in FIG. センターローラとその近傍の部位の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of a center roller and the site | part of the vicinity. センターローラの近傍を下面側から見た斜視図である。It is the perspective view which looked at the vicinity of a center roller from the lower surface side. 変形例に係るセンターローラとその近傍の部位の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the center roller which concerns on a modification, and the site | part of the vicinity. 変形例に係るセンターローラ及びギヤの斜視図である。It is a perspective view of the center roller and gear which concern on a modification. 変形例に係るセンターローラ及びギヤの上面図である。It is a top view of the center roller and gear which concern on a modification. 変形例に係る基板処理装置の斜視図である。It is a perspective view of the substrate processing apparatus which concerns on a modification. 変形例に係るサイドローラを示した図である。It is the figure which showed the side roller which concerns on a modification. 変形例に係るサイドローラとその近傍の部位の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the side roller which concerns on a modification, and the site | part of the vicinity. プレートの下方に配置された駆動軸に取り付けられたローラを示した図である。It is the figure which showed the roller attached to the drive shaft arrange | positioned under the plate.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

<1.一実施形態に係る基板処理装置>
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1を上面側から見た斜視図である。図2は、基板処理装置1を下面側から見た斜視図である。図3は、基板処理装置1の上面図である。また、図4は、図3中のIV−IV位置から見た基板処理装置1の縦断面図である。なお、以下の説明では、基板9が搬送される方向を「搬送方向」と称し、搬送方向に直交する水平方向を「幅方向」と称する。本願の各図には、搬送方向および幅方向が、矢印で示されている。
<1. Substrate Processing Apparatus According to One Embodiment>
FIG. 1 is a perspective view of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention as viewed from the upper surface side. FIG. 2 is a perspective view of the substrate processing apparatus 1 as viewed from the lower surface side. FIG. 3 is a top view of the substrate processing apparatus 1. FIG. 4 is a longitudinal sectional view of the substrate processing apparatus 1 viewed from the position IV-IV in FIG. In the following description, the direction in which the substrate 9 is transported is referred to as “transport direction”, and the horizontal direction orthogonal to the transport direction is referred to as “width direction”. In each drawing of the present application, the conveyance direction and the width direction are indicated by arrows.

この基板処理装置1は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板9(以下、単に「基板9」という)の表面を選択的にエッチングするフォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布後の基板9に加熱処理を行うための装置である。基板9の製造工程では、複数台の基板処理装置1が、搬送方向に配列される。基板9は、複数台の基板処理装置1上において搬送されつつ、加熱処理を受ける。   The substrate processing apparatus 1 heat-treats the substrate 9 after resist application in a photolithography process for selectively etching the surface of a rectangular glass substrate 9 (hereinafter simply referred to as “substrate 9”) for a liquid crystal display device. It is a device for performing. In the manufacturing process of the substrate 9, a plurality of substrate processing apparatuses 1 are arranged in the transport direction. The substrate 9 is subjected to heat treatment while being transported on the plurality of substrate processing apparatuses 1.

図1〜図4に示すように、基板処理装置1は、加熱プレート10を備えている。加熱プレート10は、その上面に沿って搬送される基板9を加熱するためのプレートである。加熱プレート10は、略矩形の平板状に形成されている。図4中に拡大して示したように、加熱プレート10は、上段プレート11、下段プレート12、ヒータ13、及び押さえ板14を、上から順に積層させた構造となっている。   As shown in FIGS. 1 to 4, the substrate processing apparatus 1 includes a heating plate 10. The heating plate 10 is a plate for heating the substrate 9 conveyed along the upper surface thereof. The heating plate 10 is formed in a substantially rectangular flat plate shape. As shown in an enlarged view in FIG. 4, the heating plate 10 has a structure in which an upper plate 11, a lower plate 12, a heater 13, and a pressing plate 14 are stacked in order from the top.

上段プレート11、下段プレート12、及び押さえ板14は、例えば、アルミニウム等の金属により形成されている。押さえ板14は、下段プレート12との間でヒータ13を保持する役割を果たす。ヒータ13は、薄板状の発熱体である。ヒータ13は、例えば、ステンレスのエッチングにより形成されるが、他の材料により形成されていてもよい。また、ヒータ13は、所定の電源装置(図示省略)に接続されている。   The upper plate 11, the lower plate 12, and the pressing plate 14 are made of a metal such as aluminum, for example. The holding plate 14 plays a role of holding the heater 13 with the lower plate 12. The heater 13 is a thin plate-like heating element. The heater 13 is formed by, for example, stainless steel etching, but may be formed of other materials. The heater 13 is connected to a predetermined power supply device (not shown).

電源装置からヒータ13へ電流を与えると、ヒータ13は、その抵抗に応じて発熱する。ヒータ13から発生した熱は、下段プレート12及び上段プレート11へ伝導し、下段プレート12及び上段プレート11を昇温させる。加熱プレート10上において搬送される基板9は、上段プレート11の上面からの輻射熱を受けて、加熱される。   When a current is supplied from the power supply device to the heater 13, the heater 13 generates heat according to its resistance. The heat generated from the heater 13 is conducted to the lower plate 12 and the upper plate 11 to raise the temperature of the lower plate 12 and the upper plate 11. The substrate 9 transported on the heating plate 10 receives the radiant heat from the upper surface of the upper plate 11 and is heated.

また、加熱プレート10の上面には、基板9の下面へ向けて加熱された窒素ガスを噴出する、複数の噴出口10aが形成されている。複数の噴出口10aは、加熱プレート10の上面に、等間隔の格子点状に配置されている。   In addition, a plurality of jet ports 10 a are formed on the upper surface of the heating plate 10 to jet nitrogen gas heated toward the lower surface of the substrate 9. The plurality of jet nozzles 10 a are arranged on the upper surface of the heating plate 10 in the form of equidistant lattice points.

図5は、加熱プレート10の上面図である。また、図6は、図5中のVI−VI位置から見た加熱プレート10の縦断面図である。図5及び図6に示すように、加熱プレート10の内部には、複数の噴出口10aへ窒素ガスを送るための内部流路10bが形成されている。本実施形態では、上段プレート11の下面に形成された溝と、下段プレート12の上面とに囲まれた空間が、内部流路10bとなっている。内部流路10bは、加熱プレート10の下面側に形成された導入口10cから、各噴出口10aまで、複数本に分岐しつつ、センターローラ30と重ならないように、延設されている。   FIG. 5 is a top view of the heating plate 10. FIG. 6 is a longitudinal sectional view of the heating plate 10 as viewed from the VI-VI position in FIG. As shown in FIGS. 5 and 6, an internal flow path 10 b for sending nitrogen gas to the plurality of jet nozzles 10 a is formed inside the heating plate 10. In the present embodiment, the space surrounded by the groove formed on the lower surface of the upper plate 11 and the upper surface of the lower plate 12 is the internal flow path 10b. The internal flow path 10b extends from the inlet 10c formed on the lower surface side of the heating plate 10 to each of the jet outlets 10a so as not to overlap the center roller 30 while branching into a plurality of lines.

導入口10cには、内部流路10bへ窒素ガスを供給するための給気管15aが接続されている。給気管15aの上流側の端部は、窒素ガス供給源15bに接続されている。また、給気管15aには、開閉弁15cとヒータ15dとが、介挿されている。   An air supply pipe 15a for supplying nitrogen gas to the internal flow path 10b is connected to the introduction port 10c. The upstream end of the air supply pipe 15a is connected to a nitrogen gas supply source 15b. Further, an open / close valve 15c and a heater 15d are interposed in the air supply pipe 15a.

開閉弁15cを開放すると、窒素ガス供給源15bから給気管15aへ、圧縮された窒素ガスが供給される。窒素ガスは、ヒータ15dにより加熱された後、導入口10cを介して、内部流路10bへ導入される。そして、内部流路10bを通って各噴出口10aへ送られた窒素ガスは、複数の噴出口10aから上方へ向けて噴出され、基板9の下面に吹き付けられる。加熱プレート10上において搬送される基板9は、加熱された窒素ガスからの熱を受けて、加熱される。   When the on-off valve 15c is opened, compressed nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply source 15b to the supply pipe 15a. The nitrogen gas is heated by the heater 15d and then introduced into the internal flow path 10b through the introduction port 10c. Then, the nitrogen gas sent to each outlet 10a through the internal channel 10b is jetted upward from the plurality of jets 10a and blown to the lower surface of the substrate 9. The substrate 9 transported on the heating plate 10 receives heat from the heated nitrogen gas and is heated.

このように、本実施形態の基板処理装置1は、加熱プレート10の上面からの輻射熱により基板9を加熱する第1加熱手段と、加熱プレート10の上面から高温の窒素ガスを噴出することにより基板9を加熱する第2加熱手段と、を有している。このため、輻射熱のみで基板9を加熱する場合よりも、均一に、かつ、効率よく、基板9を加熱できる。   As described above, the substrate processing apparatus 1 according to this embodiment includes the first heating unit that heats the substrate 9 by the radiant heat from the upper surface of the heating plate 10 and the substrate by ejecting high-temperature nitrogen gas from the upper surface of the heating plate 10. And a second heating means for heating 9. For this reason, the board | substrate 9 can be heated uniformly and efficiently rather than the case where the board | substrate 9 is heated only with radiant heat.

図1〜図4に戻る。加熱プレート10の両側部(基板9の搬送方向に向かって左右の側部)には、それぞれ、4つのローラ20が、搬送方向に等間隔となるように、配置されている。以下では、加熱プレート10の両側部に配置されたローラ20を、「サイドローラ20」と称する。各サイドローラ20は、加熱プレート10の側面に形成された凹部10dの内部に、配置されている。   Returning to FIGS. Four rollers 20 are disposed on both sides of the heating plate 10 (left and right side portions in the conveyance direction of the substrate 9) so as to be equally spaced in the conveyance direction. Hereinafter, the rollers 20 disposed on both sides of the heating plate 10 are referred to as “side rollers 20”. Each side roller 20 is disposed inside a recess 10 d formed on the side surface of the heating plate 10.

サイドローラ20は、回転軸21と一体に形成されており、回転軸21ごと回転する。回転軸21は、加熱プレート10の左右に配置されたフレーム40に、回転自在に支持されている。フレーム40の外側には、サイドローラ20及び後述するセンターローラ30の駆動源となるモータ50が、配置されている。各サイドローラ20の回転軸21及びモータ50の回転軸51には、無端ベルト52が掛け渡されている。モータ50を動作させると、モータ50の回転駆動が、モータ50の回転軸51、無端ベルト52、及びサイドローラ20の回転軸21を介して、各サイドローラ20へ伝達される。これにより、各サイドローラ20が、同じ方向に回転する。   The side roller 20 is formed integrally with the rotating shaft 21 and rotates together with the rotating shaft 21. The rotation shaft 21 is rotatably supported by the frames 40 disposed on the left and right sides of the heating plate 10. A motor 50 serving as a drive source for the side rollers 20 and a center roller 30 described later is disposed outside the frame 40. An endless belt 52 is stretched around the rotation shaft 21 of each side roller 20 and the rotation shaft 51 of the motor 50. When the motor 50 is operated, the rotational drive of the motor 50 is transmitted to each side roller 20 via the rotation shaft 51 of the motor 50, the endless belt 52, and the rotation shaft 21 of the side roller 20. Thereby, each side roller 20 rotates in the same direction.

一方、加熱プレート10の両側部以外の部位には、複数のローラ30が配置されている。以下では、加熱プレート10の両側部以外の部位に配置されたこれらのローラ30を、「センターローラ30」と称する。本実施形態では、幅方向に4つのセンターローラ30が等間隔に配列され、そのセンターローラ30の列が、搬送方向に等間隔に4つ配列されている。すなわち、本実施形態では、計16個のセンターローラ30が、搬送方向及び幅方向に、等間隔に配列されている。   On the other hand, a plurality of rollers 30 are arranged at portions other than both side portions of the heating plate 10. Hereinafter, these rollers 30 arranged at portions other than both side portions of the heating plate 10 are referred to as “center rollers 30”. In the present embodiment, four center rollers 30 are arranged at equal intervals in the width direction, and four rows of the center rollers 30 are arranged at equal intervals in the transport direction. That is, in the present embodiment, a total of 16 center rollers 30 are arranged at equal intervals in the transport direction and the width direction.

加熱プレート10の下方には、モータ50の回転駆動をセンターローラ30へ伝達するための駆動軸53が、配置されている。駆動軸53は、フレーム40及び後述する軸受ブロック60に、回転自在に支持されている。駆動軸53のモータ50側の端部には、ギヤ54が取り付けられている。ギヤ54は、サイドローラ20の回転軸21に取り付けられたギヤ22と、噛合されている。モータ50を動作させると、モータ50の回転駆動が、モータ50の回転軸51、無端ベルト52、サイドローラ20の回転軸21、ギヤ22、及びギヤ54を介して、駆動軸53へ伝達される。これにより、駆動軸53が回転する。   A drive shaft 53 for transmitting the rotational drive of the motor 50 to the center roller 30 is disposed below the heating plate 10. The drive shaft 53 is rotatably supported by the frame 40 and a bearing block 60 described later. A gear 54 is attached to the end of the drive shaft 53 on the motor 50 side. The gear 54 is meshed with the gear 22 attached to the rotating shaft 21 of the side roller 20. When the motor 50 is operated, the rotation drive of the motor 50 is transmitted to the drive shaft 53 via the rotation shaft 51 of the motor 50, the endless belt 52, the rotation shaft 21 of the side roller 20, the gear 22, and the gear 54. . Thereby, the drive shaft 53 rotates.

図7は、センターローラ30とその近傍の部位の縦断面図である。また、図8は、センターローラ30の近傍を下面側から見た斜視図である。加熱プレート10の上段プレート11には、センターローラ30の配置空間を確保するための貫通孔10eが形成されている。センターローラ30の上部は、上段プレート11の上面より上方に位置している。また、加熱プレート10の下面側には、貫通孔10eに連通する凹部10fが形成されている。   FIG. 7 is a longitudinal sectional view of the center roller 30 and the vicinity thereof. FIG. 8 is a perspective view of the vicinity of the center roller 30 as viewed from the lower surface side. The upper plate 11 of the heating plate 10 is formed with a through hole 10 e for securing a space for arranging the center roller 30. The upper part of the center roller 30 is located above the upper surface of the upper plate 11. Further, a concave portion 10 f communicating with the through hole 10 e is formed on the lower surface side of the heating plate 10.

センターローラ30は、回転軸31と一体に形成されており、回転軸31ごと回転する。回転軸31は、上段プレート11の下面に固定された軸受ブロック60に、回転自在に支持されている。また、上記の駆動軸53も、同じ軸受ブロック60に、回転自在に支持されている。回転軸31及び駆動軸53には、互いに噛合するギヤ32,55が、取り付けられている。駆動軸53が回転すると、その回転が、ギヤ55、ギヤ32、及び回転軸31を介して、センターローラ30へ伝達される。これにより、センターローラ30が回転する。   The center roller 30 is formed integrally with the rotation shaft 31 and rotates together with the rotation shaft 31. The rotating shaft 31 is rotatably supported by a bearing block 60 fixed to the lower surface of the upper plate 11. The drive shaft 53 is also rotatably supported by the same bearing block 60. Gears 32 and 55 that mesh with each other are attached to the rotary shaft 31 and the drive shaft 53. When the drive shaft 53 rotates, the rotation is transmitted to the center roller 30 via the gear 55, the gear 32, and the rotation shaft 31. Thereby, the center roller 30 rotates.

本実施形態では、2つのセンターローラ30に対して、1本の駆動軸53が設けられている。そして、4本の駆動軸53に対して、1つのモータ50が設けられている。このような構造により、駆動軸53やモータ50の数が抑制されている。また、このような構造により、各センターローラ30の回転速度のばらつきが、抑制されている。   In the present embodiment, one drive shaft 53 is provided for the two center rollers 30. One motor 50 is provided for the four drive shafts 53. With such a structure, the number of drive shafts 53 and motors 50 is suppressed. Also, with such a structure, variations in the rotational speed of each center roller 30 are suppressed.

複数のサイドローラ20及び複数のセンターローラ30は、基板9の下面を支持しつつ、回転する。これにより、基板9が搬送方向に搬送される。基板処理装置1は、加熱プレート10上において、基板9を搬送しつつ加熱するため、基板9を、高い均一性をもって加熱できる。   The plurality of side rollers 20 and the plurality of center rollers 30 rotate while supporting the lower surface of the substrate 9. Thereby, the board | substrate 9 is conveyed in a conveyance direction. Since the substrate processing apparatus 1 heats the substrate 9 while transporting the substrate 9 on the heating plate 10, the substrate 9 can be heated with high uniformity.

加熱プレート10の上面と基板9の下面との間隔は、上段プレート11、軸受ブロック60、回転軸31、及びセンターローラ30の寸法に応じて決まる。このため、気体の吹き付けのみで加熱プレート10から基板9を浮上させる場合よりも、加熱プレート10と基板9との間隔を、大きくとることができる。また、加熱による基板9の反りが発生したとしても、少なくともセンターローラ30の位置においては、加熱プレート10と基板9との間隔が維持される。これにより、加熱プレート10と基板9との接触が、抑制される。   The distance between the upper surface of the heating plate 10 and the lower surface of the substrate 9 is determined according to the dimensions of the upper plate 11, the bearing block 60, the rotating shaft 31, and the center roller 30. For this reason, the space | interval of the heating plate 10 and the board | substrate 9 can be taken larger than the case where the board | substrate 9 is levitated from the heating plate 10 only by blowing of gas. Even if the substrate 9 is warped by heating, at least the position of the center roller 30 maintains the distance between the heating plate 10 and the substrate 9. Thereby, contact with the heating plate 10 and the board | substrate 9 is suppressed.

また、基板処理装置1は、センターローラ30の回転軸31とは別個に設けられた駆動軸53を回転させることにより、センターローラ30を、間接的に回転させる。このため、センターローラ30の回転軸31を、駆動軸53とは異なる位置に配置できる。本実施形態では、センターローラ30の回転軸31を、駆動軸53より高い位置に配置し、それにより、センターローラ30の半径を、小さく設定している。センターローラ30の半径を小さく設定すれば、上段プレート11に形成される貫通孔10eの搬送方向の寸法も、小さく設定できる。その結果、貫通孔10eによる基板9の加熱ムラを抑制し、基板9を、高い均一性をもって加熱できる。   Further, the substrate processing apparatus 1 rotates the center roller 30 indirectly by rotating a drive shaft 53 provided separately from the rotation shaft 31 of the center roller 30. For this reason, the rotation shaft 31 of the center roller 30 can be arranged at a position different from the drive shaft 53. In the present embodiment, the rotation shaft 31 of the center roller 30 is disposed at a position higher than the drive shaft 53, thereby setting the radius of the center roller 30 to be small. If the radius of the center roller 30 is set small, the dimension in the transport direction of the through hole 10e formed in the upper plate 11 can also be set small. As a result, heating unevenness of the substrate 9 due to the through hole 10e can be suppressed, and the substrate 9 can be heated with high uniformity.

特に、図7のように、加熱プレート10の厚さをd1、加熱プレート10の上面と基板9の下面との間隔をd2、センターローラ30の半径をd3、回転軸31の半径をd4としたときに、d1+d2>d3−d4の関係が成立していることが、好ましい。このような寸法関係が成立すれば、センターローラ30の回転軸31の少なくとも一部分が、加熱プレート10の下面より高い位置に配置されることとなる。これにより、センターローラ30の半径を、より小さく設定できる。   In particular, as shown in FIG. 7, the thickness of the heating plate 10 is d1, the distance between the upper surface of the heating plate 10 and the lower surface of the substrate 9 is d2, the radius of the center roller 30 is d3, and the radius of the rotating shaft 31 is d4. Sometimes, it is preferable that the relationship d1 + d2> d3-d4 is established. If such a dimensional relationship is established, at least a part of the rotation shaft 31 of the center roller 30 is disposed at a position higher than the lower surface of the heating plate 10. Thereby, the radius of the center roller 30 can be set smaller.

また、本実施形態では、駆動軸53は、加熱プレート10の下方に配置されている。このため、加熱プレート10に、駆動軸53を配置するための穴や溝を形成する必要はない。また、駆動軸53の回転により発生し得るパーティクルが、基板9に付着することも、抑制される。   In the present embodiment, the drive shaft 53 is disposed below the heating plate 10. For this reason, it is not necessary to form a hole or groove for arranging the drive shaft 53 in the heating plate 10. Further, particles that may be generated by the rotation of the drive shaft 53 are also prevented from adhering to the substrate 9.

また、本実施形態のセンターローラ30は、加熱プレート10自体に固定された軸受ブロック60に、取り付けられている。このため、昇温により加熱プレート10が膨張しても、加熱プレート10とセンターローラ30との相対位置は、変化しにくい。したがって、貫通孔10eの内側面とセンターローラ30との隙間の寸法を、小さく設計することができる。これにより、貫通孔10eによる基板9の加熱ムラを、さらに抑制できる。   Further, the center roller 30 of this embodiment is attached to a bearing block 60 fixed to the heating plate 10 itself. For this reason, even if the heating plate 10 expands due to the temperature rise, the relative position between the heating plate 10 and the center roller 30 hardly changes. Therefore, the dimension of the gap between the inner surface of the through hole 10e and the center roller 30 can be designed to be small. Thereby, the heating nonuniformity of the board | substrate 9 by the through-hole 10e can further be suppressed.

特に、本実施形態の軸受ブロック60は、上段プレート11の下面に固定されている。このため、加熱プレート10の上面には、軸受ブロック60、回転軸31、ギヤ32等の機構が、露出しない。これにより、加熱プレート10は、基板9をより均一に加熱できる。また、これらの機構から発生し得るパーティクルが、基板9に付着することも、抑制される。   In particular, the bearing block 60 of the present embodiment is fixed to the lower surface of the upper plate 11. For this reason, mechanisms such as the bearing block 60, the rotating shaft 31, and the gear 32 are not exposed on the upper surface of the heating plate 10. Thereby, the heating plate 10 can heat the substrate 9 more uniformly. Further, the particles that can be generated from these mechanisms are also prevented from adhering to the substrate 9.

また、本実施形態では、駆動軸53の回転を、機械的な歯の噛み合わせを利用したギヤ55,32を介して、センターローラ30の回転軸31に伝達している。このため、駆動軸53の回転を、より確実にセンターローラ30に伝達できる。   In the present embodiment, the rotation of the drive shaft 53 is transmitted to the rotation shaft 31 of the center roller 30 via gears 55 and 32 using mechanical tooth meshing. For this reason, the rotation of the drive shaft 53 can be transmitted to the center roller 30 more reliably.

また、図7に示すように、センターローラ30は、搬送方向に垂直な断面において、その端面が、外側へ向けて膨らんだ円弧状となっている。これにより、センターローラ30の端面と基板9の下面との接触面積が抑制され、基板9は、さらに均一に加熱される。   Further, as shown in FIG. 7, the center roller 30 has an arc shape whose end surface swells outward in a cross section perpendicular to the transport direction. Thereby, the contact area between the end surface of the center roller 30 and the lower surface of the substrate 9 is suppressed, and the substrate 9 is heated more uniformly.

サイドローラ20及びセンターローラ30は、耐熱性及び耐摩耗性の高い樹脂により形成される。このような樹脂として、例えば、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)を使用することができる。また、サイドローラ20及びセンターローラ30は、ステンレス等の金属により形成されていてもよい。ただし、ローラと基板9とが滑ったり、基板9に傷が付いたりすることを防止するためには、サイドローラ20及びセンターローラ30を、樹脂により形成することが好ましい。   The side roller 20 and the center roller 30 are formed of a resin having high heat resistance and high wear resistance. As such a resin, for example, polyether ether ketone (PEEK) can be used. Further, the side roller 20 and the center roller 30 may be formed of a metal such as stainless steel. However, in order to prevent the roller and the substrate 9 from slipping and the substrate 9 from being damaged, it is preferable to form the side roller 20 and the center roller 30 from resin.

<2.変形例>
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
<2. Modification>
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment.

上記の実施形態では、機械的な歯の噛み合わせを利用したギヤ55,32を使用していたが、他の機構を介して、駆動軸53の回転をセンターローラ30へ伝達してもよい。例えば、駆動軸53とセンターローラ30の回転軸31とのとの間に掛け渡されたベルトを介して、駆動軸53の回転をセンターローラ30へ伝達してもよい。   In the above embodiment, the gears 55 and 32 using the meshing of mechanical teeth are used. However, the rotation of the drive shaft 53 may be transmitted to the center roller 30 through another mechanism. For example, the rotation of the drive shaft 53 may be transmitted to the center roller 30 via a belt stretched between the drive shaft 53 and the rotation shaft 31 of the center roller 30.

また、図9のように、駆動軸53の回転を、磁力を利用したギヤ55A,32Aを介して、センターローラ30の回転軸31に伝達してもよい。図9の例では、駆動軸53にギヤ55Aが取り付けられおり、ギヤ55Aの端面には、磁極部551が形成されている。また、センターローラ30の回転軸31には、ギヤ32Aが取り付けられており、ギヤ32Aの端面には、磁極部321が形成されている。このため、駆動軸53を回転させると、ギヤ55Aの磁極部551とギヤ32Aの磁極部321との磁気的な作用により、センターローラ30の回転軸31が回転する。   Further, as shown in FIG. 9, the rotation of the drive shaft 53 may be transmitted to the rotation shaft 31 of the center roller 30 via gears 55A and 32A using magnetic force. In the example of FIG. 9, a gear 55A is attached to the drive shaft 53, and a magnetic pole portion 551 is formed on the end surface of the gear 55A. A gear 32A is attached to the rotation shaft 31 of the center roller 30, and a magnetic pole portion 321 is formed on the end surface of the gear 32A. Therefore, when the drive shaft 53 is rotated, the rotation shaft 31 of the center roller 30 is rotated by the magnetic action of the magnetic pole portion 551 of the gear 55A and the magnetic pole portion 321 of the gear 32A.

また、図10のように、センターローラ30自体に磁極部301を設けてもよい。図10の例では、駆動軸53にギヤ55Bが取り付けられており、ギヤ55Bのセンターローラ30に対向する面に、磁極部552が形成されている。このため、駆動軸53を回転させると、ギヤ55Bの磁極部552とセンターローラ30の磁極部301との間の磁気的な作用により、センターローラ30が回転する。   Further, as shown in FIG. 10, a magnetic pole portion 301 may be provided on the center roller 30 itself. In the example of FIG. 10, a gear 55B is attached to the drive shaft 53, and a magnetic pole portion 552 is formed on the surface of the gear 55B facing the center roller 30. Therefore, when the drive shaft 53 is rotated, the center roller 30 is rotated by a magnetic action between the magnetic pole portion 552 of the gear 55B and the magnetic pole portion 301 of the center roller 30.

図9や図10のように、磁力を利用すれば、駆動軸53の回転を、非接触でセンターローラ30に伝達できる。このため、部材の接触によるパーティクルの発生を、抑制できる。   As shown in FIGS. 9 and 10, if the magnetic force is used, the rotation of the drive shaft 53 can be transmitted to the center roller 30 without contact. For this reason, generation | occurrence | production of the particle by contact of a member can be suppressed.

また、図11のように、駆動軸53の回転を、ヘリカルギヤ55C,32Cを介して、センターローラ30の回転軸31に伝達してもよい。図11の例では、駆動軸53は、センターローラ30の回転軸31に上面視において直交する方向(すなわち、搬送方向)に、延設されている。そして、駆動軸53と、センターローラ30の回転軸31とに、螺旋状の歯を有するヘリカルギヤ55C,32Cが、互いに噛合するように、取り付けられている。このため、駆動軸53を回転させると、センターローラ30の回転軸31も回転する。   Further, as shown in FIG. 11, the rotation of the drive shaft 53 may be transmitted to the rotation shaft 31 of the center roller 30 via the helical gears 55C and 32C. In the example of FIG. 11, the drive shaft 53 extends in a direction orthogonal to the rotation shaft 31 of the center roller 30 in the top view (that is, the transport direction). Helical gears 55C and 32C having helical teeth are attached to the drive shaft 53 and the rotating shaft 31 of the center roller 30 so as to mesh with each other. For this reason, when the drive shaft 53 is rotated, the rotation shaft 31 of the center roller 30 is also rotated.

図11のように、駆動軸53を搬送方向に延設すれば、特定の幅方向位置に配置されたセンターローラ30のみを、回転させることができる。このため、回転させるべきセンターローラ30の配列によっては、駆動軸53の数を低減させることができる。   As shown in FIG. 11, if the drive shaft 53 is extended in the transport direction, only the center roller 30 arranged at a specific width direction position can be rotated. For this reason, the number of drive shafts 53 can be reduced depending on the arrangement of the center rollers 30 to be rotated.

また、上記の実施形態では、センターローラ30は、回転軸31と一体に形成されて回転軸31ごと回転するものであったが、センターローラ30は、加熱プレート10に固定された回転軸31に対して、回転するものであってもよい。   In the above embodiment, the center roller 30 is formed integrally with the rotation shaft 31 and rotates together with the rotation shaft 31. However, the center roller 30 is attached to the rotation shaft 31 fixed to the heating plate 10. On the other hand, you may rotate.

また、上記の実施形態では、複数のセンターローラ30が、搬送方向及び幅方向に、一定の間隔で配置されていたが、センターローラ30の搬送方向及び幅方向の間隔は、一定でなくてもよい。   In the above embodiment, the plurality of center rollers 30 are arranged at regular intervals in the conveyance direction and the width direction. However, the intervals in the conveyance direction and the width direction of the center rollers 30 are not necessarily constant. Good.

また、上記の実施形態では、同一の幅方向位置において、搬送方向に4つのセンターローラ30が配列されていたが、これらのセンターローラ30の幅方向の位置を、相違させてもよい。例えば、図12のように、加熱プレート10に配置された全てのセンターローラ30の、幅方向の位置を相違させてもよい。このようにすれば、1つの基板処理装置1内では、基板9の同一位置に、センターローラ30が複数回当たることを防止できる。したがって、センターローラ30による基板9の加熱ムラを、さらに抑制できる。   In the above embodiment, four center rollers 30 are arranged in the transport direction at the same position in the width direction, but the positions in the width direction of these center rollers 30 may be different. For example, as shown in FIG. 12, the positions in the width direction of all the center rollers 30 arranged on the heating plate 10 may be different. In this way, it is possible to prevent the center roller 30 from hitting the same position of the substrate 9 a plurality of times in one substrate processing apparatus 1. Therefore, uneven heating of the substrate 9 by the center roller 30 can be further suppressed.

また、上記の実施形態では、サイドローラ20は、基板9の下面に当接していたが、基板9の上面に当接するサイドローラ20が、さらに配置されてもよい。例えば、図13のように、一対のサイドローラ20が、基板9を上下から挟持しつつ、回転するようにしてもよい。このようにすれば、基板9をより確実に搬送することができる。また、図14のように、サイドローラ20を、基板9の端面に当接させつつ、上下に延びる軸を中心として回転させるようにしてもよい。   In the above embodiment, the side roller 20 is in contact with the lower surface of the substrate 9, but the side roller 20 that is in contact with the upper surface of the substrate 9 may be further arranged. For example, as shown in FIG. 13, the pair of side rollers 20 may rotate while sandwiching the substrate 9 from above and below. In this way, the substrate 9 can be transported more reliably. Further, as shown in FIG. 14, the side roller 20 may be rotated about an axis extending vertically while being in contact with the end surface of the substrate 9.

また、上記の実施形態では、サイドローラ20は、モータ50からの回転駆動を受けて回転するものであったが、サイドローラ20は、モータ50からの回転駆動を受けないフリーローラであってもよい。また、加熱プレート10の両側部以外の部位に、モータ50からの回転駆動を受けないフリーローラが、さらに配置されていてもよい。   In the above embodiment, the side roller 20 is rotated by receiving the rotational drive from the motor 50. However, the side roller 20 may be a free roller that does not receive the rotational drive from the motor 50. Good. In addition, free rollers that are not subjected to rotational driving from the motor 50 may be further disposed at portions other than both sides of the heating plate 10.

また、上記の実施形態では、複数の噴出口10aから窒素ガスを吐出していたが、窒素ガスに代えて、清浄な空気等の他の気体を吐出してもよい。ただし、基板9の表面において意図しない化学反応が生じることを防止するためには、窒素ガス等の不活性ガスを使用することが、好ましい。   Moreover, in said embodiment, nitrogen gas was discharged from the several jet nozzle 10a, However, Instead of nitrogen gas, you may discharge other gas, such as clean air. However, in order to prevent an unintended chemical reaction from occurring on the surface of the substrate 9, it is preferable to use an inert gas such as nitrogen gas.

また、上記の実施形態では、複数の噴出口10aが、搬送方向及び幅方向に、一定の間隔で配置されていたが、噴出口10aの搬送方向及び幅方向の間隔は、一定でなくてもよい。   In the above embodiment, the plurality of jet nozzles 10a are arranged at regular intervals in the transport direction and the width direction. However, the intervals in the transport direction and the width direction of the jet nozzles 10a may not be constant. Good.

また、上記の実施形態では、加熱プレート10からの輻射熱と、窒素ガスの吹き付けとによって、基板9を加熱していたが、必ずしも、このような2通りの加熱手段を備えていなくてもよい。例えば、加熱プレート10の上面からの気体の噴出を行わず、輻射熱のみで基板9を加熱するようにしてもよい。   Further, in the above embodiment, the substrate 9 is heated by the radiant heat from the heating plate 10 and the blowing of nitrogen gas, but it is not always necessary to include such two types of heating means. For example, the substrate 9 may be heated only by radiant heat without ejecting gas from the upper surface of the heating plate 10.

また、上記の基板処理装置1は、液晶表示装置用の矩形のガラス基板に対して加熱処理を行う装置であったが、本発明の基板処理装置は、半導体ウエハ、PDP用ガラス基板、記録ディスク用基板等の他の基板に対して、加熱処理を行うものであってもよい。   The substrate processing apparatus 1 described above is a device that performs heat treatment on a rectangular glass substrate for a liquid crystal display device. However, the substrate processing apparatus of the present invention includes a semiconductor wafer, a glass substrate for PDP, and a recording disk. A heat treatment may be performed on another substrate such as an industrial substrate.

1 基板処理装置
9 基板
10 加熱プレート
10a 噴出口
10b 内部流路
10c 導入口
10d 凹部
10e 貫通孔
10f 凹部
11 上段プレート
12 下段プレート
13 ヒータ
14 押さえ板
20 サイドローラ
21 回転軸
22 ギヤ
30 センターローラ
31 回転軸
32,32A ギヤ
32C ヘリカルギヤ
40 フレーム
50 モータ
51 回転軸
52 無端ベルト
53 駆動軸
54 ギヤ
55,55A,55B ギヤ
55C ヘリカルギヤ
60 軸受ブロック
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 9 Substrate 10 Heating plate 10a Spout 10b Internal flow path 10c Inlet 10d Recess 10e Through hole 10f Recess 11 Upper plate 12 Lower plate 13 Heater 14 Holding plate 20 Side roller 21 Rotating shaft 22 Gear 30 Center roller 31 Rotation Shaft 32, 32A Gear 32C Helical gear 40 Frame 50 Motor 51 Rotating shaft 52 Endless belt 53 Drive shaft 54 Gear 55, 55A, 55B Gear 55C Helical gear 60 Bearing block

Claims (10)

基板に対して加熱処理を行う基板処理装置であって、
平板状の加熱プレートと、
前記加熱プレートの上面に沿って基板を搬送する搬送手段と、
を備え、
前記搬送手段は、
基板の下面を支持しつつ回転するローラと、
前記ローラの回転軸とは別個に設けられた駆動軸を介して、前記ローラを間接的に回転させる駆動手段と、
を有し、
前記ローラの回転軸が前記加熱プレートの上面に露出せず、かつ前記回転軸の少なくとも一部分が、前記加熱プレートの下面より高い位置に配置されている基板処理装置。
A substrate processing apparatus for performing a heat treatment on a substrate,
A flat heating plate;
Transport means for transporting the substrate along the upper surface of the heating plate;
With
The conveying means is
A roller that rotates while supporting the lower surface of the substrate;
Drive means for indirectly rotating the roller via a drive shaft provided separately from the rotation shaft of the roller;
Have
The substrate processing apparatus, wherein a rotation shaft of the roller is not exposed on an upper surface of the heating plate, and at least a part of the rotation shaft is disposed at a position higher than a lower surface of the heating plate.
請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記駆動軸は、前記加熱プレートの下方に配置されている基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the drive shaft is disposed below the heating plate.
請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記ローラは、前記加熱プレートに固定された軸又は軸受に、取り付けられている基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the roller is attached to a shaft or a bearing fixed to the heating plate.
請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記ローラは、前記加熱プレートを構成する部材の下面に固定された軸又は軸受に、取り付けられている基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the roller is attached to a shaft or a bearing fixed to a lower surface of a member constituting the heating plate.
請求項1から請求項までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、機械的な歯の噛み合わせを利用したギヤを介して、前記ローラに伝達する基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4 , wherein
The substrate processing apparatus, wherein the drive means transmits the rotation of the drive shaft to the roller via a gear using mechanical tooth meshing.
請求項1から請求項5までのいずれかに記載の基板処理装置であって、  A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein
前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、磁力を利用したギヤを介して、前記ローラに伝達する基板処理装置。  The substrate processing apparatus, wherein the drive means transmits the rotation of the drive shaft to the roller through a gear using magnetic force.
請求項1から請求項6までのいずれかに記載の基板処理装置であって、  A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6,
前記ローラの前記回転軸と、前記駆動軸とは、上面視において直交しており、  The rotating shaft of the roller and the drive shaft are orthogonal to each other when viewed from above.
前記駆動手段は、前記駆動軸の回転を、ヘリカルギアを介して、前記ローラに伝達する基板処理装置。  The substrate processing apparatus, wherein the drive means transmits the rotation of the drive shaft to the roller via a helical gear.
請求項1から請求項7までのいずれかに記載の基板処理装置であって、  A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7,
前記加熱プレートは、  The heating plate is
前記加熱プレートの上面からの輻射熱により、基板を加熱する第1加熱手段と、    First heating means for heating the substrate by radiant heat from the upper surface of the heating plate;
前記加熱プレートの上面から高温の気体を噴出することにより、基板を加熱する第2加熱手段と、    A second heating means for heating the substrate by ejecting a high-temperature gas from the upper surface of the heating plate;
を有する基板処理装置。A substrate processing apparatus.
請求項1から請求項8までのいずれかに記載の基板処理装置であって、  A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8,
前記ローラは、樹脂により形成されている基板処理装置。  The roller is a substrate processing apparatus formed of resin.
請求項1から請求項9までのいずれかに記載の基板処理装置であって、  A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9, wherein
前記加熱プレートに配置された全てのローラの、搬送方向に直交する方向の位置が、相違する基板処理装置。  A substrate processing apparatus in which positions of all rollers arranged on the heating plate are different from each other in a direction orthogonal to a transport direction.
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